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WO2009004759A1 - Dispositif thermoélectrique - Google Patents

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WO2009004759A1
WO2009004759A1 PCT/JP2008/001451 JP2008001451W WO2009004759A1 WO 2009004759 A1 WO2009004759 A1 WO 2009004759A1 JP 2008001451 W JP2008001451 W JP 2008001451W WO 2009004759 A1 WO2009004759 A1 WO 2009004759A1
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WO
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electrode
insulating substrate
thermoelectric device
thermoelectric
apart
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PCT/JP2008/001451
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Japanese (ja)
Inventor
Junichi Teraki
Original Assignee
Daikin Industries, Ltd.
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract

L'invention concerne un dispositif thermoélectrique comprenant un substrat isolant (1), une première électrode (2b) formée sur une première surface du substrat isolant (1), une seconde électrode (3c) formée sur la première surface du substrat isolant (1) à distance de la première électrode (2b), une troisième électrode (9c) formée sur l'autre surface du substrat isolant (1) et reliée à la seconde électrode (3c) par l'intermédiaire d'un trou traversant (4) formé dans le substrat isolant (1), ainsi qu'un premier élément thermoélectrique (5b) d'un premier type de conductivité qui est formé sur la première surface du substrat isolant (1) sous forme d'un film mince en contact avec la première électrode (2b) et la seconde électrode (3c).
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