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WO2018131948A1 - 경화 장치 - Google Patents

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WO2018131948A1
WO2018131948A1 PCT/KR2018/000641 KR2018000641W WO2018131948A1 WO 2018131948 A1 WO2018131948 A1 WO 2018131948A1 KR 2018000641 W KR2018000641 W KR 2018000641W WO 2018131948 A1 WO2018131948 A1 WO 2018131948A1
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light emitting
disposed
substrate
separation distance
section
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PCT/KR2018/000641
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English (en)
French (fr)
Inventor
장철호
정승범
김도엽
유영석
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
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Priority claimed from KR1020170009756A external-priority patent/KR20180085979A/ko
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Priority to CN201880007028.4A priority patent/CN110177668B/zh
Priority claimed from KR1020180004453A external-priority patent/KR102435394B1/ko
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Definitions

  • Embodiments relate to an ultraviolet curing device.
  • an apparatus for curing or adhering by irradiating ultraviolet light to a curing target is called an ultraviolet curing device.
  • the curing target may be a paint or an adhesive that can be cured by ultraviolet rays, or an opaque material.
  • a mercury ultraviolet lamp, a halogen lamp, or the like may be used as a light source for generating ultraviolet rays of the ultraviolet curing device, but these lamps have a problem of low efficiency and high price.
  • UV LED ultraviolet light emitting diode
  • UV LEDs have the advantages of high efficiency, relatively low cost, and long life.
  • the embodiment can provide an ultraviolet curing device with improved illuminance uniformity.
  • the embodiment can provide an ultraviolet curing device that can prevent a decrease in the uniformity of illuminance according to the temperature change of the light emitting device.
  • a light emitting module including a substrate disposed on the stage, and a plurality of light emitting elements disposed on the substrate; And a plurality of light transmitting blocks disposed between the light emitting module and the stage, wherein the substrate includes a plurality of first sections and a plurality of second sections disposed in a first direction, the substrate being disposed in the first section.
  • a first direction interval of the light emitting device is narrower than a first direction interval of the light emitting device disposed in the second section, and the plurality of light transmitting blocks are disposed on the first section.
  • the plurality of light transmitting blocks may extend in a direction perpendicular to the first direction.
  • the light transmitting block may be disposed on the first section.
  • the plurality of first sections and the plurality of second sections may be alternately arranged in the first direction.
  • the first section and the second section may extend in a second direction perpendicular to the first direction.
  • the substrate includes a plurality of third and fourth sections disposed in a second direction perpendicular to the first direction, and the second direction intervals of the light emitting devices disposed in the third section are disposed in the fourth section. It may be narrower than the interval in the second direction of the light emitting device.
  • the fourth section may be disposed between two third sections disposed at an edge of the substrate.
  • the third section and the fourth section may extend in the first direction.
  • the substrate may include a fifth region in which the first section and the third section cross each other, and the number of light emitting devices disposed in the fifth region may be the largest per unit area.
  • the first direction interval and the second direction interval of the light emitting device disposed in the fifth region may be the same.
  • the ratio of the interval in the first direction of the light emitting element disposed in the second section and the interval in the first direction of the light emitting element disposed in the first section may be 1: 0.62 to 1: 0.83.
  • the ratio of the second direction spacing of the light emitting elements arranged in the fourth section and the second direction spacing of the light emitting elements arranged in the third section may be 1: 0.62 to 1: 0.83.
  • a second direction interval of the light emitting element disposed in the third section may be smaller than a second direction interval of the light emitting element disposed in the fourth section.
  • the light emitting device includes a first light emitting device emitting light of a first wavelength band and a second light emitting device emitting light of a second wavelength band different from the first wavelength band, wherein the first light emitting device and the second light emitting device
  • the first direction and the second direction perpendicular to the first direction may be alternately arranged.
  • the light transmitting block may fix the mask pattern of the cured object seated on the stage.
  • Curing apparatus comprises a stage for placing a curing object; And a light emitting device disposed on the stage, the substrate including a plurality of placement regions and light emitting elements disposed in each of the plurality of placement regions, the plurality of placement regions being adjacent to vertices of the substrate, A first arrangement region in which the light emitting devices are arranged in a matrix form, wherein the first matrix has a row and a column adjacent to a corresponding one of vertices of the substrate defined as a first row and a first column; And an order of rows and columns increases in a direction away from the corresponding one vertex, and a separation distance between two adjacent light emitting elements disposed in each of the first layout regions corresponds to one of the vertices of the substrate. Decreases closer to any one vertex.
  • the plurality of arrangement regions may further include second arrangement regions spaced apart from vertices of the substrate, in contact with sides of the substrate, and in which the light emitting devices are arranged in the form of a second matrix.
  • the first separation distance between the first row and the second row of the first matrix is shorter than the second separation distance between the second row and the third row, and the second separation distance, the third row and the fourth row of the first matrix.
  • a third separation distance between and a fourth separation distance between fourth and fifth rows of the first matrix are equal to each other, and the fourth separation distance is a fifth separation distance between fifth and sixth rows of the first matrix. Can be shorter.
  • Each of the separation distances between two adjacent rows selected from the sixth row to the last row of the first matrix may be equal to the fifth separation distance.
  • the sixth separation distance between the first column and the second column of the first matrix is shorter than the seventh separation distance between the second column and the third column of the first matrix, and the seventh separation distance is the third column and the fourth column of the first matrix. Is equal to an eighth separation distance between columns, the eighth separation distance is shorter than a ninth separation distance between the fourth and fifth columns of the first matrix, and the adjacent two selected from the fifth to last columns of the first matrix. Each of the separation distances between the columns may be equal to the ninth separation distance.
  • the separation distance between two adjacent rows of the second matrix of each of the second placement regions in the first direction is equal to each other, and the first direction is parallel to one side of the substrate adjacent to each of the second placement regions. It may be in one direction.
  • the columns or rows of the second matrix of each of the second placement regions adjacent one of the sides of the substrate may be arranged in columns or rows of the first matrix of the first placement region including vertices adjacent to either side. Aligned in one direction, the first direction may be a direction parallel to one side of the substrate adjacent to each of the second arrangement regions.
  • the arrangement distance and the arrangement number of the columns or rows of the second matrix parallel to the second direction are the same as the arrangement distance and the arrangement number of the columns or rows of the first matrix parallel to the second direction and in the second direction May be a direction perpendicular to the first direction.
  • the ratio may be 3.18: 3.85: 3.85: 5.77.
  • the ratio of the sixth separation distance, the seventh separation distance, the eighth separation distance, and the ninth separation distance to a total length of one side of the first arrangement area parallel to the row of the first matrix is 3.81. : 5.02: 5.02: 6.58.
  • the ratio of the first separation distance, the second separation distance, the third separation distance, the fourth separation distance, and the fifth separation distance is x1: x2: x3: x4: x5, and x1 is 0.55 or more and less than 0.7.
  • x2, x3, and x3 may each be greater than or equal to 0.7 and less than 1, and x5 may be one.
  • the ratio of the sixth separation distance, the seventh separation distance, the eighth separation distance, and the ninth separation distance is y1: y2: y3: y4, y1 is 0.5 or more and less than 0.65, y2, and y3 are 0.65. At least 1 and y4 may be 1 or more.
  • the ratio between the area of the target area for curing the stage and the area of the light emitting devices disposed in the plurality of area may be 1: 1.08 to 1: 1.37.
  • Curing apparatus comprises a stage for placing a curing object; And a light emitting module disposed on the stage, the light emitting module including a substrate including a plurality of placement regions and light emitting elements alternately disposed in each of the plurality of placement regions, wherein the plurality of placement regions are vertices of the substrate.
  • Rows and columns closest to a vertex are defined as first rows and first columns, and the order of rows and columns is sequentially increased in a direction away from the corresponding one vertex, wherein the rows of the first matrix are The first-first group including the first row, the first-second group including the second to fifth rows, and the first-third group including the sixth to last rows, and the first-first group.
  • the first separation distance between the first group and the 1-2 group is shorter than the second separation distance between the 1-2 group and the 1-3 group, and the first separation distance is adjacent to the 1-2 group. Spacing between two rows Li is shorter than the separation between the two rows adjoining included in the first-second group, the first distance is shorter than the second distance.
  • the second separation distance may be equal to the separation distance between two adjacent rows included in the 1-3 group.
  • the columns of the first matrix may include groups 2-1 including the first column, groups 2-2 including the second to third columns, and columns 2-3 including the fourth to last columns.
  • a third separation distance between the second-1 group and the second-2 group is shorter than a fourth separation distance between the second-2 group and the second-3 group, and the third separation distance is the second distance; -2 may be shorter than the separation distance between two adjacent columns included in the group.
  • the separation distance between two adjacent columns included in the 2-3 group may be equal to the fourth separation distance.
  • the separation distances between two adjacent rows of the second matrix may be equal to each other, and the first separation distance and the second separation distance may be shorter than the separation distance between two adjacent rows of the second matrix.
  • the separation distances between two adjacent columns of the second matrix are equal to each other, and the separation distance between two adjacent columns included in the second group and the third separation distance is equal to two adjacent columns of the second matrix. It may be shorter than the separation distance between the columns.
  • UV curing apparatus includes a stage for placing a curing object; A substrate disposed on the stage, the substrate including first and second placement regions, and third and third placement regions; and the first and second placement regions, and the first and second placement regions.
  • a light emitting module including light emitting elements disposed alternately with each other; And a cooling unit disposed on the light emitting module, wherein each of the first arrangement regions is adjacent to a corresponding one of the first vertices of the substrate, and the second arrangement regions are first vertices of the substrate.
  • the third placement regions are spaced apart from the first vertices and sides of the substrate, and the placement density of the light emitting elements disposed in each of the first placement regions is the first vertex. It increases as the adjacent one of the corresponding, the placement density of the light emitting elements disposed in each of the second arrangement regions increases as adjacent to the sides, the cooling unit corresponding to the first arrangement regions, First cooling blocks having second vertices corresponding to the first vertices, each of the first cooling blocks applying fluid to the first body and the first body; A first inlet for inlet and a first outlet for outflow of fluid from the first body, the first inlet being disposed closer to the second vertex of each of the first cooling blocks than the first outlet. do.
  • the cooling unit further includes second cooling blocks corresponding to the second arrangement regions, each of the second cooling blocks includes a second body, a second inlet for introducing fluid into the second body, and the second body. And a second outlet for outflowing fluid from the body, wherein the second inlet of the second cooling blocks may be closer to the sides of the second cooling blocks corresponding to the sides of the substrate than the second outlet.
  • the light emitting devices may include alternately arranged first and second light emitting devices, and the first light emitting device and the second light emitting device may emit ultraviolet rays having different wavelengths.
  • UV curing apparatus includes a stage for placing a curing object; A light emitting module disposed on the stage, the light emitting module including a substrate including a plurality of arrangement regions and light emitting elements disposed in each of the plurality of arrangement regions; A temperature sensor disposed in at least one arrangement region of the plurality of arrangement regions and detecting temperature information on the first light emitting elements disposed in the at least one arrangement; And a controller configured to set a slope of a driving signal for driving the first light emitting devices based on the temperature information.
  • the controller may set a target value and change the slope of the driving signal based on the temperature information until the magnitude of the driving signal reaches the target value.
  • the controller may generate a plurality of driving signals for individually controlling the driving of the light emitting devices for each of the arrangement regions.
  • the at least one temperature sensor may include a plurality of temperature sensors, and each of the plurality of temperature sensors may be disposed in a corresponding one of the plurality of placement regions.
  • the controller may receive a plurality of temperature information provided from the plurality of temperature sensors and set a slope of a corresponding one of the plurality of driving signals based on each of the plurality of temperature information.
  • the controller reduces the slope of the driving signal based on the temperature information during the first section of the driving signal, wherein the first section reaches the target value from the turn-on time of the light emitting devices. It may be a section up to a point in time.
  • the controller may non-linearly reduce the slope of the driving signal during the first period.
  • the drive signal may be in the form of a drive current.
  • the control unit maintains a constant magnitude of the driving signal at the target value during the second period, and the second period is from the time when the magnitude of the driving signal reaches the target value to the time when the light emitting elements are turned off. It may be a section of.
  • the temperature sensor may include two or more temperature sensors disposed apart from each other in any one of the plurality of arrangement regions.
  • the at least two temperature sensors may include a first temperature sensor disposed in a first area of the at least one placement area; And a second temperature sensor disposed in a second area of the at least one placement area, wherein the first area is an area adjacent to any corner of the at least one placement area, and the second area is the first area. It may be an area other than one area.
  • the controller may detect temperature information corresponding to the at least one arrangement area based on first temperature information received from the first temperature sensor and second temperature information received from the second temperature sensor.
  • the controller may calculate an average value of the first temperature information and the second temperature information, and set a slope of a driving signal for driving light emitting devices disposed in the at least one placement area based on the calculated average value.
  • UV curing apparatus includes a stage for placing a curing object; A light emitting module disposed on the stage, the light emitting module including a substrate including a plurality of arrangement regions and first and second light emitting elements alternately disposed in each of the plurality of arrangement regions; A temperature sensor disposed in at least one arrangement region of the plurality of arrangement regions and detecting temperature information on the first light emitting elements disposed in the at least one arrangement; And a controller configured to set an inclination of a driving signal for driving the first light emitting devices based on the temperature information, wherein the plurality of arrangement regions are adjacent to corners of the substrate and are formed in the form of a first matrix.
  • the rows and columns nearest to any one corner are defined as first rows and first columns, and the order of the rows and columns is increased in a direction away from the corresponding one corner, and the first placement regions
  • the separation distance between two adjacent first light emitting devices and the second light emitting devices disposed in each of the plurality of adjacent light emitting devices may be reduced as the adjacent one of the corners of the substrate is adjacent to each other.
  • Embodiments can improve the uniformity of the roughness of the curing apparatus.
  • FIG. 1 is a perspective view of an ultraviolet curing device according to an embodiment.
  • FIG. 2 illustrates the cooling unit, the light emitting module, and the stage shown in FIG. 1.
  • FIG 3 is a plan view of a light emitting module according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 illustrates an arrangement of a first light emitting device and a second light emitting device in one region of the first arrangement area illustrated in FIG. 3.
  • 5A shows simulation results of illuminance of the light emitting modules in which the light emitting elements are arranged at equal intervals.
  • 5B illustrates the uniformity of roughness according to the simulation result of FIG. 5A.
  • 5C illustrates an illuminance simulation result of the light emitting module according to the embodiment.
  • FIG. 5D illustrates the uniformity of roughness according to the simulation result of FIG. 5C.
  • FIG. 6A illustrates the size of an illuminance meter for illuminance measurement simulation of the light emitting module shown in FIG. 4.
  • FIG. 6B illustrates a separation distance between the illuminance meter and the light emitting module for the illumination measurement simulation of the light emitting module shown in FIG. 4.
  • FIG. 6C illustrates a reflectance of a substrate for illuminance measurement simulation of the light emitting module illustrated in FIG. 4.
  • FIG. 7A illustrates an illuminance simulation result of the light emitting module when both the first light emitting device and the second light emitting device are turned on according to the change of the separation distance of FIGS. 6A to 6C.
  • FIG. 7B illustrates the illuminance simulation result of the light emitting module when only the second light emitting device is turned on according to the change of the separation distance of FIGS. 6A to 6C.
  • FIG. 7C illustrates the illuminance simulation result of the light emitting module when only the first light emitting device is turned on according to the change of the separation distance of FIGS. 6A to 6C.
  • FIG. 8 is a plan view of a light emitting module according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is an enlarged view of a portion of FIG. 8.
  • FIG. 10 is a conceptual diagram of a curing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a conceptual diagram of a curing apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a plan view of a light emitting module according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is an enlarged view of a portion of FIG. 13.
  • FIG. 15 is an exploded perspective view of the cooling unit and the support frame illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 16 is an exploded perspective view of the cooling unit illustrated in FIG. 15.
  • FIG. 17A shows a perspective view of the cooling blocks shown in FIG. 16.
  • FIG. 17B shows an enlarged view of a portion of FIG. 17A.
  • FIG. 18 shows a bottom perspective view of the cooling blocks shown in FIG. 17A.
  • FIG. 19 shows a schematic view of a fluid control unit for supplying fluid to the cooling blocks shown in FIG. 17A.
  • FIG. 20 is a schematic diagram showing an arrangement of inlets and outlets of the cooling blocks illustrated in FIG. 17A.
  • 21 is a block diagram of an ultraviolet curing device according to another embodiment.
  • FIG. 22 illustrates a tilt control method of a magnitude of a driving signal of a light emitting module of the controller illustrated in FIG. 21.
  • FIG. 23 shows waveforms of drive signals generated by the method shown in FIG.
  • 24A illustrates a general driving signal of the first light emitting device or the second light emitting device.
  • 24B illustrates the illuminance of the first light emitting device or the second light emitting device according to the driving signal of FIG. 24A.
  • the on or under when described as being formed on an "on or under" of each element, the on or under is It includes both the two elements are in direct contact with each other (directly) or one or more other elements are formed indirectly between the two elements (indirectly).
  • the on or under when expressed as “on” or “under”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
  • FIG. 1 is a perspective view of an ultraviolet curing device according to an embodiment
  • FIG. 2 is a cooling unit, a light emitting module, and a stage illustrated in FIG. 1.
  • the UV curing apparatus 100 includes a case 110, a cooling unit 120, a translucent plate 125, a support frame 127, a light emitting module 130, and a stage. 140, and the controller 150.
  • the ultraviolet curing device 100 includes wirings for electrically connecting the controller 150 and the light emitting module 130, and a storage unit 115 in which a cooling water supply pipe 160 for providing cooling water to the cooling unit 120 is disposed. It may further include.
  • the case 110 may provide a space for accommodating the cooling unit 120, the light transmissive plate 125, the light emitting module 130, and the stage 140.
  • the case 110 may be a vacuum chamber.
  • the case 110 may also serve to block ultraviolet rays emitted from the light emitting module from escaping to the outside.
  • the translucent plate 125 may be disposed inside the case 110, and the upper and lower surfaces may be disposed to be parallel to the upper surface of the stage.
  • the light transmissive plate 125 may support the cooling unit 120 and the light emitting module 130, and may transmit light emitted from the light emitting module 130.
  • the transparent plate 125 may be made of transparent glass or quartz, but is not limited thereto.
  • the light transmissive plate 125 may have a UV transmittance of 90% to 99%, but is not limited thereto.
  • the cooling unit 120 may lower the temperature of the light emitting module 130 by absorbing heat generated from the light emitting module 130.
  • the support frame 127 supports the cooling unit 120 and the light emitting module 130 and may be disposed on the light transmissive plate 125. The cooling unit 120 will be described later.
  • the light emitting module 130 may emit light toward the stage 140 in the ultraviolet wavelength band.
  • the stage 140 is an area in which an object to be cured is placed or disposed, and may be spaced apart from the light emitting module 130 under the light transmitting plate 125.
  • FIG. 3 is a plan view of the light emitting module illustrated in FIG. 2.
  • the light emitting module 130 may include a substrate 131 and a plurality of light emitting devices 132 disposed on the substrate 131.
  • Each of the plurality of light emitting devices 132 may be a light emitting diode (LED).
  • LED light emitting diode
  • the plurality of light emitting elements 132 may include first light emitting elements 132a for emitting light in a first wavelength region and second light emitting elements 132b for emitting light in a second wavelength region. .
  • the first light emitting elements 132a and the second light emitting elements 132b may emit ultraviolet rays having different wavelengths.
  • the wavelength of light emitted from each of the first light emitting elements 132a may be included in a wavelength region of 315 nm or more and less than 375 nm.
  • the wavelength of light emitted from each of the second light emitting elements 132b may be included in a wavelength range of 375 nm to 420 nm.
  • each of the first light emitting elements 132a may emit light having a wavelength of 365 nm
  • each of the second light emitting elements 132b may emit light having a wavelength of 385 nm.
  • Wavelengths of light emitted from each of the first light emitting elements 132a may be the same, and wavelengths of light emitted from each of the second light emitting elements 132b may be the same.
  • the light emitting module 130 may implement a wavelength having a plurality of peaks. . According to this configuration, it is possible to implement a multi-wavelength to improve the curing characteristics of the UV resin. In addition, light emitting devices emitting light having a wavelength in another wavelength band may be additionally disposed.
  • Each of the first and second light emitting elements 132a and 132b may be implemented as an LED chip or an LED package that emits ultraviolet rays, but is not limited thereto.
  • the first light emitting elements 132a and the second light emitting elements 132b may be driven independently of each other.
  • the first light emitting elements 132a may be turned on, and at the same time, the second light emitting elements 132b may be turned off.
  • the first light emitting elements 132a may be turned off, and at the same time, the second light emitting elements 132b may be turned on.
  • the first and second light emitting elements 132a and 132b may be turned on at the same time.
  • the substrate 131 may be a printed circuit board (PCB) or a metal PCB, but is not limited thereto.
  • the substrate 131 may have a polygonal shape, for example, a rectangular shape.
  • one surface of the substrate 131 may include first to fourth side surfaces 301 to 304, and may include vertices positioned between two adjacent side surfaces.
  • one surface of the substrate 131 may be a surface on which the light emitting elements 132 are disposed.
  • the substrate 131 may include a plurality of placement regions P1 to P16 for arranging the light emitting elements 132.
  • the plurality of layout areas P1 to P16 may be arranged in a matrix form of rows and columns, but is not limited thereto.
  • the substrate 131 in FIG. 3 exemplarily includes 16 divided regions, but is not limited thereto.
  • the plurality of arrangement regions P1 to P16 may correspond to the plurality of cooling blocks S1 to S16 of the cooling unit 120 described later.
  • a plurality of first light emitting devices 132a and a plurality of second light emitting devices 132b may be disposed in each of the plurality of layout areas P1 to P16 of the substrate 131.
  • Each of the layout areas P1 to P16 may have the same shape, for example, a quadrangle, but is not limited thereto.
  • Each of the plurality of layout areas P1 to P16 may have the same size, for example, the same area, but is not limited thereto.
  • the horizontal lengths of the plurality of layout areas P1 to P16 may be the same, and the vertical lengths of the plurality of layout areas P1 to P16 may be the same.
  • adjacent arrangement regions of the plurality of arrangement regions P1 to P16 may be in contact with each other, but are not limited thereto.
  • the plurality of arrangement regions may fall at regular intervals.
  • the plurality of arrangement regions P1 to P16 may include first arrangement regions P1, P4, P13, and P16, second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15. It may include three arrangement regions (P6, P7, P10, P11).
  • the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 may include one vertex E1, E2, E3, or E4 of the substrate 131, or may be an area adjacent to one vertex.
  • each of the first placement regions P1, P4, P13, and P16 includes a corresponding one of the vertices E1, E2, E3, or E4 of the substrate 131, or is adjacent to the corresponding one. can do.
  • the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15 are spaced apart from vertices E1 to E4 of the substrate 131, and side surfaces 301 to 304 of the substrate 131. It may be an area in contact with.
  • the third arrangement regions P6, P7, P10, and P11 may be regions spaced apart from vertices E1 to E4 of the substrate 131 and side surfaces 301 to 304 of the substrate 131.
  • the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 and the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15 may include the third arrangement regions P6, P7, It may be arranged to surround the P10, P11.
  • the first light emitting elements 132a and the second light emitting elements 132b may be arranged in each of the first layout areas P1, P4, P13, and P16 in the form of a first matrix including rows and columns.
  • Each of the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15 has a first matrix of light emitting elements 132a and a second layer of light emitting elements (132a) in the form of a second matrix including rows and columns. 132b) may be arranged.
  • the first light emitting elements 132a and the second light emitting elements 132b may be arranged in each of the third arrangement regions P6, P7, P10, and P11 in the form of a third matrix including rows and columns.
  • each of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 may have a first light emitting device 132a and a second light emitting device 132b in a row direction and a column direction of the first matrix, respectively. Can be arranged alternately.
  • each of the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15 may have a first light emitting device 132a and a second light emitting device in a row direction and a column direction of the second matrix, respectively.
  • 132b may be alternately arranged.
  • the first light emitting device 132a and the second light emitting device 132b may be alternately arranged in each of the third arrangement areas P6, P7, P10, and P11 in the row direction and the column direction of the third matrix. Can be.
  • the row direction of each of the first to third matrices may be a direction in which the rows of each of the first to third matrices are arranged, and the column direction of each of the first to third matrices is each of the first to third matrices. May be in the direction in which the columns of.
  • the row direction may be a direction from the first vertex E1 to the fourth vertex E4 of the vertices E1 to E4 of the substrate 131
  • the column direction may be the first vertex of the substrate 131.
  • E1) may be a direction toward the second vertex E2
  • the row direction and the column direction may be perpendicular to each other.
  • the number of rows of each of the first to third matrices may be different, and the number of columns of each of the first to third matrices may be different, but is not limited thereto.
  • the number of two selected rows of the first to third matrices may be the same, and the number of two selected columns of the first to third matrices may be the same.
  • the reason why the first light emitting device 132a and the second light emitting device 132b are alternately arranged in the row direction and the column direction of each of the first to third matrices is light of the light emitting module 100 having the compound wavelength. This is to improve the uniformity of.
  • the arrangement of the first light emitting device and the second light emitting device in each of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 is as follows.
  • the order of the rows and columns of the first matrix including the first light emitting elements and the second light emitting elements disposed in each of the first layout regions P1, P4, P13, and P16 may be defined as follows.
  • the first row and the first column of the first arrangement area P1 may be rows and columns closest to the first vertex E1, and may be parallel to the row direction and away from the first vertex E1 (eg, , .
  • the order of the rows may be increased to 101a, and the order of the columns may increase in the direction parallel to the column direction and away from the first vertex E1 (eg, 101b).
  • the first row and the first column of the first arrangement area P4 may be rows and columns closest to the fourth vertex E4, and may be parallel to the row direction and away from the fourth vertex E4 (
  • the order of the rows may increase to 104a
  • the order of the columns may increase in the direction parallel to the column direction and away from the fourth vertex E4 (eg, 104b).
  • a first row and a first column may be defined, parallel to the row direction, and at each of the second and third vertices E2 and E3.
  • the order of the rows may increase in a direction away (eg 102a, 103a), and the order of the columns may increase in a direction parallel to the column direction and away from the second and third vertices E2, E3 (eg 102b).
  • FIG. 4 illustrates an arrangement of a first light emitting device and a second light emitting device in one region of the first arrangement area illustrated in FIG. 3.
  • the first arrangement areas P1, P4, P13, and P16 in order to improve the uniformity of illuminance of the light generated from the first and second light emitting elements 132a and 132b having the compound wavelength, the first arrangement areas P1, P4, P13, and P16.
  • the separation distance between two adjacent first light emitting devices 132a and the second light emitting devices 132b included in each column of the first matrix is as follows.
  • the first and second rows of the first matrix are arranged between the first and second rows.
  • the first separation distance d11 may be shorter than the second separation distance d12 between the second row and the third row (d11 ⁇ d12).
  • the fourth separation distance d14 may be shorter than the fifth separation distance d15 between the fifth row and the sixth row of the first matrix (d14 ⁇ d15).
  • the angles of the first matrix of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 The separation distance between two adjacent first light emitting elements 132a and the second light emitting elements 132b included in the row is as follows.
  • the sixth separation distance d21 between the first column and the second column of the first matrix may be shorter than the seventh separation distance d22 between the second column and the third column (d21 ⁇ d22).
  • the eighth separation distance d23 may be shorter than the ninth separation distance d24 between the fourth and fifth columns of the first matrix (d23 ⁇ d24).
  • the sixth separation distance d21 between the first column and the second column of the first matrix may be smaller than the first separation distance d11 between the first row and the second row (d21 ⁇ d11).
  • the seventh separation distance d22 between the second column and the third column of the first matrix may be smaller than the second separation distance d12 between the second row and the third row (d22 ⁇ d12).
  • d11: d12: d13: d14: d15: d16 x1: x2: x3: x4: x5: x6, x1 may be greater than or equal to 0.55 and less than 0.7, x2, x3, x4 may be greater than or equal to 0.7 and less than 1 , x5 and x6 may be one. x2, x3, and x4 may be identical to each other, but embodiments are not limited thereto and may be different from each other.
  • d21: d22: d23: d24: d25 y1: y2: y3: y4: y5, y1 may be 0.5 or more and less than 0.65, y2, and y3 may be 0.65 or more and less than 1, y4 and y5 May be 1. y2 and y3 may be the same as each other, but are not limited thereto and may be different from each other in other embodiments.
  • the ratio of d11, d12, and d15 to the total length of either side of the first placement regions P1, P4, P13, P16 parallel to the columns of the first matrix may be 3.18%, 3.85%, and 5.77%. have.
  • the ratio of d21, d22, d24 to the total length of either side of the first placement regions P1, P4, P13, P16 parallel to the rows of the first matrix is 3.81%, 5.02%, and 6.58%.
  • The% ratios for d11, d12, d15, d21, d22, and d24 may be rounded values at the third decimal place.
  • the ratio of the distance between the first boiling intervals of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 in a direction parallel to the columns of the first matrix is equal to the first arrangement regions P1, P4, P13, P16) may be 16% to 17% of the total length of one side.
  • the first boiling interval section may be a section including separation distances smaller than d15.
  • the ratio of the distance of the second boiling interval of the first placement region in the direction parallel to the rows of the first matrix is one side of the first placement regions P1, P4, P13, and P16 parallel to the rows of the first matrix. It can be 12% to 13% of the total length of.
  • the second boiling interval may be a section including separation distances smaller than d24.
  • Rows of the first matrix of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 may be divided into a 1-1 group G11, a 1-2 group G12, and a 1-3 group G13.
  • the columns of the first matrix of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 may include the second-first group G21, the second-second group G22, and the second-3 group G23. It can be divided into.
  • the first-first group G11 may include the first row of the first matrix
  • the first-second group G12 may include the second to fifth rows of the first matrix
  • the 1-3 group G13 may include sixth to last rows of the first matrix.
  • the second-first group G21 may include the first column of the first matrix
  • the second-second group G22 may include the second to third columns of the first matrix
  • the second group G23 may include fourth to last columns of the first matrix.
  • the separation distance between two adjacent first groups selected from the first groups (eg, G11, G12, G13%) May be shorter as it approaches the vertex of the substrate 131 corresponding to the first placement area.
  • the separation distance between two adjacent first groups may be the separation distance in a direction parallel to the row direction.
  • the first separation distance d11 between the first-first group G11 and the first-second group G12 is a fifth separation distance between the first-second group G12 and the first-third group G13. It may be shorter than (d15).
  • the first separation distance d11 may be shorter than the separation distances d12, d13, and d14 between two adjacent rows included in the 1-2 group G12.
  • the separation distances d12, d13, and d14 between two adjacent rows included in the first-second group G12 may be shorter than the fifth separation distance d15.
  • the fifth separation distance d5 may be equal to the separation distance between two adjacent rows included in the 1-3 group G13.
  • the separation distance between two adjacent second groups selected from the second groups (eg, G21, G22, G23%) May be shorter as it approaches the vertex of the substrate corresponding to the first placement area.
  • the separation distance between two adjacent second groups may be the separation distance in a direction parallel to the column direction.
  • the sixth separation distance d21 between the second-first group G21 and the second-second group G22 is a ninth separation distance between the second-second group G22 and the second-third group G23. It may be shorter than (d24).
  • the sixth separation distance d21 may be shorter than the separation distances d22 and d23 between two adjacent columns included in the second-second group G22.
  • the separation distances d25, d26, and d27 between two adjacent columns included in the 2-3 group G23 may be equal to the ninth separation distance d24.
  • the arrangement of the first light emitting device and the second light emitting device in each of the second arrangement areas P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15 is as follows.
  • the separation distance between two adjacent rows of the second matrix of each of the second arrangement regions P2, P3, P14, and P15 in the first direction may be the same.
  • the separation distance between two adjacent columns of the second matrix of each of the second arrangement regions P5, P8, P9, and P12 in the first direction may be the same.
  • the first direction may be a direction parallel to one side of the substrate 131 adjacent to each of the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, and P15.
  • the first direction with respect to the second layout areas P2 and P3 may be a direction parallel to the first side surface 301 of the substrate 131 adjacent to the second layout areas P2 and P3.
  • the columns or rows of the second matrix of each of the second placement regions adjacent one of the side surfaces 301-304 of the substrate 131 include a first portion of the first placement region that includes a vertex adjacent to either side.
  • the columns or rows of the matrix may correspond or align in a first direction.
  • the columns of the second matrix of each of the second placement regions P2 and P3 adjacent to the first side 301 may include a first placement region including vertices E1 and E4 adjacent to the first side 301.
  • the columns of the first matrix of (P1, P4) can be aligned in a first direction.
  • rows of the second matrix of each of the second placement regions P8 and P12 adjacent to the second side 302 may include a first arrangement including vertices E3 and E4 adjacent to the second side 302.
  • the rows of the first matrix of the regions P4 and P16 may be aligned in the first direction.
  • the arrangement distance and the arrangement number of the columns or rows of the second matrix parallel to the second direction may be the same as the arrangement distance and the arrangement number of the columns or rows of the first matrix parallel to the second direction.
  • the second direction may be a direction perpendicular to the first direction.
  • the separation distance between two adjacent columns or two rows of the second matrix parallel to the second direction of each of the second placement regions adjacent to one side of the substrate 131 may be a vertex adjacent to either side. It may be equal to the separation distance between two adjacent columns of the second matrix and the corresponding two columns of the first matrix of the first arrangement region including.
  • the separation distance between the first column and the second column of the second matrix of each of the second layout regions P2 and P3 is the sixth separation distance between the first column and the second column of the first matrix of the first layout region P1. It may be the same as (d21).
  • the separation distance between the first row and the second row of the second matrix of each of the second layout areas P5 and P9 is the first distance between the first row and the second row of the first matrix of the first layout area P1. It may be equal to the distance d11.
  • the separation distance between the remaining two adjacent columns or rows of the second placement regions may also be the same as the separation distance between two adjacent columns or rows of the corresponding first placement region.
  • the separation distance between two adjacent rows or columns parallel to the second direction of the second matrix of the second arrangement area adjacent to one side of the substrate 131 may be smaller as the side closer to the above one side.
  • the first light emitting device 132a and the second light emitting device 132b may be disposed at equal intervals in a direction parallel to the row direction, and parallel to the column direction. It may be arranged at equal intervals in one direction.
  • the separation distance between two adjacent rows selected from the rows of the third matrix may be the same. Also, for example, the separation distances in the direction parallel to the column direction between two adjacent columns selected from the columns of the third matrix may be the same.
  • the order of the rows of the second matrix of the second arrangement regions P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15 and the third matrix of the third arrangement regions P6, P7, P10, P11 is It may be defined to increase from left to right and to increase the order of the columns from top to bottom.
  • the separation distance between the rows of the first matrix of the first placement region adjacent to each other and the rows of the second matrix of the second placement region may be equal to the separation distance between two adjacent rows of the second matrix of the second placement region.
  • the separation distance between the last row of the first matrix of the first layout region P1 adjacent to each other and the first row of the second matrix of the second layout region P2 is equal to the distance of the second matrix of the second layout region P2. It may be equal to the separation distance between two adjacent rows.
  • the separation distance between the columns of the first matrix of the first placement region adjacent to each other and the columns of the second matrix of the second placement region may be equal to the separation distance between two adjacent columns of the second matrix of the second placement region.
  • the separation distance between the last column of the first matrix of the first layout region P1 and the first column of the second matrix of the second layout region P5 is equal to two adjacent columns of the second matrix of the second layout region P5. It may be equal to the separation distance between the columns.
  • the separation distance between any one row of two adjacent second arranging regions and any other row adjacent thereto may be equal to the separation distance between two adjacent rows of each of the second arranging regions.
  • the separation distance between the last row of the second layout area P2 and the first row of the second layout area P3 may be equal to the separation distance between two adjacent rows of each of the second layout areas P2 and P3. Can be.
  • the separation distance between one of the two adjacent second arranging regions and the other adjacent column may be equal to the separation distance between two adjacent rows of each of the second arranging regions.
  • the separation distance between the last column of the second layout area P5 and the first column of the second layout area P9 may be equal to the separation distance between two adjacent columns of each of the second layout areas P5 and P9. have.
  • the separation distance between the row of the second matrix of the second placement area and the row of the third matrix of the third placement area adjacent thereto may be equal to the separation distance between two adjacent rows of the third matrix of the third placement area.
  • the separation distance between the last row of the second matrix of the second placement area P5 and the first row of the third placement area P6 may be equal to the separation distance between two adjacent rows of the third placement area P6. Can be.
  • the separation distance between the column of the second matrix of the second placement region and the column of the third matrix of the third placement region adjacent thereto may be equal to the separation distance between two adjacent columns of the third matrix of the third placement region.
  • the separation distance between the last column of the second matrix of the second placement region P2 and the first column of the third placement region P6 may be equal to the separation distance between two adjacent columns of the third placement region P6. have.
  • the separation distance between one of the two adjacent third arranging regions and the other adjacent column may be equal to the separation distance between two adjacent rows of each of the third arranging regions.
  • the separation distance between any one row of two adjacent third arranging regions and any other row adjacent thereto may be equal to the separation distance between two adjacent rows of each of the third arranging regions.
  • the substrate 131 is divided into first to third arrangement regions, but is not limited thereto.
  • the second and third arrangement regions may be omitted, and the substrate 131 may include the first arrangement region.
  • the second arrangement region may be omitted, and the substrate 131 may include the first and third arrangement regions.
  • the third arrangement region may be omitted, and the substrate 131 may include the first and second arrangement regions.
  • the light emitting module 130 densely arranges the first and second light emitting elements 132a and 132b in an area adjacent to the vertex and the side surface of the substrate 131, and the substrate 131.
  • the first and second light emitting elements 132a and 132b are arranged at equal intervals in a region far from the vertex and the side of the surface, uniformity of illuminance in the cured region in which the object to be cured is arranged can be improved.
  • the embodiment is necessary to satisfy the target uniformity for the hardened regions of the same size.
  • the number of light emitting devices can be reduced, thereby reducing the area of the light emitting module.
  • FIG. 5A illustrates an illuminance simulation result of a light emitting module in which light emitting elements are arranged at equal intervals
  • FIG. 5B illustrates uniformity of illuminance according to the simulation result of FIG. 5A
  • FIG. 5C illustrates a roughness simulation result of the light emitting module according to the embodiment.
  • 5D shows the uniformity of roughness according to the simulation result of FIG. 5C.
  • the areas of the cured regions are the same, the separation distance between the light emitting module and the cured regions is equal to 100 mm, and the area of the target area of the stage 140 for the cured regions is 1300 mm ⁇ 1100 mm. May be the same.
  • the arrangement of the first light emitting device and the second light emitting device may be arranged according to a ratio as described with reference to FIG. 4.
  • d11: d12: d13: d14: d15: d16 0.58: 0.76: 0.76: 0.76: 1: 1.
  • d21: d22: d23: d24: d25 0.55: 0.67: 0.67: 1: 1.
  • the first light emitting device and the second light emitting device may be arranged in a 68 ⁇ 80 matrix form, and an area of the LED array area may be 1500 mm ⁇ 1307 mm.
  • the area of the light emitting device array region may be an area of one region of the substrate 131 on which the first and second light emitting elements 132a and 132b are disposed.
  • the light emitting device array region has a horizontal length greater than a vertical length, but is not limited thereto.
  • the light emitting device array regions may have the same length and width, and in this case, the first and second regions adjacent to each other in the row direction of each of the first layout regions P1, P4, P13, and P16.
  • the ratio of the arrangement of the light emitting elements may be the same as the ratio of the arrangement of the first and second light emitting elements adjacent in the column direction.
  • the description of the ratio of d11 to d16 may be equally applied to both the row direction and the column direction.
  • x2, x3, and x4 may be identical to each other, but embodiments are not limited thereto and may be different from each other.
  • the arrangement of the first and second light emitting devices in the row direction and the column direction of the first layout regions P1, P4, P13, and P16 may be performed by d11: d12.
  • the ratio of: d13: d14: d15: d16 0.58: 0.76: 0.76: 0.76: 1: 1 can be satisfied.
  • the description of the ratio of d21 to d25 may be equally applied to both the row direction and the column direction.
  • y1 may be 0.5 or more and less than 0.65
  • y2, and y3 may be 0.65 or more and less than 1
  • y4 and y5 may be 1.
  • y2 and y3 may be the same as each other, but are not limited thereto and may be different from each other in other embodiments.
  • the arrangement of the first and second light emitting devices in the row direction and the column direction of the first layout regions P1, P4, P13, and P16 is d21: d22.
  • the first light emitting device and the second light emitting device may be arranged in a 62 ⁇ 74 matrix, and an area of the LED array area may be 1344mm ⁇ 1146mm.
  • Max represents the maximum value of illuminance
  • Min represents the minimum value of illuminance
  • Avg represents the average value of illuminance
  • UNI is defined as 1- ⁇ (Max-Min) / (2Avg) ⁇ .
  • the uniformity of illuminance may be improved in FIG. 5C as compared to the case of FIG. 5A. Therefore, the embodiment may improve uniformity as compared to the case of FIG. 5A. In addition, the embodiment can reduce the number of light emitting devices of the light emitting module to satisfy the uniformity improvement by 16%, and reduce the light emitting device array area by about 20%.
  • the ratio S1: S2 of the area S2 of the light emitting device array area may be 1: 1.08 to 1: 1.37 compared to the area S1 of the target area.
  • the embodiment can reduce the area of the light emitting device array and ensure uniformity of illuminance.
  • FIG. 6A illustrates a size of an illuminance meter for illuminance measurement simulation of the light emitting module illustrated in FIG. 4, and FIG. 6B illustrates a distance between the illuminometer and light emitting module for illuminance measurement simulation of the light emitting module illustrated in FIG. 4.
  • FIG. 6C illustrates a reflectance of a substrate for illuminance measurement simulation of the light emitting module illustrated in FIG. 4.
  • the power of the first light emitting element 132a is 1.90 [W]
  • the power of the second light emitting element 132b is 2.19 [W]
  • d11 is 11 mm
  • each of d12, d13, and d14 is 14.50 mm.
  • D15 is 19 mm
  • d21 is 10.75 mm
  • d22 and d23 are each 13 mm
  • d24 is 19.50 mm.
  • the horizontal length of the light emitting device array including the first and second light emitting devices disposed on the substrate 131 of the light emitting module 130 may be 1355.75 mm, and the vertical length may be 1155.50.
  • the horizontal length of 210 may be 1300 mm, and the vertical length may be 1100 mm.
  • the illuminance is changed by changing the distance H between the first and second light emitting elements 132a and 132b of the light emitting module 130 and the sensing unit of the illuminometer 210 from 10 mm to 50 mm. Can be measured.
  • the reflectance of one surface of the substrate 131 on which the first and second light emitting elements 132a and 132b are disposed may be 70%.
  • the substrate 131 may include a reflective sidewall 220 protruding from one surface of the substrate 131 so as to surround the first and second light emitting elements 132a and 132b.
  • the reflectance can be 70%.
  • the target average value of illuminance of the light emitting module according to the embodiment may be 500 [mW / cm 2], and the uniformity (UNI) of the target illuminance may be 80% or 90%.
  • FIG. 7A illustrates an illuminance simulation result of the light emitting module when both the first light emitting device and the second light emitting device are turned on according to the change in the separation distance H of FIGS. 6A to 6C.
  • FIG. 7B illustrates the illuminance simulation result of the light emitting module when only the second light emitting device is turned on according to the change of the separation distance H of FIGS. 6A to 6C.
  • FIG. 7C illustrates the illuminance simulation result of the light emitting module when only the first light emitting device is turned on according to the change of the separation distance H of FIGS. 6A to 6C.
  • the average value Avg of illuminance of the light emitting module 130 according to the embodiment is 500 [mW / cm 2] or more.
  • FIG. 8 is a plan view of a light emitting module according to another exemplary embodiment.
  • FIG. 9 is an enlarged view of a portion of FIG. 8.
  • the substrate 131 of the light emitting module has a center area CA1 in which a plurality of light emitting devices 132 are disposed, and edge areas EA1, EA2, EA3, and EA4 surrounding the center area CA1. ) May be included.
  • the central area CA1 may occupy an area of 85% to 98% of the entire area of the substrate 131.
  • the substrate 131 may include a first side 301 and a third side 303 facing each other, and a second side 302 and a fourth side 304 facing each other.
  • the intervals B25 and B26 in the second direction may be greater than the intervals B15 and B16 in the first direction (X-axis direction).
  • the present invention is not necessarily limited thereto, and the second direction spaces B25 and B26 and the first direction B15 and B16 may be the same.
  • the plurality of light emitting devices 132 disposed in the central area CA1 may have a distance of B9.5 and B26 in a second direction of 19.5 mm and a distance of 19.0 mm of first gaps B15 and B16 of 19.0 mm.
  • a first direction (X-axis direction) is defined as a horizontal direction and a second direction (Y-axis direction) is defined as a vertical direction with reference to the drawings.
  • the edge regions EA1, EA2, EA3, and EA4 are disposed near the first edge region EA1 disposed near the first side 301 of the substrate 131 and the second side surface 302 of the substrate 131.
  • the area EA4 may be included.
  • the first edge area EA1 and the third edge area EA3 may extend in the horizontal direction, and the second edge area EA2 and the fourth edge area EA4 may extend in the vertical direction.
  • the vertical widths of the first edge area EA1 and the third edge area EA3 may be the same, and the horizontal widths of the second edge area EA2 and the fourth edge area EA4 may be the same.
  • four columns of light emitting devices 132 may be continuously disposed in the horizontal direction in the first edge area EA1 and the third edge area EA3, and the second edge area EA2 and the second edge area EA3 may be disposed in the horizontal direction.
  • four edge regions EA4 four rows of light emitting devices 132 may be continuously disposed in the vertical direction.
  • the number of light emitting devices 132 may be appropriately adjusted according to the size of the substrate 131. For example, five rows of light emitting devices 132 may be disposed in the horizontal direction in the first edge area EA1 and the third edge area EA3, and the second edge area EA2 and the fourth edge area EA4. ), Five rows of light emitting elements 132 may be disposed in the vertical direction.
  • An interval between the light emitting devices 132 disposed in the first to fourth edge regions EA1, EA2, EA3, and EA4 may be smaller than an interval between the light emitting devices 132 disposed in the central area CA1. According to such a structure, the fall of roughness uniformity can be prevented in edge area
  • the vertical gaps B21, B22, and B23 of the light emitting devices 132 disposed in the first edge area EA1 and the third edge area EA3 may be disposed in the center area CA1.
  • 132 may be narrower than the vertical gaps B24, B25, and B26.
  • the horizontal gaps B11, B12, and B13 of the light emitting devices 132 disposed in the second edge area EA2 and the fourth edge area EA4 are disposed in the center area CA1. It may be narrower than the horizontal interval (B15, B16) of.
  • the vertical gaps B21, B22, and B23 of the light emitting devices 132 disposed in the first edge area EA1 and the third edge area EA3 may be 13.5 mm, and the second edge area EA2 may be used.
  • the horizontal gaps B11, B12, and B13 of the light emitting device 132 disposed in the fourth edge area EA4 may be 13.5 mm.
  • this spacing may be appropriately adjusted according to the size of the substrate 131.
  • the edge areas EA1, EA2, EA3, and EA4 may include a first edge area VA1 and a first edge area EA1 and a second edge area where the first edge area EA1 and the fourth edge area EA4 intersect.
  • the fourth edge area EA4 may include a fourth edge area VA4 intersecting the four edge areas EA4.
  • the number per unit area of the light emitting devices 132 may be greater than the number per unit area of the light emitting devices 132 in the remaining areas. That is, in the first to fourth corner regions VA1, VA2, VA3, and VA4, the light emitting devices 132 may be most densely disposed.
  • the uniformity of illuminance may be improved by compensating for the low illuminance at the edge of the substrate 131.
  • the horizontal gap and the vertical gap of the light emitting device 132 may be 13.5 mm.
  • this spacing may be appropriately adjusted according to the size of the substrate 131.
  • the plurality of light emitting devices 132 disposed in the central area CA1 and the edge areas EA1, EA2, EA3, and EA4 of the substrate 131 may include a plurality of first light emitting devices 132a and a plurality of second light emitting devices. 132b.
  • the first light emitting device 132a and the second light emitting device 132b may be alternately arranged, but are not necessarily limited thereto.
  • the plurality of first light emitting devices 132a and the second light emitting devices 132b may output light of different ultraviolet wavelength bands. Therefore, since the multi-wavelength can be realized like a UV lamp, the curing performance can be improved.
  • FIG. 10 is a conceptual diagram of a curing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a conceptual diagram of a curing apparatus according to another embodiment of the present invention
  • FIG. 12 is a measure of uniformity of light irradiated from the curing apparatus according to FIG. 11. One result.
  • the light transmissive plate 125 may fix the mask pattern 1100.
  • a suction channel (not shown) may be formed in the light transmissive plate 125, and when air is sucked through the suction channel, the light transmissive plate 125 may fix the mask pattern 1100.
  • all of the light emitted from the plurality of light emitting devices 132 disposed on the light emitting module 130 may be selectively irradiated according to the mask pattern 1100 to cure the curing object 1000.
  • the cured object 1000 disposed on the stage 140 may be a UV resin layer coated on glass, but is not limited thereto.
  • the mask pattern 1100 may be absorbed by using the light transmitting block 126 instead of the light transmitting plate 125.
  • the mask pattern 1100 must also increase as the curing object 1000 increases. Therefore, the light-transmissive plate 125 fixing it also needs to be large.
  • using the light transmitting block 126 may be more effective than increasing the light transmitting plate 125 in many respects. For example, when the light transmitting blocks 126 are disposed at predetermined intervals to fix the mask pattern 1100, manufacturing cost may be reduced.
  • the transparent block 126 may be made of transparent glass or quartz, but is not limited thereto.
  • the light transmitting block 126 may have a UV transmittance of 90% to 99%, but is not limited thereto.
  • the light transmitting block 126 when the light transmitting block 126 is used, a portion L2 of the light emitted from the plurality of light emitting elements 132 is transmitted through the light transmitting block 126, so that light loss occurs while some light L1 is the light transmitting block. Since it does not transmit 126, no light loss occurs. Therefore, a problem may occur in which illuminance uniformity is lowered.
  • the roughness of the region U2 transmitted through the light transmitting block 126 and the region U1 not transmitting through the light transmitting block 126 are nonuniform.
  • FIG. 13 is a plan view of a light emitting module according to still another embodiment
  • FIG. 14 is an enlarged view of a portion of FIG. 13.
  • the substrate 131 may include a plurality of placement regions MT1 for arranging the light emitting devices 132.
  • the plurality of layout areas MT1 may be arranged in a matrix form of rows and columns, but is not limited thereto.
  • the substrate 131 includes nine arrangement regions MT1 divided into nine, but is not limited thereto. In exemplary embodiments, the substrate 131 may include 36 placement regions MT1.
  • the size of the first direction (X-axis direction) of each arrangement area MT1 may be 436 mm, and the size of the second direction (Y-axis direction) may be 389 mm. Therefore, the substrate 131 may include nine arrangement regions of 436 mm long and 389 mm long and may include 36 pieces. That is, as the size of the substrate 131 increases, the number of placement areas may increase. In this case, the area of the placement area MT1 may be adjusted as necessary.
  • Arrangement regions of the substrate 131 may correspond to sizes of the plurality of cooling blocks of the cooling unit to be described later.
  • the layout area MT1 of the substrate 131 may be equal to the area of the plurality of circuit boards.
  • a plurality of first light emitting devices 132a and a plurality of second light emitting devices 132b may be disposed on the substrate 131.
  • the plurality of first light emitting devices 132a and the second light emitting devices 132b may be alternately arranged, but are not limited thereto.
  • the plurality of first light emitting devices 132a and the second light emitting devices 132b may output light of different ultraviolet wavelength bands. Therefore, since the multi-wavelength can be realized like a UV lamp, the curing performance can be improved.
  • the substrate 131 may include a plurality of first sections Q11 and Q12 and a plurality of second sections Q21 and Q22 that are spaced apart in the first direction (X-axis direction) and extend in the second direction (Y-axis direction). It may include. The plurality of first sections Q11 and Q12 and the second sections Q21 and Q22 may be alternately arranged in the first direction (X-axis direction).
  • first direction is defined as the horizontal direction
  • second direction is defined as the vertical direction
  • the plurality of first sections Q11 and Q12 may include a first sub section Q11 including an edge region of the substrate 131 and a second sub section Q12 on which the light transmitting block 126 is disposed.
  • the leftmost section of the plurality of first subsections Q11 may include the fourth side surface 304 of the substrate 131, and may be disposed at the rightmost of the plurality of first subsections Q11.
  • the section may include the second side 302 of the substrate 131.
  • the plurality of light transmitting blocks 126 may be disposed in the second sub section Q12.
  • the plurality of light transmitting blocks 126 may be spaced apart in the horizontal direction and extend in the vertical direction. In this case, the horizontal separation distances of the plurality of light transmitting blocks 126 may be the same, but are not necessarily limited thereto.
  • the horizontal spacing R11 of the light emitting devices 132 disposed in the first sections Q11 and Q12 may be narrower than the horizontal spacing R12 of the light emitting devices 132 disposed in the second sections Q21 and Q22. have. That is, according to the exemplary embodiment, the uniformity of illuminance may be improved by densely arranging the light emitting devices 132 in the relatively low edge region and the region in which the light transmitting block 126 is disposed.
  • the ratio between the horizontal gap R12 of the light emitting elements 132 disposed in the second sections Q21 and Q22 and the horizontal gap R11 of the light emitting elements 132 disposed in the first sections Q11 and Q12. May be 1: 0.62 to 1: 0.83. The smaller the ratio, the denser the horizontal spacing R11 of the light emitting element 132 disposed in the first section Q11, Q12.
  • the ratio is less than 1.0.62, the light emitting elements disposed in the first sections Q11 and Q12 become dense and the illuminance becomes excessively high, so that the illuminance uniformity may decrease.
  • the ratio is less than 1: 0.83, the illuminance uniformity may be lowered because the interval between the light emitting elements arranged in the first sections Q11 and Q12 is increased and the illuminance is lowered.
  • the horizontal spacing R11 of the light emitting device 132 disposed in the first section Q11 and Q12 may be 13.5 mm, and the light emitting device 132 of the light emitting device 132 disposed in the second section Q21 and Q22.
  • the horizontal gap R12 may be 19.0 mm. However, this gap may be appropriately adjusted according to the size of the substrate 131.
  • a plurality of light emitting devices 132 arranged in five rows may be disposed in the vertical direction in the first sub-section Q11 and the second sub-section Q12. That is, the horizontal widths of the first sub-section Q11 and the second sub-section Q12 may be the same. However, this may vary depending on the width of the translucent block 126. For example, when the width of the light transmitting block 126 increases, the width of the second sub-section Q12 on which the light-transmitting block 126 is disposed is larger than the width of the first sub-section Q11 on the edge area. Can be larger.
  • the second section Q21 and Q22 are the third sub-section Q21 and the second sub-section Q12 and the second sub-section which are disposed between the first sub-section Q11 and the second sub-section Q12. It may include a fourth sub-section Q22 disposed between (Q12).
  • the third sub section Q21 may be a section between the side surface of the substrate 131 and the light transmitting block 126.
  • the fourth sub section Q22 may be a section between the light transmitting block 126 and the light transmitting block 126.
  • the horizontal width of the fourth sub-section Q22 may be greater than the width of the third sub-section Q21. However, this spacing may vary depending on the size of the substrate 131 and the number of translucent blocks 126.
  • the substrate 131 may include a plurality of third sections Q31 and Q32 and a fourth section Q4 arranged in the vertical direction.
  • the third section Q31 and Q32 and the fourth section Q4 may extend in the horizontal direction, respectively.
  • the third sections Q31 and Q32 are disposed on the fifth sub-section Q31 disposed on the first side surface 301 of the substrate 131 and the sixth sub-section disposed on the third side surface 303 of the substrate 131. It may include an interval Q32.
  • the fourth section Q4 may be disposed between the fifth sub-section Q31 and the sixth sub-section Q32 in the vertical direction.
  • the vertical gap R21 of the light emitting devices 132 disposed in the third sections Q31 and Q32 may be narrower than the vertical gap R22 of the light emitting devices 132 disposed in the fourth sections Q4. have. That is, according to the embodiment, the luminance uniformity may be improved by densely arranging the light emitting devices 132 in the edge region having relatively low illumination.
  • the ratio R11 of the vertical gap R21 of the light emitting element 132 disposed in the fourth section Q4 and the vertical gap of the light emitting element 132 disposed in the third sections Q31 and Q32 is 1: 0.62 to 1: 0.83.
  • the ratio When the ratio is less than 1.0.62, the light emitting devices disposed in the third sections Q31 and Q32 become dense and the illuminance becomes higher than the fourth section, so that the illuminance uniformity may be lowered. In addition, when the ratio is smaller than 1: 0.83, the uniformity of illuminance may be lowered because the interval between the light emitting elements disposed in the third section Q31 and Q32 is increased and the illuminance is lower than that of the fourth section.
  • the vertical spacing R21 of the light emitting devices 132 disposed in the third sections Q31 and Q32 may be 13.5 mm, and the vertical direction of the light emitting devices 132 disposed in the fourth section Q4.
  • the interval R21 may be 19.5 mm.
  • this gap may be appropriately adjusted according to the size of the substrate 131.
  • the substrate 131 includes a fifth region Q5 in which the first sections Q11 and Q12 and the third sections Q31 and Q32 cross each other, and the light emitting device 132 disposed in the fifth region Q5. Most densely arranged. That is, among the corner regions where the four edge regions intersect and the region where the light transmitting blocks 126 are disposed, the portion near the side of the substrate has the lowest illuminance, so that more light emitting devices 132 may be disposed to improve the illuminance uniformity. have.
  • the horizontal gap R11 and the vertical gap R21 of the light emitting device 132 disposed in the fifth region Q5 may be the same.
  • both the horizontal gap R11 and the vertical gap R21 of the light emitting device 132 disposed in the fifth region Q5 may be 13.5 mm, but this may be appropriately adjusted according to the size of the substrate 131. Can be.
  • FIG. 15 is an exploded perspective view of the cooling unit and the support frame illustrated in FIG. 2
  • FIG. 16 is an exploded perspective view of the cooling unit illustrated in FIG. 15
  • FIG. 17A is a perspective view of the cooling blocks illustrated in FIG. 16
  • FIG. 17B is a partially enlarged view of FIG. 17A
  • FIG. 18 shows a bottom perspective view of the cooling blocks shown in FIG. 17A.
  • the support frame 127 is combined with the frame portion 127a and the frame portion 127a for supporting the cooling portion 120 and the frame portion 127a on the light transmitting plate 125. It may include at least one support portion (127b) for seating.
  • the support frame 127 may have the same shape as the outer circumferential surface of the cooling unit 120, for example, a quadrangle.
  • the number of supports 127b may be plural, and the plurality of supports may be spaced apart from each other.
  • the supports may be leg shaped, but are not limited thereto.
  • the cooling unit 120 supplies fluid, for example, cooling water, to the heat sink 305, the plurality of cooling blocks S1 to S16 and the plurality of cooling blocks S1 to S16 disposed on the heat sink 305. And a plurality of cover members 121a to 121d coupled to the controlling fluid control unit 330 and the heat sink 305 and covering the cooling blocks S1 to S16 and the fluid control unit 330. .
  • Each of the cooling blocks S1 to S16 may correspond to any one of the plurality of placement regions P1 to P16 of the substrate 131.
  • the heat sink 305 may include a bottom 305a and a plurality of side plates 305-1 to 305-8 disposed on the side of the bottom 305a.
  • Cooling blocks S1 to S16 may be disposed on the bottom 305a of the heat sink 305.
  • the bottom 305a of the heat sink 305 may be divided into a plurality of cooling blocks S1 to S16.
  • the heat sink 305 may include floors 305a1 corresponding to the cooling blocks S1 to S16, and the bottom 305a1 of the heat sink 305 is one of the cooling blocks S1 to S16. It may be the bottom of any one corresponding body 510.
  • the first and second light emitting elements 132a and 132b may be disposed on the first surface of the substrate 131 of the light emitting module 130, and the second surface of the substrate 131 may be the bottom of the heat sink 305.
  • the substrate 131 may be disposed under the bottom 305a1 of the heat sink 305 so as to contact the 305a1.
  • the first and second surfaces of the substrate 131 may be surfaces facing each other.
  • the substrate 131 may be divided into a plurality of layout regions P1 to P16, and the plurality of layout regions P1 to P16 may be separated or divided from each other.
  • Each of the layout areas P1 to P16 may correspond to any one of the bottoms of the heat sink 305.
  • the second surface of each of the layout areas P1 to P16 may be in contact with a corresponding one of the bottoms of the heat sink 305.
  • each of the cooling blocks S1 to S16 may include a main body 510, an inlet Q IN , and an outlet Q OUT .
  • the inlet Q IN is disposed in one region of the main body 510 and may be a passage for introducing or injecting a fluid into the main body 510.
  • the outlet Q OUT may be disposed in another region of the main body 510 spaced apart from the inlet Q IN , and may be a passage for outflowing the fluid from the inside of the main body 510.
  • Body 510 provides a flow path to the fluid flowing through the inlet (Q IN) flowing, fluid flowing through the inside of the body 510 may be invoked oil out of the main body 510 through the outlet (Q OUT).
  • FIG. 19 illustrates a schematic diagram of the fluid control unit 330 for supplying fluid to the cooling blocks S4, S8, S12, and S16 illustrated in FIG. 17A.
  • the fluid controller 330 may include a fluid supply pipe 321 through which fluid is supplied from the outside, a first connection pipe 331 connecting between the fluid supply pipe 321 and the inlet Q IN . , A flow sensor 341 mounted on the first connection pipe 331, a fluid discharge pipe 322 for discharging the fluid, and a second connection pipe 332 connecting the fluid discharge pipe 322 and the outlet Q OUT . It may include.
  • the fluid controller 330 may further include a first valve 351 and a second valve 352.
  • the first valve 351 is mounted on the first connection pipe 331, is located between the flow sensor 341 and the fluid supply pipe 321, and flows into the inlet Q IN through the first connection pipe 331.
  • the flow rate can be adjusted.
  • the second valve 352 may be mounted on the second connection pipe 332 and adjust the flow rate discharged to the fluid discharge pipe 322 through the second connection pipe 332.
  • the cooling blocks S1 to S16 corresponding to the arrangement regions P1 to P16 may be arranged in a matrix form of rows and columns, but are not limited thereto.
  • the fluid controller 330 may include a plurality of fluid supply pipes and fluid discharge pipes, and the pair of fluid supply pipes 321 and the fluid discharge pipes 322 may be disposed to correspond to the cooling blocks included in each row. Can be.
  • FIG. 17A only the fluid control unit for the cooling blocks S4, S8, S12, and S16 included in the last row is shown. However, the fluid control unit for the cooling blocks included in each row may be equally applied to FIG. 17A. Can be.
  • the pair of fluid supply pipe 321 and the fluid discharge pipe 322 are shared by the cooling blocks included in each row, but for each of the cooling blocks, the first connection pipe 331, the second connection pipe 332, The first and second valves 351 and 352 and the flow sensor 341 may be provided separately.
  • parts such as the first connector 331, the second connector 332, the first and second valves 351 and 352, and the flow sensor 341 may be broken or damaged. When a problem arises, only the faulty part can be replaced individually.
  • FIG. 20 is a schematic diagram showing an arrangement of inlets and outlets of the cooling blocks illustrated in FIG. 17A.
  • the cooling blocks S1 to S16 may include the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 corresponding to the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 of FIG. 1.
  • Third cooling blocks S6, S7, S10, and S11 corresponding to the arrangement regions P6, P7, P10, and P11 may be included.
  • Each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 may include vertices E11 to E14 corresponding to any one of the vertices of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16. .
  • the inlet Q IN of each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 may be disposed closer to one of the corresponding vertices of the vertices E11 to E14 than the outlet Q OUT . .
  • the inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 may be arranged in the row direction of the cooling blocks S1 to S16.
  • IN may be located closer to the corresponding vertex than the outlet Q OUT .
  • the inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 are arranged in a row direction, but are not limited thereto.
  • the inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 may be arranged in the column direction of the cooling blocks S1 to S16.
  • the inlet Q IN and the outlet Q OUT of each of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 may be arranged in a diagonal direction.
  • the diagonal direction may be a direction parallel to a straight line connecting each of the vertices E11 to E14 of the first cooling blocks S1, S4, S13, and S16 and another vertex facing the same.
  • the temperature of the coolant flowing into the inlet Q IN is lower than the temperature of the coolant flowing through the outlet Q OUT . This is because the coolant flowing through the main body 510 absorbs heat generated from the first and second light emitting elements 132a and 132b.
  • the arrangement density of the first and second light emitting devices in the region adjacent to the vertices E1 to E4 is different from the first and second regions of the other regions. Since it is higher than the arrangement density of the light emitting devices, a lot of heat may be generated.
  • Temperature gradients due to heat generated by the first and second light emitting elements may be generated with respect to the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16, and thus, uniformity of illuminance may be degraded. This is because the first and second light emitting elements 132a and 132b may have different illumination intensity values according to temperature, and are adjacent to vertices in the first arrangement areas P1, P4, P13, and P16. This is because the arrangement density of the first and second light emitting devices is high.
  • the embodiment arranges the positions of the inlets Q IN to be close to the vertices E1 to E4 of the first arranging regions P1, P4, P13, and P16, which generate relatively heat, thereby arranging the arrangement regions ( It is possible to lower the temperature gradient in P1 to P16), thereby preventing a decrease in the uniformity of roughness that may occur due to the temperature gradient. This is because the temperature of the cooling water flowing inside the main body 510 adjacent to the inlet Q IN is lower than the temperature of the cooling water flowing inside the main body adjacent to the outlet Q OUT .
  • the cooling unit 120 by maintaining the temperature of the first and second light emitting devices of the light emitting module generating the surface light source by the cooling unit 120 at a constant level, it is possible to prevent deterioration of optical characteristics and lifespan of each part of the cured object.
  • each of the second cooling blocks S2, S3, S5, S8, S9, S12, S14, and S15 may be in the row direction of the cooling blocks S1 to S16, or It may be arranged to be parallel to the column direction.
  • the third cooling block (S6, S7, S10, S11 ) the respective inlet (Q IN) and the outlet (Q OUT) can be arranged in a direction parallel to the row direction or column direction of the cooling block (S1 to S16) have.
  • the controller 150 may provide a driving signal or power to drive the first light emitting elements 132a and the second light emitting elements 132b of the light emitting module 130.
  • the controller 150 may individually drive the first and second light emitting elements 132a and 132b disposed in the placement areas P1 to P16 for each placement area.
  • the controller 150 supplies the coolant to the cooler 120 through the coolant pipe 160 connected to the fluid supply pipe 321 and the fluid discharge pipe 322 of the cooler 120, or supplies coolant from the cooler 120. It can control the discharge.
  • the ultraviolet curing apparatus 100 may further include a wire or a cable electrically connecting the first and second light emitting elements 132a and 132b of the light emitting module 130 to the controller 150.
  • the UV curing apparatus 100 penetrates through the main body 510 of each of the cooling blocks S1 to S16 and arranges regions P1 to P16 of the substrate 131.
  • the terminals 520 may be electrically connected to the first and second light emitting elements 132a and 132b disposed in any one of the corresponding regions.
  • Wires may be connected to each of the terminals 520, and wires (or cables) connected to the terminals 520 may be electrically connected to the controller 150.
  • the controller 150 may provide a driving signal or power to the first and second light emitting elements 132a and 132b disposed in the arrangement regions P1 to P16 of the substrate 131 through wires.
  • the UV curing apparatus 100 may further include a display unit 170 which displays the flow rate of the cooling water measured by the flow sensor 341 included in each of the cooling blocks S1 to S16.
  • the embodiment optimizes the separation distance between the first and second light emitting elements 132a and 132b disposed in the placement areas P1 to P16 through simulation, For this reason, the uniformity of the light irradiated to the whole area
  • the embodiment considers the arrangement of the first and second light emitting elements 132a and 132b in the above-described arrangement areas P1 to P16, and thus, the inlets of the cooling blocks S1 to S16 of the cooling unit 120 are described.
  • the embodiment By arranging (Q IN ) and the outlet (Q OUT ) as described in FIG. 20, it is possible to lower the temperature gradient and to prevent a decrease in the uniformity of illuminance of the ultraviolet curing device 100.
  • 21 is a block diagram of an ultraviolet curing device according to another embodiment.
  • the UV curing apparatus 100-1 may include a case 110, a cooling unit 120, a translucent plate 125, a support frame 127, a light emitting module 130, and a temperature sensor 134. ), The stage 140, and the controller 150a.
  • the temperature sensor 134 may detect temperature information regarding the temperature of the light emitting module 130.
  • the temperature sensor 134 may be disposed on the substrate 131, and the substrate 131 or the first and second light emitting elements are generated by heat generated by the first and second light emitting elements 132a and 132b. Temperature information regarding the temperature of 132a and 132b can be detected.
  • the temperature sensor 134 may be implemented as a sensor whose resistance value changes with temperature, but is not limited thereto.
  • the temperature sensor 134 may be disposed in at least one of the placement areas P1 to P16.
  • each of the plurality of temperature sensors 134 may be disposed in a corresponding one of the first arrangement regions P1 to P16.
  • each of the plurality of temperature sensors 134 is temperature information Ts1 regarding the temperature of the first and second light emitting elements 132a0 and 132b which are disposed in a corresponding one of the arrangement regions P1 to P16. To Ts16) may be output to the controller 150a.
  • the controller 150a uses the temperature information Ts1 to Ts16 provided from the temperature sensor 134 to drive the first and second light emitting devices disposed in the placement areas P1 to P16 separately.
  • Fields Cs1 to Cs16, and the generated driving signals Cs1 to Cs16 may be provided to the first and second light emitting devices disposed in any one of the placement regions P1 to P16.
  • the driving signals Cs1 to Cs16 may be in the form of currents, but are not limited thereto and may be in the form of voltages.
  • the controller 150a may set or adjust the slope of any one of the plurality of driving signals Cs1 to Cs16 based on each of the temperature information Ts1 to Ts16.
  • the temperature sensor 134 may include two or more temperature sensors spaced apart from each other in at least one of the placement areas P1 to P16.
  • the temperature sensor 134 may include two or more temperature sensors that are spaced apart from each other in each of the first placement regions P1, P4, P13, and P16.
  • the two or more temperature sensors may include a first temperature sensor disposed in a first region of each of the first placement regions P1, P4, P13, and P16, and first arrangement regions P1, P4, P13, and P16. It may include a first temperature sensor disposed in each second region.
  • the first area 201 (see FIG. 3) is an area adjacent to the corners E1 to E4 of each of the first layout areas P1, P4, P13, and P16, and two adjacent first and second light emitting devices. The separation distance between them may be an uneven or unequal region.
  • the second region 202 may be a region in which two first and second light emitting devices adjacent to each other except for the first region are disposed at equal intervals.
  • the controller 150a may be configured to include at least one layout area (eg, P1, P4, P13, and P16) based on the first temperature information received from the first temperature sensor and the second temperature information received from the second temperature sensor. Corresponding temperature information can be detected.
  • at least one layout area eg, P1, P4, P13, and P16
  • the controller 150a calculates an average value of the first temperature information and the second temperature information, and based on the calculated average value, the control unit 150a is disposed in the at least one arrangement area (eg, P1, P4, P13, and P16).
  • the slope of the driving signal for driving the second light emitting devices may be set or changed.
  • the arrangement densities of the first and second light emitting devices with respect to the first region 201 and the second region 202 of each of the first arrangement regions P1, P4, P13, and P16 are different from each other, A temperature deviation between the second regions may occur, and thus a deviation of the illuminance value may occur.
  • the deviation of the illuminance value according to the temperature deviation may be reduced, thereby further improving the uniformity of the illuminance of the light emitting module.
  • FIG. 24A illustrates a general driving signal Ic of the first light emitting device or the second light emitting device
  • FIG. 24B illustrates an illuminance of the first light emitting device or the second light emitting device according to the driving signal Ic of FIG. 24A.
  • the x-axis is a time axis
  • the y-axis of FIG. 24A may be a current value of a driving signal
  • the y-axis of FIG. 24B may be an illuminance value of the first light emitting device or the second light emitting device.
  • the driving signal Ic may be a pulse waveform, and in general, when the temperature increases, the light emitting diode may reduce the amount of light and thus may decrease the illuminance value.
  • the illuminance value of the first light emitting device or the second light emitting device is the highest.
  • the illuminance value of the first light emitting device or the second light emitting device is gradually decreased.
  • the illuminance value of the first light emitting device or the second light emitting device is constant. Or, even if the temperature of the first light emitting device or the second light emitting device increases, the illuminance value (hereinafter referred to as the "target illuminance value”) can be kept constant without falling.
  • the uniformity of illuminance of the light emitting module may be inferior. That is, as shown by the dotted line portion 701 of FIG. 24B, the illuminance value of the first light emitting device or the second light emitting device may appear higher than the target illuminance value during the first period t1 to t2.
  • FIG. 22 illustrates a tilt control method of a magnitude of a driving signal of the light emitting module 130 of the controller illustrated in FIG. 21.
  • a target value for a magnitude of a driving signal for driving the first light emitting device 132a or the first light emitting device 132b may be set using the controller 130.
  • the target value may be a current value of a driving signal for driving the first light emitting device or the second light emitting device to generate a desired target illuminance value (S110).
  • temperature information Cs1 to Cs16 regarding the temperature of the first light emitting device 132a and the second light emitting device 132b disposed in the arrangement regions P1 to P16 is detected using the temperature sensor 134. (S120).
  • the temperature of the arrangement regions P1 to P16 may be detected by the temperature sensor 134 disposed in the arrangement regions P1 to P16, and the first light emitting element 132a and the based on the detected temperature may be detected. Temperature information Cs1 to Cs16 regarding the temperature of the second light emitting element 132b may be detected.
  • the controller 150 may set the slope of the driving signal (eg, the driving current) based on the detected temperature information Cs1 to Cs16.
  • the slope of the driving signal may be a rate of change of a current value over time. For example, based on the detected temperature information Cs1 to Cs16, a current value of a driving signal (eg, driving current) may be set.
  • the slope of the driving signal may be set high.
  • the amount of change in the current value of the driving signal with respect to the unit time can be largely set according to the detected temperature.
  • the slope of the magnitude of the driving signal may be gradually lowered.
  • the amount of change in the current value of the drive signal with respect to the unit time can be set small according to the detected temperature.
  • the controller 150 determines whether the magnitude (eg, current value) of the driving signal having the set slope reaches the target value (eg, target current value) (S140).
  • steps S120 to S140 may be repeated.
  • the controller 150 may change the slope of the driving signal based on the temperature information until the magnitude of the driving signal reaches a target value.
  • the controller 150 may generate a plurality of driving signals corresponding to the plurality of layout areas. Each of the plurality of driving signals may drive the first and second light emitting devices disposed in any one of the plurality of arrangement regions. The controller 150 may drive the first and second light emitting devices individually and independently for each of the layout regions by the plurality of driving signals.
  • FIG. 23 shows waveforms of drive signals generated by the method shown in FIG.
  • the first light emitting device and the second light emitting device since the temperatures of the first light emitting device and the second light emitting device are low during the first period t1 to t4, the first light emitting device and the second light emitting device.
  • the illuminance value of is higher than the target illuminance value.
  • the controller 150 repeatedly performs steps S120 to S140 to change the slope of the waveform of the driving signal I LED as shown in FIG. 23.
  • the controller 150a may reduce the slope of the driving signal based on the temperature information during the first period t1 to t2 of the driving signal. For example, in the first period t1 to t2, the magnitude (eg, current value) of the driving signal is adjusted to the target value (eg, target current value) from the turn-on time of the first and second light emitting elements 132a and 132b. It may be a section up to the point of arrival.
  • the target value eg, target current value
  • the controller 150a may non-linearly reduce the slope of the driving signal during the first period t1 to t2.
  • the controller 150a may maintain the magnitude (eg, current value) of the driving signal at the target value (eg, target current value) during the second period t2 to t3.
  • the first and second light emitting elements 132a and 132b are turned off when the magnitude (eg, current value) of the driving signal reaches the target value (eg, target current value). It may be a section up to a point in time.
  • the current value of the driving signal I LED during the first period t1 to t2 is smaller than the target current value, and the driving signal I LED is at a temperature of the first light emitting device 132a and the second light emitting device 132b. Since it has a gradient change corresponding to the change, the illuminance values of the first light emitting element 132a and the second light emitting element 132b in the first period t1 to t2 are equal to or close to the target illuminance value. Can be adjusted.
  • the excess illuminance 701 which exceeds the target illuminance value described with reference to FIG. 4B does not occur during the first period t1 to t3.
  • the illuminance value may be kept constant, and uniformity of illuminance of the light emitting module may be secured regardless of the temperature. That is, the embodiment may prevent the uniformity of the illuminance of the light emitting module 130 due to the temperature change of the first and second light emitting elements 132a and 132b.

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Abstract

실시 예는 스테이지; 상기 스테이지 상에 배치되는 기판, 및 상기 기판 상에 배치되는 복수 개의 발광소자를 포함하는 발광 모듈; 및 상기 발광 모듈과 상기 스테이지 사이에 배치되는 복수 개의 투광성 블록을 포함하고, 상기 기판은 제1방향으로 배치되는 복수 개의 제1구간 및 복수 개의 제2구간을 포함하고, 상기 제1구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격은 상기 제2구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격보다 좁고, 상기 복수 개의 투광성 블록은 상기 제1구간 상에 배치되는 경화 장치를 개시한다.

Description

경화 장치
실시 예는 자외선 경화 장치에 관한 것이다.
일반적으로 경화 대상에 자외선을 조사하여 경화 또는 접착시키는 장치를 자외선 경화 장치라 한다. 이때 경화 대상은 자외선에 의하여 경화될 수 있는 도료 또는 접착제이거나, 또는 불투명한 소재일 수 있다.
이러한 자외선 경화 장치의 자외선 발생의 광원으로는 수은 자외선 램프, 또는 할로겐 램프 등이 이용될 수 있는데, 이러한 램프들은 효율이 떨어지고, 고가라는 문제점이 있다.
자외선 경화 장치의 광원으로 자외선 LED(Light Emitting Diode)가 사용될 수 있다. 자외선 LED는 효율이 높고, 상대적으로 저가이며, 수명이 긴 장점이 있다.
그러나, 자외선 LED는 복수 개가 배치되므로 조도 균일도가 중요한 이슈이다.
실시 예는 조도 균일도를 개선한 자외선 경화 장치를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광소자의 온도 변화에 따른 조도의 균일성 저하를 방지할 수 있는 자외선 경화 장치를 제공할 수 있다.
실시 예에서 해결하고자 하는 과제는 이에 한정되는 것은 아니며, 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 포함된다고 할 것이다.
실시 예에 따른 경화 장치는 스테이지; 상기 스테이지 상에 배치되는 기판, 및 상기 기판 상에 배치되는 복수 개의 발광소자를 포함하는 발광 모듈; 및 상기 발광 모듈과 상기 스테이지 사이에 배치되는 복수 개의 투광성 블록을 포함하고, 상기 기판은 제1방향으로 배치되는 복수 개의 제1구간 및 복수 개의 제2구간을 포함하고, 상기 제1구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격은 상기 제2구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격보다 좁고, 상기 복수 개의 투광성 블록은 상기 제1구간 상에 배치된다.
상기 복수 개의 투광성 블록은 상기 제1방향과 수직한 방향으로 연장될 수 있다.
상기 투광성 블록은 상기 제1구간 상에 배치될 수 있다.
상기 복수 개의 제1구간 및 복수 개의 제2구간은 상기 제1방향으로 교대로 배치될 수 있다.
상기 제1구간 및 제2구간은 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장될 수 있다.
상기 기판은 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 배치되는 복수 개의 제3구간 및 제4구간을 포함하고, 상기 제3구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격은 상기 제4구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격보다 좁을 수 있다.
상기 제4구간은 상기 기판의 가장자리에 배치된 2개의 제3구간 사이에 배치될 수 있다.
상기 제3구간과 제4구간은 상기 제1방향으로 연장될 수 있다.
상기 기판은 상기 제1구간과 상기 제3구간이 교차하는 제5영역을 포함하고, 상기 제5영역에 배치되는 복수 개의 발광소자의 단위면적당 개수가 가장 많을 수 있다.
상기 제5영역에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격과 제2방향 간격은 동일할 수 있다.
상기 제2구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격과 상기 제1구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격의 비는 1: 0.62 내지 1:0.83일 수 있다.
상기 제4구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격과 상기 제3구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격의 비는 1: 0.62 내지 1:0.83일 수 있다.
상기 제3구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격은 상기 제4구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격보다 좁을 수 있다.
상기 발광소자는 제1파장대의 광을 출사하는 제1발광소자 및 상기 제1파장대와 다른 제2파장대의 광을 출사하는 제2발광소자를 포함하고, 상기 제1발광소자와 제2발광소자는 상기 제1방향 및 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 교대로 배치될 수 있다.
상기 투광성 블록은 상기 스테이지에 안착되는 경화 대상물의 마스크 패턴을 고정할 수 있다.
또 다른 실시 예에 따른 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 및 상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들을 포함하고, 상기 복수의 배치 영역들은 상기 기판의 꼭지점들에 인접하고, 제1 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제1 배치 영역들을 포함하고, 상기 제1 매트릭스는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행 및 열이 제1행 및 제1열로 정의되고, 상기 대응하는 어느 하나의 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 행 및 열의 순서가 증가하도록 정의되고, 상기 제1 배치 영역들 각각에 배치되는 인접하는 2개의 발광 소자들 간의 이격 거리는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 인접할수록 감소한다.
상기 복수의 배치 영역들은 상기 기판의 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 제2 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제2 배치 영역들을 더 포함할 수 있다.
상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록, 상기 제1 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 감소할 수 있다.
상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록, 상기 제1 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 감소할 수 있다.
상기 제1 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리는 제2행과 제3행 간의 제2 이격 거리보다 짧고, 상기 제2 이격 거리, 상기 제1 매트릭스의 제3행과 제4행 간의 제3 이격 거리, 및 상기 제1 매트릭스의 제4행과 제5행 간의 제4 이격 거리는 서로 동일하고, 상기 제4 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제5행과 제6행 간의 제5 이격 거리보다 짧을 수 있다.
상기 제1 매트릭스의 제6행 내지 마지막 행 중에서 선택된 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리들 각각은 상기 제5 이격 거리와 동일할 수 있다.
상기 제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제2열과 제3열 간의 제7 이격 거리보다 짧고, 상기 제7 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제3열과 제4열 간의 제8 이격 거리와 동일하고, 상기 제8 이격 거리는 상기 제1 매트릭스의 제4열과 제5열 간의 제9 이격 거리보다 짧고, 상기 제1 매트릭스의 제5열 내지 마지막 열 중에서 선택된 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들 각각은 상기 제9 이격 거리와 동일할 수 있다.
제1 방향으로 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 서로 동일하고, 상기 제1 방향은 상기 제2 배치 영역들 각각에 인접하는 상기 기판의 어느 한 변과 평행한 방향일 수 있다.
상기 기판의 변들 중 어느 한 변에 인접하는 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 열들 또는 행들은 상기 어느 한 변에 인접한 꼭지점을 포함하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열들 또는 행들에 제1 방향으로 정렬되고, 상기 제1 방향은 상기 제2 배치 영역들 각각에 인접하는 상기 기판의 어느 한 변과 평행한 방향일 수 있다.
제2 방향과 평행한 상기 제2 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수는 상기 제2 방향과 평행한 상기 제1 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수와 동일하고, 상기 제2 방향은 상기 제1 방향과 수직인 방향일 수 있다.
상기 제1 매트릭스의 열과 평행한 상기 제1 배치 영역의 어느 한 변의 전체 길이 대비 상기 제1 이격, 상기 제2 이격 거리, 상기 제3 이격 거리, 상기 제4 이격 거리, 및 상기 제5 이격 거리의 비율은 3.18:3.85:3.85:3.85:5.77일 수 있다.
상기 제1 매트릭스의 행과 평행한 상기 제1 배치 영역의 어느 한 변의 전체 길이 대비 상기 상기 제6 이격 거리, 상기 제7 이격 거리, 상기 제8 이격 거리, 및 상기 제9 이격 거리의 비율은 3.81:5.02:5.02:6.58일 수 있다.
상기 제1 이격 거리, 상기 제2 이격 거리, 상기 제3 이격 거리, 상기 제4 이격 거리, 및 상기 제5 이격 거리의 비율은 x1:x2:x3:x4:x5이고, x1은 0.55 이상 0.7 미만이고, x2,x3,및x3 각각은 0.7 이상 1미만이고, x5는 1일 수 있다.
상기 제6 이격 거리, 상기 제7 이격 거리, 상기 제8 이격 거리, 및 상기 제9 이격 거리의 비율은 y1:y2:y3:y4이고, y1은 0.5 이상 0.65 미만이고, y2, 및 y3는 0.65 이상 1미만이고, y4는 1일 수 있다.
상기 스테이지의 경화를 위한 타겟 영역의 면적 대비 상기 복수의 배치 영역들 내에 배치되는 발광 소자들의 배치 면적 간의 비율은 1:1.08 ~ 1:1.37일 수 있다.
또 다른 실시 예에 따른 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 및 상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 교대로 배치되는 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈을 포함하고, 상기 복수의 배치 영역들은 상기 기판의 꼭지점들에 인접하고, 제1 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제1 배치 영역들; 상기 기판의 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 제2 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제2 배치 영역들; 및 상기 기판의 꼭지점들 및 상기 기판의 변들과 이격되고, 제3 매트릭스 형태로 상기 발광 소자들이 배치되는 제3 배치 영역들을 포함하고, 상기 제1 매트릭스는 상기 기판의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행 및 열이 제1행 및 제1열로 정의되고, 상기 대응하는 어느 하나의 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 순차적으로 행 및 열의 순서가 증가하도록 정의되고, 상기 제1 매트릭스의 행들은 상기 제1행을 포함하는 제1-1 그룹, 제2 내지 제5행을 포함하는 제1-2 그룹, 및 제6행 내지 마지막 행을 포함하는 제1-3 그룹으로 구분되고, 상기 제1-1 그룹과 상기 제1-2 그룹 간의 제1 이격 거리는 상기 제1-2 그룹과 상기 제1-3 그룹 간의 제2 이격 거리보다 짧고, 상기 제1 이격 거리는 상기 제1-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리보다 짧고, 상기 제1-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 상기 제2 이격 거리보다 짧다.
상기 제2 이격 거리는 상기 제1-3 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
상기 제1 매트릭스의 열들은 상기 제1열을 포함하는 제2-1 그룹, 제2열 내지 제3열을 포함하는 제2-2 그룹, 및 제4열 내지 마지막 열을 포함하는 제2-3 그룹으로 구분되고, 상기 제2-1 그룹과 상기 제2-2 그룹 간의 제3 이격 거리는 제2-2 그룹과 제2-3 그룹 간의 제4 이격 거리보다 짧고, 상기 제3 이격 거리는 상기 제2-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리보다 짧을 수 있다.
상기 제2-3 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 상기 제4 이격 거리와 동일할 수 있다.
상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리들은 서로 동일하고, 상기 제1 이격 거리 및 상기 제2 이격 거리는 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리보다 짧을 수 있다.
상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들은 서로 동일하고, 상기 제3 이격 거리 및 상기 제2-2 그룹에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리보다 짧을 수 있다.
또 다른 실시 예에 따른 자외선 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 상기 스테이지 상에 배치되고, 제1 배치 영역들, 제2 배치 영역들, 및 제3 배치 영역들을 포함하는 기판 및 상기 제1 배치 영역들, 상기 제2 배치 영역들, 및 상기 제3 배치 영역들 각각에 교대로 배치되는 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈; 및 상기 발광 모듈 상에 배치되는 냉각부를 포함하고, 상기 제1 배치 영역들 각각은 상기 기판의 제1 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접하고, 상기 제2 배치 영역들은 상기 기판의 제1 꼭지점들로부터 이격하고, 상기 기판의 변들에 접하고, 상기 제3 배치 영역들은 상기 기판의 제1 꼭지점들 및 변들로부터 이격하고, 상기 제1 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들의 배치 밀도는 상기 제1 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나에 인접할수록 증가하고, 상기 제2 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들의 배치 밀도는 상기 변들에 인접할수록 증가하고, 상기 냉각부는 상기 제1 배치 영역들에 대응하고, 상기 제1 꼭지점들에 대응하는 제2 꼭지점들을 갖는 제1 냉각 블록들을 포함하고, 상기 제1 냉각 블록들 각각은 제1 본체, 및 상기 제1 본체에 유체를 투입하기 위한 제1 유입구와 상기 제1 본체로부터 유체를 유출시키기 위한 제1 유출구를 포함하고, 상기 제1 유입구는 상기 제1 유출구보다 상기 제1 냉각 블록들 각각의 제2 꼭지점에 더 인접하여 배치된다.
상기 냉각부는 상기 제2 배치 영역들에 대응하는 제2 냉각 블록들을 더 포함하고, 상기 제2 냉각 블록들 각각은 제2 본체, 상기 제2 본체에 유체를 투입하기 위한 제2 유입구와 상기 제2 본체로부터 유체를 유출시키기 위한 제2 유출구를 포함하고, 상기 제2 냉각 블록들의 제2 유입구는 상기 제2 유출구보다 상기 기판의 변들에 대응하는 상기 제2 냉각 블록들의 변들에 더 인접할 수 있다.
상기 발광 소자들은 교대로 배치되는 제1 발광 소자 및 제2 발광 소자를 포함하고, 상기 제1 발광 소자와 상기 제2 발광 소자는 서로 다른 파장의 자외선을 방출할 수 있다.
또 다른 실시 예에 따른 자외선 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 배치되는 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈; 상기 복수의 배치 영역들 중 적어도 하나의 배치 영역에 배치되고, 상기 적어도 하나에 배치된 제1 발광 소자들에 대한 온도 정보를 검출하는 온도 센서; 및 상기 온도 정보에 기초하여, 상기 제1 발광 소자들을 구동시키는 구동 신호의 기울기를 설정하는 제어부를 포함한다.
상기 제어부는 목표 값을 설정하고, 상기 구동 신호의 크기가 상기 목표 값에 도달할 때까지 상기 온도 정보에 기초하여 상기 구동 신호의 기울기를 변화시킬 수 있다.
상기 제어부는 상기 배치 영역 별로 상기 발광 소자들의 구동을 개별적으로 제어하기 위한 복수의 구동 신호들을 발생할 수 있다.
상기 적어도 하나의 온도 센서는 복수의 온도 센서들을 포함하고, 상기 복수의 온도 센서들 각각은 상기 복수의 배치 영역들 중 대응하는 어느 하나에 배치될 수 있다.
상기 제어부는 상기 복수의 온도 센서들로부터 제공되는 복수의 온도 정보들을 수신하고, 상기 복수의 온도 정보들 각각에 기초하여 상기 복수의 구동 신호들 중 대응하는 어느 하나의 기울기를 설정할 수 있다.
상기 제어부는 상기 구동 신호의 제1 구간 동안 상기 온도 정보에 기초하여 상기 구동 신호의 기울기를 감소시키며, 상기 제1 구간은 상기 발광 소자들의 턴 온 시점부터 상기 구동 신호의 크기가 상기 목표 값에 도달하는 시점까지의 구간일 수 있다.
상기 제어부는 상기 제1 구간 동안 상기 구동 신호의 기울기를 비선형적으로 감소시킬 수 있다.
상기 구동 신호는 구동 전류 형태일 수 있다.
상기 제어부는 제2 구간 동안 상기 구동 신호의 크기를 상기 목표 값으로 일정하게 유지시키고, 상기 제2 구간은 상기 구동 신호의 크기가 상기 목표 값에 도달하는 시점에서 상기 발광 소자들이 턴 오프되는 시점까지의 구간일 수 있다.
상기 온도 센서는 상기 복수의 배치 영역들 중 어느 하나에 서로 이격하여 배치되는 2개 이상의 온도 센서들을 포함할 수 있다.
상기 2개 이상의 온도 센서들은 상기 적어도 하나의 배치 영역의 제1 영역에 배치되는 제1 온도 센서; 및 상기 적어도 하나의 배치 영역의 제2 영역에 배치되는 제2 온도 센서를 포함하고, 상기 제1 영역은 상기 적어도 하나의 배치 영역의 어느 한 모서리에 인접하는 영역이고, 상기 제2 영역은 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역일 수 있다.
상기 제어부는 상기 제1 온도 센서로부터 수신되는 제1 온도 정보 및 상기 제2 온도 센서로부터 수신되는 제2 온도 정보에 기초하여, 상기 적어도 하나의 배치 영역에 대응하는 온도 정보를 검출할 수 있다.
상기 제어부는 상기 제1 온도 정보 및 상기 제2 온도 정보의 평균값을 산출하고, 산출된 평균값에 기초하여 상기 적어도 하나의 배치 영역에 배치되는 발광 소자들을 구동시키기 위한 구동 신호의 기울기를 설정할 수 있다.
또 다른 실시 예에 따른 자외선 경화 장치는 경화 대상물이 배치되기 위한 스테이지; 상기 스테이지 상에 배치되고, 복수의 배치 영역들을 포함하는 기판과 상기 복수의 배치 영역들 각각에 교대로 배치되는 제1 발광 소자들 및 제2 발광 소자들을 포함하는 발광 모듈; 상기 복수의 배치 영역들 중 적어도 하나의 배치 영역에 배치되고, 상기 적어도 하나에 배치된 제1 발광 소자들에 대한 온도 정보를 검출하는 온도 센서; 및 상기 온도 정보에 기초하여, 상기 제1 발광 소자들을 구동시키는 구동 신호의 기울기를 설정하는 제어부를 포함하고, 상기 복수의 배치 영역들은 상기 기판의 모서리들에 인접하고, 제1 매트릭스 형태로 상기 제1 발광 소자들 및 상기 제2 발광 소자들이 배치되는 제1 배치 영역들; 및 상기 기판의 모서리들로부터 이격하고, 제2 매트릭스 형태로 상기 제1 발광 소자들 및 상기 제2 발광 소자들이 배치되는 제2 배치 영역들을 포함하고, 상기 제1 매트릭스는 상기 기판의 모서리들 중 대응하는 어느 하나의 모서리에 가장 인접하는 행 및 열이 제1행 및 제1열로 정의되고, 상기 대응하는 어느 하나의 모서리에서 멀어지는 방향으로 행 및 열의 순서가 증가하도록 정의되고, 상기 제1 배치 영역들 각각에 배치되는 인접하는 2개의 제1 발광 소자와 제2 발광 소자 간의 이격 거리는 상기 기판의 모서리들 중 대응하는 어느 하나의 모서리에 인접할수록 감소할 수 있다.
실시 예는 경화 장치의 조도의 균일도를 개선할 수 있다.
또한, 발광소자들의 배치에 따른 온도 구배에 기인하는 조도 균일성 저하를 방지할 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 실시 예에 따른 자외선 경화 장치의 사시도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 냉각부, 발광모듈, 및 스테이지를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광 모듈의 평면도를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 배치 영역의 일 영역 내의 제1 발광소자 및 제2 발광소자의 배치를 나타낸다.
도 5a는 발광소자들이 동일한 간격으로 배열되는 발광 모듈의 조도의 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 5b는 도 5a의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타낸다.
도 5c는 실시 예에 따른 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 5d는 도 5c의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타낸다.
도 6a는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기의 사이즈를 나타낸다.
도 6b는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기와 발광 모듈 간의 이격 거리를 나타낸다.
도 6c는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 기판의 반사율을 나타낸다.
도 7a는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리의 변화에 따라 제1 발광소자 및 제2 발광소자를 모두 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7b는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리의 변화에 따라 제2 발광소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7c는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리의 변화에 따라 제1 발광소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 평면도이다.
도 9는 도 8의 일부 확대도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 경화 장치의 개념도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 경화 장치의 개념도이다.
도 12는 도 11에 따른 경화 장치에서 조사된 광의 균일도를 측정한 결과이다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 평면도이다.
도 14는 도 13의 일부 확대도이다.
도 15는 도 2에 도시된 냉각부 및 지지 프레임의 분리 사시도를 나타낸다.
도 16은 도 15에 도시된 냉각부의 분리 사시도를 나타낸다.
도 17a는 도 16에 도시된 냉각 블록들의 사시도를 나타낸다.
도 17b는 도 17a의 일부 확대도를 나타낸다.
도 18은 도 17a에 도시된 냉각 블록들의 저면 사시도를 나타낸다.
도 19는 도 17a에 도시된 냉각 블록들에 유체를 공급하기 위한 유체 조절부의 모식도를 나타낸다.
도 20은 도 17a에 도시된 냉각 블록들의 유입구 및 유출구의 배치를 나타내는 모식도이다.
도 21은 다른 실시 예에 따른 자외선 경화 장치의 구성도를 나타낸다.
도 22는 도 21에 도시된 제어부의 발광 모듈의 구동 신호의 크기의 기울기 제어 방법을 나타낸다.
도 23은 도 22에 도시된 방법에 의하여 생성된 구동 신호의 파형을 나타낸다.
도 24a는 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 일반적인 구동 신호를 나타낸다.
도 24b는 도 24a의 구동 신호에 따른 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도를 나타낸다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 개의 element 사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
또한, 이하에서 이용되는 “제1” 및 “제2”, “상/상부/위” 및 “하/하부/아래” 등과 같은 관계적 용어들은 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용될 수도 있다. 또한 동일한 참조 번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
또한, 이상에서 기재된 "포함하다", "구성하다", 또는 "가지다" 등의 용어는, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것이므로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 실시 예에 따른 자외선 경화 장치의 사시도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 냉각부, 발광 모듈, 및 스테이지를 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 자외선 경화 장치(100)는 케이스(case, 110), 냉각부(120), 투광성 플레이트(125), 지지프레임(127), 발광모듈(130), 스테이지(stage, 140), 및 제어부(150)를 포함한다.
자외선 경화 장치(100)는 제어부(150)와 발광 모듈(130)을 전기적으로 연결하는 배선들, 및 냉각부(120)에 냉각수를 제공하기 위한 냉각수 공급관(160)이 배치되는 보관부(115)를 더 포함할 수 있다.
케이스(110)는 냉각부(120), 투광성 플레이트(125), 및 발광 모듈(130), 스테이지(140)를 수용하는 공간을 제공할 수 있다.
예컨대, 케이스(110)는 진공 챔버(chamber)일 수 있다. 케이스(110)는 발광모듈로부터 조사되는 자외선이 외부로 빠져나가지 않도록 차단하는 역할도 할 수 있다.
투광성 플레이트(125)는 케이스(110)의 내측에 배치되고, 상면과 하면이 스테이지의 상면과 평행하도록 배치될 수 있다.
투광성 플레이트(125)는 냉각부(120) 및 발광 모듈(130)을 지지할 수 있으며, 발광 모듈(130)로부터 조사되는 빛을 투과시킬 수 있다.
투광성 플레이트(125)는 투광성 유리(glass) 또는 석영으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
투광성 플레이트(125)는 90% ~ 99%의 자외선 투과율을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
냉각부(120)는 발광 모듈(130)로부터 발생되는 열을 흡수하여 발광 모듈(130)의 온도를 낮출 수 있다. 지지 프레임(127)은 냉각부(120)와 발광 모듈(130)을 지지하며, 투광성 플레이트(125) 상에 배치될 수 있다. 냉각부(120)에 대해서는 후술한다.
발광 모듈(130)은 자외선 파장대의 광을 스테이지(140)를 향하여 방출할 수 있다.
스테이지(140)는 경화시킬 대상물이 놓여지거나, 배치되는 영역으로, 투광성 플레이트(125) 아래에 발광 모듈(130)로부터 이격 배치될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 발광 모듈의 평면도를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 발광 모듈(130)은 기판(131), 및 기판(131) 상에 배치되는 복수의 발광소자(132)를 포함할 수 있다.
복수의 발광소자(132) 각각은 발광 다이오드(light emitting diode, LED)일 수 있다.
복수의 발광소자들(132)은 제1 파장 영역의 빛을 방출하는 제1 발광소자들(132a), 및 제2 파장 영역의 빛을 방출하는 제2 발광소자들(132b)을 포함할 수 있다.
제1 발광소자들(132a)과 제2 발광소자들(132b)은 서로 다른 파장의 자외선을 방출할 수 있다. 예컨대, 제1 발광소자들(132a) 각각이 방출하는 빛의 파장은 315nm 이상 375nm 미만의 파장 영역에 포함될 수 있다. 또한 제2 발광소자들(132b) 각각이 방출하는 빛의 파장은 375nm 이상 420nm 이하의 파장 영역에 포함될 수 있다.
또는, 제1 발광소자들(132a) 각각은 365nm의 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있고, 제2 발광소자들(132b) 각각은 385nm의 파장을 갖는 빛을 방출할 수 있다.
제1 발광소자들(132a) 각각이 방출하는 빛의 파장은 서로 동일할 수 있고, 제2 발광소자들(132b) 각각이 방출하는 빛의 파장은 서로 동일할 수 있다.
제1 발광소자들(132a)이 방출하는 빛의 파장과 제2 발광소자들(132b)이 방출하는 빛의 파장이 서로 다르기 때문에, 발광 모듈(130)은 복수의 피크를 갖는 파장을 구현할 수 있다. 이러한 구성에 의하면 멀티 파장을 구현하여 UV 레진의 경화 특성을 개선할 수 있다. 이 외에도 또 다른 파장대의 파장을 갖는 빛을 방출하는 발광소자들을 추가로 배치할 수도 있다.
제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b) 각각은 자외선을 방출하는 LED 칩 또는 LED 패키지로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 발광소자들(132a)과 제2 발광소자들(132b)은 서로 독립적으로 개별 구동될 수 있다. 예컨대, 제1 발광소자들(132a)은 턴-온되고, 이와 동시에 제2 발광소자들(132b)은 턴 오프될 수 있다. 또는, 예컨대, 제1 발광소자들(132a)은 턴 오프되고, 이와 동시에 제2 발광소자들(132b)은 턴 온될 수 있다. 또는 제1 및 제2 발 광소자들(132a, 132b)은 동시에 턴온될 수 있다.
기판(131)은 인쇄회로기판(Printed Circuit Board, PCB), 또는 메탈 PCB일수있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(131)은 다각형 형상, 예컨대, 사각형 형상일수 있다. 예컨대, 기판(131)의 일면은 제1 내지 제4측면(301 내지 304)을 포함할 수 있고, 인접하는 2개의 측면 사이에 위치하는 꼭지점들을 포함할 수 있다. 여기서 기판(131)의 일면은 발광소자들(132)이 배치되는 면일 수 있다.
기판(131)은 발광소자들(132)을 배치하기 위한 복수 개의 배치 영역(P1 내지 P16)을 포함할 수 있다.
예컨대, 복수의 배치 영역(P1 내지 P16)은 행과 열로 이루어진 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3에서의 기판(131)은 16개로 분할된 배치 영역들을 포함하는 것을 예시하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수 개의 배치 영역(P1 내지 P16)은 후술하는 냉각부(120)의 복수의 냉각 블록(S1 내지 S16)에 대응할 수 있다.
기판(131)의 복수 개의 배치 영역(P1 내지 P16) 각각에는 복수 개의 제1 발광소자(132a), 및 복수 개의 제2 발광소자(132b)가 배치될 수 있다.
복수의 배치 영역(P1 내지 P16) 각각은 서로 동일한 형상, 예컨대, 사각형일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 배치 영역(P1 내지 P16) 각각은 서로 동일한 사이즈, 예컨대, 동일한 면적을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 복수의 배치 영역(P1 내지 P16) 각각의 가로 길이는 서로 동일할 수 있고, 복수의 배치 영역(P1 내지 P16) 각각의 세로 길이는 서로 동일할 수 있다.
예컨대, 복수의 배치 영역(P1 내지 P16) 중 인접하는 배치 영역들은 서로 접할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 복수의 배치 영역은 일정한 간격으로 떨어질 수도 있다.
복수의 배치 영역(P1 내지 P16)은 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16), 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15), 및 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)을 포함할 수 있다.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)은 기판(131)의 어느 한 꼭지점(E1, E2, E3, 또는 E4)을 포함하거나, 어느 한 꼭지점에 인접하는 영역일 수 있다.
예컨대, 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각은 기판(131)의 꼭지점들(E1, E2, E3, 또는 E4) 중 대응하는 어느 하나를 포함하거나 또는 대응하는 어느 하나에 인접할 수 있다.
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15)은 기판(131)의 꼭지점(E1 내지 E4)으로부터 이격되고, 기판(131)의 측면들(301 내지 304)과 접하는 영역일 수 있다.
제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)은 기판(131)의 꼭지점들(E1 내지 E4) 및 기판(131)의 측면들(301 내지 304)로부터 이격되는 영역일 수 있다.
예컨대, 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 및 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15)은 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)의 주위를 감싸도록 배치될 수 있다.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에는 행과 열을 포함하는 제1 매트릭스 형태로 제1 발광소자들(132a)과 제2 발광소자들(132b)이 배열될 수 있다.
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에는 행과 열을 포함하는 제2 매트릭스 형태로 제1 발광소자들(132a)과 제2 발광소자들(132b)이 배열될 수 있다.
제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11) 각각에는 행과 열을 포함하는 제3 매트릭스 형태로 제1 발광소자들(132a)과 제2 발광소자들(132b)이 배열될 수 있다.
예컨대, 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에는 제1 매트릭스의 행(Row) 방향 및 열(Column) 방향 각각으로 제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b)가 교대로 배열될 수 있다.
또한 예컨대, 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에는 제2 매트릭스의 행 방향 및 열 방향 각각으로 제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b)가 교대로 배열될 수 있다.
또한 예컨대, 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11) 각각에는 제3 매트릭스의 행 방향 및 열 방향 각각으로 제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b)가 교대로 배열될 수 있다.
제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행 방향은 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행들이 배열되는 방향일 수 있고, 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 열 방향은 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 열이 배열되는 방향일 수 있다.
예컨대, 행 방향은 기판(131)의 꼭지점들(E1 내지 E4) 중 제1 꼭지점(E1)에서 제4 꼭지점(E4)로 향하는 방향일 수 있고, 열 방향은 기판(131)의 제1 꼭지점(E1)에서 제2 꼭지점(E2)로 향하는 방향일 수 있고, 행 방향과 열 방향은 서로 수직일수 있다.
예컨대, 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행의 수는 서로 다를 수 있고, 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 열의 수는 서로 다를 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시 예에서는 제1 내지 제3 매트릭스들 중 선택된 2개의 행의 수는 서로 동일할 수 있고, 제1 내지 제3 매트릭스들 중 선택된 2개의 열들의 수는 서로 동일할 수 있다.
제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b)가 제1 내지 제3 매트릭스들 각각의 행 방향 및 열 방향 각각으로 서로 교대로 배열되는 이유는 복합 파장을 갖는 발광 모듈(100)의 빛의 균일성(uniformity)를 향상시키기 위함이다.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에서 제1 발광소자 및 제2 발광소자의 배열은 다음과 같다.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에 배치된 제1 발광소자들과 제2 발광소자들로 이루어진 제1 매트릭스의 행과 열의 순서는 다음과 같이 정의할 수 있다.
기판(131)의 꼭지점들 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 가장 인접하는 행과 열을 제1행과 제1열로 정의하고, 대응하는 꼭지점에서 멀어지는 방향으로 순차적으로 열 및 행의 순서가 증가하도록 할 수 있다.
예컨대, 제1 배치 영역(P1)의 제1행과 제1열은 제1 꼭지점(E1)에 가장 인접하는 행과 열일 수 있고, 행 방향과 평행하고 제1 꼭지점(E1)에서 멀어지는 방향(예컨대, 101a)으로 행의 순서가 증가할 수 있고, 열 방향과 평행하고 제1 꼭지점(E1)에서 멀어지는 방향(예컨대, 101b)으로 열의 순서가 증가할 수 있다.
또한 예컨대, 제1 배치 영역(P4)의 제1행과 제1열은 제4 꼭지점(E4)에 가장 인접하는 행과 열일 수 있고, 행 방향과 평행하고 제4 꼭지점(E4)에서 멀어지는 방향(예컨대, 104a)으로 행의 순서가 증가할 수 있고, 열 방향과 평행하고 제4 꼭지점(E4)에서 멀어지는 방향(예컨대, 104b)으로 열의 순서가 증가할 수 있다.
제1 배치 영역들(P13, P16) 각각에 대해서는 상술한 바와 같이, 제1행과 제1열이 정의될 수 있고, 행 방향과 평행하고 제2 및 제3 꼭지점들(E2, E3) 각각에서 멀어지는 방향(예컨대, 102a, 103a)으로 행의 순서가 증가할 수 있고, 열 방향과 평행하고 제2 및 제3 꼭지점들(E2, E3)에서 멀어지는 방향(예컨대, 102b)으로 열의 순서가 증가할 수 있다.
도 4는 도 3에 도시된 제1 배치 영역의 일 영역 내의 제1 발광소자 및 제2 발광소자의 배치를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 복합 파장을 갖는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)로부터 발생된 빛들의 조도의 균일성을 개선하기 위하여, 제1 배치영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 각 열에 포함되는 인접하는 2개의 제1 발광소자(132a) 및 제2 발광소자(132b) 간의 이격 거리는 다음과 같다.
제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스에 따른 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 배열에 있어서, 제1 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리(d11)는 제2행과 제3행 간의 제2 이격 거리(d12)보다 짧을 수 있다(d11<d12).
또한 제2 이격 거리(d12), 제1 매트릭스의 제3행과 제4행 간의 제3 이격 거리(d13), 제1 매트릭스의 제4행과 제5행 간의 제4 이격 거리(d14)는 서로 동일할 수 있다(d12=d13=d14).
또한 제4 이격 거리(d14)는 제1 매트릭스의 제5행과 제6행 간의 제5 이격 거리(d15)보다 짧을 수 있다(d14<d15).
제1 매트릭스의 제6행 내지 마지막 행 중에서 선택된 인접한 2개의 행들 간의 이격 거리들(예컨대, d16, d17 …) 각각은 제5 이격 거리(d15)와 동일할 수 있다(d15=d16=d17=…).
또한 복합 파장을 갖는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)로부터 발생된 빛들의 조도 균일성을 개선하기 위하여, 제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 각 행에 포함되는 인접하는 2개의 제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b) 간의 이격 거리는 다음과 같다.
제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리(d21)는 제2열과 제3열 간의 제7 이격거리(d22)보다 짧을 수 있다(d21<d22).
또한 제7 이격 거리(d22)는 제1 매트릭스의 제3열과 제4열 간의 제8 이격 거리(d23)와 동일할 수 있다(d22=d23).
제8 이격 거리(d23)는 제1 매트릭스의 제4열과 제5열 간의 제9 이격 거리(d24)보다 짧을 수 있다(d23<d24).
제1 매트릭스의 제5열 내지 마지막 열들 중에서 선택된 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리들(예컨대, d25, d26, d27 … ) 각각은 제9 이격 거리(d24)와 동일할 수 있다(d24=d25=d26=d27=…).
제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리(d21)는 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리(d11)보다 작을 수 있다(d21<d11).
또한 예컨대, 제1 매트릭스의 제2열과 제3열 간의 제7 이격 거리(d22)는 제2행과 제3행 간의 제2 이격 거리(d12)보다 작을 수 있다(d22<d12).
예컨대, d11:d12:d13:d14:d15:d16=x1:x2:x3:x4:x5:x6일 수 있고, x1은 0.55 이상 0.7 미만일 수 있고, x2, x3, x4는 0.7 이상 1미만일 수 있고, x5 및 x6는 1일 수 있다. x2, x3, 및 x4는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.
또한 예컨대, d21:d22:d23:d24:d25=y1:y2:y3:y4:y5일 수 있고, y1은 0.5 이상 0.65 미만일 수 있고, y2, 및 y3는 0.65 이상 1미만일 수 있고, y4 및 y5는 1일 수 있다. y2, 및 y3는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.
예컨대, d11:d12:d15=0.58:0.76:1일 수 있고, d21:d22:d24=0.55:0.67:1일 수 있다.
예컨대, 제1 매트릭스의 열과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 어느 한 측면의 전체 길이 대비 d11, d12, 및 d15의 비율은 3.18%, 3.85%, 및 5.77%일 수 있다.
또한 예컨대, 제1 매트릭스의 행과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 어느 한 측면의 전체 길이 대비 d21, d22, d24의 비율은 3.81%, 5.02%, 및 6.58%일 수 있다. d11, d12, d15, d21, d22, d24에 관한 % 비율은 소수점 3째자리에서 반올림한 값일 수 있다.
또한 제1 매트릭스의 열과 평행한 방향으로 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 제1 비등간격 구간의 거리의 비율은 제1 매트릭스의 열과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 한 측면의 전체 길이의 16% 내지 17%일 수 있다. 예컨대, 제1 비등간격 구간은 d15보다 작은 이격 거리들을 포함하는 구간일 수 있다.
또한 제1 매트릭스의 행과 평행한 방향으로 제1 배치 영역의 제2 비등간격 구간의 거리의 비율은 제1 매트릭스의 행과 평행한 제1 배치 영역(P1,P4,P13,P16)의 한 측면의 전체 길이의 12% 내지 13%일 수 있다. 예컨대, 제2 비등간격 구간은 d24보다 작은 이격 거리들을 포함하는 구간일 수 있다.
제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 행들은 제1-1 그룹(G11), 제1-2 그룹(G12), 및 제1-3 그룹(G13)으로 구분될 수 있고, 제1 배치 영역(P1, P4, P13, P16)의 제1 매트릭스의 열들은 제2-1 그룹(G21), 제2-2 그룹(G22), 및 제2-3 그룹(G23)으로 구분될 수 있다.
예컨대, 제1-1그룹(G11)은 제1 매트릭스의 제1행을 포함할 수 있고, 제1-2 그룹(G12)은 제1 매트릭스의 제2행 내지 제5행을 포함할 수 있고, 제1-3 그룹(G13)은 제1 매트릭스의 제6행 내지 마지막 행을 포함할 수 있다.
또한 예컨대, 제2-1 그룹(G21)은 제1 매트릭스의 제1열을 포함할 수 있고, 제2-2 그룹(G22)은 제1 매트릭스의 제2열 내지 제3열을 포함할 수 있고, 제2-3 그룹(G23)은 제1 매트릭스의 제4열 내지 마지막 열을 포함할 수 있다.
제1 그룹들(예컨대, G11, G12, G13…) 중에서 선택된 인접하는 2개의 제1 그룹들 간의 이격 거리는 제1 배치 영역에 대응하는 기판(131)의 꼭지점에 가까울수록 짧을 수 있다.
예컨대, 인접하는 2개의 제1 그룹들 간의 이격 거리는 행 방향과 평행한 방향으로의 이격 거리일 수 있다.
예컨대, 제1-1 그룹(G11)과 제1-2 그룹(G12) 간의 제1 이격 거리(d11)는 제1-2 그룹(G12)과 제1-3 그룹(G13)간의 제5 이격 거리(d15)보다 짧을 수 있다.
또한 제1 이격 거리(d11)는 제1-2 그룹(G12)에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리(d12, d13,d14)보다 짧을 수 있다.
또한 예컨대, 제1-2 그룹(G12)에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리(d12, d13, d14)는 제5 이격 거리(d15)보다 짧을 수 있다.
또한 예컨대, 제5 이격 거리(d5)는 제1-3 그룹(G13)에 포함되는 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
제2 그룹들(예컨대, G21, G22, G23…) 중에서 선택된 인접하는 2개의 제2그룹들 간의 이격 거리는 제1 배치 영역에 대응하는 기판의 꼭지점에 가까울수록 짧을 수 있다. 예컨대, 인접하는 2개의 제2 그룹들 간의 이격 거리는 열 방향과 평행한 방향으로의 이격 거리일 수 있다.
예컨대, 제2-1 그룹(G21)과 제2-2 그룹(G22) 간의 제6 이격 거리(d21)는 제2-2 그룹(G22)과 제2-3 그룹(G23) 간의 제9 이격 거리(d24)보다 짧을 수 있다.
또한 제6 이격 거리(d21)는 제2-2 그룹(G22)에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리(d22, d23)보다 짧을 수 있다.
또한 예컨대, 제2-3 그룹(G23)에 포함되는 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리(d25, d26, d27)는 제9 이격 거리(d24)와 동일할 수 있다.
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에서 제1 발광소자와 제2 발광소자의 배치는 다음과 같다.
제1방향으로 제2 배치 영역들(P2, P3, P14, P15) 각각의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다.
또한 제1방향으로 제2 배치 영역들(P5, P8, P9, P12) 각각의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다.
제1방향은 제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15) 각각에 인접하는 기판(131)의 어느 한 측면과 평행한 방향일 수 있다.
예컨대, 제2 배치 영역(P2, P3)에 대한 제1방향은 제2 배치 영역(P2, P3)에 인접한 기판(131)의 제1측면(301)과 평행한 방향일 수 있다.
기판(131)의 측면(301 내지 304) 중 어느 한 측면에 인접하는 제2 배치 영역들 각각의 제2 매트릭스의 열들 또는 행들은 상기 어느 한 측면에 인접한 꼭지점을 포함하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열들 또는 행들에 제1방향으로 대응 또는 정렬될 수 있다.
예컨대, 제1측면(301)에 인접하는 제2 배치 영역들(P2, P3) 각각의 제2 매트릭스의 열들은 제1측면(301)에 인접한 꼭지점(E1, E4)를 포함하는 제1 배치 영역(P1, P4)의 제1 매트릭스의 열들에 제1방향으로 정렬될 수 있다.
또한 예컨대, 제2측면(302)에 인접하는 제2 배치 영역들(P8, P12) 각각의 제2 매트릭스의 행들은 제2측면(302)에 인접한 꼭지점(E3, E4)를 포함하는 제1 배치 영역(P4, P16)의 제1 매트릭스의 행들에 제1방향으로 정렬될 수 있다.
또한 예컨대, 제2방향과 평행한 제2 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수는 제2방향과 평행한 제1 매트릭스의 열들 또는 행들의 배열 거리 및 배열 수와 동일할 수 있다. 제2방향은 제1방향과 수직한 방향일 수 있다.
예컨대, 기판(131)의 어느 한 측면에 인접하는 제2 배치 영역들 각각의 제2방향과 평행한 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 또는 2개의 행들 간의 이격 거리는 상기 어느 한 측면에 인접한 꼭지점을 포함하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열들 중 상기 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들과 대응하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
예컨대, 제2 배치 영역들(P2, P3) 각각의 제2 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 이격 거리는 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 제1열과 제2열 간의 제6 이격 거리(d21)과 동일할 수 있다.
또한 제2 배치 영역들(P5, P9) 각각의 제2 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 이격 거리는 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 제1행과 제2행 간의 제1 이격 거리(d11)와 동일할 수 있다. 제2 배치 영역들의 나머지 2개의 인접하는 열들 또는 행들 간의 이격 거리도 상술한 바와 같이 대응하는 제1 배치 영역의 인접하는 2개의 열들 또는 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
기판(131)의 어느 하나의 측면에 인접하는 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 제2방향과 평행한 인접하는 2개의 행들 또는 열들 간의 이격 거리는 상기 어느 한 측면에 가까울수록 작아질 수 있다.
제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)에서는 제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b)가 행 방향과 평행한 방향으로 동일한 간격으로 배치될 수 있고, 열 방향과 평행한 방향으로 동일한 간격으로 배치될 수 있다.
예컨대, 제3 매트릭스의 행들 중에서 선택된 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다. 또한 예컨대 제3 매트릭스의 열들 중에서 선택된 인접하는 2개의 열들 간의 열 방향과 평행한 방향으로의 이격 거리는 서로 동일할 수 있다.
제2 배치 영역들(P2, P3, P5, P8, P9, P12, P14, P15)의 제2 매트릭스 및 제3 배치 영역들(P6, P7, P10, P11)의 제3 매트릭스의 행의 순서는 좌측에서 우측으로 증가하고, 위에서 아래로 열의 순서가 증가하도록 정의될 수 있다.
서로 인접하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 행과 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
예컨대, 서로 인접하는 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 마지막 행과 제2 배치 영역(P2)의 제2 매트릭스의 제1행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역(P2)의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
서로 인접하는 제1 배치 영역의 제1 매트릭스의 열과 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
예컨대, 제1 배치 영역(P1)의 제1 매트릭스의 마지막 열과 제2 배치 영역(P5)의 제2 매트릭스의 제1열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역(P5)의 제2 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
인접하는 2개의 제2 배치 영역들 중 어느 하나의 행과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
예컨대, 제2 배치 영역(P2)의 마지막 행과 제2 배치 영역(P3)의 제1행 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들(P2, P3) 각각의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
인접하는 2개의 제2 배치 영역들 중 어느 하나의 열과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
예컨대, 제2 배치 영역(P5)의 마지막 열과 제2 배치 영역(P9)의 제1열 간의 이격 거리는 제2 배치 영역들(P5, P9) 각각의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 행과 이와 인접하는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 행 간의 이격 거리는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
예컨대, 제2 배치 영역(P5)의 제2 매트릭스의 마지막 행과 제3 배치 영역(P6)의 제1행 간의 이격 거리는 제3 배치 영역(P6)의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
제2 배치 영역의 제2 매트릭스의 열과 이와 인접하는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 열 간의 이격 거리는 제3 배치 영역의 제3 매트릭스의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
예컨대, 제2 배치 영역(P2)의 제2 매트릭스의 마지막 열과 제3 배치 영역(P6)의 제1열 간의 이격 거리는 제3 배치 영역(P6)의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
인접하는 2개의 제3 배치 영역들 중 어느 하나의 열과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 열 간의 이격 거리는 제3 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 열들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
인접하는 2개의 제3 배치 영역들 중 어느 하나의 행과 이와 인접하는 다른 어느 하나의 행 간의 이격 거리는 제3 배치 영역들 각각의 인접하는 2개의 행들 간의 이격 거리와 동일할 수 있다.
도 3에서는 기판(131)을 제1 내지 제3 배치 영역들로 구분하였지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시 예에서는 제2 및 제3 배치 영역들을 생략되고, 기판(131)은 제1 배치 영역을 구비할 수도 있다.
또 다른 실시 예에서는 제2 배치 영역은 생략되고, 기판(131)은 제1 및 제3 배치 영역들을 구비할 수도 있다.
또 다른 실시 예에서는 제3 배치 영역은 생략되고, 기판(131)은 제1 및 제2 배치 영역들을 구비할 수도 있다.
상술한 바와 같이 실시 예에 따른 발광 모듈(130)은 기판(131)의 꼭지점 및 측면에 인접하는 영역에는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)을 조밀하게 배치하고, 기판(131)의 꼭지점 및 측면에서 먼 영역에는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)을 동일한 간격으로 배치시킴으로써, 경화의 대상물이 배치되는 경화 영역 내의 조도의 균일성을 향상시킬 수 있다.
또한 제1 내지 제3 배치 영역들의 구분없이 기판 상에 제1 및 제2 발광소자들을 동일한 간격으로 배치되는 경우와 비교할 때, 실시 예는 동일한 크기의 경화 영역에 대하여 타겟 균일성을 만족하기 위하여 필요한 발광소자들의 개수를 줄일 수 있고, 이로 인하여 발광 모듈의 면적을 줄일 수 있다.
도 5a는 발광소자들이 동일한 간격으로 배열되는 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타내고, 도 5b는 도 5a의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타내고, 도 5c는 실시 예에 따른 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타내고, 도 5d는 도 5c의 시뮬레이션 결과에 따른 조도의 균일성을 나타낸다.
도 5a 및 도 5c에서 경화 영역의 면적은 서로 동일하고, 발광 모듈과 경화 영역까지의 이격 거리는 100mm로 동일하고, 경화 영역을 위한 스테이지(140)의 타겟 영역(target area)의 면적은 1300mm × 1100mm로 동일할 수 있다.
도 5c에서 제1 발광소자 및 제2 발광소자의 배열은 도 4에서 설명한 바에 따른 비율에 따라 배열될 수 있다.
예컨대, d11:d12:d13:d14:d15:d16=0.58:0.76:0.76:0.76:1:1일 수 있다.
예컨대, d21:d22:d23:d24:d25=0.55:0.67:0.67:1:1일 수 있다.
도 5a에서는 제1 발광소자와 제2 발광소자가 68 × 80 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 발광소자 어레이 영역(LED Array area)의 면적은 1500mm × 1307mm일 수 있다. 여기서 발광소자 어레이 영역의 면적은 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)이 배치되는 기판(131)의 일 영역의 면적일 수 있다.
도 5a에서 발광소자 어레이 영역은 가로 길이가 세로 길이보다 크지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시 예에서는 발광소자 어레이 영역은 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일할 수 있고, 이 경우에 제1 배치 영역들(P1,P4,P13,P16) 각각의 행 방향으로 인접하는 제1 및 제2 발광소자들의 배열에 관한 비율은 열 방향으로 인접하는 제1 및 제2 발광소자들의 배열의 비율과 동일할 수 있다.
발광소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 다른 실시 예에서는 d11 내지 d16의 비율에 관한 설명이 행 방향 및 열 방향 모두에 동일하게 적용될 수 있다. 예컨대, 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광소자들의 배열은 d11:d12:d13:d14:d15:d16=x1:x2:x3:x4:x5:x6의 비율을 만족할 수 있고, x1은 0.55 이상 0.7 미만일 수 있고, x2, x3, x4는 0.7 이상 1미만일 수 있고, x5 및 x6는 1일 수 있다. x2, x3, 및 x4는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.
예컨대, 발광소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 경우 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광소자들의 배열은 d11:d12:d13:d14:d15:d16=0.58:0.76:0.76:0.76:1:1의 비율을 만족할 수 있다.
또한 다른 실시 예에서는 d21 내지 d25의 비율에 관한 설명이 행 방향 및 열 방향 모두에 동일하게 적용될 수 있다.
예컨대, 발광소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 또 다른 실시 예에서는 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광소자들의 배열은 d21:d22:d23:d24:d25=y1:y2:y3:y4:y5일 수 있다.
y1은 0.5 이상 0.65 미만일 수 있고, y2, 및 y3는 0.65 이상 1미만일 수 있고, y4 및 y5는 1일 수 있다. y2, 및 y3는 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 서로 다를 수도 있다.
예컨대, 발광소자 어레이 영역의 가로 길이와 세로 길이가 서로 동일한 경우 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 행 방향 및 열 방향으로 제1 및 제2 발광소자들의 배열은 d21:d22:d23:d24:d25=0.55:0.67:0.67:1:1의 비율을 만족할 수 있다.
반면에, 도 5c에서는 제1 발광소자와 제2 발광소자가 62 × 74 매트릭스 형태로 배열될 수 있고, 발광소자 어레이 영역(LED Array area)의 면적은 1344mm × 1146mm일 수 있다.
Max는 조도의 최대값을 나타내고, Min은 조도의 최소값을 나타내고, Avg는 조도의 평균값을 나타내고, UNI는 1-{(Max-Min)/(2Avg)} 로 정의된다.
도 5c 및 도 5d를 참조하면, 도 5a의 경우에 비하여 도 5c의 경우는 조도의 균일도가 향상될 수 있다. 따라서 실시 예는 도 5a의 경우에 비하여 균일도가 향상될 수 있다. 그리고 실시 예는 이러한 균일도 향상을 만족하기 위한 발광 모듈의 발광소자의 개수를 도 5a와 비교할 때, 16% 감소시킬 수 있고, 발광소자 어레이 면적을 약 20% 감소시킬 수 있다.
타겟 영역(target area)의 면적(S1) 대비 실시 예에 따른 발광소자 어레이 영역의 면적(S2)의 비율(S1:S2)은 1:1.08 ~ 1:1.37일 수 있다.
타겟 영역의 면적이 변하더라도 상술한 면적 비율에 따라 발광소자 어레이 영역의 면적을 자유롭게 설정할 수 있고, 이로 인하여 실시 예는 발광소자 어레이의 면적을 줄임과 동시에 조도의 균일성을 확보할 수 있다.
도 6a는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기의 사이즈를 나타내고, 도 6b는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 조도 측정기와 발광 모듈 간의 이격 거리를 나타내고, 도 6c는 도 4에 도시된 발광 모듈의 조도 측정 시뮬레이션을 위한 기판의 반사율을 나타낸다.
도 4에서 제1 발광소자(132a)의 전력은 1.90[W]이고, 제2 발광소자(132b)의 전력은 2.19[W]이고, d11은 11mm이고, d12, d13, 및 d14 각각은 14.50mm이고, d15는 19mm이고, d21은 10.75mm이고, d22 및 d23 각각은 13mm이고, d24는 19.50mm일 수 있다.
도 6a을 참조하면, 발광 모듈(130)의 기판(131)에 배치된 제1 및 제2 발광소자들을 포함하는 발광소자 어레이의 가로 길이는 1355.75mm이고, 세로 길이는 1155.50일 수 있고, 조도 측정기(210)의 가로 길이는 1300mm이고, 세로 길이는 1100mm일 수 있다.
도 6b를참조하면, 발광 모듈(130)의 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)과 조도 측정기(210)의 감지부까지의 거리(H)를 50mm 에서 100mm까지 10mm씩 변경시키면서 조도를 측정할 수 있다.
도 6c를 참조하면, 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)이 배치되는 기판(131)의 일면의 반사율은 70%일 수 있다. 그리고 기판(131)은 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 주위를 감싸도록 기판(131)의 일면으로부터 돌출되는 반사 측벽(220)이 구비될 수 있으며, 반사 측벽(220)의 반사율은 70%일 수 있다.
도 7a 내지 도 7c는 도 6a 내지 도 6c에 따른 제1 및 제2 발광소자들의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다. 도 7a에 있어서 실시 예에 따른 발광 모듈의 조도의 타겟 평균값은 500[mW/㎠]일 수 있고, 타겟 조도의 균일성(UNI)은 80%, 또는 90%일 수 있다.
도 7a는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리(H)의 변화에 따라 제1 발광소자 및 제2 발광소자를 모두 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7b는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리(H)의 변화에 따라 제2 발광소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7c는 도 6a 내지 도 6c의 이격 거리(H)의 변화에 따라 제1 발광소자만을 턴 온한 경우의 발광 모듈의 조도 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm ~ 100mm일 때, 조도의 균일성(UNI)이 80% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.
또한 도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm ~ 70mm일 때, 조도의 균일성(UNI)이 90% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.
또한 도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm일 때, 조도의 균일성(UNI)이 95% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.
또한 도 7a, 도 7b, 도 7c 각각의 경우에 있어서, 이격 거리(H)가 50mm ~ 100일 때, 조도의 균일성(Avg/Max)이 95% 이상을 만족하는 것을 알 수 있다.
또한 도 7a에 있어서, 실시 예에 따른 발광 모듈(130)의 조도의 평균값(Avg)은 500[mW/㎠] 이상임을 알 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 평면도이고, 도 9는 도 8의 일부 확대도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 발광모듈의 기판(131)은 복수 개의 발광소자(132)가 배치되는 중앙 영역(CA1) 및 중앙 영역(CA1)을 감싸는 가장자리 영역(EA1, EA2, EA3, EA4)을 포함할 수 있다.
중앙 영역(CA1)은 기판(131) 전체 면적의 85% 내지 98%의 면적을 차지할 수 있다. 기판(131)은 서로 마주보는 제1측면(301)과 제3측면(303), 및 서로 마주보는 제2측면(302)과 제4측면(304)을 포함할 수 있다.
중앙 영역(CA1)에 배치되는 복수 개의 발광소자(132)는 제2방향(Y축 방향)의 간격(B25, B26)이 제1방향(X축 방향)의 간격(B15, B16)보다 클 수 있다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니고 제2방향 간격(B25, B26)과 제1방향 (B15, B16)은 동일할 수도 있다. 예시적으로 중앙 영역(CA1)에 배치되는 복수 개의 발광소자(132)는 제2방향의 간격(B25, B26)이 19.5mm이고, 제1방향 간격(B15, B16)이 19.0mm일 수 있다.
이하에서 도면을 기준으로 제1방향(X축 방향)을 수평 방향으로 정의하고 제2방향(Y축 방향)을 수직 방향으로 정의한다.
가장자리 영역(EA1, EA2, EA3, EA4)은 기판(131)의 제1측면(301)과 가까이 배치된 제1 가장자리 영역(EA1), 기판(131)의 제2측면(302)과 가까이 배치된 제2 가장자리 영역(EA2), 기판(131)의 제3측면(303)과 가까이 배치된 제3 가장자리 영역(EA3), 및 기판(131)의 제4측면(304)과 가까이 배치된 제4 가장자리 영역(EA4)을 포함할 수 있다.
제1 가장자리 영역(EA1)과 제3 가장자리 영역(EA3)은 수평방향으로 연장될 수 있고, 제2 가장자리 영역(EA2)과 제4 가장자리 영역(EA4)은 수직방향으로 연장될 수 있다.
제1 가장자리 영역(EA1)과 제3 가장자리 영역(EA3)의 수직방향 폭은 동일할 수 있고, 제2 가장자리 영역(EA2)과 제4 가장자리 영역(EA4)의 수평방향 폭은 동일할 수 있다.
예시적으로 제1 가장자리 영역(EA1)과 제3 가장자리 영역(EA3)에는 4개의 열(column)의 발광소자(132)가 수평방향으로 연속 배치될 수 있고, 제2 가장자리 영역(EA2)과 제4 가장자리 영역(EA4)은 4개의 행(row)의 발광소자(132)가 수직방향으로 연속 배치될 수 있다. 그러나, 발광소자(132)의 개수는 기판(131)의 크기에 따라 적절히 조절될 수도 있다. 예시적으로 제1 가장자리 영역(EA1)과 제3 가장자리 영역(EA3)에는 5개 열의 발광소자(132)가 수평방향으로 배치될 수 있고, 제2 가장자리 영역(EA2)과 제4 가장자리 영역(EA4)은 5개 행의 발광소자(132)가 수직방향으로 배치될 수 있다.
제1 내지 제4 가장자리 영역(EA1, EA2, EA3, EA4)에 배치된 발광소자(132)의 간격은 중앙 영역(CA1)에 배치된 발광소자(132)의 간격보다 좁을 수 있다. 이러한 구성에 의하면 가장자리 영역(EA1, EA2, EA3, EA4)에서 조도 균일도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 가장자리에서는 상대적으로 중첩되는 광량이 적어 조도가 낮은 만큼 발광소자(132)를 더 배치하여 전체적으로 조도를 맞출 수 있다.
예시적으로, 제1 가장자리 영역(EA1) 및 제3 가장자리 영역(EA3)에 배치된 발광소자(132)의 수직방향 간격(B21, B22, B23)은 중앙 영역(CA1)에 배치된 발광소자(132)의 수직방향 간격(B24, B25, B26)보다 좁을 수 있다.
또한, 제2 가장자리 영역(EA2) 및 제4 가장자리 영역(EA4)에 배치된 발광소자(132)의 수평방향 간격(B11, B12, B13)은 중앙 영역(CA1)에 배치된 발광소자(132)의 수평방향 간격(B15, B16)보다 좁을 수 있다.
예시적으로 제1 가장자리 영역(EA1) 및 제3 가장자리 영역(EA3)에 배치된 발광소자(132)의 수직방향 간격(B21, B22, B23)은 13.5mm일 수 있고, 제2 가장자리 영역(EA2) 및 제4 가장자리 영역(EA4)에 배치된 발광소자(132)의 수평방향 간격(B11, B12, B13)은 13.5mm일 수 있다. 그러나, 이러한 간격은 기판(131)의 크기에 따라 적절히 조절될 수도 있다.
가장자리 영역(EA1, EA2, EA3, EA4)은 제1 가장자리 영역(EA1)과 제4 가장자리 영역(EA4)이 교차하는 제1모서리 영역(VA1), 제1 가장자리 영역(EA1)과 제2 가장자리 영역(EA2)이 교차하는 제2모서리 영역(VA2), 제3 가장자리 영역(EA3)과 제2 가장자리 영역(EA2)이 교차하는 제3모서리 영역(VA3), 및 제3 가장자리 영역(EA3)과 제4 가장자리 영역(EA4)이 교차하는 제4모서리 영역(VA4)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제4모서리 영역(VA1, VA2, VA3, VA4)에서 발광소자(132)의 단위면적당 개수는 나머지 영역에서 발광소자(132)의 단위면적당 개수보다 많을 수 있다. 즉, 제1 내지 제4모서리 영역(VA1, VA2, VA3, VA4)에서 발광소자(132)는 가장 조밀하게 배치될 수 있다.
이러한 구성에 의하면 기판(131)의 모서리에서 조도가 낮은 것을 보상하여 조도 균일도를 개선할 수 있다. 예시적으로 제1 내지 제4모서리 영역(VA1, VA2, VA3, VA4)에서 발광소자(132)의 수평방향 간격과 수직방향 간격은 모두 13.5mm일 수 있다. 그러나, 이러한 간격은 기판(131)의 크기에 따라 적절히 조절될 수도 있다.
기판(131)의 중앙 영역(CA1) 및 가장자리 영역(EA1, EA2, EA3, EA4)에 배치되는 복수 개의 발광소자(132)는 복수 개의 제1 발광소자(132a), 및 복수 개의 제2 발광소자(132b)를 포함할 수 있다. 제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b)는 교대로 배치될 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 복수 개의 제1 발광소자(132a)와 제 2발광소자(132b)는 도 3에서 설명한 바와 같이 서로 다른 자외선 파장대의 광을 출력할 수 있다. 따라서, UV 램프와 같이 멀티 파장을 구현할 수 있으므로 경화 성능을 향상시킬 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 경화 장치의 개념도이고, 도 11은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 경화 장치의 개념도이고, 도 12는 도 11에 따른 경화 장치에서 조사된 광의 균일도를 측정한 결과이다.
도 10을 참조하면, 실시 예에 따른 경화 장치에서 투광성 플레이트(125)는 마스크 패턴(1100)을 고정할 수 있다. 구체적으로 투광성 플레이트(125) 내부에는 석션 채널(미도시)이 형성될 수 있으며, 석션 채널을 통해 공기가 흡입되면 투광성 플레이트(125)는 마스크 패턴(1100)을 고정할 수 있다.
따라서, 발광모듈(130)에 배치된 복수 개의 발광소자(132)에서 출사된 광은 모두 마스크 패턴(1100)에 따라 선택적으로 조사되어 경화 대상물(1000)을 경화시킬 수 있다. 스테이지(140) 상에 배치된 경화 대상물(1000)은 글라스에 도포된 UV 레진층일 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
복수 개의 발광소자(132)에서 출사된 광은 대부분 투광성 플레이트(125)를 통과하게 된다. 따라서, 일부 광 손실이 발생할 수도 있으나 전체적으로 조도가 감소하므로 상대적으로 균일한 조도를 가질 수 있다.
그러나, 도 11과 같이 대면적 경화 장치의 경우 투광성 플레이트(125) 대신 투광성 블록(126)을 이용하여 마스크 패턴(1100)을 흡착할 수 있다. 대면적 디스플레이의 경우 경화 대상물(1000)이 커짐에 따라 마스크 패턴(1100)도 커져야 한다. 따라서, 이를 고정하는 투광성 플레이트(125) 역시 커져야 한다. 이 경우 투광성 플레이트(125)를 증가시키는 것 보다 투광성 블록(126)을 이용하는 것이 여러 면에서 효과적일 수 있다. 일 예로, 투광성 블록(126)을 소정 간격으로 배치하여 마스크 패턴(1100)을 고정하면 제작 비용을 줄일 수 있다.
투광성 블록(126)은 투광성 유리(glass) 또는 석영으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 투광성 블록(126)은 90% ~ 99%의 자외선 투과율을 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그러나, 투광성 블록(126)을 이용하는 경우, 복수 개의 발광소자(132)에서 출사된 광의 일부(L2)는 투광성 블록(126)을 투과하여 광 손실이 발생하는 반면, 일부 광(L1)은 투광성 블록(126)을 투과하지 않으므로 광 손실이 발생하지 않는다. 따라서, 조도 균일도가 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
도 12를 참조하면, 투광성 블록(126)을 투과한 영역(U2)과 투광성 블록(126)을 투과하지 않은 영역(U1)의 조도가 불균일함을 알 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 발광 모듈의 평면도이고, 도 14는 도 13의 일부 확대도이다.
도 13을 참조하면, 기판(131)은 발광소자(132)들을 배치하기 위한 복수 개의 배치 영역(MT1)을 포함할 수 있다. 예컨대, 복수의 배치 영역(MT1)은 행과 열로 이루어진 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 13에서 기판(131)은 9개로 분할된 배치 영역(MT1)들을 포함하는 것을 예시하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예시적으로 기판(131)은 36개로 분할된 배치 영역(MT1)을 포함할 수 있다.
각 배치 영역(MT1)의 제1방향(X축 방향) 크기는 436mm이고 제2방향(Y축 방향) 크기는 389mm일 수 있다. 따라서, 기판(131)은 가로 436mm 세로 389mm의 배치 영역을 9개 포함할 수도 있고, 36개를 포함할 수도 있다. 즉, 기판(131)의 크기가 커질수록 배치 영역의 개수는 증가할 수 있다. 이때, 필요에 따라 배치 영역(MT1)의 면적은 조절될 수도 있다.
기판(131)의 배치 영역들은 후술하는 냉각부의 복수의 냉각 블록들의 크기에 대응할 수 있다. 또한, 기판(131)의 배치 영역(MT1)은 복수 개의 회로기판의 면적과 동일할 수도 있다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 기판(131)에는 복수 개의 제1 발광소자(132a), 및 복수 개의 제2 발광소자(132b)가 배치될 수 있다. 복수 개의 제1 발광소자(132a) 및 제2 발광소자(132b)는 교대로 배치될 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다. 복수 개의 제1 발광소자(132a)와 제2 발광소자(132b)는 도 3에서 설명한 바와 같이 서로 다른 자외선 파장대의 광을 출력할 수 있다. 따라서, UV 램프와 같이 멀티 파장을 구현할 수 있으므로 경화 성능을 향상시킬 수 있다.
기판(131)은 제1방향(X축 방향)으로 이격 배치되고 제2방향(Y축 방향)으로 연장된 복수 개의 제1구간(Q11, Q12) 및 복수 개의 제2구간(Q21, Q22)을 포함할 수 있다. 복수 개의 제1구간(Q11, Q12)과 제2구간(Q21, Q22)은 제1방향(X축 방향)으로 교대로 배치될 수 있다.
이하에서 제1방향(X축 방향)은 수평 방향으로 정의하고 제2방향(Y축 방향)은 수직 방향으로 정의한다.
복수 개의 제1구간(Q11, Q12)은 기판(131)의 가장자리 영역을 포함하는 제1서브구간(Q11)과 투광성 블록(126)이 배치되는 제2서브구간(Q12)을 포함할 수 있다.
따라서, 복수 개의 제1서브구간(Q11) 중 가장 좌측에 배치된 구간은 기판(131)의 제4측면(304)을 포함할 수 있고, 복수 개의 제1서브구간(Q11) 중 가장 우측에 배치된 구간은 기판(131)의 제2측면(302)을 포함할 수 있다.
복수 개의 투광성 블록(126)은 제2서브구간(Q12)에 배치될 수 있다. 복수 개의 투광성 블록(126)은 수평방향으로 이격 배치되고 수직방향으로 연장될 수 있다. 이때, 복수 개의 투광성 블록(126)의 수평방향 이격 거리는 동일할 수 있으나 반드시 이에 한정하지 않는다.
제1구간(Q11, Q12)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R11)은 제2구간(Q21, Q22)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R12)보다 좁을 수 있다. 즉, 실시 예에 따르면 상대적으로 조도가 낮은 가장자리 영역과 투광성 블록(126)이 배치되는 영역에 발광소자(132)를 조밀하게 배치하여 조도 균일도를 개선할 수 있다.
제2구간(Q21, Q22)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R12)과 제1구간(Q11, Q12)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R11)과 의 비는 1: 0.62 내지 1:0.83일 수 있다. 비(Ratio)가 작을수록 제1구간(Q11, Q12)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R11)이 조밀해진다.
비(Ratio)가 1.0.62 보다 작은 경우 제1구간(Q11, Q12)에 배치된 발광소자가 조밀해져 조도가 과도하게 높아지기 때문에 조도 균일도가 저하될 수 있다. 또한, 비(Ratio)가 1:0.83보다 작은 경우에는 제1구간(Q11, Q12)에 배치된 발광소자의 간격이 커져 조도가 낮아지기 때문에 조도 균일도가 저하될 수 있다.
예시적으로 제1구간(Q11, Q12)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R11)은 13.5mm일 수 있고, 제2구간(Q21, Q22)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R12)은 19.0mm일 수 있다. 그러나 이러한 간격은 기판(131)의 크기에 따라 적절히 조절될 수 있다.
제1서브구간(Q11)과 제2서브구간(Q12)에는 5개의 행(row)의 배열된 발광소자(132)가 수직방향으로 복수 개 배치될 수 있다. 즉, 제1서브구간(Q11)과 제2서브구간(Q12)의 수평방향 폭은 동일할 수 있다. 그러나, 이는 투광성 블록(126)의 폭이 따라 가변적일 수 있다. 예시적으로 투광성 블록(126)의 폭이 증가하는 경우 이에 비례하여 투광성 블록(126)이 배치된 제2서브구간(Q12)의 폭이 테두리 영역에 배치된 제1서브구간(Q11)의 폭보다 더 커질 수 있다.
제2구간(Q21, Q22)은 제1서브구간(Q11)과 제2서브구간(Q12) 사이에 배치되는 제3서브구간(Q21) 및 이웃한 제2서브구간(Q12)과 제2서브구간(Q12) 사이에 배치되는 제4서브구간(Q22)을 포함할 수 있다.
즉, 제3서브구간(Q21)은 기판(131)의 측면과 투광성 블록(126) 사이의 구간일 수 있다. 제4서브구간(Q22)은 투광성 블록(126)과 투광성 블록(126) 사이의 구간일 수 있다. 제4서브구간(Q22)의 수평방향 폭은 제3서브구간(Q21)의 폭보다 클 수 있다. 그러나, 이러한 간격은 기판(131)의 크기 및 투광성 블록(126)의 개수에 따라 가변적일 수 있다.
기판(131)은 수직방향으로 배치되는 복수 개의 제3구간(Q31, Q32) 및 제4구간(Q4)을 포함할 수 있다. 제3구간(Q31, Q32)과 제4구간(Q4)은 각각 수평방향으로 연장될 수 있다. 이때, 제3구간(Q31, Q32)은 기판(131)의 제1측면(301)에 배치되는 제5서브구간(Q31) 및 기판(131)의 제3측면(303)에 배치되는 제6서브구간(Q32)을 포함할 수 있다.
제4구간(Q4)은 수직방향으로 제5서브구간(Q31)과 제6서브구간(Q32) 사이에 배치될 수 있다.
이때, 제3구간(Q31, Q32)에 배치되는 발광소자(132)의 수직방향 간격(R21)은 제4구간(Q4)에 배치되는 발광소자(132)의 수직방향 간격(R22)보다 좁을 수 있다. 즉, 실시 예에 따르면 상대적으로 조도가 떨어지는 가장자리 영역에 발광소자(132)를 조밀하게 배치하여 조도 균일도를 개선할 수 있다.
제4구간(Q4)에 배치되는 발광소자(132)의 수직방향 간격(R21)과 제3구간(Q31, Q32)에 배치되는 발광소자(132)의 수직방향 간격의 비(R11)는 1:0.62 내지 1:0.83일 수 있다.
비가 1.0.62 보다 작은 경우 제3구간(Q31, Q32)에 배치된 발광소자가 조밀해져 조도가 제4구간 보다 높아지기 때문에 조도 균일도가 저하될 수 있다. 또한, 비가 1:0.83보다 작은 경우에는 제3구간(Q31, Q32)에 배치된 발광소자의 간격이 커져 조도가 제4구간 보다 낮아지기 때문에 조도 균일도가 저하될 수 있다.
예시적으로 제3구간(Q31, Q32)에 배치되는 발광소자(132)의 수직방향 간격(R21)은 13.5mm일 수 있고, 제4구간(Q4)에 배치되는 발광소자(132)의 수직방향 간격(R21)은 19.5mm일 수 있다. 그러나 이러한 간격은 기판(131)의 크기에 따라 적절히 조절될 수 있다.
기판(131)은 제1구간(Q11, Q12)과 제3구간(Q31, Q32)이 교차하는 제5영역(Q5)을 포함하고, 제5영역(Q5)에 배치되는 발광소자(132)의 가장 조밀하게 배치될 수 있다. 즉, 4개의 가장자리 영역이 교차하는 모서리 영역 및 투광성 블록(126)이 배치되는 영역 중에서 기판의 측면에 가까운 부분은 조도가 가장 낮으므로 발광소자(132)를 더 많이 배치하여 조도 균일도를 개선할 수 있다.
제5영역(Q5)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R11)과 수직방향 간격(R21)은 동일할 수 있다. 예시적으로 제5영역(Q5)에 배치되는 발광소자(132)의 수평방향 간격(R11)과 수직방향 간격(R21)은 모두 13.5mm일 수 있으나, 이는 기판(131)의 크기에 따라 적절히 조절될 수 있다.
도 15은 도 2에 도시된 냉각부 및 지지 프레임의 분리 사시도를 나타내고, 도 16는 도 15에 도시된 냉각부의 분리 사시도를 나타내고, 도 17a은 도 16에 도시된 냉각 블록들의 사시도를 나타내고, 도 17b는 도 17a의 일부 확대도이고, 도 18은 도 17a에 도시된 냉각 블록들의 저면 사시도를 나타낸다.
도 15 내지 도 18을 참조하면, 지지 프레임(127)은 냉각부(120)를 지지하기 위한 프레임부(127a) 및 프레임부(127a)와 결합되고 투광성 플레이트(125) 상에 프레임부(127a)를 안착시키는 적어도 하나의 지지부(127b)를 포함할 수 있다.
예컨대, 지지 프레임(127)은 냉각부(120)의 외주면과 동일한 형상, 예컨대, 사각형일 수 있다.
지지부(127b)의 수는 복수 개일 수 있고, 복수의 지지부들은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 예컨대, 지지부들은 다리(leg) 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
냉각부(120)는 히트 싱크(305), 히트 싱크(305) 상에 배치되는 복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16), 복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16)에 유체, 예컨대, 냉각수 공급을 조절하는 유체 조절부(330), 및 히트 싱크(305)와 결합되고 냉각 블록들(S1 내지 S16) 및 유체 조절부(330)를 덮는 복수의 커버 부재들(121a 내지 121d)을 포함할 수 있다.
복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16) 각각은 기판(131)의 복수의 배치 영역(P1 내지 P16) 중 어느 하나에 대응할 수 있다.
히트 싱크(305)는 바닥(305a) 및 바닥(305a)의 측부에 배치되는 복수의 측부판들(305-1 내지 305-8)을 포함할 수 있다.
히트 싱크(305)의 바닥(305a) 상에는 냉각 블록들(S1 내지 S16)이 배치될 수 있다.
도 18에 도시된 바와 같이, 히트 싱크(305)의 바닥(305a)은 냉각 블록들(S1 내지 S16)에 대응하여 복수 개로 분할될 수 있다.
예컨대, 히트 싱크(305)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)에 대응하는 바닥들(305a1)을 포함할 수 있으며, 히트 싱크(305)의 바닥(305a1)은 냉각 블록들(S1 내지 S16) 중 대응하는 어느 하나의 본체(510)의 바닥이 될 수 있다.
제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)은 발광 모듈(130)의 기판(131)의 제1면에 배치될 수 있고, 기판(131)의 제2면이 히트 싱크(305)의 바닥(305a1)과 접하도록 기판(131)은 히트 싱크(305)의 바닥(305a1) 아래에 배치될 수 있다. 기판(131)의제1면과 제2면은 서로 마주보는 면일 수 있다.
기판(131)은 복수 개의 배치 영역(P1 내지 P16)로 분할될 수 있고, 복수 개의 배치 영역(P1 내지 P16)은 서로 분리 또는 분할될 수 있다.
복수 개의 배치 영역(P1 내지 P16) 각각은 히트 싱크(305)의 바닥들 중 어느 하나에 대응할 수 있다. 예컨대, 복수의 배치 영역(P1 내지 P16) 각각의 제2면은 히트 싱크(305)의 바닥들 중 대응하는 어느 하나와 접할 수 있다.
도 17a을 참조하면, 복수의 냉각 블록들(S1 내지 S16) 각각은 본체(510), 유입구(QIN), 및 유출구(QOUT)를 포함할 수 있다.
유입구(QIN)는 본체(510)의 일 영역에 배치되고, 유체를 본체(510) 내부로 유입 또는 투입시키기위한 통로일 수 있다. 유출구(QOUT)는 유입구(QIN)와 이격하여 본체(510)의 다른 일 영역에 배치되고, 본체(510) 내부로부터 유체를 밖으로 유출시키기 위한 통로일 수 있다.
본체(510)는 유입구(QIN)를 통하여 유입된 유체가 흐르는 유로 경로를 제공하며, 본체(510) 내부를 흐르는 유체는 유출구(QOUT)를 통하여 본체(510) 밖으로 유 출될 수 있다.
도 19는 도 17a에 도시된 냉각 블록들(S4, S8, S12, S16)에 유체를 공급하기 위한 유체 조절부(330)의 모식도를 나타낸다.
도 17a 내지 도 19를 참조하면, 유체 조절부(330)는 외부로부터 유체가 공급되는 유체 공급관(321), 유체 공급관(321)과 유입구(QIN) 사이를 연결하는 제1 연결관(331), 제1 연결관(331)에 장착되는 유량 센서(341), 유체를 배출하는 유체 배출관(322), 및 유체 배출관(322)과 유출구(QOUT)를 연결하는 제2 연결관(332)을 포함할 수 있다.
유체 조절부(330)는 제1 밸브(351) 및 제2 밸브(352)를 더 포함할 수 있다.
제1 밸브(351)는 제1 연결관(331)에 장착되고, 유량 센서(341)와 유체 공급관(321) 사이에 위치하고, 제1 연결관(331)을 통하여 유입구(QIN)로 유입되는 유량을 조절할 수 있다.
제2 밸브(352)는 제2 연결관(332)에 장착되고, 제2 연결관(332)을 통하여 유체 배출관(322)으로 배출되는 유량을 조절할 수 있다.
배치 영역들(P1 내지 P16)에 대응하는 냉각 블록들(S1 내지 S16)은 행과 열로 이루어진 매트릭스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 유체 조절부(330)는 복수 개의 유체 공급관들과 유체 배출관들을 포함할 수 있으며, 한쌍의 유체 공급관(321)과 유체 배출관(322)은 각 행에 포함되는냉각 블록들에 대응하여 배치될 수 있다.
도 17a에서는 마지막 행에 포함되는 냉각 블록들(S4, S8, S12, S16)을 위한 유체 조절부만을 도시하나, 각행에 포함되는 냉각 블록들을 위한 유체 조절부도 도 17a에서 상술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.
예컨대, 한쌍의 유체 공급관(321)과 유체 배출관(322)은 각 행에 포함되는 냉각 블록들이 공유하지만, 냉각 블록들 각각을 위하여 제1 연결관(331), 제2 연결관(332), 제1 및 제2 밸브들(351, 352), 및 유량 센서(341)가 개별적으로 구비될 수 있다. 그리고, 이러한 독립적이고 개별적인 구성으로 인하여 제1 연결관(331), 제2 연결관(332), 제1 및 제2 밸브들(351,352), 및 유량센서(341)와 같은 부품이 고장 또는 파손 등으로 인한 문제가 발생될 때, 문제가 발생한 부품만 개별적으로 교체할 수 있다.
도 20은 도 17a에 도시된 냉각 블록들의 유입구 및 유출구의 배치를 나타내는 모식도이다.
도 20을 참조하면, 냉각 블록들(S1 내지 S16)은 도 1의 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)에 대응하는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16), 제2 배치 영역들(P2,P3,P5,P8,P9,P12,P14,P15)에 대응하는 제2 냉각 블록(S2,S3,S5, S8,S9,S12,S14,S15), 및 제3 배치 영역들(P6,P7,P10,P11)에 대응하는 제3 냉각 블록들(S6,S7,S10,S11)을 포함할 수 있다.
제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각은 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 꼭지점들 중 어느 하나에 대응하는 꼭지점(E11 내지 E14)를 포함할 수 있다.
제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN)는 유출구(QOUT)보다 꼭지점들(E11 내지 E14) 중 대응하는 어느 하나의 꼭지점에 더 인접하여 배치될 수 있다.
예컨대, 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 행 방향으로 배열될 수 있는데, 유입구(QIN)가 유출구(QOUT)보다 대응하는 꼭지점에 더 인접하여 배치될 수 있다.
도 20에서는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 행 방향으로 배열되지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 열 방향으로 배열될 수도 있다.
또 다른 실시 예에서는 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 대각선 방향으로 배열될 수도 있다. 여기서 대각선 방향은 제1 냉각 블록들(S1, S4, S13, S16)의 꼭지점들(E11 내지 E14) 각각과 이와 마주보는 다른 꼭지점을 연결하는 직선과 평행한 방향일 수 있다.
유입구(QIN)로 유입되는 냉각수의 온도는 유출구(QOUT)를 통하여 유출되는 냉각수의 온도보다 낮다. 이는 본체(510)를 흐르는 냉각수가 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)로부터 발생되는 열을 흡수하기 때문이다.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에 대해서는, 꼭지점들(E1 내지 E4)에 인접하는 영역의 제1 및 제2 발광소자들의 배치 밀도가 나머지 다른 영역의 제1 및 제2 발광소자들의 배치 밀도보다 높기 때문에, 상대적으로 열이 많이 발생될 수 있다.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)에 대하여 제1 및 제2 발광소자들에 의해 발생된 열에 기인하는 온도 구배가 발생될 수 있고, 이로 인하여 조도의 균일성이 떨어질 수 있다. 이는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)은 온도에 따라 발생되는 빛의 조도 값이 달라질 수 있고, 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 내에서 꼭지점에 인접하는 영역에 제1 및 제2 발광소자들의 배치 밀도가 높기 때문이다.
실시 예는 유입구(QIN)의 위치를 상대적으로 열이 많이 발생되는 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16)의 꼭지점들(E1 내지 E4)에 가깝도록 배치시킴으로써, 배치 영역들(P1 내지 P16) 내의 온도 구배를 낮추고, 이로 인하여 온도 구배에 기인하여 발생될 수 있는 조도의 균일성 저하를 방지할 수 있다. 이는 유입구(QIN)에 인접하는 본체(510)의 내부를 흐르는 냉각수의 온도가 유출구(QOUT)에 인접하는 본체 내부를 흐르는 냉각수의 온도보다 낮기 때문이다.
즉 실시 예는 냉각부(120)에 의하여 면광원을 발생하는 발광 모듈의 제1 및제2 발광소자들의 온도를 일정하게 유지시킴으로써, 경화 대상물의 부위별 광 특성 저하 및 수명 저하를 방지할 수 있다.
또한 제2 배치 영역들(P2,P3,P5,P8,P9,P12,P14,P15) 내의 온도 구배를 낮추기 위하여, 제2 냉각 블록들(S2,S3,S5,S8,S9,S12,S14,S15) 각각에서는, 유입구(QIN)가 유출구(QOUT)보다 기판(131)의 측면들에 대응하는 제2 냉각 블록들(S2,S3,S5,S8,S9,S12,S14,S15)의 측면들에 더 인접하여 배치될 수 있다.
예컨대, 제2 냉각 블록들(S2,S3,S5,S8,S9,S12,S14,S15) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 행 방향 또는 열 방향과 평행하도록 배열될 수 있다.
제3 냉각 블록들(S6, S7, S10, S11) 각각의 유입구(QIN) 및 유출구(QOUT)는 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 행 방향 또는 열 방향과 평행한 방향으로 배열될 수 있다.
제어부(150)는 발광 모듈(130)의 제1 발광소자들(132a) 및 제2 발광소자들(132b)을 구동하기 구동 신호 또는 전력을 제공할 수 있다.
예컨대, 제어부(150)는 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치되는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)에 대하여 배치 영역별로 개별 구동시킬 수 있다.
제어부(150)는 냉각부(120)의 유체 공급관(321) 및 유체 배출관(322)과 연결되는 냉각수 배관(160)을 통하여 냉각부(120)에 냉각수를 공급하거나 냉각부(120)로부터 냉각수를 배출시키는 것을 제어할 수 있다.
자외선 경화 장치(100)는 발광 모듈(130)의 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)과 제어부(150)를 전기적으로 연결하는 와이어 또는 케이블을 더 포함할 수 있다.
예컨대, 도 17a 및 도 18에 도시된 바와 같이, 자외선 경화 장치(100)는 냉각블록들(S1 내지 S16) 각각의 본체(510)를 관통하여 기판(131)의 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 대응하는 어느 하나의 영역에 배치되는 제1 및 제2 발광소자들(132a 132b)과 전기적으로 연결되는 단자들(520)을 구비할 수 있다.
단자들(520) 각각에는 와이어(또는 케이블)이 연결되고, 단자들(520)에 연결되는 와이어들(또는 케이블들)은 제어부(150)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제어부(150)는 와이어들을 통하여 기판(131)의 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치된 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)에 구동 신호 또는 전원을 제공할 수 있다.
또한 자외선 경화 장치(100)는 냉각 블록들(S1 내지 S16) 각각에 포함되는 유량 센서(341)가 측정한 냉각수의 유량을 표시하는 디스플레이부(170)를 더 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 조도의 균일성을 향상시키기 위하여 실시 예는 시뮬레이션을 통하여 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치되는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 이격 거리를 최적화시키고, 이로 인하여 경화 대상의 전 영역에 조사되는 빛의 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한 실시 예는 상술한 배치 영역들(P1 내지 P16) 내의 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 배치를 고려하여, 냉각부(120)의 냉각 블록들(S1 내지 S16)의 유입구(QIN), 및 유출구(QOUT)를 도 20에서 설명한 바와 같이 배치시킴으로써, 온도 구배를 낮추어 자외선 경화 장치(100)의 조도의 균일성 저하를 방지할 수 있다.
도 21는 다른 실시 예에 따른 자외선 경화 장치의 구성도를 나타낸다.
도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략할 수 있다.
도 21를 참조하면, 자외선 경화 장치(100-1)는 케이스(case, 110), 냉각부(120), 투광성 플레이트(125), 지지 프레임(127), 발광 모듈(130), 온도 센서(134), 스테이지(140), 및 제어부(150a)를 포함할 수 있다.
온도 센서(134)는 발광 모듈(130)의 온도에 관한 온도 정보를 검출할 수 있다. 예컨대, 온도 센서(134)는 기판(131) 상에 배치될 수 있고, 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)이 발생하는 열에 의한 기판(131) 또는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 온도에 관한 온도 정보를 검출할 수 있다.
예컨대, 온도 센서(134)는 온도에 따라 저항 값이 변하는 센서로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 온도 센서(134)는 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 적어도 하나의 배치 영역에 배치될 수 있다.
예컨대, 온도 센서(134)는 복수 개일 수 있고, 복수의 온도 센서들(134) 각각은 제1 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 대응하는 어느 하나에 배치될 수 있다.
예컨대, 복수의 온도 센서들(134) 각각은 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 대응하는 어느 하나에 배치되는 제1 및 제2 발광소자들(132a0, 132b)의 온도에 관한 온도 정보들(Ts1 내지 Ts16)을 제어부(150a)로 출력할 수 있다.
제어부(150a)는 온도 센서(134)로부터 제공되는 온도 정보들(Ts1 내지 Ts16)을 이용하여, 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치된 제1 및 제2 발광소자들을 개별 구동하기 위한 구동 신호들(Cs1 내지 Cs16)을 생성하고, 생성된 구동 신호들(Cs1 내지 Cs16)을 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 대응하는 어느 하나에 배치된 제1 및 제2 발광소자들에 제공할 수 있다. 예컨대, 구동 신호(Cs1 내지 Cs16)는 전류 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전압 형태일 수도 있다.
예컨대, 제어부(150a)는 온도 정보들(Ts1 내지 Ts16) 각각에 기초하여 복수의 구동 신호들(Cs1 내지 Cs16) 중 대응하는 어느 하나의 기울기를 설정 또는 조절할 수 있다.
또한 다른 실시 예에서는 온도 센서(134)는 배치 영역들(P1 내지 P16) 중 적어도 하나의 배치 영역에 서로 이격하여 배치되는 2개 이상의 온도 센서들을 포함할 수 있다.
예컨대, 온도 센서(134)는 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각에 서로 이격하여 배치되는 2개 이상의 온도 센서들을 포함할 수 있다.
예컨대, 2개 이상의 온도 센서들은 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각의 제1 영역에 배치되는 제1 온도 센서, 및 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각의 제2 영역에 배치되는 제1 온도 센서를 포함할 수 있다.
제1 영역(201, 도 3 참조)은 제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각의 모서리(E1 내지 E4)에 인접하는 영역으로, 인접하는 2개의 제1 및 제2 발광소자들 간의 이격 거리가 균일하지 않은 또는 동일하지 않은 영역일 수 있다.
제2 영역(202, 도 3 참조)은 상기 제1 영역을 제외한 나머지 영역으로 인접하는 2개의 제1 및 제2 발광소자들이 동일한 간격으로 배치되는 영역일 수 있다.
제어부(150a)는 제1 온도 센서로부터 수신되는 제1 온도 정보 및 제2 온도 센서로부터 수신되는 제2 온도 정보에 기초하여, 적어도 하나의 배치 영역(예컨대, P1, P4, P13, P16) 각각에 대응하는 온도 정보를 검출할 수 있다.
예컨대, 제어부(150a)는 제1 온도 정보 및 제2 온도 정보의 평균값을 산출하고, 산출된 평균값에 기초하여 적어도 하나의 배치 영역(예컨대, P1, P4, P13, P16)에 배치되는 제1 및 제2 발광소자들을 구동시키기 위한 구동 신호의 기울기를 설정 또는 변경할 수 있다.
제1 배치 영역들(P1, P4, P13, P16) 각각의 제1 영역(201)과 제2 영역(202) 에 대한 제1 및 제2 발광소자들의 배치 밀도는 서로 다르기 때문에, 제1 영역과 제2 영역 간의 온도 편차가 발생될 수 있고, 이로 인한 조도 값의 편차가 발생될 수 있다. 실시 예는 제1 온도 정보와 제2 온도 정보의 평균값을 이용함으로써, 이러한 온도 편차에 따른 조도 값의 편차를 줄일 수 있고, 이로 인하여 발광 모듈의 조도의 균일성을 더 향상시킬 수 있다.
도 24a는 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 일반적인 구동 신호(Ic)를 나타내고, 도 24b는 도 24a의 구동 신호(Ic)에 따른 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도를 나타낸다. 도 24a 및 도 24b에서 x축은 시간 축이고, 도 24a의 y축은 구동 신호의 전류 값이고, 도 24b의 y축은 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도 값일 수 있다.
도 24a 및 도 24b를 참조하면, 일반적으로 구동 신호(Ic)는 펄스 파형일 수 있고, 일반적으로 발광 다이오드는 온도가 올라가면, 광량이 감소하여 조도 값이 떨어질 수 있다.
그러므로 구동 신호에 의한 제1 발광소자 또는 제2 발광소자가 발광 직후 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 온도가 가장 낮기 때문에 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도 값이 가장 높게 나타난다.
그리고 제1 구간(t1 ~ t2) 동안에는 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 온도가 점차 증가하기 때문에 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도 값은 점차 떨어지게 된다.
제1 구간(t1 ~ t2) 이후 제2 구간(t2 ~ t3) 동안에는 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 온도가 더 이상 증가하지 않아 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도 값이 일정하게 유지되거나, 또는 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 온도가 증가하더라도 더 이상 조도 값(이하 "타겟 조도 값"이라 한다)이 떨어지지 않고 일정하게 유지될 수 있다.
제1 구간(t1 ~ t2)에서는 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도 값이 일정하지 않고 온도 변화에 따라 변하기 때문에 발광 모듈의 조도의 균일성이 떨어질 수 있다. 즉 도 24b의 점선 부분(701)과 같이, 제1 구간(t1 ~ t2) 동안에는 제1 발광소자 또는 제2 발광소자의 조도 값이 타겟 조도 값보다 높게 나타날 수 있다.
도 22는 도 21에 도시된 제어부의 발광 모듈(130)의 구동 신호의 크기의 기울기 제어 방법을 나타낸다.
도 22를 참조하면, 제어부(130)를 이용하여, 제1 발광소자(132a) 또는 제1 발광소자(132b)를 구동시키는 구동 신호의 크기에 대한 목표 값을 설정할 수 있다.
예컨대, 목표 값은 원하는 타겟 조도 값을 발생하기 위하여 제1 발광소자 또는 제2 발광소자를 구동시키기 위한 구동 신호의 전류 값일 수 있다(S110).
다음으로 온도 센서(134)를 이용하여 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치된 제1 발광소자(132a) 및 제2 발광소자(132b)의 온도에 관한 온도 정보(Cs1 내지 Cs16)를 검출한다(S120).
예컨대, 배치 영역들(P1 내지 P16)에 배치된 온도 센서(134)에 의하여 배치 영역들(P1 내지 P16)의 온도를 검출할 수 있고, 검출된 온도에 기초하여 제1 발광소자(132a) 및 제2 발광소자(132b)의 온도에 관한 온도 정보(Cs1 내지 Cs16)를 검출할 수 있다.
다음으로 제어부(150)는 검출된 온도 정보(Cs1 내지 Cs16)에 기초하여, 구동 신호(예컨대, 구동 전류)의 기울기를 설정할 수 있다. 여기서 구동 신호의 기울기는 시간에 따른 전류 값의 변화율일 수 있다. 예컨대, 검출된 온도 정보(Cs1 내지 Cs16)에 기초하여, 구동 신호(예컨대, 구동 전류)의 전류 값을 설정할 수 있다.
검출된 온도가 낮은 경우에는 구동 신호의 기울기를 높게 설정할 수 있다. 예컨대, 검출된 온도에 따라 단위 시간에 대한 구동 신호의 전류 값의 변화량을 크게 설정할 수 있다.
반면에, 검출된 온도가 점차 증가함에 따라 구동 신호의 크기의 기울기를 점차 낮게 설정할 수 있다. 예컨대, 검출된 온도에 따라 단위 시간에 대한 구동 신호의 전류 값의 변화량을 작게 설정할 수 있다.
다음으로 제어부(150)는 설정된 기울기를 갖는 구동 신호의 크기(예컨대, 전류 값)가 목표 값(예컨대, 목표 전류 값)에 도달했는지를 판단한다(S140).
예컨대, 구동 신호의 전류 값이 목표 전류 값에 도달하지 않은 경우, 상술한 S120 단계 내지 S140 단계를 반복 수행할 수 있다.
또한 구동 신호의 전류 값이 목표 전류 값에 도달한 경우에는, 설정된 구동 신호의 기울기 및 전류 값을 유지시킨다(S150).
제어부(150)는 구동 신호의 크기가 목표 값에 도달할 때까지 온도 정보에 기초하여 구동 신호의 기울기를 변화시킬 수 있다.
제어부(150)는 복수의 배치 영역에 대응하는 복수의 구동 신호들을 발생할 수 있다. 복수의 구동 신호들 각각은 복수의 배치 영역 중 대응하는 어느 하나에 배치되는 제1 및 제2 발광소자들을 구동시킬 수 있다. 제어부(150)는 복수의 구동 신호들에 의하여 배치 영역 별로 개별적이고 독립적으로 제1 및 제2 발광소자들을 구동시킬 수 있다.
도 23은 도 22에 도시된 방법에 의하여 생성된 구동 신호의 파형을 나타낸다.
도 23을 참조하면, 도 4a 및 도 4b에서 상술한 바와 같이, 제1 구간(t1 ~ t4) 동안에는 제1 발광소자 및 제2 발광소자의 온도가 낮기 때문에, 제1 발광소자 및 제2 발광소자의 조도 값이 타겟 조도 값보다 높다.
제1 구간(t1 ~ t2) 동안에는 제어부(150)는 S120 단계 내지 S140 단계를 반복 수행함으로써, 구동 신호(ILED)의 파형의 기울기를 도 23에 도시된 바와 같이 변화시킨다.
예컨대, 제어부(150a)는 구동 신호의 제1 구간(t1 ~ t2) 동안 온도 정보에 기초하여 구동 신호의 기울기를 감소시킬 수 있다. 예컨대, 제1 구간(t1 ~ t2)은 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 턴 온 시점부터 구동 신호의 크기(예컨대, 전류 값)이 목표 값(예컨대, 목표 전류 값)에 도달하는 시점까지의 구간일 수 있다.
예컨대, 제어부(150a)는 제1 구간(t1 ~ t2) 동안 구동 신호의 기울기를 비선형적으로 감소시킬 수 있다.
또한 예컨대, 제어부(150a)는 제2 구간(t2 ~ t3) 동안 구동 신호의 크기(예컨대, 전류 값)를 목표 값(예컨대, 목표 전류 값)으로 일정하게 유지시킬 수 있다. 제2 구간(t2 ~ t3)은 구동 신호의 크기(예컨대, 전류 값)이 목표 값(예컨대, 목표 전류 값)에 도달하는 시점에서 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)이 턴 오프되는 시점까지의 구간일 수 있다.
제1 구간(t1 ~ t2) 동안의 구동 신호(ILED)의 전류 값은 목표 전류 값보다 작고, 구동 신호(ILED)는 제1 발광소자(132a) 및 제2 발광소자(132b)의 온도 변화에 상응하는 기울기 변화를 갖기 때문에, 제1 구간(t1 ~ t2)에서 제1 발광소자(132a) 및 제2 발광소자(132b)의 조도 값은 타겟 조도 값과 동일하거나, 이에 근사한 값을 갖도록 조정될 수 있다.
즉 실시 예에 따르면, 제1 구간(t1 ~ t3) 동안 도 4b에서 설명한 타겟 조도 값을 초과하는 잉여 조도(701)가 발생하지 않는다.
이로 인하여 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 온도가 변화하더라도, 제1 구간(t1 ~ t2) 및 제2 구간(t2 ~ t3) 동안에 제1 및 제2 발광소자(132a, 132b)의 조도 값은 일정하게 유지될 수 있고, 온도에 상관없이 발광 모듈의 조도의 균일성은 확보될 수 있다. 즉 실시 예는 제1 및 제2 발광소자들(132a, 132b)의 온도 변화에 따른 발광 모듈(130)의 조도의 균일성 저하를 방지할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 스테이지;
    상기 스테이지 상에 배치되는 기판, 및 상기 기판 상에 배치되는 복수 개의 발광소자를 포함하는 발광 모듈; 및
    상기 발광 모듈과 상기 스테이지 사이에 배치되는 복수 개의 투광성 블록을 포함하고,
    상기 기판은 제1방향으로 배치되는 복수 개의 제1구간 및 복수 개의 제2구간을 포함하고,
    상기 제1구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격은 상기 제2구간에 배치되는 발광소자의 제1방향 간격보다 좁고,
    상기 복수 개의 투광성 블록은 상기 제1구간 상에 배치되는 경화 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 투광성 블록은 상기 제1방향과 수직한 방향으로 연장되는 경화 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 제1구간 및 복수 개의 제2구간은 상기 제1방향으로 교대로 배치되는 경화 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1구간 및 제2구간은 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 연장되는 경화 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 배치되는 복수 개의 제3구간 및 제4구간을 포함하고,
    상기 제3구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격은 상기 제4구간에 배치되는 발광소자의 제2방향 간격보다 좁은 경화 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제4구간은 상기 기판의 가장자리에 배치된 2개의 제3구간 사이에 배치되는 경화 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 투광성 블록은 상기 스테이지에 안착되는 경화 대상물의 마스크 패턴을 고정하는 경화 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제1구간과 상기 제3구간이 교차하는 제5영역을 포함하고,
    상기 제5영역에 배치되는 복수 개의 발광소자의 단위면적당 개수가 가장 많고,
    상기 제5영역에 배치되는 복수 개의 발광소자의 제1방향 간격과 제2방향 간격은 동일한 경화 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2구간에 배치되는 복수 개의 발광소자의 제1방향 간격과 상기 제1구간에 배치되는 복수 개의 발광소자의 제1방향 간격의 비는 1:0.62 내지 1:0.83이고,
    상기 제4구간에 배치되는 복수 개의 발광소자의 제2방향 간격과 상기 제3구간에 배치되는 복수 개의 발광소자의 제2방향 간격의 비는 1: 0.62 내지 1:0.83인 경화 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자는 제1파장대의 광을 출사하는 제1발광소자 및
    상기 제1파장대와 다른 제2파장대의 광을 출사하는 제2발광소자를 포함하고,
    상기 제1발광소자와 제2발광소자는 상기 제1방향 및 상기 제1방향과 수직한 제2방향으로 교대로 배치되는 경화 장치.
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