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WO2018179175A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置、コントローラ - Google Patents

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置、コントローラ Download PDF

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WO2018179175A1
WO2018179175A1 PCT/JP2017/013039 JP2017013039W WO2018179175A1 WO 2018179175 A1 WO2018179175 A1 WO 2018179175A1 JP 2017013039 W JP2017013039 W JP 2017013039W WO 2018179175 A1 WO2018179175 A1 WO 2018179175A1
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WO
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display device
film
insulating film
inorganic insulating
electrode
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PCT/JP2017/013039
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English (en)
French (fr)
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達 岡部
博己 谷山
遼佑 郡司
信介 齋田
浩治 神村
芳浩 仲田
彬 井上
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to a display device.
  • Patent Document 1 discloses a subpixel structure including a bank covering an edge of a lower layer electrode, an organic layer (including a light emitting layer) formed in the bank, and a lower layer electrode covering the organic layer in an organic EL panel. ing.
  • Japanese Patent Publication Japanese Patent Laid-Open No. 2016-18849 (published on February 1, 2016)
  • a display device is a display device in which a light-emitting element including a first electrode, an EL layer, and a second electrode is provided in an active region, the first inorganic covering the edge of the first electrode Insulating film is included.
  • the first inorganic insulating film covering the edge of the first electrode can function as a bank, and entry of foreign matters such as moisture into the EL layer can be effectively suppressed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration example (inactive region) of the display device of Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a light emitting element layer forming process of Embodiment 1.
  • 6 is a cross-sectional view showing an example of the effect of the display device of Embodiment 1.
  • FIG. It is a block diagram which shows the structure of the display device manufacturing apparatus of this embodiment. 6 is a flowchart showing a light emitting element layer forming step of Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a process cross-sectional view illustrating a light emitting element layer forming step of Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration example (inactive region) of a display device according to Embodiment 2.
  • FIG. It is process sectional drawing which shows the modification of the light emitting element layer formation process of FIG.
  • FIG. 1 is a flowchart showing an example of a display device manufacturing method.
  • 2A is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the display device according to the first embodiment
  • FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the first electrode.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration example (inactive region) of the display device according to the first embodiment.
  • a resin layer 12 is formed on a substrate 10 (step S1).
  • the barrier layer 3 is formed (step S2).
  • the TFT layer 4 including the gate insulating film 16, the passivation films 18 and 20, and the organic planarizing film 21 is formed (step S3).
  • a light emitting element layer (for example, OLED element layer) 5 is formed (step S4).
  • the sealing layer 6 including the inorganic sealing films 26 and 28 and the organic sealing film 27 is formed to form the stacked body 7 (step S5).
  • the laminated body 7 is divided together with the base material 10 and separated into pieces (step S7).
  • the functional film 39 is pasted through the adhesive layer 38 (step S8).
  • an electronic circuit board is mounted on the end of the TFT layer 4 (step S9). Thereby, the display device 2 shown in FIG. 2 is obtained.
  • Each step is performed by a display device manufacturing apparatus.
  • a laminate 7 is formed on a glass substrate, and an adhesive layer is interposed on the laminate 7.
  • a top film is affixed (step S6a).
  • the lower surface of the resin layer 12 is irradiated with laser light through the glass substrate (step S6b).
  • the lower surface of the resin layer 12 (interface with the glass substrate 10) is altered by ablation, and the bonding force between the resin layer 12 and the glass substrate is reduced.
  • the glass substrate is peeled from the resin layer 12 (step S6c).
  • the base material 10 for example, a lower film made of PET or the like
  • step S6d an adhesive layer
  • Examples of the material for the resin layer 12 include polyimide, epoxy, and polyamide. Examples of the material of the lower film 10 include polyethylene terephthalate (PET).
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents moisture and impurities from reaching the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device is used.
  • the barrier layer 3 is formed by CVD, such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, Alternatively, a silicon oxynitride film or a laminated film thereof can be used.
  • the thickness of the inorganic barrier layer 3 is, for example, 50 nm to 1500 nm.
  • the TFT layer 4 includes a semiconductor film 15, a gate insulating film 16 formed on the semiconductor film 15, a gate electrode G formed on the gate insulating film 16, and a passivation formed on the gate electrode G. Films 18 and 20, capacitive electrodes C and terminals TM formed above the passivation film 18, source electrodes S and drain electrodes D, source electrodes S and drain electrodes D formed above the passivation film 20 An organic planarization film 21 formed on the upper side of the substrate.
  • the semiconductor film 15, the gate insulating film 16, the gate electrode G, the passivation films 18 and 20, the source electrode S and the drain electrode D constitute a thin layer transistor (TFT).
  • a plurality of terminals TM used for connection to an electronic circuit substrate such as an IC chip or an FPC are formed in an inactive region of the TFT layer 4 (a region that does not overlap with the light emitting element layer 5).
  • the edge of the terminal TM is covered with a passivation film 20.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low temperature polysilicon (LPTS) or an oxide semiconductor.
  • the gate insulating film 16 can be constituted by, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • the gate electrode G, the source electrode S, the drain electrode D, and the terminal are, for example, aluminum (Al), tungsten (W), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), chromium (Cr), titanium (Ti), copper ( It is comprised by the metal single layer film or laminated film containing at least 1 of Cu).
  • the TFT having the semiconductor film 15 as a channel is shown as a top gate structure, but a bottom gate structure may be used (for example, when the TFT channel is an oxide semiconductor).
  • the gate insulating film 16 and the passivation films 18 and 20 can be composed of, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a laminated film thereof formed by a CVD method.
  • the organic planarizing film 21 can be made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic.
  • the light emitting element layer 5 defines a first electrode 22 (for example, an anode electrode) formed on the upper side of the organic planarizing film 21 and subpixels of the active area DA (display area).
  • 24 and the second electrode 25 constitute a light emitting element (for example, an organic light emitting diode).
  • the first inorganic insulating film 23x is formed, for example, by patterning an inorganic film including at least one of a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, and a silicon oxide film formed by a CVD method by a photolithography method. be able to. Note that the photosensitive inorganic SOG (spin-on-glass) material that has been applied can also be formed by patterning by a later photolithography method.
  • the first inorganic insulating film 23 x functions as a bank (pixel partition) that covers the edge of the first electrode 22.
  • a convex structure (droplet stopper) TK is provided in the non-active area NA.
  • the convex structure TK defines the edge of the organic sealing film 27 (for example, formed by an inkjet method).
  • the convex structure TK includes an organic planarizing film 21 and a second inorganic insulating film 23y covering the organic planarizing film 21.
  • the first inorganic insulating film 23x and the second inorganic insulating film 23y are formed in the same layer (that is, formed by the same process).
  • the EL layer 24 is formed in a region (subpixel region) surrounded by the partition wall 23c by a vapor deposition method or an ink jet method.
  • the light emitting element layer 5 is an organic light emitting diode (OLED) layer
  • the EL layer 24 includes a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer in order from the lower layer side. It is composed by doing.
  • the first electrode (anode) 22 is composed of, for example, a laminate of ITO (Indium Tin Oxide) and an alloy containing Ag, and has light reflectivity.
  • the second electrode (for example, cathode electrode) 25 is a common electrode, and can be made of a transparent metal such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zincum Oxide).
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the EL layer 24 by the driving current between the first electrode 22 and the second electrode 25, and the exciton generated thereby falls to the ground state.
  • the exciton generated thereby falls to the ground state.
  • the light emitting element layer 5 is not limited to constituting an OLED element, and may constitute an inorganic light emitting diode or a quantum dot light emitting diode.
  • the sealing layer 6 includes a first inorganic sealing film 26 that covers the first inorganic insulating film 23x, the second inorganic insulating film 23y, and the second electrode 25, and an organic sealing film 27 that covers the first inorganic sealing film 26. And a second inorganic sealing film 28 that covers the organic sealing film 27.
  • Each of the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 may be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a laminated film formed by CVD. it can.
  • the organic sealing film 27 is a light-transmitting organic insulating film that is thicker than the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28, and is made of a photosensitive organic material that can be applied, such as polyimide or acrylic. can do.
  • an ink containing such an organic material is applied onto the first inorganic sealing film 26 by inkjet and then cured by UV irradiation.
  • the sealing layer 6 covers the light emitting element layer 5 and prevents penetration of foreign matters such as water and oxygen into the light emitting element layer 5.
  • the functional film 39 has, for example, an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • the electronic circuit board is, for example, an IC chip or a flexible printed board mounted on the plurality of terminals TM.
  • FIG. 4 is a flowchart showing the light emitting element layer forming step.
  • an organic planarizing film 21 serving as a base for the EL element layer 5 is formed.
  • the base portions of the convex structure TK and the cover CT are formed by the organic planarization film 21.
  • the first electrode 22 is formed and patterned on the organic planarizing film 21 (step S4a).
  • the first electrode 22 has an island shape and has light reflectivity.
  • the first electrode 22 includes a conductive base film 22a, a light reflecting film 22b, and a light transmitting film 22c.
  • the base film 22a and the light transmission film 22c are made of, for example, ITO.
  • an inorganic insulating film (for example, a single film of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, SiCO, or SiCN or a laminated film including two or more of these) is formed on the first electrode 22 by a CVD (chemical vapor deposition) method. (Step S4b). Next, the inorganic insulating film is patterned by photolithography (step S4c).
  • the first inorganic insulating film 23x functioning as a bank covering the edge of the island-shaped first electrode 22 is formed. Note that the non-edge portion on the upper surface of the first electrode 22 is exposed without being covered with the first inorganic insulating film 23x.
  • the second inorganic insulating film 23y covering the upper surface and the end surface of the base portion (organic planarization film 21) of the convex structure TK, and the base portion (organic planarization film) of the cover body CT. 21) and the fourth inorganic insulating film 23k covering the upper surface and the end surface.
  • the EL layer 24 is formed by vapor deposition (step S4d). As a result, the EL layer 24 extends along the inner surface (inclined surface) of the bank composed of the first inorganic insulating film 23x, and the non-edge portion of the upper surface (ITO) of the first electrode 22 and the EL layer at the bottom surface of the bank. 24 comes into contact.
  • a second electrode is formed by sputtering or the like using a mask (step S4e).
  • a light emitting element (EL element) including the first electrode 22, the first inorganic insulating film 23x, the EL layer 24, and the second electrode 25 can be formed in each of the plurality of subpixels in the active region.
  • the second electrode is a so-called solid electrode and is shared by a plurality of subpixels.
  • the first inorganic sealing layer 26 is patterned by a CVD method using a mask (step S5a).
  • the organic sealing layer 27 is applied and formed by an inkjet method (step S5b).
  • the second inorganic sealing layer 28 is patterned by a CVD method using a mask (step S5c).
  • the first inorganic sealing film 26 is formed so as to cover the upper surface and both end surfaces of the convex structure TK.
  • the second inorganic sealing film 28 is formed so as to cover the upper surface of the convex structure TK and the end surface on the outer side (edge side of the display device) of the convex structure TK with the first inorganic sealing film 26 interposed therebetween. Is done.
  • the edge of the organic sealing film 27 overlaps the convex structure TK or is formed on the inner side (active region side) than the convex structure TK.
  • the surface (upper surface and end surface) of the convex structure TK is formed of the second inorganic insulating film 23y. Further, a portion 21e overlapping the organic sealing film 27 on the end face of the organic planarizing film 21 is covered with the first inorganic insulating film 23x or the second inorganic insulating film 23y.
  • Step S5a film formation of the first inorganic sealing layer 26
  • step S5c film formation of the second inorganic sealing film 28
  • step S4b film formation of the first inorganic insulating film 12x covering the first electrode 22.
  • a lower temperature for example, 100 ° or less.
  • foreign matter (moisture or the like) entering the pixel portion can be blocked by the first inorganic insulating film 23x through a path as indicated by an arrow in FIG.
  • foreign matter (moisture or the like) that enters the convex structure TK along the path shown by the arrow in FIG. 5B can be blocked by the second inorganic insulating film 23y.
  • the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the bank covering the edge of the first electrode is made of an expensive organic material such as polyimide. Since the first inorganic insulating film 23x and the second inorganic insulating film 23y are formed before the deposition process of the EL layer 24, high temperature film formation (200 ° or more) is possible, and a dense film with high barrier performance is obtained. Can do.
  • first inorganic insulating film 23x or the second inorganic insulating film 23y is covered with the first inorganic insulating film 23x or the second inorganic insulating film 23y.
  • the inorganic sealing films 26 and 28 formed by CVD at a low temperature have low coverage and may not easily get over the step of the organic flattening film 21 (flattening film).
  • the first inorganic insulating film 23x and the second inorganic insulating film 23y formed by CVD at a high temperature have high coverage characteristics, and can easily overcome such a step. Enhanced.
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of the display device manufacturing apparatus according to the first embodiment.
  • the display device manufacturing apparatus 70 includes a film forming apparatus 76, a cutting apparatus 77, a mounting apparatus 80, and a controller 72 that controls these apparatuses.
  • the film forming apparatus 76 performs steps S4a to S4e in FIG.
  • FIG. 7 is a flowchart illustrating a light emitting element layer forming process according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a process cross-sectional view illustrating the light emitting element layer forming step of the second embodiment.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of the display device according to the second embodiment.
  • step S3x an organic planarization film 21 that is a base of the pixel portion and covers the terminal TM in the inactive area is formed, and the active region is formed.
  • a contact hole CH (for connecting the first electrode and the TFT) is formed in the organic planarization film 21.
  • the terminal TM is formed by the same process (that is, in the same layer) as the source / drain electrodes S and D of the TFT (unlike FIG. 3).
  • the terminal TM has, for example, a laminated structure in which an Al (aluminum) film is sandwiched between two layers of Ti (titanium) film.
  • the electrode material ML for example, ITO, silver alloy, ITO conductive laminated film
  • the electrode material ML is formed and then patterned to form the first electrode 22.
  • S4a since the terminal TM is covered with the organic planarizing film 21, it is not damaged when the first electrode 22 is etched.
  • the organic planarization film 21 in the inactive region is patterned. Thereby, the base portions of the convex structure TK and the cover body CT shown in FIG. 9A are formed, and the organic planarizing film 21 on the terminal TM is removed. Note that the other end of the terminal wiring TW whose one end is connected to the terminal TM is covered with a base portion (organic planarization film 21) of the cover body CT.
  • an inorganic insulating film 23 is formed to cover the first electrode 22, the base portions of the convex structure TK and the cover body CT, and the terminals TM.
  • the inorganic insulating film 23 is patterned. Thereby, in the active region, a bank (pixel partition wall) is formed by the first inorganic insulating film 23x. In the non-active region, as shown in FIG. 9A, the second inorganic insulating film 23y covering the base of the convex structure TK and the fourth inorganic insulating covering the base (organic planarization film 21) of the cover body CT. A film 23k is formed.
  • a part of the upper surface of the terminal TM is exposed by removing a part of the inorganic insulating film 23 covering the terminal TM, and a third inorganic insulating film 23z covering the end surface of the terminal TM is formed. It is formed.
  • the first inorganic insulating film 23x, the second inorganic insulating film 23y, the third inorganic insulating film 23z, and the fourth inorganic insulating film 23k are formed by the same process (film formation and patterning).
  • the cover body CT (the organic flattening film 21 and the fourth inorganic insulating film 23k covering it), the first inorganic sealing layer 26, and the second inorganic seal are formed on the terminal wiring TW connected to the terminal TM.
  • a stop layer 28 is laminated. The edge of the adhesive layer 38 overlaps with the fourth inorganic insulating film 23k.
  • the terminal wiring TW is connected to the relay wiring LW through a contact hole Hf overlapping the cover body CT.
  • the contact hole Hf penetrates the inorganic insulating film 20, and the relay wiring LW is formed in the same layer as the capacitor wiring C (that is, on the inorganic insulating film 18).
  • the relay line LW is connected to a lead line DW drawn from the active area DA of the TFT layer 4 via a contact hole Hg formed on the active area DA side of the contact hole Hf.
  • the contact hole Hg penetrates the inorganic insulating film 20, and the lead wiring DW is formed in the same layer as the terminal wiring TW, the source wiring S, and the drain wiring D (that is, on the inorganic insulating film 20).
  • the terminal TM since the terminal TM is covered with the organic planarizing film 21 when the first electrode 22 is formed, it is not damaged by the etchant.
  • the edge of the terminal TM can be covered with the third inorganic insulating film 23z (thinner than the organic film), the reliability of mounting the IC chip or the FPC is improved.
  • the base portions of the convex structure TK and the cover body CT are formed by the organic planarizing film 21, but the present invention is not limited to this.
  • the organic planarizing film 21 in the inactive region can be removed, and the cover body CT can be configured by only the fourth inorganic insulating film 23k as shown in FIG.
  • the electro-optic element included in the display device according to the present embodiment is not particularly limited.
  • a display device for example, an organic EL (Electro Luminescence) display including an OLED (Organic Light Emitting Diode) as an electro-optical element, an inorganic EL display including an inorganic light-emitting diode as an electro-optical element, Examples of the electro-optical element include a QLED display provided with a QLED (Quantum dot Light Emitting Diode).
  • a display device including a light emitting element layer including a first electrode, an EL layer, and a second electrode in an active region, the display device including a first inorganic insulating film that covers an edge of the first electrode.
  • Aspect 2 The display device according to Aspect 1, for example, wherein an organic flattening film is provided below the first inorganic insulating film.
  • Aspect 3 An organic sealing film and an inorganic sealing film are provided, the sealing layer covering the light emitting element layer is provided, and an end surface of the organic planarization film overlaps with the organic sealing film, and the first inorganic insulation
  • a convex structure is provided in the inactive region, and at least a part of the convex structure is composed of a second inorganic insulating film formed in the same layer as the first inorganic insulating film.
  • Aspect 5 The display device according to Aspect 4, for example, wherein at least a part of the convex structure is formed of the organic planarizing film.
  • Aspect 6 The display device according to Aspect 5, for example, in which the upper surface of the organic planarizing film is covered with the second inorganic insulating film in the convex structure.
  • Aspect 7 The display device according to Aspect 6, for example, wherein in the convex structure, at least a part of an end face of the organic planarization film is covered with the second inorganic insulating film.
  • Aspect 8 An organic sealing film and an inorganic sealing film are provided, the sealing layer covering the light emitting element layer is provided, and the inorganic sealing film covers the upper surface and the outer end surface of the convex structure, for example, 8.
  • the display device according to any one of items 7.
  • Aspect 9 The display device according to Aspect 8, for example, wherein an edge of the organic sealing film overlaps with the convex structure or is located inside the convex structure.
  • Aspect 10 The display device according to Aspect 9, for example, wherein the surface of the convex structure is formed of the second inorganic insulating film.
  • a terminal is provided in an inactive region, and an end face of the terminal is covered with a third inorganic insulating film formed in the same layer as the first inorganic insulating film.
  • a third inorganic insulating film formed in the same layer as the first inorganic insulating film.
  • Aspect 12 The display device according to Aspect 11, for example, wherein the active region includes a TFT electrically connected to the first electrode, and the terminal and the conductive electrode of the TFT are formed in the same layer.
  • Aspect 13 The display device according to Aspect 11 or 12, for example, wherein one end includes a terminal wiring connected to the terminal, and the other end of the terminal wiring is covered with a cover body.
  • Aspect 14 The display device according to Aspect 13, for example, wherein at least a part of the cover body is composed of a fourth inorganic insulating film formed in the same layer as the first inorganic insulating film.
  • Aspect 15 The display device according to any one of aspects 1 to 14, for example, wherein the first inorganic insulating film is made of silicon nitride or a photosensitive inorganic SOG material.
  • Aspect 16 The display device according to any one of aspects 1 to 15, for example, wherein the first electrode includes a conductive base film, a light reflecting film, and a light transmitting film.
  • Aspect 17 The display device according to Aspect 16, for example, wherein the base film and the light transmission film are made of ITO.
  • Aspect 18 The display device according to any one of Aspects 1 to 17, for example, wherein the first inorganic insulating film forms a bank separating pixels.
  • Aspect 19 The display device according to Aspect 18, for example, wherein the first electrode is an anode electrode of an OLED.
  • Aspect 20 The display device according to Aspect 18, for example, including an EL layer in contact with the upper surface of the first electrode.
  • Aspect 21 The display device according to Aspect 20, for example, wherein the EL layer covers an inclined surface inside the bank.
  • Aspect 23 The method for manufacturing a display device according to Aspect 22, for example, in which an organic planarizing film is formed under the first inorganic insulating film.
  • a display device for example, in which a convex structure composed of a second inorganic insulating film formed at least partially in the same process as the first inorganic insulating film is formed in an inactive region Manufacturing method.
  • Aspect 25 The display device manufacturing method according to Aspect 24, for example, wherein at least a part of the convex structure is formed of the organic planarizing film.
  • Aspect 26 The method for manufacturing a display device according to Aspect 25, for example, in which the upper surface of the organic planarizing film is covered with the second inorganic insulating film in the convex structure.
  • Aspect 27 In the convex structure, for example, the display device manufacturing method according to Aspect 26, wherein at least part of the end face of the organic planarization film is covered with the second inorganic insulating film.
  • a sealing layer including an organic sealing film and an inorganic sealing film is formed so as to cover the light emitting element layer, and the inorganic sealing film covers an upper surface and an outer end surface of the convex structure.
  • Aspect 29 The first inorganic insulating film, the second inorganic insulating film, and the inorganic sealing film are formed by a CVD method, and the first inorganic insulating film and the second inorganic insulating film are formed more than the inorganic sealing film.
  • Aspect 30 A method for manufacturing a display device according to Aspect 23, for example, wherein a terminal is formed in an inactive region, and an end surface of the terminal is covered with a third inorganic insulating film formed by the same process as the first inorganic insulating film.
  • Aspect 31 The display according to Aspect 30, for example, wherein the first electrode is formed in a state where the end face of the terminal is covered with the organic flattening film, and then the organic flattening film covering the end face of the terminal is removed. Device manufacturing method.
  • Aspect 32 The display device manufacturing method according to Aspect 30, for example, in which a TFT electrically connected to the first electrode is formed in an active region, and the terminal and the conductive electrode of the TFT are formed in the same process.
  • Aspect 33 The method for manufacturing a display device according to any one of Aspects 22 to 32, wherein the first inorganic insulating film is formed of silicon nitride or a photosensitive inorganic SOG material.
  • Aspect 34 A method for manufacturing a display device according to Aspect 33, for example, in which the surface of the first electrode is formed of ITO.
  • a display device manufacturing apparatus in which a light emitting element layer including a first electrode, an EL layer, and a second electrode is provided in an active region, wherein a first inorganic insulating film covering an edge of the first electrode is formed Display device manufacturing equipment.
  • Aspect 37 For example, a controller that controls the film forming apparatus according to aspect 36 to form a first inorganic insulating film that covers an edge of the first electrode.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, a new technical feature can be formed by combining the technical means disclosed in each embodiment.

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Abstract

アクティブ領域（ＤＡ）に第１電極（２２）とＥＬ層（２４）と第２電極（２５）とを含む発光素子層（５）が設けられた表示デバイスであって、前記第１電極のエッジを覆う無機絶縁膜（２３）を含む。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置、コントローラ
　本発明は、表示デバイスに関する。
　特許文献１には、有機ＥＬパネルにおいて、下層電極のエッジを覆うバンクと、バンク内に形成される有機層（発光層含む）と、有機層を覆う下層電極とを含むサブピクセル構造が開示されている。
日本国公開特許公報「特開２０１６－１８８４９号（２０１６年２月１日公開）」
　特許文献１の構成では、バンクの下側あるいはバンクの側面方向から水分等の異物が侵入し、発光層に悪影響を及ぼすおそれがある。
　本発明の一態様に係る表示デバイスは、アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子が設けられた表示デバイスであって、前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を含む。
　本発明の一態様によれば、第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜をバンクとして機能させることができ、水分等の異物のＥＬ層への侵入を効果的に抑制することができる。
表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。 本実施形態の表示デバイスの構成例（アクティブ領域）を示す断面図である。 実施形態１の表示デバイスの構成例（非アクティブ領域）を示す断面図である。 実施形態１の発光素子層形成工程を示すフローチャートである。 実施形態１の表示デバイスの効果の一例を示す断面図である。 本実施形態の表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。 実施形態２の発光素子層形成工程を示すフローチャートである。 実施形態２の発光素子層形成工程を示すプロセス断面図である。 実施形態２の表示デバイスの構成例（非アクティブ領域）を示す断面図である。 図８の発光素子層形成工程の変形例を示すプロセス断面図である。
　図１は、表示デバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。図２（ａ）は、実施形態１の表示デバイスの構成例を示す断面図であり、図２（ｂ）は第１電極の構成例を示す断面図である。図３は、実施形態１の表示デバイスの構成例（非アクティブ領域）を示す断面図である。
　図１（ａ）および図２に示すように、まず、基材１０上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、バリア層３を形成する（ステップＳ２）。次いで、ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０および有機平坦化膜２１を含むＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。次いで、発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。次いで、無機封止膜２６・２８および有機封止膜２７を含む封止層６を形成し、積層体７とする（ステップＳ５）。次いで、基材１０とともに積層体７を分断し、個片化する（ステップＳ７）。次いで、接着層３８を介して機能フィルム３９を貼り付ける（ステップＳ８）。次いで、ＴＦＴ層４の端部に電子回路基板を実装する（ステップＳ９）。これにより、図２に示す表示デバイス２を得る。なお、前記各ステップは表示デバイスの製造装置が行う。
　なお、フレキシブルな表示デバイスを製造する場合には、図１（ｂ）および図２に示すように、ガラス基板上に積層体７を形成しておき、前記積層体７上に接着層を介して上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６ａ）。次いで、ガラス基板越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射する（ステップＳ６ｂ）。ここでは、樹脂層１２の下面（ガラス基板１０との界面）がアブレーションによって変質し、樹脂層１２およびガラス基材間の結合力が低下する。次いで、ガラス基板を樹脂層１２から剥離する（ステップＳ６ｃ）。次いで、樹脂層１２の下面に、接着層を介して基材１０（例えば、ＰＥＴ等で構成された下面フィルム）を貼り付ける（ステップＳ６ｄ）。その後上記ステップＳ７に移行する。
　樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、ポリアミド等が挙げられる。下面フィルム１０の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が挙げられる。
　バリア層３は、表示デバイスの使用時に、水分や不純物が、ＴＦＴ層４や発光素子層５に到達することを防ぐ層であり、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。無機バリア層３の厚さは、例えば、５０ｎｍ～１５００ｎｍである。
　ＴＦＴ層４は、半導体膜１５と、半導体膜１５の上側に形成されるゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６の上側に形成されるゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇの上側に形成されるパッシベーション膜１８・２０と、パッシベーション膜１８の上側に形成される容量電極Ｃおよび端子ＴＭと、パッシベーション膜２０の上側に形成される、ソース電極Ｓ、およびドレイン電極Ｄと、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄの上側に形成される有機平坦化膜２１とを含む。半導体膜１５、ゲート絶縁膜１６、ゲート電極Ｇ、パッシベーション膜１８・２０、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する。ＴＦＴ層４の非アクティブ領域（発光素子層５と重ならない領域）には、ＩＣチップ、ＦＰＣ等の電子回路基板との接続に用いられる複数の端子ＴＭが形成される。端子ＴＭのエッジはパッシベーション膜２０で覆われている。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＰＴＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。ゲート絶縁膜１６は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。ゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、および端子は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。なお、図２では、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造でもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート絶縁膜１６およびパッシベーション膜１８・２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。有機平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、有機平坦化膜２１の上側に形成される第１電極２２（例えば、アノード電極）と、アクティブ領域ＤＡ（表示領域）のサブピクセルを規定する第１無機絶縁膜２３ｘと、第１電極２２の上側に形成されるＥＬ（electroluminescence）層２４と、ＥＬ層２４の上側に形成される第２電極２５とを含み、第１電極２２、ＥＬ層２４、および第２電極２５によって発光素子（例えば、有機発光ダイオード）が構成される。
　第１無機絶縁膜２３ｘは、例えば、ＣＶＤ法を用いて成膜した、窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜、酸化シリコン膜の少なくとも１つを含む無機膜をフォトリソグラフィ法によってパターニングすることで形成することができる。なお、塗布した感光性の無機ＳＯＧ（スピンオンガラス）材料を後フォトリソグラフィ法によってパターニングすることでも形成できる。第１無機絶縁膜２３ｘは、第１電極２２のエッジを覆うバンク（画素隔壁）として機能する。
　非アクティブ領域ＮＡには、凸状構造体（液滴止め）ＴＫが設けられる。凸状構造体ＴＫは有機封止膜２７（例えば、インクジェット方式で形成される）のエッジを規定する。凸状構造体ＴＫは、有機平坦化膜２１とこれを覆う第２無機絶縁膜２３ｙとを含んで構成される。第１無機絶縁膜２３ｘおよび第２無機絶縁膜２３ｙは同層に形成（すなわち、同一プロセスで形成）される。
　ＥＬ層２４は、隔壁２３ｃによって囲まれた領域（サブピクセル領域）に、蒸着法あるいはインクジェット法によって形成される。発光素子層５が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）層である場合、ＥＬ層２４は、例えば、下層側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を積層することで構成される。
　第１電極（陽極）２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。第２電極（例えば、カソード電極）２５は、共通電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透明金属で構成することができる。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、第１電極２２および第２電極２５間の駆動電流によって正孔と電子がＥＬ層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。
　発光素子層５は、ＯＬＥＤ素子を構成する場合に限られず、無機発光ダイオードあるいは量子ドット発光ダイオードを構成してもよい。
　封止層６は、第１無機絶縁膜２３ｘおよび第２無機絶縁膜２３ｙ並びに第２電極２５を覆う第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６を覆う有機封止膜２７と、有機封止膜２７を覆う第２無機封止膜２８とを含む。
　第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８はそれぞれ、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８よりも厚い、透光性の有機絶縁膜であり、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。例えば、このような有機材料を含むインクを第１無機封止膜２６上にインクジェット塗布した後、ＵＶ照射により硬化させる。封止層６は、発光素子層５を覆い、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防いでいる。
　機能フィルム３９は、例えば、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有する。電子回路基板は、例えば、複数の端子ＴＭ上に実装されるＩＣチップあるいはフレキシブルプリント基板である。
　〔実施形態１〕
　図４は、発光素子層形成工程を示すフローチャートである。図２～図４に示すように、図４のステップＳ３ｘでは、ＥＬ素子層５の下地となる有機平坦化膜２１を形成する。このとき、非アクティブ領域ＮＡでは、凸状構造体ＴＫおよびカバー体ＣＴそれぞれの土台部分が有機平坦化膜２１によって形成される。
　次いで、有機平坦化膜２１上に、第１電極２２を成膜およびパターニングする（ステップＳ４ａ）。第１電極２２は島状であり、光反射性を有する。図２（ｂ）に示すように、第１電極２２は、導電性の、ベース膜２２ａおよび光反射膜２２ｂ並びに光透過膜２２ｃからなる。なお、ベース膜２２ａおよび光透過膜２２ｃは、例えばＩＴＯで構成される。
　次いで、第１電極２２の上層に無機絶縁膜（例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、ＳｉＣＯ、ＳｉＣＮの単膜あるいはこれらを２種以上含む積層膜）を、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法によって成膜する（ステップＳ４ｂ）。次いで、前記無機絶縁膜を、フォトリソグラフィによってパターニングする（ステップＳ４ｃ）。
　これにより、島状の第１電極２２のエッジを覆うバンクとして機能する第１無機絶縁膜２３ｘが形成される。なお、第１電極２２の上面の非エッジ部は、第１無機絶縁膜２３ｘで覆われることなく露出している。ステップＳ４ｃでは、非アクティブ領域ＮＡに、凸状構造体ＴＫの土台部分（有機平坦化膜２１）の上面および端面を覆う第２無機絶縁膜２３ｙと、カバー体ＣＴの土台部分（有機平坦化膜２１）の上面および端面を覆う第４無機絶縁膜２３ｋとが形成される。
　次いで、蒸着によりＥＬ層２４を形成する（ステップＳ４ｄ）。これにより、ＥＬ層２４が、第１無機絶縁膜２３ｘで構成されたバンクの内面（傾斜面）に沿い、バンクの底面にて、第１電極２２の上面（ＩＴＯ）の非エッジ部とＥＬ層２４とが接触する。
　次いで、第２電極を、マスクを用いたスパッタリング等で形成する（ステップＳ４ｅ）。これにより、アクティブ領域の複数のサブピクセルそれぞれに、第１電極２２、第１無機絶縁膜２３ｘ、ＥＬ層２４および第２電極２５を含む発光素子（ＥＬ素子）を形成することができる。なお、第２電極は、いわゆるベタ電極であり、複数のサブピクセルで共有される。
　次いで、第１無機封止層２６をマスクを用いたＣＶＤ法でパターン形成する（ステップＳ５ａ）。次いで、有機封止層２７をインクジェット法で塗布形成する（ステップＳ５ｂ）。次いで、第２無機封止層２８をマスクを用いたＣＶＤ法でパターン形成する（ステップＳ５ｃ）。
　第１無機封止膜２６は凸状構造体ＴＫの上面および両端面を覆うように形成される。また、第２無機封止膜２８は、第１無機封止膜２６を介して凸状構造体ＴＫの上面および凸状構造体ＴＫの外側（表示デバイスのエッジ側）の端面を覆うように形成される。また、有機封止膜２７のエッジは、凸状構造体ＴＫと重なるかあるいは凸状構造体ＴＫよりも内側（アクティブ領域側）に形成される。凸状構造体ＴＫの表面（上面および端面）は、第２無機絶縁膜２３ｙで形成されている。また、有機平坦化膜２１の端面で有機封止膜２７と重なる部分２１ｅは、第１無機絶縁膜２３ｘあるいは第２無機絶縁膜２３ｙで覆われている。
　ステップＳ５ａ（第１無機封止層２６の成膜）およびステップＳ５ｃ（第２無機封止膜２８の成膜）は、ステップＳ４ｂ（第１電極２２を覆う第１無機絶縁膜１２ｘの成膜）よりも低温下（例えば、１００°以下）で行う。
　実施形態１の表示デバイスでは、図５（ａ）の矢印のような経路で画素部に浸入する異物（水分等）を第１無機絶縁膜２３ｘによって遮断することができる。また、図５（ｂ）の矢印のような経路で凸状構造体ＴＫに浸入する異物（水分等）を第２無機絶縁膜２３ｙによって遮断することができる。
　また、第１電極のエッジを覆うバンクをポリイミド等の高価な有機材料で構成する場合と比較して製造コストを抑えることもできる。第１無機絶縁膜２３ｘおよび第２無機絶縁膜２３ｙは、ＥＬ層２４の蒸着工程前に形成するため、高温成膜（２００°以上）が可能であり、バリア性能の高い緻密な膜を得ることができる。
　また、有機平坦化膜２１の端面で有機封止膜２７と重なる部分２１ｅが第１無機絶縁膜２３ｘあるいは第２無機絶縁膜２３ｙで覆われている。低温（例えば、８０～１２０°程度）下でＣＶＤ形成される無機封止膜２６・２８はカバレッジ性が低く、有機平坦化膜２１（平坦化膜）の段差を乗り越えにくい場合がある。しかし、高温（例えば、３００～３５０°程度）下でＣＶＤ形成される第１無機絶縁膜２３ｘおよび第２無機絶縁膜２３ｙはカバレッジ性が高く、このような段差を乗り越え易いため、封止性能が高められる。
　図６は、実施形態１の表示デバイス製造装置の構成を示すブロック図である。図６に示すように、表示デバイス製造装置７０は、成膜装置７６と、分断装置７７と、実装装置８０と、これらの装置を制御するコントローラ７２とを含んでおり、コントローラ７２の制御を受けた成膜装置７６が図４のステップＳ４ａ～ステップＳ４ｅを行う。
　〔実施形態２〕
　図７は、実施形態２の発光素子層形成工程を示すフローチャートである。図８は、実施形態２の発光素子層形成工程を示すプロセス断面図である。図９は、実施形態２の表示デバイスの構成例を示す断面図である。
　実施形態２では、図７・図８（ａ）に示すように、ステップＳ３ｘで、画素部の下地であり、また非アクティブエリアの端子ＴＭを覆う有機平坦化膜２１を成膜し、アクティブ領域の有機平坦化膜２１にコンタクトホールＣＨ（第１電極とＴＦＴを接続するためのもの）を形成する。なお、端子ＴＭは、（図３とは違って）ＴＦＴのソース・ドレイン電極Ｓ・Ｄと同一プロセスで（すなわち、同一層に）形成する。端子ＴＭは、例えば、２層のＴｉ（チタン）膜でＡｌ（アルミニウム）膜をサンドした積層構造である。
　次いで、図７・図８（ｂ）（ｃ）に示すように、電極材料ＭＬ（例えば、ＩＴＯ、銀合金、ＩＴＯの導電性積層膜）を成膜後にパターニングを行い、第１電極２２を形成する（Ｓ４ａ）。なお、端子ＴＭは有機平坦化膜２１によって覆われているため、第１電極２２のエッチング時にダメージを受けない。
　次いで、図７・図８（ｄ）に示すように、非アクティブ領域の有機平坦化膜２１をパターニングする。これにより、図９（ａ）に示す、凸状構造体ＴＫおよびカバー体ＣＴそれぞれの土台部分が形成され、端子ＴＭ上の有機平坦化膜２１は除去される。なお、一端が端子ＴＭに繋がる端子配線ＴＷの他端は、カバー体ＣＴの土台部分（有機平坦化膜２１）によって覆われる。
　次いで、図７・図８（ｅ）に示すように、第１電極２２、凸状構造体ＴＫおよびカバー体ＣＴそれぞれの土台部分並びに端子ＴＭを覆う無機絶縁膜２３を成膜する。
　次いで、図７・図８（ｆ）に示すように、無機絶縁膜２３をパターニングする。これにより、アクティブ領域では第１無機絶縁膜２３ｘによってバンク（画素隔壁）が形成される。非アクティブ領域では、図９（ａ）に示すように、凸状構造体ＴＫの土台を覆う第２無機絶縁膜２３ｙと、カバー体ＣＴの土台（有機平坦化膜２１）を覆う第４無機絶縁膜２３ｋが形成される。さらに、非アクティブ領域では、端子ＴＭを覆う無機絶縁膜２３の一部が除去されることで、端子ＴＭ上の上面の一部が露出し、端子ＴＭの端面を覆う第３無機絶縁膜２３ｚが形成される。
　すなわち、第１無機絶縁膜２３ｘ、第２無機絶縁膜２３ｙ、第３無機絶縁膜２３ｚおよび第４無機絶縁膜２３ｋは同一プロセス（成膜およびパターニング）で形成される。
　また、図９では、端子ＴＭに繋がる端子配線ＴＷ上に、カバー体ＣＴ（有機平坦化膜２１とこれを覆う第４無機絶縁膜２３ｋ）、第１無機封止層２６、および第２無機封止層２８が積層されている。接着層３８のエッジは第４無機絶縁膜２３ｋと重なる。
　端子配線ＴＷは、カバー体ＣＴと重なるコンタクトホールＨｆを介して、中継配線ＬＷに接続されている。コンタクトホールＨｆは無機絶縁膜２０を貫通し、中継配線ＬＷは容量配線Ｃと同層に（すなわち、無機絶縁膜１８上に）形成される。中継配線ＬＷは、コンタクトホールＨｆよりもアクティブ領域ＤＡ側に形成されたコンタクトホールＨｇを介して、ＴＦＴ層４のアクティブ領域ＤＡから引き出された引き出し配線ＤＷに接続されている。コンタクトホールＨｇは、無機絶縁膜２０を貫通し、引き出し配線ＤＷは、端子配線ＴＷ、ソース配線Ｓおよびドレイン配線Ｄと同層に（すなわち、無機絶縁膜２０上に）形成される。
　実施形態２によれば、第１電極２２の形成時に端子ＴＭは有機平坦化膜２１によって覆われているため、エッチャントによるダメージを受けない。また、端子ＴＭは（有機膜よりも薄い）第３無機絶縁膜２３ｚでエッジが覆われる構成とすることができるため、ＩＣチップやＦＰＣの実装の信頼性が高められる。
　なお、図８（ｄ）・図９（ａ）では、凸状構造体ＴＫおよびカバー体ＣＴそれぞれの土台部分を有機平坦化膜２１で形成しているがこれに限定されない。図１０（ｄ）において非アクティブ領域の有機平坦化膜２１を除去し、図１０（ｆ）のように、カバー体ＣＴを第４無機絶縁膜２３ｋだけで構成することもできる。
　本実施形態にかかる表示デバイスが備える電気光学素子は特に限定されるものではない。表示デバイスとしては、例えば、電気光学素子としてＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えた有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイ、電気光学素子として無機発光ダイオードを備えた無機ＥＬディスプレイ、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えたＱＬＥＤディスプレイ等が挙げられる。
　〔まとめ〕
　態様１：アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスであって、前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を含む表示デバイス。
　態様２：前記第１無機絶縁膜よりも下層に有機平坦化膜が設けられている例えば態様１に記載の表示デバイス。
　態様３：有機封止膜および無機封止膜を含み、前記発光素子層を覆う封止層を備え、前記有機平坦化膜の端面は、前記有機封止膜と重なり、かつ前記第１無機絶縁膜によって覆われている例えば態様２に記載の表示デバイス。
　態様４：非アクティブ領域に凸状構造体が設けられ、前記凸状構造体の少なくとも一部が、前記第１無機絶縁膜と同層に形成された第２無機絶縁膜で構成されている例えば態様２に記載の表示デバイス。
　態様５：前記凸状構造体の少なくとも一部が、前記有機平坦化膜で形成されている例えば態様４に記載の表示デバイス。
　態様６：前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の上面が前記第２無機絶縁膜で覆われている例えば態様５に記載の表示デバイス。
　態様７：前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の端面の少なくとも一部が前記第２無機絶縁膜で覆われている例えば態様６に記載の表示デバイス。
　態様８：有機封止膜および無機封止膜を含み、前記発光素子層を覆う封止層を備え、前記無機封止膜が、前記凸状構造体の上面および外側端面を覆う例えば態様４～７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様９：前記有機封止膜のエッジが前記凸状構造体と重なるかあるいは前記凸状構造体よりも内側に位置する例えば態様８に記載の表示デバイス。
　態様１０：前記凸状構造体の表面が前記第２無機絶縁膜で形成されている例えば態様９に記載の表示デバイス。
　態様１１：非アクティブ領域に端子が設けられ、前記端子の端面が、前記第１無機絶縁膜と同層に形成された第３無機絶縁膜で覆われている例えば態様１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様１２：アクティブ領域に、前記第１電極と電気的に接続するＴＦＴを含み、前記端子と前記ＴＦＴの導通電極とが同層に形成されている例えば態様１１に記載の表示デバイス。
　態様１３：一端が前記端子に繋がる端子配線を含み、前記端子配線の他端が、カバー体で覆われている例えば態様１１または１２に記載の表示デバイス。
　態様１４：前記カバー体の少なくとも一部が、前記第１無機絶縁膜と同層に形成された第４無機絶縁膜で構成されているる例えば態様１３に記載の表示デバイス。
　態様１５：前記第１無機絶縁膜が、窒化シリコンあるいは感光性の無機ＳＯＧ材料で構成されている例えば態様１～１４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様１６：前記第１電極は、導電性の、ベース膜および光反射膜並びに光透過膜を含む例えば態様１～１５のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様１７：前記ベース膜および前記光透過膜はＩＴＯで構成されている例えば態様１６に記載の表示デバイス。
　態様１８：前記第１無機絶縁膜が画素間を隔てるバンクを形成している例えば態様１～１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
　態様１９：前記第１電極はＯＬＥＤのアノード電極である例えば態様１８に記載の表示デバイス。
　態様２０：前記第１電極の上面に接するＥＬ層を含む例えば態様１８に記載の表示デバイス。
　態様２１：前記ＥＬ層が、前記バンク内側の傾斜面を覆う例えば態様２０に記載の表示デバイス。
　態様２２：アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスの製造方法であって、前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成する表示デバイスの製造方法。
　態様２３：前記第１無機絶縁膜の下層に有機平坦化膜を形成する例えば態様２２に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２４：非アクティブ領域に、少なくとも一部が、前記第１無機絶縁膜と同一プロセスで形成された第２無機絶縁膜で構成された凸状構造体を形成する例えば態様２３に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２５：前記凸状構造体の少なくとも一部を前記有機平坦化膜で形成する例えば態様２４に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２６：前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の上面を前記第２無機絶縁膜で覆う例えば態様２５に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２７：前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の端面の少なくとも一部を前記第２無機絶縁膜で覆う例えば態様２６に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２８：有機封止膜および無機封止膜を含む封止層を、前記発光素子層を覆うように形成し、前記無機封止膜が、前記凸状構造体の上面および外側端面を覆う例えば態様２４～２７のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様２９：前記第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜並びに前記無機封止膜をＣＶＤ法により成膜し、前記第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜を、前記無機封止膜よりも高温下で成膜する例えば態様２８に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３０：非アクティブ領域に端子を形成し、前記端子の端面を、前記第１無機絶縁膜と同一プロセスで形成された第３無機絶縁膜で覆う例えば態様２３に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３１：前記端子の端面を前記有機平坦化膜で覆った状態で前記第１電極を形成し、その後に、前記端子の端面を覆う前記有機平坦化膜を除去する例えば態様３０に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３２：アクティブ領域に、前記第１電極と電気的に接続するＴＦＴを形成し、前記端子と前記ＴＦＴの導通電極とを同一プロセスで形成する例えば態様３０に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３３：前記第１無機絶縁膜を、窒化シリコンあるいは感光性の無機ＳＯＧ材料で形成する例えば態様２２～３２のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３４：前記第１電極の表面をＩＴＯで形成する例えば態様３３に記載の表示デバイスの製造方法。
　態様３５：アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスの製造装置であって、前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成する表示デバイスの製造装置。
　態様３６：アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスの製造に用いられる成膜装置であって、前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成する成膜装置。
　態様３７：例えば態様３６記載の成膜装置に対して、前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成させる制御を行うコントローラ。
　本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　２　　表示デバイス
　４　　ＴＦＴ層
　５　　発光素子層
　６　　封止層
　１０　基材
　１２　樹脂層
　　２１　有機平坦化膜
　２２　第１電極
　２３ｘ　第１無機絶縁膜
　２３ｙ　第２無機絶縁膜
　２３ｚ　第３無機絶縁膜
　２３ｋ　第４無機絶縁膜
　２４　ＥＬ層
　２５　第２電極
　２６　第１無機封止膜
　２７　有機封止膜
　２８　第２無機封止膜
　７０　表示デバイス製造装置
　７６　成膜装置
　ＴＫ　凸状構造体
　ＣＴ　カバー体
　

Claims (37)

  1. 　アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスであって、
    　前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を含む表示デバイス。
  2. 　前記第１無機絶縁膜よりも下層に有機平坦化膜が設けられている請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　有機封止膜および無機封止膜を含み、前記発光素子層を覆う封止層を備え、
    　前記有機平坦化膜の端面は、前記有機封止膜と重なり、かつ前記第１無機絶縁膜によって覆われている請求項２に記載の表示デバイス。
  4. 　非アクティブ領域に凸状構造体が設けられ、
    　前記凸状構造体の少なくとも一部が、前記第１無機絶縁膜と同層に形成された第２無機絶縁膜で構成されている請求項２に記載の表示デバイス。
  5. 　前記凸状構造体の少なくとも一部が、前記有機平坦化膜で形成されている請求項４に記載の表示デバイス。
  6. 　前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の上面が前記第２無機絶縁膜で覆われている請求項５に記載の表示デバイス。
  7. 　前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の端面の少なくとも一部が前記第２無機絶縁膜で覆われている請求項６に記載の表示デバイス。
  8. 　有機封止膜および無機封止膜を含み、前記発光素子層を覆う封止層を備え、
    　前記無機封止膜が、前記凸状構造体の上面および外側端面を覆う請求項４～７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  9. 　前記有機封止膜のエッジが前記凸状構造体と重なるかあるいは前記凸状構造体よりも内側に位置する請求項８に記載の表示デバイス。
  10. 　前記凸状構造体の表面が前記第２無機絶縁膜で形成されている請求項９に記載の表示デバイス。
  11. 　非アクティブ領域に端子が設けられ、
    　前記端子の端面が、前記第１無機絶縁膜と同層に形成された第３無機絶縁膜で覆われている請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  12. 　アクティブ領域に、前記第１電極と電気的に接続するＴＦＴを含み、
    　前記端子と前記ＴＦＴの導通電極とが同層に形成されている請求項１１に記載の表示デバイス。
  13. 　一端が前記端子に繋がる端子配線を含み、
    　前記端子配線の他端が、カバー体で覆われている請求項１１または１２に記載の表示デバイス。
  14. 　前記カバー体の少なくとも一部が、前記第１無機絶縁膜と同層に形成された第４無機絶縁膜で構成されているる請求項１３に記載の表示デバイス。
  15. 　前記第１無機絶縁膜が、窒化シリコンあるいは感光性の無機ＳＯＧ材料で構成されている請求項１～１４のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  16. 　前記第１電極は、導電性の、ベース膜および光反射膜並びに光透過膜を含む請求項１～１５のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  17. 　前記ベース膜および前記光透過膜はＩＴＯで構成されている請求項１６に記載の表示デバイス。
  18. 　前記第１無機絶縁膜が画素間を隔てるバンクを形成している請求項１～１７のいずれか１項に記載の表示デバイス。
  19. 　前記第１電極はＯＬＥＤのアノード電極である請求項１８に記載の表示デバイス。
  20. 　前記第１電極の上面に接するＥＬ層を含む請求項１８に記載の表示デバイス。
  21. 　前記ＥＬ層が、前記バンク内側の傾斜面を覆う請求項２０に記載の表示デバイス。
  22. 　アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスの製造方法であって、
    　前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成する表示デバイスの製造方法。
  23. 　前記第１無機絶縁膜の下層に有機平坦化膜を形成する請求項２２に記載の表示デバイスの製造方法。
  24. 　非アクティブ領域に、少なくとも一部が、前記第１無機絶縁膜と同一プロセスで形成された第２無機絶縁膜で構成された凸状構造体を形成する請求項２３に記載の表示デバイスの製造方法。
  25. 　前記凸状構造体の少なくとも一部を前記有機平坦化膜で形成する請求項２４に記載の表示デバイスの製造方法。
  26. 　前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の上面を前記第２無機絶縁膜で覆う請求項２５に記載の表示デバイスの製造方法。
  27. 　前記凸状構造体においては、前記有機平坦化膜の端面の少なくとも一部を前記第２無機絶縁膜で覆う請求項２６に記載の表示デバイスの製造方法。
  28. 　有機封止膜および無機封止膜を含む封止層を、前記発光素子層を覆うように形成し、
    　前記無機封止膜が、前記凸状構造体の上面および外側端面を覆う請求項２４～２７のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  29. 　前記第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜並びに前記無機封止膜をＣＶＤ法により成膜し、
    　前記第１無機絶縁膜および第２無機絶縁膜を、前記無機封止膜よりも高温下で成膜する請求項２８に記載の表示デバイスの製造方法。
  30. 　非アクティブ領域に端子を形成し、
    　前記端子の端面を、前記第１無機絶縁膜と同一プロセスで形成された第３無機絶縁膜で覆う請求項２３に記載の表示デバイスの製造方法。
  31. 　前記端子の端面を前記有機平坦化膜で覆った状態で前記第１電極を形成し、その後に、前記端子の端面を覆う前記有機平坦化膜を除去する請求項３０に記載の表示デバイスの製造方法。
  32. 　アクティブ領域に、前記第１電極と電気的に接続するＴＦＴを形成し、
    　前記端子と前記ＴＦＴの導通電極とを同一プロセスで形成する請求項３０に記載の表示デバイスの製造方法。
  33. 　前記第１無機絶縁膜を、窒化シリコンあるいは感光性の無機ＳＯＧ材料で形成する請求項２２～３２のいずれか１項に記載の表示デバイスの製造方法。
  34. 　前記第１電極の表面をＩＴＯで形成する請求項３３に記載の表示デバイスの製造方法。
  35. 　アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスの製造装置であって、
    　前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成する表示デバイスの製造装置。
  36. 　アクティブ領域に第１電極とＥＬ層と第２電極とを含む発光素子層が設けられた表示デバイスの製造に用いられる成膜装置であって、
    　前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成する成膜装置。
  37. 　請求項３６記載の成膜装置に対して、前記第１電極のエッジを覆う第１無機絶縁膜を形成させる制御を行うコントローラ。
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