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WO2009000608A3 - Procédé de fabrication de matériaux semi-conducteurs et/ou d'éléments électroniques en forme de feuille par préformage initial et/ou revêtement - Google Patents

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Abstract

La présente invention concerne un procédé de fabrication de matériaux semi-conducteurs et/ou d'éléments électroniques en forme de feuille par préformage et/ou revêtement. La propriété caractéristique du procédé est l'application d'un apprêt de substances nanoscopiques immanentes au système à la surface du substrat à recouvrir et/ou à la surface du moule utilisé dans le procédé de préformage. Cet apprêt permet de décoller facilement le matériau semi-conducteur en forme de feuille du substrat après le processus de préformage et/ou de revêtement, réduit les réactions avec le matériau du substrat et/ou du moule et donc la contamination du matériau semi-conducteur et réduit le transfert de chaleur du matériau semi-conducteur dans le substrat avec le cas échéant des conséquences avantageuses sur la microstructure du matériau semi-conducteur, en particulier la taille moyenne de ses grains. Dans un mode de réalisation avantageux de l'invention, l'apprêt n'est pas utilisé seulement afin d'améliorer le décollement du substrat et de réduire la contamination du matériau semi-conducteur, mais peut aussi être utilisé pour produire un modèle de substance dopante dans le matériau semi-conducteur. Dans ce cas, au moins deux apprêts aux teneurs en substances dopantes différentes sont appliqués en un modèle défini sur le substrat. Ces modèles de substance dopante sont transmis dans le matériau semi-conducteur par diffusion au moment du processus de préformage et/ou de revêtement.
PCT/EP2008/056693 2007-06-26 2008-05-30 Procédé de fabrication de matériaux semi-conducteurs et/ou d'éléments électroniques en forme de feuille par préformage initial et/ou revêtement WO2009000608A2 (fr)

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