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WO2007036197A1 - Optoelektronischer halbleiterchip - Google Patents

Optoelektronischer halbleiterchip Download PDF

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WO2007036197A1
WO2007036197A1 PCT/DE2006/001615 DE2006001615W WO2007036197A1 WO 2007036197 A1 WO2007036197 A1 WO 2007036197A1 DE 2006001615 W DE2006001615 W DE 2006001615W WO 2007036197 A1 WO2007036197 A1 WO 2007036197A1
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WO
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semiconductor chip
layer
chip according
optoelectronic semiconductor
support layer
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Application number
PCT/DE2006/001615
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English (en)
French (fr)
Inventor
Ralph Wirth
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Priority to US11/992,843 priority patent/US20090121245A1/en
Priority to JP2008532582A priority patent/JP2009510736A/ja
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    • H10H20/82—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Definitions

  • the invention relates to an optoelectronic semiconductor chip.
  • EP 0 905 797 A2 discloses radiation-emitting semiconductor chips with semiconductor layer sequences which have grown epitaxially on a growth substrate. Since the growth substrate usually absorbs part of the electromagnetic radiation generated within the layer stack, EP 0 905 797 A2 proposes fixing the epitaxial layer stack to a separate carrier body by means of a separate bonding means and removing the growth substrate , The connection of the semiconductor layer sequence with the separate carrier body by a separate connection means and the removal of the growth substrate in this case represent relatively complex process steps, in which there is still the risk that the semiconductor layer sequence is damaged.
  • An object of the present invention is to provide an optoelectronic semiconductor chip with good
  • An optoelectronic semiconductor chip according to the invention which emits electromagnetic radiation from its front side, comprises in particular:
  • self-supporting and electrically conductive mechanical support layer mechanically supports the semiconductor layer sequence and is transparent to the radiation of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip with the features of claim 1 offers the advantage that a carrier body produced separately and separately from the semiconductor layer sequence as well as a growth substrate for mechanical stabilization of the semiconductor layer sequence is dispensed with. Instead, an electrically conductive and unsupported, that is a mechanically stable, without further aids auxiliary support layer on the semiconductor layer sequence is formed, which is transparent to the radiation of the semiconductor chip.
  • This support layer is particularly easy to apply to the semiconductor layer sequence compared to a separate separately produced carrier body and therefore enables a simplified production of the semiconductor chip, for example compared to a thin-film semiconductor chip of the document EP 0 905 797 A2. Since the support layer is electrically conductive, the semiconductor chip can be easily contacted electrically, for example with the aid of a conductive adhesive or a solder, via the support layer.
  • the support layer is furthermore designed to be permeable to the radiation of the semiconductor chip, it advantageously absorbs no or only a comparatively small part of the radiation which is absorbed in the
  • Semiconductor layer sequence is generated during operation. This contributes to an increased radiation yield of the semiconductor chip compared to a semiconductor chip with an absorbing substrate, for example a wax surround substrate.
  • the support layer is arranged on or at the rear side of the semiconductor layer sequence facing away from the front side of the semiconductor chip, since then the semiconductor layer sequence can be produced in successive process steps.
  • the support layer is arranged in the semiconductor layer sequence and semiconductor layers of the semiconductor layer sequence are arranged adjacent to two sides of the support layer.
  • the active region of the semiconductor layer sequence is preferably located between the front side of the semiconductor chip and the support layer, since in this case the thickness of the material that has to penetrate the radiation on its way to the front side of the semiconductor chip is reduced.
  • the support layer has a smaller refractive index than the semiconductor layer sequence.
  • the Doubt is with the refractive index of the semiconductor layer sequence over the
  • the active, radiation-generating region of the semiconductor layer sequence is arranged between the support layer and the front side of the semiconductor chip, this has the advantage that a substantial part of the electromagnetic radiation of the active region, which strikes a boundary layer supporting layer / semiconductor layer sequence, already there in the semiconductor layer sequence is reflected and does not penetrate into the support layer.
  • Materials which as a rule have a significantly lower refractive index than the known, conventionally used semiconductor materials for optoelectronic semiconductor chips are, for example, transparent conductive oxides, which will be discussed in more detail below.
  • the semiconductor layer sequence of the semiconductor chip has grown epitaxially.
  • the active region of the semiconductor chip preferably comprises a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure or particularly preferably a multiple quantum well structure for generating radiation.
  • quantum well structure does not include any information about the dimensionality of the quantum well structure, which includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.
  • the semiconductor layer sequence is based, for example, on an Ill / V compound semiconductor material, such as a nitride compound semiconductor material, a phosphide Compound semiconductor material or an arsenide compound semiconductor material.
  • an Ill / V compound semiconductor material such as a nitride compound semiconductor material, a phosphide Compound semiconductor material or an arsenide compound semiconductor material.
  • nitride compound semiconductor material means that at least a part of the semiconductor layer sequence comprises a nitride / III compound semiconductor material, preferably Al n Ga m In n - m N, where O ⁇ n ⁇ l, O ⁇ m ⁇ l and n + m ⁇ 1.
  • this material need not necessarily have a mathematically exact composition according to the above formula Rather, it may have one or more dopants and additional ingredients that the characteristic physical properties of the Al n Ga m ini- n -. m N material
  • the above formula contains only the essential constituents of the crystal lattice (Al, Ga, In, N), even if these can be partially replaced by small amounts of other substances.
  • phosphide compound semiconductor material means that at least a portion of the semiconductor layer sequence comprises a phosphide / III compound semiconductor material, preferably Al n Ga nJ In 1 - H - H1 P where O ⁇ n ⁇ l, O ⁇ m ⁇ l and n + m ⁇ 1. it must also this material does not necessarily have a mathematically exact composition according to the above formula.
  • the above formula contains only the essential components of the crystal lattice (Al, Ga, In, P), even though these may be partially replaced by small amounts of other substances.
  • based on arsenide compound semiconductor material means that at least a part of the semiconductor layer sequence comprises an arsenide / III compound semiconductor material, preferably Al n Ga m Ini n - m As, where O ⁇ n ⁇ l, O ⁇ m ⁇ l and n + m ⁇ 1. Also, this material does not necessarily have a mathematically exact composition according to the above formula and may have one or more dopants and additional constituents that the of Al n Ga m Ini_ n characteristic physical properties -. m as material does not substantially change Again includes above formula of simplicity, however, only the major components of the crystal lattice (Al, Ga, in, as), even if this part by small Quantities of other substances can be replaced.
  • the support layer comprises a material from the group of transparent conductive oxides (TCOs), which, as the name implies, are electrically conductive and permeable to electromagnetic radiation, in particular to visible light.
  • TCOs transparent conductive oxides
  • Transparent conductive oxides are usually metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO).
  • metal oxides such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO).
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary
  • TCOs Metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 4 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12, or mixtures of different transparent conductive oxides into the group the TCOs.
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may furthermore also be p- and n-doped.
  • the support layer which includes a TCO, in one embodiment is deposited by a deposition or coating process, such as an epitaxial process, by sputtering, or a sol-gel process.
  • the support layer is preferably not thicker than it requires a reliable mechanical stability of the semiconductor chip, on the one hand to reduce the processing times in the production of the semiconductor chip and on the other hand to be able to form the semiconductor chip as thin as possible.
  • the thickness of the support layer is between 50 .mu.m and 100 .mu.m, wherein the boundaries are included in each case.
  • a TCO contact layer comprising a TCO is arranged between the semiconductor layer sequence and the support layer. In this case, the electrical contact between
  • the TCO contact layer is expediently substantially thinner than the support layer.
  • the thickness of the TCO contact layer is smaller by one to two orders of magnitude than the thickness of Support layer and is more preferably between 1 and 5 microns.
  • both the TCO contact layer and the support layer comprise a TCO material, they need not be the same TCO material, nor must the TCO materials be applied by the same method. Rather, the TCO materials can each be specially adapted for their desired function.
  • Semiconductor layer sequence and supporting layer arranged a reflective layer which reflects the radiation of the semiconductor chip.
  • a reflective layer which reflects the radiation of the semiconductor chip.
  • the reflective layer can also be made up of a plurality of layers or, for example, also be configured only partially or laterally structured.
  • a DBR mirror comprises a series of layers whose refractive indices are alternately high and low, and a DBR mirror reflects in particular radiation, which is particularly preferably used as a reflective layer. which is incident perpendicular to its surface, the support layer has a smaller refractive index than that Adjacent semiconductor layer sequence, in particular incident obliquely to the interface semiconductor material / support layer radiation at this interface is usually reflected, while perpendicular to this interface incident radiation penetrates through the support layer and does not contribute to the radiation power of the semiconductor chip. Therefore, a DBR mirror between the active region of the semiconductor layer sequence and the support layer is particularly suitable for increasing the radiation yield of the semiconductor chip.
  • the back side of the semiconductor chip preferably comprises a metal layer.
  • the metal layer usually improves the electrical contact of the backside of the semiconductor chip to a conductive adhesive or a solder layer, which are often used to later mount the semiconductor chip in a housing or on a circuit board.
  • the front side of the semiconductor chip is preferably roughened.
  • the roughening of the front side of the semiconductor chip reduces the multiple reflection of radiation at the surfaces of the semiconductor chip and therefore contributes to improved radiation decoupling.
  • Other structures on the front side of the semiconductor chip for more efficient radiation decoupling are conceivable, for example periodic structures, the structural elements with lateral Have dimensions less than or equal to the wavelength of the emitted radiation from the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip preferably comprises a current spreading layer, which is applied to the side of the semiconductor layer sequence facing the front side of the semiconductor chip and comprises a material from the group of TCOs.
  • the current spreading layer advantageously results in that current, which is impressed on the front side into the semiconductor chip, is laterally distributed as evenly as possible into the semiconductor layer sequence and in particular into its active radiation-generating region. This leads to an increase in the generation of radiation with constant energization and also to a more homogeneous
  • a current spreading layer made of TCO can advantageously be made significantly thinner than a current spreading layer made of semiconductor material.
  • a current spreading layer of TCO absorbs significantly less radiation compared to a current spreading layer of a material having a higher absorption coefficient for the radiation of the semiconductor chip.
  • an electrically conductive bonding Päd For the front-side electrical contacting of the semiconductor chip whose front side comprises in a preferred embodiment, an electrically conductive bonding Päd.
  • the semiconductor chip for example by means of a bonding wire, with an electrical connection of a housing or an electrical connection track of a circuit board electrically conductive be connected.
  • FIG. 1 a schematic sectional view of a semiconductor chip according to a first exemplary embodiment
  • FIG. 2 schematic sectional view of a semiconductor chip according to a second exemplary embodiment
  • FIG. 3 a schematic sectional view of a semiconductor chip according to a third embodiment
  • Figure 4 a schematic sectional view of a semiconductor chip according to a fourth embodiment.
  • the semiconductor chip comprises a semiconductor layer sequence 1 with an n-side applied current spreading layer 2, an n-cladding layer 3, an active region 4, a p-cladding layer 5 and a p-contact layer 6.
  • the active region 4 is between the p-cladding layer 5 and the n-cladding layer 3, wherein the n-cladding layer 3 between the active region 4 and the Radiation-emitting front side 7 of the semiconductor chip and the p-type cladding layer 5 between the active region 4 and the back 8 of the semiconductor chip are arranged.
  • the p-contact layer 6 is applied to the side of the p-type cladding layer 5, which faces the rear side 8 of the semiconductor chip, while the current-spreading layer 2 is arranged downstream of the n-type cladding layer 3 in the emission direction of the semiconductor chip.
  • On the StromaufWeitungs für 2 further comprises a front-side electrical Bond Päd 9 is applied, extend from which, for example, contact fingers laterally over the front side 7 of the semiconductor chip (not shown in the figure) and on a bonding wire for electrically contacting the semiconductor chip with an electrically conductive region a housing or a board can be applied.
  • a support layer 10 is further formed, which is electrically conductive and transmissive to radiation of the semiconductor chip.
  • the semiconductor chip may also be provided to be electrically contacted on the front side, dispensing with a bonding wire, for example by means of an electrically conductive layer which electrically conductively connects the front side 7 of the semiconductor chip to an electrically conductive region of a housing or a printed circuit board.
  • the semiconductor layer sequence 1 is based here on a phosphide compound semiconductor material.
  • the active region 4 includes, for example, undoped InGaAlP, has a thickness between 100 nm and 1 .mu.m and generates in operation electromagnetic radiation from the yellow to red spectral range of visible light.
  • the n-cladding layer 3 includes n-doped and p-clad layer 5 p-doped InAlP.
  • the cladding layers 3, 5 each have a thickness of between 200 nm and 1 ⁇ m.
  • the p-type contactor 6 comprises highly p-doped AlGaAs and is between 50 nm and 200 nm thick.
  • the current spreading layer 2 comprises InGaAlP or AlGaAs and preferably has a thickness between 1 ⁇ m and 10 ⁇ m.
  • the active region 4 for radiation generation comprises, for example, a pn junction, a double heterostructure, a single quantum well or a
  • the purpose of the n-cladding layer 3 and the p-cladding layer 5 is to confine the respective charge carriers to the active region 4.
  • the p-type contact layer 6 further serves to produce an improved electrical contact, preferably with an ohmic current-voltage characteristic, to the support layer 10, while with the aid of the current expansion layer 2, current which is impressed into the semiconductor chip via the front-side bond pad 9, lateral as evenly as possible in the
  • Semiconductor layer sequence 1 and in particular in the active, radiation-generating region 4 is distributed.
  • the semiconductor layer sequence 1 is epitaxially grown, for example, on a GaAs growth substrate.
  • the supporting layer 10 is formed on the side of the p-contact layer 6 facing the rear side 8 of the semiconductor chip, for example by a deposition or coating method.
  • the support layer 10 may be applied epitaxially, by sputtering or by means of a sol-gel process. Sol-gel processes for Application of TCO layers are described, for example, in the publications DE 197 19 162 A1 and L. Spanhel et al.
  • the thickness of the support layer 10 in the embodiment according to FIG. 1 is between 50 ⁇ m and 100 ⁇ m and mechanically stabilizes the semiconductor chip sufficiently so that the growth substrate can be removed after the application of the support layer 10.
  • the removal of the growth substrate takes place, for example, by grinding and / or selective wet-chemical etching.
  • the semiconductor chip comprises a roughened front side 7, which can be produced, for example, by etching.
  • the roughening of the front side of the semiconductor chip 7 allows a better decoupling of the radiation from the semiconductor chip in the environment, since radiation losses due to multiple reflection at the interfaces semiconductor body / environment are usually reduced.
  • the rear side 8 of the semiconductor chip of FIG. 2 comprises a metal layer 14, which is intended to improve the electrical contact to a conductive adhesive or solder, by means of which the semiconductor chip is mounted in a housing or on a circuit board at a later time.
  • the metal layer 14 reflects radiation generated within the semiconductor layer sequence 1 back into it.
  • the metal layer 14 has, for example, gold or aluminum.
  • the semiconductor chip of the exemplary embodiment according to FIG. 3 comprises a reflective layer, in the present case a DBR mirror 11, which is arranged between the p-cladding layer 5 and the p-contact layer 6.
  • the DBR mirror 11 has a series of layers, in the present case between ten and twenty, which alternately have a high and a low refractive index.
  • the DBR mirror for reflecting the radiation from the yellow to red spectral range of visible light for example, based on AlGaAs or AlGaInP, each varying the refractive indices by varying the Al and / or the Ga content of the layers ,
  • the semiconductor chip comprises an n-contact layer 12 of highly n-doped AlGaAs having a thickness of between 50 and 200 nm, which faces on the side facing the front side 7 of the semiconductor chip the n-cladding layer 3 is arranged.
  • the n-contact layer 12 is, as seen from the Semiconductor layer sequence, an n-side
  • the current spreading layer 2 which comprises a TCO and has a thickness of between 200 nm and 1 ⁇ m.
  • contact points may be arranged between these two layers, for example of AuGe (in the figure not shown).
  • a TCO contact layer 13 comprising a TCO is arranged between the p-contact layer 6 and the TCO support layer 10.
  • the TCO contact layer 13 does not necessarily have the same material as the support layer 10 and contributes to improved electrical contact with preferably ohmic current-voltage characteristics between the support layer 10 and the semiconductor layer sequence 1.
  • a TCO contact layer 13 can also be present in the three exemplary embodiments described above.

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Abstract

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip offenbart, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite (7) emittiert, mit: - einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (4) , der geeignet ist, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und - einer auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildeten, freitragenden und elektrisch leitenden mechanischen Stützschicht (10) , die die Halbleiterschichtenfolge (1) mechanisch stützt und für Strahlung des Halbleiterchips durchlässig ist.

Description

Beschreibung
Optoelektronischer Halbleiterchip
Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip .
In der Druckschrift EP 0 905 797 A2 werden strahlungsemittierende Halbleiterchips mit Halbleiterschichtenfolgen offenbart, die epitaktisch auf einem Wachstumssubstrat gewachsen sind. Da das Wachstumssubstrat in der Regel einen Teil der elektromagnetischen Strahlung absorbiert, die innerhalb des Schichtenstapels erzeugt wird, wird in der Druckschrift EP 0 905 797 A2 vorgeschlagen, den epitaktischen Schichtenstapel mit Hilfe eines gesonderten Verbindungsmittels an einem gesonderten Trägerkörper zu befestigen und das Wachstumssubstrat zu entfernen. Das Verbinden der Halbleiterschichtenfolge mit dem gesonderten Trägerkörper durch ein gesondertes Verbindungsmittel und das Entfernen des Wachstumssubstrates stellen hierbei relativ aufwändige Prozessschritte dar, bei denen weiterhin die Gefahr besteht, dass die Halbleiterschichtenfolge geschädigt wird.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen optoelektronischen Halbleiterchip mit guter
Strahlungsausbeute anzugeben, der einfach hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird durch einen optoelektronischen Halbleiterchip mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen und Ausführungsformen des Halbleiterchips sind in den Unteransprüchen 2 bis 18 angegeben .
Ein optoelektronischer Halbleiterchip gemäß der Erfindung, der elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite emittiert, umfasst insbesondere:
- eine Halbleiterschichtenfolge mit einem aktiven Bereich, der geeignet ist, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und
- eine auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildete, freitragende und elektrisch leitende mechanische Stützschicht, die die Halbleiterschichtenfolge mechanisch stützt und für die Strahlung des Halbleiterchips durchlässig ist.
Im Unterschied zu den Halbleiterchips gemäß dem Stand der Technik bietet der Halbleiterchip mit den Merkmalen des Anspruches 1 den Vorteil, dass auf einen gesondert und separat von der Halbleiterschichtenfolge hergestellten Trägerkörper sowie ein Wachstumssubstrat zur mechanischen Stabilisierung der Halbleiterschichtenfolge verzichtet wird. Stattdessen ist eine elektrisch leitende und freitragende, also eine ohne weitere Hilfsmittel mechanische stabile, Stützschicht auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildet, die durchlässig für die Strahlung des Halbleiterchips ist. Diese Stützschicht ist gegenüber einem gesonderten separat gefertigten Trägerkörper besonders einfach auf die Halbleiterschichtenfolge aufzubringen und ermöglicht daher eine vereinfachte Herstellung des Halbleiterchips beispielsweise gegenüber einem Dünnfilm-Halbleiterchip der Druckschrift EP 0 905 797 A2. Da die Stützschicht elektrisch leitend ist, kann der Halbleiterchip einfach, beispielsweise mit Hilfe eines leitfähigen Klebers oder eines Lots, über die Stützschicht elektrisch kontaktiert werden.
Da die Stützschicht weiterhin für die Strahlung des Halbleiterchips durchlässig ausgebildet ist, absorbiert sie vorteilhafterweise keine oder nur einen vergleichsweise geringen Teil der Strahlung, die in der
Halbleiterschichtenfolge im Betrieb erzeugt wird. Dies trägt zu einer erhöhten Strahlungsausbeute des Halbleiterchips gegenüber einem Halbleiterchip mit einem absorbierenden Substrat, beispielsweise einem Wachsumssubstrat, bei.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist die Stützschicht auf oder an der von der Vorderseite des Halbleiterchips abgewandten Rückseite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet, da dann die Halbleiterschichtenfolge in aufeinander folgenden Prozessschritten gefertigt werden kann.
Es ist aber auch denkbar, dass die Stützschicht in der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist und angrenzend an zwei Seiten der Stützschicht Halbleiterschichten der Halbleiterschichtenfolge angeordnet sind. Der aktive Bereich der Halbleiterschichtenfolge befindet sich jedoch bevorzugt zwischen der Vorderseite des Halbleiterchips und der Stützschicht, da in diesem Fall die Dicke des Materials verringert ist, das die Strahlung auf ihrem Weg zur Vorderseite des Halbleiterchips durchdringen muss.
Besonders bevorzugt weist die Stützschicht einen kleineren Brechungsindex auf als die Halbleiterschichtenfolge. Im Zweifel ist mit dem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge ein über die
Halbleiterschichtenfolge gemittelter Wert zu verstehen. Wenn der aktive, strahlungserzeugende Bereich der Halbleiterschichtenfolge zwischen Stützschicht und Vorderseite des Halbleiterchips angeordnet ist, bringt dies den Vorteil mit sich, dass ein wesentlicher Teil der elektromagnetischen Strahlung des aktiven Bereiches, der auf eine Grenzfläche Stützschicht/Halbleiterschichtenfolge trifft, dort bereits in die Halbleiterschichtenfolge zurück reflektiert wird und nicht in die Stützschicht eindringt. Materialien, die in der Regel einen deutlich kleineren Brechungsindex aufweisen, als die bekannten, herkömmlich verwendeten Halbleitermaterialien für optoelektronische Halbleiterchips, sind beispielsweise transparente leitende Oxide, auf die untenstehend noch näher eingegangen wird.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge des Halbleiterchips epitaktisch gewachsen.
Der aktive Bereich des Halbleiterchips umfasst bevorzugt einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur oder besonders bevorzugt eine Mehrfachquantentopfstruktur zur Strahlungserzeugung. Die Bezeichnung „QuantentopfStruktur" beinhaltet hierbei keine Angabe über die Dimensionalität der Quantentopfstruktur . Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge , Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.
Die Halbleiterschichtenfolge basiert beispielsweise auf einem Ill/V-Verbindungshalbeitermaterial, wie einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial, einem Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial oder einem Arsenid- Verbindungshalbleitermaterial .
Vorliegend bedeutet „basiert auf Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial", dass zumindest ein Teil der Halbleiterschichtenfolge ein Nitrid/III- Verbindungshalbleitermaterial umfasst, vorzugsweise AlnGamIni-n-mN, wobei O ≤ n ≤ l, O ≤ m ≤ l und n+m < 1. Dabei muss dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIni-n-mN-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, N) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
Äquivalent bedeutet vorliegend „basiert auf Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial", dass zumindest ein Teil der Halbleiterschichtenfolge ein Phosphid/III- Verbindungshalbleitermaterial umfasst, vorzugsweise AlnGanJIn1-H-H1P, wobei O ≤ n ≤ l, O ≤ m ≤ l und n+m ≤ 1. Dabei muss auch dieses Material nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen. Vielmehr kann es ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIni-n-mP-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Der Einfachheit halber beinhaltet obige Formel jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, P) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können. Ebenfalls äquivalent zu „basiert auf Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial" und „basiert auf Phosphid- Verbindungshalbleitermaterial" bedeutet vorliegend „basiert auf Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial", dass zumindest ein Teil der Halbleiterschichtenfolge ein Arsenid/III- Verbindungshalbleitermaterial umfasst, vorzugsweise AlnGamIni-n-mAs , wobei O ≤ n ≤ l, O ≤ m ≤ l und n+m < 1. Auch dieses Material muss nicht zwingend eine mathematisch exakte Zusammensetzung nach obiger Formel aufweisen und kann ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen, die die charakteristischen physikalischen Eigenschaften des AlnGamIni_n-mAs-Materials im Wesentlichen nicht ändern. Wiederum beinhaltet obige Formel der Einfachheit halber jedoch nur die wesentlichen Bestandteile des Kristallgitters (Al, Ga, In, As) , auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt sein können.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform umfasst die Stutzschicht ein Material aus der Gruppe der transparenten leitenden Oxide („transparent conductive oxide", kurz TCO) . Diese sind, wie der Name schon sagt, elektrisch leitend und durchlässig für elektromagnetische Strahlung, insbesondere für sichtbares Licht.
Transparente leitende Oxide sind in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO) . Neben binären MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre
MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs . Weiterhin entsprechend die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrische Zusammensetzung und können weiterhin auch p- sowie n-dotiert sein.
Die Stützschicht, die ein TCO umfasst, ist bei einer Ausführungsform durch ein Abscheide- oder Beschichtungsverfahren, beispielsweise mit einem Epitaxieprozess, durch Sputtern oder einem Sol-Gel-Prozess aufgebracht .
Die Stützschicht ist bevorzugt nicht dicker ausgebildet als es eine zuverlässige mechanische Stabilität des Halbleiterchips erfordert, um zum einen die Prozesszeiten bei der Herstellung des Halbleiterchips zu verringern und zum anderen den Halbleiterchip so dünn wie möglich ausbilden zu können.
Bevorzugt beträgt die Dicke der Stützschicht zwischen 50 μm und 100 μm, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stützschicht eine TCO- Kontaktschicht angeordnet, die ein TCO umfasst. In diesem Fall kann der elektrische Kontakt zwischen
Halbleiterschichtenfolge und Stützschicht verbessert werden, indem insbesondere auch die Stützschicht ein Material aus der Gruppe der TCOs umfasst. Ein verbesserter elektrischer Kontakt zwischen Stützschicht und Halbleiterschichtenfolge weist insbesondere eine ohmsche Strom-Spannungs- Charakteristik auf. Die TCO-Kontaktschicht ist zweckmäßigerweise wesentlich dünner ausgebildet als die Stützschicht. Bevorzugt ist die Dicke der TCO-Kontaktschicht um ein bis zwei Größenordnungen kleiner als die Dicke der Stützschicht und liegt besonders bevorzugt zwischen 1 und 5 μm. Für den Fall, dass sowohl die TCO-Kontaktschicht als auch die Stützschicht ein TCO-Material umfasst, muss es sich dabei weder um das gleiche TCO-Material handeln, noch müssen die TCO-Materialien mit derselben Methode aufgebracht werden können. Die TCO-Materialien können vielmehr jeweils hinsichtlich ihrer gewünschten Funktion speziell angepasst werden.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform ist zwischen dem aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge und der Rückseite des Halbleiterchips, die dessen Vorderseite gegenüberliegt, besonders bevorzugt zwischen
Halbleiterschichtenfolge und Stützschicht eine reflektierende Schicht angeordnet, die die Strahlung des Halbleiterchips reflektiert. Mit Hilfe einer solchen Schicht kann die Reflexion von elektromagnetischer Strahlung, die von der Halbleiterschichtenfolge in Richtung Stützschicht ausgesandt wird, zurück in die Halbleiterschichtenfolge verbessert werden. Dadurch kann die Strahlungsausbeute des Halbleiterchips verbessert werden.
Die reflektierende Schicht kann hierbei auch aus mehreren Schichten aufgebaut oder beispielsweise auch nur teilflächig bzw. lateral strukturiert ausgebildet sein.
Besonders bevorzugt wird als reflektierende Schicht ein Distributed-Bragg-Reflektor-Spiegel (kurz „DBR-Spiegel") eingesetzt. Ein DBR-Spiegel umfasst eine Folge von Schichten, deren Brechungsindizes alternierend hoch und niedrig sind. Ein DBR-Spiegel reflektiert insbesondere Strahlung, die senkrecht zu seiner Oberfläche einfällt. Weist die Stützschicht einen kleineren Brechungsindex auf als die angrenzende Halbleiterschichtenfolge, wird insbesondere schräg zur Grenzfläche Halbleitermaterial/Stützschicht einfallende Strahlung an dieser Grenzfläche in der Regel reflektiert, während senkrecht zu dieser Grenzfläche einfallende Strahlung durch die Stütz Schicht dringt und nicht zur Strahlungsleistung des Halbleiterchips beiträgt. Daher ist ein DBR-Spiegel zwischen dem aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge und der Stützschicht besonders geeignet, die Strahlungsausbeute des Halbleiterchips zu erhöhen.
Zusätzlich oder alternativ zu der reflektierenden Schicht zwischen dem aktiven Bereich der Halbleiterschichtenfolge und der Stützschicht umfasst die Rückseite des Halbleiterchips bevorzugt eine Metallschicht. Diese lenkt zum einen, wie die oben beschriebene reflektierende Schicht zwischen aktivem Bereich der Halbleiterschichtenfolge und Stützschicht, Strahlung zur Vorderseite des Halbleiterchips und erhöht damit dessen Strahlungsausbeute. Zum anderen verbessert die Metallschicht in der Regel den elektrischen Kontakt der Rückseite des Halbleiterchips zu einem Leitkleber oder einer Lötschicht, die häufig verwendet werden, um den Halbleiterchip später in einem Gehäuse oder auf einer Platine zu montieren.
Weiterhin ist die Vorderseite des Halbleiterchips bevorzugt aufgeraut . Die Aufrauung der Vorderseite des Halbleiterchips verringert die Mehrfachreflexion von Strahlung an den Oberflächen des Halbleiterchips und trägt daher zur verbesserten Strahlungsauskopplung bei. Es sind auch andere Strukturen an der Vorderseite des Halbleiterchips zur effizienteren Strahlungsauskopplung denkbar, beispielsweise periodische Strukturen, die Strukturelemente mit lateralen Abmessungen kleiner oder gleich der Wellenlänge der vom Halbleiterchip emittierten Strahlung aufweisen.
Bevorzugt umfasst der Halbleiterchip eine Stromaufweitungsschicht, die auf der zur Vorderseite des Halbleiterchips gewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und ein Material aus der Gruppe der TCOs umfasst. Die Stromaufweitungsschicht führt vorteilhafterweise dazu, dass Strom, der vorderseitig in den Halbleiterchip eingeprägt wird, lateral möglichst gleichmäßig in die Halbleiterschichtenfolge und insbesondere in deren aktiven Strahlungserzeugenden Bereich verteilt wird. Dies führt zu einer Erhöhung der Strahlungserzeugung bei gleich bleibender Bestromung und auch zu einer homogeneren
Abstrahlcharakteristik des Halbleiterchips. Weiterhin kann eine Stromaufweitungsschicht aus TCO vorteilhafterweise deutlich dünner ausgebildet werden als eine Stromaufweitungsschicht aus Halbleitermaterial. Außerdem absorbiert eine Stromaufweitungsschicht aus TCO im Vergleich mit einer Stromaufweitungsschicht aus einem Material mit einem höheren Absorptionskoeffizienten für die Strahlung des Halbleiterchips deutlich weniger Strahlung.
Zur vorderseitigen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips umfasst dessen Vorderseite bei einer bevorzugten Ausführungsform einen elektrisch leitenden Bond- Päd. Über diesen elektrisch leitenden Bond-Pad kann der Halbleiterchip, beispielsweise mittels eines Bonddrahts, mit einem elektrischen Anschluss eines Gehäuses oder einer elektrischen Anschlussbahn einer Platine elektrisch leitend verbunden sein. Im Folgenden wird die Erfindung anhand von vier Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den Figuren 1 bis 4 näher erläutert .
Es zeigen:
Figur 1, schematische Schnittdarstellung eines Halbleiterchips gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel,
Figur 2, schematische Schnittdarstellung eines Halbleiterchips gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
Figur 3, schematische Schnittdarstellung eines Halbleiterchips gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel, und
Figur 4, schematische Schnittdarstellung eines Halbleiterchips gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel.
In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie z. B. Schichtdicken, zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 1 umfasst der Halbleiterchip eine Halbleiterschichtenfolge 1 mit einer n- seitig aufgebrachten StromaufWeitungsschicht 2, einer n- Mantelschicht 3, einem aktiven Bereich 4, einer p- Mantelschicht 5 und einer p-Kontaktschicht 6. Der aktive Bereich 4 ist zwischen der p-MantelSchicht 5 und der n- Mantelschicht 3 angeordnet, wobei die n-Mantelschicht 3 zwischen dem aktiven Bereich 4 und der Strahlungsemittierenden Vorderseite 7 des Halbleiterchips und die p-Mantelschicht 5 zwischen dem aktiven Bereich 4 und der Rückseite 8 des Halbleiterchips angeordnet sind. Die p- Kontaktschicht 6 ist auf die Seite der p-Mantelschicht 5 aufgebracht, die der Rückseite 8 des Halbleiterchips zugewandt ist, während die StromaufWeitungsschicht 2 der n- Mantelschicht 3 in Abstrahlrichtung des Halbleiterchips nachgeordnet ist. Auf die StromaufWeitungsschicht 2 ist weiterhin ein vorderseitiger elektrischer Bond-Päd 9 aufgebracht, von dem sich beispielsweise Kontaktfinger lateral über die Vorderseite 7 des Halbleiterchips erstrecken (in der Figur nicht dargestellt) und auf den ein Bondraht zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips mit einem elektrisch leitenden Bereich eines Gehäuses oder einer Platine aufgebracht werden kann. Auf die zur Rückseite 8 des Halbleiterchips weisende Seite der p-Kontaktschicht 6 ist weiterhin eine Stützschicht 10 ausgebildet, die elektrisch leitend und durchlässig für Strahlung des Halbleiterchips ist.
Alternativ kann der Halbleiterchip auch dazu vorgesehen sein, vorderseitig unter Verzicht auf einen Bonddraht elektrisch kontaktiert zu werden, beispielsweise mittels einer elektrisch leitenden Schicht, die die Vorderseite 7 des Halbleiterchips mit einem elektrisch leitenden Bereich eines Gehäuses oder einer Platine elektrisch leitend verbindet.
Die Halbleiterschichtenfolge 1 basiert vorliegend auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial . Der aktive Bereich 4 umfasst beispielsweise undotiertes InGaAlP, weist eine Dicke zwischen 100 nm und 1 μm auf und erzeugt im Betrieb elektromagnetische Strahlung aus dem gelben bis roten Spektralbereich des sichtbaren Lichtes. Die n-Mantelschicht 3 umfasst n-dotiertes und die p-Mantelschicht 5 p-dotiertes InAlP. Die Mantelschichten 3, 5 weisen jeweils eine Dicke zwischen 200 rnn und 1 μm auf. Die p-Kontaktschient 6 umfasst hoch p-dotiertes AlGaAs und ist zwischen 50 nm und 200 ran dick. Die StromaufWeitungsschicht 2 umfasst InGaAlP oder AlGaAs und hat vorzugsweise eine Dicke zwischen 1 μm und 10 μm.
Wie bereits im allgemeinen Teil der Beschreibung erwähnt, umfasst der aktive Bereich 4 zur Strahlungserzeugung beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, einen Einfachquantentopf oder eine
MehrfachguantentopfStruktur. Die n-Mantelschicht 3 und die p- Mantelschicht 5 haben die Aufgabe, die jeweiligen Ladungsträger auf den aktiven Bereich 4 einzugrenzen. Die p- Kontaktschicht 6 dient weiterhin dazu, einen verbesserten elektrischen Kontakt, bevorzugt mit ohmscher Strom-Spannungs- Charakteristik, zur Stützschicht 10 herzustellen, während mit Hilfe der Stromaufweitungsschicht 2 Strom, der über den vorderseitigen Bond-Päd 9 in den Halbleiterchip eingeprägt wird, lateral möglichst gleichmäßig in die
Halbleiterschichtenfolge 1 und insbesondere in den aktiven, Strahlungserzeugenden Bereich 4 verteilt wird.
Die Halbleiterschichtenfolge 1 wird vorliegend epitaktisch beispielsweise auf einem GaAs-WachstumsSubstrat gewachsen. Nachfolgend wird auf die zur Rückseite 8 des Halbleiterchips gewandte Seite der p-Kontaktschicht 6 die Stützschicht 10 ausgebildet, beispielsweise durch ein Abscheide- oder Beschichtungsverfahren. Diese umfasst ein TCO, vorliegend Aluminium-dotiertes Zinkoxid ZnO:Al(2%). Die Stützschicht 10 kann epitaktisch, mittels Sputtern oder mit Hilfe eines SoI- Gel-Prozesse aufgebracht werden. Sol-Gel-Prozesse zur Aufbringung von TCO-Schichten sind beispielsweise in den Druckschriften DE 197 19 162 Al und L. Spanhel et al . , „Semiconductor Clusters in Sol-Gel Processi Quantized Aggregation, Gelation and Crystal Growth in Concentrated ZnO Colloids, J. Am. Chem. Soc . (1991), 113, 2826-2833 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt diesbezüglich jeweils durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Dicke der Stützschicht 10 beträgt bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 1 zwischen 50 μm und 100 μm und stabilisiert den Halbleiterchip mechanisch ausreichend, so dass das Wachstumssubstrat nach dem Aufbringen der Stützschicht 10 entfernt werden kann. Das Entfernen des Wachstumssubstrates erfolgt beispielsweise durch Schleifen und/oder selektives nasschemisches Ätzen.
Auf Grund des Unterschiedes zwischen dem Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge 1 (n (InGaAlP) «3.5) und dem Brechungsindex der Stützschicht 10 (n(ZnO) »1.85) wird bei dem Halbleiterchip der Figur 1 Strahlung, die im aktiven Bereich 4 der Halbleiterschichtenfolge 1 erzeugt wird und auf die Grenzfläche Halbleiterschichtenfolge l/Stützschicht 10 trifft, in die Halbleiterschichtenfolge 1 zurück reflektiert.
Im Unterschied zu dem Halbleiterchip gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1, umfasst der Halbleiterchip bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 2 eine aufgeraute Vorderseite 7, die beispielsweise durch Ätzen erzeugt werden kann. Die Aufrauung der Vorderseite des Halbleiterchips 7 ermöglicht eine bessere Auskoppelung der Strahlung aus dem Halbleiterchip in die Umgebung, da Strahlungsverluste aufgrund von Mehrfach-Reflexion an den Grenzflächen Halbleiterkörper/Umgebung in der Regel vermindert werden. Weiterhin umfasst die Rückseite 8 des Halbleiterchips der Figur 2 eine MetallSchicht 14, die vorgesehen ist, den elektrischen Kontakt zu einem Leitkleber oder Lot zu verbessern, mittels derer der Halbleiterchip zu einem späteren Zeitpunkt in einem Gehäuse oder auf einer Platine montiert wird. Weiterhin reflektiert die Metallschicht 14 Strahlung, die innerhalb der Halbleiterschichtenfolge 1 erzeugt wird, in diese zurück. Die Metallschicht 14 weist beispielsweise Gold oder Aluminium auf .
Im Unterschied zu den Ausführungsbeispielen gemäß Figur 1 und Figur 2 umfasst der Halbleiterchip des Ausführungsbeispiels gemäß der Figur 3 eine reflektierende Schicht, vorliegend einen DBR-Spiegel 11, der zwischen der p-Mantelschicht 5 und der p-Kontaktschicht 6 angeordnet ist. Der DBR-Spiegel 11 weist eine Folge von Schichten auf, vorliegend zwischen zehn und zwanzig, die alternierend einen hohen und einen niedrigen Brechungsindex aufweisen. In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann der DBR-Spiegel zur Reflektion der Strahlung aus dem gelben bis roten Spektralbereich des sichtbaren Lichtes beispielsweise auf AlGaAs oder AlGaInP basieren, wobei jeweils durch Variation des Al- und/oder des Ga-Gehaltes der Schichten die Brechungsindizes alternierend variiert werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 4 umfasst der Halbleiterchip im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 1 eine n-Kontaktschicht 12 aus hoch n- dotiertem AlGaAs mit einer Dicke zwischen 50 und 200 nm, die auf der zur Vorderseite 7 des Halbleiterchips hin gewandten Seite der n-Mantelschicht 3 angeordnet ist. Der n- Kontaktschicht 12 ist, gesehen von der Halbleiterschichtenfolge, eine n-seitige
StromaufWeitungsschicht 2 nachgeordnet, die ein TCO umfasst und eine Dicke zwischen 200 nm und 1 μm aufweist. Um den elektrischen Kontakt zwischen der n-Kontaktschicht 12 und der n-seitigen StromaufWeitungsschicht 2 aus TCO zu verbessern, bevorzugt derart, dass dieser eine ohmsche Strom-Spannungs- Charakteristik aufweist, können zwischen diesen beiden Schichten Kontaktstellen angeordnet sein, beispielsweise aus AuGe (in der Figur nicht dargestellt) .
Weiterhin ist bei dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 4 eine TCO-Kontaktschicht 13, die ein TCO umfasst, zwischen der p-Kontaktschicht 6 und der TCO-Stützschicht 10 angeordnet. Die TCO-Kontaktschicht 13 weist hierbei nicht notwendigerweise dasselbe Material auf wie die Stützschicht 10 und trägt zu einem verbesserten elektrischen Kontakt mit bevorzugt ohmscher Strom-Spannungs-Charakteristik zwischen der Stützschicht 10 und der Halbleiterschichtenfolge 1 bei. Der Vollständigkeit halber sei darauf hingewiesen, dass eine solche TCO-Kontaktschicht 13 auch in den drei vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispielen vorhanden sein kann.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102005047168.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronischer Halbleiterchip, der im Betrieb elektromagnetische Strahlung von seiner Vorderseite (7) emittiert, mit:
- einer Halbleiterschichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (4) , der geeignet ist, die elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, und
- einer auf der Halbleiterschichtenfolge ausgebildeten, freitragenden und elektrisch leitenden mechanischen Stützschicht (10) , die die Halbleiterschichtenfolge (1) mechanisch stützt und für Strahlung des Halbleiterchips durchlässig ist.
2. Optoelektronischer Halbleiterchip nach Anspruch 1, bei dem die Stützschicht (10) auf der von der Vorderseite (7) des Halbleiterchips abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet ist.
3. Optoelektronischer Halbleiterchip nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der aktive Bereich (4) zwischen Stützschicht (10) und Vorderseite (7) des Halbleiterchips angeordnet ist.
4. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Stützschicht einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Halbleiterschichtenfolge.
5. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Halbleiterschichtenfolge (1) epitaktisch gewachsen ist .
6. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Stützschicht durch ein Abscheide- oder ein Beschichtungsverfahren ausgebildet ist.
7. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Stützschicht (10) ein Material aus der Gruppe der transparenten leitenden Oxide (TCOs) umfasst.
8. Optoelektronischer Halbleiterchip nach Anspruch 6 oder 7, bei dem die Stützschicht (10) epitaktisch, mittels Sputtern oder mit Hilfe eines Sol-Gel-Prozesses aufgebracht ist.
9. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Stützschicht (10) eine Dicke ≥ 50 μm und ≤ 100 μm aufweist.
10. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und der Stützschicht (10) eine TCO-Kontaktschicht (13) angeordnet ist, die einen elektrischen Kontakt zwischen der Halbleiterschichtenfolge (1) und der Stützschicht (10) herstellt und ein Material aus der Gruppe der transparenten leitenden Oxide (TCOs) umfasst.
11. Optoelektronischer Halbleiterchip nach Anspruch 10, bei dem die TCO-KontaktSchicht (13) eine Dicke aufweist, die ein bis zwei Größenordnungen kleiner ist, als die Dicke der Stützschicht (10) .
12. Optoelektronischer Halbleiterchip nach Anspruch 10, bei dem die TCO-Kontaktschicht (13) eine Dicke aufweist, die ≥ 1 μm und ≤ 5 μm ist.
13. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem zwischen dem aktiven Bereich (4) der Halbleiterschichtenfolge (1) und der Stützschicht (10) eine die Strahlung des Halbleiterchips reflektierende Schicht angeordnet ist .
14. Optoelektronischer Halbleiterchip nach Anspruch 13, bei dem die reflektierende Schicht ein DBR-Spiegel (11) (Distributed-Bragg-Reflector-Spiegel) ist .
15. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem eine Rückseite (8) des Halbleiterchips , die gegenüber dessen Vorderseite angeordnet ist, eine Metallschicht (14) umfasst .
16. Optoelektronischer Halbleiterchip nach Anspruch 15, bei dem die Metallschicht (14) reflektierend für die Strahlung des Halbleiterchips ausgebildet ist.
17. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, dessen Vorderseite (7) aufgeraut ist.
18. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der obigen Ansprüche, bei dem auf der zu dessen Vorderseite (7) gewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (1) eine StromaufWeitungsschicht (2) angeordnet ist, die ein Material aus der Gruppe der transparenten leitenden Oxide (TCO) umfasst .
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009019524B4 (de) * 2009-04-30 2023-07-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper mit einem reflektierenden Schichtsystem
CN105393374B (zh) * 2013-07-19 2019-05-28 亮锐控股有限公司 具有光学元件并且没有衬底载体的pc led

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0616376A1 (de) * 1993-03-19 1994-09-21 Hewlett-Packard Company Verbinden von Schichten einer lichtemittierenden Diode
US20030116770A1 (en) * 2001-12-26 2003-06-26 United Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode and method of making the same
US20040026709A1 (en) * 2000-04-26 2004-02-12 Stefan Bader Gan-based light emitting-diode chip and a method for producing a luminescent diode component
DE10329884A1 (de) * 2002-07-15 2004-03-04 Epistar Corp. Lichtemissionsdiode mit einer Kleberschicht und einer Reflexionsschicht und Herstellverfahren für diese
US20040188791A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Ray-Hua Horng Light emitting diode and method for producing the same
US20050205875A1 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Shih-Chang Shei Light-emitting diode

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5008718A (en) * 1989-12-18 1991-04-16 Fletcher Robert M Light-emitting diode with an electrically conductive window
JPH10223929A (ja) * 1996-12-05 1998-08-21 Showa Denko Kk ＡｌＧａＩｎＰ発光素子用基板
DE19719162C2 (de) * 1997-05-06 2001-02-08 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden ZnO enthaltenden Schicht auf einem Substrat
US20010020703A1 (en) * 1998-07-24 2001-09-13 Nathan F. Gardner Algainp light emitting devices with thin active layers
JP3881472B2 (ja) * 1999-04-15 2007-02-14 ローム株式会社 半導体発光素子の製法
TW437104B (en) * 1999-05-25 2001-05-28 Wang Tien Yang Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
DE19926958B4 (de) * 1999-06-14 2008-07-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht
JP2002204026A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Daido Steel Co Ltd 面発光デバイス
US20020117672A1 (en) * 2001-02-23 2002-08-29 Ming-Sung Chu High-brightness blue-light emitting crystalline structure
TW541710B (en) * 2001-06-27 2003-07-11 Epistar Corp LED having transparent substrate and the manufacturing method thereof
US7041529B2 (en) * 2002-10-23 2006-05-09 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Light-emitting device and method of fabricating the same
JP4766845B2 (ja) * 2003-07-25 2011-09-07 シャープ株式会社 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
JP4130163B2 (ja) * 2003-09-29 2008-08-06 三洋電機株式会社 半導体発光素子

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0616376A1 (de) * 1993-03-19 1994-09-21 Hewlett-Packard Company Verbinden von Schichten einer lichtemittierenden Diode
US20040026709A1 (en) * 2000-04-26 2004-02-12 Stefan Bader Gan-based light emitting-diode chip and a method for producing a luminescent diode component
US20030116770A1 (en) * 2001-12-26 2003-06-26 United Epitaxy Co., Ltd. Light emitting diode and method of making the same
DE10329884A1 (de) * 2002-07-15 2004-03-04 Epistar Corp. Lichtemissionsdiode mit einer Kleberschicht und einer Reflexionsschicht und Herstellverfahren für diese
US20040188791A1 (en) * 2003-03-31 2004-09-30 Ray-Hua Horng Light emitting diode and method for producing the same
US20050205875A1 (en) * 2004-03-17 2005-09-22 Shih-Chang Shei Light-emitting diode

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1929550A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP1929550A1 (de) 2008-06-11
JP2009510736A (ja) 2009-03-12
CN101278412A (zh) 2008-10-01
TW200717877A (en) 2007-05-01
DE102005047168A1 (de) 2007-04-12
KR20080069593A (ko) 2008-07-28
US20090121245A1 (en) 2009-05-14

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