WO1993010588A1

WO1993010588A1 - Verpolschutzanordnung für leistungsendstufen-transistoren

Info

Publication number: WO1993010588A1
Application number: PCT/DE1992/000929
Authority: WO
Inventors: Bernhard Mattes; Siegfried Malicki
Original assignee: Robert Bosch Gmbh
Priority date: 1991-11-14
Filing date: 1992-11-09
Publication date: 1993-05-27
Also published as: DE4137452A1

Abstract

Es wird eine Verpolschutzanordnung für Leistungs-Endstufen-Transistoren mit einem in Reihe zum Endstufen-Transistor (10) invers gepolten Verpolschutz-FET (12) als Verpolschutzelement vorgeschlagen. Der Gate-Anschluß des Verpolschutz-FET (12) ist mit einer von der Versorgungsspannung abgeleiteten, diesen Verpolschutz-FET (12) bei korrekt gepolter Versorgungsspannung aufsteuernden Steuerspannung beaufschlagt. Durch Verwendung zweier Leistungstransistoren (10, 12) kann daher eine verpolgeschützte Endstufe gebildet werden, wobei der als Verpolschutzelement eingesetzte Verpolschutz-FET (12) nur geringe Spannungsverluste bei kleinem Einschaltwiderstand erzeugt.

Description

Verpolschutzanordnung für Leistungsendstufen-Transiεtoren

STAND DER TECHNIK

Die Erfindung betrifft eine Verpol Schutzanordnung für Leistungsendstufen-Transistoren mit einem in Reihe zum Endstufen-Transistor geschalteten Verpolschutzelement, das bei verpolter Versorgungsspannung sperrt.

Bei der Herstellung von Le i stungs-FET entsteht prozeßbedingt parallel zum Drai n-Source-Kanal eine Diode, die im Normal¬ betrieb gesperrt ist. Bei Verpolung der Versorgungsspannung wird ^'sie jedoch leitend und überbrückt in störender Weise den Drai n-Source- Kanal . Hierdurch wird ein im Lastkreis befindlicher Verbraucher in unerwünschter Weise angesteuert. Bei Endstufen-Transistoren bzw. Verbrauchern, die nicht für den Dauerbetrieb ausgelegt sind, kann dies neben Fehl¬ funktionen zu einer Zerstörung dieser Bauelemente führen. Auch bei bipolaren oder Darlington-Transistoren als Leistungs transistoren liegt eine solche im Normal betr ieb gesperrte und bei Verpolung leitende Diode vor, so daß entsprechende Wirkungen eintreten können.

Um einen Verpolschutz sicherzustellen, ist es bekannt, in Reihe zu einem Le i stungs-FET eine Diode zu schalten, die bei einer Verpolung der Versorgungsspannung sperrt. Im Normal bet ieb bringt jedoch diese Diode einen Spannungs¬ abfall mit sich, um den sich die für den Verbraucher zur Verfügung stehende Spannung vermindert, was vor allem bei

EHSATZBLATT niedrigeren Versorgungsspannungen, wie zum Beispiel der Spannungsversorgung in einem Kraftfahrzeug, von wesentlichem Nachteil sein kann.

Aus der DE-OS 39 30 896 ist die Verwendung eines FET als Verpolschutzelement in allgemeiner Form bekannt, nicht dagegen die Anwendung für Endstufen.

VORTEILE DER ERFINDUNG

Die erfindungsgemäße Verpol Schutzanordnung mit den kenn¬ zeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat den Vorteil , daß bei sicherem Verpol schütz in der Leistungs-Endstufe nur geringe Spannungsverluste bei nichtverpoltem Betrieb auftreten. Dabei kann ein sehr kleiner Einschaltwiderstand erreicht werden. Für vollständig integrierte Endstufen ist diese Verpolschutzanordnung in besonderer Weise geeig¬ net.

Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der im Hauptanspruch angegebenen Verpolschutzanordnung möglich.

Ist der Endstufen-Transistor als FET ausgebildet, so können er und der Verpolschutz-FET in vorteil after Weise identisch ausgebildet sein, um die Herstellung der Endstufe insgesamt zu vereinfachen. Auch bei der vollständigen Integration ist dies von Vorteil.

Bei einer Schaltungsausführung mit einem FET als Endstufen- Transistor sind zweckmäßigerweise die Source-Anschlüsse der beiden FETs miteinander verbunden, während bei einer Schaltungsausführung mit einem bipolaren oder Darl ngton- Transistor der Emitter dieses Transistors mit dem Source- Anschluß des Verpolschutz-FET verbunden ist. Dabei ist insbesondere der Drain-Anschluß des Verpolschutz-FET mit Masse und der Kollektor- oder Drai n- Anschl uß des Endstufen- Transistors über einen durch diesen gesteuerten Verbraucher mit dem positiven Pol der Versorgungsspannung verbunden.

Zum Schutz gegen Überspannungen ist eine mit wenigstens einem Teil der Versorgungsspannung beaufschlagte Spannungs- begrenzungsvorr i chtung mit wenigstens einem Gate-Anschluß des Verpolschutz-FET zur Begrenzung der Gate-Spannung auf einen unterhalb des kritischen Werts liegenden Wert ver¬ bunden. Hierdurch wird nicht nur ein Schutz des FET erreicht, sondern dieser wird auch bei unverpolter Versorgungsspannung sicher im stromleitenden Zustand gehalten. Als derartige Spannungsbegrenzungs vorr i chtung eignet sich insbesondere e ine Z-Diode .

Um bei einer Schal tungs ausführung bei zwei FETs mit einer einzigen, insbesondere als Z-Diode ausgebildeten Spannungs- begrenzungsvorri chtung beide FETs zu schützen, wird die Spannungsbegrenzungsvorrichtung über Entkopplungsdioden mit den Gate-Anschlüssen aller FETs verbunden.

Um den Verpolschutz-FET bei unverpolter Ve sorgungsspannung aufzusteuern und im verpolten Zustand zu sperren, ist der positive Pol der Versorgungsspannung zweckmäßigerweise über wenigstens einen Widerstand mit dem Gate-Ansch 1 uß dieses Verpolschutz-FET verbunden (inverser Betrieb ist be i FETs mögl ich).

Derartige Leistungsendstufen können in Spannungsnetzen eingesetzt sein, bei denen unterschiedlich geschaltete Versorgungsspannungen vorl iegen, beispielsweise im Kraft¬ fahrzeug, wo Leistungsendstufen von einer ersten Versorgungs¬ spannung versorgt werden (ständig anl iegende Batteriespan¬ nung), während ein Steuers i gnal te i 1 für die Leistungsend- stufe von einer anderen zweiten Versorgungsspannung (die über ein Zündschloß geschaltete Batteriespannung) versorgt wird. Um bei diesen Verhältnissen einen sicheren Verpol- schutz zu erreichen, ist vortei lhafterwe ise der Gate-Anschluß des Verpolschutz-FET mit von beiden Versorgungsspannungen abgeleiteten, jeweils diesen Verpolschutz-FET bei korrekt gepolten Versorgungss-pannungen und bei sperrendem Endstufen- Transistor aufsteuernden Steuerspannungen beaufschlagt. Hierdurch ist auch beispielsweise der Verpolschutz noch gewährleistet, wenn be abgeschalteter zweiter Versorgungs¬ spannung die erste Versorgungsspannung verpolt ist, also beispielsweise die Batterie falsch angeschlossen ist. Durch diese Anordnung kann der Anschluß für die aus der ersten Versorgungsspannung gewonnene Steuerspannung zwischen dem E-ndstufen-Trans istor und dem von diesem gesteuerten Ver¬ braucher angeordnet sein, muß also beispielsweise nicht an der sogenannten "Klemme 30" in einem Kraftfahrzeug ange¬ schlossen sein.

Eine weitere vorteilhafte Schaltungsanordnung besteht darin, daß die zweite Versorgungsspannung über eine Diode an einer Widerstandsanordnung anliegt, über -die die erste Versorgungs¬ spannung an den Gate-Anschluß des Verpolschutz-FET gelegt ist.

ZEICHNUNG

Vier Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeich¬ nung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Schaltungsanordnung eines ersten Ausführungs¬ beispiels mit einem FET-Leitungstransistor und mit einer Versorgungsspannung, Fig. 2 eine Schaltungsanordnung eines zweiten Ausführungs beispiels mit einem FET-Le i stungstrans i stör und mit zwei Versorgungsspannungen,

Fig. 3 eine Schaltungsanordnung eines dritten Ausf^'üh- rungsbe i spi el s mit einem bipolaren Leistungs¬ trans i stör- und mit einer Versorgungsspannung und

Fig eine Schaltungsanordnung eines vierten Ausführungs' beispiels mit einem Darl ington-Leistungstransistor und mit zwei Versorgung Spannungen .

BESCHREIBUNG DER AUSFUHRUNGSBEISPIELE

Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Drai n-Source-Kanal eines Leistungsendstufen-Fe deffekt- Transistoros 10 - im folgenden Endstufe n-FET genannt - in Reihe zu einem Verbraucher 11 und dem Dr a i n-Source -Kanal eines zweiten als Verpolschutzelement dienenden Verpolschutz FET 12 geschaltet. Dabei sind die beiden Source -Anschl üsse (S) miteinander verbunden, während der Drai n-Ansch 1 uß (D) des Endstufen-FET 10 mit dem Verbraucher 11 und der Drain- Anschluß des zweiten FET 12 mit Masse verbunden ist. Der Verbraucher ist mit seinem zweiten Anschluß mit dem positi¬ ven Pol 13 einer Versorgungsspannungsquel 1 e (Üb) verbunden.

Der positive Pol 13 ist weiterhin über einen Widerstand 14 mit dem Gate-Anschluß (G) des zweiten FET 12 und über einen Widerstand 15 mit dem Gate-Anschluß (G) des Endstufen FET 10 verbunden. Eine Z-Diode 16 l iegt mit ihrer Anode an Masse, während ihre Kathode über eine erste Diode 17 mit dem Gate-Anschluß des zweiten FET 12 und über eine zweite Diode 18 mit dem Gate-Anschluß des Endstufen-FET 10 verbunden ist. Die Dioden 17,18 sind dabei gegensinnig zur Z-Diode 16 geschaltet. Schließlich ist ein Steueranschluß 19 für den Endstufen-FET 10 über einen Widerstand 20 mit dem Gate-Anschluß dieses Endstufen-FET 10 verbunden.

Die Wirkungsweise des in Fig. 1 dargestellten Ausführungs¬ beispiels besteht darin, daß der als Verpolschutz dienende FET 12 iπvers zum Endstufen-FET 10 betrieben wird. Die prozeßbedingt parallel zum Drain-Source-Kanal derartiger FETs entstehende Diode (Inversdiode) ist jeweils symbolisch dargestellt. Im nichtverpolten, korrekten Betrieb ist der zweite FET 12 ständig leitend, da sein Gate-Anschluß über einen Widerstand 14 mit einem entsprechenden positiven Potential beaufschlagt wird. Dieses wird durch die Z-Diode 16 auf einen für den FET 12 ungefährlichen Wert unter 10 Volt begrenzt, beispielsweise auf 9,1 Volt. Eine entsprechen¬ de Spannungsbegrenzung erfolgt auch durch dieselbe Z-Diode und die Diode 18 für den Endstufen-FET 10. Dieser kann durch entsprechende Steuersignalfolgen am Steueranschluß 19 über die Widerstände 15,20 angesteuert werden. An der Drain-Source-Strecke des zweiten FET 12 entstehen dabei geringe Spannungsverluste bei kleinem Einschaltwiderstand.

Bei verpoltem Betrieb, also bei vertauschten Anschlüssen von Masse und positivem Pol der Versorgungsspannung Üb, liegt der Gate-Anschluß des zweiten FET 12 an Masse, also an 0 Volt. Auch der Source-Anschl uß dieses zweiten FET 12 liegt über die Reihenschaltung der Invers-Diode des End¬ stufen-FET 10 und dem Verbraucher 11 an 0 Volt. Somit ist der zweite FET 12 gesperrt, und die Kathode der Invers- Diode des zweiten FET 12 liegt jetzt an +Ub, wodurch sie gesperrt ist. Hierdurch ist eine sichere Verpolfestigkeit der Endstufe gewährleistet.

Das in Fig. 2 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel ent¬ spricht weitgehend dem ersten Ausführungsbeispiel, so daß - 7 -

gleiche oder gleichwirkende Bauteile mit denselben Bezugs¬ zeichen versehen und nicht nochmals beschrieben sind.

Im Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel ist der Wider¬ stand 14 nicht mi dem positiven Pol 13, sondern über einen weiteren Widerstand 21 mit dem D ain-Anschluß des Endstufen-FET 10 verbunden. Die Spannungs ersorgung des Widerstands 15 erfolgt nicht über den positiven Pol 13, sondern über ein ^'Spannungsversorgungsteil 22. Dieses wird versorgungsseiti g über eine Klemme 23 gespeist, die an eine weitere Versorgungsspannung Üb' angeschlossen ist. In einem Kraftfahrzeug entspricht der positive Pol 13 bei¬ spielsweise der sogenannten "Klemme 30", die ständig mit dem positiven Pol der Kraftfahrzeugbatte ie verbunden ist. Demgegenüber entspricht die Klemme 23 der sogenannten "Klemme 25" im Kraftfahrzeug, die in Abhängigkeit der Schaltstel¬ lung eines hier nicht dargestellten Zündschalters entweder mit der Klemme 30 verbunden oder von dieser getrennt ist.

Die Klemme 23 ist über die Reihenschaltung einer Diode 24 mit einem Widerstand 25 mit dem Widerstand 15 verbunden, wobei der Verknüpfungspunkt zwischen den Widerständen 25,15 über eine Z-Diode 26 zur Spannungsstabilisierung an Masse liegt. Weiterhin ist die Klemme 23 über eine Diode 27 mit dem Verknüpfungspunkt zwischen den Widerständen 14,21 ver¬ bunden. Die Dioden 24,27 dienen dabei zur Spannungsent¬ koppel ung.

In diesem Ausführungsbeispiel wird der Verbraucher 11 von der Versorgungsspannung Üb und die Gate-Ansteuerung des Endstufen-FET 10 von einer anderen Versorgungsspannung versorgt, nämlich von der Versorgungsspannung Üb' . Beide Versorgungsspannungen steuern jedoch über den Widerstand 14 den zweiten FET 12, nämlich die Versorgungsspannung Üb über den Widerstand 21 sowie die Last 11 und die Ver- sorgungsspannung Üb¹ über die Diode 27. Bei eingeschalteter Versorgungsspannung Üb¹, also im Falle einer eingeschalteten Zündung bei der Verwendung in einem Kraftfahrzeug, wird der zweite FET 12 über die Diode 27 und den Widerstand 14 stromleitend. Bei abgeschalteter Versorgungsspannung Üb', also zum Beispiel bei ausgeschalteter Zündung im Kraft¬ fahrzeug, wird der zwe'ite FET 12 dagegen über den Verbraucher 11 und die Widerstände 21,14 stromleitend. Zur Versorgung der Schaltung bzw. des zweiten FET 12 ist daher lediglich eine Verbindung zur Klemme 23 erforderl ch, nicht mehr dagegen zum positiven Pol 13, da hier die Verbindung mit dem Verbraucher 11 ausreicht. Die Endstufe ist in jedem Fall verpolgesichert, beispielsweise auch bei abgeschalteter Versorgungsspannung Üb¹ und verpolter Versorgungsspannung Üb.

Das in Fig. 3 dargestellte dritte Ausführungsbeispiel ent¬ spricht im großen und ^'ganzen dem in Fig. 1 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel, wobei als wesentlicher Unter¬ schied nunmehr anstelle des Endstufen-FET 10 ein bipolarer, als npn ausgebildeter Transistor 30 als Leistungsendstufen- Transistor vorgesehen ist, dessen Emitter mit dem Source- Anschluß (S) des Verpolschutz-FET 12 verbunden ist. Die Z-Diode 16 ist nunmehr in Reihe mit einer Diode 35 zwischen den Gate-Anschluß (G) und den Source-Anschluß (S) des Ver¬ polschutz-FET 12 geschaltet, um wie beim ersten Ausführungs¬ beispiel das Gate-Potential auf einen ungefährlichen Wert zu begrenzen, wenn der Verpolschutz-FET 12 leitet. Da dies beim bipolaren Transistor 30 nicht unbedingt erforderlich ist, entfallen die Dioden 17 und 18. Dabei ersetzt die Diode 35 die Diode 17 und ermöglicht das Aufsteuern des invers betriebenen Verpolschutz-FETs 12, ohne daß die Z- Diode 16 die Source-Gate-Spannung in diesem Falle begrenzen kann. Die Wirkungweise entspricht im wesentl ichen der des ersten Ausführungsbeispiels, so daß auf diese verwiesen wird. Anstelle der prozeßbedingt parallel zum Dr ai n-Source-Kanal des Endstufen-FET 10 in Fig. 1 entstehenden Diode (Invers- Diode) tritt hier die durch die Basis-Emitter-Strecke gebil¬ dete Diode, die bei Verpolung in Sperrichtung betrieben wird und durchbrechen ^"könnte.

Das in Fig. 4 dargestellte vierte Ausführungsbeispiel ent- ^•spricht weitgehend dem in Fig. 2 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel , wobei wiederum gleiche oder gleich¬ wirkende Bauteile und Baugruppen mit denselben Bezugszeichen versehen und nicht nochmals beschrieben sind. Bei diesem Ausführungsbeispiel tritt anstelle des Le i stungs-FET 10 ein npn-Darl ington-Tr ans i stör 31. Auch hier ist - wie beim dritten Ausführungsbeispiel - die Z-Diode 16 in Reihe mit der Z-Diode 35 zur Spannungsbegrenzung zwischen den Gate- Anschluß (G) und den Source- Anschluß (S) des Verpolschutz- FET 12 geschaltet, wobei auch hier die beiden Dioden 17 und 18 entsprechend entfallen. Zusätzl ich ist zwischen dem Steueranschluß 19 und dem Widerstand 20 eine Entkopp¬ lungsdiode 32 und zwischen diesen Widerstand 20 und die Basis des Darlington-Transistors 31 eine weitere Diode 33 geschaltet. Ein Ableitwiderstand 34 ist zusätzl ich zwi¬ schen Basis und Emitter des Darl ington-Transistors 31 ge¬ schal tet .

Auch hier entspricht die Wirkungsweise derjenigen des in Fig. 2 dargestell en zweiten Ausführungsbeispiels, so daß hierauf verwiesen werden kann. Die Diode 33 gewährleistet ein sichereres Sperren des Da lington-Transistors 31 bzw. unterstützt die Sperrbedingungen. Da sie im Verpolfall leitet, wird die Entkopplungsdiode 32 in der beschriebe¬ nen Weise geschaltet, da sonst ein zu großer Stromfluß durch den im Vergleich zum Widerstand 15 sehr kleinen Wider- stand 20 fließen würde

Selbstverständlich kann beim in Fig. 3 dargestellten dritten Ausführungsbeispiel auch ein Darl ngton-Transistor vorge¬ sehen sein, während andererseits im in Fig. 4 dargestellten vierten Ausführungsbeispiel ein bipolarer Transistor gemäß Fig. 3 geschaltet sein kann.

Claims

Ansprüche

1. Verpolschutzanordnung für Leistungsendstufen-Transisto¬ ren mit einem in Reihe zum Endstufen-Transistor geschalteten Verpolschutzelement, das bei verpolter Versorgungsspannung sperrt, dadurch gekennzeichnet, daß das Verpolschu z¬ element als zum Endstufen-Transistor (10; 30; 31) invers gepolter Verpolschutz-FET (12) ausgebildet ist, dessen Gate-Anschluß mit einer von der Versorgungsspannung abge¬ leiteten, den FET (12) bei korrekt gepolter Versorgungs¬ spannung aufs teuernde n Steuerspannung beaufschlagt ist.

2. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß der Endstufen-Transistor (30; 31) als bi¬ polarer oder Darl ington-Transistor ausgebildet ist.

3. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß der Emitter des Endstufen-T ansisto s (30; 31) mit dem Source- Ansch luß (S) des Verpolschutz-FET (12) verbunden i st.

4. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß der Endstufen-Transistor (10) als FET ausge- bi 1 det i st.

5. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß die beiden FETs (10,12) im wesentl ichen identisc sind.

6. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Source-Anschlüsse (S) der beiden FETs (10,12) miteinander verbunden sind.

7. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 3 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Drain-Anschluß (D) des Verpolschutz- FET (12) mit Masse und der Kollektor- oder Drain-Anschluß (D) des Endstufen-Trans stors (10; 30; 31) über einen durch diesen gesteuerten Verbraucher (11) mit dem positiven Pol (13) der Versorgungsspannung verbunden ist.

8. Verpolschutzanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine mit wenigstens einem Teil der Versorgungsspannung beaufschlagte Spannungs- begrenzungsvorrichtung (16) mit wenigstens dem Gate-Anschluß (G) des Verpolschutz-FET (12) zur Begrenzung der Gate- Spannung auf den unterhalb des kritischen Werts liegenden Wert verbunden ist.

9. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 8, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß die Spannungsbegrenzungsvorr ichtung (16) als Z-Diode ausgebildet ist.

10. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Spannungsbegrenzungsvorrichtung (16) über Entkopplungsdioden (17,18,35) mit den Gate-An¬ schlüssen (G) aller FETs (10,12) verbunden ist.

11. Verpolschutzanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der positive Pol (13) der Versorgungsspannung über wenigstens einen Wider¬ stand (14,21) mit dem Gate-Anschluß (G) des Verpolschutz- FET (12) verbunden ist.

12. Verpolschutzanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10 f ür eine Leistungsendstufe, die von einer ersten Ver¬ sorgungsspannung (Üb) versorgt wird, während ein Steuer¬ signalteil für die Leistungsendstufe von einer anderen, zweiten Versorgungsspannung (Üb¹ ) versorgt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Gate-Anschluß (G) des Verpolschutz- FET (12) mit von beiden Versorgungsspannungen (Üb, Üb' ) abgeleiteten, jewe i 1 s 'diesen FET (12) bei korrekt gepolter Versorgungsspannung und bei sperrendem Endstufen-Transistor (10,31) aufsteuernden Steuerspannungen beaufschlagt wird.

13. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß der Anschluß für die aus der ersten Versorgungs Spannung (Üb) gewonnenen Steuerspannung für den Verpol¬ schutz-FET (12) der Kollektor- oder Dr a i n-Anschl uß (D) des Endstufen-Transi stören (10; 31) ist.

14. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Versorgungsspannung (Üb¹ ) über eine Diode (27) an einer iderstandsanordnung (14,21) l iegt, über die die erste Versorgungsspannung (Üb) an den Gate-Anschluß des Verpolschutz-FET (12) gelegt ist.

15. Verpolschutzanordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 14 f ür die Anordnung in einem Kraftfahrzeug, dadurch gekenn¬ zeichnet, daß die erste Versorgungsspannung (Üb) die ständig anliegende Batteriespannung und die zweite Versorgungs¬ spannung (Üb¹ ) die über ein Zündschloß geschaltete Batterie¬ spannung ist.