WO2006115039A1

WO2006115039A1 - 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

Info

Publication number: WO2006115039A1
Application number: PCT/JP2006/307629
Authority: WO
Inventors: Junichi Ueno
Original assignee: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Priority date: 2005-04-20
Filing date: 2006-04-11
Publication date: 2006-11-02
Also published as: JP2006303136A

Abstract

　両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ウェーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの母体の材質が樹脂であり、該キャリア母体の表面をＤＬＣ膜でコーティングしたものである両面研磨装置用キャリア。これにより、ウェーハの両面研磨の際に、ウェーハへの金属汚染がなく、耐久性が良くて、効率良く両面研磨して高い平坦度を有する高品質のウェーハを生産することを可能とする両面研磨装置用キャリアが提供される。　

Description

明細書

両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法

技術分野

[0001] 本発明は、両面研磨装置において、半導体ゥーハを研磨する際に半導体ゥーハを保持する両面研磨装置用キャリアに関する。背景技術

[0002] 従来、例えば半導体ゥーハの両面をポリツシング等で研磨する際、キャリアによつて半導体ゥエーハを保持して行っている。すなわち、このキャリアは、半導体ゥエーハより薄い厚みに形成され、両面研磨装置の上定盤と下定盤の間の所定位置に保持し得るようにされるとともにゥエーハ保持孔を備えている。そしてこのゥエーハ保持孔に半導体ゥヱーハを挿入して保持し、上定盤と下定盤の対内面に設けられた研磨布等の研磨具で半導体ゥヱーハの上下面を挟み込み、研磨面に研磨剤を供給しながら研磨するようにしている。

[0003] このようなキャリアとしては金属製のもの、金属板の表裏面に榭脂をコーティングしたもの、または榭脂製のものが一般的に良く知られている。

し力しながら、金属製のもの、そして金属板の表面に単に榭脂層を被着させるだけのものでは研磨中に榭脂層が剥離しやすく金属板が露出してしまい、金属不純物汚染という半導体ゥエーハにとって致命的な欠陥が生じることがあり、製品の歩留まりが悪くなつてしまう。

また、この金属不純物汚染への対応力も榭脂製のものが使用されているが、寿命が短く容易に破壊されてしまうとヽぅ問題があった。

[0004] これらの問題を解決すベぐ例えば金属板に小孔をあけて、表裏の榭脂層を結合したキャリアが開示されているが、上述の問題点の決定的な解決には至っていない (特開平 9 207064号公報参照）。発明の開示

[0005] そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、半導体ゥヱーハの両面研磨の際に、ゥエーハへの金属汚染がなく、耐久性が良くて、効率良く両面研磨して高い平坦度を有する高品質のゥエーハを生産することを可能とする両面研磨装置用キャリア、及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法を提供することを目的とする。

[0006] 上記課題を解決するために、本発明は、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ゥエーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの母体の材質が榭脂であり、該キャリア母体の表面を DLC (Diamond Li ke Carbon)膜でコーティングしたものであることを特徴とする両面研磨装置用キヤリァを提供する。

[0007] このように、両面研磨装置用キャリアであって、キャリアの母体の材質が榭脂であり、母体表面を DLC膜でコーティングした両面研磨装置用キャリアであれば、金属汚染もなぐ安価で作製することができ、また表面の DLC膜のために硬度が高いことから、耐久性が向上してキャリアライフを延ばすことができる。このため、キャリアの交換頻度を減らすことができ、効率良く半導体ゥーハを両面研磨することが可能であり、コストを下げることができる。

また、従来の榭脂製キャリアと比較して表面粗さも小さぐキャリアを交換した時の立ち上げ時のキャリア研磨時間を短縮することができ、一層稼働率を向上させることができる。

さらに、硬度が高ぐ表面粗さが小さぐ研磨時においてキャリアの磨耗が少なくて厚さが安定しているため、高平坦度の半導体ゥエーハを得ることができる。

[0008] このとき、前記樹脂が、ガラスエポキシ榭脂、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン樹脂の、ずれかであることが望まし、。

これらの榭脂はキャリアの素材として、また、金属板の表面をコーティングする素材としてよく用いられている。さらに、安価で用意することができること力もコストの面でも有効である。 [0009] そして、前記 DLC膜がスパッタ蒸着法によりコーティングされたものであるのが望ましい。また、 DLC膜の厚さが 0. 3 μ m〜5 μ mであるのが望ましい。

このように、 DLC膜をスパッタ蒸着法によってキャリア母体にコーティングすれば、均一な厚さの膜とすることができる。特に、該膜の厚さが例えば 0. 3 μ m〜5 μ mの範囲であるならば、高、均一性を保持してコーティングすることが可能である。

[0010] また、キャリアの表面粗さが Raで 0. 01 μ m以下であるのが望ましい。

このようにキャリアの表面粗さが Raで特に 0. 01 m以下であれば、摩擦係数を小さいものとすることができる。摩擦係数を小さくすることができれば、キャリアは研磨時において磨耗しにくくなり、そのためキャリアの厚さはほとんど変化せず、このキャリアを用いて両面研磨を施せば高平坦度のゥエーハを得ることができる。また、キャリアの研磨時間を短縮できるのでキャリアの立ち上げに要する時間を大幅に短縮することが可能となる。

[0011] そして、少なくとも、前記本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置であれば、キャリア母体の表面を DLC膜でコーティングしており、硬度が高いために研磨時の磨耗が小さぐキャリアの傷や破損の発生を低減し、キャリアライフを延長することが可能である。従って、稼働率が著しく向上する。また、研磨時の磨耗が小さいことからキャリアの厚さが変化しにくぐ高平坦度の半導体ゥーハに両面研磨することができる。

[0012] また、半導体ゥーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に前記キャリアを配設し、該キャリアに形成された保持孔に半導体ゥエーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨するのが望ましい。

[0013] このように、前記本発明の両面研磨装置用キャリアの保持孔に半導体ゥエーハを保持して、上下定盤の間に挟み込んで両面研磨すれば、キャリア母体の表面に硬度の高い DLC膜をコーティングしているため、キャリアが磨耗'破損等しにくぐキャリアラィフを延ばすことができる。これによつて、キャリアの交換頻度を低くすることができるので、コストを低減し、効率良く半導体ゥエーハを両面研磨することが可能である。また、研磨時において、キャリアの厚さが変化しに《安定していることから、高い平坦度を有する半導体ゥエーハに仕上げることができる。し力も、榭脂製の母体に DLC膜をコーティングしたものであるから、半導体ゥエーハに対して不純物を生じさせることもない。

[0014] 本発明のように、両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ゥーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの母体の材質が榭脂であり、該キャリア母体の表面を DLC膜でコーティングした両面研磨装置用キャリアであれば、 Feなどの拡散係数の大き、金属不純物が存在しな!、こと力金属汚染を抑え、し力も安価で作製することができ、また表面の DLC膜のために硬度が高いことから、耐久性が向上してキャリアライフを延ばすことができる。このため、キヤリァの交換頻度を減らすことができ、効率良く半導体ゥエーハを両面研磨することが可能であり、コストを下げることができる。

さらに、研磨時にキャリアの磨耗が少なく厚さが安定しているため、高平坦度の半導体ゥエーハを生産することができる。

図面の簡単な説明

[0015] [図 1]本発明の両面装置用キャリアを具備した両面研磨装置の一例を示した縦断面図である。

[図 2]平面視による両面研磨装置の内部構造図である。

[図 3]本発明のキャリアの一例を示した概略図である（(A)：外観、 (B)：部分縦断面図。）。

[図 4] (A)実施例 4の測定結果である。 (B)比較例 5の測定結果である。

発明を実施するための最良の形態

[0016] 以下では、本発明の実施の形態について説明する力本発明はこれに限定されるものではない。

従来の両面研磨装置用キャリアには、例えば金属製のものや金属板の表面に榭脂コーティングを施したものがある。しかし、これらのキャリアを使用した場合、研磨時にぉ、てその保持する半導体ゥエーハへの金属不純物汚染が発生し、半導体ゥエーハの品質を下げてしまうことがあった。また、キャリアが榭脂製のものである場合、傷がつき易ぐ強度が不足しがちで容易に破損してしまうという問題があった。そのためキャリアの交換頻度も高くなり、数百バツチの加工毎にキャリア交換が行われ、また、交換の際のキャリア立ち上げ等に時間が費やされて装置稼働率が下がり、ゥエーハの生産効率の面における問題もあった

[0017] そこで本発明者らは、両面研磨装置用キャリアであって、キャリアの母体の材質が榭脂であり、母体表面を DLC膜でコーティングした両面研磨装置用キャリアを考え出した。

このような両面研磨装置用キャリアであれば、従来の榭脂製のキャリアや、表面が榭脂コーティングされたものに比べて硬度が十分に高く研磨時の磨耗も小さいためにキャリアライフを向上させることができ、ゥエーハの生産効率を比較的安価で向上することができるとともに、金属汚染も回避することができる。また、表面をコーティングするため、表面粗さも小さぐキャリアを交換した時の立ち上げ時のキャリア研磨時間を短縮することができ、一層稼働率を向上させることができる。さらに、硬度が高ぐ表面粗さが小さ、ためにキャリアの厚さが研磨時にぉ、ても変化することなぐそのため高平坦度の半導体ゥーハに両面研磨することができる。本発明者らはこれらのことを見出し、本発明を完成させた。

[0018] 以下では、本発明の実施の形態について図を用いて説明をする。

ここで、図 1は本発明の両面研磨装置用キャリアを具備した両面研磨装置の一例の縦断面図、図 2は平面視による両面研磨装置の内部構造図、図 3は本発明の両面研磨装置用キャリアの概略図である。

本発明の両面研磨装置用キャリアは、例えば半導体ゥーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置において、半導体ゥエーハを保持しておくキャリアの改良に関するものであり、まず両面研磨装置の概要について図 1及び図 2を用いて説明する。

[0019] 本発明の両面研磨装置用キャリア 1を具備した両面研磨装置 10は、上下に相対向して設けられた下定盤 11と上定盤 12を備えており、各定盤 11、 12の対向面側には、それぞ; W磨布 lla、 12aが貼付されている。また、上定盤 12の上部には研磨スラリーを供給するノズル 15、上定盤 12には貫通孔 16が設けられている。そして上定盤 12と下定盤 11の間の中心部にはサンギヤ 13が、周縁部にはインターナルギヤ 14が設けられている。半導体ゥヱーノ、 Wはキャリア 1の保持孔 4に保持され、上定盤 12と下定盤 11の間に挟まれて、る。

[0020] サンギヤ 13及びインターナルギヤ 14の各歯部にはキャリア 1の外周歯が嚙合しており、上定盤 12及び下定盤 11が不図示の駆動源によって回転されるのに伴い、キヤリア 1は自転しつつサンギヤ 13の周りを公転する。このとき半導体ゥエーハ Wはキヤリァ 1の保持孔 4で保持されており、上下の研磨布 11a及び 12aにより両面を同時に研磨される。なお、研磨時には、ノズル 15から貫通孔 16を通して研磨スラリーが供給される。

[0021] ここで、上記両面研磨装置 10に配設される本発明の両面研磨装置用キャリア 1について、図 3を用いて以下に説明する。

本発明のキャリア 1は、キャリア母体 17の材質が榭脂であり、その表面は DLC膜 18 でコーティングされている（図 3 (B) )。また、キャリア 1には保持孔 4があけられており、その保持孔 4の内周に沿ってゥエーハ Wのエッジ部に傷をつけな、ようにするための半導体ゥエーハ保持部 3が設けられている。また、キャリア 1には保持孔 4とは別に研磨液を通すための研磨液孔 2があけられており、外周部には外周歯 5が設けられている（図 3 (A) )。保持孔 4や研磨液孔 2の配置や個数は、図に示したものに限らず、任意に設定できる。

[0022] このように、本発明のキャリア 1は母体 17を榭脂製としており、榭脂の例としては、ガラスエポキシ榭脂、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などが挙げられる。キャリア母体 17が榭脂であるため、比較的安価で準備することができるそして、表面を DLC膜 18でコーティングしていることから、硬度が高ぐ従来のキヤリアに比べて例えばビッカース硬さを 5〜： LO倍にすることができる。また、研磨時において破損を少なくし、磨耗を小さくすることができるため、キャリアライフを延ばすことが可能である。このため、キャリアの交換頻度が減り、コストを下げることができる。さらに上述のように、研磨時に磨耗が小さくキャリア 1の厚さが変化しにくく安定しているために、半導体ゥーハ Wを仕上がり厚さに加工する際に加工時間の調整が容易であり、狙い通りに研磨して半導体ゥエーハ wを高平坦度にカ卩ェすることができる

[0023] この DLC膜 18の形成方法は特に限定されず、例えば、スパッタ蒸着法によってコ一ティングすることができる。スパッタ蒸着法であれば、特に、 0. 3〜5 /ζ πι程度の膜の厚さを想定した場合、キャリア 1の硬度を高くするのに十分な厚さであり、かつ、均一性を保持して形成することが可能である。また、他の方法として、 CVD法により堆積させてもよい。これらの形成方法であれば膜ムラも少なぐ均一な表面とすることが可能である。

[0024] また、例えば、表面粗さが Raで 0. 01 μ m以下であれば、摩擦係数を大幅に低減することができる。従来のキャリアでは、バリ取りと表面粗さの改善のために交換の際にキャリア研磨がまず行われる力本発明のように DLC膜 18でキャリア 1の表面をコ一ティングすることによって、表面粗さを例えば上記のような小さな値にすることができるので、少なくとも表面粗さ改善に要する時間の分だけ、キャリア研磨時間を短縮することができ、キャリアの立ち上げにかかる時間を短くすることができる。

[0025] そして、保持孔 4の周辺の保持部 3は例えばァラミド榭脂でできており、半導体ゥェーハ Wを保持する際に、半導体ゥヱーハ Wの面取り部を傷付けないよう保護するために設けられている。

研磨液孔 2は研磨時に供給される研磨スラリーを通すための穴であり、この穴を通じて下面側の研磨面にも満遍なく研磨スラリーが供給される。

外周歯 5は上述のようにサンギヤ 13、インターナルギヤ 14と嚙合し、研磨時、キヤリァ 1はサンギヤ 13の周りを自転及び公転する。

[0026] なお、上記では遊星式の両面研磨装置のキャリアを例として述べてきた力本発明の両面研磨装置用キャリアは遊星式に限定されず、揺動式の両面研磨装置のキヤリァに採用しても有効である。

[0027] このような本発明の両面研磨装置用キャリア 1を具備した両面研磨装置 10であれば、榭脂製のキャリア母体 17の表面を硬度の高い DLC膜 18でコーティングしているため、キャリア 1の磨耗'破損を抑えることができる。そして、これによつてキャリアライフが長くなる。また、研磨によるキャリア 1の磨耗が少ないので、キャリア厚さが変化しにくく安定している。このようにゥエーハ厚さの基準となるキャリア 1の厚さの変化が小さいと、例えば半導体ゥーハ wを仕上がり厚さに研磨する方法として、研磨加工前の半導体ゥエーハ wの厚さばらつきをカ卩ェ時間を増減して調整を行うが、キャリア厚さが変化しにくいので、最適加工時間の設定が容易になり、高平坦度の半導体ゥエーハ wを得ることがでさる。

[0028] そして、上記本発明の両面研磨装置用キャリア 1を両面研磨装置 10の研磨布 11a 、 12aが貼付された上下定盤 11、 12の間に配設し、保持孔 4で半導体ゥエーハ Wを保持して上下定盤 11、 12の間に挟み込み、研磨スラリーを供給しつつゥエーノ、 Wを両面研磨することができる。

このような方法であれば、キャリア母体 17の表面には硬い DLC膜 18をコーティングしているため、キャリア 1が磨耗'破損等しにくぐキャリアライフが延び、コストが低減されてゥエーハ Wの生産効率が向上するとともに、研磨時において磨耗しにくくキャリア 1の厚さが安定して、ることから、高平坦度のゥエーハ Wに仕上げることが可能である。さらに、榭脂製のキャリア母体 17に DLC膜 18をコーティングしたものであるため、ゥエーハ Wへの不純物汚染も生じな!/、。

[0029] 以下に本発明および比較例をあげてさらに具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

(実施例 1、比較例 1 · 2)

まず、従来のキャリアとして、材質がガラスエポキシ榭脂のキャリア (厚さ： 781 m、キャリアホール径： 300mm)を用意した。この従来のキャリアに、スパッタ蒸着法によつて表面に DLC膜 (厚さ :4 111)を形成し、本発明の両面研磨装置用キャリアとした。この本発明のキャリアの表面粗さを測定 (接触式粗さ計にて 1点測定)したところ、 R aで 0. 009 111でぁった（01^膜形成前にぉける表面粗さ1¾: 0. 04 /z m)。次に、両面研磨装置に上記のキャリアを配設して、キャリア研磨を行った（実施例 1)。

次に、上述のようなガラスエポキシ榭脂製の従来のキャリアを新たに 2枚用意し、同様に表面粗さを測定し、キャリア研磨を行った。表面粗さはそれぞれ Raで、 0. 03 m (比較例 1 )、 0. 10 m (比較例 2)であつた。

[0030] 実施例 1、比較例 1 · 2のいずれのキャリアも、バリが取れ、表面粗さが十分に改善されたところでキャリア研磨を終了した。このキャリアの立ち上げに要した時間は、それぞれ、 30分 (実施例 1)、 60分 (比較例 1)、 180分 (比較例 2)であった。

このように、本発明の両面研磨装置用キャリアであれば、キャリア立ち上げにかかる時間を大幅に短縮することが可能である。これは、元々従来の例えば榭脂製のキヤリァに比べて、本発明のキャリアの表面粗さがコーティングにより小さくなり、特に Raで 0. 01 m以下であれば、十分小さな値であり、キャリアを研磨することによる表面粗さ改善に要する時間を大幅に削減することができるからである。

[0031] (実施例 2、比較例 3)

次に、本発明と従来のキャリアを用意し、一定の研磨条件 (上下定盤 15rpm、加重 200g/cm²)でキャリアの厚さが規格外となるまで研磨し、力かった時間を計測した。本発明のキャリアとしてはガラスエポキシ榭脂のキャリア母体に DLC膜 (4 μ m)を形成したもの（キャリア厚さ： 782 μ m) (実施例 2)を、従来のキャリアとしてガラスェポキシ榭脂製のもの (キャリア厚さ： 780 μ m) (比較例 3)を用意した。

なお、この耐久実験前にそれぞれのキャリアの硬度を測定したところ、 1500Hv、 1 60Hvで約 10倍ほどの差があった。

[0032] 実施例 2、比較例 3の結果、キャリア厚さが規格外になるまでに要した時間は、およそ 30000分、 500分であった。

このように、本発明のキャリアは表面を硬い DLC膜で覆っているため、耐久'性が高ぐキャリアライフを従来のキャリアと比較して格段に延長することができる。

[0033] (実施例 3、比較例 4)

本発明のキャリア (ガラスエポキシ榭脂 + DLC膜)を用意し、両面研磨装置に配設して、半導体ゥヱーハを保持して研磨剤を供給しながら両面研磨を行って、キャリアの磨耗スピードを算出した。一度に 5枚のゥエーハを 40分間研磨し、全部で 2050枚のゥエーハ（410バッチ）を両面研磨した（実施例 3)。また、従来のキャリア (ガラスエポキシ榭脂製)を用意して、同様に一度に 5枚のゥェーハを保持して 40分間研磨し、全部で 30枚のゥェーハ（6バッチ）を両面研磨した ( 比較例 4)。

[0034] この結果、キャリアの磨耗スピードは実施例 3では 2. 44 X 10"¹⁰ μ m/min,比較例 4では 1. 74 X 10^_2 mZminとなり、桁違いの大きな差が生じた。

このように、本発明のキャリアでは、ゥハを保持して両面研磨を行っても、従来のキャリアに比べて磨耗スピードが格段に遅ぐ研磨時においてキャリア厚さの変化を十分に抑制することができる。したがって、キャリアの交換頻度を低減することができ、コストを大幅に下げることが可能になる。また、上述したように、研磨時においてキャリアの厚さが安定して、れば、高、平坦度を有するゥハを効率良く生産することがでさる。

[0035] (実施例 4、比較例 5)

本発明のキャリア (ガラスエポキシ榭脂 + DLC膜)を用いて半導体ゥハの両面研磨を行う。ゥハの加工前原料厚さと狙い仕上がり厚さの差をもとに加工時間を調整して設定をすることにより、狙い仕上がり厚さになるようゥに研磨加工を施した。そして、研磨後のゥハの形状データを計測して、 GBIR SFQR (max S BIR (max)の測定を行った (実施例 4)

同様に、従来のキャリア (ガラスエポキシ榭脂製)を用いて、加工時間設定をして半導体ゥハを両面研磨して、研磨後のゥハの形状を測定した (比較例 5) [0036] なお、 GBIR (global backside ideal range)とはゥハ裏面を平面に矯正した状態で、ゥハ面内に 1つの基準面を持ち、この基準面に対する最大、最小の位置変位の差を示す。

また、 SFQR (site front least squares range)はゥ裏面を平面に墙正した状態で、設定されたサイト内でデータを最小二乗法にて算出したサイト内平面を基準平面とし、各サイト毎のこの平面からの最大、最小の位置変位の差を示す。 (ma X)とは、各サイト毎のその差のうち最大のものを指す。

SBIR (site back ideal range)はゥ裏面を平面に矯正した状態で、裏面基準面にて各サイト毎の表面高さの最大値と最小値の差を指す。 (max)は SFQRと同様、各サイト毎のその差のうち最大のものを指す。

[0037] 実施例 4の結果を図 4 (A)に、比較例 5の結果を図 4 (B)に示す。

図 4から判るように、 GBIR、 SFQR (max)、 SBIR (max)のいずれの値も本発明のキャリアを用いた実施例 4のほうが、従来キャリアの比較例 5よりも小さな値となった。実施例 4の本発明のキャリアを用いた両面研磨では、高い平坦度を有する高品質の半導体ゥヱーハに仕上げることができ、一方、比較例 5においては、特にゥヱーハの周縁部において大きく丸みを帯びてしまい、著しく平坦度に欠けたゥエーハとなつてしまった。

[0038] 本発明のキャリアは表面を硬度の高い DLC膜でコーティングしていることにより、研磨力卩ェに使用しても磨耗が小さ!/、ためにキャリア厚さが変化せずに安定して、る。すなわち、ゥエーハの狙い仕上がり厚さへの最適な加工時間の変動要因が減るために、設定した加工時間で狙い通りの厚さにゥエーハを仕上げることができ、高平坦度を有するゥーハを生産できる。

一方、従来のキャリアでは研磨時においてキャリアの磨耗が進み、設定した加工時間と最適な加工時間とにズレが生じ、ゥエーハの平坦度も低いものとなる。

[0039] なお、本発明は、上記形態に限定されるものではな、。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

[0040] 例えば、上記実施例では、キャリア母体の材質としてガラスエポキシ榭脂を用いた場合を例に挙げて説明しているが、本発明はこれに限定されず、キャリア母体の材質が榭脂であり、その表面に DLC膜をコーティングしたものであれば良い。

Claims

請求の範囲

[1] 両面研磨装置において、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれた半導体ゥエーハを保持するための保持孔が形成された両面研磨装置用キャリアであって、前記キャリアの母体の材質が榭脂であり、該キャリア母体の表面を DLC膜でコーティングしたものであることを特徴とする両面研磨装置用キャリア。

[2] 前記榭脂が、ガラスエポキシ榭脂、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン樹脂の、ずれかであることを特徴とする請求項 1に記載の両面研磨装置用キャリア。

[3] 前記 DLC膜がスパッタ蒸着法によりコーティングされたものであることを特徴とする請求項 1または請求項 2に記載の両面研磨装置用キャリア。

[4] 前記 DLC膜の厚さが 0. 3 μ m〜5 μ mであることを特徴とする請求項 1から請求項 3の、ずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリア。

[5] 前記キャリアの表面粗さが Raで 0. 01 m以下であることを特徴とする請求項 1から請求項 4のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キャリア。

[6] 少なくとも、請求項 1から請求項 5のいずれか一項に記載の両面研磨装置用キヤリァを具備したものであることを特徴とする両面研磨装置。

[7] 半導体ゥーハを両面研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項 1から請求項 5のいずれか一項に記載のキャリアを配設し、該キャリアに形成された保持孔に半導体ゥエーハを保持して、前記上下定盤の間に挟み込んで両面研磨することを特徴とする半導体ゥーハの両面研磨方法。