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WO2018163598A1 - 波長結合レーザ装置 - Google Patents

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WO2018163598A1
WO2018163598A1 PCT/JP2018/000709 JP2018000709W WO2018163598A1 WO 2018163598 A1 WO2018163598 A1 WO 2018163598A1 JP 2018000709 W JP2018000709 W JP 2018000709W WO 2018163598 A1 WO2018163598 A1 WO 2018163598A1
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coupling
laser beam
wavelength
laser
cross
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PCT/JP2018/000709
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信高 小林
智毅 桂
大嗣 森田
西前 順一
京藤 友博
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Priority to DE112018001247.6T priority patent/DE112018001247B4/de
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Definitions

  • the present invention relates to a wavelength coupled laser device that combines laser beams emitted from a plurality of light emitting units of a semiconductor laser.
  • LD light As an example of a laser oscillator that synthesizes light (hereinafter referred to as LD light) emitted from a number of semiconductor laser diodes (LDs), there is a wavelength-coupled resonator using a diffraction grating as a wavelength coupling element. .
  • LD light having a wavelength of 900 nm band or 1000 nm band and high electro-optical conversion efficiency has been directly used for processing such as metal cutting or welding.
  • a single LD light that is, the light emitted from the active layer stripe that is one light emitting layer of the semiconductor element.
  • LD light from a plurality of light emitting layers is collected and used.
  • high beam quality that is, light condensing performance is also required, so that not only simply collecting a plurality of LD lights but also synthesizing LD lights.
  • Processing such as metal cutting or welding requires laser output of several hundred watts to several kW, and an LD bar provided with a plurality of light emitting layers is convenient for obtaining a plurality of LD lights.
  • light emitting layers having a width of 50 ⁇ m to 200 ⁇ m are arranged at an equal pitch on an LD bar having a width of about 10 mm, and 10 to 50 laser beams are emitted from the end face. An output of several tens of watts can be obtained from such an LD bar.
  • LD bars that output several hundred watts have become available.
  • wavelength-coupled resonator In a wavelength-coupled resonator, cross-coupling oscillation that reduces beam quality and electro-optical conversion efficiency, so-called crosstalk, is likely to occur.
  • the wavelength-coupled resonator a large number of LD lights emitted from the LD bar are superposed to obtain a single combined laser beam having a high output and multiple wavelengths.
  • an external resonator optical path equipped with a wavelength coupling element is used, but the LD light reflected by the partial reflecting mirror does not return to the original light emitting layer that emitted the LD light, and the adjacent light emitting layer It may return to another light emitting layer.
  • laser oscillation occurs between different light emitting layers such as adjacent light emitting layers. This laser oscillation is cross-coupling oscillation.
  • Patent Document 1 In order to suppress this cross-coupling oscillation, in Patent Document 1, it is only necessary to arrange a partially-reflecting output coupler, that is, a partial reflector, within the Rayleigh length of the laser light after a cross-coupling mitigation system. Has been.
  • Patent Document 1 cannot stop the cross-coupling oscillation.
  • Lcplr_eff which is the distance from the diffraction grating to the partial reflection mirror, is equal to or greater than Zr, which is the Rayleigh length of the laser light after the lens.
  • Zr which is the Rayleigh length of the laser light after the lens.
  • the specific value of Zr is 160 m, which is an unrealistic distance
  • the partial reflector is arranged by shortening to a practical distance of about 1 m using an afocal telescope.
  • the arrangement position of the partial reflection mirror capable of suppressing the cross coupling oscillation is not actually in such a wide range, and exists only at a very narrow pin point.
  • cross-coupling oscillation in order to stop the cross-coupling oscillation, it is not sufficient only to place the partial reflection mirror within the Rayleigh length of the laser light after the a-cross-coupling mitigation system. Furthermore, cross-coupling oscillation cannot be stopped with an afocal telescope.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to obtain a wavelength-coupled laser device having high beam quality and high electro-optical conversion efficiency without generating cross-coupling oscillation.
  • the present invention provides a plurality of laser beams in a direction of an optical axis perpendicular to the laser beam coupling direction from the emission end faces of the plurality of light emitting units arranged in the laser beam coupling direction.
  • a semiconductor laser that emits light, a wavelength coupling element that combines a plurality of laser beams in the laser beam coupling direction and outputs the laser beam as one laser beam, and an optical axis of one laser beam output from the wavelength coupling element
  • a cross-coupling suppression optical system having a positive power in the vertical laser beam coupling direction, and a partial reflection mirror that reflects and transmits one laser beam that has passed through the cross-coupling suppression optical system. It is characterized by.
  • the emission end face is coupled to the partial reflection mirror in a plane formed by the optical axis of one laser beam and the laser beam coupling direction, so that the emission end face is connected to the partial reflection mirror.
  • a cross coupling suppressing optical system is arranged so as to image.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the function of a cross coupling suppression optical system in the wavelength coupled laser apparatus according to the first embodiment;
  • the figure which shows the wavelength spectrum of the wavelength coupling laser apparatus shown in FIG. The figure which shows the wavelength spectrum of the wavelength coupling laser apparatus shown in FIG.
  • FIG. The figure which shows the structure of the wavelength coupling laser apparatus concerning Embodiment 2 of this invention.
  • FIG. 1 An enlarged view of an example of an LD bar and a beam shaping element according to the second embodiment
  • the figure explaining a mode that beam quality falls in the wavelength coupling laser apparatus concerning Embodiment 1.
  • FIG. 3 The figure which shows the structure of the wavelength coupling laser apparatus concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. The figure which shows the structure of the wavelength coupling laser apparatus concerning Embodiment 4 of this invention.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a wavelength coupled laser apparatus 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • the wavelength coupled laser device 10 includes an LD bar 1 that is a semiconductor laser provided with a light emitting layer 1a that is a plurality of light emitting units, a light condensing element 2, a wavelength coupling element 3, a cross coupling suppression optical system 4, A partial reflection mirror 5.
  • Specific examples of the condensing element 2 and the cross coupling suppression optical system 4 are lenses.
  • a specific example of the wavelength coupling element 3 is a diffraction grating.
  • the width direction of the LD bar 1 is a laser beam coupling direction in which the wavelength coupling element 3 couples the laser beam 6.
  • the laser beam coupling direction is a direction with respect to the optical axis of the laser beam 6 and is defined as a direction perpendicular to the optical axis and perpendicular to the thickness direction of the LD bar 1.
  • the laser beam coupling direction is also changed.
  • the width direction of the LD bar 1 in which the light emitting layers 1a are arranged is the X direction
  • the thickness direction of the LD bar 1 is the Y direction
  • the direction in which the laser beam 6 is emitted is the Z direction.
  • the LD bar 1 is manufactured by performing a semiconductor process such as lithography on an InGaAs substrate or an AlGaAs substrate.
  • a heat sink for cooling the LD bar 1, a submount for connecting the LD bar 1 and the heat sink, an electrode for energization, and a gold wire are omitted in FIG.
  • the condensing element 2 When the condensing element 2 is constituted by a lens, the condensing element 2 is made of quartz or glass and has a convex power, that is, a positive power at least in the laser beam coupling direction (X direction) described above.
  • the condensing element 2 collimates, or collimates, the laser light 6 that is emitted from each light emitting layer 1a and propagates while divergence.
  • the condensing element 2 collects the principal ray 6 a of each laser beam 6 at a point A on the wavelength coupling element 3.
  • the wavelength coupling element 3 diffracts each laser beam 6 in which the principal ray 6a is collected at one point A in the first-order diffraction direction.
  • the direction in which the wavelength coupling element 3 diffracts each laser beam 6 is not limited to the primary diffraction direction.
  • Each laser beam 6 diffracted by the wavelength coupling element 3 passes through the cross coupling suppression optical system 4 and is partially reflected by the partial reflection mirror 5. A part of each laser beam 6 reflected by the partial reflection mirror 5 goes back to the cross coupling suppression optical system 4, the wavelength coupling element 3, and the condensing element 2 in the reverse direction of the optical path that has been propagated so far. Each returns to the original light emitting layer 1 a that has emitted the laser light 6.
  • the wavelength coupling laser device 10 uses the light emitting layer 1a as an oscillation source as a gain medium, the end face 1c opposite to the emission end face 1b of the LD bar 1 as a total reflection mirror, and the partial reflection mirror 5 faces the end face 1c. It is a resonator as a mirror. A portion from the light condensing element 2 to the partial reflecting mirror 5 which is an outer portion of the LD bar 1 is referred to as an external resonator optical path.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating the behavior of the plurality of laser beams 6 in the wavelength coupling element 3 according to the first embodiment.
  • a plurality of laser beams 6 are represented by three principal rays 6i, 6j, 6k for simplicity.
  • the chief rays 6i, 6j, and 6k are collected at a single point A on the wavelength coupling element 3 by the condenser element 2.
  • the incident angles of the principal rays 6i, 6j, 6k in the wavelength coupling element 3 are based on the pitch of the light emitting layer 1a in the LD bar 1, the focal length of the condensing element 2, and the arrangement angle of the wavelength coupling element 3, respectively. ⁇ i, ⁇ j, and ⁇ k are determined.
  • the principal rays 6i, 6j, and 6k are diffracted by the wavelength coupling element 3 and then the partial reflector 5 Must be perpendicularly incident and vertically reflected. From this condition, the emission angles of the principal rays 6i, 6j, 6k in the wavelength coupling element 3, that is, the diffraction angles, are all determined to be the same angle ⁇ .
  • the wavelengths of the principal rays 6i, 6j, 6k are determined to the predetermined values ⁇ i, ⁇ j, ⁇ k.
  • the oscillating wavelength of the laser light 6 emitted from each light emitting layer 1a is automatically selected, and the wavelength coupled laser device 10 oscillates.
  • the wavelength of the laser light 6 emitted from each light emitting layer 1 a is in the X direction of the LD bar 1. Along and gradually change along.
  • the emission angle ⁇ of the laser beam 6 in the wavelength coupling element 3 is a constant value regardless of the magnitude of the incident angle. That is, the wavelength coupling element 3 combines a plurality of laser beams 6 in the X direction, which is the laser beam coupling direction, and outputs a single laser beam 6. As a result, between the wavelength coupling element 3 and the partial reflection mirror 5, the laser beams 6 of all wavelengths are superimposed on one, and the wavelength coupling laser device 10 combines one multi-wavelength from the partial reflection mirror 5. A laser beam is emitted.
  • the laser light 6 emitted from one light emitting layer 1a does not return to the original light emitting layer 1a, but is emitted to another light emitting layer 1a. It may return. In such a case, oscillation occurs between two different light emitting layers 1a. This phenomenon is called cross coupling oscillation.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the behavior of the laser beam 6 in the cross-coupling oscillation.
  • the wavelength coupling laser apparatus 20 shown in FIG. 3 does not have the cross coupling suppression optical system 4.
  • the diffraction effect in the wavelength coupling element 3 is shown in a simplified manner, and the LD bar 1 to the partial reflection mirror 5 are arranged in a straight line.
  • the light emitting layer of the LD bar 1 only the two light emitting layers 1p and 1q of interest are drawn.
  • Principal rays 6p and 6q indicated by solid lines are laser beams emitted from the light emitting layers 1p and 1q, respectively, and represent normal oscillation optical paths that are not cross-coupled oscillations.
  • a light beam 6r indicated by a broken line represents an optical path of cross coupling oscillation.
  • the light beam 6r emitted obliquely from the light emitting layer 1p is incident on the partial reflection mirror 5 at an incident angle ⁇ , reflected at the reflection angle ⁇ , and returned to the light emitting layer 1q. Conversely, when the light beam 6r is emitted from the light emitting layer 1q, it returns to the light emitting layer 1p. In this way, the light beam 6r reciprocates between the light emitting layer 1p and the light emitting layer 1q. At this time, some of the principal rays 6p and 6q pass straight through the partial reflection mirror 5, but a portion of the cross-coupling oscillation light ray 6r is shifted by an angle ⁇ and passes through the partial reflection mirror 5. That is, when cross-coupling oscillation occurs, the laser light emitted from the partial reflection mirror 5 spreads more than the regular oscillation laser light, and the beam quality deteriorates.
  • the wavelength of the ray 6r for cross-coupling oscillation is approximately the wavelength ( ⁇ p + ⁇ q) / 2 between ⁇ p and ⁇ q. Therefore, by measuring the wavelength spectrum of the emitted laser light, it can be determined whether or not cross-coupling oscillation has occurred.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the function of the cross coupling suppression optical system 4 in the wavelength coupled laser apparatus 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 4 also shows the effect of diffraction in the wavelength coupling element 3 in a simplified manner, as in FIG. 3, and shows the LD bar 1 to the partial reflection mirror 5 arranged in a straight line.
  • the cross coupling suppression optical system 4 is made of quartz or glass.
  • the cross-coupling suppression optical system 4 is a laser shown in FIG. 1 that is perpendicular to both the optical axis direction of one laser beam 6 coupled and emitted from the wavelength coupling element 3 and the thickness direction of the LD bar 1.
  • the optical coupling direction 400 has a convex power, that is, a positive power.
  • the laser beam coupling direction 400 is a direction corresponding to the width direction of the LD bar 1 in which a plurality of laser beams 6 are coupled by the wavelength coupling element 3 in the cross coupling suppression optical system 4.
  • the lens system of the external resonator optical path combining the cross coupling suppressing optical system 4 and the condensing element 2 is in a plane formed by the optical axis direction of one laser beam 6 and the laser beam coupling direction 400, that is, XZ.
  • the exit end face 1b of the LD bar 1 and the partial reflecting mirror 5 are conjugated in a plane. That is, the lens system forms an image of the emission end face 1b on the partial reflection mirror 5 in the XZ plane.
  • chief rays 6p and 6q indicated by solid lines are laser beams emitted from the light emitting layers 1p and 1q, respectively, as in FIG. 3, and represent normal oscillation optical paths.
  • a light beam 6v indicated by a broken line in FIG. 4 is a virtual light beam that is incident and reflected at an incident angle ⁇ and a reflection angle ⁇ on the partial reflection mirror 5 with reference to the light beam 6r in FIG. From FIG. 4, it can be seen that the light beam 6v returns to the central point B between the light emitting layer 1p and the light emitting layer 1q. Since the position of the feedback point B does not depend on the magnitude of the angle ⁇ , the light beam 6v which is a laser beam of cross coupling oscillation cannot exist.
  • the exit end face 1b of the LD bar 1 is placed on the partial reflecting mirror 5 in the XZ plane by the lens system of the external resonator optical path that combines the cross coupling suppression optical system 4 and the condensing element 2.
  • the light-emitting layer 1p and the light-emitting layer 1q oscillate at the same wavelength ( ⁇ p + ⁇ q) / 2. Therefore, the light-emitting layer 1p and the light-emitting layer 1q on the partial reflection mirror 5 respectively.
  • the image must be separated by the pitch of the light emitting layer 1p and the light emitting layer 1q.
  • the laser light 6 reflected by the partial reflecting mirror 5 returns to the light emitting layer 1a different from the emission source. In other words, it is possible to return only to the light emitting layer 1a as the emission source. Therefore, no cross-coupling oscillation occurs, and the laser beam 6 emitted from the partial reflection mirror 5 is only the regular oscillation laser beam 6.
  • FIG. 5 is a diagram showing a wavelength spectrum of the wavelength coupled laser device 20 shown in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing a wavelength spectrum of the wavelength coupled laser device 10 shown in FIG. 5 and 6, the horizontal axis represents wavelength, and the vertical axis represents intensity.
  • FIG. 6 shows the effect of the wavelength coupled laser apparatus 10 according to the first embodiment.
  • the wavelength coupled laser device 20 shown in FIG. 3 and the wavelength coupled laser device 10 shown in FIG. 4 both use the LD bar 1 having 19 light emitting layers 1a.
  • the cross-coupling oscillation is not suppressed and the wavelength spectrum is disturbed, whereas in FIG. 6, 19 separated peaks can be clearly confirmed, and the cross-coupling oscillation can be suppressed. I understand that.
  • the emission end face of the LD bar 1 is provided in the plane formed by the optical axis direction and the laser beam coupling direction 400 by providing the cross coupling suppressing optical system 4. 1b and the partial reflection mirror 5 are conjugated to each other, that is, the emission end face 1b is imaged on the partial reflection mirror 5.
  • cross coupling oscillation is suppressed and high beam quality can be obtained.
  • the electro-optical conversion efficiency of the LD bar 1 decreases, but the electro-optical conversion efficiency originally provided in the LD bar 1 can be obtained by suppressing the cross coupling oscillation.
  • the use efficiency of the laser light contributing to the laser processing can be increased by suppressing the occurrence of the cross coupling oscillation.
  • the emission end face 1b of the LD bar 1 is imaged on the partial reflection mirror 5 only by disposing the cross coupling suppression optical system 4. Therefore, the wavelength coupling laser device 10 is simple and simple without requiring an opening or slit for blocking the optical path of the cross coupling oscillation, a locking arm as an additional optical path for fixing the oscillation wavelength of the laser light 6, and the like. It is a simple configuration. As a result, the wavelength coupled laser device 10 is low in cost, and can stably suppress cross coupling oscillation against manufacturing errors.
  • a half-wave plate may be disposed between the LD bar 1 and the wavelength coupling element 3, specifically, between the light collecting element 2 and the wavelength coupling element 3.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a state in which the half-wave plate 8 is disposed in the wavelength coupled laser device 10 according to the first embodiment.
  • the diffraction efficiency of the wavelength coupling element 3 is increased by rotating the polarization direction of the laser beam 6 by 90 degrees around the optical axis by the half-wave plate 8 provided between the condenser element 2 and the wavelength coupling element 3. It becomes easy and the highly efficient wavelength coupling laser apparatus 10 is obtained.
  • the wavelength coupling laser device 10 may include a plurality of LD bars 1 which are semiconductor lasers.
  • the LD bars 1 are arranged so that the chief rays 6 a of the laser light 6 emitted from all the LD bars 1 are collected at one point A on the wavelength coupling element 3. Since the laser beams 6 of the plurality of LD bars 1 are superimposed on one, the wavelength coupling laser device 10 can obtain a high output.
  • FIG. FIG. 8 is a diagram showing a configuration of the wavelength coupled laser device 11 according to the second embodiment of the present invention.
  • the wavelength coupling laser device 11 shown in the second embodiment includes a beam shaping element 7. That is, the LD bar 1 of the wavelength coupled laser device 11 includes the beam shaping element 7 so as to face the emission end face 1b.
  • the beam shaping element 7 is separated from the LD bar 1.
  • a plurality of emitted laser beams 6 are collimated to suppress the divergence angle.
  • a plurality of laser beams 6 collimated by the beam shaping element 7 enter the wavelength coupling element 3.
  • FIG. 8 only three light emitting layers 1a are drawn for simplification. Details of the beam shaping element 7 will be described below with reference to FIGS. 9 and 10.
  • FIG. 9 is an enlarged view of an example of the LD bar 1 and the beam shaping element 7 according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is an enlarged view of another example of the LD bar 1 and the beam shaping element 7 according to the second exemplary embodiment. 9 and 10 show two different types of beam shaping elements 7.
  • the width of the light emitting layer 1a of the LD bar 1 is usually 50 ⁇ m to 200 ⁇ m, and the divergence angle of the laser beam 6 emitted from the light emitting layer 1a in the width direction (X direction) of the LD bar 1 is 7 deg to 11 deg.
  • the thickness of the light emitting layer 1a is about 1 ⁇ m, and the divergence angle of the emitted laser light 6 in the thickness direction (Y direction) of the light emitting layer 1a is 45 deg to 60 deg.
  • the direction in which the divergence angle of the laser beam 6 is small is called the slow axis direction
  • the direction in which the divergence angle of the laser beam 6 is large is called the fast axis direction.
  • the width direction (X direction) of the LD bar 1 is the slow axis direction
  • the thickness direction (Y direction) of the light emitting layer 1a is the fast axis direction. That is, a plurality of laser beams 6 are emitted from a plurality of light emitting layers 1a arranged in the width direction (slow axis direction) in the LD bar 1, and each laser beam 6 has two directions with different divergence angles, that is, a slow axis direction. And having a fast axis direction.
  • the beam shaping element 7 includes two lenses, that is, a FAC (Fast Axis Collimator) 71 that collimates the fast axis direction and a SAC (Slow Axis Collimator) 72 that collimates the slow axis direction.
  • the FAC 71 is a cylindrical lens having a bus in the X direction.
  • the exit surface 72b of the SAC 72 is a lens array in which a plurality of cylindrical lens surfaces having a generating line in the Y direction are arranged in the X direction, which is the laser beam coupling direction, that is, a microlens array.
  • the incident surface 72a of the SAC 72 is a flat surface.
  • the beam shaping element 7 shown in FIG. 10 includes an FAC 71 and an optical path conversion element 73 instead of the SAC 72.
  • the optical path conversion element 73 functions to switch the slow axis direction and the fast axis direction of the laser light 6. That is, before and after the optical path conversion element 73, the slow axis direction of the laser light 6 changes from the X direction to the Y direction, and the fast axis direction changes from the Y direction to the X direction.
  • both the entrance surface 73a and the exit surface 73b are a lens array in which a plurality of cylindrical lens surfaces are arranged in the X direction that is a laser beam coupling direction, that is, a microlens array.
  • Each lens surface constituting the microlens array has a generatrix in the direction of 45 deg in the XY plane.
  • the individual lens surfaces constituting the microlens array are arranged so as to face each other at the entrance surface 73a and the exit surface 73b, and the positions of the facing lens surfaces in the X direction, which is the slow axis direction, coincide with each other.
  • the optical path conversion element 73 is arranged so that the position of each lens surface coincides with the emission position of the laser light 6 from the light emitting layer 1a.
  • the lens surfaces of the FAC 71, the SAC 72, and the optical path conversion element 73 are either a circular arc having a convex cross section perpendicular to the generatrix, an ellipse, a hyperbola, or a non-arc having a polynomial combined therewith.
  • a lens for collimating the slow axis direction of the laser light 6 may be separately provided in the external resonator optical path.
  • the wavelength coupling laser device 11 can be made small and compact. That is, the manufacturing cost of the wavelength coupled laser device 11 can be reduced.
  • the laser beam 6 collimated by the beam shaping element 7 is emitted from the exit surface 72b of the SAC 72 or the exit surface 73b of the optical path conversion element 73 and then spreads again by diffraction.
  • the wavelength coupling laser device 11 includes the beam shaping element 7, the emission surface 72 b or 73 b is regarded as a new emission end surface of the LD bar 1, and these are imaged on the partial reflection mirror 5, thereby Ring oscillation can be suppressed. That is, by arranging the cross coupling suppression optical system 4 so that the emission surface 72b or 73b is conjugated with the partial reflection mirror 5 in a plane formed by the optical axis direction and the laser beam coupling direction, the emission surface 72b or 73b is arranged.
  • the broken lines in FIG. 8 are divergent light indicating that the emission surfaces 72 b and 73 b are imaged on the partial reflection mirror 5. Note that the solid line is the principal ray 6 a of the laser beam 6.
  • the beam shaping element 7 is sufficiently smaller than the wavelength coupling laser device 10, so that the beam shaping element 7 is ignored and the cross coupling suppression optical system 4 applies the exit end face 1 b of the LD bar 1 to the partial reflection mirror. There is no problem even if the cross-coupling suppression optical system 4 is arranged so as to form an image on the surface 5.
  • the principal ray 6a of each laser beam 6 emitted from the light emitting layer 1a is collected at one point A of the wavelength coupling element 3 by shifting the pitch of the SAC 72 or tilting the bus line of the FAC 71 in the XY plane. it can. That is, as shown in FIG. 8, the condensing element 2 provided in the wavelength coupled laser apparatus 10 according to the first embodiment is not an indispensable component and may be omitted. As shown in FIG. 8, when the condensing element 2 is not used, the exit surface 72 b of the SAC 72 or the exit surface 73 b of the optical path conversion element 73 is placed on the partial reflection mirror 5 in the XZ plane only by the cross coupling suppression optical system 4. To form an image.
  • the cross coupling suppression optical system 4 allows the emission surface 72b of the SAC 72 or the surface of the SAC 72 in the plane formed by the optical axis direction and the laser beam coupling direction.
  • the exit surface 73b of the optical path conversion element 73 and the partial reflector 5 in a conjugate manner, that is, by forming the exit surfaces 72b and 73b on the partial reflector 5, cross-coupling oscillation is suppressed and wavelength coupling is performed.
  • the laser device 11 can be made small and compact and inexpensive.
  • FIG. FIG. 11 is a diagram for explaining how the beam quality deteriorates in the wavelength coupled laser apparatus 10 according to the first embodiment. Even if the cross-coupling oscillation can be suppressed by the cross-coupling suppression optical system 4 included in the wavelength-coupled laser device 10 according to the first embodiment and the wavelength-coupled laser device 11 according to the second embodiment, it will be described below. The beam quality may be degraded under certain conditions.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a decrease in beam quality due to the cross-coupling suppression optical system 4 in the wavelength coupled laser apparatus 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 11 shows only three light emitting layers 1a for simplification. Considering only the laser beam 6 emitted from the middle light emitting layer 1a, the solid line is the principal ray 6a, and the broken line is the divergent light indicating that the emission end face 1b is imaged on the partial reflector 5.
  • the cross coupling suppression optical system 4 is a single lens in the wavelength coupled laser device 10. As described above, the cross-coupling suppression optical system 4 has the laser beam coupling direction perpendicular to both the optical axis direction of the single laser beam 6 coupled in the wavelength coupling element 3 and the thickness direction of the LD bar 1. 400 has a convex power, that is, a positive power.
  • the focal length of the cross coupling suppression optical system 4 in the laser beam coupling direction is f
  • the distance between the wavelength coupling element 3 and the cross coupling suppression optical system 4 is L1
  • the cross coupling suppression optical system is L2.
  • the cross coupling suppression optical system 4 and the partial reflection mirror 5 are arranged as shown in FIG. 11, a plurality of light beams 6s (wavelength ⁇ s), light beams 6t (wavelength ⁇ t) diffracted by the wavelength coupling element 3,
  • the light beam 6u (wavelength ⁇ u) can be returned to the original light emitting layer 1a. That is, one light emitting layer 1 a oscillates with a continuous wide wavelength width, and the beam diameter of the laser light 6 is greatly expanded on the partial reflection mirror 5. For this reason, the beam quality of the laser light emitted from the partial reflection mirror 5 is degraded.
  • FIG. 12 is a diagram showing a configuration of the wavelength coupled laser device 12 according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a configuration of another wavelength coupled laser device 13 according to the third embodiment.
  • the wavelength coupled laser devices 12 and 13 according to the third embodiment of the present invention it is possible to achieve good beam quality by avoiding the above-described conditions without lengthening the external resonator optical path.
  • the cross coupling suppression optical system 4 is constituted by two lenses, a convex lens 41 and a concave lens.
  • the convex lens 41 and the concave lens 42 are arranged in the laser beam coupling direction 401 shown in FIG. 12, which is perpendicular to both the optical axis direction of one laser beam 6 coupled in the wavelength coupling element 3 and the thickness direction of the LD bar 1.
  • a convex lens 41 that is a first lens is disposed on the side close to the wavelength coupling element 3
  • a concave lens 42 that is a second lens is disposed on the side close to the partial reflection mirror 5.
  • FIG. 12 can have a configuration corresponding to the arrangement of the cross coupling suppression optical system 4 composed of one lens of FIG. That is, in FIG. 11, a configuration corresponding to increasing the difference between L1 and L2 by setting L1 ⁇ 0 is possible with the wavelength coupled laser device 12 of FIG.
  • the cross coupling suppressing optical system 4 is constituted by two convex lenses 43 and 44.
  • the convex lenses 43 and 44 have power in the laser beam coupling direction 402 shown in FIG. 13 perpendicular to both the optical axis direction of one laser beam 6 coupled in the wavelength coupling element 3 and the thickness direction of the LD bar 1. have.
  • a convex lens 43 that is a first lens is disposed on the side close to the wavelength coupling element 3
  • a convex lens 44 that is a second lens is disposed on the side close to the partial reflection mirror 5.
  • the distance L4 between the convex lens 43 and the convex lens 44 is defined such that the focal length of the convex lens 43 in the laser beam coupling direction 402 is the first focal length f3, and the focal length of the convex lens 44 in the laser beam coupling direction 402 is the second focal length f4.
  • the convex lens 44 has a convex power in the laser beam coupling direction 402, that is, a positive power, and the interval S between the convex lens 44 and the partial reflecting mirror 5 satisfies S> L4-f3.
  • the lens main surface H when the convex lens 43 and the convex lens 44 are combined can be placed closer to the LD bar 1 than the wavelength coupling element 3. Therefore, the wavelength coupling laser device 13 of FIG. 13 can have a configuration corresponding to the cross coupling suppression optical system 4 composed of one lens of FIG. That is, in FIG. 11, a configuration corresponding to increasing the difference between L1 and L2 by setting L1 ⁇ 0 is possible with the wavelength coupled laser device 13 of FIG.
  • the cross coupling suppression optical system 4 is configured by two lenses, so that the external resonator optical path is not lengthened. That is, cross-coupling oscillation can be suppressed and good beam quality can be obtained without increasing the size of the wavelength coupled laser devices 12 and 13.
  • the wavelength coupled laser devices 12 and 13 do not depict the beam shaping element 7 shown in the second embodiment, but the wavelength coupled laser devices 12 and 13 according to the third embodiment do not have the beam shaping element 7. The above effect can be obtained. Further, when the wavelength coupled laser devices 12 and 13 according to the third embodiment include the beam shaping element 7, the wavelength coupled laser devices 12 and 13 have good beam quality even if the light condensing element 2 is not included.
  • FIG. 14 is a diagram showing the configuration of the wavelength coupled laser device 14 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration of another wavelength coupled laser device 15 according to the fourth embodiment.
  • the surface facing the inside of the external resonator optical path of the partial reflector 5 is the partial reflecting surface 5a
  • the surface facing the outside of the external resonator optical path is the total transmission surface 5b.
  • the wavelength coupling laser device 14 includes a plurality of LD bars 1
  • a laser beam 6 having a higher output than that when a single LD bar 1 is provided is condensed on the partial reflection surface 5 a of the partial reflection mirror 5.
  • the total transmission surface 5b includes an antireflection film formed by vacuum deposition or other methods.
  • the partial reflection surface 5a is a non-coated surface. That is, a film that can absorb the laser beam 6 is eliminated, and even if the high-power laser beam 6 is condensed, damage is hardly caused.
  • the laser beam 6 is reflected at a reflectance of about 4% of the interface between the glass material and the air of the partial reflection mirror 5, and returns to the light emitting layer 1a. Oscillates.
  • the partial reflection surface 5a facing the inside of the external resonator optical path of the partial reflection mirror 5 is made concave. That is, the partial reflection surface 5a has negative power.
  • the partial reflection surface 5a of the partial reflection mirror 5 is a non-coated surface. Further, in the wavelength coupling laser device 15 according to the fourth embodiment, the partial reflection surface By making the concave surface 5a, it is possible to suppress the cross coupling oscillation and suppress the damage of the partial reflection mirror 5, thereby extending the life.
  • the partial reflection surface 5a and the total transmission surface 5b may be arranged in reverse.
  • the inner surface of the external resonator optical path may be a total transmission surface and the outer surface may be a partial reflection surface.
  • 14 and 15 do not depict the light condensing element 2, the above effect can be obtained with or without the light condensing element 2.
  • the wavelength coupling laser devices 14 and 15 according to the fourth embodiment have the condensing element 2, the wavelength coupling laser devices 14 and 15 are provided for the partial reflection mirror 5 even if the beam shaping element 7 is not provided. Damage can be suppressed.
  • the configuration described in the above embodiment shows an example of the contents of the present invention, and can be combined with another known technique, and can be combined with other configurations without departing from the gist of the present invention. It is also possible to omit or change the part.
  • 1 LD bar 1a, 1p, 1q light emitting layer, 1b emission end face, 1c end face (total reflection mirror), 2 condensing element, 3 wavelength coupling element, 4 cross coupling suppression optical system, 5 partial reflection mirror, 5a partial reflection Surface, 5b total transmission surface, 6 laser light, 6a, 6i, 6j, 6k, 6p, 6q principal ray, 6r, 6s, 6t, 6u, 6v ray, 7 beam shaping element, 8 1/2 wavelength plate, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 20 Wavelength coupled laser device, 41, 43, 44 convex lens, 42 concave lens, 71 FAC, 72 SAC, 72a, 73a entrance surface, 72b, 73b exit surface, 73 optical path conversion element, ⁇ i , ⁇ j, ⁇ k incidence angle, ⁇ emission angle (diffraction angle), A one point, B point, H lens main surface.

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Abstract

波長結合レーザ装置(10)は、レーザ光結合方向に並んだ複数の発光部の出射端面(1b)から、レーザ光結合方向に垂直な光軸の方向へ複数のレーザ光(6)を出射する半導体レーザと、レーザ光結合方向に複数のレーザ光を結合して1本のレーザ光にして出力する波長結合素子(3)と、波長結合素子から出力された1本のレーザ光の光軸に垂直なレーザ光結合方向に正のパワーを有するクロスカップリング抑制光学系(4)と、クロスカップリング抑制光学系を経た1本のレーザ光を反射すると共に透過させて出射する部分反射鏡(5)と、を備え、光軸とレーザ光結合方向とが成す平面内において、出射端面と部分反射鏡とを共役に結ぶことにより、出射端面を部分反射鏡の上に結像するように、クロスカップリング抑制光学系が配置されている。

Description

波長結合レーザ装置
 本発明は、半導体レーザの複数の発光部から出射されたレーザ光を合成する波長結合レーザ装置に関する。
 多数の半導体レーザダイオード(Laser Diode:LD)が出射する光(以下、LD光と称する)を合成するレーザ発振器の例として、回折格子を波長結合素子として用いた波長結合型の共振器が存在する。
 近年、金属の切断または溶接といった加工に、波長が900nm帯または1000nm帯であって、電気光変換効率の高いLD光が直接用いられるようになってきた。しかし、これらの用途において、単一のLD光、つまり半導体素子の一つの発光層である活性層ストライプから放射される光の出力には限りがあるので、高出力なレーザ光を得るためには、複数の発光層からのLD光を集めて用いている。
 さらに、特に切断加工においては、高いビーム品質すなわち集光性能も必要であるため、単純に複数のLD光を集めるだけでなく、LD光の合成が行われる。金属の切断または溶接といった加工には数100Wから数kWのレーザ出力が必要であり、発光層を複数本設けたLDバーは、複数のLD光を得るのに便利である。具体的には、幅10mm程のLDバーに幅50μmから200μmの発光層が等ピッチに配列されており、10本から50本のレーザ光がその端面から出射される。このようなLDバーからは数10Wの出力が得られ、近年では数100Wを出力するLDバーも入手可能になった。
 波長結合型の共振器では、ビーム品質と電気光変換効率を低下させるクロスカップリング発振、いわゆるクロストークが生じ易い。波長結合型の共振器では、LDバーから出射された多数のLD光を重畳して、高出力且つ多波長の1本の合成レーザ光を得る。この波長結合には波長結合素子を備えた外部共振器光路を用いるが、部分反射鏡で反射されたLD光が、そのLD光を発した元の発光層に帰還せず、隣の発光層といった別の発光層に帰還することがある。このとき、隣り合う発光層間といった異なる発光層間でレーザ発振が生じる。このレーザ発振がクロスカップリング発振である。
 このクロスカップリング発振を抑えるために、特許文献1においては、a cross-coupling mitigation systemの後のレーザ光のレイリー長内に、a partially-reflecting output coupler、すなわち部分反射鏡を配置すれば良いとされている。
米国特許第9256073号明細書
 しかし、特許文献1に記載された手法では、クロスカップリング発振を止めることはできない。特許文献1は、回折格子から部分反射鏡までの間の距離であるLcplr_effを、レンズ後のレーザ光のレイリー長であるZrと同等以上にしている。また、Zrの具体的な値は160mと非現実的な距離であるため、アフォーカル望遠鏡を用いて1m程度の現実的な距離に短縮して部分反射鏡を配置している。しかし、クロスカップリング発振を抑制可能な部分反射鏡の配置位置は、実際にはこのような広い範囲ではなく、非常に狭いピンポイントでしか存在しない。したがって、クロスカップリング発振を止めるためには、a cross-coupling mitigation systemの後のレーザ光のレイリー長内に、部分反射鏡を配置するという条件だけでは不十分である。さらに、アフォーカル望遠鏡ではクロスカップリング発振を止めることができない。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、クロスカップリング発振を発生させず、高いビーム品質および高い電気光変換効率を有した波長結合レーザ装置を得ることを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、レーザ光結合方向に並んだ複数の発光部の出射端面から、レーザ光結合方向に垂直な光軸の方向へ複数のレーザ光を出射する半導体レーザと、レーザ光結合方向に複数のレーザ光を結合して1本のレーザ光にして出力する波長結合素子と、波長結合素子から出力された1本のレーザ光の光軸に垂直なレーザ光結合方向に正のパワーを有するクロスカップリング抑制光学系と、クロスカップリング抑制光学系を経た1本のレーザ光を反射すると共に透過させて出射する部分反射鏡と、を備えることを特徴とする。さらに、本発明は、1本のレーザ光の光軸とレーザ光結合方向とが成す平面内において、出射端面と部分反射鏡とを共役に結ぶことにより、出射端面を部分反射鏡の上に結像するように、クロスカップリング抑制光学系が配置されていることを特徴とする。
 本発明によれば、クロスカップリング発振を発生させず、高いビーム品質および高い電気光変換効率を有した波長結合レーザ装置を得ることが可能になるという効果を奏する。
本発明の実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置の構成を示す図 実施の形態1にかかる波長結合素子における複数のレーザ光の振る舞いを示す図 クロスカップリング発振におけるレーザ光の振る舞いを説明する図 実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置におけるクロスカップリング抑制光学系の働きを説明する図 図3に示した波長結合レーザ装置の波長スペクトルを示す図 図4に示した波長結合レーザ装置の波長スペクトルを示す図 実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置に1/2波長板を配置した様子を示す図 本発明の実施の形態2にかかる波長結合レーザ装置の構成を示す図 実施の形態2にかかるLDバーおよびビーム整形素子の一例の拡大図 実施の形態2にかかるLDバーおよびビーム整形素子の別の例の拡大図 実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置においてビーム品質が低下する様子を説明する図 本発明の実施の形態3にかかる波長結合レーザ装置の構成を示す図 実施の形態3にかかる別の波長結合レーザ装置の構成を示す図 本発明の実施の形態4にかかる波長結合レーザ装置の構成を示す図 実施の形態4にかかる別の波長結合レーザ装置の構成を示す図
 以下に、本発明の実施の形態にかかる波長結合レーザ装置を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
 図1は、本発明の実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10の構成を示す図である。波長結合レーザ装置10は、複数の発光部である発光層1aが設けられた半導体レーザであるLDバー1と、集光素子2と、波長結合素子3と、クロスカップリング抑制光学系4と、部分反射鏡5と、を備えている。集光素子2およびクロスカップリング抑制光学系4それぞれの具体例はレンズである。波長結合素子3の具体例は回折格子である。
 LDバー1内の発光層1aは10本から50本程度設けられており、LDバー1の幅方向に等ピッチで並んでいる。LDバー1の幅方向は、波長結合素子3がレーザ光6を結合する方向であるレーザ光結合方向になっている。図1においては、簡略化して示すために3本の発光層1aだけが描かれている。個々の発光層1aの出射端面1bから、レーザ光結合方向に垂直な光軸の方向にそれぞれレーザ光6が出射される。レーザ光結合方向は、レーザ光6の光軸に対する方向であり、光軸に対して垂直かつLDバー1の厚み方向に対しても垂直な方向と定義する。したがって、後述する波長結合素子3により光軸の方向が変化すれば、レーザ光結合方向も変化する。ここで、発光層1aが並んでいるLDバー1の幅方向をX方向、LDバー1の厚み方向をY方向、レーザ光6が出射される方向をZ方向とする。
 LDバー1は、InGaAs基板またはAlGaAs基板に対して、リソグラフィといった半導体プロセスを実行することにより作製される。LDバー1を冷却するためのヒートシンク、LDバー1とヒートシンクをつなぐサブマウント、通電のための電極および金ワイヤーは、図1では省略してある。
 集光素子2をレンズで構成する場合、集光素子2は石英またはガラス製で、少なくとも上述したレーザ光結合方向(X方向)に、凸のパワーすなわち正のパワーを持つ。集光素子2は、各発光層1aから出射されて発散しながら伝搬してくるレーザ光6をコリメートすなわち平行化する。同時に、集光素子2は、各レーザ光6の主光線6aを波長結合素子3上の一点Aに集める。
 波長結合素子3を回折格子で構成する場合、波長結合素子3は、主光線6aが一点Aに集められた各レーザ光6を1次の回折方向へと回折する。なお、波長結合素子3が各レーザ光6を回折する方向は1次の回折方向に限定されるわけではない。
 波長結合素子3で回折された各レーザ光6は、クロスカップリング抑制光学系4を透過し、部分反射鏡5でその一部が反射される。部分反射鏡5で反射された各レーザ光6の一部は、これまで伝搬してきた光路を逆方向に、クロスカップリング抑制光学系4、波長結合素子3、集光素子2と遡って行き、各々が当該各レーザ光6を出射した元の発光層1aへと帰還する。
 すなわち、波長結合レーザ装置10は、発光層1aを利得媒質である発振源とし、LDバー1における出射端面1bの逆側の端面1cを全反射鏡とし、部分反射鏡5を端面1cに対向する鏡とした共振器である。LDバー1の外側の部分となる集光素子2から部分反射鏡5までを外部共振器光路と呼ぶ。
 次に、複数のレーザ光6の合成、つまり波長結合について説明する。図2は、実施の形態1にかかる波長結合素子3における複数のレーザ光6の振る舞いを示す図である。図2では、複数のレーザ光6を、簡単のため3本の主光線6i,6j,6kで表している。主光線6i,6j,6kは、集光素子2で波長結合素子3上の一点Aに集められている。
 波長結合素子3における主光線6i,6j,6kの入射角は、LDバー1における発光層1aのピッチと、集光素子2の焦点距離と、波長結合素子3の配置角とに基づいて、それぞれθi,θj,θkと決定される。
 一方、主光線6i,6j,6kが各々の光線を出射した元の発光層1aに帰還するためには、主光線6i,6j,6kは波長結合素子3で回折された後、部分反射鏡5に垂直入射して垂直反射しなければならない。この条件から、波長結合素子3における主光線6i,6j,6kの出射角すなわち回折角は、全て同じ大きさの角度ψに決定される。
 以上のようにして決定された入射角θi,θj,θkおよび出射角ψに基づいて、主光線6i,6j,6kの波長は、定められた値λi,λj,λkに決定される。
 すなわち、各発光層1aから出射されるレーザ光6の発振可能な波長が自動的に選択されて、波長結合レーザ装置10は発振する。この時、入射角がθiからθkへと大きくなるのに従い、波長はλiからλkへと長くなることから、各発光層1aから出射されるレーザ光6の波長は、LDバー1のX方向に沿って段階的且つ離散的に変化したものになる。
 波長結合素子3におけるレーザ光6の出射角ψは、入射角の大きさに関わらず一定の値である。つまり、波長結合素子3はレーザ光結合方向であるX方向に複数のレーザ光6を結合して1本のレーザ光6にして出力する。その結果、波長結合素子3から部分反射鏡5までの間、全ての波長のレーザ光6は1本に重畳されており、波長結合レーザ装置10は部分反射鏡5から1本の多波長の合成レーザ光を出射する。
 クロスカップリング抑制光学系4が存在しない場合または適切に配置されていない場合、ある一つの発光層1aから出射されたレーザ光6が元の発光層1aに帰還せず、別の発光層1aに帰還してしまうことがある。このような場合、異なる2つの発光層1aの間で発振が生じる。この現象をクロスカップリング発振と呼ぶ。
 図3は、クロスカップリング発振におけるレーザ光6の振る舞いを説明する図である。図3に示した波長結合レーザ装置20には、クロスカップリング抑制光学系4が存在しない。また、図3では、波長結合素子3における回折の効果を簡略化して示してあり、LDバー1から部分反射鏡5までを一直線に配置して示してある。そして、LDバー1の発光層については、着目する2本の発光層1p,1qのみを描いてある。実線で示した主光線6p,6qは、それぞれ発光層1p,1qから出射されたレーザ光で、クロスカップリング発振ではない正規発振の光路を表している。破線で示した光線6rはクロスカップリング発振の光路を表している。
 発光層1pから斜めに出射された光線6rは、部分反射鏡5に対して入射角度εで入射し、反射角度εで反射して発光層1qに帰還する。逆に、光線6rが発光層1qから出射される場合は、発光層1pに帰還する。このようにして、光線6rは発光層1pと発光層1qとを往復する。この時、主光線6p,6qの一部は部分反射鏡5を真っ直ぐに透過するが、クロスカップリング発振の光線6rはその一部が角度εだけずれて部分反射鏡5を透過する。すなわち、クロスカップリング発振が生じると、部分反射鏡5から出射されるレーザ光は正規発振のレーザ光より広がり、ビーム品質が低下する。
 なお、主光線6p,6qの波長をそれぞれλp,λqとした時、クロスカップリング発振の光線6rの波長は、およそλpおよびλqの中間の波長(λp+λq)/2になる。よって、出射されるレーザ光の波長スペクトルを測定すれば、クロスカップリング発振が生じているか否かを知ることができる。
 図4は、実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10におけるクロスカップリング抑制光学系4の働きを説明する図である。図4も、図3と同様に、波長結合素子3における回折の効果を簡略化して示してあり、LDバー1から部分反射鏡5までを一直線に配置して示してある。
 クロスカップリング抑制光学系4をレンズで構成する場合、クロスカップリング抑制光学系4は石英またはガラス製である。クロスカップリング抑制光学系4は、波長結合素子3において結合されて出射された1本のレーザ光6の光軸方向と、LDバー1の厚み方向との双方に垂直な図1に示したレーザ光結合方向400に凸のパワーすなわち正のパワーを有している。レーザ光結合方向400は、クロスカップリング抑制光学系4における、波長結合素子3で複数のレーザ光6を結合したLDバー1の幅方向に相当する方向である。
 さらに、クロスカップリング抑制光学系4と集光素子2とを合わせた外部共振器光路のレンズ系は、1本のレーザ光6の光軸方向とレーザ光結合方向400とが成す平面内すなわちXZ面内においてLDバー1の出射端面1bと部分反射鏡5とを共役に結んでいる。つまり、上記レンズ系は、XZ面内で出射端面1bを部分反射鏡5上に結像する。
 図4において実線で示した主光線6p,6qは、図3と同様に、それぞれ発光層1p,1qから出射されたレーザ光で、正規発振の光路を表している。図4において破線で示した光線6vは、図3の光線6rを参考にした部分反射鏡5上で入射角度εおよび反射角度εで入射および反射する仮想的な光線である。図4から、光線6vは発光層1pと発光層1qとの中央の点Bに帰還することが分かる。この帰還する点Bの位置は角度εの大きさに依らないことから、クロスカップリング発振のレーザ光である光線6vは存在することができない。
 クロスカップリング抑制光学系4の機能を別の方法でも説明する。先に述べたように、クロスカップリング抑制光学系4と集光素子2とを合わせた外部共振器光路のレンズ系によって、XZ面内でLDバー1の出射端面1bは部分反射鏡5上に結像される。ここで、クロスカップリング発振が発生するとすれば、発光層1pと発光層1qとが同一の波長(λp+λq)/2で発振するため、部分反射鏡5上における発光層1pおよび発光層1qそれぞれの像は、発光層1pおよび発光層1qのピッチ分だけ分離しなければならない。つまり、発光層1pおよび発光層1qそれぞれの像は部分反射鏡5上で重ならないことになるので、部分反射鏡5で反射されたレーザ光6が出射元とは別の発光層1aに帰還することはなく、出射元の発光層1aのみに帰還可能である。よって、クロスカップリング発振は発生せず、部分反射鏡5から出射されるレーザ光6は正規発振のレーザ光6のみとなる。
 図5は、図3に示した波長結合レーザ装置20の波長スペクトルを示す図である。図6は、図4に示した波長結合レーザ装置10の波長スペクトルを示す図である。図5および図6の横軸は波長で、縦軸は強度である。図6は、実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10の効果を示している。
 図3に示した波長結合レーザ装置20および図4に示した波長結合レーザ装置10は、共に19本の発光層1aを備えたLDバー1を用いている。図5では、クロスカップリング発振が抑制できておらず、波長スペクトルが乱れているのに対して、図6では、19本の分離したピークを明瞭に確認でき、クロスカップリング発振が抑制できていることが分かる。
 すなわち、実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10によれば、クロスカップリング抑制光学系4を設けることによって、光軸方向とレーザ光結合方向400とが成す平面内においてLDバー1の出射端面1bと部分反射鏡5とを共役に結ぶ、つまり出射端面1bを部分反射鏡5上に結像する。これにより、クロスカップリング発振が抑制され、高いビーム品質が得られる。また、クロスカップリング発振が生じると、LDバー1の電気光変換効率が低下するが、クロスカップリング発振を抑制することで本来LDバー1が備えている電気光変換効率が得られる。さらに、クロスカップリング発振によるレーザ光はビーム品質を落とす無駄な光であるので、クロスカップリング発振の発生を抑えることでレーザ加工に寄与するレーザ光の利用効率を高めることが可能となる。
 実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10においては、クロスカップリング抑制光学系4を配置することのみによってLDバー1の出射端面1bを部分反射鏡5上に結像している。したがって、波長結合レーザ装置10は、クロスカップリング発振の光路を遮断するための開口またはスリット、レーザ光6の発振波長を固定するための追加光路であるロッキングアームなどを設ける必要がない単純かつ簡便な構成である。その結果、波長結合レーザ装置10は低コストであり、製造誤差に対しても安定してクロスカップリング発振を抑制することができる。
 なお、LDバー1と波長結合素子3との間、具体的には集光素子2と波長結合素子3との間に1/2波長板を配置しても良い。図7は、実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10に1/2波長板8を配置した様子を示す図である。集光素子2と波長結合素子3との間に設けられた1/2波長板8によってレーザ光6の偏光方向を光軸の回りに90deg回転させることで、波長結合素子3の回折効率を高め易くなり、高効率な波長結合レーザ装置10が得られる。
 さらに、波長結合レーザ装置10は半導体レーザであるLDバー1を複数備えても良い。全てのLDバー1から出射されるレーザ光6の主光線6aが、波長結合素子3上の一点Aに集まるようにLDバー1を配置する。複数のLDバー1のレーザ光6を1本に重畳するので、波長結合レーザ装置10は高出力を得ることができる。
実施の形態2.
 図8は、本発明の実施の形態2にかかる波長結合レーザ装置11の構成を示す図である。図8において、図1および図4と同じ符号を付した構成要素は同じである。実施の形態2に示す波長結合レーザ装置11は、ビーム整形素子7を備える。すなわち、波長結合レーザ装置11のLDバー1は、出射端面1bに対向するようにビーム整形素子7を備える。LDバー1の幅方向であるX方向に等ピッチで並ぶアレイ状の発光層1aから発散光として出射される複数のレーザ光6がお互いに重なり合う前に、ビーム整形素子7は、LDバー1から出射される複数のレーザ光6をコリメートして発散角を抑える。ビーム整形素子7によってコリメートされた複数のレーザ光6が波長結合素子3に入射する。図8においては、簡略化して示すために3本の発光層1aだけが描かれている。ビーム整形素子7の詳細については、図9および図10を用いて以下で説明する。
 図9は、実施の形態2にかかるLDバー1およびビーム整形素子7の一例の拡大図である。図10は、実施の形態2にかかるLDバー1およびビーム整形素子7の別の例の拡大図である。図9および図10は、異なる2タイプのビーム整形素子7を示している。
 LDバー1の発光層1aの幅は、通常50μmから200μmであり、発光層1aから出射されるレーザ光6のLDバー1の幅方向(X方向)の発散角は7degから11degである。一方、発光層1aの厚さは1μm程度で、出射されるレーザ光6の発光層1aの厚み方向(Y方向)の発散角は45degから60degである。レーザ光6の発散角が小さい方向を遅軸方向と呼び、レーザ光6の発散角が大きい方向を速軸方向と呼ぶ。したがって、LDバー1の幅方向(X方向)が遅軸方向であり、発光層1aの厚み方向(Y方向)が速軸方向となる。すなわち、LDバー1において幅方向(遅軸方向)に並んだ複数の発光層1aから複数のレーザ光6が出射され、個々のレーザ光6は、発散角が異なる2つの方向、すなわち遅軸方向および速軸方向を有する。
 このようなレーザ光6をコリメートするために、一例として図9に示すビーム整形素子7が用いられる。ビーム整形素子7は2つのレンズ、つまり速軸方向をコリメートするFAC(Fast Axis Collimator)71と、遅軸方向をコリメートするSAC(Slow Axis Collimator)72と、から構成される。FAC71は、X方向に母線を有するシリンドリカルレンズである。SAC72の出射面72bは、Y方向に母線を有するシリンドリカル形状のレンズ面をレーザ光結合方向であるX方向に複数並べたレンズアレイ、すなわちマイクロレンズアレイである。なお、SAC72の入射面72aは、平坦な面である。
 一方、図10に示すビーム整形素子7は、FAC71を備えた上で、SAC72の代りに光路変換素子73を備える。光路変換素子73は、レーザ光6の遅軸方向と速軸方向とを入れ替える働きがある。つまり、光路変換素子73の前後で、レーザ光6の遅軸方向はX方向からY方向へと、速軸方向はY方向からX方向へと変化する。光路変換素子73においては、入射面73aおよび出射面73bは共に、シリンドリカル形状のレンズ面をレーザ光結合方向であるX方向に複数並べたレンズアレイ、すなわちマイクロレンズアレイである。マイクロレンズアレイを構成する個々のレンズ面は、XY平面内で45degの方向に母線を有する。マイクロレンズアレイを構成する個々のレンズ面は、入射面73aと出射面73bとで対向するように配置されており、遅軸方向であるX方向における対向するレンズ面同士の位置が一致する。また、個々のレンズ面の位置が発光層1aからのレーザ光6の出射位置とも一致するように、光路変換素子73は配置される。
 FAC71、SAC72および光路変換素子73それぞれのレンズ面は、母線に垂直な断面形状が凸の円弧、楕円、双曲線またはそれらに多項式を組み合わせた非円弧のいずれかになっている。なお、光路変換素子73を用いる場合、外部共振器光路内にレーザ光6の遅軸方向をコリメートするレンズを別途設けることがある。
 図9または図10に示したビーム整形素子7によって、レーザ光6をコリメートして発散角を抑えることで、波長結合レーザ装置11を小さくコンパクトにすることができる。つまり、波長結合レーザ装置11の製造コストを安く抑えることが可能である。
 ビーム整形素子7でコリメートされたレーザ光6は、SAC72の出射面72bまたは光路変換素子73の出射面73bから出射した後、回折によって再び広がる。このため、波長結合レーザ装置11がビーム整形素子7を備える場合、出射面72bまたは73bをLDバー1の新たな出射端面と見なし、これらを部分反射鏡5上に結像することで、クロスカップリング発振を抑えることができる。すなわち、光軸方向とレーザ光結合方向とが成す平面内において出射面72bまたは73bが部分反射鏡5と共役に結ぶようにクロスカップリング抑制光学系4を配置することにより、出射面72bまたは73bを部分反射鏡5上に結像する。図8の破線は、出射面72b,73bが部分反射鏡5上に結像されていることを表す発散光である。なお、実線はレーザ光6の主光線6aである。実際には、ビーム整形素子7は、波長結合レーザ装置10と比べて十分小さいので、ビーム整形素子7を無視して、クロスカップリング抑制光学系4がLDバー1の出射端面1bを部分反射鏡5上に結像するように、クロスカップリング抑制光学系4を配置しても問題ない。
 また、SAC72のピッチをずらす、またはFAC71の母線をXY面内で傾斜させるといった方法で、発光層1aから出射される各レーザ光6の主光線6aを波長結合素子3の一点Aに集めることができる。つまり、図8に示すように、実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10が備える集光素子2は必須の部品ではなく、無くてもかまわない。図8に示すように、集光素子2を用いない場合、クロスカップリング抑制光学系4のみによって、XZ面内でSAC72の出射面72bまたは光路変換素子73の出射面73bを部分反射鏡5上に結像する。
 以上説明したように、実施の形態2にかかる波長結合レーザ装置11によれば、クロスカップリング抑制光学系4によって、光軸方向とレーザ光結合方向とが成す平面内においてSAC72の出射面72bまたは光路変換素子73の出射面73bと部分反射鏡5を共役に結ぶ、つまり、出射面72b,73bを部分反射鏡5上に結像することで、クロスカップリング発振が抑制されると共に、波長結合レーザ装置11を小さくコンパクトにして安価にすることができる。
実施の形態3.
 図11は、実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10においてビーム品質が低下する様子を説明する図である。実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10および実施の形態2にかかる波長結合レーザ装置11が備えるクロスカップリング抑制光学系4によって、クロスカップリング発振を抑制することができても、以下に説明する条件下でビーム品質が低下することがある。
 図11は、実施の形態1にかかる波長結合レーザ装置10におけるクロスカップリング抑制光学系4によるビーム品質の低下を説明する図である。図11は簡略化して示すために、3本の発光層1aだけを描いている。真ん中の発光層1aから出射されるレーザ光6のみを考え、実線は主光線6aで、破線は出射端面1bが部分反射鏡5上に結像されていることを表す発散光である。クロスカップリング抑制光学系4は、波長結合レーザ装置10においては一枚のレンズである。前述したように、クロスカップリング抑制光学系4は、波長結合素子3において結合された1本のレーザ光6の光軸方向と、LDバー1の厚み方向との双方に垂直なレーザ光結合方向400に凸のパワーすなわち正のパワーを有している。
 ここで、図11において、クロスカップリング抑制光学系4のレーザ光結合方向の焦点距離をf、波長結合素子3とクロスカップリング抑制光学系4との間隔をL1とし、クロスカップリング抑制光学系4と部分反射鏡5との間隔をL2とする。図11の波長結合レーザ装置10においては、L1=L2=fとなるようにクロスカップリング抑制光学系4と部分反射鏡5とが配置されている。
 図11のようにクロスカップリング抑制光学系4と部分反射鏡5とが配置された場合、波長結合素子3で回折した波長の異なる複数の光線6s(波長λs)、光線6t(波長λt)、光線6u(波長λu)が元の発光層1aに帰還可能である。すなわち、1つの発光層1aが連続した広い波長幅でレーザ発振し、部分反射鏡5上でレーザ光6のビーム径は大きく広がっている。このため、部分反射鏡5から出射されるレーザ光のビーム品質が低下する。
 このビーム品質の低下は、L1≪L2となる関係にすれば回避できる。そして、L1とL2との差を大きくすればするほど、各発光層1aの1つあたりの波長幅を狭くすることができる。これにより、部分反射鏡5上のレーザ光6のビーム径が細くなり、部分反射鏡5から出射されるレーザ光6のビーム品質は向上する。したがって、図11において、クロスカップリング抑制光学系4を波長結合素子3に近づけてL1をゼロに近づけ、L2(=f)をより長くすればL1とL2の差は大きくなる。しかし、これはL1がゼロ以下にならないため全体としては波長結合レーザ装置10が大型化する方向である。
 図12は、本発明の実施の形態3にかかる波長結合レーザ装置12の構成を示す図である。図13は、実施の形態3にかかる別の波長結合レーザ装置13の構成を示す図である。本発明の実施の形態3にかかる波長結合レーザ装置12,13においては、外部共振器光路を長くすることなく、上記した条件を回避して、良好なビーム品質を実現することができる。
 図12の波長結合レーザ装置12においては、クロスカップリング抑制光学系4を凸レンズ41および凹レンズ42の2枚のレンズで構成している。凸レンズ41と凹レンズ42は、波長結合素子3において結合された1本のレーザ光6の光軸方向と、LDバー1の厚み方向との双方に垂直な図12に示したレーザ光結合方向401にパワーを有している。波長結合素子3に近い側に第一レンズである凸レンズ41を配置し、部分反射鏡5に近い側に第二レンズである凹レンズ42を配置する。なお、凸レンズ41と凹レンズ42との間隔L3は、凸レンズ41のレーザ光結合方向401の焦点距離を第一焦点距離f1とし、凹レンズ42のレーザ光結合方向401の焦点距離を第二焦点距離f2とすると、L3>f1+f2を満たす。つまり、L3=f1+f2を満たすアフォーカル望遠鏡ではない。このレンズ配置により、凸レンズ41と凹レンズ42とを合成した時のレンズ主面Hを、波長結合素子3よりもLDバー1側に配置することができる。したがって、図12の波長結合レーザ装置12においては、図11の一枚のレンズからなるクロスカップリング抑制光学系4を上記レンズ主面Hに配置したことに相当する構成が可能となる。すなわち、図11において、L1<0にしてL1とL2の差を大きくすることに相当する構成が図12の波長結合レーザ装置12により可能となる。
 また、図13の波長結合レーザ装置13においては、クロスカップリング抑制光学系4を2枚の凸レンズ43,44で構成している。凸レンズ43,44は、波長結合素子3において結合された1本のレーザ光6の光軸方向と、LDバー1の厚み方向との双方に垂直な図13に示したレーザ光結合方向402にパワーを有している。波長結合素子3に近い側に第一レンズである凸レンズ43を配置し、部分反射鏡5に近い側に第二レンズである凸レンズ44を配置する。なお、凸レンズ43と凸レンズ44との間隔L4は、凸レンズ43のレーザ光結合方向402の焦点距離を第一焦点距離f3、凸レンズ44のレーザ光結合方向402の焦点距離を第二焦点距離f4とすると、L4>f3+f4を満たす。つまり、クロスカップリング抑制光学系4はL4=f3+f4を満たすアフォーカル望遠鏡ではない。さらに、f3>f4である。凸レンズ44はレーザ光結合方向402に凸のパワーすなわち正のパワーを有しており、凸レンズ44と部分反射鏡5との間隔Sは、S>L4-f3を満たす。このレンズ配置により、凸レンズ43と凸レンズ44とを合成した時のレンズ主面Hを、波長結合素子3よりもLDバー1側に置くことができる。したがって、図13の波長結合レーザ装置13においては、図11の一枚のレンズからなるクロスカップリング抑制光学系4を上記レンズ主面Hに配置したことに相当する構成が可能となる。すなわち、図11において、L1<0にしてL1とL2の差を大きくすることに相当する構成が図13の波長結合レーザ装置13により可能となる。
 以上説明したように、実施の形態3にかかる波長結合レーザ装置12,13によれば、クロスカップリング抑制光学系4を2枚のレンズで構成することにより、外部共振器光路を長くすることなく、つまり波長結合レーザ装置12,13を大型化することなく、クロスカップリング発振を抑制すると共に良好なビーム品質を得ることができる。
 なお、図12および図13には、実施の形態2で示したビーム整形素子7を描いていないが、実施の形態3にかかる波長結合レーザ装置12,13においては、ビーム整形素子7が無くても上記効果が得られる。また、実施の形態3にかかる波長結合レーザ装置12,13がビーム整形素子7を備えている場合は、集光素子2を備えていなくても、波長結合レーザ装置12,13は良好なビーム品質を有する。
実施の形態4.
 図14は、本発明の実施の形態4にかかる波長結合レーザ装置14の構成を示す図である。図15は、実施の形態4にかかる別の波長結合レーザ装置15の構成を示す図である。
 図14を用いて説明すると、部分反射鏡5の外部共振器光路の内側に面した面が部分反射面5aであり、外部共振器光路の外側に面した面が全透過面5bである。波長結合レーザ装置14が複数のLDバー1を備える場合、1つのLDバー1を備える場合に比べて高い出力のレーザ光6が部分反射鏡5の部分反射面5a上に集光される。なお、全透過面5bは、真空蒸着またはその他の手法により形成された反射防止膜を備えている。
 実施の形態4にかかる波長結合レーザ装置14では、部分反射面5aをノンコートの面にする。つまり、レーザ光6を吸収する可能性がある膜を無くして、高い出力のレーザ光6が集光されても損傷を生じ難くする。その結果、波長結合レーザ装置14において、レーザ光6は部分反射鏡5の硝材と空気との界面の約4%の反射率で反射されて、発光層1aに帰還し、波長結合レーザ装置14は発振する。
 さらに、図15に示した実施の形態4にかかる波長結合レーザ装置15では、部分反射鏡5の外部共振器光路の内側に面した部分反射面5aを凹面にする。すなわち、部分反射面5aは、負のパワーを有している。部分反射面5aを凹面にすることで、全透過面5b上のレーザ光6を広げることによりエネルギー密度を下げることができ、全透過面5bの損傷を生じ難くすることができる。
 すなわち、実施の形態4に係る波長結合レーザ装置14によれば、部分反射鏡5の部分反射面5aをノンコートの面にする、さらに実施の形態4にかかる波長結合レーザ装置15では、部分反射面5aを凹面にすることで、クロスカップリング発振を抑制すると共に部分反射鏡5の損傷を抑えて長寿命にすることが可能になる。
 なお、部分反射面5aと全透過面5bとは逆の配置でも構わない。つまり、外部共振器光路の内側の面が全透過面で、外側の面が部分反射面であっても構わない。また、図14および図15には集光素子2を描いていないが、集光素子2が有っても無くても上記効果が得られる。また、実施の形態4にかかる波長結合レーザ装置14,15が、集光素子2を有する場合は、ビーム整形素子7を備えていなくても、波長結合レーザ装置14,15は部分反射鏡5の損傷を抑えることが可能である。
 以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。
 1 LDバー、1a,1p,1q 発光層、1b 出射端面、1c 端面(全反射鏡)、2 集光素子、3 波長結合素子、4 クロスカップリング抑制光学系、5 部分反射鏡、5a 部分反射面、5b 全透過面、6 レーザ光、6a,6i,6j,6k,6p,6q 主光線、6r,6s,6t,6u,6v 光線、7 ビーム整形素子、8 1/2波長板、10,11,12,13,14,15,20 波長結合レーザ装置、41,43,44 凸レンズ、42 凹レンズ、71 FAC、72 SAC、72a,73a 入射面、72b,73b 出射面、73 光路変換素子、θi,θj,θk 入射角、ψ 出射角(回折角)、A 一点、B 点、H レンズ主面。

Claims (8)

  1.  レーザ光結合方向に並んだ複数の発光部の出射端面から、前記レーザ光結合方向に垂直な光軸の方向へ複数のレーザ光を出射する半導体レーザと、
     前記レーザ光結合方向に前記複数のレーザ光を結合して1本のレーザ光にして出力する波長結合素子と、
     前記波長結合素子から出力された前記1本のレーザ光の光軸に垂直な前記レーザ光結合方向に正のパワーを有するクロスカップリング抑制光学系と、
     前記クロスカップリング抑制光学系を経た前記1本のレーザ光を反射すると共に透過させて出射する部分反射鏡と、
     を備え、
     前記1本のレーザ光の光軸と前記レーザ光結合方向とが成す平面内において、前記出射端面と前記部分反射鏡とを共役に結ぶことにより、前記出射端面を前記部分反射鏡の上に結像するように、前記クロスカップリング抑制光学系が配置されている
     ことを特徴とする波長結合レーザ装置。
  2.  レーザ光結合方向に並んだ複数の発光部の出射端面から、前記レーザ光結合方向に垂直な光軸の方向へ複数のレーザ光を出射する半導体レーザと、
     前記出射端面に対向するように設けられ、前記複数のレーザ光をコリメートして出射する出射面が前記レーザ光結合方向に並べられた複数のレンズ面であるビーム整形素子と、
     前記レーザ光結合方向に前記出射面からの前記複数のレーザ光を結合して1本のレーザ光にして出力する波長結合素子と、
     前記波長結合素子から出力された前記1本のレーザ光の光軸に垂直な前記レーザ光結合方向に正のパワーを有するクロスカップリング抑制光学系と、
     前記クロスカップリング抑制光学系を経た前記1本のレーザ光を反射すると共に透過させて出射する部分反射鏡と、
     を備え、
     前記1本のレーザ光の光軸と前記レーザ光結合方向とが成す平面内において、前記出射面と前記部分反射鏡とを共役に結ぶことにより、前記出射面を前記部分反射鏡の上に結像するように、前記クロスカップリング抑制光学系が配置されている
     ことを特徴とする波長結合レーザ装置。
  3.  前記クロスカップリング抑制光学系は、前記1本のレーザ光の光軸方向に垂直な前記レーザ光結合方向にパワーを有する2枚のレンズからなり、前記波長結合素子に近い側の第一レンズの前記レーザ光結合方向の焦点距離をf1とし、前記部分反射鏡に近い側の第二レンズの前記レーザ光結合方向の焦点距離をf2とすると、f1>f2であり、
     前記第一レンズと前記第二レンズとの間隔Lは、L>f1+f2を満たす
     ことを特徴とする請求項1または2に記載の波長結合レーザ装置。
  4.  前記第二レンズは、前記レーザ光結合方向に正のパワーを有し、
     前記第二レンズと前記部分反射鏡との間隔Sは、S>L-f1を満たす
     ことを特徴とする請求項3に記載の波長結合レーザ装置。
  5.  前記部分反射鏡の部分反射面がノンコートである
     ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の波長結合レーザ装置。
  6.  前記部分反射鏡の部分反射面が負のパワーを有する
     ことを特徴とする請求項5に記載の波長結合レーザ装置。
  7.  前記半導体レーザを複数備える
     ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の波長結合レーザ装置。
  8.  前記半導体レーザと前記波長結合素子との間に1/2波長板を備える
     ことを特徴とする請求項1から7のいずれか1つに記載の波長結合レーザ装置。
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