+

WO2018149840A3 - Vorrichtung und verfahren zur thermischen behandlung eines substrates mit einer gekühlten schirmplatte - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zur thermischen behandlung eines substrates mit einer gekühlten schirmplatte Download PDF

Info

Publication number
WO2018149840A3
WO2018149840A3 PCT/EP2018/053605 EP2018053605W WO2018149840A3 WO 2018149840 A3 WO2018149840 A3 WO 2018149840A3 EP 2018053605 W EP2018053605 W EP 2018053605W WO 2018149840 A3 WO2018149840 A3 WO 2018149840A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
gas inlet
shielding plate
temperature
substrate
shielding
Prior art date
Application number
PCT/EP2018/053605
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2018149840A2 (de
Inventor
Wilhelm Josef Thomas KRÜCKEN
Michael Griebel
Baskar Pagadala Gopi
Axel Follmann
Original Assignee
Aixtron Se
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron Se filed Critical Aixtron Se
Publication of WO2018149840A2 publication Critical patent/WO2018149840A2/de
Publication of WO2018149840A3 publication Critical patent/WO2018149840A3/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Behandlung insbesondere Beschichten eines Substrates (4), mit einem in einem Gehäuse (1) angeordneten, mit einer ersten Temperiereinrichtung (8) auf eine Gaseinlasstemperatur temperierbaren Gaseinlassorgan (2), mit einem in einem Abstand zum Gaseinlassorgan (2) im Gehäuse (1) angeordneten, mit einer zweiten Temperiereinrichtung (9) auf eine Depositionstemperatur, die von der Gaseinlasstemperatur verschieden ist, temperierbaren Substrathalter (3) zur Aufnahme des Substrates (4) und mit einer Schirmplatte (6, 6'), die von einer Verwahrstellung an mindestens einem Verwahrort (15, 15'), der nicht zwischen dem Gaseinlassorgan (2) und dem Substrathalter (3) liegt, in eine Abschirmstellung, in der die Schirmplatte (6, 6') zwischen dem Gaseinlassorgan (2) und dem Substrathalter (3) liegt, bringbar ist. Es ist eine dritte Temperiereinrichtung (10) zum Temperieren der Schirmplatte (6) oder zumindest eines ihrer Teile auf eine Schirmtemperatur vorgesehen. Die Schirmplatte (6, 6') kann aus mehreren voneinander trennbaren Teilen bestehen, die in der Verwahrstellung an verschiedenen Verwahrorten (15, 15') voneinander getrennt sind und in der Abschirmstellung zu einer Einheit miteinander verbunden sind.
PCT/EP2018/053605 2017-02-15 2018-02-14 Vorrichtung und verfahren zur thermischen behandlung eines substrates mit einer gekühlten schirmplatte WO2018149840A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102017103055.7A DE102017103055A1 (de) 2017-02-15 2017-02-15 Vorrichtung und Verfahren zur thermischen Behandlung eines Substrates mit einer gekühlten Schirmplatte
DE102017103055.7 2017-02-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2018149840A2 WO2018149840A2 (de) 2018-08-23
WO2018149840A3 true WO2018149840A3 (de) 2018-10-11

Family

ID=61244582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2018/053605 WO2018149840A2 (de) 2017-02-15 2018-02-14 Vorrichtung und verfahren zur thermischen behandlung eines substrates mit einer gekühlten schirmplatte

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102017103055A1 (de)
TW (1) TW201842220A (de)
WO (1) WO2018149840A2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022002350A1 (de) 2022-06-29 2024-01-04 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln eines Substrates

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103866240A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 圆益Ips股份有限公司 薄膜沉积装置
EP2536865B1 (de) * 2010-02-17 2015-07-22 Aixtron SE Beschichtungsvorrichtung sowie verfahren zum betrieb einer beschichtungsvorrichtung mit einer schirmplatte

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3681227A (en) 1970-06-29 1972-08-01 Corning Glass Works Microcircuit mask and method
JP3303328B2 (ja) 1992-03-23 2002-07-22 日産自動車株式会社 車両用通信装置
TW415970B (en) 1997-01-08 2000-12-21 Ebara Corp Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head
ATE541065T1 (de) 2004-03-12 2012-01-15 Univ Utrecht Holding Bv Verfahren zur herstellung von dünnschichten und vorrichtungen
US20080006523A1 (en) 2006-06-26 2008-01-10 Akihiro Hosokawa Cooled pvd shield
US8658545B2 (en) 2010-12-27 2014-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device, vapor deposition method and organic EL display device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2536865B1 (de) * 2010-02-17 2015-07-22 Aixtron SE Beschichtungsvorrichtung sowie verfahren zum betrieb einer beschichtungsvorrichtung mit einer schirmplatte
CN103866240A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 圆益Ips股份有限公司 薄膜沉积装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018149840A2 (de) 2018-08-23
TW201842220A (zh) 2018-12-01
DE102017103055A1 (de) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018109551A3 (en) Sequential infiltration synthesis apparatus
MX2018000112A (es) Sistema para reducir la temperatura del aire de entrada de un dispositivo.
EP3794998A3 (de) Elektronisches aerosolbereitstellungssystem
WO2018109553A3 (en) Sequential infiltration synthesis apparatus
MY193979A (en) Deposition apparatus and physical vapor deposition chamber
WO2017115147A3 (en) Vapor disposition of silicon-containing films using penta-substituted disilanes
WO2015195493A8 (en) Printing system assemblies and methods
WO2017030622A3 (en) Lightweight cryptographic engine
WO2012118955A3 (en) Apparatus and process for atomic layer deposition
MX2018008093A (es) Un componente para un sistema generador de aerosol que comprende un medio de inhabilitacion.
MY178754A (en) Aerosol-forming substrate and aerosol-delivery system
TW200732490A (en) Sputtering with cooled target
MY198714A (en) Photovoltaic devices and method of manufacturing
MX2015003996A (es) Dispositivo de manejo.
EP3401587A4 (de) Vorrichtung zur zuführung eines boil-off-gases
WO2015054599A3 (en) Robotic placement and manipulation with enhanced accuracy
TW201614113A (en) Liner for epi chamber
TW201614087A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
UA111810C2 (uk) Способи покриття та пристрої
SG10201701124TA (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
WO2009029954A3 (en) Improved solution deposition assembly
TW201612941A (en) Apparatus for temperature control of ion source
TW201612966A (en) Substrate processing apparatus deposit removing method of substrate processing apparatus and recording medium
MY205778A (en) System of heated air staging chamber for server cluster of data centre
EP2441856A3 (de) Dünnfilmablagerungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18705877

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18705877

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

点击 这是indexloc提供的php浏览器服务，不要输入任何密码和下载