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WO2003063219A1 - Procede servant a fabriquer un composant electronique - Google Patents

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WO2003063219A1
WO2003063219A1 PCT/JP2003/000637 JP0300637W WO03063219A1 WO 2003063219 A1 WO2003063219 A1 WO 2003063219A1 JP 0300637 W JP0300637 W JP 0300637W WO 03063219 A1 WO03063219 A1 WO 03063219A1
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WO
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etching
dry
adhesive layer
groove
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Application number
PCT/JP2003/000637
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Inventor
Masaya Nakatani
Michihiko Hayashi
Hirofumi Tajika
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5607—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating tuning forks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing an electronic component having an electronic element formed on a flat substrate such as a silicon substrate or a glass substrate.
  • Electronic elements are formed by sequentially laminating and patterning materials such as metals, dielectrics and semiconductors on the surface of a flat plate-like material such as a silicon substrate or a glass substrate. In order to simultaneously form a plurality of electronic elements, a plurality of electronic elements are collectively formed on the surface of the substrate. Later, conventionally, each electronic element is cut into individual pieces using a dicing blade or the like. However, since each electronic element is cut into individual pieces, productivity is poor. Disclosure of the invention
  • Electronic components are manufactured by the following method.
  • An element is formed on the surface of the substrate, and a groove is formed on the surface of the substrate around the element. At least a part of the substrate is removed from the back surface of the substrate until reaching the groove.
  • a plurality of elements can be collectively separated into pieces by removing a part of the substrate from the back surface of the substrate, so that an electronic component can be efficiently produced.
  • FIG. 1 is a perspective view of an angular velocity sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the angular velocity sensor according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a manufacturing process of the angular velocity sensor according to Embodiment 1 of the present invention. It's a trick.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a sectional view showing the manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a sectional view showing the manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 7 is a sectional view showing the manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a sectional view showing the manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a sectional view showing the manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 12 is a sectional view showing the manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the first embodiment.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the first embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the first embodiment.
  • FIG. 17 is a perspective view showing the manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a perspective view showing a manufacturing process according to the first embodiment.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the first embodiment.
  • FIG. 20 is a perspective view of the angular velocity sensor according to the first embodiment.
  • FIG. 21 is a flowchart showing a manufacturing process of the angular velocity sensor according to the second embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a manufacturing process according to the second embodiment.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a manufacturing process according to the second embodiment.
  • FIG. 24 is a perspective view showing a manufacturing process according to the second embodiment.
  • FIG. 25 is a perspective view showing a manufacturing process according to the second embodiment.
  • FIG. 26 is a perspective view showing a manufacturing process according to the second embodiment.
  • FIG. 27 is a perspective view of the iron according to the second embodiment.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the second embodiment.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the second embodiment.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the third embodiment.
  • FIG. 32 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the third embodiment.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 34 is a cross-sectional view showing a manufacturing step according to the fourth embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view of an angular velocity sensor which is an electronic element according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is an exploded perspective view thereof.
  • a buffer layer 2, a lower electrode layer 3, a piezoelectric layer 4, an upper electrode layer 5, and an auxiliary electrode 6 are sequentially provided on a ring-shaped substrate 1.
  • the upper electrode layer 5 includes an excitation electrode 5A and a detection electrode 5B, and faces the lower electrode layer 3 with the piezoelectric layer 4 interposed therebetween.
  • a voltage is applied between the excitation electrode 5A and the lower electrode layer 3
  • the portion of the piezoelectric layer 4 sandwiched between the excitation electrode 5A and the lower electrode layer 3 expands and contracts, so that the two The shape of the arms 10A and 10B is distorted, and as a result, the tuning fork vibrates in the horizontal direction.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a method of manufacturing the angular velocity sensor
  • FIGS. 4 to 20 are a sectional view and a perspective view showing a manufacturing process.
  • a buffer layer 2 made of either magnesium or titanium is formed by a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) method (step 301 in FIG. 3).
  • MOCVD metal organic chemical vapor deposition
  • the buffer layer 2 of nickel oxide can be formed by using a gas obtained by sublimating and evaporating nickel acetyl acetate.
  • the buffer layer 2 can be formed by sputtering in addition to the above method.
  • a lower electrode layer 3 made of Pt is formed on the surface of the buffer layer 2 by a method such as sputtering or vacuum evaporation (Step 302 in FIG. 3).
  • a piezoelectric layer 4 made of a piezoelectric material such as lead zirconate titanate (hereinafter referred to as PZT) is formed on the surface of the lower electrode layer 3 by sputtering (step 300 in FIG. 3). ).
  • the upper electrode layer 5 is formed on the surface of the piezoelectric layer 4 by sputtering, vacuum deposition, or the like using gold (step 304 in FIG. 3).
  • a titanium or chromium layer may be provided between the piezoelectric layer 4 made of PZT and the upper electrode layer 5 made of gold. Titanium and chromium have excellent adhesion to PZT and form a strong diffusion layer with gold. This layer can further improve the adhesion strength between the piezoelectric layer 4 and the upper electrode layer 5.
  • a sufficient adhesion strength could be obtained by forming a layer having a thickness of about 20 to 100 angstroms when using a titanium layer, for example.
  • 8 to 16 are sectional views of the arm portions 10A and 10B of the sensor.
  • an element forming resist film 7 made of a photosensitive resin is formed on a portion of the upper electrode layer 5 where the excitation electrode 5A and the detection electrode 5B are formed by a general photolithography method or the like. (Step 3 in Figure 3).
  • the excitation electrode 5A and the detection electrode 5B are removed by dry etching to remove the upper electrode layer 5 and the piezoelectric layer 4 in a region not covered with the resist film 7 for element formation. It is formed (step 310 in FIG. 3).
  • the lower electrode layer 3 is removed. The removal of the piezoelectric layer 4 is terminated immediately before reaching the bottom surface of the piezoelectric layer 4 so that the surface does not appear.
  • the element forming resist film 7 is removed by a removing solvent such as an organic solvent or an alkaline solution, or by a method such as oxygen asking (step 307 in FIG. 3). Thereby, the upper electrode layer 5 is separated into the excitation electrode 5A and the detection electrode 5B.
  • a removing solvent such as an organic solvent or an alkaline solution
  • oxygen asking step 307 in FIG. 3
  • the resist mask 8 covering the excitation electrode 5A, the detection electrode 5B, and the piezoelectric layer 4 around the electrodes 5A and 5B is similar to the resist film 7 for forming an element. It is formed by the method (step 308 in FIG. 3).
  • the piezoelectric layer 4, the lower electrode layer 3, and the buffer layer 2, which are not covered with the resist mask 8, are removed by dry etching (step 309 in FIG. 3).
  • the resist mask 8 is formed around each of the electronic elements 13, and is separated from the resist mask 8 around the adjacent electronic element 13. As a result, the adjacent electronic elements 13 are not connected to each other.
  • the substrate 1 is dry-etched by at least two kinds of gases. These gases have different etching conditions. For example, SF 6 as a first gas for promoting etching and a second gas C 4 F 8 for suppressing etching are used. The substrate 1 is gradually etched while these gases are mixed or alternately switched.
  • gases have different etching conditions. For example, SF 6 as a first gas for promoting etching and a second gas C 4 F 8 for suppressing etching are used.
  • the substrate 1 is gradually etched while these gases are mixed or alternately switched.
  • the mixing ratio of the mixed gas during the etching By controlling the mixing ratio of the mixed gas during the etching, the suppression and promotion of the etching are controlled, and the substrate 1 is partially etched to control the degree. With proper control of the mixing ratio, the etching proceeds only downward at right angles to the surface of the substrate 1, and the angle between the bottom surface and the side surfaces of the groove 9 can be made substantially right. In addition, the angle between the bottom surface and the side surface of the groove 9 can be made acute by increasing the mixture ratio of the first gas as the etching proceeds.
  • the shape of the groove 9 can be similarly controlled by controlling the ratio of the time during which the gas is used.
  • the substrate 1 is etched deeper than the finally required thickness D1 of the substrate 1. I Therefore, as shown in FIG. 13, the substrate 1 is formed into a trapezoidal shape having a smaller width on the side farther from the surface on which the lower electrode 3, the piezoelectric substrate 4, and the upper substrate 5 are formed.
  • the dummy substrate 11 and the substrate 1 are adhered to each other with the adhesive layer 12 while leaving the resist mask 8 (step 3110 in FIG. 3). Further, the resist mask 8 may be removed before this step.
  • the adhesive layer 12 is formed at least on the surface of the electronic element 13 and the outer peripheral surface of the electronic element 13.
  • the adhesive layer 12 is preferably formed of an amount of adhesive enough to enter the groove 9 between the trapezoidal arms 1OA and 1OB.
  • the trapezoidal arms 1OA and 1OB are fixed so as to bite into the adhesive layer 12 as shown in Fig. 14 after the adhesion of the adhesive layer 12, so that the bonding strength can be further improved. Accordingly, it is possible to prevent the sensor from being displaced from the dummy substrate 11 when the substrate 1 is ground. As a result, the substrate 1 can be ground uniformly.
  • one electronic element is shown in FIG. 14, in actuality, as shown in FIG. 17, the surface of the substrate 1 on which the plurality of electronic elements are formed faces the dummy substrate 11 and the adhesive layer 12 is formed. Is fixed.
  • the dummy substrate 11 has a flat surface and a strength enough to withstand the mechanical stress caused by the removal of the substrate 1, and is made of, for example, glass, a silicon substrate, a SUS substrate, or the like.
  • a part of the substrate 1 is ground and removed from the back side of the substrate 1 (step 311 in FIG. 3).
  • the thickness of the substrate 1 can be controlled with high precision by grinding.
  • the substrate 1 is polished so as to have a finally required thickness.
  • the etching process of the upper electrode layer 5, the piezoelectric layer 4, the lower electrode layer 3, the buffer layer 2, and the substrate 1 that applies a load such as stress to the substrate 1 in the manufacturing process is performed while the substrate 1 is thick.
  • the breaking of the substrate 1 can be prevented as much as possible, and as a result, the sensor can be manufactured efficiently.
  • the substrate 1 is ground until the required thickness is obtained even when the groove 9 penetrates. As described above, at least the surface of the electronic element 13 and the outer peripheral surface are fixed to the dummy substrate 11 by the adhesive layer 12. Therefore, as shown in Figure 18 Even after the substrate 1 is further ground after being separated into 13, the individual electronic elements 13 are not separated.
  • the outer periphery of the substrate 1 on the surface to be ground as described above has a trapezoidal cross section smaller than that on the opposite surface.
  • the substrate 1 may be etched as shown in FIG.
  • Substrate 1 is first etched down at right angles to the surface.
  • the etching conditions are changed so that the substrate 1 is etched so as to spread over the side wall of the substrate 1 (part a in FIG. 19).
  • the substrate 1 is ground from the back surface and the groove 9 penetrates, damage to the corners of the side surface of the groove 9 and the ground surface (a portion in FIG. 19) can be reduced, and most of the substrate 1 is It can be a solid body having a side surface perpendicular to the surface.
  • xenon difluoride may be used as an etching gas for etching so that the substrate 1 spreads over the side wall.
  • the portion to be etched only in the vicinity of the bottom surface of the groove 9 can be expanded to the side wall, as shown in part a of FIG. This is because when the substrate 1 is etched using the first and second gases, a protective film is formed on the etched side wall of the substrate 1. Since no protective film is formed near the bottom of the substrate 1, only the bottom can be etched with xenon difluoride.
  • the dummy substrate 11 is removed (Step 3 12 in FIG. 3), and the resist mask 8 is removed in the same manner as the resist film 7 for element formation (Step 3 in FIG. 3). 3 13), and the angular velocity sensor 15 is obtained.
  • the residue of the adhesive layer 12 attached to the electronic element 13 is also removed. Since the resist mask 8 is not connected to the adjacent electronic element 13, when removing a part of the substrate 1 in step 3 1 1, the electronic element 13 includes only the adhesive layer 12 and the dummy substrate 11. It is connected to other electronic elements 13 via the same. Therefore, each electronic element 13 can be separated at a time by removing the adhesive layer 12.
  • the upper electrodes constituting the excitation electrode 5 A and the detection electrode 5 B Since the pole layer 5 is covered with the resist mask 8 until it is separated into the individual electronic elements 13, damage and contamination of the upper electrode layer 5 can be reduced.
  • the angular velocity sensor separated as necessary is mounted on a mounting object, for example, an outer case 14 (Step 3 14 in FIG. 3).
  • the electronic element may be an electronic part such as a chip resistor, a vibrator, and an actuator. The same operation and effect as in the embodiment can be obtained.
  • FIG. 21 is a flowchart showing a method of manufacturing an angular velocity sensor according to Embodiment 2 of the present invention.
  • 22 to 29 are a cross-sectional view and a perspective view showing a manufacturing process.
  • the steps up to the step of dry-etching the substrate 1 are the same as steps 301 to 309 of FIG. 3 in the first embodiment.
  • An angular velocity sensor is created.
  • the dummy substrate 11 and the substrate 1 are adhered to each other by the adhesive layer 51 made of a thermoplastic resin such as paraffin wax used for candles, for example, while leaving the resist mask 8. (Step 211 of FIG. 21). Further, the resist mask 8 may be removed before this step. Further, the amount of the adhesive forming the adhesive layer 51 is determined in consideration of the adhesive strength as in the first embodiment.
  • FIG. 23 one electronic element is shown. However, as shown in FIG. 24, the surface of the substrate 1 on which the plurality of electronic elements are formed faces the dummy substrate 11 and the adhesive layer 51 is formed. Is fixed.
  • Step 211 of FIG. 21 heat is applied to the electronic element 13 so that the electronic element 13 is picked from the adhesive layer 51 (Step 211 of FIG. 21).
  • Heat is generated by applying heat to the electronic element 13
  • the electronic element 13 can be easily removed from the adhesive layer 51 made of a plastic resin.
  • the element 13 is brought into contact with the element 13 to apply heat as shown in FIG.
  • the tip 22 of the trowel 21 has the same shape as the electronic element 13 or is slightly smaller than the outer shape of the electronic element 13 as shown in FIG.
  • the desired electronic element 13 and the adjacent electronic element 13 are connected only by the thermoplastic resin, the heat from the iron 15 is transmitted to the electronic element 13, but is transmitted to the other elements. Hateful. Accordingly, as shown in FIG.
  • the element 13 may be irradiated with infrared rays instead of the iron 15 to apply heat.
  • a mask 17 is provided between the infrared light source 16 and the dummy substrate 11, and only desired electronic elements 13 are irradiated with infrared light. Thereby, only the periphery of the desired electronic element 13 is heated and the adhesive layer 51 is melted, so that the desired electronic element 13 can be picked.
  • the resist mask 8 is not connected to the other electronic elements 13 as in the first embodiment, when a part of the substrate 1 is removed from the back surface side of the substrate 1, the electronic element 13 becomes an adhesive layer 5 It is connected to dummy substrate 1 1 only through 1.
  • the influence on the other electronic element 13 can be reduced, and as a result, the alignment of the other electronic element 13 can be prevented from being disturbed.
  • the resist mask 8 is removed by using an organic solvent or an alkaline solution (steps 2 113 in FIG. 21). At this time, if necessary, the residue of the adhesive layer 51 attached to the electronic element 13 is also removed.
  • the angular velocity sensor 21 is mounted on the mounted body, for example, the outer case 14 (step 2 11 14 in FIG. 21).
  • the present invention is not limited to this, and the electronic element may be, for example, a chip resistor, a vibrator, an actuator, or the like as in the first embodiment.
  • the same operation and effect as in the present embodiment can be obtained with the electronic component described above. (Embodiment 3)
  • Embodiment 3 of the present invention A method of manufacturing an angular velocity sensor according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIGS.
  • a layer 18 that absorbs infrared rays made of, for example, carbon is provided on the dummy substrate 11. As shown in FIGS. 30 and 31, the temperature of the infrared absorbing layer 18 between the adhesive layer 51 and the dummy substrate 11 rapidly rises, so that the desired electronic element 13 can be more efficiently used. Can be picked.
  • Embodiment 2 is the same as Embodiment 1 except for the manufacturing method and materials described above. (Embodiment 4)
  • the adhesive layer 52 is made of a resin whose adhesiveness is reduced by irradiation with ultraviolet rays, such as a resin adhesive generally used as an adhesive for a dicing tape.
  • irradiating the electronic element 13 with ultraviolet light reduces the adhesiveness of the adhesive layer 12 so that the electronic element 13 can be easily removed. Can be.
  • ultraviolet rays can be applied only to desired electronic elements 13 by using a mask 17 provided between ultraviolet ray source 20 and electronic elements 13.
  • the substrate 1 is made of a material that does not transmit ultraviolet light, such as silicon, for example, a material that transmits ultraviolet light, such as quartz or borosilicate glass, is used as the material of the dummy substrate 11.
  • a material that transmits ultraviolet light such as quartz or borosilicate glass
  • UV irradiation is performed from the dummy substrate 11 side. Only the adhesive layer 52 connecting the desired electronic element 13 and the dummy substrate 11 can be efficiently irradiated with ultraviolet rays, and as a result, only the desired electronic element 13 can be picked.
  • An angular velocity sensor is obtained in the same manner as in Embodiment 1 except for the manufacturing method and materials described above.
  • the adhesive layer is irradiated with heat, infrared rays, or ultraviolet rays, and the adhesive layer is made of a material softened by them, so that the electronic element 13 can be easily picked.
  • the adhesive layer is formed of a material that softens due to physical action, even if the action is used in place of heat, infrared rays, or ultraviolet rays in the above-described manufacturing method, the picking of the element 13 is the same as in Embodiments 2 to 4. Similar effects can be obtained.
  • heat can be applied to the adhesive layer by electromagnetic waves as in a microwave oven.
  • an electronic component can be manufactured according to the first to fourth embodiments by another method of forming the groove 9 in the substrate 1 by wet etching or the like.

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Description

明細書 電子部品の製造方法 技術分野
本発明は、 シリコン基板やガラス基板などの平らな基板板上に形成される電子 素子を有する電子部品の製造方法に関する。 背景技術
電子素子はシリコン基板やガラス基板などの平らな板状の材料の表面に金属、 誘電体、 半導体などの材料を順次積層及びパターン処理することにより形成され る。 複数の電子素子を同時に形成するために基板の表面に複数の電子素子が一括 して形成される。 後に、 従来、 ダイシングブレードなどを用いて各電子素子が個 片に切り出されている。 しかし、 各電子素子を個片に切り出しているので、 生産 性がよくない。 発明の開示
電子部品は以下の方法で製造される。 基板の表面に素子が形成され、 素子の周 囲で基板の表面に溝が形成される。 基板の裏面から少なくとも溝に到達するまで 基板の一部が除去される。
この方法では基板の裏面より基板の一部を除去することにより複数の素子でも 一括して偭片に分離できるので、 効率的に電子部品を生産できる。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の実施の形態による角速度センサの斜視図である。
図 2は実施の形態による角速度センサの分解斜視図である。
図 3は本発明の実施の形態 1による角速度センサの製造工程を示すフローチヤ 一卜である。
図 4は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 5は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 6は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 7は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 8は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 9は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 0は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 1は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 2は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 3は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 4は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 5は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 6は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 1 7は実施の形態 1による製造工程を示す斜視図である。
図 1 8は実施の形態 1による製造工程を示す斜視図である。
図 1 9は実施の形態 1による製造工程を示す断面図である。
図 2 0は実施の形態 1による角速度センサの斜視図である。
図 2 1は実施の形態 2による角速度センサの製造工程を示すフローチャートで ある。
図 2 2は実施の形態 2による製造工程を示す断面図である。
図 2 3は実施の形態 2による製造工程を示す断面図である。
図 2 4は実施の形態 2による製造工程を示す斜視図である。
図 2 5は実施の形態 2による製造工程を示す斜視図である。
図 2 6は実施の形態 2による製造工程を示す斜視図である。
図 2 7は実施の形態 2によるこての斜視図である。
図 2 8は実施の形態 2による製造工程を示す断面図である。 図 2 9は実施の形態 2による製造工程を示す断面図である。
図 3 0は本発明の実施の形態 3による製造工程を示す断面図である。
図 3 1は実施の形態 3による製造工程を示す断面図である。
図 3 2は実施の形態 3による製造工程を示す断面図である。
図 3 3は本発明の実施の形態 4による製造工程を示す断面図である。
図 3 4は実施の形態 4による製造工程を示す断面図である。 発明を実施するための最良の形態
図 1は本発明の実施の形態による電子素子である角速度センサの斜視図であり、 図 2はその分解斜視図である。 音又形状の基板 1上に、 バッファ層 2、 下部電極 層 3、 圧電層 4、 上部電極層 5、 補助電極 6が順次設けられる。
この角速度センサが角速度を検出する動作について図 1および図 2を用いて少 し説明する。 上部電極層 5は励振電極 5 Aと検出電極 5 Bとからなり、 それぞれ 下部電極層 3に圧電層 4を挟んで対向している。 励振電極 5 Aと下部電極層 3と の間に電圧を加えると、 励振電極 5 Aと下部電極層 3に挟まれた圧電層 4の部分 が伸縮することにより基板 1に設けられた 2本の腕部 1 0 A及び 1 0 Bの形状が 歪み、 その結果、 音叉の水平方向に振動が起こる。 この状態で、 この音叉の腕と 平行な軸 Aを中心に角速度が発生すると、 腕部 1 0 A, 1 0 Bはこの軸と振動方 向の共に垂直な方向にたわむ。 このたわみの大きさに応じて圧電層 4が帯電し、 この帯電量を検出電極 5 Bにより検出することによって角速度の大きさを検出で さる。
(実施の形態 1 )
本発明の実施の形態 1による角速度センサの製造方法について図 3〜図 2 0を 用いて説明する。 図 3は角速度センサの製造方法を示すフロ一チヤ一トであり、 図 4〜図 2 0は製造工程を示す断面図及び斜視図である。
まず、 図 4に示すように、 基板 1の表面に酸化ニッケル、 酸化コバルト、 酸化 マグネシウム、 チタンのいずれかの材料を用いたバッファ層 2が Metalorganic Chemical Vapor Depos i t ion (MO C V D) 法で形成される （図 3のステップ 3 0 1 ) 。 例えば、 酸化ニッケルのバッファ層 2はニッケルァセチルァセトナト を昇華気化させたガスを用いて形成できる。 また、 チタンの場合は上記方法に加 えてスパッ夕リングでパッファ層 2が形成できる。
次に、 図 5に示すように、 バッファ層 2の表面に P tよりなる下部電極層 3が スパッタリングや真空蒸着などの方法により形成する （図 3のステップ 3 0 2 ) 。 ついで図 6に示すように、 下部電極層 3の表面にチタン酸ジルコン酸鉛 （以下 P Z Tと記す） などの圧電材料よりなる圧電層 4がスパッタリングにて形成され る （図 3のステップ 3 0 3 ) 。
次に図 7に示すように、 圧電層 4の表面に金を用いてスパッタリング、 真空蒸 着などの方法により上部電極層 5が形成される （図 3のステップ 3 0 4 ) 。 ここ で P Z Tよりなる圧電層 4と金よりなる上部電極層 5との間にチタンやクロムの 層を設けてもよい。 チタンやクロムは P Z Tとの密着性に優れ、 かつ、 金とは強 固な拡散層を形成するので、 この層により圧電層 4と上部電極層 5の密着強度を さらに向上できる。 発明者らの実験では、 例えばチタンの層を用いた場合 2 0〜 1 0 0オングストローム程度の膜厚の層を形成することにより十分な密着強度を 得ることができた。
図 8〜図 1 6はセンサの腕部 1 0 A， 1 0 Bの断面図である。
まず、 図 8に示すように、 上部電極層 5の励振電極 5 A、 検出電極 5 Bを形成 する部分に感光性樹脂よりなる素子形成用レジスト膜 7が一般的なフォトリソ法 等で形成される （図 3のステップ 3 0 5 ) 。
次に、 図 9に示すように、 ドライエッチングにて素子形成用レジスト膜 7で覆 われていない領域の上部電極層 5および圧電層 4を除去することにより励振電極 5 Aおよび検出電極 5 Bが形成される （図 3のステップ 3 0 6 ) 。 このとき次の 素子形成用レジスト膜 7の除去する工程で用いる除去用溶剤や、 後の工程により 下部電極層 3と圧電層 4の界面が侵されることを防止するために、 下部電極層 3 が表出しないよう圧電層 4の底面に至る直前で圧電層 4の除去を終了させる。 ついで図 1 0に示すように素子形成用レジスト膜 7が有機溶剤やアル力リ溶液 等の除去用溶剤、 または酸素アツシング等の方法で除去される （図 3のステップ 3 0 7 ) 。 これにより上部電極層 5は励振電極 5 Aと検出電極 5 Bとに分離され る。
次に図 1 1に示すように、 励振電極 5 Aと、 検出電極 5 Bと、 電極 5 Aと 5 B の周辺の圧電層 4とを覆うレジストマスク 8が素子形成用レジスト膜 7と同様に 方法で形成される （図 3のステップ 3 0 8 ) 。
次に図 1 2に示すように、 レジストマスク 8で覆われていない圧電層 4と下部 電極層 3とバッファ層 2とがドライエッチングにより除去される （図 3のステツ プ 3 0 9 ) 。 レジストマスク 8は個々の電子素子 1 3の周囲に形成され、 隣り合 う電子素子 1 3の周囲のレジストマスク 8とは離れている。 これにより隣り合う 電子素子 1 3は互いに連結しない。
さらに図 1 3に示すように、 基板 1がすくなくとも 2種類のガスによりドライ エッチングされる。 それらのガスはエッチングの条件が異なり、 例えば、 エッチ ングを促進する第 1のガスである S F 6とエッチングを抑制する第 2のガス C 4 F 8とが用いられる。 基板 1はこれらのガスは混ぜられて、 または交互に切り替 えられながら徐々にエッチングされる。
混ぜられたガスは、 その混合比率をエッチング中に制御することによってエツ チングの抑制と促進が制御され、 基板 1は部分的にエッチングされ具合が制御さ れる。 混合比率の適切な制御により、 エッチングは基板 1の面に直角に下方にの み進み、 溝 9の底面と側面との角度をほぼ直角にできる。 また、 エッチングが進 むにつれて第 1のガスの混合比を増やすことにより溝 9の底面と側面との角度を 鋭角にできる。
これら 2種類のガスを交互に切り替える場合も、 ガスの使用される時間の比を 制御することにより同様に溝 9の形状を制御できる。
基板 1は最終的に必要とする基板 1の厚み D 1より深くエッチングされる。 し たがって図 1 3に示すように、 基板 1は下部電極 3、 圧電基板 4、 上部基板 5が 形成された面から遠い方がより幅の狭い台形形状に成形される。
次に、 図 1 4に示すように、 レジストマスク 8を残したままダミ一基板 1 1と 基板 1とが接着層 1 2により接着される （図 3のステップ 3 1 0 ) 。 また、 レジ ストマスク 8をこの工程の前に除去してもよい。
接着層 1 2は電子素子 1 3の表面と電子素子 1 3の外周面とに少なくとも形成 される。 接着層 1 2は好ましくは台形形状の腕部 1 O A, 1 O Bの間の溝 9に十 分入り込む量の接着剤で形成される。 これにより、 接着層 1 2の固着後に図 1 4 のように台形形状の腕部 1 O A, 1 O Bが接着層 1 2に食い込むよう固着される ので接合強度をさらに向上できる。 これにより基板 1を研削する際にダミー基板 1 1とセンサがずれることを防止でき、 その結果、 均一に基板 1を研削できる。 なお、 図 1 4では 1つの電子素子を示すが、 実際には図 1 7のように、 基板 1 の複数の電子素子が形成された面とダミー基板 1 1とが対向し接着層 1 2によつ て固着される。
ダミ一基板 1 1は平坦な表面を有し、 かつ基板 1の除去による機械的ストレス に耐えられる強度を有している、 例えば、 ガラス、 シリコン基板、 S U S基板等 よりなる。
次に、 図 1 5に示すように、 基板 1の裏面側から基板 1の一部が研削され除去 される （図 3のステップ 3 1 1 ) 。 研削により高精度に基板 1の厚みを制御でき る。 このとき図 1 3に示すように、 基板 1は最終的に必要とする厚みを有するよ うに研磨される。 この方法により、 製造工程において基板 1に応力などの負荷が かかる上部電極層 5、 圧電層 4、 下部電極層 3、 バッファ層 2及び基板 1のエツ チング工程は基板 1が厚い状態で行われるので基板 1が割れるのを極力防止でき、 結果、 効率的にセンサを製造できる。
基板 1は、 溝 9が貫通しても必要とする厚さになるまで研削される。 上述のよ うに、 ダミー基板 1 1には接着層 1 2によって電子素子 1 3の表面と外周面とが 少なくとも固着されている。 したがって、 図 1 8に示すように、 個別の電子素子 1 3に分離された後に、 さらに基板 1が研削され続けても、 個別の電子素子 1 3 は分離しない。
また、 上述のように研削される面の基板 1の外周はその反対の面のそれより小 さい台形形状の断面を有する。 これにより、 基板 1は溝 9が貫通してからさらに 研削されても、 溝 9の側面と研削面の角部 （図 1 5の a部） は破損しにくい。 基板 1の断面の台形形状がセンサの周波数特性などに影響を与える場合には、 基板 1を図 1 9に示すようにエッチングしてもよい。 基板 1はまず表面に直角で 下方にエッチングされる。 基板 1が最終的に必要とする厚み D 1の少し手前まで エッチングされたときにエッチング条件を変えて、 基板 1の側壁に広がるように エッチングされる (図 1 9の a部） 。 これにより基板 1はその裏面より研削され て溝 9が貫通しても溝 9の側面と研削面の角部 （図 1 9の a部） の破損を低減で き、 かつ基板 1の大部分が表面に直角な側面を有する立体とすることができる。 なお、 基板 1が側壁に広がるようにエッチングするのにエッチングのガスとして 2弗化キセノンを用いてもよい。 これにより溝 9の底面付近のみを図 1 9の a部 のようにエッチングされる部分を側壁に広げることができる。 これは基板 1を第 1と第 2のガスを用いてエッチングした際に、 基板 1のエッチングされた側壁部 分に保護膜が形成されるからである。 基板 1の底部付近には保護膜が形成されな いようできるので、 2弗化キセノンによって底部のみをエッチングすることがで きる。
続いて、 図 1 6に示すように、 ダミー基板 1 1を除去し （図 3のステップ 3 1 2 ) 、 素子形成用レジスト膜 7と同様にレジストマスク 8を除去し （図 3のステ ップ 3 1 3 ) 、 角速度センサ 1 5が得られる。 このとき必要であれば、 電子素子 1 3に付着した接着層 1 2の残留物も除去する。 レジストマスク 8は隣の電子素 子 1 3と連結していないので、 ステップ 3 1 1で基板 1の一部を除去するときに 電子素子 1 3は接着層 1 2とダミー基板 1 1とのみを介して他の電子素子 1 3と 接続されている。 したがって、 接着層 1 2を除去することにより各電子素子 1 3 を一括して分離できる。 さらに、 励振電極 5 Aと検出電極 5 Bを構成する上部電 極層 5は個々の電子素子 1 3に分離されるまでレジストマスク 8で覆われるので、 上部電極層 5の破損や汚染を低減できるのである。
その後、 図 2 0に示すように、 必要に応じて分離された角速度センサは被実装 体、 例えば外装ケース 1 4に実装される （図 3のステップ 3 1 4 ) 。
なお、 実施の形態 1では電子素子として角速度センサを説明したが、 これに限 定されるものではなく、 電子素子は、 例えばチップ抵抗器、 振動子、 ァクチユエ 一夕等の電子部品でも本実施の形態と同様の作用効果が得られる。
(実施の形態 2 )
図 2 1は本発明の実施の形態 2による角速度センサの製造方法を示すフロ一チ ャ一トである。 図 2 2〜図 2 9は製造工程を示す断面図および,斜視図である。 実施の形態 2による製造方法では図 2 1に示すように基板 1をドライエツチン グする工程 （ステップ 3 0 9 ) までは実施の形態 1での図 3のステップ 3 0 1〜 3 0 9までと同様に角速度センサが作成される。
次に、 図 2 2に示すように、 レジストマスク 8を残したままダミー基板 1 1と 基板 1とが、 例えばろうそくなどに用いられるパラフィンワックス等の熱可塑性 樹脂よりなる接着層 5 1により接着される （図 2 1のステップ 2 1 1 0 ) 。 また、 レジストマスク 8をこの工程の前に除去してもよい。 また、 接着層 5 1を形成す る接着剤の量は実施の形態 1と同様に接着強度を考慮して決定される。
なお、 図 2 3では 1つの電子素子を示すが、 実際には図 2 4のように、 基板 1 の複数の電子素子が形成された面とダミー基板 1 1とが対向し接着層 5 1によつ て固着される。
次に、 図 2 3と図 2 5に示すように、 実施の形態 1での図 3のステップ 3 1 1 と同様に基板 1の裏面側から基板 1の一部が除去される （図 2 1のステップ 2 1 1 1 ) 。 '
次に、 電子素子 1 3に熱を加えて、 接着層 5 1から電子素子 1 3がピッキング される （図 2 1のステップ 2 1 1 2 ) 。 電子素子 1 3に熱を加えることにより熱 可塑性樹脂による接着層 5 1から容易に電子素子 1 3を取り外すことができる。 熱を加えるために素子 1 3には図 2 6に示すように、 こて 2 1を接触させる。 こて 2 1の先端 2 2は図 2 7に示すように、 電子素子 1 3と同一の形状かもしく は電子素子 1 3の外形より若干小さいほうが望ましい。 これにより、 所望の電子 素子 1 3と隣の電子素子 1 3とは熱可塑性樹脂のみによって接続されているので、 こて 1 5からの熱は電子素子 1 3に伝わるが、 それ以外には伝わりにくい。 した がって、 図 2 8に示すように所望の電子素子 1 3とダミー基板 1 1を接続してい る接着層 5 1の領域周辺のみが溶解し、 所望の電子素子 1 3がピッキングできる。 また、 熱を加えるために素子 1 3には図 2 9に示すように、 こて 1 5の代りに 赤外線を照射してもよい。 赤外線源 1 6とダミー基板 1 1の間にマスク 1 7が設 けられ、 所望の電子素子 1 3のみに赤外線が照射される。 これにより、 所望の電 子素子 1 3の周辺のみが加熱されて接着層 5 1が溶解し、 所望の電子素子 1 3を ピッキングできる。
加えて、 実施の形態 1と同様にレジストマスク 8が他の電子素子 1 3と連結し ていないので、 基板 1の裏面側からその一部を除去したとき、 電子素子 1 3は接 着層 5 1のみを介してダミー基板 1 1と接続されている。 これにより電子素子 1 3をピッキングする際他の電子素子 1 3に与える影響を少なくでき、 その結果、 他の電子素子 1 3の整列が乱れるのを防止できる。
続いて、 図 1 6に示すようにレジストマスク 8を有機溶剤やアル力リ溶液を用 いて除去する （図 2 1のステップ 2 1 1 3 ) 。 このとき必要であれば、 電子素子 1 3に付着した接着層 5 1の残留物も除去する。
その後図 2 0に示すように、 被実装体、 例えば外装ケース 1 4に角速度センサ 2 1が実装される （図 2 1のステップ 2 1 1 4 ) 。
なお、 実施の形態 2では電子素子として角速度センサを説明したが、 これに限 定されるものではなく、 実施の形態 1と同様に、 電子素子は例えばチップ抵抗器、 振動子、 ァクチユエ一夕等の電子部品でも本実施の形態と同様の作用効果が得ら れる。 (実施の形態 3 )
本発明の実施の形態 3による角速度センサの製造方法を図 3 0〜図 3 2を参照 して説明する。 実施の形態 3では実施の形態 2と異なり、 ダミー基板 1 1上に例 えば炭素からなる赤外線を吸収する層 1 8が設けられる。 図 3 0、 図 3 1に示す のように、 接着層 5 1とダミー基板 1 1の間に赤外線を吸収する層 1 8において 急速に温度が上昇するので、 より効率よく所望の電子素子 1 3をピッキングでき る。
また、 ダミ一基板 1 1として、 シリコンあるいは赤外線を透過するガラスを用 いることにより、 図 3 2に示すように、 赤外線をダミー基板 1 1の側から照射で きるので、 電子素子 1 3を固定している接着層 5 1の部位に的確に赤外線を照射 でき、 その結果、 より容易に電子素子 1 3をピッキングできる。 以上の製造方法 および材料以外は実施の形態 1と同様である。 (実施の形態 4 )
本発明の実施の形態 4によるセンサの製造方法を図 3 3、 図 3 4を参照して説 明する。 実施の形態 4では実施の形態 2と異なり、 接着層 5 2は、 ダイシングテ ープの粘着剤として一般的に用いられる樹脂接着剤等の紫外線の照射により粘着 性が低下する樹脂よりなる。
実施の形態 2と同様に電子素子 1 3をピッキングする際、 電子素子 1 3に紫外 線を照射することにより接着層 1 2の接着性が低下して電子素子 1 3を容易に取 り外すことができる。
実施の形態 3と同様に、 図 3 3に示すように紫外線源 2 0と電子素子 1 3の間 に設けられたマスク 1 7により、 紫外線を所望の電子素子 1 3のみに照射できる。 基板 1が例えばシリコンなど紫外線を透過しない材料よりなる場合は、 ダミ一基 板 1 1の材料を紫外線が透過する材料、 例えば石英、 ホウ珪酸ガラスなどを用い る。 そして図 3 4に示すように、 ダミ一基板 1 1側から紫外線を照射することに より所望の電子素子 1 3とダミー基板 1 1を接続する接着層 5 2のみに紫外線を 効率よく照射でき、 その結果、 所望の電子素子 1 3のみをピッキングできる。 以上の製造方法および材料等以外は実施の形態 1と同様により角速度センサを 得る。
なお実施の形態 2〜4では接着層には熱、 赤外線、 または紫外線が照射され、 接着層はそれらにより軟化する材料からなることで電子素子 1 3を容易にピッキ ングできる。 物理的な作用により軟化する材料で接着層を形成すれば、 上記の製 造方法においてその作用を熱、 赤外線、 紫外線の代りに用いても素子 1 3のピッ キングに関して実施の形態 2〜4と同様の効果が得られる。 例えば電子レンジの ように電磁波で接着層に熱を加えることもできる。
またドライエッチングに代りに湿式エッチング等の基板 1に溝 9を形成する他 の方法でも実施の形態 1〜4により電子部品を製造できる。 産業上の利用可能性
本発明による電子部品の方法では複数の素子が形成された基板の裏面より基板 の一部を除去することによりそれらを一括して個片に分離できるので、 効率的に その素子を備えた電子部品を生産できる。

Claims

請求の範囲
1 . 基板の表面に少なくとも 1つの素子を形成する工程と、
前記素子の周囲で前記基板の表面に溝を形成する工程と、
前記基板の裏面から少なくとも前記溝に到達するまで前記基板の一部を除 去する工程と、
を有する電子部品の製造方法。
2 . 前記溝を形成する工程は、 前記溝を形成する前記基板の表面を除いてレジ ストマスクを設ける工程と、 前記レジストマスクを設けた前記基板の前記表面を エッチングする工程とを含み、
前記レジストマスクを除去する工程をさらに有する、 請求の範囲第 1項に 記載の方法。
3 . 前記レジストマスクを除去する工程は前記基板の前記一部を除去する工程の 後に行う、 請求の範囲第 2項に記載の電子部品の製造方法。
4. 前記基板の前記表面をエッチングする工程は、 前記表面をドライエッチング する工程を含む、 請求の範囲第 2項に記載の電子部品の製造方法。
5 . 前記表面をドライエッチングする工程は、 前記表面を第 1と第 2のガスを用 いてドライエッチングする工程を含む、 請求の範囲第 4項に記載の方法。
6 . 前記第 1のガスはドライエッチングを促進するガスを含み、 前記第 2のガス はドライエツチングを抑制するガスを含む、 請求の範囲第 5項に記載の方法。
7 . 前記表面をドライエッチングする工程は、 前記第 1と第 2のガスの混合ガス を用いて前記表面をドライエッチングする工程を含む、 請求の範囲第 6項に記載 の方法。
8 . 前記混合ガスを用いて前記表面をドライエッチングする工程は、 前記基板の 前記表面から前記溝を深く形成するに従つて前記混合ガス中の前記第 1のガスの 混合比率を高くする工程を含む、 請求の範囲第 7項に記載の方法。
9 . 前記表面をドライエッチングする工程は、 前記第 1と第 2のガスを交互に用 いて前記表面をドライエッチングする工程を含む、 請求の範囲第 6項に記載の方 法。
1 0 . 前記第 1と第 2のガスを交互に用いて前記表面をドライエッチングするェ 程は、 前記基板の前記表面から前記溝を深く形成するに従って前記第 1のガスを 長い時間用いて前記表面をドライエッチングする工程を含む、 請求の範囲第 9項 に記載の方法。
1 1 . 前記基板を 2弗化キセノンを用いてドライエッチングする工程をさらに有 する、 請求の範囲第 4項に記載の方法。
1 2 . 前記基板の前記表面に接着層を介してダミー基板を接合する工程をさらに 含む、 請求の範囲第 1項に記載の方法。
1 3 . 前記接着層は前記素子の表面と前記素子の外周に形成される、 請求の範囲 第 1 2項に記載の方法。
1 4. 前記素子をピッキングする工程をさらに有する、 請求の範囲第 1項に記載 の方法。
15. 前記ピッキングされた素子を被実装体に実装する工程をさらに有する、 請 求の範囲第 14項に記載の方法。
16. 前記基板の前記表面に接着層を介してダミー基板を接着する工程をさらに 含む、 請求の範囲第 14項に記載の方法。
17. 前記接着層は前記素子の表面と前記素子の外周に形成される、 請求の範囲 第 16項に記載の方法。
18. 前記接着層は熱可塑性樹脂を含む、 請求の範囲第 16項に記載の方法。
19. 前記接着層は熱可塑性樹脂よりなる、 請求の範囲第 18項に記載の方法。
20. 前記素子に熱を加える工程をさらに有する、 請求の範囲第 18項に記載の 方法。
21. 前記素子に前記熱を加える工程は、 こてで前記素子に前記熱を加える工程 を含む、 請求の範囲第 20項に記載の方法。
22. 前記素子に前記熱を加える工程は、 赤外線を前記素子に照射する工程を含 む、 請求の範囲第 20項に記載の方法。
23. 前記ダミー基板と前記接着層との間に設けられた赤外線を吸収する層が 設けられている、 請求の範囲第 22項に記載の方法。
24. 前記ダミー基板はシリコンを含む、 請求の範囲第 22項に記載の方法。
2 5 . 前記ダミー基板は赤外線を透過するガラスを含む、 請求の範囲第 2 2項に 記載の方法。
2 6 . 前記接着層は紫外線により接着性が低下する樹脂を含む、 請求の範囲第 1 6項に記載の方法。
2 7 . 前記接着層に紫外線を照射する工程をさらに有する、 請求の範囲第 2 6項 に記載の方法。
2 8 . 前記ダミー基板は紫外線を透過する材料で形成された、 請求の範囲第 2 6 項に記載の方法。
2 9 . 前記少なくとも 1つの素子は複数の素子を含み、
前記溝を形成する工程は、 前記形成された複数の素子の間に前記溝を形成 する工程を含む、 請求の範囲第 1項に記載の方法。
3 0 . 前記複数の素子のうちの少なくとも 1つの素子をマスクを通して露出する 工程をさらに有する、 請求の範囲第 2 9項に記載の方法。
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