WO2018163329A1

WO2018163329A1 - エネルギー源装置

Info

Publication number: WO2018163329A1
Application number: PCT/JP2017/009277
Authority: WO
Inventors: 禎嘉高見; 本田　吉隆
Original assignee: オリンパス株式会社
Priority date: 2017-03-08
Filing date: 2017-03-08
Publication date: 2018-09-13
Also published as: US20190391605A1; US11507117B2

Abstract

エネルギー源装置は、バイポーラ電極及びヒータを備える処置具と一緒に用いられる。前記エネルギー源装置のプロセッサは、前記ヒータへの出力に関して前記ヒータを目標温度に到達させ、かつ、前記目標温度で維持する出力制御を行うとともに、前記目標温度に基づく出力制御において前記ヒータの温度及び前記ヒータへの出力の少なくとも一方に関連するパラメータを検出する。前記プロセッサは、検出した前記パラメータに基づいて、前記バイポーラ電極への出力制御に関する目標値及び目標軌道の少なくとも一方を設定する。

Description

エネルギー源装置

　本発明は、バイポーラ電極及びヒータを備える処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置に関する。

　ＵＳ２００９／０２４８００２Ａ１には、一対の把持片の間で生体組織等の処置対象を把持可能な処置具、及び、その処置具に電気エネルギーを供給するエネルギー源装置が開示されている。この処置具では、把持片のそれぞれに電極が設けられるとともに、把持片の少なくとも一方にヒータが設けられる。エネルギー源装置は、電極（バイポーラ電極）に高周波電力を出力するとともに、ヒータにヒータ電力を出力する。これにより、把持される処置対象を通して電極の間で高周波電流が流れるとともに、ヒータで発生した熱が把持される処置対象に付与される。すなわち、高周波電流及びヒータ熱の両方が、処置対象に付与される。

　ＵＳ２００９／０２４８００２Ａ１では、エネルギー源装置は、高周波電力を用いて処置対象の状態を検出し、検出した処置対象の状態に基づいて、高周波電力の出力を制御する。ここで、処置対象に高周波電流及びヒータ熱の両方が付与されている状態では、高周波電力を用いた処置対象の状態の検出において、ヒータ熱が影響を及ぼす可能性がある。高周波電力を用いた状態の検出にヒータ熱が影響を及ぼす場合、処置対象の状態に基づく高周波電力の出力制御にもヒータ熱が影響を及ぼす。

　本発明の目的とするところは、処置具に高周波電力及びヒータ電力の両方を出力している状態でも、処置対象の状態が適切に検出され、かつ、処置対象の状態に基づいて高周波電力の出力が適切に制御されるエネルギー源装置を提供することにある。

　前記目的を達成するため、本発明のある態様は、一対の把持片の間で処置対象を把持可能なエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタはヒータ及びバイポーラ電極を備える処置具の使用時に、前記処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置であって、前記バイポーラ電極に高周波電力を出力することにより、前記バイポーラ電極の間で前記処置対象を通して高周波電流を流すとともに、前記ヒータにヒータ電力を出力することにより、前記ヒータで熱を発生させるエネルギー出力源と、前記ヒータへの出力に関して前記ヒータを目標温度に到達させ、かつ、前記目標温度で維持する出力制御を行うとともに、前記目標温度に基づく前記出力制御において前記ヒータの温度及び前記ヒータへの前記出力の少なくとも一方に関連するパラメータを検出し、前記高周波電流の付与によって前記処置対象を変性させている状態での前記バイポーラ電極への出力制御に関する目標値及び目標軌道の少なくとも一方を、検出した前記パラメータに基づいて設定するプロセッサと、を備える。

図１は、第１の実施形態に係る処置システムを示す概略図である。図２は、第１の実施形態に係るエネルギー源装置から処置具に電気エネルギーを供給する構成を概略的に示すブロック図である。図３は、第１の実施形態に係るエネルギー源装置のプロセッサによって行われる処理を示すフローチャートである。図４は、第１の実施形態に係るプロセッサが処理を行う場合のヒータの温度の経時的変化の一例を示す概略図である。図５は、第１の実施形態において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、ヒータ電源から出力されるヒータ電力の経時的変化の一例を示す概略図である。図６は、第１の実施形態において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、設定されるインピーダンスの目標軌道の一例を示す概略図である。図７は、第１の実施形態において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、高周波電源から出力される高周波電力の経時的変化の一例を示す概略図である。図８は、第１の実施形態のある変形例において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、高周波電源からの出力の定電圧制御において設定される出力電圧の電圧値の一例を示す概略図である。図９Ａは、第１の実施形態の別のある変形例において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、高周波電源からの出力電圧について設定される目標軌道の一例を示す概略図である。図９Ｂは、第１の実施形態のさらに別のある変形例において図４のようにヒータの温度が経時的に変化した場合での、高周波電源からの出力電圧について設定される目標軌道の一例を示す概略図である。図１０は、第２の実施形態に係るエネルギー源装置のプロセッサによって行われる処理を示すフローチャートである。図１１は、第２の実施形態に係るプロセッサが処理を行う場合のヒータ電源から出力されるヒータ電力の経時的変化の一例を示す概略図である。図１２は、第２の実施形態に係るプロセッサが処理を行う場合のヒータ電源から出力されるヒータ電力の経時的変化について図１１とは別の一例を示す概略図である。図１３は、第２の実施形態において図１１のようにヒータ電力が経時的に変化した場合での、高周波電源からの出力電圧について設定される目標軌道の一例を示す概略図である。図１４は、第２の実施形態において図１２のようにヒータ電力が経時的に変化した場合での、高周波電源からの出力電圧について設定される目標軌道の一例を示す概略図である。図１５は、第２の実施形態に係るプロセッサが処理を行う場合の処置対象のインピーダンスの経時的変化の一例を示す概略図である。図１６は、第２の実施形態のある変形例において図１１のようにヒータ電力が経時的に変化した場合での、高周波電源からの出力電圧について設定される目標軌道の一例を示す概略図である。

　（第１の実施形態）　
　本発明の第１の実施形態について、図１乃至図７を参照して説明する。

　図１は、本実施形態の処置システム１を示す図である。図１に示すように、処置システム１は、処置具２と、処置具２へ電気エネルギーを供給するエネルギー源装置３と、を備える。処置具２の使用時には、エネルギー源装置３が一緒に使用される。処置具２は、シャフト５を備え、シャフト５は、中心軸として長手軸Ｃを有する。長手軸Ｃに沿う方向についてシャフト５の一端側（基端側）には、保持可能なハウジング６が連結される。また、シャフト５においてハウジング６が位置する側とは反対側の端部、すなわち、シャフト５の先端部には、エンドエフェクタ７が設けられる。ハウジング６には、グリップ１１が設けられるとともに、ハンドル１２が回動可能に取付けられる。ハンドル１２がハウジング６に対して回動することにより、ハンドル１２がグリップ１１に対して開く又は閉じる。

　エンドエフェクタ７は、一対の把持片１５，１６を備え、処置具２では、シャフト５の内部又は外部を通って、長手軸Ｃに沿って可動部材１３が延設される。可動部材１３の一端（先端）は、エンドエフェクタ７に接続され、可動部材１３の他端（基端）は、ハウジング６の内部においてハンドル１２に連結される。ハンドル１２をグリップ１１に対して開く又は閉じることにより、可動部材１３がシャフト５の長手軸Ｃに沿って移動し、一対の把持片１５，１６の間が開く又は閉じる。これにより、把持片１５，１６の間で血管等の生体組織を処置対象として把持可能となる。なお、ある実施例では、把持片１５，１６の一方がシャフト５と一体又はシャフト５に対して固定され、把持片１５，１６の他方がシャフト５の先端部に回動可能に取付けられる。また、別のある実施例では、把持片１５，１６の両方がシャフト５の先端部に回動可能に取付けられる。また、ある実施例では、ハウジング６に回転ノブ等の操作部材（図示しない）が取付けられる。この場合、操作部材をハウジング６に対して回転することにより、シャフト５及びエンドエフェクタ７がハウジング６に対して長手軸Ｃの軸回りに回転する。

　ハウジング６には、ケーブル１７の一端が接続される。ケーブル１７の他端は、エネルギー源装置３に分離可能に接続される。また、処置システム１には、処置具２とは別体の操作部材としてフットスイッチ１８が設けられる。フットスイッチ１８は、エネルギー源装置３に電気的に接続される。フットスイッチ１８によって、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギーを出力させる操作が入力される。なお、ある実施例では、フットスイッチ１８の代わりに、又は、フットスイッチ１８に加えて、ハウジング６に取付けられる操作ボタン等が操作部材として設けられる。そして、操作部材での操作によって、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギーが出力される。

　図２は、エネルギー源装置３から処置具２に電気エネルギー（本実施形態では後述の高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´）を供給する構成を示す図である。図２に示すように、処置具２では、把持片１５に電極２１が設けられ、把持片１６に電極２２が設けられる。電極２１，２２は、エンドエフェクタ７に設けられるバイポーラ電極である。また、エンドエフェクタ７では、把持片１５，１６の少なくとも一方に、発熱体としてヒータ２３が設けられる。

　エネルギー源装置３は、プロセッサ（コントローラ）２５及び記憶媒体２６を備える。プロセッサ２５は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）又はＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等を含む集積回路等から形成される。プロセッサ２５は、エネルギー源装置３において１つのみ設けられてもよく、エネルギー源装置３において複数設けられてもよい。プロセッサ２５での処理は、プロセッサ２５又は記憶媒体２６に記憶されたプログラムに従って行われる。また、記憶媒体２６には、プロセッサ２５で用いられる処理プログラム、及び、プロセッサ２５での演算で用いられるパラメータ、関数及びテーブル等が記憶される。プロセッサ２５は、フットスイッチ１８等の操作部材において操作が入力されたか否かを、検出する。

　エネルギー源装置３は、エネルギー出力源として高周波電源３１を備える。高周波電源３１は、波形生成器、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力を高周波電力Ｐに変換する。高周波電源３１は、電気供給路３２を介して把持片１５の電極２１に電気的に接続されるとともに、電気供給路３３を介して把持片１６の電極２２に電気的に接続される。電気供給路３２，３３のそれぞれは、ケーブル１７の内部、ハウジング６の内部及びシャフト５の内部を通って延設され、電気配線等から形成される。高周波電源３１は、変換された高周波電力Ｐを出力可能である。把持片１５，１６の間で処置対象が把持された状態では、高周波電源３１から出力された高周波電力Ｐが電気供給路３２，３３を通して電極２１，２２に供給されることにより、電極（バイポーラ電極）２１，２２の間で処置対象を通して高周波電流が流れる。この際、電極２１，２２は、互いに対して異なる電位を有する。処置対象に処置エネルギーとしてある程度の大きさの高周波電流が付与されることにより、高周波電流に起因する熱によって、処置対象が変性される。フットスイッチ１８等で操作が入力されると、プロセッサ２５は、後述のようにして、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を制御する。

　高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの電気経路には、電流検出回路３５及び電圧検出回路３６が設けられる。高周波電源３１から高周波電力Ｐが出力されている状態において、電流検出回路３５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉの電流値を検出し、電圧検出回路３６は、高周波電源３１からの出力電圧Ｖの電圧値を検出する。そして、電流検出回路３５で検出された電流値を示すアナログ信号、及び、電圧検出回路３６で検出された電圧値を示すアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器（図示しない）等でデジタル信号に変換され、変換されたデジタル信号がプロセッサ２５に伝達される。これにより、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに関する情報を取得する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの電気経路のインピーダンスを検出し、高周波電力Ｐの電気経路のインピーダンスに基づいて、把持される処置対象のインピーダンス（組織インピーダンス）Ｚを検出する。また、プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖに基づいて、高周波電力Ｐの電力値、すなわち、高周波電源３１から電極２１，２２への出力電力の電力値を検出する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖ、及び、検出したインピーダンスＺ及び高周波電力Ｐを用いて、高周波電源３１からの出力を後述のように制御する。

　エネルギー源装置３は、エネルギー出力源としてヒータ電源４１を備える。ヒータ電源４１は、変換回路及び変圧器等を備え、バッテリー電源又はコンセント電源等からの電力をヒータ電力Ｐ´に変換する。ヒータ電源４１は、電気供給路４２，４３を介してヒータ２３に電気的に接続される。電気供給路４２，４３のそれぞれは、ケーブル１７の内部、ハウジング６の内部及びシャフト５の内部を通って延設され、電気配線等から形成される。ヒータ電源４１は、変換されたヒータ電力Ｐ´を出力可能である。ここで、出力されるヒータ電力Ｐ´は、直流電力又は交流電力である。ヒータ電源４１から出力されたヒータ電力Ｐ´が電気供給路４２，４３を通してヒータ２３に供給されることにより、ヒータ２３で熱が発生する。把持片１５，１６の間で処置対象が把持された状態では、ヒータ２３で発生したヒータ熱は、処置対象に付与される。処置対象に処置エネルギーとしてある程度の熱量のヒータ熱が付与されることにより、処置対象が変性される。フットスイッチ１８等で操作が入力されると、プロセッサ２５は、後述のようにして、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力を制御する。

　ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の電気経路には、電流検出回路４５及び電圧検出回路４６が設けられる。ヒータ電源４１からヒータ電力Ｐ´が出力されている状態において、電流検出回路４５は、ヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´の電流値を検出し、電圧検出回路４６は、ヒータ電源４１からの出力電圧Ｖ´の電圧値を検出する。そして、電流検出回路４５で検出された電流値を示すアナログ信号、及び、電圧検出回路４６で検出された電圧値を示すアナログ信号は、Ａ／Ｄ変換器（図示しない）等でデジタル信号に変換され、変換されたデジタル信号がプロセッサ２５に伝達される。これにより、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に関する情報を取得する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の電気経路のインピーダンスを検出し、ヒータ電力Ｐ´の電気経路のインピーダンスに基づいてヒータ２３の抵抗Ｒを検出する。ここで、ヒータ２３の抵抗Ｒは、ヒータ２３の温度Ｔに対応して変化し、記憶媒体２６等には、ヒータ２３の温度Ｔと抵抗Ｒとの関係を示す関数又はテーブル等が記憶される。プロセッサ２５は、検出した抵抗Ｒ、及び、記憶された温度Ｔと抵抗Ｒとの関係に基づいて、ヒータ２３の温度Ｔを検出する。また、プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ電力Ｐ´の電力値、すなわち、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力電力の電力値を検出する。プロセッサ２５は、取得した出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´、及び、検出した温度Ｔ（抵抗Ｒ）及びヒータ電力Ｐ´を用いて、高周波電源３１からの出力及びヒータ電源４１からの出力を後述のように制御する。

　次に、エネルギー源装置３及び処置システム１の作用及び効果について説明する。処置システム１を用いて処置を行う際には、処置具２を、ケーブル１７を介してエネルギー源装置３に接続する。そして、術者は、ハウジング６を保持し、腹腔等の体腔の内部にエンドエフェクタ７を挿入する。そして、把持片１５，１６の間に生体組織等の処置対象が位置する状態で、ハンドル１２をグリップ１１に対して閉じる。これにより、把持片１５，１６の間が閉じ、把持片１５，１６の間で処置対象が把持される。処置対象が把持される状態においてフットスイッチ１８等の操作部材で操作が入力されることにより、後述するように、高周波電源３１からの電極２１，２２への出力、及び、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力が制御される。電極２１，２２に高周波電力Ｐが供給されることにより、前述のように処置対象に高周波電流が流れ、ヒータ２３にヒータ電力Ｐ´が供給されることにより、前述のようにヒータ２３で発生した熱が処置対象に付与される。そして、高周波電流及びヒータ熱を処置エネルギーとして用いて、処置対象が処置される。

　図３は、エネルギー源装置３のプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。図３に示すように、プロセッサ２５は、フットスイッチ１８等の操作部材で操作が入力されたか否か、すなわち、操作部材での操作入力がＯＮかＯＦＦかを判断する（Ｓ１０１）。操作が入力されていない場合は（Ｓ１０１－Ｎｏ）、処理はＳ１０１に戻る。すなわち、プロセッサ２５は、操作部材で操作が入力されるまで、待機する。操作部材で操作が入力されると（Ｓ１０１－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、高周波電源３１から電極２１，２２への高周波電力Ｐの出力を開始させるとともに、ヒータ電源４１からヒータ２３へのヒータ電力Ｐ´の出力を開始させる。本実施形態では、高周波電力Ｐの出力が開始されると、プロセッサ２５は、電力値が固定値Ｐ０で一定になる状態で高周波電源３１から高周波電力Ｐを出力させる（Ｓ１０２）。この際、高周波電力Ｐの電力値、すなわち高周波電源３１からの出力電力の電力値が固定値Ｐ０で一定になる状態に、高周波電源３１からの出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖが調整される。

　また、ヒータ電源４１からヒータ電力Ｐ´の出力が開始されると、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１０３）。すなわち、ヒータ２３への出力に関して、ヒータ２３の温度Ｔを目標温度Ｔ０に到達させ、かつ、目標温度Ｔ０で維持する出力制御が行われる。目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御では、プロセッサ２５は、前述のようにヒータ電源４１からの出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´に基づいて、ヒータ２３の抵抗Ｒを検出し、検出した抵抗Ｒに基づくヒータ２３の温度Ｔを検出する。そして、プロセッサ２５は、目標温度Ｔ０とヒータ２３の温度Ｔとの温度偏差、温度偏差の時間積分値（温度偏差の積算値）、及び、温度偏差の時間微分値（温度偏差の時間変化率）に基づいて、ヒータ２３からの出力電力（ヒータ電力Ｐ´）、出力電流Ｉ´及び出力電圧Ｖ´を調整し、温度Ｔを目標温度Ｔ０に到達させるとともに、温度Ｔを目標温度Ｔ０で維持する。例えば、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が大きい状態では、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１から大きい電力値でヒータ電力Ｐ´を出力させる。そして、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が小さい状態、及び、温度偏差がゼロの状態では、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１から小さい電力値でヒータ電力Ｐ´を出力させる。

　目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からヒータ２３への出力制御において、プロセッサ２５は、ヒータ２３の温度Ｔに関連するパラメータとして、目標温度Ｔ０に到達するまでの温度Ｔの経時的な上昇率αを検出する（Ｓ１０４）。温度Ｔの上昇率αは、血管の太さ等を含む処置対象の組織量（tissue volume）、及び、処置対象の濡れ度等に対応して変化する。すなわち、上昇率（上昇速度）αは、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。ここで、処置対象の熱負荷は、処置対象の温度の上昇し難さを示す。処置対象に同一の熱量が付与された場合、熱負荷が大きいほど、処置対象の温度が上昇し難い。そして、プロセッサ２５は、パラメータとして検出した上昇率αに基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２への出力制御に関する目標値としてインピーダンスＺの経時的な増加率β（α）を設定する（Ｓ１０５）。この際、検出された上昇率α、及び、記憶媒体２６等に記憶される温度Ｔの上昇率αとインピーダンスＺの増加率βとの関係を示す関数又はテーブルを用いて、増加率β（α）が算出される。そして、プロセッサ２５は、設定した増加率β（α）に基づいて、高周波電源３１からの出力制御に関する目標軌道としてインピーダンスＺの目標軌道を設定する（Ｓ１０６）。この際、目標軌道は、インピーダンスＺが設定された増加率β（α）で経時的に一定に増加する状態に、設定される。本実施形態では、温度Ｔの上昇率αが小さいほど、インピーダンスＺの増加率β（α）を大きく設定する。このため、プロセッサ２５は、温度Ｔの上昇率αが小さいほど、インピーダンスＺの目標軌道の傾きを大きく設定し、それぞれの時点において目標軌道上の値を大きく設定する。そして、温度Ｔの上昇率αが算出され、かつ、インピーダンスＺの増加率β（α）及び目標軌道が設定された後においても、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、前述した目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１０７）。

　また、温度Ｔの上昇率αが検出され、かつ、インピーダンスＺの増加率β（α）及び目標軌道が設定されると、プロセッサ２５は、目標軌道に沿ってインピーダンスＺが変化する状態に、高周波電源３１からの出力を切替える。すなわち、プロセッサ２５は、設定された増加率β（α）の目標軌道に沿ってインピーダンスＺが経時的に変化する状態に、高周波電源３１から電極２１，２２への高周波電力Ｐの出力を制御する（Ｓ１０８）。この際、インピーダンスＺが一定の増加率β（α）で増加する状態に、高周波電源３１からの出力電力（高周波電力Ｐ´）、出力電流Ｉ及び出力電圧Ｖが調整される。インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御が行われている状態では、高周波電流の付与によって処置対象が変性される。なお、ある程度水分が脱水された処置対象において継続して高周波電流が付与されると、高周波電流に起因する熱によって、インピーダンスＺが経時的に増加する。また、本実施形態では、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御の開始からある程度の時間が経過した時点では、処置対象の水分は、ヒータ熱及び高周波電流に起因する熱によってある程度脱水される。このため、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御の開始からある程度の時間が経過した時点以後では、高周波電流の継続的な付与によって、インピーダンスＺが経時的に増加する。

　インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御が行われている状態において、プロセッサ２５は、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ以上か否かを検出する（Ｓ１０９）。ある実施例では、出力時間Ｑは、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御の開始時を基準として検出され、別のある実施例では、出力時間Ｑは、高周波電力Ｐの出力開始時を基準として検出される。すなわち、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力開始時以後のある時点を基準として、出力時間Ｑを検出する。また、本実施形態では、プロセッサ２５は、閾値Ｑｔｈを固定値Ｑｔｈ０に設定する。高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈより短い場合は（Ｓ１０９－Ｎｏ）、処理は、Ｓ１０７に戻る。そして、Ｓ１０７以降の処理が、順次に行われる。このため、プロセッサ２５は、出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈに到達するまで、高周波電源３１から電極（バイポーラ電極）２１，２２への出力を継続させ、高周波電流の付与によって継続して処置対象を変性させる。出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ以上の場合は（Ｓ１０９－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を停止させる（Ｓ１１０）。この際、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力停止に対応させてヒータ電源４１からヒータ２３への出力を停止させてもよく、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力を継続させてもよい。なお、ヒータ２３への出力が継続される場合は、電極２１，２２への出力停止からある程度の時間の経過、又は、術者等の操作に基づいて、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力を停止させる。また、ヒータ２３への出力が継続される場合、プロセッサ２５は、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を継続する必要はない。例えば、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力停止に対応させて、ヒータ２３の温度Ｔを目標温度Ｔ０より低い目標温度Ｔａ０まで低下させ、かつ、目標温度Ｔａ０で維持する状態に、ヒータ２３へのヒータ電力Ｐ´の出力を制御してもよい。この場合、目標温度Ｔａ０は、例えば処置対象を変性させない程度の低い温度に設定される。

　図４は、前述のようにプロセッサ２５が処理を行う場合のヒータ２３の温度Ｔの経時的変化の一例を示し、図５は、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合での、ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の経時的変化の一例を示す。また、図６は、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合での、設定されるインピーダンスＺの目標軌道の一例を示し、図７は、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合での、高周波電源３１から電極２１，２２へ出力される高周波電力Ｐの経時的変化の一例を示す。図４乃至図７のそれぞれでは、横軸に、ヒータ電源４１からの出力開始を基準とする時間ｔを示す。また、図４では縦軸にヒータ２３の温度Ｔを、図５では縦軸にヒータ電力Ｐ´を、図６では縦軸に処置対象のインピーダンスＺを、図７では縦軸に高周波電力Ｐを、それぞれ示す。そして、図４乃至図７のそれぞれでは、３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、経時的変化を示す。状態Ｘ１～Ｘ３では、処置対象の組織量及び／又は処置対象の濡れ度に起因して、処置対象の熱負荷が互いに対して異なる。ここで、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べ、処置対象である血管が細い等の処置対象の組織量が少ない、及び／又は、処置対象が乾いている。このため、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が小さい。また、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べ、処置対象である血管が太い等の処置対象の組織量が多い、及び／又は、処置対象が濡れている。このため、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が大きい。図４乃至図７のそれぞれでは、状態Ｘ１での経時的変化を実線で、状態Ｘ２での経時的変化を一点鎖線で、状態Ｘ３での経時的変化を破線で、それぞれ示す。

　前述のようにヒータ電源４１からの出力について目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御が行われる場合、処置対象の熱負荷が大きいほど、目標温度Ｔ０に到達するまでの温度Ｔの上昇率αは小さい。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１での温度Ｔの上昇率α１は、状態Ｘ２での温度Ｔの上昇率α２に比べて大きく、状態Ｘ３での温度Ｔの上昇率α３は、状態Ｘ２での温度Ｔの上昇率α２に比べて小さい。

　また、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御が行われる場合、ヒータ電力Ｐ´の出力が開始されてから温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくまでは、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が大きいため、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力を上昇させる。このため、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくまでは、ヒータ電力Ｐ´が経時的に増加する。そして、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくと、目標温度Ｔ０と温度Ｔとの温度偏差が小さくなる。また、温度Ｔが目標温度Ｔ０を超えるオーバーシュートを、抑制する必要がある。したがって、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくと、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力を低下させる。このため、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づくと、ヒータ電力Ｐ´が経時的に減少する。前述のようにヒータ電力Ｐ´が経時的に変化するため、温度Ｔが目標温度Ｔ０にある程度近づいてから温度Ｔが目標温度Ｔ０に到達するまでの間、例えば温度Ｔが目標温度Ｔ０に到達する直前において、ヒータ電力Ｐ´は、ピーク電力Ｐ´ｐとなる。ピーク電力Ｐ´ｐになった時点において、ヒータ電力Ｐ´は、経時的に増加する状態から経時的に減少する状態に切替わる。

　前述のようにヒータ電源４１からの出力について目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御が行われる場合、処置対象の熱負荷が大きいほど、ヒータ電源４１からの出力が高い。したがって、処置対象の熱負荷が大きいほど、ヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐが大きい。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１でのヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ１は、状態Ｘ２でのヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ２に比べて小さく、状態Ｘ３でのヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ３は、状態Ｘ２でのピーク電力Ｐ´ｐ２に比べて大きい。また、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐからある程度減少した時点より前においては、２つのある時点の間のヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´は、ピーク電力Ｐ´ｐと同様に、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。例えば、出力開始からピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでの間のヒータ電力Ｐ´の積算値は、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。また、処置対象の熱負荷が大きいほど、温度Ｔの上昇率αが小さいため、ヒータ電力Ｐ´の出力開始からピーク電力Ｐ´ｐまでの到達時間Ｙは長い。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１でのピーク電力Ｐ´ｐ１までの到達時間Ｙ１は、状態Ｘ２でのピーク電力Ｐ´ｐ２までの到達時間Ｙ２に比べて短く、状態Ｘ３でのピーク電力Ｐ´ｐ３までの到達時間Ｙ３は、状態Ｘ２での到達時間Ｙ２に比べて長い。

　また、組織量が少ない場合等の処置対象の熱負荷が小さい場合は、出力されるヒータ電力Ｐ´がある程度小さくても、ヒータ２３の温度Ｔが上昇する。このため、処置対象の熱負荷が小さい場合、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御によって、ヒータ電力Ｐ´の出力開始の直後からピーク電力Ｐ´ｐに到達するまで、ヒータ電力Ｐ´は緩やかに増加する。そして、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐに到達した後も、ヒータ電力Ｐ´は緩やかに減少する。一方、組織量が多い場合等の処置対象の熱負荷が大きい場合は、出力されるヒータ電力Ｐ´をある程度大きくしないと、ヒータ２３の温度Ｔが上昇し難い。このため、処置対象の熱負荷が大きい場合、目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御によって、ヒータ電力Ｐ´の出力開始の直後からピーク電力Ｐ´ｐに到達するまで、ヒータ電力Ｐ´は急激に増加する。そして、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐに到達した後は、温度Ｔが目標温度Ｔ０を超えるオーバーシュートを抑制するため、プロセッサ２５は、ヒータ電力Ｐ´を急激に減少させる。処置対象の熱負荷に対応して前述のようにヒータ電力Ｐ´が変化するため、処置対象の熱負荷が大きいほど、ピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでのヒータ電力Ｐ´の増加率γが大きい。そして、処置対象の熱負荷が大きいほど、ピーク電力Ｐ´ｐに到達した後のヒータ電力Ｐ´の減少率εが大きい。実際に、図４乃至図７の一例では、状態Ｘ１でのヒータ電力Ｐ´の増加率γ１は、状態Ｘ２でのヒータ電力Ｐ´の増加率γ２に比べて小さく、状態Ｘ３でのヒータ電力Ｐ´の増加率γ３は、状態Ｘ２での増加率γ２に比べて大きい。そして、状態Ｘ１でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε１は、状態Ｘ２でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε２に比べて小さく、状態Ｘ３でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε３は、状態Ｘ２での減少率ε２に比べて大きい。

　また、処置対象の熱負荷が大きいほど、温度Ｔの上昇率αが小さいため、プロセッサ２５は、電極２１，２２への出力制御に関する目標値であるインピーダンスＺの増加率βを大きく設定する。実際に、状態Ｘ１で設定されるインピーダンスＺの増加率β（α１）は、状態Ｘ２で設定されるインピーダンスＺの増加率β（α２）に比べて、小さい。そして、状態Ｘ３で設定されるインピーダンスＺの増加率β（α３）は、状態Ｘ２で設定される増加率β（α３）に比べて、大きい。また、処置対象の熱負荷が大きいほど、インピーダンスＺの増加率βが大きく設定されるため、プロセッサ２５は、高周波電力Ｐの出力が停止されるまでのそれぞれの時点において目標軌道上のインピーダンスＺの値を、大きく設定する。実際に、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ（本実施形態ではＱｔｈ０）に到達するまでのそれぞれの時点において、状態Ｘ１で設定される目標軌道上の値は、状態Ｘ２で設定される目標軌道上の値に比べて、小さい。そして、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈに到達するまでのそれぞれの時点において、状態Ｘ３で設定される目標軌道上の値は、状態Ｘ２で設定される目標軌道上の値に比べて、大きい。また、高周波電力Ｐの出力停止時、すなわち、出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈへの到達時では、状態Ｘ１で設定される目標軌道におけるインピーダンスＺの値Ｚ１は、状態Ｘ２で設定される目標軌道におけるインピーダンスＺの値Ｚ２に比べて、小さい。そして、高周波電力Ｐの出力停止時では、状態Ｘ３で設定される目標軌道におけるインピーダンスＺの値Ｚ３は、状態Ｘ２で設定される目標軌道におけるインピーダンスＺの値Ｚ２に比べて、大きい。

　前述のように本実施形態では、温度Ｔの上昇率αが検出されると、プロセッサ２５によって、設定された増加率βでインピーダンスＺが経時的に増加する目標軌道に基づいて、高周波電力Ｐの出力制御が行われる。インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御では、目標軌道でのインピーダンスＺの増加率βが大きいほど、出力される高周波電力Ｐは大きい。本実施形態では、処置対象の熱負荷が大きいほど、インピーダンスＺの増加率βが大きく設定されるため、出力される高周波電力Ｐは大きい。したがって、前述したインピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御では、処置対象の熱負荷が大きいほど、処置対象に流れる高周波電流が大きい。実際に、図４乃至図７の一例では、インピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御において、状態Ｘ１では状態Ｘ２に比べて、出力される高周波電力Ｐが小さく、状態Ｘ３では状態Ｘ２に比べて、出力される高周波電力Ｐが大きい。なお、前述したインピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電力Ｐの出力制御では、インピーダンスＺが低い間は、出力される高周波電力Ｐは、経時的に増加する。そして、インピーダンスＺがある程度まで上昇すると、出力される高周波電力Ｐは、経時的に増加する状態から経時的に減少する状態になり、高周波電力Ｐの出力が停止されるまで、高周波電力Ｐは、経時的に減少する。また、図４乃至図７の一例では、上昇率αが検出される前は、状態Ｘ１～Ｘ３のいずれにおいても、高周波電力Ｐの電力値が固定値Ｐ０で一定になる状態に、高周波電源３１からの出力が制御される。

　前述のように本実施形態では、ヒータ２３への出力に関してヒータ２３を目標温度Ｔ０に到達させ、かつ、目標温度Ｔ０で維持する制御が行われ、目標温度Ｔ０に基づく制御において、ヒータ２３の温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔが目標温度Ｔ０に到達するまでの上昇率αを検出する。ここで、温度Ｔの上昇率αは、前述のように、処置対象の組織量及び濡れ度に対応して変化するため、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。したがって、上昇率αを検出することにより、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態でも、処置対象の状態が適切に検出される。

　また、本実施形態では、高周波電流によって処置対象を変性させている状態での高周波電源３１からの出力制御において、目標値であるインピーダンスＺの増加率β（α）及びインピーダンスＺの目標軌道が、検出した温度Ｔの上昇率αに基づいて設定される。上昇率αに基づいて目標軌道でのインピーダンスＺの増加率β（α）及びインピーダンスＺの目標軌道が設定されるため、増加率β（α）は、処置対象の状態に対応した適切な値に設定され、インピーダンスＺの目標軌道は、処置対象の状態に対応した適切な軌道に設定される。このため、設定されたインピーダンスＺの増加率β（α）及び目標軌道に基づいて高周波電力Ｐの出力を制御することにより、処置対象の状態に対応させて高周波電源３１から適切に高周波電力Ｐが出力され、処置対象の状態に対応させて高周波電流が適切に処置対象に付与される。したがって、本実施形態では、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態でも、処置対象の状態に基づいて高周波電力Ｐの出力が適切に制御される。

　（第１の実施形態の変形例）　
　なお、第１の実施形態では、目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からの出力制御において温度Ｔの上昇率αを検出し、検出した上昇率αに基づいて電極２１，２２への出力制御に関する目標値であるインピーダンスＺの増加率β及びインピーダンスＺの目標軌道を設定するが、これに限るものではない。ある変形例では、目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からの出力制御において、温度Ｔの上昇率αを検出するＳ１０４の処理の代わりに、プロセッサ２５は、前述したヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐ、ピーク電力Ｐ´ｐまでの到達時間Ｙ、ピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでのヒータ電力Ｐ´の増加率γ、ピーク電力Ｐ´ｐに到達した後のヒータ電力Ｐ´の減少率ε及びヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´のいずれかを、ヒータ２３への出力に関連するパラメータとして検出する。ここで、ヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´は、ピーク電力Ｐ´ｐに到達するまでの２つのある時点の間の積算値、ピーク電力Ｐ´ｐを含む２つのある時点の間の積算値、及び、ピーク電力Ｐ´ｐに到達した後の２つのある時点の間の積算値のいずれであってもよい。そして、プロセッサ２５は、Ｓ１０５の処理の代わりに、検出したヒータ２３への出力に関連する前述のパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２への出力制御に関する目標値としてインピーダンスＺの増加率βを設定する。そして、プロセッサ２５は、Ｓ１０６の処理と同様にして、設定したインピーダンスＺの増加率βに基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２への出力制御に関する目標軌道としてインピーダンスＺの目標軌道を設定する。

　前述のように、ピーク電力Ｐ´ｐ、到達時間Ｙ、増加率γ、減少率ε及び積算値Ｗ´のそれぞれは、処置対象の組織量、及び、処置対象の濡れ度等に対応して変化するため、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。ただし、前述のように、これらのパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´）のそれぞれは、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。したがって、本変形例では、プロセッサ２５は、検出したヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が大きいほど、インピーダンスＺの増加率βを大きく設定する。このため、プロセッサ２５は、検出したヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が大きいほど、インピーダンスＺの目標軌道の傾きを大きく設定し、それぞれの時点においてインピーダンスＺの目標軌道上の値を大きく設定する。

　本変形例では、ヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）を検出することにより、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態でも、処置対象の状態が適切に検出される。また、パラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいてインピーダンスＺの増加率β及びインピーダンスＺの目標軌道が設定されるため、増加率βは、処置対象の状態に対応した適切な値に設定され、インピーダンスＺの目標軌道は、処置対象の状態に対応した適切な軌道に設定される。このため、設定されたインピーダンスＺの増加率β及び目標軌道に基づいて高周波電力Ｐの出力を制御することにより、処置対象の状態に対応させて高周波電源３１から適切に高周波電力Ｐが出力され、処置対象の状態に対応させて高周波電流が適切に処置対象に付与される。したがって、本変形例でも、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態において、処置対象の状態に基づいて高周波電力Ｐの出力が適切に制御される。

　また、ある変形例では、目標温度Ｔ０に基づくヒータ電源４１からの出力制御において、ヒータ２３の温度Ｔに関連するパラメータ（α）及びヒータ２３への出力に関連するパラメータ（Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´）の中の複数を、プロセッサ２５は検出する。そして、プロセッサ２５は、検出した複数のパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´の中のいずれか２以上）に基づいて、高周波電源３１から電極２１，２２への出力制御に関する目標値であるインピーダンスＺの増加率β及びインピーダンスＺの目標軌道を設定する。

　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に加えて、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出される前のインピーダンスＺに基づいて、インピーダンスＺの増加率β及びインピーダンスＺの目標軌道を設定する。本変形例では、プロセッサ２５は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出される前において、高周波電源３１からの出力に基づいて、インピーダンスＺを検出する。この際、高周波電源３１からの出力開始と同時又は出力開始の直後のインピーダンスＺの初期値Ｚｅ、及び／又は、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出されるまでの初期値ＺｅからのインピーダンスＺの経時的変化等が、検出される。例えば、温度Ｔの上昇率α及びインピーダンスＺの経時的な変化に基づいてインピーダンスＺの増加率β及び目標軌道が設定される場合は、上昇率αが同一であっても、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出される前のインピーダンスＺの変化が異なると、設定されるインピーダンスＺの増加率β及び目標軌道が異なる。

　また、前述の実施形態等では、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）を検出した後においてインピーダンスＺの目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御が行われるが、これに限るものではない。ある変形例では、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出されると、Ｓ１０８の処理の代わりに、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について、出力電圧Ｖを一定の電圧値Ｖａにする定電圧制御を行う。本変形例では、プロセッサ２５は、Ｓ１０５及びＳ１０６の処理の代わりに、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、定電圧制御での高周波電源３１からの出力制御に関する目標値として、出力電圧Ｖの電圧値Ｖａを設定する。この際、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、電圧値Ｖａを大きく設定する。例えば、温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔの上昇率αを検出する場合は、プロセッサ２５は、上昇率αが小さいほど、目標値である電圧値Ｖａを大きく設定する。また、ヒータ２３への出力に関連するパラメータとしてヒータ電力Ｐ´のピーク電力Ｐ´ｐを検出する場合は、プロセッサ２５は、ピーク電力Ｐ´ｐが大きいほど、電圧値Ｖａを大きく設定する。

　図８は、本変形例において、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合、すなわち、図５のようにヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´が経時的に変化した場合に、高周波電源３１からの出力の定電圧制御について設定される出力電圧Ｖの電圧値Ｖａの一例を示す。図８では、横軸にヒータ電源４１からの出力開始を基準とする時間ｔを示し、縦軸に高周波電源３１からの出力電圧Ｖを示す。また、図８では、前述した３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、目標値として設定される電圧値Ｖａを示す。なお、図８では、状態Ｘ１については実線で、状態Ｘ２については一点鎖線で、状態Ｘ３については破線で示す。前述のように、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が小さいため、状態Ｘ１で設定される定電圧制御の電圧値Ｖａ１は、状態Ｘ２で設定される定電圧制御の電圧値Ｖａ２に比べて、小さい。そして、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が大きいため、状態Ｘ３で設定される定電圧制御の電圧値Ｖａ３は、状態Ｘ２で設定される電圧値Ｖａ２に比べて、大きい。

　本変形例では、定電圧制御における高周波電源３１からの出力電圧Ｖの電圧値Ｖａがパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて設定されるため、電圧値Ｖａは、処置対象の状態に対応した適切な値に設定される。このため、目標値として設定された電圧値Ｖａに基づいて高周波電源３１からの出力について定電圧制御が行われることにより、本変形例でも、処置対象の状態に対応させて高周波電源３１から適切に出力が行われ、処置対象の状態に対応させて高周波電流が適切に処置対象に付与される。したがって、本変形例でも、処置具２に高周波電力Ｐ及びヒータ電力Ｐ´の両方が供給されている状態において、処置対象の状態に基づいて高周波電源３１からの出力が適切に制御される。

　また、ある変形例では、前述の定電圧制御の代わりに、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について、高周波電源３１からの出力電力（高周波電力Ｐ）を一定の電力値Ｐａにする定電力制御、又は、出力電流Ｉを一定の電流値Ｉａにする定電流制御を行う。定電力制御を行う場合、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、電力値Ｐａを設定する。この際、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、電力値Ｐａを大きく設定する。同様に、定電流制御を行う場合、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて電流値Ｉａを設定する。この際、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、電流値Ｉａを大きく設定する。なお、前述の定電圧制御、定電力制御及び定電流制御のいずれかが行われる場合、定電圧制御、定電力制御及び定電流制御のいずれかの開始からある程度の時間が経過した時点では、処置対象はある程度脱水される。このため、定電圧制御、定電力制御及び定電流制御のいずれかの開始からある程度の時間が経過した時点以後では、高周波電流の継続的な付与によって、インピーダンスＺが経時的に増加する。

　また、ある変形例では、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が検出された後において、プロセッサ２５は、インピーダンスＺに基づいて、前述の定電圧制御、定電力制御及び定電流制御の間を切替える。この場合、プロセッサ２５は、切替え値Ｚｓ１及び切替え値Ｚｓ１より大きい切替え値Ｚｓ２に基づいて、定電圧制御、定電力制御及び定電流制御の間を切替える。例えば、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ１より小さい状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電流制御を行う。また、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ１以上で、かつ、切替え値Ｚｓ２より小さい状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電力制御を行う。そして、インピーダンスＺが切替え値Ｚｓ２以上の状態では、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力について前述の定電圧制御を行う。なお、本変形例においても、前述したように、定電圧制御の電圧値Ｖａ、定電力制御の電力値Ｐａ及び定電流制御の電流値Ｉａは、検出されたパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて設定される。したがって、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、電圧値Ｖａ、電力値Ｐａ及び電流値Ｉａのそれぞれを大きく設定する。

　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、Ｓ１０５の処理の代わりに、検出されたパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、高周波電源３１からの出力制御における目標値として、出力電圧Ｖの経時的な増加率（変化率）ηａを設定する。そして、プロセッサ２５は、Ｓ０１６の処理の代わりに、設定した出力電圧Ｖの増加率ηａに基づいて、高周波電源３１からの出力制御における出力電圧Ｖの目標軌道を設定する。設定された目標軌道では、出力電圧Ｖが設定された増加率ηａで経時的に一定に増加する。そして、プロセッサ２５は、Ｓ１０８の処理の代わりに、出力電圧Ｖが目標軌道に沿う状態に、高周波電源３１からの出力を制御する。本変形例では、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、目標値である増加率ηａを大きく設定する。このため、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、出力電圧Ｖの目標軌道の傾きを大きく設定し、それぞれの時点において目標軌道上の出力電圧Ｖの値を大きく設定する。

　図９Ａは、本変形例において、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合、すなわち、図５のようにヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´が経時的に変化した場合に、高周波電源３１からの出力電圧Ｖについて設定される目標軌道の一例を示す。図９Ａでは、横軸にヒータ電源４１からの出力開始を基準とする時間ｔを示し、縦軸に高周波電源３１からの出力電圧Ｖを示す。また、図９Ａでは、前述した３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、目標軌道を示す。なお、図９Ａでは、状態Ｘ１での目標軌道を実線で、状態Ｘ２での目標軌道を一点鎖線で、状態Ｘ３での目標軌道を破線で示す。前述のように、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が小さいため、状態Ｘ１で設定される出力電圧Ｖの増加率ηａ１は、状態Ｘ２で設定される出力電圧Ｖの増加率ηａ２に比べて、小さい。このため、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ（本変形例ではＱｔｈ０）に到達するまでのそれぞれの時点において、状態Ｘ１で設定される目標軌道上の値は、状態Ｘ２で設定される目標軌道上の値に比べて、小さい。また、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が大きいため、状態Ｘ３で設定される出力電圧Ｖの増加率ηａ３は、状態Ｘ２で設定される増加率ηａ２に比べて、大きい。このため、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈに到達するまでのそれぞれの時点において、状態Ｘ３で設定される目標軌道上の値は、状態Ｘ２で設定される目標軌道上の値に比べて、大きい。

　本変形例では、目標値である出力電圧Ｖの増加率ηａ及び出力電圧Ｖの目標軌道がパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて設定されるため、増加率ηａは、処置対象の状態に対応した適切な値に設定され、出力電圧Ｖの目標軌道は、処置対象の状態に対応した適切な軌道に設定される。このため、設定された出力電圧Ｖの増加率ηａ及び目標軌道に基づいて高周波電源３１からの出力制御が行われることにより、本変形例でも、処置対象の状態に対応させて高周波電源３１から適切に出力が行われ、処置対象の状態に対応させて高周波電流が適切に処置対象に付与される。

　また、ある変形例では、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に関係なく、プロセッサ２５は、目標軌道での出力電圧Ｖの経時的な増加率（変化率）ηａは固定値ηａ０に設定する。このため、出力電圧Ｖの目標軌道の傾きは、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に対応して変化しない。ここで、目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力の開始時である目標軌道の始点での出力電圧Ｖの値（始点値）Ｖｓｔを、規定する。本変形例では、Ｓ１０５の処理の代わりに、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、高周波電源３１からの出力制御における目標値として、目標軌道の始点での出力電圧Ｖの値Ｖｓｔを設定する。そして、プロセッサ２５は、Ｓ１０６の処理の代わりに、設定した出力電圧Ｖの始点値Ｖｓｔに基づいて、高周波電源３１からの出力制御における出力電圧Ｖの目標軌道を設定する。設定された目標軌道では、出力電圧Ｖが設定された始点値Ｖｓｔから固定値ηａ０で経時的に一定に増加する。そして、プロセッサ２５は、Ｓ１０８の処理の代わりに、出力電圧Ｖが目標軌道に沿う状態に、高周波電源３１からの出力を制御する。本変形例では、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、目標値である始点値Ｖｓｔを大きく設定する。このため、本変形例でも、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、それぞれの時点において目標軌道上の出力電圧Ｖの値を大きく設定する。

　図９Ｂは、本変形例において、図４のようにヒータ２３の温度Ｔが経時的に変化した場合に、高周波電源３１からの出力電圧Ｖについて設定される目標軌道の一例を示す。図９Ｂでは、横軸にヒータ電源４１からの出力開始を基準とする時間ｔを示し、縦軸に高周波電源３１からの出力電圧Ｖを示す。また、図９Ｂでは、前述した３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、目標軌道を示す。なお、図９Ｂでは、状態Ｘ１での目標軌道を実線で、状態Ｘ２での目標軌道を一点鎖線で、状態Ｘ３での目標軌道を破線で示す。前述のように、状態Ｘ１では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が小さいため、状態Ｘ１で設定される目標軌道の始点での出力電圧Ｖの値Ｖｓｔ１は、状態Ｘ２で設定される目標軌道の始点での出力電圧Ｖの値Ｖｓｔ２に比べて、小さい。このため、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ（本変形例ではＱｔｈ０）に到達するまでのそれぞれの時点において、状態Ｘ１で設定される目標軌道上の値は、状態Ｘ２で設定される目標軌道上の値に比べて、小さい。また、状態Ｘ３では、状態Ｘ２に比べて処置対象の熱負荷が大きいため、状態Ｘ３で設定される目標軌道の始点での出力電圧Ｖの値Ｖｓｔ３は、状態Ｘ２で設定される値（始点値）Ｖｓｔ２に比べて、大きい。このため、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈに到達するまでのそれぞれの時点において、状態Ｘ３で設定される目標軌道上の値は、状態Ｘ２で設定される目標軌道上の値に比べて、大きい。

　また、別のある変形例では、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、出力電圧Ｖの増加率ηａ及び目標軌道の始点での出力電圧Ｖの始点値Ｖｓｔの両方を目標値として設定する。この場合も、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、増加率ηａを大きく設定し、出力電圧Ｖの目標軌道の傾きを大きく設定する。そして、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、目標軌道の始点での出力電圧Ｖの始点値Ｖｓｔを大きく設定する。

　（第２の実施形態）
　次に、本発明の第２の実施形態について、図１０乃至図１５を参照して、説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態での処理を次の通り変形したものである。なお、第１の実施形態と同一の部分については同一の符号を付して、その説明は省略する。

　図１０は、本実施形態でのエネルギー源装置３のプロセッサ２５によって行われる処理を示すフローチャートである。図１０に示すように、本実施形態でも、プロセッサ２５は、フットスイッチ１８等の操作部材で操作が入力されたか否かを判断する（Ｓ１１１）。そして、操作部材で操作が入力されると（Ｓ１１１－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、前述の実施形態等と同様に、電力値Ｐ０で一定になる状態で高周波電源３１から高周波電力Ｐを出力させるとともに（Ｓ１１２）、ヒータ電源４１からの出力について目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１１３）。そして、本実施形態では、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からの出力開始時を基準とする時間ｔが第１の時点での時間ｔａ以上であるか否かを判断する（Ｓ１１４）。時間ｔが時間ｔａより短い場合は（Ｓ１１４－Ｎｏ）、処理はＳ１１２に戻り、Ｓ１１２以降の処理が順次に行われる。すなわち、第１の時点（ｔａ）までは、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力に関して電力値Ｐ０で高周波電力Ｐを出力させ、ヒータ電源４１からの出力に関して目標温度Ｔ０でＰＩＤ制御を行う。

　時間ｔが時間ｔａ以上の場合は（Ｓ１１４－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、ヒータ２３への出力に関連するパラメータとして、ヒータ電源４１からの出力開始時から第１の時点（ｔａ）までのヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ａを検出する（Ｓ１１５）。本実施形態では、積算値Ｗ´ａが、第１の時点（ｔａ）で検出される第１のパラメータとなる。前述のように、積算値Ｗ´ａは、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。ここで、第１の時点（ｔａ）より後の第２の時点（ｔｂ）を規定する。なお、本実施形態では、時間ｔａ，ｔｂのそれぞれは、固定値である。本実施形態では、プロセッサ２５は、第１のパラメータとして検出した積算値Ｗ´ａに基づいて、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの高周波電源３１から電極２１，２２への出力制御に関する目標値として、出力電圧Ｖの経時的な変化率（本実施形態では増加率）ηｂを設定する（Ｓ１１６）。また、プロセッサ２５は、設定した変化率ηｂに基づいて、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの電極２１，２２への出力制御における出力電圧Ｖの目標軌道を設定する（Ｓ１１６）。この際、目標軌道は、出力電圧Ｖが設定された変化率ηｂで経時的に一定に増加する状態に、設定される。本実施形態では、ヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ａが大きいほど、出力電圧Ｖの変化率ηｂを大きく設定する。このため、プロセッサ２５は、積算値（第１のパラメータ）Ｗ´ａが大きいほど、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までのそれぞれの時点において目標軌道上の値を大きく設定する。

　そして、積算値Ｗ´ａが算出され、かつ、出力電圧Ｖの変化率ηｂ及び目標軌道が設定された後においても、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、前述した目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１１７）。また、出力電圧Ｖの変化率ηｂ及び目標軌道が設定された後は、プロセッサ２５は、設定された変化率ηｂの目標軌道に沿って出力電圧Ｖが経時的に変化する状態に、電極２１，２２への出力を制御する（Ｓ１１８）。この際、高周波電流の付与によって処置対象が変性される。そして、本実施形態では、プロセッサ２５は、時間ｔが第２の時点での時間ｔｂ以上であるか否かを判断する（Ｓ１１９）。時間ｔが時間ｔｂより短い場合は（Ｓ１１９－Ｎｏ）、処理はＳ１１７に戻り、Ｓ１１７以降の処理が順次に行われる。すなわち、第２の時点（ｔｂ）までは、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力に関して出力電圧Ｖの目標軌道に基づく出力制御を行い、ヒータ電源４１からの出力に関して目標温度Ｔ０でＰＩＤ制御を行う。

　時間ｔが時間ｔｂ以上場合は（Ｓ１１９－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、ヒータ２３への出力に関連するパラメータとして、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までのヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ｂを検出する（Ｓ１２０）。本実施形態では、積算値Ｗ´ｂが、第２の時点（ｔｂ）で検出される第２のパラメータとなる。前述のように、積算値Ｗ´ｂは、処置対象の熱負荷を含む処置対象の状態に対応して変化する。本変形例では、プロセッサ２５は、第２のパラメータとして検出した積算値Ｗ´ｂに基づいて、第２の時点（ｔｂ）以後の高周波電源３１から電極２１，２２への出力制御に関する目標値として、出力電圧Ｖの電圧値Ｖｂを設定する（Ｓ１２１）。本実施形態では、ヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ｂが大きいほど、出力電圧Ｖの電圧値Ｖｂを大きく設定する。

　そして、積算値Ｗ´ｂが算出され、かつ、出力電圧Ｖの電圧値Ｖｂが設定された後においても、プロセッサ２５は、ヒータ電源４１からヒータ２３への出力に関して、前述した目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御を行う（Ｓ１２２）。また、出力電圧Ｖの電圧値Ｖｂが設定された後は、プロセッサ２５は、設定された電圧値Ｖｂで出力電圧Ｖが経時的に一定になる状態に、電極２１，２２への出力を制御する（Ｓ１２３）。すなわち、第２の時点以後（ｔｂ）は、設定された電圧値Ｖｂでの定電圧制御が行われる。この際、高周波電流の付与によって処置対象が変性される。そして、プロセッサ２５は、前述の実施形態等と同様に、高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ以上か否かを検出する（Ｓ１２４）。高周波電力Ｐの出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈより短い場合は（Ｓ１２４－Ｎｏ）、処理はＳ１２２に戻り、Ｓ１２２以降の処理が順次に行われる。このため、プロセッサ２５は、出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈに到達するまで、高周波電源３１からの出力に関して設定された電圧値Ｖｂでの定電圧制御を継続し、高周波電流の付与によって継続して処置対象を変性させる。出力時間Ｑが閾値Ｑｔｈ以上の場合は（Ｓ１２４－Ｙｅｓ）、プロセッサ２５は、前述の実施形態等と同様に、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を停止させる（Ｓ１２５）。

　図１１及び図１２のそれぞれは、前述のようにプロセッサ２５が処理を行う場合の、ヒータ電源４１からヒータ２３へ出力されるヒータ電力Ｐ´の経時的変化の一例を示す。また、図１３は、図１１のようにヒータ電力Ｐ´が経時的に変化した場合での、高周波電源３１からの出力電圧Ｖについて設定される目標軌道の一例を示し、図１４は、図１２のようにヒータ電力Ｐ´が経時的に変化した場合での、高周波電源３１からの出力電圧Ｖについて設定される目標軌道の一例を示す。また、図１５は、第１の時点と第２の時点との間での処置対象のインピーダンスの経時的な変化の一例を示す。図１１乃至図１５のそれぞれでは、横軸にヒータ電源４１からの出力開始を基準とする時間ｔを示す。また、図１１及び図１２のそれぞれでは縦軸にヒータ電力Ｐ´を、図１３及び図１４のそれぞれでは縦軸に高周波電源３１からの出力電圧Ｖを、図１５では縦軸にインピーダンスＺを示す。図１１及び図１３では、前述の３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、経時的変化を示す。そして、状態Ｘ１については実線で、状態Ｘ２については一点鎖線で、状態Ｘ３については破線で示す。また、図１２及び図１４では、前述の状態Ｘ２、及び、状態Ｘ１～Ｘ３とは別の状態である状態Ｘ４について、経時的変化を示す。そして、状態Ｘ２については一点鎖線で、状態Ｘ４については実線で示す。状態Ｘ４では、ヒータ電源４１からの出力開始時等の初期時において処置対象の熱負荷は、状態Ｘ２と略同一である。ただし、状態Ｘ４では、例えば第１の時点（ｔａ）より後において、処置対象及びその近傍に液体が流入する等して外乱が発生する。外乱が発生することにより、状態Ｘ４では、処置対象の熱負荷が増加する。また、図１５では、前述の状態Ｘ２での経時的な変化を一点鎖線で示す。

　本実施形態でも、ヒータ電源４１からの出力について目標温度Ｔ０でのＰＩＤ制御が行われるため、ヒータ２３の温度Ｔ及びヒータ電力Ｐ´は、前述した実施形態等と同様にして、経時的に変化する。このため、状態Ｘ１～Ｘ３のそれぞれにおけるヒータ電力Ｐ´の経時的な変化は、前述した実施形態と同様になる。したがって、温度Ｔの上昇率α、ピーク電力Ｐ´ｐ、ヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´、ピーク電力Ｐ´ｐまでの到達時間Ｙ、ピーク電力Ｐ´ｐまでの増加率γ及びピーク電力Ｐ´ｐに到達後の減少率εのそれぞれは、前述した実施形態等と同様にして、処置対象の熱負荷に対応して変化する。なお、状態Ｘ１～Ｘ３のそれぞれでは、第１の時点（ｔａ）と第２の時点（ｔｂ）との間で、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐになる。

　また、状態Ｘ４では、第１の時点（ｔａ）まで、すなわち、外乱が発生するまでは、温度Ｔ及びヒータ電力Ｐ´は、状態Ｘ２と同様に経時的に変化する。実際に、状態Ｘ４での出力開始時から第１の時点（ｔａ）までのヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ａ４は、状態Ｘ２での出力開始時から第１の時点（ｔａ）までのヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ａ２と、略同一である。ただし、状態Ｘ４では、第１の時点（ｔａ）より後で、かつ、第２の時点（ｔｂ）より前において、外乱が発生し、処置対象の熱負荷が増加する。外乱の発生によって、状態Ｘ４では、外乱発生以後において、目標温度Ｔ０までの温度Ｔの上昇率αが減少する。また、状態Ｘ４では、外乱が発生しない場合に比べて、ピーク電力Ｐ´ｐが増加し、ピーク電力Ｐ´ｐまでの到達時間Ｙが増加する。実際に、状態Ｘ４でのピーク電力Ｐ´ｐ４は、状態Ｘ２でのピーク電力Ｐ´ｐ２に比べて大きく、状態Ｘ４でのピーク電力Ｐ´ｐ４までの到達時間Ｙ４は、状態Ｘ２でのピーク電力Ｐ´ｐ２までの到達時間Ｙ２に比べて長い。なお、状態Ｘ４では、第１の時点（ｔａ）と第２の時点（ｔｂ）との間で、ヒータ電力Ｐ´がピーク電力Ｐ´ｐになる。

　また、状態Ｘ４では、外乱が発生しない場合に比べて、ピーク電力Ｐ´ｐが増加するため、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までのヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ｂも増加する。実際に、状態Ｘ４での第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までのヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ｂ４は、状態Ｘ２での第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までのヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ａ２に比べて、大きい。また、状態Ｘ４では、外乱が発生しない場合に比べて、ピーク電力Ｐ´ｐに到達した後のヒータ電力Ｐ´の減少率εが減少し、減少率εがゼロに近づく。すなわち、状態Ｘ４では、外乱が発生しない場合に比べて、ピーク電力Ｐ´ｐへ到達後のヒータ電力Ｐ´が緩やかに減少する。実際に、状態Ｘ４でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε４は、状態Ｘ２でのヒータ電力Ｐ´の減少率ε２に比べて、小さい。

　また、第１のパラメータであるヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ａは、第１の時点（ｔａ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。そして、本実施形態では、プロセッサ２５は、積算値Ｗ´ａが大きいほど、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの出力電圧Ｖの変化率（増加率）ηｂを大きく設定し、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までのそれぞれの時点において出力電圧Ｖの目標軌道上の値を大きく設定する。このため、第１の時点（ｔａ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、出力電圧Ｖの変化率（増加率）ηｂが大きく設定され、出力電圧Ｖが変化率ηｂで変化する目標軌道上の値が大きく設定される。実際に、状態Ｘ１での変化率ηｂ１は、状態Ｘ２での変化率ηｂ２に比べて小さく、状態Ｘ１での出力電圧Ｖの目標軌道上の値は、状態Ｘ２での目標軌道上の値に比べて、小さい。同様に、状態Ｘ３での変化率ηｂ３は、状態Ｘ２での変化率ηｂ２に比べて大きく、状態Ｘ３での目標軌道上の値は、状態Ｘ２での目標軌道上の値に比べて、大きい。また、状態Ｘ４での変化率ηｂ４は、状態Ｘ２での変化率ｂ２と略同一であり、状態Ｘ２，Ｘ４では、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの目標軌道が略同一となる。

　そして、本実施形態では、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までは、設定された変化率ηｂの目標軌道に基づいて、高周波電源３１からの出力が制御される。このため、第１の時点（ｔａ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの高周波電源３１からの出力は高く、処置対象に付与される高周波電流が大きい。

　また、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までは、目標軌道に基づく高周波電源３１からの出力制御が行われることにより、高周波電流が処置対象に付与される。そして、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までは、高周波電流に起因する熱等によって処置対象が脱水され、処置対象のインピーダンスＺが変化する。本実施形態では、インピーダンスＺが変化することにより、第１の時点（ｔａ）と第２の時点（ｔｂ）との間において、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになる。インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになった時点では、インピーダンスＺは、経時的に減少する状態から経時的に増加する状態に切替わる。なお、図１５では、状態Ｘ２でのインピーダンスＺのみを示すが、状態Ｘ１，Ｘ３，Ｘ４のそれぞれにおいても、第１の時点（ｔａ）と第２の時点（ｔｂ）との間において、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになる。

　また、第２のパラメータであるヒータ電力Ｐ´の積算値Ｗ´ｂは、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、大きい。そして、本実施形態では、プロセッサ２５は、積算値Ｗ´ｂが大きいほど、第２の時点（ｔｂ）以後において定電圧制御での出力電圧Ｖの電圧値Ｖｂを大きく設定する。このため、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、定電圧制御での出力電圧Ｖの電圧値Ｖｂが大きく設定される。実際に、状態Ｘ１での電圧値Ｖｂ１は、状態Ｘ２での電圧値Ｖｂ２に比べて小さい。同様に、状態Ｘ３での電圧値Ｖｂ３は、状態Ｘ２での電圧値Ｖｂ２に比べて大きい。また、状態Ｘ４では、外乱の発生により、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの処置対象の熱負荷が増加する。このため、状態Ｘ４での電圧値Ｖｂ４は、状態Ｘ２での電圧値Ｖｂ２に比べて大きい。

　そして、本実施形態では、第２の時点（ｔｂ）以後は、目標値として設定された電圧値Ｖｂに基づいて、高周波電源３１からの出力について定電圧制御が行われる。このため、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、第２の時点（ｔｂ）以後において、高周波電源３１からの出力は高く、処置対象に付与される高周波電流が大きい。状態Ｘ４では、外乱の発生によって、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの処置対象の熱負荷が増加する。このため、状態Ｘ４では、外乱が発生しない状態Ｘ２に比べて、第２の時点（ｔｂ）以後での高周波電源３１からの出力は高く、第２の時点（ｔｂ）以後において処置対象に付与される高周波電流が大きい。

　前述のようにプロセッサ２５が処理を行うため、本実施形態でも前述の実施形態等と同様の作用及び効果を奏する。また、本実施形態では、前述のように、ヒータ電源４１からの出力開始時より後において外乱が発生し、外乱によって処置対象の熱負荷が増加しても、外乱に起因する熱負荷の増加が適切に検出される。そして、第２の時点（ｔｂ）以後では、外乱に起因する熱負荷の増加等に対応させて、高周波電源３１からの出力制御について目標値及び／又は目標軌道が設定される。このため、ヒータ電源４１からの出力開始時より後において外乱が発生しても、外乱に起因する熱負荷の増加等に対応させて適切に高周波電源３１からの出力が行われ、外乱に起因する熱負荷の増加等に対応させて高周波電流が処置対象に適切に付与される。

　（第２の実施形態の変形例）　
　図１６は、ある変形例において、図１１のようにヒータ電力Ｐ´が経時的に変化した場合での、高周波電源３１からの出力電圧Ｖについて設定される目標軌道の一例を示す。図１６では、横軸にヒータ電源４１からの出力開始を基準とする時間ｔを示し、縦軸に出力電圧Ｖを示す。図１６では、前述の３つの状態（組織状態）Ｘ１～Ｘ３について、目標軌道を示す。そして、状態Ｘ１については実線で、状態Ｘ２については一点鎖線で、状態Ｘ３については破線で示す。

　本変形例では、第１の時点（ｔａ）において、プロセッサ２５は、積算値Ｗ´ａに基づいて、出力電圧Ｖの経時的な変化率ηｃを設定する。そして、プロセッサ２５は、第１の時点（ｔａ）と第２の時点（ｔｂ）との間において、出力電圧Ｖが設定した変化率ηｃで経時的に一定に変化する目標軌道を設定する。そして、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までは、出力電圧Ｖが設定した目標軌道に沿う状態に、高周波電源３１からの出力が制御される。本変形例でも、第１の時点（ｔａ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、変化率ηｃが大きく設定され、目標軌道上の値が大きく設定される。ただし、本変形例では、プロセッサ２５は、変化率ηｃを正の値、ゼロ及び負の値に設定可能である。例えば、熱負荷が小さい状態Ｘ１では、変化率ηｃ１は負の値に設定される。このため、状態Ｘ１において第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）まで設定される出力電圧Ｖの目標軌道では、出力電圧Ｖが一定の変化率（減少率）ηｃ１で経時的に減少する。

　また、本変形例では、第２の時点（ｔｂ）において、プロセッサ２５は、積算値Ｗ´ｂに基づいて、出力電圧Ｖの電圧値Ｖｃを設定する。本変形例でも、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの処置対象の熱負荷が大きいほど、電圧値Ｖｃが大きく設定される。そして、プロセッサ２５は、第２の時点（ｔｂ）以後において、設定した電圧値Ｖｃに基づいて、高周波電源３１からの出力制御を行う。ただし、本変形例では、プロセッサ２５は、第２の時点（ｔｂ）又はその直後において、出力電圧Ｖを設定された電圧値Ｖｃに瞬時に変化させない。本変形例では、プロセッサ２５は、第２の時点（ｔｂ）からしばらくの時間が経過するまでは、設定された電圧値Ｖｃに出力電圧Ｖが徐々に近づく状態に、高周波電源３１からの出力を制御する。そして、プロセッサ２５は、第２の時点（ｔｂ）からしばらくの時間が経過した時点ｔｃにおいて、出力電圧Ｖを設定された電圧値Ｖｃに到達させ、時点ｔｃ以後は、出力電圧Ｖを設定された電圧値Ｖｃで経時的に維持する定電圧制御を行う。

　また、前述の実施形態では、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの目標値（ηｂ，ηｃ等）及び／又は目標軌道は、積算値Ｗ´ａに基づいて設定され、第２の時点（ｔｂ）以後の目標値（Ｖｂ，Ｖｃ等）及び／又は目標軌道は、積算値Ｗ´ｂに基づいて設定されるが、これに限るものではない。例えば、ある変形例では、第１の時点（ｔａ）でのヒータ電力Ｐ´の増加率γに基づいて、第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの目標値（ηｂ，ηｃ等）及び／又は目標軌道が設定される。そして、第２の時点（ｔｂ）でのヒータ電力Ｐ´の減少率εに基づいて、第２の時点（ｔｂ）以後での目標値（Ｖｂ，Ｖｃ）及び／又は目標軌道が設定される。すなわち、第１の時点（ｔａ）では、前述したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´等）のいずれかに基づいて第１の時点（ｔａ）から第２の時点（ｔｂ）までの目標値（ηｂ，ηｃ等）及び／又は目標軌道が設定されればよい。そして、第２の時点（ｔｂ）では、前述したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´等）のいずれかに基づいて第２の時点（ｔｂ）以後での目標値（Ｖｂ，Ｖｃ）及び／又は目標軌道が設定されればよい。

　また、前述の実施形態等では、第１の時点の時間ｔａ及び第２の時点の時間ｔｂは固定値であるが、これに限るものではない。ある変形例では、高周波電源３１からの出力開始と同時又は出力開始の直後に、インピーダンスＺの初期値Ｚｅが検出される。そして、プロセッサ２５は、検出したインピーダンスＺの初期値Ｚｅに基づいて、第１の時点（ｔａ）を設定する。また、ある変形例では、第１の時点（ｔａ）以後において、前述したインピーダンスＺの極小値Ｚｍｉｎを検出する処理を、プロセッサ２５が行う。そして、プロセッサ２５は、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになったことを検出した時点を、第２の時点（ｔｂ）として設定する。なお、極小値Ｚｍｉｎの検出は、既知の処理によって行われ、極小値Ｚｍｉｎを検出した検出時、すなわち、設定される第２の時点（ｔｂ）は、インピーダンスＺが極小値Ｚｍｉｎになった時点以後である。

　（その他の変形例）　
　なお、前述の実施形態等では、高周波電源３１からの出力停止の判断に用いられる出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈは固定値Ｑｔｈ０であるが、これに限るものではない。ある変形例では、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて、出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈを設定する。そして、設定された閾値Ｑｔｈに基づく所定の条件を満たすことにより、高周波電源３１からの出力を停止する。このため、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）の大きさが異なると、高周波電源３１から出力が行われている時間が異なり、高周波電流によって処置対象が付与されている時間が異なる。ここで、出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈは、処置対象の熱負荷が大きいほど、大きく設定される。したがって、温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔの上昇率αを検出する場合は、プロセッサ２５は、上昇率αが小さいほど、閾値Ｑｔｈを大きく設定する。

　また、ある変形例では、プロセッサ２５は、出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈを用いるＳ１０９又はＳ１２４の処理の代わりに、インピーダンスＺの閾値Ｚｔｈに基づいて、高周波電源３１からの出力停止の判断を行ってもよい。本変形例では、プロセッサ２５は、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に関係なく閾値Ｚｔｈを固定値Ｚｔｈ０に設定してもよく、検出したパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて閾値Ｚｔｈを設定してもよい。パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて閾値Ｚｔｈを設定する場合は、プロセッサ２５は、処置対象の熱負荷が大きいほど、閾値Ｚｔｈを大きく設定する。例えば、温度Ｔに関連するパラメータとして温度Ｔの上昇率αを検出する場合は、プロセッサ２５は、上昇率αが小さいほど、閾値Ｚｔｈを大きく設定する。

　本変形例では、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈより小さい場合は、プロセッサ２５は、例えば、Ｓ１０６，Ｓ１０７の処理と同様の処理又はＳ１２２，Ｓ１２３の処理と同様の処理を継続して行い、電極２１，２２への出力を継続させ、高周波電流の付与によって処置対象を継続して変性させる。したがって、プロセッサ２５は、インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈに到達するまで、すなわち、閾値Ｚｔｈに基づく条件を満たすまで、高周波電源３１から電極（バイポーラ電極）２１，２２への出力を継続させる。インピーダンスＺが閾値Ｚｔｈ以上の場合は、プロセッサ２５は、Ｓ１１０又はＳ１２５と同様の処理を行い、高周波電源３１から電極２１，２２への出力を停止させる。

　また、前述の実施形態等では、ヒータ電源４１からの出力開始と同時又は直後に高周波電源３１からの出力が開始され、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）が最初に検出される前において高周波電源３１から高周波電力Ｐが出力されているが、これに限るものではない。ある変形例では、プロセッサ２５は、ヒータ２３への出力を開始させ、かつ、最初にパラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）を検出した後に、電極２１，２２への出力を開始させてもよい。この場合、Ｓ１０２又はＳ１１２の処理の代わりに、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力停止を維持する。本変形例でも、パラメータ（α，Ｐ´ｐ，Ｙ，γ，ε，Ｗ´のいずれか）に基づいて高周波電源３１からの出力制御に関する目標値（β，Ｖａ，Ｐａ，Ｉａ，ηａ，Ｖｓｔ，ηｂ，Ｖｂ，ηｃ，Ｖｃ等）及び／又は目標軌道が設定される。そして、高周波電源３１からの出力が開始されると、設定された目標値（β，Ｖａ，Ｐａ，Ｉａ，ηａ，Ｖｓｔ，ηｂ，Ｖｂ，ηｃ，Ｖｃ等）及び／又は目標軌道に基づいて高周波電源３１からの出力が制御され、高周波電流の付与によって処置対象が変性される。

　また、前述の実施形態等では、出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈ又はインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈに基づく所定の条件を満たすことにより、高周波電源３１からの出力が停止されるが、これに限るものではない。ある変形例では、出力時間Ｑの閾値Ｑｔｈ又はインピーダンスＺの閾値Ｚｔｈに基づく前述の所定の条件を満たすことにより、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力を低下させ、処置対象を変性させない程度まで処置対象に流れる高周波電流を減少させる。本変形例では、電極２１，２２への出力低下からある程度の時間の経過、又は、術者等の操作に基づいて、プロセッサ２５は、高周波電源３１からの出力を停止させる。

　前述の実施形態等では、エネルギー源装置（３）のエネルギー出力源（３１，４１）は、バイポーラ電極（２１，２２）に高周波電力（Ｐ）を出力することにより、バイポーラ電極（２１，２２）の間で処置対象を通して高周波電流を流すとともに、ヒータ（２３）にヒータ電力（Ｐ´）を出力することにより、ヒータ（２３）で熱を発生させる。プロセッサ（２５）は、ヒータ（２３）への出力に関してヒータ（２３）を目標温度（Ｔ０）に到達させ、かつ、目標温度（Ｔ０）で維持する出力制御を行うとともに、目標温度（Ｔ０）に基づく出力制御においてヒータ（２３）の温度（Ｔ）及びヒータ（２３）への出力の少なくとも一方に関連するパラメータ（α；Ｐ´ｐ；Ｙ；γ；ε；Ｗ´）を検出する。そして、プロセッサ（２５）は、高周波電流の付与によって処置対象を変性させている状態でのバイポーラ電極（２１，２２）への出力制御に関する目標値（β，Ｖａ，Ｐａ，Ｉａ，ηａ，Ｖｓｔ，ηｂ，Ｖｂ，ηｃ，Ｖｃ等）及び目標軌道の少なくとも一方を、検出したパラメータ（α；Ｐ´ｐ；Ｙ；γ；ε；Ｗ´）に基づいて、設定する。

　なお、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。

Claims

　一対の把持片の間で処置対象を把持可能なエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタはヒータ及びバイポーラ電極を備える処置具の使用時に、前記処置具と一緒に用いられるエネルギー源装置であって、
　前記バイポーラ電極に高周波電力を出力することにより、前記バイポーラ電極の間で前記処置対象を通して高周波電流を流すとともに、前記ヒータにヒータ電力を出力することにより、前記ヒータで熱を発生させるエネルギー出力源と、
　前記ヒータへの出力に関して前記ヒータを目標温度に到達させ、かつ、前記目標温度で維持する出力制御を行うとともに、前記目標温度に基づく前記出力制御において前記ヒータの温度及び前記ヒータへの前記出力の少なくとも一方に関連するパラメータを検出し、前記高周波電流の付与によって前記処置対象を変性させている状態での前記バイポーラ電極への出力制御に関する目標値及び目標軌道の少なくとも一方を、検出した前記パラメータに基づいて設定するプロセッサと、
　を具備するエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、前記ヒータへの前記出力を開始させ、かつ、前記パラメータを検出した後に、前記バイポーラ電極への前記出力を開始させるとともに、設定された前記目標値及び／又は前記目標軌道に基づいて前記バイポーラ電極への前記出力を制御し、前記高周波電流の前記付与によって前記処置対象を変性させる、請求項１のエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、前記パラメータが小さいほど、前記目標値を大きく設定する、及び／又は、前記目標軌道の傾き及び前記目標軌道の始点での値の少なくとも一方を大きく設定する、請求項１のエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、前記パラメータとして、前記目標温度に到達するまでの前記ヒータの前記温度の上昇速度を検出する、請求項３のエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、前記パラメータが大きいほど、前記目標値を大きく設定する、及び／又は、前記目標軌道の傾き及び前記目標軌道の始点での値の少なくとも一方を大きく設定する、請求項１のエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、前記パラメータとして、前記ヒータへ出力される前記ヒータ電力のピーク電力、前記ピーク電力までの到達時間、前記ピーク電力に到達するまでの前記ヒータ電力の増加率、前記ピーク電力に到達した後の前記ヒータ電力の減少率、及び、前記ヒータ電力の積算値の少なくとも１つを検出する、請求項５のエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、前記バイポーラ電極へ出力される前記高周波電力、前記バイポーラ電極への出力電流、前記バイポーラ電極への出力電圧、及び、前記処置対象のインピーダンスの少なくとも１つについて、前記目標値及び／又は前記目標軌道を設定する、請求項１のエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、第１の時点での前記パラメータとして第１のパラメータを検出するとともに、前記第１の時点より後の第２の時点での前記パラメータとして第２のパラメータを検出し、
　前記プロセッサは、前記第１のパラメータに基づいて前記第１の時点から前記第２の時点までの前記目標値及び／又は前記目標軌道を設定するとともに、前記第２のパラメータに基づいて前記第２の時点以後の前記目標値及び／又は前記目標軌道を設定する、
　請求項１のエネルギー源装置。
　前記プロセッサは、設定された前記目標値及び／又は前記目標軌道に基づいて前記バイポーラ電極への前記出力を制御し、前記高周波電流の前記付与よって前記処置対象を変性させることにより、前記第１の時点と前記第２の時点との間において前記処置対象のインピーダンスを極小値にする、請求項８のエネルギー源装置。