WO1998057353A1

WO1998057353A1 - Multiplicateur d'electrons et photomultiplicateur

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Publication number: WO1998057353A1
Application number: PCT/JP1998/002568
Authority: WO
Inventors: Yutaka Hasegawa; Hiroyuki Kyushima
Original assignee: Hamamatsu Photonics K.K.
Priority date: 1997-06-11
Filing date: 1998-06-11
Publication date: 1998-12-17
Also published as: AU7673698A; JP4146529B2; JPH113677A

Description

曰月糸田 ¾ 電子増倍器及び光電子増倍管技術分野

この発明は、真空容器内に入射させた電子を、多段に積層させたダイノードによってカスケード增倍するための電子増倍管、及び該電子増倍管を備えた光電子増倍管に関するものである。背景技術

従来の電子増倍管としては、例えば特開平 6— 3 1 4 5 5 1号公報に開示されている。この公報に記載された電子増倍管は、真空容器内に配設された電子増倍部を有し、この電子増倍部は、マトリックス状に配列した電子増倍孔をもつ板状のダイノードが多段に積層させた構成を備えている。さらに、各ダイノードは、 2枚のダイノード薄板を張り合わせて、ダイノード薄板の隅部（コ一ナ部）を溶接することで一体化が図られている。そして、各ダイノードには、隣接するダイノードの溶接跡を避けるようにして、その隅部に切欠きが設けられ、溶接部位で引き起こされる電界放電を抑制している。発明の開示

発明者らは、上述の従来技術を検討した結果、以下のような課題を発見した。すなわち、従来の電子増倍管は、上述のように構成されているため、各ダイノ一ドの隅部に切欠きを設けることで、溶接部位での電界放電を抑制している。ところが、各ダイノードの間隔が 0 . 1 6〜0 . 1 7 mmと非常に狭く形成されているので、隣接する各ダイノードのエッジで電界放電が発生し易く、この電界放電に起因したノィズが発生してしまうという課題があつた。この発明は上述の課題を解決するためになされたもので、各ダイノード間の放電に起因したノイズ発生を効果的に抑制する構造を備えた電子増倍管、及び該電子増倍管を備えた光電子増倍管を提供することを目的としている。

一般に、電子増倍管は、入射電子の入射方向に一致した所定の積層方向に沿つて、絶縁材料のスぺーサを介して積層された複数段のダイノードを有する電子増倍部と、該電子増倍部によりカスケ一ド増倍された 2次電子を捕獲するアノードを備えており、光電子増倍管は、上記電子増倍部及び上記アノードとともに、該電子増倍部をアノードとともに挟むように配置される光電陰極とを備えている。特に、この発明に係る電子増倍管は、上述の目的を達成するため、上記電子増倍部及び上記アノードの他、放電抑制構造をさらに備えている。この放電抑制構造は、複数段のダイノードのうち、前記スぺ一サを介して互いに隣接している第 1及び第 2のダイノードについて、該第 1ダイノードの該第 2ダイノードと向い合う電子出射面のェッジの位置と、該第 2ダイノードの該第 1ダイノードと向い合う電子入射面のエッジの位置とを、上記複数段のダイノードの積層方向（入射電子の入射方向と一致している）から見て該積層方向に垂直な方向に沿ってそれぞれずらすことを特徴としている。

発明者らは、隣接するダイノード間において、各ダイノードの周辺部分に位置するエッジ間で電界放電が発生し、これがノイズの発生に大きく拘わっていることを見出した。そこで、この発明に係る電子増倍管及び光電子増倍管は、互いに隣接する各ダイノードの周辺部分に着目し、スぺーサを介して直接隣接するエツジの位置が、ダイノードの積層方向から見て該積層方向に垂直な方向に沿ってずれるよう、各ダイノードの形状を変えた。これにより、隣接するエッジ間の距離は大きくなる一方、隣接する各ダイノードの間隔を広げることなく、各エッジ間における電界放電を効果的に抑制することが可能になる。

具体的に、上記放電抑制構造は、互いに隣接している上記第 1及び第 2ダイノードについて、該第 1ダイノードの、真空容器の内壁と向い合う側面と該真空容器の内壁との距離を、該第 2ダイノードの、真空容器の内壁と向い合う側面と該真空容器の内壁との距離よりも長く、あるいは短くした構造であることが好ましい。このような構造により、電子増倍部は、隣接するダイノードの側面を互い違いに配列させるだけの簡単な構成となる。

また、上記放電抑制構造は、上記複数段のダイノードおのおのについて、電子が入射される側に位置する電子入射面の面積を、該電子入射面と対向する電子出射面（上記アノード側に位置する面）よりも大きく、あるいは小さくした構造であってもよい。この構造は、上記複数段のダイノードおのおのについて、上記積層方向に沿ってその断面積が変化するよう、真空容器の内壁と向い合う側面を、該真空容器の側壁に対して所定角度だけ傾けることにより実現可能である。また、この構造の場合、電子増倍部は、各ダイノードの側面を一直線状に整列させても、隣接するエッジ部の間隔を大きくとることができる。しかも、真空容器内で各ダイノ一ドの側面の位置を略全周で揃えることができる。

さらに、上記複数段のダイノードおのおのは、第 1ダイノード ·プレートと該第 1のダイノード ·プレートと直接接触された第 2ダイノード ·プレートとを備えた構造であってもよい。この場合、上記放電抑制構造は、上記複数段のダイノードおのおのの、真空容器の内壁に向い合う側面に、該真空容器の内壁から該内壁と向い合う第 1ダイノード ·プレートの側面までの距離と、真空容器の側壁から該側壁と向い合う第 2ダイノード ·プレートの側面との距離を変えることにより段差を設けることにより実現できる。この構造により、電子増倍部は、各ダイノ一ドの縁部に段差をもたせ、各ダイノ一ドの外周部分を同一の形状に揃えることができる。図面の簡単な説明

図 1は、この発明に係る光電子増倍管（電子増倍管を含む）の概略構造を示す図である。図 2は、図 1に示された電子増倍管に適用可能な電子増倍部の要部を拡大して示す斜視図である。

図 3は、図 2に示された電子増倍部であって、該図 2中の II I— II I線に沿って示された該電子増倍部の断面図である。

図 4は、図 2に示された電子増倍部に適用可能な各ダイノードの構造を示す平面図である。

図 5は、この発明に係る電子増倍管及び光電子増倍管に適用可能な電子増倍部の第 1変形例を拡大して示す斜視図である。

図 6は、図 5に示された電子増倍部であって、該図 5中の V I— V I線に沿つて示された該電子増倍部の断面図である。

図 7は、図 5に示された電子増倍部に適用可能な各ダイノ一ドの構造を示す平面図である。

図 8は、図 7に示されたダイノードの裏面（アノード側）を示す平面図である。図 9は、この発明に係る電子増倍管及び光電子増倍管に適用可能な電子増倍部の第 2変形例を拡大して示す斜視図である。

図 1 0は、図 9に示された電子増倍部であって、該図 9中の X— X線に沿って示された該電子増倍部の断面図である。

図 1 1は、図 9に示された電子増倍部に適用可能な各ダイノードの構造を示す平面図である。

図 1 2は、図 1 1に示されたダイノードの裏面（アノード側）を示す平面図であ o 発明を実施するための最良の形態

以下、この発明に係る電子増倍管及び光電子増倍管を

図 1〜図 1 2を用いて説明する。なお、図中の同一部分、部品については同一符号を付して重複する説明を省略する。図 1は、この発明に係る光電子増倍管（この発明に係る電子増倍管を含む）の概略構成を示す図である。図 1に示された光電子増倍管 1は、微弱光を電子（光電子）に変換して、その電子をカスケード増倍する。この光電子増倍管 1は、両端が開放された円筒状の金属製側管 2を備え、この側管 2の一方の開口端には、入射光を受け入れるガラス製の受光面板 3が固定され、他方の開口端には、複数のステムビン 4が配置させた円板状のステム 5が固定されている。そして、これら側管 2、受光面板 3、及びステム 5により真空容器 6が構成され、該真空容器 6の内部に電子増倍部 7が配置されている。

受光面板 3の、真空容器 6の内側に位置する面（受光面板 3の裏面）には、 G a A s半導体結晶からなる光電変換面（光電陰極） 8が設けられ、この光電変換面 8と電子増倍部 7との間には、収束電極 9が配置されている。したがって、光電変換面 8から放出された光電子は、収束電極 9の影響によりその軌道が収束され、電子増倍部 7の所定の領域に入射する。

電子増倍部 7は、平行に配列された電子増倍孔 1 0をもつ板状のダイノード 1 1が、セラミック等の絶縁材料からなるスぺーサ 1 1 0を介して、図中の線で示された方向に沿って多段に積層された構成になっている。なお、線 Lで示された方向は、当該光電子増倍管 1に入射される微弱光の入射方向、光電変換面 8から電子増倍部 7へ向かう光電子の進行方向（光電子の入射方向）、また、各ダイノード 1 1の積層方向を示す。積層されたダイノード 1 1の下方には、ダイノ一ド 1 1から出力された 2次電子を反射させる最終段ダイノード 1 2が配置され、最終段ダイノード 1 2とダイノード 1 1との間には、電子を受けるアノード 1 3 が配置されている。なお、ダイノード 1 1、最終段ダイノード 1 2及びアノード 1 3は、各ステムピン 4にそれぞれ接続固定されている。

図 2〜図 4に示されたように、正方形状のダイノード 1 1には、 2種類のダイノード 1 1 A、 1 1 Bが用意されており、ダイノード 1 1 Aを n ( 1 ) 段目のダイノードとした場合、ダイノード 1 1 Bは n + 1段目のダイノードとなる（図 2参照）。 n段目ダイノード 11Aは、図 4に示されたように平行に配列された複数本の電子増倍孔 1 OAを有し、全ての電子増倍孔 1 OAを包囲するように幅広の周辺部 12が設けられている。これに対して、 n+ 1段目ダイノード 11 B も、図 4に示されたように平行に配列された複数本の電子増倍孔 10Bを有し、電子増倍孔 10Bを包囲するように幅狭の周辺部部 13が設けられている。また、ダイノード 11 A、 11 Bにおいて、ダイノード 11 Aの側面 12 a (真空容器 6の内壁と向い合う面）は、ダイノード 11 Aの表面 12 c (電子入射面）及び 12b (電子出射面）に対して直角に形成されるとともに、ダイノード 11Bの側面 13 a (真空容器 6の内壁と向い合う面）も、ダイノード 11Bの表面 13 c (電子入射面）及び 13b (電子出射面）に対して直角に形成されている。そこで、 n段目ダイノード 11 Aの電子増倍孔 1 OAと n + 1段目ダイノード 11Bの電子増倍孔 10Bとを対向させるように、電子増倍部 7を組み立てると、 n段目ダイノード 11 Aの周辺部 12の側面 12 aが外側（真空容器 6の側管 2 側）に向けて迫り出し、 n+ 1段目ダイノード 11 Bの周辺部 13の側面 13 a が内側（真空容器 6の管軸 L側）に引き込むことになる。その結果、 n段目ダイノード 11 Aの周辺部 12と n+1段目ダイノード 11Bの周辺部 13とを比較した場合、 n段目ダイノード 11 Aの電子出射面 12 b上のエッジ 120と n + 1段目ダイノード 11 Bの電子入射面 13 c上のエッジ 130とが斜め方向で対向し、これら対向するエッジ 120、 130とを、積層方向 Lから見て該積層方向に垂直な方向にずらすことができる（図 3参照）。

このように、 n段目ダイノード 11 Aと同種のダイノード 11 Aと n+ 1段目ダイノード 11Bと同種のダイノード 11Bとを交互に積層させるだけで（図 2 及び図 3参照）、隣接するエッジ 120、 130間の距離を大きくすることができ、これらエッジ 120、 130間での電界放電の発生を効果的に抑制することができる。したがって、この発明によればダイノード 11の間隔を、従来の電子増倍部と同様に 0. 16〜0. 17mm程度の微小な空間として維持したまま、電界放電の更なる抑制を可能になる。

なお、各ダイノード 11A、 1 IBと各ステムピン 4との電気的接続を考慮して、ダイノード 11A、 11 Bにおける周辺部 12、 13の側面12&、 13 a に、真空容器 6の内壁（側管 2) に向かって突出する耳部（図示せず）が設けられている場合、すなわち、ダイノード 1 1A、 1 IBの外周において、側面 12 a、 13 aの一部が耳部によって途切れている場合、耳部の先端と、隣接するダイノ一ドの周辺部のェッジとの電界放電は無視することができる程度に小さい。この実施例において、 n段目ダイノード 1 1 Aは、 2枚のダイノード薄板 A、 Bを張り合わせて、これらダイノード薄板 A、 Bとを溶接することで一体化が図られている。同様に、 n+1段目ダイノード 11Bもダイノード薄板 C、 Dで一体化が図られている（図 2及び図 3参照）。

次に、この発明に係る電子増倍管及び光電増倍管に適用可能な電子増倍管の第 1応用例を、図 5〜図 8を用いて説明する。なお、後述するダイノード 21以外の構成は、前述された光電子増倍管 1と同様であり、以下重複する説明は省略する。

図 5〜図 8に示されたように、正方形状のダイノード 21には、 2種類のダイノード 21 A、 2 IBが用意されており、ダイノード 21 Aを n ( 1)段目のダイノードとした場合、ダイノード 21Bは n+1段目のダイノードとなる（図 5参照）。 n段目ダイノード 21 Aは、図 7及び図 8に示されたように平行に配列された複数本の電子増倍孔 2 OAを有し、全ての電子増倍孔 2 OAを包囲するように周辺部 22が設けられている。これに対して、 n+1段目ダイノード 21 Bは、図 7及び図 8に示されたように平行に配列された複数本の電子増倍孔 20 Bを有し、全ての電子増倍孔 20Bを包囲するように周辺部 23が設けられている。

また、図 5及び図 6に示されたように、ダイノード 21 A、 2 IBにおいて、ダイノード 21 Aの側面 22 a (真空容器 6の側壁と向い合う面）は、ダイノ一ド 2 2 Aの表面 2 2 c (電子入射面）に対して鋭角に形成されたテーパー面であり、ダイノード 2 1 Bの側面 2 2 b (真空容器 6の側壁と向い合う面）は、ダイノード 2 1 Bの表面 2 3 c (電子入射面）に対して鋭角に形成されたテーパー面である。

そこで、 n段目ダイノード 2 1 Aの電子増倍孔 2 O Aと n + 1段目ダイノード 2 1 Bの電子増倍孔 2 0 Bとを対向させるように、電子増倍部 7 Aを組み立てると、 n段目ダイノード 2 1 Aにおける側面 2 2 aの最外周ライン 2 2 dと、 n + 1段側ダイノード 2 1 Bにおける側面 2 3 aの最外周ライン 2 3 dとは、側管 2 の管軸 L (図 1参照）の伸びる方向に沿って一列に整列する。その結果、 n段目ダイノード 2 1 Aの周辺部 2 2と n + 1段目ダイノード 2 1 Bの周辺部 2 3とを比較した場合、真空容器 6の側壁に対して、 n段目ダイノード 2 1 Aの側面 2 2 aと n + 1段目ダイノード 2 1 Bの側面 2 3 aとが傾いた状態で向い合うこととなり、互いに対向しているェヅジ 2 2 0、 2 3 0とを、各ダイノード 2 1 A、 2 1 Bの積層方向から見て該積層方向に垂直な方向に沿って互いにずらすことが可能になる。この構成によっても各エッジ 2 2 0、 2 3 0の間隔は、各ダイノード 2 1 A、 2 1 Bの間隔を変えることなく大きくなるため、この部位での電界放電の発生を効果的に抑制することが可能になる。

このように、ダイノード 2 1 Aの側面 2 2 a及びダイノード 2 1 Bの側面 2 3 aを平行に、かつ管軸線 L方向に沿って整列させても、隣接するダイノード 2 1 A、 2 1 Bの直接対向するエッジ 2 2 0、 2 3 0の間隔を大きくとることができる。しかも、真空容器 6内でダイノード 2 1 Aの側面 2 2 a及びダイノード 2 1 Bの側面 2 3 aの位置を略全周で揃えることができる。なお、 n段目ダイノード 2 1 Aは、 2枚のダイノード薄板 A 1と B 1を張り合わせて、ダイノード薄板 A 1と B 1とを溶接することで一体ィ匕が図られている。同様に、 n + 1段目ダイノ —ド 2 1 Bもダイノード薄板 C 1と D 1で一体化が図られている（図 5及び図 6 さらに、この発明に係る電子増倍管及び光電子増倍管に適用可能な電子増倍部の第 2応用例を、図 9〜図 1 2を用いて説明する。なお、後述するダイノード 3 1以外の構成は、前述した光電子増倍管 1と同様であり、以下重複する説明は省略する。

図 9〜図 1 2に示されたように、正方形状のダイノード 3 1には、 2種類のダィノード 3 1 A、 3 I Bが用意されており、ダイノード 3 1 Aを n段目のダイノードとした場合、ダイノード 3 1 Bは n + 1段目のダイノードとなる（図 9参照）。 n段目ダイノード 3 1 Aは、図 1 1及び図 1 2に示されたように平行に配列された複数本の電子増倍孔 3 O Aを有し、全ての電子増倍孔 3 O Aを包囲するように周辺部部 3 2が設けられている。同様に、 n + 1段目ダイノード 3 1 Bは、図 1 1及び図 1 2に示されたように平行に配列された複数本の電子増倍孔 3 0 Bを有し、全ての電子増倍孔 3 0 Bを包囲するように周辺部 3 3が設けられている。また、図 9及び図 1 0に示されたように、 n段目ダイノード 3 1 Aは、第 1のダイノード薄板 A 2と第 2のダイノード薄板 B 2を張り合わせて、これらダイノ —ド薄板 A 2、 B 2とを溶接することで一体化が図られている。この場合、第 1 のダイノ一ド薄板 A 2の側面 3 2 a Aと第 2のダイノード薄板 B 2の側面 3 2 a Bとは、同一面上に配置させることなく、具体的には、第 1のダイノード薄板 A 2の側面 3 2 a Aと第 2のダイノード薄板 B 2の側面 3 2 a Bとを、積層方向から見て該積層方向に垂直な方向に互いにずらされている。この構成により、第 1 のダイノ一ド薄板 A 2の側面 3 2 a Aは外側（真空容器 6の側管 2 ) に向けて迫り出し、第 2のダイノード薄板 B 2の側面 3 2 a Bは内側（真空容器 6の管軸 L ) に引込む。同様に、 n + 1段目ダイノード 3 1 Bもダイノード薄板 C 2と D 2で一体化が図られ、第 1のダイノード薄板 C 2の側面 3 3 a Cは外側に向けて迫り出し、第 2のダイノード薄板 D 2の側面 3 3 a Dは内側に引込む。

そこで、 n段側目イノ一ド 3 1 Aの電子増倍孔 3 O Aと n + 1段目ダイノード 3 1 Bの電子増倍孔 3 0 Bとを対向させるように、電子増倍部 7 Bを組み立てると、 n段目ダイノード 3 1 Aの側面 3 2 aと、 n + 1段目ダイノード 3 1 Bの側面 3 3 aとは、側管 2の管軸 L (図 1参照）の伸びる方向に沿って一列に整列する。その結果、 n段目ダイノード 3 1 A周辺部 3 2と n + 1段目ダイノード 3 1 Bの周辺部 3 3とを比較した場合、 n段目ダイノード 3 1 Aのエッジ 3 2 bと縁 n + 1段目ダイノード 3 1 Bのエッジ 3 3 bとが斜め方向で対向し、これら対向するエッジ部 3 2 bと 3 3 bとを、積層方向から見て該積層方向に垂直な方向に沿って互いにずらすことが可能になる。

このように、ダイノード 3 1 Aの側面 3 2 a及びダイノード 3 1 Bの側面 3 3 aを互いに管軸 L方向に沿って整列させても、隣接するエッジ 3 2 b、 3 3 bの間隔を大きくとることができ、これら隣接するエッジ 3 2 b、 3 3 b間での電界放電を効果的に抑制することができる。しかも、真空容器 6内でダイノード 3 1 Aの側面 3 2 a及びダイノード 3 1 Bの側面 3 3 aの位置を略全周で揃えることができる。

なお、この発明は、前述した種々の実施例にに限定されるものではない。例えば、前述したダイノードは、メッシュ型のダイノードであってもよい。また、光電変換面（光電陰極） 8は G a A s半導体結晶である必要はないが、この G a A sタイプの光電変換面 8は、有効面積が小さく、ダイノードの縁部を幅広く形成することができ、縁部の側面に工夫を施し易い。さらに、前述の実施例では、光電変換面をもった光電子増倍管として説明したが、光電変換面をもたない電子増倍管であってもよい。産業上の利用可能性

この発明に係る電子管及び光電子増倍管は、以上のように構成されているため、次のような効果を奏する。すなわち、複数のダイノードのうちで隣接するダイノ —ドのエッジを、該ダイノードの積層方向からみて該積層方向に垂直な方向に隣接するダイノードのエッジ間で発生する電界放電を防止し、係る電界放電に起因するノィズの発生を効果的に抑制できるという効果がある。

Claims

言青求の範囲

1 . 入射電子をカスケード増倍するための電子増倍管であって、

真空容器と、

前記真空容器内に収納され、絶縁材料のスぺ一サを介して前記入射電子の入射方向に沿って積層された複数段のダイノードを有する電子増倍部と、

前記真空容器内に収納され、前記電子増倍部によって増倍された 2次電子を捕獲するためのアノードと、

前記複数段のダイノードのうち、前記スぺ一サを介して互いに隣接している第 1及び第 2のダイノードについて、該第 1ダイノードの該第 2ダイノードと向い合う電子出射面のェッジの位置と、該第 2ダイノ一ドの該第 1ダイノードと向い合う電子入射面のェッジの位置とを、前記複数段のダイノ一ドの積層方向から見て該積層方向に垂直な方向に沿ってそれぞれずらした放電抑制構造と、を備えた電子増倍管。

2 . 前記放電抑制構造は、前記第 1及び第 2ダイノードについて、該第 1ダィノードの、前記真空容器の内壁と向い合う側面と該真空容器の内壁との距離を、該第 2ダイノードの、前記真空容器の内壁と向い合う側面と該真空容器の内壁との距離よりも長く、あるいは短くした構造を含むことを特徴とする請求項 1記載の電子増倍管。

3 . 前記放電抑制構造は、前記複数段のダイノードおのおのについて、前記電子入射面の面積を、該電子入射面と対向する前記電子出射面よりも大きく、あるいは小さくした構造を含むことを特徴とする請求項 1記載の電子増倍管。

4 . 前記放電抑制構造は、前記複数段のダイノードおのおのについて、前記積層方向に沿ってその断面積が変化するよう、前記真空容器の内壁と向い合う側面を該真空容器の側壁に対して所定角度だけ傾けた構造を含むことを特徴とする請求項 3記載の電子増倍管。

5 . 前記複数段のダイノードおのおのは、第 1ダイノード ·プレートと該第 1のダイノード ·プレートと直接接触された第 2ダイノード ·プレートとを備え、前記放電抑制構造は、前記複数段のダイノードおのおのの、前記真空容器の内壁に向い合う側面に、前記真空容器の内壁から該内壁と向い合う前記第 1ダイノード ·プレートの側面までの距離と、前記真空容器の側壁から該側壁と向い合う前記第 2ダイノード ·プレートの側面との距離を変えることにより段差を設けた構造を含むことを特徴とする請求項 3記載の電子増倍管。

6 . 入射電子をカスケ一ド増倍するための電子増倍管であって、

真空容器と、

前記真空容器内に収納され、前記入射電子を受けて光電子を出力する光電陰極と、

前記真空容器内に収納され、絶縁材料のスぺーサを介して前記光電陰極からの光電子の入射方向に沿って積層された複数段のダイノードを有する電子増倍部と、前記真空容器内に収納された状態で前記電子増倍部に対して前記光電陰極の反対側に設けられた、前記電子増倍部によって増倍された 2次電子を捕獲するためのアノードと、

前記複数段のダイノードのうち、前記スぺ一サを介して互いに隣接している第 1及び第 2のダイノードについて、該第 1ダイノ一ドの該第 2ダイノードと向い合う電子出射面のエツジの位置と、該第 2ダイノードの該第 1ダイノードと向い合う電子入射面のエッジの位置とを、前記複数段のダイノードの積層方向から見て該積層方向に垂直な方向に沿ってそれぞれずらした放電抑制構造と、を備えた光電子増倍管。

7 . 前記放電抑制構造は、前記第 1及び第 2ダイノードについて、該第 1ダィノードの、前記真空容器の内壁と向い合う側面と該真空容器の内壁との距離を、該第 2ダイノードの、前記真空容器の内壁と向い合う側面と該真空容器の内壁との距離よりも長く、あるいは短くした構造を含むことを特徴とする請求項 6記載の光電子増倍管。

8 . 前記放電抑制構造は、前記複数段のダイノードおのおのについて、前記電子入射面の面積を、該電子入射面と対向する前記電子出射面よりも大きく、あるいは小さくした構造を含むことを特徴とする請求項 6記載の光電子増倍管。

9 . 前記放電抑制構造は、前記複数段のダイノードおのおのについて、前記積層方向に沿ってその断面積が変化するよう、前記真空容器の内壁と向い合う側面を該真空容器の側壁に対して所定角度だけ傾けた構造を含むことを特徴とする請求項 8記載の光電子増倍管。

1 0 . 前記複数段のダイノードおのおのは、第 1ダイノード ·プレートと該第 1のダイノード ·プレートと直接接触された第 2ダイノード ·プレートとを備え、

前記放電抑制構造は、前記複数段のダイノードおのおのの、前記真空容器の内壁に向い合う側面に、前記真空容器の内壁から該内壁と向い合う前記第 1ダイノード ·プレートの側面までの距離と、前記真空容器の側壁から該側壁と向い合う前記第 2ダイノード ·プレートの側面との距離を変えることにより段差を設けた構造を含むことを特徴とする請求項 8記載の光電子増倍管。