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WO2003077284A3 - Transistor bipolaire a heterojonction presentant une zone d'appauvrissement base-collecteur amincie - Google Patents

Transistor bipolaire a heterojonction presentant une zone d'appauvrissement base-collecteur amincie Download PDF

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WO2003077284A3
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Eric S Harmon
David B Salzman
Jerry M Woodall
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Univ Yale
Eric S Harmon
David B Salzman
Jerry M Woodall
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Abstract

L'invention concerne un transistor bipolaire à hétérojonction comprenant un substrat surmonté d'une couche émetteur, d'une couche de base et d'une couche collecteur. Cette couche collecteur est mince, réduite dans la zone base-collecteur pour diminuer la capacité, et constituée d'une matière à large bande interdite présentant une tension de claquage élevée. De préférence, la couche collecteur est constituée d'un matériau semi-conducteur intrinsèque, tel que du InGaP intrinsèque présentant une épaisseur approximativement égale à 90 nm. Le collecteur est aminci pour réduire la probabilité de diffusion, ce qui permet d'accélérer des électrons pour qu'ils atteignent des énergies cinétiques supérieures en raison d'un champ électrique appliqué sur une zone d'appauvrissement base-collecteur et d'un champ électrique présent dans la jonction base-collecteur. La probabilité de diffusion étant réduite, les électrons peuvent présenter un dépassement de vitesse, des électrons hors équilibre étant accélérés de façon à dépasser leur vitesse de saturation. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention (dans lequel le collecteur se trouve au-dessus), la couche collecteur est accouplée à un contact de collecteur de métal Schottky, et une zone base-émetteur présente approximativement les mêmes dimensions ou des dimensions inférieures à celles de la zone base-collecteur. Dans le mode de réalisation préféré de cette invention, la couche de base comprend une couche hyperdopée, telle qu'une couche p++ In0,05Ga0,95As hyperdopée présentant une épaisseur de 50 nm et dopée à 7,5 x 1019 cm-3.
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