WO2011108365A1 - フラーレン誘導体を含むレジスト下層膜形成組成物 - Google Patents
フラーレン誘導体を含むレジスト下層膜形成組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011108365A1 WO2011108365A1 PCT/JP2011/053386 JP2011053386W WO2011108365A1 WO 2011108365 A1 WO2011108365 A1 WO 2011108365A1 JP 2011053386 W JP2011053386 W JP 2011053386W WO 2011108365 A1 WO2011108365 A1 WO 2011108365A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- resist underlayer
- underlayer film
- forming composition
- resist
- bis
- Prior art date
Links
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 11
- -1 malonic acid diester Chemical class 0.000 claims abstract description 56
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 7
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 4
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000000466 oxiranyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 claims description 5
- 239000011254 layer-forming composition Substances 0.000 claims description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 79
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 14
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 14
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 13
- GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1 GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N Diazomethane Chemical class C=[N+]=[N-] YXHKONLOYHBTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N (NE)-N-[(2E)-2-hydroxyiminoethylidene]hydroxylamine Chemical class O\N=C\C=N\O LJHFIVQEAFAURQ-ZPUQHVIOSA-N 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 3
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- CKXILIWMLCYNIX-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triethylazanium Chemical compound CC[NH+](CC)CC.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CKXILIWMLCYNIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCZNXLWKYFICFV-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5,7,8,9-octahydropyrido[1,2-b]diazepine Chemical compound C1CCCNN2CCCC=C21 SCZNXLWKYFICFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical group CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CLPHAYNBNTVRDI-UHFFFAOYSA-N ditert-butyl propanedioate Chemical group CC(C)(C)OC(=O)CC(=O)OC(C)(C)C CLPHAYNBNTVRDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N nitro(phenyl)methanesulfonic acid Chemical class OS(=O)(=O)C([N+]([O-])=O)C1=CC=CC=C1 IZJVVXCHJIQVOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 2
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GCIYMCNGLUNWNR-UHFFFAOYSA-N (2,4-dinitrophenyl)methyl 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OCC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O GCIYMCNGLUNWNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJPJAJHPRCILL-UHFFFAOYSA-N (2,6-dinitrophenyl)methyl 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OCC1=C([N+]([O-])=O)C=CC=C1[N+]([O-])=O MCJPJAJHPRCILL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJFSADNWIHJDRI-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenyliodanium Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 RJFSADNWIHJDRI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GLPNNMNPIIXAIN-UHFFFAOYSA-N (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;pyridin-1-ium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C GLPNNMNPIIXAIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIMAOHVEKLXJDO-UHFFFAOYSA-N (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;triethylazanium Chemical compound CCN(CC)CC.C1CC2(CS(O)(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C UIMAOHVEKLXJDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGLLUEAYLAHJKB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-n-(trifluoromethyl)methanamine Chemical compound FC(F)(F)NC(F)(F)F ZGLLUEAYLAHJKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JSRHBBHTTASSTP-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;pyridin-1-ium Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JSRHBBHTTASSTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VECGWISURDHBJL-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;tetrabutylazanium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F VECGWISURDHBJL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QTRJKFBGNXKFFF-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;tetraethylazanium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QTRJKFBGNXKFFF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTSUDZFWVQIOHC-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CTSUDZFWVQIOHC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SKNMGBXUEPRKKA-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;tetraphenylazanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[N+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SKNMGBXUEPRKKA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DNCAHJMORWUTAS-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;tributylazanium Chemical compound CCCC[NH+](CCCC)CCCC.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F DNCAHJMORWUTAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HSTKVXYTAHJWRV-UHFFFAOYSA-O 1-[bis(1,1,2,2,2-pentafluoroethylsulfonyl)methylsulfonyl]-1,1,2,2,2-pentafluoroethane triethylazanium Chemical compound [C-](S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)F)(S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)F.C(C)[NH+](CC)CC HSTKVXYTAHJWRV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WNQSKPOIYILBMI-UHFFFAOYSA-N 1-[butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylbutane Chemical compound CCCCS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CCCC WNQSKPOIYILBMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUYAQJZXAJBVFT-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo(propylsulfonyl)methyl]sulfonylpropane Chemical compound CCCS(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)CCC WUYAQJZXAJBVFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 1-[diazo-(4-methylphenyl)sulfonylmethyl]sulfonyl-4-methylbenzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 GYQQFWWMZYBCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APDQMXRYEXVECM-UHFFFAOYSA-N 1-[tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylhexane Chemical compound C(CCCCC)S(=O)(=O)C(S(=O)(=O)C(C)(C)C)=[N+]=[N-] APDQMXRYEXVECM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDPLKUDCQKROTF-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-2-methyl-2-(4-methylphenyl)sulfonylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)C(C)(C)C(=O)C1CCCCC1 DDPLKUDCQKROTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWNICUZKEPAPCH-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-3-phenylpyrrole-2,5-dione;methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O.O=C1N(O)C(=O)C=C1C1=CC=CC=C1 WWNICUZKEPAPCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOABXPVLDCVTKD-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-3-phenylpyrrolidine-2,5-dione;methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O.O=C1N(O)C(=O)CC1C1=CC=CC=C1 JOABXPVLDCVTKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABPXUPUDZCEGQW-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypiperidine-2,6-dione;methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O.ON1C(=O)CCCC1=O ABPXUPUDZCEGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHJLRLXOZVNXGK-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxypyrrole-2,5-dione;methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O.ON1C(=O)C=CC1=O VHJLRLXOZVNXGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOXYWLRAKCDQL-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-[(4-methylphenyl)sulfonylmethylsulfonyl]benzene Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)CS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 XLOXYWLRAKCDQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MOLRNXJUYCXJTN-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-2-(4-methylphenyl)sulfonylpentan-3-one Chemical compound CC(C)C(=O)C(C)(C)S(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 MOLRNXJUYCXJTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFOHYVABZSHZFF-UHFFFAOYSA-N 2-[(z)-tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonyl-2-methylbutane Chemical compound CCC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)C ZFOHYVABZSHZFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKOOSMDBEULUDH-UHFFFAOYSA-N 2-[butan-2-ylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylbutane Chemical compound CCC(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)CC KKOOSMDBEULUDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIBYXAJIXZFSSE-UHFFFAOYSA-N 2-[diazo(2-methylbutan-2-ylsulfonyl)methyl]sulfonyl-2-methylbutane Chemical compound CCC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)CC IIBYXAJIXZFSSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTPALKUEAPIMPZ-UHFFFAOYSA-N 2-[diazo(pentan-2-ylsulfonyl)methyl]sulfonylpentane Chemical compound CCCC(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)CCC FTPALKUEAPIMPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRYBUHKBBRHEAE-UHFFFAOYSA-N 2-[diazo(propan-2-ylsulfonyl)methyl]sulfonylpropane Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)C DRYBUHKBBRHEAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 2-[tert-butylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonyl-2-methylpropane Chemical compound CC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C(C)(C)C SAFWZKVQMVOANB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPLBMEBNIHGDEH-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethanesulfonic acid;1-hydroxypyrrolidine-2,5-dione Chemical compound OS(=O)(=O)CCCl.ON1C(=O)CCC1=O VPLBMEBNIHGDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKBIJBKTDGKZBN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisoindole-1,3-dione;methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O.C1=CC=C2C(=O)N(O)C(=O)C2=C1 ZKBIJBKTDGKZBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSDIICCYVAIIOY-UHFFFAOYSA-N 2-sulfanylcyclohexan-1-one Chemical compound SC1CCCCC1=O GSDIICCYVAIIOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQGRZXSBFFEBQJ-UHFFFAOYSA-M 3-bicyclo[2.2.1]heptanyl-methyl-(2-oxocyclohexyl)sulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1C(C2)CCC2C1[S+](C)C1CCCCC1=O OQGRZXSBFFEBQJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAXMFFZNRKLKLH-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenyliodanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 RAXMFFZNRKLKLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FHVCZJGBXWNGIZ-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 FHVCZJGBXWNGIZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MNYVHIDJVUQXKZ-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;trimethylsulfanium Chemical compound C[S+](C)C.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 MNYVHIDJVUQXKZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YXZXRYDYTRYFAF-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YXZXRYDYTRYFAF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MJGQMEJOQAULGB-UHFFFAOYSA-M 4-methylbenzenesulfonate;tris[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]sulfanium Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=C(OC(C)(C)C)C=C1 MJGQMEJOQAULGB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPFODLCEBDTPKR-UHFFFAOYSA-N C1(C(C=CC=C1)C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1(C(C=CC=C1)C)C Chemical compound C1(C(C=CC=C1)C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1(C(C=CC=C1)C)C HPFODLCEBDTPKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBQCQBIINRHRRE-UHFFFAOYSA-N CC(C=C1)=CC=C1S(OCC1CCCCC1)(=O)=O.O=C(CCCC1)C1S Chemical compound CC(C=C1)=CC=C1S(OCC1CCCCC1)(=O)=O.O=C(CCCC1)C1S SBQCQBIINRHRRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEZORSXCCMQJPT-UHFFFAOYSA-M CC1(C)C2CCC1(CS([O-])(=O)=O)C(=O)C2.CC(C)(C)Oc1ccc([I+]c2ccc(OC(C)(C)C)cc2)cc1 Chemical compound CC1(C)C2CCC1(CS([O-])(=O)=O)C(=O)C2.CC(C)(C)Oc1ccc([I+]c2ccc(OC(C)(C)C)cc2)cc1 VEZORSXCCMQJPT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NQORLFQPPUEQSA-UHFFFAOYSA-N CS(=O)(=O)O.ON1C(=O)C2C3C=CC(C2C1=O)C3 Chemical compound CS(=O)(=O)O.ON1C(=O)C2C3C=CC(C2C1=O)C3 NQORLFQPPUEQSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAHAYCLKIFYFLP-UHFFFAOYSA-N FC(S(=O)(=O)O)(F)F.ON1C(=O)C2C3C=CC(C2C1=O)C3 Chemical compound FC(S(=O)(=O)O)(F)F.ON1C(=O)C2C3C=CC(C2C1=O)C3 SAHAYCLKIFYFLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPZWRXYDVYKMSN-UHFFFAOYSA-N [(e)-diazo(2-methylbutan-2-ylsulfonyl)methyl]sulfonylcyclohexane Chemical compound CCC(C)(C)S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1CCCCC1 XPZWRXYDVYKMSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(methylsulfonyloxy)phenyl] methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(C)(=O)=O)=C1OS(C)(=O)=O YPPVLYIFEAESGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCYQPMGIYRPCBA-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis(trifluoromethylsulfonyloxy)phenyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)=C1OS(=O)(=O)C(F)(F)F DCYQPMGIYRPCBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIHCCWXZFYNOJS-UHFFFAOYSA-N [2,3-bis-(4-methylphenyl)sulfonyloxyphenyl] 4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)OC1=CC=CC(OS(=O)(=O)C=2C=CC(C)=CC=2)=C1OS(=O)(=O)C1=CC=C(C)C=C1 OIHCCWXZFYNOJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVLLTVALUYGYIX-UHFFFAOYSA-N [4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-diphenylsulfanium Chemical compound C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 QVLLTVALUYGYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMKQFBRTQEVQI-UHFFFAOYSA-N [4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenyliodanium Chemical compound C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 XKMKQFBRTQEVQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISFXMNADAJKIEG-UHFFFAOYSA-M [4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=CC=C1 ISFXMNADAJKIEG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QFKJMDYQKVPGNM-UHFFFAOYSA-N [benzenesulfonyl(diazo)methyl]sulfonylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFKJMDYQKVPGNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLGXSTXZLFQYKJ-UHFFFAOYSA-N [cyclohexylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylcyclohexane Chemical compound C1CCCCC1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1CCCCC1 GLGXSTXZLFQYKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUJLILQBTCLTDQ-UHFFFAOYSA-N [cyclopentylsulfonyl(diazo)methyl]sulfonylcyclopentane Chemical compound C1CCCC1S(=O)(=O)C(=[N+]=[N-])S(=O)(=O)C1CCCC1 DUJLILQBTCLTDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- AAUAWZGILBBROA-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;1-hydroxypiperidine-2,6-dione Chemical class ON1C(=O)CCCC1=O.OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 AAUAWZGILBBROA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIOXIFDNVZABQS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid;1-hydroxypyrrolidine-2,5-dione Chemical compound ON1C(=O)CCC1=O.OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 LIOXIFDNVZABQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXJVMJWCNFOERL-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonylsulfonylbenzene Chemical class C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 CXJVMJWCNFOERL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUZYBYIOAZTMGC-UHFFFAOYSA-M benzyl(trimethyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 UUZYBYIOAZTMGC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VDPDRYUUTXEEIE-UHFFFAOYSA-N bis-methylsulphonyl methane Natural products CS(=O)(=O)CS(C)(=O)=O VDPDRYUUTXEEIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGIPUHXGGFQZCM-UHFFFAOYSA-N bis[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenylsulfanium Chemical compound C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 GGIPUHXGGFQZCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTXDNMDDFAESOT-UHFFFAOYSA-M bis[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]-phenylsulfanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=CC=C1 WTXDNMDDFAESOT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- VHLRUGZSAQKKLU-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl trifluoromethanesulfonate Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OC1CCCCC1 VHLRUGZSAQKKLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODOYKCYDOVBTAR-UHFFFAOYSA-N cyclohexylsulfonylsulfonylcyclohexane Chemical class C1CCCCC1S(=O)(=O)S(=O)(=O)C1CCCCC1 ODOYKCYDOVBTAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVLXQLQBOCAFDH-UHFFFAOYSA-M dicyclohexyl(phenyl)sulfanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C1CCCCC1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1CCCCC1 OVLXQLQBOCAFDH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NSXRYFKEEKGLHO-UHFFFAOYSA-M dicyclohexyl(phenyl)sulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1CCCCC1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1CCCCC1 NSXRYFKEEKGLHO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 1
- SXHRYKLRBLHUPL-UHFFFAOYSA-M dimethyl(phenyl)sulfanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound C[S+](C)C1=CC=CC=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 SXHRYKLRBLHUPL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CYQUIWZGOBANMJ-UHFFFAOYSA-M dimethyl(phenyl)sulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C[S+](C)C1=CC=CC=C1 CYQUIWZGOBANMJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UMIKAXKFQJWKCV-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 UMIKAXKFQJWKCV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-O diphenylsulfanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SH+]C1=CC=CC=C1 LTYMSROWYAPPGB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- NPYRBYNTERJZBA-UHFFFAOYSA-N ethanesulfonic acid;1-hydroxypyrrole-2,5-dione Chemical compound CCS(O)(=O)=O.ON1C(=O)C=CC1=O NPYRBYNTERJZBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940031098 ethanolamine Drugs 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- ZRZKFGDGIPLXIB-UHFFFAOYSA-N fluoroform;sulfuric acid Chemical compound FC(F)F.OS(O)(=O)=O ZRZKFGDGIPLXIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N methanesulfonic acid Substances CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940078552 o-xylene Drugs 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-O phenylsulfanium Chemical compound [SH2+]C1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 125000003170 phenylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)* 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical class [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003459 sulfonic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MANNXDXMUHZSRP-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound C[N+](C)(C)C.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F MANNXDXMUHZSRP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O triethylammonium ion Chemical compound CC[NH+](CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- AANIRNIRVXARSN-UHFFFAOYSA-M trifluoromethanesulfonate;trimethylsulfanium Chemical compound C[S+](C)C.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F AANIRNIRVXARSN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UPWIJTYOHJOEOX-UHFFFAOYSA-M trifluoromethanesulfonate;trinaphthalen-1-ylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=C2C([S+](C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 UPWIJTYOHJOEOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- TUODWSVQODNTSU-UHFFFAOYSA-M trifluoromethanesulfonate;tris[4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]phenyl]sulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC(C)(C)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC(OC(C)(C)C)=CC=1)C1=CC=C(OC(C)(C)C)C=C1 TUODWSVQODNTSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001889 triflyl group Chemical group FC(F)(F)S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JABYJIQOLGWMQW-UHFFFAOYSA-N undec-4-ene Chemical compound CCCCCCC=CCCC JABYJIQOLGWMQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
Definitions
- the present invention relates to a composition for forming a resist underlayer film used in a lithography process when manufacturing a semiconductor device.
- fullerene derivatives having higher solubility in organic solvents than C 60 fullerene have been synthesized.
- a solution in which such a fullerene derivative is dissolved in an organic solvent a thin film can be easily formed on a substrate. Therefore, application of fullerene derivatives to n-type organic thin film transistors, solar cells, and the like has been studied.
- Patent Document 1 describes a resist underlayer film forming composition prepared using, for example, a fullerene derivative manufactured by Frontier Carbon Co., Ltd. as a fullerene derivative.
- Patent Document 2 listed below describes a photoresist composition using a diethyl malonate polyadduct or a malonic acid-di-tert-butyl multiadduct as a fullerene derivative.
- a fullerene derivative as described in Patent Document 2 and a method for producing the fullerene derivative are also described in Patent Document 3 below.
- Control of the dry etching rate is important for the resist underlayer film.
- a resist underlayer film having a high carbon content since fullerene itself is a material composed of only carbon atoms, the carbon content is 100% by mass, but there is a problem that it is difficult to dissolve in a solvent. This problem can be solved by using a fullerene derivative having solubility in a solvent. However, such fullerene derivatives usually have a lower carbon content than fullerenes without a modifying group.
- the fullerene derivative malonic acid-di-tert-butyl multi-adduct used in Patent Document 2 decomposes the adduct (modifying group) by heating to produce a carboxyl group. That is, by applying a solution containing a fullerene derivative having the adduct (modifying group) and baking at a temperature at which the adduct (modifying group) decomposes, the carbon content of the formed film is lower than before decomposition. Can be increased.
- the resist underlayer film is required not to be dissolved in a solvent contained in the solution to be applied and to be applied uniformly without unevenness when an intermediate layer or a resist film is formed thereon by a coating method.
- the present invention has an object to provide a composition that can form a resist underlayer film having high etching resistance (low dry etching rate), excellent solvent resistance, and excellent applicability of a solution to be applied thereon.
- the first aspect of the present invention is: The following formula (1) for one fullerene molecule: (In the formula, each R independently represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.)
- a resist underlayer film forming composition comprising a fullerene derivative to which 1 to 6 molecules of malonic acid diester represented by formula (I) is added, an epoxy compound, and a solvent.
- the second aspect of the present invention is: Applying the resist underlayer film forming composition on a substrate, and baking at least once at a temperature of 180 ° C. to 400 ° C. to form a resist underlayer film; Applying the intermediate layer forming composition on the resist underlayer film and baking to form a silicon-containing intermediate layer; and Forming a resist film on the intermediate layer; It is a method for forming a resist pattern, comprising at least exposing and developing the resist film.
- the resist underlayer film forming composition of the present invention contains an epoxy compound together with a fullerene derivative that decomposes an adduct (modifying group) by heating, the crosslinking reaction proceeds by baking at a predetermined temperature.
- the resist underlayer film to be formed has a high dry etching resistance, a solvent resistance, and a surface with a good solution coating property.
- the fullerene derivative contained in the resist underlayer film forming composition of the present invention is, for example, the following formula (2) in which R in the formula (1) is a branched alkyl group (3 or more carbon atoms): (In the formula, n represents an integer of 1 to 6.) It is represented by However, the fullerene derivative represented by the formula (2) is not specified.
- the fullerene derivative contained in the resist underlayer film forming composition of the present invention contains, as a main component, a 4-adduct obtained by adding 4 molecules of a malonic acid diester represented by the formula (1) to 1 molecule of fullerene. it can.
- the malonic diester is added, not only the C 60, C 70, or C 60 can use a mixture of the C 70, also used mixtures containing higher fullerenes in addition to C 60 and C 70
- You can also Higher order fullerene is defined herein as a generic term for fullerenes having more than 70 carbon atoms (for example, C 76 , C 82 , C 84 , C 90 and C 96 ). By using the said mixture, cost can be reduced compared with the case where C60 or C70 is used.
- the epoxy compound contained in the resist underlayer film forming composition of the present invention a compound having at least two epoxy groups or oxirane rings is preferable.
- the epoxy compound is included in the range of, for example, 0.1 to 500% by mass, preferably 1 to 100% by mass with respect to the fullerene derivative.
- the resist underlayer film forming composition of the present invention may further contain an acid catalyst or a base catalyst.
- the acid catalyst include onium salts, diazomethane derivatives, glyoxime derivatives, bissulfone derivatives, ⁇ -ketosulfone derivatives, disulfone derivatives, nitrobenzyl sulfonate derivatives, sulfonate ester derivatives, and sulfonate ester derivatives of N-hydroxyimide compounds.
- the base catalyst include imidazole compounds, quaternary ammonium salts, phosphonium salts, amine compounds, aluminum chelate compounds, and organic phosphine compounds.
- 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7 trimethylamine, benzyldimethylamine, triethylamine, dimethylbenzylamine, 2 , 4,6-trisdimethylaminomethylphenol and other amine compounds and salts thereof, quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium chloride, benzyltrimethylammonium bromide, benzyltriethylammonium chloride, tetrabutylammonium bromide, aluminum chelate, tetra-n And organic phosphine compounds such as -butylphosphonium benzotriazolate and tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethyl phosphorodithioate.
- quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium chloride, benzyltrimethylam
- the acid catalyst or base catalyst is contained in the fullerene derivative in an amount of, for example, 0.1 to 50% by mass, preferably 0.5 to 40% by mass, and the decomposition reaction of the fullerene derivative adduct (modifying group) and It promotes the crosslinking reaction.
- onium salts examples include Tetramethylammonium trifluoromethanesulfonate, tetramethylammonium nonafluorobutanesulfonate, triethylammonium nonafluorobutanesulfonate, pyridinium nonafluorobutanesulfonate, triethylammonium camphorsulfonate, diphenyliodonium camphorsulfonate, camphorsulfonic acid (p- tert-Butoxyphenyl) phenyliodonium, camphorsulfonic acid bis (p-tert-butoxyphenyl) iodonium, trifluoromethanesulfonic acid bis (p-tert-butoxyphenyl) iodonium, nonafluorobutanesulfone (p-tert-butoxyphenyl) phenyl Iodonium, nonafluorobutanesulfone bis (p-tert-butoxyphen
- diazomethane derivatives examples include bis (benzenesulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (xylenesulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclopentylsulfonyl) diazomethane, bis (n-butylsulfonyl) diazomethane, bis (isobutylsulfonyl) ) Diazomethane, bis (sec-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-propylsulfonyl) diazomethane, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (tert-butylsulfonyl) diazomethane, bis (n-amylsulfonyl) diazomethane,
- Examples of glyoxime derivatives are shown below.
- bissulfone derivatives are shown below.
- Examples of ⁇ -ketosulfone derivatives are shown below.
- disulfone derivatives examples include diphenyl disulfone derivatives and dicyclohexyl disulfone derivatives.
- Nitrobenzyl sulfonate derivatives are exemplified below. 2,6-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate and 2,4-dinitrobenzyl p-toluenesulfonate. Examples of the sulfonate ester derivative are shown below. 1,2,3-tris (methanesulfonyloxy) benzene, 1,2,3-tris (trifluoromethanesulfonyloxy) benzene, and 1,2,3-tris (p-toluenesulfonyloxy) benzene.
- N-hydroxysuccinimide methanesulfonic acid ester N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonic acid ester
- N-hydroxysuccinimide ethanesulfonic acid ester N-hydroxysuccinimide 1-propanesulfonic acid ester
- N-hydroxysuccinimide 2-propanesulfonic acid ester N-hydroxysuccinimide 1-pentanesulfonic acid ester
- N-hydroxysuccinimide 1-octanesulfonic acid ester N-hydroxysuccinimide p-toluenesulfonic acid ester
- N-hydroxysuccinimide p-methoxybenzenesulfonic acid ester N-hydroxysuccinimide 2 -Chloroethane sulfonate
- N-hydroxysuccinimide benzene sulfonate N-hydroxysuccinimide 2 -Chloroethane sulfonate
- the resist underlayer film forming composition of the present invention can further contain a surfactant.
- a surfactant for example, Ftop (registered trademark) EF301, EF303, EF352 (manufactured by Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd.), MegaFuck (registered trademark) F171, F173, R173 (manufactured by DIC Corporation), Fluorard FC430, FC431 (Sumitomo 3M Co., Ltd.), Asahi Guard (registered trademark) AG710, Surflon (registered trademark) S-382, SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (Asahi Glass Co., Ltd.) Fluorosurfactant such as a company) and organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
- One kind selected from these surfactants may be added, or two or more kinds may be added in combination.
- the resist underlayer film forming composition of the present invention is used in a uniform solution state in which each of the above components is dissolved in a solvent.
- solvents include propylene glycol monomethyl ether acetate, cyclohexanone, 2-heptanone, ethyl lactate, o-xylene, toluene, o-dichlorobenzene, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, 1-methyl-2 -Pyrrolidone and ⁇ -butyrolactone can be used.
- One kind selected from these solvents may be used, or two or more kinds may be used in combination.
- the prepared resist underlayer film forming composition is preferably used after being filtered using, for example, a filter having a pore size smaller than 0.1 ⁇ m or 0.1 ⁇ m.
- the resist underlayer film-forming composition after filtration is excellent in long-term storage stability at room temperature.
- Substrate for example, a semiconductor substrate such as silicon on which a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film is formed, a silicon nitride substrate, a quartz substrate, a glass substrate (including non-alkali glass, low alkali glass, and crystallized glass)
- the resist underlayer film forming composition of the present invention is applied onto a glass substrate on which an ITO film is formed by an appropriate application method such as a spinner or a coater, and then baked using a heating means such as a hot plate. By doing so, a resist underlayer film is formed.
- the optimum value is selected from the range of temperature: 180 ° C. to 400 ° C. and time: 0.3 minutes to 10 minutes.
- baking may be performed again at a temperature higher than the temperature, for example, 300 ° C. to 400 ° C.
- the adduct (modifying group) of the fullerene derivative contained in the applied composition is decomposed to generate a carboxyl group. It is presumed that the adduct (modifying group) is further decomposed by baking at 300 ° C. to 400 ° C., and the fullerene derivative undergoes a crosslinking reaction.
- the thickness of the resist underlayer film to be formed is 0.01 ⁇ m to 3.0 ⁇ m, for example, 0.03 ⁇ m to 1.0 ⁇ m, or 0.05 ⁇ m to 0.5 ⁇ m.
- the intermediate layer forming composition is applied onto the resist underlayer film by an appropriate application method such as a spinner or a coater.
- the intermediate layer forming composition include a solution containing one or two or more alkoxysilane hydrolyzates and / or hydrolysis condensates and necessary additives, or a commercially available polysilane and necessary additives.
- the silicon-containing intermediate layer is formed by baking using a heating means such as a hot plate.
- a heating means such as a hot plate.
- an optimum value is selected from the range of temperature: 180 ° C. to 300 ° C. and time: 0.3 minutes to 10 minutes.
- the resist film is formed by a general method, that is, by applying a resist solution onto the intermediate layer and baking.
- the resist solution to be used is not particularly limited.
- Rohm and Haas Electronic Materials trade name: APEX-E, Sumitomo Chemical Co., trade name: PAR710, and Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Product name: SEPR430 etc. are mentioned.
- a photomask reticle
- a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, and EUV extreme ultraviolet
- PEB Post Exposure Bake
- an alkaline developer When using a positive resist solution, an alkaline developer is used for development.
- alkaline developers include aqueous solutions of alkali metal hydroxides such as potassium hydroxide and sodium hydroxide, aqueous solutions of quaternary ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline, ethanolamine, and propyl.
- the amine aqueous solution include amines and ethylenediamine.
- a surfactant can be added to these developers.
- the development conditions are appropriately selected from a development temperature of 5 ° C. to 50 ° C. and a development time of 10 seconds to 300 seconds.
- development can be easily performed at room temperature using a 2.38 mass% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution that is widely used for developing photoresists.
- the reaction layer (organic phase) was wash
- the obtained organic phase was washed twice with 100 cm 3 of 1N sulfuric acid aqueous solution and then washed three times with 200 cm 3 of pure water.
- the solvent (1,2,4-trimethylbenzene) was distilled off under reduced pressure to obtain 9.50 g of a reddish brown solid.
- the obtained solid was fractionated with a mixed solvent of n-hexane and ethyl acetate by silica gel chromatography to obtain a fullerene derivative (malonic acid-di-tert-butyl ester adduct).
- Example 1 To 1.0 g of the fullerene derivative obtained in Synthesis Example 1, 0.15 g of an epoxy compound represented by the formula (3-a) (trade name: YH434L, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), Megafac as a surfactant [registered trademark] ] 0.001 g of R-30 (DIC Corporation) was mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a solution. Then, it filtered using the polyethylene micro filter with a hole diameter of 0.10 micrometer, and also filtered using the polyethylene micro filter with the hole diameter of 0.05 micrometer, and prepared the resist underlayer film forming composition solution.
- 3-a an epoxy compound represented by the formula (3-a)
- Megafac as a surfactant [registered trademark] ] ] 0.001 g of R-30 (DIC Corporation) was mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a solution.
- Example 2 To 1.0 g of the fullerene derivative obtained in Synthesis Example 1, 0.3 g of the epoxy compound used in Example 1 (trade name: YH434L, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), Megafac [registered trademark] R-30 as a surfactant 0.001 g (manufactured by DIC Corporation) was mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a solution. Then, it filtered using the polyethylene micro filter with a hole diameter of 0.10 micrometer, and also filtered using the polyethylene micro filter with the hole diameter of 0.05 micrometer, and prepared the resist underlayer film forming composition solution. In this example, the mass of the epoxy compound used is different from that of Example 1 described above.
- Example 3 To 1.0 g of the fullerene derivative obtained in Synthesis Example 1, 0.1 g of an epoxy compound represented by the formula (3-b) (manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name: GT401), Megafac as a surfactant [Registered] Trademark] 0.001 g of R-30 (manufactured by DIC Corporation) was mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a solution. Then, it filtered using the polyethylene micro filter with a hole diameter of 0.10 micrometer, and also filtered using the polyethylene micro filter with the hole diameter of 0.05 micrometer, and prepared the resist underlayer film forming composition solution.
- an epoxy compound represented by the formula (3-b) manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd., trade name: GT401
- Megafac as a surfactant
- R-30 manufactured by DIC Corporation
- Example 4 To 1.0 g of the fullerene derivative obtained in Synthesis Example 1, 0.2 g of an epoxy compound represented by the formula (3-c) (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., trade name: TETRAD-C), Megafac as a surfactant [Registered Trademark] 0.001 g of R-30 (manufactured by DIC Corporation) was mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a solution. Then, it filtered using the polyethylene micro filter with a hole diameter of 0.10 micrometer, and also filtered using the polyethylene micro filter with the hole diameter of 0.05 micrometer, and prepared the resist underlayer film forming composition solution.
- 3-c an epoxy compound represented by the formula (3-c)
- TETRAD-C trade name: TETRAD-C
- Megafac as a surfactant
- R-30 manufactured by DIC Corporation
- Example 5 To 1.0 g of the fullerene derivative obtained in Synthesis Example 1, 0.3 g of an epoxy compound represented by the formula (3-d) (manufactured by DIC Corporation, trade name: HP-4700), Megafac as a surfactant [Registered] Trademark] 0.001 g of R-30 (manufactured by DIC Corporation) was mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a solution. Then, it filtered using the polyethylene micro filter with a hole diameter of 0.10 micrometer, and also filtered using the polyethylene micro filter with the hole diameter of 0.05 micrometer, and prepared the resist underlayer film forming composition solution.
- an epoxy compound represented by the formula (3-d) manufactured by DIC Corporation, trade name: HP-4700
- Megafac as a surfactant [Registered] Trademark] 0.001 g of R-30 (manufactured by DIC Corporation) was mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glyco
- Example 6 To 1.0 g of the fullerene derivative obtained in Synthesis Example 1, 0.15 g of the epoxy compound represented by the above formula (3-a) (manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., trade name: YH434L), Megafac as a surfactant [Registered] Trademark] 0.001 g of R-30 (DIC Corporation) and 0.05 g of pyridinium p-toluenesulfonate as a catalyst were mixed and dissolved in 7.0 g of propylene glycol monomethyl ether acetate to obtain a solution. Then, it filtered using the polyethylene micro filter with a hole diameter of 0.10 micrometer, and also filtered using the polyethylene micro filter with the hole diameter of 0.05 micrometer, and prepared the resist underlayer film forming composition solution.
- Each resist underlayer film forming composition solution (including an epoxy compound) prepared in Examples 1 to 6 was applied onto a silicon wafer by a spinner. Heating was performed on a hot plate at a temperature of 240 ° C. for 1 minute to form a resist underlayer film (film thickness 0.2 ⁇ m). Then, these resist underlayer films were immersed in ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate, which are solvents used for the photoresist, and confirmed to be insoluble in the solvent.
- the resist underlayer film forming composition solution prepared in Comparative Example 1 was applied onto a silicon wafer by a spinner. Heating was performed on a hot plate at a temperature of 240 ° C. for 1 minute to form a resist underlayer film (film thickness 0.2 ⁇ m).
- this resist underlayer film was immersed in ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monomethyl ether acetate, which are solvents used for the photoresist, it was confirmed that it was dissolved in the solvent.
- an intermediate layer forming material for example, poly It is difficult to form a film containing a composition containing siloxane or polysilane.
- Each resist underlayer film forming composition prepared in Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 was applied onto a silicon wafer by a spinner. Heating was performed on a hot plate at a temperature of 240 ° C. for 1 minute to form a resist underlayer film (film thickness 0.2 ⁇ m). These resist underlayer films were subjected to a refractive index (n value) and optical absorption coefficient (k value, attenuation coefficient) at a wavelength of 193 nm using a spectroscopic ellipsometer (manufactured by JA Woollam, VUV-VASE VU-302). (Also called). The results are shown in Table 1 below.
- Table 1 The results shown in Table 1 indicate that when a resist underlayer film obtained from the resist underlayer film forming composition according to the present invention is used in combination with a silicon-containing intermediate layer, the reflection of light having a wavelength of 193 nm from the substrate is reduced. It has n value and k value which can be.
- a solution obtained by dissolving 0.7 g of phenol novolak resin in 10 g of propylene glycol monomethyl ether was applied onto a silicon wafer by a spinner and heated at a temperature of 240 ° C. for 1 minute to form a phenol novolak resin film.
- the dry etching rate was measured using CF 4 gas as an etching gas, and each of the resist underlayer films formed from the resist underlayer film forming compositions of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 was measured. Comparison with dry etching rate was performed. The results are shown in Table 2 below.
- the dry etching rate ratio in Table 2 is the dry etching rate of each resist underlayer film (resist underlayer film) / (phenol novolac resin film) with respect to the dry etching rate of the phenol novolak resin film.
- the resist underlayer film obtained from the resist underlayer film forming composition containing the catalyst prepared in Example 6 is the resist obtained from the resist underlayer film forming composition prepared in other Examples. Compared to the lower layer film, the dry etching rate ratio was small. This result has shown that the dry etching tolerance of the film
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】 高いエッチング耐性（ドライエッチング速度が小さい）を有すると共に、溶剤耐性に優れたレジスト下層膜を形成できる組成物を提供する。 【解決手段】 フラーレン１分子に対して下記式（１）：（式中、Ｒはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０のアルキル基を表す。） で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基又はオキシラン環を少なくとも２つ有する化合物、及び溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物。
Description
本発明は、半導体装置を製造する際のリソグラフィープロセスにおいて使用される、レジスト下層膜を形成するための組成物に関する。
近年、Ｃ６０フラーレンと比較して有機溶媒への溶解度の高い、フラーレン誘導体が合成されている。そのようなフラーレン誘導体を有機溶媒に溶解させた溶液を用いることで、基板上に容易に薄膜を形成できるようになった。そのため、フラーレン誘導体をｎ型有機薄膜トランジスタ、太陽電池などへ適用することが研究されている。
一方、半導体装置を製造する際のリソグラフィープロセスにおいて、フォトレジスト膜を形成するのに先立ち、レジスト下層膜を設けることによって、所望の形状のレジストパターンを形成する技術が知られている。下記特許文献１には、フラーレン誘導体として、例えばフロンティアカーボン株式会社製のフラーレン誘導体を用いて調製した、レジスト下層膜形成組成物が記載されている。下記特許文献２には、フラーレン誘導体として、マロン酸ジエチル多付加体又はマロン酸－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル多付加体を用いた、フォトレジスト組成物が記載されている。特許文献２に記載されているようなフラーレン誘導体及びその製造方法は、下記特許文献３にも記載されている。
レジスト下層膜にとって、ドライエッチング速度の制御は重要である。例えば、酸素含有ガスに対してエッチング速度を高く、逆にＣＦ４等のフッ素化合物を含有するガスに対してエッチング耐性を有するためには、炭素含有率の高いレジスト下層膜を採用する必要がある。フラーレン自体は炭素原子のみからなる材料であるため、炭素含有率は１００質量％であるが、溶剤に溶けにくいという問題がある。この問題は、溶剤に対する溶解性を備えたフラーレン誘導体を用いることで解決することができる。しかしながら、このようなフラーレン誘導体は通常、修飾基を有さないフラーレンと比較して炭素含有率が低い。
ところで、特許文献２で用いられたフラーレン誘導体であるマロン酸－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル多付加体は、加熱により付加物（修飾基）が分解し、カルボキシル基が生成することが、最近わかってきた。すなわち、前記付加物（修飾基）を有するフラーレン誘導体を含む溶液を塗布し、前記付加物（修飾基）が分解する温度でベークすることによって、形成される膜の炭素含有率を分解前よりも高めることができる。
さらにレジスト下層膜は、その上に、塗布法により中間層又はレジスト膜を形成する際、塗布する溶液に含まれる溶剤に溶解しないこと、及びムラなく均一に塗布できることが求められる。
そこで、本発明は、高いエッチング耐性（ドライエッチング速度が小さい）を有すると共に、溶剤耐性に優れ、上に塗布する溶液の塗布性に優れたレジスト下層膜を形成できる組成物を提供することを課題とする。
本発明の第一態様は、
フラーレン１分子に対して下記式（１）：
（式中、Ｒはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０のアルキル基を表す。）
で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ化合物、及び溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物である。
フラーレン１分子に対して下記式（１）：
で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ化合物、及び溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物である。
本発明の第二態様は、
前記レジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、１８０℃乃至４００℃の温度で少なくとも１回ベークしてレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜上に中間層形成組成物を塗布し、ベークすることにより珪素含有中間層を形成する工程と、
前記中間層上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対し少なくとも露光及び現像する工程を有する、レジストパターンの形成方法である。
前記レジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、１８０℃乃至４００℃の温度で少なくとも１回ベークしてレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜上に中間層形成組成物を塗布し、ベークすることにより珪素含有中間層を形成する工程と、
前記中間層上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対し少なくとも露光及び現像する工程を有する、レジストパターンの形成方法である。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、加熱により付加物（修飾基）が分解するフラーレン誘導体と共に、エポキシ化合物を含むため、所定の温度でベークすることにより架橋反応が進行する。その結果、形成されるレジスト下層膜は、高いドライエッチング耐性を有すると共に、耐溶剤性を有し、且つ溶液塗布性のよい表面を有する。
本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるフラーレン誘導体は、例えば前記式（１）のＲが分岐アルキル基（炭素原子数３以上）である、下記式（２）：
（式中、ｎは１乃至６の整数を表す。）
で表される。しかし、この式（２）で表されるフラーレン誘導体に特定されるわけではない。
で表される。しかし、この式（２）で表されるフラーレン誘導体に特定されるわけではない。
本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるフラーレン誘導体は、フラーレン１分子に対して前記式（１）で表されるマロン酸ジエステルが４分子付加した、４付加体を主成分として含むことができる。
前記マロン酸ジエステルが付加するフラーレンとして、Ｃ６０に限らず、Ｃ７０、又はＣ６０とＣ７０の混合物を使用することができ、Ｃ６０及びＣ７０に加えて高次フラーレンを含む混合物も使用することもできる。高次フラーレンとは、炭素原子数が７０を越えるフラーレン（例えば、Ｃ７６、Ｃ８２、Ｃ８４、Ｃ９０及びＣ９６）の総称である、と本明細書では定義する。前記混合物を使用することによって、Ｃ６０又はＣ７０を使用する場合と比較してコストを下げることができる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるエポキシ化合物として、エポキシ基又はオキシラン環を少なくとも２つ有する化合物が好ましい。当該エポキシ化合物は、フラーレン誘導体に対し、例えば、０．１乃至５００質量％、好ましくは１乃至１００質量％の範囲で含まれる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、酸触媒又は塩基触媒をさらに含むことができる。酸触媒として、例えば、オニウム塩、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、ビススルホン誘導体、β－ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体及びＮ－ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体を挙げることができる。塩基触媒として、例えば、イミダゾール化合物、４級アンモニウム塩、ホスホニウム塩、アミン化合物、アルミニウムキレート化合物、有機ホスフィン化合物等を挙げることができる。具体的には、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１，８－ジアザ－ビシクロ（５，４，０）ウンデセン－７、トリメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエチルアミン、ジメチルベンジルアミン、２，４，６－トリスジメチルアミノメチルフェノール等のアミン化合物及びその塩、テトラメチルアンモニウムクロリド、ベンジルトリメチルアンモニウムブロミド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、テトラブチルアンモニウムブロミドなどの４級アンモニウム塩、アルミニウムキレート、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウムベンゾトリアゾレート、テトラ－ｎ－ブチルホスホニウム－ｏ，ｏ－ジエチルホスホロジチオエートなどの有機ホスフィン化合物等が挙げられる。これらの酸触媒又は塩基触媒から選択される１種を添加してもよいし、２種以上組合せて添加することもできる。当該酸触媒又は塩基触媒は、フラーレン誘導体に対し、例えば０．１乃至５０質量％、好ましくは０．５乃至４０質量％の範囲で含まれ、フラーレン誘導体の付加物（修飾基）の分解反応及び架橋反応を促進するものである。
オニウム塩を以下に例示する。トリフルオロメタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリエチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸ピリジニウム、カンファースルホン酸トリエチルアンモニウム、カンファースルホン酸ジフェニルヨードニウム、カンファースルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、カンファースルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ヨードニウム、ノナフルオロブタンスルホン（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ノナフルオロブタンスルホンビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ヨードニウム、カンファースルホン酸ピリジニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラｎ－ブチルアンモニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸テトラフェニルアンモニウム、ｐ－トルエンスルホン酸テトラメチルアンモニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ビス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリス（ｐ－ｔｅｒｔ－ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ－トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリナフチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（２－ノルボニル）メチル（２－オキソシクロヘキシル）スルホニウム、エチレンビス［メチル（２－オキソシクロペンチル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート］、１，２’－ナフチルカルボニルメチルテトラヒドロチオフェニウムトリフレート、トリエチルアンモニウムノナフレート、トリブチルアンモニウムノナフレート、テトラエチルアンモニウムノナフレート、テトラブチルアンモニウムノナフレート、トリエチルアンモニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド、及びトリエチルアンモニウムトリス（パーフルオロエチルスルホニル）メチド。
ジアゾメタン誘導体を以下に例示する。ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ－トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロヘキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１－シクロヘキシルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－アミルスルホニル）ジアゾメタン、及び１－ｔｅｒｔ－アミルスルホニル－１－（ｔｅｒｔ－ブチルスルホニル）ジアゾメタン。
グリオキシム誘導体を以下に例示する。ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－α－ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－トルエンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジフェニルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－α－ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２，３－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（ｎ－ブタンスルホニル）－２－メチル－３，４－ペンタンジオングリオキシム、ビス－Ｏ－（メタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（トリフルオロメタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（１，１，１－トリフルオロエタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｔｅｒｔ－ブタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（パーフルオロオクタンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（シクロヘキサンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－フルオロベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルベンゼンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、ビス－Ｏ－（キシレンスルホニル）－α－ジメチルグリオキシム、及びビス－Ｏ－（カンファースルホニル）－α－ジメチルグリオキシム。
ビススルホン誘導体を以下に例示する。ビスナフチルスルホニルメタン、ビストリフルオロメチルスルホニルメタン、ビスメチルスルホニルメタン、ビスエチルスルホニルメタン、ビスプロピルスルホニルメタン、ビスイソプロピルスルホニルメタン、ビス－ｐ－トルエンスルホニルメタン、及びビスベンゼンスルホニルメタン。
β－ケトスルホン誘導体を以下に例示する。２－シクロヘキシルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン、及び２－イソプロピルカルボニル－２－（ｐ－トルエンスルホニル）プロパン。
ジスルホン誘導体を以下に例示する。ジフェニルジスルホン誘導体及びジシクロヘキシルジスルホン誘導体。
ニトロベンジルスルホネート誘導体を以下に例示する。ｐ－トルエンスルホン酸２，６－ジニトロベンジル及びｐ－トルエンスルホン酸２，４－ジニトロベンジル。
スルホン酸エステル誘導体を以下に例示する。１，２，３－トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、及び１，２，３－トリス（ｐ－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン。
スルホン酸エステル誘導体を以下に例示する。１，２，３－トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３－トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、及び１，２，３－トリス（ｐ－トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン。
Ｎ－ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体を以下に例示する。Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－プロパンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド２－プロパンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－ペンタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－オクタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドｐ－トルエンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドｐ－メトキシベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド２－クロロエタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド－２，４，６－トリメチルベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド１－ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシスクシンイミド２－ナフタレンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－２－フェニルスクシンイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシマレイミドエタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－２－フェニルマレイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシグルタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシグルタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシフタルイミドｐ－トルエンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシナフタルイミドベンゼンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドメタンスルホン酸エステル、Ｎ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドトリフルオロメタンスルホン酸エステル、及びＮ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドｐ－トルエンスルホン酸エステル。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、界面活性剤をさらに含むことができる。界面活性剤として、例えば、エフトップ〔登録商標〕ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（三菱マテリアル電子化成株式会社製）、メガファック〔登録商標〕Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ３０（ＤＩＣ株式会社製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム株式会社製）、アサヒガード〔登録商標〕ＡＧ７１０、サーフロン〔登録商標〕Ｓ－３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子株式会社製）等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業株式会社製）を挙げることができる。これらの界面活性剤から選択される１種を添加してもよいし、２種以上組合せて添加することもできる。当該界面活性剤は、フラーレン誘導体に対し、例えば、０．０１乃至１０質量％、好ましくは０．１乃至５質量％の範囲で含まれる。
本発明のレジスト下層膜形成組成物は、上記の各成分が溶剤に溶解した、均一な溶液状態で用いられる。そのような溶剤として、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、２－ヘプタノン、乳酸エチル、ｏ－キシレン、トルエン、ｏ－ジクロロベンゼン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、１－メチル－２－ピロリドン及びγ－ブチロラクトンを用いることができる。これらの溶剤から選択される１種を使用してもよいし、２種以上組合せて使用することもできる。
調製されたレジスト下層膜形成組成物は、例えば０．１μｍ又は０．１μｍより小さい孔径のフィルタを用いてろ過した後、使用することが好ましい。ろ過後のレジスト下層膜形成組成物は、室温で長期間の貯蔵安定性に優れる。
以下、本発明のレジスト下層膜形成組成物の使用法について説明する。基板〔例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜が形成されたシリコン等の半導体基板、窒化珪素基板、石英基板、ガラス基板（無アルカリガラス、低アルカリガラス、結晶化ガラスを含む）、ＩＴＯ膜が形成されたガラス基板等〕の上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のレジスト下層膜形成組成物を塗布し、その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークすることによりレジスト下層膜が形成される。ベーク条件は、温度：１８０℃乃至４００℃、時間：０．３分乃至１０分の範囲から最適値が選択される。１８０℃乃至２５０℃の温度でベークした後、当該温度よりも高い温度、例えば３００℃乃至４００℃で再びベークしてもよい。１８０℃乃至２５０℃の温度でのベークにより、塗布した組成物に含まれるフラーレン誘導体の付加物（修飾基）が分解し、カルボキシル基が生成する。その後３００℃乃至４００℃でのベークにより、前記付加物（修飾基）の分解がさらに進み、架橋反応が進行したフラーレン誘導体になると推定される。形成されるレジスト下層膜の膜厚は、０．０１μｍ乃至３．０μｍ、例えば０．０３μｍ乃至１．０μｍ、又は０．０５μｍ乃至０．５μｍである。
前記レジスト下層膜上に、スピナー、コーター等の適当な塗布方法により中間層形成組成物を塗布する。前記中間層形成組成物として、例えば、１種又は２種以上のアルコキシシランの加水分解物及び／又は加水分解縮合物と必要な添加剤を含む溶液、又は市販のポリシラン及び必要な添加剤を含む溶液が挙げられる。その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークすることにより珪素含有中間層が形成される。ベーク条件は、温度：１８０℃乃至３００℃、時間：０．３分乃至１０分の範囲から最適値が選択される。
次いで珪素含有中間層上に、レジスト膜が形成される。レジスト膜の形成は一般的な方法、すなわち、レジスト溶液の中間層上への塗布及びベークによって行なうことができる。使用するレジスト溶液としては、特に制限はなく、例えば、ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ社製，商品名：ＡＰＥＸ－Ｅ、住友化学株式会社製，商品名：ＰＡＲ７１０、及び信越化学工業株式会社製，商品名：ＳＥＰＲ４３０等が挙げられる。
さらに、レジスト膜からレジストパターンを形成するために、フォトマスク（レチクル）を通して露光が行なわれる。露光には、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー及びＥＵＶ（極端紫外線）を使用することができる。露光後、必要に応じてＰＥＢ（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行った後、現像を行う。
ポジ型のレジスト溶液を用いた場合、現像にはアルカリ性現像液が用いられる。アルカリ性現像液として、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物の水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、コリン等の水酸化四級アンモニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、エチレンジアミン等のアミン水溶液が挙げられる。さらに、これらの現像液に界面活性剤を加えることもできる。
現像の条件としては、現像温度５℃乃至５０℃、現像時間１０秒乃至３００秒から適宜選択される。本発明の場合、フォトレジストの現像に汎用されている２．３８質量％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、室温で容易に現像を行なうことができる。
以下、本発明の具体例を下記合成例及び下記実施例にて説明するが、これによって本発明が限定されるものではない。
（合成例１）
反応容器に窒素気流下マロン酸－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）９．８０ｇを入れ、さらに１，２，４－トリメチルベンゼン１５０ｃｍ３とジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン（１，８－ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ、東京化成工業株式会社製）６．５０ｇを加えて撹拌しながら、温度を４℃に調整した。
反応容器に窒素気流下マロン酸－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）９．８０ｇを入れ、さらに１，２，４－トリメチルベンゼン１５０ｃｍ３とジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン（１，８－ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ、東京化成工業株式会社製）６．５０ｇを加えて撹拌しながら、温度を４℃に調整した。
得られた温度調整後の反応液に、ヨウ素（和光純薬工業株式会社製）１０．９ｇを１３０ｃｍ３の１，２，４－トリメチルベンゼンに溶解させた黒紫色の溶液をゆっくり滴下した。滴下中は氷浴を用いてフラスコ内温を１１℃になるよう制御した。滴下終了後、反応液の温度を室温まで戻した。フラスコ内の反応液は茶色の懸濁液の状態であった。
その後、上記反応容器内の反応液に、フラーレン混合物（Ｃ６０、Ｃ７０及びその他高次フラーレン類を含む、フロンティアカーボン株式会社製）５．００ｇを１，２，４－トリメチルベンゼン３５０ｃｍ３に溶解させた溶液を撹拌しながら加えた。ここで、高次フラーレンとは、炭素原子数が７０を越えるフラーレンの総称と本明細書では定義する。その後、フラスコ内の反応液に、ジアザビシクロ［５．４．０］－７－ウンデセン（１，８－ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ－７－ｅｎｅ、東京化成工業株式会社製）６．９０ｇを５ｃｍ３の１，２，４－トリメチルベンゼンで希釈した溶液を撹拌しながらゆっくり滴下した。室温で６．５時間撹拌して反応させた。
得られた反応液について、反応層（有機相）を飽和亜硫酸ナトリウム水溶液で４回洗浄した。得られた有機相を、１Ｎ硫酸水溶液１００ｃｍ３を用いて２回洗浄した後、純水２００ｃｍ３を用いて３回洗浄した。溶剤（１，２，４－トリメチルベンゼン）を減圧下留去し、赤茶色の固体９．５０ｇを得た。
得られた固体をシリカゲルクロマトグラフでｎ－ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒にて分別して、フラーレン誘導体（マロン酸－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルエステル付加体）を得た。
（実施例１）
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ａ）で表されるエポキシ化合物（東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ４３４Ｌ）０．１５ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ａ）で表されるエポキシ化合物（東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ４３４Ｌ）０．１５ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
（実施例２）
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、実施例１で用いたエポキシ化合物（東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ４３４Ｌ）０．３ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。本実施例は、使用したエポキシ化合物の質量が前述の実施例１と異なる。
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、実施例１で用いたエポキシ化合物（東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ４３４Ｌ）０．３ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。本実施例は、使用したエポキシ化合物の質量が前述の実施例１と異なる。
（実施例３）
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ｂ）で表されるエポキシ化合物（ダイセル化学工業株式会社製、商品名：ＧＴ４０１）０．１ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ｂ）で表されるエポキシ化合物（ダイセル化学工業株式会社製、商品名：ＧＴ４０１）０．１ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
（実施例４）
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ｃ）で表されるエポキシ化合物（三菱ガス化学株式会社製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ－Ｃ）０．２ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ｃ）で表されるエポキシ化合物（三菱ガス化学株式会社製、商品名：ＴＥＴＲＡＤ－Ｃ）０．２ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
（実施例５）
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ｄ）で表されるエポキシ化合物（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＨＰ－４７００）０．３ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、式（３－ｄ）で表されるエポキシ化合物（ＤＩＣ株式会社製、商品名：ＨＰ－４７００）０．３ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
（実施例６）
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、前記式（３－ａ）で表されるエポキシ化合物（東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ４３４Ｌ）０．１５ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社）０．００１ｇ、触媒としてｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム０．０５ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、前記式（３－ａ）で表されるエポキシ化合物（東都化成株式会社製、商品名：ＹＨ４３４Ｌ）０．１５ｇ、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社）０．００１ｇ、触媒としてｐ－トルエンスルホン酸ピリジニウム０．０５ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。
（比較例１）
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。本比較例は、前述の実施例１乃至実施例６とは異なり、エポキシ化合物を含まない例である。
合成例１で得たフラーレン誘導体１．０ｇに、界面活性剤としてメガファック〔登録商標〕Ｒ－３０（ＤＩＣ株式会社製）０．００１ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．０ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物溶液を調製した。本比較例は、前述の実施例１乃至実施例６とは異なり、エポキシ化合物を含まない例である。
〔フォトレジスト溶剤への溶出試験〕
実施例１乃至実施例６で調製した各レジスト下層膜形成組成物溶液（エポキシ化合物を含む）を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃の温度で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．２μｍ）を形成した。そして、これらのレジスト下層膜を、フォトレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに浸漬し、その溶剤に不溶であることを確認した。
実施例１乃至実施例６で調製した各レジスト下層膜形成組成物溶液（エポキシ化合物を含む）を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃の温度で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．２μｍ）を形成した。そして、これらのレジスト下層膜を、フォトレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに浸漬し、その溶剤に不溶であることを確認した。
次に、比較例１で調製したレジスト下層膜形成組成物溶液を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃の温度で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．２μｍ）を形成した。このレジスト下層膜を、フォトレジストに使用する溶剤である、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに浸漬したところ、その溶剤に溶解することを確認した。比較例１で調製したレジスト下層膜形成組成物を塗布した膜は、上記加熱により耐溶剤性が発現しないため、形成されたレジスト下層膜の上層へ、塗布法により中間層形成材料（例えば、ポリシロキサン又はポリシランを含有する組成物）を成膜することが困難である。
〔光学パラメーターの試験〕
実施例１乃至実施例６及び比較例１で調製した各レジスト下層膜形成組成物を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃の温度で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．２μｍ）を形成した。そして、これらのレジスト下層膜を分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ． Ｗｏｏｌｌａｍ社製、ＶＵＶ－ＶＡＳＥ ＶＵ－３０２）を用い、波長１９３ｎｍでの屈折率（ｎ値）及び光学吸光係数（ｋ値、減衰係数とも称する）を測定した。その結果を下記表１に示す。
実施例１乃至実施例６及び比較例１で調製した各レジスト下層膜形成組成物を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃の温度で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．２μｍ）を形成した。そして、これらのレジスト下層膜を分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ． Ｗｏｏｌｌａｍ社製、ＶＵＶ－ＶＡＳＥ ＶＵ－３０２）を用い、波長１９３ｎｍでの屈折率（ｎ値）及び光学吸光係数（ｋ値、減衰係数とも称する）を測定した。その結果を下記表１に示す。
表１に示す結果は、本発明に係るレジスト下層膜形成組成物より得られたレジスト下層膜を、珪素含有中間層と組み合わせて用いる際に、基板からの波長１９３ｎｍの光の反射を低減することができるｎ値及びｋ値を有していることを示している。
〔ドライエッチング速度の測定〕
ドライエッチング速度の測定には、下記のエッチング装置及びエッチングガスを用いた。
エッチング装置：ＲＩＥ－１０ＮＲ（サムコ株式会社製）
エッチングガス：ＣＦ４
実施例１乃至実施例６及び比較例１で調製した各レジスト下層膜形成組成物溶液をスピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃の温度で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．２μｍ）を形成した。そのレジスト下層膜に対し、エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。さらに、フェノールノボラック樹脂０．７ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル１０ｇに溶解させた溶液を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布し、２４０℃の温度で１分間加熱してフェノールノボラック樹脂膜を形成した。その樹脂膜に対し、エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例１乃至実施例６及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物から形成された各レジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。その結果を下記表２に示す。表２のドライエッチング速度比は、上記フェノールノボラック樹脂膜のドライエッチング速度に対する各レジスト下層膜のドライエッチング速度（レジスト下層膜）／（フェノールノボラック樹脂膜）である。
ドライエッチング速度の測定には、下記のエッチング装置及びエッチングガスを用いた。
エッチング装置：ＲＩＥ－１０ＮＲ（サムコ株式会社製）
エッチングガス：ＣＦ４
実施例１乃至実施例６及び比較例１で調製した各レジスト下層膜形成組成物溶液をスピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２４０℃の温度で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．２μｍ）を形成した。そのレジスト下層膜に対し、エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用してドライエッチング速度を測定した。さらに、フェノールノボラック樹脂０．７ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル１０ｇに溶解させた溶液を、スピナーにより、シリコンウェハー上に塗布し、２４０℃の温度で１分間加熱してフェノールノボラック樹脂膜を形成した。その樹脂膜に対し、エッチングガスとしてＣＦ４ガスを使用してドライエッチング速度を測定し、実施例１乃至実施例６及び比較例１のレジスト下層膜形成組成物から形成された各レジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。その結果を下記表２に示す。表２のドライエッチング速度比は、上記フェノールノボラック樹脂膜のドライエッチング速度に対する各レジスト下層膜のドライエッチング速度（レジスト下層膜）／（フェノールノボラック樹脂膜）である。
上記表２の結果から、実施例６で調製した、触媒を含むレジスト下層膜形成組成物より得られたレジスト下層膜は、他の実施例で調製したレジスト下層膜形成組成物より得られたレジスト下層膜と比較して、ドライエッチング速度比が小さい結果となった。この結果は、レジスト下層膜形成組成物が触媒を含有することにより、形成される膜のドライエッチング耐性が向上することを示している。
Claims (4)
- フラーレン１分子に対して下記式（１）：
で表されるマロン酸ジエステルが１乃至６分子付加したフラーレン誘導体、エポキシ基又はオキシラン環を少なくとも２つ有する化合物、及び溶剤を含む、レジスト下層膜形成組成物。 - さらに酸触媒又は塩基触媒を含む、請求項１に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- さらに界面活性剤を含む、請求項１又は請求項２に記載のレジスト下層膜形成組成物。
- 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のレジスト下層膜形成組成物を基板上に塗布し、１８０℃乃至４００℃の温度で少なくとも１回ベークしてレジスト下層膜を形成する工程と、
前記レジスト下層膜上に中間層形成組成物を塗布し、ベークすることにより珪素含有中間層を形成する工程と、
前記中間層上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対し少なくとも露光及び現像する工程を有する、レジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012503058A JP5757286B2 (ja) | 2010-03-01 | 2011-02-17 | フラーレン誘導体を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010044100 | 2010-03-01 | ||
| JP2010-044100 | 2010-03-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011108365A1 true WO2011108365A1 (ja) | 2011-09-09 |
Family
ID=44542027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2011/053386 WO2011108365A1 (ja) | 2010-03-01 | 2011-02-17 | フラーレン誘導体を含むレジスト下層膜形成組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5757286B2 (ja) |
| TW (1) | TW201142516A (ja) |
| WO (1) | WO2011108365A1 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016143436A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜の形成方法 |
| WO2016158509A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 日産化学工業株式会社 | カチオン重合性レジスト下層膜形成組成物 |
| JP2017533464A (ja) * | 2014-10-08 | 2017-11-09 | アレックス フィリップ グラハム ロビンソンＡｌｅｘ Ｐｈｉｌｉｐ Ｇｒａｈａｍ ＲＯＢＩＮＳＯＮ | スピンオンハードマスク材料 |
| WO2019054420A1 (ja) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 日産化学株式会社 | 硬化性官能基を有する化合物を含む段差基板被覆組成物 |
| KR20220063170A (ko) | 2019-09-17 | 2022-05-17 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 조성물, 레지스트 하층막, 레지스트 하층막의 형성 방법, 패터닝된 기판의 제조 방법 및 화합물 |
| WO2022196673A1 (ja) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | 日産化学株式会社 | ナフタレンユニット含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JP2022166033A (ja) * | 2019-05-31 | 2022-11-01 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー | レジスト下層組成物及び当該組成物を使用するパターン形成方法 |
| KR20230128000A (ko) | 2020-12-28 | 2023-09-01 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법 및 조성물 |
| KR20230156311A (ko) | 2021-03-11 | 2023-11-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법, 조성물, 중합체 및 중합체의제조 방법 |
| KR20230157942A (ko) | 2021-03-12 | 2023-11-17 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법, 조성물, 중합체 및 중합체의제조 방법 |
| KR20240025531A (ko) | 2021-06-24 | 2024-02-27 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법 및 조성물 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102675775B1 (ko) | 2016-12-27 | 2024-06-18 | 삼성전자주식회사 | 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004264709A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Jsr Corp | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 |
| JP2005266798A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | フォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2006227389A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びパターン形成材料 |
| JP2006227391A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
| JP2008513820A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | ザ ユニバーシティ オブ バーミンガム | メタノフラーレン誘導体のレジスト材としての使用およびレジスト層の形成方法 |
| WO2008126804A1 (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | レジスト下層膜形成組成物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5068828B2 (ja) * | 2010-01-19 | 2012-11-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法 |
| JP5068831B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2012-11-07 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法 |
-
2011
- 2011-02-17 WO PCT/JP2011/053386 patent/WO2011108365A1/ja active Application Filing
- 2011-02-17 JP JP2012503058A patent/JP5757286B2/ja active Active
- 2011-02-25 TW TW100106406A patent/TW201142516A/zh unknown
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004264709A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-24 | Jsr Corp | 反射防止膜形成組成物および反射防止膜 |
| JP2005266798A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | フォトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
| JP2008513820A (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-01 | ザ ユニバーシティ オブ バーミンガム | メタノフラーレン誘導体のレジスト材としての使用およびレジスト層の形成方法 |
| JP2006227389A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法及びパターン形成材料 |
| JP2006227391A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法 |
| WO2008126804A1 (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | レジスト下層膜形成組成物 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017533464A (ja) * | 2014-10-08 | 2017-11-09 | アレックス フィリップ グラハム ロビンソンＡｌｅｘ Ｐｈｉｌｉｐ Ｇｒａｈａｍ ＲＯＢＩＮＳＯＮ | スピンオンハードマスク材料 |
| TWI689785B (zh) * | 2015-03-11 | 2020-04-01 | 日商日產化學工業股份有限公司 | 阻劑下層膜之形成方法 |
| KR102308765B1 (ko) * | 2015-03-11 | 2021-10-05 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 하층막의 형성방법 |
| KR20170126967A (ko) | 2015-03-11 | 2017-11-20 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 레지스트 하층막의 형성방법 |
| JPWO2016143436A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2017-12-21 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜の形成方法 |
| US10551737B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-02-04 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Method for forming resist underlayer film |
| WO2016143436A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜の形成方法 |
| CN107430343A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-12-01 | 日产化学工业株式会社 | 阳离子聚合性抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
| JPWO2016158509A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-01-25 | 日産化学工業株式会社 | カチオン重合性レジスト下層膜形成組成物 |
| CN107430343B (zh) * | 2015-03-31 | 2020-10-30 | 日产化学工业株式会社 | 阳离子聚合性抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
| US10437151B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-10-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Cationically polymerizable resist underlayer film-forming composition |
| WO2016158509A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 日産化学工業株式会社 | カチオン重合性レジスト下層膜形成組成物 |
| WO2019054420A1 (ja) * | 2017-09-13 | 2019-03-21 | 日産化学株式会社 | 硬化性官能基を有する化合物を含む段差基板被覆組成物 |
| US11674051B2 (en) | 2017-09-13 | 2023-06-13 | Nissan Chemical Corporation | Stepped substrate coating composition containing compound having curable functional group |
| JP2022166033A (ja) * | 2019-05-31 | 2022-11-01 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー | レジスト下層組成物及び当該組成物を使用するパターン形成方法 |
| JP7445710B2 (ja) | 2019-05-31 | 2024-03-07 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシー | レジスト下層組成物及び当該組成物を使用するパターン形成方法 |
| KR20220063170A (ko) | 2019-09-17 | 2022-05-17 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 조성물, 레지스트 하층막, 레지스트 하층막의 형성 방법, 패터닝된 기판의 제조 방법 및 화합물 |
| KR20230128000A (ko) | 2020-12-28 | 2023-09-01 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법 및 조성물 |
| KR20230156311A (ko) | 2021-03-11 | 2023-11-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법, 조성물, 중합체 및 중합체의제조 방법 |
| KR20230157942A (ko) | 2021-03-12 | 2023-11-17 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법, 조성물, 중합체 및 중합체의제조 방법 |
| WO2022196673A1 (ja) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | 日産化学株式会社 | ナフタレンユニット含有レジスト下層膜形成組成物 |
| JPWO2022196673A1 (ja) * | 2021-03-16 | 2022-09-22 | ||
| KR20240025531A (ko) | 2021-06-24 | 2024-02-27 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법 및 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5757286B2 (ja) | 2015-07-29 |
| TW201142516A (en) | 2011-12-01 |
| JPWO2011108365A1 (ja) | 2013-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5757286B2 (ja) | フラーレン誘導体を含むレジスト下層膜形成組成物 | |
| KR101271805B1 (ko) | 금속 산화물 함유막 형성용 조성물, 금속 산화물 함유막, 금속 산화물 함유막 형성 기판 및 이것을 이용한 패턴 형성방법 | |
| KR101335847B1 (ko) | 금속 산화물 함유막 형성용 조성물, 금속 산화물 함유막 형성 기판 및 패턴 형성 방법 | |
| JP4553113B2 (ja) | 多孔質膜形成用組成物、パターン形成方法、及び多孔質犠性膜 | |
| KR100860479B1 (ko) | 반사방지막 형성용 조성물, 그것을 사용한 반사방지막 | |
| US20080312400A1 (en) | Composition for forming resist underlayer film, and resist underlayer film | |
| US20090155546A1 (en) | Film-forming composition, method for pattern formation, and three-dimensional mold | |
| KR101316200B1 (ko) | 규소 함유막 형성용 조성물, 규소 함유막, 규소 함유막형성 기판 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
| KR20100038062A (ko) | 규소 함유막 형성용 조성물, 규소 함유막 형성 기판 및 패턴 형성 방법 | |
| JP5237743B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物 | |
| JP4808646B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜 | |
| KR102308765B1 (ko) | 레지스트 하층막의 형성방법 | |
| JP4716045B2 (ja) | ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法 | |
| KR100763828B1 (ko) | 실릴페닐렌계 폴리머 함유 중간층 형성용 조성물 및 그것을 사용한 패턴 형성방법 | |
| JP5101904B2 (ja) | レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜 | |
| JP2007272168A (ja) | レジスト下層膜用組成物及びこれを用いたレジスト下層膜 | |
| JP2007178455A (ja) | レジスト下層膜用組成物、これを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11750477 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012503058 Country of ref document: JP |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11750477 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |