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WO2009034831A1 - Détecteur d'ultraviolets - Google Patents

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WO2009034831A1
WO2009034831A1 PCT/JP2008/065147 JP2008065147W WO2009034831A1 WO 2009034831 A1 WO2009034831 A1 WO 2009034831A1 JP 2008065147 W JP2008065147 W JP 2008065147W WO 2009034831 A1 WO2009034831 A1 WO 2009034831A1
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WO
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ultraviolet
ultraviolet sensor
single crystal
type
crystal substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/065147
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Aoki
Takekazu Ujiie
Kiyoshi Shimamura
Encarnacion Antonia Garcia Villora
Original Assignee
Koha Co., Ltd.
National Institute For Materials Science
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
    • H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
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    • H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
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  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

L'invention concerne un détecteur d'ultraviolets qui possède une meilleure sensibilité aux ultraviolets et une grande polyvalence pour être largement utilisé, sans augmenter son coût de fabrication. Un détecteur d'ultraviolets (1) comprend un substrat monocristallin β-Ga2O3 de type n (2) et des électrodes de détection (3a, 3b) qui détectent un courant ou une tension généré(e) par un rayonnement ultraviolet reçu et excité par le substrat monocristallin β-Ga2O3 de type n (2).
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