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WO2019003775A1 - 回路基板およびこれを備える発光装置 - Google Patents

回路基板およびこれを備える発光装置 Download PDF

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WO2019003775A1
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circuit board
filler
silicone resin
resin layer
layer
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English (en)
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Inventor
阿部　裕一
Original Assignee
京セラ株式会社
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Publication date
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Definitions

  • the present disclosure relates to a circuit board and a light emitting device including the circuit board.
  • An LED (light emitting diode) attracts attention as a light emitting element with low power consumption.
  • a circuit board provided with an insulating substrate and a conductive layer which becomes a circuit (wiring) located on the substrate is used.
  • the circuit board of the present disclosure is a substrate, a conductor layer located on the substrate, a reflective layer located on the conductor layer, a substrate located on the substrate, and positioned in contact with the conductor layer and the reflective layer. And a silicone resin layer.
  • the silicone resin layer contains 45% by mass or more of a plurality of fillers.
  • the first filler having an aspect ratio of 5 or more accounts for 5% or more of the total number 100% of the fillers.
  • a light emitting device of the present disclosure includes the circuit board and a light emitting element positioned on the circuit board.
  • the circuit board 10 of the present disclosure is located on the substrate 1, the conductor layer 2 located on the substrate 1, the reflective layer 3 located on the conductor layer 2, and the substrate 1.
  • a silicone resin layer 4 is provided in contact with the conductor layer 2 and the reflective layer 3.
  • the silicone resin layer 4 of the circuit board 10 of this indication contains 45 mass% or more of a some filler. Furthermore, the first filler having an aspect ratio of 5 or more accounts for 5% or more of 100% of the total number of the fillers.
  • the silicone resin is resistant to ultraviolet light and can maintain high reflectance over a long period of time, as compared with other resins (for example, epoxy resin) exhibiting a white color tone. Then, in the silicone resin, the silicone resin layer 4 in which the first fillers having a large aspect ratio are intertwined has high hardness. And, even if the silicone resin layer 4 and the reflective layer 3 are polished to adjust the heights of the silicone resin layer 4 and the reflective layer 3 by being such a silicone resin layer 4 with high hardness, , Damage to the silicone resin layer 4 can be suppressed. Therefore, the circuit board 10 of the present disclosure has high reflectance.
  • the filler contained in the silicone resin layer 4 is made of silicon dioxide, potassium titanate, aluminum oxide, silicon dioxide, barium oxide, barium sulfate, zinc oxide, titanium dioxide, barium titanate or zirconium oxide.
  • the first filler may be made of silicon dioxide or potassium titanate.
  • the aspect ratio is a value obtained by dividing the major axis of the filler by the minor axis.
  • the major axis of the filler is the maximum length of the cross section of the filler.
  • the minor diameter of the filler is the length of a straight line perpendicular to the major axis at the center of the major axis.
  • the average value of the major axis of the first filler may be 5 ⁇ m or more and 15 ⁇ m or less.
  • the average value of the minor diameter of the first filler may be 0.5 ⁇ m or more and 2.5 ⁇ m or less.
  • the silicone resin layer 4 in the circuit board 10 of this indication may contain a filler 80 mass% or less. If such a configuration is satisfied, the unevenness due to the filler is reduced on the surface of the silicone resin layer 4, and the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved.
  • 40% or less of the total number of fillers may be sufficient as the 1st filler in the circuit board 10 of this indication. If such a configuration is satisfied, the unevenness due to the first filler having a large aspect ratio on the surface of the silicone resin layer 4 is reduced, so the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved.
  • the second filler made of titanium dioxide may occupy 40% or more and 55% or less of the total number 100% of the fillers. If such a configuration is satisfied, the reflectance of the silicone resin layer 4 is increased by the second filler made of titanium dioxide having high reflectance to visible light. Thus, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved.
  • the average value of the circle equivalent diameters of the second fillers may be 0.5 ⁇ m or more and 3 ⁇ m or less.
  • the equivalent circle diameter means the diameter of a circle when it is replaced with a circle equal to the cross-sectional area of the second filler. If such a configuration is satisfied, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved by the second fillers effectively reflecting visible light.
  • the third filler made of barium titanate may occupy 5% or more and 10% or less of the total number 100% of the fillers. If such a configuration is satisfied, the reflectance of the silicone resin layer 4 becomes high due to the third filler made of barium titanate having high reflectance to visible light. Thus, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved.
  • the average value of the circle equivalent diameters of the third fillers may be 0.3 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less. If such a configuration is satisfied, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved because each third filler effectively reflects visible light.
  • the content of the filler in the silicone resin layer 4 may be calculated by the following method. First, the silicone resin layer 4 is cut and polished with a cross section polisher (CP) to obtain a polished surface. Then, the content of the component which comprises the silicone resin layer 4 is measured using the polished surface as an observation surface, using the energy dispersive X ray analyzer (EDS) of a scanning electron microscope (SEM) attachment. Alternatively, the silicone resin layer 4 is scraped off, and the content of the component constituting the silicone resin layer 4 is measured using an ICP emission spectrometer (ICP) or a fluorescent X-ray analyzer (XRF).
  • ICP ICP emission spectrometer
  • XRF fluorescent X-ray analyzer
  • the ratio of the number of first fillers having an aspect ratio of 5 or more in the silicone resin layer 4 may be calculated by the following method.
  • image analysis software "A image kun” registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.
  • image analysis software "A image kun" registered trademark, manufactured by Asahi Kasei Engineering Co., Ltd.
  • Image analysis is performed by applying a method called particle analysis.
  • the lightness of the crystal grain may be “bright”, the binarization method may be “automatic”, and the shading may be “presence”.
  • the major axis and the minor axis of each filler are calculated by this particle analysis. Thereafter, the aspect ratio of each filler is calculated by dividing the major diameter by the minor diameter, the number of fillers having an aspect ratio of 5 or more is counted, and the aspect ratio is larger than 5 by dividing this by the number of all fillers. The ratio of the number of first fillers may be calculated.
  • the component which comprises a 1st filler should just be confirmed by using EDS attached to SEM.
  • the component which comprises each filler is confirmed by EDS, the number of objects of the 2nd filler which consists of titanium dioxides is counted, and the number of objects of the 2nd filler can be computed by dividing by the number of objects of all the fillers.
  • the average value of the equivalent circle diameters of the second fillers can be calculated by performing image analysis by applying the method of particle analysis of “image A” in the same manner as the method described above.
  • the proportion of the number of third fillers can be calculated by confirming the components constituting each filler by EDS, counting the number of third fillers made of barium titanate, and dividing the number by the number of all fillers.
  • the average value of the equivalent circle diameters of the third fillers can be calculated by performing image analysis by applying the method of particle analysis of “image A” in the same manner as the method described above.
  • the height of the surface of the silicone resin layer 4 may be 5 ⁇ m or more lower than the height of the surface of the reflective layer 3. If such a configuration is satisfied, the light of the light emitting element can be preferentially applied to the reflective layer 4 having a higher reflectance than the silicone resin layer 4. Therefore, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved.
  • the arithmetic average roughness Ra1 determined from the roughness curve on the surface of the silicone resin layer 4 is larger than the arithmetic average roughness Ra2 determined from the roughness curve on the surface of the reflective layer 3 May be If such a configuration is satisfied, the light of the light emitting element can be easily reflected by the reflective layer 4 having a higher reflectance than the silicone resin layer 4. Therefore, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved.
  • the arithmetic mean roughness Ra refers to a value defined in JIS B 0601 (2013).
  • arithmetic mean roughness Ra can be calculated
  • the measurement conditions may be, for example, a measurement length of 2.5 mm, a cutoff value of 0.08 mm, a stylus having a stylus radius of 2 ⁇ m, and a scanning speed of 0.6 mm / sec. . Then, at least three or more points on each of the surface of the reflective layer 3 and the surface of the silicone resin layer 4 may be measured, and an average value thereof may be obtained.
  • the silicone resin layer 4 in the circuit board 10 of the present disclosure may contain metal particles having a circle equivalent diameter of 5 ⁇ m or less, and the number of metal particles may be more on the surface than in the silicone resin layer 4 . If such a configuration is satisfied, the light of the light emitting element can be reflected by the metal particles while maintaining the hardness of the silicone resin layer 4. Therefore, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved. If no metal particles are present inside the silicone resin layer 4, the hardness of the silicone resin layer 4 can be maintained higher.
  • the metal particles are composed of at least one selected from copper (Cu), titanium (Ti) and silver (Ag). Further, the inside of the silicone resin layer 4 refers to a region closer to the substrate 1 than a portion of 10 ⁇ m from the surface of the silicone resin layer 4.
  • the silicone resin layer 4 in the circuit board 10 of the present disclosure may have two or more and five or less metal particles in the area of 1 mm 2 on the surface. If such a configuration is satisfied, the light of the light emitting element can be favorably reflected by the metal particles, and the unevenness due to the metal particles on the surface of the silicone resin layer 4 is reduced. Therefore, the reflectance of the circuit board 10 of the present disclosure is improved.
  • the substrate 1 in the circuit substrate 10 of the present disclosure may be an insulator, for example, aluminum oxide ceramics, zirconium oxide ceramics, composite ceramics of aluminum oxide and zirconium oxide, silicon nitride ceramics, aluminum nitride ceramics And silicon carbide ceramics or mullite ceramics. If the substrate 1 is made of aluminum oxide ceramic, it is easy to process and is excellent in mechanical strength. In addition, when the substrate 1 is made of aluminum nitride ceramic, the heat dissipation is excellent.
  • the aluminum oxide-based ceramic contains 70% by mass or more of aluminum oxide in 100% by mass of all the components constituting the ceramic.
  • substrate 1 in the circuit board 10 of this indication can be confirmed with the following method.
  • the substrate 1 is measured using an X-ray diffractometer (XRD), and identification is performed using a JCPDS card from the obtained value of 2 ⁇ (2 ⁇ is a diffraction angle).
  • XRF fluorescent X-ray analyzer
  • the quality of aluminum oxide is It is a ceramic.
  • the conductor layer 2 in the circuit board 10 of this indication has electroconductivity, you may be comprised with what kind of material. If the conductor layer 2 contains copper or silver as a main component, the electrical resistivity is low and the thermal conductivity is high, so that it is possible to mount a light emitting element with a large amount of heat generation.
  • the main component in the conductor layer 2 is a component which exceeds 50 mass% in 100 mass% of all the components which comprise the conductor layer 2.
  • the reflective layer 3 in the circuit board 10 of the present disclosure contains at least one of gold and silver, and contains 90% by mass or more of gold and silver in 100% by mass of all components constituting the reflective layer 3 It may be In particular, the reflective layer 3 may contain 95% by mass or more of gold in 100% by mass of all the components constituting the reflective layer 3. Thus, when the reflective layer 3 contains 95% by mass or more of gold, the migration phenomenon of the reflective layer 3 hardly occurs when electricity is supplied to the reflective layer 3. Excellent long-term reliability.
  • the circuit board 10 is cut
  • substrate 1 in the circuit board 10 of this indication may have a through-hole. Then, if an electrode made of a conductive material is provided in the through hole of the base body 1, electricity can be supplied by connecting to an external power source or the like. Further, if the thermal vias made of a high thermal conductivity material are provided in the through holes of the substrate 1, the heat dissipation of the substrate 1 can be improved.
  • the light emitting device 20 of the present disclosure includes the circuit board 10 having the above-described configuration and the light emitting element 5 positioned on the circuit board 10.
  • FIG. 1 shows an example in which the light emitting element 5 is located on the reflective layer 3 a and the light emitting element 5 is electrically connected to the reflective layer 3 b by the bonding wire 6.
  • the surface of the light emitting device 20 on which the light emitting element 5 including the light emitting element 5 is mounted may be covered with a sealing material or the like.
  • the sealing material may contain a fluorescent material or the like for wavelength conversion.
  • an aluminum nitride ceramic or an aluminum oxide ceramic is prepared as a substrate by a known forming method and firing method.
  • the aluminum oxide ceramic at least one of barium oxide (BaO) and zirconium oxide (ZrO 2 ) may be contained to improve the reflectance of the substrate.
  • the through holes may be formed in the sintered body by blast or laser.
  • the thickness of the substrate is, for example, 0.15 mm or more and 1.5 mm or less.
  • the average film thickness of the thin layer of titanium is 0.03 ⁇ m or more and 0.2 ⁇ m or less
  • the average film thickness of the thin layer of copper is 0.5 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • a resist pattern is formed on the thin film by photolithography, and a new copper thick layer is formed using electrolytic copper plating to obtain a conductor layer.
  • the average film thickness of the copper layer formed by electrolytic copper plating is, for example, 40 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • buff polishing or chemical polishing may be performed on the surface of the conductor layer.
  • electrolytic nickel-silver plating or electroless silver plating is performed to obtain a silver reflective layer on the conductor layer.
  • electroless gold plating is performed to obtain a gold reflective layer on the conductor layer.
  • a gold reflective layer is obtained on the conductor layer.
  • the average film thickness of the nickel layer is, for example, not less than 1 ⁇ m and not more than 10 ⁇ m.
  • the average film thickness of a palladium layer is 0.05 micrometer or more and 0.5 micrometer or less, for example.
  • the average film thickness of a reflection layer is 0.1 micrometer or more and 10 micrometers or less, for example. In addition, if the average film thickness of a reflection layer is 0.2 micrometer or more, it will have especially high reflectance.
  • the resist pattern is removed, and the thin titanium and copper thin layers are removed by etching.
  • a paste to be a silicone resin layer (hereinafter, referred to as a resin layer paste) is prepared.
  • the resin layer paste is obtained by dispersing a silicone resin raw material and a filler powder in an organic solvent.
  • the blending ratio of the silicone resin raw material and the filler powder is such that the filler powder is 45% by mass or more with respect to a total of 100 parts by mass of the silicone resin raw material and the filler powder.
  • the filler powder may be 80% by mass or less with respect to a total of 100 parts by mass of the silicone resin raw material and the filler powder.
  • organopolysiloxane organohydrogenpolysiloxane
  • platinum containing polysiloxane etc. can be used as a silicone resin raw material.
  • silicon dioxide, potassium titanate, aluminum oxide, silicon dioxide, barium oxide, barium sulfate, zinc oxide, titanium dioxide, barium titanate or zirconium oxide can be used as the filler powder.
  • the filler powder is adjusted such that the first filler having an aspect ratio of 5 or more accounts for 5% or more of the total number 100% of the fillers.
  • the first filler having an aspect ratio of 5 or more may be adjusted to 40% or less.
  • the first filler having an aspect ratio of 5 or more may be made of silicon dioxide or potassium titanate.
  • the filler powder may be adjusted so that the second filler consisting of titanium dioxide accounts for 40% or more and 55% or less of the total number 100% of the fillers. And as a 2nd filler, you may use that whose average value of a circle
  • the filler powder may be adjusted so that the third filler consisting of barium titanate accounts for 5% or more and 10% or less of the total number 100% of the fillers. And as a 3rd filler, you may use that whose average value of a circle
  • organic solvent it is selected from carbitol, carbitol acetate, terpineol, metacresol, dimethylimidazole, dimethylimidazolidinone, dimethylformamide, diacetone alcohol, triethylene glycol, paraxylene, ethyl lactate, isophorone 1 A species or a mixture of two or more species can be used.
  • the organic solvent may be adjusted to have a mass ratio of 20 to 100, assuming that the silicone resin raw material is 1.
  • metal particles having a circle equivalent diameter of 5 ⁇ m or less which is composed of at least one selected from copper, titanium and silver, may be added to the resin layer paste .
  • the resin layer paste is printed on the substrate so as to be in contact with the conductor layer and the reflective layer.
  • the thickness of the resin layer paste is made to be about the same as the total thickness of the conductor layer and the reflection layer.
  • the number of metal particles is increased toward the surface rather than the inside of the silicone resin layer, two types of resin layer pastes having different numbers of metal particles added are prepared, and the resin layer has a small number of metal particles. After the paste is printed first, a resin layer paste having many metal particles may be printed thereon.
  • heat treatment is performed while holding at a maximum temperature of 140 ° C. or more and 200 ° C. or less for 0.5 hours or more and 3 hours or less.
  • buffing which is a polishing process, is performed on the surfaces of the reflective layer and the silicone resin layer.
  • a condition for buffing it is sufficient to use an abrasive consisting of silicon carbide, white alumina or diamond, having a count of # 400 or more and # 3000 or less, and a feed speed of 500 mm / second or more and 2000 mm / second or less .
  • the surface of a reflection layer and a silicone resin layer can be made into arbitrary surface characteristics by changing this buff grinding
  • the height of the surface of the silicone resin layer may be made 5 ⁇ m or more lower than the height of the surface of the reflective layer by performing buffing intensively on the surface of the silicone resin layer rather than the surface of the reflective layer. it can. Thereby, the circuit board of the present disclosure is obtained. In addition, you may divide into pieces by dicing as needed.
  • the light emitting device of the present disclosure can be obtained, for example, by mounting a light emitting element on the reflective layer of the circuit board of the present disclosure.
  • a sample was prepared in which the content of the filler and the number ratio of the first filler having an aspect ratio of 5 or more in the silicone resin layer were made different, and the reflectance was measured.
  • a substrate made of aluminum nitride ceramic and having a thickness ⁇ length ⁇ width of 0.38 mm ⁇ 200 mm ⁇ 200 mm was prepared.
  • the average thickness of the thin layer of titanium was 0.1 ⁇ m, and the average thickness of the thin layer of copper was 1.0 ⁇ m.
  • a resist pattern was formed on the thin film by photolithography, and a copper thick layer having an average film thickness of 60 ⁇ m was formed using electrolytic copper plating to obtain a conductor layer.
  • the average thickness of the nickel layer between the conductor layer and the reflective layer was 5 ⁇ m, and the average thickness of the reflective layer was 3 ⁇ m.
  • the resist pattern was removed, and the thin films of titanium and copper which had run out were removed by etching to obtain a circuit pattern composed of a laminate of a conductor layer and a reflective layer.
  • the filler powder has an aspect ratio of 5 or more, the first filler made of silicon dioxide having a value shown in Table 1 and an aspect ratio of 5 or less among the total number 100% of the fillers, and the second made of titanium dioxide It adjusted so that it might become a filler which consists of silicon dioxide whose filler has 38% and remainder has an aspect ratio of 5 or less.
  • the second filler used was one having an average equivalent circle diameter of 3.7 ⁇ m.
  • carbitol was used as the organic solvent, and the mass ratio was adjusted to 60 with respect to the silicone resin raw material 1.
  • the resin layer paste was printed on the substrate so as to be in contact with the conductor layer and the reflective layer so as to cover the entire substrate. Thereafter, heat treatment was performed by holding at a maximum temperature of 150 ° C. for 1 hour.
  • each sample is measured using a spectrocolorimeter (CM-3700A manufactured by Minolta) under the conditions of reference light source D65, wavelength range 360 to 740 nm, field of view 10 °, illumination diameter 3 ⁇ 5 mm, The reflectance of 500 nm was measured from the measurement result.
  • CM-3700A manufactured by Minolta
  • sample nos. Sample Nos. 1 and 2 The reflectance of 3 to 8 was as high as 91.3% or more. From this result, in the case of a circuit board in which the silicone resin layer contains 45% by mass or more of a plurality of fillers, and the first filler having an aspect ratio of 5 or more accounts for 5% or more in 100% of the total number of fillers. It turned out that it has high reflectance.
  • the sample No. The reflectance of 3 to 7 was as high as 92.4% or more. From this result, it was found that, in the silicone resin layer, a circuit board having a filler content of 80% by mass or less had higher reflectance.
  • sample No. For sample no. Among samples 3 to 7, sample No. The reflectance of 3 to 6 was as high as 93.0% or more. From this result, it was found that if the first filler is a circuit board having 40% or less of the total number of fillers, the first filler has a higher reflectance.
  • the first filler is 8%
  • the second filler is 47%
  • the aspect ratio is 5 or less
  • the third filler made of barium titanate is 100% of the total number of the fillers.
  • the samples of Sample 3 of Example 3 were used. It was the same as in the preparation method of 17.
  • the third filler used was one having an average equivalent circle diameter of 2.6 ⁇ m.
  • sample no. No. 19 corresponds to the sample No. 1 of Example 3. Same as 17.
  • sample No. 4 of Example 4 is used as a preparation method of each sample, except for using the 3rd filler used as an average value of the circle equivalent diameter of Table 5, the sample No. 4 of Example 4 is used. The method was the same as that of 21. Sample No. No. 25 corresponds to the sample No. 4 of Example 4. Same as 21.
  • sample nos. Sample Nos. 30 and 31 compared to The reflectance of 32, 33 was as high as 96.1% or more. From this result, it was found that the circuit substrate having the surface height of the silicone resin layer 5 ⁇ m or more lower than the height of the surface of the reflective layer had higher reflectance.
  • sample No. of 38 to 41 sample No.
  • the reflectance of 39 and 40 was as high as 97.3% or more. From this result, it was found that the circuit substrate having the number of metal particles in the area of 1 mm 2 on the surface is 2 or more and 5 or less has higher reflectance.
  • Substrate 2a, 2b Conductor layer 3, 3a, 3b: Reflective layer 4: Silicone resin layer 5: Light emitting element 6: Bonding wire 10: Circuit board 20: Light emitting device

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Abstract

本開示の回路基板は、基板と、該基板上に位置する導体層と、該導体層上に位置する反射層と、前記基板上に位置するとともに、前記導体層および前記反射層に接して位置するシリコーン樹脂層と、を備える。そして、前記シリコーン樹脂層は、複数のフィラーを４５質量％以上含有している。さらに、前記フィラーの全個数１００％のうち、アスペクト比が５より大きい第１フィラーが５％以上占める。

Description

回路基板およびこれを備える発光装置
　本開示は、回路基板およびこれを備える発光装置に関する。
　消費電力の少ない発光素子としてＬＥＤ（発光ダイオード）が注目されている。そして、このような発光素子の搭載には、絶縁性の基板と、この基板上に位置する、回路（配線）となる導電層とを備える回路基板が用いられている。
　また、上記構成の回路基板に発光素子を搭載してなる発光装置には、発光効率の向上が求められており、発光効率を向上させるために基板の表面を白色系の色調の樹脂で覆うことが行なわれている（例えば、特許文献１を参照）。
特開２００９－１２９８０１号公報
　本開示の回路基板は、基板と、該基板上に位置する導体層と、該導体層上に位置する反射層と、前記基板上に位置するとともに、前記導体層および前記反射層に接して位置するシリコーン樹脂層と、を備える。そして、前記シリコーン樹脂層は、複数のフィラーを４５質量％以上含有している。さらに、前記フィラーの全個数１００％のうち、アスペクト比が５より大きい第１フィラーが５％以上占める。
　また、本開示の発光装置は、上記回路基板と、該回路基板上に位置する発光素子とを備える。
本開示の発光装置における発光素子周辺の一例を模式的に示す断面図である。
　近年では、発光効率を向上させるために、導電層上に反射層を設けることが行なわれている。さらに、基板の表面において、導電層および反射層が位置する箇所以外を白色系の色調の樹脂で覆うことで、発光効率を向上させることも行なわれている。
　ここで、樹脂および反射層の両方を有する構成とする場合、回路基板の基板上において、導電層および導電層上に設けられた反射層が存在しない部分を樹脂で埋める構成とするのが一般的である。しかしながら、このような回路基板を製造するには、樹脂および反射層の高さを調整するために、樹脂および反射層の研磨処理を行なう工程が必要となる。この際、樹脂の硬度が低いと、研磨処理において樹脂が損傷を受け、所望の反射率を得られないおそれがある。
　以下、本開示の回路基板および発光装置について、図１を参照しながら説明する。
　本開示の回路基板１０は、図１に示すように、基板１と、基板１上に位置する導体層２と、導体層２上に位置する反射層３と、基板１上に位置するとともに、導体層２および反射層３に接して位置するシリコーン樹脂層４とを備えている。
　そして、本開示の回路基板１０のシリコーン樹脂層４は、複数のフィラーを４５質量％以上含有している。さらに、このフィラーの全個数１００％のうち、アスペクト比が５より大きい第１フィラーが５％以上占めている。
　シリコーン樹脂は、白色系の色調を呈する他の樹脂（例えば、エポキシ樹脂）に比べて、紫外線に強く、長期間に亘って高い反射率を維持することができる。そして、シリコーン樹脂中において、アスペクト比の大きな第１フィラー同士が絡み合っているシリコーン樹脂層４は、高い硬度を有する。そして、このような硬度の高いシリコーン樹脂層４であることで、シリコーン樹脂層４および反射層３の高さを調整するために、シリコーン樹脂層４および反射層３の研磨処理が行なわれても、シリコーン樹脂層４の損傷は抑えられる。そのため、本開示の回路基板１０は、高い反射率を有する。
　ここで、シリコーン樹脂層４が含有するフィラーとしては、二酸化珪素、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化バリウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、チタン酸バリウムまたは酸化ジルコニウムからなる。そして、フィラーの中でも第１フィラーは、二酸化珪素またはチタン酸カリウムからなっていてもよい。
　なお、アスペクト比とは、フィラーの長径を短径で割ったときの値である。フィラーの長径とは、フィラーの断面における最大長さのことである。フィラーの短径とは、長径の線分の中央で、長径の線分に直交する直線の長さのことである。そして、第１フィラーの長径の平均値は、５μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。また、第１フィラーの短径の平均値は、０．５μｍ以上２．５μｍ以下であってもよい。
　また、本開示の回路基板１０におけるシリコーン樹脂層４は、フィラーを８０質量％以下含有していてもよい。このような構成を満足するならば、シリコーン樹脂層４の表面において、フィラーによる凹凸が少なくなることから、本開示の回路基板１０の反射率は向上する。
　また、本開示の回路基板１０における第１フィラーは、フィラーの全個数の４０％以下であってもよい。このような構成を満足するならば、シリコーン樹脂層４の表面において、アスペクト比が大きい第１フィラーによる凹凸が少なくなることから、本開示の回路基板１０の反射率は向上する。
　また、本開示の回路基板１０において、フィラーの全個数１００％のうち、二酸化チタンからなる第２フィラーが４０％以上５５％以下占めていてもよい。このような構成を満足するならば、可視光に対して高い反射率を有する二酸化チタンからなる第２フィラーにより、シリコーン樹脂層４の反射率が高くなる。よって、本開示の回路基板１０の反射率は向上する。
　なお、第２フィラーの円相当径の平均値は、０．５μｍ以上３μｍ以下であってもよい。ここで、円相当径とは、第２フィラーの断面積と等しい円に置き換えた場合における、円の直径を意味している。このような構成を満足するならば、各第２フィラーが効果的に可視光を反射することで、本開示の回路基板１０の反射率が向上する。
　また、本開示の回路基板１０において、フィラーの全個数１００％のうち、チタン酸バリウムからなる第３フィラーが５％以上１０％以下占めていてもよい。このような構成を満足するならば、可視光に対して高い反射率を有するチタン酸バリウムからなる第３フィラーにより、シリコーン樹脂層４の反射率が高くなる。よって、本開示の回路基板１０の反射率は向上する。
　なお、第３フィラーの円相当径の平均値は、０．３μｍ以上２μｍ以下であってもよい。このような構成を満足するならば、各第３フィラーが効果的に可視光を反射することで、本開示の回路基板１０の反射率が向上する。
　ここで、シリコーン樹脂層４におけるフィラーの含有量は、以下の方法で算出すればよい。まず、シリコーン樹脂層４を切断し、クロスセクションポリッシャー（ＣＰ）にて研磨して、研磨面を得る。その後、この研磨面を観察面として、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）付設のエネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）用いて、シリコーン樹脂層４を構成する成分の含有量を測定する。または、シリコーン樹脂層４を削り取り、ＩＣＰ発光分光分析装置（ＩＣＰ）または蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いて、シリコーン樹脂層４を構成する成分の含有量を測定する。そして、上述したフィラーを構成する、二酸化珪素、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化バリウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、チタン酸バリウムおよび酸化ジルコニウムの合計含有量を算出すれば、それがフィラーの含有量である。
　また、シリコ－ン樹脂層４における、アスペクト比が５より大きい第１のフィラーの個数の割合は、以下の方法で算出すればよい。まず、シリコーン樹脂層４を切断し、ＣＰにて研磨した後、この研磨面を観察面として、ＳＥＭを用いて、１５００倍で観察し、面積が１００００μｍ2程度（例えば、１００μｍ×１００μｍ）となる写真を撮影する。次に、この写真を用いて、画像解析ソフト「Ａ像くん」（登録商標、旭化成エンジニアリング（株）製、なお、以降に画像解析ソフト「Ａ像くん」と記した場合、旭化成エンジニアリング（株）製の画像解析ソフトを示すものとする。）の粒子解析という手法を適用して画像解析を行なう。なお、「Ａ像くん」の解析条件としては、例えば結晶粒子の明度を「明」、２値化の方法を「自動」、シェーディングを「有」とすればよい。そして、この粒子解析によって、各フィラーの長径および短径が算出される。その後、長径を短径で割ることで各フィラーのアスペクト比を算出し、アスペクト比が５以上であるフィラーの個数を数え、これを全フィラーの個数で除算することで、アスペクト比が５より大きい第１フィラーの個数の割合を算出すればよい。また、第１フィラーを構成する成分は、ＳＥＭ付設のＥＤＳを用いることにより確認すればよい。
　また、各フィラーを構成する成分をＥＤＳにより確認し、二酸化チタンからなる第２フィラーの個数を数え、全フィラーの個数で除算することで、第２フィラーの個数の割合を算出することができる。また、第２フィラーの円相当径の平均値は、上述した方法と同様に、「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析を行なうことで算出することができる。
　また、各フィラーを構成する成分をＥＤＳにより確認し、チタン酸バリウムからなる第３フィラーの個数を数え、全フィラーの個数で除算することで、第３フィラーの個数の割合を算出することができる。また、第３フィラーの円相当径の平均値は、上述した方法と同様に、「Ａ像くん」の粒子解析という手法を適用して画像解析を行なうことで算出することができる。
　また、本開示の回路基板１０において、シリコーン樹脂層４の表面の高さは、反射層３の表面の高さよりも５μｍ以上低くてもよい。このような構成を満足するならば、発光素子の光を、シリコーン樹脂層４よりも反射率の高い反射層４に優先的に当てることができる。そのため、本開示の回路基板１０の反射率が向上する。
　また、本開示の回路基板１０において、シリコーン樹脂層４の表面における粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａ１は、反射層３の表面における粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａ２よりも大きくてもよい。このような構成を満足するならば、発光素子の光を、シリコーン樹脂層４よりも反射率の高い反射層４で反射させ易くなる。そのため、本開示の回路基板１０の反射率が向上する。
　ここで、算術平均粗さＲａとは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１（２０１３）に規定された値のことを言う。そして、算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１（２０１３）に準拠して測定することにより求めることができる。なお、測定条件としては、例えば、測定長さを２．５ｍｍ、カットオフ値を０．０８ｍｍとし、触針半径が２μｍの触針を用い、走査速度を０．６ｍｍ／秒に設定すればよい。そして、反射層３およびシリコーン樹脂層４の表面において、それぞれ少なくとも３ヵ所以上測定し、その平均値を求めればよい。
　また、本開示の回路基板１０におけるシリコーン樹脂層４は、円相当径が５μｍ以下である金属粒子を含有し、金属粒子の個数は、シリコーン樹脂層４の内部より表面の方が多くてもよい。このような構成を満足するならば、シリコーン樹脂層４の硬度を維持しつつ、金属粒子にて発光素子の光を反射することができる。そのため、本開示の回路基板１０の反射率が向上する。なお、シリコーン樹脂層４の内部に金属粒子が存在しなければ、シリコーン樹脂層４の硬度をより高く維持できる。
　ここで、金属粒子とは、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）および銀（Ａｇ）から選択される少なくとも１種から構成されるものである。また、シリコーン樹脂層４の内部とは、シリコーン樹脂層４の表面から１０μｍの箇所より基板１側の領域のことである。
　また、本開示の回路基板１０におけるシリコーン樹脂層４は、表面の１ｍｍ2の面積の範囲における金属粒子の個数が２個以上５個以下であってもよい。このような構成を満足するならば、金属粒子にて発光素子の光を良好に反射できるとともに、シリコーン樹脂層４の表面において、金属粒子による凹凸が少なくなる。そのため、本開示の回路基板１０の反射率が向上する。
　また、本開示の回路基板１０における基板１は、絶縁体であればよく、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス、酸化ジルコニウム質セラミックス、酸化アルミニウムおよび酸化ジルコニウムの複合セラミックス、窒化珪素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックス、炭化珪素質セラミックスまたはムライト質セラミックス等が挙げられる。なお、基板１が酸化アルミニウム質セラミックスからなるならば、加工が容易でありながら、機械的強度に優れる。また、基板１が窒化アルミニウム質セラミックスからなるならば、放熱性に優れる。
　ここで、例えば、酸化アルミニウム質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、酸化アルミニウムを７０質量％以上含有するものである。そして、本開示の回路基板１０における基板１の材質は、以下の方法により確認することができる。まず、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて、基板１を測定し、得られた２θ（２θは、回折角度である。）の値よりＪＣＰＤＳカードを用いて同定を行なう。次に、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いて、含有成分の定量分析を行なう。そして、例えば、ＸＲＤによる同定により酸化アルミニウムの存在が確認され、ＸＲＦで測定したＡｌの含有量から酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）に換算した含有量が７０質量％以上であれば、酸化アルミニウム質セラミックスである。
　また、本開示の回路基板１０における導体層２は、導電性を有するならば、どのような材料で構成されていてもよい。導体層２が、銅または銀を主成分としているならば、電気抵抗率が低く、熱伝導率が高いものとなることから、発熱量の大きい発光素子の搭載が可能となる。なお、導体層２における主成分とは、導体層２を構成する全成分１００質量％のうち、５０質量％を超える成分のことである。
　また、本開示の回路基板１０における反射層３は、金および銀の少なくともいずれか一方を含有し、反射層３を構成する全成分１００質量％のうち、金および銀を９０質量％以上含有していてもよい。特に、反射層３は、反射層３を構成する全成分１００質量％のうち、金を９５質量％以上含有していてもよい。このように、反射層３が金を９５質量％以上含有するならば、反射層３に電気を流した際に、反射層３のマイグレーション現象が発生しにくいことから、本開示の回路基板１０は、長期間の信頼性に優れる。
　ここで、導体層２および反射層３を構成する成分の確認方法としては、例えば、図１に示す断面となるように回路基板１０を切断し、ＣＰにて研磨した断面を観察面として、ＳＥＭを用いて観察し、ＳＥＭ付設のＥＤＳを用いることにより確認すればよい。または、導体層２および反射層３をそれぞれ削り取り、ＩＣＰやＸＲＦを用いることによっても確認することができる。
　また、本開示の回路基板１０における基板１は、貫通孔を有していてもよい。そして、基体１の貫通孔内に導電性物質からなる電極を有していれば、外部電源等と接続して、電気を供給することができる。また、基体１の貫通孔内に高熱伝導性物質からなるサーマルビアを有していれば、基板１の放熱性を向上させることができる。
　また、本開示の発光装置２０は、図１に示すように、上述した構成の回路基板１０と、回路基板１０上に位置する発光素子５とを備えている。なお、図１においては、発光素子５が反射層３ａ上に位置し、発光素子５がボンディングワイヤ６により反射層３ｂに電気的に接続されている例を示している。なお、図示していないが、発光素子５を保護するために、発光装置２０における発光素子５を含む発光素子５の搭載された側の面が封止材等で覆われていても構わない。また、封止材は、波長変換のための蛍光物質等を含有していてもよい。
　以下、本開示の回路基板の製造方法の一例について説明する。
　まず、基板として、公知の成形方法および焼成方法により、例えば、窒化アルミニウム質セラミックスまたは酸化アルミニウム質セラミックスを準備する。なお、酸化アルミニウム質セラミックスの作製にあたっては、基板の反射率を向上させるべく、酸化バリウム（ＢａＯ）および酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）の少なくともいずれか一方を含有させてもよい。
　また、基板に貫通孔を形成する場合は、成形体の形成時に外形状とともに貫通孔を形成するか、外形状のみが加工された成形体に対しパンチング、ブラストまたはレーザーによって貫通孔を形成するか、焼結体にブラストまたはレーザーによって貫通孔を形成すればよい。なお、基板の厚みは、例えば、０．１５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下である。
　次に、チタンおよび銅の薄層を、基板上にスパッタで形成する。ここで、薄膜において、例えば、チタンの薄層の平均膜厚は０．０３μｍ以上０．２μｍ以下、銅の薄層の平均膜厚は０．５μｍ以上２μｍ以下である。
　次に、薄膜上にレジストパターンをフォトリソグラフィーにて形成し、電解銅めっきを用いて新たな銅の厚層を形成することで導体層を得る。ここで、電解銅めっきにより形成する銅層の平均膜厚は、例えば、４０μｍ以上１００μｍ以下である。また、導体層の表面に対して、バフ研磨または化学研磨を行なってもよい。
　次に、電解ニッケル－銀めっき、または無電解銀メッキを行なうことで、導体層上に銀の反射層を得る。または、無電解ニッケルメッキを行なった後、無電解金メッキを行なうことで、導体層上に金の反射層を得る。または、無電解ニッケルメッキ、無電解パラジウムメッキ、無電解金メッキをこの順に行なう事で、導体層上に金の反射層を得る。なお、ニッケル層の平均膜厚は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。また、パラジウム層の平均膜厚は、例えば、０．０５μｍ以上０．５μｍ以下である。また、反射層の平均膜厚は、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。なお、反射層の平均膜厚が０．２μｍ以上であれば、特に高い反射率を有するものとなる。
　次に、レジストパターンを除去し、はみ出したチタンおよび銅の薄層をエッチングにより除去する。
　次に、シリコーン樹脂層となるペースト（以下、樹脂層用ペーストと記載する。）を準備する。樹脂層用ペーストは、シリコーン樹脂原料とフィラー粉末とを有機溶剤中に分散させたものである。なお、シリコーン樹脂原料とフィラー粉末との配合比率は、シリコーン樹脂原料およびフィラー粉末の合計１００質量部に対して、フィラー粉末が４５質量％以上となるようにする。なお、シリコーン樹脂原料およびフィラー粉末の合計１００質量部に対して、フィラー粉末が８０質量％以下となるようにしてもよい。
　ここで、シリコーン樹脂原料としては、オルガノポリシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、白金含有ポリシロキサン等を用いることができる。
　また、フィラー粉末としては、二酸化珪素、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、二酸化珪素、酸化バリウム、硫酸バリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、チタン酸バリウムまたは酸化ジルコニウムを用いることができる。
　ここで、フィラー粉末は、フィラーの全個数１００％のうち、アスペクト比が５より大きい第１フィラーが５％以上占めるように調整する。なお、アスペクト比が５より大きい第１フィラーが、４０％以下となるように調整してもよい。また、アスペクト比が５より大きい第１フィラーを、二酸化珪素やチタン酸カリウムで構成してもよい。
　また、フィラー粉末を、フィラーの全個数１００％のうち、二酸化チタンからなる第２フィラーが４０％以上５５％以下占めるように調整してもよい。そして、第２フィラーとしては、円相当径の平均値が０．５μｍ以上３μｍ以下のものを用いてもよい。
　また、フィラー粉末を、フィラーの全個数１００％のうち、チタン酸バリウムからなる第３フィラーが５％以上１０％以下占めるように調整してもよい。そして、第３フィラーとしては、円相当径の平均値が０．３μｍ以上２μｍ以下のものを用いてもよい。
　また、有機溶剤としては、カルビトール、カルビトールアセテート、テルピネオール、メタクレゾール、ジメチルイミダゾール、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルホルムアミド、ジアセトンアルコール、トリエチレングリコール、パラキシレン、乳酸エチル、イソホロンから選択される１種もしくは２種以上を混合して用いることができる。
　なお、有機溶媒は、質量比率として、シリコーン樹脂原料を１とすると、２０～１００となるように調整すればよい。
　また、シリコーン樹脂層に金属粒子を含有させるには、銅、チタンおよび銀から選択される少なくとも１種から構成される、円相当径が５μｍ以下の金属粒子を樹脂層用ペーストに添加すればよい。
　そして、樹脂層用ペーストを、基板上において、導体層および反射層に接するように印刷する。ここで、なお、樹脂層用ペーストの厚みは、導体層と反射層とを足し合わせた厚みと同程度となるようにする。また、シリコーン樹脂層の内部よりも表面の方に金属粒子の個数を多くする場合には、添加した金属粒子の個数が異なる樹脂層用ペーストを２種類準備し、金属粒子の個数が少ない樹脂層ペーストを先に印刷した後、この上に金属粒子の個数が多い樹脂層ペーストを印刷すればよい。
　次に、１４０℃以上２００℃以下の最高温度で０．５時間以上３時間以下保持して、熱処理を行なう。
　次に、反射層およびシリコーン樹脂層の表面に対して、研磨処理であるバフ研磨を行なう。ここで、バフ研磨の条件としては、シリコンカーバイト、ホワイトアルミナまたはダイヤモンドからなり、番手が＃４００以上＃３０００以下の砥粒を用い、送り速度を５００ｍｍ／秒以上２０００ｍｍ／秒以下とすればよい。そして、このバフ研磨を上記条件内で変えることで、反射層およびシリコーン樹脂層の表面を任意の表面性状とすることができる。また、反射層の表面よりもシリコーン樹脂層の表面に対して重点的にバフ研磨を行なうことで、シリコーン樹脂層の表面の高さを、反射層の表面の高さよりも５μｍ以上低くすることができる。これにより、本開示の回路基板を得る。なお、必要に応じてダイシングすることで個片に分割してもよい。
　次に、本開示の発光装置は、例えば、本開示の回路基板の反射層上に、発光素子を搭載することによって得ることができる。
　以下、本開示の実施例を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
　シリコーン樹脂層における、フィラーの含有量およびアスペクト比が５より大きい第１フィラーの個数比率を異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行なった。
　まず、窒化アルミニウム質セラミックスからなり、厚さ×縦×横が０．３８ｍｍ×２００ｍｍ×２００ｍｍの基板を準備した。
　次に、チタンおよび銅の薄層を、基板上にスパッタで形成した。なお、チタンの薄層の平均膜厚は０．１μｍ、銅の薄層の平均膜厚は１．０μｍとなるようにした。
　次に、薄膜上にレジストパターンをフォトリソグラフィーにて形成し、電解銅めっきを用いて平均膜厚が６０μｍの銅の厚層を形成し、導体層を得た。
　次に、電解ニッケル－銀めっきを行ない、導体層上に銀からなる反射層を得た。なお、導体層と反射層との間のニッケル層の平均膜厚は５μｍ、反射層の平均膜厚は３μｍとなるようにした。
　次に、レジストパターンを除去し、はみ出したチタンおよび銅の薄膜をエッチングにより除去し、導体層および反射層の積層体からなる回路パターンを得た。
　次に、樹脂層用ペーストとして、シリコーン樹脂原料とフィラー粉末とを有機溶剤中に分散させたものを準備した。ここで、シリコーン樹脂原料とフィラー粉末との配合比率は、シリコーン樹脂層において、フィラーの含有量が表１に示す値になるように調整した。
　ここで、シリコーン樹脂原料としては、オルガノポリシロキサンを用いた。また、フィラー粉末は、フィラーの全個数１００％のうち、アスペクト比が５より大きい、二酸化珪素からなる第１フィラーが表１に示す値、アスペクト比が５以下であり、二酸化チタンからなる第２フィラーが３８％、残部がアスペクト比が５以下である二酸化珪素からなるフィラーとなるように調整した。なお、第２フィラーには、円相当径の平均値が３．７μｍであるものを用いた。
　また、有機溶媒としてカルビトールを用い、質量比率として、シリコーン樹脂原料１に対して、６０となるように調整した。
　次に、樹脂層用ペーストを、基板上において、導体層および反射層に接し、基板を全て覆うように印刷した。その後、１５０℃の最高温度で１時間保持して、熱処理を行なった。
　そして、反射層およびシリコーン樹脂層の表面に対してバフ研磨を行ない、ダイシングを行うことで縦×横が９ｍｍ×９ｍｍの個片状の各試料を得た。
　次に、各試料に対して、分光測色計（ミノルタ製　ＣＭ－３７００Ａ）を用いて、基準光源Ｄ６５、波長範囲３６０～７４０ｎｍ、視野１０°、照明径３×５ｍｍの条件で測定を行ない、測定結果から５００ｎｍの反射率を測定した。
　結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、試料Ｎｏ．１、２に比べて試料Ｎｏ．３～８の反射率は９１．３％以上と高かった。この結果から、シリコーン樹脂層において、複数のフィラーを４５質量％以上含有しており、フィラーの全個数１００％のうち、アスペクト比が５より大きい第１フィラーが５％以上占める回路基板ならば、高い反射率を有することがわかった。
　また、試料Ｎｏ．３～８の中でも、試料Ｎｏ．３～７の反射率は９２．４％以上と高かった。この結果から、シリコーン樹脂層において、フィラーの含有量が８０質量％以下である回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　また、試料Ｎｏ．３～７の中でも、試料Ｎｏ．３～６の反射率は９３．０％以上と高かった。この結果から、第１フィラーが、フィラーの全個数の４０％以下である回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　次に、シリコーン樹脂層における第２フィラーの個数比率を異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行なった。
　なお、各試料の作製方法としては、フィラーの全個数１００％のうち、二酸化チタンからなる第２フィラーが表２の値になるように、フィラー粉末を調整したこと以外は実施例１の試料Ｎо．４の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．９は、実施例１の試料Ｎｏ．４と同じである。
　そして、得られた各試料の反射率を、実施例１と同じ方法で評価した。
　結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示すように、試料Ｎｏ．９、１３に比べて試料Ｎｏ．１０～１２の反射率は９５．０％以上と高かった。この結果から、フィラーの全個数１００％のうち、二酸化チタンからなる第２フィラーが４０％以上５５％以下占める回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　次に、シリコーン樹脂層における第２フィラーの円相当径の平均値を異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行なった。
　なお、各試料の作製方法としては、表３の円相当径の平均値となる第２フィラーを用いたこと以外は実施例２の試料Ｎо．１１の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．１８は、実施例２の試料Ｎｏ．１１と同じである。
　そして、得られた各試料の反射率を、実施例１と同じ方法で評価した。
　結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３に示すように、試料Ｎｏ．１８に比べて試料Ｎｏ．１４～１７の反射率は９６．１％以上と高かった。また、試料Ｎｏ．１４と試料Ｎｏ．１５とは同じ反射率であった。この結果から、第２フィラーの円相当径の平均値が、０．５μｍ以上３μｍ以下である回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　次に、シリコーン樹脂層における第３フィラーの個数比率を異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行なった。
　なお、各試料の作製方法としては、フィラーの全個数１００％のうち、第１フィラーが８％、第２フィラーが４７％、アスペクト比が５以下であり、チタン酸バリウムからなる第３フィラーが表４に示す値、残部が二酸化珪素からなるフィラーとなるように調整したこと以外は実施例３の試料Ｎо．１７の作製方法と同様とした。なお、第３フィラーには、円相当径の平均値が２．６μｍであるものを用いた。また、試料Ｎｏ．１９は、実施例３の試料Ｎｏ．１７と同じである。
　そして、得られた各試料の反射率を、実施例１と同じ方法で評価した。
　結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　表４に示すように、試料Ｎｏ．１９、２０に比べて試料Ｎｏ．２１～２４の反射率は９６．８％以上と高かった。また、試料Ｎｏ．２３と試料Ｎｏ．２４とは同じ反射率であった。この結果から、フィラーの全個数１００％のうち、チタン酸バリウムからなる第３フィラーが５％以上１０％以下占める回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　次に、シリコーン樹脂層における第３フィラーの円相当径の平均値を異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行なった。
　なお、各試料の作製方法としては、表５の円相当径の平均値となる第３フィラーを用いたこと以外は実施例４の試料Ｎо．２１の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．２５は、実施例４の試料Ｎｏ．２１と同じである。
　そして、得られた各試料の反射率を、実施例１と同じ方法で評価した。
　結果を表５に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表５に示すように、試料Ｎｏ．２５、２９に比べて試料Ｎｏ．２６～２８の反射率は９７．３％以上と高かった。この結果から、第３フィラーの円相当径の平均値が、０．３μｍ以上２μｍ以下である回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　次に、シリコーン樹脂層および反射層の表面の高さ関係を異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行った。
　なお、各試料の作製方法としては、反射層の表面の高さから、シリコーン樹脂層の表面の高さを引いた値が表６の値になるように、バフ研磨を行なったこと以外は実施例２の試料Ｎо．１１の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．３０は、実施例２の試料Ｎｏ．１１と同じである。
　そして、得られた各試料の反射率を、実施例１と同じ方法で評価した。
　結果を表６に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　表６に示すように、試料Ｎｏ．３０、３１に比べて試料Ｎｏ．３２、３３の反射率は９６．１％以上と高かった。この結果から、シリコーン樹脂層の表面の高さが、反射層の表面の高さよりも５μｍ以上低い回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　次に、シリコーン樹脂層および反射層の表面における算術平均粗さＲａを異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行なった。
　なお、各試料の作製方法としては、シリコーン樹脂層の表面における算術平均粗さＲａ１および反射層の表面における算術平均粗さＲａ２が表７の値になるように、バフ研磨を行なったこと以外は実施例６の試料Ｎо．３３の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．３４は、実施例６の試料Ｎｏ．３３と同じである。
　そして、得られた各試料の反射率を、実施例１と同じ方法で評価した。
　結果を表７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表７に示すように、試料Ｎｏ．３４に比べて試料Ｎｏ．３５の反射率は９６．５％と高かった。この結果から、シリコーン樹脂層の表面における算術平均粗さＲａ１が、反射層の表面における算術平均粗さＲａ２よりも大きい回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　次に、シリコーン樹脂層における、円相当径が５μｍ以下である金属粒子の個数を異ならせた試料を作製し、反射率の測定を行なった。
　なお、各試料の作製方法としては、銅から構成される、円相当径が５μｍ以下の金属粒子の添加量を異ならせた２種類の樹脂層用ペーストを準備し、１ｍｍ2の面積の範囲における金属粒子の個数が表８の値となるように、樹脂層用ペーストの印刷を行なったこと以外は実施例７の試料Ｎо．３５の作製方法と同様とした。なお、試料Ｎｏ．３６は、実施例７の試料Ｎｏ．３５と同じである。
　そして、得られた各試料の反射率を、実施例１と同じ方法で評価した。
　結果を表８に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表８に示すように、試料Ｎｏ．３６、３７に比べて試料Ｎｏ．３８～４１の反射率は９７．０％以上と高かった。この結果から、金属粒子の個数が、シリコーン樹脂層の内部より表面の方が多い回路基板ならば、さらに高い反射率を有することがわかった。
　また、試料Ｎｏ．３８～４１の中でも、試料Ｎｏ．３９、４０の反射率は９７．３％以上と高かった。この結果から、表面の１ｍｍ2の面積の範囲における金属粒子の個数が２個以上５個以下である回路基板ならば、より一層高い反射率を有することがわかった。
　１：基板
　２、２ａ、２ｂ：導体層
　３、３ａ、３ｂ：反射層
　４：シリコーン樹脂層
　５：発光素子
　６：ボンディングワイヤ
　１０：回路基板
　２０：発光装置

Claims (13)

  1. 　基板と、
    　該基板上に位置する導体層と、
    　該導体層上に位置する反射層と、
    　前記基板上に位置するとともに、前記導体層および前記反射層に接して位置するシリコーン樹脂層と、を備え、
    　前記シリコーン樹脂層は、複数のフィラーを４５質量％以上含有しており、前記フィラーの全個数１００％のうち、アスペクト比が５より大きい第１フィラーが５％以上占める回路基板。
  2. 　前記第１フィラーは、二酸化珪素またはチタン酸カリウムからなる請求項１に記載の回路基板。
  3. 　前記シリコーン樹脂層は、前記フィラーを８０質量％以下含有している請求項１または請求項２に記載の回路基板。
  4. 　前記第１フィラーは、前記フィラーの全個数の４０％以下である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の回路基板。
  5. 　前記フィラーの全個数１００％のうち、二酸化チタンからなる第２フィラーが４０％以上５５％以下占める請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の回路基板。
  6. 　前記第２フィラーの円相当径の平均値は、０．５μｍ以上３μｍ以下である請求項５に記載の回路基板。
  7. 　前記フィラーの全個数１００％のうち、チタン酸バリウムからなる第３フィラーが５％以上１０％以下占める請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の回路基板。
  8. 　前記第３フィラーの円相当径の平均値は、０．３μｍ以上２μｍ以下である請求項７に記載の回路基板。
  9. 　前記シリコーン樹脂層の表面の高さは、前記反射層の表面の高さよりも５μｍ以上低い請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の回路基板。
  10. 　前記シリコーン樹脂層の表面における粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａ１は、前記反射層の表面における粗さ曲線から求められる算術平均粗さＲａ２よりも大きい請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の回路基板。
  11. 　前記シリコーン樹脂層は、円相当径が５μｍ以下である金属粒子を含有し、該金属粒子の個数は、前記シリコーン樹脂層の内部より表面の方が多い請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の回路基板。
  12. 　前記表面の１ｍｍ2の面積の範囲における前記金属粒子の個数が２個以上５個以下である請求項１１に記載の回路基板。
  13. 　請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載の回路基板と、該回路基板上に位置する発光素子とを備える発光装置。
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