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WO2008126729A1 - 半導体素子およびその製造方法、並びに該半導体素子を備える電子デバイス - Google Patents

半導体素子およびその製造方法、並びに該半導体素子を備える電子デバイス Download PDF

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Abstract

　本発明の薄膜トランジスタ（１）は、絶縁性基板（２）上にゲート電極（３）を所定の形状に形成された後に、ゲート絶縁膜（４）と該ゲート絶縁膜（４）上に多結晶ＺｎＯである半導体層（５）を順次積層する。半導体層（５）を、不純物を溶解させた溶液中に浸漬することにより、多結晶ＺｎＯ膜の粒界部分に選択的に不純物をドープする。この後、ソース電極（６）およびドレイン電極（７）を所定の形状に形成し、さらに保護膜（８）を積層する。これにより、サブスレッシュホールド特性に優れ、活性層のベースとして酸化亜鉛膜を有する薄膜トランジスタを実現できる。
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