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WO2018196115A1 - 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 - Google Patents

一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 Download PDF

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WO2018196115A1
WO2018196115A1 PCT/CN2017/087791 CN2017087791W WO2018196115A1 WO 2018196115 A1 WO2018196115 A1 WO 2018196115A1 CN 2017087791 W CN2017087791 W CN 2017087791W WO 2018196115 A1 WO2018196115 A1 WO 2018196115A1
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WO
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layer
organic light
light emitting
emitting diode
diode display
Prior art date
Application number
PCT/CN2017/087791
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English (en)
French (fr)
Inventor
金江江
苏伯昆
徐湘伦
Original Assignee
武汉华星光电技术有限公司
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Publication date
Application filed by 武汉华星光电技术有限公司 filed Critical 武汉华星光电技术有限公司
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED

Definitions

  • the present invention relates to the field of display technologies, and in particular, to a flexible organic light emitting diode display and a method of fabricating the same.
  • Organic light-emitting diodes OLED
  • Organic Light-Emitting Diode OLED
  • OLED Organic Light-Emitting Diodes
  • OLEDs can be prepared not only on glass substrates, but also on flexible substrates.
  • the reliability of the package layer of the existing organic light emitting diode display is poor, so that water and oxygen molecules in the air diffuse through the encapsulation layer to the organic light emitting display layer, causing corrosion of the organic light emitting display layer, resulting in short life and efficiency of the OLED. low.
  • An object of the present invention is to provide a flexible organic light emitting diode display and a manufacturing method thereof, which can improve the reliability of an encapsulation layer and thereby improve the service life of the product.
  • the present invention provides a method for fabricating a flexible organic light emitting diode display, which includes:
  • an organic layer having a trapezoidal cross-sectional shape on the protective layer the organic layer having two bottom corners, the angle of the bottom angle being less than 70°, and the thickness of the organic layer being 0.5 ⁇ m -20 ⁇ m;
  • An inorganic layer is formed on the organic layer.
  • the material of the protective layer is an inorganic material, and the thickness of the protective layer ranges from 100 nm to 2 ⁇ m.
  • the material of the protective layer comprises zirconium aluminate, graphene, aluminum oxide, zirconium dioxide, zinc peroxide, silicon nitride, silicon carbon nitrogen, SiOx, At least one of titanium dioxide and diamond-like carbon.
  • the material of the protective layer includes an organic material and inorganic nanoparticles.
  • the protective layer has a thickness ranging from 0.5 ⁇ m to 2 ⁇ m.
  • the inorganic nanoparticles include at least one of a metal oxide, a metal sulfide, a non-metal oxide, and a non-metal sulfide.
  • the organic material includes one of an acrylic material, an epoxy resin material, and a silicone material.
  • the invention also provides a manufacturing method of a flexible organic light emitting diode display, comprising:
  • An inorganic layer is formed on the organic layer.
  • the organic layer has two base angles, and the angle of the bottom angle is less than 70°.
  • the thickness of the organic layer ranges from 0.5 ⁇ m. -20 ⁇ m.
  • the material of the protective layer is an inorganic material, and the thickness of the protective layer ranges from 100 nm to 2 ⁇ m.
  • the material of the protective layer comprises zirconium aluminate, graphene, aluminum oxide, zirconium dioxide, zinc peroxide, silicon nitride, silicon carbon nitrogen, SiOx, At least one of titanium dioxide and diamond-like carbon.
  • the material of the protective layer includes an organic material and inorganic nanoparticles.
  • the protective layer has a thickness ranging from 0.5 ⁇ m to 2 ⁇ m.
  • the inorganic nanoparticles include at least one of a metal oxide, a metal sulfide, a non-metal oxide, and a non-metal sulfide.
  • the organic material includes one of an acrylic material, an epoxy resin material, and a silicone material.
  • the present invention also provides a flexible organic light emitting diode display comprising:
  • An active array layer on the flexible substrate is an active array layer on the flexible substrate
  • An organic light emitting display layer on the active array layer is an organic light emitting display layer on the active array layer
  • An organic layer on the protective layer having a trapezoidal cross-sectional shape
  • An inorganic layer is located on the organic layer.
  • the organic layer has two base angles, and the angle of the base angle is less than 70°.
  • the thickness of the organic layer ranges from 0.5 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the material of the protective layer includes an organic material and inorganic nanoparticles.
  • the flexible organic light emitting diode display of the present invention and the manufacturing method thereof by processing the edge of the organic layer, forming a smooth transition from the highest to the lowest of the organic layer, thereby facilitating deposition of a uniformity on the organic layer.
  • the inorganic film thereby improving the reliability of the flexible encapsulation layer, thereby increasing the service life of the OLED.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a first step of a method of fabricating a first flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view showing the second step of the manufacturing method of the first flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of a third step of a method of fabricating a first flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic view showing the fourth step of the manufacturing method of the first flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic diagram of a second step of a method of fabricating a second flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a third step of a method of fabricating a second flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic diagram of a fourth step of a method of fabricating a second flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a first step of a method for fabricating a first flexible organic light emitting diode display according to the present invention.
  • a manufacturing method of a flexible organic light emitting diode display of the present invention includes:
  • an active array layer 12 and an organic light-emitting display layer 13 are sequentially formed on a flexible substrate substrate 11.
  • the active array layer 12 has a plurality of thin film transistors including a gate, a source, and a drain.
  • the active array layer 12 includes an active layer for forming a channel, a gate insulating layer, a first metal layer, an interlayer insulating layer, and a second metal layer.
  • the organic light emitting display layer 13 is located on the active array layer 12.
  • the organic light emitting display layer 13 includes an organic light emitting unit, wherein the organic light emitting unit is electrically connected to the active array layer 12, and specifically, the organic light emitting unit is connected to the drain of the thin film transistor.
  • a first inorganic layer 14 is formed on the organic light-emitting display layer 13 as a protective layer.
  • ALD atomic layer deposition
  • PLD pulsed laser deposition
  • sputtering sputtering
  • plasma enhanced chemical vapor deposition The first inorganic layer 14 is deposited by one of PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and the like.
  • the thickness of the first inorganic layer 14 ranges from 100 nm to 2 ⁇ m, and since the thickness is within this range, the external water and oxygen can be better blocked without increasing the thickness of the display.
  • the material of the first inorganic layer 14 includes ZrAlxOy (zirconium aluminate), graphene, alumina Al2O3, zirconium dioxide ZrO2, zinc peroxide ZnO2, silicon nitride SiNx, silicon carbonitride SiCN, SiOx, titanium dioxide TiO2, and DLC. At least one of (diamond like). Since these materials are insoluble in water, do not react with oxygen, and have high corrosion resistance, the first inorganic layer 14 has a good barrier property of water and oxygen, so that the organic light-emitting display layer can be more preferably prevented from being corroded.
  • an organic layer 15 is formed on the first inorganic layer 14.
  • the organic layer 15 is obtained by a coating method such as coating, and the organic layer 15 has a trapezoidal cross-sectional shape. Since the shape of the organic layer is set to be trapezoidal, the edge of the organic layer can be smoothed from high to low, which is advantageous for depositing a uniform uniform inorganic layer thereon, preventing the flexible OLED element from cracking during the complete folding process or The diffusion of water and oxygen.
  • the organic layer 15 has two base angles Q, the angle of the bottom angle Q being less than 70°, that is, the angle between the highest and lowest points of the edge of the organic layer 15 is less than 70°. Since the angle of the bottom corner is set within this range, the edge of the organic layer can be better smoothed from high to low, which is advantageous for depositing a more uniform inorganic layer thereon, thereby better preventing the flexible OLED element from being Cracks or water and oxygen diffusion during complete folding.
  • the thickness of the organic layer 15 ranges from 0.5 to 20 ⁇ m, and since the thickness is within this range, the external water and oxygen can be better blocked without increasing the thickness of the display.
  • the material of the organic layer 15 is not limited to an acrylic, epoxy or silicone material.
  • a second inorganic layer 16 is formed on the organic layer 15.
  • the second inorganic layer 16 is deposited by one of atomic layer deposition, pulsed laser deposition, sputtering, and plasma enhanced chemical vapor deposition, and the thickness of the second inorganic layer 16 may be the same as the first inorganic layer 14. The thickness is the same.
  • the material of the second inorganic layer 16 may be the same as the material of the first inorganic layer 14.
  • Embodiments of the present invention provide a flexible organic light emitting diode display including a flexible substrate 11, an active array layer 12, an organic light emitting display layer 13, a first inorganic layer 14, an organic layer 15, and a second inorganic layer 16.
  • the active array layer 12 is located on the flexible substrate 11; the organic light emitting display layer 13 is located on the active array layer 12.
  • the first inorganic layer 14 is located on the organic light-emitting display layer 13.
  • the organic layer 15 is located on the first inorganic layer 14, which has a trapezoidal cross-sectional shape; wherein the organic layer 15 has two base angles Q, and the angle of the bottom angle is less than 70°.
  • the second inorganic layer 16 is located on the organic layer 15.
  • the edge of the organic layer is processed to form a smooth transition from the highest point to the lowest point of the organic layer, thereby facilitating deposition of a uniform layer on the organic layer.
  • the inorganic film improves the reliability of the flexible encapsulation layer, thereby increasing the lifetime of the OLED.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing the second step of the second flexible organic light emitting diode display of the present invention.
  • the manufacturing method of the flexible organic light emitting diode display of the embodiment includes:
  • the active array layer 12 has a plurality of thin film transistors including an active layer for forming a channel, a gate insulating layer, a first metal layer, an interlayer insulating layer, and a second metal layer.
  • the organic light emitting display layer 13 is located on the active array layer 12.
  • the organic light emitting display layer 13 includes an organic light emitting unit, wherein the organic light emitting unit is electrically connected to the active array layer 12, and specifically, the organic light emitting unit is connected to the drain of the thin film transistor.
  • an organic composite layer 21 is formed on the organic light-emitting display layer 13 as a protective layer.
  • the thickness of the organic composite layer 21 ranges from 0.5 to 2 ⁇ m, and since the thickness is within this range, the external water and oxygen can be better blocked without increasing the thickness of the display.
  • the material of the organic composite layer 21 includes an organic material and inorganic nanoparticles uniformly dispersed in the organic material to form a nano organic composite layer having a refractive index greater than 1.8.
  • the inorganic nanoparticles comprise at least one of a metal oxide or a sulfide, a non-metal oxide or a sulfide.
  • the organic material may be at least one of an acrylic type, an epoxy type, or a silicone type material.
  • the organic composite layer 21 can also improve the luminous efficiency of the organic light emitting diode.
  • an organic layer 15 is formed on the organic composite layer 21.
  • the organic layer 15 is obtained by a coating method such as coating, and the organic layer 15 has a trapezoidal cross-sectional shape. Since the shape of the organic layer is set to be trapezoidal, the edge of the organic layer can be smoothed from high to low, which is advantageous for depositing a uniform uniform inorganic layer thereon, and preventing cracks generated by the flexible OLED element during the complete folding process. And the diffusion of water and oxygen.
  • the organic layer 15 has two base angles Q, the angle of the base angle being less than 70°, that is, the angle between the highest and lowest points of the edge of the organic layer 15 is less than 70°. Since the angle of the bottom corner is set within this range, the edge of the organic layer can be better smoothed from high to low, which is more advantageous for depositing a more uniform inorganic layer thereon, thereby better preventing the flexible OLED element. Cracks and the diffusion of water and oxygen are generated during the complete folding process.
  • the thickness of the organic layer 15 ranges from 0.5 to 20 ⁇ m, and since the thickness is within this range, the external water and oxygen can be better blocked without increasing the thickness of the display.
  • the material of the organic layer 15 is not limited to an acrylic, epoxy or silicone material.
  • an inorganic layer 17 is formed on the organic layer 15.
  • the inorganic layer 17 may be deposited by atomic layer deposition, pulsed laser deposition, sputtering, plasma enhanced chemical vapor deposition, or the like, and the thickness or material of the inorganic layer 17 may be the same as the thickness or material of the first inorganic layer 14.
  • Embodiments of the present invention provide a flexible organic light emitting diode display including a flexible substrate 11, an active array layer 12, an organic light emitting display layer 13, an organic composite layer 21, an organic layer 15, and an inorganic layer 17.
  • the active array layer 12 is located on the flexible substrate 11; the organic light emitting display layer 13 is located on the active array layer 12.
  • the organic composite layer 21 is located on the organic light-emitting display layer 13.
  • the organic layer 15 is located on the organic composite layer 21, and the organic layer 15 has a trapezoidal cross-sectional shape; it has two bottom angles Q, and the angle of the bottom angle is less than 70°.
  • the inorganic layer 17 is located on the organic layer 15.
  • the flexible organic light emitting diode display of the present invention and the manufacturing method thereof by processing the edge of the organic layer, forming a smooth transition from the highest to the lowest of the organic layer, thereby facilitating deposition of a uniformity on the organic layer.
  • the inorganic film thereby improving the reliability of the flexible encapsulation layer, thereby increasing the lifetime of the OLED.

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Abstract

一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，该方法包括：在柔性衬底基板（11）上依次形成主动阵列层（12）和有机发光显示层（13）；在有机发光显示层上形成保护层（14），在保护层上形成截面形状为梯形的有机层（15），在有机层上形成无机层（16）。

Description

一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法 技术领域
本发明涉及显示器技术领域，特别是涉及一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法。
 背景技术
有机发光二极管又称为有机电激光显示(OLED,Organic Light-Emitting Diode)，具有自发光、可视角度大、节省电能的特性。有机发光二极管已广泛应用于移动设备，比如智能手机和OLED电视。OLED不但可以在玻璃基板上制备，而且可以在柔性衬底上制备。
然而，现有有机发光二极管显示器的封装层的可靠性较差，使得空气中的水和氧分子通过封装层向有机发光显示层扩散，对有机发光显示层进行腐蚀，导致OLED的寿命短，效率低。
因此，有必要提供一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
 技术问题
本发明的目的在于提供一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，能够提高封装层的可靠性，从而提高产品的使用寿命。
 技术解决方案
为解决上述技术问题，本发明提供一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
在柔性衬底上依次形成主动阵列层和有机发光显示层；
在所述有机发光显示层上形成保护层；
在所述保护层上形成截面形状为梯形的有机层，所述有机层具有两个底角，所述底角的角度小于70°，所述有机层的厚度范围为0.5μm -20μm；以及
在所述有机层上形成无机层。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的材料为无机材料，所述保护层的厚度范围为100nm-2μm。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、硅碳氮、SiOx、二氧化钛以及类金刚石中的至少一种。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的材料包括有机材料和无机纳米粒子。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的厚度范围为0.5μm -2μm。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述无机纳米粒子包括金属氧化物、金属硫化物、非金属氧化物以及非金属硫化物中的至少一种。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述有机材料包括亚克力系材料、环氧树脂系材料以及有机硅系材料中的一种。
本发明还提供一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
在柔性衬底上依次形成主动阵列层、有机发光显示层；
在所述有机发光显示层上形成保护层；
在所述保护层上形成截面形状为梯形的有机层；
在所述有机层上形成无机层。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述有机层具有两个底角，所述底角的角度小于70°。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述有机层的厚度范围为0.5μm -20μm。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的材料为无机材料，所述保护层的厚度范围为100nm-2μm。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、硅碳氮、SiOx、二氧化钛以及类金刚石中的至少一种。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的材料包括有机材料和无机纳米粒子。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述保护层的厚度范围为0.5μm -2μm。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述无机纳米粒子包括金属氧化物、金属硫化物、非金属氧化物以及非金属硫化物中的至少一种。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法中，所述有机材料包括亚克力系材料、环氧树脂系材料以及有机硅系材料中的一种。
本发明还提供一种柔性有机发光二极管显示器，其包括：
柔性衬底；
主动阵列层，位于所述柔性衬底上；
有机发光显示层，位于所述主动阵列层上；
保护层，位于所述有机发光显示层上；
有机层，位于所述保护层上，所述有机层的截面形状为梯形；
无机层，位于所述有机层上。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器中，所述有机层具有两个底角，所述底角的角度小于70°。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器中，所述有机层的厚度范围为0.5μm -20μm。
在本发明的柔性有机发光二极管显示器中，所述保护层的材料包括有机材料和无机纳米粒子。
 有益效果
本发明的柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，通过对有机层的边缘进行处理，使得有机层的最高处到最低处形成平滑过度，从而有助于在有机层上沉积一层均匀性更好的无机膜，从而提高柔性封装层的可靠性，进而提高OLED的使用寿命。
 附图说明
图1为本发明的第一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第一步的示意图。
图2为本发明的第一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第二步的示意图。
图3为本发明的第一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第三步的示意图。
图4为本发明的第一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第四步的示意图。
图5为本发明的第二种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第二步的示意图。
图6为本发明的第二种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第三步的示意图。
图7为本发明的第二种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第四步的示意图。
 本发明的最佳实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。
请参照图1，图1为本发明的第一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第一步的示意图。
如图1所示，本发明的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，包括：
S101、在柔性衬底上形成主动阵列层、有机发光显示层。
如图1所示，在柔性衬底基板11上依次形成主动阵列层12、有机发光显示层13。该主动阵列层12具有多个薄膜晶体管，该薄膜薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极。该主动阵列层12包括用于形成沟道的主动层、栅绝缘层、第一金属层、层间绝缘层以及第二金属层。
该有机发光显示层13位于所述主动阵列层12上。有机发光显示层13包括有机发光单元，其中有机发光单元与该主动阵列层12电性连接，具体地有机发光单元与薄膜晶体管的漏极连接。
S102、在所述有机发光显示层上形成第一无机层。
如图2所示，在该有机发光显示层13上形成第一无机层14，以作为保护层。例如，利用原子层沉积（ALD，Atomic layer deposition)、脉冲激光沉积（PLD，Pulsed Laser Deposition）、溅射以及等离子体增强化学气相沉积法 ( PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )等方式中的一种沉积第一无机层14。
其中该第一无机层14的厚度范围为100nm-2μm之间，由于厚度在此范围内，能更好地阻隔外界的水氧，且不会增加显示器的厚度。
该第一无机层14的材料包括ZrAlxOy（锆铝酸盐）、石墨烯、氧化铝Al2O3、二氧化锆ZrO2、过氧化锌ZnO2、氮化硅SiNx、硅碳氮SiCN、SiOx、二氧化钛TiO2以及DLC(类金刚石)中的至少一种。由于这些材料不溶于水、且不与氧气发生反应、耐蚀性强，使得第一无机层14具有很好的阻隔的水氧的特性，因此可以更好地防止有机发光显示层被腐蚀。
S103、在所述第一无机层上形成截面形状为梯形的有机层。
如图3所示，在所述第一无机层14上形成有机层15。
利用有机光刻、搭配喷墨印刷IJP、旋转涂布（spin-coating）或狭缝式涂布（slot coating）等涂布方法制得该有机层15，该有机层15的截面形状为梯形。由于将有机层的形状设置为梯形，能够使得有机层的边缘由高到低进行平滑过度，有利于在其上沉积均匀性较好的无机层，防止柔性OLED元件在完全折叠过程中产生裂痕或者水氧的扩散。
该有机层15具有两个底角Q，底角Q的角度小于70°，也即有机层15的边缘最高处和最低处之间的夹角小于70°。由于将底角的角度设置在此范围内，能够更好地使得有机层的边缘由高到低进行平滑过度，有利于在其上沉积更加均匀的无机层，从而更好地防止柔性OLED元件在完全折叠过程中产生裂痕或者水氧的扩散。
该有机层15的厚度范围为0.5-20μm，由于厚度在此范围内，能更好地阻隔外界的水氧，且不会增加显示器的厚度。该有机层15的材料不限于亚克力系、环氧树脂系或有机硅系材料。
S104、在所述有机层上形成第二无机层。
如图4所示，在所述有机层15上形成第二无机层16。
比如，利用原子层沉积、脉冲激光沉积、溅射以及等离子体增强化学气相沉积法等方式中的一种沉积该第二无机层16，该第二无机层16的厚度可以与第一无机层14厚度相同。该第二无机层16的材料可以与第一无机层14材料相同。
本发明实施例提供一种柔性有机发光二极管显示器，其包括柔性衬底11、主动阵列层12、有机发光显示层13、第一无机层14、有机层15、第二无机层16。
主动阵列层12位于所述柔性衬底11上；有机发光显示层13位于所述主动阵列层12上。第一无机层14位于所述有机发光显示层13上。有机层15位于所述第一无机层14上，所述有机层15的截面形状为梯形；其中所述有机层15具有两个底角Q，底角的角度小于70°。第二无机层16位于所述有机层15上。
本发明的柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，通过对有机层的边缘进行处理，使得有机层的最高处到最低处形成平滑过度，从而有助于在有机层上沉积一层均匀性较好的无机膜，从而提高柔性封装层的可靠性，进而提高OLED寿命。
请参照图5，图5为本发明的第二种柔性有机发光二极管显示器的制作方法的第二步的示意图。
如图5所示，本实施例的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，包括：
S201、在柔性衬底上形成主动阵列层、有机发光显示层。
返回图1，在柔性衬底基板11上依次形成主动阵列层12、有机发光显示层13。该主动阵列层12具有多个薄膜晶体管，其包括用于形成沟道的主动层、栅绝缘层、第一金属层、层间绝缘层以及第二金属层。
该有机发光显示层13位于所述主动阵列层12上。有机发光显示层13包括有机发光单元，其中有机发光单元与该主动阵列层12电性连接，具体地有机发光单元与薄膜晶体管的漏极连接。
S202、在所述有机发光显示层上形成有机复合层。
如图5所示，在所述有机发光显示层13上形成有机复合层21，以作为保护层。该有机复合层21的厚度范围为0.5-2μm，由于厚度在此范围内，能更好地阻隔外界的水氧，且不会增加显示器的厚度。
该有机复合层21的材料包括有机材料以及均匀分散在有机材料中的无机纳米粒子，以形成折射率大于1.8的纳米有机复合层。其中无机纳米粒子包括金属氧化物或硫化物、非金属氧化物或硫化物中的至少一种。有机材料可以是亚克力系、环氧树脂系或有机硅系材料中的至少一种。此外，该有机复合层21还可以提高有机发光二极管的发光效率。
S203、在所述有机复合层上形成截面形状为梯形的有机层。
如图6所示，在所述有机复合层21上形成有机层15。利用有机光刻、搭配喷墨印刷IJP、旋转涂布spin-coating或狭缝式涂布slot coating等涂布方式制得该有机层15，该有机层15的截面形状为梯形。由于将有机层的形状设置为梯形，能够使得有机层的边缘由高到低进行平滑过度，有利于在其上沉积均匀性较好的无机层，防止柔性OLED元件在完全折叠过程中产生的裂痕以及水氧的扩散。
该有机层15具有两个底角Q，底角的角度小于70°，也即有机层15的边缘最高处和最低处之间的夹角小于70°。由于将底角的角度设置在此范围内，能够更好地使得有机层的边缘由高到低进行平滑过度，更加有利于在其上沉积更加均匀的无机层，从而更好地防止柔性OLED元件在完全折叠过程中产生裂痕以及水氧的扩散。
该有机层15的厚度范围为0.5-20μm，由于厚度在此范围内，能更好地阻隔外界的水氧，且不会增加显示器的厚度。该有机层15的材料不限于亚克力系、环氧树脂系或有机硅系材料。
S204、在所述有机层上形成无机层。
如图7所示，在所述有机层15上形成无机层17。
比如，利用原子层沉积、脉冲激光沉积、溅射、等离子体增强化学气相沉积法等方式沉积该无机层17，该无机层17的厚度或材料可以与第一无机层14的厚度或材料相同。
本发明实施例提供一种柔性有机发光二极管显示器，其包括柔性衬底11、主动阵列层12、有机发光显示层13、有机复合层21、有机层15以及无机层17。
主动阵列层12位于所述柔性衬底11上；有机发光显示层13位于所述主动阵列层12上。有机复合层21位于所述有机发光显示层13上。有机层15位于所述有机复合层21上，所述有机层15的截面形状为梯形；其具有两个底角Q，底角的角度小于70°。无机层17位于所述有机层15上。
本发明的柔性有机发光二极管显示器及其制作方法，通过对有机层的边缘进行处理，使得有机层的最高处到最低处形成平滑过度，从而有助于在有机层上沉积一层均匀性更好的无机膜，从而提高柔性封装层的可靠性，进而提高OLED的寿命。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (20)

  1. 一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
    在柔性衬底上依次形成主动阵列层和有机发光显示层；
    在所述有机发光显示层上形成保护层；
    在所述保护层上形成截面形状为梯形的有机层，所述有机层具有两个底角，所述底角的角度小于70°，所述有机层的厚度范围为0.5μm -20μm；以及
    在所述有机层上形成无机层。
  2. 根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的材料为无机材料，所述保护层的厚度范围为100nm-2μm。
  3. 根据权利要求2所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、硅碳氮、SiOx、二氧化钛以及类金刚石中的至少一种。
  4. 根据权利要求1所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的材料包括有机材料和无机纳米粒子。
  5. 根据权利要求4所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的厚度范围为0.5μm -2μm。
  6. 根据权利要求4所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述无机纳米粒子包括金属氧化物、金属硫化物、非金属氧化物以及非金属硫化物中的至少一种。
  7. 根据权利要求4所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述有机材料包括亚克力系材料、环氧树脂系材料以及有机硅系材料中的一种。
  8. 一种柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其包括：
    在柔性衬底上依次形成主动阵列层和有机发光显示层；
    在所述有机发光显示层上形成保护层；
    在所述保护层上形成截面形状为梯形的有机层；以及
    在所述有机层上形成无机层。
  9. 根据权利要求8所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述有机层具有两个底角，所述底角的角度小于70°。
  10. 根据权利要求8所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述有机层的厚度范围为0.5μm -20μm。
  11. 根据权利要求8所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的材料为无机材料，所述保护层的厚度范围为100nm-2μm。
  12. 根据权利要求11所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的材料包括锆铝酸盐、石墨烯、氧化铝、二氧化锆、过氧化锌、氮化硅、硅碳氮、SiOx、二氧化钛以及类金刚石中的至少一种。
  13. 根据权利要求8所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的材料包括有机材料和无机纳米粒子。
  14. 根据权利要求13所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述保护层的厚度范围为0.5μm -2μm。
  15. 根据权利要求13所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述无机纳米粒子包括金属氧化物、金属硫化物、非金属氧化物以及非金属硫化物中的至少一种。
  16. 根据权利要求13所述的柔性有机发光二极管显示器的制作方法，其中所述有机材料包括亚克力系材料、环氧树脂系材料以及有机硅系材料中的一种。
  17. 一种柔性有机发光二极管显示器，其包括：
    柔性衬底；
    主动阵列层，位于所述柔性衬底上；
    有机发光显示层，位于所述主动阵列层上；
    保护层，位于所述有机发光显示层上；
    有机层，位于所述保护层上，所述有机层的截面形状为梯形；以及
    无机层，位于所述有机层上。
  18. 根据权利要求17所述的柔性有机发光二极管显示器，其中所述有机层具有两个底角，所述底角的角度小于70°。
  19. 根据权利要求17所述的柔性有机发光二极管显示器，其中所述有机层的厚度范围为0.5μm -20μm。
  20. 根据权利要求17所述的柔性有机发光二极管显示器，其中所述保护层的材料包括有机材料和无机纳米粒子。
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