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WO2011099771A3 - Puce à diode électroluminescente comprenant un réflecteur de bragg et son procédé de fabrication - Google Patents

Puce à diode électroluminescente comprenant un réflecteur de bragg et son procédé de fabrication Download PDF

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WO2011099771A3
WO2011099771A3 PCT/KR2011/000870 KR2011000870W WO2011099771A3 WO 2011099771 A3 WO2011099771 A3 WO 2011099771A3 KR 2011000870 W KR2011000870 W KR 2011000870W WO 2011099771 A3 WO2011099771 A3 WO 2011099771A3
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Sang Ki Jin
Jin Cheol Shin
Jong Kyu Kim
So Ra Lee
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Seoul Opto Device Co., Ltd.
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Abstract

Dans des modes de réalisation cités à titre d'exemple, la présente invention concerne une puce à diode électroluminescente comprenant un substrat présentant une première surface et une seconde surface. Ladite puce comprend en outre une structure électroluminescente agencée sur la première surface du substrat et comprenant une couche active disposée entre une couche semi-conductrice d'un premier type conducteur et une couche semi-conductrice d'un second type conducteur. Ladite puce comprend de plus un réflecteur de Bragg distribué agencé sur la seconde surface du substrat, ledit réflecteur de Bragg distribué étant destiné à réfléchir la lumière émise par la structure électroluminescente. Ladite puce comprend enfin une couche métallique agencée sur le réflecteur de Bragg distribué. Ledit réflecteur de Bragg distribué présente une réflectivité supérieure ou égale à 90% pour la lumière d'une première longueur d'onde dans une plage de longueurs d'onde du bleu, la lumière d'une deuxième longueur d'onde dans une plage de longueurs d'onde du vert, et la lumière d'une troisième longueur d'onde dans une plage de longueurs d'onde du rouge.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013051243A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Kyocera Corp 光学素子および光学素子アレイ
US8624482B2 (en) * 2011-09-01 2014-01-07 Toshiba Techno Center Inc. Distributed bragg reflector for reflecting light of multiple wavelengths from an LED
WO2014122709A1 (fr) 2013-02-07 2014-08-14 シャープ株式会社 Dispositif à semi-conducteur et procédé de fabrication associé
JP6201846B2 (ja) * 2014-03-24 2017-09-27 豊田合成株式会社 発光素子およびその製造方法
JP6827265B2 (ja) * 2015-01-05 2021-02-10 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
KR102471102B1 (ko) * 2015-10-23 2022-11-25 서울바이오시스 주식회사 분포 브래그 반사기를 가지는 발광 다이오드 칩
JP6806446B2 (ja) * 2016-01-25 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 半導体素子及びその製造方法
KR20190022326A (ko) * 2017-08-24 2019-03-06 서울바이오시스 주식회사 분포 브래그 반사기를 가지는 발광 다이오드
CN113169252B (zh) * 2020-06-15 2023-08-01 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3822545B2 (ja) * 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031625B2 (ja) * 1989-09-20 2000-04-10 日本真空光学株式会社 熱線吸収反射鏡
JP3532752B2 (ja) * 1997-02-03 2004-05-31 株式会社東芝 半導体デバイスの分離方法
GB2351840A (en) * 1999-06-02 2001-01-10 Seiko Epson Corp Multicolour light emitting devices.
US8829546B2 (en) * 1999-11-19 2014-09-09 Cree, Inc. Rare earth doped layer or substrate for light conversion
JP4063062B2 (ja) * 2002-12-03 2008-03-19 コニカミノルタオプト株式会社 反射鏡
JP2005266211A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Sibason Co Ltd 多層膜反射鏡
EP2750194A1 (fr) * 2005-06-22 2014-07-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Dispositif luminescent comprenant plusieurs cellules de diode électroluminescente
JP2007273975A (ja) * 2006-03-10 2007-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
US8049233B2 (en) * 2006-03-10 2011-11-01 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Light-emitting device
JP4655029B2 (ja) * 2006-11-20 2011-03-23 パナソニック株式会社 発光装置および半導体発光素子の製造方法
JP5032138B2 (ja) * 2007-01-26 2012-09-26 株式会社アルバック 発光ダイオード素子の製造方法
TWI352438B (en) * 2007-08-31 2011-11-11 Huga Optotech Inc Semiconductor light-emitting device
JPWO2009057551A1 (ja) * 2007-11-02 2011-03-10 コニカミノルタオプト株式会社 光学素子
KR100901369B1 (ko) * 2007-11-19 2009-06-05 일진반도체 주식회사 백색 발광다이오드 칩 및 그 제조 방법
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
JP5186259B2 (ja) * 2008-03-26 2013-04-17 パナソニック株式会社 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置
JP4337953B2 (ja) * 2009-03-17 2009-09-30 住友電気工業株式会社 窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイス

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3822545B2 (ja) * 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
S.J. CHANG ET AL.: "Nitride-Based LEDs With a Hybrid A1 Mirror+Ti02/Si02 DBR Backside Reflector.", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY., vol. 26, no. 17, September 2008 (2008-09-01), pages 3131 - 3136 *
Y.S. ZHAO ET AL.: "Efficiency Enhancement of InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with a Back-Surface Distributed Bragg Reflector.", JOURNAL OF ELECTRONIC MATER IALS., vol. 32, no. 12, December 2003 (2003-12-01), pages 1523 - 1526 *

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