WO2002032002A1

WO2002032002A1 - Module de commutation composite haute frequence

Info

Publication number: WO2002032002A1
Application number: PCT/JP2001/008793
Authority: WO
Inventors: Tetsuya Tsurunari; Yuki Sato; Yoshiharu Omori
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2000-10-06
Filing date: 2001-10-05
Publication date: 2002-04-18
Also published as: EP1235357A1; US6856213B2; US20040119560A1; EP1235357A4; JP2002118486A

Description

明細 ^: 高周波複合スィツチモジュール技術分野

本発明は携帯電話などの移動体通信機器に用いられる高周波複合スィツチモジュールに関する。背景技術

近年のデジタル携帯電話など移動体通信機器に用いる、小型で高性能な分波回路およびスィツチ共用器の需要がますます増大している。これら高周波部品の従来の回路ブロックを図 1 1に示す。図 1 1は、ョ一口ッパにおいてサービスされている携帯電話で 9 0 0 MH z帯の GSMシステムと 1. 8 GH z帯の DC Sシステムの複合端末におけるアンテナスィッチ共用器を示す。

図 1 1において、高周波部品はアンテナポート 6 1と、送信ポート 6 2、 64と、受信ポート 6 3、 6 5と、制御端子 6 6、 6 7と、分波 . 合波回路 6 8と、スィッチ回路 6 9、 7 0と、低域通過フィルタ 7 1、 7 2とを備える。分波 ·合波回路 6 8は低域通過フィルタと高域通過フィル夕を組み合わせた回路で一般的に形成され、入力された信号を GS M帯と D C S帯に振り分ける。スィッチ回路 6 9、 7 0は、それぞれの帯域で送信信号と受信信号を切り替える。

受信ポートはそれぞれ受信帯域制限用の帯域通過フィルタ、例えば弾性表面波（SAW) フィルタ 7 3、 74に接続される。そのため、図 1 2に示すように携帯電話のマザ一基板 7 5上では、アンテナスィツチ共用器 7 6と S A Wフィルタ 7 7が個別部品として別々に実装されており実装面積が大きい。

近頃の携帯電話は、更なる利便性の向上を目指して、マルチバンド化や機能の向上と並行して、小型化への市場要求が極めて大きい。これに対応したアンテナ共用器の要望が高まっている。

上記の共用器では、アンテナスィツチ共用器と帯域通過フィル夕が個別であり、マザ一基板上でこれらを接続するためのランドや部品間隔が必要である。したがつてこの共用器を有する通信機器は小型化が困難である。さらに部品間を接続するために一度マザ一基板上を信号が通過するため信号の損失が大きく、そのため通信機器は受信感度が劣化する。また、受信帯域制限用の帯域通過フィルタとして用いられる S A Wフィルタは、グランドに接続された S A W共振子とグランド間に発生する寄生ィンダクタンスの影響により、 S A Wフィルタの通過帯域に対して下側減衰帯域の極の周波数が低くなり、そこでの減衰量が減る。 S A W フィルタを積層体で構成されたアンテナスィツチ共用器と一体化する際に、 S AWフィルタのグランド端子が積層体中のビアと引き回し線路を介してグランド端子に接続される。そのため、引き回し線路による寄生ィンダクタンスの影響により、 S A Wフィルタの下側減衰量が劣化する。発明の開示

携帯電話などの移動体通信機器に用いられるアンテナ共用器と弾性表面波（S AW) フィルタを一体化した、通過帯域の異なる複数の送受信信号を扱う高周波複合スィツチモジュールを提供する。 S AWフィル夕実装時の寄生ィンダクタンスが低減し、 S A Wフィルタの下側減衰量の特性が向上する。その高周波複合スィツチモジュールは分波 ·合波回路と、スィツチ回路と、低域通過フィル夕と、分波 ·合波回路とスィッチ回路と低域通過フィルタのそれぞれ少なくとも一部を形成する電極パターンと、電極パターンをその上に形成する誘電体層からなる積層体と、それぞれの周波数帯域に対応し、それぞれグランド電極を有する、積層体上に実装された弾性表面波フィルタと、スィッチ回路の一部を形成する、積層体上に実装されたダイオードと、積層体内に形成されたグランド電極と、弾性表面波フィルタのグランド端子とを直接接続するビアとを備える。図面の簡単な説明

図 1は本発明の実施の形態における高周波スィツチモジュールの回路ブロック図である。

図 2は実施の形態におけるモジュールの等価回路図である。

図 3は実施の形態におけるモジュールの外観図である。

図 4は実施の形態におけるモジュールの分解斜視図である。

図 5は実施の形態における他の高周波スィツチモジュールの分解斜視図である。

図 6 Aは実施の形態における弹性表面波（S A W) フィル夕の等価回路図である。

図 6 Bは実施の形態における S A Wフィルタの特性図である。

図 7は実施の形態における高周波スィツチモジュールの実装形態および端子配置を示した平面図である。

図 8は実施の形態における高周波スィツチモジュールの実装形態およぴ端子配置を示した平面図である。

図 9は実施の形態における高周波スィツチモジュールの実装形態および端子配置を示した平面図である。

図 1 0は実施の形態における高周波スィツチモジュールの内部構造図である。

図 1 1は従来の高周波部品の回路ブロック図である。

図 1 2は従来の高周波部品の基板実装図である。発明を実施するための最良の形態

図 1に本発明の実施の形態における高周波複合スィツチモジュールの回路ブロック図を示す。その高周波複合スィツチモジュールはこの回路ブロックをワンチップ化したものである。このモジュールは、例えば第 1の周波数帯として GSM帯、第 2の周波数帯として D C S帯の 2つの周波数帯に対応し、デュアルバンド携帯電話のアンテナと GSM系と D C S系のそれぞれの送受信の振り分けに用いることができる。

この高周波複合スィツチモジュールは、通過帯域の異なる 2つの送受信系（例えば GSM帯と D C S帯）を极う。その高周波複合スィッチモジュールは入力信号を第 1の周波数帯（GSM) と第 2の周波数帯（D C S) に切り分けかつ合成する分波 · 合波回路 8と、第 1の送受信系 (GSM帯）の送信信号と受信信号を切り替えるスィッチ 9と、スイツチ 9の送信ラインに接続される低域通過フィルタ（L P F) 1 1と、受信ラインに接続される弹性表面波（SAW) フィルタ 1 2と、第 2の送受信系（D C S) の送信信号と受信信号を切り替えるスィッチ 1 0と、スィッチ 1 0の送信ラインに接続される L P F 1 3と、受信ラインに接続される SAWフィルタ 1 4とを備える。

高周波複合スィッチモジュールの等価回路を図 2に示す。コンデンサ C 1から C 3およびインダクタ L 1は L P F 1 1を形成する。コンデンサ C 1 4、 C 1 5およびインダク夕 L 8， L 9は L P F 1 3を形成する, コンデンサ C 4から C 8、インダクタ L 2から L 5およびダイオード D 1， D 2はスィッチ 9を形成する。コンデンサ C 1 6から C 2 0、インダクタ L 1 0から L 1 3およびダイオード D 3， D 4はスィッチ 1 0を形成する。コンデンサ C 9から C 1 2およびインダクタ L 6， L 7は分波 ·合波回路 8を形成する。

コンデンサ C 1 0とインダクタ L 6の並列共振回路はほぼ第 2の周波数帯域で共振し、インダクタ L 7とコンデンサ C 1 3の直列共振回路はほぼ第 1の周波数帯域で共振する。

ダイォ一ド D 2とコンデンサ C 8は、第 1の送信周波数で直列共振し、コンデンサ C 6 , C 7および L 4の 7C型位相回路の位相回転により、ァンテナから見た受信側のインピーダンスを極大にできる。したがってダィオード D 1および D 2を用いて送受信を切り替えるスィツチ 9を形成できる。

コンデンサ C 4およびインダクタ L 3は、ダイオード D 1のオフ時における容量を、第 1の受信周波数帯域においてキャンセルする。インダクタ 2はチヨ一クインダクタ、コンデンサ C 5はバイパスコンデンサである。

ダイォ一ド D 4とコンデンサ C 2 0は、第 2の送信周波数で直列共振し、コンデンサ C 1 8， C 1 9および L 1 2の π型位相回路の位相回転により、アンテナから見た受信側のインピーダンスを極大にできる。したがってダイォ一ド D 3および D 4を用いて送受信を切り替えるスィッチ 1 0を形成できる。

コンデンサ C 1 6およびィンダク夕 L 1 1はダイォード D 3のオフ時における容量を第 2の受信周波数帯域においてキャンセルする。インダクタ L 1 0はチヨ一クインダク夕、コンデンサ C 1 7はバイパスコンデンサである。

図 3はワンチップ化された高周波複合スィツチモジュールの外観を示す。分波，合波回路、 L P Fおよびスィッチ回路の一部が積層体内に形成される。ダイオード、チップインダクタなどのチップ部品 1 6や第 1 および第 2の受信周波数帯域を通過させる SAWフィル夕 1 5が積層体 1 7上に搭載される。

積層体 1 7は、比較的誘電率の低い（ ε ι·< 1 0) 誘電体が積層されている。この中にインダクタはメアンダもしくはスパイラル形状の電極パターンで形成され、コンデンサは対向電極で形成される。積層体の側面には入出力電極およびグランド電極 1 8が形成される。

図 4は、図 3のモジュールの分解斜視図で、積層体 1 7を積層体 1 7 aから 1 7 cに分けて示す。 S A Wフィル夕を実装するグランド端子 1 9から 2 2はそれぞれ積層体 1 7 aおよび 1 7 b内のビアホール 2 3 a から 26 aを介して、積層体 1 7 cに形成されたグランド電極 2 8に直接接続されている。この構造により、図 6 Aに示すように、 SAW共振子 2 9とグランド間に付く寄生インダクタンス 3 0を小さくできる。したがって図 6 Bに示すように SAW共振子 2 9の直列共振周波数の低域側へのシフト量が少なくなり、その結果、 S AWフィルタの下側減衰極の周波数シフトが少なくなり、減衰量の低下を抑制できる。

図 5では、図 4のモジュールの最下層である積層体 1 7 cに形成されたグランド電極 2 8が、表層の近傍である積層体 1 7 d上に設けられる。この構造により、ビア 2 3 bから 2 6 bが積層体 1 7 aの厚さ分だけ短くなる。したがって寄生インダクタンスをより小さくでき、 SAWフィル夕の減衰量の低下をさらに抑制できる。さらに、グランド端子とグランド電極を、一つのグランド端子につき複数のビアで接続することで、寄生ィンダク夕ンスをより小さくでき、 S AWフィルタの減衰量の低下をさらに抑制できる。

本実施の形態における高周波複合スィツチモジュールに用いられる S AWフィルタは、少なくとも第 1の周波数帯と第 2の周波数帯にそれぞれ対応する 2つの S AW素子からなる。図 7から図 9は、この SAWフィル夕および高周波チップ部品の実装形態と端子配置を示す平面図である。

図 7では、 SAWフィル夕 3 1が積層体 3 8上の中央に配置される。第 1の S AW素子 3 2と第 2の S A W素子 3 3が積層体 3 8の長手方向に並べて配置される。積層体の第 1の SAW素子 3 2側の領域に回路やフィル夕の第 1の周波数帯に対応する部分、すなわち実装部品のダイォード D l , D 2、チップインダクタ L 2， L 3、第 1の送信端子 34、第 1の受信端子 3 5および電極パターンで形成されたコンデンサ C 1から C 1 0、インダクタ L 1 , L 4から L 6が設けられる。積層体の第 2 の S AW素子 3 3側の領域に回路ゃフィルタの第 2の周波数帯に対応する部分、すなわち実装部品のダイオード D 3， D 4、チップィンダクタ L 1 0 , L 1 1、第 2の送信端子 3 6、第 2の受信端子 3 7および電極パターンで形成されたコンデンサ C 1 1から C 2 0、インダクタ L 7から L 9、 L 1 2、 L I 3が設けられる。これにより、 2つの周波数帯の回路間の相互干渉を防ぐことができる。さらに送受信端子間の結合を低減できるため、各端子間のアイソレーションが向上する。

図 8では、 S A Wフィルタ 3 9が積層体 46上の中央に配置される。第 1の S AW素子 40と第 2の S AW素子 4 1が積層体 46の長手方向に対して垂直方向に並べて配置される。第 1の SAW素子側に第 1の周波数帯の送信端子 4 2と受信端子 4 3が離されて形成される。第 2の S AW素子側では、第 2の周波数帯の送信端子 4 4と受信端子 4 5が離されて形成される。送信端子と受信端子は、間に他の端子等の導体を挟んで形成されてもよい。また送信端子と受信端子は、積層体の離れた端近傍に形成されてもよい。これにより送受信端子間の結合を低減でき、ァィソレーションが向上する。

図 8では、積層体の第 1の S AW素子 4 0側の領域に回路やフィルタの第 1の周波数帯に対応する部分、すなわち実装部品のダイォ一ド D 1 , D 2、チップインダクタ L 2 , L 3および電極パターンで形成されたコンデンサ C 1から C 1 0、インダクタ L 1， L 4から L 6が設けられる _c 積層体の第 2の S A W素子 4 1側の領域に回路やフィル夕の第 2の周波数帯に対応する部分、すなわち実装部品のダイオード D 3， D 4、チップィンダク夕 L 1 0， L 1 1および電極パターンで形成されたコンデンサ C 1 1から C 2 0、インダクタ L 7から L 9， L 1 2 , L 1 3が設けられる。このような構成により、 2つの周波数帯の回路間の相互の干渉を防ぐことができ、アイソレーションが向上する。

図 9では、 S AWフィルタ 4 7が積層体 5 4上の片側の端に寄せて配置される。第 1の S AW素子 4 8と第 2の S A W素子 4 9を積層体 5 4 の長手方向に対して垂直な方向に並べて配置される。積層体の第 1の S AW素子 4 8側の領域に第 1の周波数帯の送信端子 5 0と受信端子 5 1 が互いに離れて形成される。積層体の第 2の弾性表面波素子 4 9側の領域では、第 2の周波数帯の送信端子 5 2と受信端子 5 3が互いに離れて形成される。送信端子と受信端子は、間に他の端子等の導体を挟んで形成されてもよい。また送信端子と受信端子は、積層体の離れた端近傍に形成されてもよい。これにより、送受信端子間の結合を低減でき、アイソレ一シヨンが向上する。

また、図 9では、積層体の第 1の SAW素子 48側の領域に回路ゃフィル夕の第 1の周波数帯に対応する部分、すなわち実装部品のダイォード D l , D 2、チップインダクタ L 2, L 3および電極パターンで形成されたコンデンサ C 1から C 1 0、インダクタ L I , L 4から L 6が設けられる。積層体の第 2の S AW素子 47側の領域に回路やフィル夕の第 2の周波数帯に対応する部分、すなわち実装部品のダイオード D 3， D 4、チップインダクタ L 1 0, L 1 1および電極パターンで形成されたコンデンサ C 1 1から C 2 0、インダクタ L 7から L 9 , L 1 2 , L 1 3が設けられる。このような構成により、 2つの周波数帯の回路間の相互干渉を防ぐことができ、アイソレーションが向上する。

図 1 0に本実施の形態における高周波複合スィツチモジュールの積層体内部構造の一部を示す。積層体は誘電体層 5 5a〜5 5 hよりなる。

コンデンサ C 4はコンデンサ電極 5 6， 5 7間の容量によって形成される。図 2の等価回路でグランドに近いコンデンサの端子 C 4 aはコンデンサ電極 5 6よりもグランド電極 6 0に近いコンデンサ電極 5 7で形成される。この構造により、コンデンサ電極 5 6とグランド電極 6 0の間に寄生容量が発生することを防ぎ、高性能な高周波複合スィツチモジユールが得られる。

グランド電極 6 0に近いコンデンサ電極 5 7は、電極 5 6よりも面積がー回り大きく形成される。これによりコンデンサ電極 5 6とグランド電極 6 0の間に寄生容量が発生することを防ぐとともに、製造工程における印刷ずれや積層ずれに対しても安定した容量を有するコンデンサが形成される。

積層体内で隣接するスパイラル電極 5 8および 5 9は、それぞれ図 2 の等価回路のィンダクタ L 5および L 1を形成する。本実施の形態では- これら隣接するスパイラルィンダク夕は信号通過経路を考慮して同じ巻き方向で形成されている。これによりスパイラル形状の電極パターン間の結合による影響を少なくできる。

また積層体内において送信に関連する電極パターンを受信に関連する電極パターンよりもグランド電極から遠い誘電体層上に形成しても良い _c これにより、送受信回路間の結合を低減できるとともにそれぞれの配線を短くでき、高性能な高周波複合スィツチモジュールが得られる。産業上の利用可能性

本発明によれば、携帯電話などの移動体通信機器に用いる、分波 ·合波回路、スィッチ回路、低域通過フィルタ、さらには複数の通過帯域に対応する弾性表面波フィルタを複合化して、小型で高性能な高周波複合スィツチモジュールを得ることができる。

Claims

請求の範囲

1 . 複数の周波数帯域の信号を切り替える高周波複合スィツチモジュ一ルであって、

分波 ·合波回路と、

スィッチ回路と、

低域通過フィル夕と、

前記分波 ·合波回路とスィツチ回路と低域通過フィルタのそれぞれの少なくとも一部を形成する電極パターンと、

前記電極パターンが少なくともその 1つの上に形成される複数の誘電体層からなる積層体と、

前記複数の周波数帯域に対応し、グランド端子を有する、前記積層体上に実装された弾性表面波フィルタと、

前記スィツチ回路の一部を形成する、前記積層体上に実装されたダイォードと、

前記積層体内に形成されたグランド電極と、

前記弾性表面波フィルタの前記グランド端子とを直接接続するビァと

を備えた高周波複合スィツチモジュール。

2 . 前記グランド電極は、前記複数の誘電体層のうちの、前記積層体の前記弹性表面波フィル夕が実装された面から最も遠い誘電体層上またはその近傍の誘電体層上に形成された、請求項 1記載の高周波複合スィッチモジュ一 Jレ。

3 . 前記弹性表面波フィル夕の前記グランド端子と前記グランド電極は複数のビアで直接接続された、請求項 1記載の高周波複合スィツチモジユール。

4 . 前記複数の周波数帯は第 1と第 2の周波数帯を含み、

前記分波 ·合波回路と前記スィツチ回路と低域通過フィル夕の少なくとも 1つは前記第 1と第 2の周波数帯にそれぞれ対応する第 1と第 2の部分を含み、

前記弾性表面波フィルタは、前記積層体上の略中央に並べて配置された前記第 1の周波数帯に対応する第 1の弾性表面波素子と前記第 2 の周波数帯に対応する第 2の弾性表面波素子とを備え、

前記積層体の前記第 1の弾性表面波素子の側の第 1の領域に前記第 1の部分が設けられ、

前記積層体の前記第 2の弾性表面波素子の側の第 2の領域に前記第 2の部分が設けられた、

請求項 1記載の高周波複合スィツチモジュール。

5 . 前記第 1の周波数帯に対応する、前記第 1の領域に設けられた第 1の送信端子と、

前記第 1の周波数帯に対応する、前記第 1の領域で前記第 1の送信端子と反対の側に設けられた第 1の受信端子と、

前記第 2の周波数帯に対応する、第 2の領域に設けられた第 2の送信端子と、 '

前記第 2の周波数帯に対応する、前記第 2の領域で前記第 2の送信端子と反対の側に設けられた第 2の受信端子と

をさらに備えた、請求項 4記載の高周波複合スィッチモジュール。

6 . 前記積層体上に設けられた第 1の送信端子と第 1の受信端子と第 2の送信端子と第 2の受信端子とをさらに備え、

前記複数の周波数帯は第 1と第 2の周波数帯を含み、

第 1の送信端子と第 1の受信端子とは前記第 1の周波数帯に対応し、

第 2の送信端子と第 2の受信端子とは前記第 1の周波数帯に対応し、

前記積層体の前記第 1の弹性表面波素子の側の第 1の領域に前記第 1の送信端子と前記第 1の受信端子が設けられ、

前記積層体の前記第 2の弾性表面波素子の側の第 2の領域に前記第 2の送信端子と前記第 2の受信端子が設けられた、

請求項 1記載の高周波複合スィツチモジュール。

7 . 前記第 1の送信端子と前記第 1の受信端子との間の前記積層体上に設けられた第 1の導体と、

前記第 2の送信端子と前記第 2の受信端子との間の前記積層体上に設けられた第 2の導体と、

をさらに備えた、請求項 6記載の高周波複合スィッチモジュール。

8 . 前記第 1の送信端子と前記第 1の受信端子は前記第 1と第 2の弾性表面波素子が並べられた方向で対向する前記積層体の 2つの端の近傍にそれぞれ設けられ、

前記第 2の送信端子と前記第 2の受信端子は前記第 1と第 2の弹性表面波素子が並べられた方向で対向する前記積層体の 2つの端の近傍にそれぞれ設けられた、請求項 6記載の高周波複合スィツチモジュール _t

9 . 前記分波 ·合波回路と前記スィッチ回路と前記低域通過フィルタの少なくとも 1つは、前記第 1と第 2の周波数帯にそれぞれ対応する、前記第 1の領域に設けられた第 1の部分と前記第 2の領域に設けられた第 2の部分を含む、請求項 6記載の高周波複合スィツチモジュール。

1 0 . 前記積層体上に設けられた第 1の送信端子と第 1の受信端子と第

2の送信端子と第 2の受信端子とをさらに備え、

前記複数の周波数帯は第 1と第 2の周波数帯を含み、

第 2の送信端子と第 2の受信端子とは前記第 1の周波数帯に対応し、 '

前記弾性表面波フィルタは、前記積層体上の中央部より端に前記端と略平行に並べて配置された前記第 1の周波数帯に対応する第 1の弹性表面波素子と前記第 2の周波数帯に対応する第 2の弾性表面波素子とを備え、

前記積層体の前記第 1の弾性表面波素子の側の第 1の領域に前記第 1の送信端子と前記第 1の受信端子とが設けられ、

前記積層体の前記第 2の弾性表面波素子の側の第 2の領域に前記第 2の送信端子と前記第 2の受信端子とが設けられた、請求項 1記載の高周波複合スィツチモジュール。

1 1 . 前記第 1の送信端子と前記第 1の受信端子との間の前記積層体上に設けられた第 1の導体と、 · 前記第 2の送信端子と前記第 2の受信端子との間の前記積層体上に設けられた第 2の導体と、

をさらに備えた、請求項 1 0記載の高周波複合スィッチモジュール。

1 2 . 前記第 1の送信端子と前記第 1の受信端子は前記第 1と第 2の弾性表面波素子が並べられた方向で対向する前記積層体の 2つの端の近傍にそれぞれ設けられ、

前記第 2の送信端子と前記第 2の受信端子は前記第 1と第 2の弾性表面波素子が並べられた方向で対向する前記積層体の 2つの端の近傍にそれぞれ設けられた、請求項 1 0記載の高周波複合スィッチモジュ一ル。

1 3 . 前記分波 ·合波回路と前記スィッチ回路と前記低域通過フィルタの少なくとも 1つは、前記第 1の領域に設けられた前記第 1の周波数帯に対応する第 1の部分と、前記第 2の領域に設けられた前記第 2の周波数帯に対応する第 2の部分とを備えた、請求項 1 0記載の高周波複合スィツナモンユール。

1 4 . 前記分波 ·合波回路と前記スィツチ回路と前記低域通過フィルタとの少なくとも 1つは、前記複数の誘電体層のうちの第 1の誘電体上に形成された第 1のコンデンサ電極と、前記複数の誘電体層のうちの前記第 1の誘電体層より前記グランド層に近い第 2の誘電体上に形成された第 2のコンデンサ電極とを有するコンデンサを備えた、請求項 1記載の高周波複合スィツチモジュール。

1 5 . 前記第 1のコンデンサ電極は前記第 2のコンデンサ電極と大きさが異なる、請求項 1記載の高周波複合スィツチモジュール。

1 6 . 前記第 2のコンデンサ電極は前記第 1のコンデンサ電極より大きい、請求項 1 5記載の高周波複合スィッチモジュール。

1 7 . 前記電極パターンはそれぞれが同じ方向に巻く互いに隣接するスパイラル形状の電極パターンを備えた、請求項 1記載の高周波複合スィツチモシユール。

1 8 . 前記電極パターンは、前記分波，合波回路と前記スィッチ回路と前記低域通過フィルタの受信に関連する回路を形成する第 1の電極パタ —ンと、前記分波 ·合波回路と前記スィツチ回路と前記低域通過フィル夕の送信に関連する回路を形成する第 2の電極パターンとを備え、

前記第 1の電極パターンは、前記複数の誘電体層のうちの第 1の誘電体層上に形成され、

前記第 2の電極パターンは前記グランド電極に対して前記第 1の誘電体層よりも遠い、前記複数の誘電体層のうちの 2の誘電体層上に形成された、請求項 1記載の高周波複合スィツチモジュール。