WO2018174162A1 - はんだ継手 - Google Patents
はんだ継手 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2018174162A1 WO2018174162A1 PCT/JP2018/011414 JP2018011414W WO2018174162A1 WO 2018174162 A1 WO2018174162 A1 WO 2018174162A1 JP 2018011414 W JP2018011414 W JP 2018011414W WO 2018174162 A1 WO2018174162 A1 WO 2018174162A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- weight
- examples
- joint
- lead
- addition amount
- Prior art date
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 192
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 69
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000035882 stress Effects 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018082 Cu3Sn Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 96
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 60
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 31
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C13/00—Alloys based on tin
- C22C13/02—Alloys based on tin with antimony or bismuth as the next major constituent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/26—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 400 degrees C
- B23K35/262—Sn as the principal constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D9/00—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
- C21D9/50—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for welded joints
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3463—Solder compositions in relation to features of the printed circuit board or the mounting process
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
Definitions
- solder-free solder alloys that do not contain lead have come to be used.
- a lead-free solder alloy is a solder alloy containing Sn as a main component.
- a typical example of a lead-free solder alloy generally used is a Sn-Cu-based lead-free solder alloy such as Sn-3Ag-0.5Cu.
- Patent Document 1 tin trace phenomenon is prevented and impact resistance is improved by adding a small amount of Bi and Ni to a lead-free solder alloy containing Sn and Cu.
- Bi and Ni a lead-free solder alloy containing Sn and Cu.
- Cu 3 Sn in a high temperature environment is improved. The generation of the layer and the decrease in the bonding strength due to this cannot be solved.
- Patent Document 2 although the bonding strength can be maintained after the high-temperature aging treatment, the creation of the Cu 3 Sn layer at the time of high-temperature aging and the decrease in the bonding strength due to this are not devised.
- the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to use a Sn-Cu-Ni-Bi-Ge-based lead-free solder alloy when soldering. by suppressing Cu 3 Sn generation at the junction between, even when placed in a high temperature environment, there is provided a solder joint that can prevent a reduction in the bonding strength.
- the solder joint according to the present invention is a solder joint using a lead-free solder alloy, and the lead-free solder alloy is Sn—Cu—Ni—Bi—Ge system, and Cu 3 Sn at the joint with the object to be joined. It is characterized by including a joint part in which generation is suppressed.
- the lead-free solder alloy has a Cu addition amount of 0.7% by weight, a Ni addition amount of 0.05% by weight, and a Bi addition amount of 0.1 to less than 8% by weight.
- Ge is added in an amount of 0.006% by weight, and the balance is Sn.
- the addition amount of Cu is 0.7% by weight
- the addition amount of Ni is 0.05 to 0.5% by weight
- the addition amount of Bi is 1.5% by weight
- Ge is added in an amount of 0.006% by weight, and the balance is Sn.
- the lead-free solder alloy has a Cu addition amount of 0.7% by weight, a Ni addition amount of 0.05% by weight, a Bi addition amount of 1.5% by weight, and a Ge addition.
- the amount is 0.006 to 0.1% by weight, and the balance is Sn.
- the amount of Cu added is 0.7% by weight
- the amount of Ni added is 0.05% by weight
- the amount of Bi added is 1.5% by weight
- the Ge The addition amount is 0.006% by weight
- the balance is Sn and any one of Ag, In, Sb, P, Mn, Au, Zn, Si, Co, Al, and Ti.
- the solder joint according to the present invention is characterized in that the addition amount of Ag is from more than 0 to 4.0% by weight.
- the solder joint according to the present invention is characterized in that the amount of In added is more than 0 to 51.0% by weight.
- the solder joint according to the present invention is characterized in that the added amount of Zn is more than 0 to 0.4% by weight.
- the solder joint according to the present invention is characterized in that the addition amount of P, Mn, Au, Si, Co, Al, Ti is more than 0 to 0.1% by weight.
- the solder joint according to the present invention is characterized in that when the aging treatment is performed at 150 ° C. for 120 hours, the change in the shear load stress after the aging treatment is 90% or more with respect to that before the aging treatment.
- the solder joint according to the present invention is characterized in that when aging treatment is performed at 150 ° C. for 120 hours, the thickness of Cu 3 Sn formed at the joint is 0.50 ⁇ m or less.
- soldering when soldering is performed using a Sn-Cu-Ni-Bi-Ge-based lead-free solder alloy to form a solder joint, Cu 3 Sn generation at the joint with the object to be joined is performed. Even when the solder joint is placed in a high temperature environment, it is possible to prevent a decrease in bonding strength due to the formation of Cu 3 Sn.
- FIG. 6 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Comparative Examples i to ii and Examples 1 to 14.
- FIG. 6 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Comparative Examples i to ii and Examples 1 to 14.
- FIG. 6 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Comparative Examples i to ii and Examples 1 to 14.
- FIG. 6 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Comparative Examples i to ii and Examples 1 to 14.
- FIG. 6 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Comparative Examples i to ii and Examples 1 to 14.
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Examples 21 to 36.
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Examples 21 to 36.
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Examples 21 to 36.
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Examples 21 to 36.
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Examples 21 to 36.
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Examples 21 to 36.
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint in the samples according to Examples 21 to 36.
- FIG. 7 is a bar graph illustrating calculation results of thicknesses of Cu 3 Sn layers described in Table 6.
- FIG. It is an illustration figure which shows an example of the test piece used for evaluation of a creep characteristic.
- 8 is a graph illustrating the evaluation results of creep characteristics described in Table 7.
- solder joint according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as the present embodiment) and the joint strength of the joint portion of the solder joint will be described.
- a Sn-Cu-Ni-Bi-Ge-based lead-free solder alloy was soldered to a copper-plated substrate (bonded body). That is, a spherical solder ball made of the lead-free solder alloy was bonded to such a substrate, and the bonding strength at the bonding portion between the solder ball and the substrate was measured.
- Table 1 is a table showing the component composition in the Sn-Cu-Ni-Bi-Ge-based lead-free solder alloy used for making the solder joint according to this example.
- Examples 1 to 14 are component compositions of lead-free solder alloys of solder joints according to this example, and Comparative Examples i to ii are component compositions of lead-free solder alloys of solder joints to be compared.
- Table 1 shows the solid phase point and liquid phase point by differential scanning calorimetry (DSC measurement) in Examples 1 to 14 and Comparative Examples i to ii.
- the lead-free solder alloys in Examples 1 to 14 include Cu, Ni, Bi, and Ge, with the balance being Sn.
- the addition amount of Bi is 0.1 wt% to 58 wt%
- the addition amount of Cu is 0.7 wt%
- the addition amount of Ni is 0.05 wt%
- the added amount of Ge is 0.006% by weight
- the balance is Sn.
- the solder joints according to Examples 1 to 10 are “+0.1 Bi”, “+1 Bi”, “+1.5 Bi”, “+2 Bi”, “+3 Bi”, “+4 Bi”, “+6 Bi”, “+8 Bi”, respectively. , “+21 Bi”, “+58 Bi”.
- solder joints according to Examples 11 to 12 are also referred to as “+0.1 Cu” and “+2.0 Cu”, respectively.
- the addition amount of Bi is 1.5 wt%
- the addition amount of Cu is 0.7 wt%
- the addition amount of Ni is 0.5 wt%
- the addition amount of Ge is 0 0.006% by weight with the balance being Sn.
- the solder joint according to Example 13 is also referred to as “+ 0.5Ni”.
- the addition amount of Bi was 1.5 wt%
- the addition amount of Cu was 0.7 wt%
- the addition amount of Ni was 0.05 wt%
- the addition amount of Ge was 0 0.1% by weight with the balance being Sn.
- the solder joint according to Example 14 is also referred to as “+0.1 Ge”.
- the addition amount of Cu is 0.5% by weight
- the addition amount of Ag is 3% by weight
- the balance is Sn.
- the addition amount of Cu is 0.7 wt%
- the addition amount of Ni is 0.05 wt%
- the addition amount of Ge is 0.006 wt%
- the balance is Sn.
- soldering is performed on a copper-plated substrate to produce a solder joint according to this example.
- the details are performed in the following order.
- the lead-free solder alloy according to Examples 1 to 14 in Table 1 (hereinafter simply referred to as the lead-free solder alloy of this example) is soldered to the substrate at about 250 ° C. using the reflow method. . At this time, the rate of temperature increase was 1.5 ° C./second, and the temperature was maintained above the melting point for 50 seconds.
- solder balls of this embodiment are formed on the substrate.
- solder balls have a diameter of 500 ⁇ m.
- the solder balls were cooled at room temperature, and the flux residue was washed. A shear test is performed on the solder joint sample thus obtained.
- solder balls of the lead-free solder alloys according to comparative examples i to ii are obtained.
- solder balls of the lead-free solder alloy of this example and the solder balls of the lead-free solder alloy of the comparative example obtained as described above were subjected to aging treatment on the solder joints respectively bonded to the substrate. . Then, the shear test was implemented with respect to the solder joint by which aging processing was carried out, and the joint strength in the solder joint of a present Example and the solder joint of a comparative example was measured.
- the samples of the solder joints according to Examples 1 to 14 and Comparative Examples i to ii were left at 150 ° C. for 120 hours for aging treatment, and then cooled at room temperature.
- FIG. 1 is a schematic diagram for schematically explaining the share test.
- the solder joint 10 in which the solder ball 2 is joined to the substrate 1 through the joint 4 is fixed to the substrate holding table 5. Then, the shear tool 3 is set on the flow line of the substrate holder 5 that moves linearly. When the substrate holder 5 is linearly moved, the shear tool 3 is set so that the lower end portion of the shear tool 3 contacts not the substrate 1 but only the solder balls 2. Next, when the substrate holder 5 is linearly moved at a speed of 10 mm / sec, the shear tool 3 and the solder ball 2 of the sample collide with each other, and the solder ball 2 is finally peeled off from the substrate 1.
- the stress sensor mounted on the shear tool 3 detects the shear load stress applied to the shear tool 3 by the solder ball 2 from the collision with the solder ball 2 to separation.
- the maximum value of the shear load stress is measured as the bonding strength of the sample.
- Table 2 shows the result of the shear test performed on the samples according to the example and the comparative example. Specifically, Comparative Examples i to ii, “+0.1 Bi”, “+1 Bi”, “+1.5 Bi”, “+2 Bi”, “+3 Bi”, “+4 Bi”, “+6 Bi”, “ + 8Bi “,” + 21Bi “,” + 58Bi “,” + 0.1Cu “,” + 2.0Cu “,” + 0.5Ni “, and” + 0.1Ge "for share testing 15 samples were prepared and a share test was performed. The results are shown in Tables 2-1, 2-2 and 2-3. Hereinafter, Tables 2-1 2-2 and 2-3 are simply referred to as Table 2.
- “strength change rate (%)” is a ratio of the bonding strength after the aging treatment to the bonding strength before the aging treatment expressed as a percentage.
- FIG. 2 is a bar graph illustrating the results of the share test described in Table 2.
- the white bar indicates the average value of the bonding strength before the aging treatment
- the black (hatched) bar indicates the average value of the bonding strength after the aging treatment
- the black diamond indicates the strength change rate.
- the range related to the broken line shows the allowable range of the rate of change in strength in practical use, and is 90 to 110%.
- the intensity change rate was 92 to 100% except for the cases of “+8 Bi” and “+21 Bi”, and the allowable range of the intensity change rate Exists within. That is, before “+0.1 Bi”, “+1 Bi”, “+1.5 Bi”, “+2 Bi”, “+3 Bi”, “+4 Bi”, “+6 Bi”, and “+58 Bi”, before aging processing Compared to the above, even after the aging treatment, the bonding strength is not lowered and is maintained.
- the intensity change rate was 94% or more, and was within the allowable range of the intensity change rate. That is, in “+0.1 Cu” and “+2.0 Cu”, a decrease in bonding strength is not observed even after the aging treatment as compared with that before the aging treatment, and is maintained.
- the intensity change rate is 92% or more, and the intensity change rate is within the allowable range. That is, in “+ 0.5Ni” and “+ 0.1Ge”, a decrease in bonding strength is not observed after the aging treatment as compared with that before the aging treatment, and is maintained.
- the addition amount of Bi is 1.5% by weight
- the addition amount of Cu is 0.7% by weight
- the addition amount of Ni is 0.05 to 0.5%.
- the strength change rate is 93% or more, and is within the allowable range of the strength change rate.
- the addition amount of Bi was 1.5% by weight
- the addition amount of Cu was 0.7% by weight
- the addition amount of Ni was 0.05% by weight
- Ge Even in a lead-free solder alloy in which the amount of addition is 0.006 to 0.1% by weight and the balance is Sn, the strength change rate is 92% or more and is within the allowable range of the strength change rate.
- the addition amount of Cu is 0.7% by weight, the addition amount of Ni is 0.05% by weight, the addition amount of Bi is 0.1 to less than 8% by weight, and the addition amount of Ge is 0.006% by weight.
- the balance is preferably Sn.
- the addition amount of Cu is 0.1 to 2.0% by weight, the addition amount of Ni is 0.05% by weight, the addition amount of Bi is 1.5% by weight, and the addition amount of Ge is 0.006% by weight.
- the balance is preferably Sn.
- the addition amount of Cu is 0.7 wt%, the addition amount of Ni is 0.5 wt%, the addition amount of Bi is 1.5 wt%, the addition amount of Ge is 0.006 wt%, and the balance is Sn is preferred.
- the addition amount of Cu is 0.7 wt%, the addition amount of Ni is 0.05 wt%, the addition amount of Bi is 1.5 wt%, the addition amount of Ge is 0.1 wt%, and the balance is Sn is preferred.
- FIG. 3 to 7 are photographs showing the microstructure of the joint 4 in the samples according to Comparative Examples i to ii and Examples 1 to 14.
- FIG. 3 is a photograph showing the microstructure of the joint of the solder joint of Comparative Example i
- FIG. 4 is a photograph showing the microstructure of the joint 4 of the solder joint 10 of Example 6 (“+ 4Bi”).
- 5 is a photograph showing the microstructure of the joint 4 of the solder joint 10 of Example 11 (“+0.1 Cu”)
- FIG. 6 shows the joint 4 of the solder joint 10 of Example 13 (“+ 0.5Ni”).
- 7 is a photograph showing the microstructure of the joint 4 of the solder joint 10 of Example 14 (“+0.1 Ge”).
- 3 to 7 show the microstructure of the joint 4 of each sample using an SEM (scanning electron microscope) after aging the solder joint samples according to the comparative example and the example at 150 ° C. for 120 hours. It is a photograph taken.
- any of the samples according to the example and the comparative example a layer of Cu 3 Sn intermetallic compound exists in the joint 4 between the solder ball 2 and the substrate 1. ing.
- the thicknesses of the Cu 3 Sn layers in the comparative examples and the examples were calculated by the following formulas and compared.
- Cu 3 Sn area S ⁇ horizontal length L Cu 3 Sn layer thickness (formula)
- the Cu 3 Sn area S is an area of the Cu 3 Sn layer that can be visually recognized (two-dimensionally) in each photograph as shown in FIG.
- the lateral length L is the length of the Cu 3 Sn layer in the direction intersecting the thickness direction of the Cu 3 Sn layer, that is, the direction along the surface of the substrate 1.
- Table 3 shows the calculated thickness of the Cu 3 Sn layer.
- Table 3 shows the average thickness of the Cu 3 Sn layer before and after the aging treatment of the solder joints according to Examples 1 to 14 and Comparative Examples i to ii.
- the intensity change rate in Table 2 is also shown.
- Table 3 shows that in most cases, the Cu 3 Sn layer does not exist before the aging treatment, but in the case of Comparative Example i and Example 9, the Cu 3 Sn layer exists even before the aging treatment.
- the thickness of the Cu 3 Sn layer is increased while the rate of change in strength is decreased in proportion to the increase of Bi addition amount from 6 wt% to 21 wt%.
- the Sn—Cu—Ni—Bi—Ge based lead-free solder alloys according to Examples 1 to 14 described above can be applied to, for example, Ag, In, Sb, P, Mn, Au, Zn, Ga, Si, Co, Any one of Al and Ti may be further added. Needless to say, the effects described above can be obtained even when such an auxiliary agent is added.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
本発明のはんだ継手は、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手であって、前記鉛フリーはんだ合金を、Cuの添加量は0.1~2.0重量%、Niの添加量は0.05~0.5重量%、Biの添加量は0.1~8重量%未満、Geの添加量は0.006~0.1重量%で、残部はSn及び不可避不純物からなる合金としたものである。本発明のはんだ継手は、Cu3Sn生成が抑制される被接合体との接合部を備えるものである。
Description
本発明は、鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手に関する。
近年、環境への意識が高まり、鉛を含まない所謂「鉛フリーはんだ合金」が使用されるようになってきた。斯かる鉛フリーはんだ合金は、Snを主成分とするはんだ合金である。一般に使用されている鉛フリーはんだ合金の代表例としては、Sn-3Ag-0.5CuのようなSn-Cu系の鉛フリーはんだ合金がある。
更に、特許文献1にはSn-Cu系の鉛フリーはんだ合金に微量のBiと微量のNiとを組み合わせて添加することによって錫ペスト現象の防止及び耐衝撃性の改善という効果を奏することが開示されている。
また、特許文献2には、Sn、Cu、Ni、Bi及びGeを含む鉛フリーはんだ合金であって、高温エージング処理後においても接合強度を保つことができる鉛フリーはんだ合金について開示されている。
一方、上述したように、Sn及びCuを含む鉛フリーはんだ合金を用いて銅基板にはんだ付けを行う場合は、接合部にCu3Snの金属間化合物層が生成される。斯かるCu3Sn層は高温でのCuの拡散によって生成される。しかし、該Cu3Sn層はもろくて接合部の接合強度を下げるのでCu3Sn層の生成は望ましくない。
換言すれば、Sn及びCuを含む鉛フリーはんだ合金を使用するにあたっては、斯かる接合部が高温環境におかれる場合における、Cu3Sn層の生成及びCu3Sn層に起因する接合強度低下に備え、Cu3Sn層の生成を抑制する工夫が必要である。
特許文献1においては、Sn及びCuを含む鉛フリーはんだ合金に微量のBi及びNiを添加することによって錫ペスト現象を防止し、かつ耐衝撃性を改善しているが、高温環境におけるCu3Sn層の生成、及び、これによる接合強度の低下を解決できない。
また、特許文献2では、高温エージング処理後に接合強度が維持できるものの、高温エージングの際におけるCu3Sn層の生成、及び、これによる接合強度の低下については工夫されていない。
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金を用いてはんだ付けを行う場合、被接合体との接合部におけるCu3Sn生成を抑制することによって、高温環境に置かれた場合でも、接合強度の低下を防止できるはんだ継手を提供することにある。
本発明に係るはんだ継手は、鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手において、前記鉛フリーはんだ合金はSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系であり、被接合体との接合部でのCu3Sn生成が抑制される接合部を備える特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、前記鉛フリーはんだ合金は、Cuの添加量は0.7重量%、Niの添加量は0.05重量%、Biの添加量は0.1~8重量%未満、Geの添加量は0.006重量%であり、残部がSnであることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、鉛フリーはんだ合金は、Cuの添加量は0.1~2.0重量%、Niの添加量は0.05重量%、Biの添加量は1.5重量%、Geの添加量は0.006重量%であり、残部がSnであることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、鉛フリーはんだ合金は、Cuの添加量は0.7重量%、Niの添加量は0.05~0.5重量%、Biの添加量は1.5重量%、Geの添加量は0.006重量%であり、残部がSnであることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、鉛フリーはんだ合金は、Cuの添加量は0.7重量%、Niの添加量は0.05重量%、Biの添加量は1.5重量%、Geの添加量は0.006~0.1重量%であり、残部がSnであることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、前記鉛フリーはんだ合金において、Cuの添加量は0.7重量%、Niの添加量は0.05重量%、Biの添加量は1.5重量%、Geの添加量は0.006重量%であり、残部はSn、及び、Ag,In,Sb,P,Mn,Au,Zn,Si,Co,Al,Tiのうち何れかであることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、Agの添加量は0超過~4.0重量%であることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、Inの添加量は0超過~51.0重量%であることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、Sbの添加量は0超過~10.0重量%未満であることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、Znの添加量は0超過~0.4重量%であることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、P,Mn,Au,Si,Co,Al,Tiの添加量は0超過~0.1重量%であることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、150℃にて120時間のエージング処理をした場合、該エージング処理前に対するエージング処理後のせん断負荷応力の変化が90%以上であることを特徴とする。
本発明に係るはんだ継手は、150℃にて120時間エージング処理した場合、接合部に形成されるCu3Snの厚みが0.50μm以下であることを特徴とする。
本発明によれば、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金を用いてはんだ付けを行って、はんだ継手を形成する場合、被接合体との接合部におけるCu3Sn生成を抑制でき、当該はんだ継手が高温環境に置かれた場合でもCu3Snの生成による接合強度の低下を防止できる。
以下に、本発明の実施の形態について、図面に基づいて詳述する。
本発明の実施の形態(以下、本実施例と言う。)に係るはんだ継手の作成、及び、該はんだ継手の接合部の接合強度について説明する。まず、銅メッキ処理された基板(被接合体)に、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金のはんだ付けを行った。すなわち、斯かる基板に、前記鉛フリーはんだ合金からなる、球形のはんだボールを接合させ、前記はんだボールと前記基板との間における接合部での接合強度を測定した。
表1は、本実施例に係るはんだ継手の作成に用いられる前記Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金における成分組成を示す表である。表1において、実施例1~14は本実施例に係るはんだ継手の鉛フリーはんだ合金の成分組成であり、比較例i~iiは比較対象のはんだ継手に係る鉛フリーはんだ合金の成分組成である。また、表1には、実施例1~14及び比較例i~iiにおける、示差走査熱量測定(DSC測定)による固相点及び液相点を示している。
実施例1~14における鉛フリーはんだ合金は、Cuと、Niと、Biと、Geとを含み、残部がSnである。実施例1~10の鉛フリーはんだ合金においては、Biの添加量が0.1重量%~58重量%、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.05重量%、Geの添加量が0.006重量%であり、残部がSnである。以下においては、実施例1~10に係るはんだ継手を夫々「+0.1Bi」、「+1Bi」、「+1.5Bi」、「+2Bi」、「+3Bi」、「+4Bi」、「+6Bi」、「+8Bi」、「+21Bi」、「+58Bi」とも言う。
実施例11~12の鉛フリーはんだ合金においては、Biの添加量が1.5重量%、Cuの添加量は0.1~2.0重量%、Niの添加量が0.05重量%、Geの添加量が0.006重量%であり、残部がSnである。以下においては、実施例11~12に係るはんだ継手を夫々「+0.1Cu」、「+2.0Cu」とも言う。
実施例13の鉛フリーはんだ合金においては、Biの添加量が1.5重量%、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.5重量%、Geの添加量が0.006重量%であり、残部がSnである。以下においては、実施例13に係るはんだ継手を「+0.5Ni」とも言う。
実施例14の鉛フリーはんだ合金においては、Biの添加量が1.5重量%、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.05重量%、Geの添加量が0.1重量%であり、残部がSnである。以下においては、実施例14に係るはんだ継手を「+0.1Ge」とも言う。
一方、比較例iの鉛フリーはんだ合金においては、Cuの添加量が0.5重量%、Agの添加量が3重量%であり、残部がSnである。また、比較例iiの鉛フリーはんだ合金においては、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.05重量%、Geの添加量が0.006重量%であり、残部がSnである。
表1の実施例1~14に係る鉛フリーはんだ合金を用いて、銅メッキ処理された基板にはんだ付けを行うことにより、本実施例に係るはんだ継手を作成する。詳しくは以下のような順序にて行われる。
i.銅メッキ基板においてはんだ付けを行うべき箇所に約0.01gのフラックスを塗布する。銅メッキ基板の寸法は10×10mmであり、フラックスは日本スペリア社製のRM-5である。
ii. 表1の実施例1~14に係る鉛フリーはんだ合金(以下、単に、本実施例の鉛フリーはんだ合金と言う。)を約250℃でリフロー法を用いて基板とのはんだ付けを行う。この際、昇温速度は1.5℃/秒であり、融点以上で50秒間維持した。
ii. 表1の実施例1~14に係る鉛フリーはんだ合金(以下、単に、本実施例の鉛フリーはんだ合金と言う。)を約250℃でリフロー法を用いて基板とのはんだ付けを行う。この際、昇温速度は1.5℃/秒であり、融点以上で50秒間維持した。
これによって、基板上には、本実施例の鉛フリーはんだ合金のはんだボールが形成される。斯かるはんだボールは直径500μmである。以後、斯かるはんだボールを室温で冷却した後、フラックス残渣を洗浄した。このようにして得られたはんだ継手の試料に対してシェアテストが行われる。
なお、同様の方法によって、比較例i~iiに係る鉛フリーはんだ合金(以下、単に、比較例の鉛フリーはんだ合金と言う。)のはんだボールが得られる。
以上のように得られた、本実施例の鉛フリーはんだ合金のはんだボール、及び、比較例の鉛フリーはんだ合金のはんだボールが当該基板に夫々接合されたはんだ継手に対してエージング処理を施した。その後、エージング処理済みのはんだ継手に対してシェアテストを実施し、本実施例のはんだ継手及び比較例のはんだ継手における接合強度を測定した。
前記エージング処理は、実施例1~14及び比較例i~iiに係るはんだ継手の試料を150℃に120時間放置してエージング処理を行い、その後、室温にて冷却させた。
このようなエージング処理が施された試料に対して、シェアテストを行った。シェアテストはDAGE社製のハイスピードシェア試験機4000HSを用いて行い、シェア速度は10mm/secであった。図1はシェアテストを模式的に説明する模式図である。
はんだボール2が接合部4を介して基板1と接合されたはんだ継手10を基板保持台5に固定する。そして直線移動する基板保持台5の動線上にシェアツール3をセットする。基板保持台5の直線移動の際、シェアツール3の下端部が基板1ではなくはんだボール2にのみ当たるようにシェアツール3をセットする。次いで基板保持台5を10mm/secの速度で直線移動させると、シェアツール3と斯かる試料のはんだボール2とが衝突し、最終的にははんだボール2が基板1から剥離される。この際、シェアツール3に装着された応力感知器ははんだボール2との衝突から剥離までに、斯かるはんだボール2によってシェアツール3に与えられるせん断負荷応力を検知する。本実施の形態においては、斯かるせん断負荷応力のうち、最大の値を斯かる試料の接合強度として測定した。
実施例及び比較例に係る試料に対してシェアテストを行った結果を表2に示す。
詳しくは、比較例i~iiと、「+0.1Bi」と、「+1Bi」と、「+1.5Bi」と、「+2Bi」と、「+3Bi」と、「+4Bi」と、「+6Bi」と、「+8Bi」と、「+21Bi」と、「+58Bi」と、「+0.1Cu」と、「+2.0Cu」と、「+0.5Ni」と、「+0.1Ge」との夫々に対して、シェアテスト用の試料を15個ずつ用意し、シェアテストを行った。その結果を表2‐1,2‐2,2‐3に示す。以下、表2‐1,2‐2,2‐3を単に表2と言う。
詳しくは、比較例i~iiと、「+0.1Bi」と、「+1Bi」と、「+1.5Bi」と、「+2Bi」と、「+3Bi」と、「+4Bi」と、「+6Bi」と、「+8Bi」と、「+21Bi」と、「+58Bi」と、「+0.1Cu」と、「+2.0Cu」と、「+0.5Ni」と、「+0.1Ge」との夫々に対して、シェアテスト用の試料を15個ずつ用意し、シェアテストを行った。その結果を表2‐1,2‐2,2‐3に示す。以下、表2‐1,2‐2,2‐3を単に表2と言う。
表2において、「強度変化率(%)」は、エージング処理前の接合強度に対するエージング処理後の接合強度の比を百分率にて表したものである。
また、図2は、表2に記載のシェアテストの結果を図示した棒グラフである。図2において、白い棒はエージング処理前における接合強度の平均値を示し、黒い(ハッチング)棒はエージング処理後における接合強度の平均値を示しており、黒菱は強度変化率を示す。更に、図2において、破線に係る範囲は、実用面での強度変化率の許容範囲を示しており、90~110%である。
表2及び図2から分かるように、比較例i~iiに係る試料においては、エージング処理前に比べてエージング処理後における接合強度が大きく低下していることが見て取れる。また、比較例i~iiの何れの場合も、強度変化率が許容範囲から外れている。
これに対して、Biの添加量を変化させた実施例1~10においては、「+8Bi」及び「+21Bi」の場合を除いて強度変化率が92~100%であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。すなわち、「+0.1Bi」と、「+1Bi」と、「+1.5Bi」と、「+2Bi」と、「+3Bi」と、「+4Bi」と、「+6Bi」と、「+58Bi」においては、エージング処理前に比べてエージング処理後においても接合強度の低下が見られず、維持されている。
また、Cuの添加量を変化させた実施例11~12においては、何れも強度変化率が94%以上であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。すなわち、「+0.1Cu」と、「+2.0Cu」とにおいては、エージング処理前に比べてエージング処理後においても接合強度の低下が見られず、維持されている。
また、実施例13~14においては、何れも強度変化率が92%以上であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。すなわち、「+0.5Ni」と、「+0.1Ge」とにおいては、エージング処理前に比べてエージング処理後においても接合強度の低下が見られず、維持されている。
つまり、実施例3及び実施例13のシェアテストの結果から、Biの添加量が1.5重量%、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.05~0.5重量%、Geの添加量が0.006重量%、残部がSnである、鉛フリーはんだ合金においては、強度変化率が93%以上であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。
また、実施例3及び実施例14のシェアテストの結果から、Biの添加量が1.5重量%、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.05重量%、Geの添加量が0.006~0.1重量%、残部がSnである、鉛フリーはんだ合金においても、強度変化率が92%以上であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。
以上の結果から、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手10において、150℃にて120時間のエージング処理をした場合、該エージング処理前に対するエージング処理後の接合強度(せん断負荷応力)の変化が90%以上であるためには、実施例1~7,10~14に係る組成を有する必要がある。但し、実施例10においては、強度変化率が99%であるものの、Biの添加量が58重量%であり、実用が容易ではない。従って、実施例1~7,11~14に対応する組成が好ましい。
すなわち、Cuの添加量は0.7重量%、Niの添加量は0.05重量%、Biの添加量は0.1~8重量%未満、Geの添加量は0.006重量%であり、残部がSnであることが好ましい。又は、Cuの添加量は0.1~2.0重量%、Niの添加量は0.05重量%、Biの添加量は1.5重量%、Geの添加量は0.006重量%であり、残部がSnであることが好ましい。又は、Cuの添加量は0.7重量%、Niの添加量は0.5重量%、Biの添加量は1.5重量%、Geの添加量は0.006重量%であり、残部がSnであることが好ましい。又は、Cuの添加量は0.7重量%、Niの添加量は0.05重量%、Biの添加量は1.5重量%、Geの添加量は0.1重量%であり、残部がSnであることが好ましい。
以上において、Biが添加されていない、比較例i~iiに比べ、Biが添加された本実施例に係る実施例1~7,10~14の試料においては、エージング処理の前後を通じて接合強度が維持されており、接合強度が低下していない。このような結果から、Biの添加が接合強度の維持に何らかの影響を与えていると予測された。
これを確認するために、実施例及び比較例に係る試料における接合部4の微細構造を観察した。図3~図7は比較例i~ii及び実施例1~14に係る試料における接合部4の微細構造を示す写真である。図3は比較例iのはんだ継手の接合部の微細構造を示す写真であり、図4は実施例6(「+4Bi」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示す写真であり、図5は実施例11(「+0.1Cu」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示す写真であり、図6は実施例13(「+0.5Ni」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示す写真であり、図7は実施例14(「+0.1Ge」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示す写真である。
図3~図7は、比較例及び実施例に係るはんだ継手の試料を150℃にて120時間エージング処理した後、SEM(走査電子顕微鏡)を用いて、各試料の接合部4の微細構造を撮影した写真である。
図3~図7から分かるように、実施例及び比較例に係る試料の何れにおいても、はんだボール2及び基板1の間の接合部4には、Cu3Snの金属間化合物の層が存在している。比較例及び実施例におけるCu3Sn層の厚みを次の式にて算出して比較した。
Cu3Sn面積S÷横長さL=Cu3Sn層の厚み・・・(式)
ここで、Cu3Sn面積Sは、図3に示しているように、各写真にて視認(2次元)できるCu3Sn層の面積である。また、横長さLは、Cu3Sn層の厚み方向と交差する方向、すなわち、基板1の面に沿う方向におけるCu3Sn層の長さである。
ここで、Cu3Sn面積Sは、図3に示しているように、各写真にて視認(2次元)できるCu3Sn層の面積である。また、横長さLは、Cu3Sn層の厚み方向と交差する方向、すなわち、基板1の面に沿う方向におけるCu3Sn層の長さである。
算出されたCu3Sn層の厚みを表3に示す。表3においては、実施例1~14及び比較例i~iiに係るはんだ継手をエージング処理した前後におけるCu3Sn層の平均厚みが示されている。また、比較のため、表2における強度変化率も共に示している。表3から分かるように、殆どの場合、エージング処理前はCu3Sn層が存在していないが、比較例i及び実施例9の場合はエージング処理前でもCu3Sn層が存在している。
図8は表3に記載のCu3Sn層の厚みの算出結果を図示した棒グラフである。図8において、白い棒(比較例i及び実施例9のみ)はエージング処理前におけるCu3Sn層の平均厚みを示し、黒い(ハッチング)棒はエージング処理後におけるCu3Sn層の平均厚みを示しており、黒菱は強度変化率を示す。更に、図8において、破線に係る範囲は、図2と同様に、強度変化率の許容範囲を示している。
強度変化率が許容範囲外に存在する、比較例i~ii及び実施例8~9の場合と、強度変化率が許容範囲内に存在する、実施例1~7,10~14の場合とを比較すると、Cu3Sn層の厚みが0.49μmを境に分かれていることが見て取れる。詳しくは、強度変化率が許容範囲内に存在する、実施例1~7,10~14の場合においては、Cu3Sn層の厚みが0.49μm以下である。一方、強度変化率が許容範囲外に存在する、比較例i~ii及び実施例8~9の場合は、Cu3Sn層の厚みが50μm以上である。
更に、実施例7~9の場合、Biの添加量が6重量%から21重量%に増加することに比例して、Cu3Sn層の厚みが厚くなる一方、強度変化率は減少していることが確認できる。すなわち、Cu3Sn層の厚みの増加が、高温エージング処理後における接合強度減少の原因であることが分かる。
以上のことから、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手10において、150℃にて120時間のエージング処理した場合、該エージング処理前に対するエージング処理後の接合強度の変化が90%以上であるためには、接合部4に形成されるCu3Snの厚みを0.49μm以下に抑制する必要がある。
以上の記載においては、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金の場合において、Bi,Cu,Ni,Geの添加量を変化させたときを例に挙げて説明したが、本発明はこれに限るものでない。
例えば、上述した実施例1~14に係るSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金に、例えば、Ag,In,Sb,P,Mn,Au,Zn,Ga,Si,Co,Al,Tiのうち何れかの助剤を更に添加しても良い。このような助剤を添加した場合においても、上述した効果を奏することは言うまでもない。
以下においては、本実施例に係るSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金に前記助剤の何れかを添加した場合における、強度変化率及びCu3Sn層の厚み変更について説明する。
表4は、本実施例に係るSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金に添加された助剤の成分組成を示す。ここで、本実施例に係るSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金は、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.05重量%、Biの添加量が1.5重量%、Geの添加量が0.006重量%であり、残部はSnである。
表4において、実施例21~36は本実施例に係るはんだ継手10の鉛フリーはんだ合金の成分組成であり、比較例i~iiは、上述したように、比較対象のはんだ継手に係る鉛フリーはんだ合金の成分組成である。また、表4には、実施例21~36及び比較例i~iiにおける、示差走査熱量測定(DSC測定)による固相点及び液相点を示している。
実施例21~24の鉛フリーはんだ合金においては、1~4重量%のAgが添加されている。以下においては、実施例21~24に係るはんだ継手10を夫々「+1Ag」、「+2Ag」、「+3Ag」、「+4Ag」とも言う。
実施例25~26の鉛フリーはんだ合金においては、6~51重量%のInが添加されている。以下においては、実施例25~26に係るはんだ継手10を夫々「+6In」、「+51In」とも言う。
実施例27~28の鉛フリーはんだ合金においては、5~10重量%のSbが添加されている。以下においては、実施例27~28に係るはんだ継手10を夫々「+5Sb」、「+10Sb」とも言う。
実施例29~31,33~36の鉛フリーはんだ合金においては、夫々0.1重量%のP,Mn,Au,Si,Co,Al,Tiが添加されている。以下においては、実施例29~31,33~36に係るはんだ継手10を夫々「+0.1P」、「+0.1Mn」、「+0.1Au」、「+0.1Si」、「+0.1Co」、「+0.1Al」、「+0.1Ti」とも言う。
実施例32の鉛フリーはんだ合金においては、0.4重量%のZnが添加されている。以下においては、実施例32に係るはんだ継手10を「+0.4Zn」とも言う。
一方、比較例i,iiの鉛フリーはんだ合金の成分組成は、既に説明しており、詳しい説明を省略する。
表4の実施例21~36に係る鉛フリーはんだ合金を用いて、図1に示したような、本実施例に係るはんだ継手10を作成した。はんだ継手10の詳しい作成方法については既に説明しており、ここでは説明を省略する。
得られた、本実施例に係るはんだ継手10、及び、比較例に係るはんだ継手に対してエージング処理を施した。その後、エージング処理済みのはんだ継手に対してシェアテストを実施し、本実施例のはんだ継手10及び比較例のはんだ継手における接合強度を測定した。前記エージング処理及び前記シェアテストについては既に説明しており、ここでは説明を省略する。
「+1Ag」、「+2Ag」、「+3Ag」、「+4Ag」、「+6In」、「+51In」、「+5Sb」、「+10Sb」、「+0.1P」、「+0.1Mn」、「+0.1Au」、「+0.4Zn」、「+0.1Si」、「+0.1Co」、「+0.1Al」、「+0.1Ti」の夫々に対して、シェアテスト用の試料を15個ずつ用意し、シェアテストを行った。その結果を表5‐1,5‐2,5‐3,5‐4に示す。以下、表5‐1,5‐2,5‐3,5‐4を単に表5と言う。
また、図9は、表5に記載のシェアテストの結果を図示した棒グラフである。図9において、白い棒はエージング処理前における接合強度の平均値を示し、黒い棒はエージング処理後における接合強度の平均値を示しており、黒菱は強度変化率を示す。更に、図9において、破線に係る範囲は、強度変化率の許容範囲を示している。
表5及び図9から分かるように、比較例i~iiに係る試料においては、エージング処理後における接合強度が大きく低下しており、強度変化率が許容範囲から外れている。
これに対して、Agの添加量を変化させた実施例21~24においては、強度変化率が93~97%であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。すなわち、「+1Ag」、「+2Ag」、「+3Ag」、「+4Ag」においては、エージング処理前に比べてエージング処理後においても接合強度の低下が見られず、維持されている。
また、Inの添加量を変化させた実施例25~26においては、何れも強度変化率が97~105%以上であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。すなわち、「+6In」と、「+51In」とにおいては、エージング処理前に比べてエージング処理後においても接合強度の低下が見られず、維持されている。
また、Sbの添加量を変化させた実施例27~28においては、Sbの添加量が5重量%である実施例27の強度変化率が96%であり、強度変化率の許容範囲内に存在するが、Sbの添加量が10重量%である実施例28の強度変化率は89%であり、強度変化率の許容範囲から外れて存在する。すなわち、「+10Sb」の場合のみ、エージング処理前に比べてエージング処理後において接合強度の低下が見られている。
また、実施例29~36においては、何れも強度変化率が95%以上であり、強度変化率の許容範囲内に存在する。すなわち、「+0.1P」、「+0.1Mn」、「+0.1Au」、「+0.4Zn」、「+0.1Si」、「+0.1Co」、「+0.1Al」、「+0.1Ti」においては、エージング処理前に比べてエージング処理後においても接合強度の低下が見られず、維持されている。
以上の結果から、助剤を含むSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手10において、150℃にて120時間のエージング処理をした場合、該エージング処理前に対するエージング処理後の接合強度の変化が90%以上であるためには、実施例21~27,29~36に係る組成であっても良い。但し、実施例26においては、強度変化率が105%であるものの、Inの添加量が51重量%であり、実用が容易ではない。
すなわち、Cuの添加量が0.7重量%、Niの添加量が0.05重量%、Biの添加量が1.5重量%、Geの添加量が0.006重量%であり、残部はSnである鉛フリーはんだ合金に対する助剤の添加は実施例21~25、27,29~36に対応する組成が好ましい。詳しくは、Agの添加量は0超過~4.0重量%であることが好ましい。Inの添加量は0超過~51.0重量%であることが好ましい。Sbの添加量は0超過~10.0重量%未満であることが好ましい。Znの添加量は0超過~0.4重量%であることが好ましい。P,Mn,Au,Si,Co,Al,Tiの添加量は0超過~0.1重量%であることが好ましい。
図10~図20は実施例21~36に係る試料における接合部4の微細構造を示す写真である。図10は実施例24(「+4Ag」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図11は実施例25(「+6In」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図12は実施例27(「+5Sb」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図13は実施例29(「+0.1P」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図14は実施例30(「+0.1Mn」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図15は実施例31(「+0.1Au」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図16は実施例32(「+0.4Zn」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図17は実施例33(「+0.1Si」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図18は実施例34(「+0.1Co」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図19は実施例35(「+0.1Al」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示し、図20は実施例36(「+0.1Ti」)のはんだ継手10の接合部4の微細構造を示す。
図10~図20は、実施例に係るはんだ継手10の試料を150℃にて120時間エージング処理した後、SEM(走査電子顕微鏡)を用いて、各試料の接合部4の微細構造を撮影した写真である。
図10~図20から分かるように、実施例に係る試料の何れにおいても、はんだボール2及び基板1の間の接合部4には、Cu3Snの金属間化合物の層が存在している。図10~図20の実施例におけるCu3Sn層の厚みを上述した式にて算出した。
算出されたCu3Sn層の厚みを表6に示す。表6においては、実施例21~36及び比較例i~iiに係るはんだ継手をエージング処理した前後におけるCu3Sn層の平均厚みが示されている。また、比較のため、表5における強度変化率も共に示している。表6から分かるように、殆どの場合、エージング処理前はCu3Sn層が存在していないが、比較例i及び実施例28の場合はエージング処理前でもCu3Sn層が存在している。
図21は表6に記載のCu3Sn層の厚みの算出結果を図示した棒グラフである。図21において、白い棒(比較例i及び実施例28のみ)はエージング処理前におけるCu3Sn層の平均厚みを示し、黒い棒はエージング処理後におけるCu3Sn層の平均厚みを示しており、黒菱は強度変化率を示す。更に、図21において、破線に係る範囲は、強度変化率の許容範囲を示している。
強度変化率が許容範囲外に存在する、比較例i~ii及び実施例28の場合と、強度変化率が許容範囲内に存在する、実施例21~27,29~36の場合とを比較すると、Cu3Sn層の厚みが0.49μmを境に分かれていることが見て取れる。
詳しくは、強度変化率が許容範囲内に存在する、実施例21~27,29~36の場合においては、Cu3Sn層の厚みが0.49μm未満である。一方、強度変化率が許容範囲外に存在する、比較例i~ii及び実施例28の場合は、Cu3Sn層の厚みが49μm以上である。
詳しくは、強度変化率が許容範囲内に存在する、実施例21~27,29~36の場合においては、Cu3Sn層の厚みが0.49μm未満である。一方、強度変化率が許容範囲外に存在する、比較例i~ii及び実施例28の場合は、Cu3Sn層の厚みが49μm以上である。
更に、実施例24~28の場合、Cu3Sn層の厚みが薄くなるにつれて、強度変化率は増加しており、Cu3Sn層の厚みが厚くなるにつれて、強度変化率は減少していることが確認できる。すなわち、Cu3Sn層の厚みの増加が、高温エージング処理後における接合強度減少の原因であることが再確認できる。
以上のことから、助剤を含むSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手10において、150℃にて120時間のエージング処理をした場合、該エージング処理前に対するエージング処理後の接合強度の変化が90%以上であるという効果のためには、接合部4に形成されるCu3Snの厚みを0.49μm未満に抑制する必要がある。
上述した助剤は夫々固有の効果を奏する。例えば、Pは酸化被膜によるSn及びはんだ成分の酸化防止という固有の効果を奏する。Tiは自己酸化効果及びバルク強度の上昇という固有の効果を奏する。Inは液相温度の低下及び強度の上昇という固有の効果を奏し、Agは分散・析出強化によるエージング処理前の強度上昇という固有の効果を奏する。Coは金属間化合物層の微細化という固有の効果を奏し、Alは金属間化合物の微細化、エージング処理後の強度低下の抑制、及び、自己酸化効果という固有の効果を奏する。
実施例21~27、29~36に対する以上の結果から、斯かる助剤の添加は、上述した効果を奏すると共に、斯かる助剤に固有の効果も共に得ることが出来ると判断される。
一方、表1に係る実施例1~7,10~14の場合においては、Cu3Sn層の厚みが0.49μm以下である場合、前記効果が得られている(表3参照)。これを鑑みると、斯かる効果のためには、接合部4に形成されるCu3Snの厚みを0.49μm以下に抑制することが良く、0.49μm未満に抑制することがより確実である。
なお、表1及び表4によると、強度変化率が許容範囲から外れている実施例8,9,28における固相点及び液相点の差は、強度変化率が許容範囲内に存在している他の実施例より大きい。詳しくは、実施例8,9,28においては、固相点及び液相点の差が約30以上であり、他の実施例のほとんどは、30未満である。従って、本実施例において前記効果を得るためには、固相点及び液相点の差を30以下に抑制することも有効である。
上述したように、実施例に係るはんだ継手10においては、接合部4におけるCu3Sn層の生成を抑制することによって、はんだ継手10が高温環境に置かれた場合でもCu3Sn層の生成による接合強度低下を防止できる。また、このような効果はBi添加が影響していることは言うまでもない。これは、本実施例に係るはんだ継手10(接合部4)が共通してBiを含むのに対し、斯かる効果を有しない比較例i~iiに係るはんだ継手はBiを含まないことからも明らかである。
本実施の形態に係る、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金及びこれに助剤を加えた鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手10(以下、まとめて本実施例に係るはんだ継手と言う。)は、高温で長時間のエージング処理をした場合でも、該エージング処理前に対するエージング処理後の接合強度が維持される効果を奏する。
このような効果に鑑みると、本実施例に係るはんだ継手10においては、Biの添加によって、いわゆるクリープ変形の抑制という効果も期待できる。そこで、本実施例に係るはんだ継手10におけるクリープ特性を観察した。
本実施の形態に係る、Sn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系の鉛フリーはんだ合金及びこれに助剤を加えた鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手10(以下、まとめて本実施例に係るはんだ継手と言う。)は、高温で長時間のエージング処理をした場合でも、該エージング処理前に対するエージング処理後の接合強度が維持される効果を奏する。
このような効果に鑑みると、本実施例に係るはんだ継手10においては、Biの添加によって、いわゆるクリープ変形の抑制という効果も期待できる。そこで、本実施例に係るはんだ継手10におけるクリープ特性を観察した。
上述した実施例1~14及び実施例21~36に係る成分組成の鉛フリーはんだ合金と、Biが夫々1.1重量%及び1.2重量%であって他の成分組成は実施例2と同じである鉛フリーはんだ合金とを用いてクリープ試験用の試験片を作成した。更に、実施例3に係る成分組成に1重量%のGaを添加した鉛フリーはんだ合金を用いてクリープ試験用の試験片を作成した。このような成分組成の試験片を用いて、クリープ特性の評価を行った。以下、説明の便宜上、Biが1.1重量%であって他の成分組成が実施例2と同じである鉛フリーはんだ合金を実施例2-1と称し、Biが1.2重量%であって他の成分組成が実施例2と同じである鉛フリーはんだ合金を実施例2-2と称する。また、実施例3に係る成分組成に1重量%のGaを添加した鉛フリーはんだ合金を実施例37と称する。なお、以下においては、実施例1~14、実施例2-1及び実施例2-2をまとめて実施例1~14と言う。
図22は、クリープ特性の評価に用いられた試験片の一例を示す例示図である。試験片としてはいわゆるドッグボーン型試験片を用いた。試験片は、図22に示すように、全長さ160mm、評点部長さ60mm、評点部幅10mm、冶具固定部幅15mmである。試験は引張試験機(島津製、AG-IS 10KN)を用いて行った。
具体的には、冶具固定部を固定することによって引張試験機のチャンバー内にドッグボーン型試験片をセットした後、試験片を加熱し、試験片の評点部中央の温度が125℃に到達した時点で引張試験を開始した。120kgf(1177N)の引張応力を試験片に加え続け、破断するまでの所要時間と歪み量を測定した。この際、試験開始前の評点部長さに対する破断後の評点部長さ(破断部の端面同士を突き合わせたときの長さ)の変化率を、破断までに要した時間で割った値を“歪み速度”とした。
表7は、実施例1~14及び実施例21~36に係る成分組成の鉛フリーはんだ合金を用いた試験片のクリープ特性の評価結果である。表7には、歪み速度及び破断までの所要時間(以下、破断時間と言う)を示している。また、表7には、比較のため、比較例i~iiに係る試験片のクリープ特性の評価結果も共に示している。
図23及び図24は、表7に記載のクリープ特性の評価結果を図示したグラフである。図23は、表7に記載のクリープ特性の評価結果のうち、歪み速度を図示しており、図24は、表7に記載のクリープ特性の評価結果のうち、破断時間を図示している。
表7においては、比較例i~iiに係る歪み速度より低い歪み速度、及び比較例i~iiに係る破断時間より長い破断時間には色(灰色)を付している。表8中、「※」はクリープ特性の評価が出来なかったことを示す。
また、図23において、横軸及び縦軸は夫々成分組成及び歪み速度を示し、白菱は各成分組成に対応する歪みの速度を示しており、破線は比較例i~iiに係る値を示す。更に、図23において、歪み速度が非常に速い実施例9の場合は、図示を省略している。そして、図24において、横軸及び縦軸は夫々成分組成及び破断時間を示し、白菱は各成分組成に対応する破断時間を示しており、破線は比較例i~iiに係る値を示す。
表7、図23及び図24から分かるように、実施例2~実施例8(実施例2-1及び実施例2-2包含)、実施例11~実施例14、実施例21~実施例25、実施例27~実施例34、実施例36~実施例37におけるクリープ特性は、比較例i(比較例iiは測定不可)に係る試験片に比べて優れている。
すなわち、歪み速度においては、実施例2(「+1Bi」)~実施例8(「+8Bi」)(実施例2-1及び実施例2-2包含)、実施例11(「+0.1Cu」)~実施例14(「+0.1Ge」)、実施例21(「+1Ag」)~実施例25(「+6In」)、実施例27(「+5Sb」)~実施例34(「+0.1Co」)、実施例36(「+0.1Ti」)~実施例37に係る値が、比較例iに係る値より低い。
一方、破断時間においては、実施例2(「+1Bi」)~実施例7(「+6Bi」)、実施例11(「+0.1Cu」)~実施例14(「+0.1Ge」)、実施例21(「+1Ag」)~実施例25(「+6In」)、実施例27(「+5Sb」)~実施例32(「+0.4Zn」)、実施例34(「+0.1Co」)、実施例36(「+0.1Ti」)に係る値が、比較例iに係る値より高い。
表7で、Biの組成が0.1~58重量%まで変化する(実施例1~実施例10)場合(実施例2-1及び実施例2-2包含)においては、Biが1~6重量%(実施例2~実施例7)までは比較例iと同等もしくは良好なクリープ特性が観察された。しかし、Biが8重量%(実施例8)である場合から比較例iより破断時間が短くなる傾向がみられた。これはBiの固溶強化が過剰に働き、鉛フリーはんだ合金が硬く脆い性質に変化したためと考えられる。また、剰余のBiが析出し、析出したBiへの応力集中からの破断進展の影響も予測される。
歪み速度が比較例iより良好であった、1~8重量%Bi(実施例2~実施例8)の試験片においては、1~3重量%Biまで歪み速度が減少し、3重量%Biを超えると歪み速度が徐々に増加し初め、4重量%Biを超えると急激に増加している。
また、破断時間が比較例iと同等もしくは良好であった、1~6重量%Bi(実施例2~実施例7)の試験片においては、1~3重量%Biまで破断時間が増加し、3重量%を超えると破断時間が減少し始める。
また、破断時間が比較例iと同等もしくは良好であった、1~6重量%Bi(実施例2~実施例7)の試験片においては、1~3重量%Biまで破断時間が増加し、3重量%を超えると破断時間が減少し始める。
以上のことから、Biの組成が変化する(実施例1~実施例10)の場合における、クリープ特性は、Biの添加量が1~6重量%である実施例2~実施例7(実施例2-1及び実施例2-2包含)の鉛フリーはんだ合金が有効である。また、Biの添加量が3重量%である実施例5が最も有効である。
表7で、Cuの組成が0.1~2.0重量%まで変化する(実施例3、実施例11~実施例12)の場合においては、歪み速度及び破断時間の何れも比較例iより良好であることが観察された。
特に、Cuが0.1重量%を超えると歪み速度が増加すると共に、破断時間が減少している。従って、Cuの組成が変化する(実施例3、実施例11~実施例12)の場合における、クリープ特性は、Cuの添加量が0.1重量%である実施例11の鉛フリーはんだ合金が最も有効であることが分かる。
表7で、Niの組成が0.05~0.5重量%まで変化する(実施例3、実施例13)の場合においては、歪み速度及び破断時間の何れも比較例iより良好であることが観察された。特に、Niの添加量が増加するにつれて歪み速度が減少すると共に、破断時間が増加している。
表7で、Geの組成が0.006~0.1重量%まで変化する(実施例3、実施例14)の場合においては、歪み速度及び破断時間の何れも比較例iより良好であることが観察された。特に、Geの添加量が増加するにつれて歪み速度が減少すると共に、破断時間が増加している。
また、実施例3に係る成分組成にAg、In、Sb、P、Mn、Au、Zn、Co、Tiを添加した場合(実施例21~実施例25、実施例27~実施例32、実施例34、実施例36)、比較例iよりクリープ特性が優れている。即ち、これら成分が添加された場合でも、Bi添加により得られたクリープ特性に係る効果が阻害されていない。
表7で、Agの組成が1~4重量%まで変化する(実施例21~実施例24)の場合においては、歪み速度及び破断時間の何れも比較例iより良好であることが観察された。
特に、Agが1重量%を超えると歪み速度が徐々に増加し、2重量%を超えると急激に増加している。また、Agが1~2重量%であるまで破断時間が増加し、2重量%を超えると破断時間が急激に減少している。
以上のことから、Agの組成が変化する(実施例21~実施例24)の場合における、クリープ特性は、Agの添加量が2重量%である実施例22の鉛フリーはんだ合金が最も有効であることが分かる。
以上のことから、Agの組成が変化する(実施例21~実施例24)の場合における、クリープ特性は、Agの添加量が2重量%である実施例22の鉛フリーはんだ合金が最も有効であることが分かる。
以上のように、本実施例に係るはんだ継手10は優れたクリープ特性を有する。すなわち、本実施例に係るはんだ継手10は、クリープ変形を抑制する効果を奏し、クリープ変形が小さい。従って、例えば、本実施例に係るはんだ継手10が用いられた電気製品においては、前記電気製品の使用中に電子基板温度が上昇するような場合でも、はんだ接続部への応力負荷に対してはんだ(接続部)の変形量が小さく、ひいては経年劣化も抑えられる。
1 基板
2 はんだボール
4 接合部
10 はんだ継手
2 はんだボール
4 接合部
10 はんだ継手
Claims (7)
- 鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ継手において、前記鉛フリーはんだ合金はSn‐Cu‐Ni‐Bi‐Ge系であり、Cu3Sn生成が抑制される被接合体との接合部を備えるはんだ継手であって、前記鉛フリーはんだ合金は、Cuの添加量は0.1~2.0重量%、Niの添加量は0.05~0.5重量%、Biの添加量は0.1~8重量%未満、Geの添加量は0.006~0.1重量%であり、残部がSn及び不可避不純物であることを特徴とするはんだ継手。
- 前記鉛フリーはんだ合金は、Ag,In,Sb,P,Mn,Au,Zn,Si,Co,Al,Tiの群より選ばれる1種又は2種以上を配合し、Agの添加量は0超過~4.0重量%、Inの添加量は0超過~51.0重量%、Sbの添加量は0超過~10.0重量%未満、Znの添加量は0超過~0.4重量%、P,Mn,Au,Si,Co,Al,及びTiの添加量は0超過~0.1重量%であることを特徴とする請求項1に記載のはんだ継手。
- 150℃にて120時間のエージング処理をした場合、該エージング処理前に対するエージング処理後のせん断負荷応力の変化が90%以上であることを特徴とする請求項1及び請求項2に記載のはんだ継手。
- 150℃にて120時間エージング処理をした場合、前記接合部に形成されるCu3Snの厚みが0.50μm以下であることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載のはんだ継手。
- Biの添加量は1.0~3.0重量%であることを特徴とする請求項1から請求項4の何れかに記載のはんだ継手。
- Agの添加量は1.0~4.0重量%であることを特徴とする請求項2から請求項5の何れかに記載のはんだ継手。
- Sbの添加量は0超過~5.0重量%であることを特徴とする請求項2から請求項6の何れかに記載のはんだ継手。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018518744A JPWO2018174162A1 (ja) | 2017-03-23 | 2018-03-22 | はんだ継手 |
US16/494,402 US20200140975A1 (en) | 2017-03-23 | 2018-03-22 | Soldered Joint |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017058080 | 2017-03-23 | ||
JP2017-058080 | 2017-03-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2018174162A1 true WO2018174162A1 (ja) | 2018-09-27 |
Family
ID=63585510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/011414 WO2018174162A1 (ja) | 2017-03-23 | 2018-03-22 | はんだ継手 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200140975A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2018174162A1 (ja) |
WO (1) | WO2018174162A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020025982A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社日本スペリア社 | 鉛フリーはんだ合金 |
EP3715039B1 (en) | 2019-03-27 | 2021-08-11 | Senju Metal Industry Co., Ltd | Solder alloy, solder ball, solder preform, solder paste and solder joint |
JP2022515254A (ja) * | 2018-12-27 | 2022-02-17 | アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッド | 鉛フリーはんだ組成物 |
JP7148760B1 (ja) * | 2022-06-17 | 2022-10-05 | 株式会社タムラ製作所 | はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および制御装置 |
JP7148761B1 (ja) * | 2022-06-17 | 2022-10-05 | 株式会社タムラ製作所 | はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および制御装置 |
EP4105348A4 (en) * | 2020-02-14 | 2023-09-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | LEAD-FREE AND ANTIMONY-FREE BRAZING ALLOY, BRAZING BUM AND BRAZING JOINT |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11123823B2 (en) | 2017-11-08 | 2021-09-21 | Alpha Assembly Solutions Inc. | Cost-effective lead-free solder alloy for electronic applications |
KR102460042B1 (ko) * | 2020-05-14 | 2022-10-28 | 엠케이전자 주식회사 | 무연 솔더 합금, 솔더볼, 솔더 페이스트, 및 반도체 부품 |
CA3236521A1 (en) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Solder alloy, solder ball and solder joint |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014217888A (ja) * | 2013-05-03 | 2014-11-20 | 恒碩科技股▲ふん▼有限公司 | はんだ合金 |
WO2015037279A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 千住金属工業株式会社 | 鉛フリーはんだ、鉛フリーはんだボール、この鉛フリーはんだを使用したはんだ継手およびこのはんだ継手を有する半導体回路 |
WO2015166945A1 (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 株式会社日本スペリア社 | 鉛フリーはんだ合金 |
JP6119911B1 (ja) * | 2016-09-13 | 2017-04-26 | 千住金属工業株式会社 | はんだ合金、はんだボールおよびはんだ継手 |
JP2018023987A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社日本スペリア社 | 接合方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4787384B1 (ja) * | 2010-10-29 | 2011-10-05 | ハリマ化成株式会社 | 低銀はんだ合金およびはんだペースト組成物 |
JP5238088B1 (ja) * | 2012-06-29 | 2013-07-17 | ハリマ化成株式会社 | はんだ合金、ソルダペーストおよび電子回路基板 |
TWI460046B (zh) * | 2012-11-12 | 2014-11-11 | Accurus Scient Co Ltd | High strength silver-free lead-free solder |
-
2018
- 2018-03-22 WO PCT/JP2018/011414 patent/WO2018174162A1/ja active Application Filing
- 2018-03-22 US US16/494,402 patent/US20200140975A1/en not_active Abandoned
- 2018-03-22 JP JP2018518744A patent/JPWO2018174162A1/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014217888A (ja) * | 2013-05-03 | 2014-11-20 | 恒碩科技股▲ふん▼有限公司 | はんだ合金 |
WO2015037279A1 (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 千住金属工業株式会社 | 鉛フリーはんだ、鉛フリーはんだボール、この鉛フリーはんだを使用したはんだ継手およびこのはんだ継手を有する半導体回路 |
WO2015166945A1 (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-05 | 株式会社日本スペリア社 | 鉛フリーはんだ合金 |
JP2018023987A (ja) * | 2016-08-09 | 2018-02-15 | 株式会社日本スペリア社 | 接合方法 |
JP6119911B1 (ja) * | 2016-09-13 | 2017-04-26 | 千住金属工業株式会社 | はんだ合金、はんだボールおよびはんだ継手 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020025982A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社日本スペリア社 | 鉛フリーはんだ合金 |
WO2020067307A1 (ja) * | 2018-08-10 | 2020-04-02 | 株式会社日本スペリア社 | 鉛フリーはんだ合金 |
JP7287606B2 (ja) | 2018-08-10 | 2023-06-06 | 株式会社日本スペリア社 | 鉛フリーはんだ合金 |
JP2022515254A (ja) * | 2018-12-27 | 2022-02-17 | アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッド | 鉛フリーはんだ組成物 |
EP3715039B1 (en) | 2019-03-27 | 2021-08-11 | Senju Metal Industry Co., Ltd | Solder alloy, solder ball, solder preform, solder paste and solder joint |
EP4105348A4 (en) * | 2020-02-14 | 2023-09-06 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | LEAD-FREE AND ANTIMONY-FREE BRAZING ALLOY, BRAZING BUM AND BRAZING JOINT |
JP7148760B1 (ja) * | 2022-06-17 | 2022-10-05 | 株式会社タムラ製作所 | はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および制御装置 |
JP7148761B1 (ja) * | 2022-06-17 | 2022-10-05 | 株式会社タムラ製作所 | はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および制御装置 |
WO2023243108A1 (ja) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 株式会社タムラ製作所 | はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および制御装置 |
WO2023243104A1 (ja) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 株式会社タムラ製作所 | はんだ合金、接合部、接合材、ソルダペースト、接合構造体および制御装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200140975A1 (en) | 2020-05-07 |
JPWO2018174162A1 (ja) | 2019-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2018174162A1 (ja) | はんだ継手 | |
JP6624322B1 (ja) | はんだ合金、はんだボール、はんだプリフォーム、はんだペースト及びはんだ継手 | |
US10286497B2 (en) | Lead-free solder alloy | |
KR20090059143A (ko) | 고온에서 개선된 특성을 갖는 무연납 | |
KR20180006928A (ko) | 가혹한 환경의 전자장치 적용을 위한 고신뢰성 무연 땜납 합금 | |
JP6755546B2 (ja) | 接合方法 | |
WO2015019966A1 (ja) | 鉛フリーはんだ合金 | |
KR102672970B1 (ko) | 땜납 합금, 땜납 볼, 땜납 페이스트 및 솔더 조인트 | |
JP4770733B2 (ja) | はんだ及びそれを使用した実装品 | |
WO2020067307A1 (ja) | 鉛フリーはんだ合金 | |
KR100678803B1 (ko) | 납 프리 땜납 합금과, 그것을 이용한 땜납 재료 및 땜납접합부 | |
JP2016215277A (ja) | はんだ合金およびそれを用いた実装構造体 | |
JP6688417B2 (ja) | はんだ接合方法 | |
JP2008130697A (ja) | はんだ接合構造、及びはんだ接合構造の製造方法 | |
WO2016185674A1 (ja) | はんだ合金およびそれを用いた実装構造体 | |
EP3707286B1 (en) | High reliability lead-free solder alloy for electronic applications in extreme environments | |
JP4979120B2 (ja) | 鉛フリー半田合金 | |
JP2022026896A (ja) | はんだ合金および成形はんだ | |
JP2008093701A (ja) | はんだ合金 | |
WO2016157971A1 (ja) | はんだペースト | |
JPH1177369A (ja) | 電子部品用はんだ合金およびそれを用いた接合方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2018518744 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 18772247 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 18772247 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |