+

WO2019066013A1 - ヘテロ元素含有グラフェン - Google Patents

ヘテロ元素含有グラフェン Download PDF

Info

Publication number
WO2019066013A1
WO2019066013A1 PCT/JP2018/036399 JP2018036399W WO2019066013A1 WO 2019066013 A1 WO2019066013 A1 WO 2019066013A1 JP 2018036399 W JP2018036399 W JP 2018036399W WO 2019066013 A1 WO2019066013 A1 WO 2019066013A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
containing graphene
heteroelement
nitrogen
graphene
hetero
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/036399
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
永宏 齋藤
Original Assignee
国立研究開発法人科学技術振興機構
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 国立研究開発法人科学技術振興機構 filed Critical 国立研究開発法人科学技術振興機構
Priority to US16/650,964 priority Critical patent/US20200346933A1/en
Priority to JP2019545161A priority patent/JP7036448B2/ja
Priority to EP18860508.3A priority patent/EP3689819A4/en
Priority to CN201880062815.9A priority patent/CN111148719B/zh
Priority to KR1020207011964A priority patent/KR102405114B1/ko
Publication of WO2019066013A1 publication Critical patent/WO2019066013A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/14—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions the crystallising materials being formed by chemical reactions in the solution
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04—Specific amount of layers or specific thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20—Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/22—Electronic properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C01P2002/52—Solid solutions containing elements as dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/74—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by peak-intensities or a ratio thereof only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/77—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/78—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by stacking-plane distances or stacking sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/82—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by IR- or Raman-data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/61—Micrometer sized, i.e. from 1-100 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80—Compositional purity
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Definitions

  • the present invention relates to a heteroelement-containing graphene which is a heteroelement-containing graphene and which exhibits a flat shape and exhibits properties as a transparent P-type semiconductor.
  • heteroelement-containing graphene in which a different element other than carbon is introduced into the carbon six-membered ring structure of graphene.
  • this heteroelement-containing graphene for example, when a different element such as nitrogen is introduced into the valley portion of the zigzag edge of graphene, the different element physically and chemically acts on the adjacent carbon atom. As a result, it is known that the adjacent carbon atom exhibits oxygen reduction characteristics. From this, utilization of the heteroelement-containing graphene as a catalyst material has been studied (see, for example, Patent Documents 1 to 3).
  • Patent Document 1 discloses a support for an electrode catalyst in which nitrogen-containing graphite is formed on the surface of a carbon support.
  • the nitrogen-containing graphite of Patent Document 1 is formed on the surface of a carbon support having a ⁇ electron supply property.
  • Patent Document 1 also discloses that the crystallinity of nitrogen-containing graphite is evaluated by an ID / IG value based on a Raman spectrum, and the ID / IG value can be 0.8 to 1.2.
  • Patent Document 2 discloses that it is possible to synthesize heteroatom-containing graphene containing a heteroatom such as nitrogen by solvothermal reaction.
  • the example of Patent Document 2 describes that the heteroatom-containing graphene is doped with a nitrogen atom at a rate of 14.8 atomic%.
  • Patent Document 2 does not disclose the crystallinity of the hetero atom-containing graphene at all.
  • Patent Document 3 discloses graphitic carbon nitride (g-C 3 N 4 ) having a stoichiometric ratio.
  • Graphitic carbon nitride disclosed in Patent Document 3 has a melon ((C 6 N 9 H 3 ) X) having a triangular crystal structure in which three six-membered rings consisting of nitrogen and carbon share a C—N bond with each other. Have a polymerized structure at the top nitrogen atom.
  • Patent Document 4 a method for producing a hetero atom-containing carbon catalyst containing a large amount of nitrogen of 10 atomic% or more as a foreign element. According to these techniques, carrier-free heteroatom-containing graphene can be produced.
  • Patent Document 5 shows that a carbon catalyst having an oxidation-reduction ability is formed on an electrode.
  • the doping position of the heteroatom to the graphene sheet tends to be biased to the sheet edge (edge). And even if doping can be made inside (in-plane) of the graphene sheet, as the amount of nitrogen to be doped increases, the bond angle of carbon and hetero atom is disordered, and the flatness of the graphene sheet is maintained.
  • the graphene sheet doped with nitrogen atoms does not return to a planar shape while being curved at the atomic level, and a crystallographically good nitrogen-containing carbon catalyst with good crystallinity has not been obtained.
  • An object of the present invention is to provide a transparent, highly crystalline heteroelement-containing graphene that can maintain the flatness of a graphene sheet even if the amount of nitrogen to be doped increases, in view of the above problems.
  • Crystalline graphite and graphene belong to a hexagonal system and can have a flat crystal structure composed of a six-membered ring structure.
  • a heteroelement-containing graphene in which a heteroelement is introduced into graphene can cause distortion in the crystal structure at a bonding site between carbon and the heteroelement.
  • the heteroelement-containing graphene has a sheet-like form in appearance, the symmetry of its crystal structure may be reduced or it may be amorphous rather than crystalline.
  • the conventional heteroelement-containing graphene did not show long-range order in the crystal structure. This tendency becomes more remarkable as the amount of introduction of the hetero element increases.
  • heteroelement-containing graphene As a result, in the conventional heteroelement-containing graphene, for example, a spot having single crystal symmetry was not observed in limited field electron diffraction. On the other hand, in the heteroelement-containing graphene disclosed herein, for example, a spot having the symmetry of a single crystal belonging to any of a rectangular parallelepiped system and a hexagonal system is observed in limited field electron diffraction. In other words, the present inventors succeeded for the first time in creating a heteroelement-containing graphene (hereinafter, may be simply referred to as “high-crystalline heteroelement-containing graphene”) having crystallographically high crystallinity. This provides highly crystalline heteroelement-containing graphene.
  • heteroelement-containing graphene in which the flatness of the graphene sheet is maintained can not be obtained.
  • the present inventors manufactured heteroelement-containing graphene using a specific manufacturing method, and it is possible to manufacture heteroelement-containing graphene in which nitrogen having a valence electron number 4 (cationic nitrogen) is doped on the basal plane.
  • the present invention has been accomplished by finding that the heteroelement-containing graphene thus produced has crystallographically high crystallinity, is transparent, and has flatness. That is, the present inventors succeeded for the first time in creating a heteroelement-containing graphene (hereinafter, may be simply referred to as a “high-crystalline heteroelement-containing graphene”) having crystallographically high crystallinity.
  • the present invention is as shown, for example, in the following (1) to (13).
  • (1) In the limited field electron diffraction, a spot belonging to either a rectangular solid system or a hexagonal system and having a single crystal symmetry is observed, At least one selected from the group consisting of carbon (C) and heteroelement (X) nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), sulfur (S), boron (B), and silicon (Si) Heteroelement-containing graphene containing one kind of element.
  • the hetero element (X) is more preferably at least one element selected from N and B.
  • the spot is an electron diffraction image belonging to the cuboid system and having an incident direction of [101], and the reciprocal lattice points 11-1, -111, -202, 1-1-1, and 20-
  • the hetero element-containing graphene according to (1) which is characterized in that it contains the arrangement of 2 and -1-11.
  • the ratio (I (101) / I (002)) of the diffraction peak intensity I (101) from the (101) plane to the diffraction peak intensity I (002) from the (002) plane is 0
  • the atomic ratio (X / C) of carbon (C) to hetero element (X) calculated based on X-ray photoelectron spectroscopy is 0.1 or more, (1) The heteroelement-containing graphene according to any one of (5) to (5).
  • the doped chemical bonding state of nitrogen to the basal plane can indicate the possibility of cationic nitrogen, and the carrier type is determined to be p-type by Hall effect measurement
  • the hetero element-containing graphene according to any one of (1) to (6), which is characterized in that (8) In Raman spectroscopy with an excitation wavelength of 532 nm, the ratio of the intensity I (D) of the D band seen around 1350 cm -1 to the intensity I (G) of the G band appearing around 1580 cm -1 (I (D) / I (G)) is 1 or less, and the half bandwidth of the G band is 50 cm ⁇ 1 or less,
  • the hetero according to any one of (1) to (7) Element-containing graphene.
  • the ratio (I (2D) / I (G)) of the intensity I (2D) of the 2D band seen around 2700 cm -1 to the intensity I (G) of the G band in the Raman spectroscopic analysis is The hetero element-containing graphene according to any one of (1) to (8), which is characterized by being 0.5 or more.
  • a five-membered hetero ring member composed of at least one hetero element (X) selected from the group consisting of and carbon (C) is dissolved in a polar aprotic solvent to prepare a raw material-containing liquid
  • the hetero 5-membered ring compound is polymerized to obtain a heteroelement-containing graphene.
  • the heteroelement-containing graphene comprises carbon (C) and nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), sulfur (S), boron (B), and silicon (Si) as heteroelements (X). And at least one element selected from the group consisting of Then, in the limited field electron diffraction, a spot belonging to any one of a cuboid system and a hexagonal system and having the symmetry of a single crystal is observed.
  • the spot belongs to the rectangular parallelepiped system, and in the electron diffraction image in which the incident direction is [101], reciprocal lattice points 11-1, -111,- It is characterized in that it contains the sequences of 202, 1-1-1, 20-2 and 1-11.
  • the heteroelement-containing graphene having the above structure is preferable because it can stably maintain high crystallinity by having a rectangular crystal structure which is slightly deformed from the hexagonal graphene structure.
  • the carbon (C) and the at least one heteroelement (X) are contained, and in X-ray diffraction (XRD) ( It is characterized in that the half value width of the diffraction peak from the (002) plane is 3 degrees or less.
  • half-width means full width at half maximum (FWHM).
  • the half width can be measured in accordance with JIS R7651: 2007 and JIS K0131: 1996. More specifically, for example, as shown in FIG. 5, the half width forms a baseline for a given peak of the spectrum, and is half the height (h) of the peak from the baseline. It can be obtained by measuring the width of the peak at (1/2 * h).
  • diffraction peak intensities I from the (002) plane I (002) and diffraction peaks from the (101) plane I X-ray diffraction (XRD) It is characterized in that the ratio (I (002) / I (101)) to 101) is 0.1 or more.
  • Heteroelement-containing graphene can also specify its high crystallinity by the XRD characteristics as described above.
  • conventional heteroelement-containing graphene showed a broad halo pattern by XRD.
  • a peak showing crystallinity is clearly observed in XRD. This makes it possible to clearly distinguish between the heteroelement-containing graphene provided by the technology disclosed herein and the low-crystallinity heteroelement-containing graphene that is frequently seen in the past.
  • the interplanar spacing of (002) planes calculated by the above-mentioned X-ray diffraction analysis is 3.5 ⁇ or less.
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the doped chemical bonding state to the basal plane of nitrogen is cationic nitrogen, and from the Hall effect measurement, its carrier type is A heteroelement-containing graphene that can be determined to be p-type is provided.
  • the high crystallinity of the heteroelement-containing graphene disclosed herein can be confirmed by other indicators.
  • the carbon (C) and the at least one heteroelement (X) are included, and 1350 cm ⁇ in Raman spectroscopy with an excitation wavelength of 532 nm.
  • the ratio (I (D) / I (G)) of the intensity I (D) of the D band found around 1 to the intensity I (G) of the G band appearing around 1580 cm ⁇ 1 is 1 or less, and And the half band width of the G band is 50 cm -1 or less.
  • the high crystallinity of the heteroelement-containing graphene can also be identified by the Raman characteristics as described above.
  • the peak of the D band in the Raman spectrum is originally rounded and does not appear as a sharp peak (in other words, a non-broad peak).
  • the full width at half maximum of the peak showing the G band in the Raman spectrum is small.
  • the peak of this G band may have a higher peak intensity than the peak showing the D band. This also confirms the high crystallinity of the heteroelement-containing graphene disclosed herein.
  • the ratio of the above Raman spectrum, the intensity of the 2D band observed around 2700 cm -1 I (2D), the intensity I (G) of the G band ( I (2D) / I (G)) is 0.5 or more.
  • the 2D band is a spectrum derived from defects in the crystal structure, it does not appear in the Raman spectrum of amorphous or poorly crystalline heteroelement-containing graphene. This also makes it possible to provide a highly crystalline heteroelement-containing graphene that has never been available.
  • the half width of the 2D band observed around 2700 cm -1 is 80 cm -1 or less. Sharpness of the peak appearing in the Raman spectrum can be evaluated by the fact that its half width is small. Therefore, the above structure can provide a heteroelement-containing graphene with higher crystallinity.
  • the substrate supporting the heteroelement-containing graphene is not included. That is, even when a heteroelement is introduced into graphene in the absence of a flat support substrate, the heteroelement-containing graphene disclosed herein can maintain its flat crystal structure.
  • the heteroelement-containing graphene as various functional materials, it is possible to suppress the reduction in the function by the base material, the reduction in the efficiency, and the like.
  • the effect such as the catalytic activity per unit weight is preferably increased.
  • the atom of carbon (C) is chemically bonded to the atom of heteroelement (X), and the atom of carbon (C) is mainly sp 2
  • the graphene sheet includes a graphene sheet formed by bonding, and the graphene sheet is characterized by having a single-layer structure formed of one layer or a stacked structure of two or more and five or less layers. This is preferable because it provides heteroelement-containing graphene having excellent electrical, mechanical and thermal properties due to the unique two-dimensional structure of the homographene sheet.
  • a powder having an average particle diameter of 1 nm or more and 10 ⁇ m or less is used.
  • a powder having an average particle diameter of 1 nm to 10 ⁇ m is preferable, for example, to provide a powder material for various uses or a heteroelement-containing graphene in a form that is easily prepared and used as a paste or the like.
  • the technology disclosed herein provides a method of producing heteroelement-containing graphene.
  • This manufacturing method is characterized by including the following steps. (1) A hetero 5-membered ring compound having a 5-membered ring structure at least in part and the 5-membered ring being constituted of the at least one hetero element (X) and carbon (C) as a polar compound Dissolving in a non-protonic solvent to prepare a raw material-containing liquid (2) Generating the hetero five-membered ring compound by generating plasma in the raw material-containing liquid to obtain a heteroelement-containing graphene.
  • the heteroelement-containing graphene of the present invention can maintain the flatness of the graphene sheet and has high crystallinity, even if the amount of nitrogen to be doped is large. Therefore, the heteroelement-containing graphene of the present invention is expected to exhibit good semiconductor characteristics and catalytic characteristics.
  • the method of producing a hetero element-containing graphene of the present invention can efficiently produce the hetero element-containing graphene.
  • FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of a submerged plasma generator.
  • FIG. 2 shows TEM images of powders (a) to (d) and a selected area electron diffraction pattern.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating X-ray diffraction patterns of powders (a) to (d).
  • FIG. 4A is a view illustrating the results of XPS analysis by wide scan of powders (a) to (d).
  • FIG. 4B is a view illustrating an XPS analysis result by narrow scan of powders (a) and (b).
  • FIG. 5 is a diagram illustrating Raman spectra of powders (a) to (d).
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the results of crystal structure analysis simulation of powder (a).
  • FIG. 7 (a) to 7 (c) are diagrams for explaining the method of calculating the flattening of the crystal structure of the powder (a).
  • FIG. 8 is a view showing the relationship between Hall effect measurement (semiconductor characteristics): Hall mobility and temperature dependency.
  • FIG. 9 is a view showing the relationship between the Hall effect measurement (semiconductor characteristics): carrier concentration and temperature dependency.
  • FIG. 10 is a view showing the relationship between Hall effect measurement (semiconductor characteristics): resistance value and temperature dependency.
  • FIG. 11 is a diagram showing the transparency of a thin film containing nitrogen-containing graphene powder (a).
  • hetero element-containing graphene of the present invention will be described. Note that matters (for example, various analyzes) other than matters particularly mentioned in the present specification (configuration of the hetero element-containing graphene) and which are necessary for the practice of the present invention can be determined by those skilled in the art.
  • the present invention can be implemented by grasping the contents based on the contents disclosed in the specification and the drawings and technical common sense in the relevant field. Note that the notation “M to N” indicating the numerical range in the present specification means M or more and N or less.
  • the heteroelement-containing graphene disclosed herein comprises carbon (C) and, as heteroelements, nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), sulfur (S), boron (B) and silicon (Si) And at least one element (X) selected from the group consisting of As described later, the heteroelement-containing graphene generally has a graphene sheet as a main structure. The hetero element chemically bonds with carbon to constitute the graphene sheet. Based on this, the heteroelement-containing graphene disclosed herein is characterized as having crystallinity, and in particular, exhibiting unprecedented high crystallinity.
  • the hetero element of graphene characterized in this way is preferably selected from the group consisting of nitrogen (N) and boron (B).
  • the heteroelement-containing graphene of the present invention is a heterostructure in place of carbon atoms in a sheet-like graphene structure (carbon six-membered ring structure) composed mainly of carbon atoms.
  • the element is introduced, and it does not have a structure in which heterographene is disposed at the edge.
  • a white circle shows carbon
  • a black circle shows a hetero element.
  • Carbon atoms constitute a graphene sheet mainly by sp 2 bonding.
  • the position of the hetero element is not an edge, as shown in Formula 1, but is strictly located, but not limited to, within the planar structure of graphene.
  • the position of the hetero element can be changed depending on the raw material used to produce heterographene and the production method.
  • the position of nitrogen atoms affects the crystallinity, transparency and flatness of heterographene.
  • the heteroelement in view of the raw materials for the preparation, the production process, and the high crystallinity of the product, the heteroelement is not a structure intensively arranged at the edge, but among the six-membered carbon ring It is considered to be included in two opposing positions (para position).
  • the hetero element when the hetero element is nitrogen, it becomes exemplified in the following chemical structural formula 2.
  • anionic boron be introduced.
  • these heterographenes have a planar structure because the electronic configuration similar to that of the sp2 structure is realized also in a hetero atom, as in the carbon atoms that constitute the graphene. Furthermore, when the heteroatom is nitrogen, nitrogen has a valence electron number of 4 and participates in the nitrogen-carbon bond, so nitrogen becomes a positive ion. As described later, the nitrogen-containing heterographene of the present invention becomes a semiconductor by the movement of holes, that is, a so-called P-type semiconductor.
  • graphene sheet is not strictly limited to sheet-like graphene consisting only of carbon atoms, and is substituted for carbon atoms of the graphene sheet to substitute the hetero element. It includes those of the aspect in which it is included.
  • the "graphene sheet” referred to for the hetero element-containing graphene (high crystalline hetero element-containing graphene) disclosed herein may be of an aspect containing a hetero element.
  • the “heteroelement-containing graphene” in the present specification may be configured of one graphene sheet, or two, three, four, five or more graphene sheets may be used. It may be laminated and configured.
  • graphene sheets with different numbers of layers may be mixed.
  • the average number of layers of the graphene sheet is preferably about 5 or less from the viewpoint of obtaining a highly crystalline heteroelement-containing graphene in which the properties attributed to the unique two-dimensional structure of the graphene sheet are more strongly reflected. For example, four or less, three or less, two or less, or one may be used.
  • the heterographene of the present invention can be produced by a reaction using a plasma described later.
  • the number of layers can be adjusted by changing the conditions of the plasma. That is, when the energy amount per unit time is increased, the average total number of graphene sheets can be increased, and when the energy amount per unit time is decreased, the average total number of graphene sheets can be reduced. can do.
  • the flatness of the graphene sheets is impaired. For example, even if it is a homographene sheet which consists only of carbon atoms, it is known that it is difficult to maintain the flatness of a sheet alone.
  • the hetero element is introduced in small amounts (for example, about several atomic percent) instead of carbon atoms of the graphene sheet, the flatness of the graphene sheet is further impaired. For example, even with heteroelement-containing graphene in which nitrogen is introduced at a few atomic% or less, good crystallinity is not obtained. As a result, for example, the conventional graphene sheet is curved or the crystal lattice is deformed.
  • the heteroelement is introduced into the graphene sheet while maintaining high crystallinity.
  • the introduction amount thereof is not strictly limited, the hetero element is, for example, a ratio of 0.1 or more, that is, 10 atomic% or more in atomic ratio (X / C) of hetero element (X) to carbon (C) It may be introduced, preferably 12 atomic% or more, more preferably 13 atomic% or more, and still more preferably 15 atomic% or more.
  • the heteroelement-containing graphene of the present invention has higher crystallinity than the conventional heteroelement-containing graphene although there is a large amount of introduced heteroelement.
  • the heteroelement-containing graphene disclosed herein can be said to be a completely new material which has not been known conventionally.
  • the upper limit of the introduction amount of the hetero element is not particularly limited. Nitrogen atoms are present ionically in a state in which the planar structure of graphene is maintained, and become carriers of hole conduction. Therefore, if many can be introduced, the carrier density can be increased.
  • the introduction amount of the hetero element is approximately 30 atomic% The following may be mentioned as preferable examples.
  • the introduction amount of each hetero element to a carbon atom can be calculated based on, for example, an X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) method. For example, it can be suitably calculated according to the method of the embodiment described later.
  • the amount of nitrogen introduced can be adjusted by the nitrogen content ratio of the raw material molecules, the reaction temperature, the reaction time, and the discharge voltage. In order to increase the nitrogen content ratio, the introduction amount of nitrogen may be increased, but raising the reaction temperature, increasing the discharge voltage, or prolonging the reaction time leads to a decrease in the introduction amount of nitrogen.
  • coronene which is a kind of polycyclic aromatic hydrocarbon and has a structure in which six benzene rings are cyclically connected, is a plane molecule.
  • the chemical formula of coronene is C 24 H 12 , and it can not be said that the crystal structure has long-range order. Therefore, when distinction from hydrocarbons such as coronene is required, the carbon number of the highly crystalline heteroelement-containing graphene disclosed herein can be defined as, for example, 30 or more, and 50 or more is appropriate. 100 or more is preferable, 500 or more is more preferable, and 1000 or more is particularly preferable. The carbon number of graphene can be adjusted by controlling the manufacturing conditions using plasma described later.
  • the number of carbon atoms can be increased while maintaining the crystal structure having long-range order. Furthermore, it is preferable that graphene can be produced in a state in which a uniform reaction phase is secured.
  • high crystallinity refers to that the crystal structure has long-range order.
  • the long-range order refers to a two-dimensional crystal.
  • the long-range order of the heterographene of the present invention is relatively high in the long-range order of the crystal structure as compared to the conventional material of the same composition. Whether or not the optional material has high crystallinity can be determined as appropriate, for example, by using any one or more of the following analysis methods. Hereinafter, determination of high crystallinity of the heteroelement-containing graphene by each method will be described.
  • Electron diffraction pattern Crystallographic information of various materials can be obtained by using electron diffraction be able to. For example, whether the material is single crystal, polycrystalline or amorphous can be determined by confirming the electron diffraction pattern. Here, with the exception of special materials, many materials are polycrystalline. In addition, even if the material is close to a single crystal, if there is a precipitate phase, domain structure, or disorder in the crystal structure in the material, the electron diffraction pattern has a complex spot arrangement or an excessive spot arrangement. It can appear.
  • the highly crystalline heteroelement-containing graphene disclosed herein belongs to any one of a rectangular solid system and a hexagonal system in a limited field of view electron diffraction pattern, and exhibits a spot with single crystal symmetry. It can be grasped as
  • the heteroelement-containing graphene may belong to the same hexagonal system as the homographene consisting only of carbon, or may belong to a crystal system in which the crystal lattice is deformed from the hexagonal system by the introduction of the heteroelement.
  • One such crystal system is a cuboid system.
  • the amount of deformation of the unit cell increases as the introduction amount of the hetero element increases.
  • the highly crystalline heteroelement-containing graphene typically belongs to the rectangular parallelepiped system.
  • the electron diffraction pattern of the single crystal material an arrangement of diffraction spots in accordance with the symmetry of the single crystal is obtained.
  • the heteroelement-containing graphene is the above-described rectangular parallelepiped system as an example
  • the incident direction is the [101] orientation
  • an electron diffraction pattern characteristic of this crystal structure is obtained.
  • the electron diffraction patterns thereof have reverse lattice points 11-1, -111, -202, 1-1-1, 20-2, and 1-11.
  • the electron diffraction pattern of the polycrystalline material is a superposition of electron diffraction patterns obtained from a plurality of single crystals. Therefore, the electron diffraction pattern of the single crystal material can be obtained only according to the symmetry of one crystal.
  • the electron diffraction pattern of the single crystal material may, for example, include distinct spots without overlap. In polycrystals, concentric rings are obtained. In the amorphous state, a broad annular electron diffraction pattern is obtained.
  • the heteroelement-containing graphene of the present invention preferably includes the spot arrangement of the above-mentioned reciprocal lattice points in an electron diffraction pattern when the incident direction is the [101] direction, for example. Furthermore, it is more preferable that the above-mentioned spot arrangement of the reciprocal lattice points is included, and the other spot arrangement showing the crystalline order is not included.
  • the unit cell of the highly crystalline heteroelement-containing graphene of the present invention may be in such a form that the unit cell of graphene is slightly deformed.
  • the degree of deformation of the unit cell may be, for example, within a few percent (eg, within 3%).
  • the unit cell of such highly crystalline heteroelement-containing graphene can have, for example, the following lattice conditions.
  • XRD Method The evaluation of crystallinity by the XRD method is widely performed conventionally. In general, it is known that the smaller the half width of the XRD peak attributed to the crystalline compound is, the higher the crystallinity of the compound is among the XRD patterns obtained by powder XRD analysis. Therefore, the half width is preferably small from the viewpoint of high crystallinity.
  • the full width at half maximum of the XRD peak attributed to the compound is generally a conventionally known nitrogen, sulfur, It is smaller than the half value width of the said XRD peak obtained about heteroelements containing graphene, such as oxygen and boron.
  • the half-width of the XRD peak from the (002) plane attributed to the carbon six-membered ring structure is 3 degrees (°) or less Is preferably 2.8 degrees or less, more preferably 2.6 degrees or less, for example 2.5 degrees or less.
  • the half width may be sufficiently small, such as 1 degree or less, for example, 0.5 degree or less.
  • the crystalline carbon materials include graphite and diamond in which crystallinity is developed. However, many carbon materials have low crystallinity such as amorphous carbon and amorphous carbon.
  • the hetero element containing graphene of this invention when the half value width of the XRD peak from a (002) plane is 3 degrees or less, it can be judged that it is a thing provided with relatively high crystallinity relatively.
  • the ratio (I (101) / (Dif) of the diffraction peak intensity I (101) from the (101) plane to the diffraction peak intensity I (002) from the (002) It is preferable that I (002) is 0.1 or more.
  • the peak intensity ratio (I (101) / I (002)) easily realizes 0.1 or more.
  • the highly crystalline heteroelement-containing graphene of the present invention has a low stacking order in the crystal structure because the number of graphene sheets is small. Therefore, strictly, the peak corresponding to the hkl diffraction line seen in the XRD pattern of natural graphite can not be seen, and only the 001 diffraction line and the hk diffraction line can be observed. In such a case, in the present specification, the above-mentioned "(101) plane” can be replaced and read as "(10) plane".
  • an intrinsically inactive band appears as peaks called D band and D 'band near 1350 cm -1 and 1620 cm -1 respectively.
  • the introduction of the hetero element into the graphene structure may cause disorder in the graphite structure.
  • a D band, a D ′ band, and the like may appear, and these peaks including the G band may be broad.
  • the half bandwidth of the G band is small from the viewpoint of high crystallinity.
  • the half bandwidth of the G band is generally smaller than the G band of the Raman shift obtained for the conventional heteroelement-containing graphene.
  • the half-width of the peak attributed to the G band may be 50 cm -1 or less (eg, less than 50 cm -1 ).
  • Half-value width of the peak attributed to the G band, and more preferably 45cm -1 or less, 40 cm -1 more preferably less may be for example 35 cm -1 or less.
  • a peak derived from a 2D band said to be related to the number of layers of the graphene sheet is observed around 2700 cm -1 (double overtone of D band) May be
  • the peak of the 2D band is sharp for mono-graphene, it is said to be broadened as the number of layers of the graphene sheet is increased, and the graphene sheet of five or more layers is said to substantially match the spectrum of bulk HOPG.
  • the 2D band of monographene exhibits higher intensity than the G band, it is said that the intensity of the G band with respect to the 2D band becomes stronger as the number of layers increases to about five.
  • the intensity of the 2D band observed around 2700 cm -1 I (2D) is usually 0.5 or more, and the ratio (I (2D) / I (G)) is preferably 0.6 or more, more preferably 0.7 or more, and 0.8 or more. Particularly preferred.
  • the number of layers of the graphene sheet in the highly crystalline heteroelement-containing graphene can be relatively reduced.
  • the upper limit of I (2D) / I (G) is not particularly limited, but the ratio (I (2D) / I (G)) can be approximately 5 or less, for example, 1 or less (eg, less than 1) ) Can also be.
  • the half width of the 2D band of the Raman spectrum is also narrow.
  • the full width at half maximum of the peak attributed to the 2D band is usually 80 cm -1 or less (eg less than 80 cm -1 ), more preferably 75 cm -1 or less, still more preferably 70 cm -1 or less, eg 65 cm -1 or less May be there.
  • the specific shape of the highly crystalline heteroelement-containing graphene of the present invention is not particularly limited, for example, it is provided as a powder having an average particle diameter of 1 nm or more and 10 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the highly crystalline heteroelement-containing graphene may be 5 nm or more, may be 10 nm or more, and may be 100 nm or more.
  • the average particle size of the highly crystalline heteroelement-containing graphene may be 5 ⁇ m or less, 3 ⁇ m or less, or 1 ⁇ m or less. From the viewpoint that the hetero-containing graphene of the present invention is a two-dimensional crystal, the average particle size is preferably larger.
  • the average particle size can be adjusted by controlling the production conditions using plasma described later. The particle size does not increase when the reaction temperature is low. From the viewpoint of particle size, the smaller the energy per unit time of plasma, the better.
  • the highly crystalline heteroelement-containing graphene does not include a base material supporting itself.
  • This provides a lightweight material excellent in functionality per unit weight (e.g., semiconductor characteristics, catalytic activity, etc.).
  • the highly crystalline heteroelement-containing graphene can be suitably produced by the following procedure.
  • a hetero five-membered ring compound having a five-membered ring structure at least in part and having a five-membered ring composed of a hetero element (X) and carbon (C) is prepared as a raw material compound.
  • the hetero element is at least one selected from the group consisting of nitrogen (N), phosphorus (P), arsenic (As), sulfur (S) and boron (B).
  • N nitrogen
  • P phosphorus
  • the prepared raw material compound is dissolved in a polar aprotic solvent to prepare a raw material-containing liquid.
  • the hetero 5-membered ring compound is ring-opened and polymerized.
  • a combination of a raw material compound and a polar aprotic solvent is preferable. If the combination is not preferable, less crystalline heteroelement-containing graphene is synthesized as in the prior art. In addition, when the combination is deviated from the preferable combination, the incorporation of the hetero element into the graphene is relatively suppressed, or the hetero-element-containing graphene which is not high in crystallinity (for example, amorphous) is obtained.
  • the hetero 5-membered ring compound as the raw material compound can not generally be mentioned because it depends on the kind of hetero element, but it is, for example, a heterocyclic aromatic compound containing a hetero element in the 1 and 3 position of the 5-membered ring Is preferred.
  • the hetero elements may be the same or different at the 1- and 3-positions. Preferably, they are the same element.
  • the hetero 5-membered ring compound is preferably a compound containing nitrogen as a hetero element.
  • the hetero five-membered ring compound is, for example, preferably an amine containing nitrogen at the 1,3 position of a five-membered ring, and for example, an imidazole compound can be preferably used.
  • the hetero 5-membered ring compound is also preferably an ionic compound.
  • an ionic compound for example, a salt which is dissolved in water and has an ion containing the same hetero element and carbon as those contained in the hetero five-membered ring compound as an anion is preferable.
  • ionic compounds include, for example, cyanate, thiocyanate, cyanamin and the like.
  • Preferred examples of the hetero five-membered ring compound include imidazolium salts such as 1-ethyl-3-methylimidazolium dicyanamide, 1-butyl-3-methylimidazolium thiocyanate and the like.
  • polar aprotic solvent a solvent which easily dissolves the above-mentioned starting compound and which does not have a proton supplying property can be preferably used.
  • polar aprotic solvents include dimethyl sulfoxide, dimethylformamide and the like.
  • a raw material containing liquid can be prepared by dissolving the said hetero 5-membered ring compound in a polar aprotic solvent.
  • a plasma in the liquid is generated in the raw material-containing liquid as a reaction site for polymerization and carbonization of the raw material compound.
  • non-equilibrium solution plasma 4 is formed between the electrodes 6 by applying a pulse voltage between the electrodes 6 in the liquid 2 by the in-liquid plasma generator 10 of FIG.
  • the solution plasma (plasma phase) 4 is formed in the gas phase formed between the electrodes 6.
  • Such plasma reaction site is constantly maintained between the electrodes 6.
  • active species such as electrons, ions, and radicals having high energy are supplied from the plasma phase to the liquid phase.
  • starting materials in the liquid phase are supplied from the liquid phase to the gas phase and the plasma phase. And they contact (collide) mainly at the interface between the liquid phase and the gas phase.
  • the raw material compound is polymerized and carbonized to produce highly crystalline heteroelement-containing graphene.
  • the yield of the heterographene of the present invention can be made 1 to 30%, preferably 10 to 30%, more preferably 20 to 30%. Can.
  • the conditions for generating the in-liquid plasma may be, for example, a voltage (secondary voltage): about 1 kV to 2 kV, a frequency: about 10 kHz to 30 kHz, and a pulse width: about 0.5 ⁇ s to 3 ⁇ s.
  • the electric conductivity of the raw material-containing liquid is preferably in the range of about 300 ⁇ S ⁇ cm ⁇ 1 to 3000 ⁇ S ⁇ cm ⁇ 1 .
  • the disclosure of Patent Document 2 can be referred to, and thus the overlapping description will be omitted.
  • the liquid containing the starting compound may contain a compound other than the starting compound, as long as the object of the present invention is not impaired.
  • a needle-like electrode made of tungsten does not necessarily have to be used, and for example, an electrode having an arbitrary shape made of another conductive material may be used.
  • solution plasma may be generated by a low inductance induction coil without using an electrode.
  • the in-liquid plasma is not limited to the solution plasma (glow discharge plasma), and may be implemented using, for example, an arc discharge plasma or the like in the liquid.
  • the highly crystalline heteroelement-containing graphene provided by the present invention has improved crystallinity. This can improve various characteristics of the highly crystalline heteroelement-containing graphene including the electrical conductivity and the catalytic activity. As a result, for example, it becomes possible to separately make highly crystalline heteroelement-containing graphene exhibiting electron conductivity and highly crystalline heteroelement-containing graphene having n-type or p-type semiconductor characteristics. This enables, for example, development of a lightweight and flexible semiconductor chip. In addition, various semiconductor chips can be developed, which can help to realize a flexible semiconductor device.
  • the in-liquid plasma generator 10 includes a container 5 formed of a glass beaker containing the raw material compound-containing liquid 2, a pair of plasma generation electrodes 6 fixed to the container 5, and a power supply 8 for applying a voltage to the electrodes 6.
  • the electrode 6 is constituted by a tungsten wire (manufactured by Niraco) having a diameter of 1.0 mm, and the distance between the electrodes is set to 0.3 mm.
  • the wire had the tip exposed and the other part was covered with an insulating member 9 made of fluorocarbon resin.
  • a bipolar DC power supply was used as the power supply 8.
  • the raw material compound-containing liquid 2 selected from the raw material compound-containing liquids (a) to (d) prepared above was placed in a vessel 5 and stirred by a stirrer 7 made of a magnetic stirrer.
  • the amount of the raw material compound-containing liquid 2 was adjusted so that the portion of the counter electrode 6 was immersed in the middle of the raw material compound-containing liquid 2.
  • a predetermined pulse voltage was applied between the external power supply 8 (bipolar pulsed DC power supply) and the electrode 6 (electrode 0.1 mm) to generate plasma between the electrodes 6 in the liquid.
  • the pulse voltage conditions were: inter-terminal voltage: +1500 V ⁇ 0 V ⁇ ⁇ 1500 V ⁇ 0 V ⁇ + 1500 V, repetition frequency: 200 kHz, pulse width: 1 ⁇ s, and plasma was generated for 5 minutes in the raw material compound-containing solution 2.
  • the raw material compound-containing liquids (a) to (d) were all colorless and transparent, but turned to yellowish immediately after the generation of plasma, and changed to brown or black opaque liquid after about 5 minutes. This color change is considered to be because the raw material compound is polymerized to form a graphite skeleton.
  • the black powder was obtained by drying the raw material compound containing liquid after plasma processing.
  • the nitrogen-containing graphene powders (a) to (d) obtained from the raw material compound-containing liquids (a) to (d) were subjected to the following analysis, and the crystal structure and the like were examined.
  • the resolution of the CCD chip is 3413 pixels / m ⁇ 3413 pixels / m, and the frame size of the camera is 640 pixels ⁇ 536 pixels.
  • first select one particle in the powder with the TEM function control the tilt of the X axis and Y axis of the sample while observing the electron diffraction pattern to match the crystal orientation, and the most clear electron diffraction pattern TEM images were acquired at the positions where. The above results are shown in FIG.
  • X-ray source Cu-K ⁇ ray X-ray generated current: 200 mA
  • X-ray generated voltage 45kV
  • Slit angle 0.5 °
  • Step interval 0.02 °
  • Step measurement time 3s [X-ray photoelectron spectroscopy]
  • X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis was performed on the nitrogen-containing graphene powders (a) to (d) to determine the elements constituting each powder and the chemical state thereof.
  • X-ray source Mg-K ⁇ ray X-ray generated current: 1.7 mA
  • X-ray generated voltage 25kV
  • Raman spectroscopic analysis was performed on the nitrogen-containing graphene powders (a) to (d) to investigate the types and states of the materials constituting the powders. As a Raman spectroscopy analyzer, analysis was conducted under the following analysis conditions using NRS-100 manufactured by JASCO Corporation.
  • Excitation wavelength 532 nm
  • Output 2mW
  • Exposure time 10 seconds
  • [Limited-field electron diffraction analysis] 2 (a) to 2 (d) show TEM images of nitrogen-containing graphene powders (a) to (d) and electron diffraction patterns obtained by limited field electron diffraction analysis.
  • the TEM images are each at an arbitrary magnification.
  • the nitrogen-containing graphene powders (a) to (d) are samples obtained from the same raw material compound EMIM-DCA, but the types of solvents in which the raw material compounds are dissolved are different.
  • FIG. 2 (a) the electron diffraction pattern of the nitrogen-containing graphene powder (a) obtained using DMF as a solvent shows spots showing the symmetry of a single crystal of a slightly hexagonal regular hexagonal shape. Was confirmed to be obtained. From this, it was found that the nitrogen-containing graphene powder (a) was composed of single crystals.
  • FIG. 2 (a) the electron diffraction pattern of the nitrogen-containing graphene powder (a) obtained using DMF as a solvent shows spots showing the symmetry of a single crystal of a slightly hexagonal regular hexagonal shape. was confirmed to be obtained. From this, it was found that the nitrogen-containing graphene powder (a) was composed of single crystals.
  • the electron diffraction pattern of powder (b) obtained using acetonitrile as a solvent forms concentric Debyling, and crystals are formed at various angles in the measurement area. It was confirmed to exist. That is, it was found that powder (b) contained polycrystals.
  • the electron diffraction patterns of the powder (c) obtained using benzene as a solvent and the powder (d) obtained using toluene are both concentric. Form a halo pattern, and no clear diffraction spots are observed. From this, it was found that powders (c) and (d) were amorphous having no crystal structure.
  • FIG. 3 shows the X-ray diffraction patterns of the obtained nitrogen-containing graphene powders (a) to (d).
  • FIG. 4A the result of the wide scan analysis of the XPS analysis of the nitrogen-containing graphene powders (a) to (d) obtained is shown in FIG. 4A.
  • the C1s peak is observed near 285 eV
  • the N1s peak is observed near 398 eV
  • the O1s peak is observed near 531 eV. It could be confirmed that It was confirmed that all the nitrogen-containing graphene powders (a) to (d) were materials containing carbon (C), nitrogen (N) and oxygen (O).
  • the oxygen content was a little as small as 5 to 7 atomic%, while it was obtained using acetonitrile as a solvent
  • the powder (b) was found to have a high oxygen content of more than 10 atomic%.
  • powder (c) and (d) are as small as 2 atomic% or less, while in nitrogen-containing graphene powders (a) and (b), 13.4 atomic% and 7.1 atoms, respectively It was found that it was relatively high as%.
  • the composition of the compound to be produced may differ depending on the type of organic solvent in which the raw material compound is dissolved.
  • the nitrogen-containing graphene powder (a) it was found that the nitrogen content was as high as more than 10 atomic%, and the oxygen content was as low as less than 5.5%.
  • results of narrow scan analysis performed on nitrogen-containing graphene powders (a) and (b) having a relatively high nitrogen content are shown in FIG. 4B.
  • the narrow scan spectrum of the N1s peak based on XPS analysis was shown separately as peaks showing four bonding states of nitrogen atoms. That is, the N1s peak is (1) a pyridine type binding peak near 398.5 eV, (2) a pyrrole type (N5) peak near 400.5 ⁇ 0.2 eV, and (3) 401.2 ⁇ 0.
  • nitrogen-containing graphene powders (a) and (b) contained nitrogen atoms in all four bound states.
  • relatively large amounts of pyridine type nitrogen and cationic nitrogen are contained, but pyridine type nitrogen
  • the main nitrogen introduced in the plane is cationic nitrogen, as it can only be introduced at the edge. By containing a large amount of cationic nitrogen, it can be said that nitrogen atoms are introduced not inside the edge of the graphene sheet but inside.
  • FIG. 5 shows Raman spectra of the obtained nitrogen-containing graphene powders (a) to (d).
  • the G band derived from the graphite structure carbon six-membered ring structure
  • the D band due to the disturbance and the defect can be seen in the vicinity of 1350 cm -1 .
  • the G band and the D band of the nitrogen-containing graphene powder (a) form relatively steep peaks, and the high crystallinity of the nitrogen-containing graphene powder (a) is also apparent from the Raman spectrum.
  • the G band appears as a pointed peak in the case of graphene into which a hetero element has been introduced (in particular, free-standing graphene not formed on a substrate). Absent.
  • the full width at half maximum (FWHM) of the G band of the nitrogen-containing graphene powder (a) was 34.0 cm ⁇ 1 .
  • the peak is broadened and the degree of crystallinity is lower.
  • the powders (c) and (d) are roughly amorphous, they agree with the results of electron diffraction analysis and the like.
  • I (D) / I (G) is also called an R value, which is an index used to evaluate the degree of graphitization of carbonaceous materials.
  • R value is an index used to evaluate the degree of graphitization of carbonaceous materials.
  • this I (D) / I (G) does not function as an indicator of crystallinity for samples whose crystallinity is extremely low and clear D and G bands can not be obtained. It could be confirmed.
  • the Raman spectrum clearly reflects the crystallinity, and I (D) / I (G) is less than 1 (eg, 0.8 or less). It becomes a low value of). In other words, it can be said that the number of defects in the graphene structure can be shown, which means that the crystallinity is high.
  • the electron diffraction pattern of the nitrogen-containing graphene powder (a) forms spots roughly similar to the electron diffraction pattern of graphite, but the form is slightly flattened.
  • the electron diffraction pattern of FIG. 6 shows a diffraction image from the [101] direction which is a feature of the cuboid system.
  • the unit cell in the crystal structure of the nitrogen-containing graphene powder (a) is, as shown in Table 3, the ideal six-membered ring structure of graphene in a plane lattice, It turned out that it was deformed so as to collapse in the direction.
  • the lattice constant of the a-axis of the unit cell determined according to the symmetry of the cuboid system is extended to about 4 ⁇ .
  • the spacing d002 of the (002) plane is 3.428 ⁇
  • the spacing d101 of the (101) plane is 2.097 ⁇ .
  • FIGS. 7 (a) to 7 (c) show electron diffraction patterns for explaining the method of calculating the flattening of unit cells.
  • FIG. 7A is a diagram in which reciprocal lattice points are marked on the diffraction spots obtained by electron diffraction analysis.
  • FIG. 7 (b) is a diagram in which reciprocal lattice vectors A to D extending from the origin of the unit cell are entered in the diffraction spots (reversal lattice points) of FIG. 7 (a).
  • FIG. 7A is a diagram in which reciprocal lattice points are marked on the diffraction spots obtained by electron diffraction analysis.
  • FIG. 7 (b) is a diagram in which reciprocal lattice vectors A to D extending from the origin of the unit cell are entered in the diffraction spots (reversal lattice points) of FIG. 7 (a).
  • FIG. 7 (c) is a diagram in which reciprocal lattice vectors A to D are entered in the theoretically obtained electron diffraction pattern of the graphene shown in FIG.
  • This FIG. 7 (c) corresponds to the reciprocal lattice vector of graphene before introducing a hetero element.
  • reciprocal lattice vectors A to D are vectors connecting the origin and reciprocal lattice points (-111), (020), (11-1), and (20-2), respectively. .
  • the lengths of the reciprocal lattice vectors A, C, D of the nitrogen-containing graphene powder (a) and the graphene are shown in Table 4 below as relative lengths to the lengths of the respective reciprocal lattice vectors.
  • the deformation degree of the reciprocal lattice vector in nitrogen-containing graphene powder (a) was computed by following Formula as an aspect ratio in the direction of the said vector.
  • the flat cell ratio of nitrogen-containing graphene powder (a) is 102.4% in the (20-2) direction, and it is confirmed that the unit cell is bent obliquely to 98.3% in the (11-1) direction. It was done. However, the aspect ratio is within about 3% in all directions, and the highly crystalline heteroelement-containing graphene disclosed herein has a small crystal structure of graphene even when a large amount of heteroelement is introduced. It has been found that high crystallinity can be maintained well only by being deformed. [Hall effect] The semiconductor characteristics of the nitrogen-containing graphene powder (a) were measured. As a measuring apparatus, a Toyo Technica 8400 ACLR / OW type was used.
  • a powder sample was put in a mold of a predetermined size and pressed at 50 MPa, and a molded body obtained was used as a measurement sample. Thereafter, the film thickness of the measurement sample was measured using a micrometer. The measurement sample was pretreated at 280 ° C. in an argon atmosphere.
  • the measurement conditions are as follows. Measurement conditions (room temperature measurement) H3 Size: 4 mm ⁇ 4 mm ⁇ 118 ⁇ m Temperature: 290.2K Current: 7 mA Magnetic field: 0.3744 T (AC 250 mHz) H4 Size: 5 mm x 5 mm x 117 ⁇ m Temperature: 290.5K Current: 7 mA Magnetic field: 0.5 T (direct current) H5 Size: 5 mm x 5 mm x 185 ⁇ m Temperature: 287.8K Current: 7 mA Magnetic field: 0.3744 T (AC 250 mHz) Moreover, about H4, temperature variable measurement was performed as follows. The results are shown in Table 5.
  • the hole mobility and the carrier density increased as the temperature rose.
  • the sheet resistance decreased.
  • This temperature dependence matches the temperature dependence of the conventional semiconductor characteristics. No phase transition was observed in the temperature range from room temperature to helium temperature. In a wide temperature range, cationic nitrogen was stable as a carrier.
  • the carrier type of the highly crystalline heterographene of the present invention is p-type, and the carrier density thereof is 10 18 cm ⁇ 3 or more.
  • the doping with cationic nitrogen maintained the planarity and showed that holes rather than electrons were doped.
  • the fact that conventional nitrogen-doped graphene is n-type indicates that the conventional doped nitrogen has a low proportion of cationic nitrogen, and planarity could not be maintained.
  • the fact that the hole mobility, the carrier concentration, and the sheet resistance are monotonously changed in the range from the helium temperature to the normal temperature means that the structural phase transition does not occur in this temperature range and the structure is stable. It shows.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

課題は、結晶性の高いヘテロ元素含有グラフェンを提供することである。ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含む。そして、制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測される。

Description

ヘテロ元素含有グラフェン
　本発明は、ヘテロ元素含有グラフェンであって、扁平な形状を示し、透明なＰ型半導体としての性質を示すヘテロ元素含有グラフェンに関する。
　従来より、グラフェンの炭素六員環構造中に、炭素以外の異種元素が導入されたヘテロ元素含有グラフェンが注目されている。このヘテロ元素含有グラフェンにおいて、例えば、グラフェンのジグザグエッジの谷の部分に窒素等の異種元素を導入すると、異種元素が隣りの炭素原子に対して物理的・化学的に作用する。その結果、隣の炭素原子が酸素還元特性を発現することが知られている。このことから、ヘテロ元素含有グラフェンは、触媒材料としての利用が検討されている（例えば、特許文献１～３等参照）。
　特許文献１には、カーボン担体の表面に窒素含有グラファイトが形成された、電極触媒用担体が開示されている。この特許文献１の窒素含有グラファイトは、π電子供給性を有するカーボン担体の表面に形成されている。また特許文献１では、窒素含有グラファイトの結晶性をラマンスペクトルに基づくＩＤ／ＩＧ値で評価し、このＩＤ／ＩＧ値が０．８～１．２となり得ることが開示されている。
　特許文献２には、ソルボサーマル反応によって窒素等のヘテロ原子を含むヘテロ原子含有グラフェンを合成できることが開示されている。特許文献２の実施例には、ヘテロ原子含有グラフェンに窒素原子が１４．８原子％の割合でドープされたことが記載されている。しかしながら、特許文献２には、ヘテロ原子含有グラフェンの結晶性に関して何ら開示されていない。
　特許文献３には、化学量論比を有するグラファイト状窒化炭素（ｇ－Ｃ3Ｎ4）が開示されている。特許文献３に開示されたグラファイト状窒化炭素は、窒素および炭素からなる３つの６員環が互いにＣ－Ｎ結合を共有した三角形の結晶構造を有するメロン（（Ｃ6Ｎ9Ｈ3）Ｘ）が、頂点の窒素原子において重合した構造を有している。
　また、本発明者らは、特許文献４において、異種元素として１０原子％以上の多量の窒素を含むヘテロ原子含有カーボン触媒の製造方法を提供している。これらの手法によると、担体を含まないヘテロ原子含有グラフェンを製造することができる。
　さらに、特許文献５においては、電極上に酸化還元能を有する炭素触媒が形成されることが示されている。
特開２０１３－２３２４０９号公報 特開２０１２－１５３５５５号公報 国際公開第２０１４／０９８２５１号公報 特開２０１４－１００６１７号公報 特開２０１６－２０９７９８号公報
　特許文献２および４で得られるヘテロ原子含有グラフェンでは、実際には、グラフェンシートへのヘテロ原子のドープ位置がシート端部（エッジ）に偏りがちであった。そしてグラフェンシートの内部（面内）にドープできた場合であっても、ドープする窒素の量が増えれば増えるほど炭素とヘテロ原子の結合角に乱れが生じ、グラフェンシートの平坦性を維持することができなくなるという課題を有していた。換言すると、窒素原子がドープされたグラフェンシートは、原子レベルで湾曲したまま平面状には戻らず、結晶学的に結晶性の良好な窒素含有カーボン触媒は得られていなかった。本発明は上記課題に鑑み、ドープする窒素の量が増えてもグラフェンシートの平坦性を維持でき、透明で、結晶性の高いヘテロ元素含有グラフェンを提供することを目的とする。
　結晶性グラファイトおよびグラフェンは六方晶系に属し、六員環構造からなる平坦な結晶構造を有し得る。しかし、グラフェンにヘテロ元素を導入したヘテロ元素含有グラフェンは、炭素とヘテロ元素との結合部位にて結晶構造にひずみが生じ得る。その結果、ヘテロ元素含有グラフェンが、外観で、たとえシート状の形態を有していても、その結晶構造の対称性は低下する場合があったり、結晶ではなくアモルファスであったりしていた。換言すると、従来のヘテロ元素含有グラフェンは、結晶構造に長距離秩序性が見られなかった。この傾向は、ヘテロ元素の導入量が多くなるほど顕著になる。その結果、従来のヘテロ元素含有グラフェンは、例えば、制限視野電子回折において、単結晶の対称性を備えるスポットが観測されることはなかった。これに対し、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、例えば、制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属する単結晶の対称性を備えるスポットが観測される。換言すると、本発明者らは、結晶学的に高い結晶性を備えるヘテロ元素含有グラフェン（以下、単に「高結晶性ヘテロ元素含有グラフェン」という場合がある。）を創出することに初めて成功した。これにより、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンが提供される。
　従来技術において、ドープする窒素の量が増えた場合、グラフェンシートの平坦性が維持された、結晶性の高いヘテロ含有グラフェンが得られない。本発明者らは、特定の製造方法を用いてヘテロ元素含有グラフェンを製造したところ、価電子数４の窒素（陽イオン性窒素）が基底面にドープされたヘテロ元素含有グラフェンを製造することができ、そのように製造されたヘテロ元素含有グラフェンが、結晶学的に高い結晶性を備え、透明で、平坦性を有することを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明者らは、結晶学的に高い結晶性を備えるヘテロ元素含有グラフェン（以下、単に「高結晶性ヘテロ元素含有グラフェン」という場合がある。）を創出することに初めて成功した。
　本発明は、例えば下記（１）～（１３）に示すとおりである。
（１）制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、
　炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェン。
　ヘテロ元素（Ｘ）としては、ＮおよびＢから選択される少なくとも１種の元素であることがさらに好ましい。
（２）前記スポットは、前記直方晶系に属し、入射方向を［１０１］とする電子回折像であって、逆格子点１１－１、－１１１、－２０２、１－１－１、２０－２および－１－１１の配列を含むことを特徴とする、（１）に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（３）Ｘ線回折において、（００２）面からの回折ピークの半値幅が３度以下であることを特徴とする、（１）または（２）に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（４）Ｘ線回折において、（００２）面からの回折ピーク強度Ｉ（００２）に対する（１０１）面からの回折ピーク強度Ｉ（１０１）の比（Ｉ（１０１）／Ｉ（００２））が０．１以上であることを特徴とする、（１）～（３）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（５）Ｘ線回折において、（００２）面の面間隔は３．５Å以下であることを特徴とする、（３）または（４）に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（６）Ｘ線光電子分光法に基づき算出される、炭素（Ｃ）とヘテロ元素（Ｘ）との原子数比（Ｘ／Ｃ）が０．１以上であることを特徴とする、（１）～（５）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（７）Ｘ線光電子分光法に基づき、窒素の基底面へのドープされている化学結合状態が陽イオン性窒素の可能性が提示でき、ホール効果測定によりキャリアタイプがp型と判定されることを特徴とする、（１）～（６）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（８）励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光分析において、１３５０ｃｍ-1付近に見られるＤバンドの強度Ｉ（Ｄ）と、１５８０ｃｍ-1付近に現れるＧバンドの強度Ｉ（Ｇ）との比（Ｉ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ））が１以下であり、かつ、前記Ｇバンドの半値幅が５０ｃｍ-1以下であることを特徴とする、（１）～（７）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（９）前記ラマン分光分析において、２７００ｃｍ-1付近に見られる２Ｄバンドの強度Ｉ（２Ｄ）と、前記Ｇバンドの強度Ｉ（Ｇ）との比（Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ））が０．５以上であることを特徴とする、（１）～（８）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（１０）前記ラマン分光分析において、２７００ｃｍ-1付近に見られる２Ｄバンドの半値幅が８０ｃｍ-1以下である、（１）～（９）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（１１）当該ヘテロ元素含有グラフェンを支持する基材を含まない、（１）～（１０）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（１２）前記炭素（Ｃ）の原子が前記へテロ元素（Ｘ）の原子と化学結合し、かつ、前記炭素（Ｃ）の原子が主としてｓｐ2結合することで構成されるグラフェンシートを含み、
　前記グラフェンシートは、１層からなる単層構造または２層以上５層以下の積層構造を有している、（１）～（１１）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（１３）平均粒子径が１ｎｍ以上１０μｍ以下の粉末である、（１）～（１２）のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
（１４）少なくとも一部に５員環構造を有し、前記５員環が、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種のヘテロ元素（Ｘ）と、炭素（Ｃ）とにより構成されているヘテロ５員環化合物を、極性非プロトン性溶媒に溶解させて原料含有液を用意すること、および、
　前記原料含有液の中でプラズマを発生させることにより、前記ヘテロ５員環化合物を重合させて、ヘテロ元素含有グラフェンを得ること、
　を含む、
　制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、
　炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェンの製造方法。
　この出願は、上記の課題を解決するものとして、ヘテロ元素含有グラフェンを提供する。このヘテロ元素含有グラフェンは、炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含む。そして、制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測される。
　前述のとおり、従来のヘテロ元素含有グラフェンは、結晶構造に長距離秩序性が見られず、制限視野電子回折において、単結晶の対称性を備えるスポットが観測されることはなかった。これに対し、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、例えば、制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属する単結晶の対称性を備えるスポットが観測される。これにより、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンが提供される。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様において、上記スポットは、上記直方晶系に属し、入射方向を［１０１］とする電子回折像において、逆格子点１１－１、－１１１、－２０２、１－１－１、２０－２および－１－１１の配列を含むことを特徴とする。上記構成のヘテロ元素含有グラフェンは、六方晶系のグラフェン構造から若干変形した直方晶系の結晶構造を有することで、高い結晶性を安定して維持することができて好ましい。
　なお、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの高結晶性は、さまざまな指標で確認することができる。他の観点から、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、炭素（Ｃ）と、上記少なくとも１種のヘテロ元素（Ｘ）とを含み、そして、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における（００２）面からの回折ピークの半値幅が３度以下であることを特徴としている。
　なお、本明細書において、「半値幅」とは、半値全幅（full width at half maximum：ＦＷＨＭ）を意味する。なお、半値幅は、ＪＩＳ Ｒ７６５１：２００７およびＪＩＳ Ｋ０１３１：１９９６などに準じて測定することができる。より具体的には、半値幅は、例えば図５に示したように、スペクトルの所定のピークについてベースラインを作成し、当該ピークのベースラインからの高さ（ｈ）の１／２の高さ（１／２＊ｈ）における、当該ピークの幅を計測することで得ることができる。
　また、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、Ｘ線回折（ＸＲＤ）における、（００２）面からの回折ピーク強度Ｉ（００２）と（１０１）面からの回折ピーク強度Ｉ（１０１）との比（Ｉ（００２）／Ｉ（１０１））が０．１以上であることを特徴としている。
　ヘテロ元素含有グラフェンは、上記のとおりのＸＲＤ特性によってその高結晶性を特定することもできる。例えば、従来のヘテロ元素含有グラフェンは、ＸＲＤによってブロードなハローパターンを示していた。これに対し、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、ＸＲＤにおいて結晶性を示すピークが明瞭に観測される。このことにより、ここに開示する技術が提供するヘテロ元素含有グラフェンと、従来頻繁に見られる低結晶性のヘテロ元素含有グラフェンとを、明確に区別することができる。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様において、上記Ｘ線回折分析によって算出される（００２）面の面間隔は、３．５Å以下である。かかる構成によって、さらに結晶性の良好なヘテロ元素含有グラフェンが提供される。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様において、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）法に基づき算出される、炭素（Ｃ）と、上記の少なくとも１種のヘテロ元素（Ｘ）との原子数比（Ｘ／Ｃ）が０．１以上であることを特徴とする。換言すると、高い結晶性を備えつつ、ヘテロ元素を１０原子％以上の高い割合で含むヘテロ元素含有グラフェンが提供される。このような材料は、本発明によって初めて提供されるものである。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様において、ＸＰＳの窒素Ｎ１ｓスペクトルから、窒素の基底面へのドープされている化学結合状態が陽イオン性窒素となり、ホール効果測定からそのキャリアタイプがp型と判定できるヘテロ元素含有グラフェンが提供される。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの高結晶性は、さらに他の指標で確認することができる。ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、炭素（Ｃ）と、上記少なくとも１種のヘテロ元素（Ｘ）とを含み、そして、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光分析において、１３５０ｃｍ-1付近に見られるＤバンドの強度Ｉ（Ｄ）と、１５８０ｃｍ-1付近に現れるＧバンドの強度Ｉ（Ｇ）との比（Ｉ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ））が１以下であり、かつ、前記Ｇバンドの半値幅が５０ｃｍ-1以下であることを特徴とする。
　ヘテロ元素含有グラフェンは、上記のとおりのラマン特性によっても、その高結晶性を特定することができる。例えば、従来のヘテロ元素含有グラフェンは、ラマンスペクトルにおけるＤバンドのピークがそもそも丸みを帯びており、急峻なピーク（換言すると、ブロードでないピーク）として現れるものではなかった。これに対し、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、例えば、ラマンスペクトルのＧバンドを示すピークの半値幅自体が小さい。しかもこのＧバンドのピークは、Ｄバンドを示すピークよりもピーク強度が高くなり得る。このことによっても、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの高結晶性を確認することができる。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、上記ラマンスペクトルにおいて、２７００ｃｍ-1付近に見られる２Ｄバンドの強度Ｉ（２Ｄ）と、前記Ｇバンドの強度Ｉ（Ｇ）との比（Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ））が０．５以上である。２Ｄバンドは、結晶構造の欠陥に由来するスペクトルではあるものの、アモルファスや結晶性の低いヘテロ元素含有グラフェンのラマンスペクトルには現れない。これによっても、従来にない高結晶性のヘテロ元素含有グラフェンを提供することができる。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、上記ラマンスペクトルにおいて、２７００ｃｍ-1付近に見られる２Ｄバンドの半値幅が８０ｃｍ-1以下である。ラマンスペクトルに現れるピークがシャープであることは、その半値幅が小さいことにより評価することができる。したがって、上記構成によってさらに結晶性の高いヘテロ元素含有グラフェンを提供することができる。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、当該ヘテロ元素含有グラフェンを支持する基材を含まない。つまり、平坦な支持基材がない状態においてグラフェンにヘテロ元素が導入された場合であっても、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、自身の結晶構造を平坦に維持することができる。これにより、例えば、ヘテロ元素含有グラフェンを各種の機能性材料として用いる場合に、基材による当該機能の低下、効率の低減等を抑制することができる。その結果、一例として、ヘテロ元素含有グラフェンを触媒等として用いる場合、比表面積が増えることに加え、単位重量あたりの触媒活性等の効果が増大するために好ましい。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、上記炭素（Ｃ）の原子が上記へテロ元素（Ｘ）の原子と化学結合し、かつ、上記炭素（Ｃ）の原子が主としてｓｐ2結合することで構成されるグラフェンシートを含み、上記グラフェンシートは、１層からなる単層構造または２層以上５層以下の積層構造を有していることを特徴とする。これにより、ホモグラフェンシートの特異な二次元構造に起因した、優れた電気的、機械的および熱的特性を有するヘテロ元素含有グラフェンが提供されるために好ましい。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンの好ましい一態様では、平均粒子径が１ｎｍ以上１０μｍ以下の粉末である。このような平均粒子径が１ｎｍ以上１０μｍ以下の粉末の場合、例えば、各種の用途の粉体材料や、ペースト等に調製して利用しやすい形態のヘテロ元素含有グラフェンを提供するために好ましい。
　さらに他の側面において、ここに開示される技術は、ヘテロ元素含有グラフェンの製造方法を提供する。この製造方法は、以下の工程を含むことを特徴とする。
（１）少なくとも一部に５員環構造を有し、上記５員環が、上記少なくとも１種のヘテロ元素（Ｘ）と、炭素（Ｃ）とにより構成されているヘテロ５員環化合物を極性非プロトン性溶媒に溶解させて原料含有液を用意すること
（２）上記原料含有液中でプラズマを発生させることにより、上記ヘテロ５員環化合物を重合させて、ヘテロ元素含有グラフェンを得ること。
　これにより、制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含む、結晶性の高いヘテロ元素含有グラフェンを簡便かつ好適に製造することができる。
　本発明のヘテロ元素含有グラフェンは、ドープする窒素の量が多くても、グラフェンシートの平坦性を維持でき、結晶性が高い。このため、本発明のヘテロ元素含有グラフェンは、良好な半導体特性や触媒特性を示すことが期待される。本発明のヘテロ元素含有グラフェンの製造方法は、前記ヘテロ元素含有グラフェンを効率的に製造することができる。
図１は、液中プラズマ発生装置の構成を示す模式図である。 図２は、粉末（ａ）～（ｄ）のＴＥＭ像と、制限視野電子回折パターンである。 図３は、粉末（ａ）～（ｄ）のＸ線回折パターンを例示した図である。 図４Ａは、粉末（ａ）～（ｄ）のワイドスキャンによるＸＰＳ分析結果を例示した図である。 図４Ｂは、粉末（ａ）、（ｂ）のナロースキャンによるＸＰＳ分析結果を例示した図である。 図５は、粉末（ａ）～（ｄ）のラマンスペクトルを例示した図である。 図６は、粉末（ａ）の結晶構造解析シミュレーションの結果を例示した図である。 図７は、（ａ）～（ｃ）は、粉末（ａ）の結晶構造の扁平率の算出方法を説明する図である。 図８は、ホール効果測定（半導体特性）：ホール移動度と温度依存性の関係を示した図である。 図９は、ホール効果測定（半導体特性）：キャリア濃度と温度依存性の関係を示した図である。 図１０は、ホール効果測定（半導体特性）：抵抗値と温度依存性の関係を示した図である。 図１１は、窒素含有グラフェン粉末（ａ）を含む薄膜の透明性を表す図である。
　以下、本発明のヘテロ元素含有グラフェンについて説明する。なお、本明細書において特に言及している事項（ヘテロ元素含有グラフェンの構成）以外の事柄であって、本発明の実施に必要な事柄（例えば、各種分析）は、当業者であれば、本明細書および図面に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいてその内容を把握し、本発明を実施することができる。なお、本明細書における数値範囲を示す「Ｍ～Ｎ」との表記は、Ｍ以上Ｎ以下を意味する。
　ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素として、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素（Ｘ）と、を含む。ここで後述するが、ヘテロ元素含有グラフェンは、概略的には、グラフェンシートを主構造としている。そして上記ヘテロ元素は、炭素と化学結合して、このグラフェンシートを構成している。このことに基づき、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは結晶性を備え、特に従来にない高い結晶性を示すものとして特徴づけられる。このように特徴づけられるグラフェンのヘテロ元素としては、窒素（Ｎ）とホウ素（Ｂ）からなる群から選択されることが好ましい。
　以下にまず、ヘテロ元素含有グラフェンの構成について説明し、その後、結晶性について詳しく説明する。
　本発明のヘテロ元素含有グラフェンは、下記化学構造式１に例示されるように、炭素原子を主体として構成されるシート状のグラフェン構造（炭素六員環構造）中に、炭素原子の代わりにヘテロ元素が導入されたものであり、エッジにヘテログラフェンが配置されている構造のものではない。ここで、式１中、白丸は炭素を示し、黒丸はヘテロ元素を示す。炭素原子は、主としてｓｐ2結合することによってグラフェンシートを構成している。ヘテロ元素の位置は、式１に示すように、エッジではなく、厳密には限定されないがグラフェンの平面構造の内部に配置される。ヘテロ元素の位置は、ヘテログラフェンを製造するために用いられる原料、製造方法により位置を変更することができる。窒素の原子の位置によっては、ヘテログラフェンの結晶性、透明性、平坦性に影響する。
　本発明のヘテログラフェンは、その製造原料、製造工程、そして生成物が高い結晶性を備えることから考えて、ヘテロ元素は、エッジに集中的に配置される構造ではなく、炭素六員環のうち対向する２つの位置（パラ位）に含まれていると考えられる。たとえば、ヘテロ元素が窒素である場合、下記化学構造式２に例示されるようになる。本発明のヘテログラフェンにおいては、炭素と同じ価電子数４である陽イオン性窒素が導入されることが好ましい。また、本発明のヘテログラフェンにおいては、陰イオン性ホウ素が導入されることが好ましい。これらのヘテログラフェンが平面構造をとるのは、グラフェンを構成する炭素原子と同様に、ｓｐ２構造と同様の電子配置がヘテロ原子においても実現しているためであると考えられる。さらに、ヘテロ原子が窒素の場合、窒素の価電子数４で窒素－炭素結合に関与するため、窒素は正イオンとなる。後述するように本発明の窒素含有ヘテログラフェンは正孔の移動による半導体、いわゆるＰ型半導体となる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　上記説明からもわかるように、本明細書において、「グラフェンシート」とは、厳密に炭素原子のみからなるシート状のグラフェンに限定されず、当該グラフェンシートの炭素原子に置き換えて上記へテロ元素を含む態様のものを包含する。ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェン（高結晶性ヘテロ元素含有グラフェン）について言う「グラフェンシート」は、へテロ元素を含む態様のものであり得る。
　また、本明細書における「ヘテロ元素含有グラフェン」は、上記グラフェンシート１枚により構成されていてもよいし、２枚、３枚、４枚、５枚、あるいはそれ以上の複数枚のグラフェンシートが積層されて構成されていてもよい。また、異なる層数のグラフェンシートが混合されていてもよい。グラフェンシートの特異な二次元構造に起因した性質がより強く反映された高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンを得るとの観点からは、このグラフェンシートの平均層数は５枚以下程度であることが好ましく、例えば、４枚以下、３枚以下、２枚以下、１枚であってよい。本発明のヘテログラフェンは後述のプラズマを用いる反応により製造することができる。積層数は、プラズマの条件を変えることにより調整することが可能である。すなわち、単位時間あたりのエネルギー量を大きくすると、グラフェンシートの平均総数を増やすことができ、単位時間あたりのエネルギー量を小さくすると、グラフェンシートの平均総数を減らすことができ、例えば平均５枚以下にすることができる。
　なお、従来のグラフェンシートの積層数が数枚程度以下にまで減少すると、グラフェンシートの平坦性は損なわれてしまう。例えば、炭素原子のみからなるホモグラフェンシートであっても、単独ではシートの平坦性を保つことは困難であることが知られている。そして、グラフェンシートの炭素原子に代えて、ヘテロ元素が少しでも（例えば、数原子％程度）導入されると、グラフェンシートの平坦性はより一層損なわれてしまう。例えば、窒素が数原子％以下で導入されたヘテロ元素含有グラフェンであっても、良好な結晶性は得られていない。その結果、例えば従来のグラフェンシートが湾曲したり、結晶格子は変形したりしている。
　これに対し、ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは、高い結晶性を保ったまま、グラフェンシート中にヘテロ元素が導入されている。その導入量は厳密には制限されないが、ヘテロ元素は、例えば、炭素（Ｃ）に対するヘテロ元素（Ｘ）の原子数比（Ｘ／Ｃ）で０．１以上、すなわち１０原子％以上の割合で導入することが出来、好ましくは、１２原子％以上であってもよいし、より好ましくは１３原子％以上であってもよいし、さらに好ましくは１５原子％以上であってもよい。また、本発明のヘテロ元素含有グラフェンはヘテロ元素の導入量が多いにもかかわらず、従来のヘテロ元素含有グラフェンよりも高い結晶性を有している。ここに開示されるヘテロ元素含有グラフェンは従来には知られていない、全く新しい材料であるといえる。ヘテロ元素の導入量の上限は特に制限されない。窒素原子はグラフェンの平面構造を維持した状態においてイオン性で存在し、ホール伝導のキャリアとなるため、多く導入できればキャリア密度を上げることが可能になる。しかしながら、グラフェンの本質的な物理的・化学的性質を維持し、グラフェンシートの平面性を損ねないようにヘテロ元素を安定して導入するとの観点からは、ヘテロ元素の導入量はおおよそ３０原子％以下とすることが好適な例として挙げられる。ヘテロ元素含有グラフェンにおいて、炭素原子に対する各へテロ元素の導入量は、例えば、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）法に基づき算出することができる。例えば、後述の実施例の手法に準じて好適に算出することができる。窒素の導入量は、原料分子の窒素含有比率、反応温度、反応時間、放電電圧により調節することができる。窒素含有比率を上げるためには、窒素の導入量を増やせば良いが、反応温度を上げる、放電電圧を上げる、又は反応時間を長くすることは、窒素の導入量が減少する傾向を導く。
　なお、多環芳香族炭化水素の一種であって、ベンゼン環が環状に６個つながった構造を有するコロネンは、平面分子であることが知られている。しかしながら、コロネンの化学式はＣ24Ｈ12であり、結晶構造が長距離秩序性を備えているとはいえない。そこで、コロネンのような炭化水素との区別が必要となる場合、ここに開示される高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンの炭素数は、例えば、３０以上と規定することができ、５０以上が適切であり、１００以上が好ましく、５００以上がより好ましく、１０００以上が特に好ましい。グラフェンの炭素数は、後述のプラズマを用いる製造時の条件を制御することで調節できる。製造時の単位時間あたりのエネルギー量を小さくすると、長距離秩序性を備えた結晶構造を保ったまま構成炭素数を増やしていくことが出来る。さらに、グラフェンは均一な反応相が確保されている状態で製造できることが好ましい。
　本明細書において、「高結晶性」（高い結晶性）とは、結晶構造が長距離秩序性を有していることを言う。本発明のヘテログラフェンにおいては、長距離秩序性とは二次元結晶であることをいう。本発明のヘテログラフェンの長距離秩序性は、従来の同組成の材料と比較して、結晶構造の長距離秩序性が相対的に高い。任意材料が、高結晶性を備えているかどうかの判断は、例えば、以下のいずれか１以上の分析手法を利用することにより、適宜行うことができる。以下、各手法によるヘテロ元素含有グラフェンの高結晶性の判断について説明する。
　（１）電子回折パターンによる評価
　（２）ＸＲＤパターンの回折ピークの半値幅
　（３）ラマンスペクトルの半値幅
（１）電子回折パターン
　各種材料の結晶学的情報は、電子回折を利用することで得ることができる。例えば、その材料が単結晶か、多結晶か、アモルファスかは、電子回折パターンを確認することで判断することができる。ここで、特殊な材料を除き、多くの材料は多結晶である。また、たとえ単結晶に近い材料であっても、材料内に析出相や分域構造、結晶構造の乱れがある場合等には、電子回折パターンには複雑なスポット配列や、過剰なスポット配列が現れ得る。しかし、多結晶材料であっても、微視的に見れば単結晶の領域の集まりともみなし得る。ここに開示される高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、制限視野電子回折パターンにおいて、直方晶系および六方晶系のいずれか一方に属するものであって、単結晶の対称性を備えるスポットを示すものとして把握することができる。
　ヘテロ元素含有グラフェンは、炭素のみからなるホモグラフェンと同じ六方晶系に属していてもよいし、ヘテロ元素の導入によって六方晶系から結晶格子が変形した結晶系に属していてもよい。このような結晶系の一つは、直方晶系である。ヘテロ元素の導入量が多くなるほど単位格子の変形量が増大する。このことから、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、典型的には、直方晶系に属する。なお、本発明者は、このような単位格子の変形は長距離秩序性を備えることから、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンの結晶の平坦性は良好に維持することができると考える。
　また、単結晶材料の電子回折パターンでは、当該単結晶の対称性に従った回折スポットの配列が得られる。例えば、ヘテロ元素含有グラフェンが上記の直方晶系である場合を例にすると、入射方向を［１０１］方位にしたとき、この結晶構造に特徴的な電子回折パターンが得られる。ヘテロ元素含有グラフェンの結晶構造における長距離秩序性が高い場合は、その電子回折パターンは、逆格子点１１－１、－１１１、－２０２、１－１－１、２０－２および－１－１１に対応する電子回折スポットの配列を含む。多結晶材料の電子回折パターンは、複数の単結晶から得られる電子回折パターンの重ね合わせである。したがって、単結晶材料の電子回折パターンは、一つの結晶の対象性に従った電子回折パターンのみが得られる。
　なお、透過型電子顕微鏡を用いた電子回折パターンの場合、単結晶については、規則正しく並んだ回折斑点（スポット）が得られる。単結晶材料の電子線回折パターンは、例えば、オーバーラップのない明瞭なスポットを含み得る。多結晶では、同心円状の円環が得られる。非晶質ではブロードな円環状の電子回折パターンが得られる。電子回折パターンが単結晶の対称性を示しているかどうかは、回折斑点が得られるかどうかによって、当業者であれば適切に判断することができる。本発明のヘテロ元素含有グラフェンは、例えば、入射方向を［１０１］方位にしたときの電子回折パターンにおいて、上記逆格子点のスポット配列を含むことが好ましい。さらには、上記逆格子点のスポット配列を含み、その他の結晶秩序性を示すスポット配列を含まないことがより好ましい。
　本発明の高結晶性のヘテロ元素含有グラフェンの単位胞は、グラフェンの単位胞がやや変形したような形態であり得る。この単位胞の変形の度合いは、例えば、数％以内（例えば３％以内）に収まる程度のものであり得る。このような高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンの単位胞は、例えば、以下の格子条件を満たすものとすることができる。
　　　　ａ≠ｂ
　　　　ａ＝４．０００～４．３００Å
　　　　ｂ＝２．３００～２．５００Å
　　　　ｃ＝６．６００～７．２００Å
　　　　α＝β＝γ＝９０°
（２）ＸＲＤ法
　ＸＲＤ法による結晶性の評価は、従来より広く行われている。一般に、粉末ＸＲＤ分析によって得られるＸＲＤパターンのうち、その結晶性化合物に帰属されるＸＲＤピークの半値幅が小さければ小さい程、その化合物は結晶性が高いものであることが知られている。したがって、この半値幅は、高結晶性との観点から、小さいことが好ましい。ここに開示される高結晶性のヘテロ元素含有グラフェンについて、ＸＲＤ法により得られるＸＲＤパターンのうち、当該化合物に帰属されるＸＲＤピークの半値幅が、総じて、従来から知られている窒素、硫黄、酸素、ホウ素などのヘテロ元素含有グラフェンについて得られる当該ＸＲＤピークの半値幅よりも小さい。本発明の高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンについて粉末ＸＲＤ分析によって得られるＸＲＤパターンのうち、炭素六員環構造に帰属される（００２）面からのＸＲＤピークの半値幅は、３度（°）以下であることが好ましく、２．８度以下がより好ましく、２．６度以下がさらに好ましく、例えば２．５度以下であってよい。
　一般の結晶性化合物についてのＸＲＤピークでは、半値幅が１度以下、例えば０．５度以下になるなど、十分に小さくなりうる。結晶性の炭素材料には、結晶性が発達したグラファイトとダイヤモンドとがある。しかしながら、炭素材料には、無定形炭素、アモルファスカーボン等と呼ばれる結晶性の低い材料も多く存在する。本発明のヘテロ元素含有グラフェンについては、（００２）面からのＸＲＤピークの半値幅が３度以下である場合、相対的に十分に高い結晶性を備えたものであると判断することができる。
　なお、ここで、（００２）面からのＸＲＤピークが極めて小さければ、上記３度以下の半値幅は容易に満たしうる。また、結晶性の低いヘテロ元素含有グラフェンほど、（００２）面からのＸＲＤピークも小さくなりうる。そこで、本発明の高結晶性の判断を行う際は、（００２）面からの回折ピーク強度Ｉ（００２）に対する（１０１）面からの回折ピーク強度Ｉ（１０１）の比（Ｉ（１０１）／Ｉ（００２））が０．１以上であることが好ましい。（００２）面からのＸＲＤピーク強度が高いことで、ピーク強度比（Ｉ（１０１）／Ｉ（００２））は，容易に０．１以上を実現する。このように、（００２）面からのＸＲＤピーク強度が高く、半値幅が低いことにより、へテロ元素含有グラフェンの結晶性が高いと判断することができる。
　本発明の高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、グラフェンシートの数が少ないために、結晶構造における積層規則性が低い。そのため、厳密には、天然黒鉛のＸＲＤパターンに見られるｈｋｌ回折線に相当するピークが見られずに、００ｌ回折線とｈｋ回折線のみが観測されうる。このような場合、本明細書においては、上記「（１０１）面」との表記を、「（１０）面」のように置き換えて読むことができる。
（３）ラマンスペクトル
　単層グラフェンシート（モノグラフェン）はグラファイトと同様に２重縮退したＥｇモードがラマン活性であり、ラマンスペクトルには、第１に、１５８０ｃｍ-1付近に一次のＥｇバンド、すなわちＧバンドが観測される。ラマンスペクトルにこのＧバンドが観測されることで、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンが、ｓｐ2炭素からなるグラフェンシートを含むことを確認することができる。このほかに、グラフェンシートのラマンスペクトルには、いくつかの特徴的なピークがあることが知られている。例えば、グラファイト構造に乱れや欠陥が生じると、Ｄバンドに加えて、本来不活性なバンドが１３５０ｃｍ-1付近や１６２０ｃｍ-1付近に、それぞれＤバンド、Ｄ’バンドと呼ばれるピークとして出現する。ヘテロ元素含有グラフェンの場合は、ヘテロ元素がグラフェン構造に導入されていることによって、グラファイト構造に乱れが生じ得る。その結果、ヘテロ元素含有グラフェンのラマンスペクトルには、ＤバンドやＤ’バンド等が出現することがあり、また、Ｇバンドを含めたこれらのピークはブロードとなり得る。
　ここで、ここに開示される高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンについては、高結晶性との観点から、Ｇバンドの半値幅が小さいことが観測される。本発明の高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンについて、ラマンス分光分析により得られるラマンスペクトルのうち、Ｇバンドの半値幅は、総じて、従来のヘテロ元素含有グラフェンについて得られるラマンシフトのＧバンドよりも小さい。例えば、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンについて得られる励起波長を５３２ｎｍとするラマンスペクトルのうち、Ｇバンドに帰属されるピークの半値幅は、５０ｃｍ-1以下（例えば５０ｃｍ-1未満）であり得る。Ｇバンドに帰属されるピークの半値幅は、４５ｃｍ-1以下がより好ましく、４０ｃｍ-1以下がさらに好ましく、例えば３５ｃｍ-1以下であってよい。
　なお、本発明の高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンのラマンスペクトルには、２７００ｃｍ-1付近（Ｄバンドの２倍音）に、グラフェンシートの層数に関連するといわれる２Ｄバンドに由来するピークが観測される場合がある。一般に、２Ｄバンドのピークは、モノグラフェンについては鋭いものの、グラフェンシートの層数が増えるに連れてブロード化し、５層以上のグラフェンシートではバルクのＨＯＰＧのスペクトルとほぼ一致するといわれている。また、モノグラフェンの２Ｄバンドは、Ｇバンドよりも高い強度を示すものの、層数が５層程度まで増えるにつれて２Ｄバンドに対するＧバンドの強度は強くなるといわれている。しかし、この２Ｄバンドは、アモルファスや結晶性の低いヘテロ元素含有グラフェンのラマンスペクトルには現れ難い。本発明の高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、ラマンスペクトルにおいて、２７００ｃｍ-1付近に見られる２Ｄバンドの強度Ｉ（２Ｄ）と、Ｇバンドの強度Ｉ（Ｇ）との比（Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ））は、通常０．５以上であり、比（Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ））は、０．６以上がより好ましく、０．７以上がさらに好ましく、０．８以上が特に好ましい。また、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンにおけるグラフェンシートの層数を比較的少なくすることができる。その場合、Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ）の上限は特にはないが、比（Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ））は、おおよそ５以下とすることができ、例えば１以下（例えば１未満。）とすることもできる。
　さらに、本発明の高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、ラマンスペクトルの２Ｄバンドの半値幅も狭いほうがよい。２Ｄバンドに帰属されるピークの半値幅は、通常、８０ｃｍ-1以下（例えば８０ｃｍ-1未満）であり、７５ｃｍ-1以下がより好ましく、７０ｃｍ-1以下がさらに好ましく、例えば６５ｃｍ-1以下であってよい。
　本発明の高結晶性のヘテロ元素含有グラフェンの具体的な形状は特に制限されないが、例えば、平均粒子径が１ｎｍ以上１０μｍ以下の粉末として提供される。高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンの平均粒子径は、５ｎｍ以上であってよく、１０ｎｍ以上とすることができ、１００ｎｍ以上としてもよい。高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンの平均粒子径は、５μｍ以下であってよく、３μｍ以下であってもよく、１μｍ以下であってもよい。本発明のヘテロ含有グラフェンが二次元結晶であるという観点から、平均粒子径は大きい方が好ましい。平均粒子径は、後述のプラズマを用いる製造時の条件を制御することで調節できる。粒子径は反応温度が低いと大きくはならない。粒子径の観点からは、プラズマの単位時間のエネルギーが小さいほど好ましい。
　また、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、自身を支持する基材を含まない。これによって、軽量で、単位重量あたりの機能性（例えば、半導体特性、触媒活性等）に優れた材料が提供される。
　［高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンの製造方法］
　高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、以下の手順で好適に製造することができる。
<１>  少なくとも一部に５員環構造を有し、この５員環が、ヘテロ元素（Ｘ）と、炭素（Ｃ）とにより構成されているヘテロ５員環化合物を原料化合物として用意する。ここで、ヘテロ元素とは、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）およびホウ素（Ｂ）からなる群から選択される少なくとも１種である。
<２>  次に、用意した原料化合物を、極性非プロトン性溶媒に溶解させて原料含有液を調製する。
<３>  そして原料含有液中でプラズマを発生させることにより、上記ヘテロ５員環化合物を開環させて重合させる。
　ここで、後述の実施例にも示したが、本発明の高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンを得るためには、原料化合物と、極性非プロトン性溶媒との組み合わせが好適である。好適な組み合わせでない場合は、従来技術と同様に、結晶性の低いヘテロ元素含有グラフェンが合成される。また、好適な組み合わせから外れると、相対的に、グラフェンへのヘテロ元素の取り込みが抑制されたり、結晶性の高くない（例えばアモルファス）ヘテロ元素含有グラフェンが得られたりしてしまう。
　原料化合物としてのヘテロ５員環化合物は、ヘテロ元素の種類にもよるため一概には言えないが、例えば、５員環の１，３位にヘテロ元素を含む複素環式芳香族化合物であることが好ましい。ヘテロ元素は、１位と３位とで同じであってもよいし、異なっていてもよい。好ましくは同一の元素である。また、ヘテロ５員環化合物は、ヘテロ元素として窒素を含む化合物であることが好ましい。ヘテロ５員環化合物としては、例えば、５員環の１，３位に窒素を含むアミンであることが好ましく、例えばイミダゾール系の化合物を好ましく用いることができる。また、ヘテロ５員環化合物は、イオン性化合物であることも好ましい。そのようなイオン性化合物としては、例えば、水に溶解して、ヘテロ５員環化合物に含まれるのと同じへテロ元素と炭素とを含むイオンをアニオンとして有する塩であることが好ましい。このようなイオン性化合物とは、例えば、シアン酸塩、チオシアン酸塩、シアミナドなどである。ヘテロ５員環化合物の好適例としては、例えば、１－エチル－３－メチルイミダゾリウムジシアナミド、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムチオシアナート等のイミダゾリウム塩が挙げられる。
　極性非プロトン性溶媒は、上記原料化合物を溶解しやすく、プロトン供給性を有しないものを好ましく用いることができる。かかる極性非プロトン性溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。極性非プロトン性溶媒に上記ヘテロ５員環化合物を溶解することで、原料含有液を調製することができる。
　次いで、原料化合物の重合および炭素化の反応場として、原料含有液中に液中プラズマを発生させる。後述の実施例で説明するが、図１の液中プラズマ発生装置１０により液２中の電極６間にパルス電圧を印加することで、電極６間に非平衡のソリューションプラズマ４が形成される。ソリューションプラズマ（プラズマ相）４は、電極６間に形成される気相中に形成されている。このようなプラズマ反応場は、電極６間に定常的に維持されている。プラズマ反応場では、プラズマ相から液相に向かって、高いエネルギーを有した電子、イオン、ラジカル等の活性種が供給される。一方、液相から気相およびプラズマ相に向けては、液相に含まれる原料化合物が供給される。そしてこれらは、主として液相と気相の界面において接触（衝突）する。これによって、原料化合物が重合されて炭素化され、高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンが製造される。
　発生したプラズマは容器の壁と相互作用をするため、プラズマの安定性という観点からは、壁からの距離を適切に保つ必要がある。また、電極６が液面から離れるほど、ヘテロ含有グラフェンの収量が増大する。そのため、用いる反応装置の大きさや、原料、溶媒などに応じて収量を増大させるためには、それらの配置を調節する必要がある。そのように電極６の配置などを調節することによって、本発明のヘテログラフェンの収量は、１～３０％とすることができ、好ましくは１０～３０％、より好ましくは２０～３０％とすることができる。
　液中プラズマの発生条件は、例えば、電圧（二次電圧）：約１ｋＶ～２ｋＶ、周波数：約１０ｋＨｚ～３０ｋＨｚ、パルス幅：約０．５μｓ～３μｓの範囲とするとよい。さらに、安定したソリューションプラズマの発生を可能とするために、原料含有液の電気伝導度は３００μＳ・ｃｍ-1～３０００μＳ・ｃｍ-1程度の範囲であるのが好ましい。より詳細な液中プラズマの発生条件等については、特許文献２の開示を参照することができるため、重ねての説明は省略する。
　以上、好適な実施形態に基づき高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンとその製造方法について説明したが、本発明はこれらの例に限定されず、適宜に態様を変化して行うことができる。例えば、原料化合物を含む液には、本願発明の目的を損ねない範囲において、原料化合物以外の化合物が含まれていても良い。また、ソリューションプラズマの発生に際しては、必ずしもタングステンからなる針状電極を用いる必要はなく、例えば、他の導電性材料からなる任意の形状の電極を用いるようにしても良い。さらには、電極を用いることなく、低インダクタンスの誘導コイルによりソリューションプラズマを発生するようにしても良い。また、液中プラズマは、ソリューションプラズマ（グロー放電プラズマ）によるものに限定されず、例えば、液中でのアーク放電プラズマ等を利用して実施しても良い。
　また本発明によって提供される高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、結晶性が改善されている。このことにより、電気伝導性や触媒活性を始めとする高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンの各種特性が改善され得る。その結果、例えば、電子伝導性を示す高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンと、ｎ型またはｐ型の半導体特性を有する高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンとを作り分けることが可能になる。これにより、例えば、軽量でフレキシブルな半導体チップの開発が可能となる。また、さまざまな半導体チップの開発が可能となり、フレキシブル半導体デバイスの実現の一助となりうる。
　次に、本発明に関する実施例を示すが、本発明を、かかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。
［ヘテロ元素含有グラフェンの製造］
　原料化合物として、窒素含有５員環有機分子である１－エチル－３－メチルイミダゾリウムジシアナド（ＥＭＩＭ－ＤＣＡ、Ｃ８Ｈ１１Ｎ５、ＣＡＳ登録番号：３７０８６５－８９－７）を用意した。また、溶媒として以下の４とおりの有機溶剤（ａ）～（ｄ）を用意した。そして原料化合物と溶媒とを１：９の質量比で混合し、原料化合物を溶解することで、原料化合物含有液（ａ）～（ｄ）を調製した。
　有機溶剤
　（ａ）Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ、（ＣＨ３）２ＮＣＨＯ）
　（ｂ）アセトニトリル（ＣＨ３ＣＮ）
　（ｃ）ベンゼン（Ｃ６Ｈ６）
　（ｄ）トルエン（Ｃ６Ｈ５ＣＨ３）
　次いで、図１に示す液中プラズマ発生装置１０を用い、それぞれの原料化合物含有液中でソリューションプラズマ４を発生させた。液中プラズマ発生装置１０は、原料化合物含有液２を収容するガラス製ビーカーからなる容器５と、容器５に固定された一対のプラズマ発生電極６と、電極６に電圧を印加する電源８とを備えている。電極６は、直径１．０ｍｍのタングステンワイヤ（ニラコ社製）によって構成され、電極間距離は０．３ｍｍに設定されている。ワイヤは、先端部を露出させ、その他の部分はフッ素樹脂からなる絶縁部材９で被覆した。電源８には、バイポーラ直流電源を用いた。
　上記で用意した原料化合物含有液（ａ）～（ｄ）から選ばれる原料化合物含有液２を、容器５に入れてマグネチックスターラーからなる撹拌装置７によって撹拌した。原料化合物含有液２の量は、対向電極６部分が原料化合物含有液２の中程に浸漬されるように調整した。その後、外部電源８（バイポーラパルス直流電源）から電極６（電極０．１ｍｍ）間に所定のパルス電圧を印加することで、液中の電極６間にプラズマを発生させた。パルス電圧条件は、端子間電圧：＋１５００Ｖ→０Ｖ→－１５００Ｖ→０Ｖ→＋１５００Ｖ、繰り返し周波数：２００ｋＨｚ、パルス幅：１μｓ、とし、原料化合物含有液２中で５分間プラズマを発生させた。
　原料化合物含有液（ａ）～（ｄ）はいずれも無色透明であったが、プラズマの発生直後から黄色みを帯び、約５分後には褐色ないしは黒色の不透明な液に変化した。この変色は、原料化合物が重合してグラファイト骨格を形成したためであると考えられる。そしてプラズマ処理後の原料化合物含有液を乾燥させることで、黒色の粉末を得た。以下、原料化合物含有液（ａ）～（ｄ）からそれぞれ得られた窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）を下記の分析に供し、その結晶構造等について調べた。
　［制限視野電子回折分析］
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）について制限視野電子回折分析を行うことで、各粉末の結晶構造を調べた。分析装置としては、日本電子（株）製の高分解能透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）ＪＥＭ－２５００ＳＥを用い、電子回折パターンの取得およびＴＥＭ観察を行った。制限視野回折像条件は、電子線加速電圧を２００ｋＶ、視野領域を約３５０ｎｍ、カメラ長を３００ｃｍとした。なお、本装置は、回折パターンをスロースキャンＣＣＤカメラによってデジタル信号として取り込み、液晶ディスプレイ上に表示する。ＣＣＤチップの解像度は３４１３ピクセル／ｍ×３４１３ピクセル／ｍであり、カメラのフレームサイズは６４０ピクセル×５３６ピクセルである。観察に際しては、まずＴＥＭ機能にて粉末中の一粒の粒子を選択し、電子回折パターンを見ながら試料のＸ軸、Ｙ軸の傾斜をコントロールして結晶方位を合わせ、もっとも明瞭な電子回折パターンが得られた位置にてＴＥＭ像を取得した。以上の結果を図２に示した。
　［Ｘ線回折分析］
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）について粉末Ｘ線回折を行うことで、各粉末の結晶構造を調べた。Ｘ線回折分析装置としては、（株）リガク製のＳｍａｒｔＬａｂ（９ｋＷ）を用い、以下の分析条件にて分析を行った。Ｘ線のパターンを図３に示す。
　　　Ｘ線源：Ｃｕ－Ｋα線
　　　Ｘ線発生電流：２００ｍＡ
　　　Ｘ線発生電圧：４５ｋＶ
　　　スリット角：０．５°
　　　スリット幅：１．０ｍｍ
　　　２θ＝１０～８０°
　　　ステップ間隔：０．０２°
　　　ステップ測定時間：３ｓ
　［Ｘ線光電子分光分析］
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）についてＸ線光電子分光（ＸＰＳ）分析を行い、各粉末を構成する元素の特定と、その化学状態とを調べた。具体的には、全エネルギー範囲（０～１１００ｅＶ）にて試料を走査し、高感度に定性分析するワイドスキャン分析を行ったのち、３９４～４０６ｅＶの狭いエネルギー範囲を走査するナロースキャン分析を行うことで、粉末中の窒素原子の結合状態を調べた。ＸＰＳ分析装置としては、アルバック・ファイ株式会社製のＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ ＩＩを用い、以下の分析条件にて分析を行った。
　　　Ｘ線源：Ｍｇ－Ｋα線
　　　Ｘ線発生電流：１．７ｍＡ
　　　Ｘ線発生電圧：２５ｋＶ
　［ラマン分光分析］
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）についてラマン分光分析を行い、粉末を構成する物質の種類や状態を調べた。ラマン分光分析装置としては、日本分光（株）製のＮＲＳ－１００を用い、以下の分析条件にて分析を行った。
　　　励起波長：５３２ｎｍ
　　　出力：２ｍＷ
　　　露光時間：１０秒
　　　平均回数：５回
［評価］
　［制限視野電子回折分析］
　図２（ａ）～（ｄ）に、窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）のＴＥＭ像と、制限視野電子回折分析により得られた電子回折パターンとを示した。なお、ＴＥＭ像は、それぞれ任意の倍率である。
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）は、いずれも同一の原料化合物ＥＭＩＭ－ＤＣＡから得られた試料であるが、この原料化合物を溶解させた溶剤の種類が異なる。図２（ａ）に示されるように、溶剤としてＤＭＦを用いて得た窒素含有グラフェン粉末（ａ）の電子回折パターンは、正六角形がやや拉げた形の単一の結晶の対称性を示すスポットが得られることが確認された。このことから、窒素含有グラフェン粉末（ａ）は単結晶からなることがわかった。また、図２（ｂ）に示されるように、溶剤としてアセトニトリルを用いて得た粉末（ｂ）の電子回折パターンは、同心円状のデバイリングを形成し、測定領域内に様々な角度で結晶が存在することが確認された。つまり、粉末（ｂ）は多結晶を含むことがわかった。一方、図２（ｃ）、（ｄ）に示されるように、溶剤としてベンゼンを用いて得た粉末（ｃ）およびトルエンを用いて得た粉末（ｄ）の電子回折パターンは、いずれも同心円状のハローパターンを形成し、明瞭な回折スポットは観測されない。このことから、粉末（ｃ）および（ｄ）は、結晶構造を有さないアモルファスであることがわかった。また、ソリューションプラズマを用いたヘテロ元素含有炭素質材料の製造においては、原料化合物を溶解させる有機溶剤の種類によって、生成される化合物の結晶性に差異が生じる。
　［ＸＲＤ分析］
　図３に、得られた窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）のＸ線回折パターンを示した。窒素含有グラフェン粉末（ａ）については、２θ＝２６°付近に（００２）面からの回折ピークが、２θ＝４２～５０°付近に（１０）面からの回折ピークが観測されることが確認された。しかしながら、粉末（ｂ）～（ｄ）についてはブロードなピークが僅かに見られる程度であり、粉末（ｂ）～（ｄ）は結晶構造がないか、あっても長距離秩序性がほぼ見られないアモルファスであることがわかった。この結果は、電子回折分析の結果からも支持される。
　［ＸＰＳ分析］
　次に、図４Ａに得られた窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）のＸＰＳ分析のワイドスキャン分析の結果を示した。図４Ａに示されるように、窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）の全てのＸＰＳスペクトルについて、結合エネルギーが２８５ｅＶ付近にＣ１ｓピークが、３９８ｅＶ付近にＮ１ｓピークが、５３１ｅＶ付近にＯ１ｓピークが観測されることが確認できた。窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）はいずれも炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を含む材料であることが確認できた。ただし、窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）のＣ１ｓピークは鋭く大きいものの、Ｎ１ｓピークおよびＯ１ｓピークは窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）の順に小さくなっていることがわかった。そこで、各粉末の炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）の総量を１００原子％としたときの各元素の割合を下記の表１に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表１に示されるように、窒素含有グラフェン粉末（ａ）（ｃ）（ｄ）においては酸素含有量が５～７原子％とやや少なめであるのに対し、溶剤としてアセトニトリルを用いて得られた粉末（ｂ）は酸素含有量が１０原子％超と多いことがわかった。また、窒素含有量については、粉末（ｃ）（ｄ）は２原子％以下と少ないのに対し、窒素含有グラフェン粉末（ａ）、（ｂ）においてはそれぞれ１３．４原子％、７．１原子％と比較的多いことがわかった。このことから、ソリューションプラズマを用いたヘテロ元素含有炭素質材料の製造においては、原料化合物を溶解させる有機溶剤の種類によって、生成される化合物の組成も異なりうることがわかった。例えば窒素含有グラフェン粉末（ａ）については、窒素含有量が１０原子％超過と多く、酸素含有量が５．５％未満と少なく抑えられることがわかった。
　次いで、窒素含有量がある程度多い窒素含有グラフェン粉末（ａ）および（ｂ）について、ナロースキャン分析を行った結果を図４Ｂに示した。結合エネルギーが３９５～４０５ｅＶの領域では、高解像度でスキャンすることで、さまざまな結合状態の窒素原子スペクトルが観察できる。そこで、ＸＰＳ分析に基づくＮ１ｓピークのナロースキャンスペクトルを、窒素原子の４通りの結合状態を示すピークに分離して示した。すなわち、Ｎ１ｓピークを、（１）３９８．５ｅＶ近傍のピリジン型の結合ピークと、（２）４００．５±０．２ｅＶ近傍のピロール型（Ｎ５）ピークと、（３）４０１．２±０．２ｅＶ近傍の陽イオン性（Ｎ＋）ピークと、（４）４０２．９±０．２ｅＶ近傍のピリドン型（ＮＯＸ）ピークと、に分離した。窒素含有グラフェン粉末（ａ）および（ｂ）には、４通りの全ての結合状態の窒素原子が含まれていることが確認できた。また具体的には示さないが、図４Ｂから解るように、窒素含有グラフェン粉末（ａ）および（ｂ）においては、ピリジン型窒素および陽イオン性窒素が比較的多く含まれるが、ピリジン型窒素はエッジにのみ導入されうるため、面内に導入された主要な窒素は陽イオン性窒素である。陽イオン性窒素が多く含まれることで、グラフェンシートの端部ではなく内部に窒素原子が導入されているといえる。
　［ラマン分光分析］
　図５に、得られた窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）のラマンスペクトルを示した。全ての窒素含有グラフェン粉末（ａ）～（ｄ）について、グラフェンの特徴的なピークの一つであり、グラファイト構造（炭素六員環構造）に由来するＧバンドが１５８０ｃｍ-1付近に、構造の乱れと欠陥に起因するＤバンドが１３５０ｃｍ-1付近に見られることが確認できた。窒素含有グラフェン粉末（ａ）のＧバンドおよびＤバンドは比較的急峻なピークを形成しており、ラマンスペクトルからも窒素含有グラフェン粉末（ａ）の結晶性の高さがうかがえる。本発明者らの知見によると、ヘテロ元素を導入したグラフェン（特には、基材上に形成されていない自立グラフェン）については、Ｇバンドが先端のとがったピークとして現れることはこれまで報告されていない。窒素含有グラフェン粉末（ａ）のＧバンドの半値幅（ＦＷＨＭ）は３４．０ｃｍ-1であった。しかしながら、粉末窒素含有グラフェン粉末（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）になるにつれてピークがブロードとなり、結晶化度がより低くなることがわかった。おおよそ粉末（ｃ）、（ｄ）はアモルファスであるといえ、電子回折分析等の結果と一致する。
　また、窒素含有グラフェン粉末（ａ）については、２つのフォノンが関与した２次のラマン散乱バンド（２Ｄバンド）が２７００ｃｍ-1付近に明瞭に確認された。粉末（ａ）の２Ｄバンドの半値幅（ＦＷＨＭ）は６８．２ｃｍ-1であった。この２Ｄバンドは、粉末（ｂ）にわずかに確認できるものの、窒素含有グラフェン粉末粉末（ｃ）、（ｄ）については観測できなかった。粉末（ａ）については、その他にも、１６２０ｃｍ-1付近に欠陥に起因するＤ’バンドや、２４４６ｃｍ-1付近にＤ＋Ｄ”の結合モード、また２９５０ｃｍ-1付近にＤ＋Ｄ’の結合モードが観測され、グラフェンよりも複雑な結晶構造を有することが予想される。
　以下の表２に、窒素含有グラフェン粉末粉末（ａ）～（ｄ）のラマンスペクトルにおけるＤバンドとＧバンドの強度比（Ｉ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ））と、粉末（ａ）のラマンスペクトルにおける２ＤバンドとＧバンドの強度比（Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ））を示した。アモルファス状態の粉末（ｃ）、（ｄ）のＩ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ）は、０．８６～０．８７であった。そして粉末窒素含有グラフェン粉末（ｃ）、（ｄ）よりも結晶性が高いと考えられる粉末（ａ）、（ｂ）のＩ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ）は、それぞれ０．７４、０．９９という結果であった。一般に、Ｉ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ）はＲ値とも呼ばれ、炭素質材料の黒鉛化度の評価に利用される指標である。しかしながら、最近の研究では、Ｒ値はさまざまな要因に依存して複雑な挙動を示すため、すべての炭素材料に対して万能でないことが明らかとなっている。本例においては、結晶性が大幅に低く、明瞭なＤバンドおよびＧバンドが得られないような試料については、このＩ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ）が結晶性の指標としては機能しないことが確認できた。一方で、結晶性の比較的高い粉末（ａ）については、ラマンスペクトルが結晶性を明瞭に反映したものとなっており、Ｉ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ）が１未満（例えば０．８以下）の低い値となる。換言すると、グラフェン構造の欠陥の少なさ、延いては結晶性の高さを示し得るといえる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　［結晶構造解析］
　以上のことから、原料化合物としてＥＭＩＭ－ＤＣＡを用い、溶媒としてＤＭＦを用いることで、結晶性に優れたヘテロ元素含有グラフェンが得られることがわかった。そこで、窒素含有グラフェン粉末（ａ）の電子回折パターンとＸＲＤパターンとから、更に詳細な結晶構造解析を行った。図６に、結晶構造解析のシミュレーションの結果を示した。図中の矢印で示したスポットが、実際に得られた電子回折スポット（図２（ａ）参照）である。図中の矢印で示されていないスポット（黒丸）が、グラフェン（グラファイト）結晶構造から理論的に得られる回折スポットである。また、グラフェン（グラファイト）の回折スポットの作成に用いた単位胞の格子条件と、窒素含有グラフェン粉末（ａ）の電子回折パターンに基づく結晶構造解析の結果とを、下記の表３に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　図６に示すように、窒素含有グラフェン粉末（ａ）の電子回折パターンは、おおよそグラファイトの電子回折パターンと類似のスポットを形成しているが、その形態はやや扁平に拉げている。構造解析の結果、図６の電子回折パターンは、直方晶系の特徴である［１０１］方位からの回折像を示すものであることがわかった。そしてスポットのずれ量から、窒素含有グラフェン粉末（ａ）の結晶構造における単位胞は、表３に示されるように、平面格子におけるグラフェンの理想的な六員環構造が、直方晶系におけるａ軸方向に潰れるように変形したものであることがわかった。同時に、直方晶系の対称性にしたがって決定される単位胞のａ軸の格子定数は約４Åにまで伸張されている。このように窒素含有グラフェン粉末（ａ）の平面格子の大きさが拡大したことにより、（００２）面の面間隔ｄ００２は３．４２８Åとなり、（１０１）面の面間隔ｄ１０１は２．０９７Åとなった。このことは、図３に示したＸＲＤ回折パターンにおける、２６°付近の（００２）面からの回折ピークの半値幅が２．５９°と、グラフェンの（００２）面からの回折ピークについて得られるであろう半値幅よりも大きくなったことと整合する。
　そこで、窒素含有グラフェン粉末（ａ）の結晶構造における単位胞の扁平率を算出した。図７（ａ）～（ｃ）に、単位胞の扁平率の算出方法を説明するための電子回折パターンを示した。図７（ａ）は、電子線回折分析で得た回折スポットに逆格子点を記した図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）の回折スポット（逆格子点）に、単位胞の原点から延びる逆格子ベクトルＡ～Ｄを記入した図である。図７（ｃ）は、図６に示したグラフェンの理論的に得た電子回折パターンに逆格子ベクトルＡ～Ｄを記入した図である。この図７（ｃ）は、ヘテロ元素を導入する前のグラフェンの逆格子ベクトルに相当する。図７（ｂ）（ｃ）の逆格子ベクトルＡ～Ｄは、それぞれ、原点と逆格子点（－１１１）、（０２０）、（１１－１）、（２０－２）とを繋ぐベクトルである。窒素含有グラフェン粉末（ａ）とグラフェンの逆格子ベクトルＡ，Ｃ，Ｄの長さを、各逆格子ベクトルの長さに対する相対長さとして、下記表４に示した。また、ヘテロ元素を導入前のグラフェンに対して、窒素含有グラフェン粉末（ａ）における逆格子ベクトルの変形度を、当該ベクトルの方向での扁平率として次式により算出した。
　　扁平率＝（窒素含有グラフェン粉末（ａ）の逆格子ベクトルの長さ）/（シミュレーションされたグラファイトの逆格子ベクトルの長さ）×１００
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）の単位胞の扁平率は、（２０－２）方向について１０２．４％であり、（１１－１）方向について９８．３％と、斜めに拉げることが確認された。しかしながら、この扁平率は、いずれも方向にも約３％以内に収まっており、ここに開示される高結晶性ヘテロ元素含有グラフェンは、ヘテロ元素を多量に導入してもグラフェンの結晶構造をわずかに変形させるにとどめ、高結晶性を良好に維持できるということがわかった。
［ホール効果］
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）の半導体特性を測定した。測定装置は、東陽テクニカ８４００ＡＣＬＲ／ＯＷ型を用いた。
　所定のサイズのモールドに粉末試料を入れ、５０ MPaでプレスして得られた成型体を測定試料とした。その後、測定試料の膜厚は、マイクロメータを用いて計測した。
　測定試料は 、アルゴン雰囲気下、２８０℃で前処理をした。
　測定条件は、以下の通りである。
　　測定条件（室温測定）
　　　H3
　　　サイズ:4mm×4mm×118μm
　　　温度:290.2K
　　　電流:7mA
　　　磁場:0.3744T(交流250mHz)
　　　H4
　　　サイズ:5mm×5mm×117μm
　　　温度:290.5K
　　　電流:7mA
　　　磁場:0.5T(直流)
　　　H5
　　　サイズ:5mm×5mm×185μm
　　　温度:287.8K
　　　電流:7mA
　　　磁場:0.3744T(交流250mHz)
　また、Ｈ４については、以下のように温度可変測定を行った。結果を表５に示す。
　温度可変測定
　Ｈ４
　サンプルサイズ：5mm×5mm×117μm(厚さ)
　電流:7mA
　磁場:0.5T(交流，周波数250mHz)
　温度範囲（290K-20K, 10点，1/Tで等間隔測定）
　測定の結果を図８～図１０に示した。
　半導体特性の温度依存性については、温度上昇に従いホール移動度及びキャリア密度は上昇した。一方、シート抵抗は減少した。この温度依存性は、従来の半導体特性の温度依存性と一致する。室温からヘリウム温度域において、相転移は見られなかった。幅広い温度域で、陽イオン性窒素がキャリアとして安定であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　このホール効果測定結果から、本発明の高結晶性ヘテログラフェンのキャリアタイプはp型であり、そのキャリア密度は１０18ｃｍ-3以上であることが分かる。陽イオン性窒素がドープされたことにより、平面性が維持できたとともに、電子ではなくホールがドープされたことを示している。従来の窒素ドープグラフェンがn型であることは、従来のドープ窒素は陽イオン性窒素の割合が少なく、平面性が維持できていなかったことを示している。また、ヘリウム温度から常温までの範囲で、ホール移動度、キャリ濃度、シート抵抗が単調変化していることは、本温度範囲では、構造相転移は発生せず、構造的に安定であることを示している。
［可視ＵＶスペクトル］
　窒素含有グラフェン粉末（ａ）を石英上で溶媒により分散させて乾燥させて得たキャストフィルムの薄膜の可視UVスペクトルを測定した。結果を図１１に示す。この薄膜は、窒素を含む半導体の性質を示すが、４００ｎｍ以上の可視領域で８０％以上の透過率を示した。
　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。ここで開示される発明には上述の具体例を様々に変形、変更したものが含まれ得る。
　２　液（液相）
　４　ソリューションプラズマ
　５　容器
　６　電極
　７　撹拌装置
　８　外部電源
　９　絶縁部材
１０　液中プラズマ発生装置

Claims (14)

  1. 　制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、
    　炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェン。
  2. 　前記スポットは、前記直方晶系に属し、入射方向を［１０１］とする電子回折像であって、逆格子点１１－１、－１１１、－２０２、１－１－１、２０－２および－１－１１の配列を含むことを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  3. 　Ｘ線回折において、（００２）面からの回折ピークの半値幅が３度以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  4. 　Ｘ線回折において、（００２）面からの回折ピーク強度Ｉ（００２）に対する（１０１）面からの回折ピーク強度Ｉ（１０１）の比（Ｉ（１０１）／Ｉ（００２））が０．１以上であることを特徴とする、請求項１～３のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  5. 　Ｘ線回折において、（００２）面の面間隔は３．５Å以下であることを特徴とする、請求項３または４に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  6. 　Ｘ線光電子分光法に基づき算出される、炭素（Ｃ）とヘテロ元素（Ｘ）との原子数比（Ｘ／Ｃ）が０．１以上であることを特徴とする、請求項１～５のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  7. 　Ｘ線光電子分光法に基づき、窒素の基底面へのドープされている化学結合状態が陽イオン性窒素の可能性が提示でき、ホール効果測定によりキャリアタイプがp型と判定されることを特徴とする、請求項１～６のいずれかに記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  8. 　励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光分析において、１３５０ｃｍ-1付近に見られるＤバンドの強度Ｉ（Ｄ）と、１５８０ｃｍ-1付近に現れるＧバンドの強度Ｉ（Ｇ）との比（Ｉ（Ｄ）／Ｉ（Ｇ））が１以下であり、かつ、前記Ｇバンドの半値幅が５０ｃｍ-1以下であることを特徴とする、請求項１～７のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  9. 　前記ラマン分光分析において、２７００ｃｍ-1付近に見られる２Ｄバンドの強度Ｉ（２Ｄ）と、前記Ｇバンドの強度Ｉ（Ｇ）との比（Ｉ（２Ｄ）／Ｉ（Ｇ））が０．５以上であることを特徴とする、請求項１～８のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  10. 　前記ラマン分光分析において、２７００ｃｍ-1付近に見られる２Ｄバンドの半値幅が８０ｃｍ-1以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  11. 　当該ヘテロ元素含有グラフェンを支持する基材を含まない、請求項１～１０のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  12. 　前記炭素（Ｃ）の原子が前記へテロ元素（Ｘ）の原子と化学結合し、かつ、前記炭素（Ｃ）の原子が主としてｓｐ2結合することで構成されるグラフェンシートを含み、
    　前記グラフェンシートは、１層からなる単層構造または２層以上５層以下の積層構造を有している、請求項１～１１のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  13. 　平均粒子径が１ｎｍ以上１０μｍ以下の粉末である、請求項１～１２のいずれか１項に記載のヘテロ元素含有グラフェン。
  14. 　少なくとも一部に５員環構造を有し、前記５員環が、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種のヘテロ元素（Ｘ）と、炭素（Ｃ）とにより構成されているヘテロ５員環化合物を、極性非プロトン性溶媒に溶解させて原料含有液を用意すること、および、
    　前記原料含有液の中でプラズマを発生させることにより、前記ヘテロ５員環化合物を重合させて、ヘテロ元素含有グラフェンを得ること、
    　を含む、
    　制限視野電子回折において、直方晶系および六方晶系のいずれかに属し、単結晶の対称性を備えるスポットが観測され、
    　炭素（Ｃ）と、ヘテロ元素（Ｘ）として窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、イオウ（Ｓ）、ホウ素（Ｂ）、およびケイ素（Ｓｉ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素と、を含むヘテロ元素含有グラフェンの製造方法。
PCT/JP2018/036399 2017-09-29 2018-09-28 ヘテロ元素含有グラフェン WO2019066013A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/650,964 US20200346933A1 (en) 2017-09-29 2018-09-28 Heteroelement-Containing Graphene
JP2019545161A JP7036448B2 (ja) 2017-09-29 2018-09-28 ヘテロ元素含有グラフェン
EP18860508.3A EP3689819A4 (en) 2017-09-29 2018-09-28 GRAPH WITH HETEROELEMENT
CN201880062815.9A CN111148719B (zh) 2017-09-29 2018-09-28 含杂元素的石墨烯
KR1020207011964A KR102405114B1 (ko) 2017-09-29 2018-09-28 헤테로 원소 함유 그래핀

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-190683 2017-09-29
JP2017190683 2017-09-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019066013A1 true WO2019066013A1 (ja) 2019-04-04

Family

ID=65903358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/036399 WO2019066013A1 (ja) 2017-09-29 2018-09-28 ヘテロ元素含有グラフェン

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200346933A1 (ja)
EP (1) EP3689819A4 (ja)
JP (1) JP7036448B2 (ja)
KR (1) KR102405114B1 (ja)
CN (1) CN111148719B (ja)
WO (1) WO2019066013A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113422082B (zh) * 2021-07-06 2023-04-21 中国科学技术大学 一种含有氮掺杂碳五元环结构的类石墨烯碳材料电催化剂及其制备方法和应用
CN114751400B (zh) * 2022-05-23 2023-08-25 湖北工业大学 一种氮锌共掺杂的石墨烯量子点、比率型免疫传感器及其制备方法与应用
CN115400691B (zh) * 2022-08-24 2024-05-10 内蒙古唐合科技有限公司 一种人造金刚石的制备方法
CN119400841A (zh) * 2024-12-31 2025-02-07 湖南镓睿科技有限公司 负极材料及其制备方法和钾离子电池

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102605339A (zh) * 2012-02-22 2012-07-25 中国科学院化学研究所 一种规则氮掺杂石墨烯及其制备方法
JP2012153555A (ja) 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Institute Of Technology ヘテロ原子含有グラフェン
JP2013232409A (ja) 2012-04-30 2013-11-14 Samsung Sdi Co Ltd 電極触媒用担体およびその製造方法と燃料電池
JP2014100617A (ja) 2012-11-16 2014-06-05 Nagoya Univ カーボン系触媒の製造方法
WO2014098251A1 (ja) 2012-12-21 2014-06-26 独立行政法人理化学研究所 ｇ－Ｃ３Ｎ４フィルムの製造方法およびその利用
CN104630894A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 中国科学技术大学 二维碳氮单晶合金及其制备方法
US20150236353A1 (en) * 2012-06-28 2015-08-20 The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University Fabrication and functionalization of a pure non-noble metal catalyst structure showing time stability for large scale applications
JP2016209798A (ja) 2015-05-01 2016-12-15 公益財団法人科学技術交流財団 有機化合物触媒体とその製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103282305B (zh) * 2010-12-24 2015-12-09 株式会社丰田中央研究所 含氮石墨烯结构体和荧光体分散液
WO2012121031A1 (ja) 2011-03-04 2012-09-13 国立大学法人 熊本大学 含窒素炭素化合物
CN103974900B (zh) * 2011-12-12 2017-03-08 松下电器产业株式会社 碳系材料、电极催化剂、氧还原电极催化剂、气体扩散电极、水溶液电解装置和制备碳系材料的方法
CN102953118B (zh) * 2012-11-12 2015-01-28 北京大学 一种单晶石墨烯pn结及其制备方法
CN106256761B (zh) * 2015-06-16 2018-02-16 宋玉军 一种批量制备石墨烯和掺杂石墨烯的方法
CN105067586B (zh) * 2015-08-12 2018-07-17 天津大学 氮掺杂三维石墨烯负载碳包覆铜基底材料及制备方法
CN106206682B (zh) * 2016-08-22 2020-01-31 深圳丹邦科技股份有限公司 Pi膜制备的多层石墨烯量子碳基半导体材料及其制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012153555A (ja) 2011-01-25 2012-08-16 Tokyo Institute Of Technology ヘテロ原子含有グラフェン
CN102605339A (zh) * 2012-02-22 2012-07-25 中国科学院化学研究所 一种规则氮掺杂石墨烯及其制备方法
JP2013232409A (ja) 2012-04-30 2013-11-14 Samsung Sdi Co Ltd 電極触媒用担体およびその製造方法と燃料電池
US20150236353A1 (en) * 2012-06-28 2015-08-20 The Royal Institution For The Advancement Of Learning / Mcgill University Fabrication and functionalization of a pure non-noble metal catalyst structure showing time stability for large scale applications
JP2014100617A (ja) 2012-11-16 2014-06-05 Nagoya Univ カーボン系触媒の製造方法
WO2014098251A1 (ja) 2012-12-21 2014-06-26 独立行政法人理化学研究所 ｇ－Ｃ３Ｎ４フィルムの製造方法およびその利用
CN104630894A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 中国科学技术大学 二维碳氮单晶合金及其制备方法
JP2016209798A (ja) 2015-05-01 2016-12-15 公益財団法人科学技術交流財団 有機化合物触媒体とその製造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HYUN, KOANGYONG ET AL.: "The solution plasma process for heteroatom- carbon nanosheets: the role of precursors", SCIENTIFIC REPORTS, vol. 7, no. 1, 19 June 2017 (2017-06-19), pages 1 - 9, XP055585642, ISSN: 2045-2322, DOI: 10.1038/s41598-017-04190-x *
See also references of EP3689819A4

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2019066013A1 (ja) 2020-10-22
US20200346933A1 (en) 2020-11-05
KR102405114B1 (ko) 2022-06-02
CN111148719A (zh) 2020-05-12
EP3689819A1 (en) 2020-08-05
KR20200060454A (ko) 2020-05-29
EP3689819A4 (en) 2021-06-23
CN111148719B (zh) 2023-05-09
JP7036448B2 (ja) 2022-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chen et al. Controlled growth of vertical 3D MoS 2 (1− x) Se 2x nanosheets for an efficient and stable hydrogen evolution reaction
Gao et al. Significant role of Al in ternary layered double hydroxides for enhancing electrochemical performance of flexible asymmetric supercapacitor
Ren et al. A Se-doped MoS 2 nanosheet for improved hydrogen evolution reaction
Zheng et al. 3D-hierarchical MoSe2 nanoarchitecture as a highly efficient electrocatalyst for hydrogen evolution
Vrbanić et al. Air-stable monodispersed Mo6S3I6 nanowires
Dubale et al. The synergetic effect of graphene on Cu 2 O nanowire arrays as a highly efficient hydrogen evolution photocathode in water splitting
WO2019066013A1 (ja) ヘテロ元素含有グラフェン
Kumar et al. Plasma-assisted simultaneous reduction and nitrogen doping of graphene oxide nanosheets
Pang et al. Direct and in situ growth of 1T′ MoS2 and 1T MoSe2 on electrochemically synthesized MXene as an electrocatalyst for hydrogen generation
Wu et al. Electrochemical deposition of Cl-doped n-type Cu 2 O on reduced graphene oxide electrodes
Du et al. Ultra-efficient electrocatalytic hydrogen evolution at one-step carbonization generated molybdenum carbide nanosheets/N-doped carbon
Rajaboopathi et al. Heterostructure of CdO-ZnO nanoparticles intercalated on PANI matrix for better thermal and electrochemical performance
Jokisaari et al. Polarization-dependent Raman spectroscopy of epitaxial TiO2 (B) thin films
Lee et al. Facile microwave assisted synthesis of vastly edge exposed 1T/2H-MoS 2 with enhanced activity for hydrogen evolution catalysis
Thomas et al. Boron carbon nitride (BCN): an emerging two-dimensional nanomaterial for supercapacitors
Xu et al. Micron-sized hexagonal single-crystalline rods of metal nitride clusterfullerene: preparation, characterization, and photoelectrochemical application
Li et al. Al-Doped SiC nanowires wrapped by the nanowire network: excellent field emission property and robust stability at high current density
KR20110084627A (ko) 신규한 구조의 탄소계 나노복합체 및 이의 제조방법
Li et al. Improving oxygen vacancies by cobalt doping in MoO2 nanorods for efficient electrocatalytic hydrogen evolution reaction
Fan et al. Graphene/graphene nanoribbon aerogels decorated with S-doped MoSe 2 nanosheets as an efficient electrocatalyst for hydrogen evolution
Wu et al. ZnO nanorods/ZnS·(1, 6-hexanediamine) 0.5 hybrid nanoplates hierarchical heteroarchitecture with improved electrochemical catalytic properties for hydrazine
Derrouiche et al. Optimization of routes for the synthesis of bismuth nanotubes: implications for nanostructure form and selectivity
Harke et al. Solution-based in situ deposition of Sb 2 S 3 from a single source precursor for resistive random-access memory devices
Parmar et al. Stabilizing metastable polymorphs of van der Waals solid MoS2 on single crystal oxide substrates: exploring the possible role of surface chemistry and structure
Hemmat et al. Unprecedented Multifunctionality in 1D Nb1‐xTaxS3 Transition Metal Trichalcogenide Alloy

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18860508

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019545161

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207011964

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018860508

Country of ref document: EP

Effective date: 20200429

点击 这是indexloc提供的php浏览器服务，不要输入任何密码和下载