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WO2018179266A1 - Ｅｌデバイスの製造方法及びｅｌデバイスの製造装置 - Google Patents

Ｅｌデバイスの製造方法及びｅｌデバイスの製造装置 Download PDF

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WO2018179266A1
WO2018179266A1 PCT/JP2017/013356 JP2017013356W WO2018179266A1 WO 2018179266 A1 WO2018179266 A1 WO 2018179266A1 JP 2017013356 W JP2017013356 W JP 2017013356W WO 2018179266 A1 WO2018179266 A1 WO 2018179266A1
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WO
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layer
glass substrate
mother glass
resin layer
protective film
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PCT/JP2017/013356
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English (en)
French (fr)
Inventor
哲憲 田中
菅　勝行
有希 安田
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention irradiates a laser beam on the back surface of a mother glass substrate on which a resin layer, an inorganic sealing film, and a protective film are laminated, and inserts a knife along the interface between the mother glass substrate and the resin layer.
  • the present invention relates to an EL (electroluminescence) device manufacturing method and an EL device manufacturing apparatus including a step of peeling a mother glass substrate from a resin layer.
  • a separation layer and a thin film device are laminated on a first base material, a second base material is adhered on the thin film device, and an interface between the separation layer and the first base material is used.
  • a manufacturing method is known in which a first substrate is peeled off from the thin film device side by causing a peeling phenomenon, and the thin film device is transferred to the second substrate side (Patent Document 1).
  • the separation membrane is formed by providing a part having a different adhesion force at the interface between the separation layer and the first substrate, and the part having a different adhesion force is formed on the surface of the first substrate. Formed by processing.
  • a curved display panel such as a display panel on which a flexible EL device is formed.
  • a laminate including a resin layer, an EL layer, an inorganic sealing film, and a protective film is formed on a mother glass substrate, After irradiating the back surface of the mother glass substrate with laser light, a knife is inserted along the interface between the mother glass substrate and the resin layer to separate the mother glass substrate from the resin layer, and a flexible bottom film is applied to the resin layer. paste.
  • the peripheral region of the resin layer has a problem that the adhesive force between the resin layer and the mother glass substrate is difficult to decrease even after the laser beam irradiation. For this reason, when the adhesive force of the protective film attached on the inorganic sealing film before the laser beam irradiation treatment is weak, the knife to be inserted to peel off the glass substrate slides between the resin layer and the mother glass substrate. It may enter into the interface between the protective film and the inorganic sealing film instead of the interface, and may cause peeling failure. It is surmised that the adhesive force between the protective film and the inorganic sealing film is equal to or less than the adhesive force between the resin layer and the mother glass substrate in the peripheral region.
  • the manufacturing method of the EL device includes a lamination step of laminating a resin layer, an inorganic sealing film, and a protective film on a mother glass substrate, and from the side opposite to the resin layer of the mother glass substrate.
  • an EL device manufacturing method and an EL device manufacturing apparatus that can peel a mother glass substrate satisfactorily.
  • FIG. 2 is a plan view of a mother glass substrate according to Embodiment 1.
  • FIG. (A) is sectional drawing along surface AA shown by FIG. 1
  • (b) is sectional drawing along surface AA in the state in which the mother glass substrate was peeled and the lower surface film was affixed.
  • It is sectional drawing along the surface BB shown by FIG. (A) is a flowchart which shows the manufacturing method of the EL device which concerns on Embodiment
  • (b) is a flowchart which shows the principal part of the manufacturing method of the flexible EL device concerning Embodiment 1.
  • (A) is sectional drawing along surface CC shown by FIG. 1
  • (b) is sectional drawing along surface FF shown by FIG.
  • (A) is sectional drawing of the edge part area
  • (b) is sectional drawing seen from the direction perpendicular
  • (A) is sectional drawing of the edge part area
  • (b) is sectional drawing seen from the direction perpendicular
  • (A) is sectional drawing of the edge part area
  • (b) is sectional drawing seen from the direction perpendicular
  • (A) is sectional drawing of the edge part area
  • (b) is sectional drawing seen from the direction perpendicular
  • FIG. 1 is a plan view of a mother glass substrate 50 (mother base material 10) according to the first embodiment.
  • 2A is a cross-sectional view along the plane AA shown in FIG. 1
  • FIG. 2B is a cross-sectional view along the plane AA in a state where the mother glass substrate 50 is peeled off and the lower surface film 50A is attached.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view along the plane BB shown in FIG.
  • FIG. 4A is a flowchart illustrating a method for manufacturing the EL device according to the first embodiment
  • FIG. 4B is a flowchart illustrating a main part of the method for manufacturing the flexible EL device according to the first embodiment.
  • a resin layer 12 is formed on the mother substrate 10 (step S1).
  • the barrier layer 3 is formed (step S2).
  • a TFT (Thin Film Transistor) thin film transistor layer 4 including the gate insulating film 16, the passivation films 18 and 20, and the organic interlayer film 21 is formed (step S3).
  • a light emitting element layer for example, an OLED (Organic Light Emitting Diode) element layer
  • the sealing layer 6 including the inorganic sealing films 26 and 28 and the organic sealing film 27 is formed to form the stacked body 7 (step S5).
  • the laminated body 7 is cut along the dividing line DL (FIG. 1) together with the mother base material 10 to form a plurality of separated EL devices 2 (step S7).
  • the functional film 39 is pasted through the adhesive layer 38 (step S8).
  • an electronic circuit board is mounted on the end of the TFT layer 4 (step S9). Each step is performed by an EL device manufacturing apparatus.
  • a laminate 7 (resin layer 12, barrier layer 3, The TFT layer 4, the light emitting element layer 5, and the sealing layer 6) are formed, and the protective film 11 is pasted on the laminated body 7 via the adhesive layer 13 (step S6a).
  • the lower surface of the resin layer 12 is irradiated with laser light through the mother glass substrate 50 (step S6b).
  • the lower surface of the resin layer 12 (interface with the mother glass substrate 50) is altered by ablation, and the bonding force between the resin layer 12 and the mother glass substrate 50 is reduced.
  • the mother glass substrate 50 is peeled from the resin layer 12 (step S6c).
  • a lower surface film 50A made of PET (polyethylene terephthalate) or the like is attached to the lower surface of the resin layer 12 via an adhesive layer (step S6d). Thereafter, the process proceeds to step S7.
  • Examples of the material for the resin layer 12 include polyimide, epoxy, and polyamide. Examples of the material of the lower film 50A include polyethylene terephthalate (PET).
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the EL device is used, and is formed by, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a stacked film thereof can be used.
  • the TFT layer 4 is formed on the semiconductor film 15, the gate insulating film 16 formed above the semiconductor film 15, the gate electrode G formed above the gate insulating film 16, and the layer above the gate electrode G.
  • a thin layer transistor (TFT) is configured to include the semiconductor film 15, the gate insulating film 16, and the gate electrode G.
  • a plurality of terminals TM used for connection to the electronic circuit board are formed (FIG. 3).
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS, Low-Temperature Polycrystalline Silicon) or an oxide semiconductor.
  • the gate insulating film 16 can be constituted by, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the gate electrode G, the source electrode S, the drain electrode D, and the terminal TM are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper It is composed of a single layer film or a laminated film of metal containing at least one of (Cu).
  • the TFT having the semiconductor film 15 as a channel is shown as a top gate structure, but a bottom gate structure may be used (for example, when the TFT channel is an oxide semiconductor).
  • the gate insulating film 16 and the passivation films 18 and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the organic interlayer film 21 can be made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 (for example, an organic light emitting diode layer) includes a first electrode 22 (for example, an anode electrode) formed above the organic interlayer film 21, and an organic insulating film 23 that covers the edge of the first electrode 22. , An EL (electroluminescence) layer 24 formed above the first electrode 22, and a second electrode 25 formed above the EL layer 24.
  • the first electrode 22, the EL layer 24, and the second electrode 25 constitutes a light emitting element (for example, an organic light emitting diode).
  • the organic insulating film 23 in the active area DA functions as a bank (pixel partition) that defines the sub-pixel area.
  • the organic insulating film 23 can be made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • the organic insulating film 23 can be applied to the active area DA and the inactive area NA by an inkjet method.
  • a bank-shaped convex body TK surrounding the active area is provided.
  • the convex body TK defines the edge of the organic sealing film 27 (for example, a film formed by an ink jet method).
  • the convex body TK is configured to include at least one of the organic interlayer film 21 and the organic insulating film 23y, for example.
  • the EL layer 24 is formed in a region (subpixel region) surrounded by the organic insulating film 23 by a vapor deposition method or an inkjet method.
  • the light emitting element layer 5 is an organic light emitting diode (OLED) layer
  • the EL layer 24 includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side. It is composed by doing. Note that one or more layers of the EL layer 24 may be a common layer (shared by a plurality of pixels).
  • the first electrode (anode) 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the second electrode (for example, cathode electrode) 25 is a common electrode, and can be made of a transparent metal such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zincum Oxide).
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the EL layer 24 by the driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25, and the exciton generated thereby falls to the ground state.
  • the exciton generated thereby falls to the ground state.
  • the light emitting element layer 5 is not limited to constituting an OLED element, and may constitute an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • the sealing layer 6 covers the light emitting element layer 5 and prevents penetration of foreign matters such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • the sealing layer 6 includes an inorganic sealing film 26 that covers the organic insulating film 23 and the second electrode 25, an organic sealing film 27 that is formed above the inorganic sealing film 26, functions as a buffer film, and an inorganic sealing film. And an inorganic sealing film 28 that covers the stop film 26 and the organic sealing film 27.
  • Each of the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28 may be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a stacked film thereof formed by CVD using a mask. it can.
  • the organic sealing film 27 is a light-transmitting organic insulating film thicker than the inorganic sealing film 26 and the inorganic sealing film 28, and can be made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic. .
  • an ink containing such an organic material is applied onto the inorganic sealing film 26 by inkjet, and then cured by UV (UltraViolet, ultraviolet) irradiation.
  • the functional film 39 has, for example, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like. When these layers having one or more functions are laminated on the upper layer than the light emitting element layer 5, the functional film 39 can be thinned or removed.
  • the electronic circuit board is, for example, an IC chip or a flexible printed board (FPC) mounted on the plurality of terminals TM.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view along the plane CC shown in FIG. 1, and corresponds to FIG. 2B showing a flexible EL device.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view along the plane FF shown in FIG.
  • the barrier layer 3 shown in FIG. 2B is laminated on the resin layer 12 so as to cover the entire surface of the resin layer 12.
  • the total TFT 4 and the light emitting element layer 5 are formed on the barrier layer 3.
  • a sealing layer 6 is laminated so as to cover the total TFT 4 and the light emitting element layer 5, and a protective film 11 is formed on the sealing layer 6.
  • the protective film 11 is laminated on the barrier layer 3 as shown in FIG.
  • FIG. 6A is a cross-sectional view of an end region of the mother glass substrate 50
  • FIG. 6B is a cross-sectional view as viewed from a direction perpendicular to the surface of the mother glass substrate 50.
  • 6B corresponds to the cross section along the plane DD shown in FIG. 6A
  • FIG. 6A corresponds to the cross section along the plane EE shown in FIG. 6B.
  • the resin layer 12 has a slope 14 whose thickness decreases toward the end surface 51 of the mother glass substrate 50.
  • the barrier layer 3 is formed along the surface of the resin layer 12, the slope 14, and the surface region of the mother glass substrate 50 between the slope 14 and the end face 51.
  • the barrier layer 3 is formed to cover the entire surface of the resin layer 12 as shown in FIGS.
  • a protective film 11 is formed on the barrier layer 3 via an adhesive layer 13.
  • the adhesive layer 13 for example, an adhesive used for bonding the polarizing plate is used.
  • the adhesion strengthening layer 1 that reinforces the adhesion between the barrier layer 3 and the protective film 11 is formed along the end surface 51 of the mother glass substrate 50.
  • the adhesion reinforcing layer 1 is formed so as to reach the end surface 51 of the mother glass substrate 50.
  • the adhesive strength reinforcing layer 1 is formed along the four sides of the mother glass substrate 50. As described above, the adhesion reinforcing layer 1 is formed only on the peripheral portion of the inorganic sealing film 28. For this reason, the protective film 11 whose adhesive strength is strengthened only at the peripheral portion is attached to the inorganic sealing film 28.
  • the configuration of the adhesive strength reinforcing layer 1 and the adhesive layer 13 can be realized by using a special protective film having different adhesive strength in a plane parallel to the surface of the mother glass substrate 50.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a laser light irradiation step (LLO (Laxer Lift Off) step) of the manufacturing method of the EL device 2A.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing the peeling step of the method for manufacturing the EL device 2A.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing the attaching step of the method for manufacturing the EL device 2A.
  • LLO Laser Lift Off
  • the laminated body 7 is laminated on the mother glass substrate 50 by the laminating mechanism 63 and the protective film 11 is attached via the adhesive layer 13, as described above with reference to FIG.
  • the laser beam is irradiated to the lower surface of the resin layer 12 by the laser beam irradiation mechanism 61.
  • a knife 62 peeleling mechanism
  • the lower surface film 50 ⁇ / b> A is attached to the resin layer 12 by the attaching mechanism 64.
  • the adhesive force between the central portion of the resin layer 12 and the central portion of the mother glass substrate 50 is reduced.
  • the adhesive force between the resin layer 12 and the mother glass substrate 50 is unlikely to decrease.
  • the adhesive force between the barrier layer 3 and the protective film 11 is reinforced by the adhesive strength reinforcing layer 1.
  • the adhesive force between the protective film 11 and the barrier layer 3 becomes much larger than the adhesive force between the mother glass substrate 50 and the resin layer 12.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a peeling process according to a comparative example.
  • the adhesive force between the mother glass substrate 50 and the resin layer 12 is unlikely to decrease even when laser light is irradiated. .
  • the adhesive force between the protective film 11 and the barrier layer 3 becomes below the adhesive force between the mother glass substrate 50 and the resin layer 12.
  • the knife 62 inserted to peel off the mother glass substrate 50 slips and enters the interface between the protective film 11 and the barrier layer 3 instead of the interface between the resin layer 12 and the mother glass substrate 50.
  • the protective film 11 may be peeled off. Since it is assumed that the protective film 11 on the barrier layer 3 is peeled off after the lighting inspection of the EL device 2A, the protective film 11 having a strong adhesive force is used, and the adhesion between the protective film 11 and the barrier layer 3 is performed. The force cannot be equal to or greater than the adhesive force between the resin layer 12 and the mother glass substrate 50 in the region corresponding to the slope 14.
  • the adhesive strength reinforcing layer 1 that strengthens the adhesive strength between the barrier layer 3 and the protective film 11 is formed along the end surface 51 of the mother glass substrate 50. For this reason, the adhesive force between the barrier layer 3 and the protective film 11 is strengthened along the end surface 51 of the mother glass substrate 50. For this reason, in the area
  • the adhesive force between the protective film 11 and the barrier layer 3 is 0.01 to 0.05 N (Newton) / 25 mm (millimeter). It is strengthened about twice.
  • the adhesive force between the protective film 11 and the barrier layer 3 is preferably an adhesive force of 0.1 N / 25 mm or more.
  • the adhesive force between the protective film 11 and the barrier layer 3 is preferably about 2 to 10 times or more the adhesive force between the mother glass substrate 50 and the resin layer 12.
  • the intensity of the laser beam irradiated in the laser beam irradiation process can be lowered to a necessary minimum level, an effect of suppressing a decrease in yield due to ash can be expected.
  • step S7 since the area
  • Adhesion strengthening layer 1 should just be formed along the side where knife 62 for exfoliation is inserted, and should just be formed along at least one side.
  • FIG. 11A is a cross-sectional view of an end region of the mother glass substrate 50 according to the second embodiment, and FIG.
  • the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. Detailed description of these components will not be repeated.
  • the adhesive strength reinforcing layer 1 according to the first embodiment is formed so as to reach the end surface 51 of the mother glass substrate 50
  • the adhesive strength reinforcing layer 1A according to the second embodiment is a portion corresponding to the end portion of the resin layer 12. Only formed.
  • the adhesion strengthening layer 1 ⁇ / b> A is formed in a region along the periphery of the mother glass substrate 50 corresponding to a position beyond the upper end from the lower end of the slope 14 of the resin layer 12.
  • the adhesion strengthening layer 1A may be formed so as to cover the lower side of the slope 14.
  • the adhesion strengthening layer 1A is not formed in the outer region of the resin layer 12, the adhesive force between the protective film 11 and the mother glass substrate 50 remains weak without being strengthened. Therefore, in addition to the effect of the first embodiment, there is an effect that it becomes easy to insert the knife 62 for peeling the mother glass substrate 50.
  • FIG. 12A is a cross-sectional view of the end region of the mother glass substrate 50 according to the third embodiment, and FIG.
  • the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. Detailed description of these components will not be repeated.
  • a UV curable resin or a thermosetting resin is used for the adhesive layer 13 of the protective film 11, and the UV curable resin or the thermosetting resin is applied by UV irradiation or heating only in the region along the periphery of the mother glass substrate 50. It hardens
  • the adhesive layer 13B is formed by irradiating the adhesive layer 13 with UV or heating the adhesive layer 13, so that the special protective film having different adhesive strength within the surface as in the first embodiment. Need not be used. For this reason, in addition to the effect of Embodiment 1, material cost can be reduced.
  • FIG. 13A is a cross-sectional view of an end region of the mother glass substrate 50 according to the fourth embodiment, and FIG.
  • the same components as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. Detailed description of these components will not be repeated.
  • the protective film 11 having a weak adhesive force and the protective film 11C having a strong adhesive force are laminated and pasted.
  • the adhesive strength reinforcing layer 1 ⁇ / b> C is formed over the entire surface of the mother glass substrate 50 so as to cover not only the region along the periphery of the mother glass substrate 50 but also the adhesive layer 13 and the protective film 11 formed in the center. . Then, the protective film 11C is formed on the adhesive strength reinforcing layer 1C.
  • the protective films 11 and 11C are not special protective films as in the first embodiment, and are inexpensive protective films. Can be used. Moreover, the equipment for UV irradiation etc. like Embodiment 3 becomes unnecessary. Therefore, in addition to the effects of the first embodiment, the total cost of the peeling process can be reduced.
  • the EL display according to the present embodiment includes an organic EL (Electro Luminescence) display including an OLED (Organic Light Emitting Diode), an inorganic EL display including an inorganic light emitting diode, and the like, and There are QLED displays equipped with QLEDs (Quantum dot Light Emitting Diode).
  • organic EL Electro Luminescence
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • inorganic EL display including an inorganic light emitting diode
  • QLED displays equipped with QLEDs Quantum dot Light Emitting Diode
  • the EL device manufacturing method of aspect 1 includes a laminating step of laminating a resin layer, a barrier layer, and a protective film on a mother glass substrate, and a laser that irradiates laser light from the side opposite to the resin layer of the mother glass substrate.
  • a light irradiation step, a peeling step in which a knife is inserted along the interface between the mother glass substrate and the resin layer to peel the mother glass substrate from the resin layer, and a resin from which the mother glass substrate has been peeled off Including an attaching step of attaching a lower surface film to the layer, and the laminating step forms an adhesive strength-enhancing layer along the end surface of the mother glass substrate that reinforces the adhesive strength between the barrier layer and the protective film. Including an adhesion strengthening layer forming step.
  • the laminating step includes a step of laminating a light emitting element layer between the barrier layer and the protective film, and the barrier layer is formed so as to cover the entire surface of the resin layer.
  • the adhesion enhancing layer is formed along at least one side of the mother glass substrate.
  • the adhesion strengthening layer is formed so as to reach the end surface of the mother glass substrate.
  • the resin layer has a slope whose film thickness decreases toward the end face of the mother glass substrate, and the adhesion strengthening layer is formed on the slope.
  • an adhesive layer having an adhesive strength weaker than the adhesive strength of the adhesive strength enhancing layer is formed on the inside and outside of the adhesive strength enhancing layer.
  • the adhesion enhancing layer is made of a photo-curing resin or a thermosetting resin.
  • the photocurable resin includes a UV curable resin.
  • the adhesion enhancing layer is formed so as to cover the entire surface of the mother glass substrate.
  • the laminating step includes a step of laminating a second protective film between the barrier layer and the adhesive strength enhancing layer, and the second protective film is formed inside the end surface of the resin layer.
  • the adhesive force between the second protective film and the barrier layer is weaker than the adhesive force between the protective film and the barrier layer.
  • Aspect 11 further includes a dividing step of dividing the mother glass substrate on which the lower surface film is attached to form a plurality of separated EL devices.
  • An EL device manufacturing apparatus includes a lamination mechanism for laminating a resin layer, a barrier layer, and a protective film on a mother glass substrate, and a laser that irradiates laser light from the opposite side of the resin layer of the mother glass substrate.
  • a laminating mechanism for affixing a lower surface film to the layer, and the laminating mechanism forms an adhesive strength-enhancing layer that reinforces the adhesive strength between the barrier layer and the protective film along the end surface of the mother glass substrate. .

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Abstract

ＥＬデバイスの製造方法は、マザーガラス基板（５０）上に、樹脂層（１２）、バリア層（３）、及び保護フィルム（１１）を積層する積層工程を包含し、積層工程が、バリア層（３）と保護フィルム（１１）との間の接着力を強化する接着力強化層（１）をマザーガラス基板（５０）の端面に沿って形成する接着力強化層形成工程を含む。

Description

ＥＬデバイスの製造方法及びＥＬデバイスの製造装置
　本発明は、樹脂層、無機封止膜、及び保護フィルムが積層されたマザーガラス基板の裏面にレーザ光を照射し、マザーガラス基板と樹脂層との間の界面に沿ってナイフを挿入してマザーガラス基板を樹脂層から剥離する工程を包含するＥＬ（electroluminescence）デバイスの製造方法及びＥＬデバイスの製造装置に関する。
　ＥＬデバイス等の薄膜デバイスの製造方法として、第１基材上に分離層と薄膜デバイスとを積層し、薄膜デバイス上に第２基材を接着し、分離層と第１基材との界面で剥離現象を生じさせることにより第１基材を薄膜デバイス側から剥がして薄膜デバイスを第２基材側に転写する製造方法が知られている（特許文献１）。
　この製造方法では、分離層と第１基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、その部分的に密着力の異なる部位は、第１基材の表面処理により形成される。
日本国公開特許公報「特開2005-183615号（2005年7月7日公開）」
　昨今、例えばフレキシブルなＥＬデバイスが形成された表示パネルのように、湾曲する表示パネルに対する要望が高まっている。このような表示パネルを製造する際は、マザーガラス基板上に、樹脂層、ＥＬ層、無機封止膜、及び保護フィルムを含む積層体を形成し、
マザーガラス基板の裏面にレーザ光を照射した後、マザーガラス基板と樹脂層との間の界面に沿ってナイフを挿入してマザーガラス基板を樹脂層から剥離し、フレキシブルな下面フィルムを樹脂層に貼り付ける。
　しかしながら、樹脂層の周縁領域はレーザ光の照射後もマザーガラス基板との間の接着力が低下し難いという問題がある。このため、レーザ光の照射処理前に無機封止膜上に貼り付ける保護フィルムの接着力が弱い場合、ガラス基板を剥離するために挿入するナイフが滑って、樹脂層とマザーガラス基板との間の界面ではなく、保護フィルムと無機封止膜との間の界面に入り込んでしまい、剥離不良となることがある。保護フィルムと無機封止膜との間の接着力が、周縁領域での樹脂層とマザーガラス基板との間の接着力と同等以下になっていることが原因と推察される。
　レーザ光照射時に照射するレーザ光の強度を上げて周縁領域での樹脂層とマザーガラス基板との間の接着力を低下させることで、ある程度剥離不良の発生を抑制できるものの、アッシュの増加を伴うためレーザ光の強度を上げることは望ましくない。
　また、無機封止膜上の保護フィルムは表示パネルの点灯検査後に剥離することを想定しているため、接着力の強い保護フィルムを使用して、保護フィルムと無機封止膜との間の接着力を周縁領域での樹脂層とマザーガラス基板との間の接着力と同等にすることはできない。
　本発明の一態様に係るＥＬデバイスの製造方法は、マザーガラス基板上に、樹脂層、無機封止膜、及び保護フィルムを積層する積層工程と、前記マザーガラス基板の前記樹脂層と反対側からレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、前記マザーガラス基板と前記樹脂層との間の界面に沿ってナイフを挿入して前記マザーガラス基板を前記樹脂層から剥離する剥離工程と、前記マザーガラス基板が剥離された樹脂層に下面フィルムを貼り付ける貼付工程とを包含し、前記積層工程が、前記無機封止膜と前記保護フィルムとの間の接着力を強化する接着力強化層を前記マザーガラス基板の端面に沿って形成する接着力強化層形成工程を含むことを特徴とする。
　本発明の一態様によれば、マザーガラス基板を良好に剥離することのできるＥＬデバイスの製造方法及びＥＬデバイスの製造装置を提供することができる。
実施形態１に係るマザーガラス基板の平面図である。 （ａ）は図１に示される面ＡＡに沿った断面図であり、（ｂ）はマザーガラス基板が剥離されて下面フィルムが貼り付けられた状態における面ＡＡに沿った断面図である。 図１に示される面ＢＢに沿った断面図である。 （ａ）は実施形態１に係るＥＬデバイスの製造方法を示すフローチャートであり、（ｂ）は実施形態１に係るフレキシブルＥＬデバイスの製造方法の要部を示すフローチャートである。 （ａ）は図１に示される面ＣＣに沿った断面図であり、（ｂ）は図１に示される面ＦＦに沿った断面図である。 （ａ）は上記マザーガラス基板の端部領域の断面図であり、（ｂ）は上記マザーガラス基板の表面に垂直な方向から見た断面図である。 上記ＥＬデバイスの製造方法のレーザ光照射工程を示す断面図である。 上記ＥＬデバイスの製造方法の剥離工程を示す断面図である。 上記ＥＬデバイスの製造方法の貼付工程を示す断面図である。 比較例に係る剥離工程を示す断面図である。 （ａ）は実施形態２に係るマザーガラス基板の端部領域の断面図であり、（ｂ）は上記マザーガラス基板の表面に垂直な方向から見た断面図である。 （ａ）は実施形態３に係るマザーガラス基板の端部領域の断面図であり、（ｂ）は上記マザーガラス基板の表面に垂直な方向から見た断面図である。 （ａ）は実施形態４に係るマザーガラス基板の端部領域の断面図であり、（ｂ）は上記マザーガラス基板の表面に垂直な方向から見た断面図である。
　（実施形態１）
　（マザーガラス基板５０）
　図１は実施形態１に係るマザーガラス基板５０（マザー基材１０）の平面図である。図２（ａ）は図１に示される面ＡＡに沿った断面図であり、（ｂ）はマザーガラス基板５０が剥離されて下面フィルム５０Ａが貼り付けられた状態における面ＡＡに沿った断面図である。図３は図１に示される面ＢＢに沿った断面図である。図４（ａ）は実施形態１に係るＥＬデバイスの製造方法を示すフローチャートであり、（ｂ）は実施形態１に係るフレキシブルＥＬデバイスの製造方法の要部を示すフローチャートである。
　まず、剛性を有するＥＬデバイスの製造方法を説明する。
　図１、図２（ａ）および図４（ａ）に示すように、まず、マザー基材１０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０および有機層間膜２１を含むＴＦＴ（Thin Film Transistor、薄膜トランジスタ）層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode、有機発光ダイオード）素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、無機封止膜２６・２８および有機封止膜２７を含む封止層６を形成し、積層体７とする（ステップＳ５）。次いで、マザー基材１０とともに積層体７を分断線ＤＬ（図１）に沿って分断し、個片化された複数個のＥＬデバイス２を形成する（ステップＳ７）。次いで、接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、ＴＦＴ層４の端部に電子回路基板を実装する（ステップＳ９）。なお、前記各ステップはＥＬデバイスの製造装置が行う。
　次に、フレキシブルなＥＬデバイス２Ａの製造方法を説明する。
　フレキシブルなＥＬデバイス２Ａを製造する場合には、図１、図２（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、例えばマザーガラス基板５０上に積層体７（樹脂層１２、バリア層３、ＴＦＴ層４、発光素子層５および封止層６）を形成しておき、積層体７上に接着層１３を介して保護フィルム１１を貼り付ける（ステップＳ６ａ）。次いで、マザーガラス基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ６ｂ）。ここでは、樹脂層１２の下面（マザーガラス基板５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびマザーガラス基板５０間の結合力が低下する。次いで、マザーガラス基板５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ６ｃ）。次いで、樹脂層１２の下面に、接着層を介して、ＰＥＴ（poly ethylene terephthalate、ポリエチレンテレフタレート）等で構成された下面フィルム５０Ａを貼り付ける（ステップＳ６ｄ）。その後上記ステップＳ７に移行する。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルム５０Ａの材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　バリア層３は、ＥＬデバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition、化学蒸着）により形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層に形成されるゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６よりも上層に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上層に形成されるパッシベーション膜１８・２０と、パッシベーション膜１８よりも上層に形成される容量電極Ｃおよび端子ＴＭ（図３）と、パッシベーション膜２０よりも上層に形成される、ソース配線Ｓ、およびドレイン配線Ｄと、ソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄよりも上層に形成される有機層間膜（平坦化膜）２１とを含む。半導体膜１５、ゲート絶縁膜１６、およびゲート電極Ｇを含むように薄層トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。ＴＦＴ層４の非アクティブ領域ＮＡには、電子回路基板との接続に用いられる複数の端子ＴＭが形成される（図３）。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ、Low-Temperature Polycrystalline Silicon）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子ＴＭは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。有機層間膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、有機層間膜２１よりも上層に形成される第１電極２２（例えば、アノード電極）と、第１電極２２のエッジを覆う有機絶縁膜２３と、第１電極２２よりも上層に形成されるＥＬ（electroluminescence）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層に形成される第２電極２５とを含み、第１電極２２、ＥＬ層２４、および第２電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード）が構成される。アクティブ領域ＤＡの有機絶縁膜２３は、サブピクセル領域を規定するバンク（画素隔壁）として機能する。
　有機絶縁膜２３は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。有機絶縁膜２３は、例えば、アクティブ領域ＤＡおよび非アクティブ領域ＮＡに対してインクジェット方式で塗布することができる。
　非アクティブ領域ＮＡには、アクティブ領域を取り囲むバンク状の凸体ＴＫが設けられる。凸体ＴＫは有機封止膜２７（例えば、インクジェット方式で形成される膜）のエッジを規定する。凸体ＴＫは、例えば、有機層間膜２１および有機絶縁膜２３ｙの少なくとも一方を含むように構成される。
　ＥＬ層２４は、有機絶縁膜２３によって囲まれた領域（サブピクセル領域）に、蒸着法あるいはインクジェット法によって形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。なお、ＥＬ層２４の１以上の層を（複数の画素で共有する）共通層とすることもできる。
　第１電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第２電極（例えば、カソード電極）２５は、共通電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透明金属で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、第１電極２２および第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。
　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　封止層６は発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ。封止層６は、有機絶縁膜２３および第２電極２５を覆う無機封止膜２６と、無機封止膜２６よりも上層に形成され、バッファ膜として機能する有機封止膜２７と、無機封止膜２６および有機封止膜２７を覆う無機封止膜２８とを含む。
　無機封止膜２６および無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、マスクを用いたＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、無機封止膜２６および無機封止膜２８よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ（UltraViolet、紫外線）照射により硬化させる。
　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。これらの１以上の機能を有する層が発光素子層５よりも上層に積層されている場合には、機能フィルム３９を薄くしたり、除いたりすることもできる。電子回路基板は、例えば、複数の端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）である。
　(レーザ光照射工程及び剥離工程)
　以下、実施形態１に係るフレキシブルなＥＬデバイスを製造するためのレーザ光照射工程（ステップＳ６ｂ）及び剥離工程（ステップＳ６ｃ）を詳細に説明する。
　図５（ａ）は図１に示される面ＣＣに沿った断面図であり、フレキシブルなＥＬデバイスを示す図２（ｂ）に対応する。図５（ｂ）は図１に示される面ＦＦに沿った断面図である。
　面ＣＣ、面ＦＦでは、図５（ａ）（ｂ）に示されるように、樹脂層１２の上に図２（ｂ）に示されるバリア層３が樹脂層１２の全面を覆うように積層される。そして、
面ＦＦでは、図５（ｂ）に示されるように、バリア層３の上にＴＦＴ総４、発光素子層５が形成される。そして、ＴＦＴ総４、発光素子層５を覆うように封止層６が積層され、封止層６の上に保護フィルム１１が形成される。面ＣＣでは、図５（ａ）に示されるように保護フィルム１１がバリア層３の上に積層される。
　図６（ａ）はマザーガラス基板５０の端部領域の断面図であり、（ｂ）はマザーガラス基板５０の表面に垂直な方向から見た断面図である。図６（ｂ）は図６（ａ）に示される面ＤＤに沿った断面に対応し、図６（ａ）は図６（ｂ）に示される面ＥＥに沿った断面に対応する。
　樹脂層１２は、マザーガラス基板５０の端面５１に向かって膜厚が減少する斜面１４を有する。バリア層３は、樹脂層１２の表面、斜面１４、及び斜面１４と端面５１との間のマザーガラス基板５０の表面領域に沿って形成される。バリア層３は、図５（ａ）（ｂ）に示されるように、樹脂層１２の全面を覆って形成される。バリア層３の上に接着層１３を介して保護フィルム１１が形成される。接着層１３は、例えば、偏光板の接着に使う接着剤を使用する。
　バリア層３と保護フィルム１１との間の接着力を強化する接着力強化層１が、マザーガラス基板５０の端面５１に沿って形成される。図６に示す例では、接着力強化層１が、マザーガラス基板５０の端面５１に到達するように形成される。そして、接着力強化層１は、マザーガラス基板５０の四辺に沿って形成される。このように、無機封止膜２８の周辺部にのみ接着力強化層１が形成される。このため、周辺部のみ接着力が強化された保護フィルム１１が無機封止膜２８に貼り付けられる。
　接着力強化層１及び接着層１３の構成は、マザーガラス基板５０の表面に平行な面内で接着力が異なる特殊な保護フィルムを使用することにより実現することができる。
　図７はＥＬデバイス２Ａの製造方法のレーザ光照射工程（ＬＬＯ（Laxer Lift Off）工程）を示す断面図である。図８はＥＬデバイス２Ａの製造方法の剥離工程を示す断面図である。図９はＥＬデバイス２Ａの製造方法の貼付工程を示す断面図である。
　マザーガラス基板５０に積層体７を積層機構６３により積層し、接着層１３を介して保護フィルム１１を貼り付けた後、図４（ｂ）を参照して前述したように、マザーガラス基板５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光をレーザ光照射機構６１により照射する。そして、マザーガラス基板５０と樹脂層１２との間の界面に沿ってナイフ６２（剥離機構）を挿入してマザーガラス基板５０を樹脂層１２から剥離する。次に、下面フィルム５０Ａを樹脂層１２に貼付機構６４により貼り付ける。
　レーザ光をレーザ光照射機構６１により照射すると、樹脂層１２の中央部とマザーガラス基板５０の中央部との間の接着力が低下する。一方、樹脂層１２の膜厚が急激に変化する斜面１４に対応する領域では、樹脂層１２とマザーガラス基板５０との間の接着力が低下し難い。実施形態１では接着力強化層１によりバリア層３と保護フィルム１１との間の接着力が強化されている。このため、斜面１４に対応する領域において、保護フィルム１１とバリア層３との間の接着力が、マザーガラス基板５０と樹脂層１２との間の接着力よりもはるかに大きくなる。従って、マザーガラス基板５０と樹脂層１２との間の界面に沿ってナイフ６２を挿入してマザーガラス基板５０を樹脂層１２から好適に剥離することができる。
　（比較例）
　図１０は比較例に係る剥離工程を示す断面図である。前述したように、樹脂層１２の膜厚が急激に変化する斜面１４に対応する領域では、レーザ光を照射しても、マザーガラス基板５０と樹脂層１２との間の接着力が低下し難い。このため、上記斜面１４に対応する領域では、保護フィルム１１とバリア層３との間の接着力が、マザーガラス基板５０と樹脂層１２との間の接着力以下になる。この場合、マザーガラス基板５０を剥離するために挿入するナイフ６２が滑って、樹脂層１２とマザーガラス基板５０との間の界面ではなく、保護フィルム１１とバリア層３との間の界面に入り込んでしまい、マザーガラス基板５０ではなく保護フィルム１１が剥がれてしまう剥離不良となることがある。バリア層３上の保護フィルム１１はＥＬデバイス２Ａの点灯検査後に剥離することを想定しているため、接着力の強い保護フィルム１１を使用して、保護フィルム１１とバリア層３との間の接着力を斜面１４に対応する領域での樹脂層１２とマザーガラス基板５０との間の接着力と同等以上にすることはできない。
　これに対して実施形態１では、バリア層３と保護フィルム１１との間の接着力を強化する接着力強化層１が、マザーガラス基板５０の端面５１に沿って形成される。このため、バリア層３と保護フィルム１１との間の接着力がマザーガラス基板５０の端面５１に沿って強化される。このため、斜面１４に対応する領域において、保護フィルム１１とバリア層３との間の接着力が、マザーガラス基板５０と樹脂層１２との間の接着力よりもはるかに大きくなる。従って、ナイフ６２が保護フィルム１１とバリア層３との間の界面に入り込むことが防止され、上記剥離不良の発生を抑制することができる。
　保護フィルム１１とバリア層３との間の接着力は、比較例では０．０１～０．０５Ｎ（ニュートン）／２５ｍｍ（ミリメートル）であるが、接着力強化層１を形成することにより、約１００倍程度に強化される。保護フィルム１１とバリア層３との間の接着力は、０．１Ｎ／２５ｍｍ以上の接着力であることが好ましい。そして、保護フィルム１１とバリア層３との間の接着力は、マザーガラス基板５０と樹脂層１２との間の接着力の２～１０倍程度以上であることが好ましい。
　また、実施形態１によれば、レーザ光照射工程で照射するレーザ光の強度を必要最低限のレベルまで下げることができるので、アッシュによる歩留りの低下を抑制する効果も期待することができる。
　なお、接着力強化層１により接着力を強化した領域は、個片化のための分断時（ステップＳ７）に切り落とされるため、個片化の後工程におけるプロセスに影響を与えることもない。
　上述した実施形態では、接着力強化層１が、マザーガラス基板５０の四辺に沿って形成される例を示したが、本発明はこれに限定されない。接着力強化層１は、剥離のためのナイフ６２が挿入される辺に沿って形成されていればよく、少なくとも一辺に沿って形成されていればよい。
　（実施形態２）
　図１１（ａ）は実施形態２に係るマザーガラス基板５０の端部領域の断面図であり、（ｂ）はマザーガラス基板５０の表面に垂直な方向から見た断面図である。実施形態１で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
　実施形態１に係る接着力強化層１はマザーガラス基板５０の端面５１に到達するように形成されていたが、実施形態２に係る接着力強化層１Ａは樹脂層１２の端部に相当する箇所にのみ形成される。
　接着力強化層１Ａは、図１１に示すように、樹脂層１２の斜面１４の下端から上端を越えた位置に対応するマザーガラス基板５０の周縁に沿った領域に形成される。斜面１４の下側を覆うように接着力強化層１Ａを形成してもよい。
　これにより、樹脂層１２の外側の領域は、接着力強化層１Ａが形成されないため、保護フィルム１１とマザーガラス基板５０との間の密着力が強化されずに弱いままとなっている。従って、実施形態１の効果に加えて、マザーガラス基板５０を剥離するためのナイフ６２を挿入し易くなるという効果を奏する。
　（実施形態３）
　図１２（ａ）は実施形態３に係るマザーガラス基板５０の端部領域の断面図であり、（ｂ）はマザーガラス基板５０の表面に垂直な方向から見た断面図である。実施形態１で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
　実施形態３では、保護フィルム１１の接着層１３にＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を使用し、マザーガラス基板５０の周縁に沿った領域のみＵＶ照射又は加熱することによりＵＶ硬化樹脂又は熱硬化樹脂を硬化させて接着力強化層１Ｂを形成する。
　このように、接着層１３にＵＶ照射し、又は、接着層１３を加熱することにより、接着力強化層１Ｂを形成するので、実施形態１のように面内で接着力が異なる特殊な保護フィルムを使用する必要が無くなる。このため、実施形態１の効果に加えて、材料コストを減少させることができる。
　（実施形態４）
　図１３（ａ）は実施形態４に係るマザーガラス基板５０の端部領域の断面図であり、（ｂ）はマザーガラス基板５０の表面に垂直な方向から見た断面図である。実施形態１で前述した構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は繰り返さない。
　実施形態４では、接着力が弱い保護フィルム１１と接着力が強い保護フィルム１１Ｃとを重ね貼りする。
　接着力強化層１Ｃは、マザーガラス基板５０の周縁に沿った領域のみならず、中央部に形成された接着層１３及び保護フィルム１１を覆うようにマザーガラス基板５０の全面に渡って形成される。そして、接着力強化層１Ｃの上に保護フィルム１１Ｃが形成される。
　これにより、保護フィルム１１・１１Ｃの２枚が必要で、必要な保護フィルムの枚数は増加するものの、保護フィルム１１・１１Ｃは、実施形態１のような特殊な保護フィルムではなく、安価な保護フィルムを使用することができる。また、実施形態３のようなＵＶ照射等のための設備が不要となる。従って、実施形態１の効果に加えて、剥離工程のトータルコストを低減することができる。
　本実施形態に係るＥＬディスプレイは、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、又は無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイ、並びに、ＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等がある。
　〔まとめ〕
　態様１のＥＬデバイスの製造方法は、マザーガラス基板上に、樹脂層、バリア層、及び保護フィルムを積層する積層工程と、前記マザーガラス基板の前記樹脂層と反対側からレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、前記マザーガラス基板と前記樹脂層との間の界面に沿ってナイフを挿入して前記マザーガラス基板を前記樹脂層から剥離する剥離工程と、前記マザーガラス基板が剥離された樹脂層に下面フィルムを貼り付ける貼付工程とを包含し、前記積層工程が、前記バリア層と前記保護フィルムとの間の接着力を強化する接着力強化層を前記マザーガラス基板の端面に沿って形成する接着力強化層形成工程を含む。
　態様２では、前記積層工程が、前記バリア層と前記保護フィルムとの間に発光素子層を積層する工程を含み、前記バリア層が前記樹脂層の全面を覆うように形成される。
　態様３では、前記接着力強化層が、前記マザーガラス基板の少なくとも一辺に沿って形成される。
　態様４では、前記接着力強化層が、前記マザーガラス基板の端面に到達するように形成される。
　態様５では、前記樹脂層が、前記マザーガラス基板の端面に向かって膜厚が減少する斜面を有し、前記斜面に前記接着力強化層が形成される。
　態様６では、前記接着力強化層の内側と外側とに、前記接着力強化層の接着力よりも弱い接着力を有する接着層が形成されている。
　態様７では、前記接着力強化層が、光硬化樹脂又は熱硬化樹脂により構成される。
　態様８では、前記光硬化樹脂が、ＵＶ硬化樹脂を含む。
　態様９では、前記接着力強化層が、前記マザーガラス基板の全面を覆うように形成される。
　態様１０では、前記積層工程が、前記バリア層と前記接着力強化層との間に第２保護フィルムを積層する工程を含み、前記第２保護フィルムは、前記樹脂層の端面よりも内側に形成され、前記第２保護フィルムと前記バリア層との間の接着力は、前記保護フィルムと前記バリア層との間の接着力よりも弱い。
　態様１１では、前記下面フィルムが貼り付けられたマザーガラス基板を分断して、個片化された複数個のＥＬデバイスを形成する分断工程をさらに包含する。
　態様１２のＥＬデバイスの製造装置は、マザーガラス基板上に、樹脂層、バリア層、及び保護フィルムを積層する積層機構と、前記マザーガラス基板の前記樹脂層と反対側からレーザ光を照射するレーザ光照射機構と、前記マザーガラス基板と前記樹脂層との間の界面に沿ってナイフを挿入して前記マザーガラス基板を前記樹脂層から剥離する剥離機構と、前記マザーガラス基板が剥離された樹脂層に下面フィルムを貼り付ける貼付機構とを備え、前記積層機構が、前記バリア層と前記保護フィルムとの間の接着力を強化する接着力強化層を前記マザーガラス基板の端面に沿って形成する。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１　接着力強化層
　２　ＥＬデバイス
　３　バリア層
１１　保護フィルム
１１Ａ　第２保護フィルム
１２　樹脂層
１３　接着層
１４　斜面
２８　無機封止膜
５０　マザーガラス基板
５０Ａ　下面フィルム
５１　端面
６１　レーザ光照射機構
６２　ナイフ（剥離機構）
６３　積層機構
６４　貼付機構

Claims (12)

  1. 　マザーガラス基板上に、樹脂層、バリア層、及び保護フィルムを積層する積層工程と、
    　前記マザーガラス基板の前記樹脂層と反対側からレーザ光を照射するレーザ光照射工程と、
    　前記マザーガラス基板と前記樹脂層との間の界面に沿ってナイフを挿入して前記マザーガラス基板を前記樹脂層から剥離する剥離工程と、
    　前記マザーガラス基板が剥離された樹脂層に下面フィルムを貼り付ける貼付工程とを包含し、
    　前記積層工程が、前記バリア層と前記保護フィルムとの間の接着力を強化する接着力強化層を前記マザーガラス基板の端面に沿って形成する接着力強化層形成工程を含むことを特徴とするＥＬデバイスの製造方法。
  2. 　前記積層工程が、前記バリア層と前記保護フィルムとの間に発光素子層を積層する工程を含み、
    　前記バリア層が前記樹脂層の全面を覆うように形成される請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  3. 　前記接着力強化層が、前記マザーガラス基板の少なくとも一辺に沿って形成される請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  4. 　前記接着力強化層が、前記マザーガラス基板の端面に到達するように形成される請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  5. 　前記樹脂層が、前記マザーガラス基板の端面に向かって膜厚が減少する斜面を有し、
    　前記斜面に前記接着力強化層が形成される請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  6. 　前記接着力強化層の内側と外側とに、前記接着力強化層の接着力よりも弱い接着力を有する接着層が形成されている請求項５に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  7. 　前記接着力強化層が、光硬化樹脂又は熱硬化樹脂により構成される請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  8. 　前記光硬化樹脂が、ＵＶ硬化樹脂を含む請求項７に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  9. 　前記接着力強化層が、前記マザーガラス基板の全面を覆うように形成される請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  10. 　前記積層工程が、前記バリア層と前記接着力強化層との間に第２保護フィルムを積層する工程を含み、
    　前記第２保護フィルムは、前記樹脂層の端面よりも内側に形成され、
    　前記第２保護フィルムと前記バリア層との間の接着力は、前記保護フィルムと前記バリア層との間の接着力よりも弱い請求項９に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  11. 　前記下面フィルムが貼り付けられたマザーガラス基板を分断して、個片化された複数個のＥＬデバイスを形成する分断工程をさらに包含する請求項１に記載のＥＬデバイスの製造方法。
  12. 　マザーガラス基板上に、樹脂層、バリア層、及び保護フィルムを積層する積層機構と、
    　前記マザーガラス基板の前記樹脂層と反対側からレーザ光を照射するレーザ光照射機構と、
    　前記マザーガラス基板と前記樹脂層との間の界面に沿ってナイフを挿入して前記マザーガラス基板を前記樹脂層から剥離する剥離機構と、
    　前記マザーガラス基板が剥離された樹脂層に下面フィルムを貼り付ける貼付機構とを備え、
    　前記積層機構が、前記バリア層と前記保護フィルムとの間の接着力を強化する接着力強化層を前記マザーガラス基板の端面に沿って形成することを特徴とするＥＬデバイスの製造装置。
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