WO2006019031A1

WO2006019031A1 - プラズマディスプレイパネルとその製造方法

Info

Publication number: WO2006019031A1
Application number: PCT/JP2005/014733
Authority: WO
Inventors: Hiroyuki Yamakita; Masatoshi Kitagawa; Mikihiko Nishitani
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2004-08-17
Filing date: 2005-08-11
Publication date: 2006-02-23
Also published as: US7956540B2; US20080315768A1; CN101040362A; KR20070056066A; JP4755100B2; KR101109794B1; CN101040362B; JPWO2006019031A1

Description

明細書

プラズマディスプレイパネルとその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、プラズマディスプレイパネルとその製造方法に関し、 PDP駆動時における放電維持電圧等の低減ならびに PDPの長寿命化に関わるものである。

背景技術

[0002] 薄型表示デバイスの一つとしてプラズマディスプレイパネル（以下、「PDP」と記す。

)があり、 PDPには直流型（DC型）と交流型 (AC型）とがある力大型化の面から AC 型 PDPが高、技術的ポテンシャルを持ち、その中でも特に寿命特性の面力も面放電型 PDPが脚光を浴びて!/、る。

1. PDPの構造

面放電 AC型 PDPの構成にっヽて図 11を用いて説明すると、面放電 AC型 PDPでは、前面板 702と背面板 703とが、放電空間を挟んで対畤する構成となっている。

[0003] 図 11に示すように、前面板 702は、ガラス基板 710の放電空間側主面に、走査 (スキャン)電極 705および維持 (サスティン）電極 706で構成される表示電極対 704と、誘電体層 707と、保護膜 708とが順次積層され、走査電極 705および維持電極 706 力 50 111]〜100 111]の間隙0を挟んで対向配置され、走査電極 705および維持電極 706の各々力透明電極 755, 756とバス電極 709とで構成されてなる。

[0004] 当該透明電極 755, 756の各主面には、細幅でかつその膜厚が 5〜6 [ m]に設定された金属製のバス電極 709が配されている。バス電極 709は、例えば、 Agぺーストを印刷塗布しながら積層し、これを焼成する厚膜プロセスを経て設けられて、る。誘電体層 707は、鉛系ガラス材料を主成分とする低融点ガラスペーストが印刷法によって塗布された後焼成される厚膜プロセスを経て形成されたものであり、その膜厚力約 40 [ μ m]に設定されて!、る。

[0005] 誘電体層 707の材料に用いられた鉛系ガラス材料では、例えば、比誘電率 εが約 13になっている。

保護膜 708は、その膜厚が数百 [nm]に設定され、電気絶縁性の高い MgOを主成分とする。

上記の一つの表示電極対 704と、背面板 703を構成する一本のデータ電極 712とが立体交差する領域を放電セルと呼び、図 11に示した領域が放電セルに該当する

[0006] PDPの画像表示において直接的に寄与するのは、表示電極対 704であり、データ電極 712は画像表示単位である放電セルを選択するための電極であって、画像表示における発光には直接寄与しな、。

画像表示単位である放電セルが複数個マトリクス状に配されて PDPとなる。 PDPに、公知の駆動回路や制御回路などが備えられて PDP装置となる。

2. PDPの駆動方法

上記の PDPを、 3つの動作期間、すなわち（1)全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（2)各放電セルをアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択'入力していくデータ書き込み期間、（3)表示状態にある放電セルを表示発光させる維持放電期間、から構成されるアドレス，表示分離駆動方式により駆動表示させる。

[0007] 上記（3)の維持放電期間において、上記（2)の書き込み期間にて入力データに対応して壁電荷が形成された放電セルで、走査電極 705および維持電極 706のそれぞれに電極電圧パルス約 200 [V]の矩形波電圧を互!、に位相が異なるように印加する。すなわち上記一対をなす表示電極間に交流電圧を印加することにより、表示状態が書き込まれた放電セルで、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生させる。

[0008] 上記維持放電によりキセノンが励起され、励起キセノン力紫外光が放射され、当該紫外光が蛍光体層 715によって可視光に変換されて画像表示させる。

しかしながら、従来の PDPでは、既述したようにバス電極 709および誘電体層 707 が焼成工程を含む厚膜プロセスを経て形成されたものであり、当該焼成工程は 500 〜600[°C]の高温プロセスであり、焼成後のバス電極 709に、ペースト中に含まれるノインダー焼成物が残留することがある。

[0009] そのため、誘電体層 707の焼成時においてバス電極 709と誘電体層 707との接触部分に気泡が発生しやすぐ当該気泡発生領域に対応する誘電体層 707の領域では、他の誘電体層 707の領域とくらべて厚みが薄くなる。また、そもそも焼成物は密度が疎であることから、誘電体層 707は絶縁耐圧が約 2. 5 X 10⁵[VZcm]と小さく、したがって、絶縁耐圧の低!、誘電体層 707にお、て厚みの薄、領域が発生することとなり、 PDPにおける誘電体層 707の耐電圧は低い。すると、上述した PDP動作期間のうち初期化期間における高電圧印加時などに誘電体層 707にて絶縁破壊が発生しやすい。

[0010] したがって、従来の PDPでは、誘電体層 707の耐電圧を向上させるために誘電体層 707の膜厚を 40 [； z m]と厚く設定する必要があり、その結果、放電開始電圧、放電維持電圧を高く設定する必要が生じ、発光効率の向上は困難であるという問題がめつに。

カゝかる問題に対し、 Cr、 Cuを真空蒸着で 2重に積層した電極上に直接被覆した Al O力もなる第 1層と SiOを 80%含むガラス力もなる第 2層と Al O力もなる第 3層と

2 3 2 2 3

が順に真空蒸着法あるいはスパッタリング法によって積層されてなる多層膜構造の誘電体層が開示されている (例えば、特許文献 1参照)。

[0011] 特許文献 1記載の発明によれば、真空蒸着法あるいはスパッタリング法によって薄膜形成された Al O膜が第 1層、第 3層として用いられているので、クラック発生がなく

2 3

、また SiOを 80%含むガラスを第 2層として用いることにより、薄い膜厚でクラックが

2

発生しない誘電体層を形成することができる。

また、電極の上に CVD法、スパッタ，蒸着の真空プロセスによって形成された金属酸ィ匕物からなる下層と、その下層の上に形成された誘電体ガラス力もなる上層とからなる誘電体層が開示されている (例えば、特許文献 2参照)。

[0012] 特許文献 2に記載の発明によれば、印刷塗布し焼成されて形成した Ag電極上に誘電体層をコートする際に、先ず Ag電極の表面を、 ZnO, ZrO , MgO, TiO , SiO

2 2

, Al O , Cr O等の「表面に水酸基を生成する金属酸ィ匕物」からなる厚さ 0. 1〜10

2 2 3 2 3

[ m]の層を CVD法で被覆し、その上力誘電体ガラス力なる誘電体層をコートすることにより、誘電体層を薄く形成しても PDP駆動時において誘電体層の絶縁破壊を発生しにくくすることができる。 [0013] また、このような PDPでは、その放電開始電圧、維持放電電圧を低減してその消費電力を低減する手段として、上記間隙 Dに微細な電極対を配すればょ、ことが理解されている。

例えば、特許文献 3には、走査電極と維持電極とで挟まれた間隙に補助電極 (トリガ電極)対を配置し、各補助電極が、各放電セルにおいて、放電セル端部より中央部で広、面積を有するように、その中央部にて翼部を設けたものが開示されて、る。このように翼部を設けると、翼部どうしに挟まれた間隙にてまず放電が開始されるので、低い維持放電電圧、放電開始電圧でも確実に維持放電が開始され、維持放電時の放電効率を改善することができる。

[0014] また、特許文献 4では、図 8に示すように、放電セル 800において、主表示電極対 8 02を構成する走査電極 805と維持電極 806との対向面に、走査電極 805と維持電極 806とで挟まれた間隙 Gより狭い間隙 gを挟んだ副表示電極対 801を、主表示電極対 802より面積抵抗が高くなるように形成し、かつ印加電圧パルスを高発光効率の短パルスとし、副表示電極対 801を構成する各副表示電極間で放電してヽなヽときには走査電極 805と維持電極 806との間で放電せず、各副表示電極間で放電しているときには走査電極 805と維持電極 806との間で放電するように印加電圧の電圧値を設定するものが開示されている。なお、図 8は、 PDPの表示電極対の一部を示す要部平面図で、図示しない背面板側から見たものであり、二点鎖線で囲った領域が放電セルに対応している。

[0015] 上記のように構成し、かつ電圧値を設定することで、放電遅れ時間を制御することができ、放電遅れを低減でき、放電開始電圧を下げても確実に維持放電を開始させることが期待できる。

特許文献 1：特開昭 55 - 143754号公報

特許文献 2：特開 2003 - 7217号公報

特許文献 3：特開 2001— 236895号公報

特許文献 4：特開平 04—4542号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題 [0016] しかし、特許文献 1記載の発明では、耐電圧、放電開始電圧、発光効率に関する当該発明の貢献が全く示されておらず、また、互いに異なる材料による 3層を真空蒸着法あるいはスパッタリング法で積層して誘電体層を形成して、るため、それぞれの層を形成する際に異なるターゲット材料や異なる成膜条件が必要となり、複雑な薄膜プロセスとなって信頼性よく安定して製造することが困難である。さらに SiOを 80 (%

2

)含むガラスおよび Al Oを使って真空蒸着法あるいはスパッタリング法によって形成

2 3

された誘電体層は依然として密度が低く絶縁耐圧が小さいので、耐電圧を向上させるために誘電体層の膜厚を厚くさせる必要があり、放電セルとして高い放電開始電圧、維持放電電圧が必要となり、発光効率を向上させることは困難であるという問題がある。

[0017] また、特許文献 2記載の発明では、塗布焼成された Ag電極の上に金属酸化物を C VD法等で形成し、その上に誘電体ガラスからなる誘電体層を形成するとして!/、るので、膜厚の厚い Ag電極を覆って CVD法により金属酸ィ匕物が形成され、さらに誘電体層を積層コートし焼成するので気泡などの発生を防ぐことは困難であり、そのうえ、誘電体層を形成する工程として薄膜プロセスおよび印刷工程を採用しているが、これらの工程は大気曝露過程を有するので、誘電体層が不純物ガスを吸着してしまい、信頼性よく安定して PDPを製造することは困難であるという問題がある。

[0018] また、上記特許文献 1、 2記載のいずれの発明においても、保護膜が、薄膜プロセスによって成膜された後、大気曝露過程を経るために、大気中の不純物ガスを吸着するという問題がある。

即ち、保護膜を構成する MgOなどの金属酸ィ匕物は、水 (H O)や二酸ィ匕炭素 (CO

2

)などの不純物ガスを吸着して、容易に水酸化化合物や炭酸化合物に変質するとい

2

う性質があるため、水酸化化合物や炭酸化合物に変質した MgOを主成分とする保護膜を備えた PDPは、本来の MgOを主成分とする保護膜を備えた PDPに比べると、 2次電子放出効率が低ぐしたがって、放電開始電圧が高くなり、かつ耐スパッタ特性が低下してしまうと、う問題がある。

[0019] また、上記特許文献 3に記載の発明では、維持放電を確実に開始させるための放電開始電圧が、約 180[V]と、依然として高ぐ PDPへの消費電力低減要求に対して不十分である。

また、放電遅れが低減できれば、放電開始電圧を下げても確実に維持放電を開始させることができるはずであるが、上記特許文献 4に記載の発明では、放電遅れを低減できる一方で、副表示電極対 801で放電が起きるときに同時に主表示電極対 802 で放電が起きるように電圧値を設定しているので、結果として、維持放電を発生させるための電圧値を高く設定する必要があり、放電開始電圧が、約 180[V]と、高くなり、 PDPに要求される消費電力低減要求に対して不十分である。

[0020] 本発明は、このような問題に鑑みなされたもので、放電開始電圧、放電維持電圧を低下させ、発光効率を向上させることができる PDPと、 PDPの寿命を向上させ安定した品質で製造することができる PDPの製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0021] 本発明は、前記課題を解決するために、以下の手段を採用した。

すなわち、本発明のプラズマディスプレイパネルでは、放電空間を挟んで一対の基板を対向配置させ、一方の基板にぉ、て上記放電空間側主面に複数の表示電極対を延伸配設させ、上記表示電極対は第 1電極および第 2電極からなり、上記第 1電極および上記第 2電極のそれぞれが、帯状の透明電極と、上記透明電極の放電空間側主面に設けられ、かつ上記透明電極の短手方向幅よりも狭い幅を有するバス電極と力なり、上記表示電極対を覆うように上記一方の基板の上記放電空間側主面に誘電体層を積層させ、上記誘電体層の上記放電空間側主面に保護膜を積層させたプラズマディスプレイパネルに対し、上記誘電体層に、 1. 0 10⁶[¥ 。111]以上1. O X 10⁷[VZcm]以下の絶縁耐圧を備えさせた。

[0022] 本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、基板主面に誘電体層を積層するステップと、上記誘電体層が積層された上記基板を搬送または保管するステツプとを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法に対し、誘電体層積層ステップから誘電体層積層基板搬送 ·保管ステップまで、減圧状態を維持させた。

また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、基板主面に誘電体層を積層するステップと、上記誘電体層の主面に保護膜を積層するステップと、上記保護膜が積層された上記基板を搬送または保管するステップとを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法に対し、保護膜積層ステップから保護膜積層基板搬送'保管ステップまで、減圧状態を維持させた。

[0023] また、上記目的を達成するため、本発明の PDPでは、主面に第 1電極および第 2電極からなる表示電極対を延伸配設した基板を備えさせ、表示電極対の延伸方向に沿って複数の放電セルを配列させた構成を有する PDPに対し、当該第 1電極および第 2電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から当該放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とで構成させた。

[0024] また、本発明の PDPでは、異電極の突出部に臨む突出部辺力帯状基部の主面に平行な面にぉヽて、多角形状または曲線状の輪郭で形成された構成とした。また、本発明の PDPでは、第 1電極または第 2電極の少なくとも一方において、同電極にて隣り合う突出部を、上記基部力の突出長さを同寸法とし、かつ一対として、一対の突出部を構成する各突出部の先端部分を、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成させたうえで、上記各突出部に以下く 1 > から < 3 >の、ずれかの特徴を与えた。

[0025] < 1 > 一対の突出部を構成する各突出部の中心線を当該突出部先端よりも先方で互いに交差するように、先端部分を帯状基部の幅方向に対して傾斜させることとした。

< 2> 一対の突出部を構成する各突出部どうしの間隙を、上記基部側よりも突出部先端側で狭くなるようにした。

< 3 > 一対の突出部を構成する各突出部の先端部分を、互いに接近するように屈曲させた。

[0026] また、本発明の PDPでは、当該第 1電極および第 2電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部力他方の基部に向けて突出形成された突出部とで構成し、当該基部を、バス電極と透明電極とで構成し、当該第 1電極の突出部と、第 2電極の突出部とを、その先端が、基部の主面に平行な面において、鋭角形状または曲線状の輪郭となるよう、かつ当該バス電極力も分岐させ、当該バス電極と同種の材料で、形成させた。

発明の効果 [0027] 以上のように、本発明のプラズマディスプレイパネルでは、誘電体層が、 1. O X 10⁶ [VZcm]以上 1. 0 X 10⁷ [VZcm]以下の絶縁耐圧を備えており、従来の PDPにおける誘電体層の絶縁耐圧が約 2. 5 X 10⁵ [V/cm]であるため、従来の PDPに比べて、誘電体層の耐電圧を高く維持しながら、その膜厚を薄くすることができる。

[0028] すると、本発明の PDPでは、従来の PDPに比べて、誘電体層の厚みを薄くでき、したがって、電界強度を向上させることができ、維持放電電圧を低減しても維持放電を発生させやすい。

よって、本発明に係るプラズマディスプレイパネルでは、放電開始電圧、維持放電電圧を低減させ、発光効率を向上させることができる。

[0029] 本発明の PDPにおいて、誘電体層が化学気相成長法 (CVD法）により形成された履歴を有し、 Si原子および O原子を主成分に含んでいれば、従来の PDPに比べて、その密度を容易に向上させ、緻密にし、かつ薄くすることができ、誘電体層の絶縁耐圧を上記範囲に容易に設定することができるので好ま、。

本発明の PDPにおいて、誘電体層が誘導結合プラズマ化学気相成長法 (ICP — CVD法）により形成された履歴を有していれば、従来の PDPに比べて、高速形成可能な誘電体層とすることができ、量産性が高くなつて好ましヽ。

[0030] また、誘電体層の比誘電率 ε力 ¾以上 5以下の範囲で、また、誘電体層の膜厚 dが 1 [ m]以上 10 [ μ m]以下の範囲で形成されて!、れば、従来の PDPに比べて誘電体層を薄くしながら耐電圧を維持することができ、誘電体層が従来の PDPに比べて薄いため、透過率を向上させ、かつ基板の反りを低減させることができ、好ましい。また、誘電体層の比誘電率 εと誘電体層の膜厚 dとの比（ ε Zd)が 0. 1以上 0. 3 以下に設定されれば、静電容量の増大を抑制することができ、維持放電の発生に必要十分な放電電流を超えて過剰な放電電流が流れることを抑制することができるので、発光効率の向上が確実となって好ましい。

[0031] 上記第 1電極および第 2電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から上記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とで構成した場合には、第 1電極および第 2電極に給電したときに、放電セル内において、複数の突出部にて電位が集中し、従来の PDPに比べて放電空間にて電解強度が向上し、上記効果が大きい。

したがって、カゝかる場合には、放電の開始しやすい箇所を複数設けることができ、放電セル内にお!、て突出部が一対のみのものに比べると、放電空間における電界強度がより向上し、放電を開始させやすくなり、放電開始電圧を下げても、確実に維持放電を開始させることができ、上記効果がさらに大きくなる。

[0032] 特に、力かる場合には、突出部の配設位置力上記基部の延伸方向にずれたとしても、突出部が放電セル内で複数設けられているので、放電セル内にて突出部が一対のみのものに比べて、維持放電の確実性が高い。

よって力かる場合には、従来の PDPならびに放電セル内において突出部が一対のみ設けられた PDPに比べて、維持放電を確実に開始させる放電開始電圧、維持放電電圧を低減でき、 PDPの消費電力を低減できるので好ま、。

[0033] 例えば、各放電セル内で、上記第 1電極の突出部と、上記第 2電極の突出部とを、対向する状態に配させ、対向状態にある 2つの突出部の突出部間において、及び隣り合う突出部間において、突出長さが対称的になるように調整した場合や、対向させてなる組が、 3組以上配されており、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も短ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを長くなるように調整し、また逆に、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も長ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを短くなるように調整した場合には、突出長さが規則正しく調整されているので、上記効果が大きい。

[0034] 特に、力かる場合には、突出長さが放電セル中央部とその両端とで異なるように調整されたものでは、放電セルごとに開口率が向上し、本発明の PDPが高精彩となるため、好ましい。

異電極の突出部に臨む突出部辺を、帯状基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成させた場合には、上記第 1電極と第 2電極とに給電して維持放電させるときに、上記突出部にて電位が集中するとともに上記突出部辺において電位がさらに集中するようになり、放電空間における電界強度がさらに強められ、低い電圧でも確実に放電を開始させることができるとともに、確実に放電を開始させることのできる箇所が複数あることから、上記効果が大き!/、。 [0035] また、両電極の少なくとも一方において、同電極にて隣り合う突出部を、上記基部力もの突出長さが同寸法となるように一対とし、一対を構成する各突出部に、一対の突出部の各先端部分を、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭となるように形成したうえで、上記 < 1 >から < 3 >のいずれかの特徴を与えた場合、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線が、他方の電極側に張り出す状態となって、放電距離がより短くなるので、さらに放電開始電圧を低減でき、上記効果が大きい。

[0036] 上記 < 1 >から < 3 >のいずれかの特徴を与えた各先端を頂点とする閉鎖領域を想定するとき、当該領域が正方形状となるように配すれば、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線力他方の電極側に張り出す状況において、最も放電を開始させやすくすることができるので、上記効果がより大きい。

また、バス電極が、アルミニウム（A1)およびネオジム（Nd)を主成分に含んで真空中あるいは減圧下で形成された履歴を有している場合、従来の PDPに比べて、低抵抗かつ膜厚を薄くすることができ、従来の PDPに比べて、バス電極を覆うように薄い誘電体層が積層されても誘電体層において厚み差が生じることを抑制することができ、したがって誘電体層を薄くすることができ、かつ駆動中にマイグレーションが発生することを抑制でき、好ましい。

[0037] 上記基部の少なくとも一方を、バス電極と透明電極とで構成し、上記突出部を、当該バス電極から分岐させ、当該バス電極と同種の材料で形成した場合には、ノス電極を形成する際に、同時に突出部も形成することができ、かつ、バス電極の形成において用いられる微細加工工程を突出部形成においても用いることができ、また、バス電極カゝら突出部までの電気抵抗を低くすることができる。

[0038] したがって、力かる場合には、本発明に力かる PDPが製造容易なものとなり、かつ、放電セル寸法の縮小を容易にしつつ、応答性の向上した PDPを実現でき、好ましいさらに、上記第 1電極および上記第 2電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部力他方の基部に向けて突出形成された突出部とで構成させ、当該基部を、バス電極と透明電極とで構成し、当該第 1電極の突出部と、第 2電極の突出部とを、その先端が、基部の主面と平行な面において、鋭角形状の輪郭となるように、かつ当該バス電極力も分岐して、当該バス電極と同種の材料で形成させた場合には、突出部にて電位が集中するとともにその先端にて電位がさらに集中するので、放電空間においてより電解強度が強められ、低い電圧であっても維持放電を確実に開始させることができ、上記効果が大きい。

[0039] かかる場合、突出部をバス電極と同時に形成することができ、また、バス電極力も突出部先端までの電気抵抗を低減でき、したがって、 PDPの消費電力が低減され、高精細となる。

上記保護膜が、 MgOを主成分に含んでおり、真空中あるいは減圧下で上記誘電体層の上記放電空間側主面に積層され、かつ上記一対の基板が張り合わされるまで真空あるいは減圧状態が維持されて保管された履歴を有する場合、従来の PDP に比べて、保護膜中の不純物が抑制されるので、保護膜の二次電子放出係数、および耐スパッタ性が向上し、保護膜として放電開始電圧を低下させ耐スパッタ特性をさらに向上させることができ、発光効率と信頼性をさらに向上させることができ、好ましい。

[0040] 上記基板の厚み tが 0. 5 [mm]以上 1. 1 [mm]以下の範囲である場合、従来の P DPに比べて、薄型で重量が軽い PDPとすることができ、上記基板がプラスチック材料からなる場合、さらに軽量とすることができ、好ましい。

また、本発明の PDPの製造方法では、誘電体層積層ステップから誘電体層積層基板搬送'保管ステップまで、減圧状態を維持するため、あるいは、保護膜積層ステツプから保護膜積層基板搬送'保管ステップまで、減圧状態を維持するため、形成された誘電体層または保護膜が、大気に接触することがなぐすなわち、従来の PDPの製造方法に比べて不純物ガスを吸着することを抑制することができる。

[0041] そのうえ、本発明の PDPの製造方法では、特許文献 1の PDPの製造方法に比べて、製造工程が単純であり、 PDPの品質向上、信頼性向上を図ることができる。

したがって、従来の PDPに比べて、寿命の長い PDPを作製することができ、信頼性の高、、品質の安定した PDPを製造することができる。上記基板が、前面用基板であれば、前面用基板に形成された誘電体層または保護膜に不純物ガスを吸着させず、特に前面板に PDPの寿命を縮める要因が多いことから、上記効果が大きい。

[0042] 上記誘電体層積層ステップの前に、上記基板の主面に表示電極を形成する表示電極形成ステップを備えており、上記表示電極形成ステップには、透明電極を帯状に形成するサブステップと、上記透明電極の主面にバス電極を帯状に形成するサブステップとを含み、上記バス電極を形成するサブステップでは、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用い、真空成膜プロセス法により上記バス電極を形成する場合では、バス電極を、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いて形成することにより、従来のものに比べて、抵抗の低いバス電極を形成することができるので、厚みの小さいバス電極を形成することができ、バス電極を覆うように誘電体層を形成しても、誘電体層の厚み分布に差が生じることを抑制でき、誘電体層における絶縁破壊を抑制できるので、上記効果が大き、。

[0043] また、バス電極の材料として、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いることにより、低温プロセスによってバス電極を形成することができ、上記真空成膜プロセスが低温プロセスであることから、好ましぐかつ、アルミニウムを含む材料であるため、ドライエッチング法によってバス電極のパターユングを行うとき、低温プロセスで行うことができるので、好ましい。

[0044] また、かかる場合では、真空成膜法で形成することにより、当該方法が低温プロセスであることから、高温プロセスにおいて生じる基板等の反りや割れの発生を抑制することができ、上記効果が大きい。

上記保護膜積層ステップにおヽて、 Mg原子および O原子を主成分に含む材料を用い、真空成膜プロセス法により上記保護膜を積層する場合、真空成膜プロセス方法が低温プロセスであることから、保護膜積層ステップにおいて、高温プロセスによつて生じる基板等の反りや割れの発生を抑制することができ、上記効果が大き、。

[0045] 背面用基板における上記誘電体層積層ステップの前に、上記背面用基板の主面にデータ電極を形成するデータ電極形成ステップを備え、上記誘電体層積層基板搬送'保管ステップにおける搬送後に、上記誘電体層の主面に隔壁を立設するステップと、上記隔壁側面から上記誘電体層主面にかけて蛍光体層を形成するステップとを含み、上記誘電体層積層ステップカゝら蛍光体層形成ステップまで、減圧状態を維持する場合、背面用基板に形成された誘電体層に不純物ガスを吸着させず、上記効果が大きい。

[0046] 上記データ電極形成ステップにおいて、アルミニウムおよびネオジムを主成分に含む材料を用い、真空成膜プロセス法により上記データ電極を形成する場合、バス電極を、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いて形成することにより、従来のものに比べて、抵抗の低いデータ電極を形成することができるので、厚みの小さヽデータ電極を形成することができ、データ電極を覆うように誘電体層を形成しても

、誘電体層の厚み分布に差が生じることを抑制でき、誘電体層における絶縁破壊を抑制できるので、上記効果が大きい。

[0047] また、データ電極の材料として、アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用いることにより、低温プロセスによってデータ電極を形成することができ、上記真空成膜プロセスが低温プロセスであることから、好ましぐかつ、アルミニウムを含む材料であるため、ドライエッチング法によってデータ電極のパターユングを行うとき、低温プロセスで行うことができるので、好ましい。

[0048] また、かかる場合では、真空成膜法で形成することにより、当該方法が低温プロセスであることから、高温プロセスにおいて生じる基板等の反りや割れの発生を抑制することができ、上記効果が大きい。

上記ステップを、室温以上 300 [°C]以下の雰囲気中で行う場合、上記パネルの反りおよび割れの発生を抑制することが確実となって好ましぐまた、従来の PDPの製造方法に比べると、上記ステップにおいて、加工時間の短縮、加工に要する電力の消費低減、配線材料の選択範囲の拡大を図ることができる。

[0049] 上記誘電体層積層ステップにお!/、て、 CVD法を用いて上記誘電体層を積層する場合、従来の PDPの製造方法に比べて、高密度に誘電体層を積層することができ、緻密に誘電体層を積層することができ、絶縁耐圧高く誘電体層を積層することができるので、容易に上記範囲の絶縁耐圧を有する誘電体層を備えた PDPを製造することができる。したがって、かかる場合では、従来の PDPの製造方法に比べて、誘電体層を薄く積層することができ、駆動時において放電空間の電界強度が従来の PDPに比べて強い PDPを製造することができ、よって、放電維持電圧、放電開始電圧を低減可能な、放電効率の高い PDPを製造することができ、好ましい。

[0050] 上記 CVD法として、 ICP— CVD法を用いる場合、高速に誘電体層を積層することができ、好ましい。

本発明の PDPでは、上記第 1電極および第 2電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から上記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とで構成したことにより、第 1電極および第 2電極に給電したときに、放電セル内において、複数の突出部にて電位が集中し、従来の PDPに比べて、放電空間にて電解強度が向上する。

[0051] したがって、本発明の PDPでは、放電の開始しやすい箇所を複数設けることができ、放電セル内において突出部が一対のみのものに比べて、放電空間における電界強度がより向上し、放電を開始させやすくなる。

その結果、本発明の PDPでは、従来の PDPに比べて、放電開始電圧を下げても、確実に維持放電を開始させることができ、放電開始電圧、維持放電電圧を低下させることがでさる。

[0052] 特に、本発明の PDPでは、突出部の配設位置力上記基部の延伸方向にずれたとしても、突出部が放電セル内で複数設けられているので、放電セル内にて突出部がー対のみのものに比べて、維持放電の確実性が高い。

よって、本発明の PDPでは、従来の PDPならびに放電セル内において突出部が一対のみ設けられた PDPに比べて、維持放電を確実に開始させる放電開始電圧、維持放電電圧を低減でき、 PDPの消費電力を低減できる。

[0053] 例えば、各放電セル内で、上記第 1電極の突出部と、上記第 2電極の突出部とを、対向する状態に配させ、対向状態にある 2つの突出部の突出部間において、及び隣り合う突出部間において、突出長さが対称的になるように調整した場合や、対向させてなる組が、 3組以上配されており、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も短ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを長くなるように調整し、また逆に、放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も長ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さを短くなるように調整した場合、突出長さが規則正しく調整されているので、上記効果が大きい。

[0054] 特に、力かる場合には、突出長さが放電セル中央部とその両端とで異なるように調整されたものでは、放電セルごとに開口率が向上し、本発明の PDPが高精彩となるため、好ましい。

異電極の突出部に臨む突出部辺を、帯状基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成させた場合には、上記第 1電極と第 2電極とに給電して維持放電させるときに、上記突出部にて電位が集中するとともに上記突出部辺にお、て電位がさらに集中するようになり、低、電圧でも確実に放電を開始させることができるとともに、確実に放電を開始させることのできる箇所が複数あることから、上記効果が大きい。

[0055] また、両電極の少なくとも一方において、同電極にて隣り合う突出部を、上記基部力もの突出長さが同寸法となるように一対とし、一対を構成する各突出部に、一対の突出部の各先端部分を、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭となるように形成したうえで、上記 < 1 >から < 3 >のいずれかの特徴を与えた場合、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線が、他方の電極側に張り出す状態となって、異なる電極間において放電距離が短くなるので、さらに放電開始電圧を低減でき、上記効果が大きい。

[0056] 上記 < 1 >から < 3 >のいずれかの特徴を与えた各先端を頂点とする閉鎖領域を想定するとき、当該領域が正方形状となるように配すれば、同電極にて隣り合う突出部の先端どうしで等電位線が結ばれ、かつその等電位線力他方の電極側に張り出す状況において、最も放電を開始させやすくすることができるので、上記効果がより大きい。

上記基部の少なくとも一方を、バス電極と透明電極とで構成し、上記突出部を、当該バス電極から分岐させ、当該バス電極と同種の材料で形成した場合には、ノス電極を形成する際に、同時に突出部も形成することができ、かつ、バス電極の形成において用いられる微細加工工程を突出部形成においても用いることができ、また、バス電極カゝら突出部までの電気抵抗を低くすることができる。

[0057] したがって、力かる場合には、本発明に力かる PDPが製造容易なものとなり、かつ、放電セル寸法の縮小を容易にしつつ、応答性の向上した PDPを実現できるとともに上記効果を奏することができる。

さらに、本発明の PDPでは、上記第 1電極および上記第 2電極のそれぞれを、帯状の基部と、当該基部から他方の基部に向けて突出形成された突出部とで構成させ、当該基部を、バス電極と透明電極とで構成し、当該第 1電極の突出部と、第 2電極の突出部とを、その先端が、基部の主面と平行な面において、鋭角形状の輪郭となるように、かつ当該バス電極カゝら分岐して、当該バス電極と同種の材料で形成されたことにより、突出部にて電位が集中するとともにその先端にて電位がさらに集中するので、放電空間においてより電解強度が強められ、低い電圧であっても維持放電を確実に開始させることができ、突出部をバス電極と同時に形成することができ、また、バス電極カゝら突出部先端までの電気抵抗を低減できる。

[0058] したがって、本発明の PDPでは、 PDPの消費電力が低減され、高精細となる。

なお、以上に述べた本発明の各構成は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。図面の簡単な説明

[0059] [図 1]本発明の実施の形態 1に係る PDP1の放電セルの構成を示す断面概念図である。

[図 2]本発明の実施の形態 2に係る PDP1の製造方法の工程フローチャート概念図である。

[図 3]本発明の実施の形態 2に係る PDP1の製造方法における前面板 2の作成工程を示す断面概念図である。

[図 4]本発明の実施の形態 2に係る PDP1の製造方法における背面板 3の作成工程を示す断面概念図である。

[図 5] (a)は、実施の形態 3における PDPの構成を示す要部断面図であり、（b)は、図 5 (a)の Y—Y面で切断した断面に相当する要部断面図である。 [図 6] (a)は、実施の形態 3のバリエーション 1における PDPの放電セルの一部を示す要部平面図であり、（b)は、その一部を拡大した要部平面図である。

[図 7] (a)は、実施の形態 3のバリエーション 2における PDPの放電セルの一部を示す要部平面図であり、（b)は、その一部を拡大した要部平面図である。

[図 8] (a)は、実施の形態 3のバリエーション 3における PDPの放電セルの一部を示す要部平面図であり、（b)は、バリエーション 3の別態様を示す要部平面図であり、 (c) は、それらの一部を拡大した要部平面図である。

[図 9] (a)は、実施の形態 4における PDPの放電セルの一部を示す要部平面図であり、 (b)は、その一部を拡大した要部平面図である。

[図 10]実施の形態 5における PDPの放電セルの一部を示す要部平面図である。

[図 11] (a)は、従来の面放電型 PDPを、表示電極に沿って切断した要部断面図であり、（b)は、（a)を X— X面で切断した要部断面図である。

[図 12]特許文献 4に記載された PDPの前面板の一部を示す要部平面図である。発明を実施するための最良の形態

[0060] 以下、本発明を実施するための好ましい形態について、図面を用いて説明する。

(実施の形態 1)

図 1 (a)は、本発明の実施の形態 1における PDP101の単位放電セルを隔壁 114 に垂直な面で切断した断面図であり、図 1 (b)は、図 1 (a)における X— Yで示した面で切断した断面図である。なお、図 1では、便宜上、 PDPの単位放電セルだけ表示しているが、実施の形態 1における PDPでは、赤，緑，青の各色を発光する放電セルが複数マトリクス状に配列されて、る。

[0061] 1. PDP101の構成

図 1 (a)に示すように、 PDP101は、前面板 102と背面板 103とが対向配置されてなる。 PDP101における前面板 102では、薄い基板 110の一方の主面に、表示電極対 104が形成され、表示電極対 104が形成された基板 110主面を覆うように、誘電体層 107と保護膜 108とが順に積層されている。基板 110は、例えば、ガラス材料からなり、厚み tlが約 1. l [mm]である。

[0062] 図 1 (b)に示すように、表示電極対 104では、走査 (スキャン)電極 105と維持 (サスティン)電極 106とが各 1条で対をなし、例えば 50〜： LOO[ m]の間隙を挟んで対向しており、各々がストライプ状に設けられている。

走査電極 105および維持電極 106の各々では、基板 110の主面上に、 ITO (酸ィ匕インジウムスズ)力もなる比較的抵抗が高い透明電極 151、 161が、その膜厚が例えば約 100[nm]に設定されて、それぞれ幅広の帯状にパターンユングされてなる。

[0063] 透明電極 151, 161は、 SnO (酸化スズ）、 ZnO (酸化亜鉛）などを主成分としてい

2

ても良い。

走査電極 105および維持電極 106では、透明電極 151、 161の電気抵抗を下げるために、透明電極 151、 161主面に、例えば A1— Nd (アルミニウムネオジム）を主成分とするバス電極 159, 169が配されている。

[0064] ノス電極 159, 169は、透明電極 151、 161より幅狭に配されている。

ノス電極 159, 169は、これに限定されず、少なくとも A1および希土類金属を主成分に含んでいても良い。

ノス電極 159, 169は、その厚みが約 1 [ m]に設定されている。

本実施の形態では、バス電極 159, 169を、 A1系金属合金薄膜をスパッタリング法により成膜し、ドライエッチング法によりパターユングして積層したため、バス電極 159 , 169の厚みを容易に上記数値に設定することができる。

[0065] ノス電極 159, 169は、これに限定されず、真空成膜プロセス法により成膜積層され、フォトエッチング法によりパター-ングされても良い。

上記において、真空成膜プロセス法とは、真空状態の中で薄膜を形成するプロセスによる方法を指し、真空成膜プロセス法には、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、プラズマビーム蒸着法、各化学気相成長法 (CVD法）、スパッタリング法などが含まれる

[0066] ノス電極 159, 169どうしは、透明電極 151、 161と同様に、略平行に配されているノス電極 159, 169は、従来の PDPに比べて、厚みが小さいが、 Al—Ndを主成分とする金属体は、 Agを主成分に含む金属体に比べて、均質で、優れた電気特性 (低抵抗）を有しており、バス電極 159, 169では、 Al—Ndが主成分として含まれていることから、その厚みを小さくしても、従来の PDPの Agを主成分に含むバス電極と同等の性能 (例えば、抵抗特性)を維持することができる。

[0067] 本実施の形態の PDPでは、バス電極 159, 169の厚みが従来の PDPに比べて小さいため、バス電極 159, 169を覆うように誘電体層 107が積層されているときに、従来の PDPに比べて誘電体層 107における厚み差の発生を抑制することができ、したがって、バス電極 159, 169エッジ部分に対応する誘電体層 107の厚みが、他の部分の誘電体層 107の厚みに比べて小さくなることを抑制することができる。

[0068] また、 Al— Ndを主成分に含むバス電極 159, 169と誘電体層 107との間では、 PD P駆動中に電気的に金属が移動する、わゆるマイグレーション現象が発生しにく!/ヽので、本実施の形態における PDPでは、従来の PDPに比べて寿命が長くなり、信頼性が高くなる。

誘電体層 107は、 AC型 PDP特有の電流制限機能であるメモリ性を備えており、比誘電率 εが約 4に設定され、例えば SiOを 95%含む材料力なり、その膜厚 dが約

2

5 [ m]に設定されている。

[0069] 誘電体層 107の比誘電率 εは、これに限定されず、 2以上 5以下の範囲に設定されていれば良い。

一般に SiOを主成分とする誘電体層 107を CVD法で積層すれば、その比誘電率

2

ε力以上 5以下の範囲内に収まり、所謂 low— k材料を用いて誘電体層 107を積層するとその比誘電率 ε力 ¾以上 3以下の範囲内に収まるからである。

[0070] また、誘電体層 107の厚み dとの関係から、比誘電率 ε力^未満だと、静電容量が小さぐ必要な放電電流が蓄積されないからであり、逆に 5より大きいと、過剰な放電電流が流れて発光効率が低下するからである。

比誘電率 εが 2以上 3以下の範囲に設定された誘電体層 107を積層するためには

、所謂 low— k材料として、例えば、 SiOCや SiOFなどを用いればよい。

[0071] 誘電体層 107に用いられる所謂 low— k材料は、これに限定されず、比誘電率が上記範囲に設定でき、かつ、各種 CVD法で成膜可能な材料であれば良い。

誘電体層 107の厚み dは、これに限定されず、 1 [ m]以上 10 [ m]以下の範囲に設定されていれば良い。誘電体層 107の厚み dが 1 [； z m]未満だと、絶縁耐圧強度が不足して歩留まりが低下し、また、 10 [； z m]より大きいと、放電開始電圧、放電維持電圧の低減降下が十分に得られな、からである。

[0072] 誘電体層 107は、 SiOを含み、従来の PDPに比べて、高、絶縁耐圧を有し、緻密

2

な層構造を有する。

誘電体層 107の積層過程において、テトラエトキシシラン (TEOS)と、 Si原子および O原子を含む誘電体層原料とを使用して、誘導結合プラズマ CVD法 (ICP— CV D法)などの各種 CVD方法によって誘電体層 107を積層したので、誘電体層 107では、従来の PDPに比べて、絶縁耐圧が高くなり、層構造が緻密である。

[0073] 誘電体層 107の絶縁耐圧は、 1. 0 10⁶ [¥/«11]以上1. O X 10⁷ [V/cm]以下であることが望ましい。

ガラスのバルタ材料の絶縁耐圧が 1. 0 X 10⁷ [V/cm]程度で、これより大きい絶縁耐圧が望めないからであり、また、絶縁耐圧が 1. O X 10⁶[VZcm]未満であると、誘電体層 107の厚み dは、その上限が 10 [ /ζ πι]で、従来の誘電体層の厚み（d=40 [ m])と比べて 1Z4となることから、絶縁耐圧が従来の誘電体層の絶縁耐圧（2. 5 X 10⁵[VZcm])の 4倍（1. 0 X 10⁶ [V/cm] )に満たなくなり、絶縁破壊を生じる恐れがある力である。

[0074] 誘電体層 107において、 SiO力 ¾0〜100%含まれていれば、さらに密度が向上し

2

、層構造が緻密になり、絶縁耐圧が高くなるので、好ましい。

誘電体層 107では、絶縁耐圧が高ぐ層構造が緻密であるため、誘電体層 107の比誘電率 εが 2以上 5以下の範囲内にある場合、従来の PDPに比べて、誘電体層 1 07の厚み dを、 1 [ m]以上 10 [ m]以下の範囲内で小さくしても、十分な耐電圧を維持することができる。

[0075] 誘電体層 107において、比誘電率 ε力に近い場合には、厚み dを約 10 [ m]に、比誘電率 ε力 ¾に近い場合には、厚み dを約 5 [ m]程度に設定することができ、実質的な耐電圧が得られ、かつ、バス電極 159, 169の厚みをさらに薄くできれば、厚み dをさらに小さぐ例えば約 1 [ μ m]に設定してもよい。

し力しながら、誘電体層 107の厚み dをあまりに小さくすると、静電容量 cが大きくなるため、維持放電の発生に必要十分な放電電流を超えて過剰な放電電流が流れ、力えって、発光効率を低下させてしまう。

[0076] そこで、本実施の形態では、誘電体層 107の比誘電率 εとその厚み dとの比（ ε / d)を 0. 1以上 0. 3以下に設定した。

( ε Zd)が 0. 3より大きいと、従来の PDPの（ ε Zd)が 0. 3より大きいことから、発光効率の向上が期待できないからであり、また、 CVD法で成膜すると、厚み dを 20 [ m]より大きく成膜することが困難となり、比誘電率 εの下限が 2であることに鑑みれば、 ( ε Zd)を 0. 1未満とすることが困難だ力もである。

[0077] 発光効率の向上のために、放電ガス中の Xe分圧を向上させる技術があり、当該技術では、 Xeに対して高い電気エネルギーを供給しなければならず、放電維持電圧を大きくする必要が生じ、従来の PDPに接続されていたドライバ用 ICに比べて耐電圧の高いものを準備しなければならないという問題がある力本実施の形態では、誘電体層 107の厚み dが従来の PDPに比べて小さくなつて!/、ることから、表示電極対 104 に電圧を印加した際に放電空間において、電界強度が強められ、電気エネルギー密度が増大するため、放電ガス中の Xe分圧を向上させながら、放電維持電圧の増大を招くことなぐ従来の PDPに接続されていたドライバ用 ICを用いることができる。

[0078] 本実施の形態の PDP101では、従来の PDPに比べて、誘電体層 107の層構造が緻密で、かつその厚み dが小さいので、 PDP101の駆動により発生した可視光の前面板 102透過率を、従来の PDPに比べて、向上させることができる。

さらに、本実施の形態では、従来の PDPに比べて、誘電体層 107の厚み dが小さいので、パネル組立工程における熱プロセスで、ガラス基板 1 10とその主面に積層された誘電体層 107との熱膨張差によって基板に反りが生じることを低減させることができ、寿命が長ぐ品質が高い。

[0079] また、本実施の形態では、従来の PDPに比べて、基板 110の厚み tlが約 1. l [m m]と小さ!/、ので、薄型で重量が軽!、PDPとすることができる。

また、本実施の形態では、誘電体層 107が、バス電極 159, 169を含む表示電極対 104を覆って CVD法で形成されているので、表示電極対 104の凹凸に沿って誘電体層 107が形成されて、ると、う点で従来の PDPに比べて優れており、かつ誘電体層 107の厚み dが均一となって、従来の圧膜法によって形成された誘電体層を備える PDPと比べ、電極エッジに対応する誘電体層 107の領域において、誘電体層 1 07の厚み dが小さくなることを抑制でき、したがって、誘電体層 107の耐電圧も向上する。

[0080] 保護膜 108は、例えば 0. 6 [ m]の厚みを有し、かつ誘電体層 107の放電空間側主面に積層されており、 MgOを主成分に含む。

MgO (酸ィ匕マグネシウム）は、 2次電子放出係数 γの大きい材料であるとともに、耐スパッタ性も高ぐ光学的に透明な材料であるので、保護膜 108の材料として広く用いられている。

[0081] 保護膜 108の表面は放電空間に露出しており、 PDPの駆動状態を想定したとき、誘電体層 107を放電時のイオン衝撃から保護するとともに、 2次電子を効率よく放出することにより、放電開始電圧を下げる働きをする。

誘電体層 107および保護膜 108は、放電によって発生した高エネルギーのイオンによって上記表示電極対 104の表面がスパッタリングされ劣化するのを防止する働きをする。

[0082] 保護膜 108の厚みはこれに限定されず、 0. 4 111]以上1. 0 [ m]以下であればよい。

保護膜 108の厚みが 0. 4[ /ζ πι]未満だと、耐スパッタ性が低下し、逆に 1. 0 [ m] より大きいと、二次電子を効率よく放出することができなくなるからである。

保護膜 108は、従来の PDPに比べて、二次電子放出係数が高ぐ耐スパッタ性が高い。

[0083] 保護膜 108は、誘電体層 107が表示電極対 104を覆って形成された後、保護膜 1 08の積層が終了するまで、減圧が維持された雰囲気において保管されていたため、従来の PDPに比べて、保護膜 108の積層過程において、不純物ガスの吸着が抑制された力である。

ここで、減圧状態とは、真空中や真空減圧状態あるいは不活性ガスで置換された減圧状態を言う。

[0084] 保護膜 108が、真空蒸着法など、後述する真空成膜プロセス法を用いて真空中で積層されると、保護膜 108の層構造が緻密になって、より二次電子放出係数が高ぐ耐スパッタ性が高くなつて、好ましい。

前面板 102と背面板 103との封着が完了するまで、前面板 102が、減圧が維持された雰囲気に置かれていれば、保護膜 108が不純物ガスを吸着することをさらに抑制することができ、従来の PDPに比べて、保護膜 108の二次電子放出係数および耐スパッタ性が高くなるので、好ましぐまた、前面板 102の主面に形成された各構成部分、たとえば、隔壁や蛍光体層が不純物ガスを吸着せず、誘電体層 107、保護膜 10 8が不純物を吸着する可能性をさらに抑制することができるので、好ましい。

[0085] 他方、背面板 103では、ガラス板力なる基板 111の主面に、単位放電セルにおいて、上記前面板 102主面に設けられた走査電極 105および維持電極 106と立体交差する状態に、データ (アドレス）電極 112が形成されてヽる。

データ電極 112は、少なくとも Al— Ndを含み、上記前面板 102における表示電極対 104の形成と同様に、真空成膜プロセス法によって形成されている。

[0086] さらに、データ電極 112が形成された基板 111表面には、これを覆う状態で、誘電体層 113が膜厚約 2 [ μ m]で形成されて!ヽる。

誘電体層 113は、上述した前面板 102の誘電体層 107と同様に、 CVD法や ICP — CVD法による各種 CVD方法により、 SiOを 80%含んで形成されている。

2

さらに、図 1 (b)には表れないが、誘電体層 113主面には、ほぼ一定の高さを有する隔壁 114が形成配置 (立設)されて、る。

[0087] 隔壁 114は、望ましくは非鉛系ガラス材料を含んで塗布焼成され、複数個の放電セルをストライプ状あるいは井桁状（図示省略)などに仕切るように所定のパターンでリブ形状に形成されている。

そして、誘電体層 113主面から隔壁 114の壁面にかけて、赤、緑、青発光の各蛍光体層 115が形成されて、る。

[0088] 蛍光体層 115には、例えば、（Y、 Gd) BO： Eu、 Zn SiO： Mnおよび BaMg Al

3 2 4 2 14

O ： Euなどの蛍光体が使用されている。

24

蛍光体層 115は、隔壁 114が形成された基板 111に対して、上記蛍光体色毎に印刷塗布、焼成されたものであり、隔壁 114の側面および誘電体層 113の主面に形成されている。

[0089] そして、詳細な説明は省略するが、上記形成過程を経て形成された前面板 102と、上記真空プロセスを経て形成された背面板 103とが対向し、これらの縁部がシールされ、前面板 102、背面板 103および図示しないシール材により外部と隔離された空間が高真空に排気され、かつ当該空間に放電ガスとして、希ガスのキセノン 'ネオンを主成分に含む混合放電ガスが約 60 [kPa]の圧力で充填され、封止されて本実施の形態における PDPがなる。

[0090] 放電ガスは、これに限定されず、キセノン 'ヘリウムを主成分に含んでいても良い。

上記蛍光体材料や放電ガスの成分、その圧力は、既述したものに限定されるものではなぐ AC型 PDPで通常使用できる材料、条件であればよい。

図 1に示した単位放電セルが複数配された PDPの走査電極 105、維持電極 106、データ電極 112のそれぞれに駆動回路 (ドライバ IC等）が接続され、当該駆動回路に、これを制御する制御回路が接続されて PDP装置がなる。

[0091] 2. PDP101の駆動方法

PDP101の駆動〖こは、 3つの動作期間（図示省略）、つまり（1)全表示セルを初期化状態にする初期化期間、（2)各放電セルをアドレスし、各セルへ入力データに対応した表示状態を選択'入力していくデータ書き込み期間、（3)表示状態にある放電セルを表示発光させる維持放電期間、とから構成したアドレス '表示分離駆動方式を用いる。

[0092] 通常、 1フィールド期間において少なくとも 1回実施される上記（1)の初期化期間にぉ、て、走査電極 105とデータ電極 112との間に 400〜600 [V]の高電圧を印加し、全表示セルの壁電荷量を初期化状態のレベルにする。

そして、各サブフィールド期間における上記（2)のデータ書き込み期間において、背面板 103のデータ電極 112を使って書き込みデータを入力し、背面板 103と対向する前面板 102の誘電体層 107、保護膜 108の放電空間側主面に壁電荷を形成させる。

[0093] 上項（3)の維持放電期間において、前面板 102の走査電極 105および維持電極 1 06のそれぞれに対し、電極電圧パルスの矩形波電圧を互いに位相が異なるように印加する。すなわち上記走査電極 105と維持電極 106との間に交流電圧を印加し、表示状態データが書き込まれた放電セルに、電圧極性が変化するたびにパルス放電を発生せしめる。このようにして発生する維持放電により、表示発光は、放電空間の励起キセノン原子からは 147 [nm]の共鳴線が、励起キセノン分子からは 173 [nm] 主体の分子線が放射され、次、で上記紫外放射を背面板 103に設けた蛍光体層 11 5で可視放射に変換することにより PDP 101の駆動発光表示が得られる。

[0094] 《実施の形態 1における PDPの効果》

本実施の形態における PDP101では、 CVD法によって SiOを含む誘電体層 107

2

が形成されているので、誘電体層 107の密度が従来の圧膜プロセスによって形成された誘電体層に比べて向上し、したがって、従来の誘電体層に比べると、誘電体層 1 07が 1. O X 10⁶[VZcm]以上の高い絶縁耐圧を備えることとなる。

[0095] 本実施の形態における PDP101では、バス電極 159, 169が真空成膜プロセスによって形成されているため、従来の焼成工程を含む厚膜プロセスによって形成されたバス電極と比べて、バス電極 159, 169形成後に、ノス電極 159, 169中にバインダ焼成物が残留せず、したがって、バス電極 159, 169を覆うように誘電体層 107が C VD法によって形成されていることと相まって、バス電極 159, 169と誘電体層 107との接触部分にて気泡の発生がな、。

[0096] そして、本実施の形態における PDP101では、バス電極 159, 169が真空成膜プ口セスで形成されていることから、ノス電極 159, 169の厚みが従来のそれに比べて薄くなり、したがって、バス電極 159, 169を覆うように積層された誘電体層 107において、従来の PDPに比べて厚み差の発生を抑制することができ、その結果、バス電極 159, 169のエッジ部分に対応する誘電体層 107の厚みが、他の部分の誘電体層 107の厚みに比べて薄くなることを抑制でき、従来の PDPに比べてバス電極 159 , 169のエッジ部分に対応する誘電体層 107において絶縁破壊が発生することを抑制することができる。さらに従来の PDPに比べて、誘電体層 107にける厚み差の発生を抑制することができるので、あらかじめ絶縁耐圧を稼ぐために誘電体層を厚くする必要がなくなり、誘電体層を薄くすることができる。

[0097] また、本実施の形態における PDP101では、誘電体層 107が CVD法で形成されていることから、従来の PDPに比べて誘電体層 107の厚みが均一になり、したがって、従来の PDPに比べて誘電体層 107の膜厚分布に差が生じることを抑制することができ、その結果、バス電極 159, 169のエッジ部分に対応する誘電体層 107の厚み 1S 他の部分の誘電体層 107の厚みに比べて薄くなることを抑制でき、従来の PDP に比べてバス電極 159, 169のエッジ部分に対応する誘電体層 107において絶縁破壊が発生することを抑制することができる。

[0098] すると、本実施の形態における PDP101において、誘電体層 107の膜厚を従来のそれに比べて薄くしても、誘電体 107の耐電圧が高ぐ当該気泡の発生がなぐ誘電体層 107の厚み分布の差が抑制されてヽるために、誘電体層 107での絶縁破壊の発生を従来のそれに比べて抑制することができる。

本実施の形態における PDPでは、従来の PDPに比べて、誘電体層 107が CVD法で形成されているので、容易に誘電体層を緻密にかつ薄く積層することができる。

[0099] なおかつ、本実施の形態における PDP101では、誘電体層 107の膜厚が従来のそれに比べて薄くなつたため、 PDPの駆動時に、走査電極 105と維持電極 106との間における電界強度が従来の PDPに比べて強められる。

よって、本実施の形態における PDPでは、低い維持放電電圧で駆動させることができ、放電開始電圧を低減させ、従って発光効率を向上させることができる。

[0100] また、本実施の形態における PDP101では、誘電体層 107、 113や保護膜 108は少なくとも真空中あるいは減圧状態で形成され保管維持されているので、誘電体層 1 07、 113や保護膜 108にお、て不純物ガスの吸着や不純物ガスによる反応がな!、。したがって、本実施の形態における PDPでは、従来の PDPに比べて二次電子放出係数の低下を招くことがないので、放電開始電圧、放電維持電圧の上昇を招くことがなぐまた、従来の PDPに比べて耐スパッタ性の低下を招くことなく長寿命化を図ることができ、かつ信頼性を向上させることができる。

[0101] なお、上記において、保護膜 108は MgO力もなるものとして説明した力他の金属酸化物、例えば、 CaO、 BaO、 SrO、 MgNO、 ZnOなどからなる保護膜でも同様に実施可能である。

また、上記において、基板 110、 111の厚み tl、 t2を約 1. l [mm]として説明した 1S 本実施の形態における PDPIOIでは、従来の PDPのバス電極や誘電体層に比ベて、ノス電極 159, 169や誘電体層 107、 113の膜厚力 ^薄!ヽので、基板 110, 111 の厚みを 0. 5もしくは 0. 7[mm]程度に設定した場合にも、基板 110, 111の反りを抑制することができる。これにより、基板 110, 111をさらに薄くすることができるので、本実施の形態における PDP101では、さらなる薄型 ·軽量ィ匕を実現することができる

[0102] また、上記において、基板 110、 111の厚み tl、 t2を約 1. l [mm]として説明した 1S それよりも厚くてもよぐ従来の PDPと同様に厚みが約 2. 8 [mm]に設定されていてもよい。

また、上記において、基板 110、 111として、ガラス基板を採用した力プラスチック基板を採用しても同様に実施可能である。耐熱性のプラスチック基板には、例えば、住友ベークライト社製の高耐熱性プラスチック基板スミライト FST (ポリエーテルサルフォン (PES) ;住友ベークライト株式会社の登録商標）があり、 Tgは約 223 [°C]であり、この温度を加熱上限とすることで、本発明の低温プロセスに十分使用できる。

[0103] また、上記において、背面板 103の誘電体層 113は CVD法で形成されるものとして説明したが、従来の背面板と同じように、低融点ガラスが印刷焼成されてなる誘電体層であっても構わな!/、。

また、データ電極 112は、 Al— Ndを含み、真空中で形成されてなるものとして説明したが、従来の背面板と同じように、印刷焼成されてなる Agを主成分とする電極や真空中で形成されてなる Cr— Cu— Crを主成分とする電極であっても構わな、。

[0104] また、上記において、前面板 102には、少なくともバス電極 159, 169、誘電体層 1 07および保護膜 108が形成され、背面板 103には、少なくともデータ電極 112および誘電体層 113が形成されていると説明したが、反射型 PDPのように、これらの層や膜の配置が逆になつていても同様に実施可能である。

<評価試験 >

以下、本実施の形態における PDP101に基づいて実施例 1の PDPを、従来の PD Pに基づ!/、て比較例 1の PDPを準備し、既述した効果の検証を試みた。

[0105] (実施例 1) 実施例 1の PDPは、上記実施の形態 1で示したものと同様であるので、説明を省略する。

(実施例 2)

実施例 2の PDPでは、誘電体層 107の比誘電率 εが 2. 3に、その厚み dが 10 [ m]に設定されている以外は、実施例 1の PDPと同様であるので説明を省略する。

[0106] (比較例 1)

比較例 1の PDPでは、実施例 1の PDPと比べると、前面板 102において、基板 110 の厚みが約 2. 8 [mm]に設定され、 Agペーストを積層塗布し、焼成する圧膜プロセスによって、細幅のバス電極 159, 169が膜厚約 5〜6 [ /ζ πι]に形成され、低融点ガラス材料を塗布し、焼成する印刷法によって、誘電体層 107が、比誘電率 εが約 13 、膜厚が約 40 [； z m]、絶縁耐圧が約 2. 5 X 10⁵[VZcm]となるように形成され、保護膜 108の厚みが、数百 [nm]に設定されている点、背面板 103において、ガラス基板 111の厚みが約 2. 8 [mm]に設定され、低融点ガラス材料を塗布し、焼成する印刷法によって、誘電体層 113が、比誘電率 εが約 13、膜厚が約 40 [ /ζ πι]、絶縁耐圧が約 2. 5 Χ 10⁵[VZcm]となるように形成されている点が異なるのみであるので、上記以外の構成については説明を省略する。

[0107] (評価試験の内容および結果）

(試験 1)

比較例 1の PDPおよび実施例 1の PDPのそれぞれに駆動回路などを接続し、走査電極 105と維持電極 106との間に印加する放電維持電圧を変化させながら、検証した結果、比較例 1の PDPでは、放電維持電圧を 180 [V]以下にすると安定して駆動できなカゝつたのに対し、実施例 1の PDPでは、維持放電電圧を約 140 [V]まで低減しても安定して駆動することが確認できた。

[0108] したがって、本試験により、実施例 1の PDPでは、放電開始電圧を低減可能であることが確認できた。

(試験 2)

また、比較例 1の PDPおよび実施例 1の PDPのそれぞれについて、 15インチのテストパネルを準備し、それぞれに駆動回路などを接続し、（試験 1)で得られた安定駆動域にて、それぞれを駆動させ、入江株式会社製 BM— 8型輝度計でそれぞれの P DPの輝度を測定したところ、比較例 1の PDPでは、 800[cdZm²]の輝度を観測したのに対し、実施例 1の PDPでは、 960[cdZm²]の輝度を観測した。

[0109] したがって、実施例 1の PDPでは、比較例 1の PDPのそれに比べて輝度が約 1. 2 倍に向上し、実施例 1の PDPでは、従来の PDPに比べて誘電体層 107を薄くしたことによる光透過率の向上が確認できた。

上記輝度測定とともに公知の電力計を用いてそれぞれの電力を測定し、公知の式に代入したところ、比較例 1の PDPでは、発光効率が 1. 5 [lmZw]であるのに対し、実施例 1の PDPでは、それが 2. 3 [lmZw]となり、実施例 1の PDPでは、比較例 1の PDPに比べて発光効率が約 1. 5倍に向上したことを確認することができた。

[0110] また、それぞれの PDPにっき、上記安定駆動域で連続駆動させながら、上記輝度計を用いて、輝度が半減する時間を測定したところ、比較例 1の PDPでは、輝度半減時間が約 5000 [h]であったのに対し、実施例 1の PDPでは、それが約 10000[h]であり、実施例 1の PDPでは、比較例 1の PDPよりも約 2倍長い寿命が得られ、従来の PDPと比べて信頼性がさらに向上したことを確認することができた。

[0111] さらに実施例 1の PDPでは、駆動時において、上述した初期化期間にて高電圧が印加されたときに絶縁破壊が発生しな力つたことから、薄膜の誘電体層 107が十分な耐電圧を備えて、ることが分力つた。

実施例 1の PDPでは、比較例 1の PDPと比べて厚みを約 1Z3とした薄い基板 110 が使用されている力基板 110の反りが確認されなかったので、実施例 1の PDPでは、比較例 1の PDPに比べて薄型 '軽量可能であることが確認できた。

[0112] (試験 3)

さらに、比較例 1の PDPおよび実施例 1の PDPのそれぞれにおいて、放電ガスの X e分圧を 100%とし、実施例 1の誘電体層の厚みを 10 [ m]に設定して、（試験 1)と同様、それぞれに駆動回路などを接続し、放電維持電圧を変化させながら安定して駆動する力否か検証したところ、比較例 1の PDPでは、 340 [V]で安定駆動したのに対し、実施例 1の PDPでは、 220 [V]で安定駆動することを確認した。

[0113] したがって、本試験により、実施例 1の PDPでは、放電ガス中の Xe分圧を上昇させても、従来の PDPに比べて放電維持電圧の上昇を招かな、ことが確認できた。 (試験 4)

7(1)が0. 32 (比誘電率 ε = 12、厚み d= 38 [ m])に設定された比較例 1の PDP及び（ ε Zd)が 0. 23 (比誘電率 ε = 2. 3、厚み d= 10 [ m])に設定された実施例 2の PDPに対し、（試験 2)と同様に駆動回路などを接続し、上記安定駆動域にて駆動させ、上記輝度計、電力計を用い、公知の式に代入したところ、比較例 1の PDPでは、発光効率が 2. 3 [lmZw]であるのに対し、実施例 2の PDPでは、それが 3. 0[lmZw]であり、実施例 2の PDPでは、比較例 1の PDPに対して発光効率が約 30%向上することを確認することができた。

[0114] (実施の形態 2)

実施の形態 2では、上記実施の形態 1に係る PDP101を製造する方法について、図 2〜図 4を参照しながら説明する。

図 2は、本発明の実施の形態 2に係る PDP 101の製造工程を示す流れ図である。図 3は、 PDP101の前面板 102の作製工程を示す概略工程図であり、また、図 4は、 PDP101の背面板 103の作製工程示す概略工程図である。なお、図 3に示す前面板 102は、図 1 (b)の前面板 102と上下を逆にして示している。また、図 3では、上記図 1と同じものには同じ参照番号を付与していて、簡略のために一部省略している。さらに、図 3における装置内において基板の配置が上下逆になつている場合もある。

[0115] 5.前面板 102の作製工程

図 3の S1に示すように、ガラス基板 110主面に ITO、 SnO、 ZnOなどからなる透明

2

電極用の膜を約 100[nm]の膜厚で成膜し、フォトリソグラフィ法により、放電ギャップを挟んで互いに対向するようにかつ平行になるように幅広にパターンユングし、対の透明電極 151、 161を形成する（図 2における Sl)。

[0116] 次に、図 3の S2に示すように、透明電極 151、 161主面に、 Al—Nd (Nd含有重量比 2〜6%)のように希土類金属を少なくとも含む A1系金属電極材料を使用して、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法、プラズマビーム蒸着法やスパッタリング法などの真空成膜プロセス法により基板温度が室温〜 300 [°C]で、真空中あるいはスパッタリングガス雰囲気の減圧中にぉ、て、 Al— Nd合金薄膜を成膜する。 [0117] 上記において、 Nd含有率は全体の 2〜6%が好ましい。 2%未満であると、 Ndを添加することによって得られる効果が十分に得られず、 Nd含有率を 2%以上とすることで、基板温度 300 [°C]でもヒロック (電極構造として不要となる微細な突起)の発生を抑制できるからであり、また、 6%以上とすると、膜質を均一にすることが困難になり、熱応力の問題が顕著になるからである。

[0118] 次に、フォトエッチング法、好ましくはドライエッチング法により室温〜 300 [°C]の低温プロセスにより、透明電極 151、 161より幅狭にパターユングし、 Al— Nd合金薄膜力もなるバス電極 159, 169をそれぞれほぼ平行に配列し形成する（図 2〖こおける S2

) o

ここで、ドライエッチングプロセスを使用することにより、電極エッジに凸凹や傾斜がほとんどないバス電極 159, 169を形成することができる。

[0119] また、 Al—Ndなどからなる A1系金属はドライエッチング法によるパターユングプロセスぉ、て 300 [°C]以下の低温プロセスで使用することができる。

このようにして、透明電極 151とバス電極 159との組み合わせをもって走査電極 10

5を、透明電極 161とバス電極 169との組み合わせをもって維持電極 106を形成し、走査電極 105と維持電極 106とで一対をなす表示電極対 104を構成する。

[0120] A1— Ndを主成分とする金属体は、 Agを主成分とする金属体に比べて、均質で、優れた電気特性 (低抵抗)を有していることから、ノス電極 159, 169を、従来の PDP に比べて、優れた電気特性を維持しながら、緻密に、厚みを小さくして積層することができる。

そして、図 3の S3に示すように、透明電極 151、 161主面にノス電極 159, 169力 S 形成された基板 110を、 CVD法、プラズマ CVD法あるいは ICP— CVD法などを実施可能な CVD装置 31に挿入し、上記、ずれかの方法によって当該基板 110に SiO を少なくとも含む緻密な誘電体層 107を形成する（図 2における S3)。

2

[0121] 使用する誘電体原料や成膜条件は各 CVD法で異なり適宜選択されることにより適切な成膜速度や緻密度が得られる。

ここでは、誘電体層 107を、例えば TEOS (テトラエトキシシラン)ガスを含む誘電体層原料を使って、 ICP— CVD法（誘導結合プラズマ CVD法： Inductively Couple d Plasma CVD)を用いた高速 CVD法によって形成する。

[0122] なお、図 3に示す CVD装置 31には、簡略のために図示を省略している力酸素ガスの供給リングが配置され、 TEOS (テトラエトキシシラン)ガスを気化させる気化装置力の気化ガス供給リングが基板近傍に設置されている。

ICP— CVD法では、 CVD装置 31内を、図示しないターボ分子ポンプとロータリーポンプで高速に排気し、真空にした後、真空排気された ICP— CVD反応炉 31内に酸素ガスを供給し、所定の圧力下で、アンテナに RF電力を供給すると ICP— CVD 装置 31内に電波が導入されて誘導電界が形成される。

[0123] この誘導電界により加熱された電子はガス分子と衝突しイオンおよび別の電子を生成する。

その結果、イオンと電子を多量に含む比較的均一なプラズマが形成される。プラズマ中で高温に加熱され活性化された酸素ガスは、拡散により基板近傍まで到達するここで活性ィ匕された酸素ガスと TEOS気化ガスとを反応させることにより、基板 110 主面に SiOが主成分として含まれた膜を生成する。

2

[0124] チャンバ圧力および酸素ガス流量、 TEOS気化ガス供給量の条件を適切に選ぶことにより約 2. 5 [； z mZ分]の速い成膜速度で、緻密で薄膜の SiO膜からなる誘電体

2

層 107を形成することができる。

誘電体層 107を形成する際の基板温度は室温〜 300 [°C]であり、誘電体層 107を低温プロセスにより形成することができる。

[0125] 以上のプロセスによって誘電体層 107を形成すると、従来の PDPに比べて、誘電体層 107の密度が向上し、したがって誘電体層 107の耐電圧が向上する。すなわち、 PDPの発光効率向上に寄与する薄膜の誘電体層 107を低温プロセスにより速い成膜速度で、かつ安定した品質で作成することができる。また、低温プロセスによる誘電体層形成工程 (S3)により、従来のような誘電体層の焼成や高温プロセスに基づくパネルの反りや割れの発生を抑制することができる。

[0126] そして、図 3に示すように、誘電体層 107が形成された基板 110を、 CVD装置 31から次の真空成膜装置 32内へ通路 33を経由して移動させる。通路 33内は、あらカゝじめ真空または減圧状態あるいは Nや Ar不活性ガスで置換

2

した減圧状態になって！/、る。

また、ある場合には減圧状態の通路 33内にて基板 110を一時保管する。

[0127] 真空下あるいは不活性ガス雰囲気中の減圧下で通路 33内を経由して基板 110を移動させ、また通路 33内にて基板 110を保管する場合は、通路 33雰囲気における不純物ガスの分圧を 100 [kPa]より低くするのが望ましぐさらに望ましくは 0. 13 [Pa ]以下とすることが良い。

次に、図 3の S4に示すように、移動させた基板 110の誘電体層 107を覆って、金属酸ィ匕物である MgOを含む保護膜 108を、電子ビーム蒸着法やスパッタリング法などの低温プロセスによる真空成膜プロセス法により、真空成膜装置 32内において、真空下あるいは Arなどのスパッタリングガスを含む減圧下で所定の膜厚に積層し形成する（図 2における S4)。

[0128] ここで、真空成膜プロセスとは、真空状態の中で薄膜を形成するプロセスを指し、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法の他に真空蒸着法、プラズマビーム蒸着法、各 C VD法などの方法が含まれる。真空成膜プロセスでは、低温プロセスで保護膜を形成することが可能である。

これにより、誘電体層 107の形成に引き続いて真空成膜プロセス法により減圧中で保護膜 108を形成するので、品質が高!、保護膜を安定に維持して形成することができる。また、低温プロセスによる真空成膜プロセス法により、従来のような高温プロセスに基づくパネルの反りや割れの発生を抑制することができる。

[0129] そして、図 3の S4に示すように、保護膜 108への不純物ガス（主に H Oや CO )の

2 2 吸着および反応を抑制するために、少なくとも誘電体層 107および保護膜 108が真空減圧中で基板 110主面に積層されてなる前面板 102を、これらを実質的に形成する工程のみでなぐ次の工程への移動工程、保管工程やパネル封着工程への移行工程の際においても、その減圧状態を維持して、真空減圧状態あるいは Nや Ar不

2 活性ガスで置換した減圧状態の通路 34を経由して移動させ、また通路 34にて保管する。

[0130] 真空中あるいは不活性ガス雰囲気中の通路 34を経由して前面板 102を移動させ、また通路 34にて前面板 102を保管する場合は、移動し保管する通路 34の雰囲気の不純物ガス分圧を 100 [kPa]より低くし、望ましくは 0. 13 [Pa]以下とする。

上記作製工程では、少なくとも膜形成工程 (S 1から S4)からパネル封着工程 (S9) に至るまで、すなわち図 2で示したステップ S1からステップ S9に至るまで、大気に接触させずに基板 110主面に誘電体層 107および保護膜 108を形成し、誘電体層 10 7および保護膜 108が形成された基板 110を減圧下で保管'維持することにより、不純物ガスが誘電体層 107および保護膜 108に吸着されず、誘電体層 107および保護膜 108において不純物ガスによる水酸ィ匕反応や炭酸ィ匕反応も起きないので、誘電体層 107および保護膜 108は、真空中で形成された性能を PDP完成時までそのまま維持することができる。

[0131] したがって、当該前面板 102作製工程では、 2次電子放出効率が高く放電開始電圧を低下させて維持し、かつ耐スパッタ特性を向上させ、信頼性ならびに品質が従来よりも向上したバス電極 159、 169、誘電体層 107および保護膜 108を有する前面板 102を安定して作製することができる。

2.背面板 103の作製工程

図 4の S5に示すように、ガラス基板 111の主面に、少なくとも Al— Ndを含む金属電極材料を用いて上記と同様に真空成膜プロセス法、ドライエッチング法により、 A1- Nd合金薄膜を低温プロセスで成膜し、これを低温プロセスでパターンィ匕してデータ電極 112を形成する（図 2における S5)。

[0132] 次に、図 4の S6に示すように、データ電極 112を形成した基板 111を、 CVD法、プラズマ CVD法あるいは ICP— CVD法などを実施可能な CVD装置 41に挿入し、基板 111の主面に、データ電極 112を覆って、上述した前面板 102の誘電体層 107の作製工程と同様に、 CVD法や ICP— CVD法による低温プロセスの各種 CVD法によつて SiOを少なくとも含む誘電体層 113を所定の膜厚で形成する（図 2における S6)

2

[0133] 上記のように、誘電体層 113を低温プロセスで形成するので、従来のように誘電体層を焼成工程で形成するのと比べると、基板 111の反りや割れの発生を抑制することができる。そして、誘電体層 113の形成工程から隔壁 114、蛍光体層 115の形成工程に至るまででは、減圧状態が維持されて、ることが望ま、。

[0134] これにより、誘電体層 113が露出状態にある工程では、常に減圧状態が保たれるので、誘電体層 113に不純物ガスが吸着等していない、品質の安定した背面板 103 を作製することができる。

そして、図 4の S7に示すように、誘電体層 113の主面にほぼ一定の高さを有する隔壁 114を形成配置する（図 2における S7)。

[0135] 隔壁 114の材料として非鉛系ガラス材料を使用することが望ましぐ非鉛系ガラス材料を塗布焼成し、放電セルを複数個配列させたストライプ状にある!ヽは井桁状に仕切るように、所定のパターンでリブ形状に隔壁 114を形成する。

次に、図 4の S8に示すように、隔壁 114に仕切られてなる各溝部分に対し、（Y、 G d) BO :Eu、 Zn SiO : Μηおよび BaMg Al O ： Euなどの蛍光体を使用して、蛍

3 2 4 2 14 24

光体層 115を形成する（図 2における S8)。

[0136] 蛍光体層 115は、上記各溝部分に対して、色ごとに上記蛍光体が印刷塗布され、当該塗布後に焼成されて、隔壁 114の側面力も誘電体層 113主面にかけて形成される。

これにより、当該背面板 103作製工程では、少なくとも誘電体層 113を形成するェ程（S6)と、次の工程である隔壁 114形成工程（S7)へ移行させるその工程の途中とで減圧状態が破られないことから、上記工程にて少なくとも誘電体層 113が大気に接触することがなぐ不純物ガスが誘電体層 113に吸着されることがないまま背面板 10 3を隔壁 114の形成工程 (S7)へ移行させることができるので、信頼性を向上させ安定して背面板 103を製造することができる。

[0137] そして、詳細な説明は省略するが、パネル封着工程（図 2における S9)において、バス電極 159、 169、誘電体層 107および保護膜 108が少なくとも真空中あるいは減圧中で形成された前面板 102と、データ電極 112、誘電体層 113が少なくとも真空中あるいは減圧中で形成され、かつ隔壁 114、蛍光体層 115が形成された背面板 103 とを対向させ、その縁部をシールし貼り合わせて封着する（図 2における S9)。

[0138] その後、パネル内部を高真空に排気した後（図 2における S10)、パネル内部に放電ガスとして、希ガスのキセノン 'ネオンなどを含む混合ガスを所定の圧力で封入し封止し（図 2における S11)、エージング工程（図 2における S12)を経て、 PDP101を作成する。

《実施の形態 2における PDPの効果》

本実施の形態における PDPの製造方法では、バス電極 159, 169を真空成膜プロセスで形成しているので、従来のようにバス電極を厚膜法で形成するのに比べると、バス電極中にバインダー焼成物が残留せず、以後の誘電体層 107形成工程にぉヽて、気泡の発生をなくすことができるので、絶縁破壊を起こしにくい誘電体層 107を形成することができる。したがって、従来の PDPの製造方法に比べて、誘電体層 107 を薄く形成することができる。

[0139] また、本実施の形態における PDPの製造方法では、誘電体層 107を ICP— CVD 法で形成しているので、従来のように誘電体層を圧膜法で形成するのに比べると、誘電体層 107を高密度に形成することができ、したがって、耐電圧高く誘電体層 107を形成することができ、その結果、厚みを小さくして誘電体層 107を形成することができ、特に ICP— CVD法で形成することにより、従来の厚膜法に比べて、かつ他の CVD 法に比べて、高速に形成することができる。

[0140] したがって、本実施の形態における PDPの製造方法では、従来の PDPの製造方法に比べて、放電維持電圧、放電開始電圧の低減可能、発光効率の向上可能な P DPを、高速に製造することができる。

本実施の形態における PDPの製造方法では、誘電体層 107の積層工程力特許文献 1の PDPの製造方法に比べて、単純であり、したがって、品質の高い、信頼性の高、PDPを製造することができる。

[0141] 本実施の形態における PDPの製造方法では、誘電体層 107の積層工程から誘電体層 107が積層された前面板 102の移動 ·保管 ·次工程への移行工程まで、真空あるいは減圧状態が維持されているので、特許文献 2の PDPの製造方法に比べて、誘電体層 107が大気に接触することを抑制することができ、誘電体層が不純物ガスを吸着することを抑制できる。

[0142] 本実施の形態における PDPの製造方法では、保護膜 108の積層工程力も保護膜 108が積層された前面板 102の移動 ·保管 ·次工程への移行工程まで、真空あるヽは減圧状態が維持されているので、特許文献 1, 2の PDPの製造方法に比べて、保護膜 108が大気に接触することを抑制することができ、保護膜が不純物ガスを吸着することを抑制できる。

[0143] したがって、本実施の形態に係る PDPの製造方法では、特許文献 1, 2の PDPの製造方法に比べて、寿命の長い、信頼性の高い、品質の安定した PDPを製造することがでさる。

なお、上記において誘電体層原料としては TEOSガスを使用して説明した力他の有機シラン系材料を使用しても構わない。

[0144] また、上記において、保護膜 8は MgOを使用して形成するものとして説明したが、 B aO、 CaO、 SrO、 MgNOおよび ZnOなどの金属酸化物を使用しても構わない。また、上記において、背面板 103における誘電体層 113を CVD法で形成するとして説明したが、従来の背面板と同じように、低融点ガラスである誘電体層を印刷焼成し形成しても構わない。

[0145] また、背面板 103におけるデータ電極 112を Al—Ndを含む金属材料力も真空中で形成するとして説明したが、従来の背面板と同じように、 Ag電極を印刷焼成して形成してもある!、は真空中で Cr— Cu— Cr電極を形成しても構わな、。

また、上記において、前面板 102として少なくともバス電極 109、誘電体層 107および保護膜 108を形成し、背面板 103として少なくともデータ電極 112および誘電体層 113を形成するとして説明した力反射型 PDPのように、これらの層や膜の配置が逆になっていても同様に実施可能であり、対向する基板のいずれかにこれらの層や膜が形成されていてよい。

[0146] (実施の形態 3)

本実施の形態では、基板主面と平行な面において、一対の表示電極における表示電極間の間隙に設けられたバス電極形状のバリエーションについて示す。

図 5 (a)は、表示電極に沿って切断した断面に相当する要部断面図、図 5 (b)は、図 5 (a)の X— Y面で切断した断面に相当する要部断面図である。

[0147] 本実施の形態では、実施の形態 1とバス電極の構成が異なるのみであるので、バス電極以外の構成については、その説明を省略する。

図 5 (b)に示すように、走査電極 105および維持電極 106のそれぞれは、透明電極 151, 161とバス電極 159, 169とで構成される基部と、突出部 118, 119とを有しており、走査電極 105の基部と維持電極 106の基部とが、第 1の間隙を挟んで対向し、走査電極 105の突出部 118と、維持電極 106の突出部 119と力第 1の間隙より狭い第 2の間隙を挟んで、放電セル内において、基部どうしの対向辺に複数配置されている。

[0148] <バリエーション 1 >

ノリエーシヨン 1における PDP放電セルの表示電極の構成について説明する。図 6 (a)は、 PDPの表示電極対の一部を背面板側から見た図であり、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。図 6 (b)はその一部を拡大した要部平面図である。

[0149] 図 6 (a)に示すように、表示電極対 104を構成するバス電極 159, 169の一方から延 ί申され、他方のノス電極 159, 169に向力う電極カロェ咅 172を、透明電極 1 51, 161どうしの対向辺から突き出させた結果、透明電極 151, 161およびバス電極 159, 169を基部とした場合、当該基部から突き出た部分力突出部 118, 119に該当する。対向する突出部 118, 119どうしの間隙 gは、透明電極 151, 161どうしの間隙 Gより狭ぐかつ一定に保たれている。例えば、間隙 Gを 50〜： LOO^ m]とする場合、間隙 gを、 1〜10 [ m]とするのが望ましい。これにより、ノス電極 159, 169から突出部 118, 119先端までの電気抵抗を低減することができ、バス電極 159, 169形成に用いられる微細加工工程を用いてバス電極 159, 169の形成と同時に、突出部 118, 119を形成することができ、また、突出部 118, 119間での電界強度を強めることがでさる。

[0150] 図 6 (b)に示すように、突出部 118, 119の先端角度 0 1、 Θ 2が、 10度以上 90度未満の範囲で、突出部 118, 119の先端辺力走査電極 105の主面に平行な面において、鋭角形状の輪郭を有するように、形成されている。 Θ 1、 Θ 2は同じ角度でも異なる角度でもよい。なお、突出部 118, 119の先端辺形状は、鋭角形状に限定されず、曲線状の輪郭で形成されていてもよい。 [0151] 1〜10 111]の狭ぃ間隙₈を挟むょぅに突出部118, 119を形成する工程や、突出部 118, 119の先端辺を鋭角形状の輪郭で形成する工程は、薄膜金属電極であるノス電極 159, 169の形成の際に用いられるファインプロセス加工と同様のプロセスによって実現できる。

なお、ノリエーシヨン 1において、異電極にて対向する 2本及び同電極にて隣り合う 2本の計 4本の突出部 118, 119を一組とし、かかる一組の突出部 118, 119先端どうしが等間隔を成し、かつ、突出部 118, 119先端を直結した仮想線が正方形をなすように、突出部 118, 119が配置されていてもよい。

[0152] <ノリエーシヨン 2>

図 7 (a)は、 PDPの表示電極対の一部を背面板側から見た図であり、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。図 7 (b)はその一部を拡大した要部平面図である。

図 7が、図 6と異なる点は、走査電極 105の複数の突出部 118と維持電極 106の複数の突出部 119とで挟まれた間隙力放電セル内にて走査電極 105もしくは維持電極 106の延伸方向に沿って変化する点と、突出部 118, 119先端辺の形状力異なる電極間において対向関係にある突出部 118, 119どうしで異なる点であるので、図 6を用いてすでに説明した構成については説明を省略する。

[0153] 図 7 (a)に示すように、バリエーション 2にお!/、ては、走査電極 105の複数の突出部 118と維持電極 106の複数の突出部 119とで挟まれた間隙力放電セルの中心部においては広い間隙 glとし、走査電極 105もしくは維持電極 106の延伸方向に沿つて放電セルの境界部に行くに従って狭くなり、放電セルの境界部（隔壁側）においては狭い間隙 g2となるように、複数の突出部 118, 119が、走査電極 105のものと維持電極 106のものとで互いに相対し配置されて!、る。

[0154] 例えば、間隙 g2を 1〜5 [ m]の範囲とする場合、間隙 glを 5〜： L0 [ m]の範囲とするのが好ましいが、間隙 gl、 g2の値は上記範囲に限定されず、かつその値の変化のさせ方も、徐々にあるいは階段状に変化させるなど適切に設計することができる。なお、放電セル内において最も狭い間隙を挟んでなる一対の突出部力放電セル境界部に一対ずつ設けられている力これに限定されず、 2対以上ずつであってもよい [0155] また、図 7 (b)に示すように、本実施の形態では、例えば、帯状の走査電極 105または維持電極 106の延伸方向と平行な面において、走査電極 105側の突出部 118先端辺が三角形状の輪郭で、維持電極 106側の突出部 119先端辺が半楕円形状の輪郭で形成されているが、これに限定されず、多角形状または曲線状の輪郭力選択されたものであればょ、。

[0156] さらに、対向する突出部 118, 119どうしの間隙を、放電セルの中心部においては広い状態とし、放電セルの境界部に行くにしたがって狭くなるようにした力これとは逆に、一対を構成する突出部どうしに挟まれた間隙の最も狭い箇所を放電セルの中心部において少なくとも 2箇所設け、放電セルの境界部に行くにしたがって広くなるようにしても、同様に上記効果を奏することができる。

[0157] <ノリエーシヨン 3 >

図 8 (a)は、バリエーション 3における PDPの放電セルの一部を示す要部平面図であり、 PDPの表示電極対の一部を背面板側から見た図であって、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。

図 8 (a)が、図 6 (a)、図 7 (a)と異なる点は、第 1電極の突出部と第 2電極の突出部と力互いに一定間隙をお!/、て櫛歯状に入り組んだ状態となって、る点であるので、図 6 (a)、図 7 (a)において、すでに説明した構成については説明を省略する。

[0158] 図 8 (a)に示すように、バリエーション 3においては、透明電極 151, 161どうしの対向辺にて、走査電極 105側の突出部 118と、維持電極 106側の突出部 119が、互いに一定間隙をおいて櫛歯状に、かつ、入り組んだ状態で配置されている。

図 8 (b)に示すように、ノリエーシヨン 3において、走査電極 105または維持電極 10 6の少なくとも一方において、櫛歯状に配された突出部 118, 119が、ノス電極 159 , 169の少なくとも一方力延伸され、かっこれと併走するように配された細幅の電極加工部 172から突出するように形成されていてもよい。図 8 (b)は、図 8 (a)と同様、 P DPの表示電極対の一部を背面板側力も見た図であって、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する。

[0159] なお、走査電極 105および維持電極 106の両方において、櫛歯状に配された突出部 118, 119力 S、ノス電極 159, 169の両方と併走するように配された細幅の電極カロェ部から延伸されて、ても構わな、。

なお、図 8 (c)に示すように、走査電極 105の突出部 118の辺および維持電極 106 の突出部 119の辺のうち、互いに向かい合う辺において、複数の突起部 120を配してもよい。図 8 (c)は、図 8 (a) , (b)に示した突出部 118, 119の一部を拡大した要部平面図である。

[0160] 《実施の形態 3における PDPの効果》

上記のように、放電セル内において走査電極 105および維持電極 106の各対向辺に複数の突出部 118, 119を設けると、走査電極 105および維持電極 106に給電したときに、複数の突出部 118, 119にて電位が集中し、突出部 118と突出部 119との間で電界強度が強められ、放電の開始しやすい箇所が、放電セル内に複数存在することとなるので、放電セル内において突出部が一対のみのものに比べて放電を開始させやすい。その結果、放電開始電圧を下げても確実に維持放電を開始させることができる。また、放電セル内において突出部が一対しかない場合、ノターニング精度の、かんによって表示電極対 104の延伸方向に突出部 118, 119の配設位置にずれが生じたときに、放電セルごとに放電遅れ時間がばらつく恐れがあるのに対して、放電セル内に突出部を複数設けておけば、放電遅れ時間がパターニング精度に左右されにくくなる。したがって、放電遅れ時間のばらつき幅を狭めることができるので、放電開始電圧を下げても、維持放電を確実に開始させることができ、 PDPの消費電力を低減させることができる。また、放電遅れ時間を制御できるので、高精細な P DPを実現できる。

[0161] ノリエーシヨン 1では、対向関係にある突出部 118, 119どうしの間隙を一定とし、かつ同電極にて隣り合う突出部において、走査電極 105もしくは維持電極 106の各対向辺からの突出量を同一にしたことにより、図 2 (a)に示すように、例えば 6箇所すベての対向箇所において放電を開始させやすくすることができ、上述したような突出部 118, 119の配設位置にずれが生じても、放電を開始させやすい箇所を複数確保できる。また、突出部 118, 119の先端辺を、帯状の走査電極 105の主面と平行な面において、鋭角形状の輪郭に形成したことにより、突出部 118, 119にて電位が集中するとともに突出部 118, 119の鋭角形状先端にて電位がさらに集中し、一対を構成する突出部 118, 119どうしに挟まれた間隙において電界強度をより強めることができるので、よりいつそう放電を開始させやすくすることができる。

[0162] バリエーション 2では、放電セル両境界部において走査電極 105の突出部 118と維持電極 106の突出部 119とで挟まれた間隙力放電セル内で最も狭いので、例えば、図 7 (a)に示すように、少なくとも 2箇所で放電を開始させやすぐまた、バリエーション 1と同様に、帯状の走査電極 105の主面に平行な面において、突出部 118, 119 の先端辺を鋭角形状または曲線状の輪郭としたので、よりいつそう放電を開始させやすい。特にバリエーション 2では、バリエーション 1に比べて放電セル中央部で突出部 118, 119間の間隙が広くなつているので、開口率を向上させながら、上記効果を奏することができる。

[0163] ノリエーシヨン 3では、突出部 118, 119を櫛歯状に入り糸且ませた状態で配することにより、各突出部 119と、異なる電極力も伸びて突出部 119と近接する 2本の突出部 118との間で放電を開始させやすい箇所を設けることができるので、異なる電極間において突出部を対向させた場合の対向箇所の数に比べて、放電を開始させやすい箇所を増やすことができ、上記効果を大きくすることができる。

[0164] 特に、図 8 (c)に示すように、バリエーション 3において、対向する突出部 118, 119 の双方において、突出部 118, 119どうしの対向辺に複数の突起部 120を配した場合、当該突起部 120にて電位が集中し、対向する突起部 120の間にて電界強度が強められるので、上記効果が大きくなる。なお、突起部 120を、対向する突出部 118 , 119のいずれか一方にのみ配していてもよい。図 8 (c)に示すように、複数の突起部 120は、帯状の走査電極 105の主面に平行な面において、三角形状の輪郭を有しているが、これに限定されず、他の多角形状または曲線状の輪郭を有していてもよい。

[0165] さら【こ、ノリエーシヨン 1な!ヽし 3【こお!ヽて、突出咅 118, 119を、ノス電極 159, 16 9から延伸形成させ、すなわち、バス電極と同じ材料で形成したため、バス電極 159, 169の形成に用いられる微細加工工程と同時に突出部 118, 119を形成することができ、また、バス電極 159, 169から突出部 118, 119までの電気抵抗を低減できることから、突出部 118, 119を製造容易にし、かつ、放電セル寸法の縮小を可能にするとともに、応答性を向上させることができる。

[0166] [評価試験]

ノリエーシヨン 1およびバリエーション 3に基づいて PDPを作製して、それぞれに駆動回路等を接続し、走査電極 105と維持電極 106との間に印加する放電開始電圧を変化させながら、安定駆動する力否かについて検証した。その結果、いずれも約 1

20 [V] 、う従来の放電開始電圧より低、電圧であっても、安定して駆動できることを確認した。

[0167] (実施の形態 4)

図 9 (a)は、 PDPの表示電極対の一部を背面板側から見たものであり、二点鎖線で囲った範囲が放電セノレに相当する範囲である。図 9 (b)は、その一部を拡大した要部平面図である。

図 9 (a)に示すように、放電セルにおいて、走査電極 105および維持電極 106で構成された表示電極対 104が複数の放電セルにまたがるように、延伸して配設され、複数の突出部 118, 119が、走査電極 105および維持電極 106を構成する透明電極 1 51, 161が互いに対向する辺力突き出すように対向配置され、対向する複数の突出部 118、 119のそれぞれ力透明電極 151, 161に挟まれた間隙 Gより狭い間隙 g で相対するように配されて、る。

[0168] ノス電極 159, 169の一方から延伸され、他方のバス電極 159, 169に向力う電極加工部 171, 172を、透明電極 151, 161どうしの対向辺力も突き出させた結果、透明電極 151, 161およびバス電極 159, 169を基部としたときの当該基部力も突き出た部分力突出部 118, 119に該当する。なお、電極加工部 171, 172は、例えば約 5 [ m]幅で形成されて!、る。

[0169] 突出部 118, 119は、各電極において一対を成し、かつ、帯状の走査電極 105の主面と平行な面において、その先端辺が鋭角状の輪郭を有し、一対を構成する各突出部 118, 119の先端どうしが互いに接近するよう爪状に屈曲して形成されて、る。上記において、突出部 118, 119の先端辺形状が鋭角状の輪郭を有しているとした力これに限らず、多角形状および曲線状の輪郭で形成されていればよぐまた、電極加工部 171, 172の幅を約 5 [ m]とした力それより太くても細くても構わない。

[0170] 特に、図 9 (b)に示すように、対向する一対の突出部 118、 119の各先端 221を直結する仮想線が正方形 220を描くように、かつ各先端 221がその正方形 220の角に位置するように配置されている。 4個の先端 221は、互いの間隙 gを例えば約 5 [ m ]の等、間隔で相対して、る。

《実施の形態 4における PDPの効果》

本実施の形態では、実施の形態 1と同様に、放電セル内に複数の突出部 118, 11 9を設け、かつそれら突出部の先端辺を、走査電極 105の主面と平行な面において、鋭角状の輪郭となるように形成したため、突出部 118, 119にて電位が集中するとともに突出部先端にてさらに電位が集中し、放電開始しやすい箇所を、放電セル内に複数設けることができ、放電セル内にて突出部が一対のみのものに比べて放電を開始させやすい。さらに、本実施の形態では、走査電極 105もしくは維持電極 106の対向辺からの突出量を同寸法とし、同電極にて隣り合う突出部で一対とし、一対を構成する突出部 118, 119の各先端どうし力互いに接近するよう屈曲しているため、走查電極 105および維持電極 106に給電したときに、それら電位集中の起きる先端どうしで等電位線が結ばれ、かつ他方の電極に向力つて張り出すような状態となる。等電位線が他方の電極に向カゝつて張り出すことにより、走査電極 105および維持電極 10 6に給電したとき、異なる電極間における突出部 118, 119先端どうしにおいて、実施の形態 3の突出部 118, 119先端同士における放電間隙より狭い放電間隙にて放電が開始されるので、低い電圧を印加しても確実に放電を開始させることができ、複数の放電セルにおいて生じる放電遅れ時間のばらつき幅も狭めることができる。したがつて、 PDPの画質を維持しながら、消費電力を低減させることができる。

[0171] 特に、最も近接する 4本の突出部 118, 119の各先端を直結した仮想線が正方形 2 20をなすように、突出部 118, 119を配置したため、一対の突出部 118, 119間にて、電界集中がより強くなり、上記効果が大きくなる。

さらに、突出部 118, 119を、ノス電極 159, 169から延伸して形成していることから、バス電極 159, 169の形成に用いられる微細加工工程と同時に、突出部 118, 119 を形成することができ、また、バス電極 159, 169から突出部 118, 119までの電気抵抗を低減できることから、突出部 118, 119を製造容易にし、かつ、放電セル寸法の縮小を可能にするとともに、応答性を向上させることができる。

[0172] 本実施の形態において、上記のとおり、突出部 118, 119は、バス電極 159, 169 力も延伸して形成した力対向する透明電極 151, 161どうしの対向辺より延伸したものであってもよい。

また、本実施の形態において、 4本の爪形に屈曲した突出部 118, 119の各先端を結んだ形状が正方形となるように突出部 118, 119を配した力そのほかに長方形、平行四辺形および台形などの他の四角形状に配してもかまわない。

[0173] また、上記において、一対を構成する突出部 118, 119の先端どうし力互いに接近するように爪形に屈曲して形成されていると説明した力これに限定されるものではなぐその突出部 118, 119の先端形状として、各突出部 118, 119が、その中心線に対して非対称の形状でかつ一対を構成する突出部 118, 119の先端どうしが向き合う形状であればよい。

[0174] なお、図 9 (a)に示すように、本実施の形態においては、放電セルあたり同電極にお!、て一対の突出部を二つ設けた力放電セルあたり同電極にぉ、て一つでもよヽ。もちろん、放電セルあたり同電極において一対の突出部を 2以上設けてもよい。本実施の形態では、走査電極 105および維持電極 106の双方において、突出部 1 18, 119が対を成している力いずれか一方の電極においてのみ、対をなしていてもよい。

[0175] [評価試験]

上記実施の形態に基づいて PDPを作製し、それぞれに駆動回路等を接続し、走查電極 105と維持電極 106との間に印加する放電開始電圧を変化させながら、安定駆動するか否かについて検証した。その結果、約 100[V]という従来の放電開始電圧より低、電圧であっても、安定して駆動できることを確認した。

[0176] (実施の形態 5)

図 10は、実施の形態 5における PDPの放電セルにおける表示電極対の構成を示す概略平面図であり、 PDPの背面板側力も見た図である。図 10は、図 6 (a)〜9 (a) に相当する要部平面図であり、二点鎖線で囲った範囲が放電セルに相当する範囲である。

図 10に示すように、走査電極 105および維持電極 106を一対とする表示電極対 1 04が、複数の放電セルにまたがるように、延伸して配設されており、走査電極 105および維持電極 106が透明電極 151, 161およびバス電極 159, 169で構成され、先端辺を鋭角形状とする突出部 118, 119が、透明電極 151, 161が互いに対向する辺から突き出すように対向配置されて、る。

[0177] ノス電極 159, 169の一方から延伸され、他方のバス電極 159, 169に向力う電極加工部 171, 172を、透明電極 151, 161どうしの対向辺力も突き出させた結果、透明電極 151, 161およびバス電極 159, 169を基部としたときの当該基部力も突き出た部分力突出部 118, 119に該当する。バス電極 159, 169と同じ材料で形成され、対向関係にある突出部 118, 119どうしの間隙 gは、それぞれ透明電極 151, 161 どうしの間隙 Gより狭、状態に保たれて、る。

[0178] 例えば、間隙 Gを 50〜： ίΟΟ[ /ζ m]とする場合、間隙 gを 5 [ m]とするのが望ましく、突出部 118, 119の先端辺は、先端角度を 5〜60度とする先鋭な鋭角状で形成されていることが望ましい。

《実施の形態 5における PDPの効果》

上記のような構成とすることで、突出部 118, 119にて電位が集中するのみならず、突出部 118, 119の各先端辺力走査電極 105の主面に平行な面において先鋭な鋭角形状の輪郭で形成されたことによって、先鋭な突出部 118, 119先端にてさらなる電位の集中が起き、走査電極 105および維持電極 106に給電したときに、低い電圧であっても放電をより確実に開始させることができ、複数の放電セルにおいて生じる放電遅れ時間のばらつき幅も狭めることができる。したがって、 PDPの画質を維持しながら、消費電力を低減させることができる。

[0179] また、突出部 118, 119力ノス電極 159, 169から延伸され、すなわち、バス電極 159, 169と同じ材料で形成されていることから、バス電極 159, 169の形成に用いられる微細加工の工程と同時に、突出部 118, 119を形成することができ、また、ノス電極 159, 169から突出部 118, 119までの電気抵抗を低減できるので、製造容易な PDPを実現し、かつ、 PDPの高精細化を図るために放電セル寸法の縮小を可能にするとともに、応答性を向上させることができる。

[0180] なお、上記各実施の形態において、対向する突出部の間隙 gを 1〜10[ m]の範囲で設定したが、上記範囲に囚われず、 PDPの精細度などの事情から、間隙 gを 10 [ m]より大きくしてもよヽ。

また、上記各実施の形態において、 CVD法や ICP—CVD法により形成された、 Si oを主成分とする緻密な薄膜の誘電体層を用いると説明したが、 SiOよりやや高い

2 2

比誘電率を有する鉛ガラス系材料や非鉛ガラス系材料を厚ぐ塗布し、これを焼成して形成される誘電体層を用いても同様に実施可能である。

[0181] また、上記において、誘電体層として、その比誘電率 ε力 ¾〜5の範囲にあり、その膜厚 dが 1〜10 [ m]の範囲で形成されるように説明した力比誘電率として 5〜15 の範囲で、膜厚 dとして 10〜45 [ m]で形成されていても構わない。

産業上の利用可能性

[0182] 本発明の PDPとその製造方法によれば、放電開始電圧を低減し発光効率や信頼性、品質を向上させたプラズマディスプレイパネルを、大型のテレビジョンや高精細テレビジョンあるいは大型表示装置など、映像機器産業、宣伝機器産業、産業機器やその他の産業分野に利用することができ、その産業上の利用可能性は非常に広く且つ大きい。

Claims

請求の範囲

[1] 放電空間を挟んで一対の基板が対向配置され、前記基板の前記放電空間側主面に帯状の電極が延伸され、前記電極を覆うように前記基板の放電空間側主面に誘電体層が積層されたプラズマディスプレイパネルであって、

前記両基板のうち少なくともいずれかの誘電体層は、 1. 0 10⁶[¥ 《11]以上1. 0 X 10⁷[V/cm]以下の絶縁耐圧を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネノレ。

[2] 前記誘電体層は、

Si原子および O原子を含んでおり、

化学気相成長法によって形成された履歴を有することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネノレ。

[3] 前記化学気相成長法は、誘導結合プラズマ化学気相成長法であることを特徴とする請求項 2に記載のプラズマディスプレイパネル。

[4] 前記誘電体層の比誘電率 εは、 2以上 5以下の範囲にあることを特徴とする請求項 1 に記載のプラズマディスプレイパネル。

[5] 前記誘電体層の膜厚 dは、 1 [ m]以上 10 [ m]以下の範囲にあることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[6] 前記誘電体層の比誘電率 εと前記誘電体層の膜厚 dとの比（ ε /ά)が 0. 1以上 0.

3以下であることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[7] 前記一対の基板のうち、一方の基板において、前記電極が一対をなしており、

前記一対の電極の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列され、

前記一対の電極は、第 1電極および第 2電極からなり、

前記一対の電極において、第 1電極および第 2電極のそれぞれ力帯状の基部と、前記基部から前記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とを有することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[8] 各放電セル内では、前記第 1電極の突出部と、前記第 2電極の突出部とが、対向する状態に配され、

対向状態にある 2つの突出部間において、及び隣り合う突出部間において、突出長さが対称的に形成されていることを特徴とする請求項 7に記載のプラズマディスプレイパネノレ。

[9] 各放電セル内において、前記第 1電極の突出部と、前記第 2電極の突出部とを、対向させてなる組力 3組以上配されており、

放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も短ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さが長いことを特徴とする請求項 7に記載のブラズマディスプレイパネノレ。

[10] 各放電セル内において、前記第 1電極の突出部と、前記第 2電極の突出部とを、対向させてなる組力 3組以上配されており、

放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も長ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さが短いことを特徴とする請求項 7に記載のブラズマディスプレイパネノレ。

[11] 第 1電極の複数の突出部と、第 2電極の複数の突出部とが、各放電セル内において

、互いに一定間隙をおいて櫛歯状に入り組んだ状態であることを特徴とする請求項 7 に記載のプラズマディスプレイパネル。

[12] 異電極の突出部に臨む突出部辺は、帯状基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成されていることを特徴とする請求項 7に記載のプラズマディスプレイパネル。

[13] 前記一対の基板のうち、一方の基板において、前記電極が一対をなしており、

一対の電極の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列され、

前記一対の電極は、第 1電極および第 2電極からなり、

前記第 1電極および前記第 2電極のそれぞれが、帯状の基部と、前記基部から前記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とを有し、両電極の少なくとも一方において、

同電極にて隣り合う突出部が、前記基部力もの突出長さを同寸法とし、かつ一対をなし、

一対の突出部の各先端部分は、

基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成され、かつ、各突出部の中心線が突出部先端よりも先方で互いに交差するように、帯状基部の幅方向に対して傾斜して、ることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[14] 前記一対の基板のうち、一方の基板において、前記電極が一対をなしており、

前記一対の電極は、第 1電極および第 2電極からなり、

前記第 1電極および前記第 2電極のそれぞれは、帯状の基部と、前記基部から前記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とを有し、両電極の少なくとも一方において、

一対の突出部の各先端部分が、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成され、

一対の突出部を構成する突出部どうしの間隙が、前記基部側よりも突出部先端側で狭、ことを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[15] 前記一対の基板のうち、一方の基板において、前記電極が一対をなしており、

前記一対の電極は、第 1電極および第 2電極からなり、

一対の突出部を構成する各突出部の先端部分が、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成され、かつ、互いに接近するように屈曲していることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[16] 前記第 1電極および前記第 2電極のそれぞれを構成する各一対の突出部先端が、各先端を頂点とする閉鎖領域を想定するとき、当該領域が正方形状となるように配されていることを特徴とする請求項 13から 15のいずれか〖こ記載のプラズマデイスプレイパネノレ。

[17] 前記基部は、帯状の透明電極と、前記透明電極の前記放電空間側主面に配されたバス電極とからなり、

前記バス電極は、

アルミニウムおよびネオジムを主成分に含んでおり、

真空中あるいは減圧下で形成された履歴を有することを特徴とする請求項 7に記載のプラズマディスプレイパネノレ。

[18] 前記突出部が、前記バス電極から分岐して、前記バス電極と同種の材料で形成されていることを特徴とする請求項 17に記載のプラズマディスプレイパネル。

[19] 前記一対の基板のうち、一方の基板において、前記電極が一対をなしており、前記一対の電極の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列され、

前記一対の電極は、第 1電極および第 2電極からなり、

前記第 1電極および前記第 2電極のそれぞれは、帯状の基部と、前記基部から他方の基部に向けて突出形成された突出部とを有し、

前記基部は、バス電極と透明電極とからなり、

第 1電極の突出部と、第 2電極の突出部とは、

その先端が、基部の主面に平行な面において、鋭角形状の輪郭となるように、かつ前記バス電極から分岐して、前記バス電極と同種の材料で、

形成されてヽることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[20] 前記誘電体層の前記放電空間側主面に保護膜が積層されており、

前記保護膜は、

MgOを主成分に含んでおり、

真空中あるいは減圧下で前記誘電体層の前記放電空間側主面に積層され、かつ前記一対の基板が張り合わされるまで、真空あるいは減圧状態が維持されて保管された履歴を有することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[21] 前記基板の厚み tは、 0. 5 [mm]以上 1. 1 [mm]以下の範囲にあることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマディスプレイパネル。

[22] 前記基板は、プラスチック材料力なることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマデイスプレイパネノレ。

[23] 基板主面に誘電体層を積層するステップと、前記誘電体層が積層された前記基板を搬送または保管するステップとを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法であつて、

誘電体層積層ステップから誘電体層積層基板搬送 ·保管ステップまで、減圧状態を維持することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[24] 基板主面に誘電体層を積層するステップと、前記誘電体層の主面に保護膜を積層するステップと、前記保護膜が積層された前記基板を搬送または保管するステップとを含むプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、

保護膜積層ステップ力も保護膜積層基板搬送'保管ステップまで、減圧状態を維持することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[25] 前記基板は、前面用基板であることを特徴とする請求項 23または 24に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[26] 前記誘電体層積層ステップの前に、前記基板の主面に表示電極を形成する表示電極形成ステップを備えており、

前記表示電極形成ステップには、

透明電極を帯状に形成するサブステップと、

前記透明電極の主面にバス電極を帯状に形成するサブステップとを含み、

前記ノス電極を形成するサブステップでは、

アルミニウムおよびネオジムを主成分とする材料を用い、

真空成膜プロセス法により前記バス電極を形成することを特徴とする請求項 23または 24に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[27] 前記保護膜積層ステップでは、

Mg原子および O原子を主成分に含む材料を用い、

真空成膜プロセス法により前記保護膜を積層することを特徴とする請求項 24に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[28] 前記基板は、背面用基板であり、

前記誘電体層積層ステップの前に、前記背面用基板の主面にデータ電極を形成するデータ電極形成ステップを備え、

前記誘電体層積層基板搬送'保管ステップにおける搬送後に、

前記誘電体層の主面に隔壁を立設するステップと、

前記隔壁側面から前記誘電体層主面にかけて蛍光体層を形成するステップとを含み、

前記誘電体層積層ステップカゝら蛍光体層形成ステップまで、減圧状態を維持することを特徴とする請求項 23に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[29] 前記データ電極形成ステップでは、

アルミニウムおよびネオジムを主成分に含む材料を用い、

真空成膜プロセス法により前記データ電極を形成することを特徴とする請求項 28〖こ記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[30] 前記ステップは、室温以上 300 [°C]以下の雰囲気中で行われることを特徴とする請求項 23または 24に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[31] 前記誘電体層積層ステップでは、化学気相成長法 (CVD法)を用いて前記誘電体層を積層することを特徴とする請求項 23に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[32] 前記化学気相成長法は、誘導結合プラズマ化学気相成長法 (ICP— CVD法)であることを特徴とする請求項 31に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。

[33] 主面に第 1電極および第 2電極からなる表示電極対が延伸して配設された基板を備え、表示電極対の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、

前記第 1電極および前記第 2電極のそれぞれは、帯状の基部と、前記基部から前記放電セルごとに他方の基部に向けて突出形成された複数の突出部とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[34] 各放電セル内では、前記第 1電極の突出部と、前記第 2電極の突出部とが、対向する状態に配され、対向状態にある 2つの突出部間において、及び隣り合う突出部間において、突出長さが対称的に形成されていることを特徴とする請求項 33に記載のプラズマディスプレイパネノレ。

[35] 各放電セル内において、前記第 1電極の突出部と、前記第 2電極の突出部とを、対向させてなる組力 3組以上配されており、

放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も短ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さが長いことを特徴とする請求項 33に記載のブラズマディスプレイパネノレ。

[36] 各放電セル内において、前記第 1電極の突出部と、前記第 2電極の突出部とを、対向させてなる組力 3組以上配されており、

放電セル中央部に位置する組の突出部の突出長さが最も長ぐ放電セル両端近くに位置する組ほど突出部の突出長さが短いことを特徴とする請求項 33に記載のブラズマディスプレイパネノレ。

[37] 第 1電極の複数の突出部と、第 2電極の複数の突出部とが、各放電セル内において

、互いに一定間隙をおいて櫛歯状に入り組んだ状態であることを特徴とする請求項 3

3に記載のプラズマディスプレイパネル。

[38] 異電極の突出部に臨む突出部辺は、帯状基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成されていることを特徴とする請求項 33に記載のプラズマディスプレイパネノレ。

[39] 主面に第 1電極および第 2電極からなる表示電極対が延伸して配設された基板を備え、表示電極対の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、

一対の突出部の各先端部分は、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成され、かつ、各突出部の中心線が突出部先端よりも先方で互いに交差するように、帯状基部の幅方向に対して傾斜して、ることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[40] 主面に第 1電極および第 2電極からなる表示電極対が延伸して配設された基板を備え、表示電極対の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、

一対の突出部を構成する突出部どうしの間隙が、前記基部側よりも突出部先端側で狭いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[41] 主面に第 1電極および第 2電極からなる表示電極対が延伸して配設された基板を備え、表示電極対の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、

一対の突出部を構成する各突出部の先端部分が、基部の主面に平行な面において、多角形状または曲線状の輪郭で形成され、かつ、互いに接近するように屈曲していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。

[42] 前記第 1電極および前記第 2電極のそれぞれを構成する各一対の突出部先端が、各先端を頂点とする閉鎖領域を想定するとき、当該領域が正方形状となるように配されていることを特徴とする請求項 39に記載のプラズマディスプレイパネル。

[43] 前記第 1電極の基部と前記第 2電極の基部とのうち少なくとも一方が、バス電極と透明電極とからなり、

前記突出部が、前記バス電極から分岐して、前記バス電極と同種の材料で形成されていることを特徴とする請求項 33に記載のプラズマディスプレイパネル。

[44] 主面に第 1電極および第 2電極からなる表示電極対が延伸して配設された基板を備え、表示電極対の延伸方向に沿って複数の放電セルが配列された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、

前記基部は、バス電極と透明電極とからなり、

第 1電極の突出部と、第 2電極の突出部とは、

形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。