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WO2009041266A1 - Procédé de fabrication de tranche de cellule solaire - Google Patents

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WO2009041266A1
WO2009041266A1 PCT/JP2008/066333 JP2008066333W WO2009041266A1 WO 2009041266 A1 WO2009041266 A1 WO 2009041266A1 JP 2008066333 W JP2008066333 W JP 2008066333W WO 2009041266 A1 WO2009041266 A1 WO 2009041266A1
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solar cell
cell wafer
wafer manufacturing
wafer
manufacturing
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Kumada
Eiji Kametani
Toshiaki Fukuyama
Kohichi Katohno
Original Assignee
Sharp Kabushiki Kaisha
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Publication date
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    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B24B27/0633—Grinders for cutting-off using a cutting wire
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass

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Abstract

L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche de cellule solaire dans lequel un traitement de rainure est effectué à une surface d'une tranche de cellule solaire par tranchage d'un lingot de silicium par l'action d'un mouvement de va-et-vient d'un fil, au moment de la fabrication de la tranche par tranchage du lingot avec le fil mobile. Un facteur de réflexion de la surface de la tranche est réduit sans détérioration de productivité et augmentation de coût de production.
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