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WO2018167877A1 - エネルギー源装置 - Google Patents

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WO2018167877A1
WO2018167877A1 PCT/JP2017/010455 JP2017010455W WO2018167877A1 WO 2018167877 A1 WO2018167877 A1 WO 2018167877A1 JP 2017010455 W JP2017010455 W JP 2017010455W WO 2018167877 A1 WO2018167877 A1 WO 2018167877A1
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WO
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heater
phase
output
processor
target
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Application number
PCT/JP2017/010455
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English (en)
French (fr)
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禎嘉 高見
林田　剛史
庸高 銅
田中　一恵
Original Assignee
オリンパス株式会社
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to an energy source device used together with a treatment instrument including a bipolar electrode and a heater.
  • US2009 / 0248002A1 discloses a treatment instrument that can grasp a treatment target such as a living tissue between a pair of grasping pieces, and an energy source device that supplies electric energy to the treatment instrument.
  • a treatment target such as a living tissue between a pair of grasping pieces
  • an energy source device that supplies electric energy to the treatment instrument.
  • an electrode is provided on each gripping piece, and a heater is provided on one of the gripping pieces.
  • the energy source device outputs high frequency power to an electrode (bipolar electrode) and outputs heater power to the heater.
  • a high-frequency current flows between the electrodes through the treatment target to be grasped, and heat generated by the heater is applied to the treatment subject to be grasped. That is, both the high-frequency current and the heater heat are applied to the treatment target.
  • the treatment target is denatured by applying high-frequency current, heater heat, etc., and the treatment target is sealed or sealed May solidify.
  • the moisture of the treatment target boils until the treatment target is dehydrated and dried.
  • the treatment for sealing or solidifying the treatment object the longer the time that the treatment object is boiling, the longer the treatment object is welded, that is, the treatment object is fused.
  • the sealing property and coagulation property of the treatment target are improved. Therefore, in the treatment for sealing or solidifying the treatment target, it is required that the output from the heater power source to the heater is controlled in accordance with the state of the treatment target so that the time for which the treatment target is welded becomes long.
  • An object of the present invention is to provide an energy source device in which the output from the heater power supply is appropriately controlled based on the state of the treatment target, and the sealing property and coagulation property of the treatment target are improved.
  • an aspect of the present invention includes an end effector capable of grasping a treatment target between a pair of grasping pieces, and the end effector includes the heater and a bipolar electrode.
  • An energy source device used together with a tool, wherein high-frequency power is output to the bipolar electrode, thereby causing a high-frequency current to flow between the bipolar electrodes through the treatment target and outputting heater power to the heater.
  • an energy output source for generating heat in the heater, and a processor for controlling the output to the bipolar electrode and the output to the heater, wherein the processor supplies the bipolar electrode in the first phase.
  • the output to the bipolar electrode is continued in a state where the treatment target is denatured by the application of the high-frequency current, and it is determined whether the impedance has become a minimum value
  • the output to the heater is continued so that the treatment target is denatured by the heat of the heater, and the minimum of the impedance related to at least one of the impedance and the output to the bipolar electrode Obtaining a parameter before detection of a value, and determining, based on the acquired parameter, whether or not the output to the heater is necessary for a third phase immediately after the detection of the minimum value; and At least one of setting of a target value related to output control to the heater is performed.
  • FIG. 1 is a schematic view showing a treatment system according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a block diagram schematically showing a configuration for supplying electrical energy from the energy source device according to the first embodiment to the treatment instrument.
  • FIG. 3 is a flowchart illustrating processing performed by the processor of the energy source device according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a flowchart showing processing performed in the output control in the first phase by the processor according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating processing performed in the output control in the second phase by the processor according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a flowchart showing processing performed in the output control in the third phase by the processor according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example of a target trajectory of the output voltage from the high-frequency power supply when the processor according to the first embodiment performs processing.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example of a change over time in the impedance of the treatment target when the target trajectory of the output voltage from the high-frequency power source is set as in FIG. 7 in the first embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic diagram illustrating an example of a target trajectory for the heater temperature when the target trajectory for the output voltage from the high-frequency power source is set as shown in FIG. 7 in the first embodiment.
  • FIG. 10 is a flowchart illustrating processing performed by the processor of the energy source device according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a flowchart illustrating processing performed in the output control in the fourth phase by the processor according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic diagram illustrating an example of a target trajectory of the heater temperature when the processor according to the second embodiment performs processing.
  • FIG. 1 is a diagram showing a treatment system 1 of the present embodiment.
  • the treatment system 1 includes a treatment tool 2 and an energy source device 3 that supplies electrical energy to the treatment tool 2.
  • the energy source device 3 is used together.
  • the treatment instrument 2 includes a shaft 5, and the shaft 5 has a longitudinal axis C as a central axis.
  • a holdable housing 6 is connected to one end side (base end side) of the shaft 5 in the direction along the longitudinal axis C.
  • An end effector 7 is provided at the end of the shaft 5 opposite to the side where the housing 6 is located, that is, at the tip of the shaft 5.
  • a grip 11 is provided on the housing 6, and a handle 12 is rotatably attached. When the handle 12 is rotated with respect to the housing 6, the handle 12 is opened or closed with respect to the grip 11.
  • the end effector 7 includes a pair of gripping pieces 15 and 16, and in the treatment instrument 2, the movable member 13 extends along the longitudinal axis C through the inside or outside of the shaft 5.
  • One end (front end) of the movable member 13 is connected to the end effector 7, and the other end (base end) of the movable member 13 is coupled to the handle 12 inside the housing 6.
  • the handle 12 By opening or closing the handle 12 with respect to the grip 11, the movable member 13 moves along the longitudinal axis C of the shaft 5, and the space between the pair of gripping pieces 15 and 16 is opened or closed. Thereby, it becomes possible to grip a living tissue such as a blood vessel as a treatment target between the gripping pieces 15 and 16.
  • one of the gripping pieces 15, 16 is integrated with the shaft 5 or fixed to the shaft 5, and the other of the gripping pieces 15, 16 is rotatably attached to the tip of the shaft 5. In another embodiment, both the gripping pieces 15 and 16 are rotatably attached to the distal end portion of the shaft 5.
  • an operation member such as a rotary knob is attached to the housing 6. In this case, by rotating the operating member with respect to the housing 6, the shaft 5 and the end effector 7 are rotated around the longitudinal axis C with respect to the housing 6.
  • One end of a cable 17 is connected to the housing 6.
  • the other end of the cable 17 is detachably connected to the energy source device 3.
  • the treatment system 1 is provided with a foot switch 18 as an operation member separate from the treatment instrument 2.
  • the foot switch 18 is electrically connected to the energy source device 3.
  • An operation for outputting electrical energy from the energy source device 3 to the treatment instrument 2 is input by the foot switch 18.
  • an operation button or the like attached to the housing 6 is provided as an operation member instead of or in addition to the foot switch 18. Then, electric energy is output from the energy source device 3 to the treatment instrument 2 by an operation with the operation member.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration for supplying electrical energy (high-frequency power P and heater power P ′ described later in the present embodiment) from the energy source device 3 to the treatment instrument 2.
  • the electrode 21 is provided on the grasping piece 15, and the electrode 22 is provided on the grasping piece 16.
  • the electrodes 21 and 22 are bipolar electrodes provided on the end effector 7.
  • a heater 23 is provided as a heating element on at least one of the gripping pieces 15 and 16.
  • the energy source device 3 includes a processor (controller) 25 and a storage medium 26.
  • the processor 25 is formed from an integrated circuit including a CPU (Central Processing Unit), an ASIC (Application Specific Integrated Circuit), or an FPGA (Field Programmable Gate Array). Only one processor 25 may be provided in the energy source device 3, or a plurality of processors 25 may be provided in the energy source device 3.
  • the processing in the processor 25 is performed according to a program stored in the processor 25 or the storage medium 26.
  • the storage medium 26 stores a processing program used by the processor 25, parameters, functions, tables, and the like used in the calculation by the processor 25.
  • the processor 25 detects whether or not an operation is input through an operation member such as the foot switch 18.
  • the energy source device 3 includes a high frequency power source 31 as an energy output source.
  • the high-frequency power source 31 includes a waveform generator, a conversion circuit, a transformer, and the like, and converts power from a battery power source or an outlet power source into high-frequency power P.
  • the high-frequency power source 31 is electrically connected to the electrode 21 of the gripping piece 15 through the electric supply path 32 and is electrically connected to the electrode 22 of the gripping piece 16 through the electric supply path 33.
  • Each of the electricity supply paths 32 and 33 extends through the inside of the cable 17, the inside of the housing 6, and the inside of the shaft 5, and is formed by electrical wiring or the like.
  • the high frequency power supply 31 can output the converted high frequency power P.
  • the high frequency power P output from the high frequency power supply 31 is supplied to the electrodes 21 and 22 through the electric supply paths 32 and 33, whereby the electrodes (bipolar electrodes).
  • a high-frequency current flows through the treatment object between 21 and 22.
  • the electrodes 21 and 22 have different potentials with respect to each other.
  • the processor 25 controls the output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 as described later.
  • a current detection circuit 35 and a voltage detection circuit 36 are provided on the electrical path of the high frequency power P output from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22.
  • the current detection circuit 35 detects the current value of the output current I from the high frequency power supply 31, and the voltage detection circuit 36 outputs the output voltage V from the high frequency power supply 31.
  • the voltage value of is detected.
  • the analog signal indicating the current value detected by the current detection circuit 35 and the analog signal indicating the voltage value detected by the voltage detection circuit 36 are converted into a digital signal by an A / D converter (not shown) or the like. Then, the converted digital signal is transmitted to the processor 25.
  • the processor 25 acquires information on the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31.
  • the processor 25 detects the impedance of the electrical path of the high-frequency power P output from the high-frequency power source 31 to the electrodes 21 and 22 based on the acquired output current I and output voltage V, and makes the impedance of the electrical path of the high-frequency power P Based on this, the impedance (tissue impedance) Z of the treatment target to be grasped is detected.
  • the processor 25 detects the power value of the high-frequency power P, that is, the power value of the output power from the high-frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 based on the acquired output current I and output voltage V.
  • the processor 25 controls the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 as described later, using the acquired output current I and output voltage V, and the detected impedance Z and high frequency power P.
  • the energy source device 3 includes a heater power supply 41 as an energy output source.
  • the heater power supply 41 includes a conversion circuit, a transformer, and the like, and converts electric power from a battery power supply or an outlet power supply into heater electric power P ′.
  • the heater power supply 41 is electrically connected to the heater 23 via the electric supply paths 42 and 43.
  • Each of the electric supply paths 42 and 43 extends through the inside of the cable 17, the inside of the housing 6, and the inside of the shaft 5, and is formed by electrical wiring or the like.
  • the heater power supply 41 can output the converted heater power P ′.
  • the output heater power P ′ is DC power or AC power. Heat is generated in the heater 23 by supplying the heater power P ′ output from the heater power supply 41 to the heater 23 through the electric supply paths 42 and 43.
  • the heater heat generated by the heater 23 is applied to the treatment target.
  • the treatment object By applying a certain amount of heat to the treatment object as treatment energy, the treatment object is denatured and sealed or solidified. Further, the treatment target is incised by applying a large amount of heat to the treatment target.
  • the processor 25 controls the output from the heater power supply 41 to the heater 23 as described below.
  • a current detection circuit 45 and a voltage detection circuit 46 are provided in the electrical path of the heater power P ′ output from the heater power supply 41 to the heater 23.
  • the current detection circuit 45 detects the current value of the output current I ′ from the heater power supply 41
  • the voltage detection circuit 46 outputs from the heater power supply 41.
  • the voltage value of the voltage V ′ is detected.
  • the analog signal indicating the current value detected by the current detection circuit 45 and the analog signal indicating the voltage value detected by the voltage detection circuit 46 are converted into a digital signal by an A / D converter (not shown) or the like. Then, the converted digital signal is transmitted to the processor 25.
  • the processor 25 acquires information on the output current I ′ and the output voltage V ′ from the heater power supply 41.
  • the processor 25 detects the impedance of the electric path of the heater power P ′ output from the heater power supply 41 to the heater 23 based on the acquired output current I ′ and the output voltage V ′, and detects the electric path of the heater power P ′.
  • the resistance R of the heater 23 is detected based on the impedance.
  • the resistance R of the heater 23 changes corresponding to the temperature T of the heater 23, and a function or a table indicating the relationship between the temperature T of the heater 23 and the resistance R is stored in the storage medium 26 or the like. .
  • the processor 25 detects the temperature T of the heater 23 based on the detected resistance R and the relationship between the stored temperature T and the resistance R. Further, the processor 25 detects the power value of the heater power P ′, that is, the power value of the output power from the heater power supply 41 to the heater 23 based on the acquired output current I ′ and output voltage V ′. The processor 25 controls the output from the heater power source 41 as described later, using the acquired output current I ′ and output voltage V ′, and the detected temperature T (resistance R) and heater power P ′.
  • the treatment tool 2 is connected to the energy source device 3 via the cable 17. Then, the operator holds the housing 6 and inserts the end effector 7 into the body cavity such as the abdominal cavity. Then, the handle 12 is closed with respect to the grip 11 in a state where a treatment target such as a living tissue is positioned between the gripping pieces 15 and 16. Thereby, the space between the gripping pieces 15 and 16 is closed, and the treatment target is gripped between the gripping pieces 15 and 16.
  • FIG. 3 is a flowchart showing processing performed by the processor 25 of the energy source device 3.
  • the processor 25 determines whether or not an operation is input with an operation member such as the foot switch 18, that is, whether or not an operation input with the operation member is ON or OFF (S ⁇ b> 101). If no operation is input (S101-No), the process returns to S101. That is, the processor 25 stands by until an operation is input with the operation member.
  • the processor 25 performs output control in the first phase regarding the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 (S102).
  • the processor 25 When the output control in the first phase is completed, the processor 25 performs output control in the second phase with respect to the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 (S103). When the output control in the second phase ends, the processor 25 performs output control in the third phase with respect to the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 (S104). When the output control in the third phase ends, the processor 25 stops the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 (S105).
  • FIG. 4 is a flowchart showing processing performed by the processor 25 in the output control (S102) in the first phase.
  • the processor 25 starts the output of the high frequency power P from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 and starts the output of the heater power P ′ from the heater power supply 41 to the heater 23.
  • the processor 25 when the output of the high-frequency power P is started, the processor 25 outputs the high-frequency power P from the high-frequency power supply 31 in a state where the high-frequency power P becomes constant over time at the power value Pe (S111).
  • the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31 are adjusted so that the high frequency power P, that is, the output power from the high frequency power supply 31 becomes constant at the power value Pe.
  • the power value Pe is a fixed value Pe0.
  • the processor 25 sets a target temperature (first target temperature) Ta as a target value for the output from the heater power supply 41 to the heater 23, PID control is performed at the set target temperature Ta (S112). That is, with respect to the output to the heater 23, output control is performed in which the temperature T of the heater 23 reaches the target temperature Ta and is maintained at the target temperature Ta.
  • the processor 25 detects the resistance R of the heater 23 based on the output current I ′ and the output voltage V ′ from the heater power supply 41 as described above, and based on the detected resistance R. The temperature T of the heater 23 is detected.
  • the processor 25 calculates the temperature deviation between the target temperature Ta and the temperature T of the heater 23, the time integral value of the temperature deviation (integrated value of the temperature deviation), and the time differential value of the temperature deviation (time variation rate of the temperature deviation).
  • the output power from the heater 23 (heater power P ′), the output current I ′, and the output voltage V ′ are adjusted to reach the temperature T to the target temperature Ta and maintain the temperature T at the target temperature Ta.
  • the processor 25 outputs the heater power P ′ from the heater power supply 41 with a large power value.
  • the processor 25 causes the heater power supply 41 to output the heater power P ′ with a small power value.
  • the target temperature Ta is a fixed value Ta0, and is set in a range of about 60 ° C. or more and about 100 ° C. In one embodiment, the target temperature Ta is set in a range of 60 ° C. or more and 100 ° C. or less, and in another embodiment, the target temperature Ta is set in a range of 60 ° C. or more and less than 100 ° C.
  • the processor 25 detects the impedance Z based on the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31 (S113). In the first phase, the processor 25 detects an initial value Ze of the impedance Z as a value indicating the impedance Z at the start of output or immediately after the start of output based on the detected impedance Z.
  • the initial value Ze of the impedance Z is a parameter before the end of the second phase related to the impedance Z.
  • the initial value Ze may be the impedance Z at any point in the first phase, and may be an average value or an intermediate value of the impedance Z in the first phase.
  • the initial value Ze changes corresponding to the tissue volume (tissue volume) of the treatment target including the thickness of the blood vessel, and the initial value Ze changes corresponding to the state of the treatment target.
  • the processor 25 determines whether or not the time t based on the start of output from the high frequency power supply 31 is equal to or longer than the reference time tref (S114). That is, it is determined whether or not the reference time tref has elapsed since the start of the first phase.
  • the process returns to S111, and the processes after S111 are sequentially performed.
  • the processor 25 ends the output control in the first phase and starts the output control in the second phase.
  • the reference time tref is a fixed value, for example, and is a short time of about 100 ms. For this reason, the time during which the output control in the first phase is performed is short and instantaneous. Therefore, the output control in the first phase ends before the impedance Z decreases from the initial value Ze to a minimum value Zmin described later.
  • FIG. 5 is a flowchart showing processing performed by the processor 25 in the output control (S103) in the second phase.
  • the processor 25 uses the initial value Ze detected in the first phase as a target value for output control from the high-frequency power supply 31 over time.
  • An increase rate ⁇ is set (S121).
  • the processor 25 sets the increase rate ⁇ of the output voltage V to be larger as the initial value Ze is smaller.
  • the processor 25 sets the target trajectory of the output voltage V for the output control from the high-frequency power supply 31 in the second phase based on the set increase rate ⁇ (S121). In the target trajectory, the output voltage V increases constantly over time at a set increase rate ⁇ .
  • the processor 25 sets the inclination of the target trajectory to be larger as the initial value Ze is smaller, and sets the value on the target trajectory to be larger at each time point in the second phase. Then, the processor 25 performs output control from the high frequency power supply 31 to the electrodes 21 and 22 in a state along the target trajectory set by the output voltage V (S122). Also in the second phase, the processor 25 performs PID control at the target temperature (first target temperature) Ta described above with respect to the output from the heater power supply 41 to the heater 23 (S123).
  • the processor 25 detects the impedance Z to be treated based on the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31 (S124).
  • the treatment target is denatured by the application of the high-frequency current and the heater heat, and the moisture of the treatment target starts to boil.
  • the impedance Z decreases from the initial value Ze over time.
  • the moisture to be treated starts to boil, the moisture to be treated begins to evaporate, and thus the impedance Z begins to increase over time.
  • a minimum value Zmin of the impedance Z that switches from a state in which the impedance Z decreases with time to a state in which the impedance Z increases with time is generated at or near the time when the water to be treated begins to boil.
  • the processor 25 determines whether or not the impedance Z has reached the minimum value Zmin based on the detected impedance Z (S125). In one embodiment, in determining whether the impedance Z has become the minimum value Zmin, the processor 25 detects when the impedance Z is switched from a decreasing state to an increasing state.
  • the processor 25 switches off the impedance Z based on the fact that the impedance Z has increased by more than the reference value from the time of switching, or that the impedance Z has continued to be greater than the switching time from the time of switching to the reference time or more. At the time of replacement, it is determined that the impedance Z has reached the minimum value Zmin.
  • the process returns to S122, and the processes after S122 are sequentially performed. For this reason, in the second phase, the processor 25 continues the output to the electrodes 21 and 22 and the output to the heater 23 until it detects that the impedance Z has reached the minimum value Zmin, and the high-frequency current and the heater heat.
  • the treatment object is continuously denatured by the application of. If it is determined that the impedance Z has reached the minimum value Zmin (S125-Yes), the processor 25 determines the time from the start of the second phase to the detection when the impedance Z has been detected to have the minimum value Zmin. It is detected as the duration Ya of the second phase (S126).
  • the processor 25 ends the output control in the second phase and starts the output control in the third phase. Therefore, the detection of the minimum value Zmin of the impedance Z is the end of the second phase and the start of the third phase.
  • the minimum value Zmin is detected after the time when the impedance Z becomes the minimum value Zmin, for example, immediately after the time when the impedance Z becomes the minimum value Zmin.
  • the duration Ya of the second phase is a parameter before the end of the second phase related to the impedance Z.
  • the minimum value Zmin of the impedance Z, the time when the impedance Z becomes the minimum value Zmin, the change mode of the impedance Z until the minimum value Zmin, etc. correspond to the amount of tissue to be treated including the thickness of the blood vessel. Change in response to the condition of the treatment target. For this reason, the duration Ya of the second phase changes in accordance with the amount of tissue to be treated and changes in accordance with the state of the treatment target.
  • the processor 25 detects the initial value Ze of the impedance Z and the duration Ya of the second phase as parameters before the detection of the minimum value Zmin related to the impedance Z. .
  • the processor 25 determines the amount of tissue to be treated based on the detected initial value Ze and duration Ya. At this time, in an embodiment, the processor 25 determines that the tissue amount is larger as the initial value Ze is smaller. Then, the processor 25 determines that the tissue amount is larger as the duration time Ya is longer.
  • FIG. 6 is a flowchart showing processing performed by the processor 25 in the output control (S104) in the third phase.
  • the processor 25 receives from the high frequency power supply 31 based on the initial value Ze and the duration Ya detected before the end of the second phase, that is, based on the determination result of the tissue amount to be treated.
  • the voltage value Va of the output voltage V is set (S131).
  • the processor 25 sets the voltage value Va larger as the initial value Ze is smaller, and sets the voltage value Va larger as the duration Ya is longer. For this reason, the voltage value Va is set larger as the amount of tissue increases.
  • the processor 25 sets a target temperature Tb of the heater 23 as a target value related to output control from the heater power supply 41 based on the detected initial value Ze and duration Ya (S132).
  • the target temperature Tb for example, a function or a table indicating the relationship between the initial value Ze stored in the storage medium 26 and the duration Ya with respect to the target temperature Tb is used.
  • the processor 25 sets the target temperature Tb higher as the initial value Ze is smaller, and sets the target temperature Tb higher as the duration Ya is longer. For this reason, for example, the target temperature Tb is set higher as the blood vessel to be treated is thicker, that is, as the amount of tissue is larger.
  • the target temperature Tb may be set to be higher than the target temperature Ta before the end of the second phase, or may be set lower than the target temperature Ta. However, in any case, the set target temperature Tb is lower than the temperature (for example, 200 ° C. or higher) when the treatment target is incised by the heater heat. On the other hand, when it is determined that the tissue amount to be treated is smaller than the reference value based on the initial value Ze and the duration time Ya, the processor 25 sets the target temperature Tb to be lower than the target temperature Ta before the end of the second phase. Set.
  • the processor 25 performs constant voltage control for making the output voltage V constant at a set voltage value Va with respect to the output from the high frequency power supply 31 (S133). Further, the processor 25 performs PID control at the set target temperature Tb with respect to the output from the heater power supply 41 (S134). That is, with respect to the output to the heater 23, output control is performed so that the temperature T of the heater 23 reaches the target temperature Tb and is maintained at the target temperature Tb. Then, the processor 25 detects the impedance Z to be treated based on the output current I and the output voltage V from the high frequency power supply 31 (S135).
  • the impedance Z increases with time.
  • the processor 25 determines whether or not the impedance Z is greater than or equal to the threshold value Zth (S136).
  • the threshold value Zth is a fixed value Zth0.
  • the processor 25 continues the output to the electrodes 21 and 22 and the output to the heater 23 until the impedance Z becomes equal to or greater than the threshold value Zth, and continues by applying the high-frequency current and the heater heat. To denature the treatment target.
  • the processor 25 ends the output control in the third phase.
  • the output to the electrodes 21 and 22 and the heater are performed by the process of S105.
  • the output to 23 is stopped. Therefore, in the present embodiment, the threshold value Zth is used for determining the end of the third phase. In the state where the impedance Z has increased to the threshold value Zth, the moisture of the treatment target evaporates and the treatment target is dehydrated. For this reason, in the state where the impedance Z has increased to the threshold value Zth, the state in which the treatment target is dried and the moisture in the treatment target is boiling has ended.
  • FIG. 7 shows an example of the target trajectory of the output voltage V from the high frequency power supply 31 when the processor 25 performs processing as described above
  • FIG. 8 shows the target of the output voltage V from the high frequency power supply 31 as shown in FIG.
  • An example of a change with time of the impedance Z of the treatment target when the trajectory is set is shown.
  • FIG. 9 shows an example of the target trajectory of the temperature T of the heater 23 when the target trajectory of the output voltage V is set as shown in FIG.
  • the horizontal axis indicates the time t based on the start of the first phase.
  • the vertical axis indicates the output voltage V from the high frequency power supply 31
  • FIG. 8 indicates the impedance Z on the vertical axis
  • FIG. 7 shows an example of the target trajectory of the output voltage V from the high frequency power supply 31 when the processor 25 performs processing as described above
  • FIG. 8 shows the target of the output voltage V from the high frequency power supply 31 as shown in FIG.
  • FIG. 9 shows an example of the target trajectory of the temperature T
  • the vertical axis indicates the temperature T of the heater 23.
  • changes with time are shown for three states (organizational states) X1 to X3.
  • the tissue amounts to be treated are different from each other.
  • the amount of tissue of the treatment target such as a thin blood vessel as the treatment target is small.
  • the amount of tissue to be treated such as a thick blood vessel to be treated is large.
  • the change with time in the state X1 is indicated by a solid line
  • the change with time in the state X2 is indicated by a one-dot chain line
  • the change with time in the state X3 is indicated by a broken line.
  • the change with time in the impedance Z in the state X′1 is indicated by a two-dot chain line as a comparative example.
  • the tissue amount is substantially the same as that in the state X1, but the output to the heater 23 in the third phase is different from that in the state X1.
  • the initial value Ze of the impedance Z detected in the first phase is smaller as the amount of tissue to be treated is larger.
  • the initial value Ze1 in the state X1 is larger than the initial value Ze2 in the state X2
  • the initial value Ze3 in the state X3 is the initial value Ze2 in the state X2. Smaller than that.
  • the smaller the initial value Ze of the impedance Z is the larger the increase rate ⁇ of the output voltage V in the second phase is set, and the output voltage V in the second phase is increased.
  • the inclination of the target trajectory is set large.
  • the increase rate ⁇ of the output voltage V and the inclination of the target trajectory in the second phase are set smaller than in the state X2.
  • the increase rate ⁇ of the output voltage V and the inclination of the target trajectory in the second phase are set larger than in the state X2.
  • the minimum value Zmin of the impedance Z is smaller as the amount of tissue to be treated is larger.
  • the time until the impedance Z reaches the minimum value Zmin is longer as the amount of tissue to be treated is larger.
  • the duration Ya of the second phase is longer as the amount of tissue to be treated is larger.
  • the minimum value Zmin1 in the state X1 is larger than the minimum value Zmin2 in the state X2, and the time until the minimum value Zmin1 in the state X1 becomes smaller than the time until the minimum value Zmin2 in the state X2 is reached. Short. For this reason, the duration Ya1 of the second phase in the state X1 is shorter than the duration Ya2 of the second phase in the state X2.
  • the minimum value Zmin3 in the state X3 is smaller than the minimum value Zmin2 in the state X2, and the time until the minimum value Zmin3 in the state X3 becomes smaller than the time until the minimum value Zmin2 in the state X2 is reached. ,long. For this reason, the duration Ya3 of the second phase in the state X3 is longer than the duration Ya2 of the second phase in the state X2.
  • the voltage value Va of the output voltage V in the constant voltage control in the third phase is set large.
  • the voltage value Va1 in the third phase set in the state X1 is smaller than the voltage value Va2 in the third phase set in the state X2.
  • the voltage value Va3 in the third phase set in the state X3 is larger than the voltage value Va2 set in the state X2.
  • the target temperature Tb in the PID control in the third phase is set high.
  • the target temperature Tb1 in the third phase set in the state X1 is lower than the target temperature Tb2 in the third phase set in the state X2.
  • the target temperature Tb3 in the third phase set in the state X3 is higher than the target temperature Tb2 set in the state X2.
  • the target temperature Tb set in the state X2 is substantially the same as the target temperature Ta0 before the end of the second phase, and the target temperature Tb set in the state X3 is the second phase.
  • the processor 25 determines that the tissue amount to be treated is smaller than the reference value based on the initial value Ze and the duration time Ya. Therefore, in the state X1, the processor 25 sets the target temperature (second target temperature) Tb1 to be lower than the target temperature (first target temperature) Ta0 before the detection of the minimum value Zmin. Therefore, in the state X1, regarding the output from the heater power supply 41 in the third phase, output control is performed in which the heater 23 is lowered from the target temperature Ta0 to the target temperature Tb1 and maintained at the target temperature Tb1.
  • the target temperature Tb is set to a fixed value T ′ in the third phase regardless of the initial value Ze of the impedance Z and the duration Ya of the second phase, that is, regardless of the amount of tissue to be treated.
  • the fixed value T′b0 of the target temperature Tb in the comparative example is higher than the target temperature Ta0 before the detection of the minimum value Zmin.
  • output control is performed from the heater power supply 41 at the target temperature T′b0 in the third phase even in the state X′1 where the tissue amount is small as in the state X1.
  • the amount of heater heat applied to the treatment target in the third phase is larger than in the state X1. Since a large amount of heat is applied to the treatment target with a small amount of tissue, in the state X′1, the evaporation amount of water per unit volume of the treatment target increases rapidly after the start of the third phase. For this reason, in the state X′1, the impedance Z rapidly increases after the detection of the minimum value Zmin, and the treatment target is quickly dehydrated and quickly dried.
  • the target temperature Tb in the third phase is set lower than the target temperature Ta0 before the detection of the minimum value Zmin.
  • output control from the heater power supply 41 is performed at a low target temperature Tb.
  • the time until the impedance Z gradually increases and the treatment object is dehydrated that is, the time until the treatment object is dried. Is long.
  • the output control from the heater power supply 41 is performed in the third phase as described above, even when the tissue amount to be treated is small, the time during which the moisture to be treated is boiling is long. For this reason, even when the tissue amount of the treatment target is small, the time for which the treatment target is welded and fused becomes long, the treatment target is appropriately welded and fused, and the treatment target is properly sealed and solidified.
  • the state of the treatment target such as the tissue amount of the treatment target is appropriately detected based on the initial value Ze of the impedance Z and the duration Ya of the second phase.
  • the output from the heater power supply 41 in the third phase is appropriately controlled. That is, in accordance with the state of the treatment target, the time during which the moisture of the treatment target is boiling is long and the time during which the treatment target is welded is long. Output control is performed. For this reason, regardless of the state of the treatment target such as the tissue amount of the treatment target, the treatment target is appropriately sealed and solidified.
  • output from the heater power supply 41 is started before the detection of the minimum value Zmin, and output control to the heater 23 at the target temperature Ta is continuously performed in the second phase. .
  • the treatment target is denatured by the heater heat. Since the treatment target is continuously denatured by the heater heat in the second phase before the detection of the minimum value Zmin, in this embodiment, after starting output to the electrodes 21 and 22 in the first phase, The object to be treated quickly changes to the above-mentioned state where water boils. By shortening the time from the start of output from the high-frequency power supply 31 until the moisture of the treatment target becomes a boiling state, the sealing performance and the coagulation property of the treatment target are improved, and the energy efficiency in the treatment is improved.
  • the processor 25 sets the target temperature as a target value for output control to the heater 23 in the third phase based on the initial value Ze of the impedance Z and the duration Ya of the second phase.
  • Tb is set, it is not limited to this.
  • the processor 25 uses the minimum value Zmin, minimum time Zmin of the impedance Z instead of the initial value Ze and the duration Ya, or in addition to the initial value Ze and the duration Ya, and Based on the decrease rate of the impedance Z up to the minimum value Zmin, the tissue amount to be treated is determined, and the target temperature Tb of the heater 23 in the third phase is set.
  • the minimum value Zmin of the impedance Z, the time when the minimum value Zmin is reached, and the minimum value Zmin are parameters before the end of the second phase related to the impedance Z.
  • the processor 25 determines that the tissue amount to be treated is larger as the minimum value Zmin is smaller, and sets the target temperature Tb in the third phase higher. To do.
  • the processor 25 performs the third phase based on one of the output power (high-frequency power P), the output current I, and the output voltage V from the high-frequency power supply 31 before the detection of the minimum value Zmin.
  • the target temperature Tb of the heater 23 at is set. That is, the target temperature Tb is set based on the parameters before the end of the second phase related to the output from the high frequency power supply 31. For example, when output control from the high frequency power supply 31 is performed in the second phase as in the first embodiment, the higher the amount of tissue to be treated, the larger the high frequency power P that is output in the second phase. . For this reason, in this modification, for example, the processor 25 determines that the amount of tissue to be treated increases as the high-frequency power P output in the second phase increases, and sets the target temperature Tb in the third phase. Set high.
  • output to the heater 23 is performed in the first phase.
  • the heater power P ′ is output to the heater 23 at the start of the second phase. Is started.
  • the processor 25 maintains the output stop to the heater 23 in the first phase.
  • output control to the heater 23 at the target temperature Ta is performed by the process of S123. For this reason, in the second phase, the treatment target is continuously denatured by the heat of the heater, and the treatment target is changed to the above-described state in which moisture boils.
  • the increase rate ⁇ of the output voltage V that is a target value related to output control from the high-frequency power supply 31 in the second phase. Is a fixed value ⁇ 0.
  • the processor 25 does not perform the process of S121 for setting the increase rate ⁇ and the target trajectory based on the initial value Ze.
  • the high-frequency power supply in the third phase is independent of the above-described parameters (Ze, Ya, Zmin, etc.) such as the initial value Ze and the duration Ya, that is, regardless of the tissue amount to be treated.
  • a voltage value Va, which is a target value related to output control from 31, is a fixed value Va0.
  • the processor 25 does not perform the process of S131 for setting the voltage value Va based on the parameters (Ze, Ya, Zmin, etc.).
  • constant power control for setting the output power (high frequency power P) from the high frequency power supply 31 to a constant power value Pa, and the output current I to a constant current value Ia.
  • the processor 25 may set the power value Pa, which is a target value, to a fixed value Pa0 regardless of the detected parameters (Ze, Ya, etc.), and the detected parameters (Ze, Ya, etc.).
  • the power value Pa may be set based on the above.
  • the processor 25 sets the power value Pa to be larger as the duration Ya is longer, that is, as the amount of tissue to be treated is larger. To do.
  • the processor 25 may set the current value Ia, which is the target value, to the fixed value Ia0 regardless of the detected parameter (Ze, Ya, etc.), and the detected parameter (Ze, Ya, The current value Ia may be set based on Ya or the like.
  • the processor 25 sets the current value Ia to be larger as the duration Ya is longer, that is, as the amount of tissue to be treated is larger, for example. To do.
  • the processor 25 switches between the above-described constant voltage control, constant power control, and constant current control based on the impedance Z.
  • the processor 25 switches between constant voltage control, constant power control, and constant current control based on the switching value Zs1 and the switching value Zs2 larger than the switching value Zs1.
  • the processor 25 performs the above-described constant current control for the output from the high frequency power supply 31.
  • the processor 25 performs the above-described constant power control on the output from the high frequency power supply 31.
  • the processor 25 When the impedance Z is equal to or higher than the switching value Zs2, the processor 25 performs the above-described constant voltage control on the output from the high frequency power supply 31.
  • the threshold value Zth of the impedance Z used for determining the end of the third phase is set to be larger than the switching values Zs1 and Zs2.
  • the processor 25 sets the target trajectory of the impedance Z for the third phase, and controls the output from the high frequency power supply 31 so that the impedance Z changes along the set target trajectory.
  • the high frequency power P, the output voltage V, and the output current I from the high frequency power supply 31 are adjusted so that the impedance Z is along the target trajectory.
  • the target trajectory of the impedance Z may be set to a predetermined trajectory regardless of the detected parameters (Ze, Ya, etc.), or may be set based on the detected parameters (Ze, Ya, etc.).
  • the processor 25 stops the output from the high frequency power supply 31 in a 3rd phase instead of the process of S133. In this case, in the third phase, the treatment target is continuously denatured by the heater heat, and the moisture of the treatment target continues to boil.
  • the processor 25 when it is determined that the tissue amount to be treated is smaller than the reference value based on the parameters (Ze, Ya, etc.), the processor 25 minimizes the target temperature Tb in the third phase. Although it is set lower than the target temperature Ta before the value Zmin is detected, the present invention is not limited to this. In a modification, when it is determined that the tissue amount to be treated is smaller than the reference value based on the parameters (Ze, Ya, etc.), the processor 25 continues to output to the heater 23 in the third phase. Stop.
  • the processor 25 uses the third parameter based on the parameters (Ze, Ya, etc.).
  • the necessity of output to the heater 23 in the phase is determined. Therefore, in this modification, when the amount of tissue to be treated such as the state X1 is small, the heater power P ′ is not output to the heater 23 in the third phase, and no heat is generated in the heater 23.
  • the treatment target is continuously denatured by the heat caused by the high-frequency current, the heater heat generated before the third phase, and the moisture of the treatment target continues. Boiling.
  • the output to the heater 23 is continued in the third phase, and the heater 23 generates heat.
  • the processor 25 increases the target temperature Tb in the third phase as the duration Ya is longer, that is, as the tissue amount is larger, for example. Set.
  • the threshold value Zth of the impedance Z used for determining the end of the third phase is the fixed value Zth0, but is not limited thereto.
  • the processor 25 sets a threshold value Zth of the impedance Z as a target value related to output control to the heater 23 in the third phase based on the above-described parameters (Ze, Ya, etc.). In this case, for example, the processor 25 sets the threshold value Zth that is the target value higher as the duration Ya of the second phase is longer, that is, as the tissue amount is larger.
  • the threshold value Ybth of the elapsed time Yb from the start of the third phase is set as a target value related to output control to the heater 23 in the third phase. Is done.
  • the threshold value Ybth of the elapsed time Yb is used for determining the end of the third phase.
  • the threshold value Ybth of the elapsed time Yb may be a fixed value Ybth0, or may be set based on the parameters (Ze, Ya, etc.) described above.
  • the processor 25 increases the threshold value Ybth that is the target value as the duration Ya of the second phase is longer, that is, as the tissue amount is larger. Set a longer time.
  • FIG. 10 is a flowchart showing processing performed by the processor 25 of the energy source device 3 of the present modification.
  • the processor 25 receives the output from the high frequency power supply 31 and the heater power supply 41 when an operation is input through the operation member (Yes in S101). With respect to the output, the output control in the first phase (S102), the output control in the second phase (S103), and the output control in the third phase (S104) are sequentially performed. However, in the present modification, when the output control in the third phase ends, the processor 25 performs the output control in the fourth phase with respect to the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 (S106). ).
  • the processor 25 switches to the fourth phase based on the fact that the impedance Z becomes equal to or greater than the aforementioned threshold value Zth in the third phase.
  • the processor 25 stops the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 (S105).
  • the treatment target is opened by applying the heater heat.
  • FIG. 11 is a flowchart showing a process performed by the processor 25 in the output control (S106) in the fourth phase.
  • the processor 25 determines the amount of tissue to be treated based on parameters (Ze, Ya, Zmin, etc.) detected before the end of the second phase, such as the initial value Ze and the duration Ya. Based on the determination result, the voltage value Vb of the output voltage V is set as a target value related to output control from the high frequency power supply 31 (S141).
  • the processor 25 sets the voltage value Vb to be larger as the initial value Ze is smaller, and sets the voltage value Vb to be larger as the duration Ya is longer. For this reason, the larger the tissue amount, the larger the voltage value Vb is set.
  • the processor 25 sets the target temperature Tc of the heater 23 as a target value related to output control from the heater power supply 41 based on the detected parameters (Ze, Ya, Zmin, etc.) (S142). At this time, the processor 25 sets the target temperature Tc higher as the initial value Ze is smaller, and sets the target temperature Tc higher as the duration Ya is longer. For this reason, for example, the target temperature Tc is set higher as the blood vessel to be treated is thicker, that is, as the amount of tissue is larger. In any case, the target temperature Tc is a temperature at which the treatment target can be cut, and is higher than the target temperature Ta in the second phase. Further, the target temperature Tc in the fourth phase is higher than the target temperature Tb set in the third phase. In an embodiment, for example, the target temperature Tc is set in a range of 200 ° C. or higher.
  • the processor 25 uses the elapsed time Yc from the start of the fourth phase based on the detected parameters (Ze, Ya, Zmin, etc.) to determine the end of the output control in the fourth phase.
  • the threshold value Ycth to be set is set (S143). At this time, the processor 25 sets the threshold Ycth longer as the initial value Ze is smaller, and sets the threshold Ycth longer as the duration Ya is longer. For this reason, the greater the amount of tissue, the longer the threshold Ycth of the elapsed time Yc is set.
  • the processor 25 performs constant voltage control for making the output voltage V constant over time at the set voltage value Vb with respect to the output from the high frequency power supply 31 (S144). Further, the processor 25 performs PID control at the set target temperature Tc with respect to the output from the heater power supply 41 (S145). That is, regarding the output to the heater 23, output control is performed in which the temperature T of the heater 23 is raised to the target temperature Tc and maintained at the target temperature Tc. As described above, the target temperature Tc in the fourth phase is higher than the target temperature Tb in the third phase. For this reason, the processor 25 increases the output to the heater 23 by switching from the third phase to the fourth phase.
  • the output voltage V ′ from the heater power supply 41, the output power (heater power P ′), and the like increase. Further, at the start of the fourth phase, the impedance Z has risen to the above-described threshold value Zth, the treatment target is dried, and the state in which the moisture of the treatment target is boiling has ended. Therefore, the incision using the heater heat is performed in a state where the treatment target is dried after the treatment target is sealed or coagulated.
  • the processor 25 determines whether or not the elapsed time Yc from the start of the fourth phase is equal to or greater than the threshold Ycth (S146). When the elapsed time Yc is shorter than the threshold Ycth (S146-No), the process returns to S144, and the processes after S144 are sequentially performed. For this reason, in the fourth phase, the processor 25 continues the output to the electrodes 21 and 22 and the output to the heater 23 until the elapsed time Yc becomes equal to or greater than the threshold Ycth.
  • the processor 25 ends the output control in the fourth phase, and in the present embodiment, the output to the electrodes 21 and 22 is performed by the process of S105. The output to the heater 23 is stopped.
  • FIG. 12 shows an example of the target trajectory of the temperature T of the heater 23 when the processor 25 performs the processing as described above.
  • the horizontal axis indicates the time t based on the start of the first phase
  • the vertical axis indicates the temperature T of the heater 23.
  • target trajectories are shown for the three states (organization states) X1 to X3 described above.
  • the change with time in the state X1 is indicated by a solid line
  • the change with time in the state X2 is indicated by a one-dot chain line
  • the change with time in the state X3 is indicated by a broken line.
  • the target temperature Tc in the PID control in the fourth phase is set higher than the target temperature Ta0 in the second phase in any of the states X1 to X3. Is done.
  • the target temperature Tc is 200 ° C. or higher. Therefore, in any of the states X1 to X3, in the fourth phase, the treatment target is incised by the heater heat.
  • the target temperature Tc in the fourth phase is set higher than the target temperature Tb in the third phase. For this reason, in any of the states X1 to X3, the output to the heater 23 increases by switching from the third phase to the fourth phase.
  • the target temperature Tc in the PID control in the fourth phase is set high.
  • the target temperature Tc1 in the fourth phase set in the state X1 is lower than the target temperature Tc2 in the fourth phase set in the state X2.
  • the target temperature Tc3 in the fourth phase set in the state X3 is higher than the target temperature Tc2 set in the state X2.
  • the threshold value Ycth of the elapsed time Yc used for determining the end of the phase 4 is set longer.
  • the threshold Ycth1 set in the state X1 is shorter than the threshold Ycth2 set in the state X2.
  • the threshold value Ycth3 set in the state X3 is longer than the threshold value Ycth3 set in the state X2.
  • the state of the treatment target is determined based on parameters before the end of the second phase, such as the initial value Ze of the impedance Z and the duration Ya of the second phase, as in the above-described embodiments. Appropriately detected. Based on the detected state of the treatment target, the output from the heater power supply 41 in the third phase is appropriately controlled. That is, in accordance with the state of the treatment target, the time during which the moisture of the treatment target is boiling is long and the time during which the treatment target is welded is long. Output control is performed. For this reason, regardless of the state of the treatment target such as the tissue amount of the treatment target, the treatment target is appropriately sealed and solidified. In the present embodiment, the treatment target appropriately sealed and coagulated in the third phase is appropriately incised in the fourth phase.
  • the output control from the high-frequency power supply 31 in the fourth phase is not limited to the control in the second embodiment.
  • the voltage value Vb which is a target value related to output control from the high-frequency power supply 31 in the fourth phase, is a fixed value Vb0 regardless of the amount of tissue to be treated.
  • constant power control for setting the output power (high frequency power P) from the high frequency power supply 31 to a constant power value Pb, and the output current I to a constant current value Ib. Perform either constant current control.
  • the processor 25 may set the power value Pb and the current value Ib to fixed values regardless of the detected parameters (Ze, Ya, etc.), and based on the detected parameters (Ze, Ya, etc.). May be set.
  • the processor 25 switches between the above-described constant voltage control, constant power control, and constant current control based on the impedance Z.
  • the processor 25 sets the target trajectory of the impedance Z for the fourth phase, and controls the output from the high frequency power supply 31 so that the impedance Z changes along the set target trajectory.
  • the target trajectory is set in a state where the impedance constantly increases with time from the threshold value Zth at the end of the third phase.
  • the target trajectory of the impedance Z may be set to a predetermined trajectory regardless of the detected parameter (Ze, Ya, etc.), or may be set based on the detected parameter (Ze, Ya, etc.).
  • the processor 25 stops the output from the high frequency power supply 31 in a 4th phase instead of the process of S144. In this case, in the fourth phase, only the heater heat is applied to the treatment target.
  • the target temperature Tc in the fourth phase is set to a fixed value Tc0 regardless of the detected parameters (Ze, Ya, etc.). Also in this case, the target temperature Tc0 is a temperature at which a treatment target such as 200 ° C. or higher can be cut, and is higher than the target temperature Ta in the second phase. Further, the target temperature Tc0 in the fourth phase is higher than the target temperature Tb set in the third phase.
  • the threshold value Ycth of the elapsed time Yc used for determining the end of the fourth phase may be a fixed value Ycth0.
  • the threshold value Zath of the impedance Z different from the threshold value Zth is used for determining the end of the fourth phase.
  • the threshold value Zath is higher than the threshold value Zth used for determining the end of the third phase.
  • the threshold value Zath of the impedance Z may be a fixed value regardless of the detected parameter (Ze, Ya, etc.), or may be set based on the detected parameter (Ze, Ya, etc.).
  • the temperature of the treatment target rises due to the heat of the heater or the like, so the impedance Z increases with time from the threshold value Zth used for determining the end of the third phase.
  • the output from the high frequency power supply 31 and the output from the heater power supply 41 are stopped by the process of S105 at the end of the third phase or the fourth phase or immediately after the end.
  • the processor 25 continues the output to the heater 23.
  • the output from the heater power supply 41 is controlled to be low so that the treatment target is not denatured by the heater heat.
  • the processor 25 stops the output from the heater power supply 41 based on the passage of a certain amount of time from the end of the third phase or the end of the fourth phase or the operation of the operator or the like.
  • the processor 25 continues the output to the electrodes 21 and 22.
  • the output from the high frequency power supply 31 is controlled to be low so that the treatment target is not denatured by the high frequency current.
  • the processor 25 stops the output from the high-frequency power supply 31 based on the passage of a certain amount of time from the end of the third phase or the end of the fourth phase, or the operation of the operator or the like.
  • the energy output source (31, 41) of the energy source device (3) outputs the high frequency power (P) to the bipolar electrode (21, 22), thereby the bipolar electrode (21, 22).
  • a high-frequency current is passed through the treatment target between and the heater power (P ′) is output to the heater (23) to generate heat in the heater (23).
  • the processor (25) starts output to the bipolar electrodes (21, 22), and detects an initial value (Ze) of the impedance (Z) to be treated.
  • the processor (25) continues the output to the bipolar electrodes (21, 22) so that the treatment target is denatured by applying the high-frequency current, and the impedance (Z) is It is determined whether or not the minimum value (Zmin) has been reached, and in the second phase, the output to the heater (23) is continued in a state where the treatment target is denatured by the heat of the heater (23). Further, the processor (25) is configured to set parameters (Ze, Ya, etc.) before the detection of the minimum value (Zmin) of the impedance (Z) related to at least one of the impedance (Z) and the output to the bipolar electrodes (21, 22).
  • At least one of setting of target values (Tc, Zth, Ybth) relating to output control to the heater (23) is performed.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention in the implementation stage.
  • the embodiments may be appropriately combined as much as possible, and in that case, the combined effect can be obtained.
  • the above embodiments include inventions at various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements.

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Abstract

エネルギー源装置のプロセッサは、第１のフェーズの直後の第２のフェーズにおいて、バイポーラ電極への出力を継続させ、処置対象のインピーダンスが極小値になったか否かを判断するとともに、ヒータへの出力を継続させる。前記プロセッサは、前記インピーダンス及び前記バイポーラ電極への出力の少なくとも一方に関連する前記極小値の検出時以前のパラメータに基づいて、前記極小値の前記検出時の直後の第３のフェーズについて、前記ヒータへの出力の要否の判断、 及び、前記ヒータへの出力制御に関する目標値の設定の少なくとも一方を行う。

Description

エネルギー源装置
　本発明は、バイポーラ電極及びヒータを備える処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置に関する。
　ＵＳ２００９／０２４８００２Ａ１には、一対の把持片の間で生体組織等の処置対象を把持可能な処置具、及び、その処置具に電気エネルギーを供給するエネルギー源装置が開示されている。この処置具では、把持片のそれぞれに電極が設けられるとともに、把持片の一方にヒータが設けられる。エネルギー源装置は、電極（バイポーラ電極）に高周波電力を出力するとともに、ヒータにヒータ電力を出力する。これにより、把持される処置対象を通して電極の間で高周波電流が流れるとともに、ヒータで発生した熱が把持される処置対象に付与される。すなわち、高周波電流及びヒータ熱の両方が、処置対象に付与される。
　ＵＳ２００９／０２４８００２Ａ１に示すように高周波電流及びヒータ熱の両方が処置対象に付与される処置具を用いた処置として、高周波電流、ヒータ熱等の付与によって処置対象を変性させ、処置対象を封止又は凝固させることがある。この場合、高周波電流、ヒータ熱等が処置対象に付与されている状態において、処置対象が脱水され、かつ、乾燥するまで、処置対象の水分が沸騰する。処置対象を封止又は凝固させる処置では、処置対象の水分が沸騰している時間が長いほど、処置対象が溶接される（welded）時間、すなわち、処置対象が融合される（fused）時間が長くなり、処置対象の封止性及び凝固性が向上する。したがって、処置対象を封止又は凝固させる処置では、処置対象が溶接させる時間が長くなる状態に、処置対象の状態に対応させてヒータ電源からヒータへの出力が制御されることが求められる。
　本発明の目的とするところは、処置対象の状態に基づいてヒータ電源からの出力が適切に制御され、処置対象の封止性及び凝固性が向上するエネルギー源装置を提供することにある。
　前記目的を達成するため、本発明のある態様は、一対の把持片の間で処置対象を把持可能なエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタはヒータ及びバイポーラ電極を備える処置具の使用時に、前記処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置であって、前記バイポーラ電極に高周波電力を出力することにより、前記バイポーラ電極の間で前記処置対象を通して高周波電流を流すとともに、前記ヒータにヒータ電力を出力することにより、前記ヒータで熱を発生させるエネルギー出力源と、前記バイポーラ電極への出力及び前記ヒータへの出力を制御するプロセッサと、を備え、前記プロセッサは、第１のフェーズにおいて、前記バイポーラ電極への前記出力を開始させ、前記処置対象のインピーダンスの初期値を検出し、前記第１のフェーズの直後の第２のフェーズにおいて、前記高周波電流の付与によって前記処置対象が変性する状態に前記バイポーラ電極への前記出力を継続させ、前記インピーダンスが極小値になったか否かを判断し、前記第２のフェーズにおいて、前記ヒータの前記熱によって前記処置対象が変性する状態に前記ヒータへの出力を継続させ、前記インピーダンス及び前記バイポーラ電極への前記出力の少なくとも一方に関連する前記インピーダンスの前記極小値の検出時以前のパラメータを取得し、取得した前記パラメータに基づいて、前記極小値の前記検出時の直後の第３のフェーズについて、前記ヒータへの前記出力の要否の判断、及び、前記ヒータへの出力制御に関する目標値の設定の少なくとも一方を行う。
図１は、第１の実施形態に係る処置システムを示す概略図である。 図２は、第１の実施形態に係るエネルギー源装置から処置具に電気エネルギーを供給する構成を概略的に示すブロック図である。 図３は、第１の実施形態に係るエネルギー源装置のプロセッサによって行われる処理を示すフローチャートである。 図４は、第１の実施形態に係るプロセッサによって第１のフェーズでの出力制御において行われる処理を示すフローチャートである。 図５は、第１の実施形態に係るプロセッサによって第２のフェーズでの出力制御において行われる処理を示すフローチャートである。 図６は、第１の実施形態に係るプロセッサによって第３のフェーズでの出力制御において行われる処理を示すフローチャートである。 図７は、第１の実施形態に係るプロセッサが処理を行う場合の高周波電源からの出力電圧の目標軌道の一例を示す概略図である。 図８は、第１の実施形態において図７のように高周波電源からの出力電圧の目標軌道が設定された場合での、処置対象のインピーダンスの経時的変化の一例を示す概略図である。 図９は、第１の実施形態において図７のように高周波電源からの出力電圧の目標軌道が設定された場合での、ヒータの温度の目標軌道の一例を示す概略図である。 図１０は、第２の実施形態に係るエネルギー源装置のプロセッサによって行われる処理を示すフローチャートである。 図１１は、第２の実施形態に係るプロセッサによって第４のフェーズでの出力制御において行われる処理を示すフローチャートである。 図１２は、第２の実施形態に係るプロセッサが処理を行う場合のヒータの温度の目標軌道の一例を示す概略図である。
　（第１の実施形態）　
　本発明の第１の実施形態について、図１乃至図９を参照して説明する。
　図１は、本実施形態の処置システム１を示す図である。図１に示すように、処置システム１は、処置具２と、処置具２へ電気エネルギーを供給するエネルギー源装置３と、を備える。処置具２の使用時には、エネルギー源装置３が一緒に使用される。処置具２は、シャフト５を備え、シャフト５は、中心軸として長手軸Ｃを有する。長手軸Ｃに沿う方向についてシャフト５の一端側（基端側）には、保持可能なハウジング６が連結される。また、シャフト５においてハウジング６が位置する側とは反対側の端部、すなわち、シャフト５の先端部には、エンドエフェクタ７が設けられる。ハウジング６には、グリップ１１が設けられるとともに、ハンドル１２が回動可能に取付けられる。ハンドル１２がハウジング６に対して回動することにより、ハンドル１２がグリップ１１に対して開く又は閉じる。
　エンドエフェクタ７は、一対の把持片１５，１６を備え、処置具２では、シャフト５の内部又は外部を通って、長手軸Ｃに沿って可動部材１３が延設される。可動部材１３の一端（先端）は、エンドエフェクタ７に接続され、可動部材１３の他端（基端）は、ハウジング６の内部においてハンドル１２に連結される。ハンドル１２をグリップ１１に対して開く又は閉じることにより、可動部材１３がシャフト５の長手軸Ｃに沿って移動し、一対の把持片１５，１６の間が開く又は閉じる。これにより、把持片１５，１６の間で血管等の生体組織を処置対象として把持可能となる。なお、ある実施例では、把持片１５，１６の一方がシャフト５と一体又はシャフト５に対して固定され、把持片１５，１６の他方がシャフト５の先端部に回動可能に取付けられる。また、別のある実施例では、把持片１５，１６の両方がシャフト５の先端部に回動可能に取付けられる。また、ある実施例では、ハウジング６に回転ノブ等の操作部材（図示しない）が取付けられる。この場合、操作部材をハウジング６に対して回転することにより、シャフト５及びエンドエフェクタ７がハウジング６に対して長手軸Ｃの軸回りに回転する。
　ハウジング６には、ケーブル１７の一端が接続される。ケーブル１７の他端は、エネルギー源装置３に分離可能に接続される。また、処置システム１には、処置具２とは別体の操作部材としてフットスイッチ１８が設けられる。フットスイッチ１８は、エネルギー源装置３に電気的に接続される。フットスイッチ１８によって、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギーを出力させる操作が入力される。なお、ある実施例では、フットスイッチ１８の代わりに、又は、フットスイッチ１８に加えて、ハウジング６に取付けられる操作ボタン等が操作部材として設けられる。そして、操作部材での操作によって、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギーが出力される。
　図２は、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギー（本実施形態では後述の高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´）を供給する構成を示す図である。図２に示すように、処置具２では、把持片１５に電極２１が設けられ、把持片１６に電極２２が設けられる。電極２１，２２は、エンドエフェクタ７に設けられるバイポーラ電極である。また、エンドエフェクタ７では、把持片１５，１６の少なくとも一方に、発熱体としてヒータ２３が設けられる。
　エネルギー源装置３は、プロセッサ（コントローラ）２５及び記憶媒体２６を備える。プロセッサ２５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等を含む集積回路等から形成される。プロセッサ２５は、エネルギー源装置３において１つのみ設けられてもよく、エネルギー源装置３において複数設けられてもよい。プロセッサ２５での処理は、プロセッサ２５又は記憶媒体２６に記憶されたプログラムに従って行われる。また、記憶媒体２６には、プロセッサ２５で用いられる処理プログラム、及び、プロセッサ２５での演算で用いられるパラメータ、関数及びテーブル等が記憶される。プロセッサ２５は、フットスイッチ１８等の操作部材において操作が入力されたか否かを、検出する。
　エネルギー源装置３は、エネルギー出力源として高周波電源３１を備える。高周波電源３１は、波形生成器、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力を高周波電力Ｐに変換する。高周波電源３１は、電気供給路３２を介して把持片１５の電極２１に電気的に接続されるとともに、電気供給路３３を介して把持片１６の電極２２に電気的に接続される。電気供給路３２，３３のそれぞれは、ケーブル１７の内部、ハウジング６の内部及びシャフト５の内部を通って延設され、電気配線等から形成される。高周波電源３１は、変換された高周波電力Ｐを出力可能である。把持片１５，１６の間で処置対象が把持された状態では、高周波電源３１から出力された高周波電力Ｐが電気供給路３２，３３を通して電極２１，２２に供給されることにより、電極（バイポーラ電極）２１，２２の間で処置対象を通して高周波電流が流れる。この際、電極２１，２２は、互いに対して異なる電位を有する。処置対象に処置エネルギーとしてある程度の大きさの高周波電流が付与されることにより、高周波電流に起因する熱によって、処置対象が変性される。フットスイッチ１８等で操作が入力されると、プロセッサ２５は、後述のようにして、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を制御する。
　高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの電気経路には、電流検出回路３５及び電圧検出回路３６が設けられる。高周波電源３１から高周波電力Ｐが出力されている状態において、電流検出回路３５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉの電流値を検出し、電圧検出回路３６は、高周波電源３１からの出力電圧Ｖの電圧値を検出する。そして、電流検出回路３５で検出された電流値を示すアナログ信号、及び、電圧検出回路３６で検出された電圧値を示すアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器（図示しない）等でデジタル信号に変換され、変換されたデジタル信号がプロセッサ２５に伝達される。これにより、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに関する情報を取得する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの電気経路のインピーダンスを検出し、高周波電力Ｐの電気経路のインピーダンスに基づいて、把持される処置対象のインピーダンス（組織インピーダンス）Ｚを検出する。また、プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、高周波電力Ｐの電力値、すなわち、高周波電源３１から電極２１，２２への出力電力の電力値を検出する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖ、及び、検出したインピーダンスＺ及び高周波電力Ｐを用いて、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力を後述のように制御する。
　エネルギー源装置３は、エネルギー出力源としてヒータ電源４１を備える。ヒータ電源４１は、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力をヒータ電力Ｐ´に変換する。ヒータ電源４１は、電気供給路４２，４３を介してヒータ２３に電気的に接続される。電気供給路４２，４３のそれぞれは、ケーブル１７の内部、ハウジング６の内部及びシャフト５の内部を通って延設され、電気配線等から形成される。ヒータ電源４１は、変換されたヒータ電力Ｐ´を出力可能である。ここで、出力されるヒータ電力Ｐ´は、直流電力又は交流電力である。ヒータ電源４１から出力されたヒータ電力Ｐ´が電気供給路４２，４３を通してヒータ２３に供給されることにより、ヒータ２３で熱が発生する。把持片１５，１６の間で処置対象が把持された状態では、ヒータ２３で発生したヒータ熱は、処置対象に付与される。処置対象に処置エネルギーとしてある程度の熱量のヒータ熱が付与されることにより、処置対象が変性され、封止又は凝固される。また、大きい熱量のヒータ熱が処置対象に付与されることにより、処置対象は、切開される。フットスイッチ１８等で操作が入力されると、プロセッサ２５は、後述のようにして、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力を制御する。
　ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の電気経路には、電流検出回路４５及び電圧検出回路４６が設けられる。ヒータ電源４１からヒータ電力Ｐ´が出力されている状態において、電流検出回路４５は、ヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´の電流値を検出し、電圧検出回路４６は、ヒータ電源４１からの出力電圧Ｖ´の電圧値を検出する。そして、電流検出回路４５で検出された電流値を示すアナログ信号、及び、電圧検出回路４６で検出された電圧値を示すアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器（図示しない）等でデジタル信号に変換され、変換されたデジタル信号がプロセッサ２５に伝達される。これにより、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に関する情報を取得する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の電気経路のインピーダンスを検出し、ヒータ電力Ｐ´の電気経路のインピーダンスに基づいてヒータ２３の抵抗Ｒを検出する。ここで、ヒータ２３の抵抗Ｒは、ヒータ２３の温度Ｔに対応して変化し、記憶媒体２６等には、ヒータ２３の温度Ｔと抵抗Ｒとの関係を示す関数又はテーブル等が記憶される。プロセッサ２５は、検出した抵抗Ｒ、及び、記憶された温度Ｔと抵抗Ｒとの関係に基づいて、ヒータ２３の温度Ｔを検出する。また、プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ電力Ｐ´の電力値、すなわち、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力電力の電力値を検出する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´、及び、検出した温度Ｔ（抵抗Ｒ）及びヒータ電力Ｐ´を用いて、ヒータ電源４１からの出力を後述のように制御する。
　次に、エネルギー源装置３及び処置システム１の作用及び効果について説明する。処置システム１を用いて処置を行う際には、処置具２を、ケーブル１７を介してエネルギー源装置３に接続する。そして、術者は、ハウジング６を保持し、腹腔等の体腔の内部にエンドエフェクタ７を挿入する。そして、把持片１５，１６の間に生体組織等の処置対象が位置する状態で、ハンドル１２をグリップ１１に対して閉じる。これにより、把持片１５，１６の間が閉じ、把持片１５，１６の間で処置対象が把持される。処置対象が把持される状態においてフットスイッチ１８等の操作部材で操作が入力されることにより、後述するように、高周波電源３１からの電極２１，２２への出力、及び、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力が制御される。電極２１，２２に高周波電力Ｐが供給されることにより、前述の処置対象に高周波電流が流れ、ヒータ２３にヒータ電力Ｐ´が供給されることにより、前述のようにヒータ２３で発生した熱が処置対象に付与される。そして、高周波電流及びヒータ熱を処置エネルギーとして用いて、処置対象が処置される。本実施形態では、高周波電流及びヒータ熱によって、処置対象が封止又は凝固される。
　図３は、エネルギー源装置３のプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。図３に示すように、プロセッサ２５は、フットスイッチ１８等の操作部材で操作が入力されたか否か、すなわち、操作部材での操作入力がＯＮかＯＦＦかを判断する（Ｓ１０１）。操作が入力されていない場合は（Ｓ１０１－Ｎｏ）、処理はＳ１０１ に戻る。すなわち、プロセッサ２５は、操作部材で操作が入力されるまで、待機する。操作部材で操作が入力されると（Ｓ１０１－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力に関して、第１のフェーズでの出力制御を行う（Ｓ１０２）。そして、第１のフェーズでの出力制御が終了すると、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力に関して、第２のフェーズでの出力制御を行う（Ｓ１０３）。そして、第２のフェーズでの出力制御が終了すると、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力に関して、第３のフェーズでの出力制御を行う（Ｓ１０４）。そして、第３のフェーズでの出力制御が終了すると、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力を停止する（Ｓ１０５）。
　図４は、第１のフェーズでの出力制御（Ｓ１０２）においてプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。第１のフェーズでは、プロセッサ２５は、高周波電源３１から電極２１，２２への高周波電力Ｐの出力を開始させるとともに、ヒータ電源４１からヒータ２３へのヒータ電力Ｐ´の出力を開始させる。本実施形態では、高周波電力Ｐの出力が開始されると、プロセッサ２５は、高周波電力Ｐが電力値Ｐｅで経時的に一定になる状態で、高周波電源３１から出力させる（Ｓ１１１）。この際、高周波電力Ｐ、すなわち、高周波電源３１からの出力電力が電力値Ｐｅで一定になる状態に、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖが調整される。なお、本実施形態では、電力値Ｐｅは、固定値Ｐｅ０である。
　また、ヒータ電源４１からヒータ電力Ｐ´の出力が開始されると、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、目標値として目標温度（第１の目標温度）Ｔａを設定し、設定した目標温度ＴａでのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１１２）。すなわち、ヒータ２３への出力に関して、ヒータ２３の温度Ｔを目標温度Ｔａに到達させ、かつ、目標温度Ｔａで維持する出力制御が行われる。目標温度ＴａでのＰＩＤ制御では、プロセッサ２５は、前述のようにヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ２３の抵抗Ｒを検出し、検出した抵抗Ｒに基づくヒータ２３の温度Ｔを検出する。そして、プロセッサ２５は、目標温度Ｔａとヒータ２３の温度Ｔとの温度偏差、温度偏差の時間積分値（温度偏差の積算値）、及び、温度偏差の時間微分値（温度偏差の時間変化率）に基づいて、ヒータ２３からの出力電力（ヒータ電力Ｐ´）、出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´を調整し、温度Ｔを目標温度Ｔａに到達させるとともに、温度Ｔを目標温度Ｔａで維持する。例えば、目標温度Ｔａと温度Ｔとの温度偏差が大きい状態では、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１から大きい電力値でヒータ電力Ｐ´を出力させる。そして、目標温度Ｔａと温度Ｔとの温度偏差が小さい状態、及び、温度偏差がゼロの状態では、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１から小さい電力値でヒータ電力Ｐ´を出力させる。なお、本実施形態では、目標温度Ｔａは、固定値Ｔａ０であり、６０℃以上１００℃程度の範囲で設定される。ある実施例では、目標温度Ｔａは、６０℃以上１００℃以下の範囲で設定され、別のある実施例では、目標温度Ｔａは、６０℃以上１００℃未満の範囲で設定される。
　そして、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、インピーダンスＺを検出する（Ｓ１１３）。第１のフェーズでは、プロセッサ２５は、検出したインピーダンスＺに基づいて、出力開始時又は出力開始直後のインピーダンスＺを示す値として、インピーダンスＺの初期値Ｚｅを検出する。インピーダンスＺの初期値Ｚｅは、インピーダンスＺに関連する第２のフェーズの終了時以前のパラメータである。初期値Ｚｅは、第１のフェーズのいずれかの時点のインピーダンスＺであってもよく、第１のフェーズでのインピーダンスＺの平均値又は中間値等であってもよい。初期値Ｚｅは、血管の太さを含む処置対象の組織量（tissue volume）に対応して変化し、初期値Ｚｅは、処置対象の状態に対応して変化する。そして、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力開始を基準とする時間ｔが基準時間ｔｒｅｆ以上であるか否かを、判断する（Ｓ１１４）。すなわち、第１のフェーズの開始から基準時間ｔｒｅｆ経過したか否かが、判断される。時間ｔが基準時間ｔｒｅｆより小さい場合は（１１４－Ｎｏ）、処理はＳ１１１に戻り、Ｓ１１１以降の処理が順次に行われる。時間ｔが基準時間ｔｒｅｆ以上の場合は（Ｓ１１４－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、第１のフェーズでの出力制御を終了し、第２のフェーズでの出力制御を開始する。なお、基準時間ｔｒｅｆは、例えば固定値であり、１００ｍｓ程度の短い時間である。このため、第１のフェーズでの出力制御が行われる時間は、短く、瞬時である。したがって、インピーダンスＺが初期値Ｚｅから後述の極小値Ｚｍｉｎまで減少する前に、第１のフェーズでの出力制御が終了する。
　図５は、第２のフェーズでの出力制御（Ｓ１０３）においてプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。第１のフェーズの直後の第２のフェーズでは、プロセッサ２５は、第１のフェーズで検出した初期値Ｚｅに基づいて、高周波電源３１からの出力制御に関する目標値として、出力電圧Ｖの経時的な増加率βを設定する（Ｓ１２１）。この際、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、出力電圧Ｖの増加率βを大きく設定する。そして、プロセッサ２５は、設定した増加率βに基づいて、第２のフェーズでの高周波電源３１からの出力制御に関して、出力電圧Ｖの目標軌道を設定する（Ｓ１２１）。目標軌道では、出力電圧Ｖが、設定された増加率βで経時的に一定に増加する。このため、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、目標軌道の傾きを大きく設定し、第２のフェーズのそれぞれの時点において目標軌道上の値を大きく設定する。そして、プロセッサ２５は、出力電圧Ｖが設定した目標軌道に沿う状態に、高周波電源３１から電極２１，２２への出力制御を行う（Ｓ１２２）。また、第２のフェーズでも、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、前述した目標温度（第１の目標温度）ＴａでのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１２３）。
　そして、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、処置対象のインピーダンスＺを検出する（Ｓ１２４）。第２のフェーズでは、高周波電流及びヒータ熱の付与によって、処置対象が変性されるとともに、処置対象の水分が沸騰し始める。処置対象の水分が沸騰するまでは、インピーダンスＺは、初期値Ｚｅから経時的に減少する。そして、処置対象の水分が沸騰し始めると、処置対象の水分が蒸発し始めるため、インピーダンスＺが経時的に増加し始める。このため、処置対象の水分が沸騰し始めた時点又はその直近に、インピーダンスＺが経時的に減少する状態から経時的に増加する状態に切替わるインピーダンスＺの極小値Ｚｍｉｎが発生する。第２のフェーズでは、プロセッサ２５は、検出したインピーダンスＺに基づいて、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになったか否かを判断する（Ｓ１２５）。なお、ある実施例では、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになったか否かの判断において、プロセッサ２５は、インピーダンスＺが減少する状態から増加する状態への切替わり時を検出する。そして、プロセッサ２５は、切替わり時からインピーダンスＺが基準値以上増加したこと、又は、切替わり時から基準時間以上の間においてインピーダンスＺが継続して切替わり時より大きかったことに基づいて、切替わり時においてインピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになったと判断する。
　インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになっていないと判断した場合は（Ｓ１２５－Ｎｏ）、処理はＳ１２２に戻り、Ｓ１２２以降の処理が順次に行われる。このため、第２のフェーズでは、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになったことを検出するまで、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力及びヒータ２３への出力を継続させ、高周波電流及びヒータ熱の付与によって継続して処置対象を変性させる。インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになったと判断した場合は（Ｓ１２５－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、第２のフェーズの開始からインピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになったことを検出した検出時までの時間を、第２のフェーズの継続時間Ｙａとして検出する（Ｓ１２６）。第２のフェーズの継続時間Ｙａを検出すると、プロセッサ２５は、第２のフェーズでの出力制御を終了し、第３のフェーズでの出力制御を開始する。したがって、インピーダンスＺの極小値Ｚｍｉｎの検出時が、第２のフェーズの終了時となり、第３のフェーズの開始時となる。なお、極小値Ｚｍｉｎの検出時は、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになった時点以後であり、例えば、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになった時点の直後である。
　また、第２のフェーズの継続時間Ｙａは、インピーダンスＺに関連する第２のフェーズの終了時以前のパラメータである。ここで、インピーダンスＺの極小値Ｚｍｉｎ、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになる時間、及び、極小値ＺｍｉｎになるまでのインピーダンスＺの変化態様等は、血管の太さを含む処置対象の組織量に対応して変化し、処置対象の状態に対応して変化する。このため、第２のフェーズの継続時間Ｙａは、処置対象の組織量に対応して変化し、処置対象の状態に対応して変化する。また、本実施形態では、プロセッサ２５は、前述のように、インピーダンスＺに関連する極小値Ｚｍｉｎの検出時以前のパラメータとして、インピーダンスＺの初期値Ｚｅ及び第２のフェーズの継続時間Ｙａを検出する。そして、本実施形態では、プロセッサ２５は、検出した初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａに基づいて、処置対象の組織量を判断する。この際、ある実施例では、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、組織量が多いと判断する。そして、プロセッサ２５は、継続時間Ｙａが長いほど、組織量が多いと判断する。
　図６は、第３のフェーズでの出力制御（Ｓ１０４）においてプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。第３のフェーズでは、プロセッサ２５は、第２のフェーズの終了時以前に検出した初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａに基づいて、すなわち、処置対象の組織量の判断結果に基づいて、高周波電源３１からの出力制御に関する目標値として、出力電圧Ｖの電圧値Ｖａを設定する（Ｓ１３１）。この際、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、電圧値Ｖａを大きく設定し、継続時間Ｙａが長いほど、電圧値Ｖａを大きく設定する。このため、組織量が多いほど、電圧値Ｖａは大きく設定される。また、プロセッサ２５は、検出した初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａに基づいて、ヒータ電源４１からの出力制御に関する目標値として、ヒータ２３の目標温度Ｔｂを設定する（Ｓ１３２）。目標温度Ｔｂの設定では、例えば、記憶媒体２６に記憶された初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａの目標温度Ｔｂに対する関係を示す関数又はテーブル等が用いられる。この際、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、目標温度Ｔｂを高く設定し、継続時間Ｙａが長いほど、目標温度Ｔｂを高く設定する。このため、例えば、処置対象である血管が太いほど、すなわち、組織量が多いほど、目標温度Ｔｂが高く設定される。なお、目標温度Ｔｂは、第２のフェーズの終了時以前の目標温度Ｔａ以上に設定されることもあれば、目標温度Ｔａより低く設定されることもある。ただし、いずれの場合も、設定される目標温度Ｔｂは、ヒータ熱によって処置対象を切開する際の温度（例えば２００℃以上）に比べて、低い。また、初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａに基づいて処置対象の組織量が基準値より少ないと判断した場合は、プロセッサ２５は、目標温度Ｔｂを第２のフェーズの終了時以前の目標温度Ｔａより低く設定する。
　そして、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力に関して、出力電圧Ｖを設定した電圧値Ｖａで経時的に一定にする定電圧制御を行う（Ｓ１３３）。また、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力に関して、設定した目標温度ＴｂでのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１３４）。すなわち、ヒータ２３への出力に関して、ヒータ２３の温度Ｔを目標温度Ｔｂに到達させ、かつ、目標温度Ｔｂで維持する出力制御が行われる。そして、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、処置対象のインピーダンスＺを検出する（Ｓ１３５）。なお、第３のフェーズでも、高周波電流及びヒータ熱の付与によって、第２のフェーズから継続して処置対象の水分が沸騰し、第２のフェーズから継続して処置対象の水分が蒸発する。このため、第３のフェーズでは、インピーダンスＺが経時的に増加する。
　そして、プロセッサ２５は、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈ以上であるか否かを判断する（Ｓ１３６）。本実施形態では、閾値Ｚｔｈは、固定値Ｚｔｈ０である。インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈより小さい場合は（Ｓ１３６－Ｎｏ）、処理はＳ１３３に戻り、Ｓ１３３以降の処理が順次に行われる。このため、第３のフェーズでは、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈ以上になるまで、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力及びヒータ２３への出力を継続させ、高周波電流及びヒータ熱の付与によって継続して処置対象を変性させる。インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈ以上の場合は（Ｓ１３６－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、第３のフェーズでの出力制御を終了し、本実施形態では、Ｓ１０５の処理によって、電極２１，２２への出力及びヒータ２３への出力を停止させる。したがって、本実施形態では、閾値Ｚｔｈが、第３のフェーズの終了の判断に用いられる。なお、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈまで上昇した状態では、処置対象の水分が蒸発し、処置対象は脱水される。このため、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈまで上昇した状態では、処置対象が乾燥し、処置対象の水分が沸騰する状態は終了している。
　図７は、前述のようにプロセッサ２５が処理を行う場合の高周波電源３１から出力電圧Ｖの目標軌道の一例を示し、図８は、図７のように高周波電源３１からの出力電圧Ｖの目標軌道が設定された場合での、処置対象のインピーダンスＺの経時的変化の一例を示す。また、図９は、図７のように出力電圧Ｖの目標軌道が設定された場合での、ヒータ２３の温度Ｔの目標軌道の一例を示す。図７乃至図９のそれぞれでは、横軸に、第１のフェーズの開始を基準とする時間ｔを示す。また、図７では縦軸に高周波電源３１からの出力電圧Ｖを、図８では縦軸にインピーダンスＺを、図９では縦軸にヒータ２３の温度Ｔを、それぞれ示す。そして、図７乃至図９のそれぞれでは、３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、経時的変化を示す。状態Ｘ１～Ｘ３では、処置対象の組織量が互いに対して異なる。ここで、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べ、処置対象である血管が細い等の処置対象の組織量が少ない。また、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べ、処置対象である血管が太い等の処置対象の組織量が多い。図７乃至図９のそれぞれでは、状態Ｘ１での経時的変化を実線で、状態Ｘ２での経時的変化を一点鎖線で、状態Ｘ３での経時的変化を破線で、それぞれ示す。また、図８及び図９では、状態Ｘ´１でのインピーダンスＺの経時的変化を、比較例として二点鎖線で示す。状態Ｘ´１では、組織量は状態Ｘ１と略同一であるが、第３のフェーズでのヒータ２３への出力が状態Ｘ１とは異なる。
　第１のフェーズで検出されるインピーダンスＺの初期値Ｚｅは、処置対象の組織量が多いほど、小さい。実際に、図７乃至図９の一例では、状態Ｘ１での初期値Ｚｅ１は、状態Ｘ２での初期値Ｚｅ２に比べて大きく、状態Ｘ３での初期値Ｚｅ３は、状態Ｘ２での初期値Ｚｅ２に比べて小さい。そして、本実施形態では、前述のように、インピーダンスＺの初期値Ｚｅが小さいほど、第２のフェーズでの出力電圧Ｖの増加率βが大きく設定され、第２のフェーズでの出力電圧Ｖの目標軌道の傾きが大きく設定される。実際に、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べて、第２のフェーズでの出力電圧Ｖの増加率β及び目標軌道の傾きが小さく設定される。そして、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べて、第２のフェーズでの出力電圧Ｖの増加率β及び目標軌道の傾きが大きく設定される。
　また、インピーダンスＺの極小値Ｚｍｉｎは、処置対象の組織量が多いほど、小さい。インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになるまでの時間は、処置対象の組織量が多いほど、長い。このため、第２のフェーズの継続時間Ｙａは、処置対象の組織量が多いほど、長い。実際に、状態Ｘ１での極小値Ｚｍｉｎ１は、状態Ｘ２での極小値Ｚｍｉｎ２に比べて大きく、状態Ｘ１において極小値Ｚｍｉｎ１になるまでの時間は、状態Ｘ２において極小値Ｚｍｉｎ２になるまでの時間に比べて、短い。このため、状態Ｘ１での第２のフェーズの継続時間Ｙａ１は、状態Ｘ２での第２のフェーズの継続時間Ｙａ２に比べて、短い。また、状態Ｘ３での極小値Ｚｍｉｎ３は、状態Ｘ２での極小値Ｚｍｉｎ２に比べて小さく、状態Ｘ３において極小値Ｚｍｉｎ３になるまでの時間は、状態Ｘ２において極小値Ｚｍｉｎ２になるまでの時間に比べて、長い。このため、状態Ｘ３での第２のフェーズの継続時間Ｙａ３は、状態Ｘ２での第２のフェーズの継続時間Ｙａ２に比べて、長い。
　また、本実施形態では、前述のように、インピーダンスＺの初期値Ｚｅが小さいほど、そして、第２のフェーズの継続時間Ｙａが長いほど、処置対象の組織量が多いと判断されるため、第３のフェーズでの定電圧制御における出力電圧Ｖの電圧値Ｖａが大きく設定される。実際に、状態Ｘ１で設定される第３のフェーズでの電圧値Ｖａ１は、状態Ｘ２で設定される第３のフェーズでの電圧値Ｖａ２に比べて、小さい。そして、状態Ｘ３で設定される第３のフェーズでの電圧値Ｖａ３は、状態Ｘ２で設定され電圧値Ｖａ２に比べて、大きい。
　また、本実施形態では、前述のように、インピーダンスＺの初期値Ｚｅが小さいほど、そして、第２のフェーズの継続時間Ｙａが長いほど、処置対象の組織量が多いと判断されるため、第３のフェーズでのＰＩＤ制御における目標温度Ｔｂが高く設定される。実際に、状態Ｘ１で設定される第３のフェーズでの目標温度Ｔｂ１は、状態Ｘ２で設定される第３のフェーズでの目標温度Ｔｂ２に比べて、低い。そして、状態Ｘ３で設定される第３のフェーズでの目標温度Ｔｂ３は、状態Ｘ２で設定され目標温度Ｔｂ２に比べて、高い。なお、ある実施例では、状態Ｘ２で設定される目標温度Ｔｂは、第２のフェーズの終了時以前の目標温度Ｔａ０と略同一で、状態Ｘ３で設定される目標温度Ｔｂは、第２のフェーズの終了時以前の目標温度Ｔａ０より高い。また、状態Ｘ１では、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａに基づいて、処置対象の組織量が基準値より少ないと判断する。このため、状態Ｘ１では、プロセッサ２５は、目標温度（第２の目標温度）Ｔｂ１を極小値Ｚｍｉｎの検出時以前の目標温度（第１の目標温度）Ｔａ０より低く設定する。したがって、状態Ｘ１では、第３のフェーズでのヒータ電源４１からの出力に関して、ヒータ２３を目標温度Ｔａ０から目標温度Ｔｂ１まで低下させ、かつ、目標温度Ｔｂ１で維持する出力制御が行われる。
　ここで、比較例として、インピーダンスＺの初期値Ｚｅ及び第２のフェーズの継続時間Ｙａに関係なく、すなわち、処置対象の組織量に関係なく、第３のフェーズにおいて目標温度Ｔｂを固定値Ｔ´ｂ０として、ヒータ２３の出力に関してＰＩＤ制御が行われる場合について説明する。比較例での目標温度Ｔｂの固定値Ｔ´ｂ０は、極小値Ｚｍｉｎの検出時以前の目標温度Ｔａ０より高い。比較例では、状態Ｘ１と同様に組織量が少ない状態Ｘ´１においても、第３のフェーズにおいて目標温度Ｔ´ｂ０でのヒータ電源４１から出力制御が行われる。このため、状態Ｘ´１では、状態Ｘ１に比べて、第３のフェーズにおいて処置対象に付与されるヒータ熱の熱量が大きい。組織量が少ない処置対象に大きい熱量のヒータ熱が付与されるため、状態Ｘ´１では、第３のフェーズの開始以後において処置対象の単位体積あたりの水分の蒸発量が急激に増加する。このため、状態Ｘ´１では、極小値Ｚｍｉｎの検出時以後において、インピーダンスＺが急激に上昇し、処置対象は、迅速に脱水され、かつ、迅速に乾燥した状態になる。
　これに対し、本実施形態では、状態Ｘ１等の処置対象の組織量が少ない場合は、第３フェーズでの目標温度Ｔｂは、極小値Ｚｍｉｎの検出時以前の目標温度Ｔａ０より低く設定される。そして、第３のフェーズでは、低い目標温度Ｔｂで、ヒータ電源４１からの出力制御が行われる。このため、状態Ｘ１等の処置対象の組織量が少ない場合では、処置対象に付与されるヒータ熱の熱量が小さい。したがって、処置対象の組織量が少なくても、第３のフェーズの開始以後においてヒータ熱によって処置対象の単位体積あたりの水分の蒸発量が急激に増加することが、防止される。これにより、処置対象の組織量が少ない場合でも、極小値Ｚｍｉｎの検出時以後において、インピーダンスＺが緩やかに上昇し、処置対象が脱水されるまでの時間、すなわち、処置対象が乾燥するまでの時間が長い。処置対象が脱水されるまでの時間が長くなることにより、処置対象の水分が沸騰している時間が長くなる。
　ここで、処置対象の水分が沸騰している時間が長いほど、処置対象が溶接される（welded）時間、すなわち、処置対象が融合される（fused）時間が長く、処置対象の封止性及び凝固性が向上する。本実施形態では、前述のように第３のフェーズにおいてヒータ電源４１からの出力制御が行われるため、処置対象の組織量が少ない場合でも、処置対象の水分が沸騰している時間が長い。このため、処置対象の組織量が少ない場合でも、処置対象が溶接及び融合される時間が長くなり、処置対象が適切に溶接及び融合され、処置対象が適切に封止及び凝固される。
　前述のように本実施形態では、処置対象の組織量等の処置対象の状態がインピーダンスＺの初期値Ｚｅ及び第２のフェーズの継続時間Ｙａに基づいて、適切に検出される。そして、検出された処置対象の状態に基づいて、第３のフェーズでのヒータ電源４１からの出力が適切に制御される。すなわち、処置対象の状態に対応させて、処置対象の水分が沸騰している時間が長くなり、かつ、処置対象が溶接される時間が長くなる状態に、第３のフェーズでのヒータ２３への出力制御が行われる。このため、処置対象の組織量等の処置対象の状態に関係なく、処置対象が適切に封止及び凝固される。
　また、本実施形態では、最小値Ｚｍｉｎの検出時より前に、ヒータ電源４１からの出力が開始され、第２のフェーズでは、目標温度Ｔａでのヒータ２３への出力制御が継続して行われる。そして、目標温度Ｔａでは、ヒータ熱によって処置対象が変性される。最小値Ｚｍｉｎの検出時以前の第２のフェーズにおいてヒータ熱によって処置対象が継続して変性されるため、本実施形態では、第１のフェーズで電極２１，２２への出力を開始した後において、処置対象は水分が沸騰する前述の状態に迅速に変化する。高周波電源３１からの出力開始から処置対象の水分が沸騰する状態になるまでの時間が短くなることにより、処置対象の封止性及び凝固性が向上するとともに、処置におけるエネルギー効率が向上する。
　（第１の実施形態の変形例）　
　なお、第１の実施形態では、プロセッサ２５は、インピーダンスＺの初期値Ｚｅ及び第２のフェーズの継続時間Ｙａに基づいて、第３のフェーズでのヒータ２３への出力制御の目標値として目標温度Ｔｂを設定するが、これに限るものではない。ある変形例では、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａの代わりに、又は、初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａに加えて、インピーダンスＺの極小値Ｚｍｉｎ、極小値Ｚｍｉｎになった時間、及び、極小値ＺｍｉｎまでのインピーダンスＺの減少率等に基づいて、処置対象の組織量を判断し、第３のフェーズでのヒータ２３の目標温度Ｔｂを設定する。ここで、インピーダンスＺの極小値Ｚｍｉｎ、極小値Ｚｍｉｎになった時間、及び、極小値Ｚｍｉｎは、インピーダンスＺに関連する第２のフェーズの終了時以前のパラメータである。例えば極小値Ｚｍｉｎに基づく目標温度Ｔｂの設定が行われる場合、プロセッサ２５は、極小値Ｚｍｉｎが小さいほど、処置対象の組織量が多いと判断し、第３のフェーズでの目標温度Ｔｂを高く設定する。
　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、極小値Ｚｍｉｎの検出時以前の高周波電源３１からの出力電力（高周波電力Ｐ）、出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖのいずれかに基づいて、第３のフェーズでのヒータ２３の目標温度Ｔｂを設定する。すなわち、高周波電源３１からの出力に関連する第２のフェーズの終了時以前のパラメータに基づいて、目標温度Ｔｂが設定される。例えば、第２のフェーズにおいて第１の実施形態と同様に高周波電源３１からの出力制御が行われる場合、第２のフェーズでは、処置対象の組織量が多いほど、出力される高周波電力Ｐは大きい。このため、本変形例では、プロセッサ２５は、例えば、第２のフェーズにおいて出力される高周波電力Ｐが大きいほど、処置対象の組織量が多いと判断し、第３のフェーズでの目標温度Ｔｂを高く設定する。
　また、前述の実施形態等では、第１のフェーズにおいてヒータ２３への出力が行われているが、ある変形例では、第２のフェーズの開始時において、ヒータ２３へのヒータ電力Ｐ´の出力が開始される。この場合、Ｓ１１２の処理の代わりに、プロセッサ２５は、第１のフェーズにおいてヒータ２３への出力停止を維持する。本変形例でも、第２のフェーズでは、Ｓ１２３の処理によって目標温度Ｔａでのヒータ２３への出力制御が行わる。このため、第２のフェーズでは、ヒータ熱によって処置対象が継続して変性され、処置対象は水分が沸騰する前述の状態に変化する。
　また、ある変形例では、初期値Ｚｅに関係なく、すなわち、処置対象の組織量に関係なく、第２のフェーズでの高周波電源３１からの出力制御に関する目標値である出力電圧Ｖの増加率βは、固定値β０である。この場合、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅに基づいて増加率β及び目標軌道を設定するＳ１２１の処理を、行わない。また、ある変形例では、初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａ等の前述のパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ，Ｚｍｉｎ等）に関係なく、すなわち、処置対象の組織量に関係なく、第３のフェーズでの高周波電源３１からの出力制御に関する目標値である電圧値Ｖａは、固定値Ｖａ０である。この場合、プロセッサ２５は、パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ，Ｚｍｉｎ等）に基づいて電圧値Ｖａを設定するＳ１３１の処理を、行わない。
　また、ある変形例では、第３のフェーズにおいて、高周波電源３１からの出力電力（高周波電力Ｐ）を一定の電力値Ｐａにする定電力制御、及び、出力電流Ｉを一定の電流値Ｉａにする定電流制御のいずれかを行う。定電力制御を行う場合、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に関係なく目標値である電力値Ｐａを固定値Ｐａ０に設定してもよく、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて電力値Ｐａを設定してもよい。そして、パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて電力値Ｐａを設定する場合は、プロセッサ２５は、例えば継続時間Ｙａが長いほど、すなわち、処置対象の組織量が多いほど、電力値Ｐａを大きく設定する。同様に、定電流制御を行う場合、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に関係なく目標値である電流値Ｉａを固定値Ｉａ０に設定してもよく、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて電流値Ｉａを設定してもよい。そして、パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて電流値Ｉａを設定する場合は、プロセッサ２５は、例えば継続時間Ｙａが長いほど、すなわち、処置対象の組織量が多いほど、電流値Ｉａを大きく設定する。
　また、ある変形例では、第３のフェーズにおいて、プロセッサ２５は、インピーダンスＺに基づいて、前述の定電圧制御、定電力制御及び定電流制御の間を切替える。この場合、プロセッサ２５は、切替え値Ｚｓ１及び切替え値Ｚｓ１より大きい切替え値Ｚｓ２に基づいて、定電圧制御、定電力制御及び定電流制御の間を切替える。例えば、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ１より小さい状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電流制御を行う。また、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ１以上で、かつ、切替え値Ｚｓ２より小さい状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電力制御を行う。そして、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ２以上の状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電圧制御を行う。なお、本変形例では、第３のフェーズの終了の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈは、切替え値Ｚｓ１，Ｚｓ２より大きく設定される。
　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、第３のフェーズについてインピーダンスＺの目標軌道を設定し、インピーダンスＺが設定した目標軌道に沿って変化する状態に、高周波電源３１からの出力を制御する。この場合、インピーダンスＺが目標軌道に沿う状態に、高周波電源３１からの高周波電力Ｐ、出力電圧Ｖ及び出力電流Ｉが調整される。なお、インピーダンスＺの目標軌道は、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に関係なく既定の軌道に設定されてもよく、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて設定されてもよい。また、ある変形例では、プロセッサ２５は、Ｓ１３３の処理の代わりに、第３のフェーズにおいて高周波電源３１からの出力を停止する。この場合、第３のフェーズでは、ヒータ熱によって、処置対象が継続して変性され、処置対象の水分が継続して沸騰する。
　また、前述の実施形態等では、パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて処置対象の組織量が基準値より少ないと判断した場合に、プロセッサ２５は、第３のフェーズでの目標温度Ｔｂを極小値Ｚｍｉｎの検出時以前の目標温度Ｔａより低く設定するが、これに限るものではない。ある変形例では、パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて処置対象の組織量が基準値より少ないと判断した場合に、プロセッサ２５は、第３のフェーズにおいて、ヒータ２３への出力を継続して停止する。この場合、パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて第３のフェーズでの目標温度Ｔｂを設定するＳ１３２の処理に加えて、プロセッサ２５は、パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて、第３のフェーズでのヒータ２３への出力の要否を判断する。したがって、本変形例では、状態Ｘ１等の処置対象の組織量が少ない場合は、第３のフェーズにおいてヒータ２３へヒータ電力Ｐ´が出力されず、ヒータ２３で熱が発生しない。ただし、この場合でも、第３のフェーズでは、高周波電流に起因する熱及び第３のフェーズより前に発生したヒータ熱等によって、処置対象は継続して変性され、処置対象の水分が継続して沸騰する。また、本変形例でも、状態Ｘ２，Ｘ３等の処置対象の組織量が基準値以上の場合は、第３のフェーズにおいて、ヒータ２３への出力が継続され、ヒータ２３で熱が発生する。そして、処置対象の組織量が基準値以上であると判断した場合は、プロセッサ２５は、例えば継続時間Ｙａが長いほど、すなわち、組織量が多いほど、第３のフェーズでの目標温度Ｔｂを高く設定する。
　また、前述の実施形態では、第３のフェーズの終了の判断に用いられるインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈは固定値Ｚｔｈ０であるが、これに限るものでない。ある変形例では、プロセッサ２５は、前述したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて、第３のフェーズでのヒータ２３への出力制御に関する目標値として、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈを設定する。この場合、プロセッサ２５は、例えば第２のフェーズの継続時間Ｙａが長いほど、すなわち、組織量が多いほど、目標値である閾値Ｚｔｈを高く設定する。
　また、ある変形例では、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈの代わりに、第３のフェーズの開始からの経過時間Ｙｂの閾値Ｙｂｔｈが、第３のフェーズでのヒータ２３への出力制御に関する目標値として、設定される。この場合、経過時間Ｙｂの閾値Ｙｂｔｈが、第３のフェーズの終了の判断に用いられる。経過時間Ｙｂの閾値Ｙｂｔｈは、固定値Ｙｂｔｈ０であってもよく、前述したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて設定されてもよい。パラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて閾値Ｙｂｔｈが設定される場合は、プロセッサ２５は、例えば第２のフェーズの継続時間Ｙａが長いほど、すなわち、組織量が多いほど、目標値である閾値Ｙｂｔｈを長く設定する。
　（第２の実施形態）　
　次に、本発明の第２の実施形態について、図１０乃至図１２を参照して、説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態での処理を次の通り変形したものである。なお、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。
　図１０は、本変形例のエネルギー源装置３のプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。図１０に示すように、本変形例でも前述の実施形態等と同様に、プロセッサ２５は、操作部材で操作が入力されると（Ｓ１０１－Ｙｅｓ）、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力に関して、第１のフェーズでの出力制御（Ｓ１０２）、第２のフェーズでの出力制御（Ｓ１０３）、及び、第３のフェーズでの出力制御（Ｓ１０４）を順次に行う。ただし、本変形例では、第３のフェーズでの出力制御が終了すると、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力に関して、第４のフェーズでの出力制御を行う（Ｓ１０６）。すなわち、例えば、第３のフェーズにおいてインピーダンスＺが前述の閾値Ｚｔｈ以上になったことに基づいて、プロセッサ２５は、第４フェーズに切替える。そして、第４のフェーズでの出力制御が終了すると、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力を停止する（Ｓ１０５）。なお、本変形例の処置では、前述のように高周波電流及びヒータ熱によって処置対象を封止又は凝固した後に、ヒータ熱の付与によって処置対象を切開する。
　図１１は、第４のフェーズでの出力制御（Ｓ１０６）においてプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。第４のフェーズでは、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅ及び継続時間Ｙａ等の第２のフェーズの終了時以前に検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ，Ｚｍｉｎ等）に基づいて、すなわち、処置対象の組織量の判断結果に基づいて、高周波電源３１からの出力制御に関する目標値として、出力電圧Ｖの電圧値Ｖｂを設定する（Ｓ１４１）。この際、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、電圧値Ｖｂを大きく設定し、継続時間Ｙａが長いほど、電圧値Ｖｂを大きく設定する。このため、組織量が多いほど、電圧値Ｖｂは大きく設定される。また、プロセッサ２５は、検出した前述のパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ，Ｚｍｉｎ等）に基づいて、ヒータ電源４１からの出力制御に関する目標値として、ヒータ２３の目標温度Ｔｃを設定する（Ｓ１４２）。この際、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、目標温度Ｔｃを高く設定し、継続時間Ｙａが長いほど、目標温度Ｔｃを高く設定する。このため、例えば、処置対象である血管が太いほど、すなわち、組織量が多いほど、目標温度Ｔｃが高く設定される。なお、いずれの場合も、目標温度Ｔｃは、処置対象を切開可能な温度であり、第２のフェーズでの目標温度Ｔａに比べて高い。また、第４のフェーズでの目標温度Ｔｃは、第３のフェーズで設定された目標温度Ｔｂに比べて高い。ある実施例では、例えば、目標温度Ｔｃは、２００℃以上の範囲で設定される。
　また、プロセッサ２５は、検出した前述のパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ，Ｚｍｉｎ等）に基づいて、第４のフェーズの開始からの経過時間Ｙｃについて、第４のフェーズでの出力制御の終了の判断に用いられる閾値Ｙｃｔｈを設定する（Ｓ１４３）。この際、プロセッサ２５は、初期値Ｚｅが小さいほど、閾値Ｙｃｔｈを長く設定し、継続時間Ｙａが長いほど、閾値Ｙｃｔｈを長く設定する。このため、組織量が多いほど、経過時間Ｙｃの閾値Ｙｃｔｈが長く設定される。
　そして、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力に関して、出力電圧Ｖを設定した電圧値Ｖｂで経時的に一定にする定電圧制御を行う（Ｓ１４４）。また、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力に関して、設定した目標温度ＴｃでのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１４５）。すなわち、ヒータ２３への出力に関して、ヒータ２３の温度Ｔを目標温度Ｔｃに上昇させ、かつ、目標温度Ｔｃで維持する出力制御が行われる。なお、前述のように第４のフェーズでの目標温度Ｔｃは、第３のフェーズでの目標温度Ｔｂに比べて高い。このため、第３のフェーズから第４のフェーズへ切替えることにより、プロセッサ２５は、ヒータ２３への出力を上昇させる。したがって、第４のフェーズに切替わることにより、ヒータ電源４１からの出力電圧Ｖ´及び出力電力（ヒータ電力Ｐ´）等が増加する。また、第４のフェーズの開始時においては、インピーダンスＺが前述の閾値Ｚｔｈまで上昇しており、処置対象は乾燥し、処置対象の水分が沸騰する状態は終了している。したがって、ヒータ熱を用いた切開は、処置対象の封止又は凝固が行われた後の処置対象が乾燥した状態で、行われる。
　そして、プロセッサ２５は、第４のフェーズの開始からの経過時間Ｙｃが閾値Ｙｃｔｈ以上であるか否かを判断する（Ｓ１４６）。経過時間Ｙｃが閾値Ｙｃｔｈより短い場合は（Ｓ１４６－Ｎｏ）、処理はＳ１４４に戻り、Ｓ１４４以降の処理が順次に行われる。このため、第４のフェーズでは、経過時間Ｙｃが閾値Ｙｃｔｈ以上になるまで、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力及びヒータ２３への出力を継続させる。経過時間Ｙｃが閾値Ｙｃｔｈ以上の場合は（Ｓ１４６－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、第４のフェーズでの出力制御を終了し、本実施形態では、Ｓ１０５の処理によって、電極２１，２２への出力及びヒータ２３への出力を停止させる。
　図１２は、プロセッサ２５が前述のように処理を行う場合での、ヒータ２３の温度Ｔの目標軌道の一例を示す。図１２では、横軸に第１のフェーズの開始を基準とする時間ｔを示し、縦軸にヒータ２３の温度Ｔを示す。そして、図１２では、前述の３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、目標軌道を示す。図１２では、状態Ｘ１での経時的変化を実線で、状態Ｘ２での経時的変化を一点鎖線で、状態Ｘ３での経時的変化を破線で、それぞれ示す。
　図１２に示すように、本実施形態では、第４のフェーズでのＰＩＤ制御における目標温度Ｔｃは、状態Ｘ１～Ｘ３のいずれにおいても、第２のフェーズでの目標温度Ｔａ０に比べて、高く設定される。例えば、状態Ｘ１～Ｘ３のいずれにおいても、目標温度Ｔｃは、２００℃以上である。このため、状態Ｘ１～Ｘ３のいずれにおいても、第４のフェーズでは、ヒータ熱によって処置対象が切開される。また、状態Ｘ１～Ｘ３のいずれにおいても、第４のフェーズでの目標温度Ｔｃは、第３のフェーズでの目標温度Ｔｂに比べて高く設定される。このため、状態Ｘ１～Ｘ３のいずれにおいても、第３のフェーズから第４のフェーズに切替わることにより、ヒータ２３への出力が上昇する。
　また、本実施形態では、前述のように、インピーダンスＺの初期値Ｚｅが小さいほど、そして、第２のフェーズの継続時間Ｙａが長いほど、処置対象の組織量が多いと判断されるため、第４のフェーズでのＰＩＤ制御における目標温度Ｔｃが高く設定される。実際に、状態Ｘ１で設定される第４のフェーズでの目標温度Ｔｃ１は、状態Ｘ２で設定される第４のフェーズでの目標温度Ｔｃ２に比べて、低い。そして、状態Ｘ３で設定される第４のフェーズでの目標温度Ｔｃ３は、状態Ｘ２で設定され目標温度Ｔｃ２に比べて、高い。また、本実施形態では、前述のように、インピーダンスＺの初期値Ｚｅが小さいほど、そして、第２のフェーズの継続時間Ｙａが長いほど、処置対象の組織量が多いと判断されるため、第４のフェーズの終了の判断に用いられる経過時間Ｙｃの閾値Ｙｃｔｈが長く設定される。実際に、状態Ｘ１で設定される閾値Ｙｃｔｈ１は、状態Ｘ２で設定される閾値Ｙｃｔｈ２に比べて、短い。そして、状態Ｘ３で設定される閾値Ｙｃｔｈ３は、状態Ｘ２で設定される閾値Ｙｃｔｈ３に比べて、長い。
　本実施形態でも、前述の実施形態等と同様に、インピーダンスＺの初期値Ｚｅ及び第２のフェーズの継続時間Ｙａ等の第２のフェーズの終了時以前のパラメータに基づいて、処置対象の状態が適切に検出される。そして、検出された処置対象の状態に基づいて、第３のフェーズでのヒータ電源４１からの出力が適切に制御される。すなわち、処置対象の状態に対応させて、処置対象の水分が沸騰している時間が長くなり、かつ、処置対象が溶接される時間が長くなる状態に、第３のフェーズでのヒータ２３への出力制御が行われる。このため、処置対象の組織量等の処置対象の状態に関係なく、処置対象が適切に封止及び凝固される。また、本実施形態では、第３のフェーズにおいて適切に封止及び凝固された処置対象が、第４のフェーズにおいて適切に切開される。
　（第２の実施形態の変形例）　
　なお、第４のフェーズでの高周波電源３１からの出力制御は、第２の実施形態での制御に限るものではない。ある変形例では、処置対象の組織量に関係なく、第４のフェーズでの高周波電源３１からの出力制御に関する目標値である電圧値Ｖｂは、固定値Ｖｂ０である。また、ある変形例では、第４のフェーズにおいて、高周波電源３１からの出力電力（高周波電力Ｐ）を一定の電力値Ｐｂにする定電力制御、及び、出力電流Ｉを一定の電流値Ｉｂにする定電流制御のいずれかを行う。この際、プロセッサ２５は、電力値Ｐｂ及び電流値Ｉｂのそれぞれを、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に関係なく固定値に設定してもよく、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて設定してもよい。また、 ある変形例では、第４のフェーズにおいて、プロセッサ２５は、インピーダンスＺに基づいて、前述の定電圧制御、定電力制御及び定電流制御の間を切替える。
　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、第４のフェーズについてインピーダンスＺの目標軌道を設定し、インピーダンスＺが設定した目標軌道に沿って変化する状態に、高周波電源３１からの出力を制御する。この場合、例えば、目標軌道は、インピーダンスが第３のフェーズの終了時の閾値Ｚｔｈから経時的に一定に増加する状態に、設定される。また、インピーダンスＺの目標軌道は、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に関係なく既定の軌道に設定されてもよく、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて設定されてもよい。また、ある変形例では、プロセッサ２５は、Ｓ１４４の処理の代わりに、第４のフェーズにおいて高周波電源３１からの出力を停止する。この場合、第４のフェーズでは、ヒータ熱のみが、処置対象に付与される。
　また、ある変形例では、第４のフェーズでの目標温度Ｔｃが、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に関係なく固定値Ｔｃ０に設定される。なお、この場合も、目標温度Ｔｃ０は、例えば２００℃以上等の処置対象を切開可能な温度であり、第２のフェーズでの目標温度Ｔａに比べて高い。また、第４のフェーズでの目標温度Ｔｃ０は、第３のフェーズで設定された目標温度Ｔｂに比べて高い。
　また、ある変形例では、第４のフェーズの終了の判断に用いられる経過時間Ｙｃの閾値Ｙｃｔｈが固定値Ｙｃｔｈ０であってもよい。また、ある変形例では、経過時間Ｙｃの閾値Ｙｃｔｈの代わりに、閾値Ｚｔｈとは異なるインピーダンスＺの閾値Ｚａｔｈが、第４のフェーズの終了の判断に用いられる。この場合、閾値Ｚａｔｈは、第３のフェーズの終了の判断に用いられる閾値Ｚｔｈより、高い。また、インピーダンスＺの閾値Ｚａｔｈは、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に関係なく固定値であってもよく、検出したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて設定されてもよい。なお、第４のフェーズでは、ヒータ熱等によって処置対象の温度が上昇するため、インピーダンスＺは、第３のフェーズの終了の判断に用いられた閾値Ｚｔｈから経時的に増加する。
　（その他の変形例）　
　なお、前述の実施形態等では、第３のフェーズ又は第４のフェーズの終了時又は終了直後に、Ｓ１０５の処理によって、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力が停止されるが、これに限るものではない。ある変形例では、Ｓ１０５の処理の代わりに、プロセッサ２５は、ヒータ２３への出力を継続させる。ただし、この場合、ヒータ熱によって処置対象が変性されない状態に、ヒータ電源４１からの出力が低く制御される。本変形例では、第３のフェーズの終了時又は第４のフェーズの終了時からある程度の時間の経過、又は、術者等の操作に基づいて、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力を停止させる。
　また、ある変形例では、Ｓ１０５の処理の代わりに、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力を継続させる。ただし、この場合、高周波電流によって処置対象は変性されない状態に、高周波電源３１からの出力が低く制御される。本変形例では、第３のフェーズの終了時又は第４のフェーズの終了時からある程度の時間の経過、又は、術者等の操作に基づいて、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力を停止させる。
　前述の実施形態等では、エネルギー源装置（３）のエネルギー出力源（３１，４１）は、バイポーラ電極（２１，２２）に高周波電力（Ｐ）を出力することにより、バイポーラ電極（２１，２２）の間で処置対象を通して高周波電流を流すとともに、ヒータ（２３）にヒータ電力（Ｐ´）を出力することにより、ヒータ（２３）で熱を発生させる。プロセッサ（２５）は、第１のフェーズにおいて、バイポーラ電極（２１，２２）への出力を開始させ、処置対象のインピーダンス（Ｚ）の初期値（Ｚｅ）を検出する。プロセッサ（２５）は、第１のフェーズの直後の第２のフェーズにおいて、高周波電流の付与によって処置対象が変性する状態にバイポーラ電極（２１，２２）への出力を継続させ、インピーダンス（Ｚ）が極小値（Ｚｍｉｎ）になったか否かを判断し、第２のフェーズにおいて、ヒータ（２３）の熱によって処置対象が変性する状態にヒータ（２３）への出力を継続させる。また、プロセッサ（２５）は、インピーダンス（Ｚ）及びバイポーラ電極（２１，２２）への出力の少なくとも一方に関連するインピーダンス（Ｚ）の極小値（Ｚｍｉｎ）の検出時以前のパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）を取得し、取得したパラメータ（Ｚｅ，Ｙａ等）に基づいて、極小値（Ｚｍｉｎ）の検出時の直後の第３のフェーズについて、ヒータ（２３）への出力の要否の判断、 及び、ヒータ（２３）への出力制御に関する目標値（Ｔｃ，Ｚｔｈ，Ｙｂｔｈ）の設定の少なくとも一方を行う。
　なお、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。

Claims (9)

  1. 　一対の把持片の間で処置対象を把持可能なエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタはヒータ及びバイポーラ電極を備える処置具の使用時に、前記処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置であって、
    　前記バイポーラ電極に高周波電力を出力することにより、前記バイポーラ電極の間で前記処置対象を通して高周波電流を流すとともに、前記ヒータにヒータ電力を出力することにより、前記ヒータで熱を発生させるエネルギー出力源と、
    　前記バイポーラ電極への出力及び前記ヒータへの出力を制御するプロセッサと、
    　を具備し、
    　前記プロセッサは、
    　第１のフェーズにおいて、前記バイポーラ電極への前記出力を開始させ、前記処置対象のインピーダンスの初期値を検出し、
    　前記第１のフェーズの直後の第２のフェーズにおいて、前記高周波電流の付与によって前記処置対象が変性する状態に前記バイポーラ電極への前記出力を継続させ、前記インピーダンスが極小値になったか否かを判断し、
    　前記第２のフェーズにおいて、前記ヒータの前記熱によって前記処置対象が変性する状態に前記ヒータへの出力を継続させ、
    　前記インピーダンス及び前記バイポーラ電極への前記出力の少なくとも一方に関連する前記インピーダンスの前記極小値の検出時以前のパラメータを取得し、取得した前記パラメータに基づいて、前記極小値の前記検出時の直後の第３のフェーズについて、前記ヒータへの前記出力の要否の判断、及び、前記ヒータへの出力制御に関する目標値の設定の少なくとも一方を行う、
    　エネルギー源装置。
  2. 　前記プロセッサは、前記第２のフェーズにおいて、６０℃以上１００℃以下の範囲で前記ヒータの第１の目標温度を設定し、前記ヒータへの前記出力に関して、前記ヒータを設定した前記第１の目標温度に到達させ、かつ、前記ヒータを前記第１の目標温度で維持する出力制御を行う、請求項１のエネルギー源装置。
  3. 　前記プロセッサは、前記パラメータに基づいて、前記処置対象の組織量を判断し、
    　前記プロセッサは、前記組織量が基準値より少ないと判断した場合は、前記第３のフェーズにおいて、前記ヒータへの前記出力を継続して停止する、又は、前記目標値として前記第１の目標温度より低い第２の目標温度を設定するとともに、前記ヒータへの前記出力に関して、前記ヒータを設定した前記第２の目標温度まで低下させ、かつ、前記ヒータを前記第２の目標温度で維持する出力制御を行う、
    　請求項２のエネルギー源装置。
  4. 　前記プロセッサは、前記第３のフェーズにおいて前記インピーダンスが閾値以上になったこと、又は、前記第３のフェーズの開始からの経過時間が閾値以上になったことに基づいて、前記ヒータへの前記出力を前記第３のフェーズから上昇させ、第４のフェーズに切替える、請求項２のエネルギー源装置。
  5. 　前記プロセッサは、前記第４のフェーズにおいて、前記ヒータへの前記出力に関して、前記ヒータを前記第２のフェーズでの前記第１の目標温度に比べて高い温度まで上昇させる出力制御を行う、請求項４のエネルギー源装置。
  6. 　前記プロセッサは、前記第４のフェーズにおいて、前記ヒータへの前記出力に関して、前記ヒータを２００℃以上まで上昇させる出力制御を行う、請求項５のエネルギー源装置。
  7. 　前記プロセッサは、前記パラメータとして、前記インピーダンスの前記初期値、及び、前記第２のフェーズの継続時間の少なくとも一方を検出し、
    　前記プロセッサは、検出した前記初期値及び／又は前記継続時間に基づいて、前記第３のフェーズでの前記ヒータへの出力制御に関する前記目標値を設定する、
    　請求項１のエネルギー源装置。
  8. 　前記プロセッサは、前記第３のフェーズでの前記ヒータへの出力制御に関して、前記インピーダンスの前記初期値が小さいほど、前記目標値である前記ヒータの目標温度を高く設定し、前記第２のフェーズの前記継続時間が長いほど、前記目標値である前記ヒータの前記目標温度を高く設定する、請求項７のエネルギー源装置。
  9. 　前記プロセッサは、前記第３のフェーズでの前記ヒータへの出力制御に関する前記目標値として、前記ヒータの目標温度、及び、前記第３のフェーズの終了の判断に用いられる閾値の少なくとも一方を、前記パラメータに基づいて設定する、請求項１のエネルギー源装置。
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