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WO2018164158A1 - 高周波モジュール - Google Patents

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WO2018164158A1
WO2018164158A1 PCT/JP2018/008679 JP2018008679W WO2018164158A1 WO 2018164158 A1 WO2018164158 A1 WO 2018164158A1 JP 2018008679 W JP2018008679 W JP 2018008679W WO 2018164158 A1 WO2018164158 A1 WO 2018164158A1
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wiring board
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metal pins
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喜人 大坪
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency module including a shield.
  • Various high-frequency modules are mounted on a mother board of an electronic device such as a communication terminal device.
  • Some high frequency modules of this type have components mounted on a wiring board sealed with a sealing resin layer.
  • the surface of the sealing resin layer may be covered with a shield film.
  • a high frequency module capable of arranging a shield member having a high degree of design freedom has been proposed. For example, as shown in FIG.
  • a component 102 is mounted on a wiring board 101.
  • a bonding wire 103 is disposed around the component 102, and the component 102 is shielded by the bonding wire 103.
  • the bonding wire 103 can be mounted only at a portion that needs to be shielded, the degree of freedom in designing the shield member is improved.
  • the conventional high-frequency module 100 shields the bonding wires 103 by arranging the bonding wires 103 at predetermined intervals.
  • the bonding wires 103 are easily deformed, the bonding wires 103 are deformed when the sealing resin layer 104 is formed. Then, the component 102 or the bonding wire 103 may be damaged. Further, if the distance between the parts 102 and the bonding wire 103 is increased in order to prevent contact between the parts 102 and the bonding wires 103, high-density mounting is hindered. Further, when the bonding wire 103 is deformed, the interval between the adjacent bonding wires 103 may be changed, or the connection interval with the shield film on the top surface may be changed, and the shield characteristics may be changed.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a high-frequency module that has a high degree of freedom in designing a shield member and in which the shield characteristics are unlikely to fluctuate.
  • a high-frequency module includes a wiring board, a component mounted on one main surface of the wiring board, and one end surface formed on the one main surface of the wiring board.
  • a first extension that is attached to the electrode and extends from the one end surface so as to be away from the one main surface, and a second extension that is bent and extends from the opposite side of the one end surface of the first extension portion
  • a plurality of metal pins having a third extending portion that is bent from the side opposite to the first extending portion of the second extending portion and extends so as to approach the one main surface.
  • the metal pin is disposed in the vicinity of the component and constitutes a shield member.
  • the shield member is configured by arranging a plurality of metal pins in the vicinity of the component, the shield member is compared with the configuration in which the shield film that covers the surface of the sealing resin layer is provided.
  • the degree of freedom in design can be improved.
  • the shield member is composed of a metal pin that is harder or harder to deform than the bonding wire, for example, when the sealing resin layer is formed, the metal pin is deformed to prevent a problem such as contact with a component. be able to.
  • metal pins are not easily deformed, it is not necessary to increase the distance between the parts and the metal pins in order to prevent contact with the parts as in the case of forming a shield member with a bonding wire, and high-density mounting is easy. become.
  • the metal pins are not easily deformed, the interval between adjacent metal pins can be easily maintained, so that the shield characteristics are stabilized.
  • the metal pin can be made thicker than the bonding wire, the shield resistance can be reduced, and the shield characteristics are improved.
  • the plurality of metal pins may be connected to a ground electrode.
  • the plurality of metal pins may be arranged around the component so as to surround the component when viewed from a direction perpendicular to the one main surface of the wiring board.
  • the plurality of metal pins can function as a shield member for preventing noise on the component.
  • each of the plurality of metal pins may be arranged such that a distance between the first extending portion and the third extending portion is larger than a width of the component and straddles the component. Good.
  • the plurality of metal pins can function as a shield member for preventing noise on the parts. Moreover, since each metal pin straddles components, a shield characteristic improves.
  • the sealing resin layer further includes a sealing resin layer that seals the component, the sealing resin layer including a contact surface that contacts the one main surface of the wiring board, a facing surface that faces the contact surface, It has a contact surface and a side surface connecting the edges of the opposing surface, and a part of the plurality of metal pins may be exposed on the opposing surface of the sealing resin layer.
  • the shield film and each metal pin can be easily connected. Further, the shield film can be easily grounded by connecting each metal pin to the ground electrode of the wiring board.
  • the component includes a contact surface that contacts the one main surface of the wiring board, a facing surface that faces the contact surface, and a side surface that connects edges of the contact surface and the facing surface. And a sealing resin layer that seals the plurality of metal pins, and the plurality of metal pins may not be exposed from the facing surface of the sealing resin layer.
  • each of the plurality of metal pins may be coated with an insulating material.
  • it further includes a shield film that covers at least the facing surface and the side surface of the sealing resin layer, and at least one of the plurality of metal pins includes a part of the sealing resin. It may be exposed on the side surface of the layer and in contact with the shield film.
  • the shield film can be grounded with the metal pin.
  • an external terminal having one end connected to the one main surface of the wiring board and the other end exposed on the facing surface of the sealing resin layer, and a component mounted on the other main surface of the wiring board You may have.
  • the component has a rectangular shape when viewed from a direction perpendicular to the one main surface of the wiring board, and each of the plurality of metal pins is perpendicular to the one main surface of the wiring board.
  • the length direction of the second extending portion may be arranged in an oblique state with respect to one side of the component.
  • each metal pin when viewed from the direction perpendicular to the one main surface of the wiring board, each metal pin secures a shielding function not only in the direction perpendicular to the one side of the component but also in the parallel direction. it can.
  • the design of the shield member can be freely compared with the configuration in which the shield film covering the surface of the sealing resin layer is provided.
  • the degree can be improved.
  • the shield member is made of a metal pin that is harder or harder to deform than the bonding wire, for example, when the sealing resin layer is formed, the metal pin may be deformed and contact with a component is prevented. Can do.
  • metal pins are not easily deformed, it is not necessary to increase the distance between the parts and the metal pins in order to prevent contact with the parts as in the case of forming a shield member with a bonding wire, and high-density mounting is easy. become.
  • the metal pins are not easily deformed, the interval between adjacent metal pins can be easily maintained, so that the shield characteristics are stabilized.
  • FIG. 2 is a plan view of the module of FIG. 1 with a shield film removed. It is a figure for demonstrating the metal pin of FIG. It is a figure which shows the modification of the high frequency module of FIG. It is sectional drawing of the high frequency module concerning 2nd Embodiment of this invention.
  • FIG. 6 is a plan view of the module of FIG. 5 with a shield film removed. It is a figure for demonstrating the metal pin of FIG. It is a figure which shows the modification of the high frequency module of FIG. It is a figure which shows the modification of the metal pin of the high frequency module of FIG.
  • FIGS. 1 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 2
  • FIG. 2 is a plan view of the high-frequency module 1a with the shield film 6 removed
  • FIG. 3 is a view for explaining the metal pin 5a.
  • the high-frequency module 1 a includes a multilayer wiring board 2 (corresponding to “wiring board” of the present invention) and a plurality of components mounted on the upper surface 20 a of the multilayer wiring board 2.
  • the components 3a to 3d, the sealing resin layer 4 laminated on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, the shield film 6 covering the surface of the sealing resin layer 4, and the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 are mounted.
  • a plurality of metal pins 5a for example, mounted on a mother board or the like of an electronic device using a high-frequency signal.
  • the multilayer wiring board 2 is formed by laminating a plurality of insulating layers 2a to 2d formed of, for example, a low-temperature co-fired ceramic, a high-temperature co-fired ceramic, glass epoxy resin, or the like.
  • a plurality of insulating layers 2a to 2d formed of, for example, a low-temperature co-fired ceramic, a high-temperature co-fired ceramic, glass epoxy resin, or the like.
  • On the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 (corresponding to “one main surface of the wiring board” of the present invention)
  • mounting electrodes 7 for mounting the components 3a to 3d and the metal pins 5a are formed on the lower surface 20 b of the multilayer wiring board 2.
  • Various internal wiring electrodes 9 are formed between the adjacent insulating layers 2a to 2d, and the internal wiring electrodes 9 formed in different insulating layers 2a to 2d are provided inside the multilayer wiring board 2.
  • a plurality of via conductors 10 for connection are formed.
  • the mounting electrode 7, the external electrode 8, and the internal wiring electrode 9 are all formed of a metal generally employed as a wiring electrode such as Cu, Ag, or Al.
  • Each via conductor 10 is made of a metal such as Ag or Cu.
  • Each mounting electrode 7 and each external electrode 8 may be plated with Ni / Au.
  • the components 3a to 3d are composed of semiconductor elements such as IC and PA (power amplifier), chip components such as a chip inductor, a chip capacitor, and a chip resistor.
  • the multilayer wiring board 2 is formed by a general surface mounting technique such as solder bonding. To be implemented.
  • the sealing resin layer 4 is formed of a resin generally employed as a sealing resin such as an epoxy resin, and seals the components 3a to 3d and the metal pins 5a.
  • the sealing resin layer 4 includes a lower surface 4b (corresponding to the “contact surface of the sealing resin layer” of the present invention) that contacts the multilayer wiring board 2 and an upper surface 4a that faces the lower surface 4b (“ Corresponding to the “opposing surface of the sealing resin layer”) and the side surface 4c.
  • Each metal pin 5a has a shape bent in a U-shape, and is erected on the upper surface 20a in a state where both ends are connected to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2.
  • each metal pin 5 a has two columnar leg portions 5 a 1 (the “first extending portion” and the “third extending portion” of the present invention) that are arranged substantially in parallel.
  • a columnar connecting portion 5a2 (corresponding to the “second extending portion” of the present invention) that connects the end portions of these columnar leg portions 5a1 to each other.
  • each metal pin 5a has an end surface of each of the columnar leg portions 5a1 (an end portion on the opposite side to the end portion connected to the columnar connection portion 5a2) that forms an end portion of the metal pin 5a.
  • the multi-layer wiring board 2 is erected on the top surface 20 a of the multi-layer wiring board 2 in a state of being connected to the mounting electrodes 7 on the top surface 20 a of the multi-layer wiring board 2.
  • each metal pin 5a is mounted on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 in a state where each metal pin 5a is mounted on the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, both the columnar legs 5a1 are arranged in a direction substantially perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, and the columnar connection portion 5a2 is arranged in a direction substantially parallel to the upper surface 20a.
  • Each metal pin 5a is mounted on the multilayer wiring board 2 by soldering, for example.
  • the metal pins 5a may be inserted into holes of through-hole conductors formed on the printed wiring board.
  • each metal pin 5a is placed around the component 3a so as to surround the component 3a when viewed from a direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2 (hereinafter sometimes referred to as a plan view). Arranged. At this time, as shown in FIG. 2, it is arranged along each side of the part 3a having a rectangular shape in plan view. At this time, when viewed in plan, the metal pins 5a are arranged in a row around the component 3a in a state where the respective columnar connection portions 5a2 are arranged in parallel with the adjacent sides of the component 3a (see FIG. 2). ). Each metal pin 5 a is sealed with the sealing resin layer 4 in a state where the columnar connection portion 5 a 2 is exposed from the upper surface 4 a of the sealing resin layer 4.
  • each metal pin 5a is connected to a ground electrode (internal wiring electrode 9) formed on the multilayer wiring board 2, whereby each metal pin 5a is grounded.
  • Each metal pin 5a is formed by shearing a wire made of a metal material generally used as a wiring electrode, such as Cu, Au, Ag, Al, or a Cu-based alloy, to a predetermined length, It can be formed by bending into a letter shape.
  • the frequency of the use signal is ⁇
  • the distance (interval) between both columnar legs 5a1 of each metal pin 5a and the interval between two opposing columnar legs 5a1 between adjacent metal pins 5a Is preferably 1 / 4 ⁇ or less. If it does in this way, the shield characteristic of the components 3a will improve by each metal pin 5a.
  • the shield film 6 covers the surface (the upper surface 4 a and the side surface 4 c) of the sealing resin layer 4 and the side surface 20 c of the multilayer wiring board 2. Further, on the upper surface 4 a of the sealing resin layer 4, the columnar connection portions 5 a 2 of the respective metal pins 5 a and the shield film 6 come into contact with each other and are connected to each other. The shield film 6 is connected to a ground electrode (not shown) exposed on the side surface 20 c of the multilayer wiring board 2.
  • the shield film 6 can be formed in a multilayer structure having an adhesion film laminated on the upper surface 4a of the sealing resin layer 4, a conductive film laminated on the adhesion film, and a protective film laminated on the conductive film.
  • the adhesion film is provided to increase the adhesion strength between the conductive film and the sealing resin layer 4 and can be formed of a metal such as SUS, for example.
  • the conductive film is a layer that bears the substantial shielding function of the shield film 6 and can be formed of, for example, any one of Cu, Ag, and Al.
  • the protective film is provided to prevent the conductive film from being corroded or scratched, and can be formed of, for example, SUS. Since the shield film 6 is in contact with each grounded metal pin 5a, the ground electrode need not necessarily be exposed on the side surface 20c of the multilayer wiring board 2 and connected to the ground electrode.
  • the plurality of metal pins 5a are arranged around the component 3a to form the shield member, and thus cover the surface (upper surface 4a, side surface 4c) of the sealing resin layer 4.
  • the degree of freedom in designing the shield member can be improved.
  • the shield member is formed by the metal pin 5a which is stronger than the bonding wire, for example, when the sealing resin layer 4 is formed, the metal pin 5a is deformed to prevent a problem that it contacts the component 3a. can do.
  • the metal pin 5a is harder to deform than the bonding wire, there is no need to increase the distance between the component and the metal pin in order to prevent contact with the component as in the case of forming a shield member with the bonding wire. High density mounting becomes easy. Further, since the metal pin 5a is not easily deformed, the interval between the adjacent metal pins 5a can be easily maintained, so that the shield characteristic is stabilized.
  • the shield film 6 and the metal pins 5a can be easily connected. Moreover, since each metal pin 5a is connected to the ground electrode of the multilayer wiring board 2, the shield film 6 can be grounded easily. Further, by exposing the columnar connecting portions 5a2 of the metal pins 5a from the upper surface 4a of the sealing resin layer 4, the shield film 6 is connected to the shield film 6 by exposing the ground electrode to the side surface 20c of the multilayer wiring board 2. Compared with the configuration, since the connection area with the shield film 6 can be increased, the shield characteristics of the shield film 6 can be improved.
  • a groove may be formed in the sealing resin layer, and a conductive wall may be filled in the groove to form a shield wall. If a laser beam is used for forming the wiring, there is a risk of damaging the wiring board. However, in this embodiment, since each metal pin 5a is mounted on the multilayer wiring board 2 to be a shield member, such damage to the multilayer wiring board 2 does not occur.
  • each metal pin 5a is exposed from the upper surface 4a of the sealing resin layer 4.
  • the metal pin 5a may not be exposed from either the upper surface 4a or the side surface 4c of the stop resin layer 4, that is, the metal pin 5a may be embedded in the sealing resin layer 4.
  • FIGS. 5 is a cross-sectional view of the high-frequency module 1b, and is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 6,
  • FIG. 6 is a plan view of the high-frequency module 1b with the shield film 6 removed, and
  • FIG. It is a figure for demonstrating.
  • the high-frequency module 1b according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3 in that the configuration of the shield member is different as shown in FIGS. That is. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • each metal pin 5b like the metal pin 5a of the first embodiment, has two columnar leg portions 5b1 (corresponding to the “first extending portion” and the “third extending portion” of the present invention), although it is formed in a U shape having a columnar connection portion 5b2 (corresponding to the “second extending portion” of the present invention), the interval between the columnar leg portions 5b1 is different from that of the metal pin 5a of the first embodiment. Specifically, as shown in FIG. 7, each metal pin 5b has an interval W1 between the columnar leg portions 5b1 (corresponding to the “interval between the first extension portion and the third extension portion” of the present invention).
  • the length of the columnar connecting portion 5b2 is adjusted so as to be wider than the width W2 of the component 3a, and is disposed so as to straddle the component 3a. Further, the metal pins 5b are arranged in the long side direction of the component 3a at substantially equal intervals, when viewed from a direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, and the columnar connection portions 5b2 are parallel to each other. Is done. In this case, the interval between the columnar connecting portions 5b2 is preferably 1 ⁇ 4 ⁇ or less when the frequency of the use signal is ⁇ .
  • the component 3a is surrounded by the columnar leg portion 5b1 of each metal pin 5b and the columnar connection portion 5b2. improves.
  • the columnar connecting portions 5b2 of the respective metal pins 5b are exposed from the upper surface 4a of the sealing resin layer 4.
  • the metal pin 5b may be embedded in the sealing resin layer 4 without being exposed from either the top surface 4a or the side surface 4c of the stop resin layer 4. According to this configuration, since the distance between the component 3a and the columnar connecting portion 5b2 of each metal pin 5b is reduced, the shield characteristic for the component 3a can be improved. Further, since the entire length of each metal pin 5b (both columnar leg portions 5b1 + columnar connection portions 5b2) is shortened, the shield resistance can be lowered.
  • each metal pin 5b forms a shield straddling only the component 3a.
  • each metal pin 5b includes a plurality of components 3a. , 3d, the length of each columnar connecting portion 5b2 may be adjusted. This configuration is suitable when it is desired to shield a predetermined mounting area where a plurality of components 3a and 3d are mounted.
  • one columnar leg 5b1 of each metal pin 5b may be exposed to the side surface 4c of the sealing resin layer 4 and contact the shield film 6. By doing so, the shield film 6 can be reliably grounded by the contact between each metal pin 5b and the shield film 6, so that the shield characteristics of the shield film 6 can be improved.
  • FIG. 10 is a plan view of the high-frequency module 1c with the shield film 6 removed.
  • the high-frequency module 1c according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3 in that the configuration of the shield member is different as shown in FIG. . Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • each metal pin 5a is fixed by a resin mold body 11a formed of a thermoplastic resin or a thermosetting resin. Therefore, each metal pin 5a is integrated in the state coat
  • the shape of the resin mold body 11a in plan view is a hollow rectangular shape, and the inner contour of the resin mold body 11a is formed in a rectangular shape slightly larger than the component 3a so that the component 3a can be disposed in the hollow portion. .
  • FIG. 11 is a plan view of the high-frequency module 1d with the shield film 6 removed.
  • the high-frequency module 1d according to this embodiment differs from the high-frequency module 1b of the second embodiment described with reference to FIGS. 5 to 7 in that the configuration of the shield member is different as shown in FIG. . Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1b of the second embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the plurality of metal pins 5b are integrated by being fixed to a resin mold body 11b formed of a thermoplastic resin or a thermosetting resin.
  • a resin mold body 11b formed of a thermoplastic resin or a thermosetting resin.
  • three adjacent metal pins 5b are taken as one set, and one set of metal pins 5b is integrated by one resin mold body 11b.
  • Each resin mold body 11b is basically a rectangular parallelepiped, and the arrangement space for the component 3a is cut away.
  • FIG. 12 is a plan view of the high-frequency module 1e with the upper surface of the shield film 6 removed.
  • the high-frequency module 1e according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3 in that the configuration of the shield member is different as shown in FIG. . Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • both types of metal pins 5a of the high frequency module 1a of the first embodiment and the metal pins 5b of the high frequency module 1b of the second embodiment are arranged in one high frequency module 1e.
  • the metal pins 5a arranged in a line around the part 3a are eliminated.
  • FIGS. 13 is a cross-sectional view of the high-frequency module 1f
  • FIG. 14 is a bottom view of the high-frequency module 1f.
  • internal wiring electrodes and via conductors formed inside the multilayer wiring board 2 are not shown.
  • the high-frequency module 1f according to this embodiment differs from the high-frequency module 1a of the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3 in that the bottom surface of the multilayer wiring board 2 is shown in FIGS. 20b is also mounted with parts 3e and 3f, and the configuration of the shield member is different. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1a of the first embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the mounting electrode 70 is formed on the lower surface 20b of the multilayer wiring board 2, and the components 3e and 3f are mounted also on the lower surface side.
  • the external connection terminal 12 is further mounted on the lower surface 20b, and the high-frequency module 1f is connected to an external mother board or the like on the lower surface 20b side of the multilayer wiring board 2.
  • the components 3e and 3f mounted on the lower surface 20b of the multilayer wiring board 2 are individually shielded by a plurality of metal pins 5d and 5e, respectively.
  • Each of the metal pins 5d and 5e is of a type that straddles parts in the same manner as the metal pin 5b of the second embodiment, and each of the metal pins 5d straddles the part 3e, and the respective columnar connection portions 5d2 Are arranged in parallel and at approximately equal intervals.
  • Each of the metal pins 5e is arranged so that the respective columnar connecting portions 5e2 are parallel and substantially equidistant with each other straddling the component 3f.
  • the sealing resin layer 40 is also provided on the lower surface 20b side of the multilayer wiring board 2, and the lower end surface of each external connection terminal 12 and the columnar connection portions 5d2 and 5e2 of each metal pin are the lower surface 40a of the sealing resin layer 40.
  • the parts 3e and 3f, the external connection terminals 12, and the metal pins 5d and 5e are sealed in a state where the parts are exposed from the surface.
  • the shield film 6 seals the lower surface 20b side of the multilayer wiring board 2 in addition to the upper surface 4a and the side surface 4c of the sealing resin layer 4 on the upper surface 20a side of the multilayer wiring board 2 and the side surface 20c of the multilayer wiring board 2.
  • the side surface 40c of the resin layer 40 is covered.
  • the degree of freedom in designing the shield member for the components 3e and 3f mounted on the lower surface 20b of the multilayer wiring board 2 can be improved. Further, if the columnar connecting portions 5d2 and 5e2 of the metal pins 5d and 5e are exposed from the lower surface 40a of the sealing resin layer 40, the metal pins 5d and 5e can be directly connected to the ground electrode of the mother substrate. The shielding characteristics of the parts 3e and 3f mounted on the board are improved.
  • FIG. 15 is a plan view of the high-frequency module 1g with the shield film 6 removed.
  • the high-frequency module 1g according to this embodiment differs from the high-frequency module 1b of the second embodiment described with reference to FIGS. 5 to 7 in that the arrangement configuration of the metal pins 5b is different as shown in FIG. That is. Since other configurations are the same as those of the high-frequency module 1b of the second embodiment, description thereof is omitted by attaching the same reference numerals.
  • the component 3a has a rectangular shape when viewed from a direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2.
  • Each metal pin 5b straddles the part 3a. Furthermore, as shown in FIG. 15, each metal pin 5b is arranged in a state where the length direction of the columnar connecting portion 5b2 is inclined with respect to the long side (or short side) of the component 3a.
  • the component 3a when viewed from a direction perpendicular to the upper surface 20a of the multilayer wiring board 2, the component 3a is more effective than the shield characteristic against noise from the direction parallel to the long side of the component 3a.
  • the shield characteristic against noise from the direction perpendicular to the long side of the is high.
  • the shield function can be secured against noise from either of these two directions, the degree of freedom in mounting the high-frequency module is improved.
  • each of the metal pins 5a to 5e is formed in a U shape, but may be, for example, a C shape or a U shape.
  • the shield film 6 may not be provided.
  • the resin mold bodies 11a and 11b may be formed of an insulating material without being limited to resin.
  • the present invention can be applied to various high frequency modules having a shield.

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Abstract

シールドの設計自由度が高く、シールド特性が変動しにくい高周波モジュールを提供する。　高周波モジュール１ａは、多層配線基板２と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された部品３ａ～３ｄと、両方の端部がともに多層配線基板２の上面２０ａに接続できるように屈曲した形状を有する複数の金属ピン５ａとを備え、複数の金属ピン５ａは、それぞれ両端部が多層配線基板２の上面２０ａに接続された状態で当該多層配線基板２の上面２０ａに立設されるとともに、部品３ａの近辺に配設されてシールド部材を構成する。

Description

高周波モジュール
本発明は、シールドを備える高周波モジュールに関する。
　通信端末装置などの電子機器のマザー基板には、種々の高周波モジュールが実装される。この種の高周波モジュールの中には、配線基板に実装された部品が封止樹脂層で封止されるものがある。また、部品に対するノイズを遮蔽するために、封止樹脂層の表面をシールド膜で被覆する場合もある。配線基板に複数の部品が実装される場合では、特定の部品に対してのみ、ノイズを遮蔽したい場合があるが、封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜では、特定の部品に対してのみシールドを行うのが困難であり、設計自由度が低い。そこで、設計自由度が高いシールド部材の配置が可能な高周波モジュールが提案されている。例えば、図１６に示すように、特許文献１に記載の高周波モジュール１００では、配線基板１０１に部品１０２が実装される。部品１０２の周りにはボンディングワイヤ１０３が配されており、当該ボンディングワイヤ１０３により、部品１０２がシールドされる。このようにすると、シールドされる必要がある箇所のみに、ボンディングワイヤ１０３を実装すれはよいため、シールド部材の設計自由度が向上する。
特許第５２７６１６９号公報（段落００２１～００２４、図３等参照）
　しかしながら、従来の高周波モジュール１００は、ボンディングワイヤ１０３のループを所定間隔で配列してシールドを行うが、ボンディングワイヤ１０３は、変形しやすいため、封止樹脂層１０４の形成時にボンディングワイヤ１０３が変形して部品１０２に接触し、部品１０２またはボンディングワイヤ１０３が損傷するおそれがある。また、部品１０２とボンディングワイヤ１０３との接触を防止するために、両者の距離を離すと、高密度実装の妨げとなる。また、ボンディングワイヤ１０３が変形すると、隣接するボンディングワイヤ１０３との間隔が変動したり、或いは天面のシールド膜との接続間隔が変動し、シールド特性が変動するおそれもある。
　本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、シールド部材の設計自由度が高く、シールド特性が変動しにくい高周波モジュールを提供することを目的とする。
　上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された部品と、一端面が、前記配線基板の前記一方主面に形成された電極に取り付けられ、前記一方主面から遠ざかるように、前記一端面から延在する第１延在部、前記第１延在部の前記一端面と反対側から折れ曲がって延在する第２延在部、および前記第２延在部の前記第１延在部と反対側から折れ曲がって前記一方主面に近づくように延在する第３延在部を有する複数の金属ピンとを備え、前記複数の金属ピンは、前記部品の近辺に配設されてシールド部材を構成することを特徴としている。
　この構成によれば、複数の金属ピンが部品の近辺に配設されることによりシールド部材を構成するため、封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜を設ける構成と比較して、シールド部材の設計自由度を向上させることができる。また、ボンディングワイヤよりも硬い、或いは変形しにくい金属ピンによりシールド部材を構成するため、例えば、封止樹脂層を形成するときに金属ピンが変形して、部品に接触するような不具合を防止することができる。また、金属ピンは変形しにくいため、ボンディングワイヤでシールド部材を形成する場合のように、部品との接触を防止するために、部品と金属ピンとの距離を離す必要がなく、高密度実装が容易になる。また、金属ピンが変形しにくいことで、隣接する金属ピンの間隔も維持し易くなるため、シールド特性が安定する。さらに金属ピンはボンディングワイヤに比べて太線化する事が可能であり、シールド抵抗を低減可能でありシールド特性が向上する。
　また、前記複数の金属ピンは、グランド電極と接続されていてもよい。
　この構成によると、シールド部材によるシールド特性が向上する。
　また、前記複数の金属ピンは、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記部品を囲むように、当該部品の周囲に配列されていてもよい。
　この構成によれば、複数の金属ピンを部品を囲むように配列することにより、当該複数の金属ピンを、部品に対するノイズを防止するシールド部材として機能させることができる。
　また、前記複数の金属ピンそれぞれは、前記第１延在部と前記第３延在部の間隔が前記部品の幅よりも大きく形成されており、前記部品を跨いだ状態で配列されていてもよい。
　この構成によれば、複数の金属ピンを、部品を跨いだ状態で配列することにより、当該複数の金属ピンを、部品に対するノイズを防止するシールド部材として機能させることができる。また、各金属ピンが部品を跨ぐためシールド特性が向上する。
　また、前記部品を封止する封止樹脂層をさらに備え、前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、前記複数の金属ピンは、一部が前記封止樹脂層の前記対向面に露出していてもよい。
　この構成によれば、例えば、封止樹脂層の表面をシールド膜で被覆した場合は、シールド膜と各金属ピンとを容易に接続することができる。また、各金属ピンを配線基板のグランド電極と接続させることで、シールド膜の接地を容易に行うことができる。
　また、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、前記部品および前記複数の金属ピンを封止する封止樹脂層をさらに備え、前記複数の金属ピンは、前記封止樹脂層の前記対向面から露出していなくてもよい。
　この構成によれば、例えば、各金属ピンを部品を跨ぐように配列した場合において、部品と各金属ピンとの距離（封止樹脂層の厚み方向の距離）を近づけることができ、金属ピンによる部品のシールド特性が向上する。
　また、前記複数の金属ピンそれぞれが、絶縁材料で被覆されていてもよい。
　この構成によれば、部品と金属ピンとの接触を確実に防止することができる。よって、部品と各金属ピンの狭ギャップ配置が可能になり、部品の実装密度が向上する。
　また、少なくとも前記封止樹脂層の前記対向面と前記側面とを被覆するシールド膜をさらに備え、前記複数の金属ピンの中のうち、少なくともひとつの金属ピンは、その一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド膜に接触していてもよい。
　この構成によれば、各金属ピンを配線基板のグランド電極に接続していれば、シールド膜の接地を金属ピンで行うことができる。
　また、一端が前記配線基板の前記一方主面に接続し、他端が前記封止樹脂層の前記対向面に露出した外部端子と、前記配線基板の他方主面に実装された部品とをさらに備えていてもよい。
　この構成によれば、高周波モジュールが実装されるマザー基板のグランド電極と、各金属ピンとを容易に接続することができるため、各金属ピンによるシールド特性を向上させることができる。
　また、前記部品は、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに矩形状をなし、前記複数の金属ピンそれぞれは、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第２延在部の長さ方向が、前記部品の一の辺に対して斜めとなった状態で配列されていてもよい。
　この構成によれば、配線基板の一方主面に対して垂直な方向から見たときに、部品の前記一の辺に垂直な方向だけでなく、平行な方向に対するシールド機能を各金属ピンにより確保できる。
　本発明によれば、複数の金属ピンが部品の近辺に配設されてシールド部材を構成するため、封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜を設ける構成と比較して、シールド部材の設計自由度を向上させることができる。また、ボンディングワイヤよりも硬い、或いは変形しにくい金属ピンによりシールド部材を構成するため、例えば、封止樹脂層を形成するときに金属ピンが変形して部品に接触するような不具合を防止することができる。また、金属ピンは変形しにくいため、ボンディングワイヤでシールド部材を形成する場合のように、部品との接触を防止するために、部品と金属ピンとの距離を離す必要がなく、高密度実装が容易になる。また、金属ピンが変形しにくいことで、隣接する金属ピンの間隔も維持し易くなるため、シールド特性が安定する。
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図１のモジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 図１の金属ピンを説明するための図である。 図１の高周波モジュールの変形例を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図５のモジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 図５の金属ピンを説明するための図である。 図５の高周波モジュールの変形例を示す図である。 図５の高周波モジュールの金属ピンの変形例を示す図である。 本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 本発明の第５実施形態にかかる高周波モジュールのシールド膜の上面を除いた状態の平面図である。 本発明の第６実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。 図１３の高周波モジュールの底面図である。 本発明の第７実施形態にかかる高周波モジュールのシールド膜を除いた状態の平面図である。 従来の高周波モジュールの断面図である。
　＜第１実施形態＞
　本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュール１ａについて、図１～図３を参照して説明する。なお、図１は図２のＡ－Ａ矢視断面図、図２は高周波モジュール１ａのシールド膜６を除いた状態の平面図、図３は金属ピン５ａを説明するための図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ａは、図１および図２に示すように、多層配線基板２（本発明の「配線基板」に相当）と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の部品３ａ～３ｄと、多層配線基板２の上面２０ａに積層された封止樹脂層４と、封止樹脂層４の表面を被覆するシールド膜６と、多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の金属ピン５ａとを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。
　多層配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミック、高温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成された複数の絶縁層２ａ～２ｄが積層されて成る。多層配線基板２の上面２０ａ（本発明の「配線基板の一方主面」に相当）には、部品３ａ～３ｄや金属ピン５ａの実装用の実装電極７が形成される。多層配線基板２の下面２０ｂには、外部接続用の複数の外部電極８が形成される。また、隣接する絶縁層２ａ～２ｄ間それぞれに、各種の内部配線電極９が形成されるとともに、多層配線基板２の内部には、異なる絶縁層２ａ～２ｄに形成された内部配線電極９同士を接続するための複数のビア導体１０が形成される。なお、実装電極７、外部電極８および内部配線電極９は、いずれもＣｕやＡｇ、Ａｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体１０は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各実装電極７、各外部電極８には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。
　部品３ａ～３ｄは、IＣやＰＡ（パワーアンプ）などの半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品で構成され、半田接合などの一般的な表面実装技術により多層配線基板２に実装される。
　封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成され、各部品３ａ～３ｄおよび各金属ピン５ａを封止する。また、封止樹脂層４は、多層配線基板２に当接する下面４ｂ（本発明の「封止樹脂層の当接面」に相当）と、該下面４ｂに対向する上面４ａ（本発明の「封止樹脂層の対向面」に相当）と、側面４ｃとを有する。
　各金属ピン５ａは、いずれもコの字状に屈曲した形状を有し、両端部が多層配線基板２の上面２０ａに接続された状態で、当該上面２０ａに立設される。具体的には、図３に示すように、各金属ピン５ａは、いずれも略平行に配置される２つの柱状脚部５ａ１（本発明の「第１延在部」および「第３延在部」に相当）と、これらの柱状脚部５ａ１の端部同士を繋ぐ柱状接続部５ａ２（本発明の「第２延在部」に相当）とを有し、該柱状接続部５ａ２が、両柱状脚部５ａ１それぞれと垂直な方向に配置されることによりコの字状に形成される。また、各金属ピン５ａそれぞれは、当該金属ピン５ａの端部をなす、両柱状脚部５ａ１それぞれの端部（柱状接続部５ａ２に接続される端部と反対側の端部）の端面が、多層配線基板２の上面２０ａの実装電極７に接続された状態で、当該多層配線基板２の上面２０ａに立設される。したがって、各金属ピン５ａが、多層配線基板２の上面２０ａに実装された状態では、両柱状脚部５ａ１は、多層配線基板２の上面２０ａに対して略垂直な方向に配置され、柱状接続部５ａ２が当該上面２０ａに対して略平行な方向配置されることになる。なお、各金属ピン５ａは、例えば、半田により多層配線基板２に実装される。なお、各金属ピン５ａは、例えば、多層配線基板をプリント配線基板で形成した場合は、該プリント配線基板に形成されたスルーホール導体の穴に差し込む形態であっても良い。
　また、各金属ピン５ａは、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向（以下、平面視という場合もある）から見たときに、部品３ａを囲むように、当該部品３ａの周囲に配列される。このとき、図２に示すように、平面視で矩形状を有する部品３ａの各辺に沿って配置される。このとき、各金属ピン５ａは、平面視したときに、それぞれの柱状接続部５ａ２が部品３ａの隣接辺と平行に配置された状態で部品３ａの周囲に１列で配列される（図２参照）。また、各金属ピン５ａは、柱状接続部５ａ２が封止樹脂層４の上面４ａから露出した状態で、封止樹脂層４に封止される。
　また、各金属ピン５ａに接続される実装電極７は、多層配線基板２に形成されたグランド電極（内部配線電極９）に接続されており、これにより、各金属ピン５ａが接地される。
　各金属ピン５ａは、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、ＡｌやＣｕ系の合金など、配線電極として一般的に採用される金属材料からなる線材をせん断加工して所定の長さに形成した後、コの字状に折り曲げ加工するなどして形成することができる。なお、使用信号の周波数をλとした場合に、各金属ピン５ａの両柱状脚部５ａ１の距離（間隔）、および、隣接する金属ピン５ａの対向する２つの柱状脚部５ａ１の間隔は、いずれも１／４λ以下であることが好ましい。このようにすると、各金属ピン５ａにより部品３ａのシールド特性が向上する。
　シールド膜６は、封止樹脂層４の表面（上面４ａ、側面４ｃ）と多層配線基板２の側面２０ｃとを被覆する。また、封止樹脂層４の上面４ａにおいて、各金属ピン５ａの柱状接続部５ａ２とシールド膜６とが接触して両者が接続される。シールド膜６は、多層配線基板２の側面２０ｃに露出したグランド電極（図示省略）に接続される。
　シールド膜６は、封止樹脂層４の上面４ａに積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された保護膜とを有する多層構造で形成することができる。ここで、密着膜は、導電膜と封止樹脂層４との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳなどの金属で形成することができる。導電膜は、シールド膜６の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。保護膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳで形成することができる。なお、シールド膜６は、接地された各金属ピン５ａに接触していることから、必ずしも、多層配線基板２の側面２０ｃにグランド電極を露出させて、該グランド電極に接続させなくてもよい。
　したがって、上記した実施形態によれば、複数の金属ピン５ａが部品３ａの周囲に配設されてシールド部材が構成されるため、封止樹脂層４の表面（上面４ａ、側面４ｃ）を被覆するシールド膜６のみを設ける構成と比較して、シールド部材の設計自由度を向上させることができる。また、ボンディングワイヤよりも丈夫な金属ピン５ａによりシールド部材が形成されるため、例えば、封止樹脂層４を形成するときに金属ピン５ａが変形して、部品３ａに接触するような不具合を防止することができる。また、金属ピン５ａはボンディングワイヤよりも変形しにくいため、ボンディングワイヤでシールド部材を形成する場合のように、部品との接触を防止するために、部品と金属ピンとの距離を離す必要がなく、高密度実装が容易になる。また、金属ピン５ａが変形しにくいことで、隣接する金属ピン５ａの間隔も維持し易くなるため、シールド特性が安定する。
　また、各金属ピン５ａの柱状接続部５ａ２は、封止樹脂層４の上面４ａから露出しているため、シールド膜６と金属ピン５ａとを容易に接続させることができる。また、各金属ピン５ａは、多層配線基板２のグランド電極に接続されるため、シールド膜６の接地を容易に行うことができる。また、各金属ピン５ａの柱状接続部５ａ２を封止樹脂層４の上面４ａから露出させることで、シールド膜６を多層配線基板２の側面２０ｃにグランド電極を露出させてシールド膜６と接続する構成と比較して、シールド膜６との接続面積を広くすることができるため、シールド膜６のシールド特性を向上させることができる。
　また、実装部品間のシールドを行う方策として、例えば、封止樹脂層に溝を形成し、該溝に導電性ペーストなどを充填してシールド壁を形成する場合があるが、この場合は、溝の形成にレーザ光を用いると、配線基板にダメージを与えるおそれがある。しかしながら、この実施形態では、各金属ピン５ａを多層配線基板２に実装することでシールド部材とするため、このような多層配線基板２へのダメージが生じない。
　（高周波モジュール１ａの変形例）
　この実施形態では、各金属ピン５ａの柱状接続部５ａ２が、封止樹脂層４の上面４ａから露出するようにしたが、例えば、図４に示すように、各金属ピン５ａの全体が、封止樹脂層４の上面４ａおよび側面４ｃのいずれからも露出しない、すなわち、各金属ピン５ａを封止樹脂層４に埋設させるようにしてもよい。
　＜第２実施形態＞
　本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図５～図７を参照して説明する。なお、図５は高周波モジュール１ｂの断面図であって、図６のＢ－Ｂ矢視断面図、図６は高周波モジュール１ｂのシールド膜６を除いた状態の平面図、図７は金属ピン５ｂを説明するための図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１～図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図５～図７に示すように、シールド部材の構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、各金属ピン５ｂは、第１実施形態の金属ピン５ａと同様、２つの柱状脚部５ｂ１（本発明の「第１延在部」および「第３延在部」に相当）と、柱状接続部５ｂ２（本発明の「第２延在部」に相当）とを有するコの字状に形成されるが、柱状脚部５ｂ１の間隔が第１実施形態の金属ピン５ａと異なる。具体的には、図７に示すように、各金属ピン５ｂは、両柱状脚部５ｂ１の間隔Ｗ１（本発明の「第１延在部と第３延在部の間隔」に相当）が、部品３ａの幅Ｗ２よりも広くなるように柱状接続部５ｂ２の長さが調整され、部品３ａを跨ぐように配設される。また、各金属ピン５ｂは、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、各柱状接続部５ｂ２が平行であって、略等間隔で部品３ａの長辺方向に配列される。なお、この場合の各柱状接続部５ｂ２の間隔は、使用信号の周波数をλとした場合に、１／４λ以下であるのが好ましい。
　この構成によれば、第１実施形態の高周波モジュール１ａの効果に加えて、部品３ａが各金属ピン５ｂの柱状脚部５ｂ１と、柱状接続部５ｂ２とにより囲まれるため、部品３ａに対するシールド特性が向上する。
　（高周波モジュール１ｂの変形例）
　この実施形態では、各金属ピン５ｂの柱状接続部５ｂ２が、封止樹脂層４の上面４ａから露出するようにしたが、例えば、図８に示すように、各金属ピン５ｂの全体が、封止樹脂層４の上面４ａおよび側面４ｃのいずれからも露出しない、すなわち、各金属ピン５ｂを封止樹脂層４に埋設させるようにしてもよい。この構成によると、部品３ａと各金属ピン５ｂの柱状接続部５ｂ２との距離が縮まるため、部品３ａに対するシールド特性を向上させることができる。また、各金属ピン５ｂの全体の長さ（両柱状脚部５ｂ１＋柱状接続部５ｂ２）が短くなるため、シールド抵抗を下げることができる。
　（金属ピン５ｂの変形例）
　この実施形態では、各金属ピン５ｂが、部品３ａのみを跨いでシールドを形成する場合について説明したが、例えば、図９（ａ）に示すように、各金属ピン５ｂそれぞれが、複数の部品３ａ，３ｄを跨ぐように各柱状接続部５ｂ２の長さを調整してもよい。この構成は、複数の部品３ａ，３ｄが実装された所定の実装エリアをシールドしたい場合に好適である。また、図９（ｂ）に示すように、各金属ピン５ｂの一方の柱状脚部５ｂ１が、封止樹脂層４の側面４ｃに露出して、シールド膜６に接触するようにしてもよい。このようにすると、各金属ピン５ｂとシールド膜６の接触により、シールド膜６の接地が確実になるため、シールド膜６のシールド特性を向上させることができる。
　＜第３実施形態＞
　本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュール１ｃについて、図１０を参照して説明する。なお、図１０は高周波モジュール１ｃのシールド膜６を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｃが、図１～図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図１０に示すように、シールド部材の構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、各金属ピン５ａが熱可塑性樹脂や、或いは熱硬化性樹脂で形成された樹脂モールド体１１ａにより固定される。したがって、各金属ピン５ａが樹脂で被覆された状態で一体化される。樹脂モールド体１１ａの平面視形状は、中空矩形状であり、該中空部分に部品３ａを配置できるように、樹脂モールド体１１ａの内側の輪郭が、部品３ａよりも若干大きい矩形状に形成される。
　この構成によれば、金属ピン５ａと部品３ａとの接触を確実に防止することができる。また、金属ピン５ａと部品３ａとが接触するのを防止するためのマージンが不要になるため、部品３ａ～３ｄの実装密度の向上を図ることができる。
　＜第４実施形態＞
　本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュール１ｄについて、図１１を参照して説明する。なお、図１１は高周波モジュール１ｄのシールド膜６を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｄが、図５～図７を参照して説明した第２実施形態の高周波モジュール１ｂと異なるところは、図１１に示すように、シールド部材の構成が異なることである。その他の構成は、第２実施形態の高周波モジュール１ｂと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、第３実施形態と同様に、複数の金属ピン５ｂが熱可塑性樹脂や、或いは熱硬化性樹脂で形成された樹脂モールド体１１ｂに固定されることより一体化される。この実施形態では、隣接する３本の金属ピン５ｂを一組として、一組の金属ピン５ｂが一つの樹脂モールド体１１ｂで一体化される。各樹脂モールド体１１ｂは、基本的には直方体で部品３ａの配置スペースが切り欠かれている。
　この構成によると、金属ピン５ｂと部品３ａとの接触を確実に防止することができる。また、金属ピン５ｂと部品３ａとが接触するのを防止するためのマージンが不要になるため、部品３ａ～３ｄの実装密度の向上を図ることができる。
　＜第５実施形態＞
　本発明の第５実施形態にかかる高周波モジュール１ｅについて、図１２を参照して説明する。なお、図１２は高周波モジュール１ｅのシールド膜６の上面を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｅが、図１～図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図１２に示すように、シールド部材の構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、第１実施形態の高周波モジュール１ａの金属ピン５ａと、第２実施形態の高周波モジュール１ｂの金属ピン５ｂの両方のタイプの金属ピンが１つの高周波モジュール１ｅに配設される。例えば、図１２に示すように、部品３ａの周囲に一列に配列されていた金属ピン５ａのうち、平面視矩形状の部品３ａの１つの長辺に沿って配列されていた金属ピン５ａをなくし、金属ピン５ａをなくすことにより消失するシールド部と、当該長辺に近接する他の部品３ｄのシールド部との両方の機能を持つ、複数の金属ピン５ｃが配設される。これらの金属ピン５ｃは、第２実施形態の高周波モジュール１ｂで使用されていた金属ピン５ｂと同様に、部品３ｄを跨ぐものである。また、各金属ピン５ｃの２つの柱状脚部のうちの１つが、封止樹脂層４の側面４ｃから露出して、シールド膜６に接触する。
　この構成によれば、シールドが必要な部品と、不必要な部品とが混在している場合に、必要な部品のみにシールド行うことが容易となり、シールドの設計自由度が向上する。また、一部の金属ピン５ｃをシールド膜６に接続させることで、シールド膜６の接地が金属ピンの配線基板中央側端部を通して接地する事が確実になるため、シールド膜６のシールド特性を向上させることができる。
　＜第６実施形態＞
　本発明の第６実施形態にかかる高周波モジュール１ｆについて、図１３および図１４を参照して説明する。なお、図１３は高周波モジュール１ｆの断面図、図１４は高周波モジュール１ｆの底面図である。なお、図１３では、多層配線基板２の内部に形成された内部配線電極およびビア導体を図示省略している。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｆが、図１～図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図１３および図１４に示すように、多層配線基板２の下面２０ｂにも部品３ｅ，３ｆが実装されることと、シールド部材の構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、多層配線基板２の下面２０ｂに、実装電極７０が形成され、当該下面側でも部品３ｅ，３ｆが実装される。また、当該下面２０ｂには外部接続端子１２がさらに実装され、高周波モジュール１ｆが多層配線基板２の下面２０ｂ側で外部のマザー基板等に接続される。多層配線基板２の下面２０ｂに実装された部品３ｅ，３ｆは、それぞれ複数の金属ピン５ｄ，５ｅにより個別にシールドされる。各金属ピン５ｄ，５ｅは、いずれも第２実施形態の金属ピン５ｂと同様に部品を跨ぐタイプであり、各金属ピン５ｄは、いずれも部品３ｅを跨いた状態で、それぞれの柱状接続部５ｄ２が平行、かつ、略等間隔に配列される。各金属ピン５ｅは、いずれも部品３ｆを跨いた状態で、それぞれの柱状接続部５ｅ２が平行、かつ、略等間隔に配列される。
　また、多層配線基板２の下面２０ｂ側にも封止樹脂層４０が設けられ、各外部接続端子１２の下端面、各金属ピンの柱状接続部５ｄ２，５ｅ２が当該封止樹脂層４０の下面４０ａから露出した状態で各部品３ｅ，３ｆ、各外部接続端子１２、各金属ピン５ｄ，５ｅが封止される。また、シールド膜６は、多層配線基板２の上面２０ａ側の封止樹脂層４の上面４ａと側面４ｃ、多層配線基板２の側面２０ｃに加えて、多層配線基板２の下面２０ｂ側の封止樹脂層４０の側面４０ｃを被覆する。
　この構成によれば、多層配線基板２の下面２０ｂに実装された部品３ｅ，３ｆに対するシールド部材の設計自由度を向上させることができる。また、各金属ピン５ｄ，５ｅの柱状接続部５ｄ２，５ｅ２を封止樹脂層４０の下面４０ａから露出させると、マザー基板のグランド電極に直接接続させることができるため、多層配線基板２の下面２０ｂに実装された部品３ｅ，３ｆのシールド特性が向上する。
　＜第７実施形態＞
　本発明の第７実施形態にかかる高周波モジュール１ｇについて、図１５を参照して説明する。なお、図１５は高周波モジュール１ｇのシールド膜６を除いた状態の平面図である。
　この実施形態にかかる高周波モジュール１ｇが、図５～図７を参照して説明した第２実施形態の高周波モジュール１ｂと異なるところは、図１５に示すように、各金属ピン５ｂの配列構成が異なることである。その他の構成は、第２実施形態の高周波モジュール１ｂと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
　この場合、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、部品３ａは、矩形状を有する。また、各金属ピン５ｂは、いずれも部品３ａを跨ぐ。さらに、各金属ピン５ｂは、図１５に示すように柱状接続部５ｂ２の長さ方向が部品３ａの長辺（または短辺）に対して斜めとなった状態で配列される。
　例えば、第２実施形態の構成によると、多層配線基板２の上面２０ａに対して垂直な方向から見たときに、部品３ａの長辺と平行な方向からのノイズに対するシールド特性よりも、部品３ａの長辺と垂直な方向からのノイズに対するシールド特性が高くなる。一方、この実施形態の構成によれば、これらの両方向のいずれからのノイズに対してもシールド機能を確保できるため、高周波モジュールの実装の自由度が向上する。
　なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態や変形例の構成を組合わせてもよい。
　また、上記した各実施形態では、各金属ピン５ａ～５ｅをコの字状に形成したが、例えば、Ｃ字状やＵ字状であってもよい。
　また、上記した各実施形態において、シールド膜６がなくてもよい。
　樹脂モールド体１１ａ，１１ｂは、樹脂に限らず絶縁材料で形成されていればよい。
　また、本発明は、シールドを備える種々の高周波モジュールに適用することができる。
　１ａ～１ｇ　　高周波モジュール
　２　　多層配線基板（配線基板）
　３ａ～３ｆ　　部品
　４，４０　　封止樹脂層
　５ａ～５ｅ　　金属ピン
　６　　シールド膜
　１２　　外部接続端子

Claims (10)

  1. 　配線基板と、
    　前記配線基板の一方主面に実装された部品と、
    　一端面が、前記配線基板の前記一方主面に形成された電極に取り付けられ、前記一方主面から遠ざかるように、前記一端面から延在する第１延在部、前記第１延在部の前記一端面と反対側から折れ曲がって延在する第２延在部、および前記第２延在部の前記第１延在部と反対側から折れ曲がって前記一方主面に近づくように延在する第３延在部を有する複数の金属ピンとを備え、
    　前記複数の金属ピンは、前記部品の近辺に配設されてシールド部材を構成することを特徴とする高周波モジュール。
  2. 　前記複数の金属ピンは、グランド電極と接続されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記複数の金属ピンは、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記部品を囲むように、当該部品の周囲に配列されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記複数の金属ピンそれぞれは、前記第１延在部と前記第３延在部の間隔が前記部品の幅よりも大きく形成されており、前記部品を跨いだ状態で配列されていることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記部品を封止する封止樹脂層をさらに備え、
    　前記封止樹脂層は、前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、
    　前記複数の金属ピンは、一部が前記封止樹脂層の前記対向面に露出することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記配線基板の前記一方主面に当接する当接面と、該当接面に対向する対向面と、前記当接面と前記対向面の端縁同士を繋ぐ側面とを有し、前記部品および前記複数の金属ピンを封止する封止樹脂層をさらに備え、
    　前記複数の金属ピンは、前記封止樹脂層の前記対向面から露出していないことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記複数の金属ピンそれぞれが、絶縁材料で被覆されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 　少なくとも前記封止樹脂層の前記対向面と前記側面とを被覆するシールド膜をさらに備え、
    　前記複数の金属ピンの中のうち、少なくともひとつの金属ピンは、その一部が前記封止樹脂層の前記側面に露出して前記シールド膜に接触していることを特徴とする請求項５または６に記載の高周波モジュール。
  9. 　一端が前記配線基板の前記一方主面に接続し、他端が前記封止樹脂層の前記対向面に露出した外部端子と、
    　前記配線基板の他方主面に実装された部品と、をさらに備えることを特徴とする請求項５、６、８のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記部品は、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに矩形状をなし、
    　前記複数の金属ピンそれぞれは、前記配線基板の前記一方主面に対して垂直な方向から見たときに、前記第２延在部の長さ方向が、前記部品の一の辺に対して斜めとなった状態で配列されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波モジュール。
     
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