WO2006001352A1 - 発光素子 - Google Patents

Abstract

　本発明の発光素子は、複数の発光ダイオード２Ｒ、２Ｇ、２Ｂと、これらの発光ダイオード２Ｒ、２Ｇ、２Ｂを駆動する駆動用ＩＣ３を一体化した発光素子１であって、前記駆動用ＩＣ３は、前記複数の発光ダイオード２毎の電流値もしくは前記発光ダイオード間の電流比率を一定に制御する回路を内蔵したことを特徴とする。本発明によれば、複数の発光ダイオードの発光強度の調整を簡素化することができ、また、調整のための外付け回路が不要で、組立作業性が良い構造を提供することができ、さらに、複数の発光色を混色して所望の発光色を得ようとする場合に、その混色のための調整を容易にできるとともに、白色発光させる場合の演色性を高めるのに適した構造を提供することができる。

Description

発光素子

技術分野

[0001] 本発明は、発光ダイオードとその駆動用の ICを一体に備える発光素子に関する。

背景技術

[0002] 発光ダイオードとその発光色の補色の光を発する蛍光体との組み合わせによって、 疑似的に白色を発光可能な発光素子が特許文献 1に開示されている。一般的に、発 光ダイオードとして青色発光するもの、蛍光体として黄色発光するものを組み合わせ て擬似的に白色発光するものが多用されているが、特定の色成分、この例では青と 黄色の混色による場合、赤色成分が少ないことによって演色性に欠けるという問題が ある。

[0003] また、白色発光させる別の方式として、 RGB3原色の発光ダイオードの混色を用い る例もある。し力しながら、 3原色の混色によって白色発光する場合は各色の発光度 合 、を調整するための電流調整が面倒になる。

[0004] 白色発光以外にも、同色のあるいは異なる色の複数の発光ダイオードを用いて所 望の色や発光強度分布を得る場合に、それぞれの発光ダイオードの発光強度を調 整するための電流調整が面倒になる。外付けの回路によって調整することもできるが 、個々の素子毎に外付けの回路を設けると回路構成が複雑ィ匕する。

特許文献 1 :特開 2001— 217463号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 本発明は、複数の発光ダイオードの発光強度の調整を簡素化することができる構 成を提供することを課題の 1つとする。

[0006] また、調整のための外付け回路が不要で、組立作業性が良い構造を提供すること を課題の 1つとする。また、複数の発光色を混色して所望の発光色を得ようとする場 合に、その混色のための調整を容易にする構造を提供することを課題の 1つとする。

[0007] また、白色発光させる場合の演色性を高めるに適した構造を提供することを課題の 1つとする。また、複数の色を混色して発光する場合に於いても、従来の 2端子型の 発光素子とコンパチブルな形状を提供することを課題の 1つとする。

[0008] また、赤、緑、青の 3原色による白色発光では赤と緑の発光スペクトル間に不連続 な領域が有り、白色としては不完全であるが、これを赤から青まで連続的な白色発光 を容易に得られる様にすることを課題の 1つとするものである。

[0009] また、赤、青、緑の 3原色の制御を行う為には、少なくとも 4端子の外部端子が必要 であったが、これを 3端子などの少ない外部端子により制御可能とし、少ない外部端 子にて複雑な色制御を可能とさせることを課題の 1つとするものである。

課題を解決するための手段

[0010] 本発明の発光素子は、請求項 1に記載のように、複数の発光ダイオードと、これらの 発光ダイオードを駆動する駆動用 ICを一体ィ匕した発光素子であって、前記駆動用 I Cは、前記複数の発光ダイオード毎の電流値もしくは前記発光ダイオード間の電流 比率を一定に制御する回路を内蔵したことを特徴とする。駆動用 ICが複数の発光ダ ィオード毎の電流値もしくは前記発光ダイオード間の電流比率を一定に制御する回 路を内蔵しているので、複数の発光ダイオード間において最適な電流比率を予め調 整することができる。その結果、複数の発光ダイオードの光が合成された光を均一な 状態に保つことができる。

[0011] 本発明の発光素子は、請求項 2に記載のように、前記複数の発光ダイオードは、そ れらの光の混色によって白色発光が可能な発光色を備えることを特徴とする。複数の 発光ダイオードは、それらの光の混色によって白色発光が可能な発光色を備えること により、各種の照明や光源に適した素子を提供することができる。

[0012] 本発明の発光素子は、請求項 3に記載のように、前記複数の発光ダイオードは、赤 、緑、青色の 3原色の発光色を含むことを特徴とする。複数の発光ダイオードは、赤、 緑、青色の 3原色の発光色を含むので、演色性に優れた白色光源を提供することが できる。 3原色の発光色に別の発光色をカ卩えれば、演色性をさらに高めることができ る。

[0013] 本発明の発光素子は、請求項 4に記載のように、前記複数の発光ダイオードは、補 色の関係を有する発光色を含むことを特徴とする。複数の発光ダイオードは、補色の 関係を有する発光色を含むので、 2つの発光ダイオードを用いた白色光源を提供す ることができ、部品点数の削減を図ることができる。

[0014] 本発明の発光素子は、請求項 5に記載のように、前記複数の発光ダイオードは、異 なる発光色を含むことを特徴とする。複数の発光ダイオードは、異なる発光色を含む ので、白色以外にも混色によって所望の色を提供する際に、その色特性を一定の状 態に保つことができる。

[0015] 本発明の発光素子は、請求項 6記載のように、前記複数の発光ダイオードは、同じ 発光色を含むことを特徴とする。複数の発光ダイオードは、同じ発光色を含むので、 同一色の発光ダイオードの中で光量分布に変化を持たせる場合などに、その光量分 布に応じた電流分布の設定と保持が可能となる。

[0016] 本発明の発光素子は、請求項 7、請求項 8記載のように、複数の発光ダイオードに おいて、少なくとも 2個の発光ダイオードが直列に接続され、 2個の直列接続される発 光ダイオードは、赤色、橙、黄の発光ダイオードの内から選択された同色、または異 色のものであることを特徴とする。 VFが小さな発光ダイオード、スペクトルの谷間を埋 める発光ダイオードなど特定の発光ダイオードを直列に接続することによって発光効 率を高めることができ、また、スペクトルの連続性を高めることができる。

[0017] 本発明の発光素子は、請求項 9記載のように、前記駆動用 ICは、複数のトランジス タをそれぞれの発光ダイオード毎に直列に接続していることを特徴とする。トランジス タの設計によって発光ダイオードに流れる電流値を発光ダイオード毎に個別に設定 することができる。

[0018] 本発明の発光素子は、請求項 10記載のように、前記駆動用 ICのトランジスタは、電 界効果型トランジスタあるいはバイポーラ型トランジスタを使用したことを特徴とする。 駆動用 ICとして汎用性のある素子構造を提供することができる。

[0019] 本発明の発光素子は、請求項 11記載のように、前記駆動用 ICのトランジスタのゲ ート端子ある 、はベース端子は共通接続されて 、ること特徴とする。共通接続するこ とによって各トランジスタの動作タイミングを揃えることができる。さらに出力電流値あ るいは電流比率の調整が行 、やすくなる。

[0020] 本発明の発光素子は、請求項 12記載のように、前記駆動用 ICのトランジスタのゲ ート端子あるいはベース端子は電流値、または、電流比率を調整した後の各発光ダ ィオードの内、最も VF電圧が高い発光ダイオードの配線に共通接続されていること 特徴とする。最も VF電圧が高い発光ダイオードの配線に共通接続することによって、 立ち上がり特性の悪い発光ダイオードを先に動作させることができ、動作タイミングを 揃えることができる。

[0021] 本発明の発光素子は、請求項 13記載のように、前記発光素子は、外部と接続する 端子として前記 2つの外部端子のみを備える 2端子型の素子であることを特徴とする 。 2つの外部端子のみを備える 2端子型の素子であるので、従来の 2端子型の素子と コンパチブルな構造を提供することができる。

[0022] 本発明の発光素子は、請求項 14記載のように、前記駆動用 ICは、前記 2つの外部 端子間に加わる電圧が例えば規定値の ± 10% (5V系で有れば、 5±0. 5Vの範囲） 変動しても前記複数の発光ダイオード毎の電流値を一定に制御する回路を内蔵した ことを特徴とする。上記構成によって、一対の外部端子間に加わる電圧が変動しても 複数の発光ダイオード毎の電流値を一定に制御することができ、複数の発光ダイォ ードの発光状態を安定に保つことができる。その結果、複数の発光ダイオードの光の 混色状態を一定なものに保つことができる。

[0023] 本発明の発光素子は、請求項 15記載のように、前記駆動用 ICは、外部端子を備え ていることを特徴とする。駆動用 ICに外部端子を設けたことで、部品点数の削減と素 子の小型化を図ることができる。

[0024] 本発明の発光素子は、請求項 16記載のように、前記外部端子は、前記複数の発 光ダイオードの電流値あるいは電流比率を変更するための制御端子であることを特 徴とする。制御端子を別途設けたことによって、一定の混色状態を保つモードと、外 部端子の信号によって混色状態を任意に変更するモードの使い分けが可能となり、 汎用性を高めることができる。

[0025] 本発明の発光素子は、請求項 17記載のように、前記外部端子は、前記駆動用 IC のトランジスタのゲート端子あるいはベース端子に接続され、それぞれの発光ダイォ ードに流れる電流を外部より制御可能としたことを特徴とする。外部端子によって発 光ダイオードに流れる電流を制御可能としたので、使用形態の幅を広げることができ る。

[0026] 本発明の発光素子は、請求項 18記載のように、前記外部端子は、前記駆動用 IC のトランジスタのゲート端子あるいはベース端子に共通に接続され、それぞれの発光 ダイオードに流れる電流を外部より同一タイミングにて制御可能としたことを特徴とす る。同一タイミングにて制御可能としたので、端子数の削減を図ることができる。

[0027] 本発明の発光素子は、請求項 19記載のように、前記外部端子は、前記駆動用 IC のトランジスタの駆動とは関係無ぐそれぞれの発光ダイオードを個別に制御可能に 接続されて ヽることを特徴とする。外部端子によって発光ダイオードに流れる電流を 制御可能としたので、使用形態の幅を広げることができる。

[0028] 本発明の発光素子は、請求項 20記載のように、前記駆動用 ICは、基準となる電流 を供給する電流供給回路と、前記電流供給回路から電流供給を受けて前記発光ダ ィオード毎に設定された電流を供給するドライバー回路とを備え、前記外部端子は、 前記ドライバー回路の動作を外部力 制御可能に接続されていることを特徴とする。 ドライバー回路を備えることによって、電流供給回路力 供給される基準電流に基づ いて、種々の電流値を設定することが容易になる。

[0029] 本発明の発光素子は、請求項 21記載のように、前記駆動用 ICは、前記複数の発 光ダイオード毎の電流値もしくは前記発光ダイオード毎の電流比率を微調整する機 能を備えることを特徴とする。電流比率を微調整する機能を備えることによって、発光 ダイオードあるいは駆動用 ICの初期特性のバラツキなどに起因する出力の変動を微 調整することによって抑制することができる。

[0030] 本発明の発光素子は、請求項 22記載のように、前記駆動用 ICは、補正用のデータ を記憶する不揮発性のメモリと、前記メモリに記憶したデータと前記外部端子から与 えられるデータに基づいて前記ドライバー回路の動作を制御する制御回路を備える ことを特徴とする。不揮発性メモリに補正用のデータを記憶させておくことにより、特 性のバラツキを電気的に補正することが可能となる。特性にバラツキが発生する都度 、繰り返して補正を行うことができる。

[0031] 本発明の発光素子は、請求項 23記載のように、前記駆動用 ICは、前記複数の発 光ダイオード毎の電流値を前記メモリに記憶したデータに基づ!/、て微調整することを 特徴とする。発光ダイオード毎の電流値をメモリに記憶したデータに基づいて微調整 するので、発光ダイオードの光出力をより高精度に制御することができる。

[0032] 本発明の発光素子は、請求項 24記載のように、前記微調整は、前記駆動用 ICの 表面に設けた切断領域をレーザトリミングすることによって行われる、もしくは、前記駆 動用 IC内に設けた切断領域をザッビングすることによって行われることを特徴とする 。レーザトリミングあるいはザッビング処理によって微調整することによって、微調整の 作業性を高めることができる。

[0033] 本発明の発光素子は、請求項 25記載のように、前記微調整は、前記駆動用 ICの 表面に設けた 1個以上のワイヤボンド端子に対して、ワイヤボンドの有無を選択する ことによって行われることを特徴とする。ワイヤボンドの有無によって行うので微調整 の作業性を高めることができる。

[0034] 本発明の発光素子は、請求項 26記載のように、前記複数の発光ダイオードと前記 駆動用 ICは回路基板上に載置されていることを特徴とする。複数の発光ダイオードと 駆動用 ICを回路基板上に載置するので、汎用性のある回路基板を利用した素子構 造を採用して生産作業性を高めることができる。

[0035] 本発明の発光素子は、請求項 27記載のように、前記複数の発光ダイオードは、前 記駆動用 ICの上に配置されて ヽることを特徴とする。複数の発光ダイオードを駆動 用 ICの上に配置するので、事前に複数の発光ダイオードと駆動用 ICを組み立てるこ とが可能となり組立作業性を高めることができる。また、素子の面積を狭くすることが でき、素子サイズの小型化を図ることができる。

[0036] 本発明の発光素子は、請求項 28記載のように、前記複数の発光ダイオードと前記 駆動用 ICは、同じ榭脂によって覆われていることを特徴とする。榭脂によって覆うこと によって、両者の保護を図ることができると共に、複数の発光ダイオードの光取り出し 効率を高めることができる。

発明の効果

[0037] 本発明によれば、複数の発光ダイオードの各種調整作業を簡素化することができる 構成を提供することができる。また、組立作業性が良い素子構造を提供することがで きる。また、白色発光させる場合の演色性を高めることができる。また、複数の色を混 色する場合においても、従来の 2端子型の発光素子とコンパチな形状を提供すること ができる。

図面の簡単な説明

[図 1]図 1は第 1の実施形態の発光素子のモールド榭脂を透視した状態の斜視図で ある。

[図 2]図 2は図 1の II IIに沿った断面図である。

[図 3]図 3Aは第 1の実施形態の発光素子の回路図、図 3Bは等価回路図である。

[図 4]図 4は第 1の実施形態の発光素子の詳細な回路図である。

[図 5]図 5は第 1の実施形態の発光素子の動作を示すタイミングチャートである。

[図 6]図 6は第 2の実施形態の発光素子のモールド榭脂を透視した状態の斜視図で ある。

[図 7]図 7は図 6の VII— VIIに沿った断面図である。

[図 8]図 8は第 3の実施形態の発光素子のモールド榭脂を透視した状態の斜視図で ある。

[図 9]図 9は図 8の IX— IXに沿った断面図である。

[図 10]図 10は第 4の実施形態の発光素子のモールド榭脂を透視した状態の斜視図 である。

[図 11]図 11は図 10の XI— XIに沿った断面図である。

[図 12]図 12は第 5の実施形態の発光素子の斜視図である。

[図 13]図 13は図 12の XIII— XIIIに沿った断面図である。

[図 14]図 14は図 13に示す発光ダイオードと駆動用 ICの配置を示す斜視図である。

[図 15]図 15は第 6の実施形態に係わる発光素子のモールド榭脂を透視した状態の 斜視図である。

[図 16]図 16は図 15の XVI— XVIに沿った断面図である。

[図 17]図 17は第 7の実施形態の発光素子詳細な回路図である。

[図 18]図 18は第 8の実施形態の発光素子の詳細な回路図である。

[図 19]図 19Aは第 9の実施形態に係わる発光素子の回路図、図 19Bは等価回路図 である。 圆 20]図 20は第 9の実施形態に係わる発光素子の詳細な回路図である。

圆 21]図 21は第 10の実施形態に係わる発光素子の回路図である。

圆 22]図 22は第 11の実施形態に係わる発光素子回路図である。

圆 23]図 23Aは第 12の実施形態に係わる発光素子の概略的な回路図、図 23Bは 第 12の実施形態に係わる発光素子の詳細な回路図である。

圆 24]図 24は第 12の実施形態に係わる発光素子の動作を示すタイミングチャートで ある。

圆 25]図 25は第 12の実施形態に係わる発光素子のモールド榭脂を透視した状態の 斜視図である。

圆 26]図 26Aは第 13の実施形態に係わる発光素子の概略的な回路図、図 26Bは 第 13の実施形態係わる発光素子の詳細な回路図である。

圆 27]図 27は第 13の実施形態に係わる発光素子の動作を示すタイミングチャートで ある。

圆 28]図 28は第 13の実施形態に係わる発光素子のモールド榭脂を透視した状態の 斜視図である。

圆 29]図 29Aは第 14の実施形態に係わる発光素子の概略的な回路図、図 29Bは 第 14の実施形態に係わる発光素子の詳細な回路図である。

圆 30]図 30は第 14の実施形態に係わる発光素子の動作を示すタイミングチャートで ある。

圆 31]図 31は第 14の実施形態に係わる発光素子のモールド榭脂を透視した状態の 斜視図である。

圆 32]図 32Aは第 15の実施形態に係わる発光素子の概略的な回路図、図 32Bは 第 15の実施形態に係わる発光素子の詳細な回路図である。

圆 33]図 33は第 15の実施形態に係わる発光素子の動作を示すタイミングチャートで ある。

圆 34]図 34は第 15の実施形態に係わる発光素子のモールド榭脂を透視した状態の 斜視図である。

圆 35]図 35Aは第 16の実施形態に係わる発光素子の概略的な回路図、図 35Bは 第 16の実施形態に係わる発光素子の詳細な回路図である。

[図 36]図 36は第 16の実施形態に係わる発光素子の動作を示すタイミングチャートで ある。

[図 37]図 37Aは第 17の実施形態に係わる発光素子の概略回路図、図 37Bは第 17 の実施形態に係わる発光素子の詳細な回路図である。

[図 38]図 38は第 18の実施形態に係わる発光素子の詳細な回路図である。

[図 39]図 39は第 18の実施形態に係わる発光素子の変形例の詳細な回路図である。

[図 40]図 40は第 18の実施形態に係わる発光素子の別の変形例の詳細な回路図で ある。

[図 41]図 41は第 18の実施形態に係わる発光素子のさらに別の変形例の詳細な回 路図である。

[図 42]図 42は第 18の実施形態に係わる発光素子のさらに別の変形例の詳細な回 路図である。

[図 43]図 43は第 18の実施形態に係わる発光素子のさらに別の変形例の詳細な回 路図である。

[図 44]図 44は第 18の実施形態に係わる発光素子のさらに別の変形例の詳細な回 路図である。

[図 45]図 45Aは図 37Bに対応した第 19の実施形態の発光素子 1 aの回路図であり 、図 45Bは赤の発光ダイオード 2Rに関係する部分の詳細を示す回路図である。 符号の説明

1 発光素子

2 発光ダイオード

3 駆動用 IC

4 回路基板

5 外部端子

6 外部端子

7 モールド榭脂

8 フレーム 9 榭脂

発明を実施するための最良の形態

[0040] 以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。

[0041] 初めに、第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aについて図 1〜図 5を参照して説明 する。図 1は発光素子 1Aのモールド榭脂を透視した状態の斜視図、図 2は図 1の II IIに沿った断面図、図 3Aは発光素子 1Aの回路図、図 3Bは等価回路図、図 4は発光 素子 1 Aの詳細な回路図、図 5は発光素子 1 Aの動作を示すタイミングチャートである

[0042] 発光素子 1 Aは、チップ状態の複数の発光ダイオード 2と、これらの発光ダイオード 2を駆動する駆動用 IC3を回路基板 4上に一体化して構成される。発光ダイオード 2 は、ウエノ、から分割された状態のベアチップで構成され、白色発光を行うために、 3 原色である赤 (R)、緑 (G)、青 (B)の発光色を持つ 3つの発光ダイオード 2R、 2G、 2 Bによって構成される。

[0043] 駆動用 IC3は、前記各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bに対応した出力端子 3R、 3G、 3Bを表面に備え、前記複数の発光ダイオード 2R、 2G、 2B毎の電流値もしくは前記 発光ダイオード 2R、 2G、 2B間の電流比率を一定に制御するための駆動回路を内 蔵している。この駆動回路によって、各出力端子の出力電流が調整され、前記各発 光ダイオード 2R、 2G、 2Bの発光強度が各々予め設定した範囲内に維持される。駆 動用 IC3は、 3つの発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの発光色が混色されることによって、 白色が得られるように、各出力の電流値あるいは、電流の比率が予め設定されている

[0044] 発光素子 1Aは 2端子型の発光素子で、 2つの外部端子 5、 6を回路基板 4に備えて いる。アノードとして機能する一方の外部端子 5の上に駆動用 IC3を導電材料あるい は絶縁材料を用いて固定配置し、力ソードとして機能する他方の外部端子 6の上に 各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bを導電材料を用いて固定配置している。

[0045] 発光ダイオード 2と駆動用 IC3は、各々が長方形の 4つの隅に位置するように回路 基板 4上に配置固定している。駆動用 IC3は、表面に電源端子 3D、 3Sや出力端子 3R、 3G、 3B等の端子を配置し、これらの端子と前記外部端子 5、 6間や発光ダイォ ード 2R、 2G、 2B間を金線などのワイヤーを用いて電気的に接続している。

[0046] 駆動用 IC3は、表面側から全ての端子を取り出すので、裏面を絶縁材料を用いて 外部端子 5上あるいは回路基板 4の絶縁基材上に固定することができるが、駆動用 I C3の裏面を N型の半導体基板によって構成する場合は、導電材料を用いて外部端 子 5に固定することもできる。発光ダイオード 2は、裏面に力ソード電極を備えている ので導電材料で外部端子 6に固定している力 発光ダイオード 2が表面にアノードと 力ソードの両方の電極を備える場合は、これらの両方の電極にワイヤーによる配線を 施す必要がある。

[0047] 回路基板 4は、ガラスエポキシ、ポリイミドなどの絶縁材料をベースとして、その表裏 面に導電パターンがプリント配線等によって形成されたプリントタイプの基板で構成し ている。外部端子 5、 6は、この導電パターンによって構成される。

[0048] 複数の発光素子に個々に対応した複数のパターンを備える大面積の回路基板上 に、発光ダイオード 2と駆動用 IC3を固定し、配線を施した後に、光透過性の榭脂 7 によってこれらを覆う。そして、ダイシングソ一等の分割手段を用いてそれらを個々に 分割することによって、複数の発光素子 1Aを製造することができる。

[0049] 発光素子 1Aは、図 3Aに示すように、駆動用 IC3とそれに接続した発光ダイオード 2からなる発光回路を 2つの外部端子 5、 6間に接続した回路構成をとる。そして、外 部端子 5、 6を図示しない回路の対応する端子に接続して用いられる。外部端子 5、 6 間に一定の電圧あるいは一定の電流が与えられると、駆動用 IC3が動作し、各発光 ダイオード 2R、 2G、 2B毎に予め設定された電流値、あるいは 2 : 2 : 1という比率のよ うな予め設定された比率の電流が与えられる。この電流によって、各発光ダイオード 2 R、 2G、 2Bが赤、緑、青の色を発光する。これらの光は、その発光経路中において 混色され、白色光となる。したがって、この発光素子 1Aの等価回路は、図 3Bに示す ようになり、外部端子 5、 6間に 1つの白色発光ダイオードを備えるものと同等になる。

[0050] 駆動用 IC3は、図 4に示すように、各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bに予め設定した 一定比率の電流を与えるための複数のトランジスタ Trによって構成される。このトラン ジスタ Trは、例えば MOS型の FETによって構成することができる。この例では、 Pチ ヤンネル型の MOSFETをソース（S) 'ドレイン (D)端子間を接続した状態とし、逆バ ィァスが加わる接続状態で用いて ヽる。各トランジスタ Trのドレイン側を各発光ダイォ ード 2R、 2G、 2Bのアノード側に接続することによってトランジスタ Trと発光ダイォー ド 2を直列接続し、これらの直列回路を外部端子 5、 6間に並列に接続した構成となつ ている。各トランジスタ Trのゲート（G)端子は、発光ダイオード 2とトランジスタ Trの接 続部分に接続している。

[0051] 発光素子 1Aは、外部端子 5、 6を図示しない回路の対応する端子に接続して用い られる。図 5に示すように、外部端子 5、 6間に一定の電圧 Vddあるいは一定の電流が 与えられると、駆動用 IC3が動作し、各発光ダイオード 2R、 2G、 2B毎に予め設定さ れた電流比率、例えば、 2 : 2 : 1という比率のような予め設定された比率の電流 I (R)、 KG) , 1 (B)が各発光ダイオードに与えられる。この電流比率は、例えばトランジスタ T rの面積比によって予め設定することができる。図 3に示す回路に於いて、外部端子 5 、 6間に加わる電圧が変動すると、各発光ダイオードに流れる電流も変動するが、そ の電流比率は同じであるので、混色の状態は殆ど変動しな 、。

[0052] この電流 I (R)、 I (G)、 I (B)によって、各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bが赤、緑、青 の色を発光する。これらの光は、その発光経路中において混色され、白色光 (W)と なる。したがって、この発光素子 1Aの等価回路は、図 3Bに示すようになり、外部端子 5、 6間に 1つの白色発光ダイオードを備えるものと同等になる。

[0053] このように、発光素子 1は 2つの外部端子 5、 6し力備えていないにも係わらず、赤、 緑、青の 3色の混色によって白色発光することができ、従来の 1チップ型の発光素子 とコンパチブルな構造でありながらも白色発光を行うことができる。

[0054] 次に、第 2の実施形態に係わる発光素子 1Bについて、図 6〜図 7を参照して説明 する。なお、図 6は発光素子 1Bのモールド榭脂を透視した状態の斜視図、図 7は図 6 の VII— VIIに沿った断面図である。また、以下においては第 1の実施形態の発光素 子 1Aと同一の構成部分には同一の参照符号を付与して説明する。

[0055] 第 2の実施形態に係わる発光素子 1Bが第 1の実施形態の発光素子 1Aと大きく相 違する点は、回路基板 4として、プリントタイプの基板に代えてリードフレームを利用し たタイプの基板を用いた点であり、他の構成は基本的に同じである。基板 4は、鉄系 あるいは銅系の素材にメツキを施した金属製のリードフレーム 8と榭脂 9を一体形成し て構成している。リードフレーム 8は、部品配置領域として機能するインナ一部分と外 部端子として機能するアウター部分を備える一対のフレームで構成され、それらがィ ンサート成形等の手法を用いて榭脂 9と一体ィ匕される。フレーム 8のアウター部分は、 リードフレーム力 切り離された後に、必要に応じて榭脂の裏側に折り曲げられ、外 部端子 5、 6として機能する。発光ダイオード 2や駆動用 IC3を配置すべきインナ一の 表面は榭脂 9に覆われることなく露出している。回路基板 4を構成する榭脂 9は、発光 ダイオード 2の光を反射する反射枠も兼ねている。反射枠として機能するように、榭脂 9として反射性に優れる白色系の榭脂を用いることが好ましい。また、回路基板 4の周 囲に光を上向きに反射するための反射壁 10を設けることも反射枠の機能を高める上 で好ましい。この反射壁 10で囲まれるくぼみ内に、発光ダイオード 2と駆動用 IC3を モールドするための榭脂 7を配置して発光素子 1Bが形成される。回路構成は、図 3A に示す構成と同じである。

[0056] 次に、第 3の実施形態に係わる発光素子 1Cについて、図 8〜図 9を参照して説明 する。図 8は発光素子 1Cのモールド榭脂を透視した状態の斜視図、図 9は図 8の IX IXに沿った断面図である。

[0057] 第 3の実施形態に係わる発光素子 1Cが第 1の実施形態の発光素子 1Aと大きく相 違する点は、回路基板 4の上に配置していた発光ダイオード 2を駆動用 IC3の上に配 置した点であり、他の構成は基本的に同じである。駆動用 IC3は、回路基板 4の上に 絶縁材料あるいは導電材料を用いて固定され、ワイヤーを用いて外部端子 5、 6と電 気的な接続が成される。この例では、回路基板 4の絶縁基材の上に駆動用 IC3を固 定している。駆動用 IC3の表面に形成された力ソード用の端子の上に発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの力ソード側が導電材料を用いて固定され、駆動用 IC3の表面に形成 された出力端子 3R、 3G、 3Bに発光ダイオードのアノード側がワイヤーを用いて接続 されている。

[0058] 駆動用 IC3は、先の実施形態と同様に、一対の電源端子 3D、 3Sから一定の電圧 あるいは一定の電流供給を受けて動作し、各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bに予め設 定された電流を与える。この電流供給によって各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bがそれ ぞれに所定色の発光を行い、それが混合されて所望の色、この例では白色の発光が 得られる。

[0059] この例に於いても、先の実施形態と同様に、発光素子 1Cは 2つの外部端子 5、 6し 力備えていないにも係わらず、赤、緑、青の 3色の混色によって白色発光することが でき、従来の 1チップ型の発光素子とコンパチブルな構造でありながらも白色発光を 行うことができる。駆動用 IC3は、殆どの場合シリコンで構成されるので、ガラスェポキ シなどに比べて熱伝導性が良く放熱性を高めることができる。また発光ダイオード 2を 構成する半導体材料との熱膨張率の差を小さくできるので、熱膨張率差に起因する ストレスや歪みの発生を抑制して信頼性を高めることもできる。

[0060] 駆動用 IC3の上に発光ダイオード 2を配置する構成は、第 1の実施形態以外にも適 用することができ、例えば、第 2の実施形態を含めた他の実施形態にも適用すること ができる。

[0061] 次に、第 4の実施形態に係わる発光素子 1Dについて、図 10〜図 11を参照して説 明する。なお、図 10は第 4の実施形態の発光素子 1のモールド榭脂 7を透視した状 態の斜視図、図 11は図 10の XI— XIに沿った断面図である。

[0062] 第 4の実施形態に係わる発光素子 1Dが第 3の実施形態の発光素子 1Cと大きく相 違する点は、駆動用 IC3の上に配置した複数の発光ダイオード 2R、 2G、 2Bを一列 に配置した点であり、他の構成は基本的に同じである。複数の発光ダイオード 2R、 2 G、 2Bを一列に配置することによって、幅が狭いスリムな発光素子 1を提供することが できる。

[0063] 次に、第 5の実施形態に係わる発光素子 1Eについて、図 12〜図 14を参照して説 明する。なお、図 12は第 5の発光素子 1Eの斜視図、図 13は図 12の XIII— XIIIに沿 つた断面図、図 14は図 13に示す発光ダイオードと駆動用 ICの配置を示す斜視図で ある。

[0064] 第 1〜4の実施形態の発光ダイオードは、発光素子 1A〜1Dがそれを取り付ける基 板に垂直な方向に光を取り出すトップビュー構造であつたのに対して、この第 5の実 施形態は、発光素子 1Eがそれを取り付ける基板に平行な方向に光を取り出すサイド ビュー構造である点で基本構成が相違する。この実施形態の回路基板 4は、先の第 2の実施形態に係わるリードフレームタイプの発光素子 1と同様な構造で、リードフレ ーム 8を榭脂 9にインサート成形手法などを用いて一体ィ匕して形成して 、る。発光ダ ィオード 2と駆動用 IC3の配置は、第 4の実施形態と同様で、駆動用 IC3の上に発光 ダイオード 2R、 2G、 2Bを一列に配置した形態としている。発光ダイオード 2と駆動用 IC3の配置は、第 4の実施形態以外にも、第 1〜第 3の実施形態やその他の実施形 態と同様の配置を採用することができる。

[0065] 次に、第 6の実施形態に係わる発光素子 1Fについて、図 15〜図 16を参照して説 明する。図 15は第 6実施形態に係わる発光素子 1Fのモールド榭脂 7を透視した状 態の斜視図、図 16は図 15の XVI— XVIに沿った断面図である。

[0066] 第 6の実施形態に係わる発光素子 1Fが第 3、第 4の実施形態の発光素子 1C、 ID と大きく相違する点は、回路基板 4に設けていた外部端子 5、 6を駆動用 IC3に設け ることにより、回路基板 4を省略した点である。すなわち、駆動用 IC3の一対の側面に 、一対の外部端子 5、 6を形成したことを特徴としている。外部端子 5、 6は、駆動用 IC 3の側面のみならず、表面と裏面にも形成されている。駆動用 IC3の内部回路の内、 前記外部端子 5、 6と電気的な絶縁を必要とする領域には、外部端子 5、 6と絶縁する ための絶縁膜を介在している。外部端子 5、 6の一方を力ソード電極とし、その上に各 発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの力ソード電極を導電材料で接続している。発光ダイォ ード 2R、 2G、 2Bのアノード電極は、ワイヤーを介して駆動用 ICの出力端子 3R、 3G 、 3Bに接続されている。発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの列は、外部端子 5、 6の配列と 直交するように配置している。出力端子 3R、 3G、 3Bの列は、外部端子 5、 6の間に 配置している。このような配置とすることによって、発光素子 1の平面形状を正方形に 近づけることができる。駆動用 IC3の表面に前記発光ダイオード 2R、 2G、 2Bとその 配線を覆うようにして光透過性の榭脂 7をモールドして 、る。このように駆動用 IC3に 直接外部端子 5、 6を形成した構成とすれば、発光素子 1Fの小型化を図ることができ る。

[0067] 次に、第 7の実施形態に係わる発光素子 1Gについて、図 17を参照して説明する。

第 7の実施形態に係わる発光素子 1Gは、第 1の実施形態の発光素子 1Aと基本構 成は同じであるので、相違部分を中心に説明する。第 7の実施形態に係わる発光素 子 1Gが第 1の実施形態の発光素子 1Aと相違するのは駆動用 IC3の内部構成であり 、各トランジスタ Trのゲート端子の接続形態に相違がある。先の実施形態では、各ト ランジスタ Trのゲート端子を各自のドレイン端子に接続して ヽたが、この実施形態で は、各トランジスタ Trのゲート端子を相互に接続した上で、その接続点を予め設定し た発光ダイオード 2とトランジスタ Trの直列回路に接続して 、る。共通接続したゲート 端子の接続先は、発光ダイオードの VF (フォワード電圧）に基づいて選択される。白 色を得るために、発光ダイオード 2R、 2G、 2Bにそれぞれ、 40mA、 40mA, 20mA の電流を与える場合、各ダイオードの VFは、 1. 95V、 4. 3V、 3. 8Vになる。緑の発 光ダイオード 2Gの VFが最も高くなる力 VFが高くなると電流の立ち上がりが遅くなり 、発光タイミングが不揃いになる。そこで、共通接続したゲート端子を、 VFが最も高く なる発光ダイオード 2の直列回路に接続することによって、その回路の電流立ち上が りを早めるようにしている。その結果、各発光ダイオード 2の発光タイミングが揃い易く なる。また、同時にゲート端子を共通の電位に接続することによって、発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの各々に流れる電流値あるいは電流比率をより精度良く制御することが できる。

[0068] 次に、第 8の実施形態に係わる発光素子 1Hについて、図 18を参照して説明する。

第 8の実施形態に係わる発光素子 1Hは、第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと基 本構成は同じであるので、相違部分を中心に説明する。第 8の実施形態に係わる発 光素子 1Hが第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと相違するのは、ある発光ダイォ ードに他の発光ダイオードを直列接続した点である。この例では、赤の発光ダイォー ド 2Rにオレンジの発光ダイオード 20を直列に接続して！/、る。

[0069] 白色を得るために、発光ダイオード 2R、 20、 2G、 2B、にそれぞれ、 10mAの電流 を与える場合、各発光ダイオードの VFは、 1. 85V, 1. 85V, 3. 4V、 3. 4Vになる。 発光ダイオード 2R、 20を直列に接続することによって両者の VFの合計が 3. 7Vに なり、他の発光ダイオードの 3. 4Vとの差を少なくすることができる。このように、 RGB の 3つの発光ダイオードの内、 VFが最も低い発光ダイオードに直列に他の発光ダイ オードを接続して VFを同等の値に調整することによって、各トランジスタへの負荷電 圧をほぼ同等とすることができる。さらに、赤の発光ダイオードのみの場合にトランジ スタ内部で無駄に消費されていた電力を、発光ダイオード 20によって有効に利用す ることができるので、発光効率を高めることができる。直列に接続するダイオードは、 オレンジ以外にも赤や黄色などの他の発光ダイオードを選択することもできる。

[0070] 一般に、 RGBの発光ダイオードのスペクトル分布特性は、緑の発光ダイオードのピ ーク波長が、青と赤の発光ダイオードのピーク波長の中間点よりも青の発光ダイォー ド側に大きく偏った特性となり、緑と赤の発光ダイオードの間に波長の不連続な領域 が存在する。し力しながら、上記の様に、赤と緑の発光ダイオードの中間にピーク波 長を持つオレンジ色の発光ダイオードを追加することによって、波長の不連続な領域 を埋めることができ、演色性を高めることができる。追加する発光ダイオードは、赤と 緑の発光ダイオードの発光ピーク波長の間にピーク波長を持つものであれば、ォレ ンジ以外に黄色の発光ダイオードなど他の発光ダイオードを採用することができる。 この第 8の実施形態に係わる発光素子 1Hの動作は、第 1の実施形態に係わる発光 素子 1Aと同じであり、図 5に示すタイミングチャートに従ったものとなる。

[0071] 次に、第 9の実施形態に係わる発光素子 1Jについて、図 19、図 20を参照して説明 する。第 9の実施形態に係わる発光素子 1Jは、第 1の実施形態に係わる発光素子 1 Aと基本構成は同じであるので、相違部分を中心に説明する。第 9の実施形態に係 わる発光素子 1Jが第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと相違するのは駆動用 IC3 の内部構成、並びに発光ダイオードと駆動用 ICの接続形態である。先の実施形態で は、発光ダイオードのアノード側に駆動用 ICを接続していた力 この実施形態では、 発光ダイオードの力ソード側に駆動用 ICを接続して 、る。この接続形態の変更に伴 つて、駆動用 ICのトランジスタ Trを Nチャンネル型の MOSFETで構成し、順バイァ スが加わる接続状態で用いている。この第 9の実施形態に係わる発光素子 1Jの動作 は、第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと同じであり、図 5に示すタイミングチャート に従ったものとなる。

[0072] 次に、第 10の実施形態に係わる発光素子 1Kについて、図 21を参照して説明する 。第 10の実施形態に係わる発光素子 1Kは、第 1の実施形態に係わる発光素子 1A と基本構成は同じであるので、相違部分を中心に説明する。第 10の実施形態に係 わる発光素子 1Kが第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと相違するのは、駆動用 I C3として、図 21〖こ示すよう〖こ、各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bに予め設定した一定の 電流を与えるために、電流供給回路 10と複数のトランジスタ Trによって構成されてい る点である。電流供給回路 10は、複数のトランジスタ Tr毎に予め設定した一定の電 流を供給する定電流回路で構成され、複数のトランジスタ Trのゲートを制御するため のゲート制御回路も内蔵している。トランジスタ Trは、例えば MOS型の FETによって 構成することができる。この例では、 Pチャンネル型の MOSFETを用いている。各トラ ンジスタ Trのドレイン側を各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bのアノード側に接続すること によってトランジスタ Trと発光ダイオード 2を直列接続した構成となって 、る。各トラン ジスタ Trのゲート (G)端子は、共通接続して電流供給回路 10のゲート制御回路に接 続している。電流供給回路 10のゲート制御回路は、電圧 Vddが与えられると、トラン ジスタ Trをオンさせる信号を出力する構成として 、る。

[0073] 第 10の実施形態に係わる発光素子 1Kは、外部端子 5、 6を図示しない回路の対応 する端子に接続して用いられる。外部端子 5、 6間に一定の電圧 Vddが与えられると、 駆動用 IC3が動作し、各発光ダイオード 2R、 2G、 2B毎に予め設定された電流値、 例えば、 40mA, 40mA, 20mAというような予め設定された一定の電流 I (R)、 1 (G) 、 1 (B)が各発光ダイオード 2に与えられる。この電流値は、電流供給回路 10と各トラ ンジスタ Trによって予め設定される。図 21に示す回路に於いて、外部端子 5、 6間に 加わる電圧が多少変動、例えば規定値の ± 10%程度、 5V系の電源の場合は 5±0 . 5V変動しても、電流供給回路 10から各々出力される電流値は一定に保たれるの で、各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bに流れる電流値と電流の比率も同じに保たれ、そ の結果、光の混色状態は殆ど変動しない。この第 10の実施形態に係わる発光素子 1 Kの動作は、第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと同じであり、図 5に示すタイミン グチャートに従ったものとなる。

[0074] 次に、第 11の実施形態に係わる発光素子 1Lについて、図 22を参照して説明する 。第 11の実施形態に係わる発光素子 1Lは、第 10の実施形態に係わる発光素子 1K と基本構成は同じであるので、相違部分を中心に説明する。第 11の実施形態に係 わる発光素子 1Lが第 10の実施形態に係わる発光素子 1Kと相違するのは、ある発 光ダイオードに他の発光ダイオードを直列接続した点である。この例では、第 8の実 施形態に係わる発光素子 1Hの場合と同様に、赤の発光ダイオード 2Rにオレンジの 発光ダイオード 20を直列に接続して 、る。

[0075] この第 11の実施形態に係わる発光素子 1Lでは、第 8の実施形態に係わる発光素 子 1Hの場合と同様に、 RGBの 3つの発光ダイオードの内、 VFが最も低い発光ダイ オードに直列に他の発光ダイオードを接続して VFを同等の値に調整することによつ て、各トランジスタへの負荷電圧をほぼ同等とすることができる。さらに、赤の発光ダイ オードのみの場合にトランジスタ内部で無駄に消費されていた電力を、発光ダイォー ド 20によって有効に利用することができるので、発光効率を高めることができる。直 列に接続するダイオードは、オレンジ以外にも赤や黄色などの他の発光ダイオードを 選択することちできる。

[0076] さらに、この第 11の実施形態に係わる発光素子 1Lでは、赤と緑の発光ダイオード の中間にピーク波長を持つオレンジ色の発光ダイオードを追加することによって、波 長の不連続な領域を埋めることができ、演色性を高めることができる。追加する発光 ダイオードは、赤と緑の発光ダイオードの発光ピーク波長の間にピーク波長を持つも のであれば、オレンジ以外に黄色の発光ダイオードなど他の発光ダイオードを採用 することができる。この第 11の実施形態に係わる発光素子 1Lの動作は、第 1の実施 形態に係わる発光素子 1Aと同じであり、図 5に示すタイミングチャートに従ったものと なる。

[0077] 次に、第 12の実施形態に係わる発光素子 1Mについて、図 23〜図 25を参照して 説明する。先の実施形態の発光素子 1A〜： LLは、外部端子 5、 6のみを用いる 2端子 型の素子として利用するものであつたが、この第 12の実施形態に係わる発光素子 1 Mは、白色発光のみならず、多色発光も行えるように構成した点に特徴を有している 。図 23Aは第 12の実施形態に係わる発光素子 1Mの概略的な回路図、図 23Bは第 12の実施形態に係わる発光素子 1Mの詳細な回路図、図 24は第 12の実施形態に 係わる発光素子 1Mの動作を示すタイミングチャートであり、また、図 25は第 12の実 施形態に係わる発光素子 1Mのモールド榭脂を透視した状態の斜視図である。

[0078] この第 12の実施形態に係わる発光素子 1Mが第 1の実施形態の発光素子 1Aと大 きく相違する点は、駆動用 IC3に各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの発光状態を外部 力も制御するための制御端子 CR、 CG、 CBを設けた点である。これらの制御端子 C R、 CG、 CBは、各トランジスタを個別に制御することができるように、各トランジスタの ゲート端子に接続されている。各トランジスタは、 Pチャンネル型の MOSFETで構成 し、ドレイン端子を発光ダイオードのアノード側に接続している。トランジスタのソース 側は共通に接続されて外部端子 5に接続されている。トランジスタを逆バイアス状態 で用いるために、各制御端子 CR、 CG、 CBは、通常はハイ状態で、ロー状態になつ たときにトランジスタをアクティブとする様にアクティブローの端子として用いられる。図 23〜図 25には、アクティブローを示すように CR、 CG、 CBの上にバーを付している。

[0079] 上記の構成によれば、図 24に示すように、外部端子間に一定の電圧 Vddをカ卩えた のみの通常状態では、発光素子は発光動作をしない。制御端子 CR、 CG、 CBをい ずれもロー状態とすると、全てのトランジスタがオン状態となり、全ての発光ダイオード に電流が流れる。各発光ダイオードの電流値を白色が得られるように駆動用 IC (その トランジスタ)を設計しておくことによって、白色 (W)発光が得られる。制御端子 CR、 CG、 CBの 1つのみを選択的にロー状態とすれば、 1つの発光ダイオードのみが選 択的に動作し、 R (赤）、 G (緑)、 B (青)等の所定の色の発光が得られる。ロー状態と する制御端子 CR、 CG、 CBの組み合せを変更することによって、複数の色の混色に よる発光色が得られる。

[0080] 図 25は、そのような制御端子 CR、 CG、 CBを備える構成とした発光素子 1の一例を 示している。この図 25に示した発光素子 1Mが第 1の実施形態の発光素子 1Aと大き く相違する点は、回路基板 4の上に配置していた発光ダイオード 2を駆動用 IC3の上 に配置するとともに、駆動用 IC3の表面に形成された力ソード用の端子の上に発光ダ ィオード 2R、 2G、 2Bの力ソード側が導電材料を用いて固定され、駆動用 IC3の表面 に形成された出力端子 3R、 3G、 3Bに発光ダイオードのアノード側がワイヤーを用い て接続されて ヽる点、である。

[0081] この例においては、 2つの外部端子 5、 6を所定の電源端子に接続し、制御端子 CR 、 CG、 CBを所定の制御回路に接続して用いることによって、赤、緑、青の 3色の混 色によって白色発光の動作と、マルチ（多色)カラーの発光動作を行うことができる。

[0082] 駆動用 IC3は、通常シリコンで構成される。シリコンはガラスエポキシなどに比べて 熱伝導性が良く放熱性を高めることができる。また発光ダイオード 2を構成する半導 体材料との熱膨張率の差を小さくできるので、駆動用 IC3の上に発光ダイオードを配 置することによって、通常熱膨張率差に起因するストレスや歪みの発生を抑制して信 頼性を高めることもできる。

[0083] 次に、第 13の実施形態に係わる発光素子 1Nについて、図 26〜28を参照して説 明する。第 12の実施形態の発光素子 1Mは外部端子 5、 6に加えて各発光ダイォー ドに対応した制御端子を設ける例であつたが、この第 13の実施形態に係わる発光素 子 1Nは、外部端子 5、 6に加えて各発光ダイオードに共通の制御端子 CRGBを設け た点に特徴を有している。なお、図 26Aは第 13の実施形態に係わる発光素子 1Nの 概略的な回路図、図 26Bは第 13の実施形態に係わる発光素子 1Nの詳細な回路図 、図 27は第 13の実施形態に係わる発光素子 1Nの動作を示すタイミングチャートで あり、また、図 28は第 13の実施形態に係わる発光素子 1Nのモールド榭脂を透視し た状態の斜視図である。

[0084] 第 13の実施形態に係わる発光素子 1Nは、駆動用 IC3に各発光ダイオード 2R、 2 G、 2Bの発光状態を外部力も制御するための 1つの制御端子 CRGBを設けることに よって、 3端子構造となっている。この制御端子 CRGBは、各トランジスタを同時に制 御することができるように、トランジスタの各ゲート端子に共通に接続されている。各ト ランジスタは、 Pチャンネル型の MOSFETで構成し、ドレイン端子を発光ダイオード のアノード側に接続して 、る。トランジスタのソース側は共通に接続されて外部端子 5 に接続されている。トランジスタを逆ノィァス状態で用いるために、制御端子 CRGB は、通常はノ、ィ状態で、ロー状態になったときにトランジスタをアクティブとする様にァ タティブローの端子として用いられる。図 26〜28には、アクティブローを示すように C RGBの上にバーを付して!/、る。

[0085] 上記の構成によれば、図 27に示すように、外部端子間に一定の電圧 Vddをカ卩えた のみの通常状態では、発光素子 1Nは発光動作をしない。制御端子 CRGBをロー状 態とすると、全てのトランジスタがオン状態となり、全ての発光ダイオード 2に電流が流 れる。各発光ダイオード 2の電流値を白色が得られるように駆動用 IC (そのトランジス タ）を設計しておくことによって、白色発光が得られる。

[0086] 図 28は、そのような制御端子 CRGBを備えた発光素子 1Nの一例を示している。こ の発光素子 INが第 1の実施形態の発光素子 1Aと大きく相違する点は、回路基板 4 として、プリントタイプの基板に代えてリードフレームを利用したタイプの基板を用いた 点である。

[0087] 基板 4は、鉄系あるいは銅系の素材にメツキを施した金属製のリードフレーム 8と榭 脂 9を一体形成して構成している。リードフレーム 8は、部品配置領域として機能する インナ一部分と外部端子として機能するアウター部分を備える複数のフレームで構成 され、それら力 Sインサート成形等の手法を用いて榭脂 9と一体ィ匕される。フレーム 8の アウター部分は、リードフレーム力も切り離された後に、必要に応じて榭脂の裏側に 折り曲げられ、外部端子 5、 6、制御端子 CRGBとして機能する。発光ダイオード 2や 駆動用 IC3を配置すべきインナ一の表面は榭脂 9に覆われることなく露出している。 回路基板 4を構成する榭脂 9は、発光ダイオード 2の光を反射する反射枠も兼ねて ヽ る。反射枠として機能するように、榭脂 9として反射性に優れる白色系の榭脂を用いる ことが好ましい。また、

回路基板 4の周囲に光を上向きに反射するための反射壁 10を設けることも反射枠の 機能を高める上で好ましい。この反射壁 10で囲まれるくぼみ内に、発光ダイオード 2 と駆動用 IC3をモールドするための榭脂 7を配置して発光素子 1Nが形成される。

[0088] 次に、第 14の実施形態に係わる発光素子 1Pについて、図 29〜図 31を参照して説 明する。第 13の実施形態の発光素子 1Nは発光素子 1Nの駆動用 ICに制御端子 C R、 CG、 CBを設ける例であった力 この第 14の実施形態に係わる発光素子 1Pは、 駆動用 ICと発光ダイオードの接続部分に外部から発光ダイオードを直接駆動するた めの制御端子 CR、 CG、 CBを接続した点に特徴を有しているなお、図 29Aは第 14 の実施形態に係わる発光素子 1Pの概略的な回路図、図 29Bは第 14の実施形態に 係わる発光素子 1Pの詳細な回路図、図 30は第 14の実施形態に係わる発光素子 1P の動作を示すタイミングチャートであり、また、図 31は第 14の実施形態に係わる発光 素子 1Pのモールド榭脂を透視した状態の斜視図である。

[0089] この第 14の実施形態に係わる発光素子 1Pは、発光素子 1Pに制御端子 CR、 CG、 CBを設け、これを駆動用 IC3と各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの接続部分に接続し ている。発光素子 1Pを白色の発光素子として使う場合は、制御端子 CR、 CG、 CBを オープン状態で使用する。そして、外部端子に与える電圧 Vddをオン'オフすること によって、第 1の実施形態の発光素子 1Aと同様の形態を取ることができる。

[0090] 一方、発光素子 1Pをマルチカラーの発光素子として使う場合は、外部端子 5をォ ープン状態で使用する。そして、制御端子 CR、 CG、 CBに与える電圧をハイとロー に切り替える、あるいは供給する電流値を任意の値とすることによって発光ダイオード の発光色の組み合わせ状態や各発光ダイオードの発光輝度を切り替えて使用する。

[0091] ここで、外部端子のみを用いて白色を発光する場合 (発光色として Wと記載)と、制 御端子 CR、 CG、 CBと端子 6のみを用いて白色発光する場合 (発光色として RGBと 記載）は、トランジスタを介して流れる電流値と制御端子を介して流れる電流値が必 ずしも一致しな 、ので、同じ白色でも若干色合 、が相違することがある。

[0092] 図 31は、そのような制御端子 CR、 CG、 CBを備えた発光素子 IPの一例を示してい る。この発光素子 1Pは、第 13の実施形態との発光素子 1Nと同様にリードフレームを 利用したタイプの基板 4を用 Vヽた点に特徴がある。

[0093] 次に、第 15の実施形態に係わる発光素子 1Qについて、図 32〜34を参照して説 明する。先の第 10、第 11の実施形態の発光素子 1K、 1Lは、電流供給回路 10を有 するとともに発光素子 1K、 1Lを外部端子 5、 6のみを用いる 2端子型の素子として利 用して白色光のみを発光するものであつたが、この第 15の実施形態に係わる発光素 子 1Qは白色発光のみならず、多色発光も行えるように構成した点に特徴を有してい る。なお、図 32Αは第 15の実施形態に係わる発光素子 1Qの概略的な回路図、図 3 2Βは第 15の実施形態に係わる発光素子 1Qの詳細な回路図、図 33は第 15の実施 形態に係わる発光素子 1Qの動作を示すタイミングチャートであり、また、図 34は第 1 5の実施形態に係わる発光素子 1Qのモールド榭脂を透視した状態の斜視図である

[0094] この第 15の実施形態に係わる発光素子 1Qが第 10の実施形態に係わる発光素子 1Kと大きく相違する点は、駆動用 IC3に各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの発光状態 を外部力も制御するための制御端子 CR、 CG、 CBを設けた点である。これらの制御 端子 CR、 CG、 CBは、各トランジスタを個別に制御することができるように、各トランジ スタのゲート端子に接続されている。各トランジスタは、 Nチャンネル型の MOSFET で構成し、ソース端子を発光ダイオードのアノード側に接続している。トランジスタのド レイン端子は電流供給回路 10に接続されている。この電流供給回路 10は、第 10の 実施形態の発光素子 1Kで用いられているものと同様な構成であり、複数のトランジ スタ Tr毎に予め設定した一定の電流を供給する定電流回路で構成されている。

[0095] トランジスタ Trのゲート制御を制御端子 CR、 CG、 CBによって制御するこの例では 、第 10の実施形態の発光素子 1Kのように電流供給回路 10にゲートの制御回路を内 蔵させる必要はない。制御回路を内蔵した電流供給回路 10を用いることもできる。そ の場合は、電流供給回路 10のゲート制御回路と各制御端子 CR、 CG、 CBを接続し ても良い。

[0096] 上記の構成によれば、図 33に示すように、外部端子間に一定の電圧 Vddをカ卩えた のみの通常状態では、発光素子は発光動作をしない。制御端子 CR、 CG、 CBをい ずれもハイ状態とすると、全てのトランジスタ Trがオン状態となり、全ての発光ダイォ ード 2に電流が流れる。各発光ダイオード 2の電流値を白色が得られるような値とする ように駆動用 IC (その電流供給回路)を設計しておくことによって、白色 (W)発光が 得られる。制御端子 CR、 CG、 CBの 1つのみを選択的にハイ状態とすれば、 1つの 発光ダイオードのみが選択的に動作し、 R (赤）、 G (緑)、 B (青)等の所定の色の発 光が得られる。ノ、ィ状態とする制御端子 CR、 CG、 CBの組み合せを変更することに よって、複数の色の混色による発光色が得られる。

[0097] 図 34は、そのような制御端子 CR、 CG、 CBを備える構成とした発光素子 1Qの一例 を示している。この発光素子 1Qが第 10の実施形態の発光素子 1Kと大きく相違する 点は、回路基板 4の上に配置して 、た発光ダイオード 2を駆動用 IC3の上に配置した 点である。駆動用 IC3の表面に形成された力ソード用の端子の上に発光ダイオード 2 R、 2G、 2Bの力ソード側が導電材料を用いて固定され、駆動用 IC3の表面に形成さ れた出力端子 3R、 3G、 3Bに発光ダイオードのアノード側がワイヤーを用いて接続さ れている。

[0098] この例においては、 2つの外部端子 5、 6を所定の電源端子に接続し、制御端子 CR 、 CG、 CBを所定の制御回路に接続して用いることによって、赤、緑、青の 3色の混 色による白色発光の動作と、マルチ（多色)カラーの発光動作を行うことができる。 [0099] さらに、制御端子 CR、 CG、 CBは、共通に接続して 1端子とし、白色発光動作時に オン ·オフ制御のみに使用しても良 、。

[0100] 駆動用 IC3は、通常シリコンで構成される。シリコンはガラスエポキシなどに比べて 熱伝導性が良く放熱性を高めることができる。また発光ダイオード 2を構成する半導 体材料との熱膨張率の差を小さくできるので、駆動用 IC3の上に発光ダイオードを配 置することによって、通常熱膨張率差に起因するストレスや歪みの発生を抑制して信 頼性を高めることもできる。

[0101] 次に、第 16の実施形態に係わる発光素子 1Rについて、図 35〜図 36を参照して 説明する。

[0102] この第 16の実施形態に係わる発光素子 1Rは、前記の第 15の実施形態に係わる 発光素子 1Qは発光素子 1Qの駆動用 ICに制御端子 CR、 CG、 CBを設ける例であ つたが、駆動用 IC3と発光ダイオード 2の接続部分に外部力も発光ダイオード 2を直 接駆動するための制御端子 CR、 CG、 CBを接続した点に特徴を有している。なお、 図 35Aは第 16の実施形態に係わる発光素子 1Rの概略的な回路図、図 35Bは第 16 の実施形態に係わる発光素子 1Rの詳細な回路図、図 36は第 16の実施形態に係わ る発光素子 1Rの動作を示すタイミングチャートである。

[0103] この第 16の実施形態に係わる発光素子 1Rは、発光素子 1Rに制御端子 CR、 CG、 CBを設け、これを駆動用 IC3と各発光ダイオード 2R、 2G、 2Bの接続部分に接続し ている。発光素子 1を白色の発光素子として使う場合は、制御端子 CR、 CG、 CBを オープン状態で使用する。そして、図 36に示すように、外部端子に与える電圧 Vdd をオン'オフすることによって、第 15の実施形態の発光素子 1Qと同様の形態を取る ことができる。

[0104] 一方、発光素子 1Rをマルチカラーの発光素子として使う場合は、外部端子 5をォ ープン状態で使用する。そして、制御端子 CR、 CG、 CBに与える電圧をハイとロー に切り替える、あるいは供給する電流値を任意の値とすることによって発光ダイオード の発光色の組み合わせ状態や各発光ダイオードの発光輝度を切り替えて使用する。

[0105] ここで、外部端子 5、 6のみを用いて白色を発光する場合 (発光色として Wと記載）と 、制御端子 CR、 CG、 CBと端子 6のみを用いて白色発光する場合 (発光色として RG Bと記載）は、トランジスタ Trを介して流れる電流値と制御端子 CR、 CG、 CBを介して 流れる電流値が必ずしも一致しな 、ので、同じ白色でも若干色合 、が相違すること がある。

[0106] なお、第 16の実施形態に係わる発光素子 1Rのモールド榭脂を透視した状態の斜 視図は、図 31に示した第 14の実施形態に係わる発光素子 1Pと同様となる。

[0107] 次に、第 17の実施形態に係わる発光素子 1Sについて図 37A、図 37Bを参照して 説明する。なお、図 37Aは 17の実施形態に係わる発光素子 1Sの概略回路図、図 3 7Bは第 17の実施形態に係わる発光素子 1Sの詳細な回路図である。この第 17の実 施形態に係わる発光素子 1Sは第 15の実施形態の発光素子 1Qと基本構成は同じで あるので、相違部分を中心に説明する。この第 17の実施形態に係わる発光素子 1S が第 15の実施形態の発光素子 1Qと相違するのは駆動用 IC3の内部構成であり、電 流供給回路 10と、ドライバー 11と、ドライバー 11の開閉を制御する外部端子の信号 制御用インバーターを有して 、る点である。

[0108] このドライバー 11は、電流供給回路 10から供給される一定の電流に基づいて、各 発光ダイオード毎に予め設定された一定の電流値を供給する複数の定電流回路で 構成される。接続する発光ダイオードの数が 3個（3出力）のこの例では、 3個の定電 流回路を内蔵しているが、出力数に応じて内蔵する定電流回路の数を増減すること ができる。

[0109] ドライバー 11には、制御端子 CR、 CG、 CB力 、 2つのインバータを通って制御信 号が与えられる。制御端子 CR、 CG、 CBに与えられる信号によって、発光ダイオード の点灯状態が制御される。この第 17の実施形態に係わる発光素子 1Sの動作は、第 15の実施形態の発光素子 1Qの動作（図 33)と同様である。

[0110] 次に、第 18の実施形態に係わる発光素子 1Tについて図 38を参照して説明する。

なお、図 38は第 18の実施形態に係わる発光素子 1Tの詳細な回路図である。この第 18の実施形態に係わる発光素子 1Tは第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと基本 構成は同じであるので、相違部分を中心に説明する。この第 18の実施形態に係わる 発光素子 1Tが第 1の実施形態に係わる発光素子 1Aと相違するのは駆動用 IC3の 内部構成であり、各発光ダイオードに与える電流値を微調整することができるように 微調整回路を付加して 、る点である。

[0111] この微調整回路は、基本となる各トランジスタ Trに並列に電流補正用のトランジスタ

Traを接続して構成している。この例では、補正用のトランジスタ Traを 2個用いてい る力 1個でも良いし、 3個以上でも良い。補正用トランジスタ Tmを複数用いる場合、 各補正用のトランジスタ Traの構成を同じにしても良いし、異ならせても良い。

[0112] 補正用のトランジスタ Traは、基本のトランジスタ Trに比べて電流容量が小さなもの を用いるのが好ましいが、補正用のトランジスタ Traと基本のトランジスタ Trの構成を 同じとして電流容量を同じにしても良!、。

[0113] 補正用のトランジスタ Traの個数は、同じに設定している力 接続する発光ダイォー ドの特性に応じて変更しても良い。

[0114] 基本トランジスタ Trは、発光ダイオードの電流比率を設定するために発光ダイォー ド毎に構成 (面積等）が相違するが、基本トランジスタ Trの構成を全て同じにしても良 い。基本トランジスタ Trと補正用のトランジスタ Traを 1組とする構成も、発光ダイォー ドに係わらず全て同じ構成としても良い。

[0115] 補正用のトランジスタ Traは、その一部に電流経路を切断することに利用する切断 領域 Ajを備えている。この切断領域 Ajは、レーザトリミング処理、ザッビング (熱溶断） 処理等を施すことによって切断することができる。レーザトリミング処理を行うためには

、切断領域 Ajを駆動用 IC3の表面に設けることが好ま 、。

[0116] 上記のようなレーザトリミング処理、ザッビング処理等を施すことによって補正用のト ランジスタ Traに流れる電流を遮断し、発光ダイオード 2に流れる電流量を調整するこ とがでさる。

[0117] 第 18の実施形態で用いた微調整回路は、前述の各実施形態に適用することがで きる。図 39の発光素子 1Uは、図 17に示す第 7の実施形態の発光素子 1Gに適用し た例を示し、図 40の発光素子 IVは図 23に示す第 12実施形態の発光素子 1Mに適 用した例を示し、図 41の発光素子 1Wは図 26に示す第 13の実施形態の発光素子 1 Nに適用した例を示している。

[0118] さらに、図 42の発光素子 IXは、図 21に示す第 10の実施形態の発光素子 1Kに適 用した例を示し、図 43の発光素子 1Yは図 32に示す第 15の実施形態の発光素子 1 Qに適用した例を示し、さらに、図 44の発光素子 1Zは図 35に示す第 16の実施形態 の発光素子 1Rに適用した例を示している。

[0119] 上記の微調整に係わる実施形態は、通常はつながっているトランジスタ Traの回路 を切断領域 Ajにて切断することによって電流値を絞り込む場合を例示したが、その 逆に開放領域を接続して電流値を増加させるような形態とすることもできる。例えば、 切断領域 Ajを予め開放状態としておき、その部分を導電材料 (半田やワイヤ線等)を 用 、て電気的に接続する形態としても良 、。

[0120] また、上記実施形態は、トランジスタ Trとして MOS型のトランジスタを用いた力 バ ィポーラ型のトランジスタを用いることもできる。この場合は、ゲートをベースに、ソース をェミッタに、ドレインをコレクタに置き換えれば良い。

[0121] ノ ィポーラ型のトランジスタを用いる場合、微調整回路をトランジスタの増幅度を設 定する領域に設けても良い。例えば、ベース電流をレーザトリミング処理ゃザッビング 処理を施すことによって変更しても良い。

[0122] 次に、出力電流を微調整するための回路を内蔵した第 19の実施形態の発光素子 1 aについて図 45を参照して説明する。この第 19の実施形態の発光素子 1 αの基 本構成は、図 37に示す第 17の実施形態の発光素子 1Sと同じであるが、ドライバー 1 1とそれを制御する制御回路 12の構成に若干の相違があるとともに、補正用のメモリ 13を追加した点に特徴がある。

[0123] 図 45Αは図 37Βに対応した第 19の実施形態の発光素子 1 aの回路図であり、図 4 5Bは 1つの発光ダイオード、この例では赤の発光ダイオード 2Rに関係する部分の詳 細を示す回路図である。

[0124] 図 45Bに示したように、ドライバー 11は基本となるドライバー Aに加えて、補正用の ドライバー B、 C、 Dを備えている。ドライバー A〜Dは、電流供給回路 10から一定の 電流供給を受け、予め設定した電流値を出力する定電流回路で構成される。例えば 、基本となるドライバー Aは 10mA、補正用のドライバー Bは 5mA、補正用のドライバ 一 Cは 3mA、補正用のドライバー Dは 2mAというように、値の異なる複数種類の電流 値を出力するように設定される。各ドライバー A〜Dの制御は制御回路 12によって行 われる。制御回路 12は、制御端子 CRのデータと、補正メモリに記憶した 3ビットのデ ータに基づいて各ドライバー A〜Dの制御を行う。基本ドライバー Aは、制御端子 CR がハイ状態のとき 2つのインバータを介して与えられる信号によって動作し、 10mAの 出力を行う。補正用のドライバー B〜Dは、制御端子 CRがハイ状態のとき、メモリに記 憶したデータとアンド回路によってアンド処理が成された後の信号によって動作し、 5 、 3、 2mAの出力を行う。各ドライバー A〜Dの出力が合算されて発光ダイオード 2R に与えられる。したがって、メモリ 13に記憶する補正用のデータの値を種々設定する ことによって、発光ダイオードに与える電流値を変更することができる。この例では、 1 0mA〜20mAの範囲で電流値を可変することができる。補正用のドライバーの数は 、種々変更することができ、その変更に合せて制御回路やメモリの構成も変更するこ とがでさる。

[0125] 赤以外の緑や青の発光ダイオード 2G、 2Bに対する回路も図 45Bに示す回路と同 様である。

[0126] 補正メモリ 13は、各発光ダイオードに対応してそれぞれ 3ビットの補正データを記憶 する不揮発性のメモリによって構成される。 3ビット構成の補正用のデータは、制御端 子 CR、 CG、 CBを通じて事前に書き込むことができる。

[0127] この第 19の実施形態の発光素子 1 aの動作は、図 33に示した第 15の実施形態の 発光素子 1Qと同様である。

[0128] 上記の実施形態は、赤、緑、青色の発光ダイオードを各々 1つずつ用いた例を示し たが、各色の発光ダイオードは、 1つに限らず複数個用いることもできる。

[0129] また、白色発光するために、 3原色の発光ダイオードに加えて、 3原色以外の発光 色、例えば、青緑、橙、黄色などの発光ダイオードを加えて、 4色以上の構成とするこ ともできる。図 5に示すように、最も VFが低い発光ダイオードに直列に追加すべき発 光ダイオードを接続することによって、演色性高めると同時に、トランジスタによって消 費される無駄な電力を低減し、発光効率を高めることができる。

[0130] また、白色発光するために、赤、緑、青色の 3原色以外の発光色の組み合わせを用 いることができる。例えば、青色と黄色の組み合わせや、青緑色と橙色の組み合わせ など、補色の関係にある複数の発光ダイオードの組み合わせを用いることもできる。 そうすることによって、発光ダイオードの数を削減することが可能となる。 [0131] 上記の実施形態は、白色あるいは白色に近い疑似白色以外にも適用することがで きる。

[0132] 上記の実施形態は、異なる色、例えば、赤と緑の発光ダイオードを組み合わせて橙 色を発光する発光素子において、その発光色を調整する場合など、各発光ダイォー ドの発光状態を電流の比率などによって予め調整しておくことが望まれる 2端子型、 あるいは 3端子以上の発光素子にぉ 、ても適用することができる。

[0133] また、上記の実施形態は、同じ色の複数の発光ダイオードを備える発光素子にお いて、複数のダイオードのいくつかの発光状態を明るぐその他の発光状態を暗くし て指向性などの発光特性を変更する場合など、各発光ダイオードの発光状態を電流 の比率などによって予め調整しておくことが望まれる 2端子型あるいは 3端子以上の 発光素子においても適用することができる。

産業上の利用可能性

[0134] 白色、フルカラー、マルチカラー、モノカラーなどの発光素子に適用することができ る。

Claims

請求の範囲

[I] 複数の発光ダイオードと、これらの発光ダイオードを駆動する駆動用 ICを一体化し た発光素子であって、前記駆動用 ICは、前記複数の発光ダイオード毎の電流値もし くは前記発光ダイオード間の電流比率を一定に制御する回路を内蔵したことを特徴 とする発光素子。

[2] 前記複数の発光ダイオードは、それらの光の混色によって白色発光が可能な発光 色を備えることを特徴とする請求項 1記載の発光素子。

[3] 前記複数の発光ダイオードは、赤、緑、青色の 3原色の発光色を含むことを特徴と する請求項 2記載の発光素子。

[4] 前記複数の発光ダイオードは、補色の関係を有する発光色を含むことを特徴とする 請求項 2記載の発光素子。

[5] 前記複数の発光ダイオードは、異なる発光色を含むことを特徴とする請求項 1記載 の発光素子。

[6] 前記複数の発光ダイオードは、同じ発光色を含むことを特徴とする請求項 1記載の 発光素子。

[7] 前記複数の発光ダイオードは、少なくとも 2個の発光ダイオードが直列に接続され て 、ることを特徴とする請求項 1に記載の発光素子。

[8] 前記少なくとも 2個の直列接続される発光ダイオードは、赤色、橙、黄の発光ダイォ ードの内から選択された同色、または異色のものであること特徴とする請求項 7に記 載の発光素子。

[9] 前記駆動用 ICは、複数のトランジスタをそれぞれの発光ダイオード毎に直列に接 続して 、ることを特徴とする請求項 1に記載の発光素子。

[10] 前記駆動用 ICのトランジスタは、電界効果型トランジスタあるいはバイポーラ型トラ ンジスタを使用したことを特徴とする請求項 9記載の発光素子。

[I I] 前記駆動用 ICのトランジスタのゲート端子あるいはベース端子は共通接続されて 、 ること特徴とする請求項 10に記載の発光素子。

[12] 前記駆動用 ICのトランジスタのゲート端子あるいはベース端子は電流値、または、 電流比率を調整した後の各発光ダイオードの内、最も VF電圧が高 ヽ発光ダイオード の配線に共通接続されて ヽること特徴とする請求項 11に記載の発光素子。

[13] 前記発光素子は、外部と接続する端子として前記 2つの外部端子のみを備える 2端 子型の素子であることを特徴とする請求項 1記載の発光素子。

[14] 前記駆動用 ICは、前記 2つの外部端子間に加わる電圧が変動しても前記複数の 発光ダイオード毎の電流値を一定に制御する回路を内蔵したことを特徴とする請求 項 13記載の発光素子。

[15] 前記駆動用 ICは、外部端子を備えて ヽることを特徴とする請求項 1記載の発光素 子。

[16] 前記外部端子は、前記複数の発光ダイオードの電流値あるいは電流比率を変更 するための制御端子であることを特徴とする請求項 15記載の発光素子。

[17] 前記外部端子は、前記駆動用 ICのトランジスタのゲート端子あるいはベース端子に 接続され、それぞれの発光ダイオードに流れる電流を外部より制御可能としたことを 特徴とする請求項 16記載の発光素子。

[18] 前記外部端子は、前記駆動用 ICのトランジスタのゲート端子あるいはベース端子に 共通に接続され、それぞれの発光ダイオードに流れる電流を外部より同一タイミング にて制御可能としたことを特徴とする請求項 17記載の発光素子。

[19] 前記外部端子は、前記駆動用 ICのトランジスタの駆動とは関係無ぐそれぞれの発 光ダイオードを個別に制御可能に接続されて ヽることを特徴とする請求項 15に記載 の発光素子。

[20] 前記駆動用 ICは、基準となる電流を供給する電流供給回路と、前記電流供給回路 力 電流供給を受けて前記発光ダイオード毎に設定された電流を供給するドライバ 一回路とを備え、前記外部端子は、前記ドライバー回路の動作を外部から制御可能 に接続されて ヽることを特徴とする請求項 15に記載の発光素子。

[21] 前記駆動用 ICは、前記複数の発光ダイオード毎の電流値もしくは前記発光ダイォ ード毎の電流比率を微調整する機能を備えることを特徴とする請求項 16記載の発光 素子。

[22] 前記駆動用 ICは、補正用のデータを記憶する不揮発性のメモリと、前記メモリに記 憶したデータと前記外部端子力 与えられるデータに基づいて前記ドライバー回路 の動作を制御する制御回路を備えることを特徴とする請求項 21に記載の発光素子。

[23] 前記駆動用 ICは、前記複数の発光ダイオード毎の電流値を前記メモリに記憶した データに基づいて微調整することを特徴とする請求項 22に記載の発光素子。

[24] 前記微調整は、前記駆動用 ICの表面に設けた切断領域をレーザトリミングすること によって行われる、もしくは、前記駆動用 IC内に設けた切断領域をザッビングするこ とによって行われることを特徴とする請求項 21に記載の発光素子。

[25] 前記微調整は、前記駆動用 ICの表面に設けた 1個以上のワイヤボンド端子に対し て、ワイヤボンドの有無を選択することによって行われることを特徴とする請求項 21に 記載の発光素子。

[26] 前記複数の発光ダイオードと前記駆動用 ICは回路基板上に載置されていることを 特徴とする請求項 1記載の発光素子。

[27] 前記複数の発光ダイオードは、前記駆動用 ICの上に配置されていることを特徴と する請求項 1記載の発光素子。

[28] 前記複数の発光ダイオードと前記駆動用 ICは、同じ榭脂によって覆われていること を特徴とする請求項 1〜27のいずれかに記載の発光素子。