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WO2017013968A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2017013968A1
WO2017013968A1 PCT/JP2016/067749 JP2016067749W WO2017013968A1 WO 2017013968 A1 WO2017013968 A1 WO 2017013968A1 JP 2016067749 W JP2016067749 W JP 2016067749W WO 2017013968 A1 WO2017013968 A1 WO 2017013968A1
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film
wave device
low
sound velocity
thin film
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努 ▲高▼井
田中　厚志
誠二 甲斐
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株式会社村田製作所
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Publication date
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    • H10N30/877—Conductive materials

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device using a laminated structure having a high sound velocity member, a low sound velocity film, and a piezoelectric thin film.
  • a low acoustic velocity film and a piezoelectric thin film are laminated on a high acoustic velocity member.
  • An IDT electrode is provided on the piezoelectric thin film.
  • the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the high acoustic velocity member is made higher than the acoustic velocity of the main mode elastic wave propagating through the piezoelectric thin film.
  • the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the low acoustic velocity film is set lower than the acoustic velocity of the main mode acoustic wave propagating through the piezoelectric thin film.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device having a structure in which a thin piezoelectric thin film, a low acoustic velocity film, and a high acoustic velocity member are laminated, with less variation in characteristics.
  • the present invention relates to an elastic wave device having a piezoelectric thin film, wherein a high sound speed member in which a sound velocity of a propagating bulk wave is higher than a sound speed of an elastic wave in a main mode propagating through the piezoelectric thin film, and the high sound velocity member A low-velocity film laminated on the piezoelectric thin film and having a lower acoustic velocity than the acoustic wave of the main mode propagating through the piezoelectric thin film, and the piezoelectric provided on the low-sonic velocity film.
  • a thin film and an IDT electrode provided on the piezoelectric thin film wherein the piezoelectric thin film is made of a piezoelectric single crystal, the main surface on the low sound velocity film side is a plus surface in the polarization axis direction, and the IDT electrode side
  • the thickness of the piezoelectric thin film when the wavelength determined by the electrode finger pitch of the IDT electrode is ⁇ , the thickness of the piezoelectric thin film is 3.5 ⁇ or less. In this case, the Q value can be increased. Preferably, the thickness of the piezoelectric thin film is 2.5 ⁇ or less. In that case, the absolute value of TCF can be reduced. More preferably, the thickness of the piezoelectric thin film is 1.5 ⁇ or less. In that case, the speed of sound can be easily controlled.
  • the low sound velocity film is made of an oxide other than the piezoelectric single crystal.
  • the oxide is an inorganic oxide.
  • the inorganic oxide is preferably made of one material selected from the group consisting of silicon oxide, silicon oxynitride, tantalum oxide, and a compound obtained by adding fluorine, carbon or boron to silicon oxide. In this case, the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF can be reduced.
  • the piezoelectric single crystal is LiNbO 3 or LiTaO 3
  • the low sound velocity film contains Li.
  • the adhesion between the low sound velocity film and the piezoelectric thin film can be improved more effectively.
  • the high sound velocity member is a high sound velocity support substrate.
  • the acoustic wave device further includes a support substrate, the high-sonic member is a high-sonic film, and the high-sonic film is laminated between the support substrate and the low-sonic film. Has been.
  • the low sound velocity film includes a first low sound velocity layer and a second low sound velocity layer, and the first low sound velocity layer and the The second low sound velocity layer is joined via the first adhesive layer.
  • the first adhesive layer is joined via the first adhesive layer.
  • a second low-sonic film laminated between the high-sonic film and the support substrate is further provided.
  • the influence of the bulk wave can be further effectively reduced.
  • the second low sound velocity film includes a third low sound velocity layer and a fourth low sound velocity layer, and the third low sound velocity layer.
  • the layer and the fourth low sound velocity layer are joined via the second adhesive layer. In this case, what is necessary is just to join the laminated part of the one side of a 2nd adhesive material layer, and the laminated part of the other side through a 2nd adhesive bond layer.
  • a third low-sonic film is provided on the second main surface of the piezoelectric thin film, and the second low-sonic film is formed on the second low-sonic film.
  • An IDT electrode is provided. In this case, unnecessary bulk waves can be leaked to the third low-speed film side.
  • the adhesion between the piezoelectric thin film and the low sound velocity film can be enhanced, and variations in electrical characteristics such as temperature characteristics and filter characteristics can be reduced.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a negative surface and a positive surface in the polarization axis direction of the piezoelectric thin film.
  • FIG. 3 is a diagram showing return loss characteristics of the acoustic wave resonator as the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing an impedance Smith chart of the acoustic wave resonator as the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining a negative surface and a positive surface in the polarization axis direction of the piezoelectric thin film.
  • FIG. 3 is a diagram showing return loss characteristics of the
  • FIG. 5 is a diagram showing the magnitude of the in-band ripple when the piezoelectric thin film and the minus surface in the polarization axis direction are laminated on the low-speed film and when the plus surface in the polarization axis direction is laminated on the piezoelectric thin film.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the position in the depth direction from the low acoustic velocity film made of SiO 2 and the piezoelectric thin film made of LiTaO 3 and the concentrations of Li and Ta in the acoustic wave device.
  • FIG. 7 is a front sectional view of the acoustic wave device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a front sectional view of an acoustic wave device according to an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a ninth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the thickness of the LiTaO 3 film and Q in the acoustic wave device.
  • FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the LiTaO 3 film thickness and the frequency temperature coefficient TCF in the acoustic wave device.
  • FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the film thickness of the LiTaO 3 film and the sound speed in the acoustic wave device.
  • FIG. 18 is a diagram showing the relationship between the thickness of the piezoelectric thin film made of LiTaO 3 and the specific bandwidth.
  • FIG. 1 is a front sectional view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • the acoustic wave device 1 has a support substrate 2 and a low-sonic film 3 laminated on the support substrate 2.
  • a piezoelectric thin film 4 is laminated on the low acoustic velocity film 3.
  • the piezoelectric thin film 4 has a first main surface 4a and a second main surface 4b.
  • the piezoelectric thin film 4 is laminated on the low sound velocity film 3 so that the first main surface 4 a is in contact with the low sound velocity film 3.
  • An IDT electrode 5 is provided directly on the second main surface 4 b of the piezoelectric thin film 4.
  • the support substrate 2 is made of an appropriate rigid material.
  • a piezoelectric body examples include a piezoelectric body, a dielectric body, a semiconductor, and a synthetic resin.
  • the piezoelectric body examples include sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz.
  • the dielectric examples include alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, ceramics such as mullite and forsterite, and glass.
  • the semiconductor examples include silicon and potassium nitride.
  • a high sonic support substrate is used as the support substrate 2.
  • the high sound velocity support substrate is made of a material that propagates bulk waves faster than the main mode elastic waves propagating through the piezoelectric thin film 4.
  • the elastic wave of the main mode refers to the elastic wave of the mode used in the elastic wave device 1, and is not limited to the fundamental mode.
  • a material for example, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon oxynitride, silicon nitride, DLC, diamond or the like can be suitably used.
  • piezoelectric materials such as sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz, which are high sound speed support substrate materials, alumina, magnesia, silicon nitride, aluminum nitride, silicon carbide, zirconia, and cord
  • Various ceramics such as light, mullite, steatite, and forsterite, dielectric materials such as glass, semiconductors such as silicon and gallium nitride, resin substrates, and the like are used.
  • the low acoustic velocity film 3 is made of a material in which the acoustic velocity of the propagating bulk wave is lower than the acoustic velocity of the main mode elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 4.
  • an oxide other than the piezoelectric single crystal constituting the piezoelectric thin film 4 can be suitably used.
  • it is not limited to oxide as long as the above-mentioned sound speed relationship is satisfied.
  • the oxide may be an inorganic oxide or an organic oxide.
  • an inorganic oxide is preferable because it can increase mechanical strength and further reduce variation in characteristics.
  • examples of the inorganic oxide include silicon oxide, silicon oxynitride, tantalum oxide, and a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide.
  • the low acoustic velocity film 3 is made of silicon oxide.
  • the piezoelectric thin film 4 is made of a piezoelectric single crystal.
  • the piezoelectric single crystal to be used is not particularly limited, but preferably lithium tantalate (LiTaO 3 ) or lithium niobate (LiNbO 3 ) is used.
  • the piezoelectric thin film 4 has a negative surface and a positive surface in the polarization axis direction. As shown in FIG. 1, in the piezoelectric thin film 4, the first main surface 4a is a plus surface in the polarization axis direction, and the second main surface 4b is a minus surface in the polarization axis direction.
  • the piezoelectric thin film 4 is laminated on the low sound velocity film 3 from the first main surface 4a side which is a plus surface in the polarization axis direction.
  • the polarization component 12 in the piezoelectric thin film 4 extends in the polarization axis direction.
  • the minus surface in the polarization axis direction refers to a surface in a direction in which the minus side of the polarization component 12 in the piezoelectric thin film 4 faces.
  • the plus plane in the polarization axis direction refers to a plane in the direction in which the plus side of the polarization component 12 in the piezoelectric thin film 4 faces.
  • the IDT electrode 5 is made of an appropriate metal.
  • a metal such as Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, or an alloy containing these metals as a main component can be used.
  • the IDT electrode 5 may be formed of a laminated metal film formed by laminating a plurality of metal films.
  • an elastic wave resonator including the IDT electrode 5 is configured.
  • the elastic wave resonance of the comparative example is the same as that of the above example except that the piezoelectric thin film 4 is laminated on the low acoustic velocity film 3 from the negative surface side in the polarization axis direction of the piezoelectric thin film 4. A child was made.
  • the solid line in FIG. 3 shows the return loss characteristics of the elastic wave resonator of the above example.
  • the broken line shows the return loss characteristic of the comparative example.
  • the solid line in FIG. 4 shows the impedance Smith chart of the elastic wave resonator of the above embodiment
  • the broken line shows the impedance Smith chart of the elastic wave resonator of the comparative example.
  • the frequency range between the resonance frequency and the anti-resonance frequency that is, the ratio band is narrow, and a large ripple is present in this frequency range. Appears.
  • the maximum ripple in the above frequency range is the maximum ripple.
  • FIG. 5 the magnitude of the maximum ripple of the above-described examples and comparative examples is shown.
  • the ripple in the frequency range can be significantly reduced, and the variation in characteristics can be reduced.
  • the IDT electrode 5 is not only provided on the minus surface in the polarization axis direction of the piezoelectric thin film 4, but also the first main surface 4a of the piezoelectric thin film 4, that is, the plus surface in the polarization axis direction is This is considered to be due to being laminated.
  • a chemical reaction is likely to occur at the interface between the plus surface in the polarization axis direction of the piezoelectric thin film 4 and the surface of the inorganic oxide film such as silicon oxide, and a chemical reaction occurs at the interface between the minus surface in the polarization axis direction and the inorganic oxide film. It seems unlikely to occur.
  • FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the position in the depth direction of the portion where the low acoustic velocity film made of SiO 2 and the piezoelectric thin film made of LiTaO 3 are laminated, and the concentrations of Li and Ta.
  • the degree of diffusion of Li into the low sound velocity film is large. It is considered that Li ions on the LiTaO 3 side diffuse to the low sound velocity film 3 side made of an inorganic oxide, and the adhesion between them is also enhanced. In the case of LiNbO 3 as well, the adhesion degree is similarly increased by the diffusion of Li ions.
  • the adhesion between the low sound velocity film 3 and the piezoelectric thin film 4 is improved as compared with the comparative example, the ripple in the frequency range is reduced and the variation thereof is also reduced. It is thought that there is.
  • the Q value can be increased.
  • the thickness of the piezoelectric thin film 4 is preferably in the range of 3.5 ⁇ or less.
  • FIG. 15 shows a piezoelectric thin film 4 made of LiTaO 3 with Euler angles (0 °, 140.0 °, 0 °) on a support substrate 2 made of silicon and a low sound velocity film 3 made of SiO 2 film having a thickness of 0.35 ⁇ . and the thickness of the LiTaO 3 in the acoustic wave device obtained by stacking a diagram showing the relationship between the Q value.
  • the vertical axis in FIG. 15 is the product of the Q characteristic of the resonator and the ratio band ( ⁇ f), and is generally used as one index for judging whether the device characteristic is good or bad.
  • FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the LiTaO 3 film thickness and the frequency temperature coefficient TCF.
  • the film thickness of LiTaO 3 is a diagram showing the relationship between the film thickness of LiTaO 3 and the sound speed. As can be seen from FIG. 15, when the LiTaO 3 film thickness is 3.5 ⁇ or less, the Q value is higher and the Q characteristic is better than when the film thickness exceeds 3.5 ⁇ . More preferably, in order to further increase the Q value, the film thickness of LiTaO 3 is desirably 2.5 ⁇ or less.
  • FIG. 16 also shows that when the LiTaO 3 film thickness is 2.5 ⁇ or less, the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF can be made smaller than when the absolute value exceeds 2.5 ⁇ . More preferably, in the range of 2.5 ⁇ or less, the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF can be ⁇ 10 ppm / ° C. or less, which is desirable.
  • the film thickness of LiTaO 3 is 1.5 ⁇ or less, the speed of sound can be easily adjusted by controlling the film thickness. Therefore, more preferably, the film thickness of LiTaO 3 is more desirably 1.5 ⁇ or less.
  • FIG. 18 is a diagram showing a change in the ratio band when the thickness of the piezoelectric thin film made of LiTaO 3 is changed.
  • the thickness of LiTaO 3 is 1.5 ⁇ or more, the specific band is not substantially changed. This is because the energy of the surface acoustic wave is confined in the piezoelectric thin film and is not distributed on the low sound velocity film 3 or the high sound velocity support substrate side. Therefore, when the thickness of the piezoelectric thin film is 1.5 ⁇ or less, it is considered that the surface acoustic wave energy can be sufficiently distributed in the low acoustic velocity film 3 and the Q value can be further increased.
  • the low acoustic velocity film 3, the piezoelectric thin film 4 and the IDT electrode 5 are laminated on the support substrate 2, but the laminated structure in the elastic wave device of the present invention is limited to this. Is not to be done. Deformation of the laminated structure will be described with reference to second to ninth embodiments shown in FIGS.
  • a low acoustic velocity film 23 is used instead of the low acoustic velocity membrane 3 in the first embodiment.
  • the low sound velocity film 23 includes a first low sound velocity layer 23a and a second low sound velocity layer 23b.
  • the first low sound velocity layer 23 a and the second low sound velocity layer 23 b are joined via the first adhesive layer 22.
  • the first low sound velocity layer 23a and the second low sound velocity layer 23b can be formed of an appropriate material constituting the low sound velocity film 3 described above.
  • the material of the first low acoustic velocity layer 23a and the material of the second low acoustic velocity layer 23b are the same.
  • the material of the first low acoustic velocity layer 23a and the material of the second low acoustic velocity layer 23b are the same when the main component is the same by 50% or more. In addition, it is more preferable if the main component is equal to 75% or more. Furthermore, it is even more preferable if the main components are 100% the same.
  • the first adhesive layer 22 is made of an appropriate adhesive.
  • examples of such an adhesive include polyimide and an epoxy resin adhesive.
  • the piezoelectric thin film 4 is laminated on the low sound velocity film 23 so that the first main surface 4 a which is a plus surface in the polarization axis direction of the piezoelectric thin film 4 is in contact with the low sound velocity film 23. Therefore, the same effect as the first embodiment can be obtained.
  • the first low sound velocity layer 23 a is laminated on the first main surface 4 a of the piezoelectric thin film 4 and the first laminated body in which the second low sound velocity layer 23 b is laminated on the support substrate 2.
  • the second laminated body in which the IDT electrode 5 is formed on the second main surface 4 b may be bonded via the first adhesive layer 22.
  • a high sonic film 2B as a high sonic member is laminated on the support substrate 2A.
  • a low acoustic velocity film 3 and a piezoelectric thin film 4 are laminated on the high acoustic velocity film 2B.
  • the same material as that constituting the support substrate 2 can be used.
  • a material constituting the high acoustic velocity film 2 ⁇ / b> B an appropriate material in which the bulk wave propagating through the high acoustic velocity film 2 ⁇ / b> B is faster than the main mode elastic wave propagating through the piezoelectric thin film 4 can be used.
  • the piezoelectric thin film 4 is laminated on the low sound velocity film 3 from the first main surface 4a side, the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • the support substrate 2 is a high sound speed support substrate
  • the elastic wave can be effectively confined.
  • the high sound speed film 2B allows the elastic wave to be confined. Can be effectively confined to the piezoelectric thin film 4 side rather than the high acoustic velocity film 2B.
  • the low acoustic velocity film 3 in the acoustic wave device 31 is replaced with a structure having the low acoustic velocity film 23 and the first adhesive layer 22 in the acoustic wave device 21. It corresponds to a thing. Therefore, also in the acoustic wave device 41, as in the first to third embodiments, the degree of adhesion between the low acoustic velocity film 23 and the piezoelectric thin film 4 can be increased, and variation in characteristics can be reduced.
  • the laminated body on one side of the first adhesive layer 22 is joined to the laminated body on the other side via the first adhesive layer 22. That's fine.
  • the elastic wave device 51 of the fifth embodiment shown in FIG. 10 is the elastic wave device except that a second low acoustic velocity film 53 is further added to the elastic wave device 31 shown in FIG. 31.
  • the second low acoustic velocity film 53 is laminated between the support substrate 2A and the high acoustic velocity film 2B. In this way, the second low sound velocity film 53 may be laminated on the surface of the high sound velocity film 2B opposite to the low sound velocity film 3.
  • the second low sound velocity film 53 can also be formed of the same material as that of the low sound velocity film 3.
  • the material of the low sound velocity film 3 and the material of the second low sound velocity film 53 are the same.
  • the material of the low sound velocity film 3 and the material of the second low sound velocity film 53 are the same when the main component is 50% or more. In addition, it is more preferable if the main component is equal to 75% or more. Furthermore, it is even more preferable if the main components are 100% the same.
  • the piezoelectric thin film 4 is laminated on the low acoustic velocity film 3 from the first main surface 4a side of the piezoelectric thin film 4, the same operation as the acoustic wave device of the first to fourth embodiments is performed. There is an effect.
  • the second low sound velocity film 53 in the elastic wave device 51 has a third low sound velocity layer 53a and a fourth low sound velocity layer 53b.
  • the third low sound velocity layer 53 a and the fourth low sound velocity layer 53 b are joined via the second adhesive layer 54. Otherwise, the elastic wave device 61 is the same as the elastic wave device 51. Therefore, the elastic wave device 61 has the same effect as the elastic wave device 51.
  • the laminated portion on one side of the second adhesive layer 54 and the laminated portion on the other side may be joined via the second adhesive layer 54.
  • an appropriate adhesive such as polyimide or epoxy resin can be used for the second adhesive layer 54.
  • a third low-sonic film 72 is laminated on the piezoelectric thin film 4, and the IDT electrode 5 is provided on the third low-sonic film 72.
  • the IDT electrode 5 may be provided indirectly on the piezoelectric thin film 4.
  • the third low sound velocity film 72 the same material as that of the low sound velocity film 3 can be used.
  • the IDT electrode 5 may be indirectly laminated on the second main surface 4 b which is the minus surface in the polarization axis direction of the piezoelectric thin film 4 via the third low-speed sound film 72.
  • the elastic wave device 71 has the same functions and effects as those of the first embodiment because the other configurations are the same as those of the first embodiment.
  • the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF can be reduced more effectively.
  • the elastic wave device 81 of the eighth embodiment shown in FIG. 13 corresponds to a structure in which the third low acoustic velocity film 72 is provided in the elastic wave device 31 of the third embodiment shown in FIG. Therefore, there exists an effect similar to the elastic wave apparatus 31 of 3rd Embodiment.
  • the third low acoustic velocity film 72 is provided, the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF can be further reduced.
  • the elastic wave device 91 of the ninth embodiment shown in FIG. 14 corresponds to a structure in which the third low acoustic velocity film 72 is added to the elastic wave device 51 of the fifth embodiment shown in FIG. Therefore, the elastic wave device 91 has the same effects as the elastic wave device 51. In addition, the presence of the third low acoustic velocity film 72 can effectively reduce the absolute value of the frequency temperature coefficient TCF. Also in the elastic wave devices 71, 81, 91 according to the seventh to ninth embodiments, the first adhesive layer and the second adhesive layer described above may be provided.
  • the acoustic wave resonator has been described.
  • the acoustic wave device according to the present invention is not limited to the acoustic wave resonator, and is widely used in various acoustic wave devices such as a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter. Applicable.

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Abstract

厚みが薄い圧電薄膜、低音速膜及び高音速部材が積層されている構造を有する弾性波装置において、特性のばらつきが少ない、弾性波装置を提供する。　低音速膜３上に圧電薄膜４が設けられており、圧電薄膜４上にＩＤＴ電極５が設けられており、圧電薄膜４が、圧電単結晶からなり、分極軸方向におけるプラスの面である第１の主面４ａと、分極軸方向におけるマイナスの面である第２の主面４ｂとを有し、圧電薄膜４の低音速膜３側の主面が第１の主面４ａであり、ＩＤＴ電極５側の主面が第２の主面４ｂである、弾性波装置１。

Description

弾性波装置
　本発明は、高音速部材、低音速膜及び圧電薄膜を有する積層構造を用いた弾性波装置に関する。
　下記の特許文献１に記載の弾性波装置では、高音速部材上に、低音速膜及び圧電薄膜が積層されている。この圧電薄膜上に、ＩＤＴ電極が設けられている。圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、高音速部材を伝搬するバルク波の音速が高くされている。また、圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、低音速膜を伝搬するバルク波の音速が低くされている。
ＷＯ２０１２／０８６６３９
　特許文献１に記載のように、圧電薄膜、低音速膜、及び高音速部材が積層されている構造を有する弾性波装置では、圧電薄膜と低音速膜との密着度がばらつきがちであった。例えば、ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、圧電薄膜の厚みが３．５λ以下のような薄い圧電薄膜を用いた場合には、圧電薄膜と低音速膜との密着度のばらつきが大きくなる。そのため、周波数温度係数ＴＣＦ等の特性のばらつきが生じることがあった。
　本発明の目的は、厚みが薄い圧電薄膜、低音速膜及び高音速部材が積層されている構造を有する弾性波装置において、特性のばらつきが少ない、弾性波装置を提供することにある。
　本発明は、圧電薄膜を有する弾性波装置であって、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材と、前記高音速部材上に積層されており、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、前記低音速膜上に設けられている前記圧電薄膜と、前記圧電薄膜上に設けられているＩＤＴ電極とを備え、前記圧電薄膜は、圧電単結晶からなり、前記低音速膜側の主面が分極軸方向におけるプラス面、前記ＩＤＴ電極側の主面が分極軸方向におけるマイナス面とされている、弾性波装置である。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記圧電薄膜の厚みが３．５λ以下である。この場合には、Ｑ値を高くすることができる。好ましくは、圧電薄膜の厚みは２．５λ以下である。その場合には、ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。さらに好ましくは、圧電薄膜の厚みは１．５λ以下である。その場合には、音速を容易にコントロールすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記低音速膜が、前記圧電単結晶以外の酸化物からなる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記酸化物が無機酸化物である。
　前記無機酸化物としては、好ましくは、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素もしくはホウ素を添加してなる化合物からなる群から選択された、１種の材料からなる。この場合には、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記圧電単結晶がＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３であり、前記低音速膜が、Ｌｉを含有している。この場合には、低音速膜と圧電薄膜との密着性をより効果的に高めることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速部材が、高音速支持基板である。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、支持基板をさらに備え、前記高音速部材が高音速膜であり、前記高音速膜が前記支持基板と前記低音速膜との間に積層されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記低音速膜が、第１の低音速層と、第２の低音速層とを有し、前記第１の低音速層と前記第２の低音速層とが第１の接着剤層を介して接合されている。この場合には、第１の接着剤層の一方側の積層部分と他方側の積層部分とを作製した後、第１の接着剤層を介して接合すればよい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記高音速膜と前記支持基板との間に積層された第２の低音速膜がさらに備えられている。この場合には、バルク波の影響をより一層効果的に低減することができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第２の低音速膜が、第３の低音速層と、第４の低音速層とを有し、前記第３の低音速層と前記第４の低音速層とが第２の接着剤層を介して接合されている。この場合には、第２の接着材層の一方側の積層部分と、他方側の積層部分とを、第２の接着剤層を介して接合すればよい。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電薄膜の前記第２の主面上に第３の低音速膜が設けられており、前記第２の低音速膜上に前記ＩＤＴ電極が設けられている。この場合には、不要バルク波を第３の低音速膜側に漏洩させることができる。
　本発明に係る弾性波装置によれば、圧電薄膜と低音速膜との密着性を高めることができ、温度特性やフィルタ特性等の電気的特性のばらつきを少なくすることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図２は、圧電薄膜の分極軸方向におけるマイナスの面及びプラスの面を説明するための模式的断面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置としての弾性波共振子におけるリターンロス特性を示す図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置としての弾性波共振子におけるインピーダンススミスチャートを示す図である。 図５は、圧電薄膜と分極軸方向におけるマイナス面を低音速膜に積層した場合と、分極軸方向におけるプラス面を圧電薄膜に積層した場合とにおける、帯域内リップルの大きさを示す図である。 図６は、弾性波装置において、ＳｉＯ２からなる低音速膜とＬｉＴａＯ３からなる圧電薄膜までの深さ方向位置と、Ｌｉ及びＴａの濃度との関係を示す図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１０は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１１は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１２は、本発明の第７の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１３は、本発明の第８の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１４は、本発明の第９の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。 図１５は、弾性波装置におけるＬｉＴａＯ３膜の膜厚とＱとの関係を示す図である。 図１６は、弾性波装置におけるＬｉＴａＯ３膜の膜厚と、周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す図である。 図１７は、弾性波装置におけるＬｉＴａＯ３膜の膜厚と、音速との関係を示す図である。 図１８は、ＬｉＴａＯ３からなる圧電薄膜の厚みと、比帯域との関係を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
　弾性波装置１は、支持基板２と、支持基板２上に積層された低音速膜３とを有する。低音速膜３上に、圧電薄膜４が積層されている。圧電薄膜４は、第１の主面４ａと、第２の主面４ｂとを有する。第１の主面４ａが、低音速膜３に接するように、圧電薄膜４が低音速膜３に積層されている。圧電薄膜４の第２の主面４ｂ上にＩＤＴ電極５が直接設けられている。
　支持基板２は、適宜の剛性材料からなる。このような材料としては、圧電体、誘電体、半導体または合成樹脂等を挙げることができる。圧電体としては、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムまたは水晶等を挙げることができる。誘電体としては、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライトもしくはフォルステライト等のセラミックス、またはガラス等を挙げることができる。半導体としては、シリコン、窒化カリウム等を挙げることができる。
　好ましくは、上記支持基板２として、高音速支持基板が用いられる。高音速支持基板は、圧電薄膜４を伝搬するメインモードの弾性波よりも、伝搬するバルク波が高速である材料からなる。ここで、メインモードの弾性波とは、弾性波装置１において利用するモードの弾性波をいい、基本モードに限定されるものではない。このような材料としては、例えば、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、ＤＬＣ、ダイヤモンド等を好適に用いることができる。本実施形態では、支持基板２として、高音速支持基板材料である、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体、シリコン、窒化ガリウム等の半導体、樹脂基板等を用いる。
　低音速膜３は、伝搬するバルク波の音速が、圧電薄膜４を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも低い材料からなる。このような材料としては、圧電薄膜４を構成している圧電単結晶以外の酸化物を好適に用いることができる。もっとも、上記音速関係を満たす限り酸化物に限定されるものではない。
　上記酸化物は、無機酸化物であってもよく、有機酸化物であってもよい。もっとも、機械的強度を高め、特性のばらつきをより一層低減することができるので、無機酸化物が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素もしくはホウ素を添加してなる化合物等を挙げることができる。本実施形態では、低音速膜３は酸化ケイ素からなる。
　圧電薄膜４は、圧電単結晶からなる。用いる圧電単結晶は特に限定されないが、好ましくは、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）が用いられる。
　圧電薄膜４は、分極軸方向においてマイナスの面と、プラスの面とを有する。図１に示すように、圧電薄膜４は、第１の主面４ａが分極軸方向におけるプラス面であり、第２の主面４ｂが分極軸方向におけるマイナス面である。この分極軸方向におけるプラス面である第１の主面４ａ側から、圧電薄膜４が低音速膜３に積層されている。それによって、後述するように、低音速膜３と圧電薄膜４との密着性を高めることができ、特性のばらつきを小さくすることができる。
　なお、図２に示すように、圧電薄膜４中の分極成分１２は、分極軸方向に延びている。分極軸方向におけるマイナス面とは、図２に示すように、圧電薄膜４中の分極成分１２のマイナス側が向いている方向に有る面をいう。分極軸方向におけるプラス面とは、圧電薄膜４中の分極成分１２のプラス側が向いている方向に有る面をいう。
　ＩＤＴ電極５は、適宜の金属からなる。このような金属としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ等の金属あるいはこれらの金属を主成分とする合金を用いることができる。ＩＤＴ電極５は、複数の金属膜を積層してなる積層金属膜により形成されていてもよい。
　本実施形態の弾性波装置１では、ＩＤＴ電極５を含む弾性波共振子が構成されている。
　次に具体的な実験例に基づき、上記実施形態によれば、特性のばらつきを大幅に低減し得ることを説明する。
　上記実施形態の弾性波装置１の実施例として、弾性波共振子を作製した。また、比較のために、圧電薄膜４の分極軸方向におけるマイナス面側から低音速膜３に圧電薄膜４を積層したことを除いては、上記実施例と同様にして、比較例の弾性波共振子を作製した。
　図３の実線は、上記実施例の弾性波共振子のリターンロス特性を示す。破線は比較例のリターンロス特性を示す。
　また、図４の実線は、上記実施例の弾性波共振子のインピーダンススミスチャート、破線は比較例の弾性波共振子のインピーダンススミスチャートを示す。図３及び図４の破線と実線とを比較すれば明らかなように、比較例では、共振周波数と反共振周波数との間の周波数域、すなわち比帯域が狭く、かつこの周波数域内に大きなリップルが現れている。
　これに対して、上記実施例によれば、帯域内におけるリップルを大幅に小さくし得ることがわかる。
　上記周波数域内における最も大きなリップルの大きさを最大リップルとする。図５において、上記実施例及び比較例の最大リップルの大きさを示すこととする。
　図５から明らかなように、上記実施例によれば比較例に比べて、最大リップルを大幅に小さくし得ることがわかる。
　上記のように、比較例に比べ、実施例によれば、上記周波数域内におけるリップルを大幅に小さくでき、特性のばらつきを低減することができる。これは、ＩＤＴ電極５が圧電薄膜４の分極軸方向におけるマイナス面に設けられているだけでなく、圧電薄膜４の第１の主面４ａ、すなわち分極軸方向におけるプラス面が、低音速膜３に積層されていることによると考えられる。圧電薄膜４の分極軸方向におけるプラス面と酸化ケイ素のような無機酸化物膜表面との界面では、化学反応が起こりやすく、分極軸方向におけるマイナス面と無機酸化物膜との界面では化学反応が起こりにくいと考えられる。
　また、ＳｉＯ２の成膜温度を高めると、上記周波数域内リップルがより小さくなることが確かめられている。図６は、ＳｉＯ２からなる低音速膜と、ＬｉＴａＯ３からなる圧電薄膜とが積層されている部分の深さ方向位置と、Ｌｉ及びＴａの濃度との関係を示す図である。比較例に比べ、実施例によれば、Ｌｉの低音速膜への拡散度合いが大きいことがわかる。ＬｉＴａＯ３側のＬｉイオンが無機酸化物からなる低音速膜３側に拡散し、それによっても両者の密着度が高められていると考えられる。なお、ＬｉＮｂＯ３の場合にも、同様にＬｉイオンの拡散により密着度が高められる。
　上記のように、実施例によれば、比較例に比べ、低音速膜３と圧電薄膜４との密着性が高められているため、上記周波数域内リップルが小さくなり、かつそのばらつきも小さくなっているものと考えられる。
　弾性波装置１では、支持基板２、低音速膜３及び圧電薄膜４が積層されているため、Ｑ値を高めることができる。特に、ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、圧電薄膜４の厚みは、３．５λ以下の範囲内であることが好ましい。それによって、Ｑ値を高め得るだけでなく、圧電薄膜４のばらつきによる特性ばらつきを抑制することができる。これを、図１５～図１７を参照して説明する。
　図１５は、シリコンからなる支持基板２上に、厚み０．３５λのＳｉＯ２膜からなる低音速膜３及びオイラー角（０°，１４０．０°，０°）のＬｉＴａＯ３からなる圧電薄膜４を積層した弾性波装置におけるＬｉＴａＯ３の膜厚と、Ｑ値との関係を示す図である。ここで、図１５の縦軸は、共振子のＱ特性と比帯域(Δf)との積であり、デバイス特性の良し悪しを判断する一つの指標として一般的に用いられる。また、図１６は、ＬｉＴａＯ３の膜厚と、周波数温度係数ＴＣＦとの関係を示す図である。図１７は、ＬｉＴａＯ３の膜厚と音速との関係を示す図である。図１５から明らかなように、ＬｉＴａＯ３の膜厚が３．５λ以下の場合、３．５λを超えた場合に比べて、Ｑ値が高くなり、Ｑ特性が良好となることがわかる。より好ましくは、より一層Ｑ値を高めるには、ＬｉＴａＯ３の膜厚は、２．５λ以下であることが望ましい。
　また、図１６により、ＬｉＴａＯ３の膜厚が２．５λ以下の場合、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値が２．５λを超えた場合に比べて小さくし得ることがわかる。より好ましくは、２．５λ以下の範囲では、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値－１０ｐｐｍ／℃以下とすることができ、望ましい。
　図１７から明らかなように、ＬｉＴａＯ３の膜厚が１．５λ以下であれば、膜厚をコントロールすることにより、音速を容易に調整することができる。従って、より好ましくは、ＬｉＴａＯ３の膜厚は１．５λ以下であることがより一層望ましい。
　他方、図１８は、ＬｉＴａＯ３からなる圧電薄膜の厚みを変化させた場合の比帯域の変化を示す図である。
　図１８から明らかなように、ＬｉＴａＯ３の厚みが１．５λ以上では、比帯域はほぼ変化していない。これは、弾性表面波のエネルギーが、圧電薄膜内に閉じ込められて、低音速膜３や高音速支持基板側には分布していないことによるものである。よって、圧電薄膜の厚みを１．５λ以下とした場合には、弾性表面波のエネルギーを低音速膜３に十分に分布させることができ、より一層Ｑ値を高め得ると考えられる。
　第１の実施形態の弾性波装置１では、支持基板２上に、低音速膜３、圧電薄膜４及びＩＤＴ電極５が積層されていたが、本発明の弾性波装置における積層構造はこれに限定されるものではない。積層構造の変形を、図７～図１４に示す第２～第９の実施形態により説明する。
　図７に示す第２の実施形態の弾性波装置２１では、第１の実施形態における低音速膜３に代えて、低音速膜２３が用いられている。低音速膜２３は、第１の低音速層２３ａと第２の低音速層２３ｂとを有する。第１の低音速層２３ａと第２の低音速層２３ｂとが、第１の接着剤層２２を介して接合されている。
　第１の低音速層２３ａ及び第２の低音速層２３ｂは、前述した低音速膜３を構成する適宜の材料により形成することができる。好ましくは、第１の低音速層２３ａの材料と、第２の低音速層２３ｂの材料は同一とされる。
　なお、第１の低音速層２３ａの材料と、第２の低音速層２３ｂの材料が同一であるとは、主成分が５０％以上同じ場合をいう。なお、主成分が７５％以上同じであれば、より好ましい。さらに、主成分が１００％同じであれば、より一層好ましい。
　上記第１の接着剤層２２は、適宜の接着剤からなる。このような接着剤としては、ポリイミドやエポキシ樹脂系接着剤を挙げることができる。
　弾性波装置２１においても、圧電薄膜４の分極軸方向におけるプラス面である第１の主面４ａが低音速膜２３に接触するように圧電薄膜４が低音速膜２３に積層されている。従って、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
　もっとも、製造に際しては、支持基板２上に第２の低音速層２３ｂが積層された第１の積層体と、圧電薄膜４の第１の主面４ａに第１の低音速層２３ａが積層されており、第２の主面４ｂにＩＤＴ電極５が形成されている第２の積層体とを第１の接着剤層２２を介して接着すればよい。
　図８に示す第３の実施形態の弾性波装置３１では、支持基板２Ａ上に高音速部材としての高音速膜２Ｂが積層されている。この高音速膜２Ｂ上に低音速膜３及び圧電薄膜４が積層されている。
　上記支持基板２Ａを構成する材料については支持基板２を構成する材料と同様のものを用いることができる。高音速膜２Ｂを構成する材料としては、高音速膜２Ｂを伝搬するバルク波が、圧電薄膜４を伝搬するメインモードの弾性波よりも高速である適宜の材料を用いることができる。このような材料としては、前述した高音速支持基板材料として示した、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、窒化ケイ素、ＤＬＣ、ダイヤモンド等が好適に用いられる。
　弾性波装置３１においても、圧電薄膜４が第１の主面４ａ側から低音速膜３に積層されているため、第１の実施形態と同様の効果が得られる。そして、第１の実施形態においては、支持基板２を高音速支持基板とした場合に、弾性波を効果的に閉じ込めることができるが、弾性波装置３１においては、高音速膜２Ｂにより、弾性波を効果的に高音速膜２Ｂよりも圧電薄膜４側に閉じ込めることができる。
　図９に示す第４の実施形態の弾性波装置４１では、弾性波装置３１における低音速膜３を、弾性波装置２１における低音速膜２３及び第１の接着剤層２２を有する構造に置き換えたものに相当する。従って、弾性波装置４１においても、第１～第３の実施形態と同様に、低音速膜２３と圧電薄膜４との密着度を高めることができ、特性のばらつきを低減することができる。
　また、製造に際しては、弾性波装置２１と同様に、第１の接着剤層２２の一方側の積層体とを、他方側の積層体とを、第１の接着剤層２２を介して接合すればよい。
　図１０に示す第５の実施形態の弾性波装置５１では、図８に示した弾性波装置３１に対し、さらに第２の低音速膜５３が追加されていることを除いては、弾性波装置３１と同様である。第２の低音速膜５３は、支持基板２Ａと、高音速膜２Ｂとの間に積層されている。このように、高音速膜２Ｂの低音速膜３とは反対側の面に第２の低音速膜５３を積層してもよい。第２の低音速膜５３もまた、低音速膜３と同様の材料により形成することができる。好ましくは、低音速膜３の材料と、第２の低音速膜５３の材料は同一であることが望ましい。なお、低音速膜３の材料と、第２の低音速膜５３の材料が同一であるとは、主成分が５０％以上同じ場合をいう。なお、主成分が７５％以上同じであれば、より好ましい。さらに、主成分が１００％同じであれば、より一層好ましい。
　本実施形態においても、圧電薄膜４の第１の主面４ａ側から、圧電薄膜４が低音速膜３に積層されているため、第１～第４の実施形態の弾性波装置と同様の作用効果を奏する。
　図１１に示す第６の実施形態の弾性波装置６１では、弾性波装置５１における第２の低音速膜５３が、第３の低音速層５３ａ及び第４の低音速層５３ｂを有する。第３の低音速層５３ａと第４の低音速層５３ｂとが第２の接着剤層５４を介して接合されている。その他の構成は、弾性波装置６１は弾性波装置５１と同様である。従って、弾性波装置６１は弾性波装置５１と同様の作用効果を奏する。
　製造に際しては、第２の接着剤層５４の一方側の積層部分と、他方側の積層部分とを第２の接着剤層５４を介して接合すればよい。第２の接着剤層５４は、第１の接着剤層２２と同様に、ポリイミドやエポキシ樹脂等の適宜の接着剤を用いることができる。
　図１２に示す第７の弾性波装置７１では、圧電薄膜４上に第３の低音速膜７２が積層されており、第３の低音速膜７２上にＩＤＴ電極５が設けられている。このように、ＩＤＴ電極５は、圧電薄膜４上に間接に設けられていてもよい。この第３の低音速膜７２を構成する材料としては、低音速膜３と同様の材料を用いることができる。このように、ＩＤＴ電極５を、第３の低音速膜７２を介して圧電薄膜４の分極軸方向におけるマイナス面である第２の主面４ｂ上に間接に積層してもよい。
　弾性波装置７１は、その他の構成は、第１の実施形態と同様であるため、第１の実施形態と同様の作用効果を奏する。第３の低音速膜７２を設けることにより、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値をより効果的に小さくすることができる。
　図１３に示す第８の実施形態の弾性波装置８１は、図８に示した第３の実施形態の弾性波装置３１に、上記第３の低音速膜７２を設けた構造に相当する。従って、第３の実施形態の弾性波装置３１と同様の作用効果を奏する。また、第３の低音速膜７２が設けられているため、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値をより小さくすることができる。
　図１４に示す第９の実施形態の弾性波装置９１は、図１０に示した第５の実施形態の弾性波装置５１に、上記第３の低音速膜７２を追加した構造に相当する。従って、弾性波装置９１は、弾性波装置５１と同様の作用効果を奏する。また、第３の低音速膜７２の存在により、周波数温度係数ＴＣＦの絶対値を効果的に小さくすることができる。第７～第９の実施形態に係る弾性波装置７１，８１，９１においても、前述した第１の接着剤層や第２の接着剤層を設けてよい。
　なお、上記実施形態では、弾性波共振子につき説明したが、本発明に係る弾性波装置は、弾性波共振子に限らず、縦結合共振子型弾性波フィルタなどの様々な弾性波装置に広く適用し得る。
１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９１…弾性波装置
２，２Ａ…支持基板
２Ｂ…高音速膜
３…低音速膜
４…圧電薄膜
４ａ…第１の主面
４ｂ…第２の主面
５…ＩＤＴ電極
１２…分極成分
２２…第１の接着剤層
２３…低音速膜
２３ａ…第１の低音速層
２３ｂ…第２の低音速層
５３…第２の低音速膜
５３ａ…第３の低音速層
５３ｂ…第４の低音速層
５４…第２の接着剤層
７２…第３の低音速膜

Claims (14)

  1. 　圧電薄膜を有する弾性波装置であって、
    　前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が高速である高音速部材と、
    　前記高音速部材上に積層されており、前記圧電薄膜を伝搬するメインモードの弾性波の音速よりも、伝搬するバルク波の音速が低速である低音速膜と、
    　前記低音速膜上に設けられている前記圧電薄膜と、
    　前記圧電薄膜上に設けられているＩＤＴ電極と、
    を備え、
    　前記圧電薄膜は、圧電単結晶からなり、前記低音速膜側の主面が分極軸方向におけるプラス面、前記ＩＤＴ電極側の主面が分極軸方向におけるマイナス面とされている、弾性波装置。
  2. 　前記ＩＤＴ電極の電極指ピッチで定まる波長をλとしたときに、前記圧電薄膜の厚みが３．５λ以下である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記圧電薄膜の厚みが、２．５λ以下である、請求項２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記圧電薄膜の厚みが、１．５λ以下である、請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記低音速膜が、前記圧電単結晶以外の酸化物からなる、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記酸化物が無機酸化物である、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記無機酸化物が、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素もしくはホウ素を添加してなる化合物からなる群から選択された、１種の材料からなる、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記圧電単結晶がＬｉＮｂＯ３またはＬｉＴａＯ３であり、前記低音速膜が、Ｌｉを含有している、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記高音速部材が、高音速支持基板である、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  10. 　支持基板をさらに備え、前記高音速部材が高音速膜であり、前記高音速膜が前記支持基板と前記低音速膜との間に積層されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記低音速膜が、第１の低音速層と、第２の低音速層とを有し、前記第１の低音速層と前記第２の低音速層とが第１の接着剤層を介して接合されている、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　前記高音速膜と前記支持基板との間に積層された第２の低音速膜をさらに備える、請求項１０に記載の弾性波装置。
  13. 　前記第２の低音速膜が、第３の低音速層と、第４の低音速層とを有し、前記第３の低音速層と前記第４の低音速層とが第２の接着剤層を介して接合されている、請求項１２に記載の弾性波装置。
  14. 　前記圧電薄膜の前記第２の主面上に第３の低音速膜が設けられており、前記第２の低音速膜上に前記ＩＤＴ電極が設けられている、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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