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WO2013190661A1 - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンスデバイス Download PDF

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WO2013190661A1
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organic
bank
light
layer
light emitting
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PCT/JP2012/065749
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黒田　和男
秀雄 工藤
浩 大畑
敏治 内田
田中　洋平
Original Assignee
パイオニア株式会社
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Priority to US14/408,469 priority patent/US20150206927A1/en
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Definitions

  • the present invention relates to an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as an organic EL device) including at least one organic electroluminescence element.
  • the organic electroluminescence element is configured by, for example, sequentially laminating an organic layer including an anode, a light emitting layer, and a cathode on a transparent glass substrate, and electroluminescence (hereinafter, referred to as “electroluminescence” by injecting current into the organic layer through the anode and the cathode).
  • EL element electroluminescence
  • the emitted light from the light emitting layer is taken out through the transparent electrode and the substrate by making the electrode on the substrate side transparent.
  • about 20% of the light emitted from the light emitting layer is about 20%. Only light can be taken out.
  • a bank that partitions an organic layer on a transparent substrate on the light extraction side is made of a transparent material, and a reflection unit that extracts light propagating in the light-transmitting bank to the transparent substrate side in the viewing direction. It discloses a technology that is provided to increase the light extraction efficiency.
  • Patent Document 1 Although light from the light emitting layer in contact with the side surface of the light-transmitting bank is extracted to the bank, there is a problem that light propagating in the organic layer before being extracted to the bank is attenuated.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device having a translucent substrate and at least one organic EL element carried on the translucent substrate,
  • the organic EL element includes at least one insulating bank disposed on the translucent substrate, a translucent electrode in contact with the bank, and an organic layer including a light emitting layer formed on the translucent electrode.
  • the bank is made of a translucent dielectric material having a low refractive index equal to or lower than the refractive index of the organic layer,
  • the bank has a side surface of an inclined surface that is inclined with respect to the light-transmitting substrate, and the light emitting layer extends across an inclined surface that is separated from the inclined surface that is in contact with the light emitting layer and is in contact with the portion of the organic layer that is in contact with the reflective electrode. It has a concave shape facing the surface.
  • FIG. 1 is a plan view of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line CC in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view schematically showing a laminated structure of the light emitting portion of the organic EL device shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged partial sectional view showing a part of the organic EL device shown in FIG.
  • FIG. 5 is an enlarged partial sectional view showing a part of an organic EL device according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is an enlarged partial sectional view showing a part of an organic EL device according to one modification.
  • FIG. 7 is an enlarged partial cross-sectional view showing a part of another modified organic EL device.
  • FIG. 1 is a plan view of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along the line CC in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view
  • FIG. 8 is an enlarged partial sectional view showing a part of an organic EL device according to another modification.
  • FIG. 9 is an enlarged partial cross-sectional view showing a part of another modified organic EL device.
  • FIG. 10 is an enlarged partial cross-sectional view showing a part of another modified organic EL device.
  • an organic EL device OELD includes a plurality of strip-shaped organic EL elements OELE which are partitioned by a plurality of banks BK on a light-transmitting flat substrate 1 such as glass or resin and extend in the y direction. Yes.
  • the plurality of organic EL elements OELE are juxtaposed with each other, for example, exhibiting different emission colors of red light emission R, green light emission G, and blue light emission B.
  • the organic EL elements of RGB emission colors are arranged as a set in the x direction for each set.
  • each of the organic EL elements of the organic EL device is configured by laminating a translucent electrode 2, an organic layer 3 including a light emitting layer, and a reflective electrode 4 on a substrate 1 between banks BK.
  • the This organic EL device is a so-called bottom emission type organic EL panel that takes out light generated in the organic layer 3 from the surface of the substrate 1 by applying a voltage between the translucent electrode 2 and the reflective electrode 4. .
  • the bank BK in contact with the translucent electrode 2 is formed of a translucent dielectric material having a low refractive index equal to or lower than the refractive index of the organic layer 3.
  • “equivalent refractive index” means that the difference between one refractive index and the other refractive index is less than 0.3, preferably 0.2 or less, particularly preferably 0.1 or less. That means. Further, the refractive index “low” or “high” may be “low” or “high” to such an extent that a difference in measurement occurs, but in practice, it exceeds 0.1, preferably exceeds 0.2. More preferably 0.3 or more, still more preferably 0.4 or more, particularly preferably 0.5 or more, indicating a low or high difference.
  • the plurality of translucent electrodes 2 constituting the anode each have a band shape, extend along the y direction on the substrate 1, and are deposited in parallel with each other in parallel in the x direction at regular intervals.
  • a bank BK is formed extending along the y direction so as to cover them.
  • the bank BK rectangular openings each extending in the y direction are formed.
  • An organic layer 3 is disposed in each of the openings.
  • the organic layer 3 is juxtaposed in a state of being separated from each other by the bank BK, and partitions a plurality of light emitting regions separated by the bank BK.
  • the bank BK is covered with at least a part of the reflective electrode 4.
  • the bank BK includes an organic material bank and an inorganic material bank, and an inorganic material bank is generally formed by etching.
  • wet coating methods such as screen printing, spraying method, ink jet method, spin coating method, gravure printing, and roll coater method are known.
  • the bank BK in the organic EL device has a side surface of an inclined surface that is inclined with respect to the translucent substrate 2 along the y direction, and the side surface has a concave shape CCV in contact with the organic layer 3. .
  • the skirt portion SKT which is a part of the concave shape CCV terminates at the interface between the organic layer 3 and the translucent electrode 2.
  • a hole injection layer 3a, a hole transport layer 3b, a light emitting layer 3c, an electron transport layer 3d, and an electron is laminated in order.
  • the organic layer 3 sandwiched between the translucent electrode 2 and the reflective electrode 4 is a light emitting laminated body, and is not limited to these laminated structures.
  • a hole blocking layer between the light emitting layer 3c and the electron transporting layer 3d (
  • a layered structure including at least a light emitting layer or a charge transport layer that can also be used may be used.
  • the organic layer 3 may be configured by omitting the hole transport layer 3b, the hole injection layer 3a, or the hole injection layer 3a and the electron transport layer 3d from the stacked structure. May be.
  • any known light emitting material such as a fluorescent material or a phosphorescent material can be applied.
  • Examples of fluorescent materials that emit blue light include naphthalene, perylene, and pyrene.
  • fluorescent materials that give green light emission include quinacridone derivatives, coumarin derivatives, and aluminum complexes such as Alq3 (tris (8-hydroxy-quinoline) aluminum).
  • Examples of fluorescent materials that give yellow light include rubrene derivatives.
  • Examples of fluorescent materials that give red light emission include DCM (4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6- (p-dimethylaminostyryl) -4H-pyran) compounds, benzopyran derivatives, rhodamine derivatives, and the like.
  • Examples of the phosphorescent material include iridium, platinum, ruthenium, rhodium, and palladium complex compounds. Specific examples of the phosphorescent material include tris (2-phenylpyridine) iridium (so-called Ir (ppy) 3), tris (2-phenylpyridine) ruthenium, and the like.
  • the organic layers 3 that emit red, green, and blue emission colors are repeatedly arranged in parallel, and red, green, and blue light are arbitrarily emitted from the surface of the substrate 1 that serves as a light extraction surface. Light that is mixed in proportion and recognized as a single emission color is emitted.
  • Known methods for forming the organic layer 3 include dry coating methods such as sputtering and vacuum deposition, and wet coating methods such as screen printing, spraying, ink jetting, spin coating, gravure printing, and roll coater. ing.
  • dry coating methods such as sputtering and vacuum deposition
  • wet coating methods such as screen printing, spraying, ink jetting, spin coating, gravure printing, and roll coater.
  • the hole injection layer, the hole transport layer, and the light emitting layer are uniformly formed by a wet coating method
  • the electron transport layer and the electron injection layer are sequentially formed uniformly by a dry coating method.
  • a film may be formed.
  • all the functional layers may be sequentially formed in a uniform film thickness by a wet coating method.
  • the anode translucent electrode 2 for supplying holes to the functional layers up to the light emitting layer 3c is ITO (Indium-tin-oxide), ZnO, ZnO—Al 2 O 3 (so-called AZO), In 2 O 3 ⁇ It may be composed of ZnO (so-called IZO), SnO 2 —Sb 2 O 3 (so-called ATO), RuO 2 or the like. Furthermore, for the translucent electrode 2, it is preferable to select a material having a transmittance of at least 10% at the emission wavelength obtained from the light emitting layer.
  • the translucent electrode 2 usually has a single-layer structure, but it can also have a laminated structure made of a plurality of materials if desired.
  • the cathode reflective electrode 4 that supplies electrons to the functional layers up to the light emitting layer 3c is not limited, and for example, metals such as aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, and platinum are used. In addition, these materials may be used only by 1 type and may use 2 or more types together by arbitrary combinations and a ratio.
  • the material of the reflective electrode 4 preferably includes a metal having a low work function in order to efficiently inject electrons.
  • a suitable metal such as tin, magnesium, indium, calcium, aluminum, silver, or an alloy thereof may be used. Used. Specific examples include low work function alloy electrodes such as magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, and aluminum-lithium alloy.
  • the silver thin film with a thickness of 20 nm of the reflective electrode 4 has a transmittance of 50%.
  • An Al film having a thickness of 10 nm as the metal thin film has a transmittance of 50%.
  • the 20 nm-thick MgAg alloy film as the metal thin film has a transmittance of 50%.
  • electroconductivity can be ensured if the lower limit of the film thickness is 5 nm.
  • the reflective electrode 4 can be formed as a single layer film or a multilayer film on the organic layer 3 by sputtering or vacuum deposition.
  • the bank BK in the organic EL device has a side surface of an inclined surface that is inclined with respect to the translucent substrate 2.
  • the side surface of the bank BK has a concave shape CCV that faces the light emitting layer 3 c from the slope A in contact with the light emitting layer 3 c to the slope B in contact with the portion of the organic layer 3 in contact with the reflective electrode 4.
  • the side surface of the bank BK has an angle ⁇ formed with the transparent substrate 2 of the slope A in contact with the light emitting layer 3 c smaller than the angle ⁇ formed with the transparent substrate 2 of the slope B in contact with the portion of the organic layer 3 in contact with the reflective electrode 4.
  • the base portion SKT of the bank BK terminates at the interface between the organic layer 3 and the translucent electrode 2.
  • the organic layer 3 on the bank BK side becomes an attenuated light emission region with the end of the bank BK as a boundary, and the organic layer 3 away from the skirt portion SKT of the bank BK becomes a normal light emission region. This is because the translucent electrode 2 is covered by the base portion SKT, and the translucent electrode 2 of the anode and the reflective electrode 4 of the cathode do not face each other through the organic layer 3.
  • the light L0 incident on the tapered portion of the edge of the organic layer 3 on the bank BK side is repeatedly reflected in a zigzag manner between the tapered reflective electrode 4 and the side surface of the bank BK (ie, the bottom portion SKT). Since it only enters the outermost edge of the layer 3, the reflected light is extremely reduced and enters only the side surface of the bank BK. As described above, in the present embodiment, reflection is repeated at the tapered portion of the edge of the organic layer 3 having a wedge-shaped cross section and guided to the upper part of the bank BK at the back, and the light L0 is emitted only to the side surface of the bank BK. It is a mechanism.
  • FIG. 5 shows an ITO transparent electrode 2, which is an anode, a hole injection layer 3a, a light emitting layer 3c, an electron injection layer 3e, and a metal reflective electrode, which is a cathode, laminated on a glass transparent substrate 1.
  • 4 shows a part of the organic EL element in the organic EL device constituted by 4.
  • the organic layers up to the light emitting layer 3 are formed by a wet coating method such as an inkjet method, and the electron injection layer 3e and the subsequent layers are formed by a vapor deposition method.
  • the organic layer 3 on the bank BK side of the concave shape CCV between the slope A and the slope B of the bank BK can be seen as a part of a cylindrical lens extending in the depth y direction.
  • the inclination angle ⁇ of the interface of the light emitting layer 3c and the bank BK is the bank BK ⁇ where the reflective electrode 4 is in contact. Is smaller than the inclination angle.
  • the anode translucent electrode 2 and the cathode reflecting electrode 4 are in a normal facing state, and the area away from the bank BK from this light emitting point normally emits light and approaches the bank BK. As the amount of light decreases,
  • the slope A portion having the slope angle ⁇ of the base portion SKT gradually becomes thicker from the translucent electrode 2 at the slope angle ⁇ .
  • the amount of evanescent light oozes off exponentially and oozes out about the wavelength, but the substantial range is said to be about 150 nm.
  • the emitted light is transmitted through the bottom SKT with a thickness of about 25 nm to 30 nm, and at a thickness greater than that, an angle of total reflection appears.
  • the light L2 that is totally reflected by the slope A and directly reflected by the reflective electrode 4 also enters the bank BK at the slope B.
  • the inclination of the bank BK is changed depending on the position of the organic layer, the inclination angle ⁇ is made smaller than the inclination angle ⁇ , and the light emitting layer 3c is disposed inside the concave shape. Even if it is used, a large amount of light can be put into the translucent bank BK. Besides simply increasing the light extraction efficiency as the concave shape CCV, since the near-field light in the thin film portion of the skirt SKT is used, the light can be applied to the bank BK having a low refractive index compared to a mere steep plane slope. Incidence increases.
  • the translucent dielectric material of the bank is not particularly lyophilic. In both cases, little consideration is required regarding the wettability of organic materials. In general, when the bank is laid down, the lyophilicity is increased and the organic material can be easily applied. Therefore, it is not necessary to use a lyophilic material for the bank BK, and the range of selection of the bank material is expanded.
  • the bank material include fluorine resins such as fluorinated polyolefin resin, fluorinated polyimide resin, and fluorinated polyacrylic resin.
  • the translucent bank BK shown in FIG. 5 has a concave shape CCV in which the slope gradually changes, but the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. You may comprise B so that it may be a plane and may have inclination-angle (alpha) and inclination-angle (beta), respectively.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the periphery of the bank BK by partially cutting away the organic EL device of the modification.
  • the components denoted by the same reference numerals as those in the above embodiment are the same as those in the organic EL device in the above embodiment, and thus detailed description thereof is omitted.
  • the organic layers up to the light emitting layer 3c are formed by a wet coating method such as an ink jet method, and the electron transport layer and the subsequent layers are formed by a vapor deposition method using a mask, and the electron transport layer and the electron injection are formed.
  • An organic layer 3 of an electron transport layer or an electron injection layer is formed up to the vicinity of the top of the bank BK by using a layer having a wide mask opening at the time of layer deposition. Therefore, a portion where the organic layer is not deposited on the top surface of the bank BK, that is, a portion where the reflective electrode 4 is in contact with the bank BK is formed.
  • the light repeats total reflection up to the bank slope contacting the portion of the organic layer 3 that is in contact with the reflective electrode 4 on the top surface, and the light reaching the reflective electrode 4 on the top surface is translucent. Can enter the sex bank BK.
  • the end of the electron injection layer 3e formed by the wet coating method terminates on the side of the bank BK.
  • 9 is a coating type in which all the layers of the organic layer 3 are formed by a wet coating method, the thickness of the light emitting layer 3c is increased, and the thickness of the electron injection layer 3e is decreased.
  • all layers of the organic layer 3 are formed by a wet coating method, and the RGB light emission of the electron blocking layer and the light emitting layer 3c between the hole injection layer 3a side and the electron injection layer 3e.
  • the non-light emitting area such as the bank BK is totally reflected by the translucent electrode 2 portion of the organic layer 3 by using a translucent low refractive index material.
  • the light that has been transmitted enters the side surface portion of the bank BK, changes its refraction angle, and is radiated to the substrate 1 at various radiation angles, so that the light extraction efficiency of the light propagating through the transparent electrode can be enhanced.
  • the translucent substrate 1 a quartz or glass plate, a metal plate or a metal foil, a resin substrate that can be bent, a plastic film, a sheet, or the like is used.
  • a glass plate or a transparent plate made of a synthetic resin such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, or polysulfone is preferable.
  • a synthetic resin substrate it is necessary to pay attention to gas barrier properties. If the gas barrier property of the substrate is too small, the organic EL device may be deteriorated by outside air that has passed through the substrate, which is not preferable. Therefore, a method of securing a gas barrier property by providing a dense silicon oxide film or the like on at least one surface of the synthetic resin substrate is also a preferable method.
  • a sealing can for covering and sealing the light emitting portions juxtaposed in a strip shape of the organic EL device and the surrounding banks may be provided.
  • a light extraction film (not shown) may be attached to the outer surface of the substrate 1 so as to cover the light emitting portion.
  • the organic layer is a light emitting laminate, but the light emitting laminate can also be configured by laminating inorganic material films.

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Abstract

　有機ＥＬデバイスは、透光性基板上に配置された少なくとも１つの絶縁性のバンクと、バンクに接する透光性電極と、透光性電極上に形成され発光層を含む有機層と、有機層上に形成された反射電極と、を含む。バンクは、有機層の屈折率と同等以下の低い屈折率を有する透光性誘電体材料からなる。バンクは透光性基板に対して傾斜する斜面の側面を有し、側面が発光層に接する斜面から反射電極に近い有機層の部分に接する斜面に亘って発光層を臨む凹面形状を有する。

Description

有機エレクトロルミネッセンスデバイス
　本発明は、少なくとも１つの有機エレクトロルミネッセンス素子を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイス（以下、有機ＥＬデバイスと称する）に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、透明ガラス基板上に陽極、発光層を含む有機層及び陰極を順次積層して構成され、陽極及び陰極を介して有機層への電流注入により、エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する）を発現する発光素子である。発光層からの発光光は基板側の電極を透明とすることによりこの透明電極と基板を介して取り出される。ところが、発光層からの発光光の一部は透明電極－ガラス界面間及びガラス－空気界面間での全反射により閉じ込められて消衰する故に、発光層からの発光光のうち約２０％程度の光しか外部に取り出すことができない。
　特許文献１は、光取り出し側の透明基板上の有機層を区画するバンク（土手）を透明材料で構成し、透光性バンク内を伝搬する光を視認方向の透明基板側に取り出す反射部を設けて光取り出し効率を高めた技術を開示している。
特開２００５－３１０５９１号公報
　特許文献１の技術においては、透光性バンク側面に接する発光層の光をバンクに取り出すけれども、バンクに取り出す前の有機層内で伝搬する光が減衰してしまうという問題があった。
　そこで、本発明では、透明電極を伝搬する光の取り出し効率を高めることができる有機ＥＬデバイスを提供することが課題の一例としてあげられる。
　本発明の有機ＥＬデバイスは、透光性基板と前記透光性基板上に担持された少なくとも１つの有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬデバイスであって、
　前記有機ＥＬ素子は、前記透光性基板上に配置された少なくとも１つの絶縁性のバンクと、前記バンクに接する透光性電極と、前記透光性電極上に形成され発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成された反射電極と、を含み、
　前記バンクは、前記有機層の屈折率と同等以下の低い屈折率を有する透光性誘電体材料からなり、
　前記バンクは前記透光性基板に対して傾斜する斜面の側面を有し、前記側面が前記発光層に接する斜面から離れ前記反射電極に接する前記有機層の部分に接する斜面に亘って前記発光層を臨む凹面形状を有することを特徴とする。
図１は本発明の実施例の有機ＥＬデバイスの平面図である。 図２は図１中のＣ－Ｃ線に沿った断面図である。 図３は図１に示す有機ＥＬデバイスの発光部の積層構成を模式的に示す概略断面図である。 図４は図１に示す有機ＥＬデバイスの一部を示す拡大部分断面図である。 図５は本発明の他の実施例の有機ＥＬデバイスの一部を示す拡大部分断面図である。 図６は１つの変形例の有機ＥＬデバイスの一部を示す拡大部分断面図である。 図７は他の変形例の有機ＥＬデバイスの一部を示す拡大部分断面図である。 図８は他の変形例の有機ＥＬデバイスの一部を示す拡大部分断面図である。 図９は他の変形例の有機ＥＬデバイスの一部を示す拡大部分断面図である。 図１０は他の変形例の有機ＥＬデバイスの一部を示す拡大部分断面図である。
　以下に本発明による実施例を図面を参照しつつ説明する。
　図１において、有機ＥＬデバイスＯＥＬＤは、ガラスや樹脂などの光透過性平板の基板１上に複数のバンクＢＫによって区切られて、ｙ方向に伸長するストリップ状の複数の有機ＥＬ素子ＯＥＬＥを含んでいる。複数の有機ＥＬ素子ＯＥＬＥは互いに並置され、例えば、赤色発光Ｒ、緑色発光Ｇ及び青色発光Ｂの互いに異なる発光色を呈する。ＲＧＢ発光色の有機ＥＬ素子を一組としてｘ方向に組毎に並べられている。
　図２に示すように、有機ＥＬデバイスの有機ＥＬ素子の各々は、バンクＢＫ間の基板１上に、透光性電極２、発光層を含む有機層３、反射電極４が積層されて構成される。この有機ＥＬデバイスは、透光性電極２と反射電極４との間に電圧を印加することにより有機層３において生成される光を基板１の表面から取り出す所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬパネルである。透光性電極２に接するバンクＢＫは、有機層３の屈折率と同等以下の低い屈折率を有する透光性誘電体材料から形成されている。なお、本明細書において、「屈折率が同等」とは、一方の屈折率と他方の屈折率との差が０．３未満、好ましくは０．２以下、とりわけ好ましくは０．１以下であることをいう。また屈折率が「低い」又は「高い」とは、測定上差が生じる程度に「低く」又は「高」ければよいが、実際上は０．１を超えて、好ましくは０．２を超えて、より好ましくは０．３以上、更に好ましくは０．４以上、とりわけ好ましくは０．５以上差があって低い又は高いことを示す。
　陽極を構成する複数の透光性電極２は、それぞれ帯状をなしており、基板１上においてｙ方向に沿って伸長し、互いに一定間隔おいてｘ方向に平行に並置されて蒸着される。
　基板１及び透光性電極２の端縁上にはこれらを覆うようにバンクＢＫがｙ方向に沿って伸長して形成されている。バンクＢＫには、各々がｙ方向に伸張する長方形の開口部が形成されている。開口部の各々に有機層３が配置されている。有機層３は、バンクＢＫによって互いに隔てられた状態で並置されて、バンクＢＫによって隔てられた複数の発光領域を区画している。バンクＢＫは反射電極４の少なくとも一部分により覆われている。バンクＢＫには有機材バンクと無機材バンクがあり、無機材バンク形成はエッチングという手法が一般的である。有機材バンクを形成する手法として、スクリーン印刷、スプレー法、インクジェット法、スピンコート法、グラビア印刷、ロールコータ法などの湿式塗布法が知られている。
　図２に示すように、有機ＥＬデバイスにおけるバンクＢＫは、ｙ方向に沿って透光性基板２に対して傾斜する斜面の側面を有し、該側面が有機層３に接する凹面形状ＣＣＶを有する。凹面形状ＣＣＶの一部である裾野部ＳＫＴは有機層３と透光性電極２の間の界面に終端している。
　図３に示すように、バンクＢＫの各開口部内における透光性電極２上には、有機層３として、正孔注入層３ａ、正孔輸送層３ｂ、発光層３ｃ、電子輸送層３ｄ及び電子注入層３ｅが順に積層されている。透光性電極２と反射電極４の間に挟持有機層３は発光積層体であり、これら積層構成に限定されることなく、例えば発光層３ｃと電子輸送層３ｄの間に正孔阻止層（図示せず）を追加するなど、少なくとも発光層を含み、或いは兼用できる電荷輸送層を含む積層構成であってもよい。有機層３は、上記積層構造から正孔輸送層３ｂを省いて構成しても、正孔注入層３ａを省いて構成しても、正孔注入層３ａと電子輸送層３ｄを省いて構成してもよい。
　例えば、発光層３ｃの発光材料としては、例えば、蛍光材料や燐光材料など、任意の公知の発光材料が適用可能である。
　青色発光を与える蛍光材料としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレンなどが挙げられる。緑色発光を与える蛍光材料としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌｑ３(tris (8-hydroxy-quinoline) aluminum) などのアルミニウム錯体などが挙げられる。黄色発光を与える蛍光材料としては、例えば、ルブレン誘導体などが挙げられる。赤色発光を与える蛍光材料としては、例えば、ＤＣＭ（4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体などが挙げられる。燐光材料としては、例えば、イリジウム、白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウムの錯体化合物などが挙げられる。燐光材料として、具体的には、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（所謂、Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（２－フェニルピリジン）ルテニウムなどが挙げられる。
　このように、赤、緑、青の発光色をそれぞれ発する有機層３は、平行に繰り返し配置されており、光取り出し面となる基板１の表面からは、赤、緑、青の光が任意の割合で混色されて単一の発光色として認識される光が放出される。
　有機層３を成膜する手法として、スパッタリング法や真空蒸着法などの乾式塗布法や、スクリーン印刷、スプレー法、インクジェット法、スピンコート法、グラビア印刷、ロールコータ法などの湿式塗布法が知られている。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層を湿式塗布法で膜厚を均一に成膜して、電子輸送層及び電子注入層を、それぞれ乾式塗布法で膜厚を均一に順次成膜してもよい。また、すべての機能層を湿式塗布法で膜厚を均一に順次成膜してもよい。
　発光層３ｃまでの機能層に正孔を供給する陽極の透光性電極２は、ＩＴＯ(Indium-tin-oxide)やＺｎＯ、ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３（所謂、ＡＺＯ）、Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ（所謂、ＩＺＯ）、ＳｎＯ２－Ｓｂ２Ｏ３（所謂、ＡＴＯ）、ＲｕＯ２などにより構成され得る。さらに、透光性電極２は、発光層から得られる発光波長において少なくとも１０％以上の透過率を持つ材料を選択することが好ましい。
　透光性電極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
　発光層３ｃまでの機能層に電子を供給する陰極の反射電極４には、限定されないが、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金などの金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
　反射電極４の材料としては、効率良く電子注入を行う為に仕事関数の低い金属が含まれること好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀などの適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、アルミニウム－リチウム合金などの低仕事関数合金電極が挙げられる。反射電極４の膜厚２０ｎｍの銀薄膜は透過率５０％を有する。同金属薄膜としての膜厚１０ｎｍのＡｌ膜は透過率５０％を有する。同金属薄膜としての膜厚２０ｎｍのＭｇＡｇ合金膜は透過率５０％を有する。なお、金属薄膜で反射電極４を構成する場合、その膜厚の下限値は５ｎｍあれば導電性を確保することができる。
　反射電極４はスパッタ法や真空蒸着法などにより有機層３上に、単層膜、又は多層膜として形成され得る。
　この有機ＥＬデバイスにおいては、有機層３は透光性電極２及び反射電極４の間に接して挟持されている故に、透光性電極２と反射電極４とを介して有機層３に駆動電圧が印加されることにより、有機層３内の発光層３ｃにおいて生成された光は透光性電極２を通過して、さらに反射電極４で反射した後に透光性電極２を通過して透光性基板１の表面から取り出される。
　［有機ＥＬデバイスの動作］
　次に、上記の有機ＥＬデバイスの動作を説明する。なお、上記実施例と同一符号で示した構成部分は、上記実施例の有機ＥＬデバイスと同様であるので、それらの詳しい説明は省略する。図４以降に示す有機ＥＬデバイスにおいて、ガラス基板１の屈折率をｎ１＝１．５とし、透光性電極２の屈折率をｎ２＝１．８とし、有機層３の屈折率をｎ２＝１．８とし、バンクＢＫの屈折率をｎ１＝１．５として説明する。
　図４に示すように、有機ＥＬデバイスにおけるバンクＢＫは、透光性基板２に対して傾斜する斜面の側面を有する。バンクＢＫの側面は、発光層３ｃに接する斜面Ａから反射電極４に接する有機層３の部分に接する斜面Ｂに亘って発光層３ｃを臨む凹面形状ＣＣＶを有する。
　バンクＢＫの側面は、発光層３ｃに接する斜面Ａの透光性基板２となす角度αが反射電極４に接する有機層３の部分に接する斜面Ｂの透光性基板２となす角度βより小さい裾野部ＳＫＴを含む。すなわち、発光層３ｃと透光性電極２の界面とのバンクＢＫの傾斜角αは反射電極４面とバンクＢＫとの傾斜角βと異なり、α＜βの関係を有している。バンクＢＫの裾野部ＳＫＴは有機層３と透光性電極２の間の界面に終端している。バンクＢＫの終端を境にバンクＢＫ側の有機層３は減衰発光領域となり、バンクＢＫの裾野部ＳＫＴから離れる有機層３は正常発光領域となる。裾野部ＳＫＴにより透光性電極２が覆われ、陽極の透光性電極２と陰極の反射電極４とが有機層３を介して対向しなくなるからである。
　有機層３のバンクＢＫ側端縁のテーパー部すなわち減衰発光領域に入射した光Ｌ０は、テーパー状の反射電極４とバンクＢＫの側面（すなわち裾野部ＳＫＴ）の間でジグザクに反射を繰り返し、有機層３の最端縁部に侵入していくばかりなので、反射光が極端に少なくなり、バンクＢＫの側面へのみ進入する。このように、本実施例においては、くさび形断面の有機層３の端縁のテーパー部で反射を繰り返させて奥のバンクＢＫの上部へと導き、バンクＢＫの側面へのみ光Ｌ０を放射させるしくみとなっている。有機層３が高屈折率領域（ｎ２＝１．８）である故に、高屈折率の有機層３内の光が低屈折率材料のバンクＢＫに入射する場合、界面が平面の時、臨界角以上の光は全反射して低屈折率のバンクＢＫ側に入射しない。しかし、バンクＢＫの上部ではほとんどが臨界角未満の光となってバンクＢＫ側に取り出される。
　図５は、ガラス透明基板１上に積層された、陽極であるＩＴＯ透光性電極２と、正孔注入層３ａと、発光層３ｃと、電子注入層３ｅと、陰極である金属の反射電極４とから構成されている有機ＥＬデバイスにおける有機ＥＬ素子の一部を示す。発光層３までの有機層はインクジェット法などの湿式塗布法で成膜し、電子注入層３ｅ以降を蒸着法で成膜している。
　図５においてバンクＢＫの斜面Ａ及び斜面Ｂの間の凹面形状ＣＣＶのバンクＢＫ側の有機層３は、奥行きｙ方向に伸長する円柱レンズの一部と見ることができる。有機ＥＬデバイスは、発光層３ｃの界面とバンクＢＫの傾斜角α（正常発光領域の発光点を通る透光性電極２に平行な面とバンクＢＫの傾斜角）は反射電極４が接するバンクＢＫβの傾斜角より小さい。
　発光点からバンクＢＫを離れる側は、陽極の透光性電極２と陰極の反射電極４が正常な対向状態であり、この発光点よりバンクＢＫから離れるのエリアは正常発光し、バンクＢＫに近づくにつれ発光量が減少する。
　裾野部ＳＫＴの傾斜角αを有する斜面Ａ部は透光性電極２からほぼ傾斜角αで漸次厚くなる。ここで、バンクＢＫは屈折率ｎ１＝１．５の透光性誘電体材料からなり、発光層３ｃは屈折率ｎ２＝１．８の発光材料からなる故に、屈折率ｎ１＜ｎ２であり、両者の界面でエバネッセント光が低屈折率バンクＢＫの裾野部ＳＫＴ下に生じ、さらに、その下に屈折率１．８の透光性電極２があるとすると、裾野部ＳＫＴの８０ｎｍ程度の厚さまでは全反射せず光が基板１まで透過することになる。エバネッセント光の染み出し量は指数関数的に減衰し、波長程度染み出すといわれているが、実質的な範囲は１５０ｎｍ程度といわれている。発光光は裾野部ＳＫＴの厚さ２５ｎｍ～３０ｎｍ程度は透過し、それ以上の厚さでは、全反射する角度が出てくる。
　正常発光した光Ｌ１の全反射する部分に関しては、斜面Ｂが斜面Ａより角度が立っている故に（α＜β）、図５に示すように、正常発光した光Ｌ１は、斜面Ａで全反射したのち、斜面Ｂで全反射し、反対電極で反射し、斜面ＢからバンクＢＫに入射する。
　斜面Ａで全反射し、直接反射電極４で反射した光Ｌ２も斜面ＢでバンクＢＫに入射する。
　このように、本実施例ではバンクＢＫの傾斜を有機層の位置によって変更し、傾斜角βを傾斜角αより小さくし、凹形状の内側に発光層３ｃを配置したので、低屈折率材料を用いても透光性バンクＢＫの中に光を多く入れることができる。単に凹面形状ＣＣＶとしての光取り出し効率を上げるほかに、裾野部ＳＫＴの薄膜部における、近接場光を利用しているので、単なる急峻な平面斜面にくらべ、光の低屈折率のバンクＢＫへの入射が多くなる。
　さらに、有機層３と透光性電極２の間に、凹面形状ＣＣＶの端部を挟んだ形（裾野部ＳＫＴ）にしているので、バンクの透光性誘電体材料が特に親液性で無くとも、有機材の濡れ性に関して配慮がほとんど要らない。一般的にバンクの傾きを寝かせると親液性があがり、有機材料を塗布しやすくなる。よって、バンクＢＫにわざわざ親液性の材料を用いる必要がなくなり、バンク材料の選択の幅が広がる。バンクの材料の例には、例えばフッ素化ポリオレフィン系樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、フッ素化ポリアクリル樹脂などのフッ素系樹脂が挙げられる。
　凹面形状ＣＣＶの裾野部ＳＫＴが有機層３と透光性電極２の間に入る形になっているので、透光性電極２と反射電極４との間のリークや、ショートは防止できる。
　なお、図５に示す透光性バンクＢＫは漸次傾きが変化する凹面形状ＣＣＶを有しているが、これに限定されず、図６に示すように、透光性バンクＢＫは斜面Ａ及び斜面Ｂが平面でそれぞれ傾斜角α及び傾斜角βを有するように構成してもよい。
　［変形例］
　図７は変形例の有機ＥＬデバイスを一部切り欠いてバンクＢＫ周辺を示す断面図である。なお、以下の例において、上記実施例と同一符号で示した構成部分は、上記実施例の有機ＥＬデバイスと同様であるので、それらの詳しい説明は省略する。
　図７の変形例においては、発光層３ｃまでの有機層はインクジェット法などの湿式塗布法で成膜し、電子輸送層以降をマスクを用いた蒸着法で成膜し、電子輸送層や電子注入層の蒸着時にマスク開口を広くしたものを用いて、バンクＢＫ頂上付近まで電子輸送層や電子注入層の有機層３を成膜している。よって、バンクＢＫ天面で有機層の蒸着がない部分すなわち反射電極４がバンクＢＫに接触する部分を形成している。図７の変形例によれば、光は天面の反射電極４に近くで接触する有機層３の部分に接するバンク斜面まで全反射を繰り返し、天面の反射電極４に到達した光が透光性バンクＢＫ内に入射することができる。
　図８に示す変形例は、有機層３すべての層がインクジェット法などの湿式塗布法で成膜された塗布型のものである。湿式塗布法で成膜された電子注入層３ｅの端部がバンクＢＫ側面で終端している。
　図９に示す変形例は、有機層３すべての層が湿式塗布法で成膜され、発光層３ｃの厚みを厚くし、電子注入層３ｅの厚みを薄くした塗布型のものである。
　図１０に示す変形例は、有機層３すべての層が湿式塗布法で成膜され、正孔注入層３ａ側から電子注入層３ｅまでの間に、電子阻止層と、発光層３ｃのＲＧＢ発光層と、正孔阻止層とを積層した塗布型のものである。
　なお、上記の何れの実施例でも、有機ＥＬデバイスおいて、バンクＢＫなど非発光エリアを透光性の低屈折率材料を使用することにより、有機層３の透光性電極２部分で全反射をしていた光がバンクＢＫの側面部分に入り、その屈折角度が変わり基板１へ様々な放射角度で放射させ、透明電極を伝搬する光の光取り出し効率を高めることができる。
　なお、透光性基板１として、石英やガラスの板、金属板や金属箔、曲げられる樹脂基板、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの合成樹脂の透明板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機ＥＬデバイスが劣化することがあるので好ましくない。よって、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜などを設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
　また、有機ＥＬデバイスの帯状に並置された発光部とその周りのバンクを覆いこれらを封止する封止缶（図示せず）を設けてもよい。さらに、出力光の取り出し効率を上げるために、基板１の外部面に、発光部を覆うように、これを超える面積で光取り出しフィルム（図示せず）を取り付けてもよい。
　さらに、上記の何れの実施例では有機層を発光積層体としているが、無機材料膜の積層によっても発光積層体を構成できる。
　１　基板
　２　透光性電極
　３　有機層
　３ａ　正孔注入層
　３ｂ　正孔輸送層
　３ｃ　発光層
　３ｄ　電子輸送層
　３ｅ　電子注入層
　４　反射電極
　ＢＫ　バンク
　ＳＫＴ　裾野部

Claims (4)

  1. 　透光性基板と前記透光性基板上に担持された少なくとも１つの有機ＥＬ素子とを有する有機ＥＬデバイスであって、
    　前記有機ＥＬ素子は、前記透光性基板上に配置された少なくとも１つの絶縁性のバンクと、前記バンクに接する透光性電極と、前記透光性電極上に形成され発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成された反射電極と、を含み、
    　前記バンクは、前記有機層の屈折率と同等以下の低い屈折率を有する透光性誘電体材料からなり、
    　前記バンクは前記透光性基板に対して傾斜する斜面の側面を有し、前記側面が前記発光層に接する斜面から離れ前記反射電極に接する前記有機層の部分に接する斜面に亘って前記発光層を臨む凹面形状を有することを特徴とする有機ＥＬデバイス。
  2. 　前記側面は、前記発光層に接する斜面の前記透光性基板となす角度が前記反射電極に接する前記有機層の部分に接する斜面の前記透光性基板となす角度より小さい裾野部を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬデバイス。
  3. 　前記バンクは前記有機層と前記透光性電極の間の界面に終端していることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬデバイス。
  4. 　前記反射電極の少なくとも一部が前記バンクを覆っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の有機ＥＬデバイス。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104167431A (zh) * 2014-08-12 2014-11-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件及应用其的oled显示装置
JP2016143657A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 王子ホールディングス株式会社 Ｅｌ表示装置
WO2018179133A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置、コントローラ
JP2019160807A (ja) * 2019-06-13 2019-09-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
CN110880560A (zh) * 2018-09-06 2020-03-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US10943963B2 (en) 2018-05-11 2021-03-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device
JP2022016557A (ja) * 2017-02-27 2022-01-21 パイオニア株式会社 発光装置
EP3232488B1 (en) * 2016-04-11 2024-10-30 LG Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104795429B (zh) * 2015-04-13 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
CN104779268B (zh) * 2015-04-13 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示器件
WO2016198142A1 (en) * 2015-06-12 2016-12-15 Merck Patent Gmbh Organic electronic devices with fluoropolymer bank structures
JP2017181831A (ja) 2016-03-31 2017-10-05 ソニー株式会社 表示装置及び電子機器
CN107863449A (zh) 2017-10-26 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光器件、其制备方法以及显示装置
CN110323249B (zh) * 2018-03-30 2021-10-01 上海和辉光电股份有限公司 一种有机电致发光显示器件
EP3884532A4 (en) 2018-11-20 2022-06-29 BOE Technology Group Co., Ltd. Pixel structure, display apparatus, and method of fabricating pixel structure
KR102075728B1 (ko) * 2018-12-17 2020-02-10 엘지디스플레이 주식회사 표시패널
KR20200134752A (ko) * 2019-05-23 2020-12-02 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN114639793A (zh) * 2020-12-16 2022-06-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN113130616B (zh) * 2021-04-20 2022-08-23 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板及显示装置
CN113314573B (zh) * 2021-05-24 2023-05-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及电子设备

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2005310591A (ja) 2004-04-22 2005-11-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示装置とその製造方法、並びに電子機器
JP2006004743A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びその製造方法
WO2008149498A1 (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Panasonic Corporation 有機ｅｌ素子、およびその製造方法
JP2009054603A (ja) * 2008-12-09 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネルの製造方法
JP2009198853A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Casio Comput Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法
JP2010033972A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2011154809A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Osaka Prefecture Univ 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2011171268A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2012028226A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6739931B2 (en) * 2000-09-18 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating the display device
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
TWI224880B (en) * 2002-07-25 2004-12-01 Sanyo Electric Co Organic electroluminescence display device
KR100908234B1 (ko) * 2003-02-13 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
JP4049033B2 (ja) * 2003-06-26 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置とその製造方法
JP4522760B2 (ja) * 2003-06-30 2010-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び発光装置の作製方法
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
CN100364135C (zh) * 2003-11-19 2008-01-23 友达光电股份有限公司 高亮度有机发光显示面板的像素结构
JP2005340011A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7554265B2 (en) * 2004-06-25 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2006038987A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Seiko Epson Corp 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器
KR101475247B1 (ko) * 2007-04-17 2014-12-22 코닌클리케 필립스 엔.브이. 직물 발광 디바이스
EP2221899B1 (en) * 2007-12-10 2013-05-22 Panasonic Corporation Organic el device, el display panel, method for manufacturing the organic el device and method for manufacturing the el display panel
JP2010182449A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Fujifilm Corp 有機ｅｌ表示装置
KR20110049578A (ko) * 2009-11-05 2011-05-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시장치
CN103050641B (zh) * 2011-10-14 2016-03-02 乐金显示有限公司 有机发光器件和使用该器件的显示板

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2005310591A (ja) 2004-04-22 2005-11-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ表示装置とその製造方法、並びに電子機器
JP2006004743A (ja) * 2004-06-17 2006-01-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及びその製造方法
WO2008149498A1 (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Panasonic Corporation 有機ｅｌ素子、およびその製造方法
JP2009198853A (ja) * 2008-02-22 2009-09-03 Casio Comput Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法
JP2010033972A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2009054603A (ja) * 2008-12-09 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 有機電界発光パネルの製造方法
JP2011154809A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Osaka Prefecture Univ 有機ｅｌ素子及びその製造方法
JP2011171268A (ja) * 2010-02-16 2011-09-01 Samsung Mobile Display Co Ltd 有機発光表示装置及びその製造方法
JP2012028226A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよび有機エレクトロルミネッセンス装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2852256A4

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104167431A (zh) * 2014-08-12 2014-11-26 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件及应用其的oled显示装置
WO2016023266A1 (zh) * 2014-08-12 2016-02-18 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件及应用其的oled显示装置
CN104167431B (zh) * 2014-08-12 2018-05-25 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示器件及应用其的oled显示装置
JP2016143657A (ja) * 2015-02-05 2016-08-08 王子ホールディングス株式会社 Ｅｌ表示装置
EP3232488B1 (en) * 2016-04-11 2024-10-30 LG Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2022016557A (ja) * 2017-02-27 2022-01-21 パイオニア株式会社 発光装置
WO2018179133A1 (ja) * 2017-03-29 2018-10-04 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置、成膜装置、コントローラ
US10943963B2 (en) 2018-05-11 2021-03-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN110880560A (zh) * 2018-09-06 2020-03-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
US11258050B2 (en) 2018-09-06 2022-02-22 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method for manufacturing the same
CN110880560B (zh) * 2018-09-06 2022-04-19 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
JP2019160807A (ja) * 2019-06-13 2019-09-19 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置

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