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WO2018163984A1 - 液晶セル、及び液晶表示装置 - Google Patents

液晶セル、及び液晶表示装置 Download PDF

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WO2018163984A1
WO2018163984A1 PCT/JP2018/007952 JP2018007952W WO2018163984A1 WO 2018163984 A1 WO2018163984 A1 WO 2018163984A1 JP 2018007952 W JP2018007952 W JP 2018007952W WO 2018163984 A1 WO2018163984 A1 WO 2018163984A1
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liquid crystal
crystal cell
alignment film
cell according
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Application number
PCT/JP2018/007952
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English (en)
French (fr)
Inventor
真伸 水崎
智徳 伊藤
佐藤　孝
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/09—Function characteristic transflective

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal cell and a liquid crystal display device.
  • the liquid crystal display device includes a liquid crystal panel as a display unit for displaying information such as images.
  • the liquid crystal panel has a configuration in which a liquid crystal layer is sealed between a pair of substrates arranged opposite to each other, the orientation of the liquid crystal compound in the liquid crystal layer is controlled by an electric field applied to the liquid crystal layer, and the liquid crystal layer is The amount of light passing through is controlled.
  • liquid crystal display devices are roughly classified into three types, “transmission type”, “reflection type”, and “semi-transmission type”, depending on the method of supplying light to the liquid crystal panel.
  • the transmission type is a system in which light is supplied from a light source (backlight) installed on the back side of the liquid crystal panel, and display is performed using light transmitted through the liquid crystal panel.
  • the reflection type is a method in which display is performed using external light such as natural light reflected by an electrode (reflection electrode) in the liquid crystal panel.
  • the transflective type is a method in which a transmissive type and a reflective type are combined (see, for example, Patent Document 1).
  • the reflective and transflective liquid crystal display devices include a reflective electrode made of a film-like conductive material such as aluminum (Al) or silver (Ag) in the liquid crystal panel.
  • the reflective electrode is made of a film-like conductive material such as aluminum (Al) or silver (Ag), and is formed on the inner surface on the liquid crystal layer side of one substrate of the liquid crystal panel.
  • Some of the reflective electrodes of this type have a micro-reflective structure (hereinafter referred to as MRS structure) in which a large number of irregularities are formed on the surface of the reflective electrode for the purpose of improving the viewing angle.
  • the MRS structure reflective electrode is formed so as to cover an interlayer insulating layer formed on a transparent substrate (for example, a glass substrate) constituting the substrate.
  • the surface of the interlayer insulating layer has a large number of irregularities formed using photolithography technology, and a reflective electrode having a large number of irregularities formed on the surface following the irregularities is formed on the interlayer insulating layer. Is formed.
  • the interlayer insulating layer is mainly composed of a positive photoresist material containing a polymer, a photoacid generator, a photosensitizer, and the like, and naphthoquinone diazide (hereinafter, NQD) is used as the photosensitizer.
  • NQD naphthoquinone diazide
  • An alignment film made of an organic material such as polyimide is laminated on the surface of the reflective electrode.
  • the reflective electrode In a liquid crystal display device provided with a reflective electrode having an MRS structure, the reflective electrode is in direct contact with an interlayer insulating layer made of an organic material or an alignment film. Therefore, the material (for example, Al, Ag) constituting the reflective electrode can easily become ions (Al 3+ or the like) when it comes into contact with moisture. Further, as described above, NQD is contained in the interlayer insulating layer, and when the NQD is irradiated with light, NQD (a-1) is converted into compound (a) by the reaction shown in FIG. -2), the carboxylic acid compound (a-3) is formed.
  • the carboxylic acid compound (a-3) is eliminated by reacting with, for example, an epoxy compound previously contained in a liquid crystal layer, an alignment film or the like. However, the carboxylic acid compound (a-3) remaining without reacting with the epoxy compound moves from the inside of the interlayer insulating layer, passes through the reflective electrode, and elutes into the alignment film or the liquid crystal layer. There is something.
  • ions (Al 3+ and the like) generated from the reflective electrode are also eluted in the alignment film or the liquid crystal layer. Then, the ions generated from the reflective electrode and the carboxyl group of the carboxylic acid compound (a-3) are represented by the redox represented by the formulas (B-1) to (B-4) as shown in FIG. A radical is generated from the carboxyl group by the reaction.
  • the carboxylic acid compound in the radical state becomes an impurity by passing through the alignment film and further eluting to the alignment film surface or the liquid crystal layer.
  • Negative type liquid crystal molecules contain more polar atoms such as oxygen atoms (O), fluorine atoms (F), chlorine atoms (Cl), etc. than positive types, and oxygen in the same molecule.
  • An alkoxyl group having an atom and a fluorine atom (F) may be contained, and the polarity of the liquid crystal molecule is higher than that of the positive liquid crystal molecule. Therefore, negative liquid crystal molecules easily take in highly polar moisture.
  • An object of the present invention is to provide a liquid crystal cell and a liquid crystal display device in which a decrease in voltage holding ratio and an increase in residual DC are suppressed.
  • a liquid crystal cell according to the present invention is a liquid crystal cell comprising a pair of substrates facing each other and having an alignment film on each facing surface, and a liquid crystal layer interposed between the substrates, wherein the alignment film comprises:
  • a liquid crystal cell comprising a polymer for alignment films having a hydrazide functional group represented by the chemical formula (1).
  • the main chain of the alignment film polymer is at least one selected from the group consisting of polyamic acid, polyimide, polysiloxane, polyacryl, polymethacryl, and polyvinyl, and the hydrazide functional group is It may be connected to the main chain.
  • the main chain of the alignment film polymer is preferably made of polyamic acid and / or polyimide.
  • the alignment film polymer may have a photoreactive functional group.
  • the photoreactive functional group may be at least one selected from the group consisting of a cinnamate group, a chalcone group, a coumarin group, an azobenzene group, and a tolan group.
  • the alignment film polymer may be a polyamic acid represented by the following chemical formula (2) or an imide thereof.
  • p is an arbitrary natural number
  • m is a value of 0.001 or more and 0.1 or less.
  • X represents the following chemical formulas (3-1) to (3-12).
  • Y in the formula has a structure represented by the following chemical formulas (4-1) to (4-17), and Z in the formula has the following chemical formulas (5-1) to ( 5-8).
  • the liquid crystal layer may contain a liquid crystal material having negative dielectric anisotropy.
  • a dielectric anisotropy ( ⁇ ) of the liquid crystal material may be ⁇ 5.0 or less.
  • At least one of the pair of substrates has an electrode made of at least one selected from the group consisting of Al, Ag, Zn, Cu, and alloys thereof. Also good.
  • the electrode may be formed on an insulating layer.
  • the insulating layer may include a positive type photoresist material.
  • the electrode may have a minute reflection structure having a large number of irregularities formed on the surface.
  • the liquid crystal cell may be a reflective liquid crystal cell or a transflective liquid crystal cell.
  • the display mode of the liquid crystal cell may be any of VA-TN mode, VA-ECB mode, IPS mode, and FFS mode.
  • a liquid crystal display device comprises any one of the liquid crystal cells described above.
  • Explanatory drawing which shows reaction in which carboxylic acid compound is formed from naphthoquinone diazide by light irradiation
  • Explanatory drawing showing the redox reaction between ions generated from the reflective electrode and the carboxylic acid compound
  • Explanatory drawing which represented typically the structure of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 1 of this invention.
  • Explanatory drawing which represented typically the structure of the liquid crystal display device which concerns on Embodiment 2 of this invention.
  • Explanatory drawing which shows the first half part of the synthesis example of the diamine monomer which has a hydrazide type functional group
  • Explanatory drawing which shows the latter half part of the synthesis example of the diamine monomer which has a hydrazide functional group
  • FIG. 3 is an explanatory view schematically showing the configuration of the liquid crystal display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the liquid crystal display device 1A of Embodiment 1 is a reflective liquid crystal display device that displays an image on a display surface using external light such as natural light or illumination.
  • the liquid crystal display device 1A mainly includes a panel-like liquid crystal cell 10A.
  • the liquid crystal display device 1A includes a polarizing plate, a retardation plate, and the like laminated on the liquid crystal cell 10A.
  • the liquid crystal cell 10 ⁇ / b> A includes a pair of substrates 11, 12 that face each other and have alignment films 11 a, 12 a on opposite surfaces, and a liquid crystal layer LC interposed between the substrates 11, 12.
  • a sealing material (not shown) is interposed between the substrates 11 and 12 so as to surround the liquid crystal layer LC. Further, a spacer is interposed between the substrates 11 and 12.
  • One of the pair of substrates 11 and 12 is a pixel electrode substrate (array substrate) 11 and the other substrate is a counter substrate 12.
  • the pixel electrode substrate (array substrate) 11 is formed by forming a thin film transistor (TFT) 15, a reflective pixel electrode 17, etc. on a transparent support substrate (for example, glass) 13.
  • An alignment film 11a is formed on the opposing surface (opposing surface).
  • the reflective pixel electrode 17 has a minute reflective structure (MRS structure) M, and a large number of fine irregularities are formed on the surface of the reflective pixel electrode 17 for the purpose of improving the viewing angle.
  • the alignment film 11a is formed on the reflective pixel electrode 17 so as to cover the surface on which many irregularities are formed.
  • a thin film transistor 15 used as a switching element is disposed at a predetermined position on the support substrate 13.
  • An interlayer insulating layer 16 is formed on the support substrate 13 so as to cover the thin film transistor 15.
  • the interlayer insulating layer 16 is mainly composed of a positive type photoresist material containing a polymer, a photoacid generator, a photosensitizer, and the like, and is formed on the surface of the interlayer insulating layer 16 by using a photolithography technique. Many fine irregularities are arranged. Naphthoquinonediazide (NQD) is used as a photosensitive agent for the interlayer insulating layer 16.
  • NQD Naphthoquinonediazide
  • the reflective pixel electrode 17 is formed on the interlayer insulating layer 16 having irregularities on the surface by using a known film forming technique. Since the reflective pixel electrode 17 is formed on the interlayer insulating layer 16 so as to follow the irregularities on the surface, a large number of fine irregularities are also formed on the surface of the reflective pixel electrode 17. Examples of the material constituting the reflective pixel electrode 17 include at least one selected from the group consisting of Al, Ag, Zn, Cu, and alloys thereof.
  • the alignment film 11a is formed by subjecting a film made of a polymer for an alignment film such as polyamic acid having a hydrazide functional group to an alignment process such as a rubbing process or a photo-alignment process.
  • an alignment film 11a various alignment films such as a vertical alignment film, a horizontal alignment film, and a photo alignment film are appropriately selected and used according to the purpose.
  • the counter substrate 12 is formed by forming a color filter (CF) 18 or the like on a transparent support substrate (for example, made of glass) 14, and is on a surface (opposite surface) facing the other pixel electrode substrate 11.
  • An alignment film 12a is formed.
  • a layered color filter 18 is formed on the support substrate 14 of the counter substrate 12, and a common electrode (counter electrode) 19 is formed so as to cover the color filter 18.
  • the alignment film 12 a is formed on the common electrode 19 so as to cover the common electrode 19.
  • the alignment film 12a is formed by subjecting a film made of a polymer for an alignment film such as polyamic acid having a hydrazide functional group to an alignment process such as a rubbing process or a photo-alignment process. Details of the alignment film 11a and the alignment film 12a will be described later.
  • liquid crystal layer LC for example, nematic liquid crystal, smectic liquid crystal, or the like can be used.
  • a nematic liquid crystal having positive dielectric anisotropy positive liquid crystal
  • biphenyl liquid crystal, phenyl cyclohexane liquid crystal, ester liquid crystal, Phenyl liquid crystals, biphenylcyclohexane liquid crystals, pyrimidine liquid crystals, dioxane liquid crystals, bicyclooctane liquid crystals, cubane liquid crystals, and the like are used.
  • a chiral agent, a ferroelectric liquid crystal, or the like may be further added to these liquid crystals.
  • a nematic type liquid crystal having negative dielectric anisotropy (negative type liquid crystal) is preferable.
  • (di) fluorine type liquid crystal, dicyanobenzene type A liquid crystal, a pyridazine liquid crystal, a Schiff base liquid crystal, an azoxy liquid crystal, a biphenyl liquid crystal, a phenylcyclohexane liquid crystal, or the like is used.
  • the liquid crystal material used for the liquid crystal layer LC is appropriately selected so as to have a desired dielectric anisotropy ( ⁇ ).
  • the display mode of the liquid crystal cell 10A is appropriately selected according to the purpose.
  • a display mode of the liquid crystal cell 10A for example, a VA (or VA-TN: Vertical Aligned Twisted Nematic) mode in which liquid crystal molecules have a twist structure by using vertical alignment films whose alignment treatment directions are orthogonal to each other on the substrates,
  • a VA mode or VA-ECB: Vertical Aligned Birefringence
  • IPS In-Plane Switching
  • FFS Frringe
  • the light L1 incident on the liquid crystal cell 10A from the outside is efficiently reflected by the reflective pixel electrode 17 having the minute reflection structure M, and the reflected light L2 is emitted.
  • FIG. 4 is an explanatory view schematically showing the configuration of the liquid crystal display device 1B according to the second embodiment of the present invention.
  • the liquid crystal display device 1B of Embodiment 2 is a transflective liquid crystal display device, and displays an image on the display surface using light from the backlight device BL, which is an external light source, while using external light.
  • the liquid crystal display device 1B mainly includes a panel-like liquid crystal cell 10B and a backlight device BL that is disposed on the back side of the liquid crystal cell 10B and supplies light to the liquid crystal cell 10B.
  • the liquid crystal display device 1B includes a polarizing plate, a retardation plate, and the like laminated on the liquid crystal cell 10B.
  • the liquid crystal cell 10 ⁇ / b> B includes a pair of substrates 21 and 22 that face each other and have alignment films 21 a and 22 a on their opposing surfaces, and a liquid crystal layer LC that is interposed between the substrates 21 and 22.
  • a sealing material (not shown) is interposed between the substrates 21 and 22 so as to surround the liquid crystal layer LC.
  • a spacer is interposed between the substrates 21 and 22.
  • One of the pair of substrates 21 and 22 is a pixel electrode substrate (array substrate) 21, and the other substrate is a counter substrate 22.
  • the pixel electrode substrate (array substrate) 21 is formed by forming a thin film transistor (TFT) 25, a reflective pixel electrode 27, and the like on a transparent support substrate (for example, glass) 23.
  • An alignment film 21a is formed on the opposing surface (opposing surface).
  • the reflective pixel electrode 27 has a minute reflective structure (MRS structure) M, and a large number of fine irregularities are formed on the surface of the reflective pixel electrode 27 for the purpose of improving the viewing angle.
  • the alignment film 21a is formed on the reflective pixel electrode 27 so as to cover the surface on which a large number of irregularities are formed.
  • a thin film transistor 25 used as a switching element is disposed at a predetermined position on the support substrate 23.
  • An interlayer insulating layer 26 is formed on the support substrate 23 so as to cover the thin film transistor 25.
  • the interlayer insulating layer 26 is mainly composed of a positive photoresist material containing a polymer, a photoacid generator, a photosensitizer, and the like.
  • the surface of the interlayer insulating layer 26 has a photolithography technique. Numerous fine irregularities formed by using the are arranged. Naphthoquinonediazide (NQD) is used as a photosensitive agent for the interlayer insulating layer 26.
  • NQD Naphthoquinonediazide
  • the reflective pixel electrode 27 is formed on the interlayer insulating layer 26 having irregularities on the surface by using a known film forming technique as in the first embodiment. Since the reflective pixel electrode 27 is formed on the interlayer insulating layer 26 so as to follow the irregularities on the surface, many fine irregularities are also formed on the surface of the reflective pixel electrode 27.
  • the material constituting the reflective pixel electrode 27 is the same as that of the first embodiment.
  • an opening 30 is partially formed through the reflective pixel electrode 27.
  • a transparent pixel electrode 31 made of a transparent conductive material (ITO, IZO, etc.) is formed in the opening 30.
  • the transmissive pixel electrode 31 is formed on the support substrate 23.
  • a part of the alignment film 21 a is formed so as to cover the transmissive pixel electrode 31.
  • the alignment film 21a is formed by subjecting a film made of a polymer for an alignment film such as polyamic acid having a hydrazide functional group to an alignment process such as a rubbing process or a photo-alignment process.
  • the counter substrate 22 is formed by forming a color filter (CF) 28 or the like on a transparent support substrate (for example, made of glass) 24, and is on a surface (opposite surface) facing the other pixel electrode substrate 21.
  • An alignment film 22a is formed.
  • a layered color filter 28 is formed on the support substrate 24 of the counter substrate 22, and a common electrode (counter electrode) 29 is formed so as to cover the color filter 28.
  • the alignment film 22 a is formed on the common electrode 29 so as to cover the common electrode 29.
  • the common electrode 29 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO.
  • the alignment film 22a is formed by subjecting a film made of a polymer for an alignment film such as polyamic acid having a hydrazide functional group to an alignment process such as a rubbing process or a photo-alignment process. Details of the alignment film 21a and the alignment film 22a will be described later.
  • liquid crystal layer LC For the liquid crystal layer LC, the same kind of liquid crystal material as in Embodiment 1 can be used.
  • the liquid crystal material used for the liquid crystal layer LC is appropriately selected so as to have a desired dielectric anisotropy ( ⁇ ).
  • the display mode of the liquid crystal cell 10B is appropriately selected from known modes according to the purpose.
  • the light L3 incident on the liquid crystal cell 10B from the outside is efficiently reflected by the reflective pixel electrode 27 having the minute reflection structure M, and the reflected light L4 is emitted.
  • the light L5 supplied from the backlight device BL toward the liquid crystal cell 10B enters the liquid crystal cell 10B from the back side and passes through the transmissive pixel electrode 31 in the opening 30 while facing the liquid crystal layer LC. The light passes through the substrate 22 and is emitted from the display surface side.
  • the interlayer insulating layers 16 and 26 containing naphthoquinonediazide (NQD) as a photosensitive agent are formed below the reflective pixel electrodes 17 and 27.
  • alignment films 11a and 21a are formed on the reflective pixel electrodes 17 and 27, respectively.
  • the alignment film 11a and the like include a polymer for alignment film having a hydrazide functional group, and the hydrazide functional group is generated from ions (for example, aluminum ions, A silver ion) forms a complex and suppresses the redox reaction shown in FIG.
  • the alignment film contains a polymer for alignment film having a hydrazide functional group represented by the following chemical formula (1).
  • the polymer for alignment films When the polymer for alignment films has such a hydrazide functional group, it forms a complex with ions (for example, aluminum ions and silver ions) generated from the reflective pixel electrode, and the redox as shown in FIG. The reaction can be suppressed.
  • ions for example, aluminum ions and silver ions
  • the main chain of the alignment film polymer is at least one selected from the group consisting of polyamic acid, polyimide, polysiloxane, polyacryl, polymethacryl, and polyvinyl, and the hydrazide functional group is connected to the main chain.
  • the hydrazide functional group is introduced not into the main chain but into the side chain connected to the main chain (including the cross-linked moiety connecting the main chains), so that the hydrazide functional group forms a complex with aluminum ions, etc. easy.
  • the main chain of the alignment film polymer is preferably made of polyamic acid and / or polyimide.
  • polyamic acid and / or polyimide may be either polyamic acid or polyimide, or both polyamic acid and polyimide.
  • the alignment film polymer may contain a photoreactive functional group that undergoes a reaction (for example, photoisomerization reaction) upon receiving predetermined light (polarized ultraviolet light or the like) during photo-alignment treatment, and changes its structure.
  • a reaction for example, photoisomerization reaction
  • predetermined light polarized ultraviolet light or the like
  • the photoreactive functional group may be introduced into the main chain of the alignment film polymer, or may be introduced as a side chain connected to the main chain of the alignment film polymer.
  • Examples of the photoreactive functional group include a cinnamate group, a chalcone group, a coumarin group, an azobenzene group, and a tolan group.
  • the photoreactive functional group may be at least one selected from the group consisting of a cinnamate group, a chalcone group, a coumarin group, an azobenzene group, and a tolan group.
  • Polyamic acid I As the alignment film polymer, for example, a polyamic acid represented by the following chemical formula (2) can be used.
  • p degree of polymerization
  • m is a value from 0.001 to 0.1, and more preferably from 0.01 to 0.05.
  • the value of m is in such a range, the effect of introducing a hydrazide functional group (complex formation with ions) can be obtained while suppressing an increase in viscosity.
  • the value of m becomes larger than 0.1, the viscosity of the alignment film polymer increases, and film formation becomes difficult.
  • X in the above formula (2) has a structure represented by the following chemical formulas (3-1) to (3-12) when the alignment film is a horizontal alignment film or a vertical alignment film.
  • X in the above formula (2) is represented by the following chemical formulas (3-13) to (3-16) when the alignment film is a photo-alignment film (horizontal photo-alignment film or vertical photo-alignment film). It consists of a structure.
  • Y in the above formula (2) has a structure represented by the following chemical formulas (4-1) to (4-17) when the alignment film is a horizontal alignment film or a vertical alignment film.
  • Y in the above formula (2) is represented by the following chemical formulas (4-18) to (4-25) when the alignment film is a photo-alignment film (horizontal photo-alignment film or vertical photo-alignment film). It consists of a structure.
  • the structures represented by the following chemical formulas (4-18) to (4-25) can be used as Y in the above formula (2) even when the alignment film is a horizontal alignment film or a vertical alignment film. it can.
  • Z in the above formula (2) has a structure represented by the following chemical formulas (5-1) to (5-8) when the alignment film is a horizontal alignment film.
  • Z in the above formula (2) has a structure represented by the following chemical formulas (5-9) to (5-15) when the alignment film is a vertical alignment film.
  • the symbol “*” shown in chemical formulas (5-9) to (5-15) represents a bond.
  • Z in the above formula (2) has a structure represented by the following chemical formula (5-16) and chemical formula (5-17) when the alignment film is a horizontal light alignment film.
  • Z in the above formula (2) has a structure represented by the following chemical formulas (5-18) to (5-38) when the alignment film is a vertical photo alignment film.
  • the alignment film polymer comprising the polyamic acid represented by the chemical formula (2) may be imidized as appropriate, and for example, a polyimide represented by the following chemical formula (6) may be used as the alignment film polymer.
  • a polyimide represented by the following chemical formula (6) may be used as the alignment film polymer.
  • the conditions of X, Y, Z, p, and m in the following chemical formula (6) are the same as those in the chemical formula (2).
  • the monomer unit in the above formula (7) has Y or Y ′.
  • the structure Y is the same as that in the chemical formula (2) (that is, represented by the chemical formula (4-1) to the chemical formula (4-25)). Any structure).
  • the structure Z is included as a side chain.
  • the structure Z is the same as that in the chemical formula (2) (that is, any structure represented by the chemical formula (5-1) to the chemical formula (5-38)).
  • the monomer unit in the formula (7) includes the structure Y ′
  • a structure having two bonds is applied to the structure Y ′.
  • a specific example of the structure Y ′ will be described later. Note that the structure Y ′ does not include the side chain represented by the structure Z.
  • the introduction rate of structure Y in the above formula (7) is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, but is set to, for example, 0.1 to 0.4 (10 to 40%). .
  • the alignment film polymer composed of the polyamic acid represented by the chemical formula (7) may be imidized as appropriate and used as the alignment film polymer composed of polyimide.
  • the alignment film polymer composed of the polyamic acid represented by the chemical formula (8) may be appropriately imidized and used as the alignment film polymer composed of polyimide.
  • p degree of polymerization
  • m and r are both 0 or more and less than 1 (0 ⁇ m ⁇ 1, 0 ⁇ r ⁇ 1), and m + r ⁇ 1.
  • X ′ represents a substituent such as an alkoxy group such as hydrogen (—H), a hydroxyl group (—OH), a methoxy group (—OCH 3 ), an ethoxy group (—OC 2 H 5 ), etc. Consists of.
  • Z ′ in the above formula (9) is the same as Z in the above chemical formula (2) (that is, any structure represented by the chemical formula (5-1) to the chemical formula (5-38)), Alternatively, it has a structure represented by the following chemical formula (10-1) and chemical formula (10-2).
  • a polymer having no hydrazide functional group may be used in combination with the polymer having the hydrazide functional group as described above.
  • a plurality of polymers having a hydrazide functional group may be used in combination.
  • the polymer for alignment film is appropriately dissolved in an organic solvent and prepared as an alignment agent for alignment film.
  • substrate For example, well-known methods, such as a spin coater, are applied.
  • the coating film made of the aligning agent is baked in two stages of pre-baking and main baking.
  • the coating film made of the aligning agent is subjected to a heat treatment, for example, at 80 ° C. for 2 minutes by temporary baking to remove the organic solvent or the like in the coating film.
  • the main calcination is performed for the purpose of imidizing polyamic acid, minimizing the conformation of the polymer chain in the photo-alignment film, and the like.
  • heating is performed at a temperature (for example, 200 ° C.) higher than that of the preliminary firing for a longer time (for example, 40 minutes) than the preliminary firing.
  • the alignment treatment for the alignment film may be a rubbing treatment or a photo-alignment treatment in which light such as polarized ultraviolet rays is irradiated from a predetermined angle.
  • An acid anhydride (1 mol) represented by the following chemical formula (11-3) was added to a ⁇ -butyrolactone solution containing a diamine compound (0.05 mol, see FIG. 6) represented by c-6), and the mixture was added at 60 ° C. for 12 hours. By reacting, a polyamic acid having a random structure was obtained.
  • the following treatment was performed.
  • an excess of pyridine (3 mol) and acetic anhydride (3 mol) were added and reacted at 150 ° C. for 3 hours.
  • the obtained polyimide had a weight average molecular weight of 70,000 and a molecular weight distribution of 2.9.
  • the imidation rate was 40% or more.
  • the polyamic acid which has a hydrazide type functional group, and the polyimide were obtained.
  • polyamic acids and polyamides having different introduction ratios of hydrazide functional groups can be obtained by appropriately adjusting the introduction amount (ratio) of the diamine compound (c-6).
  • the thickness of the alignment film is not particularly limited as long as the object of the present invention is not impaired, and is appropriately set.
  • the alignment film including the alignment film polymer having a hydrazide functional group as described above is formed on each substrate of the liquid crystal cell, so that the liquid crystal cell of the present embodiment has a reduced voltage holding ratio and a residual voltage.
  • An increase in DC is suppressed. This is because a complex is formed between a hydrazide-based functional group introduced into the alignment film and ions (aluminum ions, etc.) generated from electrodes such as reflective pixel electrodes, and as a result, as shown in FIG. This is because the redox reaction is suppressed.
  • the common electrode is formed on the counter substrate of the liquid crystal cell.
  • the present invention is not limited to this.
  • the common electrode is formed on the pixel electrode substrate side. It may be a configuration.
  • P (degree of polymerization) in formula (7) is an arbitrary natural number.
  • X in the formula (7) is a structure represented by the following chemical formula (3-5).
  • the structure Y has a structure represented by the following chemical formula (4-1) and includes the structure Z as a side chain.
  • the structure Z is a structure represented by the following chemical formula (5-9).
  • the structure Y ′ has a structure represented by the following chemical formula (12-1). Note that the structure Y ′ does not include the side chain represented by the structure Z.
  • the coating film on each substrate was heated at 80 ° C. for 2 minutes to perform a pre-baking treatment, followed by heating at 200 ° C. for 40 minutes to perform the main baking treatment. Thereafter, each coating film was rubbed and each coating film was washed with water to form an alignment film on each substrate.
  • an uncured ODF sealant was drawn in a frame shape on the alignment film of the pixel electrode substrate using a dispenser.
  • a sealing material the thing provided with ultraviolet curable and thermosetting was utilized.
  • the pixel electrode substrate and the counter substrate were bonded to each other, T NI of liquid crystal material (nematic - isotropic phase transition temperature) or higher temperatures in the heating for 30 minutes (annealing) that by performing re-alignment treatment to the alignment film
  • T NI liquid crystal material
  • annealing annealing
  • a reflective vertical alignment liquid crystal cell of Example 2 was produced in the same manner as Comparative Example 1 except that the alignment agent was used.
  • the voltage holding ratio was measured using a 6254 type VHR measuring system (manufactured by Toyo Technica Co., Ltd.) under the conditions of 1V and 70 ° C.
  • the residual DC voltage (V) was measured by flicker erasing after applying a DC offset voltage of 2 V to the liquid crystal cell for 2 hours. The results are shown in Table 1.
  • the value of m in the chemical formula (7) can be appropriately adjusted in the range of 0 to 0.1 (10% introduction) according to the alignment state of the liquid crystal.
  • m is larger than 0.1 (if the amount introduced is larger than 10%), the viscosity becomes too high due to the influence of cross-linking between polymer molecules, so that film formation becomes difficult.
  • P (degree of polymerization) in formula (8) is an arbitrary natural number.
  • X in the formula (8) is a structure represented by the following chemical formula (3-5).
  • Y ′ in the formula (8) has a structure represented by the following chemical formula (12-1).
  • the coating film on each substrate was heated at 80 ° C. for 2 minutes to perform a pre-baking treatment, followed by heating at 200 ° C. for 40 minutes to perform the main baking treatment. Thereafter, each coating film was rubbed, and each coating film was washed with isopropyl alcohol (IPA) to form an alignment film on each substrate.
  • IPA isopropyl alcohol
  • an uncured ODF sealing material was drawn in a frame shape using a dispenser on the alignment film of one substrate (pixel electrode substrate).
  • a sealing material the thing provided with ultraviolet curable and thermosetting was utilized.
  • T NI of liquid crystal material nematic - isotropic phase transition temperature
  • annealing annealing
  • a reflective FFS mode liquid crystal cell of Example 5 was produced in the same manner as Comparative Example 2 except that the alignment agent was used.
  • the value of m in the chemical formula (8) can be appropriately adjusted in the range of 0 to 0.1 (10% introduction) according to the alignment state of the liquid crystal.
  • m is larger than 0.1 (if the amount introduced is larger than 10%), the viscosity becomes too high due to the influence of cross-linking between polymer molecules, so that film formation becomes difficult.
  • P in the formula (2) is an arbitrary natural number.
  • X in the formula (2) has a structure represented by the following chemical formula (3-5).
  • Y in the formula (2) has a structure represented by the following chemical formula (4-17), and Z in the formula (2) has a structure represented by the following chemical formula (5-38).
  • each coating film on each substrate was heated at 80 ° C. for 2 minutes to perform a pre-baking treatment, and subsequently heated at 200 ° C. for 40 minutes to perform the main baking treatment. Thereafter, each coating film was subjected to a photo-alignment treatment by irradiating polarized ultraviolet rays at 20 mJ / cm 2 from a direction inclined by 40 ° from the normal direction of the substrate.
  • an uncured ODF sealant was drawn in a frame shape on the alignment film of the pixel electrode substrate using a dispenser.
  • a sealing material the thing provided with ultraviolet curable and thermosetting was utilized.
  • the pixel electrode substrate and the counter substrate were bonded to each other, T NI of liquid crystal material (nematic - isotropic phase transition temperature) or higher temperatures in the heating for 30 minutes (annealing) that by performing re-alignment treatment to the alignment film
  • T NI liquid crystal material
  • annealing annealing
  • the value of m in the chemical formula (2) can be appropriately adjusted in the range of 0 to 0.1 (10% introduction) according to the alignment state of the liquid crystal.
  • m is larger than 0.1 (if the amount introduced is larger than 10%), the viscosity becomes too high due to the influence of cross-linking between polymer molecules, so that film formation becomes difficult.
  • Examples 9 to 10 tend to have a larger rDC value as a whole than Examples 1 to 8 described above. This is presumably because the vertical photo-alignment films of Examples 9 to 10 have the property of easily capturing impurities having a charge such as ionicity (radical) on the alignment film surface.
  • p degree of polymerization
  • r is a value of 0 or more and less than 1 (0 ⁇ r ⁇ 1)
  • Z in the formula (9) has a structure represented by the following chemical formula (10-1) or (10-2).
  • X ′ in the formula (9) consists of a methoxy group (CH 3 O—).
  • the polysiloxane prepared in Synthesis Example 16 and a polyamic acid containing no hydrazide-based functional group mixed at a predetermined ratio and an organic solvent are mixed to obtain an alignment agent for a vertical alignment film.
  • the said orientation agent was apply
  • a coating film was formed on the pixel electrode substrate so as to cover the reflective pixel electrode, and a coating film was formed on the counter substrate so as to cover the common electrode.
  • each coating film on each substrate was heated at 80 ° C. for 2 minutes to perform a preliminary baking treatment, and subsequently heated at 230 ° C. for 40 minutes to perform a main baking treatment. Thereafter, each coating film was subjected to a photo-alignment treatment by irradiating polarized ultraviolet rays at 20 mJ / cm 2 from a direction inclined by 40 ° from the normal direction of the substrate.
  • an uncured ODF sealant was drawn in a frame shape on the alignment film of the pixel electrode substrate using a dispenser.
  • a sealing material the thing provided with ultraviolet curable and thermosetting was utilized.
  • the pixel electrode substrate and the counter substrate were bonded to each other, T NI of liquid crystal material (nematic - isotropic phase transition temperature) or higher temperatures in the heating for 30 minutes (annealing) that by performing re-alignment treatment to the alignment film
  • T NI liquid crystal material
  • annealing annealing
  • the value of m in the chemical formula (9) can be appropriately adjusted in the range of 0 to 0.1 (10% introduction) according to the alignment state of the liquid crystal.
  • m is larger than 0.1 (if the amount introduced is larger than 10%), the viscosity becomes too high due to the influence of cross-linking between polymer molecules, so that film formation becomes difficult.
  • Examples 13 to 16 tend to have a higher VHR and a smaller rDC as compared with Examples 9 to 12 described above. This is presumably because the polysiloxane type vertical photo-alignment films of Examples 13 to 16 have a property that it is difficult to trap impurities having a charge such as ionicity (radical).
  • SYMBOLS 1A Liquid crystal display device (reflection type), 10A ... Liquid crystal cell, 11 ... Pixel electrode substrate, 11a ... Alignment film, 12 ... Opposite substrate, 12a ... Alignment film, 13, 14 ... Support substrate, 15 ... Thin film transistor, 16 ... Interlayer Insulating layer, 17 ... reflective pixel electrode, 18 ... color filter, 19 ... common electrode, LC ... liquid crystal layer, M ... minute reflective structure

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Abstract

本発明の液晶セル１０Ａは、互いに向かい合い、かつ各々の対向面に配向膜１１ａ，１２ａを有する一対の基板１１，１２と、基板１１，１２間に介在される液晶層ＬＣとを備える液晶セル１０Ａであって、配向膜１１ａ，１２ａは、下記化学式（１）で示されるヒドラジド系官能基を有する配向膜用重合体を含有することを特徴とする。

Description

液晶セル、及び液晶表示装置
　本発明は、液晶セル、及び液晶表示装置に関する。
　液晶表示装置は、画像等の情報を表示する表示部として液晶パネルを備えている。液晶パネルは、対向配置された一対の基板間に液晶層が封止された構成を備えており、液晶層に印加する電界によって液晶層中の液晶化合物の配向が制御され、そしてその液晶層を通る光の量が制御される。
　また、液晶表示装置は、液晶パネルに光を供給する方式の違いにより、「透過型」、「反射型」、及び「半透過型」の３種類に大別される。透過型は、液晶パネルの背面側に設置した光源（バックライト）から光を供給し、液晶パネルを透過する光を利用して表示を行う方式である。反射型は、自然光等の外部光が液晶パネル内の電極（反射電極）等で反射した光を利用して表示を行う方式である。半透過型は、透過型と反射型とを組み合わせた方式である（例えば、特許文献１参照）。
　これらのうち、反射型及び半透過型の液晶表示装置は、液晶パネル内に、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の膜状の導電材料からなる反射電極を備えている。反射電極は、アルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）等の膜状の導電材料からなり、液晶パネルの一方の基板における液晶層側の内面上に形成されている。また、この種の反射電極の中には、視野角向上等を目的として反射電極の表面に多数の凹凸を形成した微小反射構造（Micro Reflective Structure）（以下、ＭＲＳ構造）を有するものもある。
　ＭＲＳ構造の反射電極は、前記基板を構成する透明基板（例えば、ガラス基板）上に形成された層間絶縁層を覆うように形成されている。層間絶縁層の表面には、フォトリソグラフィー技術を利用して形成された多数の凹凸が存在しており、その凹凸に倣う形で表面に多数の凹凸が形成された反射電極が層間絶縁層上に形成されている。層間絶縁層は、主として、重合体、光酸発生剤、感光剤等を含むポジ型のフォトレジスト材料から構成され、前記感光剤としては、ナフトキノンジアジド（以下、ＮＱＤ）が用いられている。なお、反射電極の表面上には、ポリイミド等の有機材料からなる配向膜が積層されている。
国際公開第２０１１／１５８６７１号
（発明が解決しようとする課題）
　ＭＲＳ構造の反射電極を備えた液晶表示装置では、反射電極が有機材料で構成された層間絶縁層、若しくは配向膜と直に接触している箇所がある。そのため、反射電極を構成する材料（例えば、Ａｌ，Ａｇ）が水分に接触することで容易にイオン（Ａｌ３＋等）になり得る。また、上記のように、層間絶縁層の内部にはＮＱＤが含まれており、そのＮＱＤに光が照射されると、図１に示される反応により、ＮＱＤ（ａ－１）は、化合物（ａ－２）を経て、カルボン酸化合物（ａ－３）が形成される。カルボン酸化合物（ａ－３）は、例えば、液晶層や配向膜等に予め含ませておいたエポキシ化合物と反応させて消失させている。ただし、エポキシ化合物と反応せずに残存したカルボン酸化合物（ａ－３）の中には、層間絶縁層の内部から移動して反射電極を通過し、そして配向膜中又は液晶層中に溶出するものがある。また、反射電極から生じたイオン（Ａｌ３＋等）も、配向膜中又は液晶層中に溶出することになる。すると、反射電極から発生したイオンと、カルボン酸化合物（ａ－３）のカルボキシル基とが、図２に示されるように、式（Ｂ－１）～式（Ｂ－４）で表されるレドックス反応により、カルボキシル基からラジカルが発生する。
　ラジカル状態のカルボン酸化合物は、液晶表示装置を長期間に亘って使用した場合、配向膜の内部を通過して、更に配向膜表面若しくは液晶層に溶出することで不純物となり、その不純物が、電圧保持率の低下に由来するフリッカや、残留ＤＣの増加に由来する焼き付きを引き起こすことが問題となっていた。
　特に、ネガ型の液晶材料は、ポジ型の液晶材料と比べて水分を多く取り込み易く、上記レドックス反応に由来するラジカル物質の溶出が起こり易い。ネガ型の液晶分子の中には、酸素原子（Ｏ）、フッ素原子（Ｆ）、塩素原子（Ｃｌ）等の極性の高い原子がポジ型よりも多く含まれており、かつ同一分子内に酸素原子を有するアルコキシル基とフッ素原子（Ｆ）とが含まれることもあり、液晶分子の極性が、ポジ型の液晶分子と比べて高くなる。そのため、ネガ型の液晶分子は、極性の高い水分を取り込み易い。
　本発明の目的は、電圧保持率の低下、及び残留ＤＣの増加が抑制された液晶セル及び液晶表示装置を提供することである。
（課題を解決するための手段）
　本発明に係る液晶セルは、互いに向かい合い、かつ各々の対向面に配向膜を有する一対の基板と、前記基板間に介在される液晶層とを備える液晶セルであって、前記配向膜は、下記化学式（１）で示されるヒドラジド系官能基を有する配向膜用重合体を含有することを特徴とする液晶セル。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　前記液晶セルにおいて、前記配向膜用重合体の主鎖は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリアクリル、ポリメタクリル、及びポリビニルからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、前記ヒドラジド系官能基が前記主鎖に接続されてもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記配向膜用重合体の主鎖は、ポリアミック酸、及び／又はポリイミドからなることが好ましい。
　前記液晶セルにおいて、前記配向膜用重合体は、光反応性官能基を有するものであってもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記光反応性官能基は、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、アゾベンゼン基、及びトラン基からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記配向膜用重合体は、下記化学式（２）で示されるポリアミック酸、又はそのイミド体であってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
（式中、ｐは、任意の自然数であり、ｍは、０．００１以上０．１以下の値である。また、式中のＸは、下記化学式（３－１）～（３－１２）で表される構造からなり、式中のＹは、下記化学式（４－１）～（４－１７）で表される構造からなり、式中のＺは、下記化学式（５－１）～（５－８）で表される構造からなる。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　前記液晶セルにおいて、前記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶材料を含有するものであってもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記液晶材料の誘電率異方性（Δε）は、－５．０以下であってもよい。
　前記液晶セルにおいて、一対の前記基板のうち、少なくとも一方の基板は、Ａｌ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１種を材料とする電極を有するものであってもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記電極は、絶縁層上に形成されるものであってもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記絶縁層は、ポジ型のフォトレジスト材料を含むものであってもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記電極は、表面に多数の凹凸が形成された微小反射構造を有するものであってもよい。
　前記液晶セルは、反射型液晶セル、又は半透過型液晶セルからなるものであってもよい。
　前記液晶セルにおいて、前記液晶セルの表示モードは、ＶＡ－ＴＮモード、ＶＡ－ＥＣＢモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードの何れかであってもよい。
　また、本発明に係る液晶表示装置は、前記何れかに記載の液晶セルを含むものからなる。
　本発明によれば、電圧保持率の低下、及び残留ＤＣの増加が抑制された液晶セル及び液晶表示装置を提供することができる。
光照射によりナフトキノンジアジドからカルボン酸化合物が形成される反応を示す説明図 反射電極から発生したイオンと、カルボン酸化合物とのレドックス反応を示す説明図 本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の構成を模式的に表した説明図 本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の構成を模式的に表した説明図 ヒドラジド系官能基を有するジアミンモノマーの合成例の前半部分を示す説明図 ヒドラジド系官能基を有するジアミンモノマーの合成例の後半部分を示す説明図
（液晶表示装置：反射型）
　以下、本発明の実施形態１を、図面を参照しつつ説明する。図３は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の構成を模式的に表した説明図である。実施形態１の液晶表示装置１Ａは、自然光や照明等の外部光を利用して表示面に画像を表示させる反射型液晶表示装置である。液晶表示装置１Ａは、主として、パネル状の液晶セル１０Ａを備えている。液晶表示装置１Ａは、液晶セル１０Ａ以外に、液晶セル１０Ａに積層される偏光板、位相差板等を備えている。
（液晶セル）
　液晶セル１０Ａは、互いに向かい合い、かつ各々の対向面に配向膜１１ａ，１２ａを有する一対の基板１１，１２と、それらの基板１１，１２間に介在される液晶層ＬＣとを備えている。基板１１，１２間には、液晶層ＬＣの周りを囲む形でシール材（不図示）が介在されている。また、基板１１，１２間には、スペーサが介在されている。
　一対の基板１１，１２のうち、一方の基板は、画素電極基板（アレイ基板）１１であり、他方の基板は、対向基板１２である。
（画素電極基板）
　画素電極基板（アレイ基板）１１は、透明な支持基板（例えば、ガラス製）１３上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１５、反射型画素電極１７等が形成されたものからなり、他方の対向基板１２と対向する面（対向面）上に、配向膜１１ａが形成されている。反射型画素電極１７は、微小反射構造（ＭＲＳ構造）Ｍを備えており、反射型画素電極１７の表面には、視野角向上等を目的として、多数の微細な凹凸が形成されている。配向膜１１ａは、多数の凹凸が形成された表面を覆う形で、反射型画素電極１７上に形成されている。
　図３に示されるように、支持基板１３上の所定箇所に、スイッチング素子と利用される薄膜トランジスタ１５が配設されている。そして、薄膜トランジスタ１５を覆う形で支持基板１３上に層間絶縁層１６が形成されている。
　層間絶縁層１６は、主として、重合体、光酸発生剤、感光剤等を含むポジ型のフォトレジスト材料から構成され、層間絶縁層１６の表面には、フォトリソグラフィー技術を利用して形成された多数の微細な凹凸が配されている。層間絶縁層１６の感光剤としては、ナフトキノンジアジド（ＮＱＤ）が用いられる。
　反射画素電極１７は、公知の成膜技術を利用して、表面に凹凸を有する層間絶縁層１６上に形成される。反射画素電極１７は、表面の凹凸に倣う形で層間絶縁層１６上に形成されるため、反射画素電極１７の表面にも多数の微細な凹凸が形成される。反射画素電極１７を構成する材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　配向膜１１ａは、後述するように、ヒドラジド系官能基を有するポリアミック酸等の配向膜用重合体からなる膜に、ラビング処理、光配向処理等の配向処理を施したものからなる。配向膜１１ａとしては、目的に応じて、垂直配向膜、水平配向膜、光配向膜等の各種配向膜が適宜、選択されて利用される。
（対向基板）
　対向基板１２は、透明な支持基板（例えば、ガラス製）１４上に、カラーフィルタ（ＣＦ）１８等が形成されたものからなり、他方の画素電極基板１１と対向する面（対向面）上に、配向膜１２ａが形成されている。図３に示されるように、対向基板１２の支持基板１４上には、層状のカラーフィルタ１８が形成されており、そのカラーフィルタ１８を覆う形で共通電極（対向電極）１９が形成されている。配向膜１２ａは、共通電極１９を覆うように共通電極１９上に形成されている。共通電極１９としては、例えば、酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）等の透明導電材料が利用される。
　配向膜１２ａは、上記配向膜１１ａと同様、ヒドラジド系官能基を有するポリアミック酸等の配向膜用重合体からなる膜に、ラビング処理、光配向処理等の配向処理を施したものからなる。なお、配向膜１１ａ及び配向膜１２ａの詳細は、後述する。
（液晶層）
　液晶層ＬＣには、例えば、ネマティック型液晶、スメクティック型液晶等を用いることができる。ＴＮ型液晶セル又はＳＴＮ型液晶セルの場合、ネマティック型液晶のうち正の誘電異方性を有するもの（ポジ型の液晶）が好ましく、例えばビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液晶、エステル系液晶、ターフェニル系液晶、ビフェニルシクロヘキサン系液晶、ピリミジン系液晶、ジオキサン系液晶、ビシクロオクタン系液晶、キュバン系液晶等が用いられる。これら液晶に、カイラル剤、強誘電性液晶等を、更に添加して使用してもよい。
　これに対し、垂直配向型の液晶セルの場合には、ネマティック型液晶のうち負の誘電異方性を有するもの（ネガ型の液晶）が好ましく、例えば、（ジ）フッ素系液晶、ジシアノベンゼン系液晶、ピリダジン系液晶、シッフベース系液晶、アゾキシ系液晶、ビフェニル系液晶、フェニルシクロヘキサン系液晶等が用いられる。
　液晶層ＬＣに使用される液晶材料は、所望の誘電率異方性（Δε）を有するように、適宜、選択される。
（液晶モード）
　液晶セル１０Ａの表示モードは、目的に応じて、適宜、選択される。液晶セル１０Ａの表示モードとしては、例えば、互いの基板で配向処理方向が直交する垂直配向膜を用いることにより、液晶分子がツイスト構造となるＶＡ（又はＶＡ－ＴＮ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、任意のドメインについて、配向方位が互いの基板で反平行となった垂直配向膜を用いるＶＡモ（又はＶＡ－ＥＣＢ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等が挙げられる。
　図３に示されるように、外側から液晶セル１０Ａに入射した光Ｌ１は、微小反射構造Ｍを備えた反射型画素電極１７で効率的に反射されて、反射光Ｌ２が出射される。
（液晶表示装置：半透過型）
　次いで、本発明の実施形態２を、図面を参照しつつ説明する。図４は、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置１Ｂの構成を模式的に表した説明図である。実施形態２の液晶表示装置１Ｂは、半透過型液晶表示装置であり、外部光を利用しつつ、外部光源であるバックライト装置ＢＬからの光を利用して表示面に画像を表示させる。液晶表示装置１Ｂは、上記実施形態１と同様、主として、パネル状の液晶セル１０Ｂと、液晶セル１０Ｂの背面側に配され、液晶セル１０Ｂに光を供給するバックライト装置ＢＬとを備えている。なお、液晶表示装置１Ｂは、それら以外に、液晶セル１０Ｂに積層される偏光板、位相差板等を備えている。
（液晶セル）
　液晶セル１０Ｂは、互いに向かい合い、かつ各々の対向面に配向膜２１ａ，２２ａを有する一対の基板２１，２２と、それらの基板２１，２２間に介在される液晶層ＬＣとを備えている。基板２１，２２間には、液晶層ＬＣの周りを囲む形でシール材（不図示）が介在されている。また、基板２１，２２間には、スペーサが介在されている。
　一対の基板２１，２２のうち、一方の基板は、画素電極基板（アレイ基板）２１であり、他方の基板は、対向基板２２である。
（画素電極基板）
　画素電極基板（アレイ基板）２１は、透明な支持基板（例えば、ガラス製）２３上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２５、反射型画素電極２７等が形成されたものからなり、他方の対向基板２２と対向する面（対向面）上に、配向膜２１ａが形成されている。反射型画素電極２７は、微小反射構造（ＭＲＳ構造）Ｍを備えており、反射型画素電極２７の表面には、視野角向上等を目的として、多数の微細な凹凸が形成されている。配向膜２１ａは、多数の凹凸が形成された表面を覆う形で、反射型画素電極２７上に形成されている。
　図４に示されるように、支持基板２３上の所定箇所に、スイッチング素子と利用される薄膜トランジスタ２５が配設されている。そして、薄膜トランジスタ２５を覆う形で支持基板２３上に層間絶縁層２６が形成されている。
　層間絶縁層２６は、上記実施形態１と同様、主として、重合体、光酸発生剤、感光剤等を含むポジ型のフォトレジスト材料から構成され、層間絶縁層２６の表面には、フォトリソグラフィー技術を利用して形成された多数の微細な凹凸が配されている。層間絶縁層２６の感光剤としては、ナフトキノンジアジド（ＮＱＤ）が用いられる。
　反射画素電極２７は、上記実施形態１と同様、公知の成膜技術を利用して、表面に凹凸を有する層間絶縁層２６上に形成される。反射画素電極２７は、表面の凹凸に倣う形で層間絶縁層２６上に形成されるため、反射画素電極２７の表面にも多数の微細な凹凸が形成される。反射画素電極２７を構成する材料は、実施形態１と同様のものが利用される。
　なお、反射画素電極２７には、部分的に開口部３０が貫通形成されている。この開口部３０には、透明導電材料（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）からなる透過画素電極３１が形成されている。透過画素電極３１は、支持基板２３上に形成されている。配向膜２１ａの一部は、透過画素電極３１を覆う形で形成されている。
　配向膜２１ａは、実施形態１と同様、ヒドラジド系官能基を有するポリアミック酸等の配向膜用重合体からなる膜に、ラビング処理、光配向処理等の配向処理を施したものからなる。
（対向基板）
　対向基板２２は、透明な支持基板（例えば、ガラス製）２４上に、カラーフィルタ（ＣＦ）２８等が形成されたものからなり、他方の画素電極基板２１と対向する面（対向面）上に、配向膜２２ａが形成されている。図４に示されるように、対向基板２２の支持基板２４上には、層状のカラーフィルタ２８が形成されており、そのカラーフィルタ２８を覆う形で共通電極（対向電極）２９が形成されている。配向膜２２ａは、共通電極２９を覆うように共通電極２９上に形成されている。共通電極２９は、実施形態１と同様、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電材料からなる。
　配向膜２２ａは、上記配向膜２１ａと同様、ヒドラジド系官能基を有するポリアミック酸等の配向膜用重合体からなる膜に、ラビング処理、光配向処理等の配向処理を施したものからなる。なお、配向膜２１ａ及び配向膜２２ａの詳細は、後述する。
（液晶層）
　液晶層ＬＣは、上記実施形態１と同種の液晶材料を用いることができる。液晶層ＬＣに使用される液晶材料は、所望の誘電率異方性（Δε）を有するように、適宜、選択される。
（液晶モード）
　液晶セル１０Ｂの表示モードは、液晶セル１０Ａの表示モードと同様、目的に応じて、公知のモードの中から、適宜、選択される。
　図４に示されるように、外側から液晶セル１０Ｂに入射した光Ｌ３は、微小反射構造Ｍを備えた反射型画素電極２７で効率的に反射されて、反射光Ｌ４が出射される。また、バックライト装置ＢＬから液晶セル１０Ｂに向けて供給された光Ｌ５は、液晶セル１０Ｂ内に背面側から入射し、開口部３０内の透過画素電極３１を透過しつつ、液晶層ＬＣ及び対向基板２２を透過して、表示面側から出射される。
　上記実施形態１，２の各液晶セル１Ａ，１Ｂは、上記のように、反射画素電極１７，２７の下側に、感光剤としてナフトキノンジアジド（ＮＱＤ）を含む層間絶縁層１６、２６が形成されている。そして、各反射画素電極１７，２７上には、配向膜１１ａ，２１ａが形成されている。後述するように、配向膜１１ａ等は、ヒドラジド系官能基を有する配向膜用重合体を備えており、そのヒドラジド系官能基が、反射画素電極１７，２７から発生したイオン（例えば、アルミニウムイオン、銀イオン）との間で錯体を形成し、図２に示されるレドックス反応を抑制する。
　以下、上記実施形態１，２等の本発明の実施形態において使用される配向膜について説明する。
（配向膜）
　配向膜は、下記化学式（１）で示されるヒドラジド系官能基を有する配向膜用重合体を含有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　配向膜用重合体がこのようなヒドラジド系官能基を有すると、反射画素電極から発生したイオン（例えば、アルミニウムイオン、銀イオン）との間で錯体を形成し、図２に示されるようなレドックス反応を抑制することができる。
　配向膜用重合体の主鎖は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリアクリル、ポリメタクリル、及びポリビニルからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、ヒドラジド系官能基が前記主鎖に接続される。ヒドラジド系官能基が、主鎖ではなく、主鎖に接続する側鎖（主鎖同士を接続する架橋部分を含む）に導入されることで、ヒドラジド系官能基がアルミニウムイオン等と錯体を形成し易い。
　配向膜用重合体の主鎖は、ポリアミック酸、及び／又はポリイミドからなることが好ましい。なお、本明細書において、「ポリアミック酸、及び／又はポリイミド」とは、ポリアミック酸、ポリイミドの何れか一方であってもよいし、ポリアミック酸及びポリイミドの双方であってもよい。
　また、配向膜用重合体は、光配向処理時において、所定の光（偏光紫外線等）を受けると反応（例えば、光異性化反応）して、構造が変化する光反応性官能基を含んでもよい。光反応性官能基は、配向膜用重合体の主鎖中に導入されてもよいし、配向膜用重合体の主鎖に接続する側鎖として導入されてもよい。
　前記光反応性官能基としては、例えば、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、アゾベンゼン基、トラン基が挙げられる。なお、前記光反応性官能基は、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、アゾベンゼン基、及びトラン基からなる群より選ばれる少なくとも１種であってもよい。
　以下、配向膜用重合体の具体例を説明する。
（ポリアミック酸Ｉ）
　配向膜用重合体としては、例えば、下記化学式（２）に示されるポリアミック酸を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　上記式（２）中、ｐ（重合度）は、任意の自然数であり、ｍは、０．００１以上０．１以下の値であり、より好ましくは、０．０１以上０．０５以下である。ｍの値がこのような範囲であると、粘度上昇を抑制しつつ、ヒドラジド系官能基を導入した効果（イオンとの錯体形成）が得られる。なお、ｍの値が０．１よりも大きくなると、配向膜用重合体の粘度が高くなり、成膜が難しくなる。
　また、上記式（２）中のＸは、配向膜が水平配向膜、又は垂直配向膜である場合、下記化学式（３－１）～（３－１２）で表される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　また、上記式（２）中のＸは、配向膜が光配向膜（水平光配向膜、又は垂直光配向膜）である場合、下記化学式（３－１３）～（３－１６）で表される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　また、上記式（２）中のＹは、配向膜が水平配向膜、又は垂直配向膜である場合、下記化学式（４－１）～（４－１７）で表される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　また、上記式（２）中のＹは、配向膜が光配向膜（水平光配向膜、又は垂直光配向膜）である場合、下記化学式（４－１８）～（４－２５）で表される構造からなる。
　なお、下記化学式（４－１８）～（４－２５）で表される構造は、配向膜が水平配向膜、又は垂直配向膜である場合も、上記式（２）中のＹとして用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　また、上記式（２）中のＺは、配向膜が水平配向膜である場合、下記化学式（５－１）～（５－８）で表される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　また、上記式（２）中のＺは、配向膜が垂直配向膜である場合、下記化学式（５－９）～（５－１５）で表される構造からなる。なお、化学式（５－９）～（５－１５）に示される記号「＊」は、結合手を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　また、上記式（２）中のＺは、配向膜が水平光配向膜である場合、下記化学式（５－１６）、及び化学式（５－１７）で表される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　また、上記式（２）中のＺは、配向膜が垂直光配向膜である場合、下記化学式（５－１８）～（５－３８）で表される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
　上記化学式（２）で示されるポリアミック酸からなる配向膜用重合体は、適宜、イミド化されて、例えば、下記化学式（６）で示されるポリイミドを、配向膜用重合体として用いてもよい。なお、下記化学式（６）中のＸ，Ｙ，Ｚ，ｐ、ｍの条件は、上記化学式（２）中のものと同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
（ポリアミック酸ＩＩ）
　また、他の配向膜用重合体としては、下記化学式（７）で示されるポリアミック酸が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　上記式（７）中のＸ、ｐ、ｍの条件は、上記化学式（２）中のものと同じである。また、上記式（７）中のモノマーユニットは、Ｙ又はＹ’を備えている。上記式（７）中のモノマーユニットが、構造Ｙを含む場合、構造Ｙは、上記化学式（２）中のものと同じ（つまり、化学式（４－１）～化学式（４－２５）で表される何れかの構造）である。そして、上記式（７）中のモノマーユニットが、構造Ｙを含む場合、側鎖として、構造Ｚを含む。構造Ｚは、上記化学式（２）中のものと同じ（つまり、化学式（５－１）～化学式（５－３８）で表される何れかの構造）である。
　これに対し、上記式（７）中のモノマーユニットが、構造Ｙ’を含む場合、構造Ｙ’は、２つの結合手を有する構造が適用される。構造Ｙ’の具体例は後述する。なお、構造Ｙ’は、構造Ｚで示される側鎖は含まない。
　なお、上記式（７）中における構造Ｙの導入率は、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はないが、例えば、０．１～０．４（１０～４０％）に設定される。
　上記化学式（７）で示されるポリアミック酸からなる配向膜用重合体は、適宜、イミド化されて、ポリイミドからなる配向膜用重合体として利用されてもよい。
（ポリアミック酸ＩＩＩ）
　また、他の配向膜用重合体としては、下記化学式（８）で示されるポリアミック酸が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　上記式（８）中のＸ、ｐ、ｍの条件は、上記化学式（２）中のものと同じである。また、上記式（８）中のＹ’は、上記化学式（７）中のＹ’と同じである。
　上記化学式（８）で示されるポリアミック酸からなる配向膜用重合体は、適宜、イミド化されて、ポリイミドからなる配向膜用重合体として利用されてもよい。
（ポリシロキサン）
　また、他の配向膜用重合体としては、下記化学式（９）で示されるポリシロキサンが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　上記式（９）中のｐ（重合度）は、任意の自然数であり、ｍ、ｒは共に、０以上１未満の値（０≦ｍ＜１、０≦ｒ＜１）であり、ｍ＋ｒ＜１である。
　また、上記式（９）中のＸ’は、水素（－Ｈ）、水酸基（－ＯＨ）、メトキシ基（－ＯＣＨ３）、エトキシ基（－ＯＣ２Ｈ５）等のアルコキシ基等の置換基からなる。
　また、上記式（９）中のＺ’は、上記化学式（２）中のＺと同じ（つまり、化学式（５－１）～化学式（５－３８）で表される何れかの構造）か、或いは下記化学式（１０－１）及び化学式（１０－２）で示される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　なお、配向膜用重合体としては、上述したようなヒドラジド系官能基を有する重合体と共に、ヒドラジド系官能基を有していない重合体とを組み合わせて用いてもよい。また、ヒドラジド系官能基を有する複数の重合体同士を組み合わせて用いてもよい。配向膜用重合体は、適宜、有機溶剤に溶解されて、配向膜用の配向剤として調製される。配向剤を基板に塗布する方法としては、特に制限はなく、例えば、スピンコーター等の公知方法が適用される。
　また、配向剤からなる塗膜は、仮焼成と本焼成の２段階に分けて焼成される。前記配向剤からなる塗膜は、仮焼成により、例えば、８０℃で２分間加熱処理されて、塗膜中の有機溶剤等が除去される。また、本焼成は、ポリアミック酸のイミド化、光配向膜中の高分子鎖のコンフォメーションの最低化等を目的として行われる。本焼成では、仮焼成よりも高い温度（例えば、２００℃）で、仮焼成よりも長い時間（例えば、４０分間）加熱される。
　配向膜（塗膜）に対する配向処理は、上述したように、ラビング処理でもよいし、所定の角度から偏光紫外線等の光を照射する光配向処理で行ってもよい。
（ヒドラジド系官能基を有するモノマーの合成）
　ここで、図５及び図６を参照しつつ、ヒドラジド系官能基を有するジアミンモノマーの合成例（スキーム）を説明する。図５に示されるように、３，５－ジニトロ安息香酸（ｃ－１）４ｇ（１８．９ｍｍｏｌ、分子量：２１２）を含むＴＨＦ溶液（３０ｍＬ）中に、塩化チオニル（ｃ－２）を滴下して、３，５－ジニトロ安息香酸クロリド（ｃ－３）（１６．４ｍｍｏｌ、分子量：２３０．５、収率８７％）を得た。続いて、商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ　ＭＤ１０２４（ＢＡＳＦ社製）」（ｃ－４）を３．５ｇ（６ｍｍｏｌ、分子量：５８６）含むと共に、トリエチルアミンを２ｇ（２０ｍｍｏｌ）含むベンゼン（４０ｍＬ）溶液中に、３，５－ジニトロ安息香酸クロリド（ｃ－３）３．４６ｇ（１５ｍｍｏｌ）を含むＴＨＦ溶液（２０ｍＬ）を、室温、窒素雰囲気下で滴下した。その後、２時間、室温で反応させた。反応終了後、不純物を水で抽出した後、カラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／酢酸エチル＝４／１）にて反応物を精製し、ジニトロ化合物（ｃ－５）（分子量：９７４）を２．７５ｇ（収率４７％）得た。
　次いで、図６に示されるように、ジニトロ化合物（ｃ－５）２．５ｇ（２．６ｍｏｌ、分子量：９７４）を、商品名「ソルミックスＡＰ－Ｉ」（日本アルコール販売社製）２０ｍＬに溶解させ、それにラネーニッケル０．３ｇを加え、オートクレーブ中で、系内を水素置換し、室温で一晩０．４ＭＰａの圧力下で放置した。その後、ＨＰＬＣで反応停止を確認し、セライト（登録商標）を通して飯能駅をろ過し、ろ液を留出がなくなるまで濃縮した。得られた粗液体を減圧蒸留し、ジアミン化合物（ｃ－６）（分子量：８５４）を１．７１ｇ（２．０ｍｍｏｌ、収率７７％）を得た。
（ヒドラジド系官能基を有する配向膜用重合体の合成）
　次いで、上記ジアミン化合物（ｃ－６）を利用したポリアミック酸の合成例について説明する。ここでは、ヒドラジド系官能基を有するジアミン化合物（ｃ－６）の導入量が、１０モル％である合成例について説明する。
　下記化学式（１１－１）で示される垂直配向膜用の側鎖を有するジアミン化合物（０．３ｍｏｌ）、下記化学式（１１－２）で示されるｐ－フェニレンジアミン（０．６５ｍｏｌ）、及び符号（ｃ－６）で示されるジアミン化合物（０．０５ｍｏｌ、図６参照）を含むγ－ブチロラクトン溶液に、下記化学式（１１－３）で示される酸無水物（１ｍｏｌ）を加え、６０℃で１２時間反応させることにより、ランダム構造のポリアミック酸を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　更に、得られたポリアミック酸をイミド化するために、以下の処理を施した。得られたポリアミック酸のγ－ブチロラクトン溶液に過剰のピリジン（３ｍｏｌ）と無水酢酸（３ｍｏｌ）を添加した状態で、１５０℃で３時間反応させた。このようにして、得られたポリイミドの重量平均分子量は７０，０００であり、分子量分布は２．９であった。また、イミド化率は４０％以上であった。このようにして、ヒドラジド系官能基を有するポリアミック酸、及びポリイミドを得た。
　なお、上記ジアミン化合物（ｃ－６）の導入量（比率）を適宜、調整することで、ヒドラジド系官能基の導入比率の異なるポリアミック酸、及びポリアミドが得られる。
　配向膜の厚みは、本発明の目的を損なわない限り、特に制限はなく、適宜、設定される。
　以上のような、ヒドラジド系官能基を有する配向膜用重合体を含む配向膜が、液晶セルの各基板に形成されることで、本実施形態の液晶セルは、電圧保持率の低下、及び残留ＤＣの増加が抑制される。何故ならば、配向膜中に導入されたヒドラジド系官能基と、反射画素電極等の電極から発生したイオン（アルミニウムイオン等）との間で錯体が形成され、その結果、図２に示されるようなレドックス反応が抑制されるからである。
　なお、上記実施形態１，２では、液晶セルの対向基板に共通電極が形成される構成であったが、本発明はこれに限られず、例えば、画素電極基板側に、共通電極が形成される構成であってもよい。
　以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
〔ポリアミック酸の合成〕
（合成例１）
　下記化学式（７）で示され、式中のｍが０であるポリアミック酸（ｍ＝０）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　式（７）中のｐ（重合度）は、任意の自然数である。また、式（７）中のＸは、下記化学式（３－５）で示される構造である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
　また、式（７）中のモノマーユニットが、構造Ｙを含む場合、構造Ｙは下記化学式（４－１）で示される構造からなり、かつ側鎖として、構造Ｚを含む。構造Ｚは下記化学式（５－９）で示される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　また、式（７）中のモノマーユニットが、構造Ｙ’を含む場合、構造Ｙ’は下記化学式（１２－１）で示される構造からなる。なお、構造Ｙ’は、構造Ｚで示される側鎖は含まない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
　なお、式（７）中における構造Ｙの導入率は、０．３（３０％）である。
（合成例２）
　上記化学式（７）中のｍを０．００５に変更したこと以外は、上記合成例１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．００５）を合成した。
（合成例３）
　上記化学式（７）中のｍを０．０１に変更したこと以外は、上記合成例１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．０１）を合成した。
（合成例４）
　上記化学式（７）中のｍを０．０５に変更したこと以外は、上記合成例１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．０５）を合成した。
（合成例５）
　上記化学式（７）中のｍを０．１０に変更したこと以外は、上記合成例１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．１０）を合成した。
〔比較例１〕
（液晶セルの作製）
　ガラス基板上に、表面に凹凸を有するＭＲＳ構造の層間絶縁層を形成した。そして、その層間絶縁層上にアルミニウム（Ａｌ）からなる反射型画素電極を形成して一方の基板（画素電極基板）を得た。なお、層間絶縁層の内部には、ＮＱＤが含まれており、光照射により発生したＮＱＤ由来のカルボン酸化合物が残存している。また、他のガラス基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる共通電極を形成して他方の基板（対向基板）を得た。
　続いて、上記合成例１で調製したポリアミック酸と、ヒドラジド系官能基を含まない他のポリアミック酸とを所定の割合で混合したものと、有機溶剤とを混合して、垂直配向膜用の配向剤を作製した。そして、前記画素電極基板及び前記対向基板に、それぞれ前記配向剤をスピンコート法で塗布して塗膜を形成した。前記画素電極基板には、反射型画素電極を覆う形で塗膜が形成され、また、前記対向基板には、共通電極を覆う形で塗膜が形成された。
　各基板上の塗膜を、８０℃で２分間加熱して仮焼成処理を行い、続いて２００℃で４０分間加熱して本焼成処理を行った。その後、各塗膜に対してラビング処理を施し、続いて各塗膜を水で洗浄して、各基板上に配向膜を形成した。
　次に、画素電極基板の配向膜上に、未硬化状態のＯＤＦ用のシール材を、ディスペンサを利用して枠状に描画した。なお、シール材としては、紫外線硬化性、及び熱硬化性を備えたものを利用した。そして、枠状のシール材の内側に、負の誘電率異方性を有する液晶材料（Δε＝－５．５）を滴下し、その後、画素電極基板と対向基板とを前記シール材を介して互いに貼り合わせた。
　互いに貼り合わせた画素電極基板及び対向基板を、液晶材料のＴＮＩ（ネマティック－等方相転移温度）以上の温度で３０分間加熱（アニール処理）して、配向膜に再配向処理を施すことで、反射型垂直配向方式の液晶セルを得た。
〔実施例１〕
　上記合成例１のポリアミック酸に代えて上記合成例２のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．００５）を用いたこと以外は、上記比較例１と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例１と同様にして、実施例１の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例２〕
　上記合成例１のポリアミック酸に代えて上記合成例３のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０１）を用いたこと以外は、上記比較例１と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例１と同様にして、実施例２の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例３〕
　上記合成例１のポリアミック酸に代えて上記合成例４のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０５）を用いたこと以外は、上記比較例１と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例１と同様にして、実施例３の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例４〕
　上記合成例１のポリアミック酸に代えて上記合成例５のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．１０）を用いたこと以外は、上記比較例１と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例１と同様にして、実施例４の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔通電試験〕
　比較例１及び実施例１～４の各液晶セルを、２５℃の環境下で、１０００時間、３Ｖの条件で通電（１Ｈｚ矩形波）し、通電前後（試験開始時（０時間）、及び試験開始後１０００時間）における液晶セルの電圧保持率（ＶＨＲ：Voltage Holding Ratio）の測定、及び残留ＤＣ電圧（ｒＤＣ）の測定を行った。
　なお、電圧保持率は、６２５４型ＶＨＲ測定システム（株式会社東陽テクニカ製）を使用し、１Ｖ、７０℃の条件で測定した。また、残留ＤＣ電圧（Ｖ）は、ＤＣオフセット電圧２Ｖを液晶セルに２時間印加した後、フリッカ消去法により測定した。各結果は、表１に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000037
　比較例１の場合（上記化学式（７）中、ｍ＝０）、通電試験開始から１０００時間後に、電圧保持率、及び残留ＤＣが悪化した。これは、層間絶縁層中に残存するＮＱＤ由来のカルボン酸化合物と、反射型画素電極からのイオン（アルミニウムイオン）との反応で形成されたカルボキシル基由来のラジカルが配向膜及び液晶層（ネガ型液晶材料）に溶出したためと推測される。
　これに対し、実施例１～４の場合、上記化学式（７）中のｍの値が大きくなるにつれて、１０００時間後のＶＨＲ低下は小さくなり、またｒＤＣも小さくなった。これは、配向膜中に導入したヒドラジド系官能基と、アルミニウムイオンとの間で錯体が形成され、図２に示されるレドックス反応が抑制されたためと推測される。
　なお、上記化学式（７）中のｍの値は、液晶の配向状態に応じて、０から０．１（１０％導入）の範囲で、適宜、調節することができる。ただし、ｍが０．１よりも大きいと（導入量が１０％よりも多いと）、ポリマー分子間の架橋の影響により、粘度が高くなりすぎるため、成膜が困難となる。
〔ポリアミック酸の合成〕
（合成例６）
　下記化学式（８）で示され、式中のｍが０であるポリアミック酸（ｍ＝０）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
　式（８）中のｐ（重合度）は、任意の自然数である。また、式（８）中のＸは、下記化学式（３－５）で示される構造である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　また、式（８）中のＹ’は、下記化学式（１２－１）で示される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
（合成例７）
　上記化学式（８）中のｍを０．００５に変更したこと以外は、上記合成例５と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．００５）を合成した。
（合成例８）
　上記化学式（８）中のｍを０．０１に変更したこと以外は、上記合成例５と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．０１）を合成した。
（合成例９）
　上記化学式（８）中のｍを０．０５に変更したこと以外は、上記合成例５と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．０５）を合成した。
（合成例１０）
　上記化学式（８）中のｍを０．１０に変更したこと以外は、上記合成例５と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．１０）を合成した。
〔比較例２〕
（液晶セルの作製）
　ガラス基板上に、表面に凹凸を有するＭＲＳ構造の層間絶縁層を形成した。そして、その層間絶縁層上に銀（Ａｇ）からなる反射型画素電極を形成し、その上にＳｉＮからなる無機膜を形成し、更にその上にＩＴＯからなる共通電極を形成して一方の基板（画素電極基板）を形成した。なお、層間絶縁層の内部には、ＮＱＤが含まれており、光照射により発生したＮＱＤ由来のカルボン酸化合物が残存している。また、ガラス基板等からなる他の基板（対向基板）を用意した。
　続いて、上記合成例６で調製したポリアミック酸と、ヒドラジド系官能基を含まない他のポリアミック酸とを所定の割合で混合したものと、有機溶剤とを混合して、水平配向膜用の配向剤を作製した。そして、前記画素電極基板及び前記対向基板に、それぞれ前記配向剤をスピンコート法で塗布して塗膜を形成した。なお、前記画素電極基板には、反射型画素電極を覆う形で塗膜が形成された。
　各基板上の塗膜を、８０℃で２分間加熱して仮焼成処理を行い、続いて２００℃で４０分間加熱して本焼成処理を行った。その後、各塗膜に対してラビング処理を施し、続いて各塗膜をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で洗浄して、各基板上に配向膜を形成した。
　次に、一方の基板（画素電極基板）の配向膜上に、未硬化状態のＯＤＦ用のシール材を、ディスペンサを利用して枠状に描画した。なお、シール材としては、紫外線硬化性、及び熱硬化性を備えたものを利用した。そして、枠状のシール材の内側に、負の誘電率異方性を有する液晶材料（Δε＝－５．０）を滴下し、その後、画素電極基板と対向基板とを前記シール材を介して互いに貼り合わせた。
　互いに貼り合わせた画素電極基板及び対向基板を、液晶材料のＴＮＩ（ネマティック－等方相転移温度）以上の温度で３０分間加熱（アニール処理）して、配向膜に再配向処理を施すことで、反射型ＦＦＳモード方式の液晶セルを得た。
〔実施例５〕
　上記合成例６のポリアミック酸に代えて上記合成例７のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．００５）を用いたこと以外は、上記比較例２と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例２と同様にして、実施例５の反射型ＦＦＳモード方式の液晶セルを作製した。
〔実施例６〕
　上記合成例６のポリアミック酸に代えて上記合成例８のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０１）を用いたこと以外は、上記比較例２と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例２と同様にして、実施例６の反射型ＦＦＳモード方式の液晶セルを作製した。
〔実施例７〕
　上記合成例６のポリアミック酸に代えて上記合成例９のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０５）を用いたこと以外は、上記比較例２と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例２と同様にして、実施例７の反射型ＦＦＳモード方式の液晶セルを作製した。
〔実施例８〕
　上記合成例６のポリアミック酸に代えて上記合成例７のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．１０）を用いたこと以外は、上記比較例２と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例２と同様にして、実施例８の反射型ＦＦＳモード方式の液晶セルを作製した。
〔通電試験〕
　比較例２及び実施例５～８の各液晶セルを、上記実施例１等と同様に、２５℃の環境下で、１０００時間、３Ｖの条件で通電（１Ｈｚ矩形波）し、通電前後（試験開始時（０時間）、及び試験開始後１０００時間）における液晶セルの電圧保持率（ＶＨＲ：Voltage Holding Ratio）の測定、及び残留ＤＣ電圧（ｒＤＣ）の測定を行った。結果は、表２に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000041
　比較例２の場合（上記化学式（８）中、ｍ＝０）、通電試験開始から１０００時間後に、電圧保持率、及び残留ＤＣが悪化した。これは、層間絶縁層中に残存するＮＱＤ由来のカルボン酸化合物と、反射型画素電極からのイオン（銀イオン）との反応で形成されたカルボキシル基由来のラジカルが配向膜及び液晶層（ネガ型液晶材料）に溶出したためと推測される。
　これに対し、実施例５～８の場合、上記化学式（８）中のｍの値が大きくなるにつれて、１０００時間後のＶＨＲ低下は小さくなり、またｒＤＣも小さくなった。これは、配向膜中に導入したヒドラジド系官能基と、銀イオンとの間で錯体が形成され、図２に示されるレドックス反応が抑制されたためと推測される。
　なお、上記化学式（８）中のｍの値は、液晶の配向状態に応じて、０から０．１（１０％導入）の範囲で、適宜、調節することができる。ただし、ｍが０．１よりも大きいと（導入量が１０％よりも多いと）、ポリマー分子間の架橋の影響により、粘度が高くなりすぎるため、成膜が困難となる。
〔ポリアミック酸の合成〕
（合成例１１）
　下記化学式（２）で示され、式中のｍが０であるポリアミック酸（ｍ＝０）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　式（２）中のｐは、任意の自然数である。また、式（２）中のＸは、下記化学式（３－５）で示される構造である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
　また、式（２）中のＹは、下記化学式（４－１７）で示される構造からなり、式（２）中のＺは、下記化学式（５－３８）で示される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
（合成例１２）
　上記化学式（２）中のｍを０．００５に変更したこと以外は、上記合成例１１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．００５）を合成した。
（合成例１３）
　上記化学式（２）中のｍを０．０１に変更したこと以外は、上記合成例１１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．０１）を合成した。
（合成例１４）
　上記化学式（２）中のｍを０．０５に変更したこと以外は、上記合成例１１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．０５）を合成した。
（合成例１５）
　上記化学式（２）中のｍを０．１０に変更したこと以外は、上記合成例１１と同様のポリアミック酸（ｍ＝０．１０）を合成した。
〔比較例３〕
（液晶セルの作製）
　ガラス基板上に、表面に凹凸を有するＭＲＳ構造の層間絶縁層を形成した。そして、その層間絶縁層上にアルミニウム（Ａｌ）からなる反射型画素電極を形成して一方の基板（画素電極基板）を得た。なお、層間絶縁層の内部には、ＮＱＤが含まれており、光照射により発生したＮＱＤ由来のカルボン酸化合物が残存している。また、他のガラス基板上に、ＩＴＯからなる共通電極を形成して他方の基板（対向基板）を得た。
　続いて、上記合成例１１で調製したポリアミック酸と、ヒドラジド系官能基を含まない他のポリアミック酸とを所定の割合で混合したものと、有機溶剤とを混合して、垂直配向膜用の配向剤を作製した。そして、前記画素電極基板及び前記対向基板に、それぞれ前記配向剤をスピンコート法で塗布して塗膜を形成した。前記画素電極基板には、反射型画素電極を覆う形で塗膜が形成され、また、前記対向基板には、共通電極を覆う形で塗膜が形成された。
　各基板上の塗膜を、８０℃で２分間加熱して仮焼成処理を行い、続いて２００℃で４０分間加熱して本焼成処理を行った。その後、各塗膜に対して、基板の法線方向から４０°傾斜した方向から、偏光紫外線を２０ｍＪ／ｃｍ２照射することで、光配向処理を施した。
　次に、画素電極基板の配向膜上に、未硬化状態のＯＤＦ用のシール材を、ディスペンサを利用して枠状に描画した。なお、シール材としては、紫外線硬化性、及び熱硬化性を備えたものを利用した。そして、枠状のシール材の内側に、負の誘電率異方性を有する液晶材料（Δε＝－６．０）を滴下し、その後、画素電極基板と対向基板とを前記シール材を介して互いに貼り合わせた。
　互いに貼り合わせた画素電極基板及び対向基板を、液晶材料のＴＮＩ（ネマティック－等方相転移温度）以上の温度で３０分間加熱（アニール処理）して、配向膜に再配向処理を施すことで、反射型垂直配向方式の液晶セルを得た。
〔実施例９〕
　上記合成例１１のポリアミック酸に代えて上記合成例１２のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．００５）を用いたこと以外は、上記比較例３と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例３と同様にして、実施例９の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例１０〕
　上記合成例１１のポリアミック酸に代えて上記合成例１３のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０１）を用いたこと以外は、上記比較例３と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例３と同様にして、実施例１０の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例１１〕
　上記合成例１１のポリアミック酸に代えて上記合成例１４のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０５）を用いたこと以外は、上記比較例３と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例３と同様にして、実施例１１の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例１２〕
　上記合成例１１のポリアミック酸に代えて上記合成例１５のポリアミック酸（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．１０）を用いたこと以外は、上記比較例３と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例３と同様にして、実施例１２の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔通電試験〕
　比較例３及び実施例９～１２の各液晶セルを、上記実施例１等と同様に、２５℃の環境下で、１０００時間、３Ｖの条件で通電（１Ｈｚ矩形波）し、通電前後（試験開始時（０時間）、及び試験開始後１０００時間）における液晶セルの電圧保持率（ＶＨＲ：Voltage Holding Ratio）の測定、及び残留ＤＣ電圧（ｒＤＣ）の測定を行った。結果は、表３に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000046
　比較例３の場合（上記化学式（２）中、ｍ＝０）、通電試験開始から１０００時間後に、電圧保持率、及び残留ＤＣが悪化した。これは、層間絶縁層中に残存するＮＱＤ由来のカルボン酸化合物と、反射型画素電極からのイオン（アルミニウムイオン）との反応で形成されたカルボキシル基由来のラジカルが配向膜及び液晶層（ネガ型液晶材料）に溶出したためと推測される。
　これに対し、実施例９～１０の場合、上記化学式（２）中のｍの値が大きくなるにつれて、１０００時間後のＶＨＲ低下は小さくなり、またｒＤＣも小さくなった。これは、配向膜中に導入したヒドラジド系官能基と、アルミニウムイオンとの間で錯体が形成され、図２に示されるレドックス反応が抑制されたためと推測される。
　なお、上記化学式（２）中のｍの値は、液晶の配向状態に応じて、０から０．１（１０％導入）の範囲で、適宜、調節することができる。ただし、ｍが０．１よりも大きいと（導入量が１０％よりも多いと）、ポリマー分子間の架橋の影響により、粘度が高くなりすぎるため、成膜が困難となる。
　また、実施例９～１０は、上述した実施例１～８と比べて、全体的にｒＤＣの値が大きい傾向にある。これは、実施例９～１０の垂直光配向膜が、イオン性（ラジカル）等の電荷を有する不純物を配向膜表面で捕捉し易い性質を有するためと推測される。
〔ポリシロキサンの合成〕
（合成例１６）
　下記化学式（９）で示され、式中のｍが０であるポリシロキサン（ｍ＝０）を合成した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　上記式（９）中のｐ（重合度）は、任意の自然数であり、ｒは、０以上１未満の値（０≦ｒ＜１）であり、ｍ＋ｒ＜１である。また、式（９）中のＺは、下記化学式（１０－１）、又は化学式（１０－２）で示される構造からなる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　また、式（９）中のＸ’は、メトキシ基（ＣＨ３Ｏ－）からなる。
（合成例１７）
　上記化学式（９）中のｍを０．００５に変更したこと以外は、上記合成例１６と同様のポリシロキサン（ｍ＝０．００５）を合成した。
（合成例１８）
　上記化学式（９）中のｍを０．０１に変更したこと以外は、上記合成例１６と同様のポリシロキサン（ｍ＝０．０１）を合成した。
（合成例１９）
　上記化学式（９）中のｍを０．０５に変更したこと以外は、上記合成例１６と同様のポリシロキサン（ｍ＝０．０５）を合成した。
（合成例１７）
　上記化学式（９）中のｍを０．１０に変更したこと以外は、上記合成例１６と同様のポリシロキサン（ｍ＝０．１０）を合成した。
〔比較例４〕
（液晶セルの作製）
　ガラス基板上に、表面に凹凸を有するＭＲＳ構造の層間絶縁層を形成した。そして、その層間絶縁層上に銀（Ａｇ）からなる反射型画素電極を形成して一方の基板（画素電極基板）を得た。なお、層間絶縁層の内部には、ＮＱＤが含まれており、光照射により発生したＮＱＤ由来のカルボン酸化合物が残存している。また、他のガラス基板上に、ＩＴＯからなる共通電極を形成して他方の基板（対向基板）を得た。
　続いて、上記合成例１６で調製したポリシロキサンと、ヒドラジド系官能基を含まないポリアミック酸とを所定の割合で混合したものと、有機溶剤とを混合して、垂直配向膜用の配向剤を作製した。そして、前記画素電極基板及び前記対向基板に、それぞれ前記配向剤をスピンコート法で塗布して塗膜を形成した。前記画素電極基板には、反射型画素電極を覆う形で塗膜が形成され、また、前記対向基板には、共通電極を覆う形で塗膜が形成された。
　各基板上の塗膜を、８０℃で２分間加熱して仮焼成処理を行い、続いて２３０℃で４０分間加熱して本焼成処理を行った。その後、各塗膜に対して、基板の法線方向から４０°傾斜した方向から、偏光紫外線を２０ｍＪ／ｃｍ２照射することで、光配向処理を施した。
　次に、画素電極基板の配向膜上に、未硬化状態のＯＤＦ用のシール材を、ディスペンサを利用して枠状に描画した。なお、シール材としては、紫外線硬化性、及び熱硬化性を備えたものを利用した。そして、枠状のシール材の内側に、負の誘電率異方性を有する液晶材料（Δε＝－５．５）を滴下し、その後、画素電極基板と対向基板とを前記シール材を介して互いに貼り合わせた。
　互いに貼り合わせた画素電極基板及び対向基板を、液晶材料のＴＮＩ（ネマティック－等方相転移温度）以上の温度で３０分間加熱（アニール処理）して、配向膜に再配向処理を施すことで、反射型垂直配向方式の液晶セルを得た。
〔実施例１３〕
　上記合成例１６のポリシロキサンに代えて上記合成例１７のポリシロキサン（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．００５）を用いたこと以外は、上記比較例４と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例４と同様にして、実施例１３の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例１４〕
　上記合成例１６のポリシロキサンに代えて上記合成例１８のポリシロキサン（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０１）を用いたこと以外は、上記比較例４と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例４と同様にして、実施例１４の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例１５〕
　上記合成例１６のポリシロキサンに代えて上記合成例１９のポリシロキサン（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．０５）を用いたこと以外は、上記比較例４と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例４と同様にして、実施例１５の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔実施例１６〕
　上記合成例１６のポリシロキサンに代えて上記合成例２０のポリシロキサン（ヒドラジド系官能基含有、ｍ＝０．１０）を用いたこと以外は、上記比較例４と同様にして、配向剤を作製した。また、その配向剤を使用したこと以外は、上記比較例４と同様にして、実施例１６の反射型垂直配向方式の液晶セルを作製した。
〔通電試験〕
　比較例４及び実施例１３～１６の各液晶セルを、上記実施例１等と同様に、２５℃の環境下で、１０００時間、３Ｖの条件で通電（１Ｈｚ矩形波）し、通電前後（試験開始時（０時間）、及び試験開始後１０００時間）における液晶セルの電圧保持率（ＶＨＲ：Voltage Holding Ratio）の測定、及び残留ＤＣ電圧（ｒＤＣ）の測定を行った。結果は、表４に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000049
　比較例４の場合（上記化学式（９）中、ｍ＝０）、通電試験開始から１０００時間後に、電圧保持率、及び残留ＤＣが悪化した。これは、層間絶縁層中に残存するＮＱＤ由来のカルボン酸化合物と、反射型画素電極からのイオン（銀イオン）との反応で形成されたカルボキシル基由来のラジカルが配向膜及び液晶層（ネガ型液晶材料）に溶出したためと推測される。
　これに対し、実施例１３～１６の場合、上記化学式（９）中のｍの値が大きくなるにつれて、１０００時間後のＶＨＲ低下は小さくなり、またｒＤＣも小さくなった。これは、配向膜中に導入したヒドラジド系官能基と、銀イオンとの間で錯体が形成され、図２に示されるレドックス反応が抑制されたためと推測される。
　なお、上記化学式（９）中のｍの値は、液晶の配向状態に応じて、０から０．１（１０％導入）の範囲で、適宜、調節することができる。ただし、ｍが０．１よりも大きいと（導入量が１０％よりも多いと）、ポリマー分子間の架橋の影響により、粘度が高くなりすぎるため、成膜が困難となる。
　また、実施例１３～１６は、上述した実施例９～１２と比べて、全体的にＶＨＲが高く、ｒＤＣは小さい傾向にある。これは、実施例１３～１６のポリシロキサン型の垂直光配向膜が、イオン性（ラジカル）等の電荷を有する不純物を捕捉し難い性質を有するためと推測される。
　１Ａ…液晶表示装置（反射型），１０Ａ…液晶セル、１１…画素電極基板，１１ａ…配向膜、１２…対向基板、１２ａ…配向膜、１３，１４…支持基板、１５…薄膜トランジスタ、１６…層間絶縁層、１７…反射型画素電極、１８…カラーフィルタ、１９…共通電極、ＬＣ…液晶層、Ｍ…微小反射構造

Claims (15)

  1. 　互いに向かい合い、かつ各々の対向面に配向膜を有する一対の基板と、前記基板間に介在される液晶層とを備える液晶セルであって、
    　前記配向膜は、下記化学式（１）で示されるヒドラジド系官能基を有する配向膜用重合体を含有することを特徴とする液晶セル。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
  2. 　前記配向膜用重合体の主鎖は、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリアクリル、ポリメタクリル、及びポリビニルからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、前記ヒドラジド系官能基が前記主鎖に接続される請求項１に記載の液晶セル。
  3. 　前記配向膜用重合体の主鎖は、ポリアミック酸、及び／又はポリイミドからなる請求項１又は請求項２に記載の液晶セル。
  4. 　前記配向膜用重合体は、光反応性官能基を有する請求項１から請求項３の何れか一項に記載の液晶セル。
  5. 　前記光反応性官能基は、シンナメート基、カルコン基、クマリン基、アゾベンゼン基、及びトラン基からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項４に記載の液晶セル。
  6. 　前記配向膜用重合体は、下記化学式（２）で示されるポリアミック酸、又はそのイミド体である請求項１から請求項５の何れか一項に記載の液晶セル。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式中、ｐは、任意の自然数であり、ｍは、０．００１以上０．１以下の値である。また、式中のＸは、下記化学式（３－１）～（３－１２）で表される構造からなり、式中のＹは、下記化学式（４－１）～（４－１７）で表される構造からなり、式中のＺは、下記化学式（５－１）～（５－８）で表される構造からなる。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
  7. 　前記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶材料を含有する請求項１から請求項６の何れか一項に記載の液晶セル。
  8. 　前記液晶材料の誘電率異方性（Δε）は、－５．０以下である請求項７に記載の液晶セル。
  9. 　一対の前記基板のうち、少なくとも一方の基板は、Ａｌ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１種を材料とする電極を有する請求項１から請求項８の何れか一項に記載の液晶セル。
  10. 　前記電極は、絶縁層上に形成される請求項９に記載の液晶セル。
  11. 　前記絶縁層は、ポジ型のフォトレジスト材料を含む請求項１０に記載の液晶セル。
  12. 　前記電極は、表面に多数の凹凸が形成された微小反射構造を有する請求項９から請求項１１の何れか一項に記載の液晶セル。
  13. 　前記液晶セルは、反射型液晶セル、又は半透過型液晶セルからなる請求項１から請求項１２の何れか一項に記載の液晶セル。
  14. 　前記液晶セルの表示モードは、ＶＡ－ＴＮモード、ＶＡ－ＥＣＢモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモードの何れかである請求項１から請求項１３の何れか一項に記載の液晶セル。
  15. 　請求項１から請求項１４の何れか一項に記載の液晶セルを含む液晶表示装置。
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