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WO2000067283A1 - Ecran a plasma - Google Patents

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WO2000067283A1
WO2000067283A1 PCT/JP2000/002715 JP0002715W WO0067283A1 WO 2000067283 A1 WO2000067283 A1 WO 2000067283A1 JP 0002715 W JP0002715 W JP 0002715W WO 0067283 A1 WO0067283 A1 WO 0067283A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
dielectric layer
plate
display panel
plasma display
glass
Prior art date
Application number
PCT/JP2000/002715
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masaki Aoki
Katuyoshi Yamashita
Mitsuhiro Ohtani
Junichi Hibino
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. filed Critical Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority to DE60045786T priority Critical patent/DE60045786D1/de
Priority to US09/720,609 priority patent/US6897610B1/en
Priority to EP00922870A priority patent/EP1093147B1/en
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    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers

Definitions

  • the present invention relates to a plasma display panel used for a display device or the like, and particularly to a dielectric layer.
  • PDPs are a type of gas discharge panel, in which two thin glass plates are opposed to each other via a rib, and a pair of display electrodes (generally good) are placed on one glass plate between the partitions.
  • a dielectric layer and a phosphor layer are formed in this order, and a discharge gas is sealed between the two glass plates and hermetically bonded.
  • discharges in a discharge gas to emit fluorescent light Therefore, it is excellent in that the depth size and weight are not easily increased even when the screen is enlarged, as in the case of the CRT, and that the viewing angle is limited as in the case of the CD.
  • the dielectric layer is generally made of low melting point glass. In this case, properties such as having a sufficient withstand voltage, high transparency, and a firing temperature as low as possible (specifically, firing at 600 ° C or less) are desired.
  • PD II is expected to further reduce power consumption during its operation in today's world, where electrical products with low power consumption are desired.
  • One of the methods for realizing power saving is to reduce the dielectric constant of the dielectric layer.
  • the dielectric constant of the dielectric layer £ is than proportional to the charge amount accumulated in the dielectric layer, a dielectric layer with low dielectric constant £ than the composition such as P b 0 system or B i 2 ⁇ 3 system By doing so, the amount of charge stored in the dielectric layer can be further reduced, and the power consumption of the PDP can be reduced.
  • the amount of discharge current of the pixel cell with respect to a constant voltage applied to a plurality of pairs of display electrodes can be reduced to less than the conventional level (about 1/2 or less).
  • the power consumption of the PDP can be reduced.
  • the dielectric layer can be formed without using the PbO-based glass in the method disclosed in this publication, an effect of avoiding problems such as environmental pollution caused by Pb can be obtained.
  • each glass such as, the display electrode Ag or Cu components are mixed in the dielectric layer and are likely to be precipitated as colloid particles (see latest plasma display manufacturing technology, 1997, pp. 234).
  • colloid particles have a property of reflecting visible light of a specific wavelength.
  • the dielectric layer is colored yellow (that is, yellowish), and the emission generated in the discharge space is undesirably colored, and the amount of light that should be obtained is reduced. It can be the cause.
  • the dielectric layer (with a thickness of 20 to 50 m) may have a problem that the withstand voltage drops to about lkV.
  • the present invention has been made in view of the above three problems, and its purpose is to relatively easily produce a dielectric layer, to suppress an increase in power consumption even when a large screen and high definition are used, The aim is to provide a PDP that can be driven with better luminous efficiency and display performance. Disclosure of the invention
  • a discharge gas is sealed between a first plate and a second plate provided to face each other, and a first plate facing the second plate is provided.
  • a plurality of pairs of display electrodes made of Ag or Cu are formed on the surface, and a plasma having a configuration in which a dielectric layer is coated on the surface of the first plate so as to cover the plurality of pairs of display electrodes.
  • the dielectric layer is made of glass having a composition containing at least ZnO and 10 wt% or less of R 2 ⁇ and not containing Pb ⁇ and Bi 2 O 3.
  • Plasma display panel characterized in that the product of permittivity £ and its loss coefficient tan (5 is less than 0.12, where R is Li, Na, K, Rb, Cs, Cu , Ag).
  • the present inventors can reduce the R 2 O component in the dielectric layer, suppress the precipitation of the colloid particles, and improve the transparency of the dielectric layer. It has been found that it is possible to obtain the effect of reducing power consumption more than before while securing the same. Further, the dielectric layer is capable of firing at a firing temperature of 600 or below. I found Therefore, according to the present invention, it is possible to drive a plasma display panel having excellent display performance with low power consumption and excellent luminous efficiency while reducing the manufacturing cost for firing a dielectric layer and the like. Becomes possible. Further, since Pb is not used in the above glass composition, the effect of avoiding problems such as environmental pollution caused by Pb can be obtained.
  • ⁇ ⁇ tand is equal to or less than 0.12
  • ⁇ ⁇ tand is a value necessary for obtaining good power saving performance of the present invention, and is a value clarified in an example described later.
  • the dielectric layer has a dielectric constant ⁇ of 7 or less, because the value of ⁇ ⁇ tan ⁇ can be effectively reduced.
  • ⁇ 2 ⁇ 5 is 10 to 25 wt%
  • ZnO is 20 to 35 wt%
  • B 2 O 3 is 30 to 40 wt%
  • SiO 2 is 5 to 12 wt%.
  • R 2 ⁇ and DO may be configured with 10w t% a by which ⁇ ⁇ - P 2 ⁇ 5 based glass contains as an upper limit, respectively.
  • D is selected from Mg, Ca, Ba, Sr, Co, Cr, and Ni.
  • the dielectric layer is, P 2 ⁇ 5 42 ⁇ 50w t%, Z n O is 35 ⁇ 50w t%, A 1 2 ⁇ 3 force s 7 ⁇ 14w t%, Na 2 ⁇ upper limit of 5w t% it may consist Z n O- P 2 O 5 based glass which are included as.
  • the dielectric layer is, Z N_ ⁇ is 20 ⁇ 44w t%, B 2 ⁇ 3 38 ⁇ 55w t%, S i 0 2 is included in 5 ⁇ 12w t%,
  • R 2 O and MO It may be made of Z ⁇ -based glass containing 10 wt% as the upper limit.
  • M is selected from Mg, Ca, Ba, Sr, Co, and Cr.
  • the dielectric layer is, Z n O is 20 ⁇ 43w t%, B 2 O 3 is 38 ⁇ 55w t%, S i 0 2 is 5 ⁇ 12w t%, A 1 2 0 3 is in 1-10% It may be composed of a ZnO-based glass containing R 2 O and M ⁇ each having an upper limit of 10 wt%. Further, the dielectric layer 2110 1 ⁇ ⁇ ⁇ %, B 2 0 3 is 20 ⁇ 40w t%, S i O 2 is 10 ⁇ 30w t%, A 1 2 0 3 is 5 ⁇ 25w t%, L i 2 O is. 3 to LOW t%, consists Z n O based glass MO has a composition of 2 ⁇ 15w t% May be.
  • the dielectric layer is, Z n 0 is 35 ⁇ 60w t%, B 2 O 3 is 25 ⁇ 45w t%, S i 0 2 is 1 ⁇ 10.5wt%, A 1 2 O 3 is l ⁇ 10w t% included in further Na 2 0 may be composed of Z n O-based glass that contains a 5w t% as the upper limit.
  • the dielectric layer is, Z n 0 is 35 ⁇ 60w t%, B 2 0 3 is 25 ⁇ 45w t%, S i 0 2 is! ⁇ 12w t%, A 1 2 0 3 is! It may be composed of a Zn ⁇ -based glass which is contained in the range of ⁇ 10% by weight and further contains K 20 in an upper limit of 5% by weight.
  • Nb 2 ⁇ 5 is 9 to 19 wt%
  • ZnO is 35 to 60 wt%
  • B 2 O 3 is 20 to 38 wt%
  • S i ⁇ 2 is 1 to 10.5 wt%
  • L i 2 ⁇ may be composed of Z n ON b 2 ⁇ 5 based glass that contains a 5w t% as the upper limit.
  • the specific glass composition of the dielectric layer is the following glass composition, it is not necessary to use the R 20 component. It has been revealed.
  • the dielectric layer has a composition in which P 2 ⁇ 5 is 20 to 30 wt%, Zn ⁇ is 30 to 40 wt%, B 2 O 3 is 30 to 45 wt%, and Si 0 2 is l to 10 wt%. And the product of its dielectric constant ⁇ and its loss coefficient ta ⁇ ⁇ 5 can be less than or equal to 0.12.
  • the dielectric layer is made of glass having a composition of ⁇ 0 of 30 to 45 wt%, B 2 O 3 of 40 to 60 wt%, and SiO 2 of 1 to 15 wt%.
  • the product of the loss factors ta ⁇ ⁇ may be a value of 0.12 or less.
  • the dielectric layer, Zeta Ita_ ⁇ is 30 ⁇ 45w t%, B 2 O 3 is 40 ⁇ 55w t%, S i O 2 is 1 ⁇ 10w t%, A 1 2 O 3 is! It can be made of glass with a composition of ⁇ 10wt% and CaO of l ⁇ 5wt%, and the product of its dielectric constant ⁇ and its loss factor ta ⁇ ⁇ 5 is a value of 0.12 or less.
  • the dielectric layer, Zeta Ita_ ⁇ is 40 ⁇ 60w t%, B 2 ⁇ 3 35 ⁇ 45w t%, S i 0 2 months 1 ⁇ 10w t%, A l 2 O 3 is l ⁇ 10w t% It can be made of glass having a composition, and the product of its dielectric constant ⁇ and its loss coefficient ta ⁇ ⁇ is a value of 0.12 or less.
  • ⁇ ⁇ is 30 to 60 wt%
  • B 2 O 3 is 30 to 50 wt%
  • SiO 2 is 1 to 10 wt%
  • Al 2 O 3 is l to 10 wt%.
  • the loss coefficient tan (the product of 5 may be a value of 0.12 or less.
  • Nb 2 O 5 is 9 to 20 wt%
  • ZnO is 35 to 60 wt%.
  • B 2 O 3 is 25 to 40 wt%
  • SiO 2 is l to 10 wt%
  • a discharge gas is sealed between the first plate and the second plate provided to face each other, and the surface of the first plate facing the second plate is provided.
  • a dielectric layer so as to cover the plurality of pairs of display electrodes.
  • S i 0 2, a l 2 ⁇ 3, Z n any Kano thin O or P b O and B i 2 0 3 of a composition comprising either, A first dielectric layer made of glass and formed so as to cover the plurality of pairs of display electrodes; and a glass having a composition in which the product of the dielectric constant £ and the loss coefficient ta ⁇ ⁇ is 0.12 or less.
  • a second dielectric layer coated on the first dielectric layer as the dielectric layer, S i 0 2, a l 2 ⁇ 3, Z n any Kano thin O or P b O and B i 2 0 3 of a composition comprising either, A first dielectric layer made of glass and formed so as to cover the plurality of pairs of display electrodes; and a glass having a composition in which the product of the dielectric constant £ and the loss coefficient ta ⁇ ⁇ is 0.12 or less.
  • the total thickness of the first dielectric layer and the second dielectric layer is set to 40 m or less, and the thickness of the first dielectric layer is set to be equal to or less than half of the total thickness of the first dielectric layer.
  • the total amount of Pb used can be reduced as compared with the conventional case, and an effect of avoiding problems such as environmental pollution caused by Pb can be obtained.
  • the value of 40 m indicates the maximum value of the thickness of a general dielectric layer.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a configuration of the PDP according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a configuration around a dielectric layer of a PDP according to a second embodiment.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing a configuration around a dielectric layer of a conventional PDP.
  • FIG. 1 is a partial cross-sectional perspective view showing a main configuration of an AC surface discharge type plasma display panel (hereinafter, simply referred to as “PDP”) according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the z direction corresponds to the thickness direction of the PDP
  • the xy plane corresponds to a plane parallel to the panel surface of the PDP.
  • the PDP is sized according to the 42-inch class VGA specification, but the present invention may of course be applied to other sizes.
  • the configuration of the present PDP is roughly divided into a front panel 20 and a back panel 26 arranged with their main surfaces facing each other.
  • the front panel glass 21, which is the substrate of the front panel 20, has transparent electrodes 220 and 230 with a thickness of 0.1 m and a width of 370 m on one side, and bass lines 221 and 231 with a thickness of 5 m and a width of 100 wm.
  • Display electrodes 22, 23 (X electrode 23, Y electrode 22) are arranged in parallel in the X direction with the y direction as the longitudinal direction, and the gap between each pair of display electrodes 22, 23 (about 80 m) To perform surface discharge.
  • the bus lines 22 and 231 are formed of Ag or Cr / Cu / Cr with excellent conductivity.
  • the plurality of pairs of display electrodes 22 and 23 may be composed of only bus lines made of Ag or Cu. In this case, it is desirable that the gap between the plurality of pairs of display electrodes is about 80 m.
  • a plurality of address electrodes 28 each having a thickness of 5 m and a width of 100 m are arranged at regular intervals in the y direction with the x direction as the longitudinal direction (about 150 mm).
  • a dielectric film 29 having a thickness of 30 ⁇ m is coated over the entire surface of the back panel glass 27 so as to include the address electrode 28.
  • a partition 30 having a height of about 150 m and a width of about 40 m is provided, and red (R) and green (G) are provided on the side surface of the adjacent partition 30 and the surface of the dielectric film 29 therebetween.
  • blue (B) phosphor layers 31 to 33 are formed. These RGB phosphor layers 31 to 33 are sequentially and repeatedly arranged in the X direction.
  • the front panel 20 and the back panel 26 having such a configuration are arranged such that a plurality of address electrodes 28 and a plurality of pairs of display electrodes 22 and 23 face each other so that the longitudinal directions thereof are orthogonal to each other.
  • the outer peripheral edges are bonded and sealed.
  • a discharge gas (sealing gas) consisting of a rare gas component such as He, Xe, or Ne is sealed between the panels 20 and 26 at a predetermined pressure (generally, about 500 to 760 Torr). I have.
  • a discharge space 38 is formed between two adjacent partition walls 30, and a region where a pair of adjacent display electrodes 22, 23 and one address electrode 28 intersect with the discharge space 38 interposed therebetween is a cell for image display (not shown). It corresponds to.
  • the cell pitch in the X direction is about 1080 ⁇ m, and the cell pitch in the y direction is about 360 ⁇ m.
  • a panel driving unit (not shown) drives one of the address electrode 28 and the display electrodes 22 and 23 (this is referred to as the X electrode 23 in the first embodiment.
  • a pulse is applied to the electrode 23, which is referred to as a scan electrode, and the Y electrode 22 is referred to as a sustain electrode.
  • a short-wavelength ultraviolet ray (resonance line having a center wavelength of about 147 nm) is generated by applying a pulse to and discharging the phosphor layer, and the phosphor layers 31 to 33 emit light to display an image.
  • the main feature of the present PDP lies in the composition of the dielectric layer 24. That the composition of the upper Symbol dielectric layer 24, P b O and B i 2 0 3 the Z nO- P 2 0 5 based glass (or later free, "Z n O- P 2 O 5 based glass of the present invention ").
  • the composition of Z n 0- P 2 O 5 based glass of the present invention as an example, P 2 O 5 is 10w t%, Z n O is 20w t%, B 2 O 3 is 40 w t%, S i ⁇ 2 12w t%, B A_ ⁇ is 3w t%, Na 2 0 is the ratio of the LOW t%.
  • the Z nO- P 2 0 5 based glass of the present invention the ratio base to P b O based glass or B i 2 O 3 based glass was used in the dielectric layer than traditional, dielectric constant ⁇ is relatively low (Specifically, the permittivity ⁇ of Pb ⁇ -based or ⁇ -based glass is about 10 to 12, while the permittivity £ is about 7 or less.) Also, the product of the dielectric constant and the loss coefficient, t ⁇ tand, is conventionally 0.14 to 0.7, whereas the value of £ ⁇ tan ⁇ 5 of the dielectric layer 24 of the first embodiment is about 0.103 or less. The value has been greatly reduced.
  • FIG. 3 is a partial cross-sectional view of a PDP specifically showing a configuration around a conventional dielectric layer.
  • ions of the Ag and Cu components that constitute the bus line are mixed as colloid particles in the dielectric layer, and these colloid particles become visible light.
  • the dielectric layer was colored yellow (that is, yellowed) due to the reflection of light (see the latest plasma display panel, 1997, pp. 234).
  • the problem of yellowing due to such colloid particles is due to the fact that R 2 O (R is selected from among Li, Na, K :, Rb, Cs, Cu, and Ag) contained in the glass component.
  • the R 20 component (here, Na 20 ) force for enhancing the generation of the colloid particles is 10 wt%. Since the colloid particles are less likely to be generated, even if Ag or Cu is used as a material for the bus line, the transparency of the dielectric layer 24 is improved as compared with the conventional case. As a result, problems such as loss of color or loss of the amount of light emitted from the fluorescent light generated in the discharge space 38 can be avoided, and the present PDP exhibits excellent display performance.
  • the pair of display electrodes 22 and 23 Discharge occurs at 23 gaps.
  • the PDP according to the first embodiment can be obtained by combining good display performance with excellent power saving properties, and a significant improvement in luminous efficiency can be expected as compared with the related art. Things. 3.
  • the area of the pair of display electrodes 22 and 23 is S
  • the capacitance between the pair of display electrodes 22 and 23 discharge When the capacitance of the dielectric layer existing in the path including the space 38) is C
  • the thickness of the dielectric layer 24 is d
  • the dielectric constant of the dielectric layer 24 is ⁇
  • Equation 2 if f and V 2 are constant, the capacitance C is small. The smaller the power consumption W, the lower the power consumption. Since the capacitance C is proportional to the dielectric constant £, the power consumption W decreases as the value of the dielectric constant ⁇ decreases (for details, see the Institute of Electrical Engineers of Japan, Vol. 118, No. 15, 1998, pp. 537-542. Thing).
  • Equation 3 w ⁇ f ( ⁇ ⁇ ta ⁇ ⁇ ) V 2 Since power loss w is generally proportional to power consumption W, at least one of the permittivity ⁇ or tan 3 can be calculated by this equation (3). It can be seen that the power consumption W also decreases as the size decreases (for details, see IEEJ Transactions A, Vol. 118, No. 15, 1998, pp. 537-542).
  • the effect of the PDP of the first embodiment can be explained by this theory.
  • You The composition of ie dielectric layer does not contain the components of Z n O- P 2 O 5 based glass (P B_ ⁇ and B i 2 O 3 of the present invention, P 2 O 5, Z nO , B 2 0 3 , S i O 2, B a O, by the composition) containing the respective components, such as Na 2 0, is lower than conventionally together the value of the product £ ⁇ tan 5 of dielectric constant and loss factor (specifically The power consumption w of the PDP is reduced by reducing the power loss w.
  • the dielectric layer 24 of the first embodiment in addition to P b 0 and B i 2 ⁇ 3 Do include 'have Z nO glass (hereinafter referred to as "Z N_ ⁇ glass of the present invention" It is clarified in an embodiment described later that the configuration may be made as follows.
  • the composition of Z N_ ⁇ based glass of the present invention in this case, Z n O is 40 w t%
  • S i 0 2 is 5w t%
  • a 1 2 ⁇ 3 5w t% it can be C s 2 O is to each ratio of 5w t%.
  • N b O and B i 2 ⁇ 3 does not contain a N b 2 ⁇ 5 - be constituted by - Z n 0 based glass (hereinafter referred to as the "Z nO glass N b 2 ⁇ 5" of the present invention) Can also.
  • the composition of the Nb 2 O 5 -Z n O-based glass of the present invention in this case, N b 2 O 5 is 19w t%
  • Z N_ ⁇ is 44w t%
  • B 2 0 3 is 30 w t%
  • S i 0 2 can be 7wt%.
  • the configuration of the second embodiment is substantially the same as that of the first embodiment except for the dielectric layer.
  • FIG. 2 is a partial cross-sectional view of a PDP specifically showing a configuration around the dielectric layer 24 according to the second embodiment.
  • the dielectric layer 24 of the second embodiment has a two-layer structure in which the first dielectric layer 241 and the second dielectric layer 242 are laminated.
  • the first dielectric layer 241, P b 0 based glass thick 5 m (P b 0 is 65 w t% as an example here, B 2 0 3 is 10w t%, S i O 2 is 24w t%, C a O is lw t%, a 1 2 O 3 consists included) with 2w t%, it is formed on the main surface of the front panel glass 21 so as to cover the display electrodes 22, 23.
  • the second dielectric layer 242 has a thickness of 25 m Z n O- P 2 O 5 based glass (here as an example Z N_ ⁇ is 30w t%, P 2 0 5 is 20w t%, B 2 O 3 40w t%, S i 0 2 is 10w t%).
  • the dielectric constant ⁇ of the second dielectric layer 242 is about 6.3.
  • the Pb-based glass used for the first dielectric layer 241 has a dielectric constant of about the same value as the conventional one (for example, 11.0), but the Ag derived from the bus lines 221 and 231 does not It has the property of reducing the generation of Cu colloid particles.
  • the first dielectric layer 241 made of PbO-based glass can be used as the display electrode 22
  • the second dielectric layer 242 having a relatively low dielectric constant ⁇ has a function of reducing the power consumption of the PDP while covering 23 to suppress the generation of coide particles.
  • the total dielectric constant ⁇ of the dielectric layer 24 is set low by further reducing the thickness of the first dielectric layer 241 to 5 wm.
  • a device for reducing the amount of charge stored in the body layer 24 is also being devised. Further, by reducing the thickness of the first dielectric layer 241 in this manner, the amount of Pb used can be suppressed to a small extent, and it is possible to cope with Pb-related problems such as environmental pollution.
  • the thickness of a general dielectric layer is at most 40 m, in order to obtain the effect of the dielectric layer 24 of the present invention (for example, the above-described effect of reducing the amount of Pb) satisfactorily, 40 m is required. It is necessary to have the following thickness. In this case, by setting the thickness of the first dielectric layer 241 to be equal to or less than half the total thickness of the dielectric layer 24, the amount of Pb can be effectively reduced.
  • the display electrodes in the first dielectric glass 241 are displayed. Discharge occurs in the gap between 22 and 23. Then, the plasma of the discharge gas expands into the discharge space 38 via the second dielectric layer 242, and the discharge shifts to the sustain discharge, so that the emission luminance gradually improves.
  • the dielectric constant ⁇ of the second dielectric layer 242 is lower than the conventional one, the amount of charge stored in the dielectric layer required for discharge is reduced as in the first embodiment.
  • this PD II is driven with good power saving.
  • the first dielectric layer 241 made of PbO-based glass covers the bus lines 221 and 231, the generation of the colloid particles composed of Ag and Cu components of the bus lines 221 and 231.
  • the yellowing of the dielectric layer 24 is suppressed, and the transparency is increased. Therefore, the fluorescent light generated in the discharge space 38 is favorably provided for the light emission display of the PDP without deteriorating the color.
  • the first dielectric layer 241, the P b O system in addition to may be used B i 2 0 3 based glass of the glass, S i O 2, A l 2 O 3, a thin film such as Z N_ ⁇ It may be formed as an oxide layer. These thin film oxide layers can be formed by sputtering.
  • the Z n 0 - in addition to P 2 ⁇ 5 based glass may be used Z n O-based glass.
  • the dielectric layer in a two-layer structure is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-50769, in which the first dielectric layer is made of ZnO-based glass, Each of the layers is made of Pb0-based glass (that is, a dielectric layer having a laminated structure opposite to that of the second embodiment), which is clearly different from the structure of the present invention. Further, in this configuration, colloid particles derived from the bath line are more likely to be generated in the first dielectric layer than in the present invention, and yellowing may occur.
  • a front panel glass 21 made of soda lime glass with a thickness of about 2.6 mm was fabricated by the float method, in which a glass material was floated on a molten Sn (tin) float at about 360 ° C and formed.
  • the display electrodes 22 and 23 are formed on the top.
  • the transparent electrodes 220 and 230 are formed by the following photoetching method.
  • a photoresist (approximately 0.5 m thick) is applied over the entire surface of the front panel glass 21 (example For example, an ultraviolet curable resin) is applied.
  • a photomask having a pattern of the transparent electrodes 220 and 230 is overlaid thereon and irradiated with ultraviolet rays, and is immersed in a developing solution to wash out uncured resin.
  • ITO or the like as a material of the transparent electrodes 220 and 230 is applied to the gap of the registry of the front panel glass 21. Thereafter, the resist is removed with a cleaning solution or the like, and the transparent electrodes 220 and 230 are completed.
  • bus lines 221 and 231 having a thickness of about 7 m and a width of 50 m are formed on the transparent electrodes 220 and 230 using a metal material containing Ag or Cr / Cu / Cr as a main component.
  • a metal material containing Ag or Cr / Cu / Cr as a main component.
  • Ag is used, a screen printing method can be applied, and when Cr / Cu / Cr is used, a vapor deposition method or a sputtering method can be applied.
  • the display electrodes 22 and 23 are formed.
  • dielectric layer of the first embodiment - a method for manufacturing (P 2 ⁇ 5 using Z N_ ⁇ glass) will be described.
  • P 2 O 5 - Z n O -based glass powder e.g., P 2 ⁇ 5 10 ⁇ 25w t%, Z N_rei_20 ⁇ 35 wt%, B 2 O 3 30 ⁇ 55w t%, S i 0 2 5 ⁇ 12w t%, and B a O and N a 2 ⁇ a and composition
  • P 2 O 5 - Z n O -based glass powder e.g., P 2 ⁇ 5 10 ⁇ 25w t%, Z N_rei_20 ⁇ 35 wt%, B 2 O 3 30 ⁇ 55w t%, S i 0 2 5 ⁇ 12w t%, and B a O and N a 2 ⁇ a and composition
  • 10 wt% as an upper limit
  • 0.2 wt% of Homogenol organic binder solution disersant and 2.5 wt% dibutyl phthalate plasticizer
  • An organic solvent containing 10 wt% of ethyl cellulose is mixed at a
  • This glass paste is coated over the display electrodes 22 and 23 over the entire surface of the front panel glass 21 by a printing method. Then, firing is performed at 600 ° C. or lower (specifically, at 520 ° C. for 10 minutes) to form the dielectric layer 24 having a thickness of 30 m.
  • the inventors have P 2 0 5 of the present invention - by determine the composition of Z n O-based glass, intends rows fired at a relatively low temperature in the glass material of 600 ° C or less And found that the manufacturing process could be simplified.
  • the dispersant can be selected from homogenol, sorbycin sesquiolate, and polyoxyethylene monolate.
  • the composition of the dielectric layer contains lOwt% or more of R 2 ⁇ components (R is selected from among Li, Na, K, Rb, Cs, Cu, and Ag).
  • the reduction reaction is suppressed by reducing the proportion of the R 2 ⁇ component (in this case, Na 2 O) in the composition of the dielectric layer 24 to lOwt% or less, and the generation of colloid particles Therefore, the dielectric layer 24 having good transparency is formed.
  • the proportion of the R 2 ⁇ component in this case, Na 2 O
  • dielectric layer embodiment 2 P b 0 based glass in the first dielectric layer, P 2 ⁇ 5 to the second dielectric layer - each use Z N_ ⁇ based glass) A manufacturing method will be described.
  • P b 0 is 65 w t% as an example in the P bO glass powder (wherein, B 2 0 3 is 10w t%, S i O 2 is 24w t%, C a O is lw t%, A 1 2 ⁇ 3 at 2 wt%) and an organic binder solution (an organic solvent containing 0.2 wt% of dispersant homogenol, 2.5 wt% of plasticizer dibutyl phthalate, and 10 wt% of ethyl cellulose). 45wt% mixed) in a 55:45 weight ratio to make a glass paste.
  • This glass paste is coated over the entire surface of the front panel glass 21 from above the display electrodes 22 and 23 by a printing method. Then, firing is performed (specifically, at 560 ° C. for 10 minutes) to form a first dielectric layer 241 having a thickness of 5 m.
  • the first dielectric layer 241 may be formed by sputtering an oxide thin film such as S i O 2, A 1 2 0 3, Z n O.
  • the glass material of the first dielectric layer 241 of course, care should be taken to use a glass material higher than the melting point of the second dielectric layer 242 formed later.
  • P 2 0 5 - Z ⁇ system Z n O is 30 w t% as an example in the glass powder (here, P 2 0 5 is 20 w t%, B 2 0 3 is 40wt%, S i 0 2 is a Included) at 10 ⁇ ⁇ %, an organic binder solution (2.5 wt% dibutyl phthalate of 0.2 wt% and a plasticizer Homogenol dispersant, an organic solvent containing further 10w t% the E chill cellulose Is mixed at a weight ratio of 55:45 to make a glass paste.
  • P 2 0 5 is 20 w t%
  • B 2 0 3 is 40wt%
  • S i 0 2 is a Included
  • an organic binder solution 2.5 wt% dibutyl phthalate of 0.2 wt% and a plasticizer Homogenol dispersant
  • This glass paste is coated on the entire surface of the front panel glass 21 from above the display electrodes 22 and 23 by a printing method. Then, baking is performed (specifically, at 530 ° C. for 10 minutes) to form a second dielectric layer 242 having a thickness of 25 m.
  • a dielectric layer 24 having a two-layer structure is formed.
  • a protective layer 25 made of magnesium oxide (Mg0) is formed on the surface to a thickness of about 0.9 ⁇ m.
  • the front panel 20 is manufactured.
  • a conductor material mainly composed of Ag is applied in a striped manner at regular intervals on the surface of a back panel glass 27 made of soda lime glass having a thickness of about 2.6 mm produced by the float method by screen printing. Then, a plurality of address electrodes 28 having a thickness of about 5 m are formed.
  • the same glass paste as that of the dielectric layer 24 is applied with a thickness of about 20 m and baked over the entire surface of the back panel glass 27 on which the plurality of address electrodes 28 are formed.
  • the plurality of partition walls 30 can be formed, for example, by repeatedly screen-printing a glass paste containing the above-mentioned glass material and then firing.
  • red (R) phosphor, green (G) phosphor, and blue (B) are formed on the wall surface of the partition 30 and the surface of the dielectric film 29 exposed between two adjacent partitions 30.
  • a fluorescent ink containing any of the phosphors is applied, and dried and fired to form phosphor layers 31 to 33, respectively.
  • Red phosphor (YxG d, — x ) BO 3 : E u 3+ Green phosphor: Z n 2 S i ⁇ 4: Mn
  • Blue phosphor B a Mg A 1 10 O 17: E u 3+ ( or B a M g A 1 14 0 23: E u 3+) each phosphor material, for example, an average particle size of about 3 m of about powder Can be used.
  • There are several methods for applying the phosphor ink Here, a method of scanning the phosphor ink and discharging it from a nozzle is used. This method is advantageous for uniformly applying the phosphor ink to a target area.
  • the method for applying the phosphor ink of the present invention is not limited to this method, and other methods such as a screen printing method can be used.
  • front panel glass 21 and the back panel glass 27 are made of soda-lime glass
  • this is an example of a material, and other materials may be used as a matter of course.
  • the produced front panel 20 and back panel 26 are bonded together using sealing glass. Thereafter, high vacuum (8x10- 7 To rr) the interior of the discharge space 38 is evacuated to a degree, to which a predetermined pressure (500 ⁇ 760T orr) in N e- X e system and H e- N e- X e system A discharge gas such as a He-Ne-Xe-Ar system is filled.
  • the PDP of the example was manufactured according to the above-described manufacturing method.
  • PDP Multiple burrs Eshiyo down only the composition of the dielectric layer is different from (Z nO glass, P 2 O 5 based glass also properly Z nO- P 2 ⁇ 5 based glass) total 60 kinds of examples (N ol ⁇ 60).
  • Examples corresponding to the PDP of Embodiment 1 are Nos. 1 to 54
  • PDPs of Embodiment 2 No. Examples corresponding to a PDP having a dielectric layer having a layer structure) were N 0.55 to 60.
  • N 0, 4, 20, 29, 43, 47, and 51 were prepared as examples not containing the R 2 ⁇ component.
  • the conventional glass composition (B i 2 ⁇ 3 based glass or P b 0 based glass as a comparative example
  • Z n O-based glass the P 2 O 5 based glass if Ku is Z eta theta-P 2 O 5 based glass, each R 2 O - more than 10 wt% (N a 2 ⁇ Examples)
  • a total of three types of PDPs (No. 65 to 67) of a comparative example having a dielectric layer made of the additive were prepared.
  • the total thickness of these dielectric layers of PDP of No. l to 75 was unified to 30 respectively. All the dielectric layers were formed by a printing method except when the first dielectric layer of PDP of No. 58 to 60 was produced by a sputtering method.
  • the coloration state of the dielectric layer was measured.
  • loss coefficient (tand) loss coefficient
  • DC withstand voltage
  • ⁇ -ta ⁇ product value dielectric constant ⁇
  • PD ⁇ panel Brightness (cd / m 2 ) PDP power consumption (W), etc. were measured.
  • the specific measurement methods are as follows. Note that the color state of the dielectric layer was visually checked with the PDP set to a white balance display state.
  • the withstand voltage and loss factor of the dielectric layer of each PDP were measured using an LCR meter (4284A, manufactured by Hewlett-Packard Company) while applying an AC voltage (frequency: 10 kHz).
  • the specific measuring method at this time is as follows.
  • the five adjacent X electrodes on the front panel are connected to form a common electrode.
  • a rectangular Ag electrode having a size of 4 mm ⁇ 4 mm is fabricated on the dielectric layer, and applied to these electrodes to measure a capacitance C and a loss coefficient t a ⁇ ⁇ ⁇ therebetween.
  • the values of t an S are displayed directly on the LCR meter.
  • each example and comparative example No.! The same dielectric layers as those formed on PDPs of ⁇ 75 were formed on a glass substrate, and measurements were performed on these. Specifically, each dielectric layer fabricated on the glass substrate is sandwiched from above and below by two rectangular Ag electrodes having a size of 4 mm x 4 mm, and a DC voltage is applied between the two electrodes. It was measured.
  • Example N 0.1 to 60 and Comparative Example N 0.61 to 75 thus obtained are shown in the table.
  • composition of dielectric layer (% by weight) Force 'Las force' Last solvent included ',' Inter
  • ⁇ Nos. 72-75 are comparative examples
  • Nos. 61 to 67 are comparative examples
  • Nos. 68 to 71 are comparative examples
  • Nos. 72 to 75 are comparative examples
  • the ⁇ 2 ⁇ 5- ⁇ ⁇ ⁇ glass of Examples 0.1 to 8 is a variation group directly based on the glass composition of the dielectric layer described in the first embodiment.
  • the glass composition range is ⁇ ⁇ 20-44 wt%, B 2 O 3 38-55 wt%, Sio 2 5-12 wt%. It is desirable that R 20 and MO are each contained with an upper limit of 10 wt%.
  • R is selected from among Li, Na, K, Rb, Cs, Cu, and Ag
  • M is selected from Mg, Ca, Ba, Sr, Co, and Cr. Also selected from And Here, Co and Cr of M are not described in this table, but it has been confirmed by another experiment that they can be used as the MO.
  • N o .20 without the R 2 0 component based on the glass assembly configuration of the dielectric layers in Table 3, Z n O is 30 ⁇ 45w t%, B 2 ⁇ 3 40 ⁇ 60W t %, 5102 2 It is estimated that the same performance can be obtained by slightly changing the glass composition within the range of 1 to 15 wt%.
  • the glass composition range Zeta eta 0 is 20 ⁇ 43w t%, B 2 0 3 is 38 ⁇ 55w t%, S i O 2 is. 5 to 12w t%, a 1 2 0 3 is! It is desirable that the content of R 20 and M ⁇ be 10 wt% or less, respectively.
  • R is selected from among Li, Na, K, Rb, Cs, Cu, and Ag; M is Mg, Ca, Ba, Sr, Co, Cr Shall be selected from among.
  • the Co of M is not described in this table, but it has been confirmed by another experiment that it can be used as the above MO.
  • N 0.29 not containing the R 2 ⁇ component ZnO was 30 to 45 wt%
  • B 2 ⁇ 3 was 40 to 55 wt%
  • the glass composition of the dielectric layer in Table 4 was the standard.
  • the glass composition range Zeta eta 0 is l ⁇ 15w t%
  • B 2 0 3 is 20 ⁇ 40w t%
  • S i O 2 is 10 ⁇ 30w t%
  • a 1 2 O 3 is 5 ⁇ 25w t%
  • L i 2 0 is 3 ⁇ 10w t%
  • MO is. 2 to 15 w t% of desirable having composition.
  • M is selected from Mg, Ca, Ba, Sr, Co, and Cr.
  • Co and Cr of M are not described in this table, but it has been confirmed by another experiment that they can be used as the MO.
  • the glass composition range, Z n O is 35 ⁇ 60w t%
  • B 2 O 3 is 25 ⁇ 45w t%
  • S i O 2 is. 1 to 10.5 wt %
  • a 1 2 0 3 are included in l ⁇ 10w t%
  • further Na 2 O is having composition contains a 5w t% as the upper limit is desirable.
  • the ZnO force is 40 to 60 wt% and B 2 ⁇ 3 is based on the glass composition of the dielectric layer in Table 6.
  • S i O 2 is l ⁇ 10w t%
  • a 1 2 O 3 is ⁇ ⁇ 10w t% slightly varied in the range of the glass composition of the same performance even obtain You.
  • the glass composition range, Zeta eta Omicron is 35 ⁇ 60w t%
  • S i O 2 is. 1 to 12w t %
  • a 1 2 ⁇ 3 are included in l ⁇ 10w t%
  • K 2 ⁇ the composition of even desirably included a 5w t% as the upper limit.
  • the glass composition range is 9 to 19 wt% for Nb 2 O 5 , 35 to 60 wt% for ZnO, and 20 to 38 wt% for B 2 O 3. %, S i O 2 of l to 10.5 wt%, and L i 2 O of 5 wt% are desirable.
  • R 2 O for N o .51 containing no component (L i 2 O in this case), based on the glass composition of the dielectric layer in Table 8, N b 2 O 5 is 9 ⁇ 20w t%, 20_Rei is 35 ⁇ 60 wt%, B 2 O 3 is 25 ⁇ 40w t%, and that S i 0 2 is similar performance can be obtained even by young interference vary from l ⁇ 10w t% of the glass composition Guessed.
  • the value of the dielectric constant £ was 6.0 or less. Which is about half (6.0 units) compared to the dielectric constant ⁇ (11-12 units) of Comparative Examples No. 61-64 and 68-75 shown in Table 11 and Table 12. .
  • the dielectric constant ⁇ was 6.4 to 6.7, which is as low as the Example.However, the performance of these Comparative Examples ⁇ . It does not reach the performance of the example due to characteristics such as yellowing.
  • Examples ⁇ .55 to 60 corresponding to the configuration of the dielectric layer (dielectric layer having a two-layer structure) according to the second embodiment, the Pb0-based glass (No. 55-57) or spatter S i 0 2 based glass formed by-ring (N o .58), A 1 2 ⁇ 3 based glass (N o .59), Z N_ ⁇ glass (N o .60) the use, Z n O-based glass in the second dielectric layer (n 0, 55, 57 ⁇ 60), or P 2 0 5 - Z n O-based glass (n o .56) you are configured with.
  • the overall dielectric constant ⁇ is suppressed to 7 or less.
  • R 20 is set to the dielectric layer in the range of 0.140 to 0.750 in the comparative example.
  • Example No. 4, 20, 29, 43, 47, 51 which is not included in the composition of No.! In all cases, the maximum value is reduced to 0.12 or less. This indicates that the PDPs of the examples are excellent in power saving and can obtain good luminous efficiency.
  • the value of £ ⁇ ta ⁇ ⁇ was a value of 0.12 or less. It seems that one of the criteria can be selected.
  • the yellowing of the dielectric layer is mainly caused by the colloid particles of the Ag or Cu component of the bass line reflecting visible light.
  • the generation of metal particles is suppressed and the transparency is maintained. This was obtained as a result of imparting the above-mentioned function of suppressing the reduction reaction of Ag or Cu ions by keeping the R 20 component in the composition of the glass layer within 10 wt% or less. Things.
  • this composition of the dielectric layer of the present embodiment includes a Z nO, permittivity comprise R 2 ⁇ Among the upper limit of 10w t% £ 7 or less It would be desirable to choose one that takes the value of However, since there is one that exhibits the R 2 0 which does not contain any (e.g. N o .4, 20, etc.) even good dielectric constant values within the table noted embodiments necessarily R 2 ⁇ dielectric Inclusion in a stratum is not an absolute requirement.
  • Comparative Example N 0.67 is a PDP based on the one disclosed in JP-A-8-77930. These yellowing were observed to a greater extent than in the other comparative examples.
  • the discharge gas of the PDP is not limited to the NeXe-based discharge gas, and the same effects can be obtained with other discharge gases.
  • the above-described plasma display panel of the present invention is configured to have excellent power saving, it can be used for large-screen high-definition televisions and the like, which were conventionally considered to consume relatively large power. is there.

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Description

糸田 プラズマディスプレイパネル 技術分野
本発明は、 表示デバィスなどに用いるプラズマディスプレイパネルに関するも のであって、 特に誘電体層に関する。 技術背景
近年、 高精細な表示 （ハイビジョン等） ゃ大画面化などディスプレイのさらな る高性能化が要求されるようになり、 種々のディ スプレイの研究開発がなされて いる。 その代表的なディスプレイとしては、 CRTディスプレイ、 液晶ディスプ レイ （L C D)、 プラズマディスプレイパネル （PDP) などが挙げられる。 このうち PDPはガス放電パネルの一種であり、 2枚の薄いガラス板を隔壁（リ ブ） を介して対向させ、 隔壁の間の一方のガラス板上に複数対の表示電極 （一般 的に良好な導電性を確保するために Agまたは C r/C u/C rからなる） と誘電 体層と蛍光体層とをこの順に形成し、 両ガラス板の間に放電ガスを封入して気密 接着した構成を備え、 放電ガス中で放電して蛍光発光させるものである。 したが つて、 大画面化しても C RTのように奥行き寸法や重量が増加しにく く、 またし C Dのように視野角が限定される問題も回避できる点で優れている。
このうち誘電体層は、 一般に低融点ガラスで構成される。 この場合、 十分な耐 電圧を有すること、 透明度が高いこと、 焼成温度ができるだけ低いこと （具体的 には 600°C以下で焼成できること）、 といった各性質が望まれる。 実際の誘電体層 用のガラスとしては、 前記各性質を備えるガラスとして、 酸化鉛 （P bO) また は酸化ビスマス （B i 2O3) を含むガラス （誘電率 ε =10〜15) などが用いられ ることが多い （例えば特開平 9-50769号公報を参照）。
ところで P D Ρでは、 できるだけ消費電力を抑えた電気製品が望まれる今日に おいて、 さらにその駆動時の電力消費量を低くすることが期待されている。 特に 昨今のディ スプレイの大画面化および高精細化の動向によって、 P DPの電力消 費量は増加傾向にあるので、 いっそうの積極的に省電力化を実現させることが望 まれている。
省電力化を実現する方法の一つとして、 誘電体層の誘電率 £を低減する工夫が 挙げられる。 誘電体層の誘電率 £は、 誘電体層に蓄積される電荷量と比例するの で、 P b 0系または B i 2〇3系などの組成よりも誘電率 £の低い誘電体層を用い ることによって、 誘電体層に蓄積される電荷量をさらに抑えることができ、 P D Pの消費電力を低減することができる。 P b O系ガラスまたは B i 2〇3系ガラス などの組成よりも誘電率 εの低いガラス組成と しては、 具体的には特開平 8 - 77930号公報に、 誘電率 εが 6.2〜7.6程度の N a 2O- B2O3- S i 〇2系ガラス、 N a20- B203- Z n〇系ガラスといったものが開示されている。 このような各組 成のガラスを誘電体層に用いれば、 複数対の表示電極に印加する一定電圧に対す る画素セルの放電電流量を、 従来より少なく抑えることができ （約 1/2以下に抑 えることができ）、 P D Pの消費電力の低減が可能となる。 また、 この公報の方法 では P b O系ガラスを用いずに誘電体層を作ることができるので、 P bを原因と して生じる環境汚染などの問題を回避する効果も得られる。
なお前記 N a2O-B2O3-S i O2系ガラス、 N a 20- B2〇3- Z n O系ガラスは、 実際には軟化点を下げて （具体的には焼成温度を 550°C〜600°Cの範囲に設定す る） を容易にして製造工程を行う目的などのために、 N a2〇を （全誘電体層の組 成の） 10w t %よりも多く添加して用いられる。
しかしながら、 前記した N a20- B203- S i 02系、 N a 20- B2〇3-Z n O系の ような各ガラスで誘電体層を構成すると、 表示電極の A gまたは C u成分が誘電 体層中に混入し、 コロイ ド粒子となって析出する性質が見られる （最新プラズマ ディスプレイ製造技術 平成 9年度版 p p .234を参照）。 このコロイ ド粒子は、 特定波長の可視光を反射する性質を有する。そのため、誘電体層を黄色く着色（す なわち黄変） してしまい、放電空間で発生した発光に好ましくない着色をしたり、 本来は得られるべき光量を減らしてしまうなど、 表示性能に悪影響を与える原因 となりうる。 誘電体層のガラス組成に N a 20を 10w t %よりも多く添加すると、 前記黄変を引き起こす原因ともなりうる。 このようなことから、 前記コロイ ド粒 子の発生は避けるべきである。 さらに、 誘電体層のガラス組成に N a 2Oを 10w t %よりも多く添加すると、 誘電体層の電力損失を示す t a n 3値を上昇させてしてしまうなどの悪影響も生 じる。 具体的には、 誘電体層 （20~50 mの厚み） で約 l k Vまで耐電圧が落ち るといった問題が生じることがある。
このように現在では、 プラズマディスプレイパネルにおいて、 主に次の 3つの 課題が存在する。
* 1.誘電体層の誘電率 εを低く抑えて省電化を図り、発光効率を向上させること c *2.誘電体層の軟化点も低く設定して製造工程を容易にすること。
*3.誘電体層の黄変を防止して透明度を確保し、 良好な表示性能を得ること。 本発明は上記 3つの課題に鑑みてなされたものであって、 その目的は、 比較的 容易に誘電体層を作製でき、大画面化 ·高精細化しても消費電力の増加を抑制し、 従来よりも優れた発光効率と表示性能のもとに駆動することが可能な P D Pを提 供することにある。 発明の開示
上記課題を解决するために、 本願発明者らは鋭意検討した結果、 対向して設け られた第一プレートと第二プレートの間に、 放電ガスが封入され、 第二プレート に対向する第一プレート表面には、 A gまたは C uからなる複数対の表示電極が 形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにして 誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルにおいて、 前記 誘電体層は、 少なく とも Z n Oと、 10w t %以下の R 2〇を含み、 かつ P b〇およ び B i 2O 3を含まない組成のガラスからなり、 その誘電率 £ とその損失係数 t a n (5の積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル (但し、 Rは L i 、 N a、 K、 R b、 C s、 C u、 A gから選ばれたもの） とし た。
このような誘電体層のガラス組成とすることにより、 本願発明者らは、 誘電体 層中の R 2O成分を少なく し、前記コロイ ド粒子の析出を抑制して良好な誘電体層 の透明度を確保しつつ、 従来より消費電力を低減できる効果が得られることを見 いだした。 さらに、 上記誘電体層が 600で以下の焼成温度で焼成可能であること を見い出した。 したがって本発明によれば、 誘電体層の焼成などにかかる製造コ ス トを低減しつつ、 従来より少ない電力で優れた発光効率のもとに表示性能の良 好なプラズマディスプレイパネルを駆動することが可能となる。 また、 上記ガラ ス組成では P bを使わないので、 P bを原因として生じる環境汚染などの問題の 発生を回避する効果も得られる。
なお、 「ε · t a n dが 0.12以下」 の値とは、 本発明の省電力性を良好に得る ために必要な値であって、 後述する実施例で明らかになった値である。
さらに前記誘電体層は、 その誘電率 εが 7以下の値であると、 前記 ε · t a n δの値を効果的に下げることができるので望ましい。
ここで上記誘電体層の具体的なガラス組成としては、 後述する各実施例によつ て、 次の各ガラス組成が望ましいことが明らかにされている。
まず前記誘電体層は、 Ρ2Ο5が 10〜25w t %、 Z n Oが 20〜35w t %、 B2O3 が 30〜40w t %、 S i O2が 5〜12w t %で含まれ、 さらに、 R2〇および DOが それぞれ 10w t %を上限として含まれている Ζ ηθ- P2〇5系ガラスで構成して もよい。
但し、 Dは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C r、 N iのうちの中から選ばれ たものとする。
さらに前記誘電体層は、 P2〇5が 42〜50w t %、 Z n Oが 35〜50w t %、 A 1 2〇3力 s 7〜14w t %、 Na2〇が 5w t %を上限として含まれている Z n O- P2O5 系ガラスから構成してもよい。
さらに前記誘電体層は、 Z n〇が 20〜44w t %、 B 2〇 3が 38〜55w t %、 S i 02が 5〜12w t %で含まれ、 さらに、 R2Oおよび MOがそれぞれ 10w t %を上 限として含まれている Z ηθ系ガラスから構成してもよい。
但し、 Mは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C rのうちの中から選ばれたもの とする。
さらに前記誘電体層は、 Z n Oが 20〜43w t %、 B2O3が 38〜55w t %、 S i 02が 5〜12w t %、 A 1203が 1〜10%で含まれ、 さらに、 R2Oおよび M〇がそ れぞれ 10w t %を上限として含まれている Z n O系ガラスで構成してもよい。 さらに前記誘電体層は、 2110が 1〜 \\^ %、 B203が 20〜40w t %、 S i O2が 10〜30w t %、 A 1203が 5〜25w t %、 L i 2Oが 3〜 lOw t %、 MOが 2 〜15w t %の組成を有する Z n O系ガラスから構成してもよい。
さらに前記誘電体層は、 Z n 0が 35〜60w t %、 B 2O3が 25〜45w t %、 S i 02が 1〜10.5w t %、 A 12O3が l〜10w t %で含まれ、 さらに Na20が 5w t % を上限として含まれている Z n O系ガラスから構成してもよい。
さらに前記誘電体層は、 Z n 0が 35~60w t %、 B203が 25〜45w t %、 S i 02が ！〜 12w t %、 A 1203が ！〜 lOw t %で含まれ、 さらに K20が 5w t %を 上限として含まれている Z n〇系ガラスから構成してもよい。
さらに前記誘電体層は、 N b2〇5が 9〜19w t %、 Z n Oが 35〜60w t %、 B2 O3が 20〜38w t %、 S i 〇2が 1〜10.5w t %、 L i 2〇が 5w t %を上限として 含まれている Z n O-N b2〇5系ガラスから構成してもよい。
また、 本発明では、 誘電体層の具体的なガラス組成としては、 次の各ガラス組 成とすると、 前記 R20成分を用いなくてもよいことが、 後述する各実施例によつ て明らかにされている。
すなわち誘電体層は、 P2〇5が 20〜30w t %、 Z n〇が 30〜40w t %、 B2O3 が 30〜45w t %、 S i 02が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 ε とその損失係数 t a η <5の積が 0.12以下の値であるものとすることができる。 また誘電体層は、 Ζ η 0が 30〜45w t %、 B2O3が 40〜60w t %、 S i O2が 1 〜15w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 ε とその損失係数 t a η δの積 が 0.12以下の値であるものとすることもできる。
また誘電体層は、 Ζ η〇が 30〜45w t %、 B2O3が 40〜55w t %、 S i O2が 1 〜10w t %、 A 12O3が ！〜 lOw t %、 C a Oが l〜5w t %の組成のガラスから なり、その誘電率 ε とその損失係数 t a η <5の積が 0.12以下の値であるものとす ることもできる。
また誘電体層は、 Ζ η〇が 40〜60w t %、 B2〇3が 35〜45w t %、 S i 02カ 1 〜10w t %、 A l 2O3が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 ε と その損失係数 t a η δの積が 0.12以下の値であるものとすることもできる。 また誘電体層は、 Ζ η Οが 30〜60w t %、 B2O3が 30〜50w t %、 S i O2が 1 〜10w t %、 A l 2O3が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 £ と その損失係数 t a n (5の積が 0. 12以下の値であるものとすることもできる。 また誘電体層は、 N b 2O 5が 9〜20w t %、 Z n Oが 35〜60w t %、 B 2O 3が 25〜40w t %、 S i O 2が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 εと その損失係数 t a n (5の積が 0. 12以下の値であるものとすることもできる。 さらに本発明は、 対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、 放 電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gまたは C uからなる複数対の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複 数対の表示電極を覆うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマデ イスプレイパネルとして、 前記誘電体層は、 S i 02、 A l 2〇3、 Z n Oのいずれ かの薄膜、 または P b Oと B i 203のいずれかを含む組成のガラスからなり、 前 記複数対の表示電極を覆うように形成された第一誘電体層と、 誘電率 £ と損失係 数 t a η δの積が 0. 12以下の値である組成のガラスからなり、前記第一誘電体層 の上に被覆された第二誘電体層とから構成することもできる。
これにより、 第一誘電体層において、 複数対の表示電極に由来するコロイ ド粒 子の析出を効果的に抑制し、 誘電体層の透明度を維持して、 プラズマディスプレ ィパネルの表示性能を高めることができる。 また一方で、第二誘電体層において、 誘電率 εを低減させることによりプラズマディスプレイパネルの消費電力を効果 的に低減することができる。
さらに、 第一誘電体層と第二誘電体層のトータル厚みを 40 m以下とし、 この うち第一誘電体層の厚みを前記ト一タルの厚みの半分以下にすることによって、 誘電体層に使用するトータルの P b量を従来より削減することが可能となり、 P bを原因として生じる環境汚染などの問題を回避する効果も得られる。 ここで上 記 40 mの値は、 一般的な誘電体層の厚みの最大値を示すものである。 図面の簡単な説明
図 1 は、 実施の形態 1 に係る P D Pの構成を示す部分的な断面斜視図である。 図 2は、 実施の形態 2に係る P D Pの誘電体層周辺の構成を示す部分断面図で ある。
図 3は、 従来における P D Pの誘電体層周辺の構成を示す部分断面図である。 発明を実施するための好ましい形態
1.実施の形態 1
1-1. P D Pの全体的な構成
図 1は、 本発明の実施の形態 1 に係る交流面放電型プラズマディスプレイパネ ル （以下単に 「PDP」 という） の主要構成を示す部分的な断面斜視図である。 図中、 z方向が PD Pの厚み方向、 x y平面が PD Pのパネル面に平行な平面に 相当する。本 PDPは一例として 42インチクラスの VGA仕様に合わせたサイズ 設定になっているが、 本発明は、 当然ながらこ の他のサイズに適用してもよい。 図 1 に示すように、 本 P D Pの構成は互いに主面を対向させて配設されたフロ ントパネル 20およびバックパネル 26に大別される。
フロントパネル 20の基板となるフロントパネルガラス 21 には、 その片面に厚 さ 0.1 m、 幅 370 mの帯状の透明電極 220、 230と、 厚さ 5 m、 幅 100 w mの バスラィン 221、 231で構成される表示電極 22、 23 (X電極 23、 Y電極 22) が、 y方向を長手方向として X方向に複数対並設され、各対の表示電極 22、 23との間 隙 （約 80 m) で面放電を行うようになつている。 バスラィン 22し 231 は導電 性の優れた A gあるいは C r/C u/C rで形成される。
なお、上記複数対の表示電極 22、 23は Agや C uからなるバスラインのみで構 成してもよい。 この場合、 複数対の表示電極の間隙は 80 m程度とするのが望ま しい。
表示電極 22、 23を配設したフロントパネルガラス 21 には、 当該ガラス 21の主 面全体にわたつて厚さ約 30 mの誘電体層 24 (詳しい組成を後述する） と、 厚さ 約 1.0/zmの酸化マグネシウム （Mg O) からなる保護層 25が順次コートされて いる。
ノくックパネル 26の基板となるバックパネルガラス 27には、 その片面に厚さ 5 m、幅 100 mの複数のァドレス電極 28が x方向を長手方向として y方向に一 定間隔毎 （約 150〃m) でス トライプ状に並設され、 このァドレス電極 28を内包 してバックパネルガラス 27の全面にわたって厚さ 30〃mの誘電体膜 29がコ一ト されている。 誘電体膜 29上には、 隣接する複数のアドレス電極 28の間隙に合わ せて高さ約 150 m、 幅約 40〃mの隔壁 30が配設され、 そして隣接する隔壁 30 の側面とその間の誘電体膜 29の面上には、 赤色 （R)、 緑色 （G)、 青色 （B) の 何れかに対応する蛍光体層 31〜33が形成されている。これらの RGB各蛍光体層 31〜33は X方向に順次繰り返し配されている。
このような構成を有するフロントパネル 20とバックパネル 26は、 複数のアド レス電極 28と複数対の表示電極 22、 23の互いの長手方向が直交するように対向 させつつ、 両パネル 20、 26のそれぞれの外周縁部にて接着し封止されている。 前 記両パネル 20、 26間には H e、 X e、 N eなどの希ガス成分からなる放電ガス（封 入ガス） が所定の圧力 （従来は通常 500〜760T o r r程度） で封入されている。 隣接する 2つの隔壁 30間は放電空間 38となり、 隣り合う一対の表示電極 22、 23と 1本のァドレス電極 28が放電空間 38を挟んで交叉する領域が、 画像表示に かかるセル （不図示） に対応している。 X方向のセルピッチは約 1080〃m、 y方 向のセルピッチは約 360〃 mである。 ' そして、 この P D Pを駆動する時には不図示のパネル駆動部によって、 ァドレ ス電極 28 と表示電極 22、 23のいずれか （本実施の形態 1 ではこれを X電極 23 とする。 なお一般に、 当該 X電極 23はスキャン電極、 Y電極 22はサスティン電 極と称される） にパルスを印加し、 放電させることにより各セルに書き込み放電 (ァドレス放電） を行った後、 一対の表示電極 22、 23間にパルスを印加し、 放電 させることによって短波長の紫外線 （波長約 147nmを中心波長とする共鳴線） を発生させ、 蛍光体層 31〜33を発光させて画像表示をなす。
ここにおいて、本 P D Pの主たる特徴は誘電体層 24の組成にある。すなわち上 記誘電体層 24の組成は、 P b Oや B i 203を含まない Z nO- P205系ガラス （以 降、 「本発明の Z n O- P2O5系ガラス」 と称する） からなることを特徴とする。 この本発明の Z n 0- P2O5系ガラスの組成は、 一例として、 P2O5が 10w t %、 Z n Oが 20w t %、 B2O3が 40w t %、 S i 〇2が 12w t %、 B a〇が 3w t %、 Na20が lOw t %の各割合である。 この本発明の Z nO- P205系ガラスは、 従 来より誘電体層に用いられていた P b O系ガラスもしくは B i 2O3系ガラスに比 ベ、 誘電率 εが比較的低く （具体的には P b Ο系もしくは Ζ η Ο系ガラスの誘電 率 εが 10〜 12程度であるのに対し、誘電率 £が 7程度以下に）抑えられている。 また、 誘電率と損失係数の積 £ · t a n dについては、 従来が 0.14〜0.7であつ たのに対し、本実施の形態 1の誘電体層 24の £ · t a n <5の値は約 0.103以下の 値と大幅に低減されている。
1-2.実施の形態 1の誘電体層の構成による効果
ここで、 図 3は従来の誘電体層周辺の構成を具体的に示す PD Pの部分断面図 である。 当図に示すように、 従来の誘電体層では、 バスライ ンを構成する A gや C u成分のイオンが誘電体層中でコロイ ド粒子となって混入し、 このコロイ ド粒 子が可視光を反射して、 誘電体層が黄色く着色する （すなわち黄変する） 問題が あった （最新プラズマディスプレイパネル 平成 9年度版 p p .234を参照）。 このようなコロイ ド粒子による黄変の問題は、 ガラス成分に含まれる R2O (Rは L i、 N a、 K：、 R b、 C s、 C u、 A gのうちの中から選ばれたもの） の量が 多いほど （例えば 10w t %より多いほど） 顕著になる。 これに対し、 本発明の Z n〇- P2O5系ガラスからなる誘電体層 24では、 前記コロイ ド粒子の発生を増長 させる R20成分 （ここでは N a20) 力 10w t %以下に抑えられており、 コロイ ド粒子が発生しにくいので、 A gや C uをバスラインの材料に用いても、 誘電体 層 24の透明度が従来より改善される。 これにより、 放電空間 38で発生した蛍光 発光が色彩を損なったり、 光量にロスが生ずるなどの問題が回避され、 本 PD P では良好な表示性能が発揮されることとなる。
このような誘電体層 24を有する本 P D Pによれば、 P D P駆動時の放電維持期 間の初期において、 各一対の表示電極 22、 23にパルスが印加されると、 当該一対 の表示電極 22、 23の間隙で放電がなされる。
ここにおいて本実施の形態 1では、誘電体層 24の誘電率 εが従来の値（ £ =10 〜15) よりも低くなつている （例えば £ =6.4) ため、 放電開始までに誘電体層 24に蓄積される電荷量が低減されるので、少ない電流で放電が開始されることと なる。 これにより本 PDPは、 従来に比べて小さい電力で放電を開始することが 可能であって、 その後も良好な省電力性のもとで駆動することができる。
このように本実施の形態 1の P D Pは、 優れた省電力性のもとに良好な表示性 能を合わせて得られるようになつており、 従来よりも発光効率の大幅な改善が期 待できるものである。 卜 3.誘電体層の誘電率 £ と P D Pの消費電力の関連についての詳細な説明 一般に、 一対の表示電極 22、 23の面積を S、 一対の表示電極 22、 23間の静電 容量 （放電空間 38 を含む経路に存在する誘電体層の静電容量） を C、 誘電体層 24の厚みを d、 誘電体層 24 の誘電率を ε とするとき、 これらの関係は次の数 1 式で表すことができる。
(数 1式） C = ε S/d また、 一対の表示電極 22、 23間に印加される電圧を V、 パネルの駆動周波数を f 、 このときの PD Pの消費電力を Wをすると、 Wはおよそ次の数 2式で表すこ とができる。
(数 2式） W = f C V2= f ( e S/d) V2 上記数 1式、 数 2式から明らかなように、 f と V2が一定であれば、 静電容量 C が小さいほど消費電力 Wが小さくなる。 静電容量 Cは誘電率 £ と比例するため、 誘電率 εの値が小さくなると消費電力 Wも小さくなる（詳細は電気学会論文集 A、 118巻 15号平成 10年 p p .537〜542を参照のこと）。
また、 ここで電界強度 E = V/dの関係式を用いると、 PD Pの電力損失 wは次 の数 3式で表されることが知られている （エレク トロニクス材料、 電気書院、 昭 和 50年 3月 10日 p p .23を参照のこと）。
(数 3式） w ∞ f ( ε · t a η δ ) V2 一般に電力損失 wは消費電力 Wと比例するため、 この数 3式によって、 誘電率 εまたは t a n 3の少なく ともいずれかの値が小さくなると、 消費電力 Wも小さ くなることがわかる （詳細は電気学会論文集 A、 118巻 15号平成 10年 p p .537 〜542を参照のこと）。
本実施の形態 1の P D Pの効果はこの理論によって説明することができる。 す なわち誘電体層の組成を本発明の Z n O- P2O5系ガラス （P b〇や B i 2O3の各 成分を含まず、 P2O5、 Z nO、 B203、 S i O2、 B a O、 Na20等の各成分を 含む組成） とすることによって、 誘電率と損失係数の積 £ · t a n 5の値をとも に従来よりも低下させ （具体的に 0.12以下の数値）、 電力損失 wを低下させて P D Pの消費電力 Wを低減させている。
なお、 本実施の形態 1の誘電体層 24は、 このほかに P b 0や B i 2〇3を含まな' い Z nO系ガラス （以降、 「本発明の Z n〇系ガラス」 と称する） で構成してもよ いことが後述の実施例で明らかにされている。 この場合の本発明の Z n〇系ガラ スの組成は、一例として Z n Oが 40w t %、 B2〇3が 45w t %、 S i 02が 5w t %、 A 12〇3が 5w t %、 C s 2Oが 5w t %の各割合とすることができる。 また、 P b Oや B i 2〇3を含まない N b2〇5- Z n 0系ガラス （以降、 本発明の 「N b2〇5- Z nO系ガラス」 と称する） で構成することもできる。 この場合の本発明の Nb2 O5-Z n O系ガラスの組成は、一例として N b2O5が 19w t %、 Z n〇が 44w t %、 B203が 30w t %、 S i 02が 7w t %の各割合とすることができる。
本発明の誘電体層 24 のガラス組成のバリエーショ ンについては以下の実施例 のところで詳細に述べる。
2.実施の形態 2
次に、 実施の形態 2の P D Pについて説明する。 本実施の形態 2の構成は、 誘 電体層以外は前記実施の形態 1 とほぼ同様である。
2-1.誘電体層周辺の構成
図 2は、実施の形態 2の誘電体層 24周辺の構成を具体的に示す P D Pの部分断 面図である。 当図から明らかなように、 本実施の形態 2の誘電体層 24は、 第一誘 電体層 241 に第二誘電体層 242が積層された二層構造を有している。
第一誘電体層 241 は、 厚さ 5 mの P b 0系ガラス （ここでは一例として P b 0が 65w t %、 B203が 10w t %、 S i O2が 24w t %、 C a Oが lw t %、 A 12O3が 2w t %で含まれる） からなり、 表示電極 22、 23を被覆するようにして フロントパネルガラス 21の主面上に形成されている。
第二誘電体層 242 は、 厚さ 25 mの Z n O- P2O5系ガラス （ここでは一例と して Z n〇が 30w t %、 P205が 20w t %、 B2O3が 40w t %、 S i 02が 10w t %で含まれる） から構成されている。 第二誘電体層 242の誘電率 εは 6. 3程度 である。
2 - 2.実施の形態 2の誘電体層による効果
第一誘電体層 241 に用いる P b Ο系ガラスは、 誘電率 £が従来と同程度 （例え ば 1 1 . 0) の数値となっているが、 バスライン 221、 231 に由来する A gや C uの コロイ ド粒子の発生が少ない性質を持っている。
本実施の形態 2ではこのような性質を有する第一誘電体層 241 と第二誘電体層 242を積層することにより、 P b O系ガラスからなる第一誘電体層 241 で表示電 極 22、 23を被覆してコ口ィ ド粒子の発生を抑制しつつ、誘電率 εが比較的低い第 二誘電体層 242によって P D Pの消費電力の低減を図る作用を合わせ持たせてい る。 この P D Ρの消費電力の低下の対策としては、 さらに第一誘電体層 241の厚 みを 5 w mと薄く抑えることにより、誘電体層 24における ト一タルの誘電率 εを 低く設定し、誘電体層 24中に蓄積される電荷量を低減する工夫も行っている。 ま た、 このように第一誘電体層 241 を薄くすることによって、 使用する P b量を少 なく抑え、 P bに関する環境汚染などの問題への対応も図ることも可能となって いる。
なお、 一般的な誘電体層の厚みは最大で 40 mであることから、 本発明の誘電 体層 24 の効果 （例えば上記 P b量の削減効果など） を良好に得るためには、 40 m以下の厚みとすることが必要である。 またこの場合、 第一誘電体層 241の厚 みは誘電体層 24のト一タルの厚みの半分以下の厚みに設定することによって、い つそう P b量を効果的に減らすことができる。
この誘電体層 24を有する本 P D Pによれば、 P D P駆動時の放電維持期間の初 期に各対の表示電極 22、 23にパルスが印加されると、第一誘電体ガラス 241中の 表示電極 22、 23の間隙で放電がなされる。そして第二誘電体層 242を介して放電 空間 38に放電ガスのプラズマが拡大し、放電が維持放電に移行して、次第に発光 輝度が向上するようになる。
ここにおいて本実施の形態 2では、 第二誘電体層 242の誘電率 εが従来よりも 低いことから、 前記実施の形態 1 と同様にして放電に必要な誘電体層の電荷蓄積 量が低減され、 本 P D Ρは良好な省電力性のもとで駆動される。 またさらに、 P b O系ガラスからなる第一誘電体層 241がバスライン 221、 231 を被覆していることから、バスライン 221、 231 の A gや C u成分からなるコロイ ド粒子の発生が実施の形態 1のように低減され、誘電体層 24の黄変が抑制されて 透明度が増している。 したがって、放電空間 38で発生した蛍光発光が色彩を損な うことなく良好に P D Pの発光表示に供される。
なお、 第一誘電体層 241 は、 前記 P b O系ガラスのほかに B i 203系ガラスを 用いてもよいし、 S i O 2、 A l 2O 3、 Z n〇等の薄膜酸化物層として形成しても よい。 これらの薄膜酸化物層はスパッタリングにより形成することができる。 また第二誘電体層 242としては、前記 Z n 0 - P 2〇5系ガラスのほかに Z n O系 ガラスを用いてもよい。 これらの具体的なガラス組成については、 実施例のとこ ろで詳細に述べる。
ここで、誘電体層を二層構造で構成する技術については、例えば特開平 9-50769 号公報に開示されているが、 これは第一誘電体層を Z n O系ガラス、 第二誘電体 層を P b 0系ガラスでそれぞれ構成する （すなわち本実施の形態 2の構成とは逆 の積層構造の誘電体層） ものであって、 本発明の構成と明らかに異なるものであ る。 また、 この構成では本発明に比べてバスライ ンに由来するコロイ ド粒子が第 一誘電体層中で発生しやすく、 黄変を生じる可能性がある。 さらに当該技術にお ける Z n O系ガラスは B i 2〇3を含む組成であり、 この組成では誘電体層の誘電 率 εが本発明の誘電体層よりもかなり高くなると思われる。 このようなことから 特開平 9-50769号公報の技術では、 本発明における優れた省電性の効果と誘電体 層の黄変の抑制効果を得るのは困難であると思われる。
3. P D Ρの作製方法
次に、 上記各実施の形態の P D Pについて、 その作製方法の一例を説明する。
3- 1 .フロン トパネルの作製
約 360°Cの溶融 S n (スズ） フロート上にガラス材料を浮かせて成形するフロ ート法によって、 厚さ約 2. 6m mのソーダライムガラスからなるフロントパネル ガラス 21 を作製し、 その面上に表示電極 22、 23を作製する。 これにはまず、 透 明電極 220、 230を次のフォ トエッチング法により形成する。
次に、フロントパネルガラス 21の全面に、厚さ約 0. 5〃 mでフォ ト レジスト （例 えば紫外線硬化型樹脂） を塗布する。 そして透明電極 220、 230のパターンのフォ トマスクを上に重ねて紫外線を照射し、現像液に浸して未硬化の樹脂を洗い出す。 次に透明電極 220、 230の材料として I TO等をフロントパネルガラス 21 のレジ ス トのギャップに塗布する。 この後に洗浄液などでレジス トを除去し、 透明電極 220、 230を完成する。
続いて、 A gもしくは C r /C u/C rを主成分とする金属材料により、 前記透 明電極 220、 230上に厚さ約 7 m、 幅 50 mのバスライン 221、 231 を形成する。 A gを用いる場合にはスクリーン印刷法が適用でき、 C r /C u/C rを用いる場 合には蒸着法またはスパッタ法などが適用できる。
以上で表示電極 22、 23が形成される。
3- 1-1.実施の形態 1の誘電体層 （単一層構造の誘電体層） の作製
ここでは実施の形態 1 の誘電体層 （P2〇5- Z n〇系ガラスを使用） の作製方法 を説明する。
まず、 P2O5- Z n O系ガラス粉末 （例えば P2〇510〜25w t %、 Z n〇20〜35 w t %、 B2O330〜55w t %、 S i 025〜12w t %、 および B a Oと N a2〇を 10 w t %を上限として含む組成） と、 有機バインダー溶液 （分散剤のホモゲノール を 0.2w t %と可塑剤のフタル酸ジブチルを 2.5w t %、さらにェチルセルロース を 10w t %含有する有機溶剤を 45w t %混合したもの） を、 55： 45の重量比で 混合してガラスペース トを作る。 このガラスペース トを、 印刷法で表示電極 22、 23の上からフロン トパネルガラス 21の全面にわたつてコートする。そして、 600°C 以下で焼成 （具体的には 520°Cで 10分） して、 厚さ 30 mの誘電体層 24を形成 する。 上記のように、 本願発明者らは本発明の P205- Z n O系ガラスの組成を決 定することによって、 600°C以下というガラス材料にしては比較的低温で焼成を行 うことが可能となり、 製造工程を容易にできることを見い出した。 なお上記分散 剤としては、 ホモゲノール、 ソルビ夕ンセスキォレート、 ポリオキシエチレンモ ノォレートの中から選ぶことができる。
ここにおいて、 従来この誘電体層の形成時には、 誘電体層中に各バスラインの Agや C uが直径 300〜400Aのコロイ ド粒子となって析出する問題があった （前 述の図 3 を参照）。 これは主として前記フロート法を行う際にスズイオン S n2+ がフロントパネルガラスの表面に付着したままになり、 後に各バスラインから誘 電体層中に溶け出した A g +や C u2+を還元する （例えば 2A g + + S n2+ → Ag + S n4+)作用をなすことが原因であると考えられている。 そしてこのとき、 誘電体層の組成に R2〇成分 （Rは L i、 Na、 K、 Rb、 C s、 C u、 Agのう ちの中から選ばれたもの） が lOw t %以上含まれていると、 このような還元反応 が増長されてしまう。 このような還元反応は、 特に R2O成分が 10w t %より多 いと顕著に作用することが本願発明者らによって明らかにされているが、 これは 比較的イオン半径の小さい R20に付随して、 前記 Ag+や C u2+が誘電体層の組 成中にいっそう拡散されることが原因であるものと推定される。
そこで本発明では、 誘電体層 24の組成中の R2〇成分 （この場合 Na2O) の割 合を lOw t %以下とすることにより、 上記還元反応を抑制し、 コロイ ド粒子の発 生を防いで透明度の良好な誘電体層 24を形成するようにしている。
3 - 1-2.実施の形態 2の誘電体層 （二層構造の誘電体層） の作製
ここでは実施の形態 2の誘電体層 （第一誘電体層に P b 0系ガラス、 第二誘電 体層に P2〇5- Z n〇系ガラスをそれぞれ使用） の作製方法を説明する。
まず、 P bO系ガラス粉末 （ここでは一例として P b 0が 65w t %、 B203が 10w t %、 S i O2が 24w t %、 C a Oが lw t %、 A 12〇3が 2w t %で含まれ る） と、 有機バインダー溶液 （分散剤のホモゲノールを 0.2w t %と可塑剤のフ タル酸ジブチルを 2.5w t %、 さらにェチルセルロースを 10w t %含有する有機 溶剤を 45w t %混合したもの） を、 55： 45の重量比で混合してガラスペース トを 作る。 このガラスペーストを、 印刷法で表示電極 22、 23の上からフロントパネル ガラス 21の全面にわたってコ一卜する。 そして焼成を行い （具体的には 560°Cで 10分） して、 厚さ 5 mの第一誘電体層 241を形成する。
なお、 第一誘電体層 241は、 S i O2、 A 1203、 Z n Oといった酸化物薄膜を スパッタリングすることにより形成してもよい。
ここで第一誘電体層 241のガラス材料としては、 当然ながら以後に形成する第 二誘電体層 242の融点よりも高いガラス材料を用いるように注意する。
次に、前記形成した第一誘電体層 241の上から、 P205- Z ηθ系ガラス粉末（こ こでは一例として Z n Oが 30w t %、 P205が 20w t %、 B203が 40w t%、 S i 02が 10\^ ％で含まれる） と、 有機バインダー溶液 （分散剤のホモゲノール を 0.2w t %と可塑剤のフタル酸ジブチルを 2.5w t %、さらにェチルセルロース を 10w t %含有する有機溶剤を 45w t %混合したもの） を、 55： 45の重量比で 混合してガラスペース トを作る。 このガラスペース トを、 印刷法で表示電極 22、 23の上からフロントパネルガラス 21 の全面にわたってコートする。 そして焼成 を行い （具体的には 530°Cで 10分） して、 厚さ 25 mの第二誘電体層 242を形成 する。
これで二層構造の誘電体層 24が形成される。
以上のようにして誘電体層 24が形成できたら、その表面上に酸化マグネシゥム (Mg 0) よりなる保護層 25を厚さ約 0.9〃mにわたつて形成する。
以上でフロントパネル 20が作製される。
3-2.バッ クパネルの作製
前記フロート法で作製した厚さ約 2.6mmのソーダライムガラスからなるバッ クパネルガラス 27の表面上に、スクリーン印刷法により A gを主成分とする導電 体材料を一定間隔でス トライプ状に塗布し、 厚さ約 5 mの複数のア ド レス電極 28を形成する。
続いて、 前記複数のァドレス電極 28を形成したバックパネルガラス 27の面全 体にわたって、 前記誘電体層 24 と同様のガラスペース トを厚さ約 20 mで塗布 して焼成し、 誘電体膜 29を形成する。
次に、 誘電体膜 29と同じガラス材料により、 誘電体膜 29の上に隣り合う 2つ のアドレス電極 28の間隙（約 150 m)毎に高さ約 150 mの隔壁 30を 1つずつ 形成する。 この複数の隔壁 30は、例えば上記ガラス材料を含むガラスペース トを 繰り返しスクリーン印刷し、 その後焼成すると形成できる。
隔壁 30の形成後、隔壁 30の壁面と、隣接する 2つの隔壁 30間で露出している 誘電体膜 29の表面に、 赤色 （R) 蛍光体、 緑色 （G) 蛍光体、 青色 （B) 蛍光体 のいずれかを含む蛍光ィンクを塗布し、 これを乾燥 ·焼成してそれぞれ蛍光体層 31〜33とする。
ここで一般的に PD Pに使用されている蛍光体材料の一例を以下に列挙する。 赤色蛍光体； （YxG d,— x) BO3 : E u3+ 緑色蛍光体： Z n2S i 〇4： Mn
青色蛍光体： B a Mg A 110O17： E u3+ (或いは B a M g A 114023 : E u 3+) 各蛍光体材料は、 例えば平均粒径約 3 m程度の粉末が使用できる。 蛍光体ィ ンクの塗布法は幾つかの方法があるが、 ここでは蛍光体ィンクを走査してノズル から吐出する方法を用いる。 この方法は蛍光体イ ンクを目的の領域に均一に塗布 するのに好都合である。 なお、 本発明の蛍光体イ ンクの塗布方法は、 当然ながら この方法に限定するものではなく、 スクリーン印刷法など他の方法も使用可能で ある。
以上でバックパネル 26が完成される。
なお、 フロン トパネルガラス 21およびバックパネルガラス 27をソーダライム ガラスから作製する例を示したが、これは材料の一例として挙げたものであって、 当然ながらこれ以外の材料を用いてもよい。
3-3. P D Pの完成
作製したフロントパネル 20とバックパネル 26を、 封着用ガラスを用いて貼り 合わせる。 その後、 放電空間 38 の内部を高真空 （8x10— 7To r r ) 程度に排気 し、 これに所定の圧力 （500〜760T o r r ) で N e- X e系や H e- N e- X e系、 H e -N e -X e -A r系などの放電ガスを封入する。
以上で P D Pが完成される。
4.実施例の作製と性能測定
4-1.実施例と比較例の作製
続いて、 本発明の P D Pの性能評価を行うために前記作製方法に従って実施例 の P D Pを作製した。 実施例の P D Pは誘電体層の組成のみが異なる複数のバリ エーシヨ ン （Z nO系ガラス、 P2O5系ガラスも しく は Z nO- P2〇5系ガラス） を全部で 60種類 （N o.l〜60) 作製した。 この実施例 N o .1〜60のうち、 実施 の形態 1の PDP (単一層構造の誘電体層を有する PDP) に相当する実施例を No.l〜54、 実施の形態 2の PDP (二層構造の誘電体層を有する P D P ) に相 当する実施例を N 0.55~60とした。 ここで、 N 0 ,4、 20、 29、 43、 47、 51は R2 〇成分を含まない実施例として作製した。
なお、 比較例として従来のガラス組成 （B i 2〇3系ガラスまたは P b 0系ガラ ス （詳細な組成は表 11、 12 を参照）） からなる誘電体層を備える P D Pも計 15 種類 （N o .61〜75) 作製した。 このうち、 Z n O系ガラス、 P2O5系ガラスもし くは Z η θ- P2O5系ガラスにおいて、 それぞれ R2O (—例として N a2〇） を 10 w t %よりも多く添加したものからなる誘電体層を備える比較例の P D Pを計 3 種類 （N o .65〜67) 作製した。
これら N o . l〜75 の P D Pの誘電体層における トータルの厚みはそれぞれ 30 に統一した。 また各誘電体層は、 N o .58〜60 の P D Pの第一誘電体層をス パッタリング法で作製する場合を除き、 すべて印刷法によって形成した。
このように作製した P D Pの N o . l〜75について、 誘電体層の着色状態、 損失 係数 （ t a n d )、 耐電圧 （D C)、 ε - t a η ό積値、 誘電率 ε、 P D Ρのパネ ル輝度 （c d/m2)、 P D Pの消費電力 （W) 等を測定した。 具体的な各測定方法 は以下の通りである。 なお誘電体層の着色状態は、 P D Pを白バランス表示状態 に設定し、 肉眼にて確認した。
4 - 2.誘電体層の損失係数 （ t a n 3 )、 誘電率 £の測定
各 P D Pの誘電体層の耐電圧と損失係数は L C Rメータ （ヒューレッ ト ·パッ カード社製 4284A) を用い、 交流電圧 （周波数 10k H z ) を印加してそれぞれ測 定した。 このときの具体的な測定方法は次の通りである。
すなわち、フロン トパネルの隣接する 5本の X電極を連結して共通電極とする。 次に、 誘電体層の上に 4mm X 4mmのサイズを有する方形状の A g電極を作製し、 これらの電極に印加して、 その間の容量 Cと損失係数 t a η όを測定する。 と t a n Sの値は、 L C Rメータに直接表示される。 また誘電率 εは、 上記数 1式 を利用して （d =30〃m、 S =4mm x4mm) 算出する。
4- 3.誘電体層の耐電圧の測定
誘電体層の耐電圧については、各実施例および比較例 N o .！〜 75の P D Pに形 成したものと同様の各誘電体層をガラス基板上に作製し、 これらについて測定を 行った。 具体的には、 前記ガラス基板上に作製した各誘電体層を 4mm x4mmの サイズを有する方形状の 2つの A g電極で上下方向から挟み込み、 当該 2つの電 極間に直流電圧を印加して測定した。
こうして得られた実施例 N 0.1〜60および比較例 N 0.61〜75の各データを表 O
Figure imgf000021_0001
π 〜
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000023_0001
t
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
Figure imgf000026_0001
bo
Figure imgf000027_0001
o
Figure imgf000028_0001
Figure imgf000029_0001
0】 9 9
Figure imgf000030_0001
CD
Figure imgf000031_0001
【三规 CO
Figure imgf000032_0001
実施例/ 焼成誘電体 誘電体
誘電体層の組成 (重量％) 力'ラスの力'ラ スト中 溶剤を含む'、 'インタ
'インタ' -中の )、'インタ' -中の
比較例 軟化点の力'ラス粉体 成分の重量 (%) ifr Im宙县 0/ 温度層の膜厚 層の誘電率
^散 ffl fim/o 别 Vリ里虽 /0
MO. ¾03 ZnO Si02 CaO ( ) 成分重量 (%) (t) { ) )
アクリル ホモゲノール
72* 35 25 25 10 5 580 55 45 0.2 碰 590 15 12.0
2.0
CO ェチルセルロース ホモゲノール
73* 45 30 15 7 3 550 60
40 0.2 扁 575 15 12.5 ェチルセルロース 、刀^タン,
74* 37 28 20 5 10 570 35 セスキ才レー卜
65 0.2 還 575 15 11.8 ェチルセルロース ソ タン，
75* 35 30 17 10 8 575 40 セスキォレー卜
60 遍 レ 575 15 - 11.4
0.2 2.0
^No. 72〜75は比較例
31 実施例/ ヾ ii /n
/ヽ^ I、ノレ t J /、つ、ノレ Vソ す貝大 1ポ？^
比較例 ε tan δ 誘 ¾体層
の着色状態 輝度 (cd/raO 消費電力 (W) tan 5 (10kHz) の耐電圧 (kV)
1MU.
1 着色なし 550 485 0.010 0.064 5.0
2 着色なし 552 480 0.008 0.050 5.2
3 着色なし 541 472 0.009 0.057 5.3
4 着色なし 540 490 0.009 0.057 5.3
CO
5 着色なし 542 520 0.011 0.072 5.0
6 着色なし 547 450 0.015 0.101 4.6
7 着色なし 537 485 0.013 0.085 4.8
8 着色なし 540 490 0.014 0.091 4.7 ·
】 【^41 実施例/ 誘電体層 パネルの パネルの 損失係数
比較例 c tan 0 δ秀電体眉
の着色状態 輝度 (cd/rri) 消費電力 (W) tan 5 (10kHz) の耐電圧 (kV)
NO.
9 着色なし 565 491 0.015 0.090 4.5
10 着色なし 562 483 0.014 0.083 3.9
11 着色なし 551 475 0.009 0.052 4.6
CO CO 12 着色なし 548 507 0.012 0.074 3.8
13 着色なし 557 532 0.010 0.065 4.6
14 着色なし 558 499 0.009 0.055 4.7
】 15 実施例/ ゾ ネリレの パネルの 損失係数
比較例 ε tan 0 誘電体 I
. 着色状態 輝度 (cd/rri) 消費電力 (W) ね n (5 (10kHz) の耐電圧 (kV)
NO
15 着色なし 560 498 0.014 0.091 4.7
16 着色なし 554 458 0.015 0.098 4.6
17 着色なし 545 468 0.015 0.098 4.6
CO 18 着色なし 538 495 0.013 0.085 4.7
19 着色なし 540 515 0.015 0.101 4.6
20 着色なし 552 529 0.017 0.1 16 4.5
21 着色なし 548 513 0.013 0.087 4.8
22 着色なし 545 508 0.010 0.064 5.0
実施例/ パネルの パネルの 損失係数 電体層
比較例 の着色状 ¾¾ ^ 1m冃^賈^电-ノh J A レ
[MAA) tan u Λ 丄 Π U ]" Iヮ、 ε tan ο 誘
KHZJ
NO.
23 着色なし 520 505 0.012 0.077 4.9
24 着色なし 505 500 0.013 0.083 4.8
25 着色なし 510 498 0.009 0.057 5.2
CO 26 着色なし 522 490 0.010 0.063 5.1
27 着色なし 538 485 0.010 0.063 5.1
28 着色なし 542 487 0.010 0.063 5.1
29 着色なし 526 488 0.010 0.063 5.1
30 着色なし 525 489 0.010 0.063 5.1
】 7
Figure imgf000038_0001
実施例/ 休 ί¾ パネルの パネルの 損失係数
比較例 ε tan 0
の着色状態 輝度 (cd/m2) 消費電力 (W) tan d (lOkHz) の耐電圧 (kV)
NO.
31 着色なし 550 538 0.015 0.101 4.5
32 着色なし 554 520 0.01 1 0.070 5.0
33 着色なし 545 531 0.013 0.085 4.8
34 着色なし 553 533 0.014 0.092 4.8
CO
35 着色なし 532 535 0.014 0.092 4.7
36 着色なし 527 525 0.014 0.092 4.7
37 着色なし 534 520 0.015 0.101 4.6
38 着色なし 550 530 0.013 0.085 4.9'
夫 ftB 'J/ パネルの ゾ ネ レの 損失係数
比較例 ε tan δ
の着色状態 輝度 (cd/m2) 消費電力 (W) tan ^ (lOkHz) の耐電圧 (kV)
NO.
39 着色なし 570 532 0.013 0.085 4.4
40 着色なし 560 515 0.012 0.076 3.5
41 着色なし 555 524 0.014 0.090 3.5
03
42 着色なし 550 532 0.012 0.078 3.6
43 着色なし 549 548 0.090 0.060 3.7
44 着色なし 560 556 0.013 0.088 4.5
】 夭 JW，J/ ノヽ刁リレの ノヽ レの 損失係数 電体層
比較例 ε tan δ 誘
の着色状態 輝度 (cd/rri) 消費電力 (W) tan ^ (lOkHz) の耐電圧 (kV)
NU.
45 着色なし 533 532 0.011 0.072 4.7
46 着色なし 516 532 0.009 0.059 4.8
47 着色なし 524 525 0.007 0.045 4.9
00
00 48 着色なし 532 523 0.008 0.051 4.8
49 着色なし 549 522 0.009 0.058 4.7
50 着色なし 556 523 0.012 0.077 4.6
実施例/ パネルの パネルの 損失係数
比較例 ε tan δ 誘電体層
の着色状態 輝度 (cd/rri) 消費電力 (W) tan (5 (10kHz) の耐電圧 (kV)
NO.
51 着色なし 562 556 0.007 0.048 4.9
52 着色なし 569 532 0.01 1 0.072 4.7
53 着色なし 564 540 0.009 0.059 4.8
54 着色なし 568 549 0.013 0.087 4.6
実施例/ / , 木 I /レの ネゾレの 損失係数 誘雷体層 比較例 e tan δ
の着色状態 輝度 (cd/rri) 消費電力 (W) tan ^ (10kHz) の耐電圧 (kV)
NO.
55 着色なし 560 520 0.015 0.103 4.5
56 着色なし 558 535 0.013 0.090 4.8
4^ 57 着色なし 550 525 0.013 0.086 4.8 O
58 着色なし 546 485 0.013 0.078 4.8
59 着色なし 549 535 0.014 0.100 4.8
60 着色なし 549 530 0.013 0.095 4.8 '
実施例/ 35 ^ パネルの パネルの 損失係数 C し U l 誘電体層 比較例 の着色状態 輝度 (cd/m2) 消費電力 (W) tan 5 (10kHz) の耐電圧 (kV)
NO.
61* 黄変 530 830 0.024 0.288 3.0
62* 苗 545 902 0.025 0.313 2.9
63* 臾久 550 850 0.023 0.271 3.1
64* 只 551 832 0.022 0.251 3.2
65* 臾^ 530 690 0.102 0.653 3.0
66* 苗 540 685 0.105 0.683 2.5 -
67* 苗久 542 680 0.112 0.750 2.1
No. 61〜67は比較例
Figure imgf000044_0001
実施例/ パネルの パネルの 損失係数
比較例 ε tan δ 誘電体層
の着色状態 輝度 (cd/m2) 消費電力 (W) tan ^ (lOkHz) の耐電圧 (kV)
NO.
68* 着色なし 564 890 0.015 0.158 3.0
t 69* 着色なし 560 900 0.013 0.143 3.1
70* 着色なし 550 884 0.013 0.140 3.1
71* 着色なし 545 875 0.014 0.150 3.2
No. 68〜71は比較例
Figure imgf000045_0001
実施例/ パネルの パネルの 損失係数
比較例 ε tan δ
の着色状態 輝度 (cd/m2) 消費電力 (W) tan ^ (lOkHz) の耐電圧 (kV)
NO.
72* わずかに黄色に着色 543 981 0.024 0.288 2.5
73* わずかに黄色に着色 559 1 ,023 0.025 0.313 2.4
74* わずかに黄色に着色 560 965 0.023 0.271 2.8
75* わずかに黄色に着色 562 933 0.022 0.251 2.9
No. 72〜75は比較例
5.実施例の性能評価
5-1.誘電率 £について
まず表 1 のように、 実施例の Z nO-P2O5系ガラス （No.l〜8) では、 省電 性を得るために良好な誘電率 £の値 （ε =6.2〜6.7) が得られることが確認でき た。 この実施例 Ν 0.1〜8の Ρ2Ο5- Ζ η Ο系ガラスは、 実施の形態 1 で述べた誘 電体層のガラス組成に直接基づくバリエーション群である。 このうち実施例 Ν ο.3、 5〜8 によれば、 本発明の効果が得られる Ζ η Ο- Ρ2Ο5系ガラスの具体的 な組成範囲は、 Ρ205が 10〜25w t %、 Z n Oが 20〜35w t %、 B2O3が 30〜55 w t %、 S i 〇2が 5〜12w t %、 および D Oと R2Oが lOw t %を上限として含 まれる割合が望ましい。 ここで、 Rは L i、 N a , Κ：、 Rb、 C s、 C u、 A g のうちの中から選ばれたもの、 Dは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C r、 N i のうちの中から選ばれたものとする。 なお、 Rの C uと Dの C rについては、 別 の実験により上記 DOまたは R2Oとして使用可能であることが確認されている。 なお、 R20成分を含まない N o .4 については、 表 1 中の誘電体層のガラス組 成を基準として、 P205が 20〜30w t %、 Z n Oが 30〜40w t %、 B2O3力 30 〜45w t %、 S i 02が l〜10w t %のガラス組成の範囲で若干変化させても同様 の性能が得られるものと推測される。
次に、 表 2に示す実施例の Z n O- P2O5系ガラス （N o.9〜14) の組成でも、 誘電率 £の値が 6.0台以下 （ ε =5.8〜6.5) にまで低減され、 良好な結果が得ら れることが分かった。 これらの実施例 Ν 0.9〜14によれば、 そのガラス組成範囲 は、 Ρ2Ο5が 42〜50w t %、 Z n Oが 35〜50w t %、 A 1203が 7〜 14w t %、 Na2Oが 5w t %を上限として含まれるものが望ましいと考えられる。
さらに、 表 3に示す実施例の Z η θ系ガラス （Νο.15〜22) の組成でも、 誘電 率 εの値が 6.0台 （ε =6.4〜6.8) にまで抑えられ、 良好な結果が得られること が分かった。 これらの実施例 Ν 0.15〜22 によれば、 そのガラス組成範囲は、 Ζ η Οが 20〜44w t %、 B2O3が 38〜55w t %、 S i O2が 5〜12w t %で含まれ、 さらに、 R20および MOがそれぞれ 10w t %を上限として含まれるものが望ま しい。 但し、 Rは L i、 Na、 K、 Rb、 C s、 C u、 Agのうちの中から選ば れたもの、 Mは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C rのうちの中から選ばれたも のとする。 ここで、 Mの C oと C rについては当表中に書かれていないが、 別の 実験により上記 MOとして使用可能であることが確認されている。
なお、 R20成分を含まない N o .20については、 表 3中の誘電体層のガラス組 成を基準として、 Z n Oが 30〜45w t %、 B2〇3が 40〜60w t %、 5 102カ 1 〜15w t %のガラス組成の範囲で若干変化させても同様の性能が得られるものと 推測される。
さらに、 表 4に示す実施例の Z n〇系ガラス （N o.23〜30) の組成でも、 誘電 率 εの値が 6.0台 （ε =6.3〜6.4) にまで抑えられ、 良好な結果が得られること が分かった。 これらの実施例 Ν 0.23〜30 によれば、 そのガラス組成範囲は、 Ζ η 0が 20〜43w t %、 B203が 38〜55w t %、 S i O2が 5〜 12w t %、 A 1203 が ！〜 10%で含まれ、 さらに、 R20および M〇がそれぞれ 10 w t %を上限として 含まれるものが望ましい。 但し、 Rは L i、 N a、 K、 Rb、 C s、 C u、 A g のうちの中から選ばれたもの、 Mは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C rのうち の中から選ばれたものとする。 ここで、 Mの C oについては当表中に書かれてい ないが、 別の実験により上記 MOとして使用可能であることが確認されている。 なお、 R2〇成分を含まない N 0.29については、 表 4中の誘電体層のガラス組 成を基準として、 Z n Oが 30〜45w t %、 B2〇3が 40〜55w t %、 ≤ 1 02カ 1 〜10w t %、 A 1203が l〜10w t %、 C a〇が ！〜 5w t %のガラス組成の範囲 で若干変化させても同様の性能が得られるものと推測される。
さらに、 表 5に示す実施例の Z n〇系ガラス （N 0.31〜38) の組成でも、 誘電 率 εの値が 6.0台 （£ =6.4〜6.7) にまで抑えられ、 良好な結果が得られること が分かった。 これらの実施例 Ν 0.31〜38 によれば、 そのガラス組成範囲は、 Ζ η 0が l〜15w t %、 B203が 20〜40w t %、 S i O2が 10〜30w t %、 A 12O3 が 5〜25w t %、 L i 20が 3〜10w t %、 MOが 2〜 15w t %の組成のものが望 ましい。 但し、 Mは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C rのうちの中から選ばれ たものとする。 ここで、 Mの C oと C rについては当表中に書かれていないが、 別の実験により上記 MOとして使用可能であることが確認されている。
さらに、 表 6に示す実施例の Z n〇系ガラス （N o.39〜44) の組成でも、 誘電 率 £の値が 6.0台 （ε =6.3〜6.8) にまで抑えられ、 良好な結果が得られること が分かった。 これらの実施例 N o .39〜44 によれば、 そのガラス組成範囲は、 Z n Oが 35〜60w t %、 B2O3が 25〜45w t %、 S i O2が 1〜 10.5w t %、 A 12 03が l〜10w t %で含まれ、 さらに Na2Oが 5w t %を上限として含まれる組成 のものが望ましい。
なお、 R2〇 （ここでは Na2〇） 成分を含まない N o .43については、 表 6中の 誘電体層のガラス組成を基準として、 Z nO力 40〜60w t %、 B2〇3が 35〜45 w t %、 S i O2が l〜10w t %、 A 12O3が 〗〜10w t %のガラス組成の範囲で 若干変化させても同様の性能が得られるものと推測される。
さらに、 表 7に示す実施例の Z n〇系ガラス （N 0.45〜50) の組成でも、 誘電 率 εの値が 6.0台 （ε =6.4〜6.5) にまで抑えられ、 良好な結果が得られること が分かった。 これらの実施例 Ν ο .45〜50 によれば、 そのガラス組成範囲は、 Ζ η Οが 35〜60w t %、 B2〇3が 25〜45w t %、 S i O2が 1〜 12w t %、 A 12〇3 が l〜10w t %で含まれ、 さらに K2〇が 5w t %を上限として含まれる組成のも のが望ましい。
なお、 R2O (ここでは K2〇） 成分を含まない Ν 0.47については、 表 7中の誘 電体層のガラス組成を基準として、 Ζ η Οが 30〜60w t %、 B203が 30〜50w t %、 S i O2が l〜10w t %、 A 12O3が l〜10w t %のガラス組成の範囲で若干変化 させても同様の性能が得られるものと推測される。
次に、 表 8に示す実施例の Z n O- N b2O5系ガラス （N o.51〜54) の組成で も、 誘電率 £の値が 6.0台 （ε =6.5〜6.8) にまで抑えられ、 良好な結果が得ら れることが分かった。 これらの実施例 Ν 0.51〜54 によれば、 そのガラス組成範 囲は、 N b2O5が 9〜19w t %、 Z n Oが 35〜60w t %、 B2O3が 20〜38w t %、 S i O2が l〜10.5w t %、 L i 2Oが 5w t %を上限として含まれる組成のものが 望ましい。
なお、 R2O (ここでは L i 2O) 成分を含まない N o .51については、 表 8中の 誘電体層のガラス組成を基準として、 N b2O5が 9〜20w t %、 20〇が 35〜60 w t %、 B2O3が 25〜40w t %、 S i 02が l〜10w t %のガラス組成の範囲で若 干変化させても同様の性能が得られるものと推測される。
以上のように、実施例 No. l〜54のどれもが誘電率 £の値が 6.0台かそれ以下 の数値であって、 表 11 および表 12に示す比較例 N o .61〜64、 68〜75の誘電率 ε (11〜12台） に比べて半分程度 （6.0台） までに低減されている。 なお、 比較 例 Ν 0.65〜67については誘電率 εが 6.4〜6.7と実施例並に低く抑えられている が、 これら比較例 Ν ο .65〜67 の性能は後述するように損失係数 t a n Sや黄変 などの特性で実施例の性能に及んでいない。
さらに、 実施の形態 2の誘電体層 （二層構造の誘電体層） の構成に相当する実 施例 Ν ο .55〜60では、 第一誘電体層に P b 0系ガラス （N o .55〜57) またはス パッタ リ ングにより形成した S i 02系ガラス （N o .58)、 A 12Ο3系ガラス （N o .59), Z n〇系ガラス （N o .60) を用い、 第二誘電体層に Z n O系ガラス （N 0 ,55、 57〜60) または P 205- Z n O系ガラス （N o .56) を用いた構成としてい る。 これらの構成によっても、 前記した実施例 N 0.1〜54と同様に、 全体的な誘 電率 εが 7以下に低く抑えられている。
5-2.パネル輝度およびパネル消費電力について
表 14〜25 に示す結果から、 実施例 Ν 0.1〜60では、 総じてパネル輝度に関し て比較例 Ν ο .61〜75 とほぼ同等の性能を保ちながらも、 その消費電力が当該比 較例よりも大幅に （比較例の 830〜 1000W台に比べて 450〜550W台にまで） 低減 されることがわかつた。
一方、 電力損失 wと比例する £ ■ t a η ό (数 3式を参照のこと） の値に関し ては、 比較例の 0.140〜0.750 台の値の範囲に対して、 R20を誘電体層の組成に 含まない実施例 N o .4、 20、 29、 43、 47、 51 も合わせた実施例 N o .！〜 60の全体 で、 最高値でも 0.12以下にまで低減されている。 このことから、 実施例の P D P が省電力性に優れ、 良好な発光効率が得られることが分かる。 また、 本発明の誘 電体層のガラス組成を決定する際には、上記実施例 N o .1-60の全体的な測定結 果から、 £ · t a η δが 0.12以下の値となるものを選ぶことが一つの基準にでき ると思われる。
また、 このようなガラス組成によって、 実施例 Ν ο .1〜60は耐電圧も最大で比 較例のほぼ 1.5倍程度までに改善され、 耐久性の面でも優れていることが分かつ た。
5 - 3.誘電体層の透明度 （着色状態） について 実施例 N o .1〜60で挙げたすベてのガラス組成においては、 表 14〜22に示すよ うに、肉眼での観察によっても比較例 N 0.61〜 67や N o.72〜75のように黄変が 観察されることなく良好な透明度が維持されることが確認できた。 このおかげで 前記パネル輝度のおける優れた性能が発揮されたとも思われる。 なお、 比較例 N o.68~71 については黄変は見られなかったものの、 前述の通り誘電率 £が 10.5 〜11.0と実施例に対してかなり高い数値を示している。
誘電体層の黄変は既に述べたように、 主としてバスライ ンの Agもしくは C u 成分のコロイ ド粒子が可視光を反射するために起こるとされているが、 実施例の 誘電体層ではこのコロイ ド粒子の発生が抑えられ、 透明度が維持されている。 こ れは当該ガラス層の組成中の R20成分を 10w t %以下の範囲にとどめることに よって、 前述した A gもしくは C uイオンの還元反応を抑える働きを付与した結 果、 得られたものである。 これを言い換えれば、 本実施例の誘電体層中の組成は Z nOを含み （またはさらに P2〇5を含み）、 R2〇を 10w t %の上限で含んで誘 電率 £が 7以下の値をとるものを選択するのが望ましいと思われる。 しかし、 表 記した実施例のうちにはこの R20を全く含まないもの （例えば N o .4、 20 等） でも良好な誘電率値を呈するものがあるため、必ずしも R2〇が誘電体層中に含ま れることが絶対条件であるというわけではない。
なお、 比較例 N o.65〜67 のデータに示されるように、 Z nO系ガラスもしく は Z n 0- P2〇5系ガラスで R2O (例えば N a2〇） を 10w t %よりも多く添加す ると黄変が観察された （ここで、 比較例 N 0.67は特開平 8 - 77930号公報に開示 されているものに基づく P D Pである）。 これらの黄変は、他の比較例よりも強い 程度に観察された。
6.その他の事項
上記実施の形態および実施例では VGA方式の P D Pを作製する例について示 したが、 当然ながら本発明はこれに限定するものではなく、 別の規格の P DPに 適用してもよい。
また PD Pの放電ガスは N e-X e系に限らず、これ以外の放電ガスであっても 同様の効果を奏する。 産業上の利用可能性
以上の本発明のプラズマディ スプレイパネルは、 省電性に優れるように構成さ れているため、 従来は比較的消費電力が大きいとされていた大画面のハイビジョ ンテレビなどに利用することが可能である。

Claims

請求の範囲
1.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 Agまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディ スプレイパネルで あって、
前記誘電体層は、 少なく とも Z nOと、 10w t %以下の R2〇を含み、 かつ P b 〇および B i 2O3を含まない組成のガラスからなり、 その誘電率 £ とその損失係 数 t a n <5の積が 0.12 以下の値であることを特徴とするプラズマディ スプレイ パネル。
但し、 Rは L i、 Na、 K、 Rb、 C s、 C u、 Agから選ばれたものとする。
2.
前記誘電体層は、 その誘電率 £が 7以下であることを特徴とする請求の範囲 1 に記載するプラズマディ スプレイパネル。
3.
前記誘電体層は、 P2〇5が 10〜25w t %、 Z n Oが 20〜35w t %、 B2〇3力 30 〜40w t %、 S i 〇2力 5〜12w t %で含まれ、 さらに、 R2Oおよび DOがそれ ぞれ 10w t %を上限として含まれている Z n〇- P205系ガラスからなり、 その 誘電率 £が 7以下であることを特徴とする請求の範囲 1に記載するプラズマディ スプレイパネル。
但し、 Dは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C r、 N iのうちから選ばれたも のとする。
4.
前記誘電体層は、 P2O5が 42〜50w t %、 Z n Oが 35〜50w t %、 A 1203が 7〜14w t %、 Na2〇が 5w t %を上限として含まれている Z nO- P205系ガラス からなり、 その誘電率 εが 7以下であることを特徴とする請求の範囲 1に記載す るプラズマディスプレイパネル。
5.
前記誘電体層は、 Z n 0が 20〜44w t %、 B2O3が 38〜55w t %、 S i O2が 5 〜12w t %で含まれ、 さらに、 R2Oおよび MOがそれぞれ 10w t %を上限とし て含まれている Z n O系ガラスからなり、 その誘電率 εが 7以下であることを特 徴とする請求の範囲 1 に記載するプラズマディスプレイパネル。
但し、 Rは L i、 N a、 K、 R b、 C s、 C u、 A gから選ばれたもの、 Mは Mg、 C a , B a、 S r、 C o、 C rのうちから選ばれたものとする。
6.
前記誘電体層は、 Z n〇が 20〜43w t %、 B2O3が 38〜55w t %、 S i O2力 5 〜12w t %、 A 12〇3が 1〜10%で含まれ、 さらに、 R2Oおよび MOがそれぞれ 10w t %を上限として含まれている Z n〇系ガラスからなり、 その誘電率 £が 7 以下であることを特徴とする請求の範囲 1 に記載するプラズマディスプレイパネ ル。
但し、 Rは L i、 N a、 K、 R b、 C s、 C u、 A gから選ばれたもの、 Mは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C rから選ばれたものとする。
7.
前記誘電体層は、 Z n〇が l〜15w t %、 B203が 20〜40w t %、 S i 02が 10 〜30w t %、 A 1203が 5〜25w t %、 L i 2Oが 3〜 lOw t %、 MOが 2〜 15w t % の組成を有する Z n 0系ガラスからなり、 その誘電率 εが 7以下であることを特 徴とする請求の範囲 1 に記載するプラズマディスプレイパネル。
但し、 Μは Mg、 C a、 B a、 S r、 C o、 C rから選ばれたものとする。
8.
前記誘電体層は、 Z n 0が 35〜60w t %、 B2O3が 25〜45w t %、 S i O2が 1 〜10.5w t %、 A 1203が l〜10w t %で含まれ、 さらに Na2〇が 5w t %を上限 として含まれている Z n〇系ガラスからなり、 その誘電率 £が 7以下であること を特徴とする請求の範囲 1 に記載するプラズマディスプレイパネル。
9.
前記誘電体層は、 Z n 0が 35〜60w t %、 B2O3が 25〜45w t %、 S i O2が 1 〜12w t %、 A 1203が l〜10w t %で含まれ、 さらに K2Oが 5w t %を上限と して含まれている Z nO系ガラスからなり、 その誘電率 £が 7以下であることを 特徴とする請求の範囲 1に記載するプラズマディスプレイパネル。
10.
前記誘電体層は、 N b205が 9〜19w t %、 Z nOが 35〜60w t %、 B2O3が 20〜38w t %、 S i O2が l~10.5w t %、 L i 2Oが 5w t %を上限として含まれ ている Z ηθ- Nb2O5系ガラスからなり、その誘電率 εが 7以下であることを特 徴とする請求の範囲 1に記載するプラズマディスプレイパネル。
11.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 Agまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルで あって、
前記誘電体層は、 P2O5が 20〜30w t %、 Z n Oが 30〜40w t %、 B2O3力 30 〜45w t %、 S i O2が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 £ とそ の損失係数 t a η δの積が 0.12 以下の値であることを特徴とするプラズマディ スプレイパネル。
12.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 Agまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルで あつ" "し
前記誘電体層は、 Z n Oが 30〜45w t %、 B2O3が 40〜60w t %、 S i 02が 1 〜 w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 εとその損失係数 t a n (5の積 が 0.12以下の値であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
13.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 Agまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルで めつ C、
前記誘電体層は、 Z n 0が 30〜45w t %、 B 2O 3が 40〜55w t %、 S i O 2が 1 〜10w t %、 A 1 2O 3が l〜10w t %、 C a Oが l〜5w t %の組成のガラスから なり、その誘電率 εとその損失係数 t a η <5の積が 0. 12以下の値であることを特 徴とするプラズマディスプレイパネル。
14.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマデイスプレイパネルで あっ 、
前記誘電体層は、 Z n〇が 40〜60w t %、 B 2O 3が 35〜45w t %、 S i O 2が 1 〜10w t %、 A l 2O 3が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 ε と その損失係数 t a η δの積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマデ ィスプレイパネル。
15.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルで めつ こ、
前記誘電体層は、 Z n Oが 30〜60w t %、 B 2O 3が 30〜50w t %、 S i O 2が 1 〜10w t %、 A 1 203が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 £ と その損失係数 t a η δの積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマデ ィスプレイパネル。
16.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルで あって、
前記誘電体層は、 N b 2〇5が 9〜20w t %、 Z n Oが 35〜60w t %、 B 2O 3が 25~40w t %、 S i 02が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 ε と その損失係数 t a η δの積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマデ ィスプレイパネル。
17.
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gまたは C uからなる複数対 の表示電極が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆 うようにして誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルで あって、
前記誘電体層は、
S i 〇2、 A 1 2O 3、 Z n Oのいずれかの薄膜、 または P b Oと B i 2〇3のいず れかを含む組成のガラスからなり、 前記複数対の表示電極を覆うように形成され た第一誘電体層と、
誘電率 ε と損失係数 t a η 0の積が 0. 12 以下の値である組成のガラスからな り、 前記第一誘電体層の上に被覆された第二誘電体層と
から構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
18.
前記第二誘電体層は、 少なく とも Ζ η Οと、 10w t %以下の R 2Oを含み、 かつ P b〇および B i 2 O 3を含まない組成のガラスからなることを特徴とするプラズ マディスプレイパネル。
但し、 Rは L i、 N a、 K、 R b、 C s、 C u、 A gから選ばれたものとする。 R 2Oが 10w t %を上限として含まれていることを特徴とする請求の範囲 17に記 載するプラズマディスプレイパネル。
19. 前記誘電体層のトータルの厚みは 40 m以下であって、前記第一誘電体層の厚 みは前記トータルの厚みの半分以下であることを特徴とする請求の範囲 1 7 に記 載するプラズマディスプレイパネル。
補正書の請求の範囲
[2000年 10月 9日 （09. 10. 00 ) 国際事務局受理：出願当初の請求の 範囲 1、 1 1一 1 7は補正された；他の請求の範囲は変更なし。 （4頁）]
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、 前記誘電体層は、 少なく とも Z n Oと、 10w t %以下の R2〇を含み、 かつ P b Oおよび B i 203を含まない組成のガラスからなり、 その誘電率 £ とその損失係 数 t a η δの積が 0.12 以下の値であることを特徴とするプラズマディスプレイ 木ノレ。
但し、 Rは L i 、 N a、 K、 R b、 C s、 C u、 A gから選ばれたものとする。
2.
前記誘電体層は、 その誘電率 £ が 7以下であることを特徴とする請求の範囲 1 に記载するプラズマディスプレイパネル。
3.
前記誘電体層は、 P 205が 10〜25w t %、 Z n Oが 20〜35w t %、 B 203が 30 〜40w t %、 S i 〇2力； 5〜12w t %で含まれ、 さらに、 R2〇および DOがそれ ぞれ 10w t %を上限と して含まれている Z n O- P2〇5系ガラスからなり、 その 誘電率 E が 7以下であることを特徴とする請求の範囲 1に記载するプラズマディ スプレイパネル。
但し、 Dは M g、 C a、 B a 、 S r 、 C o、 C r 、 N iのうちから選ばれたも のとする。
4.
前記誘電体層は、 P2〇5が 42〜50w t %、 Z n Oが 35〜50w t %、 A 1203が 7〜14w t %、 Na2〇が 5w t %を上限として含まれている Z n O- P2〇5系ガラス からなり、 その誘電率 £ が 7以下であることを特徴とする請求の範囲 1に記載す るプラズマディスプレイパネル。
56
補正された用紙 （条約第 19条） して含まれている Z η θ系ガラスからなり、 その誘電率 εが 7以下であることを 特徴とする請求の範囲 1に記載するプラズマディスプレイパネル。
10.
前記誘電体層は、 N b 2O sが 9〜19w t %、 Z n Oが 35〜60w t %、 B 203が 20〜38w t %、 S i 02が 1〜10. 5w t %、 L i 20が 5w t %を上限として含まれ ている Z n O - N b 205系ガラスからなり、その誘電率 εが 7以下であることを特 徴とする請求の範囲 1に記載するプラズマディスプレイパネル。
11. (補正後）
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレー トの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、 前記誘電体層は、 P 2O sが 20〜30w t %、 Z n Oが 30〜40 w t %、 B 203が 30 〜45w t %、 S i O 2が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 f とそ の損失係数 t a n Sの積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマディ スプレイパネノレ。
12. (補正後）
対向して設けられた第一プレートと第二プレー トの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、 前記誘電体層は、 Z n Oが 30〜45w t %、 B 203が 40〜60 w t %、 S 1 02カ 1 〜15w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 £ とその損失係数 t a n Sの積 が 0. 12以下の値であることを特徵とするプラズマディスプレイパネル。
13. (捕正後）
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、
57
補正された用紙 （条約第 19条） 前記誘電体層は、 Z n Oが 30〜45w t %、 B 203が 40〜55w t %、 S i 02が 1 〜10w t %、 A 1 203が l〜10w t %、 C a Oが l〜5w t %の組成のガラスから なり、その誘電率 εとその損失係数 t a η δの積が 0. 12以下の値であることを特 徴とするプラズマディスプレイパネル。
14. (補正後）
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、 前記誘電体層は、 Z n Oが 40〜60w t %、 B 203が 35〜45w t %、 S i O 2が 1 ~ 10w t %、 A 1 203が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 ε と その損失係数 t a η <5の積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマデ イスプレイパネル。
15. (補正後）
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、 前記誘電体層は、 Z n Oが 30〜60w t %、 B 203が 30〜50w t %、 S i 02が 1 〜10w t %、 A 1 203が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 £ と その損失係数 t a η δの積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマデ イスプレイパネル。
16. (補正後）
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、 前記誘電体層は、 N b 205が 9〜20w t %、 Z n Oが 35〜60w t %、 B 203が 25〜40w t %、 S i 02が l〜10w t %の組成のガラスからなり、 その誘電率 £と
58
補正された用紙 （条約第 19条） その損失係数 t a η δの積が 0. 12 以下の値であることを特徴とするプラズマデ イスプレイパネル。
17. (補正後）
対向して設けられた第一プレートと第二プレートの間に、放電ガスが封入され、 第二プレートに対向する第一プレート表面には、 A gからなる複数対の表示電極 が形成され、 当該第一プレートの表面に、 前記複数対の表示電極を覆うようにし て誘電体層が被覆された構成を有するプラズマディスプレイパネルであって、 前記誘電体層は、
S i 02、 A 1 203、 Z n Oのいずれかの薄膜、 または P b 0と B i 203のいず れかを含む組成のガラスからなり、 前記複数対の表示電極を覆うように形成され た第一誘電体層と、
誘電率 ε と損失係数 t a η δの積が 0. 12 以下の値である組成のガラスからな り、 前記第一誘電体層の上に被覆された第二誘電体層と
から構成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
18.
前記第二誘電体層は、 少なくとも Ζ η Οと、 10w t %以下の R 2Oを含み、 かつ P b Oおよび B i 2O 3を含まない組成のガラスからなることを特徴とするブラズ マディスプレイパネル。
但し、 Rは L i、 N a、 K：、 R b、 C s、 C u、 A gから選ばれたものとする。
R 20が 10w t %を上限として含まれていることを特徴とする請求の範囲 17に記 載するプラズマディスプレイパネル。
19.
前記誘電体層のトータルの厚みは 40 m以下であって、前記第一誘電体層の厚 みは前記トータルの厚みの半分以下であることを特徴とする請求の範囲 17 に記 載するプラズマディスプレイパネル。
59
補正された用紙 （条約第 19条）
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