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WO2018123545A1 - マルチプレクサ - Google Patents

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WO2018123545A1
WO2018123545A1 PCT/JP2017/044421 JP2017044421W WO2018123545A1 WO 2018123545 A1 WO2018123545 A1 WO 2018123545A1 JP 2017044421 W JP2017044421 W JP 2017044421W WO 2018123545 A1 WO2018123545 A1 WO 2018123545A1
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filter
inductor
parallel arm
arm resonator
inductance value
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PCT/JP2017/044421
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Inventor
陽平 小中
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/50—Circuits using different frequencies for the two directions of communication

Definitions

  • the present invention relates to a multiplexer.
  • the multiplexer in which a plurality of filters are connected to the common terminal on the antenna end side, when the ladder type filter described in Patent Document 1 is used as a filter corresponding to a high frequency band, the parallel arm resonator is connected to the ground. In some cases, the loss characteristic of the filter corresponding to the low frequency band may be deteriorated by the inductor connected to.
  • one aspect of a multiplexer includes a first filter that passes a high-frequency signal and a ladder filter that passes a high-frequency signal in a higher frequency band than the first filter.
  • a second filter wherein the second filter is connected in series between a common terminal to which the first filter and the second filter are connected, and an input / output terminal opposite to the common terminal.
  • a plurality of parallel arm resonators connected between a node to which the series arm resonator is connected and a ground, and the plurality of parallel arm resonators.
  • the first parallel arm resonator And ground the first inductor is greater inductance than the inductance value between the second parallel arm resonator and the ground are connected.
  • the inductance value between the first parallel arm resonator and the ground and the inductance value between the second parallel arm resonator and the ground are the frequencies of the second filter. Affects the formation of bands.
  • the inductance value between the second parallel arm resonator close to the common terminal and the ground is more than the inductance value between the first parallel arm resonator far from the common terminal and the ground.
  • the influence on the pass characteristics of the filter is large. Therefore, the inductance value of the first inductor connected between the first parallel arm resonator far from the common terminal and the ground is made larger than the inductance value between the second parallel arm resonator and the ground. Accordingly, it is possible to improve the pass characteristic of the first filter corresponding to the frequency band lower than that of the second filter without deteriorating the pass characteristic of the second filter.
  • a second inductor having an inductance value smaller than that of the first inductor may be connected between the second parallel arm resonator and the ground.
  • an inductor having an inductance value of 0 is arranged between the second parallel arm resonator and the ground. Therefore, the inductance value of the first inductor is larger than the inductance value between the second parallel arm resonator and the ground. Thereby, the pass characteristic of the 1st filter corresponding to a lower frequency band than the 2nd filter can be improved, without degrading the pass characteristic of the 2nd filter.
  • At least one other filter in which a frequency band of a high-frequency signal to be passed is different from that of the first filter and the second filter may be further provided.
  • the second filter corresponds to the highest frequency band among the plurality of filters, the pass characteristics of the filter are compared with all other filters corresponding to the frequency band lower than the second filter. Can be improved.
  • a multiplexer capable of improving the pass characteristic of a filter corresponding to a low frequency band connected to a ladder filter at a common terminal.
  • FIG. 4B is a diagram illustrating a pass characteristic of the second filter in the multiplexer according to the embodiment.
  • FIG. 5A is a diagram illustrating a pass characteristic of the first filter in the multiplexer according to the embodiment.
  • FIG. 5B is a diagram illustrating pass characteristics of other filters in the multiplexer according to the embodiment.
  • FIG. 5C is a diagram illustrating a pass characteristic of another filter in the multiplexer according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the loss deterioration amount and the inductance value of the multiplexer according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram showing a configuration of a multiplexer according to a modified example.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a multiplexer 1 according to the present embodiment.
  • the multiplexer 1 includes filters 11, 12, 13, and 14 having different frequency bands.
  • the filters 11, 12, 13 and 14 are each connected to a common terminal 20 connected to the antenna 2.
  • the opposite side of the filters 11, 12, 13, and 14 to the common terminal 20 side is connected to input / output terminals 21, 22, 23, and 24, respectively.
  • the filter 11 is a transmission filter having a band 3 transmission band (1710-1785 MHz) of the LTE (Long Term Evolution) standard as a pass band, for example.
  • LTE Long Term Evolution
  • the filter 12 is a reception filter having a band 3 reception band (1805 to 1880 MHz) as a pass band, for example.
  • the filter 13 is, for example, a transmission filter having a band 1 transmission band (1920-1980 MHz) as a pass band.
  • the filter 13 is a first filter.
  • the filter 14 is, for example, a reception filter having a band 1 reception band (2110-2170 MHz) as a pass band.
  • the filter 14 is a filter used in a higher frequency band than the filters 11, 12 and 13. That is, the filter 14 is a filter that passes a high-frequency signal in the highest frequency band among the plurality of filters provided in the multiplexer 1.
  • the filter 14 includes a ladder type filter including five series arm resonators and four parallel arm resonators. In the present embodiment, the filter 14 is a second filter.
  • one end of the parallel arm resonator 34b is connected to the node between the series arm resonators 32b and 32c
  • one end of the parallel arm resonator 34c is connected to the node between the series arm resonators 32c and 32d.
  • One end of a parallel arm resonator 34d is connected to a node between the arm resonators 32d and 32e.
  • Inductors 36b, 36c, and 36d are connected between the other ends of the parallel arm resonators 34b, 34c, and 34d and the ground, respectively.
  • the parallel arm resonator 34d is a first parallel arm resonator.
  • the inductor 36d is a first inductor.
  • the series arm resonators 32a, 32b, 32c, 32d and 32e, the parallel arm resonators 34a, 34b, 34c and 34d, and the inductors 36a, 36b, 36c and 36d as described above make the filter 14 as a ladder filter. It is configured.
  • the inductance value L1 of the inductor 36a and the inductance value L4 of the inductor 36d are set larger than the inductance value L2 of the inductor 36b and the inductance value L3 of the inductor 36c.
  • the inductance values L1, L2, L3, and L4 of the inductors 36a, 36b, 36c, and 36d are not limited to the values described above, and may be other values.
  • the series arm resonators 32a, 32b, 32c, 32d, and 32e, and the parallel arm resonators 34a, 34b, 34c, and 34d are resonators formed of, for example, surface acoustic wave filters.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the configuration of the surface acoustic wave filter 100 that constitutes the series arm resonators 32a, 32b, 32c, 32d, and 32e and the parallel arm resonators 34a, 34b, 34c, and 34d.
  • 2A is a plan view
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the one-dot chain line shown in FIG.
  • the series arm resonators 32a, 32b, 32c, 32d, and 32e and the parallel arm resonators 34a, 34b, 34c, and 34d have the same configuration, but are not limited thereto.
  • the IDT electrode 101a and the IDT electrode 101b have a structure in which an adhesion layer 107 and a main electrode layer 108 are laminated as shown in FIG.
  • the adhesion layer 107 is a layer for improving the adhesion between the piezoelectric substrate 106 and the main electrode layer 108.
  • a material for example, NiCr is used.
  • the film thickness of the adhesion layer 17 is, for example, 10 nm.
  • the protective layer 109 is formed so as to cover the IDT electrodes 101a and 101b.
  • the protective layer 109 is a layer for the purpose of protecting the main electrode layer 108 from the external environment, adjusting frequency temperature characteristics, and improving moisture resistance, for example, a film containing silicon dioxide as a main component. .
  • the protective layer 109 may have a single layer structure or a laminated structure.
  • the materials constituting the adhesion layer 107, the main electrode layer 108, and the protective layer 109 are not limited to the materials described above. Furthermore, the IDT electrodes 101a and 101b do not have to have the above laminated structure.
  • the IDT electrodes 101a and 101b may be made of, for example, a metal or an alloy such as Ti, Al, Cu, Pt, Au, Ag, or Pd, and a plurality of layers made of the above metals or alloys are laminated. It may also be configured with a stacked structure. Further, the protective layer 109 may not be formed.
  • ⁇ is the repetition pitch of the plurality of electrode fingers 102a and 102b constituting the IDT electrodes 101a and 101b
  • D is the cross width of the IDT electrodes 101a and 101b
  • W is the width of the electrode fingers 102a and 102b
  • S is The width h between the electrode fingers 102a and 102b indicates the height of the IDT electrodes 101a and 101b.
  • the inductor connected to the parallel arm resonator disposed at the position closest to the common terminal and the parallel arm resonator disposed at the position closest to the input / output terminal opposite to the common terminal are connected.
  • the connected inductor is an inductor that greatly influences the determination of the frequency band of the ladder filter. Replacing the inductor values of these inductors does not affect the pass characteristics of the ladder filter itself.
  • the inductor connected to the parallel arm resonator arranged closest to the common terminal is arranged close to other filters connected to the ladder filter, the inductance value of this inductor is large. It is thought that it has a great influence on the pass characteristics of other filters.
  • FIG. 5A is a diagram illustrating the pass characteristic of the filter 13 in the multiplexer 1.
  • FIG. 5B is a diagram illustrating the pass characteristic of the filter 11 in the multiplexer 1.
  • FIG. 5C is a diagram illustrating pass characteristics of the filter 12 in the multiplexer 1.
  • the parallel arm resonators 34a and 34d have the same capacity by adjusting the crossing width and logarithm of the IDT electrodes constituting the parallel arm resonators 34a and 34d.
  • the filter 13 when the relationship between the inductance value L1 of the inductor 36a and the inductance value L4 of the inductor 36d is changed from L4 ⁇ L1 to L1 ⁇ L4, the pass band (1920-1980 MHz) of the filter 13 is obtained. It can be seen that the insertion loss at is reduced and the pass characteristics are improved.
  • the filter 11 when the relationship between the inductance value L1 of the inductor 36a and the inductance value L4 of the inductor 36d is changed from L4 ⁇ L1 to L1 ⁇ L4, the passband (1710-1785 MHz) of the filter 11 is obtained. ) Is reduced, and the pass characteristics are improved.
  • the filter 12 when the relationship between the inductance value L1 of the inductor 36a and the inductance value L4 of the inductor 36d is changed from L4 ⁇ L1 to L1 ⁇ L4, the passband (1805 to 1880 MHz) of the filter 12 is obtained. The insertion loss is reduced, and the pass characteristics are improved.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the loss deterioration amount of the high frequency module and the inductance value L1 of the inductor 36a.
  • FIG. 6 shows the loss deterioration amount with respect to the inductance value of the inductor 36a when the Q value (resonance sharpness) is infinite, 40, and 20.
  • the inductance value L1 of the inductor 36a is increased by 0 to 0.2nH, the loss deterioration amount in the parallel arm resonator 34a increases. It can also be seen that the loss degradation amount increases as the Q value decreases.
  • the loss deterioration amount is preferably, for example, 0.03 dB or less. This is because if the loss deterioration amount is 0.03 dB or less, the influence of the filter 14 on the frequency bands of the other filters 11, 12, and 13 can be reduced.
  • the inductance value L1 of the inductor 36a at which the loss degradation amount is 0.03 dB or less is L1 ⁇ 1.8 nH, for example, when Q is 20. Since the inductor 36a is the inductor arranged closest to the common terminal 20 in the filter 14, the inductance value L1 of the inductor 36a greatly affects the other filters 11, 12, and 13. Therefore, it is preferable that the inductance value L1 of the inductor 36a having the greatest influence on the other filters 11, 12, and 13 is L1 ⁇ 1.8 nH. Thereby, the loss degradation amount of the filter 14 can be 0.03 dB or less with a small influence on the frequency bands of the other filters 11, 12, and 13.
  • the Q value of commonly used inductors is 20 to 40. According to FIG. 6, when the Q value is 20 to 40, if the inductance value L1 of the inductor 36a on the common terminal 20 side is L1 ⁇ 1.8 nH, the loss deterioration amount is at least 0.03 dB or less. .
  • the filter 14 is connected to the series arm resonator in the case of a ladder type filter.
  • the number and arrangement of the parallel arm resonators may be changed. Even in this case, by setting the inductance value L1 of the inductor 36a connected to the parallel arm resonator 34a arranged closest to the common terminal 20 to L1 ⁇ 1.8 nH, the filter 14 is connected to the filters 11, 12, and 13. The influence on the frequency band can be reduced.
  • the filter 14 is a filter corresponding to the highest frequency band among the plurality of filters 11, 12, 13, and 14 arranged in the multiplexer 1, another filter corresponding to a frequency band lower than the filter 14 is used.
  • the pass characteristics of all the filters 11, 12 and 13 can be improved.
  • the loss deterioration amount of the filter 14 can be set to 0.03 dB or less. Thereby, the influence which the filter 14 has with respect to the frequency band of the other filters 11, 12, and 13 can be made small, and the pass characteristic of the filters 11, 12, and 13 can be improved.
  • the filter 14 in the multiplexer 1 is a reception filter having a band 1 reception band (2110-2170 MHz) as a pass band, but is not limited thereto.
  • the filter 14 may be a reception filter having another frequency band as a reception band as long as it is not a filter corresponding to the lowest frequency band among the plurality of filters constituting the multiplexer 1.
  • the filter 14 is not limited to a reception filter, and may be a transmission filter or a transmission / reception filter that can perform both transmission and reception.
  • the filter 14 that is a ladder filter connects five series arm resonators 32a, 32b, 32c, 32, and 32e and four parallel arm resonators 34a, 34b, 34c, and 34d.
  • the filter 14 may be configured to include at least one series arm resonator and a plurality (two or more) parallel arm resonators.
  • the multiplexer 1a according to this modification is different from the multiplexer 1 according to the embodiment in that the parallel arm resonator 34a arranged closest to the common terminal 20 in the filter 14a is directly connected to the ground.
  • FIG. 7 is a conceptual diagram showing the configuration of the multiplexer 1a according to this modification.
  • the multiplexer 1a includes filters 11, 12, 13, and 14a.
  • the configurations of the filters 11, 12 and 13 are the same as the configurations of the filters 11, 12 and 13 in the multiplexer 1 shown in the first embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.
  • the filter 14a is a ladder type filter, and an inductor 36d is connected between the parallel arm resonator 34d arranged closest to the input / output terminal 24 and the ground. Further, the parallel arm resonator 34a arranged closest to the common terminal 20 is directly connected to the ground. That is, as compared with the multiplexer 1 shown in the above-described embodiment, the inductor 36a shown in the embodiment is not connected between the parallel arm resonator 34a and the ground.
  • the multiplexer 1a has a configuration in which the parallel arm resonator 34a and the ground are directly connected and no inductor is provided between the parallel arm resonator 34a and the ground, the pass characteristic of the filter 14a is deteriorated. Therefore, the pass characteristics of the filters 11, 12 and 13 can be improved.
  • the filter 14 in the multiplexer 1 is a reception filter having a band 1 reception band (2110-2170 MHz) as a pass band, but is not limited thereto.
  • the filter 14 may be a reception filter having another frequency band as a reception band as long as it is not a filter corresponding to the lowest frequency band among the plurality of filters constituting the multiplexer 1.
  • the filter 14 is not limited to a reception filter, and may be a transmission filter or a transmission / reception filter that can perform both transmission and reception.
  • a series arm resonator may be disposed at a position closest to the common terminal 20, or a parallel arm resonator may be disposed.
  • a series arm resonator may be disposed at a position closest to the input / output terminal 24 on the side opposite to the common terminal 20, or a parallel arm resonator may be disposed.

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Abstract

ラダー型フィルタと共通端子（２０）において接続された、低い周波数帯域に対応したフィルタの通過特性を向上することができるマルチプレクサ（１）を提供する。フィルタ（１３）と、フィルタ（１３）よりも高い周波数帯域の高周波信号を通過させるラダー型フィルタからなるフィルタ（１４）とを備え、フィルタ（１４）は、直列腕共振子（３２ａ～３２ｅ）と並列腕共振子（３４ａ～３４ｄ）とを有し、並列腕共振子（３４ａ）とグランドとの間に、並列腕共振子（３４ｄ）とグランドとの間のインダクタンス値よりインダクタンス値が大きいインダクタ（３６ａ）が接続されている。

Description

マルチプレクサ
　本発明は、マルチプレクサに関する。
　近年、通信用高周波モジュールの小型化およびマルチバンド化のために、一つのチップ上に複数のフィルタ回路を形成したデュプレクサ、マルチプレクサ等の高周波モジュール等が開発されている。このような高周波モジュールに使用されるフィルタとして、例えば、直列腕共振子と並列腕共振子とを組み合わせたラダー型フィルタが用いられている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載のラダー型フィルタでは、直列腕共振子の共振周波数と並列腕共振子の反共振周波数とを一致させ、ラダー型フィルタの並列腕共振子とグランドとの間にインダクタを接続することにより、ロス特性が良好でかつ高い減衰特性を有するフィルタを実現している。
特開平５－１８３３８０号公報
　しかし、複数のフィルタがアンテナ端側の共通端子に接続されたマルチプレクサにおいて、高い周波数帯域に対応したフィルタとして特許文献１に記載のラダー型フィルタを用いた場合、並列腕共振子とグランドとの間に接続したインダクタによって、低い周波数帯域に対応したフィルタのロス特性が劣化する場合がある。
　上記課題に鑑み、本発明は、高い周波数帯域に対応したラダー型フィルタと共通端子において接続された、低い周波数帯域に対応したフィルタの通過特性を向上することができるマルチプレクサを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明にかかるマルチプレクサの一態様は、高周波信号を通過させる第１のフィルタと、前記第１のフィルタよりも高い周波数帯域の高周波信号を通過させるラダー型フィルタからなる第２のフィルタとを備え、前記第２のフィルタは、前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとが接続された共通端子と、前記共通端子と反対側の入出力端子との間に直列に接続された少なくとも１つの直列腕共振子と、前記直列腕共振子が接続されたノードとグランドとの間に接続された複数の並列腕共振子とを有し、前記複数の並列腕共振子のうち最も前記共通端子から遠い側に配置された第１の並列腕共振子と、最も前記共通端子側に配置された第２の並列腕共振子とのうち、前記第１の並列腕共振子とグランドとの間に、前記第２の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値よりインダクタンス値が大きい第１のインダクタが接続されている。
　ラダー型フィルタである第２のフィルタにおいて、第１の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値と第２の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値は、第２のフィルタの周波数帯域の形成に影響する。そして、共通端子に近い第２の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値の方が、共通端子から遠い第１の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値よりも、第１のフィルタの通過特性に与える影響が大きい。したがって、共通端子から遠い第１の並列腕共振子とグランドとの間に接続された第１のインダクタのインダクタンス値を、第２の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値よりも大きくすることにより、第２のフィルタの通過特性を劣化させることなく、第２のフィルタよりも低い周波数帯域に対応した第１のフィルタの通過特性を向上することができる。
　また、前記第２の並列腕共振子とグランドとの間に、前記第１のインダクタのインダクタンス値よりもインダクタンス値が小さい第２のインダクタが接続されていてもよい。
　これにより、第１のインダクタのインダクタンス値の方が第２のインダクタのインダクタンス値よりも大きいので、第２のフィルタの通過特性を劣化させることなく、第２のフィルタよりも低い周波数帯域に対応した第１のフィルタの通過特性を向上することができる。
　また、前記第２の並列腕共振子とグランドとの間に、インダクタが接続されていなくてもよい。
　この構成では、第２の並列腕共振子とグランドとの間にインダクタンス値が０のインダクタが配置されていると考えることができる。したがって、第１のインダクタのインダクタンス値は、第２の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値よりも大きいことになる。これにより、第２のフィルタの通過特性を劣化させることなく、第２のフィルタよりも低い周波数帯域に対応した第１のフィルタの通過特性を向上することができる。
　また、通過させる高周波信号の周波数帯域が前記第１のフィルタおよび前記第２のフィルタと異なる、少なくとも１つの他のフィルタをさらに備えてもよい。
　これにより、マルチプレクサに複数のフィルタが配置されている場合であっても、複数のフィルタのうち第２のフィルタよりも低い周波数帯域に対応したフィルタの通過特性を向上することができる。
　また、前記第２のフィルタは、前記マルチプレクサに設けられた複数のフィルタのうち、最も高い周波数帯域の高周波信号を通過させるフィルタであってもよい。
　これにより、第２のフィルタは複数のフィルタの中で最も高い周波数帯域に対応しているので、第２のフィルタよりも低い周波数帯域に対応した他の全てのフィルタに対して、フィルタの通過特性を向上することができる。
　また、前記第２のインダクタのインダクタンス値は、１．８ｎＨ以下であってもよい。
　これにより、第２のフィルタのロス劣化量を０．０３ｄＢ以下とすることができるので、第２のフィルタが他のフィルタの周波数帯域に与える影響を小さくし、他のフィルタの通過特性を向上することができる。
　本発明によれば、ラダー型フィルタと共通端子において接続された、低い周波数帯域に対応したフィルタの通過特性を向上することができるマルチプレクサを提供することができる。
図１は、実施の形態にかかるマルチプレクサの構成を示す概念図である。 図２は、実施の形態にかかるマルチプレクサにおける共振子の構成を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した一点鎖線における矢視断面図である。 図３は、実施の形態にかかるマルチプレクサにおいて、ラダー型フィルタの並列腕共振子とグランドとの間に接続されたインダクタのインダクタンス値を変化させたときのラダー型フィルタのインピーダンスの変化を示す図である。 図４Ａは、実施の形態にかかるマルチプレクサにおける第２のフィルタの通過特性を示す図である。 図４Ｂは、実施の形態にかかるマルチプレクサにおける第２のフィルタの通過特性を示す図である。 図５Ａは、実施の形態にかかるマルチプレクサにおける第１のフィルタの通過特性を示す図である。 図５Ｂは、実施の形態にかかるマルチプレクサにおける他のフィルタの通過特性を示す図である。 図５Ｃは、実施の形態にかかるマルチプレクサにおける他のフィルタの通過特性を示す図である。 図６は、実施の形態にかかるマルチプレクサのインダクタンス値に対するロス劣化量の関係を示す図である。 図７は、変形例にかかるマルチプレクサの構成を示す概念図である。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。
　（実施の形態）
　［１．マルチプレクサの構成］
　本実施の形態に係るマルチプレクサ１は、例えば、複数のバンドの送信フィルタおよび受信フィルタを備えるマルチプレクサである。なお、マルチプレクサ１にはデュプレクサも含まれる。
　図１は、本実施の形態にかかるマルチプレクサ１の構成を示す概略構成図である。図１に示すように、マルチプレクサ１は、周波数帯域の異なるフィルタ１１、１２、１３および１４とを備えている。フィルタ１１、１２、１３および１４は、それぞれアンテナ２に接続される共通端子２０に接続されている。また、フィルタ１１、１２、１３および１４の共通端子２０側と反対側は、それぞれ入出力端子２１、２２、２３および２４に接続されている。
　フィルタ１１は、例えば、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）規格のＢａｎｄ３の送信帯域（１７１０－１７８５ＭＨｚ）を通過帯域とする送信フィルタである。
　フィルタ１２は、例えばＢａｎｄ３の受信帯域（１８０５－１８８０ＭＨｚ）を通過帯域とする受信フィルタである。
　フィルタ１３は、例えばＢａｎｄ１の送信帯域（１９２０－１９８０ＭＨｚ）を通過帯域とする送信フィルタである。なお、本実施の形態において、フィルタ１３は第１のフィルタである。
　フィルタ１４は、例えばＢａｎｄ１の受信帯域（２１１０－２１７０ＭＨｚ）を通過帯域とする受信フィルタである。フィルタ１４は、フィルタ１１、１２および１３よりも高い周波数帯域に使用されるフィルタである。つまり、フィルタ１４は、マルチプレクサ１に設けられた複数のフィルタのうち、最も高い周波数帯域の高周波信号を通過させるフィルタである。フィルタ１４は、５つの直列腕共振子と、４つの並列腕共振子とで構成されるラダー型フィルタからなる。本実施の形態において、フィルタ１４は第２のフィルタである。
　なお、本実施の形態において、フィルタ１１および１２は、他のフィルタである。フィルタ１１および１２は、通過させる高周波信号の周波数帯域がフィルタ１３およびフィルタ１４と異なっている。フィルタ１１、１２および１３は、ラダー型フィルタに限らず、並列腕共振子および直列腕共振子を少なくとも１つ備えるその他の構成のフィルタであってもよい。
　図１に示すように、フィルタ１４において、共通端子２０と入出力端子２４との間には５つの直列腕共振子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄおよび３２ｅが、共通端子２０側からこの順に直列に接続されている。また、直列腕共振子３２ａと３２ｂとの間のノードには、並列腕共振子３４ａの一端が接続されている。さらに、並列腕共振子３４ａの他端とグランドとの間には、インダクタ３６ａが接続されている。本実施の形態において、並列腕共振子３４ａは第２の並列腕共振子である。また、インダクタ３６ａは第２のインダクタである。
　同様に、直列腕共振子３２ｂと３２ｃとの間のノードには並列腕共振子３４ｂの一端が、直列腕共振子３２ｃと３２ｄとの間のノードには並列腕共振子３４ｃの一端が、直列腕共振子３２ｄと３２ｅとの間のノードには並列腕共振子３４ｄの一端がそれぞれ接続されている。並列腕共振子３４ｂ、３４ｃ、３４ｄの他端とグランドとの間には、それぞれインダクタ３６ｂ、３６ｃ、３６ｄが接続されている。本実施の形態において、並列腕共振子３４ｄは第１の並列腕共振子である。また、インダクタ３６ｄは第１のインダクタである。
　以上のような直列腕共振子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄおよび３２ｅ、並列腕共振子３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄ、並びに、インダクタ３６ａ、３６ｂ、３６ｃおよび３６ｄにより、ラダー型フィルタであるフィルタ１４が構成されている。
　ここで、インダクタ３６ａ、３６ｂ、３６ｃおよび３６ｄのインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は、一例として、それぞれＬ１＝２．００ｎＨ、Ｌ２＝１．４５ｎＨ、Ｌ３＝１．６４ｎＨおよびＬ４＝２．５０ｎＨである。つまり、インダクタ３６ａとインダクタ３６ｄのインダクタンス値の関係は、Ｌ１＜Ｌ４となっている。また、フィルタ１４において、最も共通端子２０側に配置された並列腕共振子３４ａに接続されたインダクタ３６ａと最も入出力端子２４側に配置された並列腕共振子３４ｄに接続されたインダクタ３６ｄとによりフィルタ１４の周波数帯域が形成されるため、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４は、インダクタ３６ｂのインダクタンス値Ｌ２およびインダクタ３６ｃのインダクタンス値Ｌ３よりも大きく設定されている。なお、インダクタ３６ａ、３６ｂ、３６ｃおよび３６ｄのインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４は、上述した値に限らず、他の値であってもよい。
　直列腕共振子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄおよび３２ｅ、並列腕共振子３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄは、例えば弾性表面波フィルタで構成される共振子である。図２は、直列腕共振子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄおよび３２ｅ、並列腕共振子３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄを構成する弾性表面波フィルタ１００の構成を示す概略図である。図２において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した一点鎖線における矢視断面図である。なお、直列腕共振子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄおよび３２ｅと並列腕共振子３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとは同一の構成としているが、これに限らない。
　図２の（ａ）および（ｂ）に示すように、弾性表面波フィルタ１００は、圧電基板１０６と、櫛形形状を有するＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１０１ａおよび１０１ｂとで構成されている。
　圧電基板１０６は、例えば、所定のカット角で切断されたＬｉＮｂＯ３の単結晶からなる。圧電基板１０６では、所定の方向に弾性表面波が伝搬する。
　図２の（ａ）に示すように、圧電基板１０６の上には、対向する一対のＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂが形成されている。ＩＤＴ電極１０１ａは、互いに平行な複数の電極指１０２ａと、複数の電極指１０２ａを接続するバスバー電極１０４ａとで構成されている。また、ＩＤＴ電極１０１ｂは、互いに平行な複数の電極指１０２ｂと、複数の電極指１０２ｂを接続するバスバー電極１０４ｂとで構成されている。ＩＤＴ電極１０１ａとＩＤＴ電極１０１ｂとは、ＩＤＴ電極１０１ａとＩＤＴ電極１０１ｂのうちの一方のＩＤＴ電極１０１ａの複数の電極指１０２ａのそれぞれの間に、他方のＩＤＴ電極１０１ｂの複数の電極指１０２ｂのそれぞれが配置される構成となっている。
　また、ＩＤＴ電極１０１ａおよびＩＤＴ電極１０１ｂは、図２の（ｂ）に示すように、密着層１０７と主電極層１０８とが積層された構造となっている。
　密着層１０７は、圧電基板１０６と主電極層１０８との密着性を向上させるための層であり、材料としては、例えば、ＮｉＣｒが用いられる。密着層１７の膜厚は、例えば、１０ｎｍである。
　主電極層１０８は、材料として、例えば、Ｐｔが用いられる。主電極層１０８は、１つの層で構成された単層構造であり、膜厚は、例えば８３ｎｍである。なお、主電極層１０８は、複数の層が積層された積層構造であってもよい。
　保護層１０９は、ＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂを覆うように形成されている。保護層１０９は、主電極層１０８を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。保護層１０９は、単層構造であってもよいし積層構造であってもよい。
　なお、密着層１０７、主電極層１０８および保護層１０９を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、ＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂは、上記積層構造でなくてもよい。ＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂは、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属又は合金から構成されてもよく、また、上記の金属又は合金から構成される層が複数積層された積層構造で構成されてもよい。また、保護層１０９は、形成されていなくてもよい。
　また、図２において、λはＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂを構成する複数の電極指１０２ａおよび１０２ｂの繰り返しピッチ、ＤはＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂの交叉幅、Ｗは電極指１０２ａおよび１０２ｂの幅、Ｓは電極指１０２ａと電極指１０２ｂとの間の幅、ｈはＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂの高さを示している。
　なお、弾性表面波フィルタ１００の構造は、図２の（ａ）および（ｂ）に記載された構造に限定されない。例えば、ＩＤＴ電極１０１ａおよび１０１ｂは、金属膜の積層構造ではなく、金属膜の単層であってもよい。
　フィルタ１１、１２および１３は、ラダー型フィルタに限らず、その他の構成のフィルタであってもよい。
　［２．マルチプレクサの高周波特性］
　以下、マルチプレクサ１の高周波特性について説明する。
　並列腕共振子のそれぞれとグランドとの間に接続されたインダクタのインダクタンス値を変化させたときの並列腕共振子のインピーダンス特性について説明する。図３は、ラダー型フィルタの並列腕共振子とグランドとの間に接続されたインダクタのインダクタンス値を変化させたときの、当該並列腕共振子のインピーダンスの変化を示す図である。
　一般に、ラダー型フィルタにおいて並列腕共振子とグランドとの間に接続されたインダクタのインダクタンス値を０．５ｎＨ、１．０ｎＨ、２．０ｎＨ、４．０ｎＨと変化させると、図３に示すように、インダクタンス値が高くなるにつれて並列腕共振子の共振点は低周波数側に移動し、かつ、インピーダンスＺは劣化する。なお、図３において、Ｑ値はＱ＝２０で一定としている。したがって、ラダー型フィルタにおいて、並列腕共振子とグランドとの間に接続されるインダクタのインダクタンス値が高くなるほど、ラダー型フィルタ自体の通過特性は劣化する。また、共通端子においてラダー型フィルタと接続されている周波数帯域の低い他のフィルタへの信号の漏れ量が多くなるため、他のフィルタの特性も劣化すると考えらえる。
　ここで、ラダー型フィルタにおいて共通端子に最も近い位置に配置された並列腕共振子に接続されたインダクタと、共通端子と反対側の入出力端子に最も近い位置に配置された並列腕共振子に接続されたインダクタは、ラダー型フィルタの周波数帯域を決定するのに大きく影響するインダクタである。これらのインダクタのインダクタ値を入れ替えても、ラダー型フィルタ自体の通過特性には影響しない。しかし、共通端子に最も近い位置に配置された並列腕共振子に接続されたインダクタは、ラダー型フィルタに接続された他のフィルタに近い位置に配置されているため、このインダクタのインダクタンス値が大きいと他のフィルタの通過特性に大きな影響を与えると考えられる。
　そこで、本実施の形態にかかるマルチプレクサ１のフィルタ１４の構成では、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ１＜Ｌ４とすることで、フィルタ１４の通過特性を劣化させることなく、かつ、他のフィルタ１１、１２および１３の通過特性を向上することができる。
　以下、マルチプレクサ１において、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄとのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ４＜Ｌ１としたときとＬ１＜Ｌ４としたときの通過特性について示す。図４Ａおよび図４Ｂは、マルチプレクサ１におけるフィルタ１４の通過特性を示す図である。図５Ａは、マルチプレクサ１におけるフィルタ１３の通過特性を示す図である。図５Ｂは、マルチプレクサ１におけるフィルタ１１の通過特性を示す図である。図５Ｃは、マルチプレクサ１におけるフィルタ１２の通過特性を示す図である。
　なお、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係がＬ４＜Ｌ１の場合、インダクタ３６ａ、３６ｂ、３６ｃおよび３６ｄのインダクタンス値を、それぞれＬ１＝２．５０ｎＨ、Ｌ２＝１．４５ｎＨ、Ｌ３＝１．６４ｎＨおよびＬ４＝２．００ｎＨとしている。また、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄとのインダクタンス値Ｌ４の関係がＬ１＜Ｌ４の場合、インダクタ３６ａ、３６ｂ、３６ｃおよび３６ｄのそれぞれのインダクタンス値Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３およびＬ４を、それぞれＬ１＝２．００ｎＨ、Ｌ２＝１．４５ｎＨ、Ｌ３＝１．６４ｎＨおよびＬ４＝２．５０ｎＨとしている。また、並列腕共振子３４ａと３４ｄとは、並列腕共振子３４ａと３４ｄを構成するＩＤＴ電極の交叉幅および対数を調整することで同一の容量としている。
　また、図４Ａ～図５Ｃでは、Ｌ４＜Ｌ１の場合の通過特性を実線、Ｌ１＜Ｌ４の場合の通過特性を破線で示している。
　図４Ａおよび図４Ｂに示すように、フィルタ１４では、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ４＜Ｌ１からＬ１＜Ｌ４に変更しても、フィルタ１４の通過帯域（２１１０－２１７０ＭＨｚ）における通過特性はほとんど変化していないことがわかる。
　また、図５Ａに示すように、フィルタ１３では、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ４＜Ｌ１からＬ１＜Ｌ４に変更すると、フィルタ１３の通過帯域（１９２０－１９８０ＭＨｚ）における挿入損失は小さくなり、通過特性は向上していることがわかる。
　同様に、図５Ｂに示すように、フィルタ１１では、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ４＜Ｌ１からＬ１＜Ｌ４に変更すると、フィルタ１１の通過帯域（１７１０－１７８５ＭＨｚ）における挿入損失は小さくなり、通過特性は向上している。また、図５Ｃに示すように、フィルタ１２では、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ４＜Ｌ１からＬ１＜Ｌ４に変更すると、フィルタ１２の通過帯域（１８０５－１８８０ＭＨｚ）における挿入損失は小さくなり、通過特性は向上している。
　このように、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ１＜Ｌ４とすることにより、フィルタ１４の通過特性を劣化させることなく、フィルタ１１、１２および１３の通過特性を向上することができる。
　ここで、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１の一例を説明する。図６は、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１に対する高周波時モジュールのロス劣化量の関係を示す図である。
　図６では、Ｑ値（共振の鋭さ）を無限大、４０、２０としたときの、インダクタ３６ａのインダクタンス値に対するロス劣化量を示している。図６に示すように、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１を０から０．２ｎＨずつ高くするにつれて、並列腕共振子３４ａにおけるロス劣化量は増加している。また、Ｑ値が低いほどロス劣化量は増加していることがわかる。
　ここで、測定のばらつき等を考慮すると、ロス劣化量は、例えば０．０３ｄＢ以下であることが好ましい。ロス劣化量が０．０３ｄＢ以下であれば、フィルタ１４が他のフィルタ１１、１２および１３の周波数帯域に対して与える影響を小さくすることができるためである。
　図６によると、ロス劣化量が０．０３ｄＢ以下となるインダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１は、例えばＱを２０とした場合、Ｌ１≦１．８ｎＨとなる。インダクタ３６ａはフィルタ１４において最も共通端子２０側に配置されたインダクタであるので、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１は、他のフィルタ１１、１２および１３に対して大きく影響を与える。したがって、他のフィルタ１１、１２および１３に与える影響が最も大きいインダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１をＬ１≦１．８ｎＨとであることが好ましい。これにより、フィルタ１４のロス劣化量を、他のフィルタ１１、１２および１３の周波数帯域に与える影響の小さい０．０３ｄＢ以下とすることができる。
　なお、一般に使用されるインダクタのＱ値は、２０～４０である。図６によると、Ｑ値が２０～４０の場合、共通端子２０側のインダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１がＬ１≦１．８ｎＨであれば、ロス劣化量は、少なくとも０．０３ｄＢ以下となることがわかる。
　また、インダクタ３６ａは、ラダー型フィルタであるフィルタ１４の最も共通端子２０側に配置された並列腕共振子３４ａに接続されているので、ラダー型フィルタであれば、フィルタ１４は、直列腕共振子および並列腕共振子の数および配置を変更したものであってもよい。この場合でも、最も共通端子２０側に配置された並列腕共振子３４ａに接続されたインダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１をＬ１≦１．８ｎＨとすることにより、フィルタ１４が、フィルタ１１、１２および１３の周波数帯域に対して与える影響を小さくすることができる。
　［３．効果等］
　本実施の形態にかかるマルチプレクサ１によると、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１とインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４の関係をＬ１＜Ｌ４とすることにより、フィルタ１４の通過特性を変更することなく、フィルタ１４と共通端子２０において接続された他のフィルタ１１、１２および１３のうち、フィルタ１４よりも低い周波数帯域に対応したフィルタの通過特性を向上することができる。
　また、フィルタ１４がマルチプレクサ１に配置された複数のフィルタ１１、１２、１３および１４の中で最も高い周波数帯域に対応したフィルタである場合には、フィルタ１４よりも低い周波数帯域に対応した他の全てのフィルタ１１、１２および１３の通過特性を向上することができる。
　また、インダクタ３６ａのインダクタンス値Ｌ１を１．８ｎＨ以下とすることにより、フィルタ１４のロス劣化量を０．０３ｄＢ以下とすることができる。これにより、フィルタ１４が他のフィルタ１１、１２および１３の周波数帯域に対して与える影響を小さくし、フィルタ１１、１２および１３の通過特性を向上することができる。
　なお、上述した実施の形態では、マルチプレクサ１におけるフィルタ１４は、Ｂａｎｄ１の受信帯域（２１１０－２１７０ＭＨｚ）を通過帯域とする受信フィルタとしたが、これに限らない。フィルタ１４は、マルチプレクサ１を構成する複数のフィルタのうち最も低い周波数帯域に対応するフィルタでなければ、他の周波数帯域を受信帯域とする受信フィルタであってもよい。また、フィルタ１４は、受信フィルタに限らず、送信フィルタであってもよいし、送受信のいずれも行うことができる送受信フィルタであってもよい。
　また、上述した実施の形態では、ラダー型フィルタであるフィルタ１４は、５つの直列腕共振子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２および３２ｅと４つの並列腕共振子３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続した構成としたが、これに限らず、直列腕共振子および並列腕共振子の個数は適宜変更してもよい。フィルタ１４は、直列腕共振子を少なくとも１つ、並列腕共振子を複数（２つ以上）備える構成であればよい。
　また、フィルタ１４において、共通端子２０に最も近い位置には直列腕共振子が配置されていてもよいし、並列腕共振子が配置されていてもよい。また、共通端子２０と反対側の入出力端子２４に最も近い位置には直列腕共振子が配置されていてもよいし、並列腕共振子が配置されていてもよい。
　（変形例）
　以下、実施の形態の変形例について説明する。本変形例にかかるマルチプレクサ１ａが実施の形態に係るマルチプレクサ１と異なる点は、フィルタ１４ａにおいて最も共通端子２０側に配置された並列腕共振子３４ａが、グランドに直接接続されている点である。
　図７は、本変形例にかかるマルチプレクサ１ａの構成を示す概念図である。図７に示すように、マルチプレクサ１ａは、フィルタ１１、１２、１３および１４ａを備えている。フィルタ１１、１２および１３の構成は、実施の形態１に示したマルチプレクサ１におけるフィルタ１１、１２および１３の構成と同様であるため詳細な説明は省略する。
　フィルタ１４ａは、ラダー型フィルタであり、最も入出力端子２４側に配置された並列腕共振子３４ｄとグランドとの間には、インダクタ３６ｄが接続されている。また、最も共通端子２０側に配置された並列腕共振子３４ａは、グランドに直接接続されている。つまり、上述した実施の形態に示したマルチプレクサ１と比較して、並列腕共振子３４ａとグランドとの間に、実施の形態に示したインダクタ３６ａが接続されていない構成となっている。
　この構成の場合、並列腕共振子３４ａとグランドとの間にインダクタンス値が０のインダクタ３６ａが配置されていると考えることができる。したがって、入出力端子２４に最も近い位置に配置されている並列腕共振子３４ｄとグランドとの間に接続されたインダクタ３６ｄのインダクタンス値Ｌ４は、並列腕共振子３４ａとグランドとの間のインダクタンス値（上述した実施の形態におけるインダクタンス値Ｌ１）よりも大きい値である。よって、マルチプレクサ１ａは、上述した実施の形態に示したマルチプレクサ１と同様、Ｌ１＜Ｌ４を満たす構成であると考えることができる。
　このように、マルチプレクサ１ａは、並列腕共振子３４ａとグランドとが直接接続され、並列腕共振子３４ａとグランドとの間にインダクタを備えない構成であっても、フィルタ１４ａの通過特性を劣化させることなく、フィルタ１１、１２および１３の通過特性を向上することができる。
　（その他の実施の形態）
　なお、本発明は、上述した実施の形態に記載した構成に限定されるものではなく、例えば以下に示す変形例のように、適宜変更を加えてもよい。
　例えば、上述した実施の形態では、上述した実施の形態では、マルチプレクサ１におけるフィルタ１４は、Ｂａｎｄ１の受信帯域（２１１０－２１７０ＭＨｚ）を通過帯域とする受信フィルタとしたが、これに限らない。フィルタ１４は、マルチプレクサ１を構成する複数のフィルタのうち、最も低い周波数帯域に対応するフィルタでなければ、他の周波数帯域を受信帯域とする受信フィルタであってもよい。また、フィルタ１４は、受信フィルタに限らず、送信フィルタであってもよいし、送受信のいずれも行うことができる送受信フィルタであってもよい。
　また、上述した実施の形態では、ラダー型フィルタであるフィルタ１４は、５つの直列腕共振子３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２および３２ｅと４つの並列腕共振子３４ａ、３４ｂ、３４ｃおよび３４ｄとを接続した構成としたが、これに限らず、直列腕共振子および並列腕共振子の個数は適宜変更してもよい。フィルタ１４は、直列腕共振子を少なくとも１つ、並列腕共振子を複数（２つ以上）備える構成であればよい。
　また、フィルタ１４において、共通端子２０に最も近い位置には直列腕共振子が配置されていてもよいし、並列腕共振子が配置されていてもよい。また、共通端子２０と反対側の入出力端子２４に最も近い位置には直列腕共振子が配置されていてもよいし、並列腕共振子が配置されていてもよい。
　その他、上述の実施の形態及び変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、又は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で上述の実施の形態及び変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
　本発明は、複数のフィルタを備えたマルチプレクサ（デュプレクサを含む）、マルチフィルタ、送信装置、受信装置等の通信機器等に利用することができる。
　１、１ａ　マルチプレクサ
　１１、１２　フィルタ
　１３　フィルタ（第１のフィルタ）
　１４　フィルタ（第２のフィルタ）
　２０　共通端子
　２１、２２、２３、２４　　入出力端子
　３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ　直列腕共振子
　３４ａ　並列腕共振子（第２の並列腕共振子）
　３４ｂ、３４ｃ　並列腕共振子
　３４ｄ　並列腕共振子（第１の並列腕共振子）
　３６ａ　インダクタ（第２のインダクタ）
　３６ｂ、３６ｃ　インダクタ
　３６ｄ　インダクタ（第１のインダクタ）
　１００　弾性表面波フィルタ
　１０１ａ、１０１ｂ　ＩＤＴ電極
　１０２ａ、１０２ｂ　電極指
　１０４ａ、１０４ｂ　バスバー電極
　１０６　圧電基板
　１０７　密着層
　１０８　主電極層
　１０９　保護層

Claims (6)

  1. 　高周波信号を通過させる第１のフィルタと、
    　前記第１のフィルタよりも高い周波数帯域の高周波信号を通過させるラダー型フィルタからなる第２のフィルタとを備え、
    　前記第２のフィルタは、
    　前記第１のフィルタと前記第２のフィルタとが接続された共通端子と、前記共通端子と反対側の入出力端子との間に直列に接続された少なくとも１つの直列腕共振子と、
    　前記直列腕共振子が接続されたノードとグランドとの間に接続された複数の並列腕共振子とを有し、
    　前記複数の並列腕共振子のうち最も前記共通端子から遠い側に配置された第１の並列腕共振子と、最も前記共通端子側に配置された第２の並列腕共振子とのうち、前記第１の並列腕共振子とグランドとの間に、前記第２の並列腕共振子とグランドとの間のインダクタンス値よりインダクタンス値が大きい第１のインダクタが接続されている、
    　マルチプレクサ。
  2. 　前記第２の並列腕共振子とグランドとの間に、前記第１のインダクタのインダクタンス値よりもインダクタンス値が小さい第２のインダクタが接続されている、
    　請求項１に記載のマルチプレクサ。
  3. 　前記第２の並列腕共振子とグランドとの間に、インダクタが接続されていない、
    　請求項１に記載のマルチプレクサ。
  4. 　通過させる高周波信号の周波数帯域が前記第１のフィルタおよび前記第２のフィルタと異なる、少なくとも１つの他のフィルタをさらに備える、
    　請求項１～３のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  5. 　前記第２のフィルタは、前記マルチプレクサに設けられた複数のフィルタのうち、最も高い周波数帯域の高周波信号を通過させるフィルタである、
    　請求項１～４のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
  6. 　前記第２のインダクタのインダクタンス値は、１．８ｎＨ以下である、
    　請求項１～５のいずれか１項に記載のマルチプレクサ。
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