WO2018179215A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、実装装置、コントローラ - Google Patents

Abstract

発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺（Ｈ１）および第２辺（Ｈ２）を有する表示デバイス（２）であって、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部（Ｔ１）と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部（Ｔ２）とが重なるように曲げられた状態で外向きに発光し、第１面（４５ｆ）が第１端子部（Ｔ１）に実装されるとともに、前記第１面の反対側の第２面（４５ｓ）が第２端子部（Ｔ２）に実装された電子回路基板（４５）を備える。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、実装装置、コントローラ

　本発明は、表示デバイスに関する。

　特許文献１には、可撓性の表示パネルを曲げて形成される筒状の表示装置が開示されている。

日本国再公表特許公報「特開２０１６－１６７０４９号（２０１６年９月１５日公開）」

　このような表示装置は複数の方向から視認されるため、非表示部（表示の切れ目）を小さくすることが望まれる。

　本発明の一態様に係る表示デバイスは、発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する可撓性の表示デバイスであって、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とが重なるように曲げられた状態で外向きに発光し、第１面が前記第１端子部に実装されるとともに前記第１面の反対側の第２面が前記第２端子部に実装された電子回路基板を備える。

　本発明の一態様によれば、非表示部（表示の切れ目）を小さくすることができる。

表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 （ａ）は、実施形態１の表示デバイス（アクティブ領域）の構成例を示す断面図であり、（ｂ）は、実施形態１の表示デバイス（アクティブ領域）の製造途中の構成例を示す断面図である。 実施形態１の表示デバイス（非アクティブ領域）の構成例を示す断面図である。 実施形態１での実装工程を示すフローチャートである。 実施形態１の表示デバイスの構成例を示す、斜視図（ａ）および断面図（ｂ）（ｃ）である。 実施形態１における端子の配置例を示す平面図である。 実施形態１における端子の別の配置例を示す平面図である。 本実施形態の表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。 実施形態１の表示デバイスの変形例を示す、斜視図（ａ）および断面図（ｂ）である。 実施形態１の表示デバイスの変形例を示す、斜視図（ａ）および断面図（ｂ）である。 実施形態２の表示デバイスを示す、斜視図（ａ）および断面図（ｂ）（ｃ）である。

　図１は、表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）は、実施形態１の表示デバイス（アクティブ領域）の構成例を示す断面図であり、図２（ｂ）は、実施形態１の表示デバイス（アクティブ領域）の製造途中の構成例を示す断面図である。図３は、実施形態１の表示デバイス（非アクティブ領域）の構成例を示す断面図である。

　図１および図２（ｂ）に示すように、まず、透光性の支持体５０（例えば、ガラス基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、封止層６上に接着層８を介して上面フィルム９を貼り付ける（ステップＳ６）。

　次いで、支持体５０越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ７）。ここでは、支持体５０の下面に照射され、支持体５０を透過したレーザ光を樹脂層１２が吸収することで、樹脂層１２の下面（支持体５０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２および支持体５０間の結合力が低下する。次いで、支持体５０を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ８）。次いで、樹脂層１２の下面に、接着層１１を介して下面フィルム１０（例えば、ＰＥＴ）を貼り付ける（ステップＳ９）。次いで、下面フィルム付きの積層体を分断し、個片化する（ステップＳ１０）。次いで、接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ１１）。これにより、図２（ａ）および図３に示す、個片化された可撓性の表示デバイス２を得る。次いで、表示デバイス２の曲げ加工を行う（ステップＳ１２）。次いで、表示デバイス２のＴＦＴ層４の端子部の裏面に電子回路基板６０を実装する（ステップＳ１３）。なお、前記各ステップは表示デバイスの製造装置が行う。

　下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。

　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。無機バリア層３の厚さは、例えば、５０ｎｍ～１５００ｎｍである。

　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５よりも上層に形成されるゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６よりも上層に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇよりも上層に形成されるパッシベーション膜１８・２０と、パッシベーション膜１８よりも上層に形成される容量電極Ｃおよび端子ＴＭｘと、パッシベーション膜２０よりも上層に形成される、ソース配線Ｓ、およびドレイン配線極Ｄと、ソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄよりも上層に形成される有機層間膜（平坦化膜）２１とを含む。半導体膜１５、ゲート絶縁膜１６、およびゲート電極Ｇを含むように薄層トランジスタ（ＴＦＴ）が構成される。ＴＦＴ層４の端部には、電子回路基板との接続に用いられる複数の端子ＴＭｘ・ＴＭｙが形成される。

　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。低温ポリシリコンで構成された半導体膜１５と酸化物半導体で構成された半導体膜１５とを設けることもできる。
ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。

　無機絶縁膜１６・１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。

　平坦化膜２１は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。アクティブ領域（発光素子層５と重なる領域、表示領域）の平坦化膜２１は、発光素子層５の下地として機能する。

　アノード電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。

　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、平坦化膜２１よりも上層に形成される第１電極２２（例えば、アノード電極）と、第１電極２２のエッジを覆うバンク２３ｃと、第１電極２２よりも上層に形成されるＥＬ（electroluminescence）層２４と、ＥＬ層２４よりも上層に形成される第２電極２５とを含み、第１電極２２、ＥＬ層２４、および第２電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード）が構成される。

　非アクティブ領域ＮＡには、アクティブ領域ＤＡを取り囲む枠状の凸体ＴＫが設けられる。凸体ＴＫは、有機封止膜２７（例えば、インクジェット方式で形成される有機膜）のエッジを規定する。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、凸体ＴＫは、下部が平坦化膜２１で構成され、上部が有機絶縁膜２３ｋで構成される。

　バンク２３ｃおよび有機絶縁膜２３ｋは同一プロセスで形成することができる。例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料を、アクティブ領域ＤＡおよび非アクティブ領域ＮＡに対してインクジェット方式で塗布する。

　ＥＬ層２４は、バンク２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に、蒸着法あるいはインクジェット法によって形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。なお、ＥＬ層２４の１以上の層を（複数の画素で共有する）共通層とすることもできる。

　第１電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第２電極（例えば、カソード電極）２５は、共通電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透明金属で構成することができる。

　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、アノード電極２２およびカソード電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。

　なお、発光素子層５は、前記のＯＬＥＤ層に限られず、無機発光ダイード層でもよいし、量子ドット発光ダイオード層でもよい。

　封止層６は、バンク２３ｃおよびカソード電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上層に形成される有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。

　第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、マスクを用いたＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６（特に、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８）は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。

　なお、上面フィルム９は、接着剤８を介して封止層６上に貼り付けられ、支持体５０を剥離した時の支持材として機能する。上面フィルム９の材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が挙げられる。

　下面フィルム１０は、支持体５０を剥離した後に樹脂層１２の下面に貼り付けることで、柔軟性に優れた表示デバイスを製造するためのものであり、その材料としては、ＰＥＴ等が挙げられる。機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。

　図３に示されるように、表示デバイス２は、第１辺側の端部Ｅ１の表面に設けられた第１端子部Ｔ１と、表示デバイス２の第２辺側の端部Ｅ２の裏面に設けられた第２端子部Ｔ２とを備える。

　図３（ａ）に示すように、第１端子部Ｔ１の端子ＴＭｘは端子配線ＴＷに繋がり、端子配線ＴＷは、中継配線ＬＷを介して、アクティブ領域から引き出された引き出し配線ＤＷに接続される。端子ＴＭｘ、端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷの端面は平坦化膜２１で覆われている。

　図３（ｂ）に示されるように、表示デバイス２の第２辺側の端部Ｅ２には、無機絶縁膜１６・１８・２０、およびバリア層３を貫通するコンタクトホールＤＨが形成され、コンタクトホールＤＨによって、第２端子部Ｔ２の端子ＴＭｙ（裏面端子）と端子配線ＴＷとが接続される。

　端部Ｅ２の裏面には、端子ＴＭｙに重なる、樹脂層の開口１２ｋが設けられるとともに下面フィルム１０が除去されており、これによって端子ＴＭｙが裏面に露出する。樹脂層の開口１２ｋについては、例えば、樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する図１のステップＳ７において開口部分の照射強度を強めることで形成することができるが、別工程で行ってもよい。

　端子配線ＴＷは、中継配線ＬＷを介して、アクティブ領域から引き出された引き出し配線ＤＷに接続される。端子配線ＴＷおよび引き出し配線ＤＷの端面は平坦化膜２１で覆われている。また、コンタクトホールＤＨは平坦化膜２１で埋められている。

　第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２には、電子回路基板（例えば、ＩＣチップ、フレキシブルプリント基板等の電子回路基板）が実装される。

　〔実施形態１〕
　図４は、実施形態１での実装工程を示すフローチャートである。図５は、実施形態１の表示デバイスの構成例を示す、斜視図（ａ）および断面図（ｂ）（ｃ）である。

　まず、図１のステップＳ１１に続いて、同方向に伸びる第１辺Ｈ１および第２辺Ｈ２を有するフレキシブルな表示デバイス２を、第１辺Ｈ１側の端部の表面に設けられた第１端子部Ｔ１と、第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部Ｔ２とが重なるように曲げる（ステップＳ１２ａ）。

　次いで、電子回路基板４５の第１面４５ｆにＡＣＦ（異方性導電フィルム）５０ｘを貼り付け、第２面４５ｓにＡＣＦ５０ｙを貼り付ける（ステップＳ１２ｂ）。電子回路基板４５は、接続端部４５ｘを含む第１面４５ｆと、接続部４５ｙを含む第２面４５ｓ（第１面の反対側の面）とが絶縁層４５ｂを介して対向する構造を有する。

　次いで、端子ＴＭｘを含む第１端子部Ｔ１と、端子ＴＭｙを含む第２端子部Ｔ２との間に電子回路基板４５を配置（ステップＳ１２ｃ）。

　次いで、第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２を電子回路基板４５の両面４５ｆ・４５ｓに熱圧着（ステップＳ１２ｄ）する。

　これにより、第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２に電子回路基板４５が実装される（ステップＳ１２ｅ）。具体的には、電子回路基板４５の接続部４５ｘと第１端子部Ｔ１の端子ＴＭｘとが電気的に接続され、電子回路基板４５の接続部４５ｙと第２端子部Ｔ２の端子ＴＭｙとが電気的に接続される。

　なお、電子回路基板４５は、ドライバチップ６０およびこれに給電する電源回路６２を含み、接続部４５ｘ・４５ｙはドライバチップ６０に接続されている。

　実施形態１によれば、非表示部である第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２を重ねているため、表示部の切れ目が狭い筒状の表示デバイスを構成することができる。また、第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２それぞれから各種信号を入力することができるため、駆動面で有利である。また、第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２を設けることで、配線の引き回し領域が少なくて済み、第３辺Ｈ３および第４辺Ｈ４に沿う非表示領域を縮小することができる。

　図６は、実施形態１の端子の配置例を示す平面図である。図６（ａ）に示すように、第１端子部Ｔ１は、複数の端子の並ぶ方向の長さが第１辺Ｈ１の長さと同等（例えば、第３辺Ｈ３あるいは第４辺Ｈ４とこれに最も近い端子との間隔が、第３辺Ｈ３あるいは第４辺Ｈ４の長さの５％未満）である。また、第２端子部Ｔ２は、複数の端子の並ぶ方向の長さが第２辺Ｈ２の長さと同等（例えば、第３辺Ｈ３あるいは第４辺Ｈ４とこれに最も近い端子との間隔が、第３辺Ｈ３あるいは第４辺Ｈ４の長さの５％未満）である。

　図５（ａ）に示すように、表示デバイス２は、環状に曲げられた、第３辺Ｈ３および第４辺Ｈ４を含む。図６（ａ）に示すように、第１端子部Ｔ１の一方の最端端子ＴＭ１と、これに近接する第３辺Ｈ３との間隔は、最端端子ＴＭ１とこれに隣接する端子ＴＭ２との間隔以下であり、第１端子部Ｔ１の他方の最端端子ＴＭ３とこれに近接する第４辺Ｈ４との間隔は、最端端子ＴＭ３とこれに隣接する端子ＴＭ４との間隔以下である。

　同様に、第２端子部Ｔ２の一方の最端端子ＴＭ５と、これに近接する第３辺Ｈ３との間隔は、最端端子ＴＭ５とこれに隣接する端子ＴＭ６との間隔以下であり、第２端子部Ｔ２の他方の最端端子ＴＭ７とこれに近接する第４辺Ｈ４との間隔は、最端端子ＴＭ７とこれに隣接する端子ＴＭ８との間隔以下である。

　こうすれば、第１端子部Ｔ１の長さを第１辺Ｈ１よりも短くし、第２端子部Ｔ２の長さを第２辺Ｈ２よりも短くする場合と比較して、第１端子部Ｔ１の全体にわたって均一な熱圧着を行うことができるとともに、第２端子部Ｔ２の全体にわたって均一な熱圧着を行うことができる。これにより、電子回路基板４５との熱圧着後に各端子部の端が浮き上がる等の不具合を抑えることができる。

　第１端子部Ｔ１については、図６（ｂ）のように、一方の最端位置の端子ＴＭ１から連続する１以上の端子と、他方の最端位置の端子ＴＭ３から連続する１以上の端子とを、ダミー端子Ｔｍ（電子回路基板の信号線と電気的に接続されない端子）とし、残りを真正の端子ＴＭ（電子回路基板の信号線と電気的に接続される端子）とすることもできる。第２端子部Ｔ２については、図６（ｂ）のように、一方の最端位置の端子ＴＭ５から連続する１以上の端子と、他方の最端位置の端子ＴＭ７から連続する１以上の端子とを、ダミー端子Ｔｍとし、残りを真正の端子ＴＭとすることもできる。

　図７のように、第１端子部Ｔ１については、一方の最端端子ＴＭ１と、これに近接する第３辺Ｈ３との間隔が、最端端子ＴＭ１とこれに隣接する端子ＴＭ２との間隔よりも大きく、最端端子ＴＭ１と第３辺Ｈ３との間に、各端子と比較して第１辺Ｈ１方向のサイズが大きいダミー電極ＤＥ（電子回路基板の信号線と電気的に接続されない電極）が設けられ、他方の最端端子ＴＭ３と、これに近接する第４辺Ｈ４との間隔が、最端端子ＴＭ３とこれに隣接する端子ＴＭ４との間隔より大きく、最端端子ＴＭ３と第４辺Ｈ４との間にダミー電極ＤＥが設けられる構成でもよい。同様に、第２端子部Ｔ２については、一方の最端端子ＴＭ５と、これに近接する第３辺Ｈ３との間隔が、最端端子ＴＭ５とこれに隣接する端子ＴＭ６との間隔よりも大きく、最端端子ＴＭ５と第３辺Ｈ３との間に、各端子と比較して第２辺Ｈ２方向のサイズが大きいダミー電極Ｄｅ（電子回路基板の信号線と電気的に接続されない電極）が設けられ、他方の最端端子ＴＭ７と、これに近接する第４辺Ｈ４との間隔が、最端端子ＴＭ７とこれに隣接する端子ＴＭ８との間隔より大きく、最端端子ＴＭ７と第４辺Ｈ４との間にダミー電極Ｄｅが設けられる構成でもよい。

　こうすれば、第１端子部Ｔ１の全体にわたって均一な熱圧着を行うことができるとともに、第２端子部Ｔ２の全体にわたって均一な熱圧着を行うことができる。これにより、電子回路基板４５との熱圧着後に各端子部の端が浮き上がる等の不具合を抑えることができる。

　なお、図８に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、分断装置７４と、熱圧着ツール等を含む実装装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、コントローラ７２の制御を受けた実装装置８０が、図４のステップＳ１２ａ～ステップＳ１２ｄを行う。

　実施形態１では、図９に示すように、図５の表示デバイス２の内面（例えば、下面フィルム１０の下層に）にタッチセンサ層４２を配することもできる。

　実施形態１では、図１０に示すように、図５の表示デバイス２の発光面（表示部表面）を、透光性の筒状のカバー体ＴＣの内面に貼り付けることもできる。筒状のカバー体ＴＣの断面については円形に限られず、楕円形、三角形、四角形、三角形や四角形の各コーナを丸めた形状等とすることができる。

　〔実施形態２〕
　実施形態１では、第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２を重ねているがこれに限定されない。図１１に示すように、第１辺Ｈ１側の端部の裏面に設けられた端子部Ｔと、発光素子層５の第２辺Ｈ２側の端部ＬＥとが重なるように曲げられた状態で表側に発光し、端子部Ｔに、ＡＣＦ５１を介して電子回路基板４５を実装する構成も可能である。すなわち、電子回路基板４５の接続部４５ｘと端子部Ｔの端子（裏面端子）ＴＭｙとが電気的に接続される。

　図１１では、端子部４５は、発光素子層５の第２辺Ｈ２側の端部ＬＥよりも内側に位置し、発光素子層５の第２辺Ｈ２側の端部ＬＥと、発光素子層５の第１辺側の端部Ｌｅとが重なる。また、表示デバイス２の第２辺側の端部Ｅ２と、表示面の第１辺Ｈ１側の端部ＤＥとが透光性接着剤５２で接着されている。第２辺側の端部Ｅ２は透光性である。

　こうすれば、表示部の切れ目がほとんどない筒状の表示デバイスを構成することができる。

　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子（電流によって輝度や透過率が制御される電気光学素子）は特に限定されるものではない。本実施形態にかかる表示装置としては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。

　〔まとめ〕
　態様１の表示デバイスは、発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する表示デバイスであって、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とが向かい合うように曲げられた状態で表側に発光し、第１面が前記第１端子部に実装されるとともに前記第１面の反対側の第２面が前記第２端子部に実装された電子回路基板を備える。

　態様２では、前記第１端子部は、複数の端子の並ぶ方向の長さが前記第１辺の長さと同等である。

　態様３では、環状に曲げられた第３辺を含み、前記第１端子部の最端位置の端子とこれに近接する前記第３辺との間隔は、前記最端位置の端子とこれに隣接する端子との間隔以下である。

　態様４では、環状に曲げられた第３辺を含み、前記最端位置の端子から連続する１以上の端子がダミー端子である。

　態様５では、環状に曲げられた第３辺を含み、前記第１端子部の最端位置の端子とこれに近接する前記第３辺との間隔は、前記最端位置の端子とこれに隣接する端子との間隔よりも大きく、前記最端位置の端子と前記第３辺との間にダミー電極が設けられている。

　態様６では、前記電子回路基板の第１面および前記第１端子部が異方性導電体を介して接続され、前記電子回路基板の第２面および前記第２端子部が異方性導電体を介して接続されている。

　態様７では、裏面側にタッチセンサ層が配されている。

　態様８では、前記第１端子部が設けられたＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層に形成された発光素子層と、前記ＴＦＴ層よりも下層に形成されたバリア層と、前記バリア層よりも下層に形成された樹脂層とを含む。

　態様９では、前記ＴＦＴ層および前記バリア層を貫通するコンタクトホールによって前記ＴＦＴ層と前記第２端子部とが電気的に接続され、前記第２端子部と重なるように前記樹脂層に開口が形成されることで前記第２端子部が前記第２辺側の端部の裏面に露出する。

　態様１０では、発光面が、透光性の筒状カバー体の内面に貼り付けられている。

　態様１１の表示デバイスは、発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する表示デバイスであって、前記第１辺側の端部の裏面に設けられた端子部と、前記発光素子層の第２辺側の端部とが重なるように曲げられた状態で表側に発光し、前記端子部に実装された電子回路基板を備える。

　態様１２では、前記端子部が、前記発光素子層の第２辺側の端部よりも内側に位置する。

　態様１３では、前記発光素子層の第２辺側の端部と、前記発光素子層の第１辺側の端部とが重なる。

　態様１４では、第２辺側の端部と、表示面の第１辺側の端部とが透光性接着剤で接着されている。

　態様１５の表示デバイスの製造方法は、発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する表示デバイスの製造方法であって、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とが向かい合うように曲げる工程を含む。

　態様１６では、電子回路基板の第１面を前記第１端子部に実装し、前記電子回路基板の第２面を前記第２端子部に実装する。

　態様１７では、発光面を、透光性の筒状カバー体の内面に貼り付ける。

　態様１８の表示デバイスの製造装置は、発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する表示デバイスの製造装置であって、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とが向かい合うように曲げる工程を行う。

　態様１９の実装装置は、発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する表示デバイスの製造に用いられるであって、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とを向かい合わせ、電子回路基板の第１面を前記第１端子部に実装し、前記第１面の反対側の第２面を前記第２端子部に実装する。

　態様２０のコントローラは、前記実装装置を制御するコントローラであって、前記実装装置に対して、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とを向かい合わせ、電子回路基板の第１面を前記第１端子部に実装させ、前記第１面の反対側の第２面を前記第２端子部に実装させる制御を行う。

　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

　２　　表示デバイス
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１０　下面フィルム
　１２　樹脂層
　１６　無機絶縁膜
　１８　無機絶縁膜
　２０　無機絶縁膜
　２１　有機層間膜
　２３ｃ　バンク
　２３ｋ　有機絶縁膜
　２４　ＥＬ層
　２６　第１無機封止膜
　２７　有機封止膜
　２８　第２無機封止膜
　Ｔ１・Ｔ２　第１端子部および第２端子部
　Ｈ１・Ｈ２　第１辺・第２辺
　５０　支持体
　４５　電子回路基板
　７０　表示デバイス製造装置
　８０　実装装置

Claims (20)

1. 　発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する可撓性の表示デバイスであって、
   　前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とが向かい合うように曲げられた状態で表側に発光し、
   　第１面が前記第１端子部に実装されるとともに前記第１面の反対側の第２面が前記第２端子部に実装された電子回路基板を備える表示デバイス。
2. 　前記第１端子部は、複数の端子の並ぶ方向の長さが前記第１辺の長さと同等である請求項１記載の表示デバイス。
3. 　環状に曲げられた第３辺を含み、
   　前記第１端子部の最端位置の端子とこれに近接する前記第３辺との間隔は、前記最端位置の端子とこれに隣接する端子との間隔以下である請求項２記載の表示デバイス。
4. 　環状に曲げられた第３辺を含み、
   　前記最端位置の端子から連続する１以上の端子がダミー端子である請求項３記載の表示デバイス。
5. 　環状に曲げられた第３辺を含み、
   　前記第１端子部の最端位置の端子とこれに近接する前記第３辺との間隔は、前記最端位置の端子とこれに隣接する端子との間隔よりも大きく、
   　前記最端位置の端子と前記第３辺との間にダミー電極が設けられている請求項１記載の表示デバイス。
6. 　前記電子回路基板の第１面および前記第１端子部が異方性導電体を介して接続され、
   　前記電子回路基板の第２面および前記第２端子部が異方性導電体を介して接続されている請求項１～５のいずれか１項に記載の表示デバイス。
7. 　裏面側にタッチセンサ層が配されている請求項１～６のいずれか１項に記載の表示デバイス。
8. 　前記第１端子部が設けられたＴＦＴ層と、前記ＴＦＴ層よりも上層に形成された発光素子層と、前記ＴＦＴ層よりも下層に形成されたバリア層と、前記バリア層よりも下層に形成された樹脂層とを含む請求項１～７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
9. 　前記ＴＦＴ層および前記バリア層を貫通するコンタクトホールによって前記ＴＦＴ層と前記第２端子部とが電気的に接続され、
   　前記第２端子部と重なるように前記樹脂層に開口が形成されることで前記第２端子部が前記第２辺側の端部の裏面に露出する請求項８に記載の表示デバイス。
10. 　発光面が、透光性の筒状カバー体の内面に貼り付けられている請求項１～９のいずれか１項に記載の表示デバイス。
11. 　発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する表示デバイスであって、
    　前記第１辺側の端部の裏面に設けられた端子部と、前記発光素子層の第２辺側の端部とが重なるように曲げられた状態で表側に発光し、
    　前記端子部に実装された電子回路基板を備える表示デバイス。
12. 　前記端子部が、前記発光素子層の第２辺側の端部よりも内側に位置する請求項１１記載の表示デバイス。
13. 　前記発光素子層の第２辺側の端部と、前記発光素子層の第１辺側の端部とが重なる請求項１１または１２に記載の表示デバイス。
14. 　第２辺側の端部と、表示面の第１辺側の端部とが透光性接着剤で接着されている請求項１１～１３のいずれか１項に記載の表示デバイス。
15. 　発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する可撓性の表示デバイスの製造方法であって、
    　前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とが向かい合うように曲げる工程を含む表示デバイスの製造方法。
16. 　電子回路基板の第１面を前記第１端子部に実装し、前記電子回路基板の第２面を前記第２端子部に実装する請求項１５記載の表示デバイスの製造方法。
17. 　発光面を、透光性の筒状カバー体の内面に貼り付ける請求項１５に記載の表示デバイスの製造方法。
18. 　発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する可撓性の表示デバイスの製造装置であって、
    　前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とが向かい合うように曲げる工程を行う表示デバイスの製造装置。
19. 　発光素子層を含み、同方向に伸びる第１辺および第２辺を有する可撓性の表示デバイスの製造に用いられる実装装置であって、
    　前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とを向かい合わせ、電子回路基板の第１面を前記第１端子部に実装し、前記第１面の反対側の第２面を前記第２端子部に実装する実装装置。
20. 　請求項１９記載の実装装置を制御するコントローラであって、
    　前記実装装置に対して、前記第１辺側の端部の表面に設けられた第１端子部と、前記第２辺側の端部の裏面に設けられた第２端子部とを向かい合わせ、電子回路基板の第１面を前記第１端子部に実装させ、前記第１面の反対側の第２面を前記第２端子部に実装させる制御を行うコントローラ。

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