+

WO2013012194A3 - Procédé de fabrication d'un substrat pour diode électroluminescente, substrat pour diode électroluminescente fabriqué au moyen du procédé et procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant un substrat pour diode électroluminescente - Google Patents

Procédé de fabrication d'un substrat pour diode électroluminescente, substrat pour diode électroluminescente fabriqué au moyen du procédé et procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant un substrat pour diode électroluminescente Download PDF

Info

Publication number
WO2013012194A3
WO2013012194A3 PCT/KR2012/005465 KR2012005465W WO2013012194A3 WO 2013012194 A3 WO2013012194 A3 WO 2013012194A3 KR 2012005465 W KR2012005465 W KR 2012005465W WO 2013012194 A3 WO2013012194 A3 WO 2013012194A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
substrate
manufacturing
nanostructure
Prior art date
Application number
PCT/KR2012/005465
Other languages
English (en)
Korean (ko)
Other versions
WO2013012194A2 (fr
Inventor
이종람
이환건
손준호
송양희
김범준
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Publication of WO2013012194A2 publication Critical patent/WO2013012194A2/fr
Publication of WO2013012194A3 publication Critical patent/WO2013012194A3/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01Manufacture or treatment
    • H10H20/011Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0133Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
    • H10H20/01335Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/819Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/819Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
    • H10H20/82Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/81Bodies
    • H10H20/822Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/825Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP containing nitrogen, e.g. GaN

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat pour une diode électroluminescente, un substrat pour une diode électroluminescente fabriquée au moyen du procédé, et un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant le substrat pour une diode électroluminescente. Le procédé de fabrication d'un substrat pour une diode électroluminescente, selon la présente invention, comprend les étapes qui consistent à: recouvrir la surface supérieure d'un élément substrat prédéterminé avec une nanostructure qui comprend un matériau qui est plus à même d'être gravée à sec que l'élément substrat; à former une partie inégale de surface supérieure sur la surface supérieure de l'élément substrat par gravure à sec de la nanostructure et de l'élément substrat; à utiliser la nanostructure en tant que masque: à recouvrir la surface inférieure de l'élément substrat avec la nanostructure; et à former une partie inégale de surface inférieure sur la surface inférieure de l'élément substrat par gravure à sec de la nanostructure et de l'élément substrat, en utilisant la nanostructure en tant que masque. La présente invention permet de fabriquer le substrat pour une diode électroluminescente qui comprend la partie inégale formée facilement par le dépôt de la nanostructure et l'utilisation de cette dernière en tant que masque pour la gravure à sec, plutôt que par la formation de motifs par photolithographie qui présente un coût de fabrication élevé et qui est compliquée, ceci permettant de réduire le temps de fabrication et le coût du substrat pour une diode électroluminescente.
PCT/KR2012/005465 2011-07-15 2012-07-10 Procédé de fabrication d'un substrat pour diode électroluminescente, substrat pour diode électroluminescente fabriqué au moyen du procédé et procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant un substrat pour diode électroluminescente WO2013012194A2 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0070488 2011-07-15
KR1020110070488A KR20130009399A (ko) 2011-07-15 2011-07-15 발광다이오드용 기판의 제조방법, 이에 의해 제조된 발광다이오드용 기판 및 이 발광다이오드용 기판을 구비한 발광다이오드의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2013012194A2 WO2013012194A2 (fr) 2013-01-24
WO2013012194A3 true WO2013012194A3 (fr) 2013-03-14

Family

ID=47558572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2012/005465 WO2013012194A2 (fr) 2011-07-15 2012-07-10 Procédé de fabrication d'un substrat pour diode électroluminescente, substrat pour diode électroluminescente fabriqué au moyen du procédé et procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant un substrat pour diode électroluminescente

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20130009399A (fr)
WO (1) WO2013012194A2 (fr)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016527713A (ja) 2013-06-18 2016-09-08 グロ アーベーGlo Ab ドライエッチングによる3d半導体構造の除去
EP3011606A1 (fr) * 2013-06-18 2016-04-27 Glo Ab Arrêt de la gravure dans une couche plane après gravure d'une structure en 3d
KR102075988B1 (ko) 2013-09-25 2020-03-02 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법
KR101535852B1 (ko) * 2014-02-11 2015-07-13 포항공과대학교 산학협력단 나노구조체 전사를 이용한 발광다이오드 제조방법과 그 발광다이오드
KR102764183B1 (ko) 2024-03-29 2025-02-07 주식회사 루다시스 무인 드론의 비행 경로 파악 시스템
KR102764188B1 (ko) 2024-03-29 2025-02-07 주식회사 루다시스 도심항공교통 항공기 이륙/착륙 경로 파악 시스템

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050097075A (ko) * 2004-03-30 2005-10-07 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR20060040923A (ko) * 2004-11-08 2006-05-11 엘지전자 주식회사 고 광적출 효율 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR100709655B1 (ko) * 2004-09-10 2007-04-19 가부시끼가이샤 도시바 반도체 발광 장치 및 그것의 제조 방법
KR20080031292A (ko) * 2005-07-08 2008-04-08 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 기판 및 반도체 발광 소자

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050097075A (ko) * 2004-03-30 2005-10-07 삼성전기주식회사 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR100709655B1 (ko) * 2004-09-10 2007-04-19 가부시끼가이샤 도시바 반도체 발광 장치 및 그것의 제조 방법
KR20060040923A (ko) * 2004-11-08 2006-05-11 엘지전자 주식회사 고 광적출 효율 발광 다이오드 및 그의 제조 방법
KR20080031292A (ko) * 2005-07-08 2008-04-08 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 기판 및 반도체 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013012194A2 (fr) 2013-01-24
KR20130009399A (ko) 2013-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013012194A3 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat pour diode électroluminescente, substrat pour diode électroluminescente fabriqué au moyen du procédé et procédé de fabrication d'une diode électroluminescente comprenant un substrat pour diode électroluminescente
WO2012047042A3 (fr) Procédé de formation d'un micromotif et procédé de formation d'un transistor à microcanal et d'un transistor électroluminescent à microcanal l'utilisant
EP4243094A3 (fr) Diode électroluminescente
WO2014015337A3 (fr) Structure et procédé pour la fabrication de laser à émission de surface à cavité verticale de nitrure de gallium
WO2018101536A3 (fr) Diode électroluminescente à point quantique et procédé de production de ladite diode électroluminescente à point quantique
WO2013087073A3 (fr) Substrat à surface structurée et procédés de fabrication, procédés permettant d'en déterminer les propriétés de mouillabilité
TW201614086A (en) Vapor deposition mask manufacturing method and organic semiconductor element manufacturing method
TW201130183A (en) Method of manufacturing high resolution organic thin film pattern
WO2012102501A3 (fr) Boîtier de diode électroluminescente sur tranche et son procédé de production
WO2013140177A3 (fr) Structures de silicium attaqué chimiquement, procédé de formation de structures de silicium attaqué chimiquement et leurs utilisations
WO2012109113A3 (fr) Procédé d'encapsulation d'une diode électroluminescente organique
WO2012134200A3 (fr) Substrat pour dispositif d'électrode organique
WO2014049052A3 (fr) Composant optoélectronique et procédé de fabrication d'un composant optoélectronique
WO2011090836A3 (fr) Procédé de fabrication de dispositif d'éclairage à semi-conducteurs sur un substrat conducteur
EP2657767A3 (fr) Processus de formation de motifs
ATE484609T1 (de) Verfahren zur herstellung einer funktionsschicht
WO2013017364A3 (fr) Agencement opto-électronique et procédé de fabrication d'un agencement opto-électronique
TWI410371B (fr)
EP2840619A4 (fr) Procédé de fabrication de substrat à nanomotifs pour une diode électroluminescente à base de nitrure, à haut rendement
WO2010085042A3 (fr) Dispositif à semi-conducteurs, dispositif électroluminescent et leur procédé de fabrication
EP2840618A4 (fr) Procédé de fabrication de substrat à nanomotifs pour une diode électroluminescente à base de nitrure, à haut rendement
MY182700A (en) Self-assembly patterning for fabricating thin-film devices
WO2012168858A3 (fr) Dispositif de sortie de lumière et procédé de fabrication
WO2012091325A3 (fr) Procédé de fabrication d'une diode électroluminescente au moyen de nanostructures et diode électroluminescente fabriquée au moyen de ladite diode
WO2012091271A3 (fr) Procédé de fabrication d'un moule de nano-impression, procédé de fabrication d'une diode électroluminescente au moyen du moule de nano-impression fabriqué par ledit procédé, et diode électroluminescente fabriquée par ledit procédé

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12814316

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12814316

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

点击 这是indexloc提供的php浏览器服务,不要输入任何密码和下载