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WO2011118162A1 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

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WO2011118162A1
WO2011118162A1 PCT/JP2011/001570 JP2011001570W WO2011118162A1 WO 2011118162 A1 WO2011118162 A1 WO 2011118162A1 JP 2011001570 W JP2011001570 W JP 2011001570W WO 2011118162 A1 WO2011118162 A1 WO 2011118162A1
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WO
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discharge space
gas
peak
protective layer
discharge
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/001570
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English (en)
French (fr)
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後藤　真志
卓司 辻田
秀司 河原崎
堀河　敬司
小塩　千春
加奈子 奥村
正範 三浦
Original Assignee
パナソニック株式会社
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Publication date
Application filed by パナソニック株式会社 filed Critical パナソニック株式会社
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Priority to CN2011800158787A priority patent/CN102822935A/zh
Priority to JP2012506805A priority patent/JPWO2011118162A1/ja
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
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    • H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
    • H01J2211/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J2211/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J2211/20—Constructional details
    • H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J2211/40—Layers for protecting or enhancing the electron emission, e.g. MgO layers

Definitions

  • the technology disclosed herein relates to a method for manufacturing a plasma display panel used for a display device or the like.
  • a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP) is composed of a front plate and a back plate.
  • the front plate includes a glass substrate, a display electrode formed on one main surface of the glass substrate, a dielectric layer that covers the display electrode and functions as a capacitor, and magnesium oxide formed on the dielectric layer It is comprised with the protective layer which consists of (MgO).
  • JP 2002-260535 A Japanese Patent Laid-Open No. 11-339665 JP 2006-59779 A JP-A-8-236028 JP-A-10-334809
  • the protective layer is exposed to the reducing organic gas by introducing the gas containing the reducing organic gas into the discharge space.
  • reducing organic gas is discharged from the discharge space.
  • the discharge gas is sealed in the discharge space.
  • the protective layer includes at least a first metal oxide and a second metal oxide.
  • the protective layer has at least one peak in the X-ray diffraction analysis. The peak is between the first peak in the X-ray diffraction analysis of the first metal oxide and the second peak in the X-ray diffraction analysis of the second metal oxide.
  • the first peak and the second peak have the same plane orientation as the plane orientation indicated by the peak.
  • the first metal oxide and the second metal oxide are two kinds selected from the group consisting of magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide and barium oxide.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the front plate according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing flow of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a first temperature profile example.
  • FIG. 5 is a diagram showing a second temperature profile example.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a third temperature profile example.
  • FIG. 7 is a diagram showing a result of X-ray diffraction analysis of the surface of the base film according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram showing a result of X-ray diffraction analysis of another underlayer surface according to the embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of the PDP according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the front plate according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing flow of the PDP
  • FIG. 9 is an enlarged view of the aggregated particles according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a graph showing the relationship between the discharge delay of the PDP and the calcium concentration in the base film.
  • FIG. 11 is a diagram showing the electron emission performance of the PDP and the Vscn lighting voltage.
  • FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the average particle size of the aggregated particles and the electron emission performance.
  • the basic structure of the PDP is a general AC surface discharge type PDP.
  • the PDP 1 has a front plate 2 made of a front glass substrate 3 and a back plate 10 made of a back glass substrate 11 and the like facing each other.
  • the front plate 2 and the back plate 10 are hermetically sealed with a sealing material whose outer peripheral portion is made of glass frit or the like.
  • the discharge space 16 inside the sealed PDP 1 is filled with discharge gas such as neon (Ne) and xenon (Xe) at a pressure of 53 kPa (400 Torr) to 80 kPa (600 Torr).
  • a pair of strip-shaped display electrodes 6 each consisting of a scanning electrode 4 and a sustain electrode 5 and a plurality of black stripes 7 are arranged in parallel to each other.
  • a dielectric layer 8 that functions as a capacitor is formed on the front glass substrate 3 so as to cover the display electrodes 6 and the black stripes 7.
  • a protective layer 9 made of magnesium oxide (MgO) or the like is formed on the surface of the dielectric layer 8. The protective layer 9 will be described later in detail.
  • Scan electrode 4 and sustain electrode 5 are each formed by laminating a bus electrode made of Ag on a transparent electrode made of a conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO). Has been.
  • ITO indium tin oxide
  • SnO 2 tin oxide
  • ZnO zinc oxide
  • a plurality of data electrodes 12 made of a conductive material mainly composed of silver (Ag) are arranged in parallel to each other in a direction orthogonal to the display electrodes 6.
  • the data electrode 12 is covered with a base dielectric layer 13. Further, a partition wall 14 having a predetermined height is formed on the underlying dielectric layer 13 between the data electrodes 12 to divide the discharge space 16.
  • a phosphor layer 15 that emits red light by ultraviolet rays, a phosphor layer 15 that emits green light, and a phosphor layer 15 that emits blue light are sequentially applied and formed for each data electrode 12. Yes.
  • a discharge cell is formed at a position where the display electrode 6 and the data electrode 12 intersect. Discharge cells having red, green, and blue phosphor layers 15 arranged in the direction of the display electrode 6 serve as pixels for color display.
  • the discharge gas sealed in the discharge space 16 contains 10% by volume or more and 30% or less of Xe.
  • the manufacturing method of the PDP 1 includes a front plate manufacturing step A1, a back plate manufacturing step B1, a frit coating step B2, a sealing step C1, a reducing gas introduction step C2, and an exhaust step.
  • Front plate manufacturing process A1 In front plate manufacturing step A1, scan electrodes 4, sustain electrodes 5, and black stripes 7 are formed on front glass substrate 3 by photolithography. Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have metal bus electrodes 4b and 5b containing silver (Ag) for ensuring conductivity. Scan electrode 4 and sustain electrode 5 have transparent electrodes 4a and 5a. The metal bus electrode 4b is laminated on the transparent electrode 4a. The metal bus electrode 5b is laminated on the transparent electrode 5a.
  • ITO indium tin oxide
  • lithography For the material of the transparent electrodes 4a and 5a, indium tin oxide (ITO) or the like is used to ensure transparency and electric conductivity.
  • ITO indium tin oxide
  • an ITO thin film is formed on the front glass substrate 3 by sputtering or the like.
  • transparent electrodes 4a and 5a having a predetermined pattern are formed by lithography.
  • an electrode paste containing silver (Ag), a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as the material of the metal bus electrodes 4b and 5b.
  • an electrode paste is applied to the front glass substrate 3 by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the electrode paste is removed by a drying furnace.
  • the electrode paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • metal bus electrodes 4b and 5b are formed by the above steps.
  • the black stripe 7 is formed of a material containing a black pigment.
  • the dielectric layer 8 is formed.
  • the dielectric layer 8 and the protective layer 9 are formed. Details of the dielectric layer 8 and the protective layer 9 will be described later.
  • the front plate 2 having predetermined constituent members on the front glass substrate 3 is completed.
  • Data electrodes 12 are formed on the rear glass substrate 11 by photolithography.
  • a data electrode paste containing silver (Ag) for ensuring conductivity, a glass frit for binding silver, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material of the data electrode 12.
  • the data electrode paste is applied on the rear glass substrate 11 with a predetermined thickness by a screen printing method or the like.
  • the solvent in the data electrode paste is removed by a drying furnace.
  • the data electrode paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the data electrode paste is developed to form a data electrode pattern.
  • the data electrode pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace.
  • the data electrode 12 is formed by the above process.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, or the like can be used.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a base dielectric paste containing a dielectric glass frit, a resin, a solvent, and the like is used as a material for the base dielectric layer 13.
  • a base dielectric paste is applied by a screen printing method or the like so as to cover the data electrode 12 on the rear glass substrate 11 on which the data electrode 12 is formed with a predetermined thickness.
  • the solvent in the base dielectric paste is removed by a drying furnace.
  • the base dielectric paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the base dielectric paste is removed. Further, the dielectric glass frit is melted. The molten dielectric glass frit is vitrified again after firing.
  • the base dielectric layer 13 is formed.
  • a die coating method, a spin coating method, or the like can be used.
  • a film to be the base dielectric layer 13 can be formed by CVD (Chemical Vapor Deposition) method or the like without using the base dielectric paste.
  • the barrier ribs 14 are formed by photolithography.
  • a partition paste containing a filler, a glass frit for binding the filler, a photosensitive resin, a solvent, and the like is used as a material for the partition wall 14.
  • the barrier rib paste is applied on the underlying dielectric layer 13 with a predetermined thickness by a die coating method or the like.
  • the solvent in the partition wall paste is removed by a drying furnace.
  • the barrier rib paste is exposed through a photomask having a predetermined pattern.
  • the barrier rib paste is developed to form a barrier rib pattern.
  • the partition pattern is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the photosensitive resin in the partition pattern is removed.
  • the partition wall 14 is formed by the above process.
  • a sandblast method or the like can be used.
  • the phosphor layer 15 is formed.
  • a phosphor paste containing phosphor particles, a binder, a solvent, and the like is used as the material of the phosphor layer 15.
  • a phosphor paste is applied on the base dielectric layer 13 between adjacent barrier ribs 14 and on the side surfaces of the barrier ribs 14 by a dispensing method or the like.
  • the solvent in the phosphor paste is removed by a drying furnace.
  • the phosphor paste is fired at a predetermined temperature in a firing furnace. That is, the resin in the phosphor paste is removed.
  • the phosphor layer 15 is formed by the above steps.
  • a screen printing method or the like can be used.
  • the back plate 10 having predetermined constituent members on the back glass substrate 11 is completed.
  • Frit application process B2 A glass frit which is a sealing member is applied outside the image display area of the back plate 10 manufactured by the back plate manufacturing step B1. Thereafter, the glass frit is temporarily fired at a temperature of about 350 ° C. A solvent component etc. are removed by temporary baking.
  • a frit containing bismuth oxide or vanadium oxide as a main component is desirable.
  • the frit mainly composed of bismuth oxide include a Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —RO—MO system (where R is any one of Ba, Sr, Ca, and Mg, and M is Any of Cu, Sb, and Fe)) and a filler made of an oxide such as Al 2 O 3 , SiO 2 , and cordierite can be used.
  • a frit containing vanadium oxide as a main component for example, a filler made of an oxide such as Al 2 O 3 , SiO 2 or cordierite is added to a V 2 O 5 —BaO—TeO—WO glass material. Things can be used.
  • the sealing process C1, the reducing gas introduction process C2, the exhaust process C3, and the discharge gas supply process C4 perform the processing of the temperature profile illustrated in FIGS. 4 to 6 in the same apparatus. .
  • the sealing temperature in FIGS. 4 to 6 is a temperature at which the front plate 2 and the back plate 10 are sealed by a frit that is a sealing member.
  • the sealing temperature in the present embodiment is about 490 ° C., for example.
  • the softening point in FIGS. 4 to 6 is the temperature at which the frit as the sealing member softens.
  • the softening point in the present embodiment is about 430 ° C., for example.
  • the exhaust temperature in FIGS. 4 to 6 is a temperature at which a gas containing a reducing organic gas is exhausted from the discharge space.
  • the exhaust temperature in the present embodiment is about 400 ° C., for example.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature for the period cd.
  • a gas containing a reducing organic gas is introduced into the discharge space during the period cd.
  • the protective layer 9 is exposed to a gas containing a reducing organic gas.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature for a predetermined period. Thereafter, the temperature drops to about room temperature. During the period d-e, the discharge space is exhausted, so that a gas containing a reducing organic gas is exhausted.
  • a discharge gas is introduced into the discharge space. That is, the discharge gas is introduced in a period after e when the temperature drops to about room temperature.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature for the period d1-d2.
  • a gas containing a reducing organic gas is introduced into the discharge space during the period d1-d2.
  • the protective layer 9 is exposed to a gas containing a reducing organic gas during the period d1-d2.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature for a predetermined period. Thereafter, the temperature drops to about room temperature. During the period d2-e, the discharge space is exhausted, so that a gas containing a reducing organic gas is exhausted.
  • a discharge gas is introduced into the discharge space. That is, the discharge gas is introduced in a period after e when the temperature drops to about room temperature.
  • the reducing gas introduction step C2 is performed within the period of the sealing step C1.
  • the temperature is maintained at the sealing temperature for the period b1-b2. Thereafter, during the period b2-c, the temperature falls to the exhaust temperature.
  • a gas containing a reducing organic gas is introduced into the discharge space.
  • the protective layer 9 is exposed to a gas containing a reducing organic gas.
  • the temperature is maintained at the exhaust temperature for a predetermined period. Thereafter, the temperature drops to about room temperature. During the period ce, the gas including the reducing organic gas is discharged by exhausting the discharge space.
  • a discharge gas is introduced into the discharge space. That is, the discharge gas is introduced in a period after e when the temperature drops to about room temperature.
  • the reducing organic gas is preferably a CH-based organic gas having a molecular weight of 58 or less and a large reducing power.
  • a gas containing the reducing organic gas is produced.
  • column C means the number of carbon atoms contained in one molecule of organic gas.
  • the column of H means the number of hydrogen atoms contained in one molecule of the organic gas.
  • “A” is attached to a gas having a vapor pressure of 100 kPa or more at 0 ° C. in the vapor pressure column. Furthermore, “C” is given to the gas whose vapor pressure at 0 ° C. is smaller than 100 kPa.
  • a gas having a boiling point of 0 ° C. or less at 1 atm is marked with “A”. Furthermore, “C” is attached to a gas having a boiling point of greater than 0 ° C. at 1 atmosphere.
  • “A” is given to the gas that is easily decomposed.
  • “B” is attached to a gas that is easily decomposed.
  • “A” is given to the gas having sufficient reducing power.
  • a reducing organic gas that can be supplied in a gas cylinder is desirable. Also, considering the ease of handling in the manufacturing process of PDP, a reducing organic gas having a vapor pressure at 0 ° C. of 100 kPa or higher, a reducing organic gas having a boiling point of 0 ° C. or lower, or a reducing organic gas having a low molecular weight is desirable.
  • part of the gas containing the reducing organic gas may remain in the discharge space even after the exhaust process C3. Therefore, it is desirable that the reducing organic gas has a characteristic that it is easily decomposed.
  • Reducing organic gas is a carbon that does not contain oxygen selected from acetylene, ethylene, methylacetylene, propadiene, propylene and cyclopropane, taking into consideration the ease of handling in the manufacturing process and the property of being easily decomposed. Hydrogen gas is desirable. At least one selected from these reducing organic gases may be mixed with a rare gas or nitrogen gas.
  • the lower limit of the mixing ratio of the rare gas or nitrogen gas and the reducing organic gas is determined according to the combustion ratio of the reducing organic gas used.
  • the upper limit is about several volume%. If the mixing ratio of the reducing organic gas is too high, the organic component is likely to be polymerized to become a polymer. In this case, the polymer remains in the discharge space and affects the characteristics of the PDP. Therefore, it is preferable to appropriately adjust the mixing ratio according to the component of the reducing organic gas to be used.
  • MgO, CaO, SrO, BaO, and the like are highly reactive with impurity gases such as water, carbon dioxide, and hydrocarbons.
  • impurity gases such as water, carbon dioxide, and hydrocarbons.
  • the discharge characteristics are likely to deteriorate, and the discharge characteristics of each discharge cell are likely to vary.
  • the sealing step C1 it is preferable to flow an inert gas so that the inside of the discharge space 16 is in a positive pressure state through a through hole opened in the discharge space 16, and then perform sealing. This is because the reaction between the base film 91 and the impurity gas can be suppressed. Nitrogen, helium, neon, argon, xenon, etc. can be used as the inert gas.
  • dry air dry gas
  • dry gas may be flowed instead of the inert gas. This is because at least the reaction with water can be suppressed and the production cost can be reduced compared with the inert gas.
  • nitrogen gas may be flowed at a flow rate of about 2 L / min during the period until the temperature reaches the softening point x.
  • the discharge space 16 is maintained at a positive pressure by nitrogen gas.
  • the temperature is maintained at the sealing temperature for the period ab.
  • the discharge space 16 is filled with nitrogen gas.
  • the temperature falls from the sealing temperature to the exhaust temperature during the period bc.
  • the nitrogen gas that has filled the discharge space 16 is exhausted. That is, the discharge space is in a reduced pressure state.
  • the description for the subsequent period is the same as the above description.
  • the dielectric layer 8 includes a first dielectric layer 81 that covers the display electrode 6 and the black stripe 7, and a second dielectric layer 82 that covers the first dielectric layer 81. Of at least two layers.
  • the dielectric material of the first dielectric layer 81 includes 20 wt% to 40 wt% of dibismuth trioxide (Bi 2 O 3 ). Further, the dielectric material of the first dielectric layer 81 includes 0.5 wt% to 12 wt% of at least one selected from the group consisting of calcium oxide (CaO), strontium oxide (SrO), and barium oxide (BaO). .
  • the dielectric material of the first dielectric layer 81 is molybdenum trioxide (MoO 3 ), tungsten trioxide (WO 3 ), cerium dioxide (CeO 2 ), manganese dioxide (MnO 2 ), copper oxide (CuO), At least one selected from the group consisting of dichromium trioxide (Cr 2 O 3 ), dicobalt trioxide (Co 2 O 3 ), heptavanadium dioxide (V 2 O 7 ), and antimony trioxide (Sb 2 O 3 ). In an amount of 0.1 to 7% by weight.
  • zinc oxide (ZnO) is contained in an amount of 0 to 40% by weight, diboron trioxide (B 2 O 3 ) in an amount of 0 to 35% by weight, and silicon dioxide (SiO 2 ) in an amount of 0%.
  • a material composition that does not include a lead component may be included, such as 0 to 15% by weight and dialuminum trioxide (Al 2 O 3 ) of 0 to 10% by weight.
  • the dielectric material composed of these composition components is pulverized by a wet jet mill or a ball mill so as to have an average particle diameter of 0.5 ⁇ m to 2.5 ⁇ m.
  • the pulverized dielectric material is a dielectric material powder.
  • the dielectric material powder 55 wt% to 70 wt% and the binder component 30 wt% to 45 wt% are well kneaded with a three roll or the like, so that the first dielectric for die coating or printing is used.
  • the layer paste is completed.
  • the binder component is ethyl cellulose, terpineol containing 1% to 20% by weight of acrylic resin, or butyl carbitol acetate.
  • dioctyl phthalate, dibutyl phthalate, triphenyl phosphate, and tributyl phosphate may be added to the paste as a plasticizer as needed.
  • glycerol monooleate, sorbitan sesquioleate, homogenol (product name of Kao Corporation), alkyl allyl phosphate, or the like may be added as a dispersant. The printability is improved by the addition of the dispersant.
  • the first dielectric layer paste is printed on the front glass substrate 3 by a die coating method or a screen printing method so as to cover the display electrodes 6.
  • the printed first dielectric layer paste is baked through a drying process.
  • the firing temperature is 575 ° C. to 590 ° C., which is slightly higher than the softening point of the dielectric material.
  • the dielectric material of the second dielectric layer 82 includes Bi 2 O 3 in an amount of 11 wt% to 20 wt%. Further, the dielectric material of the second dielectric layer 82 contains 1.6 wt% to 21 wt% of at least one selected from the group of CaO, SrO and BaO. Furthermore, the dielectric material of the second dielectric layer 82 is MoO 3 , WO 3 , cerium oxide (CeO 2 ), CuO, Cr 2 O 3 , Co 2 O 3 , V 2 O 7 , Sb 2 O 3 and MnO. 2 to 0.1% by weight of at least one selected from 2 is contained.
  • ZnO is 0 wt% to 40 wt%
  • B 2 O 3 is 0 wt% to 35 wt%
  • SiO 2 is 0 wt% to 15 wt%
  • Al 2 O 3 is 0 wt%.
  • a material composition that does not contain a lead component, such as ⁇ 10 wt%, may be included. Furthermore, there are no particular limitations on the content of these material compositions.
  • the dielectric material composed of these composition components is pulverized by a wet jet mill or a ball mill so as to have an average particle diameter of 0.5 ⁇ m to 2.5 ⁇ m.
  • the pulverized dielectric material is a dielectric material powder.
  • the dielectric material powder 55 wt% to 70 wt% and the binder component 30 wt% to 45 wt% are well kneaded with a three roll or the like, so that the second dielectric for die coating or printing is used.
  • the layer paste is completed.
  • the binder component of the second dielectric layer paste is the same as the binder component of the first dielectric layer paste.
  • the second dielectric layer paste is printed on the first dielectric layer 81 by a die coating method or a screen printing method.
  • the printed second dielectric layer paste is fired through a drying process.
  • the firing temperature is 550 ° C. to 590 ° C., which is a little higher than the softening point of the dielectric material.
  • the film thickness of the dielectric layer 8 is preferably 41 ⁇ m or less in total for the first dielectric layer 81 and the second dielectric layer 82 in order to ensure visible light transmittance.
  • the content of Bi 2 O 3 in the first dielectric layer 81 is more than the content of Bi 2 O 3 in the second dielectric layer 82 in order to suppress reaction with Ag contained in the metal bus electrodes 4b and 5b. There are also many. Therefore, the visible light transmittance of the first dielectric layer 81 is lower than the visible light transmittance of the second dielectric layer 82. Accordingly, the film thickness of the first dielectric layer 81 is preferably smaller than the film thickness of the second dielectric layer 82.
  • Bi 2 O 3 is 11% by weight or less, coloring is less likely to occur. However, bubbles are likely to be generated in the second dielectric layer 82. On the other hand, when Bi 2 O 3 exceeds 40% by weight, coloring tends to occur, and the transmittance is lowered. Therefore, Bi 2 O 3 is preferably more than 11% by weight and 40% by weight or less.
  • the film thickness of the dielectric layer 8 is 41 ⁇ m or less. Further, the film thickness of the first dielectric layer 81 is 5 ⁇ m to 15 ⁇ m, and the film thickness of the second dielectric layer 82 is 20 ⁇ m to 36 ⁇ m.
  • the PDP 1 in the present embodiment has little coloring phenomenon (yellowing) of the front glass substrate 3 even when Ag is used for the display electrode 6.
  • the dielectric layer 8 with less generation of bubbles in the dielectric layer 8 and excellent in withstand voltage performance could be realized.
  • the dielectric material containing Bi 2 O 3 contains MoO 3 , WO 3 , CeO 2 , CuO, Cr 2 O 3 , Co 2 O 3 , V 2 O 7 , Sb 2.
  • the content of at least one selected from O 3 and MnO 2 is preferably 0.1% by weight or more. Furthermore, 0.1 to 7 weight% is more preferable. In particular, when it is less than 0.1% by weight, the effect of suppressing yellowing is small. If it exceeds 7% by weight, the glass is colored, which is not preferable.
  • the dielectric layer 8 in the present embodiment suppresses the yellowing phenomenon and the generation of bubbles in the first dielectric layer 81 in contact with the metal bus electrodes 4b and 5b containing Ag. Further, a high light transmittance is realized by the second dielectric layer 82 provided on the first dielectric layer 81. As a result, it is possible to realize the PDP 1 having a very low bubble and yellowing as the entire dielectric layer 8 and having a high transmittance.
  • the protective layer 9 is required to have a function of holding electric charge for generating discharge and a function of emitting secondary electrons during sustain discharge.
  • the applied voltage is reduced by improving the charge retention performance. As the number of secondary electron emission increases, the sustain discharge voltage is reduced.
  • the protective layer 9 includes a base film 91 and aggregated particles 92.
  • the base film 91 includes at least a first metal oxide and a second metal oxide.
  • the first metal oxide and the second metal oxide are two kinds selected from the group consisting of MgO, CaO, SrO and BaO.
  • the base film 91 has at least one peak in the X-ray diffraction analysis. This peak is between the first peak in the X-ray diffraction analysis of the first metal oxide and the second peak in the X-ray diffraction analysis of the second metal oxide.
  • the first peak and the second peak have the same plane orientation as the plane orientation indicated by the peak of the base film 91.
  • the horizontal axis represents the Bragg diffraction angle (2 ⁇ ).
  • the vertical axis represents the intensity of the X-ray diffraction wave.
  • the unit of the diffraction angle is expressed in degrees where one round is 360 degrees.
  • the intensity of the diffracted light is indicated in arbitrary units.
  • the crystal plane orientation is shown in parentheses.
  • the (111) plane orientation of CaO alone is indicated by a peak with a diffraction angle of 32.2 degrees.
  • the (111) plane orientation of MgO alone is indicated by a peak with a diffraction angle of 36.9 degrees.
  • the (111) plane orientation of SrO alone is indicated by a peak with a diffraction angle of 30.0 degrees.
  • the (111) plane orientation of BaO alone is indicated by a peak with a diffraction angle of 27.9 degrees.
  • the base film 91 according to the present embodiment includes at least two or more metal oxides selected from the group consisting of MgO, CaO, SrO, and BaO.
  • the point A is a peak in the (111) plane orientation of the base film 91 formed of two of MgO and CaO.
  • Point B is a peak in the (111) plane orientation of the base film 91 formed of two of MgO and SrO.
  • the point C is a peak in the (111) plane orientation of the base film 91 formed of two of MgO and BaO.
  • the diffraction angle at point A is 36.1 degrees.
  • the point A exists between the peak of the (111) plane orientation in the MgO body that is the first metal oxide and the peak of the (111) plane orientation in the CaO simple substance that is the second metal oxide.
  • Point B exists between the peak of the (111) plane orientation in the MgO simple substance that is the first metal oxide and the peak of the (111) plane orientation in the SrO simple substance that is the second metal oxide.
  • ⁇ ⁇ Diffraction at point C is 35.4 degrees.
  • the point C exists between the peak of the (111) plane orientation in the MgO simple substance that is the first metal oxide and the peak of the (111) plane orientation in the BaO simple substance that is the second metal oxide.
  • the point D is a peak in the (111) plane orientation of the base film 91 formed of three of MgO, CaO, and SrO.
  • Point E is a peak in the (111) plane orientation of the base film 91 formed of three of MgO, CaO, and BaO.
  • Point F is a peak in the (111) plane orientation of the base film 91 formed of three of BaO, CaO, and SrO.
  • the diffraction angle at point D is 33.4 degrees.
  • the point D exists between the peak of the (111) plane orientation in the MgO simple substance that is the first metal oxide and the peak of the (111) plane orientation in the CaO simple substance that is the second metal oxide.
  • the diffraction angle at point E is 32.8 degrees.
  • the point E exists between the peak of the (111) plane orientation in the MgO simple substance that is the first metal oxide and the peak of the (111) plane orientation in the SrO simple substance that is the second metal oxide.
  • the diffraction at the F point is 30.2 degrees.
  • the F point exists between the peak of the (111) plane orientation in the MgO simple substance that is the first metal oxide and the peak of the (111) plane orientation in the BaO simple substance that is the second metal oxide.
  • the plane orientation (111) is exemplified. However, the same applies to other plane orientations.
  • the depth from the vacuum level of CaO, SrO and BaO exists in a shallow region as compared with MgO. Therefore, when driving a PDP, when electrons existing in the energy levels of CaO, SrO, and BaO transition to the ground state of Xe ions, the number of electrons emitted by the Auger effect is less than the energy level of MgO. It is thought that it will increase compared to the case of transition.
  • the peak of the base film 91 in the X-ray diffraction analysis is between the peak of the first metal oxide and the peak of the second metal oxide. That is, it is considered that the energy level of the base film 91 exists between single metal oxides, and the number of electrons emitted by the Auger effect is larger than that in the case of transition from the energy level of MgO.
  • the base film 91 according to the present embodiment can exhibit better secondary electron emission characteristics as compared with MgO alone.
  • the sustain voltage can be reduced.
  • the discharge voltage can be reduced when the Xe partial pressure as the discharge gas is increased in order to increase the luminance. That is, a low-voltage and high-luminance PDP 1 can be realized.
  • Aggregated particles 92 are formed by aggregating a plurality of MgO crystal particles 92a, which are metal oxides. The agglomerated particles 92 are preferably distributed uniformly over the entire surface of the base film 91. This is because the variation of the discharge voltage in the PDP 1 is reduced.
  • the MgO crystal particles 92a can be manufactured by either a gas phase synthesis method or a precursor firing method.
  • a gas phase synthesis method first, a metal magnesium material having a purity of 99.9% or more is heated in an atmosphere filled with an inert gas. Furthermore, metallic magnesium is directly oxidized by introducing a small amount of oxygen into the atmosphere. In this manner, MgO crystal particles 92a are produced.
  • the MgO precursor is uniformly fired at a high temperature of 700 ° C. or higher.
  • MgO crystal particles 92a are produced.
  • the precursor include magnesium alkoxide (Mg (OR) 2 ), magnesium acetylacetone (Mg (acac) 2 ), magnesium hydroxide (Mg (OH) 2 ), magnesium carbonate (MgCO 2 ), and magnesium chloride (MgCl 2 ). ), Magnesium sulfate (MgSO 4 ), magnesium nitrate (Mg (NO 3 ) 2 ), or magnesium oxalate (MgC 2 O 4 ). Depending on the selected compound, it may usually take the form of a hydrate.
  • Hydrate can also be used as a precursor.
  • the compound as the precursor is adjusted so that the purity of magnesium oxide (MgO) obtained after firing is 99.95% or higher, desirably 99.98% or higher. If a certain amount of impurity elements such as various alkali metals, B, Si, Fe, and Al are mixed in the precursor compound, unnecessary interparticle adhesion and sintering occur during heat treatment. As a result, it becomes difficult to obtain highly crystalline MgO crystal particles. Therefore, it is preferable to prepare the precursor in advance, such as removing the impurity element from the compound.
  • a dispersion is prepared by dispersing the MgO crystal particles 92a obtained by any of the above methods in a solvent. Next, the dispersion is applied to the surface of the base film 91 by spraying, screen printing, electrostatic coating, or the like. Thereafter, the solvent is removed through a drying / firing process. Through the above steps, the MgO crystal particles 92 a are fixed on the surface of the base film 91.
  • the aggregated particles 92 are those in which crystal particles 92a having a predetermined primary particle size are aggregated or necked. In other words, it is not bonded as a solid with a large bonding force, but a plurality of primary particles form an aggregate body due to static electricity, van der Waals force, etc., and due to external stimuli such as ultrasound , Part or all of them are bonded to such a degree that they become primary particles.
  • the aggregated particles 92 have a particle size of about 1 ⁇ m, and the crystal particles 92a preferably have a polyhedral shape having seven or more faces such as a tetrahedron and a dodecahedron. .
  • the particle size of the primary particles of the crystal particles 92a can be controlled by the generation conditions of the crystal particles 92a.
  • the particle size can be controlled by controlling the firing temperature or firing atmosphere.
  • the firing temperature can be selected in the range of 700 ° C to 1500 ° C.
  • the particle size can be controlled to about 0.3 to 2 ⁇ m.
  • the aggregated particles 92 in which a plurality of MgO crystal particles are agglomerated mainly confirms the effect of suppressing the “discharge delay” in the write discharge and the effect of improving the temperature dependency of the “discharge delay”.
  • the agglomerated particles 92 are excellent in the initial electron emission characteristics as compared with the base film 91. Therefore, in the present embodiment, the agglomerated particles 92 are arranged as an initial electron supply unit required at the time of discharge pulse rising.
  • the “discharge delay” is considered to be mainly caused by a shortage of the amount of initial electrons that are triggered from the surface of the base film 91 being discharged into the discharge space 16 at the start of discharge. Therefore, in order to contribute to the stable supply of initial electrons to the discharge space 16, the agglomerated particles 92 are dispersedly arranged on the surface of the base film 91. As a result, abundant electrons are present in the discharge space 16 at the rise of the discharge pulse, and the discharge delay can be eliminated. Therefore, such initial electron emission characteristics enable high-speed driving with good discharge response even when the PDP 1 has a high definition.
  • the metal oxide aggregated particles 92 are disposed on the surface of the base film 91, in addition to the effect of mainly suppressing the “discharge delay” in the write discharge, the effect of improving the temperature dependency of the “discharge delay” is also achieved. can get.
  • Prototype evaluation [5-1. Prototype evaluation 1] A plurality of PDPs having different base film configurations were produced. A 60 kPa Xe and Ne mixed gas (Xe 15%) was sealed in the PDP. Sample A is composed of MgO and CaO. Sample B is composed of MgO and SrO. Sample C is composed of MgO and BaO. Sample D is composed of MgO, CaO and SrO. Sample E is composed of MgO, CaO, and BaO. The comparative example is composed of MgO alone.
  • samples A to E The maintenance voltage was measured for samples A to E.
  • sample A was 90
  • sample B was 87
  • sample C was 85
  • sample D was 81
  • sample E was 82.
  • Samples A to E are PDPs manufactured by a normal manufacturing method. That is, samples A to E are PDPs manufactured by a manufacturing method that does not have a reducing organic gas introduction step.
  • the luminance increases by about 30%, but in the comparative example, the sustain voltage increases by about 10%.
  • the PDP 1 having the base film 91 having the same configuration as the samples A to E was manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment.
  • the first temperature profile was used from the sealing step C1 to the discharge gas supply step C4.
  • the sustain voltage of the PDP 1 according to the present embodiment was about 5% lower than those of the samples A to E.
  • nitrogen gas is allowed to flow as an inert gas so that the inside of the discharge space 16 is in a positive pressure state through the through-hole opened in the discharge space 16, and then When sealing, it was about 5 to 7% lower than samples A to E.
  • [5-2. Prototype evaluation 2] A PDP having a protective layer having a different configuration was manufactured. As shown in FIG. 10, the conditions are the case of only the base film 91 and the case where the aggregated particles 92 are arranged on the base film 91.
  • the base film 91 was made of MgO and CaO. That is, it corresponds to the sample A described above.
  • the discharge delay increases as the Ca concentration increases.
  • the agglomerated particles 92 are disposed on the base film 91, the discharge delay can be significantly reduced. That is, even if the Ca concentration increases, the discharge delay hardly increases. Note that the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-48733 was used to measure the discharge delay. The measuring method will be described later.
  • Prototype 1 is a PDP having only a protective layer made of MgO.
  • Prototype 2 is a PDP having a protective layer made only of MgO doped with impurities such as Al and Si.
  • Prototype 3 is a PDP in which only primary particles of crystal particles 92a made of MgO are dispersed on an MgO base film.
  • the sample A described above was applied as the protective layer 9. That is, the protective layer 9 includes a base film 91 made of MgO and CaO, and aggregated particles 92 that are substantially uniformly distributed over the entire surface of the base film 91. Note that, in the X-ray diffraction analysis, the base film 91 has a diffraction angle indicating a peak of the (111) plane of 36.1 degrees.
  • prototypes 1 to 4 were manufactured by the above-described manufacturing method.
  • the first temperature profile was used for introducing and exhausting the reducing organic gas. Further, therefore, the difference between the prototypes 1 to 4 is only the structure of the protective layer 9.
  • Electron emission performance and charge retention performance were measured for prototypes 1 to 4.
  • the electron emission performance is a numerical value indicating that the larger the electron emission performance, the larger the amount of electron emission.
  • the electron emission performance is expressed as the initial electron emission amount determined by the surface state of the discharge, the gas type and the state.
  • the initial electron emission amount can be measured by a method of measuring the amount of electron current emitted from the surface by irradiating the surface with ions or an electron beam.
  • a numerical value called a statistical delay time which is a measure of the likelihood of occurrence of discharge, was measured.
  • a numerical value linearly corresponding to the initial electron emission amount is obtained.
  • the delay time at the time of discharge is the time from the rise of the address discharge pulse until the address discharge is delayed. It is considered that the discharge delay is mainly caused by the fact that initial electrons that become a trigger when the address discharge is generated are not easily released from the surface of the protective layer into the discharge space.
  • a voltage value (hereinafter referred to as a Vscn lighting voltage) applied to the scan electrode necessary for suppressing the charge emission phenomenon of the PDP was used. That is, a low Vscn lighting voltage indicates a high charge retention capability. When the Vscn lighting voltage is low, the PDP can be driven at a low voltage. Therefore, components having a small withstand voltage and capacity can be used as the power source and each electrical component. In a current product, an element having a withstand voltage of about 150 V is used as a semiconductor switching element such as a MOSFET for sequentially applying a scanning voltage to a panel.
  • the Vscn lighting voltage is preferably suppressed to 120 V or less in consideration of variation due to temperature.
  • the electron emission capability and the charge retention capability of the protective layer are contradictory. It is possible to improve the electron emission performance by changing the film formation conditions of the protective layer, or by forming a film by doping the protective layer with impurities such as Al, Si, and Ba. However, as a side effect, the Vscn lighting voltage also increases.
  • the electron emission capability of the protective layer of prototype 3 and prototype 4 is more than eight times that of prototype 1.
  • the Vscn lighting voltage is 120 V or less. Therefore, the PDPs of the prototype 3 and the prototype 4 are more useful for a PDP in which the number of scanning lines is increased due to high definition and the cell size is small. That is, the PDPs of the prototype 3 and the prototype 4 can realize a good image display at a lower voltage by satisfying both the electron emission capability and the charge retention capability.
  • the top of the partition 14 may be damaged.
  • the agglomerated particles 92 are present at the portion corresponding to the top of the partition wall. That is, if the number of aggregated particles 92 to be dispersed and arranged increases, the probability of breakage of the partition walls 14 increases. From this point of view, when the average particle size is increased to about 2.5 ⁇ m, the probability of partition wall breakage increases rapidly. On the other hand, if the average particle size is smaller than 2.5 ⁇ m, the probability of partition wall breakage can be kept relatively small.
  • the PDP 1 having the protective layer 9 according to the present embodiment it is possible to obtain an electron emission ability having characteristics of 8 or more and a charge holding ability of Vscn lighting voltage of 120 V or less.
  • the method for manufacturing PDP 1 disclosed in the present embodiment includes the following steps.
  • the protective layer 9 is exposed to the reducing organic gas by introducing a gas containing the reducing organic gas into the discharge space.
  • reducing organic gas is discharged from the discharge space.
  • the discharge gas is sealed in the discharge space.
  • Oxygen deficiency occurs in the protective layer 9 exposed to the reducing organic gas. Oxygen deficiency is considered to improve the secondary electron emission ability of the protective layer. Therefore, the PDP 1 manufactured by the manufacturing method according to the present embodiment can reduce the sustain voltage.
  • the reducing organic gas is preferably a hydrocarbon-based gas that does not contain oxygen. This is because the reduction ability is enhanced by not containing oxygen.
  • the reducing organic gas is preferably at least one selected from acetylene, ethylene, methylacetylene, propadiene, propylene, cyclopropane, propane and butane. This is because the reducing organic gas is easy to handle in the manufacturing process. Furthermore, it is because said reducing organic gas is easy to decompose
  • a manufacturing method in which a gas containing a reducing organic gas is introduced into the discharge space after exhausting the discharge space is exemplified.
  • the gas containing the reducing organic gas can be introduced into the discharge space by continuously supplying the gas containing the reducing organic gas to the discharge space without exhausting the discharge space.
  • the protective layer 9 includes the metal oxide crystal particles 92 a or the aggregated particles 92 in which a plurality of metal oxide crystal particles 92 a are aggregated on the base film 91, the protective layer 9 has a high charge retention capability and a high electron emission capability. Therefore, as a whole PDP 1, high-speed driving can be realized with a low voltage even with a high-definition PDP. In addition, high-quality image display performance with reduced lighting failure can be realized.
  • MgO is exemplified as the metal oxide crystal particles.
  • the metal oxide crystal particles are not limited to MgO.
  • the technology disclosed in the present embodiment is useful for realizing a PDP having high-definition and high-luminance display performance and low power consumption.

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Abstract

放電空間と、放電空間に面した保護層を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法である。還元性有機ガスを含むガスを前記放電空間に導入することにより、保護層を還元性有機ガスに曝す。次に、還元性有機ガスを放電空間から排出する。次に、放電ガスを放電空間に封入する。保護層は、少なくとも第１の金属酸化物と第２の金属酸化物とを含む。さらに、保護層は、Ｘ線回折分析において少なくとも一つのピークを有する。そのピークは、第１の金属酸化物のＸ線回折分析における第１のピークと、第２の金属酸化物のＸ線回折分析における第２のピークと、の間にある。第１のピークおよび第２のピークは、そのピークが示す面方位と同じ面方位を示す。

Description

プラズマディスプレイパネルの製造方法
　ここに開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
　プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）は、前面板と背面板とで構成される。前面板は、ガラス基板と、ガラス基板の一方の主面上に形成された表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層とで構成されている。
　保護層からの初期電子放出数を増加させるために、たとえば保護層のＭｇＯに珪素（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）を添加するなどの試みが行われている（例えば、特許文献１、２、３、４、５など参照）。
特開２００２－２６０５３５号公報 特開平１１－３３９６６５号公報 特開２００６－５９７７９号公報 特開平８－２３６０２８号公報 特開平１０－３３４８０９号公報
　放電空間と、放電空間に面した保護層を有するＰＤＰの製造方法である。還元性有機ガスを含むガスを前記放電空間に導入することにより、保護層を還元性有機ガスに曝す。次に、還元性有機ガスを放電空間から排出する。次に、放電ガスを放電空間に封入する。保護層は、少なくとも第１の金属酸化物と第２の金属酸化物とを含む。さらに、保護層は、Ｘ線回折分析において少なくとも一つのピークを有する。そのピークは、第１の金属酸化物のＸ線回折分析における第１のピークと、第２の金属酸化物のＸ線回折分析における第２のピークと、の間にある。第１のピークおよび第２のピークは、そのピークが示す面方位と同じ面方位を示す。第１の金属酸化物および第２の金属酸化物は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムからなる群の中から選ばれる２種である。
図１は実施の形態にかかるＰＤＰの構造を示す斜視図である。 図２は実施の形態にかかる前面板の構成を示す断面図である。 図３は実施の形態にかかるＰＤＰの製造フローを示す図である。 図４は第１の温度プロファイル例を示す図である。 図５は第２の温度プロファイル例を示す図である。 図６は第３の温度プロファイル例を示す図である。 図７は実施の形態にかかる下地膜表面のＸ線回折分析結果を示す図である。 図８は実施の形態にかかる他の下地膜表面のＸ線回折分析結果を示す図である。 図９は実施の形態にかかる凝集粒子の拡大図である。 図１０はＰＤＰの放電遅れと下地膜中のカルシウム濃度との関係を示す図である。 図１１はＰＤＰの電子放出性能とＶｓｃｎ点灯電圧を示す図である。 図１２は凝集粒子の平均粒径と電子放出性能の関係を示す図である。
　［１．ＰＤＰ１の構造］
　ＰＤＰの基本構造は、一般的な交流面放電型ＰＤＰである。図１および図２に示すように、ＰＤＰ１は前面ガラス基板３などよりなる前面板２と、背面ガラス基板１１などよりなる背面板１０とが対向して配置されている。前面板２と背面板１０とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１６には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが５３ｋＰａ（４００Ｔｏｒｒ）～８０ｋＰａ（６００Ｔｏｒｒ）の圧力で封入されている。
　前面ガラス基板３上には、走査電極４および維持電極５よりなる一対の帯状の表示電極６とブラックストライプ７が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板３上には表示電極６とブラックストライプ７とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層８が形成される。さらに誘電体層８の表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる保護層９が形成されている。なお、保護層９については、後に詳細に述べられる。
　走査電極４および維持電極５は、それぞれインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性金属酸化物からなる透明電極上にＡｇからなるバス電極が積層されている。
　背面ガラス基板１１上には、表示電極６と直交する方向に、銀（Ａｇ）を主成分とする導電性材料からなる複数のデータ電極１２が、互いに平行に配置されている。データ電極１２は、下地誘電体層１３に被覆されている。さらに、データ電極１２間の下地誘電体層１３上には放電空間１６を区切る所定の高さの隔壁１４が形成されている。隔壁１４間の溝には、データ電極１２毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層１５、緑色に発光する蛍光体層１５および青色に発光する蛍光体層１５が順次塗布して形成されている。表示電極６とデータ電極１２とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極６方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層１５を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
　なお、本実施の形態において、放電空間１６に封入する放電ガスは、１０体積％以上３０％体積以下のＸｅを含む。
　［２．ＰＤＰ１の製造方法］
　図３に示すように、本実施の形態にかかるＰＤＰ１の製造方法は、前面板作製工程Ａ１、背面板作製工程Ｂ１、フリット塗布工程Ｂ２、封着工程Ｃ１、還元性ガス導入工程Ｃ２、排気工程Ｃ３および放電ガス供給工程Ｃ４を有する。
　［２－１．前面板作製工程Ａ１］
　前面板作製工程Ａ１においては、フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板３上に、走査電極４および維持電極５とブラックストライプ７とが形成される。走査電極４および維持電極５は、導電性を確保するための銀（Ａｇ）を含む金属バス電極４ｂ、５ｂを有する。また、走査電極４および維持電極５は、透明電極４ａ、５ａを有する。金属バス電極４ｂは、透明電極４ａに積層される。金属バス電極５ｂは、透明電極５ａに積層される。
　透明電極４ａ、５ａの材料には、透明度と電気伝導度を確保するためインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などが用いられる。まず、スパッタ法などによって、ＩＴＯ薄膜が前面ガラス基板３に形成される。次にリソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極４ａ、５ａが形成される。
　金属バス電極４ｂ、５ｂの材料には、銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板３に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。
　次に、電極ペーストが現像され、金属バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、金属バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、金属バス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、金属バス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、金属バス電極４ｂ、５ｂが形成される。
　ブラックストライプ７は、黒色顔料を含む材料により、形成される。次に、誘電体層８が形成される。次に、誘電体層８および保護層９が形成される。誘電体層８および保護層９の詳細は、後述される。
　以上の工程により前面ガラス基板３上に所定の構成部材を有する前面板２が完成する。
　［２－２．背面板作製工程Ｂ１］
　フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板１１上に、データ電極１２が形成される。データ電極１２の材料には、導電性を確保するための銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むデータ電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、データ電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板１１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、データ電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、データ電極ペーストが露光される。次に、データ電極ペーストが現像され、データ電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、データ電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、データ電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、データ電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、データ電極１２が形成される。ここで、データ電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
　次に、下地誘電体層１３が形成される。下地誘電体層１３の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでデータ電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にデータ電極１２を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層１３が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、下地誘電体層１３となる膜を形成することもできる。
　次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁１４が形成される。隔壁１４の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層１３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、隔壁１４が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。
　次に、蛍光体層１５が形成される。蛍光体層１５の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁１４間の下地誘電体層１３上および隔壁１４の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層１５が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。
　以上の工程により、背面ガラス基板１１上に所定の構成部材を有する背面板１０が完成する。
　［２－３．フリット塗布工程Ｂ２］
　背面板作製工程Ｂ１により作製された背面板１０の画像表示領域外に封着部材であるガラスフリットが塗布される。その後、ガラスフリットは、３５０℃程度の温度で仮焼成される。仮焼成によって、溶剤成分などが除去される。
　封着部材としては、酸化ビスマスや酸化バナジウムを主成分としたフリットが望ましい。この酸化ビスマスを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｂｉ2Ｏ3－Ｂ2Ｏ3－ＲＯ－ＭＯ系（ここでＲは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのいずれかであり、Ｍは、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｆｅのいずれかである。）のガラス材料に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。また、酸化バナジウムを主成分とするフリットとしては、例えば、Ｖ2Ｏ5－ＢａＯ－ＴｅＯ－ＷＯ系のガラス材料に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。
　［２－４．封着工程Ｃ１から放電ガス供給工程Ｃ４まで］
　前面板２とフリット塗布工程Ｂ１を経た背面板１０とが対向配置されて周辺部が封着部材により封着される。その後、放電空間１６に放電ガスが封入される。
　本実施の形態にかかる封着工程Ｃ１、還元性ガス導入工程Ｃ２、排気工程Ｃ３、および放電ガス供給工程Ｃ４は、同一の装置において、図４から図６に例示された温度プロファイルの処理を行う。
　図４から図６における封着温度とは、前面板２と背面板１０とが封着部材であるフリットにより封着されるときの温度である。本実施の形態における封着温度は、例えば約４９０℃である。また、図４から図６における軟化点とは、封着部材であるフリットが軟化する温度である。本実施の形態における軟化点は、例えば約４３０℃である。さらに、図４から図６における排気温度とは、還元性有機ガスを含むガスが放電空間から排気されるときの温度である。本実施の形態における排気温度は、例えば約４００℃である。
　［２－４－１．第１の温度プロファイル］
　図４に示すように、まず、封着工程Ｃ１において、温度は、室温から封着温度まで上昇する。次に、温度は、ａ－ｂの期間、封着温度に維持される。その後、温度は、ｂ－ｃの期間に封着温度から排気温度に下降する。ｂ－ｃの期間において、放電空間内が排気される。つまり、放電空間内は減圧状態になる。
　次に、還元性ガス導入工程Ｃ２において、温度は、ｃ－ｄの期間、排気温度に維持される。ｃ－ｄの期間に放電空間内に還元性有機ガスを含むガスが導入される。ｃ－ｄの期間に保護層９は、還元性有機ガスを含むガスに曝される。
　その後、排気工程Ｃ３において、温度は所定の期間、排気温度に維持される。その後、温度は、室温程度まで下降する。ｄ－ｅの期間において、放電空間内が排気されることにより、還元性有機ガスを含むガスが排出される。
　次に、放電ガス供給工程Ｃ４において、放電空間内に放電ガスが導入される。つまり、温度が室温程度に下がったｅ以降の期間に放電ガスが導入される。
　［２－４－２．第２の温度プロファイル］
　図５に示すように、まず、封着工程Ｃ１において、温度は、室温から封着温度まで上昇する。次に、温度は、ａ－ｂの期間、封着温度に維持される。その後、温度はｂ－ｃの期間に封着温度から排気温度に下降する。温度が排気温度に維持されているｃ－ｄ１の期間において、放電空間内が排気される。つまり、放電空間内は減圧状態になる。
　次に、還元性ガス導入工程Ｃ２において、温度は、ｄ１－ｄ２の期間、排気温度に維持される。ｄ１－ｄ２の期間に放電空間内に還元性有機ガスを含むガスが導入される。ｄ１－ｄ２の期間に保護層９は、還元性有機ガスを含むガスに曝される。
　その後、排気工程Ｃ３において、所定の期間、温度は排気温度に維持される。その後、温度は、室温程度まで下降する。ｄ２－ｅの期間において、放電空間内が排気されることにより、還元性有機ガスを含むガスが排出される。
　次に、放電ガス供給工程Ｃ４において、放電空間内に放電ガスが導入される。つまり、温度が室温程度に下がったｅ以降の期間に放電ガスが導入される。
　［２－４－３．第３の温度プロファイル］
　図６に示すように、まず、封着工程Ｃ１において、温度は、室温から封着温度まで上昇する。次に、温度は、ａ－ｂ１－ｂ２の期間、封着温度に維持される。ａ－ｂ１の期間に放電空間内が排気される。つまり、放電空間内は減圧状態になる。その後、温度はｂ２－ｃの期間に封着温度から排気温度に下降する。
　還元性ガス導入工程Ｃ２は、封着工程Ｃ１の期間内に行われる。温度は、ｂ１－ｂ２の期間、封着温度に維持される。その後、ｂ２－ｃの期間に温度は、排気温度まで下降する。ｂ１－ｃの期間に放電空間内に還元性有機ガスを含むガスが導入される。ｂ１－ｃの期間に保護層９は、還元性有機ガスを含むガスに曝される。
　その後、排気工程Ｃ３において、温度は、所定の期間排気温度に維持される。その後、温度は、室温程度まで下降する。ｃ－ｅの期間において、放電空間内が排気されることにより、還元性有機ガスを含むガスが排出される。
　次に、放電ガス供給工程Ｃ４において、放電空間内に放電ガスが導入される。つまり、温度が室温程度に下がったｅ以降の期間に放電ガスが導入される。
　なお、いずれの温度プロファイルにおいてもほぼ同等の作用を有する。
　［２－４－４．還元性有機ガスの詳細］
　表１に示すように、還元性有機ガスとしては、分子量が５８以下の還元力の大きいＣＨ系有機ガスが望ましい。種々の還元性有機ガスの中から選ばれる少なくとも一つが希ガスや窒素ガスなどに混合されることにより、還元性有機ガスを含むガスが製造される。
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　表１において、Ｃの列は、有機ガスの一分子に含まれる炭素原子数を意味する。Ｈの列は、有機ガスの一分子に含まれる水素原子数を意味する。
　表１に示すように、蒸気圧の列において、０℃での蒸気圧が１００ｋＰａ以上のガスには、「Ａ」が付されている。さらに、０℃での蒸気圧が１００ｋＰａより小さいガスには、「Ｃ」が付されている。沸点の列において、１気圧での沸点が０℃以下のガスには、「Ａ」が付されている。さらに、１気圧での沸点が０℃より大きいガスには、「Ｃ」が付されている。分解しやすさの列において、分解しやすいガスには、「Ａ」が付されている。分解しやすさが普通のガスには、「Ｂ」が付されている。還元力の列において、還元力が十分であるガスには、「Ａ」が付されている。
　表１において、「Ａ」は良い特性であることを意味する。「Ｂ」は普通の特性であることを意味する。「Ｃ」は不十分な特性であることを意味する。
　ＰＤＰの製造工程における有機ガスの取扱い易さの観点から考えると、ガスボンベに入れて供給できる還元性有機ガスが望ましい。また、ＰＤＰの製造工程における取扱い易さから考えると、０℃での蒸気圧が１００ｋＰａ以上の還元性有機ガス、または沸点が０℃以下の還元性有機ガス、または分子量が小さい還元性有機ガスが望ましい。
　さらに、排気工程Ｃ３の後にも還元性有機ガスを含むガスの一部が放電空間内に残留する可能性がある。よって、還元性有機ガスは、分解しやすい特性を有することが望ましい。
　還元性有機ガスは、製造工程上での取扱い易さや、分解しやすい特性などの点を考慮して、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレンおよびシクロプロパンの中から選ばれる酸素を含まない炭化水素系ガスが望ましい。これらの還元性有機ガスの中から選ばれる少なくとも一種を希ガスや窒素ガスに混合して用いればよい。
　なお、希ガスや窒素ガスと還元性有機ガスの混合比率は、使用する還元性有機ガスの燃焼割合に応じて下限が決定される。上限は、数体積％程度である。還元性有機ガスの混合比率が高すぎると、有機成分が重合して高分子となりやすい。この場合、高分子が放電空間に残留し、ＰＤＰの特性に影響を与えてしまう。よって、使用する還元性有機ガスの成分に応じて、混合比率を適宜調整することが好ましい。
　なお、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯなどは、水、二酸化炭素、炭化水素などの不純物ガスとの反応性が高い。特に水、二酸化炭素と反応することにより放電特性が劣化しやすく、放電セル毎の放電特性にばらつきが発生しやすい。
　そこで、封着工程Ｃ１において、放電空間１６に開口する貫通孔を通して放電空間１６内が陽圧状態となるように不活性ガスを流し、その後、封着を行うことが好ましい。下地膜９１と不純物ガスとの反応が抑制できるからである。不活性ガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノンなどが用いられ得る。
　また、不活性ガスの代わりにドライ空気（乾燥ガス）を流してもよい。少なくとも水との反応が抑制できる上に、不活性ガスより製造コストが低減できるからである。
　具体的には、図４から６に示す封着工程Ｃ１において、温度が軟化点に達するｘまでの期間において、例えば窒素ガスを２Ｌ／ｍｉｎ程度の流量で流してもよい。放電空間１６は、窒素ガスによって陽圧に保たれる。温度が軟化点を超えると、窒素ガスの供給が止められる。放電空間１６は、窒素ガスによって陽圧に保たれたままである。温度は、ａ－ｂの期間、封着温度に維持される。放電空間１６は、窒素ガスによって満たされている。その後、温度は、ｂ－ｃの期間に封着温度から排気温度に下降する。ｂ－ｃの期間において、放電空間１６を満たしていた窒素ガスが排気される。つまり、放電空間内は減圧状態になる。以降の期間についての説明は、前述の説明と同様である。
　［３．誘電体層８の詳細］
　図２に示すように、本実施の形態にかかる誘電体層８は、表示電極６およびブラックストライプ７を覆う第１誘電体層８１と、第１誘電体層８１を覆う第２誘電体層８２の少なくとも２層の構成である。
　［３－１．第１誘電体層８１］
　第１誘電体層８１の誘電体材料は、三酸化二ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を２０重量％～４０重量％含む。さらに、第１誘電体層８１の誘電体材料は酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）および酸化バリウム（ＢａＯ）の群から選ばれる少なくとも１種を０．５重量％～１２重量％を含む。さらに、第１誘電体層８１の誘電体材料は、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）、三酸化タングステン（ＷＯ３）、二酸化セリウム（ＣｅＯ２）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、酸化銅（ＣｕＯ）、三酸化二クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、三酸化二コバルト（Ｃｏ２Ｏ３）、二酸化七バナジウム（Ｖ２Ｏ７）および三酸化二アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３）の群から選ばれる少なくとも１種を０．１重量％～７重量％含む。
　また、上記以外の成分として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を０重量％～４０重量％、三酸化二硼素（Ｂ２Ｏ３）を０重量％～３５重量％、二酸化硅素（ＳｉＯ２）を０重量％～１５重量％、三酸化二アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を０重量％～１０重量％とするなど、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。さらに、これらの材料組成の含有量に特に限定はない。
　これらの組成成分からなる誘電体材料が、湿式ジェットミルやボールミルで０．５μｍ～２．５μｍの平均粒径となるように粉砕される。粉砕された誘電体材料が誘電体材料粉末である。次に、誘電体材料粉末５５重量％～７０重量％と、バインダ成分３０重量％～４５重量％とが三本ロールなどでよく混練されることにより、ダイコート用、または印刷用の第１誘電体層用ペーストが完成する。
　バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂１重量％～２０重量％を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペーストには、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルが添加されてもよい。また、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション社製品名）、アルキルアリル基のリン酸エステルなどが添加されてもよい。分散剤の添加により、印刷性が向上する。
　第１誘電体層用ペーストは、表示電極６を覆うように前面ガラス基板３にダイコート法またはスクリーン印刷法により印刷される。印刷された第１誘電体層用ペーストは、乾燥工程を経て、焼成される。焼成温度は、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の５７５℃～５９０℃である。
　［３－２．第２誘電体層８２］
　第２誘電体層８２の誘電体材料は、Ｂｉ２Ｏ３を１１重量％～２０重量％を含む。さらに、第２誘電体層８２の誘電体材料は、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの群から選ばれる少なくとも１種を１．６重量％～２１重量％含む。さらに、第２誘電体層８２の誘電体材料は、ＭｏＯ３、ＷＯ３、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、ＣｕＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ７、Ｓｂ２Ｏ３およびＭｎＯ２から選ばれる少なくとも１種を０．１重量％～７重量％含んでいる。
　また、上記以外の成分として、ＺｎＯを０重量％～４０重量％、Ｂ２Ｏ３を０重量％～３５重量％、ＳｉＯ２を０重量％～１５重量％、Ａｌ２Ｏ３を０重量％～１０重量％とするなど、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよい。さらに、これらの材料組成の含有量に特に限定はない。
　これらの組成成分からなる誘電体材料が、湿式ジェットミルやボールミルで０．５μｍ～２．５μｍの平均粒径となるように粉砕される。粉砕された誘電体材料が誘電体材料粉末である。次に、誘電体材料粉末５５重量％～７０重量％と、バインダ成分３０重量％～４５重量％とが三本ロールなどでよく混練されることにより、ダイコート用、または印刷用の第２誘電体層用ペーストが完成する。
　第２誘電体層用ペーストのバインダ成分は、第１誘電体層用ペーストのバインダ成分と同様である。
　第２誘電体層用ペーストは、ダイコート法またはスクリーン印刷法により、第１誘電体層８１上に印刷される。印刷された第２誘電体層用ペーストは、乾燥工程を経て、焼成される。焼成温度は、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の５５０℃～５９０℃である。
　［３－３．誘電体層８の膜厚］
　誘電体層８の膜厚は、可視光透過率を確保するために、第１誘電体層８１と第２誘電体層８２とを合わせて４１μｍ以下が好ましい。第１誘電体層８１におけるＢｉ２Ｏ３の含有量は、金属バス電極４ｂ、５ｂに含まれるＡｇとの反応を抑制するために、第２誘電体層８２におけるＢｉ２Ｏ３の含有量よりも多い。よって、第１誘電体層８１の可視光透過率が第２誘電体層８２の可視光透過率よりも低くなる。したがって、第１誘電体層８１の膜厚は、第２誘電体層８２の膜厚よりも薄いことが好ましい。
　なお、第２誘電体層８２においてＢｉ２Ｏ３が１１重量％以下であると着色は生じにくくなる。しかし、第２誘電体層８２中に気泡が発生しやすくなる。また、Ｂｉ２Ｏ３が４０重量％を超えると着色が生じやすくなり、透過率が低下する。よって、Ｂｉ２Ｏ３は１１重量％を超えて、４０重量％以下が好ましい。
　また、誘電体層８の膜厚が小さいほど輝度向上の効果と放電電圧低減の効果は顕著になる。よって、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定すること好ましい。したがって、本実施の形態では、誘電体層８の膜厚は、４１μｍ以下である。さらに、第１誘電体層８１の膜厚は、５μｍ～１５μｍ、第２誘電体層８２の膜厚は２０μｍ～３６μｍである。
　本実施の形態におけるＰＤＰ１は、表示電極６にＡｇを用いても、前面ガラス基板３の着色現象（黄変）が少ない。かつ、誘電体層８中に気泡の発生などが少なく、絶縁耐圧性能に優れた誘電体層８が実現できた。
　［３－４．黄変や気泡の発生が抑制される理由についての考察］
　Ｂｉ２Ｏ３を含む誘電体材料にＭｏＯ３またはＷＯ３を添加することによって、Ａｇ２ＭｏＯ４、Ａｇ２Ｍｏ２Ｏ７、Ａｇ２Ｍｏ４Ｏ１３、Ａｇ２ＷＯ４、Ａｇ２Ｗ２Ｏ７、Ａｇ２Ｗ４Ｏ１３といった化合物が５８０℃以下で生成しやすい。本実施の形態では、誘電体層８の焼成温度が５５０℃～５９０℃であることから、焼成中に誘電体層８中に拡散した銀イオン（Ａｇ+）は誘電体層８中のＭｏＯ３またはＷＯ３と反応することにより、安定な化合物を生成して安定化する。すなわち、Ａｇ+が還元されることなく安定化される。Ａｇ+が安定化することによって、Ａｇのコロイド化に伴う酸素の発生も少なくなる。したがって、誘電体層８中への気泡の発生も少なくなる。
　上述の効果を有効にするためには、Ｂｉ２Ｏ３を含む誘電体材料中にＭｏＯ３、ＷＯ３、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ７、Ｓｂ２Ｏ３およびＭｎＯ２から選ばれる少なくとも１種の含有量を０．１重量％以上にすることが好ましい。さらに、０．１重量％以上７重量％以下が、より好ましい。特に、０．１重量％未満では黄変を抑制する効果が少ない。７重量％を超えるとガラスに着色が起こり好ましくない。
　すなわち、本実施の形態における誘電体層８は、Ａｇを含む金属バス電極４ｂ、５ｂと接する第１誘電体層８１では黄変現象と気泡発生を抑制する。さらに、第１誘電体層８１上に設けた第２誘電体層８２によって高い光透過率を実現している。その結果、誘電体層８全体として、気泡や黄変の発生が極めて少なく透過率の高いＰＤＰ１を実現することが可能となる。
　［４．保護層９の詳細］
　保護層９は、放電を発生させるための電荷を保持する機能、および、維持放電の際に二次電子を放出する機能が求められる。電荷保持性能が向上することにより、印加電圧が低減される。二次電子放出数が増加することにより、維持放電電圧が低減される。
　［４－１．下地膜９１］
　本実施の形態にかかる保護層９は、下地膜９１と凝集粒子９２とを含む。下地膜９１は、少なくとも第１の金属酸化物と第２の金属酸化物とを含む。第１の金属酸化物および第２の金属酸化物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群の中から選ばれる２種である。さらに、下地膜９１は、Ｘ線回折分析において少なくとも一つのピークを有する。このピークは、第１金属酸化物のＸ線回折分析における第１のピークと、第２金属酸化物のＸ線回折分析における第２のピークとの間にある。第１のピークと第２のピークは、下地膜９１のピークが示す面方位と同じ面方位を示す。
　図７において、横軸はブラッグの回折角（２θ）である。縦軸はＸ線回折波の強度である。回折角の単位は１周を３６０度とする度で示される。回折光の強度は任意単位（ａｒｂｉｔｒａｒｙ　ｕｎｉｔ）で示されている。結晶面方位は括弧付けで示されている。
　図７に示すように、ＣａＯ単体における（１１１）面方位は、回折角３２．２度のピークで示される。ＭｇＯ単体における（１１１）面方位は、回折角３６．９度のピークで示される。ＳｒＯ単体における（１１１）面方位は、回折角３０．０度のピークで示される。ＢａＯ単体における（１１１）面方位は、回折角２７．９度のピークで示される。
　本実施の形態にかかる下地膜９１は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群の中から選ばれる少なくとも２つ以上の金属酸化物を含んでいる。
　図７に示すように、Ａ点は、ＭｇＯとＣａＯの２つから形成された下地膜９１の（１１１）面方位におけるピークである。Ｂ点は、ＭｇＯとＳｒＯの二つから形成された下地膜９１の（１１１）面方位におけるピークである。Ｃ点は、ＭｇＯとＢａＯの二つから形成された下地膜９１の（１１１）面方位におけるピークである。
　図７に示すように、Ａ点の回折角は３６．１度である。Ａ点は、第１の金属酸化物であるＭｇＯ体における（１１１）面方位のピークと、第２の金属酸化物であるＣａＯ単体における（１１１）面方位のピークとの間に存在する。
　Ｂ点の回折角は３５．７度である。Ｂ点は、第１の金属酸化物であるＭｇＯ単体における（１１１）面方位のピークと、第２の金属酸化物であるＳｒＯ単体における（１１１）面方位のピークとの間に存在する。
　Ｃ点の回折各は３５．４度である。Ｃ点は、第１の金属酸化物であるＭｇＯ単体における（１１１）面方位のピークと、第２の金属酸化物であるＢａＯ単体における（１１１）面方位のピークとの間に存在する。
　図８に示すように、Ｄ点は、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯの３つから形成された下地膜９１の（１１１）面方位におけるピークである。Ｅ点は、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＢａＯの３つから形成された下地膜９１の（１１１）面方位におけるピークである。Ｆ点は、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｒＯの３つから形成された下地膜９１の（１１１）面方位におけるピークである。
　図８に示すように、Ｄ点の回折角は３３．４度である。Ｄ点は、第１の金属酸化物であるＭｇＯ単体における（１１１）面方位のピークと、第２の金属酸化物であるＣａＯ単体における（１１１）面方位のピークとの間に存在する。
　Ｅ点の回折角は３２．８度である。Ｅ点は、第１の金属酸化物であるＭｇＯ単体における（１１１）面方位のピークと、第２の金属酸化物であるＳｒＯ単体における（１１１）面方位のピークとの間に存在する。
　Ｆ点の回折各は３０．２度である。Ｆ点は、第１の金属酸化物であるＭｇＯ単体における（１１１）面方位のピークと、第２の金属酸化物であるＢａＯ単体における（１１１）面方位のピークとの間に存在する。
　なお、本実施の形態では、面方位（１１１）について例示された。しかし、他の面方位についても同様である。
　ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯの真空準位からの深さは、ＭｇＯと比較して浅い領域に存在する。そのため、ＰＤＰを駆動する場合において、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのエネルギー準位に存在する電子がＸｅイオンの基底状態に遷移する際に、オージェ効果により放出される電子数が、ＭｇＯのエネルギー準位から遷移する場合と比較して多くなると考えられる。
　また、上述のように、Ｘ線回折分析における下地膜９１のピークは、第１金属酸化物のピークと第２金属酸化物のピークとの間にある。すなわち、下地膜９１のエネルギー準位は、単体の金属酸化物の間に存在し、オージェ効果により放出される電子数がＭｇＯのエネルギー準位から遷移する場合と比較して多くなると考えられる。
　その結果、本実施の形態にかかる下地膜９１では、ＭｇＯ単体と比較して、良好な二次電子放出特性を発揮することができる。結果として、維持電圧を低減できる。特に、輝度を高めるために放電ガスとしてのＸｅ分圧を高めた場合に、放電電圧を低減できる。つまり、低電圧でなおかつ高輝度のＰＤＰ１が実現できる。
　［４-２．凝集粒子９２］
　凝集粒子９２は、金属酸化物であるＭｇＯの結晶粒子９２ａが複数凝集したものである。凝集粒子９２は、下地膜９１の全面に亘って、均一に分散配置させると好ましい。ＰＤＰ１内における、放電電圧のばらつきが減少するからである。
　なお、ＭｇＯの結晶粒子９２ａは、気相合成法または前駆体焼成法のいずれかによって、製造することができる。気相合成法では、まず、不活性ガスが満たされた雰囲気下で純度９９．９％以上の金属マグネシウム材料が加熱される。さらに、雰囲気に酸素を少量導入することによって、金属マグネシウムが直接酸化する。このように、ＭｇＯの結晶粒子９２ａが作製される。
　前駆体焼成法では、ＭｇＯの前駆体が７００℃以上の高温で均一に焼成される。次に、徐冷することにより、ＭｇＯの結晶粒子９２ａが作製される。前駆体としては、例えば、マグネシウムアルコキシド（Ｍｇ（ＯＲ)２）、マグネシウムアセチルアセトン（Ｍｇ（ａｃａｃ)２）、水酸化マグネシウム（Ｍｇ（ＯＨ）２）、炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ２）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ４）、硝酸マグネシウム（Ｍｇ(ＮＯ３)２）、シュウ酸マグネシウム（ＭｇＣ２Ｏ４）の内のいずれか１種以上の化合物を選ぶことができる。なお選択した化合物によっては、通常、水和物の形態をとることもある。前駆体として、水和物を用いることもできる。前駆体である化合物は、焼成後に得られる酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の純度が９９.９５％以上、望ましくは９９.９８％以上になるように調整される。前駆体である化合物中に、各種アルカリ金属、Ｂ、Ｓｉ、Ｆｅ、Ａｌなどの不純物元素が一定量以上混じっていると、熱処理時に不要な粒子間癒着や焼結が生じる。その結果、高結晶性のＭｇＯの結晶粒子が得にくくなる。よって、化合物から不純物元素を除去するなど、予め前駆体を調整することが好ましい。
　上記いずれかの方法で得られたＭｇＯの結晶粒子９２ａを、溶媒に分散させることにより分散液が作製される。次に、分散液がスプレー法やスクリーン印刷法、静電塗布法などによって下地膜９１の表面に塗布される。その後、乾燥・焼成工程を経て溶媒が除去される。以上の工程によって、ＭｇＯの結晶粒子９２ａが下地膜９１の表面に定着する。
　［４－２－１．凝集粒子９２の詳細］
　凝集粒子９２とは、所定の一次粒径の結晶粒子９２ａが凝集またはネッキングした状態のものである。すなわち、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなしているもので、超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。図９に示すように、凝集粒子９２の粒径としては、約１μｍ程度のもので、結晶粒子９２ａとしては、１４面体や１２面体などの７面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。
　また、結晶粒子９２ａの一次粒子の粒径は、結晶粒子９２ａの生成条件によって制御できる。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどの前駆体を焼成して生成する場合、焼成温度や焼成雰囲気を制御することで粒径を制御できる。一般的に、焼成温度は７００℃から１５００℃の範囲で選択できる。焼成温度を比較的高い１０００℃以上にすることで、粒径を０．３～２μｍ程度に制御できる。さらに、前駆体を加熱することにより、生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングして凝集粒子９２を得ることができる。
　本発明者らの実験により、ＭｇＯの結晶粒子が複数凝集した凝集粒子９２は、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果と、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果が確認されている。凝集粒子９２は下地膜９１に比べて初期電子放出特性に優れる。よって、本実施の形態においては、凝集粒子９２が放電パルス立ち上がり時に必要な初期電子供給部として配設されている。
　「放電遅れ」は、放電開始時において、トリガーとなる初期電子が下地膜９１表面から放電空間１６中に放出される量が不足することが主原因と考えられる。そこで、放電空間１６に対する初期電子の安定供給に寄与するため、凝集粒子９２を下地膜９１の表面に分散配置する。これによって、放電パルスの立ち上がり時に放電空間１６中に電子が豊富に存在し、放電遅れの解消が図られる。したがって、このような初期電子放出特性により、ＰＤＰ１が高精細の場合などにおいても放電応答性の良い高速駆動ができるようになっている。なお下地膜９１の表面に金属酸化物の凝集粒子９２を配設する構成では、主として書込放電における「放電遅れ」を抑制する効果に加え、「放電遅れ」の温度依存性を改善する効果も得られる。
　［５．試作評価］
　［５－１．試作評価１］
　下地膜の構成が異なる複数のＰＤＰが作製された。ＰＤＰには６０ｋＰａのＸｅ，Ｎｅ混合ガス（Ｘｅ１５％）が封入された。サンプルＡは、ＭｇＯとＣａＯによって構成されている。サンプルＢは、ＭｇＯとＳｒＯによって構成されている。サンプルＣは、ＭｇＯとＢａＯによって構成されている。サンプルＤは、ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯによって構成されている。サンプルＥはＭｇＯ、ＣａＯおよびＢａＯによって構成されている。また、比較例は、ＭｇＯ単体によって構成されている。
　サンプルＡからＥについて、維持電圧が測定された。比較例を１００とした場合、サンプルＡは９０、サンプルＢは８７、サンプルＣは８５、サンプルＤは８１、サンプルＥは８２であった。サンプルＡからＥは、通常の製造方法で製造されたＰＤＰである。つまり、サンプルＡからＥは、還元性有機ガス導入工程を有さない製造方法で製造されたＰＤＰである。
　放電ガスのＸｅの分圧を１０％から１５％に高めた場合には輝度が約３０％上昇するが、比較例では、維持電圧が約１０％上昇する。
　一方、サンプルＡ、サンプルＢ、サンプルＣ、サンプルＤおよびサンプルＥの維持電圧はいずれも、比較例より約１０％～２０％低減できた。
　次に、本実施の形態にかかる製造方法でサンプルＡからＥと同じ構成の下地膜９１を有するＰＤＰ１が作製された。封着工程Ｃ１から放電ガス供給工程Ｃ４には、第１の温度プロファイルが用いられた。
　還元性有機ガスは、一例として、プロピレン、シクロプロパン、アセチレン、およびエチレンが用いられた。本実施の形態にかかるＰＤＰ１の維持電圧は、サンプルＡからＥと比較してさらに５％程度低かった。
　さらに、還元性有機ガスを導入する前に、封着工程Ｃ１において、放電空間１６に開口する貫通孔を通して放電空間１６内が陽圧状態となるように不活性ガスとして窒素ガスを流し、その後、封着を行った場合は、サンプルＡからＥと比較してさらに５から７％程度低かった。
　［５－２．試作評価２］
　構成の異なる保護層を有するＰＤＰが試作された。条件は、図１０に示すように、下地膜９１のみの場合と、下地膜９１上に凝集粒子９２を配置した場合である。下地膜９１は、ＭｇＯとＣａＯとにより形成された。つまり、前述のサンプルＡに相当する。下地膜９１のみの場合はＣａ濃度の増加とともに放電遅れが大きくなる。一方、下地膜９１上に凝集粒子９２を配置した場合は、放電遅れを大幅に小さくすることができた。つまり、Ｃａ濃度が増加しても放電遅れはほとんど増大しない。なお、放電遅れの測定には、特開２００７－４８７３３号公報に記載されている方法が用いられた。測定方法については、後に説明される。
　［５－３．試作評価３］
　構成の異なる保護層を有するＰＤＰが試作された。
　試作品１は、ＭｇＯによる保護層のみを有するＰＤＰである。
　試作品２は、Ａｌ，Ｓｉなどの不純物がドープされたＭｇＯのみによる保護層を有するＰＤＰである。
　試作品３は、ＭｇＯの下地膜上に、ＭｇＯからなる結晶粒子９２ａの一次粒子のみが分散配置されたＰＤＰである。
　試作品４は、保護層９として、前述のサンプルＡが適用された。つまり保護層９は、ＭｇＯとＣａＯとで構成された下地膜９１と、下地膜９１の全面に亘ってほぼ均一に分散配置された凝集粒子９２とを有する。なお、下地膜９１は、Ｘ線回折分析において、（１１１）面のピークを示す回折角が３６．１度である。
　なお、試作品１～試作品４は、上述の製造方法によって製造された。特に、還元性有機ガスの導入および排気については、第１の温度プロファイルが用いられた。さらに、したがって、試作品１～試作品４の違いは、保護層９の構造のみである。
　試作品１～４について、電子放出性能と電荷保持性能が測定された。
　なお、電子放出性能は、大きいほど電子放出量が多いことを示す数値である。電子放出性能は、放電の表面状態及びガス種とその状態によって定まる初期電子放出量として表現される。初期電子放出量は、表面にイオンあるいは電子ビームを照射して表面から放出される電子電流量を測定する方法で測定できる。しかし、非破壊で実施することが困難である。そこで、特開２００７－４８７３３号公報に記載されている方法が用いられた。つまり、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値が測定された。統計遅れ時間の逆数を積分することにより、初期電子の放出量と線形対応する数値になる。放電時の遅れ時間とは、書込み放電パルスの立ち上がりから書込み放電が遅れて発生するまでの時間である。放電遅れは、書込み放電が発生する際のトリガーとなる初期電子が保護層表面から放電空間中に放出されにくいことが主要な要因として考えられている。
　電荷保持性能の指標は、ＰＤＰの電荷放出現象を抑えるために必要とする走査電極に印加する電圧値（以下Ｖｓｃｎ点灯電圧と称する）が用いられた。すなわち、Ｖｓｃｎ点灯電圧が低いことは、電荷保持能力が高いことを示す。Ｖｓｃｎ点灯電圧が低いと、ＰＤＰの低電圧駆動が可能になる。よって、電源や各電気部品として、耐圧および容量の小さい部品を使用することができる。現状の製品において、走査電圧を順次パネルに印加するためのＭＯＳＦＥＴなどの半導体スイッチング素子には、耐圧１５０Ｖ程度の素子が使用されている。Ｖｓｃｎ点灯電圧は、温度による変動を考慮し、１２０Ｖ以下に抑えることが望ましい。
　一般的には保護層の電子放出能力と電荷保持能力は相反する。保護層の成膜条件の変更、あるいは、保護層中にＡｌやＳｉ、Ｂａなどの不純物をドーピングして成膜することにより、電子放出性能を向上することは可能である。しかし、副作用としてＶｓｃｎ点灯電圧も上昇してしまう。
　図１１から明らかなように、試作品３および試作品４の保護層の電子放出能力は、試作品１に比べて８倍以上の特性を有する。試作品３および試作品４の保護層９の電荷保持能力は、Ｖｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下である。したがって、試作品３および試作品４のＰＤＰは、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さいＰＤＰに対してさらに有用である。つまり、試作品３および試作品４のＰＤＰは、電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させることにより、より低電圧で良好な画像表示を実現することができる。
　［５－４．試作評価４］
　次に、凝集粒子９２の粒径について詳細に説明される。なお、凝集粒子９２の平均粒径は、凝集粒子９２をＳＥＭ観察することにより測長された。
　図１２に示すように、平均粒径が０．３μｍ程度に小さくなると、電子放出性能が低くなり、ほぼ０．９μｍ以上であれば、高い電子放出性能が得られる。
　放電セル内での電子放出数を増加させるためには、保護層９上の単位面積当たりの結晶粒子数は多い方が望ましい。
　本発明者らの実験によれば、保護層９と密接に接触する隔壁１４の頂部に相当する部分に結晶粒子９２ａ、９２ｂが存在すると、隔壁１４の頂部を破損させる場合がある。この場合、破損した隔壁１４の材料が蛍光体の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯または消灯しなくなる現象が発生することがわかった。隔壁破損は、凝集粒子９２が隔壁頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくい。つまり、分散配置させる凝集粒子９２の数が多くなれば、隔壁１４の破損発生確率が高くなる。このような観点から、平均粒径が２．５μｍ程度に大きくなると、隔壁破損の確率が急激に高くなる。一方、平均粒径が２．５μｍより小さいと、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができる。
　以上のように本実施の形態にかかる保護層９を有するＰＤＰ１においては、電子放出能力としては、８以上の特性で、電荷保持能力としてはＶｓｃｎ点灯電圧が１２０Ｖ以下のものを得ることができる。
　［６．まとめ］
　本実施の形態に開示されたＰＤＰ１の製造方法は、以下の工程を備える。還元性有機ガスを含むガスを放電空間に導入することにより、保護層９を還元性有機ガスに曝す。次に、還元性有機ガスを放電空間から排出する。次に、放電ガスを放電空間に封入する。
　還元性有機ガスに曝された保護層９には、酸素欠損が生じる。酸素欠損が生じることにより、保護層の二次電子放出能力が向上すると考えられる。したがって、本実施の形態にかかる製造方法で製造されたＰＤＰ１は、維持電圧を低減することができる。
　さらに、還元性有機ガスは、酸素を含まない炭化水素系ガスであることが好ましい。酸素を含まないことによって、還元能力が高まるからである。
　さらに、還元性有機ガスは、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレン、シクロプロパン、プロパンおよびブタンの中から選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。上記の還元性有機ガスは、製造工程上での取扱いが容易だからである。さらに、上記の還元性有機ガスは、分解が容易だからである。
　なお、本実施の形態においては、放電空間を排気した後、還元性有機ガスを含むガスを放電空間に導入する製造方法が例示された。しかし、放電空間を排気することなく、放電空間に還元性有機ガスを含むガスを連続的に供給することによって、還元性有機ガスを含むガスを放電空間に導入することもできる。
　保護層９が、下地膜９１上に、金属酸化物の結晶粒子９２ａあるいは金属酸化物の結晶粒子９２ａが複数凝集した凝集粒子９２を備える場合、高い電荷保持能力および高い電子放出能力を有する。したがって、ＰＤＰ１全体として、高精細なＰＤＰでも高速駆動を低電圧で実現できる。かつ、点灯不良を抑制した高品位な画像表示性能を実現できる。
　また、本実施の形態では、金属酸化物の結晶粒子としてＭｇＯが例示された。しかし、この他の単結晶粒子でも、ＭｇＯ同様に高い電子放出性能を持つＳｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌなどの金属酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができる。よって、金属酸化物の結晶粒子としてはＭｇＯに限定されるものではない。
　以上のように本実施の形態に開示された技術は、高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力のＰＤＰを実現する上で有用である。
　１　　ＰＤＰ
　２　　前面板
　３　　前面ガラス基板
　４　　走査電極
　４ａ，５ａ　　透明電極
　４ｂ，５ｂ　　金属バス電極
　５　　維持電極
　６　　表示電極
　７　　ブラックストライプ
　８　　誘電体層
　９　　保護層
　１０　　背面板
　１１　　背面ガラス基板
　１２　　データ電極
　１３　　下地誘電体層
　１４　　隔壁
　１５　　蛍光体層
　１６　　放電空間
　８１　　第１誘電体層
　８２　　第２誘電体層
　９１　　下地膜
　９２　　凝集粒子
　９２ａ　　結晶粒子

Claims (7)

  1. 放電空間と、前記放電空間に面した保護層を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
    　前記保護層は、少なくとも第１の金属酸化物と第２の金属酸化物とを含み、
    　　さらに、前記保護層は、Ｘ線回折分析において少なくとも一つのピークを有し、
    　　前記ピークは、前記第１の金属酸化物のＸ線回折分析における第１のピークと、前記第２の金属酸化物のＸ線回折分析における第２のピークと、の間にあり、
    　　　前記第１のピークおよび前記第２のピークは、前記ピークが示す面方位と同じ面方位を示し、
    　　　前記第１の金属酸化物および前記第２の金属酸化物は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウムおよび酸化バリウムからなる群の中から選ばれる２種であり、
    還元性有機ガスを含むガスを前記放電空間に導入することにより、前記保護層を前記還元性有機ガスに曝し、
    次に、前記還元性有機ガスを前記放電空間から排出し、
    次に、放電ガスを前記放電空間に封入する、
    プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  2. 前記プラズマディスプレイパネルは、前面板と背面板とから構成され、
    還元性有機ガスを含むガスを前記放電空間に導入する前に、前記放電空間を陽圧に保ちつつ、前記前面板と前記背面板との周囲を封着する、
    請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  3. 還元性有機ガスを含むガスを前記放電空間に導入する前に、前記放電空間に不活性ガスを流すことにより、前記放電空間を陽圧に保ちつつ、前記前面板と前記背面板との周囲を封着する、
    請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  4. 還元性有機ガスを含むガスを前記放電空間に導入する前に、前記放電空間に乾燥空気を流すことにより、前記放電空間を陽圧に保ちつつ、前記前面板と前記背面板との周囲を封着する、
    請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  5. 前記還元性有機ガスは、酸素を含まない炭化水素系ガスである、
    請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  6. 前記還元性有機ガスは、アセチレン、エチレン、メチルアセチレン、プロパジエン、プロピレン、シクロプロパン、プロパンおよびブタンの中から選ばれる少なくとも一種である、
    請求項５に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  7. 前記保護層には、さらに酸化マグネシウムの結晶粒子が複数個凝集した凝集粒子が全面に亘って分散配置されている、
    請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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