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WO2004079789A3 - Isolation entre etages dans des transistors darlington - Google Patents

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WO2004079789A3
WO2004079789A3 PCT/US2004/006278 US2004006278W WO2004079789A3 WO 2004079789 A3 WO2004079789 A3 WO 2004079789A3 US 2004006278 W US2004006278 W US 2004006278W WO 2004079789 A3 WO2004079789 A3 WO 2004079789A3
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Tat-Sing Paul Chow
Yi Tang
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Rensselaer Polytech Inst
Tat-Sing Paul Chow
Yi Tang
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    • H10D84/60—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D10/00 or H10D18/00, e.g. integration of BJTs
    • H10D84/641—Combinations of only vertical BJTs
    • H10D84/642—Combinations of non-inverted vertical BJTs of the same conductivity type having different characteristics, e.g. Darlington transistors

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Abstract

L'invention concerne un transistor Darlington comprenant une zone collectrice semi-conductrice d'un type de conductivité permettant de former un collecteur pour le dispositif. Un contact de collecteur conducteur et une zone de base semi-conductrice d'un type de conductivité opposé sont connectés à la zone collectrice. Une première zone d'émission semi-conductrice et une seconde zone d'émission semi-conductrice espacée du premier type de conductivité sont connectées à la zone de base, un premier contact d'émission conducteur étant connecté à la première zone d'émission et un second contact d'émission conducteur étant connecté à la seconde zone d'émission. Un premier contact de base conducteur est connecté à la zone de base et connecté électriquement au premier contact d'émission. Un second contact de base conducteur est isolé électriquement du premier contact de base et connecté à la zone de base. Une zone de tranchée résistive s'étendant au moins en partie dans la zone de base permet de séparer la zone de base, de manière résistive, en une première zone de base communiquant avec le premier contact d'émission et le second contact de base et en une seconde zone de base communiquant avec le premier contact de base et le second contact d'émission.
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