JP2012160720A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (6)

1. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜の下方にある、第１の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜の上方にある、第２の絶縁膜と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素の放出量が１．０×１０ ^１８ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上であり、
   前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の全体と重なり、
   前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の端部と重なることを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜の下方にある、第１の絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜の上方にある、第２の絶縁膜と、を有し、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜はそれぞれ、昇温脱離ガス分光法分析にて、酸素の放出量が１．０×１０ ^１８ ａｔｏｍｓ／ｃｍ ^３ 以上であり、
   前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の全体と重なり、
   前記第２の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜の端部と重なることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１の絶縁膜は、酸素が過剰な酸化絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、又は酸化イットリウムを有することを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ソース電極と、
   前記酸化物半導体膜と電気的に接続された、ドレイン電極とを有し、
   前記ソース電極は、前記酸化物半導体膜の端部と接せず、
   前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜の端部と接しないことを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
   前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
   前記結晶は、前記酸化物半導体膜の表面に垂直な方向と沿うように配向したｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。