WO1999035644A1

WO1999035644A1 - Procede et dispositif de reproduction magneto-optique

Info

Publication number: WO1999035644A1
Application number: PCT/JP1999/000065
Authority: WO
Inventors: Katsusuke Shimazaki; Hitoshi Watanabe; Hiroyuki Awano; Masahumi Yoshihiro; Norio Ohta
Original assignee: Hitachi Maxell, Ltd.
Priority date: 1998-01-12
Filing date: 1999-01-12
Publication date: 1999-07-15
Also published as: US6628574B1; AU1785399A

Description

明細書

、光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置技術分野

本発明は、光磁気記録媒体に形成された微小磁区を高分解能且つ高 S / N比で検出することができる光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置に関し、より詳細には、光磁気記録媒体に記録された微小磁区から磁化情報を再生する際に、再生用レーザスポッ卜内に存在する複数の微小磁区を個別に且つ拡大して再生することができる光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置に関する。背景技術

情報量の増大と装置のコンパク卜化に伴い、より高密度な記録及び再生が可能な技術が要望されている。光磁気ディスク等の光磁気記録媒体は情報の書換えが可能であり大記録容量を持つ光メモリとして知られている。光磁気記録媒体に情報を記録するには、レーザ一光を光磁気記録媒体に照射しながら、記録信号に応じた極性の磁界を昇温した部分に印加する磁界変調法が用いられている。この方法は、才—バーライ卜記録が可能であり、しかも、高密度な記録、例えば、 0 . 1 5 Ai mの最短マーク長での記録が達成されている。また、一定の印加磁界の下で記録信号に応じてパワー変調した光を照射して記録する光変調記録方式も実用化されている。しかしながら、かかる記録方式を用いて微小磁区を形成したとしても、再生時に以下のような問題がある。

( 1 ) 再生光のスポッ卜 ί圣が記録磁区（記録マーク）のサイズに比べて大きすぎるため、再生光スポッ卜内に存在する複数の磁区を別個に検出することができない。すなわち、再生分解能が足らないため、個々の記録磁区の再生ができない。

( 2 ) 各記録磁区の面積が小さいため、再生信号出力が小さい。このため、再生信号の S / Nが低い。前記（ 1 )の問題を解決する為の一つの方法として、例えば、 Journal of Magnetic Society of Japan. Vol .17 Supplement No. Sl、 pp. 2 0 1 ( 1993)において磁気超解像 ( M S R ) 技術が提案されている。磁気超解像に用いられる光磁気記録媒体は、通常、磁気超解像用再生層、交換力制御層、情報記録層で構成されており、再生時には再生光スポッ卜内に微小磁区が含まれている場合、再生層の温度分布を利用して一方の磁区をマスクすることによって他方の磁区を個別に再生することが可能となる。このように磁気超解像技術では光スポット怪の実効的視野を狭めることで、再生分解能を向上させている。しかしながら、磁気超解像技術を用いても各磁区からの再生信号強度は変わらないため、前記（2 ) の問題は解決できない。また、高密度で記録された記録ドメインを再生するための再生装置も考案されている。この例として、光路中に遮光物を挿入して光学的超解像によりレーザー光の回折限界を超える集光スポッ卜を得る光学旳超解像技術がある。この技術は l"Yamanaka et al. , "High Density Optical Recording by Super Resolution", Jan. J. Appl. Phys. , 28、 Supplement 28-3, 1989， pp.197- 200」に詳細に議論されている。この技術においても、光磁気記録媒体に再生光が照射された時に再生光スポッ卜内部の磁性膜に温度分布が生じることを利用して、スポッ卜内に磁気的マスクを発生させ、信号の再生に寄与する実効的なスポッ卜 ί圣を縮小させている。本発明者等は基板上に再生層と記錄層とを有し、再生時に記録層の磁区を再生層に転写するとともに再生磁界を印加することによって再生層に転写された磁区を拡大して再生することができる光磁気記録媒体を特開平 8— 7 3 5 0号公報で開示した。再生磁界として交番磁界を用い、磁区を拡大する方向の磁界と逆方向の磁界を交互に印加することによって各磁区で磁区の拡大及び縮小を行わせる。この光磁気記録媒体を用いると前記（ 2 ) の問題を解決し、磁区の再生信号を増幅することが可能となる。しかしながら、再生層の磁区を拡大させるための再生磁界の制御は容易ではなく、さらなる改良が必要である。交換結合力により磁区の転写を行う場合には、磁区が転写される再生層での磁区拡大は記録層の磁区の大きさで制限を受けることになる。即ち、再生層の記録層側の部分では記録層の磁区より拡大することはできず、記録層から離れるに伴って磁区が大きくなる。従って、再生しようとしている記録層の磁区の直上の再生層では深さ方向に全て記録層の磁化と同じ方向となるが、再生しようとしている磁区から面内方向にずれた領域では、深さ方向に記録層の磁化と同じ方向の磁区の部分と違う方向の磁区の部分とが混在し易くなるという問題もある。さらに、本発明者等は、特開平 8— 7 3 5 0号公報に開示した技術をさらに発展させた光磁気記録媒体及び再生方法を、本出願の優先日後に公開された W O 9 8 / 0 2 8 7 7号及び W O 9 8 / 0 2 8 7 8号で開示している。これらの国際公開に開示された再生方法では、再生時に印加する交番磁界を有効に制御して磁区拡大再生層に転写された磁区の拡大及び縮小を確実に行わせている。本発明者等は、また、国際公開 W O 9 7 / 2 2 9 6 9において、光磁気記録膜と、臨界温度を超えると面内磁化から垂直磁化に転移する磁性材料で構成された第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜と備える光磁気記録媒体に、 2種類のパワーに変調した再生光を照射することにより情報を再生する再生方法を開示している ₍ この方法において、一方のパワーの再生光で光磁気記録膜の記録磁区を第 2補助磁性膜に転写させ且つ転写された磁区を拡大させることによって、増大された再生信号強度で情報を再生することに成功している。しかしながら、 W 0 9 7 / 2 2 9 6 9には、本発明に従う再生装置の構成は開示されていない。また、本発明に従う再生方法のように交番磁界を印加しつつ再生光パワーを変調することは開示されていない。特開平 6— 2 9 5 4 7 9号は、室温において面内磁化膜であり昇温すると垂直磁化膜となる磁性層であって、その転移温度が光入射側から膜厚方向に連続的に若しくは段階的に高温となる第 1磁性層と、垂直磁化膜からなる第 2磁性層（言己錄層）とを有する光磁気記録媒体を開示している。この光磁気記録媒体の第 1磁性層は、再生層、第 1中間層及び第 2中間層から構成され、面内磁化から垂直磁化に転移する温度が再生層、第 1中間層及び第 2中間層の順に高くなるように設定されているため、情報再生時には、再生光スポッ卜内の温度分布と各層の転移温度との関係により、記録層の磁区が拡大して再生層に転写される。しかしながら、この公報では、光磁気記録媒体の再生時に、再生光パワーは変調されていない o 光磁気記録媒体を再生するための従来の記録再生装置に用いられるへッド機構の一例を図 7 2に示す。光へッド 7 0 2及び磁気へッド 7 0 3は、記録ディスク 7 0 1を挟んでその両側に対向して配置されている。光へッド 7 0 2及び磁気へッド 7 0 3は、それぞれ、比較的大型で重いため、それらは支持体 7 0 7及び結合部 7 1 1に支えられている。駆動モータ一 7 0 6のスクリュー回転軸 7 0 4の回転によって光へッド 7 0 2及び結合部 7 1 1 に取り付けられた係合部 7 0 5がスクリユー回転軸 7 0 4上を移動し、それにより、光へッド 7◦ 2及び磁気へッド 7 0 3は、記録ディスク 7 0 1上の所望の位置に移動することができ、そこで情報の記録及び再生が行われる。この方式では再生装置が大きく、重量化し、デイスク記録媒体及び再生装置に求められている小形、軽量、大容量化、記録再生消去アクセスの高速化等に応えることができないという欠点がある。一方、光へッド及び磁気へッドを一体化して記録再生装置の小形化に応えようとする技術として、図 7 3に示す光磁気ヘッド機構 2 0が知られている。この機構 2 0は、光学へッド系 7 1 2の対物レンズ 7 1 0の駆動装置 7 1 3と、磁気へッドコイル 7 2 1が配置される磁気へッドスライダー 7 1 4とが一体的に組み合わされている。すなわち、記録媒体 7 2 6の一方の側に、光学へッド系 7 1 2と磁気へッドコイル 7 2 1が設けられている。磁気へッドスライダー 7 1 4には、光へッドから照射するレーザビーム 7 0 9の収束光 7 3 8が透過する穴 7 4 3が形成されている。この種の光磁気へッド用いる記録再生装置では、容積がかなり小さ〈はなるが、記録再生装置に求められている小形、軽量、大容量化、記録再生消去アクセスの高速化等に応えるには十分でない。これに対して、へッドをァームの先端に取り付け、アームの支点をディスク記録媒体の近傍に設定して、このアームをディスク記録媒体面に平行にスイングさせることによって、ディスク記録媒体の情報の記録再生消去を行う方式が知られている。光へッドをスィングアームで、或いはリニア ·モーターでディスク記録媒体面に平行に移動させる駆動方式は、特開平 5— 5 4 4 5 7に提案されている。例えば、光へッドをスィングアームで駆動させる方式は特開平 8— 7 3 0 9、特開平 3— 2 0 3 8 4 8に提案されている。また、磁気へッドにレーザ光反射面を形成した構成が特開平 3— 2 8 0 2 3 3に提案されている。しかしながら、これらの記録再生装置は、従来の光磁気記録媒体には対応するものの、特開平 8— 7 3 5 0号や W O 9 7 / 2 2 9 6 9に開示されたような高密度記録された記録媒体から増大された信号強度で情報を再生する方法及びそれに用いられる光記録磁気媒体に適合することはできない。すなわち、記録再生装置は、近年要望されている小 ί圣化、軽量化、高密度化、高記録容量化、記録再生消去の高速化された光磁気記録媒体に適合した装置として開発される必要がある。さらに、高速化のためには、光磁気ディスクにアクセスする記録再生へッドの可動方向を、光磁気ディスクの記録平面に平行な動きを主にして、光磁気ディスクの記録平面に垂直方向の動きをできるだけ小さ〈する必要がある。光磁気デイスクの記録平面に垂直方向の容量を低減することも小型化のために望まれる。さらに、記録再生へッドのディスクへのアクセスを一層迅速にするために、アクセス、移動の動きの軽快なへッド機構を使う必要がある。また、記録再生へッドと光磁気ディスクとの衝突等によるへッド · クラッシュが起こらないように制御する必要もある。発明の開示

本発明の目的は、 W 0 9 7 / 2 2 9 6 9などに開示されたような情報記録層の記録磁区を再生層に転写及び拡大して再生する夕ィプの光磁気記録媒体の再生に好適な再生方法及び再生装置を提供することにある。特に、再生磁界及び再生光による磁区の拡大及び縮小の制御が容易である光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、上述した問題（ 1 )及び（ 2 ) を同時に解決し、記録した微小磁区を高分解能で且つ高感度で得ることができる光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置を提供することにある。本発明のさらなる目的は、微小磁区が記録された光磁気記録媒体を、充分な C / Νで再生信号を得ることができる再生方法及び再生装置を提供することである。

本発明に従えば、情報記録層と再生層とを有する光磁気記録媒体を再生するための装置であって、

上記光磁気記録媒体に再生用磁界を印加する磁気へッドと；

上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと；

スィング軸の回りに旋回可能なスィングアームであって、その一端に上記光へヅドを支持するスィングアームと；

再生クロックを発生させるためのクロック発生装置と；

再生クロックに基づいて少なくとも 2種類の光パワー P rl 及び P r2 にパワー変調された再生光を照射するように光へッドを制御する光へッド制御装置と；を

VSえ、

ここに、上記光パワー P rl 及び P r2 の一方のパワーの光により情報記録層の磁区を再生層に転写し且つ転写された磁区を拡大させ、再生層における拡大した磁区から情報を再生する再生装置が提供される。光へッド制御装置は、例えば、レーザ駆動回路に制御信号を送る再生パルス幅及び位相調整回路（ R Ρ— Ρ Ρ Α ) にし得る。再生装置は、再生クロックに基づいて交番磁界を印加するように磁気へッドを制御するための磁気へッド制御装置をさらに備え得る。あるいは、再生装置は、再生クロックに基づいて D C磁界を印加するように磁気へッドを制御するための磁気へッド制御装置をさらに備え得る。磁気へッド制御装置は、例えば、磁気コイル駆動回路を制御する再生パルス幅 ·位相調整回路（R P— P P A ) にし得る。本発明の再生装置を用いることによって、 W 0 9 7 / 2 2 9 6 9に開示された再生方法を実現することができる。本発明の再生装置は、以下に示す第 1〜第 1 0の態様（実施例 1〜1 9 ) に従ういずれかの光磁気記録媒体を再生する際に、それらの光磁気記録媒体の情報記録層に記録された磁区を再生層（磁区拡大再生再生層）に転写し且つ転写された磁区を拡大するのに必要な再生装置である。本発明の再生装置ではスイングアームにより光へッドまたは光磁気へッドを光磁気記録媒体上で移動させることができるため、所定の記録ェリアへのアクセスが容易であり、装置を小型軽量化することができる。さらに、光へッドの対物レンズに固体イマ一ジョンレンズを用いることにより超高密度記録が可能となり、 M A M M 0 S再生及び再生光パワー変調再生と組み合わせることにより、超高密度記録及び再生が実現される。さらに、再生装置は、前記スイングアームの一端に光ヘッドを装着するとともに他端に再生信号検出系を装着し、前記スィング軸がそれらの間に設けることにより、再生装置をさらに小型化し得る。さらに、本発明に従えば、情報記録層と再生層とを有する光磁気記録媒体を再生するための装置であって、

再生クロックを発生させるためのクロック発生装置と；

上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと；

上記光磁気記録媒体に再生用磁界として上記再生クロックに同期した交番磁界を印加する磁気へッドと；

スィング軸の回りに旋回可能なスィングアームであって、その一端に上記光へッドを支持するスイングアームとを備える再生装置が提供される。この再生装置は、交番磁界を印加する磁気へッドを備えるために、 W O 9 8 / 0 2 8 7 7号、 W 0 9 8 / 0 2 8 7 8号、 W 0 9 7 / 2 2 9 6 9等に開示されたような、情報記録層の記録磁区を再生層に転写して転写された磁区を拡大して再生するタイプの高密度光磁気記録媒体の再生に好適である。交番磁界のうち、情報記録層に形成された記録磁区の磁化と同一極性の磁界によつて情報記録層から再生層に転写された磁区を拡大し、該記録磁区の磁化と逆極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することができる。また、本発明の再生装置は、スイングアームを備えるために、所望の領域へのアクセスを速〈することができる。従って、本発明の再生装置は、高密度光磁気記錄媒体の確実且つ迅速な再生が可能となる。一層高密度記録を可能とするために、上記光へッドは対物レンズとしての固体イマ一ジョンレンズを備えることが望ましい。さらに、再生装置を小型化するために、磁気へッドが光へッド内に組み込まれた光磁気へッドを用いることが望ましい。さらに、本発明に従えば、情報記録層と磁区拡大再生層とを備える光磁気記録媒体を再生するための再生方法において、

光磁気記録媒体に、交番磁界を印加しながら、少なくとも 2種類の光パワーにパワー変調された再生光を照射して情報記録層に記録された情報を再生することを特徴とする再生方法が提供される。情報再生時に、光磁気記録媒体に交番磁界を印加するとともに少なくとも 2種類の光パワーにパワー変調された再生光を照射することによって、情報記録層から再生層（磁区拡大再生層）への磁区の転写、拡大及び縮小（消滅）を確実に行わせるための最良の条件設定がこれまで以上に容易になる。 W 0 9 7 / 2 2 9 6 9では、直流磁界を印加しながら、 2種類の光パワーにパワー変調された再生光を照射していたが、直流磁界の代わりに交番磁界を用い、交番磁界の印加タィミングと光変調の変調タィミングを適宜調整して確実に磁区の転写、拡大及び縮小（消滅）させることができる最良の再生条件を容易に見つけ出すことができる。また、交番磁界を用いることによって、拡大磁区の縮小（消減）を一層確実に実行することができる。本発明の再生方法において、再生光がパワー P rl 及び P r2 にパワー変調されており、上記 P rl 及び P r2 の一方のパワーによって前記情報記録層の記録磁区を再生層に転写し且つ転写された磁区を拡大させ得、 P rl 及び P r2 の他方のパヮ一によつて拡大再生層において拡大した磁区を縮小または消滅させ得る。また、再生クロックと同一周期または整数倍の周期で少なくとも 2種類の光パワーにパヮー変調された再生光を照射し得る。また、本発明の再生方法は、下記の第 1 ~ 第 1 0の態様に従う光磁気記録媒体の再生に極めて有用である。以下、第 1〜第 1 0の態様に従う光磁気記録媒体の構造及び再生原理について説明する。第 1の態様に従う光磁気記録媒体は、情報記録層と、該情報記録層から転写された磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大して再生することができる再生層とを基板上に備えた光磁気記録媒体において、上記情報記録層の厚さ hが、上記記録された最小磁区の半径 dに対して h / d〉0 .

5を満たす厚さであることを特徴とする光磁気記録媒体である。すなわち、情報記録層の厚みが h / d > 0 . 5を満たすように構成された本発明の光磁気記録媒体を用いれば、良好な磁区拡大が実現し、再生磁界に対する再生層の磁区の大きさの変化を容易に制御することができる。第 1の態様の光磁気記録媒体において、再生層を補償温度が— 1 0 0〜5 0 °C の範囲内にある希土類遷移金属から構成することができる。これにより情報記録層から再生層に転写した磁区を拡大再生することで、高分解能且つ高 S / Nの光磁気記録媒体が得られる。第 2の態様に従う光磁気記録媒体は、基板上に少なくとも情報記録層を有し、再生光スポッ卜を照射することによって情報を再生する光磁気記録媒体において、上記基板上に磁区拡大再生が行われる磁性層、ゲートとなる磁性層及び情報を記録する磁性層とをこの順に備え、上記ゲ—卜となる磁性層が、再生光スポッ卜を上記光磁気記録媒体に照射したときに、該再生光スポッ卜内に生じるゲ一卜となる磁性層の温度分布に基づいて、上記情報を記録する磁性層に記録され且つ再生光スポッ卜内に存在する複数の磁区のうち一つの磁区だけが該情報記録磁性層から転写される層であり、上記磁区拡大再生が行われる磁性層が、上記ゲートとなる磁性層から転写される磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大することができる層であることを特徴とする光磁気記録媒体であ

第 2の態様の光磁気記録媒体では、再生用スポッ卜径中に含まれる情報記録層の複数の記録磁区のうち一つの記録磁区をゲー卜層の温度分布特性を利用してゲ —卜層に転写させ、ゲート磁性層に転写された磁区を再生層に転写させ、この再生層に転写した一つの磁区を再生磁界で拡大させて検出する。このため、ゲート磁性層で再生分解能を向上させるとともに、磁区拡大再生技術で再生信号強度を増大し、それにより S / Nを向上することができる。最初に、第 2の態様に従う光磁気記録媒体及びその再生方法の原理について図 1〜5を用いて説明する。図 1 ( A ) に、本発明の光磁気記録媒体 1 1に記録用レーザ光 1 3を照射しながら記録磁界 1 5を印加することによって情報を微小磁区として記録する概念図を示す。光磁気記録媒体 1 1は、磁区拡大再生層（再生層） 3、中間層 4、ゲート層 1 6、交換結合力制御層 1 7及び情報記録層 1 8とから構成されている。かかる光磁気記録媒体 1 1への情報の記録は光磁界変調方式を用い、記録信号に応じた極性の磁界を印加しながら記録クロックに同期したレーザパルスを照射することによって行うことができる。記録用レーザ光 1 3に対して光磁気記録媒体 1 1は図中矢印に示した進行方向に移動するために、スポッ卜中心の後方にずれた領域 1 9がより高温に加熱される。加熱により、情報記録層 1 8の領域 1 9の保磁力が低下するため、その冷却過程において記録磁界 1 5の方向に磁化が向いた微小磁区が形成される。なお、この原理説明において、光磁気記録媒体は、例えば、図 2に概念的に示したような光磁気記録再生装置 2 0 0を用いて記録再生が行われるものとする。図 2中、光磁気記録媒体 2 1 0はスピンドルモータ 2 1 7により光へッド 2 1 3とフライング磁気へッド 2 1 5に対して回転移動し、再生時に初期化磁石 2 1 1により初期化磁界が印加される。図 1 ( B ) に示したように、初期化磁界 1 2が光磁気記録媒体 1 1に記録磁界 1 5と反対方向に印加される。ゲート層 1 6の室温での保磁力は初期化磁界よりも小さいために、ゲート層 1 6に記録された磁区は反転して全て初期化磁界 1 2 の方向を向く。これに対して情報記録層 1 8の保磁力はゲート層 1 6の保磁力よりも著しく大きいために情報記録層 1 8の記録磁区 3 1 3 bの磁化はそのままである。ゲート層 1 6と情報記録層 1 8の磁区 3 1 3 bは互いに反平行であるため、その界面は不安定な磁化状態となる。上記のようにゲ—卜層 1 6が初期化された後、光磁気記録媒体 1 1は図 3に示したように再生光の下で再生される。再生時には記録光よりも低いパワーの再生光が照射され、記録光の場合と同様にスポッ卜中心の後方にずれた領域 3 1 4が一層高温に加熱され、高温加熱された領域 3 1 4において、ゲー卜層 1 6の保磁力が下して情報記録層 1 8の磁区 3 1 3 bが交換力制御層 1 7を介して情報記録層 1 8とゲー卜層 1 6との交換結合力によりゲ一卜層 1 6に転写され、さらに磁区拡大再生層 3にも転写される。一方、情報記録層 1 8の別の記録磁区 3 1 3 aは、磁区 3 1 3 aに対応するゲート層 1 6の領域が比較的低温でありその保磁力が低下しないために、ゲート層 1 6に転写されない。従って、光磁気記録媒体 1 1を上方から拡大して見た場合、図 3の下方に示したように、レーザスポッ卜 3 1 1内で高温に達した領域 3 1 5のみが磁気的エネルギーを低下するために情報記録層 1 8の記録磁区 3 1 3 bがゲート層 1 6に記録マーク 3 1 6として現れ、さらにこれが磁区拡大再生層 3に現われる。一方、スポッ卜 3 1 1中の領域 3 1 5以外の領域では、ゲート層 1 6によって磁区 3 1 3の転写が阻止されているために情報記録層 1 8の記録磁区 3 1 3 aは見えないままである。それゆえ、図 3 に示したような原理の下で再生光を照射することでスポッ卜サイズ内に存在する複数の微小磁区のうち一つの微小磁区だけを独立に再生することができる。本発明では、上記のようにしてゲ一ト層 1 6を用いることで絞り込まれた 1つの微小磁区を、磁区拡大再生層 3に転写してさらに再生用レーザスポッ卜内で拡大させることができる。これは、光磁気記録媒体 1 1の磁区拡大再生層 3において行われ、この原理を図 4 ( A ) を用いて説明する。ここで、磁区拡大再生層 3 は、ゲート層 1 6から微小磁区が転写され且つそれを再生磁界によって拡大することができる磁性層である。磁区拡大再生層 3は、再生磁界の印加により磁壁が移動して磁区を拡大することができるように、再生光照射時に再生磁界よりも小さい磁壁抗磁力を有する垂直磁化膜である。図 3に示した再生状態、すなわち、情報記録層 1 8から微小磁区 3 1 3 bがゲート層 1 6及び磁区拡大再生層 3に転写された状態で、拡大再生用磁界 4 1 1 を微小磁区 3 1 3 bの磁化と同一方向に印加すると、磁区拡大再生層 3では磁壁抗磁力が小さし、ために磁壁が磁区を拡大する方向に移動し、拡大磁区 4 1 9を形成する。この結果、図 4 ( A ) の下方に示したように再生スポット 3 1 1内で拡大されたマーク（磁区拡大再生層で拡大された磁区 4 1 9 ) 4 1 3が観測される。このように微小磁区が光磁気記録媒体の表面にて拡大されて現われるので、かかる拡大された磁区からは充分な強度の再生信号が得られる。情報記録層 1 8の拡大磁区 4 1 9が再生された後、図 4 ( B )に示したように、拡大再生磁界 4 1 1 と逆方向に縮小再生磁界 4 1 5を印加すると、磁区拡大再生層 3の拡大磁区 4 1 9は縮小し、縮小再生磁界 4 1 5の磁界の方向と同じ磁化の向きを持つ領域が優勢となる。かかる縮小再生磁界 4 1 5及び拡大再生磁界 4 1 1は交番磁界を用いて印加することができ、交番磁界の周期を記錄クロックと同期させることにより、微小磁区毎に増幅された再生信号を得ることができる。ここで、再生時に印加する拡大再生用磁界の大きさ及びかかる磁界と磁区拡大再生層 3上に現われるマークの大きさの関係について図 5 ( A ) のヒステリシスカーブを用いて説明する。図 5 ( A ) のヒステリシスカーブは、再生時と同じパヮ一の再生光を照射しながら、種々の磁界 Hを光磁気記録媒体に印加した場合において観測される磁区拡大再生層 3のカー回転角 0 k の磁界 Hに対する変化を示す。但し、このヒステリシスカーブは、図 3〜6に示した構造の光磁気記録媒体において、再生光で照射されてその下層の情報記録層の記録磁区が転写された状態の磁区拡大再生層のヒステリシスカーブを示している。情報記録層の記録磁区がすでに転写されているためため、磁界 Hがゼロであっても所定の力—回転角 0 を示す（図中、点 a )。そして、かかる記録磁区の磁化の極性と同一極性の磁界 Hを徐々にかけてゆ〈と、初磁化曲線は立ち上がり、この最初の立ち上がり点を bで示す。初磁化曲線が立ち上がるのは磁界 Hの大きさに応じて磁区拡大再生層 3の磁壁が磁区の中心から外側に移動して磁区が層内で拡大することに相当する

(図 4 ( A ) の磁区 4 1 9 )。そして、初磁化曲線は磁化の飽和により、カー回転角は増加しなくなる。なお、ヒステリシスカーブの初磁化曲線の a、 bを含む各点において磁区拡大再生層 3を上方からみた磁区パターンの顕微鏡写真の概念図を示した。点 aにおける磁区パターン（黒丸パターン）は情報記録層 1 8の磁区（種磁区）がゲート層 1 6を通じて再生光照射により磁区拡大再生層 3に転写された磁区であり、この状態から初磁化曲線上で磁界が大きくなるに従って磁区が拡大される様子が各点のパターンからわかる。そしてカー回転角 0が飽和したときには磁区拡大再生層 3の全面で磁区が反転する。図 5 ( A ) のヒステリシスカーブにおいて、磁区拡大再生層の磁化を拡大する方向に印加した磁界と同一極性であって且つヒステリシスカーブのメジャーループ（初磁化曲線が一旦飽和した後の軌跡を示す外側のループ）の立ち上がり点 c における磁界をニュークリエーション磁界と称し、その絶対値を H nで表し、ゲ一卜層 1 6を通じて情報記録層 5から転写された磁区拡大再生層 3の記錄磁区を広げる方向に磁界を印加した初磁化曲線の最初の立ち上がり点 bにおける磁界を磁壁拡大磁界と称し、その絶対値を H eで表すと、再生磁界はその絶対値 H「が H e < H rく H nの範囲で印加するのが望ましい。 H rが H eよりと小さいと磁区拡大再生層 3に転写された記録磁区が拡大されず、 H rが H nよりも大きくなると情報記録層 1 8に記録磁区（種磁区）が存在してなくてもその上方の磁区拡大再生層 3の磁区が反転して信号として読み出されてしまうからである。図 5 ( B ) は、図 5 ( A ) のヒステリシスカーブにおいて、ゲ一卜層 1 6を通じて情報記録層 1 8から転写された磁区拡大再生層 3の記録磁区を収縮する方向に磁界を印加した場合の初磁化曲線を示す。かかる初磁化曲線と同一極性側にあり且つヒステリシスカーブのメジャーループ（初磁化曲線が一旦飽和した後の軌跡を示す外側のループ）の最初の降下点 c ' における磁界をニュークリエ一ション磁界とし、その絶対値を H nで表し、初磁化曲線の降下点 dにおける磁界を磁壁収縮磁界と称し、その絶対値を H sで表すと、 H s < H rの範囲で印加すると、拡大再生を行った磁区の縮小をはかることができる。図 5 ( B ) においても、ヒステリシスカーブの初磁化曲線の a、 dを含む各点における磁区拡大再生層の上方からみた磁区パターンの顕微鏡写真の概念図を示した。点 eでは縮小方向の磁界が大きすぎるために、磁区拡大再生層に転写された記録磁化が完全に消失している。従って、確実に記録磁化を消去したい場合には H s < H n < H rに磁界を調整するのがよい。なお、図 5 ( Α ) 及び（Β ) に描いたヒステリシスカーブ及び本明細書で言及するヒステリシスカーブは、本発明の光磁気記録媒体の再生方法に従って光磁気再生される条件におけるヒステリシスカーブであり、実際に光磁気記録媒体用の記録再生装置を用いて再生光が照射されて昇温したときの種々の磁界に対する力一回転角（または磁化）の特性を示す。従って、ヒステリシスカーブ及び H s、 H n及び印加する H rは、実際の光磁気記録再生装置を用いて再生用パワーの再生光を照射しながら観測される。上記のように本発明では、ゲ—卜層を有するために複数の磁区が情報記録層に存在しても 1つの磁区のみをゲ一卜層 1 6に浮き出す（転写する）ことができ、さらに、このゲート層 1 6に転写された一つの微小磁区を磁区拡大再生層 3に転写するとともに再生磁界で拡大して検出（再生）することができる。従って、光磁界変調方式で形成した微小磁区を高分解能で且つ高 S / Nで再生することができる。なお、上記原理説明ではゲー卜層は再生光スポッ卜内に生じるゲー卜層の温度分布のうち所定の温度より高温領域でゲ—卜層に情報記録層の磁区が転写される磁性層を例に挙げて説明したが、再生光スポッ卜内に生じるゲー卜層の温度分布のうち所定の温度より低温領域でゲ—卜層に情報記録層の磁区が転写されるような磁性層、あるいは再生光スポッ卜内に生じるゲート層の温度分布のうち所定の温度範囲の領域でゲー卜層に情報記録層の磁区が転写されるような磁性層を用いることもできる。第 3の態様に従う光磁気記録媒体は、情報が記録される記録層、非磁性層及び再生層を備える光磁気記録媒体において、

上記光磁気記録媒体が所定の温度に加熱されることによつて上記記録層から再生層に静磁結合により磁化が転写され、該転写された磁化を有する磁区が再生用外部磁界の下で記録層に記録された磁区よりも拡大されて再生されることを特徴とする光磁気記録媒体である。特開平 8— 7 3 5 0号の磁区拡大再生技術では、記録層と再生層との間に中間磁性層を介在させることによって記録層、中間磁性層及び再生層を磁気的に結合させていたが、本発明の第 3の態様に従う光磁気記録媒体では、記録層と再生層との間に非磁性層を介在させることによって記録層と再生層を静磁結合させることによって記録層から再生層への転写を行わせている。第 4の態様に従う光磁気記録媒体は、情報が記録される記録層、中間層及び再生層を備え、該記録層から該再生層に転写された磁区の磁化状態を検出することによって情報を再生する光磁気記録媒体において、

上記再生層の最小安定磁区が、上記記録層に記録された磁区の大きさよりも大きいことを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。第 4の態様に従う光磁気記録媒体では、再生層の最小安定磁区径が上記記録層に記録された磁区の大きさよりも大きい。それゆえ、再生層に転写された磁区は記録磁区より拡大され、かかる拡大された磁区から磁化情報を読みとることにより、高 C / Nの再生信号が得られる。この態様の光磁気記録媒体では第 1〜3の態様の光磁気記録媒体とは異なり、再生用磁界を印加しなくても記録層から再生層に転写された磁区は拡大されることができる。このため、従来と同様の再生装置を用いて再生が可能である。第 4の態様に従う光磁気記録媒体の中間層は、磁性層または非磁性層にし得る。すなわち、中間層が磁性層の場合には、記録層の記録磁区は、記録層、中間層及び再生層の交換結合を介して再生層に転写され、中間層が非磁性層の場合には、記録層の記録磁区は、記録層と再生層との間の静磁結合により再生層に転写される o 本発明の第 1、 2及び 4の態様に従う光磁気記録媒体において、再生層（拡大再生層）と記録層（情報記録層）との間に挿入される中間層（中間磁性層またはゲート層）が磁性層である場合には、中間層の厚みは、中間層の磁区の磁壁の厚み以上であることが望ましい。例えば、中間層に室温で面内磁化を示し、所定の温度（臨界温度）以上の温度で面内磁化から垂直磁化に転移する磁性膜を使用している場合、この転移を可能にするには、転移が起こる磁区とその磁区に隣接する面内磁化の磁区との間の磁壁（以下、中間層の磁壁という）の中で磁気スピンが 90度ねじれる必要があるからである。磁壁の厚みは、例えば、ホール効果を用いて以下の操作に従って測定することができる。中間層、再生層、記録層を一方向に磁化させ、この時のホール電圧（V2) を測定する。更に中間層、再生層、記録層のホール抵抗及び膜（層）厚をそれぞれ pl、 /02、 p3、 tl、 t2、 t3 とすると、界面磁壁がない場合のホール電圧 V 3は、 V3= l x ( tl l+ t p 2+ t3 3)/ ( tl+ t2+t3) ²となる（式中、 Iは膜（層）に流し込む電流）。したがって、界面磁壁を含む電圧の絶対値 I VI— V2 Iと 2 V3 の差（V4) が界面磁壁の厚みを示す。また、各層の交換スティフネス定数、垂直磁気異方性ェネルギ一定数、飽和磁化を用いて上記ホール電圧 V 4を示す磁性スピン状態を見積もることができる。このような界面磁壁の算出法は、 il.Malmhall、 et al.、 Proceedings of Optical Data Storage 1993 p204〜213 に掲載されており、この文献を参照することができる。本発明においては、中間層の厚みは上記のようなホール効果を用いた測定法により測定された磁壁の厚み以上であることが望ましい。例えば、中間層の磁性材料が、 G d F e C o系、例えば、 G dXF eYC o Z、（20≤X≤35、 50≤ Y≤ 1 00, 0≤Z≤50) からなる場合は、上記計算法に基づいて磁壁の厚みは 50 nm程度であると算出される。従って、中間層が、 G d_xF e_YC o_z ( 20≤X≤ 35 , 50≤ Y≤ 1 00, 0≤Z≤ 50) からなる場合には、磁性層の厚みは 50 nm以上であることが要求される。上記のように磁壁の厚みは中間層（またはゲート層）の磁性材料の種類及び組成によって異なるが、光磁気記録媒体の磁性層に用いられるような磁性材料であるならば、一般的には、最低でも 1 O n mは必要である。従って、中間層の厚みは 1 0 n mを超える厚みにするのが好ましい。中間層の厚みの上限として、半導体レーザ一パワーの制限により 1 0 O n m未満が好ましい。それゆえ、中間層の厚み tとして、 1 0 < t < 1 0 0 n mが好ましい。本発明の第 1、 2、 4の態様に従う光磁気記録媒体において、この中間層が磁性層である場合には、記録層から中間層（ゲート層）に転写された磁区を安定化させるために、記録層から中間層（ゲート層）に磁気的に転写される磁区の大きさが記録された磁区の大きさよりも小さくなるようにすることが好ましい。第 1の態様の光磁気記録媒体に記録された情報を再生するには、再生光を該光磁気記録媒体に照射することによって情報記録層に記録された磁区を磁区拡大再生層に転写し、該転写された磁区の磁化と同一極性の再生磁界を印加することによつて該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することができる。ここで、前記再生磁界として再生クロックに同期した交番磁界を用い、情報記録層に記録された磁区の磁化と同一極性の磁界によって前記転写された磁区を拡大し、逆極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することが好ましい。上記方法において、情報再生時に、再生光のスポッ卜内に含まれ得る前記情報記録層の複数の記録磁区を磁区拡大再生層に個別に転写させ、転写された磁区の磁化と同一極性の再生磁界を印加することによって転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することができる。また、本発明において、第 2の態様の光磁気記錄媒体の記録領域に記録された情報を再生するには、再生光を該光磁気記録媒体に光照射することによって情報記録層に記録された磁区をゲート磁性層を通じて拡大再生層に転写させ、該転写された磁区の磁化と同一方向の再生磁界を印加することによって該転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することができる。この方法によれば、前記再生時に、再生光のスポッ卜内に含まれる前記情報記録層の複数の記録磁区をゲー卜層を通じて 1つの磁区に絞り、発生した一つの磁区を前記磁区拡大再生層に転写させ、該転写した磁区の磁化と同一方向の再生磁界を印加することによって転写された磁区を情報記録層に記録された磁区の寸法より拡大して再生することができる。本発明に従えば、光磁気記録媒体に記録された情報を磁気光学効果によって再生するには、光磁気記録媒体として、情報記録層と、該情報記録層の磁区が転写され且つ転写された磁区を外部磁界によって拡大することができる磁区拡大再生層とを基板上に備えた光磁気記録媒体を用い、再生時に、再生クロックに基づいて変調された再生磁界と再生クロックに基づいて変調された再生光との少なくとも一方を上記光磁気記録媒体に適用することによって、上記情報記録層から磁区拡大再生層に転写された磁区を、上記情報記録層に記錄された磁区の寸法より拡大して再生することができる。再生時に再生磁界と再生光の強度を同時に変調することにより再生信号のエラーレ一卜を一層低くすることができる。本発明に従う上記再生方法において、再生磁界はその絶対値 H rが、図 5で説明したように磁区拡大再生層のヒステリシスカーブのニュークリエーシヨン磁界の絶対値 H nと、磁壁拡大磁界の絶対値 H eと、磁壁収縮磁界の絶対値 H sとの関係において、それらを記録再生装置の再生パワーで測定したとき拡大方向に H e < H r < H n、消去方向に H sく H rを満たすように印加する。 H n以上の拡大磁界を印加すると情報記錄層に情報が記録されていない部分でも再生層の磁化が反転して記録信号の検出が不可能になるため好ましくない。また、 H sより大きい収縮磁界を印加した場合、再生層の磁区は消去される。再生層の磁区は完全に消去されなくても拡大再生に原理的には支障はないが、完全に消去することができた方が信号効率が向上する。第 5の態様に従う光磁気記録媒体は、少なくとも、情報が記録される光磁気記録層、第 1補助磁性層及び第 2補助磁性層を備え、再生光を照射した際に、上記光磁気記録層に記録された記録磁区が、第 1補助磁性層を介して、第 2補助磁性層に拡大されて転写され、該拡大されて転写された第 2補助磁性層の磁区から情報が再生される光磁気記録媒体において、第 1補助磁性層の厚みが、第 1補助磁性層の磁壁の厚み以上であることを特徴とする光磁気記録媒体である。第 6の態様に従う光磁気記録媒体は、少なくとも、情報が記録される光磁気記録層、第 1補助磁性層及び第 2補助磁性層を備え、再生光を照射した際に、上記光磁気記録層に記録された記録磁区が、第 1補助磁性層を介して、第 2補助磁性層に拡大されて転写され、該拡大されて転写された第 2補助磁性層の磁区から情報が再生される光磁気記録媒体において、第 1補助磁性層が、 1 O n mを超える厚みを有することを特徴とする光磁気記録媒体である。第 5及び第 6態様に従う光磁気記録媒体の要部の一例を図 4 1 ( A ) 及び 4 1 ( B ) に概念的に示す。光磁気記録媒体は、光磁気記録層 4 0 6上に第 1補助磁性層 4 0 5及び第 2補助磁性層 4 0 4が順次積層された構造を有する。第 1補助磁性層 4 0 5及び第 2補助磁性層 4 0 4は、図 4 2に示すように室溫から室温以上のある温度（臨界温度） T CR までは面内磁化層であり、 T C R以上では垂直磁化層になる磁気特性を有する。光磁気記録層 4 0 6は室温を含む広い温度範囲で垂直磁化を示す。ここで、光磁気記録層 4 0 6、第 1補助磁性層 4 0 5及び第 2補助磁性層 404のキュリー温度をそれそれ TC0、 TCI 及び TC2 とし、第 1 補助磁性層及び第 2補助磁性層の臨界温度をそれそれ TCR1 及び TCR2 としたときに、この光磁気記録媒体の磁気特性は、室温く丁 ^く丁^^く丁^、 TCU T C2となる関係を満たす。図 41 ( A) 及び 41 (B) に示した構造を有する光磁気記録媒体の再生原理を以下に説明する。図 41 (A) は再生前の各層の磁化状態を示しており、光磁気記録層 406には磁界変調方式または光変調記録方式により記録磁区 422が予め書き込まれているものとする。この光磁気記録媒体に、磁性層の最高到達温度が、 TC0 未満の所望の温度度になるような適当なパワーの再生光を照射すると、図 4 1 (B) に示すように、第 1補助磁性層 405中の温度が TCR1 以上となった領域に、光磁気記録層 406の記錄磁区 422が磁区 42 1 として転写される。その際、後述するように、磁区 42 1の大きさは、光磁気記録層 406の記録磁区 422の大きさより小さくなるように、すなわち、記録磁区 422が縮小されて第 1補助磁性層 405に転写されるのが好ましい。次いで第 1補助磁性層 405に転写された磁区 42 1は第 2補助磁性層 404に磁区 423として転写される。図 45の上段に、再生用レーザースポッ卜（ L S) によって図 41 (B) に示した構造の光磁気記録媒体が加熱されたときの温度分布を示し、図 45の中段に、第 2補助磁性層の上方から見た光磁気記録媒体のレーザスポット（し S) に対する温度分布を示す。この光磁気記録媒体では、第 1及び第 2補助磁性層の臨界温度が TCR2<TCR1となるように設定されているので、 TCR2を超える温度領域、すなわち、垂直磁化状態となりうる第 2補助磁性層の領域は、 TCR1 を超える温度領域、すなわち、垂直磁化状態となりうる第 1補助磁性層中の領域よりも大きくなる。このため、第 2補助磁性層 404に転写された磁区 423は、第 2補助磁性層の垂直磁気異方性と第 1補助磁性層 4 0 5の転写磁区からの交換結合力とによって、磁区 4 2 1の大きさに比べて拡大される。この拡大された磁区 4 2 3 は光磁気記録層 4 0 6の記録磁区 4 2 2よりも大きいため、磁気光学効果（カー効果及びファラデー効果）を通じて検出される再生信号は、記録磁区 4 2 2と同じ大きさの磁区から検出するよりも増幅されており、高 C / Nの再生が可能となる。すなわち、通常の磁気超解像を用いた再生では、微小磁区からの再生信号振幅は極めて小さいが、この光磁気記録媒体を用いることにより、微小磁区から信号を再生する場合であっても増幅された再生信号振幅を得ることができる。本発明の光磁気記錄媒体においては、第 1補助磁性層 4 0 5に転写された磁区 4 2 1の大きさが光磁気記錄層 4 0 6の記録磁区 4 2 2よりも小さくすることが好ましい。すなわち、光磁気記録層 4 0 6の記録磁区 4 2 2が第 1補助磁性層 4 0 5に磁区 4 2 1 として転写されるときに、磁区が縮小されることが好ましい。この理由を以下に説明する。第 1補助磁性層 4 0 5に転写された磁区 4 2 1 (个向きの磁化）の大きさが記録磁区 4 2 2の大きさと同等かそれ以上であると、磁区 4 2 1は記録磁区 4 2 2 と隣接する向きの磁化を持つ磁区 Sからの磁気的な影響を受け、磁区 4 2 1が不安定になる。第 1補助磁性層 4 0 5に転写された磁区 4 2 1は、磁区を拡大させる機能を持つ第 2補助磁性層 4 0 4に記録磁区 4 2 2の磁化情報を転送する役割を果たす必要があるため、磁気的に安定である必要がある。それゆえ、記録磁区 4 2 2から第 1補助磁性層 4 0 5に磁区を縮小させて転写することによって、第 1補助磁性層 4 0 5の磁区 4 2 1に対する記録磁区 4 2 2 (こ隣接する磁区 Sからの影響を低減させることができ、これによつて、第 1補助磁性層 4 0 5の磁区 4 2 1の磁化を安定化させることができる。特に、光磁気記録媒体は、通常、回転した状態で再生されるため、図 4 1 ( A )、 ( B ) に示すように、光磁気記錄媒体の回転に伴って再生光スポッ卜に対して光磁気記録層 4 0 6の磁区が次々と移動する。一方、再生光スポッ卜に対して第 1補助磁性層 4 0 5の T CR1 を超える温度領域は一定の位置に存在する。第 1補助磁性層 4 0 5の T CR1 を超える温度領域が記録磁区 4 2 2の大きさと同じである場合、この温度領域内に移動中の一つの記録磁区 4 2 1だけが存在するのは一瞬の間だけであり、それ以外の時間は、この溫度領域内に一つの記録磁区 4 2 1の一部とそれに隣接する面内磁化の記録磁区の一部が存在することになる。このため、単一の記録磁区の磁化情報だけを第 1補助磁性層 4 0 5の T CR1 を超える温度領域から読み出すことが極めて困難となる。しかしながら、第 1補助磁性層 4 0 5の T CR1 を超える温度領域が記録磁区 4 2 2の大きさよりも小さいと、この温度領域が単一の記録磁区だけの上方に存在している時間は比較的長くなる。図 5 1 ( A )に示した瞬間及び図 5 1 ( B ) に示した瞬間においても、記録磁区 4 2 2の上方領域に、 T CR1 を超えることによって記録磁区 4 2 2の磁化が転写された磁区 4 2 1が完全に含まれている。このため、記録磁区 4 2 2から確実にその磁化情報が第 1補助磁性層 4 0 5に転写されることができる。以上の理由は、第 1補助磁性層が室温以上で垂直磁化膜の場合であっても当てはまる。すなわち、第 1補助磁性層として室温以上で垂直磁化を示す磁性材料を用いる場合にも、光磁気記録層から第 1補助磁性層に転写される磁区が縮小されるように転写を行わせるのが有効である。また、第 1補助磁性層 4 0 5に転写された磁区 4 2 1の大きさを光磁気記録層 4 0 6の記録磁区 4 2 2よりも小さ〈することは、次のような理由からも有効である。个向きの磁化を持つ記録磁区 4 2 2の隣には、向きの磁化を持つ記録磁区 Sが存在する。しかしながら、図 4 5の領域 Wで示した範囲内の第 1補助磁性層 4 0 5は面内磁化を有するため、光磁気記録層 4 0 6の向きの磁区 Sから第 2補助磁性層 4 0 4に及ぼす交換結合力がこの面内磁化により遮断される。それゆえ、第 1補助磁性層 4 0 5の面内磁化は磁区 4 2 3の拡大に有効に作用している。そして、第 1補助磁性層 4 0 5の磁区の大きさが記録磁区 4 2 2の大きさよりも小さい場合には、第 1補助磁性層 4 0 5の面内磁化が光磁気記録層 4 0 6の向きの磁区 Sから第 2補助磁性層 4 0 4に及ぼす交換結合力を遮断する効果が —層大き〈なり、それによつて磁区 2 2 (个向きの磁化）の拡大が一層容易に行われる。第 1補助磁性層 4 0 5の磁区の大きさを記録磁区 4 2 2の大きさよりも小さくするには、図 4 5に示したように、第 1補助磁性層 4 0 5の T CR1 を超える温度領域が光磁気記録層 4 0 6の記録磁区 4 2 2の大きさ（幅）よりも小さくなるように、レーザーパワー及び第 1補助磁性層 4 0 5の T CR1 を調整すればよい。図 4 5に示した例では、さらに、第 2補助磁性層 4 0 4の T CR2 を超える温度領域を記録磁区 4 2 2の大きさ（幅）よりも大きくなるように、レーザーパワー及び第 2補助磁性層 4 0 4の T CR2 が調整されている。それゆえ、再生時に、光磁気記録層 4 0 6の記録磁区 4 2 2は第 1補助磁性層 4 0 5に磁区 4 2 1 として縮小されて転写され、さらに磁区 4 2 1が第 2補助磁性層 4 0 4に磁区 4 2 3として拡大されて転写される。なお、第 1補助磁性層 4 0 5に転写された磁区 4 2 1の大きさが、光磁気記録層 4 0 6の記録磁区 4 2 2よりも小さいことは、例えば、以下の方法によって検証することができる。情報を記録した図 4 0に示した光磁気記録媒体から基板 4 0 1を除去し、誘電体膜 4 0 3及び第 2補助磁性膜 4 0 4をスパッタエッチングなどで取り除いた後、第 1補助磁性膜の表面を再生温度まで温めて光学顕微鏡などで観察すればよい。第 2補助磁性層 4 0 4の磁区 4 2 3の拡大による再生信号増幅の効果は、第 2 補助磁性層 4 0 4中の転写磁区が再生光スポッ卜佳まで拡大されたときに最大になる。この状態では、再生信号の大きさは、光磁気記録層 4 0 6の記録磁区 4 2 2の大きさや形状にかかわらず、第 2補助磁性層 4 0 4の力—効果等の性能指数と再生光に依存する。情報が読み出された光磁気記録媒体の領域は、再生用レーザ一光のスポッ卜が通り過ぎた後、温度が T CR2 未満に下がり、第 1及び第 2補助磁性層の垂直磁化は面内磁化に戻り、再び図 4 1 ( A ) の状態となる。以上のような再生動作の間、再生レーザ光パワーは、光磁気記録媒体の最高到達温度が光磁気記録層 4 0 6のキュリ一温度 T C0 より低くなるように調整されているため、光磁気記録層 4 0 6に記録された磁化情報は再生光による影響は受けない。第 5の態様に従う光磁気記録媒体は、第 1補助磁性層の厚みは、第 1補助磁性層の磁壁の厚み以上である必要がある。図 4 1 ( A )、（ B ) 及び図 4 5に示したように、第 1補助磁性層 4 0 5の磁化が臨界温度 T CR1 を超えると面内磁化から垂直磁化に転移する。この転移を可能にするには、第 1補助磁性層 4 0 5の磁区 4 2 1 と、磁区 4 2 1に隣接する第 1補助磁性層 4 0 5の面内磁化の磁区との間の磁壁（以下、第 1補助磁性層の磁壁という）の中で磁気スピンが 9 0度ねじれる必要がある。さらに領域 Wにおいては第 1補助磁性層のみは面内磁化膜となつて、光磁気記録層 4 0 6と第 2補助磁性層のスピンを緩和する必要がある。したがって、第 1補助磁性層 4 0 5における面内磁化と垂直磁化との間の転移を許容するためには、第 1補助磁性層 4 0 5の厚みは最低でも第 1補助磁性層 4 0 5の磁壁の厚み以上であることが要求される。磁壁の厚みは、前述と同様のホール効果を用いて測定することができる。上記のように磁壁の厚みは磁性材料の種類及び組成によって異なるが、光磁気記録媒体の磁性層に用いられるような磁性材料であるならば、一般的には、最低でも 1 O n mは必要である。従って、本発明の第 1 1の態様に従い、第 1補助磁性層の厚みは 1 0 n mを超える厚みにするのが好ましい。第 1補助磁性層の上限として、再生光源である半導体レーザ一のパワーの制限により 1 O O nm以下が好ましい。それゆえ、第 1補助磁性層の厚み tとして、 1 0く t < 1 00 nmが好ましい。第 7態様の光磁気記録媒体は、光磁気記録膜と補助磁性膜とを備え、再生光を照射したときに上記光磁気記録膜の記録磁区を上記補助磁性膜に磁気的に転写させて信号再生を行う光磁気記録媒体において、上記補助磁性膜が臨界温度を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する少なくとも一層の磁性膜であり且つ上記光磁気記録膜が室温以上の温度で垂直磁化膜であり、上記補助磁性膜の磁気特性を利用して再生時に上記補助磁性膜に上記光磁気記録膜の記録磁区よりも大きな磁区を転写させることができる光磁気記録媒体である。

以下の第 7の態様の光磁気記録媒体の一つのタイプは、図 41 (A)及図 41

(B) に示したように、光磁気記録膜 406上に第 1補助磁性膜 405及び第 2 補助磁性膜 404が順次積層された構造を有し、光磁気記録膜 406、第 1補助磁性膜 405及び第 2補助磁性膜 404が、光磁気記録膜 406、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜のキュリー温度をそれぞれ TC0、 TCI 及び TC2 とし、第

1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜の上記臨界温度をそれぞれ TCR1 及び TCR2 としたときに、室温く TCR2く TCMく TC0、 TC1、 TC2 となる関係を満たす磁気特性を有する。第 1補助磁性膜 405及び第 2補助磁性膜 404は、図 42に示すように室温から室温以上のある臨界温度（TCR) までは面内磁化膜であり、 T CR以上では垂直磁化膜になるという磁気特性を有している。光磁気記録膜 40

6は室温以上で垂直磁化膜である。第 7態様で用いる光磁気記録媒体の動作（再生）原理を以下に説明する。図 4 1 (A) に、光変調記録方式等により光磁気記錄膜 406に記録磁区を書き込んだ後、再生前の各層の磁化状態を示す。この媒体に、磁性膜の最高到達温度が、所望の温度になるような適当なパワーの再生光を照射すると、まず、第 1補助磁性膜 4 0 5中の溫度が T CR1 以上となった領域に、光磁気記録膜 4 0 6中の垂直磁化の磁区 4 2 2が転写される。その際に、図 5 4に示した再生光が照射された場合の媒体内の温度プロファイルを考慮して、光磁気記録膜 4 0 6中の磁区と同じ大きさかまたはそれより小さい磁区 4 2 2が第 1補助磁性膜 4 0 5に転写されるように再生パワー及び T CR1を設定する。次いで第 1補助磁性膜 4 0 5に転写された磁区 4 2 2は第 2補助磁性膜 4 0 4 に転写される。本発明では、第 1及び第 2補助磁性膜はそれらの臨界温度が T CR2 < T CR1 となるように設定されているため、図 5 4の媒体内の温度プロファイルに示すように、第 2補助磁性膜中の垂直磁化状態となりうる領域は、第 1補助磁性膜中のそれよりもが大き〈なる。このため、図 4 1 ( B ) に示すように、第 2補助磁性膜 4 0 4中の転写磁区 4 2 3は第 2補助磁性膜中の垂直磁化状態となりうる領域内の垂直磁気異方性と第 1補助磁性膜 4 0 5中の垂直磁化からの交換結合力とにより拡大される。この磁区拡大は、第 1補助磁性膜 4 0 5中の図 4 1 ( B ) の Wで示した領域の面内磁化が光磁気記録膜 4 0 6の磁区 Sから第 2補助磁性膜 4 0 4への交換結合力を弱めていることからも促進されているといえる。上記磁区拡大により、面内磁化の磁気的マスクによる再生出力に寄与する光量の低下を低減し、高 C / N比の再生が可能となる。第 2補助磁性膜 4 0 4の磁区 4 2 3の拡大の効果は、第 2補助磁性膜 4 0 4中の転写磁区が再生光スポッ卜 ί圣以上に拡大されたときに最大になる。この状態では、光磁気記録膜 4 0 6中に記録された磁区の大きさや形状に関係しない、第 2 補助磁性膜 4 0 4の性能指数と再生ビーム光のみによって決まる極めて大きい再生出力が得られる。再生後、即ち再生レーザー光の照射部が移動した後は、読み出し部は T CR2 以下に冷却され、第 1 と第 2の各補助磁性膜は面内磁化状態となり、図 4 1 ( A ) の状態に戻る。以上のような再生動作時の温度においても、光磁気記録膜 4 0 6の保磁力は充分大きいために、磁化として記録された情報は完全に保持されている。第 8態様に従う光磁気記録媒体は、図 5 3に示すように、補助磁性膜 4 0 8と光磁気記録膜 4 0 6との間に非磁性膜 4 0 9を備え、光磁気記録膜 4 0 6及び補助磁性膜 4 0 8が、光磁気記録膜 4 0 6及び補助磁性膜のキュリ一温度をそれぞれ T C0、 T C とし、補助磁性膜の上記臨界温度をそれそれ T CR としたときに、室温 < T CR< T C0、 T Cとなる関係を満たす磁気特性を有することを特徴とする。第 8態様で用いる光磁気記録媒体の再生原理を説明する。図 5 2 ( A ) に光変調記録方式等により図 5 3に示した媒体の光磁気記録膜 4 0 6に記録磁区を書き込んだ後、再生を行う前の補助磁性膜 4 0 8、非磁性膜 4 0 9及び光磁気記録膜 4 0 6の磁化状態を概略的に示す。この光磁気記録媒体に、磁性膜の最高到達温度が、所望の温度になるような適当なパワーの再生光を照射すると、補助磁性膜 4 0 8中に、 T CR 以上となり垂直磁化状態となりうる領域が発生する。その領域の大きさが光磁気記録膜 4 0 6に記録されている磁区 Mの ί圣以上、好ましくは再生光スポット径以上となるように T CR及び再生パワーが設定されている。また、補助磁性膜 4 0 8は、その保磁力が、 T CR 以上の領域内の温度分布に対応して図 5 5に示すような分布をし、最高到達温度となる領域及びその近傍でその値が充分小さくなるような磁気特性を有している。光磁気記録膜 4 0 6は T CR以上の領域内の温度分布に対応して図 5 5に示すような磁化の分布を有し、最高到達温度となる領域及びその近傍でその値が充分大きくなるような磁気特性を有している。各磁性膜の磁気特性を上記のように設定したため、光磁気記録膜 4 0 6中の温度が高く且つ磁化が充分大きい領域の磁区 Mのみが、磁区 Mの領域で作用する光磁気記錄膜 406と補助磁性膜 408間の大きな静磁結合力により、補助磁性膜 408中の温度が高く且つ保磁力が充分小さい領域に転写される。これにより、まず充分な再生分解能が得られる。次いで、補助磁性膜 408に転写された磁区 463は、 TCR以上の領域内の垂直磁気異方性と転写された磁区からの交換結合力により、図 52 (B) に示したように拡大すると考えられる。この磁区拡大により第 1のタィプの光磁気記録媒体と同様に再生信号が増大され、 C/Nが向上する。再生後、即ち再生レーザ一光が移動した後、読み出し部は TCR 以下に冷却され、補助磁性膜 408は面内磁化膜となり、図 52 (A) の状態に戻る。ここで、本発明に従う光パワー変調再生方法の原理説明を図 57の再生方法の模式図を用いて説明する。この再生方法では図 52に示した第 2のタイプの光磁気記錄媒体を使用する。最初に、光磁気記録媒体に第 2のタイプの光磁気記録媒体に光変調記録方式等を用いて図 57 (a) に示したような所定の記録バターンを記録する。図中、記録マークは、最短マークピッチ D Pで記録し、記録マーク長 D Lは D L二 DP/2となるように設定する。再生時には、再生用レーザー光として、 2種類の再生パワー Pr2、 Prlに変調したパルスレーザ一光を、図 57(b) に示したように、記録マーク位置に同期した周期 D Pであり且つ高パワー Pr2 の発光幅が D Lとなるように照射する。低い再生パワー Prl の光は常に消去状態（記録マークがない部分）に、高い再生パワー Pr2 の光は記録状態（記録マ —クが存在する部分）と消去状態に照射される。図 57(b) に示したような再生パルスレーザーを照射して得られた再生信号波形を図 57(c) に示す。これに対して同トラックを一定の再生光パワーの連続光で再生したときの再生波形を図 57(d) に示す。ここで、 Pr2 と Prl のうち、 P r2 は後述するように補助磁性膜 4 0 8の磁区拡大が生じるような記録パワーとし、 P rl は磁区拡大が消滅するパワーとなるように選択する。このように再生パワーを選択することにより、パルス光再生で観測される記録状態と消去状態との間の振幅 H pl を、一定レーザー光再生での振幅 H dc に対して、 H pl〉H dc とすることができ、しかも、光磁気記録膜 4 0 6の各磁区に記録された磁化情報を隣接する磁区からの影響を受けることな〈独立して拡大再生することができる。第 8の態様の光磁気記録媒体を再生する際、上記再生光の光パワー P rl が、上記補助磁性膜を T cr~ T conip の温度に加熱して光磁気記録膜 4 0 6の記録磁区を補助磁性膜に転写及び磁区拡大するパワーであり、上記再生光の光パヮー P r2 が上記補助磁性膜を T comp〜T co の温度に加熱して上記拡大磁区を縮小または消滅させるパワーであることが好ましい。第 9態様に従う光磁気記録媒体は、基板上に少なくとも光磁気記録膜 4 0 6を有する光磁気記録媒体において、垂直磁化を有する光磁気記録膜 4 0 6と、臨界温度 T cr を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する補助磁性膜とを非磁性膜を介して備え上記光磁気記録膜 4 0 6のキュリー温度 T co と上記補助磁性膜のキュリ一温度 T c及び補償温度 T compとの間に、室温 < T cr< T comp< T co < T cなる関係が成立し、上記光磁気記録媒体に外部磁界 H ex が加わる条件において、外部磁界 H ex及び光磁気記録膜 4 0 6から生じる転写磁界の温度曲線 Aと補助磁性膜の垂直方向保磁力の温度曲線 Bとが、室温と上記補助磁性膜の補償温度 T compとの間で交差すると共に、上記温度曲線 Aと上記温度曲線 Bとが、補助磁性膜の補償温度 T comp と上記光磁気記録膜 4 0 6のキュリー温度 T co との間で交差することを特徴とする光磁気記録媒体である。第 9態様に従う光磁気記録媒体の再生方法の原理を説明する。この再生方法には、垂直磁化を有する光磁気記録膜 406と、臨界温度 Tcr を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する補助磁性膜とを非磁性膜を介して備える光磁気記録媒体を用いる。このタイプの光磁気記録媒体の構造例を図 64に示す。図 64 に示した光磁気ディスク 490は、基板 401上に、誘電体膜 403、補助磁性膜 408、非磁性膜 409、光磁気記録膜 406及び保護膜 407を積層して有する。補助磁性膜 408は、臨界温度 Tcr とそのキュリー温度 T cとの間に補償温度 Tcomp を持ち、この光磁気記録媒体 490は、光磁気記録膜 406のキユリ一温度 Tco と、補助磁性膜 408の臨界温度 Tcr、キュリー温度 T c及び補償温度 Tcompとの間で、室温く Tcr<Tcomp<Tco<T cなる関係を満たす。本発明の再生方法において、上記磁気特性を有する光磁気記錄媒体 490に外部 DC磁界を印加しながら光パワー変調された再生光を照射して再生が行われる。ここで、光磁気記録媒体 490に一定の DC磁界 H e Xが記録方向に印加されている状態における、光磁気ディスク 490の光磁気記録膜 406と補助磁性膜 4 08の磁気特性を図 66に示す。図中の磁気温度曲線 Aは、光磁気記録膜 406

(以下、単に記録層という）から補助磁性膜 408 (以下、単に再生層という）に対して、記録層の磁化によって生成される転写磁界（静磁界）の温度変化を示す。なお、曲線 Aの転写磁界は、外部磁界 H e xのオフセット分を加えた磁界の大きさを示している。従って、記録層の磁区の向きによって転写磁界全体として、

(Hex— H t) なる大きさの磁界及び（H e x + H t) なる大きさの磁界が記録層のキュリー温度 Tcoを境として存在し、それらが曲線 Aを構成する。図中、下向きが記録方向であり、 H e Xも下向きに印加されている。ここで、外部磁界 H e Xは、室温における記録層の磁化から生成される初期化方向の静磁界 H tの大きさに比べて小さ〈なるように調整してあるので、転写磁界全体としては、曲線 Aで表したように記録層の記録磁区の磁化方向によって上向き（負）及び下向き（正）が存在することになる。磁気温度曲線 Bは、垂直磁化を有する状態における再生層の垂直方向の保磁力の温度変化を示す。この保磁力には、 $屯粋な垂直方向の再生層の磁区の保磁力 H rに再生層の磁壁（magnetic wall) の生成によって印加されるとみなす仮想的磁界に相当する磁界 Hw (別な言い方すると、再生層の面内方向の交換結合磁界）を含めて H r + Hwとして表すものとする。すなわち、 H r + Hwは再生層膜面に垂直な方向における磁化反転を行うに必要な磁界を示すことになる。図 66に示したように、再生層の膜面に垂直な方向への磁化は再生層が垂直磁化膜となる臨界温度 Tcr 以上で現われ、補償温度 Tcomp では再生層の磁化がゼロになるために保磁力が極大を示す。図 66の温度曲線 A及び Bは、同図に示すように三つのエリア（a) 〜 ( c ) に分けられる。この 3つのエリア（a) 〜（c) は、図 67 (A) に示した本発明の再生方法における i ) 記録層から再生層への磁区転写、 ii) 再生層での転写磁区の拡大、 iii)拡大磁区の消滅の 3つのステップにそれぞれ対応する。このため、図 66のエリア（a) 〜（c) における記錄層及び再生層に要求される磁気特性について、図 67を参照しながら説明する。なお、図 67 ( A) 中に示した記録層及び再生層中の矢印は、各磁区の希土類金属の磁気モーメン卜の向きを示すものとする。エリア（a) は、本発明の再生方法において記録層から再生層に磁区転写が行われる温度エリアであり、図中、 T 0〜T 1の温度範囲に属する。 T Oは臨界温度 Tcr を意味し、 T 1は、磁気温度曲線 Aの H e x— H t側が磁気温度曲線 B と最初に交差する温度である。この溫度範囲 T 0〜T 1は、後述するように再生光の光パヮーを比較的低/ \°ヮ―に調整することにより達成できる。この温度領域で図 67(a) の（ 1 ) に示したような磁気転写が実際に行われるためには、この温度領域内で転写磁界の大きさが再生層の垂直方向の保磁力を超えるようにしなければならない。すなわち、記録層に記録されている磁化が向き（記錄方向）である場合、 H e x + H tで表される転写磁界は、 H r + H wまたは一（H r + Hw) よりも大きくなるようにしなければならない（磁区転写要件）。また、記録層に記録されている磁化が个向き（消去方向）である場合、 He x— H tで表される負の転写磁界は、再生層の垂直方向の保磁力 H r + Hwまたは— （H r + Hw) よりも小さくなるようにしなければならない（磁区転写要件）。

—方、図 66のエリア（a) において、磁気温度曲線 A及び Bを比較すると、下記式（a 1 ) 〜（a 3) の関係が成立することがわかる。

H r<H e x + H t— Hw (a 1 )

-H r>H e x-H t + Hw (a 2)

H r>H e x-H t-Hw (a 3 ) 従って、エリア（a) は、上記磁区転写要件を満足し、記録層の記録磁区の磁化方向に拘らず、それを再生層に転写することができる。図 67 (A) の（ 1 ) には、記録層の磁区 61 0に記録されている φ向きの磁化が、再生層の再生光スポヅ卜内の温度 T 0を超える領域に転写されて転写磁区 601 aを形成している場合を示す。次に、図 66のエリア（b ) では、図 67 ( A) の（ 2 ) 及び（3 ) に示したように、再生層に転写された磁区 601 bの磁区拡大が行われる。この温度領域は、図中、 T 1〜T 2で示した範囲である。温度 Τ 2は、磁気温度曲線 Αの Η ex— H t側が磁気温度曲線 Bと高温側で交差する温度である。なお、図 66に示した磁気特性を有する光磁気ディスクは外部磁界 H e Xとの関係において、 T 2が再生層の補償温度 Tcomp にぼぼ一致する（補償温度 Tcomp と記録層のキュリー温度 T co の間にあり、極めて補償温度 Tcomp に近い温度になる）ように調整してある。この温度領域では、図 67 (A) の（ 2 ) に示したように、再生層に転写された磁区 601 bの両側には、再生光スポッ卜内で T 0〜T 1に加熱された結果、記録層の上向きの磁区 6 1 2、 61 2' から磁気転写を受けた磁区 603、 603' が存在する。再生層に転写された磁区 601 bが面内方向に拡大を始めるためには、その両側の磁区 603、 603，の磁区の向きを磁区 60 1 bと同様に記録方向（向き）に向かせる必要がある。ここで、磁区 603、 603' は外部磁界 H e Xに直上の記録層の磁区 622からの上向きの静磁界 H tを加えた転写磁界（H e X— H t ) (トータルで个向き）を受けており、一方、磁区 601 bからの交換結合磁界 Hw (下向き）と磁区 603、 603' 自体の磁化を反転させるための保磁力 H「とを含めた垂直方向保磁力を有する。それゆえ、磁区 603、 603，の転写磁界（H ex— H t)よりも垂直方向保磁力（ H r + Hw) を大き〈すれば、磁区 603、 603' の磁区は反転する（磁区反転要件)。エリア（b) においては、磁気温度曲線 A及び Bの大小関係より、以下の関係式が成立することがわかる。

H r<H e x + H t-Hw (b 1 )

— H rぐ H e x— H t + Hw ( b 2 )

H r>H e x— H t— Hw ( b 3 ) そして、上式（b 2 ) は、上記の磁区 603、 603' の転写磁界 H e χ-Η t (上向き）よりも垂直方向保磁力（H r + Hw) が大きくなる上記磁区反転条件そのものである。従って、エリア（ b ) において図 66 ( A) の（ 3 ) に示したような再生層の磁区 601 b' の磁区拡大が生じる。（b 2 ) の関係より、溫度エリア（b) においては、記録層に記録方向の磁区がない場合には、再生層に下向きの磁区は現われないことを示す。なお、図 66 (A) の（ 3) において拡大磁区 60 1 b' の両側は、 T O〜丁 1の温度領域であるために、記録層の磁区 6 1 2、 6 1 2' から磁区転写された个向きの磁区 603、 603' が存在する。次に、エリア（ c) では、図 67 (A) の（4) に示したように、転写及び拡大された磁区が反転（消滅）し、消去方向の磁区 60 1 cが形成される。この温度領域は、再生層の補僎温度を僅かに超える T 2から、記録層のキュリー温度 Tco の範囲である。拡大再生された磁区は、消去方向に再生用磁界を印加することによって、すなわち、再生用磁界として交番磁界を用いることによって消滅または縮小させることができるが、本発明の再生方法では DC磁界を用い、磁気転写及び拡大のために用いた再生光パワーよりも高いパワーに再生光をパワー変調することによって拡大磁区を消滅させる。なお、後述の本発明の光磁気記録媒体の再生方法の実施例 1 7に述べるように、拡大磁区消滅のために再生光パワーを一層小さく変調してもよい。エリア（ c) にて、拡大磁区が反転（消滅）する原理を図 68を用いて説明する。図 68は、図 67 (A) の（ 2 ) に示した希土類—遷移金属の（T e F e C o合金）記録層の磁区 620とそこから磁区転写された希土類一遷移金属（G d F eCo合金）の再生層の磁区 601 bの希土類金属と遷移金属の副格子磁化の向きと大きさの温度変化を説明する図である。再生層の温度がその補償温度 T comp 未満の場合には、図 68 ( A) に示すように、再生層の希土類金属の磁化が優勢であり、転写元の記録層（遷移金属の磁化が優勢）の磁化方向と平行である。次いで、本発明の再生方法に従い高パワーレーザの照射により再生層が補償温度 Tcomp を超えると、再生層の遷移金属の磁気モーメントが優勢となる。ここで、図 66に示したエリア（C) における再生層と記録層の磁気温度曲線 A及び Bの大小関係から下記式（C 1 ) 及び式（C 2 ) が成立することがわかる。 H rく H e x + H t— Hw (C 1 )

H r<H e x-H t-Hw (C 2 )

すなわち、磁区 601 eの保磁力 H rは、磁区 601 eに作用する記録方向の全磁界（H ex + H t— Hwまたは H e x— H t— Hw)より小さい。その結果、再生層の温度がその補償温度 Tcomp以上（厳密には T 2以上）では、図 68 (B) に示すように、優勢となった遷移金属の磁気モーメントはかかる記録方向に向くように反転する。それゆえ、図 68 ( A) の（ 3 ) に示した拡大磁区 601 の下向きの希土類金属の磁気モーメントは、エリア（c) の温度、すなわち、補償温度 Tcomp 以上に加熱された領域で反転して、反転磁区 601 cが生じる（図 68 ( A) の（4 ) )。なお、反転磁区 601 cの両側の磁区 601、 601 ' は、その温度は T 1〜T 2の間にあるため、拡大磁区 601 bと同じ磁化方向を有する。上記再生方法では、上記 3つの温度エリア（a) 〜（c) は、図 67 (B) に示すように、再生光パワーを少なくとも 2段階のパワー Prl 及び Pr2 に変調することによって達成することができる。すなわち、再生光の光パワー Prl を、上記補助磁性層を Tcr〜Tcomp の温度に加熱して光磁気記録膜 406の記録磁区を再生層に転写及び磁区拡大することができるようなパワーとし、再生光の光パワー Pr2 を、上記補助磁性層を Tcomp〜Tco の温度に加熱してかかる拡大された磁区を縮小または消滅させるパワーとすればよい。そして、 Prl/Pr2 再生光パワー変調を再生クロックと同期させて再生光として使用することにより、記録層の記録磁区を、 i ) 再生層への転写、 ii) 転写磁区の拡大及び iii)拡大磁区の消滅のステツプを経て再生することができる。第 1 0態様の光磁気記錄媒体は、図 69に示したように、光磁気記録膜 406 上に第 1補助磁性膜 408、非磁性膜 409及び第 2補助磁性膜 404が順次積層された構造を有し、光磁気記録膜 406、第 1補助磁性膜 408及び第 2補助磁性膜 404が、光磁気記録膜 406、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜のキユリ—温度をそれぞれ TC0、 TC11 及び TC12 とし、第 1補助磁性膜、第 2補助磁性膜それそれの臨界温度を TCR11、 TCR12 としたときに、室温く TCR12<T CR1KTC0. TC1、 TC2 となる関係を満たす磁気特性を有する。ここで上記臨界温度は TCR で表す、磁性膜の磁化の状態が面内磁化から垂直磁化へ、或いは垂直磁化から面内磁化へ状態変化する温度を示す。第 2補助磁性膜 404は、図 70に示すように室温から室温以上のある臨界溫度（TCR12) までは面内磁化膜であり、 TCR12 以上では垂直磁化膜になる。第 1補助磁性膜 408は、図 70 に示すように室温から室溫以上のある臨界温度（TCR11) までは垂直磁化膜であり、 TCR11 以上では面内磁化膜になるという磁気特性を有している。光磁気記録膜 406は室温以上で垂直磁化膜である。第 1 0態様の光磁気記録媒体の動作（再生）原理を以下に説明する。図 7 1 (a) に、光磁界変調記録方式等により光磁気記録膜 406に記録磁区を書き込んだ後、再生前の各層の磁化状態を示す。この媒体に、磁性膜の最高到達温度が、所望の温度になるような適当なパワーの再生光を照射すると、まず、第 2補助磁性膜 4 04中の温度が TC12 以上となった領域に、光磁気記録膜 406中の垂直磁化の磁区 422が転写される。その際に、図 54に示した再生光が照射された場合の媒体内の温度プロファイルを考慮して、光磁気記録膜 406中の磁区と同じ大きさかまたはそれより大きい磁区 62 1が第 2補助磁性膜 404に転写されるように再生パワー及び TCR1を設定する。次いで、第 1補助磁性膜 408が TCR1 以上に達すると第 1補助磁性膜 408 は面内磁化に変わり、光磁気記録膜 406の磁区信号磁界や漏洩磁界を遮断する。これによつて、第 2補助磁性膜 404に転写された磁区 422の信号には漏洩磁界の影響が防止されるために、 C / Nの高い再生信号が得られる。本発明では、第 1及び第 2補助磁性膜はそれらの臨界温度が T CR12 < T CR11 となるように設定されているため、図 5 4の媒体内の温度プロファイルに示すように、第 2補助磁性膜中の垂直磁化状態となりうる領域は ί圣が大きくなる。この光磁気記録媒体に、磁性膜の最高到達温度が、所望の温度になるような適当なパワーの再生光を照射すると、第 2補助磁性膜 4 0 4 (再生層）中に、 T CR12 以上となり垂直磁化状態となりうる領域が発生する。その領域の大きさが光磁気記録膜 4 0 6に記録されている磁区 Μの以上、好ましくは再生光スポッ卜 ί圣以上となるように T CR12 及び再生パワーを設定して用いる。また、第 2補助磁性膜 4 0 4 (再生層）は、その保磁力が、 T CR12 以上の領域内の温度分布に対応して図 5 5に示すような分布をし、最高到達温度となる領域及びその近傍でその値が充分小さくなるような磁気特性を有している。光磁気記録媒体に、再生光を照射して第 2補助磁性膜 4 0 4 (再生層）中に、 T CR12 以上となり垂直磁化状態が発生した時点において、第 1補助磁性膜 4 0 8の中に T CR11 以上の温度に達した所では第 1補助磁性膜 4 0 8の磁化状態が垂直磁化から面内磁化へ状態が変化する。この際第 2補助磁性膜 4 0 4 (再生層）の転写磁区（ドメイン）は図 6 9 ( C ) で示すように拡大するが、再生光が読み取れる大きさ、例えば再生光スポッ卜の径ょりも大きく拡大すると同時に、第 1補助磁性膜 4 0 8の磁化の状態が、面内磁化の状態を維持して、第 2補助磁性膜 4 0 4の再生信号に洩れ磁界等のノィズ信号が入らないように、洩れ磁界等を遮断できるように、臨界温度 T CR12 と T CR11 との必要な温度差 Δ Τが得られるなければならない。このような温度差 Δ Τが得られる、第 1補助磁性膜 4 0 8と第 2補助磁性膜 4 0 4の材料組合せを選択して用いることが必要である。光磁気記録膜 4 0 6は T CR12 以上の領域内の温度分布に対応して図 7 1 ( B ) 及び図 7 1 ( C ) に示すような磁化の分布を有し、最高到達温度となる領域及びその近傍でその値が充分大きくなるような磁気特性を有している。各磁性膜の磁気特性を上記のように設定したため、光磁気記録膜 4 0 6中の温度が高く且つ磁化が充分大きい領域の磁区 Mのみが、磁区 Mの領域で作用する光磁気記録膜 4 0 6と第 2補助磁性膜 4 0 4間の大きな静磁結合力により、第 2補助磁性膜 4 0 4 中の温度が高く且つ保磁力が充分小さい領域に転写される。これにより、まず充分な再生分解能が得られる。次いで、第 2補助磁性膜 4 0 4に転写された磁区は、 T CR12 以上の領域内の垂直磁気異方性と転写された磁区からの交換結合力により、図 7 1 ( C ) に示したように拡大すると考えられる。この磁区拡大により第 1のタイプの光磁気記録媒体と同様に再生信号が増大され、 C / Nが向上する。再生後、即ち再生レーザ一光が移動した後、読み出し部は T CR12 以下に冷却され、第 2補助磁性膜 4 0 4は面内磁化膜となり、図 7 1 ( A ) の状態に戻る。第 2補助磁性膜 4 0 4の磁区拡大の効果は、第 2補助磁性膜 4 0 4中の転写磁区が再生光スポット ί圣以上に拡大されたときに最大になる。この状態では、光磁気記録膜 4 0 6中に記録された磁区の大きさや形状に関係しない、第 2補助磁性膜 4 0 4の性能指数と再生ビーム光のみによって決まる極めて大きい再生出力が得られる。再生後、即ち再生レーザー光の照射部が移動した後は、読み出し部は T CR12 以下に冷却され、第 2の補助磁性膜は面内磁化状態となり、図 7 1 ( Α ) の状態に戻る。以上のような再生動作時の温度においても、光磁気記録膜 4 0 6 の保磁力は充分大きいために、磁化として記録された情報は完全に保持されている。本発明の再生装置の光へッドには、対物レンズとして固体イマ一ジョンレンズからなる光学素子を使用することができる。かかる光学素子は屈折率が 1よりも大きい材料で構成されている。図 8 3にかかる光学素子 8 0 1の例を示す。図 8 3は光学素子 8 0 1の結像原理を説明する概念図である。記録媒体 8 0 3に照射されるレーザ光のスポッ卜径をより小さなスポッ卜 ί圣にして記録密度の向上を図るための条件を説明する。一般に、スポッ卜怪 S は下記式（ 1 ) により定義される。

S = A / ( 2 N A ) = λ / ( 2 η - sin^ max) ( 1 ) ここで、光学素子 8 0 1に入射するレーザ光の波長を λ、光学素子 8 0 1の開口数を ΝΑ、光学素子 8 0 1の屈折率を η、入射光束の最も外側の光線 (図 8 3の実線）と光軸とのなす角（入射角）を 0max としている。レーザ光の波長えを一定とした場合、スポッ卜 ί圣 Sを小さ〈するには上式（ 1 ) から ΝΑ を大きくすればよいことがわかる。 ΝΑは NA=nsin0maxで定義されるので、大きな NAを得るには屈折率 nと角 0max を大きくしなければならない。そこで、光学素子 8 0 1 に高い屈折率の材料を用いると、光学素子 8 0 1の内側で入射光の波長が短くなる。また、入射光を光学素子 8 0 1の表面で屈折させ且つ光学素子 8 0 1内で集光させると、光軸と入射光のなす角 0 max を光学素子 8 0 1への入射前より光学素子 8 0 1内で大きくできる。光学素子 8 0 1は半径 rの球の一部を切断して形成された半球型レンズである _c 光学素子 8 0 1の切断面、すなわち、光学素子 8 0 1の出射面 8 0 1 a は入射光の光軸に対して垂直に切断される。光学素子 8 0 1の切断位置は球の中心から r/n にある。光学素子 8 0 1が搭載された光磁気へッドを浮上させた際に光学素子 1 0 1の出射面 8 0 1 a は記録媒体 8 0 3の表面 8 0 3 a とが平行になるようにする。図 8 3の実線が示す入射光を光学素子 8 0 1の球面レンズの断面で屈折させ、入射光を出射面 8 0 1 a上の点に向かって収束させるとき、光学素子 8 0 1はエバネッセント場（空気のギャップ）を介して光学素子 8 0 1の出射面 8 0 1 a側に配した記録媒体 7 03 上にスポッ卜が照射される。従って、光学素子 8 0 1 と記録媒体 8 0 3との距離はエバネッセン卜光の減衰距離内にしなければならない。光学素子 8 0 1は実線で示す光学素子 8 0 1内の入射光を延長した破線の交わる位置（記録媒体 8 0 3の表面 8 0 3 a 上）に結像する。光学素子 8 0 1 は、前述したように光学素子 8 0 1内での入射光の波長 λの短波長化及び光学素子 8 0 1の球面での屈折による角 0maxの増加によって n の 2乗倍まで NAを増加させることができる。換言すれば、理論的にはレーザ光のスポッ卜径が 1/ n² まで小さくできる。これにより、光学素子 8 0 1は記録媒体 8 0 3上に形成されるスポットを真空中で得られる最小スポッ卜よりも小さくしている。本発明の光磁気へッドにおいてスライダ内に磁気コィルが内蔵されることにより従来に比べて一層小型化することができる。また、磁気コイルが光学素子 8 0 1の外周に配されることにより記録媒体と磁気コイルとの間隔を狭め、磁界を印加する際に磁気コィルに流す電流が小さくて済むようになり、照射されるレ一ザ光の光路を遮らないので、効率よく記録媒体上にレーザ光を照射することができる。磁気コイルが光学素子 8 0 1の出射光面より記録媒体に近い位置に設けられることにより磁気コイルと記録媒体との間隔が近づくことになり、このように構成した光磁気へッドを用いた記録再生装置の消費電力を抑えることができる。磁気コイルはフィルム状のコイルを用いることが望ましい。磁気コイルをフィルム状のコィルで構成することにより、記録媒体と磁気コィルとの間隔を狭くすることができる。さらに、磁気コイルが磁気コイルの内怪を光学素子 8 0 1の外よりも小さくすることにより記録媒体へのより安定な外部磁界の印加が可能になる c 磁芯には光を透過する磁性体材料を用いることが好ましい。これにより、記録媒体に向けて照射されるレーザ光の光路が遮られないので、効率よく記録媒体上にレーザ光を照射することができる。この磁性材料としては例えば、透明フェラィ卜等がある。本発明の光磁気へッドにおいて光学素子の少なくとも一部がレーザ光を透過する磁性材料で構成されていることが好ましい。かかる構成を採用することにより光磁気へッドに使用する部品点数を少なくして光磁気へッドを小型化させることができる。さらにレ一ザ光を透過する磁性材料を光学素子のレーザ光の出射面に直交する中心近傍だけに配することもでき、これによつて外部磁界の位置決め精度を向上させることができる。

図面の簡単な説明

図 1 (A)、（B) は、本発明の光磁気記録媒体の記録再生原理を説明する図であり、図 1 (A) は情報記録の原理を示す図であり、図 1 (B) は拡大再生層の初期化の原理を示す図である。

図 2は、本発明の光磁気記録媒体の記録再生に用いられる記録再生装置の概略構成を示す図である。

図 3は、本発明の光磁気記録媒体の再生時における再生光スポッ卜内に存在する情報記録層の複数の記録磁区のうち一つの磁区のみをゲー卜層で選別して磁気転写する原理を説明する図である。

図 4 (A)、（B) は、本発明の光磁気記録媒体の再生時における微小磁区の拡大再生の原理を説明する図であり、図 4 (A) は拡大再生磁界により磁区を拡大する様子を示し、図 4 (B) は縮小再生磁界により磁区を縮小する様子を示す。図 5 (A)、 (B) は、本発明の光磁気記録媒体の拡大再生層のヒステリシス力 —ブを示すグラフであり、図 5 (A) は拡大磁界印加時の初磁化曲線を示し、図 5 (B) は縮小磁界印加時の初磁化曲線を示す。

図 6は、第 2の態様に従う光磁気記録媒体の一具体例の断面図である。

図 7 (A)、（B) は、それぞれ、実施例 1及び実施例 2に従う光磁気記録媒体の一具体例の断面図である。図 8 (A) 〜（D) は、実施例 1の光磁気記録媒体の再生信号を示すグラフであり、図 8 (A)、（B)、（C)及び（D) はそれぞれ再生磁界強度 H = 0 (Oe)、 H= 1 30 (Oe)、 H = 21 5 (Oe)、 H = 260 (Oe)、の場合を示す。図 9は、実施例 3に従う光磁気記録媒体の一具体例の断面図である。

図 1 0は、実施例 4に従う光磁気記録再生装置の構成概略図である。

図 1 1は、本発明の実施例 4及び 5における光磁界変調記録方法の記録レーザパルス、記録外部磁界及び記録磁区の関係を示すタイミングチャートである。図 1 2は、実施例 4における再生方法の再生クロック、再生外部磁界、パルス磁界による再生信号波形及びサンプルホールド後の再生信号波形を示すタイミングチヤー卜である。

図 1 3は、実施例 4における再生方法の 1 — 7変調におけるエラーレ一卜と記録マーク長との関係を示すグラフである。

図 1 4は、実施例 5に従う光磁気記録再生装置の構成概略図である。

図 1 5は、本発明の実施例 5における再生方法の再生クロック、再生外部磁界、パルス光/パルス磁界による再生信号波形及びサンプルホールド後の再生信号波形を示すタイミングチヤ一卜である。

図 1 6は、本発明の実施例 5における再生方法の 1 — 7変調におけるエラ一レ一卜と記録マーク長との関係を示すグラフである。

図 1 7は、再生用レーザ光スポッ卜のディスク位置に対する温度分布を示す図める

図 1 8 (A)、（B) は、実施例 2の光磁気記録媒体の再生原理を説明する図であり、図 1 8 (A) は記録層から再生層への磁化の転写を示し、図 1 8 (B) は転写された磁区が拡大される様子を示す図である。

図 1 9は、実施例 2の光磁気記録媒体を用いて測定した H sと H nの再生光パヮ一依存性を示すグラフである。

図 20は、安定に存在しうる磁区の最小安定磁区径 rmin を温度に対して表したグラフである。

図 2 1は、実施例 2の光磁気記録媒体において拡大された磁区に縮小磁界を印加して消滅させる原理を説明する図である。

図 2 2は、再生光スポッ卜の後方部の高温領域で転写が起こる方式と再生光スポッ卜の前方の低温領域で転写が起こる方式を組み合わせた再生方式を説明する図である。

図 2 3は、実施例 4及び 5の装置において使用可能なクロック信号を発生させるための自己同期を説明する図である

図 2 4は、実施例 4及び 5の装置においてランドグループ型光磁気記録媒体を用いて使用可能なクロック信号を発生させるための外部同期を説明する図である。図 2 5は、実施例 4及び 5の装置においてゥォブル形状のランドグル一ブ型光磁気記録媒体を用いて使用可能なクロック信号を発生させるための外部同期を説明する図である。

図 2 6は、実施例 4及び 5の装置においてファインク口ックマークを有するランドグルーフ'型光磁気記録媒体を用いて使用可能なクロック信号を発生させるための外部同期を説明する図である。

図 2 7は、実施例 4または 5の装置において使用可能なクロック信号を発生させるための 2周期サンプリングを説明する図である。

図 2 8 ( A )、 ( B ) は、パルス化したレーザ光または磁界の適用周期を示す図であり、図 2 8 ( A ) は拡大及び縮小磁界の周期の関係を示し、図 2 8 ( B )は、交番磁界に対するレーザ光パルスの周期を示す図である。

図 2 9は、磁区の拡大及び縮小のための磁界として用いることができる三角波の波形の磁界の例を示す図である。

図 3 0は、磁区の拡大及び縮小のための磁界として用いることができる正弦波の波形を発生するための回路の一例を示す図である。

図 3 1は、実施例 2の光磁気記録媒体に種々の大きさで拡大縮小磁界を印加した場合の再生信号を示す図である。

図 32は、図 1 0に示した光磁気記録再生装置の変形例を示す構成概略図である

図 33は、図 32に示した光磁気記録再生装置を用いて記録再生するのに好適な光磁気記録媒体の積層構造を示す図である。

図 34 (A)、 (B) は、磁区拡大再生に好適な記録磁区の最短磁区形状を示す図である。

図 35は、実施例 1 0の光磁気記録媒体の積層構造を示す図である。

図 36は、実施例 1 0の光磁気記録媒体を再生する原理を説明する図である。図 37は、実施例 1 0の別の光磁気記録媒体の磁区構造を説明する図である。図 38は、図 37に示した磁区構造を有する媒体の再生原理を説明する図である。

図 39 (A)、 (B) は、中間磁区層またはゲート層に転写された磁区が記録層に記録された磁区よりも小さ〈なるように転写された場合の利点を説明する図であ。

図 40は、本発明の光磁気記録媒体の積層構造を概念的に示す断面図である。図 41 (A) は本発明の光磁気記録媒体の再生前の各層の磁化状態を示す概念図であり、図 41 (B) は図 41 (A) に示した光磁気記録媒体の再生時の各層の磁化状態を示す概念図である。

図 42は、本発明の光磁気記録媒体を構成する補助磁性層の磁気特性を示す図 ¾)¾) o

図 43は、本発明の実施例 1 2で製造した光磁気記録媒体及び従来型の光磁気記録媒体における再生 C/Nと記録マーク長の関係を示すグラフである。

図 44 (A) は従来型の光磁気記錄媒体の積層構造を示す断面図であり、図 4 4 (B) は磁気超解像型の光磁気記録媒体の積層構造を示す断面図である。図 45は、図 41 (A) 及び図 41 (B) に示した光磁気記録媒体の再生原理を温度分布を用いて説明した図である。

図 4 6は、本発明の実施例 1 3における再生方法で用いることができる種々の再生磁界パターンを示す図である。

図 4 7は、本発明の実施例 1 4における再生方法で用いることができる種々の再生光パルスパターンを示す図である。

図 4 8は、本発明の実施例 1 4における再生方法で用いることができる種々の再生光マルチパルスパターンを示す図である。

図 4 9は、実施例 1 5で用いた光磁気記録媒体の積層構造を示す断面図である。図 5 0は、実施例 1 5で用いた、基板の両側に磁性層を積層した光磁気記録媒体の積層構造を示す断面図である。

図 5 1 ( A ) 及び（B ) は、再生光に対して回転移動している本発明の光磁気記録媒体の再生原理を説明する図である。

図 5 2は、本発明の第 2のタイプに属する光磁気記録媒体の再生前の各層の磁化状態を示す概念図（A ) 及び光磁気記録媒体の再生時の各層の磁化状態を示す概念図（ B ) である。

図 5 3は、第 8の態様に従う光磁気記録媒体の積層構造を概念的に示す図であ図 5 4は、第 8の態様に従う光磁気記録媒体に再生光を照射したときの読み出し部の温度プロファイルを示すグラフである。

図 5 5は、第 8の態様に従う光磁気記録媒体の補助磁性膜の温度及び保磁力のプロフアイル並びに光磁気記録膜の磁化のプロファイルを示すグラフである。図 5 6は、本発明の実施例 1 7で製造した第 8の態様に従う光磁気記録媒体の補助磁性膜のカー効果の温度特性を示すグラフである。

図 5 7は、本発明の光磁気記録媒体の再生方法の原理を説明するタイミングチヤー卜である。

図 5 8 ( A ) 〜（ E ) は、本発明の実施例 1 7の光磁気記録媒体を種々の再生 I \°ヮ一の連続光で再生した場合に才シロスコープ上で観測された再生信号波形を示すグラフである。

図 59 (A) 〜（C) は、図 58 (A) に示した信号波形が得られる際の光磁気記録媒体の各層の磁化状態を説明する概念図である。

図 60 ( A：) 〜（C) は、図 58 (C) に示した信号波形が得られる際の光磁気記録媒体の各層の磁化状態を説明する概念図である。

図 61 ( ）〜（〇）は、図58 (E) に示した信号波形が得られる際の光磁気記録媒体の各層の磁化状態を説明する概念図である。

図 62は、実施例 1 7の予備実験で決定した再生パワー Prl 及び Pr2で変調された再生用パルス光の記録マークに対する照射タイミングを示す図である。図 63は、図 62に示した再生用パルス光を用いて再生することによって得られた再生信号波形を示すグラフである。

図 64は、第 9の態様に従う光磁気記録媒体の積層構造を概念的に示す図であ ο

図 65は、本発明の光磁気記録媒体の再生方法の原理を説明するタイミングチヤートである。

図 66は、第 9の態様に従う光磁気記録媒体の光磁気記録層と光磁気再生層の磁気温度特性を示す図である。

図 67は、第 9の態様に従う光磁気記録媒体に光変調された再生光を照射することによつて光磁気記録層の記録磁区を光磁気再生層から再生するプロセスを説明する図であり、（Α) は記録層及び再生層の磁区の向きを示し、（Β) は光変調された再生光パワーを示す。

図 68は、磁区消滅の原理を説明する図であり、（Α) は補償温度未満における再生層の副格子磁化を示し、（Β) は補償温度を超える温度における再生層の副格子磁化を示す。

図 69は、第 1 0の態様に従う光磁気記録媒体の積層構造を概念的に示す断面図である。

図 7 0は、本発明の光磁気記録媒体の光磁気記録層と補助磁性層と光磁気再生層の磁気温度特性を示す図である。

図 7 1は、第 1 0の態様に従う光磁気記録媒体の再生前の各層の磁化状態を示す概念図（ A )、光磁気記録媒体の再生時初期の各層の磁化状態を示す概念図（ B ) 及び光磁気記録媒体の再生時末期の各層の磁化状態を示す概念図（C ) である。図 7 2は、従来の光磁気記録再生装置へッド構成の断面図である。

図 7 3は、従来の光磁気記録再生装置のへッド構成の断面図である。

図 7 4は、本発明に従う光磁気記録再生装置の実施例の平面図である。

図 7 5は、図 7 4に示した装置の光学系の概略図である。

図 7 6は、光磁気記録再生装置の別の実施例の平面図である。

図 7 7は、図 7 6に示した装置の光学系の概略図である。

図 7 8は、本発明に従う光磁気記録再生装置の側面図である。

図 7 9は、本発明に従う光磁気記録再生装置の平面図である。

図 8 0は、実施例 2 1で用いた光磁気ディスクの卜ラック/セクタの構成図で fo Ό o

図 8 1は、実施例 2 1で用いた光磁気ディスクの卜ラック上に形成されたプリピヅトパターンの配置図である。

図 8 2は、実施例 2 0の再生方法における再生光の変調パターンと再生磁界の交番パターンを示す図である。

図 8 3は、本発明に係る光磁気へッドに用いる光学素子の結像原理を説明する概念図である。

図 8 4は、図 8 3に示した光学素子に固体イマ一ジョンレンスを用いスライダ一上に固体イマ一ジョンレンズと磁気コイルとを備えた光磁気へッドの断面図であり、固体ィマージョンレンズと磁気コィルがスライダに内蔵された場合を示す。図 8 5は、図 8 3に示した固体イマ一ジョンレンズがスライダーに搭載され磁気コィルがスライダに内蔵された光磁気へッドの断面図である。

図 8 6は、図 8 5に示した光磁気へッドにおいて固体イマ一ジョンレンズの設置される部分にレーザ光を透過する磁性材料が配された場合の光磁気へッドの断面図である。

図 8 7は、図 8 5に示した光磁気へッドに固体ィマージヨンレンズの出射光面と接合させた磁気コイルが光記録媒体の間に配された光磁気へッドの断面図である

図 8 8は、光磁気へヅドに用いるフィルム状の磁気コイルの外視斜視図である。図 8 9は、図 8 7に示した光磁気へッドの固体イマ一ジョンレンズの設置される部分にレーザ光を透過する磁芯が配された光磁気へッドの断面図である。

図 9 0は、図 8 8に示した光磁気へッドにレーザ光を透過する磁芯が固体イマ

—ジョンレンズのレ一ザ光の出射面に直交する中心近傍に形成された光磁気へッドの断面図である。

図 9 1は、本発明の光磁気記録再生装置が備える光磁気へッドの実施例の断面図である。

図 9 2は、本発明の光磁気記録再生装置が備える光磁気へッドのスライダー実施例の平面図である。

発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の第 1〜第 1 0の態様に従う光磁気記録媒体の実施形態を図面を参照しながら説明する。図 6は、本発明の第 2の態様に従う光磁気記録媒体の構成の一例である。なお、同図で、ゲー卜層 1 6、交換結合力制御層 1 7及び情報記録層 1 8を情報記録層（図 7の情報記録層 7 5 ) に置き換え、かかる情報記録層の厚みを本発明に従って限定することによって本発明の第 1の態様に従う光磁気記録媒体となる。従って、以下の媒体構造の説明は、基本的には本発明の第 2 0の態様に従う光磁気記録媒体の構成に関するが、情報記録層がゲート層 1 6、交換結合力制御層 1 7及び情報記録層 1 8の積層構造に限定されない限りにおいて、第 1の態様に従う光磁気記録媒体にも適用される。光磁気記錄媒体 6 1は、前記のような原理に従って情報記録層の複数の微小磁区を一つだけ磁区拡大再生層 3に転写すると同時に転写された磁区を拡大再生することができる記錄媒体である。光磁気記録媒体 6 1は、透明基板 1上に、誘電体層 2、磁区拡大再生層 3、非磁性層 4、ゲート層 1 6、交換結合力制御層 1 7 及び情報記録層 1 8及び透明誘電体層 6が順次積層されてなる。拡大再生層 3は、前述のように、再生光照射時に磁壁抗磁力が再生磁界より小さい垂直磁化膜を用いることができ、例えば、 G d F e、 G d F e C o、 G d C o等の希土類遷移金属合金や、 P dまたは P t層と C o層の合金または交互積層体やガーネッ卜系酸化物磁性体などにすることができる。磁区拡大再生層 3は、その補償温度が一 1 0 0〜5 0 °Cとなるように構成することが好ましい。補償溫度をかかる範囲にしておけば室温付近で飽和磁化（M s ) が小さ〈なり、高温部でのみ M sが大きくなる（室温付近で保磁力が大きくなり、高温で保磁力が低下する）。すなわち、レーザースポッ卜内の中心部分で温度の高くなつた磁区拡大再生層 3の領域においては M sが大きくなるために保磁力 H cが低下し、磁区拡大再生層 3の高温領域の下方に存在する情報記録層にある 1 個の記録磁区のみが再生層に転写され、転写された磁区拡大再生層 3の磁区だけを再生磁界で拡大することができる。従って、磁区拡大再生層 3の補償温度を一

1 0 0〜5 0 °Cとすることによって簡略な構造による磁区拡大再生が実現される _c 再生用のレーザ光スポッ卜で照射された情報記録層内の複数の磁区のうち一つの磁区だけをゲート層 1 6に転写させるにはいくつかの方法がある。即ち、（ 1 ) 再生用のレーザ光スポッ卜内のゲ—卜層 1 6及び情報記録層 1 8の温度分布における所定溫度よりも高溫の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲー卜層に転写する方法、（ 2) 再生用のレーザ光スポッ卜内のゲ—卜層 1 6及び情報記録層 1 8の温度分布における所定温度よりも低温の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲー卜層 1 6に転写する方法及び（3) 再生用のレーザ光スポッ卜内のゲート層 1 6及び情報記録層 1 8の温度分布における所定温度範囲内の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲート層 1 6に転写する方法がある。

( 1 ) の方法は、本発明の原理説明で図 3を用いて説明した通りであり、再生用のレーザ光スポッ卜で照らされたゲー卜層の高温領域だけが保磁力を低下し、その部分だけが情報記録層からの交換結合力を受けることによる。即ち、ゲート層の保磁力が情報記録層からの交換結合力より小さくなる温度領域でのみ情報記録層からゲート層へ磁区転写が起こる。（ 2 ) の方法は、（ 1 ) と同様に再生用のレーザ光スポッ卜で照らされたゲー卜層の高温部分の保磁力が低下し、拡大再生用に印加した外部磁界の下で高温部分の磁化が外部磁界に全て揃えられる。一方、 ί 温部分では情報記録層 1 8とゲート層 1 6の交換結合力により情報記録層 1 8 の磁区がゲート層 1 6に転写されている。このタイプの膜構造としてゲート層と情報記録層との間に中間層を設けることが好ましく、例えば、 G d— F e— C o (ゲート層） /T b_F e—Co—A l (中間層） /T b— F e—Co (情報記録層）を用いることができる。（ 3 ) の方法として、上記（ 1 ) 及び（2 ) の特性を示すゲート層を積層すればよく、例えば上層として高温領域でのみ情報記録層の磁区が転写される磁性層を設け、下層として低温領域でのみ情報記録層の磁区が転写される磁性層を設ける。また、積層構造を採用せずとも、単一の磁性層によっても所定の温度範囲でのみ情報記録層の磁区が転写される磁性層を構成することができる。例えば、室温付近に補償温度 Tcom が存在し且つ所定の温度 T CR で磁化容易軸が膜面内を向〈ような磁性体を用いれば、磁性材料に応じて補償温度よりある程度高い温度（Tcom+ΔΤ) 〜TCRでのみ情報記録層からの転写が起こる。一般に情報記録層のキュリー温度は、通常、製品として入手可能な半導体レーザのパワーを考慮すると 250°C前後であるから、再生光スポッ卜により昇温する記録膜の温度の上限は 1 70°C前後である。なぜならば、これ以上高い温度では情報記録層の保磁力が小さくなるために記録磁区が変化してしまう可能性があるからである。従って、上記（ 2) の方法では 1 70°Cよりも低温の領域の情報記録層 1 8の磁区をゲ一卜層 1 6に転写するように各磁性層を設計するのが好ましい。また、一般的に光磁気記録再生装置の装置内温度は 50°C前後になるのでゲー卜層 1 6で情報記録層 1 8の磁区を 1つだけ弁別するための（ 1 ) の方法の臨界温度と差をつけるためには、最低 30 Cは必要である。従って、（ 1 ) の方法において 80 °C以上の高温領域の情報記録層 1 8の磁区をゲート層 1 6に転写するように各磁性層を設計するのが好ましい。また、同様の理由から（3) の方法においては、 80°C~1 70°Cの溫度範囲で情報記録層 1 8の磁区をゲー卜層に転写するように光磁気記録媒体の各磁性層を設計するのが好ましい。情報記録層としては、一般に、再生時の光スポッ卜中心温度でも保磁力 H cが再生磁界よりも数倍大きいという特性が要求され、例えば、 Tb F eCo、 Gd Tb F eCo、 D y F eCo、 Gd D y F eCo_s Gd D yT b F eCo及び/ または添加元素として C r、T i等の非磁性元素を添加した希土類遷移金属合金、 P t— C o合金、 P t/C o 2層膜、ガーネヅ卜材料を用いることができる。また、ゲー卜層は、一般に、保磁力 H cが情報記録層に比べてかなり小さくなる必要があり、例えば、 Gd F eCo、 Gd F e、 G d Wのような希土類遷移金属合金、 Pd— Co合金、 P t— Co合金、 Pd/Co 2層膜、 P t/Co 2層膜、ガーネット等を用いることができる。ゲー卜層 +交換結合力制御層 +情報記録層の厚さ（h ) は、磁区拡大再生層の磁区の拡大縮小の制御を容易にするために、情報記録層に記録された最小磁区の半 ί圣 ( r ) に対して（h / r ) ≥0 . 5とすることが好ましい。こうすることで、情報記錄層から磁区拡大再生層に向かう漏洩磁界による磁区転写を確実にするとともに漏洩磁界の層の面内方向における分布を比較的フラッ卜にすることができるため、磁区拡大再生層の磁区の拡大縮小の制御が容易となる。本発明の光磁気記録媒体では、図 6に示したように、ゲ一卜層 1 6 (第 1の態様に従う光磁気記録媒体では、情報記録層）と磁区拡大再生層 3との間に非磁性層 4を挿入することができる。非磁性層の材料として、 S i 0₂、 A 1 N、 S i N等の誘電体、 A l、 A l T i、 A u、 A g、 C u、 A u A l、 A g A 1等の金属または誘電体と金属の積層した構造を用いることができる。この非磁性層 4が磁区拡大再生層 3とゲート層あるいは情報記録層 1 8との間に存在すると、磁区拡大再生層 3に転写された磁区が再生磁界によりスムーズに拡大、縮小するという利点があり、ゲート層 +交換結合力制御層 +情報記録層（または単に情報記録層）からの漏洩磁界を介して静磁的に情報記録層 1 8の磁区がゲート層を通して磁区拡大再生層 3に転写される。非磁性層 4は単層や多層膜から構成されていても良い。本発明の光磁気記録媒体において、磁区拡大再生層 3とゲ—卜層 1 6との間に非磁性層 4が存在する場合には、情報記録層 1 8に書き込まれた磁区とゲ一卜層 1 6に転写された磁区との漏洩磁界との合成磁界が磁区拡大再生層 3と静磁結合することにより磁区が転写され、非磁性層 4が存在しない場合には、ゲー卜層 1 6と磁区拡大再生層 3との交換結合磁界で情報記録層 1 8からゲート層 1

6に転写された磁区が磁区拡大再生層 3に磁気転写される。図 6に示した光磁気記録媒体 6 1において、誘電体層 2、 6は、例えば、窒化物、酸化物等から構成することができる。誘電体層内での再生光の干渉効果によりみかけのカー回転角を増大することができる。図 6に示した層の他に、非磁性層 4の磁区拡大再生層 3側に（あるいは非磁性層の一部として）、磁区拡大再生層 3の温度分布を均一にするために、例えば、 A 1合金、 A u合金、銀合金、銅合金等の金属反射層が形成されてもよい。再生磁界を印加したときに磁区拡大再生層 3のトラック中心がその外側よりも高温になっていた場合、情報記錄層に記録された磁区に対応しない領域までが再生磁界で反転しやすくなる。そこで、金属反射層を備えて熱を逃がすことによってトラック中心のみが高温になることを防止し、再生磁界を印加したときに再生層の不必要な部分の磁区の反転を防止することができる。前述のように図 6における（ゲート層 1 6 +交換結合力制御層 1 7 +情報記録層 1 8 ) の部分を情報記録層に置き換えてもよい。この場合、磁区拡大再生層 3 あるいは情報記録層の補償温度を— 1 0 0〜5 0 °Cに調整すればよい。例えば、情報記録層の磁性材料として希土類遷移金属を用い、磁区拡大再生層同様に補償溫度を一 1 0 0〜5 0 °Cとして、高温部でのみ漏洩磁界が大きくなるようにすることで 0 . 3ミクロンの磁区を 3倍に拡大して再生することができた。また、（ゲート層 1 6 +交換結合力制御層 1 7 +情報記録層 1 8 ) を単に情報記録層で置き換えた場合、磁区拡大再生層 3とゲート層 1 6の中間に、室温で面内磁化膜であり、 8 0から 1 5 0°Cの温度範囲で面内磁化膜から垂直磁化膜に遷移し、それ以上の温度で垂直磁化膜となる磁性層を設けることができる。この中間層により、再生光スポッ卜内に複数の磁区が存在していてもゲート層による絞り込み効果により再生光スポッ卜よりも小さい一つの微小磁区のみを磁区拡大層に浮き出す（転写）することができる。以下、第 1〜1 0態様に従う光磁気記録媒体の実施例を図面を参照してより具体的に説明する。

実施例 1

図 7 Aに本発明の光磁気記録媒体 7 1の断面構造の一例を示す。光磁気記録媒体 7 1は、透明基板 1上に、誘電体層 2、拡大再生層 3、非磁性体層 4、情報記録層 7 5、誘電体層 6を順次積層して有する。透明基板 1 としては、 1 . 2 mm 厚のポリカーボネート基板を用いた。誘電体層 2、 6として、膜厚 7 0 n mの窒化珪素を用いた。拡大再生層 3として、膜厚 2 0 n mであり、補償温度— 1 0^eC、キユリ一温度 3 5 CTCの G d F e C o合金を用いた。非磁性体層 4として、膜厚

1 5 n mの窒化珪素及び膜厚 1 0 n mの A 1合金を用いた。情報記録層 7 5として、膜厚 2 0 0 n mであり、補償温度— 5 0 °C、キュリー温度 2 7 0 °Cの T b F e C o合金を用いた。これらの層は、それぞれ、マグネトロンスパッタ装置を用いてスパッタリングによって成膜した。図 7 Aに示した光磁気記録媒体 7 1 に、図 2に示した記録再生装置を用いて所定のデータを光磁界変調方式により記録した。光磁界変調方式による記録及び再生の詳細は後述する実施例 4等で詳述する。あるいは、別の実施例で説明するように磁界変調方式を用いて、最小磁区のトラック幅方向の磁区の長さが線方向の長さよりも短くなるように情報記録層に記録磁区を形成することもできる。図 2 の光へッドのレーザ波長は 6 8 0 n mであり、開口数が 0 . 5 5の光学系を用いた。有効スポッ卜 ί圣は 1 . 2ミクロンである。従って、光磁気記録媒体 7 1に 0 . 4ミクロンの連続磁区を記録すると再生光スポッ卜内には同時に 2個の磁区が存在することになる。本発明では、光磁気記録媒体のゲート層を用いてこの 2つの磁区を分離して再生することが可能となる。最初に、再生パワーを 1 . O m Wに設定して再生を行ったが、記録磁区は拡大再生層 3に転写せず、再生信号には現われなかった。これは、光磁気記録媒体 7 1の拡大再生層 3の補償温度が室温以下であり、 1 . OmWの再生パワーでは記録磁区を拡大再生層 3に転写させるのに充分な温度まで拡大再生層 3を加熱することができないからである。再生パワーを 1 . 8 mWにしても同様に再生波形は現われなかった。次いで、再生パワーを 2. OmWにすると、拡大再生層 3上のスポットの中心付近において直径 0. 7ミクロンほどが 80°C以上に加熱され、拡大再生層 3のかかる加熱された領域には 0. 4ミクロンの大きさの 1個の磁区だけが転写された。すなわち、スポッ卜中に存在する情報記録層 5の 2つの磁区を区別して再生することができた。これは情報記録層 5及び拡大再生層 3の室温での飽和磁化がいずれも 1 00 emu/cc よりも小さいために光スポッ卜内の 80。C以下の低温部分には情報記録層 5の磁区が転写されないためである。すなわち、 80°Cを超える温度に加熱された拡大再生層 3の領域にのみ 0. 4ミクロンの記録磁区が転写することができた。この場合の再生波形を図 8 (A) に示す。なお、この再生の際に、再生磁界はかけなかった（H = 0)。図 8 ( A) の下方には交番磁界の信号も同時に示した。次に、光磁気記録媒体 7 1に、上記と同様の条件の下で、磁気へッドに再生磁界として記録クロックに同期して変調する H=± 2 1 5 (Oe) の交番磁界を印加して、記録データを再生したところ、図 8 (C) に示したような再生波形が得られた。図 8 (C) の再生信号は、再生磁界なしの場合（図 8 ( A)) に比べて再生信号振幅が 3倍に増大している。再生磁界で磁区の転写可能領域が増えただけならば振幅は増大しないはずであるが、振幅が 3倍にも増えたことは拡大再生層 3に転写された磁区の拡大（及び縮小）が起きていることを示している。図 8 (B) に記録クロックに同期して H=± 1 30 (Oe ) の交番磁界を印加した場合を示す。この場合も、再生磁界を印加しなかった場合に比べて再生信号振幅が増大していることがわかる。図 8 (D) に記録クロックに同期して H=±260 (Oe) の交番磁界を印加した場合を示す。この場合は、 H = ±21 5 (Oe) の場合に比べて再生信号振幅がわずかに減少してる。これは、再生磁界が大きすぎることにより記録磁区が存在しない領域に対応する拡大再生層 5の磁区も反転し、それが縮小再生磁界により消しきれなかったためであると考えられる。すなわち、縮小磁界が印加された際の信号レベルのベースラインが上昇するために信号振幅が減少しているように見える。

H=±21 5 (Oe) の交番磁界を印加した場合と同様の再生条件の下で、光磁気記録媒体 71の T b F e C o情報記録層 5の膜厚を 200 nmから 70 nm に変更して再生を行った。この場合、交番再生磁界で一瞬再生波形は大きくなるがすぐに隣の磁区とつながってしまい、個々の記録磁区の検出ができなかった。これは情報記録層 3の T b F e C oの膜厚が記録磁区の大きさに比べて薄いためその漏洩磁界が不十分であるからであると考えられる。本発明者らの実験より、 0. 4ミクロンの磁区を拡大再生するためには、情報記録層の膜厚は少な〈とも 1 00 n m以上必要であり、従って、記録層の厚み（ h ) と最小記録磁区の線方向（トラック方向）の長さ（ r) の比（h/r ) が 0. 5以上が好ましいことがわかった。実施例 2

この実施例では、図 7 (A) に示した光磁気記録媒体と同様の構造を有する光磁気記録媒体の別の具体例を示す。この光磁気記錄媒体の具体例は本発明の第 2 の態様に対応する。図 7 (B) を参照して、この光磁気記録媒体 72は、ガラス、ポリ力—ポネ一卜等の透光性の基板 1上に S i Nからなる誘電体層 2、 G d F e Coからなる拡大再生層（以下、再生層と略する） 3、 S i N/A 1 T iからなる非磁性層 4、 T b F e C oからなる情報記録層（以下、記録層と略する） 75、 S i Nからなる保護層 76を順次堆積した構造である。誘電体層 2の膜厚は 60 0〜800オングストローム（本文中、 Aで表す）、再生層 3の膜厚は 50〜1 000 A、非磁性層 4の膜厚は 50〜300 A、記録層 75の膜厚は 500〜3 000 A、保護層 1の膜厚は 500〜1 000 Aに調整することができる。各層は A rをスパッタガスとして用いたマグネ卜口ンスパッタリング法により形成することができる。図 7 (A) に示した積層構造において、再生層 3は GdFeCoに限らず、 G dFe、 GdCo、 TbCoまたは、 Ho、 Gd、 Tb、 Dyの中から選択された 1元素と Fe、 Co、 N iの中から選択された 1元素とからなる磁性膜であつてもよい。また、非磁性層 4は、 S i N/A 1 T iの代わりに、 A 1 N、 T i N、 S i 0₂、 A 1₂0₃、 S i C、 T i C、 Z nO、 S i A 10 N, ITO、または S n02であってもよい。また、記録層 75は T b F e C o合金に限らず、 T b、 Dy、 Ndの中から選択した元素と Fe、 Co、 N iの中から選択した元素とからなる単層の磁性膜または多層の磁性膜であってもよい。また、 Pt、 Pdの内の 1元素と Fe、 Co、 N iの中から選択した元素とからなる単層の磁性膜または多層の磁性膜であってもよい。さらに、本明細書で開示した、再生層、記録層及び非磁性層として使用可能な他の材料を使用することもできる。図 1 7及び図 18 (A)、 (B) を用いて本発明の光磁気記録媒体の原理説明を行う。この具体例の光磁気記録媒体 72では再生用レーザ光を照射することによつて最初に記録層 75の微小磁区 7を静磁結合により再生層 3に転写し、次いで転写された磁区を拡大再生する。再生用レーザビームを光磁気記録媒体に照射すると、通常、媒体上には図 1 7に示すように温度分布が生じる。図 1 7は光磁気ディスクに再生光をスポッ卜状に照射した場合の卜ラック方向位置に対する溫度の関係を示すグラフであり、再生光のスポッ卜中心の後方に高温領域が存在する。この温度分布を利用して特定の温度領域の記録層 75の磁化のみを再生層 3へ転写することができる。図 1 8 (A) を参照して、再生光スポッ卜の中央部（高温部）でのみ記録層 7 5の磁化が再生層 3 aに転写される場合を説明する。図 1 8 (A)には、説明上、記録層 75、非磁性層 4及び再生層 3 aのみを示し、その上方に再生光スポッ卜が照射されたときの温度分布を同時に示した。光磁気記録媒体に再生光スポッ卜が照射されると所定の温度以上になつた高温領域の記録層 75の磁区 7のみが非磁性層 4を介して再生層 3に転写され、再生層 3 aに記録層 75中の磁区 7と同じ磁化を有した磁区 8が現われる。この場合、記録層 75から再生層 3 aへの転写は非磁性層 4を介して転写されるため、交換結合力ではなく静磁結合により行われる。このタイプの転写を行うには、再生層 3 aとして、室温で面内磁化膜であり、所定の温度（臨界温度）以上で垂直磁化膜となる磁性膜が好適に用いられる。この臨界温度は、通常、 1 00〜1 70°Cの範囲にあり、この範囲の温度に到達すると急峻に面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する磁性膜が好ましい。この面内磁化膜から垂直磁化膜へいかに急峻に変化するかを示す 1つの指標として力一回転角の温度係数 Cがあり、この実施例の光磁気記録媒体では温度係数 Cが 8. 0以上の磁性膜を用いている。本発明に従う種々の態様（第 1〜第 22の態様）の光磁気記録媒体において、再生層として室温で面内磁化膜であり、臨界温度以上で垂直磁化膜となる磁性膜を用いる場合には、この温度係数 Cが 8. 0以上の磁性膜を用いるのが好ましい。温度係数 Cの算出方法の詳細については「鷲見等、第 43回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 27 p— P D— 26 ( 1 99 6)j を参照することができる。図 1 8 ( A) に示したタイプの転写を実行するためには、再生層 3 aに用いる磁性膜としては、 Gd F eC o、 Gd F e、 G d C oが適している。また、非磁性層 4、記録層 75を構成する材料としてはこの実施例で記載した材料を使用することができる。再生層 3 aに磁区 7の磁化が磁区 8として転写された後、図 1 8 (B) に示すように磁区 8を拡大するために外部磁界 H e pを印加される。印加される外部磁界 H e pとして、交番磁界を用いた。交番磁界の極性が、再生層 3 aに転写された磁区 8の磁化と同じ方向になつた場合には、磁区 8の両隣の領域にも磁区 8の磁化と同じ方向の磁区 8 a、 8 bが生じ、転写された磁区 8が拡大されることになる。そして転写された磁区 8が拡大された瞬間に後述する再生装置により再生信号として検出される。再生時に印加する拡大再生用磁界の大きさ H e p及び、かかる磁界と再生層 3 a上に現われるマーク（磁区）の大きさの関係については、前述の原理説明の櫊で図 5 (A) のヒステリシスカーブを用いて説明した通りである。図 1 9に図 7 (B) に示した光磁気記錄媒体 72を用いて測定した H eと H n の再生パワー依存性を示す。再生用レーザビームの波長は 830 nmとした。再生レーザ光パワーが 1 . 0〜2. 2 mWの範囲では、 H eとH nには明らかな差があるので、各再生パワーに応じて決定される H sと H nとの間で外部磁界 H e Pを決定すればよい。例えば、再生レーザ光パワーが 1 . 4 mWの場合には 20 0~250 (Oe) の間に外部磁界 H e pを設定すればよい。また、図 1 9より外部磁界 H e pは再生レーザ光パワーの増加に伴い小さくできる。また、交番磁界の周波数は 0. 5〜2MH zの範囲にすることができる。再生層 3 aに磁区を転写し、外部磁界により磁区を拡大して再生した後は、次の記録磁区を転写■拡大して再生するために拡大された磁区を一旦消去する必要がある。この消去方法には、 2つの方法がある。 1つは磁性膜の種類に応じて決定される最小安定磁区 Sを用いる方法である。記録された磁区の大きさは雰囲気温度に応じてその安定性が異なり、低温では微小磁区は安定に存在しにくくなる。図 20に、前記式（1 ) で定義した安定に存在し得る磁区の最小安定磁区 grmin を温度に対して表した。最小安定磁区径 rminは磁性膜の温度上昇と共に小さくなり、前記再生層 3に用いた Gd F e Coの場合、室温での rminは 0. 5〜0. 6 zm, 1 20°Cでの rminは 0. 1 μηηである。即ち、 1 20°Cでは 0. 1 μ m以上の磁区が安定して存在できるが、室温においては 0. l Atmの大きさの磁区はもはや安定に存在できなくなり、消滅することになる。従って、この原理を用いて、再生光スポッ卜中央部（高温領域）では、記録層の磁区が再生層に転写されて拡大再生磁界で拡大された後、再生光スポッ卜の低温部に入ると転写拡大された磁区に対して、最小安定磁区径が大きくなるために磁区は自然に消滅することになる。この拡大された磁区の消去方法については、この実施例のみならず本発明に従う全ての態様の光磁気記録媒体及びその再生方法に適用可能である。再生層 3に転写 ·拡大した磁区を消去する他の方法は、前述の原理説明において図 5 (B) との関係で説明したように、磁区拡大する際に印加した外部磁界 H e pと反対方向の磁界 H s rを印加することである。図 21は、図 18 ( B) に示した再生層 3 aの磁区 8近傍の拡大概念図であり、拡大した磁区 8 a、 8 bが磁界 H s rを外部磁界 H e pと反対方向に印加することにより縮小する様子を示す。磁区を縮小するための磁界 H s rは図 4 (B) に示したヒステリシスカーブにより決定することができる。この磁区を縮小する原理については図 5 (B) との関係で既に説明したので省略する。上記転写及び磁区拡大、すなわち再生に用いられるレーザビームの波長は 30 0〜830 nmが好適であり、レーザビームを集光する対物レンズの開口数は 0. 55 (許容誤差 ±0. 05)、レーザビームのスポット径は 1. 0 (許容誤差士 0. 1 ) xmにすることができる。この具体例においては、再生光スポッ卜の中央部の高温領域に存在する記録層 75の微小磁区が再生層 3に転写される場合を説明したが、これ以外に、再生光スポッ卜の後方部の高温領域または前方の低温領域に存在する磁区を転写する方法を用いてもよい。前者のタイプの光磁気記録媒体においては、再生層には垂直磁化膜が用いられ、再生用レーザビームが照射される前に再生層 3の磁化方法を揃えるために初期化磁界を印加する必要がある。レーザビームが媒体に照射され、所定温度以上に上昇した磁区の磁化が記録層 75から非磁性層 4を介して静磁結合により再生層 3の磁区に転写される。その後の図 1 8 (B) に示したような磁区拡大（及び消去）動作が行われる。再生光スポッ卜の後方部の高温領域を通じて転写が行われる方式に好適な再生層としては、希土類金属、例えば、 T b、 D y、 Gdと遷移金属、例えば、 F e、 Co、 N iをそれぞれ一種類以上含む合金磁性膜を用いることができ、例えば、 Gd F eCo、 G d F e、 GdCo、 T b Coが好ましい。また、非磁性層 4及び記録層 75としては前述のものから選択することができる。再生光スポッ卜の前方の低温領域に存在する磁区を転写する方法では、再生層には垂直磁化膜が用いられる。この垂直磁化膜は再生用レーザビームが照射され所定温度（キュリー温度）以上に上昇すると磁化が消去する性質の磁性層が用いられる。また、この場合、信号が記録された状態では記録層 75と再生層 3との磁化の方向は一致することになる。再生用レーザビームが照射され所定の温度以上に再生層 3の温度が上昇すると、その領域の磁化は消去することになる。従つて、所定温度以上の領域が信号が記錄されていない状態となり、温度の低いレ— ザビームの前方でのみ転写が行われて信号が再生される。その後、図 1 8 (A) に示したような磁区拡大（消去）動作が行われる。この方法による再生層 3としては、 T bCo、 D yと F e、 Co、 N iの中から選択された 1元素とからなる磁性膜が適している。また、非磁性層 4及び記録層 75としては前述のものから選択することができる。また、図 22を参照して、再生光スポッ卜の後方部の高温領域で転写が起こる方式と再生光スポッ卜の前方の低温領域で転写が起こる方式を組み合わせることもできる。図 22にこのタイプの光磁気記録媒体の記録層 75、非磁性層 4、再生層 3 dとその温度分布を示す。このタイプの光磁気記録媒体は再生される前に初期化磁界（図示しない）により再生層 3 dは一定方向に磁化されている。その後、光磁気記録媒体にレーザビームが照射されると再生層 3 dの高温部 1 9では磁化が消去し、高温部 1 9より前側（ディスク進行の前方）の磁区 20は記録層 75の磁区 21と同じ方向に磁化されているので、磁区 20を拡大することにより再生することができる。再生層 3 dに用いられる磁性膜の特性としては、記録層 75から磁化が転写される温度と、それ以上で磁化が消去する温度とが存在し、磁化が転写される温度としては 80~1 2 (TCの範囲であり、磁化が消去される温度としては 1 30~1 70°Cの範囲が好ましい。また、再生動作に入る前の初期化磁界の大きさは 1 k (Oe) 以下がよい。再生層 3 dとしては T bC o、 D yと F e、 Co、 N iから選択した 1元素とからなる磁性膜が適している。非磁性層 4及び記録層 75としては前述のものから選択することができる。実施例 3

実施例 1では拡大再生層 3と情報記録層からなる単純な構造で、情報記録層から磁区拡大再生層に微小磁区を転写するとともに転写された磁区を拡大及び縮小することができた。この実施例では再生光スポッ卜内に存在する情報記録層の複数の磁区の一つだけを選別可能なゲー卜層を設けた光磁気記録媒体を示す。この光磁気記録媒体は本発明の第 2の態様の光磁気記録媒体に相当する。図 9に示すように、この実施例の光磁気記録媒体 91は、実施例 1の光磁気記錄媒体 71の情報記録層 5を、ゲート層 93 +交換結合力制御層 95、 97 +情報記録層 99に置き換えた構造を有する。ゲ—卜層 93として、補償温度— 50 C、キュリー温度 350°C、膜厚 1 O O nmの Gd F eCo磁性層を用いた。第 1交換結合力制御層 95として、補償温度— 80°C、キュリー温度 1 60°C、膜厚 2 0 nmの T b F eC o磁性層を用いた。第 2交換結合力制御層 97として、補償温度 90°C、キュリー温度 200°C、膜厚 1 01^ 01の0 d F eC o磁性層を用いた。情報記録層 99として、補償温度一 50°C、キュリー温度 270°C、膜厚 7 0 nmの T b F eC o磁性層を用いた。第 1交換結合力制御層 95は 70°C以上の領域の情報記録層 99の磁区をゲ一卜層 93に転写することを制御するための層であり、第 2交換結合力制御層 97は 1 60°C以下の領域の情報記録層 99の磁区をゲー卜層 93に転写することを制御するための層である。このような構成で 70°C以上 1 60°C以下の温度範囲にある情報記録層 99の記録磁区を拡大再生層 3に転写することができる。これらの層の成膜は実施例 1と同様にマグネ卜ロンスパッタ装置で行った。光磁気記録媒体 91を実施例 1と同様の条件で記録及び再生した。拡大再生層 3に転写された磁区は、再生磁界（交番磁界） H=±200 (Oe) で拡大し、再生信号の振幅が 4倍に増大したことが確認された。この光磁気記録媒体 91を用いると、 0. 3ミクロンの磁区が確実に転写されることがわかった。なお、ゲート層 93として、 1 O O nmの G d F eC o磁性層を用いているので、この G d F eCo磁性層に形成される磁区の磁壁の厚みよりも厚廣報記録層 99からゲート層 93に転写される磁化の反転の際に、磁壁中の磁気スピンのねじれを許容している。実施例 4

この実施例では、実施例 1及び 2で具体的に説明した光磁気記録媒体の記録及び再生に好適な装置の構成例並びに記録及び再生方法について説明する。図 1 0 に示した装置 1 01は、光磁気ディスク 1 00にコ一ドデータと同期した一定周期でパルス化された光を照射するためのレーザ光照射部と、記録再生時に光磁気ディスク 1 00に制御された磁界を印加する磁界印加部と、光磁気ディスク 1 0 0からの信号を検出及び処理する信号処理系とから主に構成されている。レーザ光照射部において、レーザ 22はレーザ駆動回路 32及び記録パルス幅/位相調整回路 51 (RC— P PA) に接続されており、レーザ駆動回路 32は記録パルス幅位相調整回路 5 1からの信号を受けてレーザ 22のレーザパルス幅及び位相を制御する。記録パルス幅/位相調整回路 51は P L L回路 39から後述するクロック信号を受けて記録光の位相及びパルス幅を調整するための第 1同期信号を発生する。磁界印加部において、磁界を印加する磁気コィル 29は磁気コィル駆動回路（M -DR I V E) 34と接続されており、記録時には磁気コイル駆動回路 34はデ一夕が入力される符号器 30から位相調整回路（R E— P A) 3 1を通じて入力データを受けて磁気コイル 29を制御する。一方、再生時には、 P L L回路 39 から後述するクロック信号を受けて再生パルス幅 ·位相調整回路（ R P— P P A )

1 31を通じて位相及びパルス幅を調整するための第 2同期信号を発生し、第 2 同期信号に基づいて磁気コィル 29を制御する。磁気コィル駆動回路 34に入力される信号を記録時と再生時で切り換えるために、記録再生切換器（RC/R P

SW) 1 34が磁気コイル駆動回路 34に接続されている。信号処理系において、レーザ 2 2と光磁気ディスク 1 0 0との間には第 1の偏光プリズム 2 5が配置され、その側方には第 2の偏光プリズム 2 5 1及び検出器 2 8及び 2 8 1が配置されている。検出器 2 8及び 2 8 1は、それそれ、 I / V 変換器 3 1 1及び 3 1 2を介して、共に、減算器 3 0 2及び加算器 3 0 1に接続される。加算器 3 0 1はクロック抽出回路（C S S ) 3 7を介して P L L回路 3 9に接続されている。減算器 3 0 2はクロックに同期して信号をホールドするサンプルホールド（S / H ) 回路 4 1、同様にクロックと同期してアナログデジ夕ル変換を行う A / D変換回路 4 2、 2値化信号処理回路（B S C ) 4 3を介して復号器 3 8に接続される。上記装置構成において、レーザ 2 2から出射した光はコリメ一夕レンズ 2 3によって平行光にされ、偏光プリズム 2 5を通って対物レンズ 2 4によって光磁気ディスク 1 0 0上に集光される。ディスク 1 0 0からの反射光は偏光プリズム 2 5によって偏光プリズム 2 5 1の方向に向けられ、 1 / 2波長板 2 6を透過した後、偏光プリズム 2 5 1で二方向に分割される。分割された光はそれぞれ検出レンズ 2 7で集光されて光検出器 2 8及び 2 8 1に導かれる。ここで、光磁気ディスク 1 0 0上にはトラッキングエラ一信号及びクロック信号生成用のピッ卜が予め形成されている。クロック信号生成用ピッ卜からの反射光を示す信号が検出器 2 8及び 2 8 1で検出された後、クロック抽出回路 3 7において抽出される。次いでクロック抽出回路 3 7に接続された P L L回路 3 9においてデータチャネルクロックが発生される。データ記録の際に、レーザ 2 2はレーザ駆動回路 3 2によってデータチャネルクロックに同期するように一定周波数で変調され、幅の狭い連続したパルス光を放射し、回転する光磁気ディスク 1 0 0のデータ記録エリアを等間隔に局部的に加熱する。また、データチャネルクロックは、磁界印加部の符号器 3 0を制御して、基準クロック周期のデータ信号を発生させる。データ信号は位相調整回路 3 1 を経て磁気コイル駆動装置 34に送られる。磁気コイル駆動装置 34は、磁界コイル 29を制御してデータ信号に対応した極性の磁界を光磁気ディスク 1 00 のデータ記録エリアの加熱部分に印加する。実施例 3で作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を光磁気記録再生装置 1 0 1で測定した。なお、装置 1 01の光へッドのレーザー波長は 685 nm、対物レンズの開口数 N Aは 0. 55である。データの記録は、線速度 5. Om/s e cで、レーザービームを一定周期のパルスに照射しながら、外部磁界を ±300

(0 e ) で変調させて記録を行う光磁界変調記録方式を用い、レーザ光パルスのデューティ一 50%で行った。図 1 1に、記録クロックに対する記録レーザ光パルス及び記録外部磁界のタイミングチヤ一卜を示す。図 1 1の上方にかかる記録により形成された微小磁区のパターンを示した。微小磁区は直 ί圣 0. 4ミクロンで形成された。次いで、微小磁区が記録された光磁気記録媒体を図 1 0に示した装置を用いて以下のようにして再生した。再生レーザ光パワーを 2. OmWとし、記録された磁区一つ一つに対して再生ク□ックを同期させるとともに再生クロックに同期するように磁界をパルス状に変調して印加した。再生クロックに対する再生外部磁界及び再生された信号のタイミングチャートを図 1 2に示す。パルス状磁界の強度は磁区中心付近で記録方向に 1 50 (Oe) (H E )、消去方向に 250 (0 e) (H S ) とし、記録方向の磁界のデューティ一は 25°/₀である。また、再生信号のサンプルホールドタイミングは磁界の変調タイミングと一致させた。図 1 2中に示した再生波形（パルス磁界再生波形）から明らかなように、微小磁区からそれそれ独立した再生信号が得られている。比較のため磁界を変調しない場合、すなわち、記録方向に 2 0 0 ( O e ) の D C磁界を印加しながら、上記同様に再生した場合の再生信号（D C磁界再生信号）を同図に示した。 D C磁界では、隣接する磁区からの再生信号波形がつながり、各微小磁区を分離して再生することができない。図 1 2の最下段に、クロックに同期したサンプルホールドパルスとサンプルホールド後のパルス磁界による再生信号を示した。サンプルホ一ルド後のアナ口グ再生信号振幅は、再生磁界を印加しないときよりも大幅に増加していることがわかった。また、図 1 3に 1 — 7変調記録したときの記録マーク長に対するエラ一レートの関係を、再生磁界としてパルス状磁界を用いた場合と D C磁界を用いた場合とを比較して示す。図 1 3の結果よりパルス状磁界を用いて再生するとエラーレー卜が改善され、記録マーク長 0 . 2 5 mにおいても、十分にデータの再生が可能であることがわかる。従って、本発明の光磁気記録媒体にパルス状磁界を印加して再生することによって高密度記録及びその再生を実現することができる。この実施例の再生動作において用いた再生磁界における記録方向の磁界のデュ —ティ一比は 2 5 %であったが、 1 5 %〜9 0 °/₀の範囲内で、好ましくは 1 5 % 〜6 0 %の範囲内において適宜変更することができる。すなわち、光磁気記録媒体を構成する磁性層の材料に応じて、再生層における磁区の拡大が最も良好に行われるように再生磁界の記録方向の磁界のデューティ一比を調整することが望ましい。実施例 5

この実施例では、実施例 4に示した記録再生装置の変形例について説明する。図 1 4に示した記録再生装置 1 0 3は、図 1 0に示した装置構成に、さらに、再生光を P L Lクロックに同期してパルス変調するための再生パルス幅及び位相調整回路（R P— P P A ) 5 3と、記録再生時に記録パルスと再生パルスを切り換えるための記録再生切換器（RC/R P SW) 55を備える。その他の各部分については、実施例 4で説明した記録再生装置 1 01 と同じであるので、対応する部分に同一の符号を表示して説明を省略する。実施例 4で作製した光磁気記録媒体の記録再生特性を記録再生装置 1 03で測定した。記録再生装置 1 03のレーザ 22の波長は 685 nm、対物レンズ 24 の開口数 N Aは 0. 55である。データの記録は、線速度 5. Om/s e cで、レーザビームを一定周期のパルスに照射しながら、外部磁界を ± 300 (Oe) で変調させて記録を行う光磁界変調記録方式を用い、レーザ光パルスのデューティ一比 50 %で行った。記録クロックに対する記録レーザ光パルス及び記録外部磁界のタイミングは図 1 1に示したタイミングチヤ一卜と同様である。微小磁区は直 ί圣 0. 4ミクロンで形成された。上記のようにして微小磁区が記録された光磁気記録媒体を図 1 4に示した装置を用いて以下のようにして再生した。再生レーザ光の強度を記錄クロックに同期して一定周期で変調した。再生レーザ光のピークパワー（Pr ) を 4. 5mW、ボトムパワー（P B ) を 0. 5 mWとし、ピークのデューティ一比を 33%に設定した。再生用磁界は実施例 4の場合と同様に、記録された磁区 1つ 1つに対して再生クロックに同期させて変調した。パルス状磁界の強度は磁区中心付近で記録方向に 1 50 (Oe) (H E )、消去方向に 250 (Oe) (H S ) とし、記録方向のデューティ一比は 25%である。また、再生信号のサンプルホールド夕イミングは磁界の変調夕ィミングと一致させた。再生クロックに対する再生外部磁界及び再生された信号のタイミングチャートを図 1 5に示す。図 1 5に示したように、再生レーザ光パルスの立ち下がりと再生磁界パルスの立ち下がりを一致させて再生を行った。図 1 5中に示した再生波形（パルス光、パルス磁界再生波形）から明らかなように、微小磁区からそれぞれ独立した再生信号が得られている。比較のため、レ —ザパワー 1 . 5 m Wの D C光及び記録方向に 2 0 0 ( O e ) の D C磁界を印加しながら、上記同様に再生した場合の再生信号（D C光、 D C磁界再生信号）を同図に示した。 D C光、 D C磁界では、隣接する磁区からの再生信号波形がつながり、各微小磁区を分離して再生することができない。図 1 5の最下段に、クロックに同期したサンプルホールドパルスとサンプルホ―ルド後の )、'ルス磁界による再生信号を示した。本実施例では再生光を変調することにより、転写磁区が存在しない磁区拡大再生層の部分の磁化反転を有効に防止することができる。また、図 1 6に 1 —7変調記録したときの記録マーク長に対するエラーレ一卜の関係を、再生光としてパルス状レーザを用いた場合と連続光（D C光）を用いた場合とを比較して示す。図 1 6の結果よりパルス光を用いて再生するとエラ一レートが改善されることがわかる。なお、再生光パルスのタイミング及びデューティ一比、再生磁界パルスのタイミング及びデューティ—比、再生磁界パルスの極性に関しては、媒体構成や組成に応じて変更しても良い。例えば、後述する実施例で説明するように、再生交番磁界における記録方向の磁界のデューティー比を、 1 5 %〜 9 0 %の範囲内に調節することができる。実施例 6

実施例 4においては、磁気コイル駆動用の位相調整回路 3 1及び再生パルス幅 /位相調整回路 1 3 1並びにレーザ駆動用の記録パルス幅/位相調整回路 5 1に P Lし回路 3 9から出力されるクロック信号は、光磁気記録媒体 1 0 ( 1 0 0 ) の基板に形成されたピッ卜からの反射光を検出し、埋め込みクロック抽出回路 3 7によって発生させていた。また、実施例 5においては、磁気コイル駆動用の位相調整回路 3 1及び再生パルス幅/位相調整回路 1 3 1並びにレーザ駆動用の記録パルス幅/位相調整回路 5 1及び再生パルス幅/位相調整回路 5 3に P L L回路 3 9から出力されるクロック信号は、光磁気記録媒体の基板に形成されたビッ卜からの反射光を検出し、埋め込みク口ック抽出回路 3 7によって発生させていた（外部クロック）。この実施例では、本発明の再生装置（記録再生装置）において、特に再生用外部磁界及び再生光をパルス変調するのに有効な種々のクロック発生方法について例示する。再生クロックの発生方法には以下の 3つの方法がある。第 1の方法は自己 P L し同期、第 2の方法は外部 P L L同期及び第 3の方法は 2周期サンプリングである。装置構成として、第 1及び第 3の方法を実現するには、図 1 0及び図 1 4に示した装置において埋め込みクロック抽出回路 3 7を省略した信号処理系を用いればよい。一方、第 2の方法を実現するには、図 1 0及び図 1 4に示した装置の信号処理系をそのまま用いることができる。図 2 3は、第 1の方法である自己 P L L同期を説明するための概念図である。図 2 3において、記録された磁区（磁気マーク） 8 1、 8 3が検出され、図 1 0 (または図 1 4 ) に示した加算器 3 0 1、 P L L 3 9で処理されて、クロック 8 5が発生する。図 2 4〜図 2 6を用いて第 2の方法である外部 P L L同期法を説明する。図 2 4は、光磁気記録媒体をランド · グループ構造に構成した場合の光磁気記錄媒体 1 0の部分拡大図である。光磁気記録媒体 1 0のランド部 1 O R (またはグルーブ部）に一定周期でピッ卜 1 0 pを設けておき、ピッ卜 1 0 pを光学的に検出し、検出した周期に合わせてクロックを発生させる。この場合、一定周期でランド 1 O Rに設けるものはピッ卜 1 0 Pに限る必要はなく、結晶状態等の材質の変化や凸部等の光学的に検出できるものであればよい。図 2 5は光磁気記録媒体をゥォブル型のランド · グループ構造に構成した場合の光磁気記録媒体 1 0 ' の部分拡大図である。ゥォブル型のランド · グループ構造ではゥォブルの周期を検出することによりこの周期に基づいて再生クロック信号を発生させることができる。図 2 6は、光磁気記録媒体をランド ·グループ型に構成し、ピッ卜の代わりに、ファインクロックマーク 1 0 Fを設けた光磁気記録媒体 1 0 " の部分拡大図である。ファインクロックマーク 1 0 Fは、図 2 4に示したピット 1 0 pが形成される間隔とぼぼ同間隔で設けることができ、一つのフアインクロックマーク 1 O F を一つの波形として見た場合に、その波長（トラック方向の長さ）をファインクロックマーク 1 0 Fの上記間隔の 1 / 3 0 0〜"！ / 5 0に、振幅（卜ラック幅方向の変化量）を 1 0 0から 3 0 0 n mにそれぞれ調整することができる。図 2 6 では、フアインクロックマーク 1 0 Fはランド 1 0 Rの一方の側の壁にしか形成されていないが、ランド 1 0 Rの両側の壁に形成してもよい。ファインクロックマーク 1 O Fを、検出部が 4分割された光検出器で検出した場合に、各検出部からの和信号を観察すると、図 2 6に示したファインクロックマーク 1 0 Fの形状のような波形が得られる。こうして得られた再生波形を所定の基準値で比較して 2値化し、 2値信号の立ち上がりのタイミングに同期させることで外部同期用クロック信号を発生させることができる。なお、図 2 5に示したゥ才ブル型のランド - グループ構造の光磁気記録媒体に、図 2 6に示したようなファインクロックマーク 1 O Fを設け、再生用外部磁界及び/または再生光を変調するためのクロック信号をフアインクロックマーク 1 O Fから取り出し、記録用のデータチャンネルクロックをゥ才プリング周期から検出してもよい。図 2 7は第 3の方法である 2周期サンプリング法を説明する概念図である。図 2 7において、記録された単位記録磁区（最短記録磁区あるいは単位ビッ卜） 8 7が再生され、図 1 0 (または図 1 4 ) に示した加算器 301、 P L L 39で処理されて、クロック 85が発生する。この際、 P L L回路 39は単位記録磁区 8 7に 1周期以上のクロック 85を発生するように構成されており、単位記録磁区 87の繰り返し周期より高い周波数のクロックを発生することができる。本発明においては、再生光及び/または再生用外部印加磁界をパルス変調する場合は上記 3つの方法のいずれの方法を用いて発生した再生クロックに基づいて第 1同期信号及び/または第 2同期信号を発生させても良い。また、記録用外部印加磁界及び/または記録光をパルス変調する場合にも、上記 3つの方法のいずれかの方法を用いて発生した再生クロックを用いてもよい。実施例 7

前記実施例で説明したように光磁気記録媒体 1 0 ( 1 00、 1 01 ) の再生時には、図 1 0または 1 4に示した装置を用いて、外部磁界が印加されるとともに再生用レーザビームが照射される。この実施例では、磁区拡大による再生に最も好適な磁界印加条件について検討した。本発明の光磁気記録媒体の再生方法において、磁界とレーザビームの各々が" 連続（DC)" または" パルス" のいずれかを選択できるためにその組み合わせは次の 4通りが考えられる。

( 1 ) レーザビーム：連続光、磁界：連続磁界

(2) レーザビーム：連続光、磁界：パルス

(3) レーザビーム：パルス、磁界：連続磁界

(4) レーザビーム：パルス、磁界：パルス

上記の 4つの場合のうち、（ 2) 〜（4) についてはパルス化されたレーザ光若しくは磁界またはその両方の大きさ及び適用するタイミングを調整する必要がある。上記（2) の場合は、図 28 ( A) を参照して、磁区拡大のプロセスで印加される外部磁界 H e pと磁区消滅のプロセスで印加される外部磁界 H s rとは、異なる大きさである。これは、磁区拡大再生層の保磁力を H c 1、記録層の記録磁区が再生層に及ぼす漏洩磁界を H st とすると、転写磁区を消滅させるには H =H c 1 + Hst の磁界が必要となり、一方、転写磁区を拡大させる磁界は H c 1で足りるからである。また、隣接する磁区の再生に拡大再生の影響が残らないようにするという理由から磁区拡大のための時間 T 1 (記錄方向の磁界のデューティ）は磁区消滅のための時間 T 2より短く、 0. 1 5^Τ 1 / (Τ 1 +Τ 2) ≤0. 9の範囲が好ましい。この範囲は、後述する再生磁界の波形における才ーバーシュートを防止するという観点からも好ましい。さらに好ましくは、 0. 1 5≤Τ 1 / (Τ 1 +Τ 2) ≤0. 6である。この時間 Τ 1は、光磁気記録媒体を構成する磁性層の磁化特性等の種々の要因に基づいて最適値が選定される。上記（3) の場合は、記録層の磁区を再生層に転写し、広範な温度分布を与えて磁区拡大の条件を整えるために時間がかかるためレーザビームのパルスのデュ一ティは 20〜70%の範囲が好ましい。上記（4 ) の場合の印加磁界 Hex とレーザパルスの周期の関係を図 28 ( B) に示す。図 28 (B) に示すように、磁区拡大のための時間 T 1、磁区消滅のための時間 T 2の各々において、レーザビームの 0 N/0 F Fが 1回行われるようにレーザビーム（図中、レーザパワーを Prで表した）を照射するのが好ましい。本発明においては、上記（ 1 )〜（4) のいずれの方法を用いることが可能である。しかしながら、磁区拡大を最も確実に行わせるには記録磁区が記録されていない記録層部分の直上に位置する再生層部分において磁区拡大の変化を起こさないようにする必要があり、そのためにはかかる位置の再生層の膜温度を局部的に低くしてお〈必要がある。このような要請より、パルス光照射を用いることが好ましく、また磁区拡大縮小を確実に行えるパルス磁界再生が好ましい。これらのことより、条件（4) での再生が最適でめる。図 28 ( ）及び28 (B) では、印加する交番磁界は矩形の波形の磁界を用いたが、オーバ—シュートが実質的にない波形ならば任意の波形の磁界を用いることができる。磁界波形にオーバーシュート、すなわち、磁界波形の急峻な立ち上がりが存在し且つその立ち上がりの最大（ピーク）磁界強度が、例えば、図 5

(A) のヒステリシスカーブにおける H nを超えるような値であると、情報記録層に記録磁区が存在しなくても、その上方の再生層の磁区が反転して信号として読み出されてしまうからである。このオーバ一シュートを防止するため、図 29 に示したような三角波の波形を用いることができる。このような波形の磁界を用いることによって、拡大時の磁界変化を緩やかにして磁区拡大を容易にすることができる。波形は三角波に限らず、正弦波等の徐々に磁界が増加するような波形であれば任意のものを用いることができる。または、才一バーシュートが発生しないことを条件に矩形波でもかまわない。図 30に、再生磁界波形に好適な正弦波を発生させるための回路の一例を示す。図 30に示したような回路を、図 1 0

(図 1 4 ) の記録再生装置 1 01 ( 1 03) の磁気コィル駆動回路 34に組み込むことによって、正弦波の波形を有する再生用磁界を発生させることができる。図 31 (a) 〜（d) に、上記（2) の場合、すなわち、レーザビームを連続光とし、磁界をパルス化して再生した場合の再生信号（振幅）の印加磁界依存性を示す。光磁気記録媒体として図 7 (B) に示したものを用い、レーザビームは波長が 830 nm、パワーが 1. 65 m Wであり、線速度は 1. 7m/s e cであった。また、記録は 0. のドメインを等間隔で記録することにより行つた。外部磁界は、図 31 (a)では H = 0、図 31 (b) では H = 1 30 (Oe), 図 31 (c) では H = 21 5 (Oe) 及び図 31 (d) では H= 260 (0 e ) とした。磁界のパルスのデューティは T 1 / Τ 2 = 1である。但し、磁界波形として正弦波に近い波形を有する交番磁界を用いた。外部印加磁界が大きくなると共に検出される信号強度が大きくなり、 H = 2 6 0 ( O e ) では飽和レベルに達している。外部磁界を印加することにより再生信号が大きくなつていることは記録層から再生層へ転写された磁区が拡大していることを示すものである。実施例 8

図 3 2に、図 1 0に示した記録再生装置 1 0 1の変形例を示す。図 1 0に示した記録再生装置 1 0 1においては、光磁気記録媒体 1 0 0の上方から外部磁界を印加するとともに、光磁気記録媒体 1 0 0の下方、即ち、基板側から記録光及び再生光を照射した。図 3 2の光磁気記録媒体の記録再生装置 1 0 5において、外部磁界と記録及び再生光を同一方向から適用することが可能である。これを実現するために、記録再生装置 1 0 5では、再生光集光用の対物レンズ 2 4に磁気コィルが巻き付けられている。図 3 3に、この記録再生装置 1 0 5に好適な光磁気記録媒体 7 9の媒体構成を示す。この光磁気記録媒体 7 9は、図 7 ( B ) に示した媒体構造と異なり、基板 1上に情報記録層 7 5、非磁性層 4、拡大再生層 3、誘電体層 2及び保護層 7 6 が積層された構造を有する。この光磁気記録媒体 7 9を記録再生するには、基板 1側ではなく、保護層 7 6側（拡大再生層 3側）から光が入射するとともに、磁界が印加される。このため、基板 1は透明材料を用いる必要がなく、アルミ等の金属材料等の不透明な材料で構成することができる。また、図 3 3に示した積層構造を基板 1の外側にも基板に対して対称になるように積層することにより両面記録可能な光磁気記録媒体を構成してもよい。この両面記録可能な光磁気記録媒体は、従来の光磁気記録媒体に比べて記録密度が 2倍になる。特に、この両面記録可能な光磁気記録媒体を、図 3 2に示した構造の記録再生装置で記録再生するには、片面の記録または再生毎に光磁気記録媒体を裏返せばよい。従って、この記録再生装置 1 0 5は光磁気記録媒体の記録容量の増大を可能とする。なお、この磁界と光を同一方向から適用する光磁気へッドの構成は、図 1 4に示した記録再生装置にも適用可能である。実施例 9

前記実施例では、光磁気記録媒体に記録信号を光磁界変調方式を用いて記録したが、磁界変調方式を用いて記録することもできる。いずれの方式で記録する場合も、記録磁区は、最短磁区（線方向の長さが最も短い磁区または磁気マーク）の形状として、磁区のトラック幅方向の長さが線方向の長さよりも長くなるように形成するのが好ましい。一層好まし〈は、磁区の後方部が磁区の内側に窪んでいる形状が好ましい。かかる最短磁区の例として、図 3 4 ( A ) に示したような三ヶ月型や図 3 4 ( B ) に示した矩形の磁区が好適である。この他に、最短磁区の形状として矢羽型（矢がディスクの回転と反対の方向を向く）の磁区も好ましい。磁区のトラック幅方向の長さが線方向（卜ラック方向）の長さよりも長くなるように形成する磁区を記録するには、磁界変調記録方式を用いることが有効である。矢羽根型等の磁区の形状については基板の溝やランド部の形状を変化することで調整可能である。このような記録磁区形状は、以下の理由により、再生層から転写された磁区の拡大を容易にする。本発明の光磁気記録媒体の記録層に、例えば、図 3 4 ( A ) に示した三ヶ月型の磁区が記録されているとする。光磁気記録媒体の再生時に、光磁気記録媒体が再生光で加熱されて三ヶ月型の磁区が静磁結合または交換結合により再生層に耘写される。再生層において、再生光スポッ卜中心に相当する部分（またはその後方）が高温である。また、磁壁は高温の方が熱力学的に安定であるため、三ヶ月型の磁区の窪み部がその後方（三ヶ月の円弧を共通とする円の中心部）の高温部分に向かって移動した方が安定となる。また、磁壁の長さは短い方が安定であるため、三ヶ月型の磁区の窪み部が膨らんで半月型の磁区になつた方が磁壁が短〈なるために安定である。従って、再生層上ではかかる温度分布及び磁区形状に従って磁区が拡大し易くなる。また、次の理由からも上記三ヶ月型等が好ましいといえる。記録磁区から再生層に向かう漏洩磁界を考慮すると、三ヶ月型の記録磁区からの漏洩磁界は三ヶ月型の磁区の上方の再生層における三ヶ月の中心（三ヶ月の円弧を共通とする円の中心部）で最大となる。それゆえ、再生層に転写された磁区はこの漏洩磁界により拡大し易くなる。実施例 1 0

この実施例では本発明の第 4の態様に従う光磁気記録媒体を説明する。実施例 1及び 2においては、記録層から再生層へ転写された磁区を外部磁界を印加することにより拡大し、再生する光磁気記録媒体の例を示したが、本実施例においては、記録層から再生層へ転写された磁区を外部磁界を印加せずに拡大して再生することができる光磁気記録媒体の例について説明する。図 3 5に、この実施例に係る光磁気記録媒体の積層構造を示す。光磁気記録媒体 1 1 0はガラス、ポリカーボネート等の透光性の基板 1上に S i Nからなる誘電体層 6 5、 G d C oからなる再生層 6 4、 S Nからなる非磁性層 6 3、 T b F e C oからなる記録層 7 5、 S i Nからなる保護層 7 6を順次堆積した構造である。再生層 6 4に用いられる磁性膜は、前記式（ 1 ) で定義された最小安定磁区径が記録層 7 5に記録された磁区より大きい材料である。従って、記録層 7 5の磁化が非磁性層 6 3を介して再生層 6 4に転写されると、外部磁界の印加による磁区拡大をしなくても記録層 7 5の磁区を大きな磁区として再生することができる。また、本実施例に係る光磁気記録媒体の構造は、非磁性層 6 3と前記再生層 6 4との間に G d F e C oよりなる中間磁性層を挿入した構造であっても良い。上記各層は A rをスパッタガスとして用いたマグネ卜口ンスパヅ夕リング法により形成される。図 3 6を参照して、光磁気記録媒体 1 1 0を用いた再生原理を説明する。図 3 6において、信号が記録された記録層 7 5と、非磁性層 6 3と、室温で面内磁化膜であるが、所定の温度（臨界温度）以上で垂直磁化膜となる再生層 6 4とからなる光磁気記録媒体 1 1 0にレーザビームが照射されると所定の温度以上に昇温した領域に記録されている磁区 1 5 0の磁化が非磁性層 6 3を介して再生層 6 4 の磁区 1 6 0に転写される。この場合、磁区 1 5 0から磁区 1 6 0への転写は静磁結合により行われる。この結果、再生層 6 4の磁区 1 6 0は全体が下向きに磁化される。従って、記録層 7 5から再生層 6 4へ転写された磁区は外部から磁界を印加することによる磁区拡大のプロセスがなくても記録層の磁区より大きい磁区を再生層に転写できることになる。磁区 1 5 0が再生された後はレーザビームの照射位置が次に再生されるべき磁区 1 7 0の位置へ移動すると、磁区 1 6 0の実効的垂直磁気異方性が小さ〈なり、磁区 1 6 0の磁化は面内方向を向く。次に再生されるべき磁区 1 7 0と、該磁区 1 7 0上の磁区 1 6 0の領域が所定の温度以上に達した場合には、磁区 1 6 0は実効的垂直磁気異方性が大き〈なり、上向きの磁化が転写され、磁区 1 7 0の信号が再生される。再生後は温度が低くなり磁区 1 6 0の磁化は面内を向く。この繰り返しにより記録層 7 5に記録された各磁区が再生される。再生層 6 4に用いられる磁性膜は、室温で面内磁化膜、所定の温度以上で垂直磁化膜となり、最小安定磁区径が記録層 7 5に記録された磁区より大きい材料であれば良く、 G dと F e、 C o、 N iの中から選択した元素とから成る磁性膜が適している。また、記録層 7 5としては T b F e C o、 T b、 D y、 N dの中から選択した元素と F e、 C o、 N iの中から選択した元素とから成る単層の磁性膜若しくは多層の磁性膜であってもよい。また、更に、 P t、 P dの内の 1元素と F e、 C o、 N iの中から選択した元素とから成る単層の磁性膜若しくは多層の磁性膜であってもよい。また、再生層 6 4が面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する所定の温度は 1 4 0 〜1 8 0 °Cの範囲であり、面内磁化膜から垂直磁化膜への変化の急峻性を示す温度係数 Cは実施例 2と同様に 8 . 0以上が好ましい。前記光磁気記録媒体 1 1 0は図 3 6に示す構造に限らず、非磁性層 6 3に代えて室温で面内磁化膜、所定の温度以上で垂直磁化膜となる磁性膜を挿入した構造でもよい。図 3 7に、図 3 6に示した光磁気記録媒体の非磁性層 6 3に代えて室温で面内磁化膜であり臨界温度 T CR1 にて面内磁化膜から垂直磁化膜へ変化する中間磁性膜 9 9を用いた場合の概念図を示す。ここで、再生層は 6 4 Cとして表す。中間磁性層 9 9の最小安定磁区径は記録層 7 5と同程度である。中間磁性膜 9 9としては、 G d F e C o、 G d F e、 G d C oが適している。また、再生層 6 4〇も臨界温度1^112 以上で面内磁化膜から垂直磁化膜へと変化するが、その温度領域は 1 0 0〜1 7 0 °Cの範囲である。本構造の光磁気記録媒体においては、中間磁性層 9 9が面内磁化膜から垂直磁化膜へ急峻に変化することが再生特性を決定する。従って、中間磁性層 9 9に用いられる磁性膜の温度係数 Cは 8 . 0以上が好ましい。また、中間磁性層 9 9の厚みは、中間磁性層 9 9の磁化の回転を可能にするために、中間磁性層 9 9の磁区 1 2 4とそれに隣接する面内磁化の磁区との間に形成される磁壁の厚み以上になるようにするのが望ましい。図 3 7に示した光磁気記録媒体 1 2 5にレーザビームが照射され、記録層 7 5 の磁区 1 2 3の領域が昇温されると磁区 1 2 3の磁化が交換結合力により中間磁性層 9 9の磁区 1 2 4へ転写され、更に、再生層 6 4 Cの磁区 1 2 5に転写される。これにより記録層 7 5の微小磁区 1 2 3は再生層 6 4 Cの大きな磁区 1 2 5 として再生されることになる。中間磁性層 9 9を用いると再生層には面内磁化膜、垂直磁化膜のいずれを用いた場合にも外部磁界を印加する必要はない。この実施例に示した光磁気記録媒体を再生するにはレーザビームのみを照射すればよく、このレーザビームの照射方法には連続光を照射する方法とパルス光を照射する方法とがある。パルス光の場合のデューティは 2 0〜7 0 %の範囲であ o 図 3 7において、記録層 7 5の記録磁区 1 2 3は、図 3 8の下段に示すように、中間磁性層 9 9に縮小されて転写されるのが好ましい。この理由を図 3 8を用いて説明する。図 3 8の上段に、再生用レーザ一スポヅ卜（L S ) によって図 3 7 に示した構造の光磁気記録媒体が加熱されたときの温度分布を示し、図 3 8の中段に、再生層 6 4 Cの上方から見た光磁気記録媒体のレーザスポッ卜（L S ) に対する温度分布を示す。中間磁性層 9 9に転写された磁区 1 2 4 (个向きの磁化）の大きさが記録磁区 1 2 3の大きさと同等かそれ以上であると、中間磁性層 9 9 の磁区 1 2 4は記録磁区 1 2 3と隣接する向きの磁化を持つ磁区 Sからの磁気的な影響を受け、磁区 1 2 4が不安定になる。中間磁性層 9 9に転写された磁区 1 2 4は、磁区を拡大させる機能を持つ再生層 6 4 Cに記録磁区 1 2 4の磁化情報を転送する役割を果たす必要があるため、磁気的に安定である必要がある。それゆえ、記録磁区 1 2 3から中間磁性層 9 9に磁区を縮小させて転写することによって、中間磁性層 9 9の磁区 1 2 4に対する記録磁区 1 2 3に隣接する磁区 S からの影響を低減させることができ、これによつて、中間磁性層 9 9の磁区 1 2 4の磁化を安定化させることができる。特に、光磁気記録媒体は、通常、回転した状態で再生されるため、図 3 9 ( A ) 及び（ B ) に示すように、再生光スポッ卜に対して光磁気記録媒体の記録層 7 5の磁区が次々と移動する。一方、再生光スポッ卜に対して中間磁性層 9 9の T CR1 を超える温度領域は一定の位置に存在する。中間磁性層 9 9の T CR1 を超える温度領域が記録磁区 1 2 3の大きさと同じである場合、この温度領域内に移動中の一つの記録磁区だけが存在するのは一瞬の間だけであり、それ以外の時間は、この温度領域内に一つの記録磁区の一部とそれに隣接する記録磁区の一部が存在することになる。このため、単一の記録磁区の磁化情報だけを中間磁性層 9 9の T CR1 を超える温度領域から読み出すことが極めて困難となる。しかしながら、中間磁性層 9 9の T CR1 を超える温度領域が記録磁区 1 2 3の大きさよりも小さいと、この温度領域が単一の記録磁区だけの上方に存在している時間は比較的長く、単一の記録磁区から確実に磁化情報を中間磁性層 9 9に転写することができる。以上の理由は、中間磁性層が室温以上で垂直磁化膜の場合であっても当てはまる。すなわち、中間磁性層として室温以上で垂直磁化を示す磁性材料を用いる場合にも、記録層から中間磁性層に転写される磁区が縮小されるように転写を行わせるのが有効である。中間磁性層 9 9の磁区の大きさを記録磁区 1 2 3の大きさよりも小さくするには、図 3 8に示したように、中間磁性層 9 9の T CR1 を超える温度領域が記録層 7 5の記録磁区 1 2 3の大きさ（幅）よりも小さくなるように、レ一ザ一パヮ一及び中間磁性層 9 9の T CR1 を調整すればよい。なお、中間磁性層 9 9に転写された磁区 1 2 4の大きさが、記録層 7 5の記録磁区 1 2 3よりも小さいことは、例えば、以下の方法によって検証することができる。情報を記録した光磁気記録媒体から基板 1を除去し、誘電体膜 6 5及び再生層 6 4をスパッ夕エッチングなどで取り除いた後、中間磁性層 9 9の表面を再生温度まで温めて光学顕微鏡などで観察すればよい。図 3 8に示した例では、再生時に、記録層 7 5の記録磁区 1 2 3は中間磁性層 9 9に磁区 1 2 4として縮小されて転写され、さらに磁区 1 2 4が再生層 6 4 C に磁区 1 2 5として拡大されて転写される。この実施例で説明した光磁気記録媒体は情報再生時に磁界を印加する必要がない。このため、実施例 4または実施例 5で説明した再生方法及び記録再生装置において、再生磁界を印加せずに再生を実行すればよい。すなわち、この実施例で説明した光磁気記録媒体を再生する装置は、図 1 0または図 1 4に示した装置から磁界印加部及びそれに関連する信号処理系を省略して構成することができる。あるいは、この実施例で説明した光磁気記録媒体の再生時に、図 1 0または図 1 4に示した装置の磁界印加部を駆動させなければよい。なお、光をパルス変調する場合には、実施例 6で説明したクロック発生方法を適用することができる。また、実施例 9で説明した最短磁区形状で記録する方法は、この実施例の光磁気記錄媒体（本発明の第 2 2の態様に従う光磁気記録媒体）においても有効である。実施例 1 1

本発明の光磁気記録媒体は、ランド · グループ型の光磁気記録媒体に適用することができる。特に、本発明を用いると、ランド幅がグループ幅よりも狭いランド - グループ型の光磁気記錄媒体であってランド部に記録が行われる光磁気記録媒体が有効となる。すなわち、微小な記録磁区が狭いランド部に形成された場合であっても、再生層を通じて記録磁区は拡大されて読み出される。このため、狭いランド部に記録された微小磁区からも優れた C / Nで再生信号が得られる。本発明はこのように新規な構造の媒体構造をも可能にする。以上、第 1〜第 4の態様の光磁気記録媒体を実施例により具体的に説明してきたが、それらに限定されず、それらの変形及び改良を含み得る。例えば、光磁気記録媒体を構成する材料は本発明を実現するものであれば種々の材料を使用することができ、磁区拡大再生層の前後や情報記録層またはゲー卜層の前後等の任意の位置に任意の中間層を介在させたり、あるいは層表面を加工することも可能である。例えば、実施例 2及び 9に示した光磁気記録媒体の作製においては、基板上に S i Nからなる誘電体層を形成した後に再生層を形成したが、再生層を形成する前に誘電体層の表面をエッチングして平坦化した後に、再生層を形成することもできる。エッチング条件として、 A rガスを用いたマグネ卜ロンスパッタリング法でパワーを 0 . 0 5〜0 . 2 O W/ c m²、スパッタ時間を 1 5〜3 0分の範囲に調整することができる。これにより異方性の大きな磁性膜を形成することができ、光磁気記録媒体の再生特性を一層向上させることできる。また、光磁気記録媒体の再生層については、第 1〜第 4のいずれの態様に従う光磁気記録媒体においても、垂直磁化を有する磁性層または再生光が照射されることによって所定領域が面内磁化から垂直磁化に転移する磁性層のいずれであつてもよい。また、実施例 4において情報の記録を光磁界記録方式を用いて行ったが、それに限定されず、光変調方式及び磁界変調方式を用いることも可能である。実施例 1 2

本発明の第 5〜 7の態様に属する光磁気記録媒体の構造の一例を図 4 0を参照しながら説明する。図 4 0に示すように、第 1のタイプに属する光磁気記録媒体 4 1 1は片面に所望のプリフォーマツ卜パターン 4 0 2が形成された透明基板 4 0 1 とプリフ才一マツ卜パターン 4 0 2上に形成された誘電体膜 4 0 3と、誘電体膜 4 0 3上に形成された第 2の補助磁性膜 4 0 4と、第 2の補助磁性膜 4 0 4 上に形成された第 1の補助磁性膜 4 0 5と、第 1の補助磁性膜 4 0 5上に形成された光磁気記錄膜 4 0 6と、光磁気記録膜 4 0 6上に形成された保護膜 4 0 7とからなる。図 4 0に示した構造において、透明基板 4 0 1 としては、例えばポリ力一ポネートゃアモルファスポリオレフィンなどの透明樹脂材料を所望の形状に成形したものや、所望の形状に形成されたガラス板の片面に所望のプリフォーマツトパ夕

—ン 402が転写された透明樹脂膜を密着したものなど光透過性のある任意の基板を用いることができる。誘電体膜 403は、膜内で再生用光ビームを多重干渉させ、見かけ上の力一回転角を増加するために設けられるものであって、透明基板 401よりも屈折率が大きい、例えば S i Nからなる無機誘電体で形成することができる。保護膜 407は、基板 401と保護膜 407との間に積層される膜体 403〜406を腐食等の化学的な悪影響から保護するためのものであって、例えば、 S i N膜よりなる。光磁気記録膜 406は、室温を含む広い温度範囲で垂直磁気異方性を示す垂直磁化膜であり、例えば、 T b F e C o、 D y F e C o、 T b D y F eC oなどの希土類と遷移金属の非晶質合金が好ましいが、 P t膜と C o膜の交互積層体やガーネッ卜系酸化物磁性体などの他の知られた光磁気記録材料を用いることもできる。第 1補助磁性膜 405及び第 2補助磁性膜 404は、図 42に示すように、室温（R. T) から室温以上のある臨界温度（TCR) までは面内磁化膜であり、 T CR以上では垂直磁化膜に転移する磁気特性を有する。図 42には、磁化方向を表すために、補助磁性膜の膜面に垂直な方向に外部磁界を印加した場合の力一効果のヒステリシスループから求めた (0KR：残留カー回転角、 0KS : 飽和カー回転角）を、温度に対して表してある。なお、本明細書において、「室溫」とは光磁気記録媒体が使用される雰囲気温度を示し、使用場所に応じて多少異なるが、一般には 1 5°C〜25°Cである。補助磁性膜 404、 405の材料としては、例えば、 G d F eC o、 Gd F e、 G d T b F eCo、 Gd D y F eC oなどの希土類と遷移金属の非晶質合金が好ましい。第 1及び第 2補助磁性層の成分及び組成は、 Tcr2<Tcrlの条件及び/または再生光照射時の TCR1を超える温度領域と光磁気記録層の磁区の大きさとの関係を考慮して決定される。誘電体膜 403、第 2補助磁性膜 404、第 1補助磁性膜 405、光磁気記録膜 406及び保護膜 407は、例えば、マグネトロンスパッタ装置による連続スノッタリング等のドライプロセスにより形成することができる。以下に、図 40に示した光磁気記録媒体の一例として、光磁気ディスクのサンプルの作製例を示す。光磁気ディスクのサンプルは、プリフォーマットパターンを有するガラス基板上に、 S i N膜よりなる誘電体膜と、 Gd25F e56Col9 膜（II)よりなる第 2補助磁性膜と、 Gd Fe₅₃Co,₉膜（I) よりなる第 1補助磁性膜と、 T b₂₁F e_S6Co₁₃膜よりなる光磁気記録膜と、 S i N膜よりなる保護膜とを順次スパッタリング法により積層して作製した。この場合の各補助磁性膜及び光磁気記錄膜の厚さ並びに磁気特性を表 1に示す。表中の Tc はキュリー温度を表し、 TCRは、補助磁性膜の面内磁化膜が垂直磁化膜に変化する臨界温度を表す。表 1

材料膜厚 TC TCR

(nm) (°C) (°C)

光磁気記録膜 TbFeCo 50 270 ―

第 1補助磁性膜 GdFeCo(I) 60 > 300 200

第 2補助磁性膜 GdFeCo(II) 50 >300 90

上記のように作製したサンプルディスクのデータ記録領域に、レーザービームを一定周期のパルス状に照射しながら外部磁界を記録信号に応じて変調させて、すなわち、光磁界変調方式を用いてテス卜信号を記録した。記録光パルスのデュ —ティー比は 50%であった。種々の記録マーク長の記録マークが形成されるようなテス卜信号を用いた。次いで、対物レンズの開口数 N A = 0. 55、レーザ一波長 780 nmの光ビックアップを用い、線速度 7. 5 m/s e c、再生パワー 2. 5 mW、再生時の外部印加磁界をゼロとして、種々の長さの記録マークを再生した。サンプルディスクの光磁気記録膜、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜の組成及び再生パワーを上記のように調整したことによって、前述の検証方法により、光磁気記録膜の記録磁区の大きさ（怪）よりも第 1補助磁性膜に転写された垂直磁化の磁区の大きさ（径）が小さいことがわかった。再生 CN比（C ：キャリアレベル、 N ：ノイズレベル）の記録磁区長依存性の測定結果を、図 43に示す。図 43中には、比較のために、 2種類の従来型の光磁気記録媒体のデータも併せて示す。点線のデータは、図 44 (A) に示した従来型の光磁気記録媒体の再生データであり、単層の光磁気記録膜 41 6として T bF eCoを用いている。また一点破線のデータは、図 44 (B) に示したような T b F e C o光磁気記録膜 41 6と G d F e C o第 1補助磁性膜 41 5の 2層磁性膜によって構成した磁気超解像（MS R) ディスクについての結果である。図 43の結果より、本実施例に係るサンプルディスク（データは実線）では、記録マーク長 0. 2Aimにおいても、 2種類の従来ディスクに比べ著しく高い再生 C/Nが得られることがわかる。従って、本発明を用いれば、従来の再生限界を超えた極めて微小な記録マークの再生が可能となり、記録密度を向上させることができる。この実施例で用いた第 1補助磁性層である G d₂₈F e_5:iC o₁₉膜の磁壁の厚みは、前記計算方法を用いて算出すると、ほぼ 50 nmであり、第 1補助磁性層の膜厚が 60 nmであることからすれば、本発明の第 1補助磁性層の膜厚の条件を満足している。また、ホール効果を用いて測定した場合の磁壁の厚さは 60 n より小さいことがわかっている。本実施例では、光磁気記録膜 406、第 1補助磁性膜 405及び第 2補助磁性膜 404の 3つの磁性膜の膜間を接触させて積層し各膜間を交換結合させたが、光磁気記録膜 406と第 1補助磁性膜 405との間に、または、第 1補助磁性膜 405と第 2補助磁性膜 404との間に、若しくはその両方に非磁性膜を挿入し、磁性膜間を静磁結合させてもよい。また、本実施例では、 2層の補助磁性層 40 4、 405を用いたが、各層 Tcr (面内磁化膜から垂直磁化膜に変化する臨界の温度）を Tcrl>Tcr2 > ... >TCRn >室温（但し、 TCRi は第 i補助磁性膜の T c r) と設定した n (n≥ 3) 層の補助磁性膜を順次積層して用いてもよい。但し、この場合、第 1補助磁性膜が光磁気記録膜 406側に設けられ、第 n補助磁性膜が誘電体膜 403側に設けられる。また、再生用光ビームが照射された時の媒体の温度プロフアイルを所望の形状にするために、あるいは、温度プロファイルの線速度依存性を小さくするため、適当な熱伝導率の熱制御膜を光磁気記録媒体 41 1の保護膜 407上、若しくは保護膜 407と光磁気記録媒体 41 1 との間に設けてもよい。また、本実施例では、通常の DCレーザ一光で再生を行ったが、後述する実施例 1 3のように最短マーク長に対応する周波数のパルスレーザー光で再生を行い、さらに良好な再生 C/Nを得ることも可能である。また、更に良好な再生 CN比を得るために、再生光を照射したときの媒体の最高到達温度でカー回転角 0k が第 2補助磁性膜 404の 0k 以上であり且つ室温以上で垂直磁化膜である再生用磁性膜を誘電体膜 403と第 2補助磁性膜 404との間に付加してもよい。かかる再生用磁性膜の材料として、例えば、 Gd F eC oを用いることができる。実施例 1 3

この実施例では、実施例 1 2で作製した光磁気記録媒体について図 1 0に示した記録再生装置を用いて情報記録再生した。本実施例における記録磁区と再生磁界パルスの形状及びタイミングとして、図 46に示す様々なパターンを用いることができる。再生磁界パターン 1の様に H E = - HSの場合、再生磁界パターン 402, 403の様に HE≠—HSの場合、再生磁界パターン 404の様に HS =0あるいは HE =0の場合、再生磁界バターン 5の様に HE と HS が同一の極性の場合、再生磁界パターン 6~8の様に H E 、 HS の間に H = 0のインタ—バルが存在する場合、いずれの場合でも HE 、 HS のデューティ一比が 20〜80%の間の最適な値を取ったとき、記録磁区の拡大の効果、すなわち再生信号が増幅される結果が得られた。実施例 1 4

この実施例では、図 1 4に示した記録再生装置 1 03を用いて、実施例 1 2で作製した光磁気記録媒体 1 1の記録再生特性を測定した。記録再生装置 1 03のレーザ 22の波長は 685 nm、対物レンズ 24の開口数 N Aは 0. 55である。データの記録は、線速度 5. Om/s e cで、レーザビームを一定周期のパルスに照射しながら、外部磁界を ± 300 (Oe) で変調させて記録を行う光磁界変調記録方式を用い、レーザ光パルスのデューティ一比 50%で行った。記録クロックに対する記録レーザ光パルス及び記録外部磁界のタイミングは図 1 1に示したタイミングチヤ一卜と同様である。微小磁区は直径 0. 4ミクロンで形成された。上記のようにして微小磁区が記録された光磁気記録媒体を図 1 4に示した装置を用いて以下のようにして再生した。再生レーザ光の強度は、図 1 5のタイミングチヤ一卜に示すように、記録クロックに同期して一定周期で変調した。再生レ

—ザ光のピークパワー（Pr) を 5. 5 mW、ボトムパワー（PB) を 0. 5mW とし、ピークのデューティ一比を 33%に設定した。再生用磁界は実施例 1 3の場合と同様であり、図 1 5に示すように、記録された磁区 1つ 1つに対して再生クロックに同期させて変調した。パルス上磁界の強度は磁区中心付近で記録方向に 250 (O e) (HE), 消去方向に 1 50 (O e) (HS) とし、記録方向のデュ一ティ一比は 25%である。また、再生信号のサンプルホールドタイミングは磁界の変調タイミングと一致させた。再生磁界と再生光のタイミングについては、図 1 5に示したように、再生レーザ光パルスの立ち下がりと再生磁界パルスの立ち下がりを一致させた。なお、再生時の磁界の記録方向のデューティー比は ₂5% としたが、前述の実施例 6で説明したように 1 5〜90%の範囲内で変更することも可能である。

図 1 5に示した再生波形（パルス光、パルス磁界再生波形）から明らかなように、微小磁区からそれぞれ独立した再生信号が得られている。比較のため、レーザパワー 1 . 5 mWの DC光及び記録方向に 200 ( 0 e ) の D C磁界を印加しながら、上記同様に再生した場合の再生信号（DC光、 DC磁界再生信号）を同図に示した。 DC光、 DC磁界では、隣接する磁区からの再生信号波形がつながつている。図 1 5の最下段に、クロックに同期したサンプルホールドパルスとサンプルホールド後のパルス磁界による再生信号を示した。本実施例では再生光を変調することにより、転写磁区が存在しない磁区拡大再生層の部分の磁化反転を有効に防止することができる。また、図 1 6に 1 一 7変調記録したときの記録マ —ク長に対するエラ一レー卜の関係を、再生光としてパルス状レーザを用いた場合と連続光（D C光）を用いた場合とを比較して示す。図 1 6の結果よりパルス状磁界を用いて再生するとエラ一レ一卜が改善されることがわかる。再生光パルスは、図 4 7の再生光パターン 1〜 3に示すようにタイミング及びデューティ一比を変更しても良い。また、再生磁界パルスのタイミング、デューティ一比及び再生磁界パルスの極性に関しては、実施例 1 3と同様に図 4 6に示すように変更しても良い。さらに、再生光パルスと再生磁界パルスは、図 4 7に示したパターンのいずれかと図 4 6に示したパターンのいずれかをどのように組み合わせても良い。実施例 1 4においては、再生レーザ光を 2値に変調して記録磁区の再生を行つていたが、再生レーザ光をマルチパルス化することにより、磁区の転写、拡大の過程をより確実に制御することができるとともに、拡大時の磁区形状を安定化することができる。その例を図 4 8に示す。図 4 8は記録磁区と再生光パターンの関係を示したものである。図 4 0の光磁気記録媒体 4 1 1の第 1補助磁性膜 4 0 5において転写に最適な再生パワー及び第 2補助磁性膜 4 0 4において磁区の拡大に最適な再生パワーを連続してパルス状に照射し、磁区の転写、拡大再生を行う方法である。つまり、再生光パターン 4及び 5において、 a及び cの部分で転写を確実に行い、 b及び dの部分で拡大を確実に行わせて、磁区形状を安定化させる方法を示している。再生光パターン 4は転写に適した再生パワーが、拡大に適した再生パワーよりも小さい場合、再生光パターン 5はその逆の場合を示す。実施例 1 5

図 4 9に、図 1 0の記録再生装置 1 0 1に好適な光磁気記録媒体 5 1 6の媒体構成を示す。この光磁気記録媒体 5 1 6は、基板 4 0 1上に光磁気記録膜 4 0 6、第 1補助磁性層 4 0 5、第 2補助磁性層 4 0 4、誘電体膜 4 0 3、保護膜 4 0 7 を順次積層した構造を有する。光磁気記録膜 4 0 6と第 1補助磁性層 4 0 5との間に C r層等の接着層を形成してもよい。この光磁気記録媒体 5 1 6を記録再生するには、基板 4 0 1側ではなく、保護層 4 0 7側（第 2補助磁性層 4 0 4 ) から光を入射させるとともに磁界を印加する。このため、基板 4 0 1は透明材料を用いる必要がなく、アルミ等の金属材料や他の任意の不透明な材料で構成することができる。更に、本実施例の装置を用いることによって、図 5 0に示したような、基板 4 0 1の両面に光磁気記録膜 4 0 6、 4 0 6 '、第 1補助磁性層 4 0 5、 4 0 5 '、第 2補助磁性層 4 0 4、 4 0 4 '、誘電体膜 4 0 3、 4 0 3 '、保護膜 4 0 7、 4 0 7 ' をそれぞれ順次積層させた構造の光磁気記録媒体 5 1 7を再生することが可能となる。光磁気記録媒体 5 1 7の基板 4 0 1は、一方の記録面の記録または再生が他方の記録面の記録再生に影響を及ぼさないような金属等の材料から構成するの好ましい。この両面記録可能な光磁気記録媒体は、従来の光磁気記録媒体に比べて記録密度が 2倍になる。特に、この両面記録可能な光磁気記録媒体を、図 3 2に示した構造の記録再生装置で記録再生するには、片面の記録または再生毎に光磁気記録媒体を裏返せばよい。従って、この記録再生装置は図 5 0に示したような大容量の光磁気記録媒体の釗生をもたらす。なお、この磁界と光を同一方向から適用する光磁気へッドの構成は、図 1 4に示した記録再生装置にも適用可能である。実施例 1 6

前記実施例では、光磁気記録媒体に記録信号を光磁界変調方式を用いて記録したが、磁界変調方式を用いて記録することもできる。いずれの方式で記録する場合も、記録磁区は、最短磁区（トラック方向の長さが最も短い磁区）の形状として、磁区のトラック幅方向（トラック方向に垂直な方向）の長さがトラック方向の長さよりも長くなるように形成するのが好ましい。一層好まし〈は、記録媒体の移動方向に対して磁区の後部が磁区の内側に窪んでいる形状が好ましい。かかる最短磁区の例として、図 3 4 ( A ) に示したような三ヶ月型や図 3 4 ( B ) に示した矩形の磁区が好適である。この他に、最短磁区の形状として、矢がディスクの回転と反対方向を向いた矢羽型の磁区も好ましい。磁区のトラック幅方向の長さが線方向の長さよりも長くなるように磁区を記録するには、磁界変調記録方式を用いることが有効である。矢羽根型等の磁区の形状については基板の溝ゃランド部の形状を変化することで調整可能である。このような記録磁区形状は、以下の理由により、再生層から転写された磁区の拡大を容易にする。本発明の光磁気記錄媒体の記録層に、例えば、図 3 4 ( A ) に示した三ヶ月型の磁区が記録されているとする。光磁気記録媒体の再生時に、光磁気記録媒体が再生光で加熱されて三ヶ月型の磁区が静磁結合または交換結合により再生層に転写される。再生層において、再生光スポッ卜中心に相当する部分（またはその後方）が高温となる。磁区間の磁壁は高溫の方が熱力学的に安定であるため、三ヶ月型の磁区の窪み部はその後方（三ヶ月の円弧を共通とする円の中心部）の高温部分に向かって移動した方が安定となる。また、磁壁の長さは短い方が安定であるため、三ヶ月型の磁区の窪み部が膨らんで半月型の磁区になつた方が磁壁が短くなるために安定となる。従って、再生層上ではかかる温度分布及び磁区形状に従って磁区が拡大し易くなる。また、次の理由からも上記三ケ月型等が好ましいといえる。記録磁区から再生層に向かう漏洩磁界を考慮すると、三ヶ月型の記録磁区からの漏洩磁界は三ヶ月型の磁区の上方の再生層における三ヶ月の中心（三ヶ月の円弧を共通とする円の中心部）で最大となる。それゆえ、再生層に転写された磁区はこの漏洩磁界により拡大し易くなる。以上、第 5〜7態様の光磁気記録媒体を実施例を用いて具体的に説明してきたが、特にそれらに限定されるものではない。例えば、光磁気記録媒体を構成する材料は本発明の作用を有するものであれば種々の材料を使用することができ、補助磁性層の前後や光磁気記錄層前後等の任意の位置に任意の中間層を介在させることも可能である。また、実施例 1 3及び 3において情報の記録を光磁界記録方式を用いて行ったが、それに限定されず、光変調方式及び磁界変調方式を用いることも可能である。本発明は、ランドグループ型の光磁気記録媒体であって、ランドの幅がグループよりも狭い構造の媒体に有効となる。すなわち、本発明においては再生層に転写された磁区の拡大が可能であるために狭い幅のランド部に微小磁区が記録されても高い C / Nで再生が可能である。実施例 1 7

この実施例では、本発明の第 8の態様の光磁気記録媒体に属する媒体及びかかる媒体を用いて再生用レーザー光をパルス状に変化させながら再生を行う再生方法の具体例を示す。光磁気記録媒体として図 5 3に示した構造の媒体を用いる。

〔第 8態様の光磁気記録媒体の製造〕

図 5 3に示した光磁気記録媒体 4 7 0の透明基板 4 0 1 としてガラス基板を用いた。ガラス基板の片面上には、プリフォーマツ卜パターンが転写された透明樹脂膜 4 0 2が形成されている。誘電体膜 4 0 3は S i Nからなり、再生用レーザ —光を多重干渉させて見かけ上のカー回転角を増加させる膜厚で形成されている _c 補助磁性膜 4 0 8は、希土類と遷移金属のフェリ磁性非晶質合金 G d F e C oからなり、室温から室温以上のある臨界温度 T CR までは面内磁気異方性を示し、 T CR 以上では垂直磁気異方性を示す。非磁性膜 4 0 9は S i Nからなり、補助磁性膜 4 0 8と光磁気記録膜 4 0 6とを静磁結合させるために挿入されている。光磁気記録膜 4 0 6は希土類と遷移金属のフェリ磁性非晶質合金 T b F e C oからなり、室溫からキュリー温度までは垂直磁気異方性を有する。保護膜 407は S i Nからなり、基板 401 と保護膜 407の間に積層された薄膜を腐食等の化学的な悪影響から保護するために設けられている。誘電体膜 403、補助磁性膜 408、非磁性膜 409、光磁気記録膜 406及び保護膜 407は、それそれマグネトロンスパッタ装置を用いた連続スパッタリングにより下記膜厚になるように成膜した。誘電体膜 403は 60 nm、補助磁性膜 408は 60 nm、非磁性膜 409は 20 nm、光磁気記録膜 406は 50 nm、保護膜 407は 60 nmとした。光磁気記録膜 406を構成する T b F e C oの組成は原子％比率で T b 21 F e 66C ol3 であり、室温からそのキュリ一温度 TC0= 270°Cまで遷移金属の磁化成分が希土類の磁化成分よりも優勢な特性を示す。一方、補助磁性膜 408を構成する G d F e C oの組成は原子％比率で Gd₂₈F e₅₃Co_lsであり、単層膜で図 56のような力一回転角の温度特性を示す。図 56の横軸は温度、縦軸はカー回転角の温度に対するヒステリシスから求めた G d F e C o補助磁性膜 408の残留カー回転角 0kR と飽和カー回転角 0kS との比 0kR/0kS を示す。このグラフより補助磁性膜 408が面内磁化膜から垂直磁化膜になる臨界温度 TCR は約 20 CTCである。また、補助磁性膜 408 はキュリー温度 Tc が 300°C以上であり、室温 T room からキュリー温度までの間に補償温度 Tcomp を有し、 Tcomp は約 230°Cである。補助磁性膜 408 の臨界温度 TCR、補償温度 Tcomp及びキュリ一温度 Tc と光磁気記録膜 406 のキュリー温度 TC0 の関係は次のようになる。 Troom< TCR< Tcomp< TcO< TCo この条件を満たすことによって後述するパワー変調したパルス光を用いた再生が極めて容易となる。上記のような構造の光磁気記録媒体 470を用いて、図 57との関係で本発明の原理説明で説明したような再生方法を実行する。

〔再生用レーザ一パルス強度決定のための予備実験〕

本発明の再生方法ではレーザ—パワーを高パワー Pr2 及び低パワー Prl にパヮ一変調したパルス光を用いて記録磁区の拡大再生を行う。このため、最初に予備実験を行って光磁気記録媒体 470に記録されたデータを再生するための Pr2 及び Prl の最適レーザ—パワーを決定する。この予備実験では、レーザー光波長 680 nm、開口数 0. 55の光学系を有する光磁気ドライブを用い、記録及び再生レーザー光を基板 401側（補助磁性膜 408側）から照射する。再生レ一ザ一光は後述するように連続光を用い、種々のパワーに変更してそれぞれ再生信号波形を観測することとする。予め初期化した光磁気記録媒体 470の半径 4 Ommに位置する卜ラックに線速 5. Om/sで、記録パワー 4. 5 mWのレーザ一光を周期 640 n s、ノルス幅 21 3 n sで変調し、記録磁界 5 O OOeを印加しながら光変調記録を行つた。これにより、トラック上に 3. 2 /mピッチで長さ約 1 . 6 mの記録マークを連続的に記録した。次いで、記録マークが記録された卜ラックを種々の再生パワー Pr の連続光で再生した。再生用パワーの最適変調条件を求めるために、連続光のパワー Pr の値を Pr= 1 . OmWs 1 . 5 mW、 1 . 9mW、 2. OmW及び 2. 1 mWの 5段階に変更してそれぞれ再生信号を求めた。なお、再生時には光磁気記録媒体 470に磁界を積極的に印加しなかったが、光学へッドのァクチユエ一ターから漏れ磁界（約 80O e) が記録方向に発生していた。上記各再生パワー Pr で光磁気記録媒体 470の記録卜ラックを再生したときの再生波形を図 58 (Α) 〜（Ε) に示す。このとき、再生波形自体に卜リガ一をかけて波形をオシロスコープで観察した。図 58 (Α) は再生光パワー Pr = 1. OmWのときの再生波形を示し、記録マークのパターンに応じた再生信号が立ち上がつているのがわかる。グラフ上、ベースラインが消去状態を示し、立ち上がっているピーク信号が記録状態を示す。記録状態と消去状態間の振幅は 50 m Vであった。さらに再生光パワーを Pr= 1. 5 mWに上げると、図 58 ( B ) に示すように、信号振幅が約 20 OmVに増大した。図 58 (B) の波形から、波形の一部の領域では隣接するピーク信号が記録状態側でつながっていることがわかる。図 58 (C) は、再生パワーが Pr== 1. 9 mWの再生信号波形であり、ビーク信号が記録状態側（図の上方）で完全につながった波形を示している。これは、後述するように補助磁性膜にて磁区拡大が起こり、かかる拡大された磁区が再生光スポッ卜による卜ラックの走査とともに卜ラック上を移動していることを示す。さらに、再生光パワーを上げて Pr= 2. OmWにすると、図 58 ( D) に示すように、つながつていたピーク信号が途切れ始める。この場合、ピーク信号のつながり部とベースラインとの振幅 Hplo は約 35 OmVであった。さらに、再生光パワーを Pr=2. 1 mWまで上げると、図 58 (E) に示すようにピーク信号が完全に途切れ、記録マークパターンに応じた波形となる。図 58 (E) において、記録状態と消去状態の振幅は 20 OmVであった。ここで、図 58 ( A) 〜図 58 (E) の再生波形が得られる場合の補助磁性膜 408及び非磁性膜 409を介して積層された光磁気記録膜 406の磁化状態を図 59〜61の概念図を用いて説明する。図 59は、図 58 (A) の信号波形が得られる場合（再生光パワー Pr= 1 . 0 mW) における再生光スポッ卜 480 と、それが照射されている補助磁性膜 408及び光磁気記録膜 406の磁化の向きの関係を示している。最初に図 59 (A) に示したように再生光スポッ卜 48 0が照射された補助磁性膜 408はその温度がその臨界温度 TCR以上に上昇する領域で垂直磁化となるとともに、光磁気記録膜 406の磁化が静磁結合により補助磁性膜の領域 83 aに転写される。図 59 (B) に示したように再生光スポット 480が記録方向に磁化が向いた磁区（記録磁区） 482の直下に来ると、記録磁区 482の磁化が静磁結合により補助磁性膜 408に転写される。この場合、再生光パワー Pr が 1 . OmWと低いため、光スポット 480内の補助磁性膜 408の中央部、すなわち領域 483 bだけが臨界温度 TCR を超えることになり、補助磁性膜 408の転写された領域 483 bの記録磁区 482の幅よりも拡大しない。このため、図 58 ( A) に示したように再生信号強度は小さい。再生光スポッ卜 480が記録磁区 482を通り過ぎると転写領域 483 cは、その直上の光磁気記録膜 406の磁区からの転写により直上の光磁気記録膜 406の磁区と同じ磁化の向きを有する。図 60は、図 58 (C) の信号波形が得られる場合（再生光パワー Pr二 1 . 9mW) における再生光スポヅ卜 480と、それが照射されている補助磁性膜 4 08及び光磁気記録膜 406の磁化の向きの関係を示している。この場合、再生光パワーが 1. 9mWと比較的大きいため、図 60 (A) に示したように再生光スポッ卜 480が照射された補助磁性膜 408のスポッ卜内全域の領域 485 a が臨界溫度 TCR以上に上昇して垂直磁化となる。そして、光磁気記録膜 406 からの静磁結合により光磁気記錄膜 406の磁区が領域 485 aに転写される。再生光スポッ卜 480の走査により、図 60 (B) に示したように再生光スポヅ卜 480が記録磁区 482の直下に来ると、記録磁区 482の磁化が転写される。この場合、臨界温度 TCR以上に上昇した補助磁性膜 408の領域 485 bは記錄磁区 4 8 2よりもその幅が大きいために、記録磁区 4 8 2は補助磁性膜 4 0 8 内で拡大されて転写されたことになる。この磁区拡大により大きな信号波形が得られる。さらに、再生光スポッ卜 4 8 0が記錄磁区 4 8 2を通り過ぎた後も領域 4 8 5 cは 8 5 bと同じ磁化状態を維持しているため、図 5 8 ( C ) に示したような再生信号ピークがつながつた波形が得られる。図 6 0の場合、再生光スポット 4 8 0が記録磁区 4 8 2を通り過ぎた後も領域 4 8 5 cが領域 4 8 5 bと同じ磁化状態を維持しており、補助磁性層に転写され且つ磁区転写され且つ磁区拡大された記録磁区が光スポッ卜により引きずられている減少が生じている。この理由は以下のように考えられる。再生レーザビームが照射されることにより補助磁性層 4 0 8は臨界温度以上に昇温して垂直磁化膜となり、垂直方向の保磁力 H cを有するようになる。また、再生の際に、補助磁性膜 4 0 8には光へッドのァクチユエ一夕等からの漏洩磁界による外部磁界 H ex

(この場合、記録方向、即ち、下向きとする）と、補助磁性膜 4 0 8の臨界温度以上の温度にて光磁気記録膜 4 0 6の磁化が発生する静磁界 H sが印加される。その大きさは光磁気記録膜 4 0 6の磁化の方向により H ex+ H s (記録磁区の磁化が下向き）、 H ex- H s (記録磁区の磁化が上向き）となる。外部磁界 H ex 及び静磁界 H sの合成磁界と補助磁性膜 4 0 8の保磁力 H cの大きさの関係において、 H cの絶対値が（ H ex+ H s ) の絶対値または（ H ex— H s ) の絶対値より大きい場合に、補助磁性膜 4 0 8に形成された磁化はそのまま維持されて、図 6 0 ( C ) に示したように一旦補助磁性膜に転写された磁区は光磁気記録膜 4 0 6 に記録磁区の存在しない領域に再生スポッ卜が進行しても再反転をおこさない。上記 H cは補助磁性膜 4 0 8が垂直磁化状態での垂直方向の保磁力であり、図 5

9の場合には、低再生パヮ—により転写を受ける補助磁性層の溫度が比較的低いため補助磁性層の H cは図 6 0の場合よりも低くなり、補助磁性膜 4 0 8に転写された磁区は光磁気記録膜 4 0 6に記録磁区の存在しない領域に再生スポッ卜が進行すると再反転をおこす（図 59 (C))。図 61は、図 58 (E) の信号波形が得られる場合（再生光パワー Pr= 2. 1 mW) における再生光スポッ卜 480と、それが照射されている補助磁性膜 4 08及び光磁気記録膜 406の磁化の向きの関係を示している。この場合、再生光パワーが 2. 1 mWと大きいため、再生光スポット 480が照射された補助磁性膜 408のスポッ卜内の前方部の領域 487 aは臨界温度 TCR以上に上昇するために垂直磁化を示し、直下の磁気記録層 406の磁区転写を受けるが、スポット内の中央及び後方部は前方部よりも加熱されて補助磁性膜 408の補償温度 Tcomp を超えるために磁化が反転した状態になっていると考えられる（磁化反転する詳細な理由は第 2の再生方法の具体例にて後述する）。このため、図 61 (A) に示したように再生光スポッ卜 480内の補助磁性膜の前方部の領域 48 7 aのみが上向きの磁化を有し、中央及び後端部は下向きの磁化となる。次いで、再生光によるトラックの走査によりスポッ卜 480が記録磁区 482 の直下に来ると、記録磁区 482の磁化が補助磁性膜 408の前方部の比較的温度の低い領域 487 bにのみに転写される。従って、磁区拡大は起こらず、再生信号強度は図 1 2 (C) の場合のような大きな信号は得られない。再生光スポッ卜 480が記録磁区 482を通り過ぎると転写領域 487 cには、光磁気記録膜 406からの静磁結合により直上の光磁気記録膜 406の磁区と同じ向きの磁化とその反転磁区が混在する。図 60 (図 58 (C)) に示した場合には、上述のように補助磁性膜 408内で磁区拡大が起こっているために、再生信号強度が増大する。そして、記録磁区 482から拡大された磁区 485 bは再生光スポッ卜 480とともに拡大したまま移動する。しかしながら、図 60 (C) において記録磁区 482と隣接する磁区 484の直下に再生光スポッ卜 480の中心が来たときには、磁区 484の磁化を補助磁性層 408を通じて再生するためには、前記拡大磁区の光スポッ卜による引きずられ現象を防止しなければならない。すなわち、記録磁区 482の拡大磁区 485 cを消去して、磁区 484の磁化を補助磁性層 408に転写し次いで拡大する必要がある。

—方、図 59 (図 58 (A) に対応）及び図 61 (図 58 (E) に対応）にそれそれ示したように再生パワー Prが比較的小さい場合（再生光パワー Pr= 1 . OmW) 及び比較的大きい場合（再生光パワー Pr= 2. 1 mW) には、再生光スポッ卜 480が記録磁区 482を通り過ぎた後に、記録磁区 482から転写された磁区 483 b (487 b) は消滅している。すなわち、拡大磁区の引きずられ現象は生じない。従って、再生光として、磁区拡大が生じる再生光パワー Pr = 1 - 9mWと磁区拡大が生じない再生光パワー Pr= 2. 1 mW (または 1 . OmW) の間を再生クロック周期またはその整数倍の周期でパワー変調したパルス光を用いることによって、磁区拡大した後、再生光スポッ卜の中心が光磁気記錄膜 406の記録磁区から隣の記録磁区上に移動したときにかかる拡大磁区を消滅させることができる。上記の予備実験の結果より再生用レーザ—光を、図 58 (C) での Pr= 1 . 9mWと図 58 (E) での Pr=2. 1 mWとの間で強度変調したパルス光として与えれば、再生信号は図 58 (C) と図 58 (E) で得られた再生信号強度の差として検出されることになる。これは図 58 Dの HplO =350mVに相当すると考えられ、図 58 ( ）及び58 (E) で得られた振幅に比べて一層大きな振幅での再生が可能であることを示唆している。このため以下の再生光パルスを用いた再生実験において高パワー Pr2を Pr2= 2. 1 mW、低パワー Prlを Prl = 1. 9 mWにそれそれ設定することにする。〔パワー変調したパルス光による光磁気記録媒体の第 1の再生方法〕

本実施例で製造した光磁気記録媒体 470を初期化した後、半径 4 Ommに位置するトラックに線速 5. 0 m/sで、記録パワー 6. 3 mWのレーザ一光を周期 320 n s、パルス幅 53. 3 n sで変調し、記録磁界 5000 eで光変調記録を行った。これは 3. ピッチで約 1. 6 μηηの記録マークを連続的に記録したことに相当する。こうして記録された光磁気記録媒体 470の記録トラックに、上記予備実験で決定された再生光レーザ一パワー Pr2= 2. 1 mW、 Prl= 1. 9mWにパワー変調されたパルスレーザ一を照射して再生する。再生用レーザーパルスは図 62 に示すように、記録マークの前端から 1 0 n sのパルス幅で Pr2= 2. 1 mW、その後 1 50 n sのパルス幅で Prl= 1 . 9 mWとなるように調整した。再生時には積極的に磁界を印加しなかったが、光学へッドのァクチユエ一夕一から漏れ磁界（約 800e) が記録方向に発生していた。得られた再生信号波形を図 63に示す。記録マークに対応して振幅約 220 m Vの再生信号が得られた。また、同じ条件で記録したマークパターンを一定の再生パワー Pr= 1. OmW及び Pr=2. 1 mWの連続光で再生したところ、それそれ振幅 1 00mV及び1 70mVであった。これらの結果より、再生光をパルス状にパワー変調して再生を行うことで、記録磁区を再生クロックに同期した形で拡大して転写するとともにその直後に消滅させることができ、拡大時にはより高い C/Nで再生を行うことができることがわかる。本実施例では、高パワー Pr2= 2. 1 mW、低パワー Prl= 1 . 9mWの各パルスレーザー強度を選択し、低パワーパルスを拡大磁区発生用、高パワーパルスを拡大磁区消滅用にそれそれ用いた。しかしながら、高パワーパルスを拡大磁区発生用として P r2= 1 . 9 m W、低パワーパルスを拡大磁区消滅用として P rl = 1 . O m Wにすることも可能である。原理説明で用いた図 5 7に示した例では後者の場合を示す。さらに、高パワーパルスと低パワーパルスのパルス幅の比、すなわち、デューティ一は図 5 7や図 6 2に示した場合に限定されず、増大された再生信号を得るために適宜変更することができる。本実施例 1 7で製造した光磁気記録媒体においても、再生用光ビームが照射された時の媒体の温度プロファイルを所望の形状にするために、あるいは、温度プ口ファイルの線速度依存性を小さ〈するため、適当な熱伝導率の熱制御層を光磁気記録媒体の保護膜上に設けてもよい。また、更に良好な再生 C N比を得るために、再生光を照射したときの媒体の最高到達温度でカー回転角 0 k が補助磁性膜の 0 k 以上であり、且つ室温以上で垂直磁化膜である再生用磁性膜を誘電体膜 4 0 3と補助磁性膜 4 0 8との間に付加してもよい。実施例 1 8

〔第 9態様の光磁気記録媒体及びパワー変調したパルス光による光磁気記録媒体の第 2の再生方法〕

前記再生方法の実施例では、再生時に磁気へッドから発生した漏れ磁界が光磁気記録媒体に印加されていたが、この実施例では記録磁区の磁化方向と同方向に D C磁界を積極的に印加しながら再生を行う。なお、この実施例においても、転写磁区の拡大及び消減を実現するためにレーザービーム強度を変調して再生を行つた。最初に本実施例で用いた第 9態様に従う光磁気ディスクについて説明する。図 6 4に示すように、光磁気ディスク 9 0は、ポリカーボネ一卜基板 4 0 1上に、 S i N誘電体層 403、 Gd F eCo合金からなる再生層（補助磁性膜） 408、 3 "1 ^^非磁性層409、 T b F eCo合金からなる記録層（光磁気記録膜） 40 6及び S i N保護層 407を積層して有する。 T b F e C o記録層 406と G d F eC o再生層 408とは非磁性層 409を介して静磁的に結合されている。 G d F eCo再生層 408は、室温で面内磁化膜であり、臨界温度 Tcr を超えると垂直磁化膜へと変化する磁性膜である。この実施例で用いた G d FeC o再生層 408の臨界温度 Tcr は 1 75。Cであり、キユリ一温度 T cは 340°Cである。また、 G d F e C o再生層 408は、臨界温度 T c rとキュリー温度 T cとの間に補償温度 Tcomp= 240°Cを持つ。 T b F e C o記録層 406は、そのキユリ—温度 Tcoが 270°C、その補償温度 Tcomp' が室温以下のものを用いた。すなわち、 Troon Tcrく Tcompく Tcoく T cなる関係があり、それらの温度関係は図 66で説明した通りである。上記のような光磁気ディスク 490の記錄層 406に記録された記録信号を再生する際に、前記本発明の再生方法の原理で説明したように、再生パワーを再生クロックまたはその整数倍（記録クロックまたはその整数倍）に同期して二種類のパワーに変調する。拡大された磁区の縮小、消滅は、前述のように低パワーと高パワーのいずれでも起き得るが、この実施例では、磁区の転写及び拡大のために再生光を低パワーに変調し、拡大磁区の縮小または消滅のための再生光を高パヮ一に変調した。このパワーレベルは、光磁気ディスクに再生光を照射して記録卜ラックを走査している間に適用する。記録及び再生用の光源として、波長 680 n m、レンズ開口数 0. 55の光へッドを用いた。図 64に示した光磁気ディスク 490への記錄は光パルス強度変調法を用いた。記録は、線速度が 5m/s、記録周期 320 n s, 記録レーザーパワー 7. 5 mW、パルス幅 53. 3 n s、記録磁界 5000 eの条件で行った。 0. 8μπιの記録磁区が、 1と 0等のデータに対応して 0. S zm間隔で記録された。記録された磁区を記録信号とともに、図 65 (A) に示す。この記録磁区を、次の再生条件で再生した。線速度を 5. Om/sとし、再生レーザ一パワーは磁区拡大のための低パワー Prl として 1. 5mW、磁区縮小 (または消減）のための高パワー Pr2 として 3. 5 mWの二つのパワーレベルに変調した。再生光パワーのタイミング信号を図 65 (B) に示す。再生パワーの変調周期は 1 60 n sであり、低パワー Prl で 1 50 n s照射し、高パワー Pr2 で 1 O n s照射した。再生磁界は一定の直流磁界を用い、記録方向へ約 8 OOe印加した。この磁界は、第 1の再生方法（実施例 1 7) のように対物レンズ ·ァクチユエ一ターからの漏洩磁界によっても代用が可能である。図 65 (C) に得られた再生波形を示す。この再生波形より、記録磁区が存在している部分だけで信号が上昇しており、記録磁区が存在しないところでは信号は上昇していないことがわかる。これは、再生光が記録卜ラックの記録磁区が存在している部分を走査しているときだけ、再生層において記録磁区が転写、拡大していることを意味する。さらに、再生信号は、磁気超解像モード、すなわち、磁区転写された磁区が拡大されずに再生された場合の再生信号の約 1. 5倍の大きさに増幅されていた。この再生信号の増幅効果はさらに微細な記録磁区において顕著に効果を現し、 0. 4Atm以下の微小磁区を記録した場合においても飽和振幅（再生層の全ての磁化が下向きの場合の再生信号と再生層の全ての磁化が上向きの場合の再生信号との差）に対して 80% (対飽和振幅比）の再生信号出力を得ることができた。この実施例の再生条件は、前記原理説明で用いた図 66との関係で次のように説明することができる。すなわち、パワー変調した再生光の低パワー Prl で図 41 0の磁区転写及び磁区拡大が起こる温度領域（エリア（a) 及び（b))、即ち、 Tcr= 1 75°C〜Tcomp= 240°Cにまで再生層が加熱され、高パワー Pr2 で図 66の磁区消滅が起こる温度領域（エリア（c)) 即ち、 Tcomp ( 240。C) を超える温度から Tco= 270°Cまでに加熱されている。また、記録方向へ印加した直流磁界約 800 eは、磁気温度曲線 A及び Bを図 66のような関係に位置させている。すなわち、この実施例で用いた光磁気ディスクの磁気温度特性と印加した直流磁界との関係は、以下の要件（ 3) 及び（4 ) を満足している。以下に、この実施例で説明した再生方法に必要な要件を列挙する。なお、この実施例で用いた光磁気記録媒体の再生層と記録層自体の磁気特性は、前述のように以下の（ 1 ) 及び（ 2 ) の要件を満足している。

( 1 ) 少なくとも室温で膜面方向に磁化される再生層が、垂直方向へ磁化する臨界温度 T crとキュリー温度 T coの間に補償温度 T compを有すること。

( 2) 記録層のキュリー温度 Tco が再生層の補償温度 Tcomp と再生層のキユリ一温度 T coとの間の温度にあること。

(3 ) 記録方向において外部磁界 Hex が加わる条件下において、磁気温度曲線 Aと磁気温度曲線 Bとが、室温と再生層の補償温度 Tcomp との間（T 1 ) で交差すること。

(4) 磁気温度曲線 Aと磁気温度曲線 Bとが、再生層の補償温度 Tcomp と記録層のキュリー温度 Tcoの間（T 2) で交差すること。

この実施例では図 64に示した前記特定の材料を用いて光磁気ディスクを構成し、 DC磁界 =800eを記録方向に印加することにより上記要件（ 1 ) ~ (4) を満足させたが、この要件（ 1 ) 〜（4) を満足させることができる材料及び積層構造を有する光磁気記録媒体並びに再生時に印加する外部磁界の大きさであれば、任意のものを用いることができる。再生時に印加する DC磁界は記録方向のみならず、消去方向であってもよい。本発明の再生方法においては、 D C磁界の下で、再生光パワー強度を変調することによって、（a ) 磁区転写、（b ) 磁区拡大及び（ c ) 転写磁区の消減のプロセスを実行している。これらのプロセスが行われる時間は、記録層、再生層の磁気特性のみならず、記録層、再生層、非磁性層、誘電体層、保護層及びその他の積層可能な磁性層または非磁性層、基板等の温度上昇速度や各層間の伝熱速度にも依存する。これらの速度は、それらの層を構成する材料の熱伝導性、厚み、積層構造等を適宜変更することによって調節することができ、それによつて所望の再生アクセス速度に対応させることができる。再生層（補助磁性層）に隣接する誘電体層及び非磁性層は適度な断熱性を持つことが好ましいが、その断熱性の程度は、記録再生のアクセス速度、或いは記録媒体における記録再生の線速度の大きさ、再生層及び記録層の熱伝導性とを組み合わせた熱特性との関係で適宜調整することができる。上記実施例では光磁気記録媒体の再生層（補助磁性層）が誘電体層と非磁性層によって挟まれている構造を示したが、上記再生層（補助磁性層）に接して面内方向の磁気異方性を有する磁性体を積層してもよい。この磁性体は、そのキユリ —温度まで面内方向の磁気異方性が優勢で、そのキユリ一温度は再生層のキユリ一温度とほぼ等しいことが望ましい。かかる磁性体を再生層に接して積層することにより、再生時の転写磁区におけるブロッホラインの発生を抑制し、その抑制作用により再生時のノイズを低減することができる。かかる磁性体の材料としては、 P t— C o合金、例えば、 C oを 2 5原子％含む P t— C o合金や G d F e C o合金等を用いることができる。なお、かかる磁性体は再生層の上側あるいは下側のいずれの側に接して積層してもよい。実施例 1 2ではパルス光を照射しながら記録信号に応じて印加磁界の極性を変調する光磁界変調方式を用い、実施例 1 7及び 21では DC磁界を印加しながら記録信号に応じて光強度を変調する光変調方式を用いてそれぞれ記録を行ったが、通常の D C光を用いた磁界変調記録方式、光変調記録方式並びに光磁界変調方式のいずれの方式を用いてもかまわない。実施例 1 9

〔第 1 0態様の光磁気記録媒体及びパワー変調したパルス光による光磁気記録媒体の第 3の再生方法〕

前記再生方法の実施例では、再生時に磁気へッドから発生した漏れ磁界が光磁気記録媒体に印加されていたが、この実施例では記録磁区の磁化方向と同方向に DC磁界を積極的に印加しながら再生を行う。なお、この実施例においても、転写磁区の拡大及び消滅を実現するためにレーザービーム強度を変調して再生を行つ τ：。最初に本実施例で用いた光磁気デイスクについて説明する。図 69に示すように、光磁気ディスクは、ポリカーボネ一ト基板 401のプリフォーマツ卜パターン 402上に、 S i N誘電体層 403、 GdxF eyC oz合金からなる再生層（第 2補助磁性膜） 404、 S i Nの非磁性層 409、 G duF evC owの合金からなる磁性層（第 1補助磁性膜） 408、 TbF eCo合金からなる記録層（光磁気記録膜 406) 406及び S i N保護層 407等の積層を有する。 T b F eC o記録層 406と G dxF eyCoz 合金の再生層 404とは非磁性層 409と G duF evCowの合金からなる磁性層（第 1補助磁性膜） 408を介して静磁旳に結合されている。 GdxF eyCoz 再生層 404に用いられる、室温で面内磁化、臨界温度 Tcr2を超えると垂直磁化膜へと転移する磁性材料は合金の元素比 X y z の最適数値のものを選択して用いる。 G duF evC ow の合金からなる磁性層（第 1補助磁性膜） 408に用いられる、室温で垂直磁化膜、臨界温度 T cr1を超えると面内磁化膜へ転移する磁性材料としては、合金の元素比 U V W の最適数値のものを選択して用いる。臨界温度 Tcr2と臨界温度 Tcr1は近傍しており、光磁気記録膜 406の記録情報を再生する際に、再生層（第 2補助磁性膜） 404と00|11「 6 〇 0 の合金からなる磁性層（第 1補助磁性膜） 408 とは互いに協力しあう関係に設定される。即ち、再生層（第 2補助磁性膜） 40 4に再生レーザ光が照射されて、再生層（第 2補助磁性膜） 404の温度が上昇して、臨界温度 Tcr2を越えて垂直磁区に転移した後に、光磁気記録膜 406の記録磁区信号は再生層（第 2補助磁性膜） 404へ転写されて、直ちに拡大される。一方磁性層（第 1補助磁性膜） 408は、記録磁区信号が再生層（第 2補助磁性膜） 404へ転写された直後に垂直磁化から面内磁化に転移し、垂直磁界に対する磁壁となって、磁気ノイズを遮断する。従って再生層（第 2補助磁性膜） 404の動作後最適なタイミングで磁性層（第 1補助磁性膜） 408は動作する必要がある。このタイミングは T c r 2と T c r 1の時間差 ΔΤの値の大きさに直接関係する。最適な ΔΤを設定するために、再生層（第 2補助磁性膜）の材料種類と磁性層 (第 1補助磁性膜） 408の材料種類とから選択組合せを行う。この実施例では G dxF eyC oz 合金の再生層 404と GduF evC ow の合金の組合せを実施した。 G dxF eyC oz 合金として再生層 404の臨界温度 Tcr2が 1 75。Cであり、キュリー温度 T cは 340。Cであるものを用いた。また、 G dxF eyC o z 合金の再生層 404は、臨界温度 T c r 2とキユリ—温度 T c 2との間に補憤温度 Tcomp= 240°Cを持つ。 T b F e C o記録層 406は、そのキュリー温度 Tcoが 270°C、その補償温度 Tcomp' が室温以下のものを用いた。すなわち、 Troom<Tcr2<Tcomp<Tco<T c 2なる関係があり、それらの溫度関係は図 70で説明した通りである。上記のような光磁気ディスクの記録層 4 0 6に記録された記録信号を再生する際に、前記本発明の再生方法の原理で説明したように、再生パワーを再生クロックまたはその整数倍（記録クロックまたはその整数倍）に同期して二種類のパヮ一に変調する。拡大された磁区の縮小、消滅は、前述のように低パワーと高パヮ一のいずれでも起き得るが、この実施例では、磁区の転写及び拡大のために再生光を低パワーに変調し、拡大磁区の縮小または消滅のための再生光を高パワーに変調した。このパワーレベルは、光磁気ディスクに再生光を照射して記録卜ラックを走査している間に適用する。実施例 2 0

〔第 9態様の光磁気記録媒体及びパワー変調したパルス光及び交番磁界による光磁気記録媒体の第 4の再生方法〕

実施例 1 9では D C磁界を印加しながら再生を行ったが、この実施例では再生時に D C磁界の代わりに交番磁界を印加する。すなわち、この実施例では、転写磁区の拡大及び消滅を確実に実行するために、再生クロックに同期してレ一ザ一ビーム強度を変調するのみならず、再生クロックに同期した交番磁界を印加して再生を行う。情報の記録再生には、図 1 4に示した装置を用いることができる。実施例 1 8と同様にして第 9態様の光磁気記録媒体に図 8 2の（A ) に示したような記録信号に従う記録磁区を形成する。そして、図 8 2の（C ) に示したような交番磁界を再生クロックに同期して印加した以外は、実施例 1 8と同様にして再生光パワーを変調して（図 8 2の（B ) ) 再生を行うことができる。

再生用磁界は、実施例 4におけるように記録された磁区 1つ 1つに対して再生クロックに同期させて変調させることができる。パルス状磁界の強度は磁区中心付近で記録方向に、例えば、 1 5 0 ( 0 e ) ( H E ) . 消去方向に 2 5 0 ( 0 e ) ( H S ) とし、記錄方向のデューティ一比は、例えば、 2 5 %にすることができる。このよう（こ、再生光パワーを再生クロックに同期して光変調するだけでなく、再生磁界を再生クロックに同期して交番させることにより、 i ) 情報記録層の磁区の再生層（または補助磁性層）への転写、 i i )転写された磁区の拡大、及び i i i ) 拡大した磁区の縮小または消滅を、一層確実に行わせることができる。また、再生光パワーの変調タイミング（またはデューティ一）と交番磁界の印加タイミングを適宜調節することにより、 i ) 〜i i i ) の動作が確実におこる最良条件を容易に見出すことができ、再生条件のマージンが広がる。実施例 2 1

この実施例では、本発明に従う光磁気記録媒体の再生装置の光へッド及びその周辺の構造例を示す。図 7 4に、先端に光磁気ヘッド（光ヘッド） 7 5 3を装着したスィングアーム 7 5 6を示す。スィングアーム 7 5 6の一端は回転軸 7 5 2 に回転可能に支持されており、他端にはサスペンション 7 5 5を介して光磁気へッド 7 5 3が固定されている。スィングアーム 7 5 6は、回転軸 7 5 2を中心にして回転して、ディスク状記録媒体（光磁気ディスク） 7 5 1の半径方向の記録エリア（a)、（b)及び ( c )上に移動して、それらの領域に記録された磁化情報にアクセス可能である。光磁気へッド 7 5 3は、スライダ上に対物レンズを搭載して構成されており、この構造については後述する。記録媒体 7 5 1が回転するときに、スライダの浮上機能により光磁気へッド 7 5 3は記録媒体 7 5 1上の所定位置に維持される。回転軸 7 5 2には、光磁気へッド 7 5 3にレーザ光を送るためのレーザ光窓口 7 5 4が形成されている。さらに、図 7 5を参照して、記録媒体 7 5 1に再生光を照射しそこから反射光を検出するための光学系について説明する。光学系は、再生光源であるレーザ光源 7 5 7及び記録媒体 7 5 1から反射された光を検出する検出系を備えた固定光学系 P 1 と、スイングアーム 7 5 6とともに可動する可動光学系 P 2とからなる。固定光学系 P 1は、図示しない光磁気記録再生装置（光磁気ドライブ）に固定して設けられる。固定光学系 P 1は、レーザ光源 7 5 7、光磁気信号検出器 7 6 8 a , 7 6 8 b、トラッキング信号検出器 7 6 8 d及びフォーカス信号検出器 7 6 8 cを備える。レーザ光源 7 5 7からのレーザ光はコリメ一夕レンズ 7 5 8及びプリズム 7 5 9を通って可動光学系 P 2に向かう。記録媒体 7 5 1からの反射された再生光は、ビームスプリッタ 7 6 0により偏向され、さらにビームスプリッタ 7 6 1により直交する 2方向の光に分割される。ビームスプリッ夕 7 6 1により分割された一方の再生光は、さらにビ一ムスプリッタ 7 6 5により分割され、その一方はレンズ 7 6 6を通ってフォーカス信号検出器 7 6 8 cに入射し、他方はトラッキング信号検出器 7 6 8 dに入射する。ビームスプリッタ 7 6 1により分割された他方の再生光は、波長板 7 6 3及びレンズ 7 6 7を通ってさらにビームスプリッタ 7 6 4により直交する 2方向の光に分割され、それそれ、光磁気信号検出器 7 6 8 a , 7 6 8 bに入射する。可動光学系 P 2は、前述の回転軸 7 5 2上に配置されたミラー 7 7 0、光磁気ヘッド 9 1 0 ( 7 5 3 ) のスライダ 9 1 4内に設けられた集光レンズ 7 7 1及び対物レンズとしての半球状の固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2及びその周囲に配置された磁気コイル 8 0 4を備える。集光レンズ 7 7 1及び固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2は光軸が一致するように配列されており、固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2を透過した光がスライダ 9 1 4を透過することができるように光軸を中心とする円形の開口部がスライダに形成されている。固定光学系 P 1から送られたレーザ光は、可動光学系 P 2内において、スイングアーム 7 5 6の回転軸 7 5 2上に設置されたミラ一 7 7 0及びスライダ 9 1 4 上に設けられたミラ一 7 6 9により偏向されて集光レンズ 7 7 1及び固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2により記録媒体 7 5 1 を照射する。固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2には、固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2の底面（光磁気ディスク 7 5 1 と対向する面）を、 T i N (窒化チタン）、 S i N (窒化シリコン）、または S i 0₂ (酸化シリコン）など光透過性の保護膜でコ—テングしてもよい。上記保護膜の他にアモルファス力一ボン、 D L C (ダイヤモンド - ライク ·カーボン）の高硬質の結晶状炭素皮膜層をスパッタにより被覆してもよい。光磁気ディスク 7 5 1の基板には、種々のプリフォーマツ卜ピッ卜が形成されている。サ一ボビッ卜はゥ才ブル状に形成されており、サンプルサ一ボ方式で検出される。図 8 0に、記録媒体 7 5 1の卜ラック ·セクタの構成例を、図 8 1 に卜ラック上に形/ ¾されたプリピッ卜の配置例をそれぞれ示す。これらのピッ卜からの反射光は、固定光学系 P 1のトラッキング信号検出器 7 6 8 d及びフォーカス信号検出器 7 6 8 cにより検出され、トラッキング及びフォーカス制御が行われる。光磁気ディスク 7 5 1 としては、実施例 1 ~ 1 9のいずれに示した光磁気記録媒体を使用することができる。この実施例で示した光へッド及びスイングアームを含む再生機構は、図 1 4及び 3 2に示した記録再生装置の光へッド及び磁気へッドまたは光磁気へッドに代えて用いることができる。こうすることで、実施例 4及び 5に示した記録再生装置を一層小型化、軽量化することができる。また、固体ィマージヨンレンズの採用によりより高密度記録及び再生が可能になる。実施例 2 2

この実施例では、実施例 2 1で記載したスィングアームとは異なる構造のスィングァ一厶を備えた記録再生装置の例を示す。図 7 6に示したスイングアーム 7 5 6は、スイングアームの回転軸 7 5 2に関して光磁気へッド 7 5 3 bが備えられた側と反対側の端部にアンカーアーム 7 7 3を備える点で実施例 2 1に示したスイングアームとは異なる。スィング ' アーム 7 5 6は、その先端に取り付けられた光磁気へッド 7 5 3 bを、図 7 6に破線で示したような軌跡で記録媒体 7 5 1上を移動させて記録領域 7 7 6にアクセスさせることができる。図 7 7に、スイングアーム 7 5 6を用いた記録再生装置の光学系全体のブロック図を示す。この光学系は、図 7 5に示した光学系の各光学素子と同様の光学素子を用いるが、本実施例では図 7 5で示した固定光学系 P 1が、さらに光学系 P 1 1 と光学系 P 1 2に分離されている。光学系 P 1 1は、レーザー光源 7 5 7、コリメ一夕一レンズ 7 5 8及びプリズム 7 5 9を含み、実施例 2 1における固定光学系 P 1 と同様に記録再生装置に固定されている。一方、光学系 P 1 2は、光磁気信号検出器 7 6 8 a及び 7 6 8 b、フォーカス信号検出器 7 6 8 c、トラツキング信号検出器 7 6 8 d及びそれらに再生光を向ける光学素子等から構成されており、アンカ一アーム 7 7 3内に収容されている。また、ミラ一 7 6 9、集光レンズ 7 7 1及び固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2、磁気コイル 8 0 4及びそれらを搭載するスライダ 9 1 4は、スイングアーム 7 5 6の先端上に設けられる。この実施例では、記録媒体 7 5 1からの反射光を光学系 P 1 2に向けるためのビ一ムスプリッタ一 7 6 0は、スイングアーム 7 5 6の回転軸 7 5 2上に設けられている。図 7 8及び 7 9に、図 7 6に示したスイングアーム 7 5 6及び図 7 7に示した光学系を組み込んだ記録再生装置 1 0 0 0の概略側面図及び上面図をそれぞれ示す。光学系 P 1 1は、回転軸 7 5 2及びビ一ムスプリッタ 7 6 0の上方に、ケ一シング 7 7 8に固定されている。ケ一シング底部には、記録媒体 7 5 1を回転するためのモータ 7 2 9が装着されて、スピンドル 7 2 8に記録媒体 7 5 1が装着される。また、一対の磁石 7 8 0がアンカアーム 7 7 3の下方とケ一シング底部に装着され、それらの磁石 7 8 0の間にコイル 7 8 1が設けられている。スィングアームの駆動軸 7 5 2の回転は、それらの磁石 7 8 0とコイル 7 8 1 との間の反発力で制御される。また、回転軸 7 5 2を挟んでスイングアームのスライダ 7

1 4 a側とアンカーアーム 7 7 3側は重量がパランスするようにそれらは構成されている。制御部 9 0 0には、図 3 2に示した信号処理系が収容されており、再生光のパワー及び変調タイミング並びに再生磁界の強度及び印加タイミングが制御される。この実施例に用いる記録媒体である光磁気ディスク 7 5 1は、実施例

1から 1 9に記載したいずれの光磁気記録媒体を使用することもできる。実施例 2 3

図 8 4に、実施例 2 1及び 2 2に示した記録再生装置におけるスライダ 7 1 4 a及び固体イマ一ジョンレンズ 7 7 2の構成例を示す。ディスク状記録媒体 8 3 0として、前記実施例 1から実施例 1 9に記載した光磁気記録媒体の再生光入射側に透明な保護膜（厚みが 1 0 n mから 3 0 0 0 n mの範囲）を形成した光磁気記録媒体を用いることができる。図 8 4は光磁気へッドをスライダー 8 0 2 ( 7 1 4 a ) の長手方向に切断した際の断面図である。図示した浮上型光磁気ヘッドは、スライダー 8 0 2に、固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0と外部磁界印加用の磁気コイル 8 0 4とを備える。スライダー 8 0 2には、固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の外周とぼぼ同径の貫通穴 8 0 2 aが形成されており、貫通穴 8 0 2 aに固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0が図 8 4に示すように勘合されている。固体イマージョンレンズ 8 0 0の光出射面 8 0 2 aはスライダー底面と同一高さに位置する。磁気コイル 8 0 4は固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の外周 8 0 Ob を包囲するようにスライダー 8 0 2の貴通穴 8 0 2 aの上方に埋設されている。スライダー 8 0 2は図示しない板パネ支持機構を介して光磁気記録再生装置本体のァクチユエ一タ（図示しない）に接続されている。かかる板パネ支持機構によりスライダー 8 0 2の浮上時に固体イマ一ジョンレンス 8 0 0の出射面 8 0 O a が光磁気記録媒体 5 1 と平行を成し且つ光磁気記録媒体 7 5 1 とェパネッセン卜光の減衰距離以内に近接して浮上配置される。かかる構造において固体イマ一ジョンレンス 8 0 0の上方から照射された記録用レ一ザ光は固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0を透過して光磁気記録媒体 7 5 1 上に集光され、空気中の理論的な最小スポッ卜径よりも小さなスポットを光磁気記録媒体 7 5 1上に形成する。この小さなスポッ卜は液浸レンズと同じ原理により固体イマ一ジョンレンス 8 0 0に空気の屈折率より大きな屈折率 nの部材を用い、且つ固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の中で集光するとき形成される。情報の記録時には、光磁気記録媒体 7 5 1に制御されたレーザ光照射タイミングと入力情報に応じた磁界印加タィミングによってレーザ光の照射と磁界コィル 8 0 4による磁界印加が行われる。実施例 2 4

図 8 5に、実施例 2 3とは別の構成の光磁気へッドを示す。図 8 4のスライダ —8 0 2に固体イマ一ジョンレンズ 8 1 0を搭載するため、スライダ一 8 0 2の固体イマ一ジョンレンズ 8 1 0が設置される部分 1 0 5はレーザ光を透過させるための部材、例えばガラスで形成されている。固体イマ一ジョンレンズ 8 1 0はレーザ光透過性部材 1 0 6の外側のレンズ搭載部 8 0 2 b に固定される。磁気コィル 8 0 4は実施例 2 3の場合と同様にスライダー 8 0 2内に内蔵されている。実施例 2 5

図 8 6の浮上型光磁気へッドは、図 8 5に示した浮上型光磁気へッドのレーザ光透過性部材 8 0 6の代わりに磁芯 8 0 2 c で構成されている。磁芯 8 0 2 c はレーザ光を透過し、保磁力が小さく、且つ飽和磁束密度の大きい材料から構成することが望ましく、例えば、透明フェライト、イツトリゥム鉄ガーネッ卜、希土類鉄ガ一ネッ卜等が好ましい。磁芯 8 0 2 c は、磁気コイル 8 0 4から印加される外部磁界で容易に磁化されるので、磁束を固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の下方に!]又束させることができ、それによつて、光磁気記録媒体 8 3 0に印加する磁束制御が容易になる。実施例 2 6

図 8 7に示す浮上型光磁気へッドは、図 8 5に示した磁気コイル 8 0 4において、磁気コイル 8 0 4を固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の下方に組み込んだ構造を有する。磁気コイル 8 0 4は固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の出射光面 8 0 0 a と接合されている。この構成において磁気コイル 8 0 4は固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0から出射した光線束を遮断しない位置に配置する。この実施例においては、磁気コイル 8 0 4は固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の光出射面 8 0 O a より光磁気記録媒体 8 3 0に近い位置に配置される。従って、磁気コイルはできるだけ薄い方が好ましい。例えば、図 8 8 ( A ) のように環状コイルを有するフィルム状磁気コイル 8 3 1や図 8 8 ( B ) のように方形状コイルを有するフィルム状の磁気コイル 8 3 2を用いることが好ましい。実施例 2 7

図 8 9は図 8 7の浮上型光磁気へッドのレーザ光の透過性部材 8 0 6の部分上に磁芯 8 0 2 c を設けた光磁気へッドの構成を示す。図 8 9の浮上型光磁気へッドは固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0と光磁気記録媒体 8 3 0との間でしかも磁気コイル 8 0 4の内側に磁芯 8 0 2 c を設ける。磁芯 8 0 2 c は図 8 6に示したと同様のレーザ光を透過する磁性材料で構成されている。かかる構成により浮上製型光磁気へッドは光磁気記録媒体 8 3 0上でスポッ卜 ί圣を小さくするとともに、光磁気記録媒体 8 3 0に印加する磁界制御が安定に且つ容易になる。実施例 2 8

さらに、図 9 0は図 8 8の浮上型光磁気へッドの構成において固体イマ—ジョンレンズ 8 0 0の少なくとも一部をレーザ光の透過する磁性材料、例えば、透明フェライ卜で構成した場合を示している。固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0には照射されるレーザ光の出射面 8 0 0 a に直交する中心近傍の部分 8 0 0 c だけが磁性材料で形成される。この構成によれば、図 8 6または図 8 9の光磁気へッドにおいて磁芯 8 0 2 c が不要になる。かかる固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0を用いることにより光磁気記録媒体 8 3 0と磁気コイル 8 0 4との間隔を狭めることができ、一層の外部磁界の位直決め精度が向上し光磁気へッドの構成を簡略化することができる。かかる固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0は、最初にガラスを研磨加ェして半球体ガラスの中心部に開口部が形成されたレンズ部品を成形し、次いで、かかる開口部に、スパッ夕又は蒸着法等により磁性材料を充填させることにより形成することができる。実施例 2 9

図 9 1は浮上型スライダーを形成した固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0を光磁気へッドに用いた、光磁気記録再生装置の実施例である。図 9 1には光磁気デイスク 7 5 1 と光磁気へッド部全体が記載されている。対物レンズ 7 7 1は図示しない対物レンズ駆動装置に取り付けられており、固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0、スライダー 8 0 2、磁気コイル 8 0 4及びミラ— 7 6 9が一体になって、光磁気へッド部 7 5 3 bを構成している。この光磁気へッド部 7 5 3 bは、光磁気記録再生装置のスイングアームの先端に設置固定される。この実施例の光磁気へッド部はスライダー 8 0 2の摺動面の一部及び固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の摺動面の各一部に切り欠き部 8 0 2 S、 8 0 0 Sを形成したものを使用する。この切り欠き部 8 0 2 S、 8 0 0 Sには光磁気へッド浮上のための浮上溝部が形成される。その他の光磁気記録再生装置の構成は他の実施例と同じ構成である。実施例 3 0

図 9 2は光磁気記録再生装置のスイングアーム 7 5 6の先端に設置固定される光磁気へッド部のスライダー 8 0 2の摺動面に形成される、スイングアーム光磁気へッド部の浮上のための、浮上溝の形状である。図 9 2にはスライダー 8 0 2 のスライダー断面 8 6 1、テ一パー部 8 6 0、固体イマ一ジョンレンズ 8 0 0の設置位置を示す。その他の光磁気記録再生装置の構成は他の実施例と同じである。

産業上の利用可能性

以上説明してきたように、本発明の光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置は次世代の超高密度記録を可能とする光磁気記録再生システムを構築することが期待される。特に、第 1から第 1 0の態様の光磁気記録媒体は、記録された微小磁区を拡大して再生するのに好適な構成を備えており、これらの光磁気記録媒体を本発明の再生方法で再生することにより、微小磁区の i ) 情報記録層（光磁気記録膜）から再生層（補助磁性膜）への転写、 i i )転写された磁区の拡大及び iii ) 拡大された磁区の消滅の各プロセスを確実に行うことができ、それゆえ、微小磁区を個別に且つ増大された再生信号強度及び高 C / Nで再生することができる。本発明の光磁気記録再生装置は、交番磁界及びパワー変調された再生光を光磁気記録媒体に適用する光磁気記録再生方法に極めて有効な装置である。さらに、再生光と再生磁界を同一方向から適用可能な光磁気へッドを採用しているために、再生装置を小型軽量化することができる。また、光磁気へッドをスイングアームの先端に取り付けたので、光磁気記録媒体の所望の領域へのアクセスが一層迅速になる。また、光磁気へッドの移動、走査、アクセスが、光磁気ディスク面に平行な、狭い空間で行われることができ、これにより再生装置をコンパクトにすることができる。さらに、固体イマ一ジョンレンズを光磁気ヘッドに用いることによって、超高密度記録及び再生が可能となる。固体イマ一ジョンレンズの周囲や内部に磁気コイルを配して光磁気へッドを構成することにより、極めて小型光磁気へッドを構成することができ、へッドと記録媒体の接触を低減することができる。特に本発明の再生装置は、第 1から 1 0の態様に従う光磁気記録媒体、即ち、微小磁区の i )情報記録層（光磁気記錄膜）から再生層（補助磁性膜）への転写、 ii ) 転写された磁区の拡大及び i ii )拡大された磁区の消滅の各プロセスを行う光磁気記録媒体を再生するための装置として極めて有用である。

Claims

請求の範囲

1 . 情報記録層と再生層とを有する光磁気記録媒体を再生するための装置であつて、

上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと；

スィング軸の回りに旋回可能なスィングアームであって、その一端に上記光へッドを支持するスィングアームと；

再生クロックを発生させるためのク口ック発生装置と；

再生クロックに基づいて少なくとも 2種類の光パワー P rl 及び P r2 にパワー変調された再生光を照射するように光へッドを制御する光へッド制御装置と；を備え、

ここに、上記光パワー P rl 及び P r2 の一方のパワーの光により情報記録層の磁区を再生層に転写し且つ転写された磁区を拡大させ、再生層における拡大した磁区から情報を再生する再生装置。

2 . 上記光へッドは、対物レンズとしての固体イマ一ジョンレンズを備えることを特徴とする請求項 1に記載の再生装置。

3 . さらに、光へヅドを浮上させるためのへッドスライダーを備えることを特徴とする請求項 2に記載の再生装置。

4 . 磁気へッドが光へッド内に組み込まれていることを特徴とする請求項 2に記載の再生装置。

5 . 磁気コイルが固体イマ一ジョンレンズの下方、外周または内部に設けられていることを特徴とする請求項 4に記載の再生装置。

6 . さらに、光磁気記録媒体からの再生信号検出系を備え、前記スイングアームの一端に光へッドが装着されるとともに他端に再生信号検出系が装着され、前記スィング軸がそれらの間に設けらることにより、前記スイングアームが天秤状のスィングアームを構成することを特徴とする請求項 1に記載の再生装置。

7 . 再生クロックに基づいて交番磁界を印加するように磁気へッドを制御するための磁気へッド制御装置をさらに備える請求項 1に記載の再生装置。

8 . 再生クロックに基づいて D C磁界を印加するように磁気へッドを制御するための磁気へッド制御装置をさらに備える請求項 1に記載の再生装置。

9 . 情報記録層と、該情報記録層から転写された磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大して再生することができる再生層とを基板上に備えた光磁気記録媒体において、上記情報記録層の厚さ hが、上記記録された最小磁区の半径 dに対して h / d > 0 . 5を満たす厚さである光磁気記録媒体を再生するための請求項 1、 2、 7及び 8のいずれか一項に記載の再生装置。

1 0 . 基板上に、再生層と、ゲートとなる磁性層と、情報記録層とをこの順に備え、上記ゲートとなる磁性層が、再生光スポッ卜を上記光磁気記録媒体に照射したときに、該再生光スポット内に生じるゲートとなる磁性層の温度分布に基づいて、上記情報記録層に記録され且つ再生光スポッ卜内に存在する複数の磁区のうち一つの磁区だけが該情報記録層から転写される層であり、上記再生層が、上記ゲートとなる磁性層から転写される磁区を該磁区の磁化と同一極性の外部磁界を印加することによって拡大することができる層である光磁気記録媒体を再生するための請求項 1、 2、 7及び 8のいずれか一項に記載の再生装置。

1 1 . 少なくとも、情報記録層としての光磁気記録層、第 1補助磁性層及び再生層としての第 2補助磁性層を備え、再生光を照射した際に、上記光磁気記録層に記録された記錄磁区が、第 1補助磁性層を介して、第 2補助磁性層に拡大されて転写され、該拡大されて転写された第 2補助磁性層の磁区から情報が再生される光磁気記録媒体であって、第 1補助磁性層が 1 0 n mを超える厚みを有する光磁気記録媒体を再生するための請求項 1、 2、 7及び 8のいずれか一項に記載の再生装置。

1 2. 情報記録層としての光磁気記録膜上に、第 1補助磁性膜と、再生層としての第 2補助磁性膜とをこの順に設け、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜は臨界温度を超えると面内磁化から垂直磁化に転移する磁性材料で且つ上記光磁気記録膜、第 1補助磁性膜、第 2補助磁性膜それそれのキュリー温度 Tco、 Tcl、 Tc2 と、該第 1補助磁性膜、第 2補助磁性膜それぞれの臨界温度 TCR1、 TCR との間に室温く TCR2<TCRl<Tco、 Tcl、 Tc2 の関係になるような磁性材料から構成される光磁気記録媒体を再生するための請求項 1、 2、 7及び 8のいずれか一項に記載の再生装置。

1 3. 臨界温度を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する、再生層としての補助磁性膜と、情報記録層としての光磁気記録膜と、それらの間に形成された非磁性膜とを備え、光磁気記録膜及び補助磁性膜が、光磁気記録膜及び補助磁性膜のキュリー温度をそれそれ TC0、 TC とし、補助磁性膜の上記臨界温度をそれそれ TCRとしたときに、室溫<丁 <丁(：0、 TCとなる関係を満たす磁気特性を有する光磁気記録媒体を再生するための請求項 1、 2、 7及び 8のいずれか一項に記載の再生装置。

1 4. 基板上に、垂直磁化を有する、情報記録層としての光磁気記録膜と、臨界温度 Tcr を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する、再生層としての補助磁性膜とを非磁性膜を介して備え、上記光磁気記録膜のキュリー温度 T co と上記補助磁性膜のキュリー温度 T c及び補償温度 Tcomp との間に、室温 <Tcr <Tcomp<Tco<T cなる関係が成立し、上記光磁気記録媒体に外部磁界 H ex が加わる条件において、外部磁界 Hex 及び光磁気記録膜から生じる転写磁界の温度曲線 Aと補助磁性膜の垂直方向保磁力の温度曲線 Bとが、室温と上記補助磁性膜の補償温度 Tcomp との間で交差すると共に、上記温度曲線 Aと上記温度曲線 Bとが、補助磁性膜の補償温度 Tcompと上記光磁気記録膜のキュリ—温度 Tco との間で交差する光磁気記録媒体を再生するための請求項 1、 2、 7及び 8のいずれか一項に記載の再生装置。

1 5. 情報記録層としての光磁気記録膜上に第 1補助磁性膜、非磁性膜及び再生層としての第 2補助磁性膜が順次積層された構造を有し、光磁気記録膜、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜が、光磁気記録膜、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜のキュリー温度をそれぞれ TC0、 TC11 及び TC12 とし、第 1補助磁性膜、第 2補助磁性膜それぞれの臨界温度を TCR11、 TCR12 としたときに、室温 <T CR12<TCR11<TC0、 TC1、 TC2 となる関係を満たす磁気特性を有する光磁気記録媒体を再生するための請求項 1、 2、 7及び 8のいずれか一項に記載の再生

1 6. 情報記録層と再生層とを備える光磁気記録媒体を再生するための再生方法において、

光磁気記録媒体に、交番磁界を印加しながら、少なくとも 2種類の光パワー P rl及び Pr2にパワー変調された再生光を照射して、 Prl及び Pr2の一方のパヮ一の再生光で情報記録層の記録磁区を再生層に転写し且つ転写された磁区を拡大させることによって光磁気記録媒体に記録された情報を再生することを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。

1 7. 上記 Prl 及び Pr2 の他方のパワーによって拡大再生層において拡大した磁区を縮小または消滅させることを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

1 8. 再生クロックと同一周期または整数倍の周期で少なくとも 2種類の光パヮ —にパワー変調された再生光を照射することを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

1 9. 情報記録層としての光磁気記録膜上に、第 1補助磁性膜と、再生層としての第 2補助磁性膜とをこの順に設け、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜は臨界温度を超えると面内磁化から垂直磁化に転移する磁性材料で且つ上記光磁気記録膜、第 1補助磁性膜、第 2補助磁性膜それぞれのキュリー温度 Tco、 Tcl、 Tc2 と、該第 1補助磁性膜、第 2補助磁性膜それぞれの臨界温度 TCR1、 TCR2 との間に室温く TCR2<TCRl<Tco、 Tcl、 Tc2 の関係になるような磁性材料から構成されている光磁気記録媒体を用いることを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

20. 臨界温度を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する、再生層としての補助磁性膜と、情報記録層としての光磁気記録膜と、それらの間に形成された非磁性膜とを備え、光磁気記録膜及び補助磁性膜が、光磁気記録膜及び補助磁性膜のキュリー温度をそれそれ TC0、 TC とし、補助磁性膜の上記臨界溫度をそれそれ TCRとしたときに、室温く TCR<TC0、 TCとなる関係を満たす磁気特性を有する光磁気記録媒体を用いることを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

21 . 基板上に、垂直磁化を有する、情報記録層としての光磁気記録膜と、臨界温度 Tcr を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する、再生層としての補助磁性膜とを非磁性膜を介して備え上記光磁気記録膜のキユリ一温度 T co と上記補助磁性膜のキュリー温度 T c及び補償溫度 Tcomp との間に、室温 <Tcr< Tcomp<Tco<T cなる関係が成立し、上記光磁気記録媒体に外部磁界 Hex が加わる条件において、外部磁界 Hex 及び光磁気記録膜から生じる転写磁界の温度曲線 Aと補助磁性膜の垂直方向保磁力の温度曲線 Bとが、室温と上記補助磁性膜の補償温度 Tcomp との間で交差すると共に、上記温度曲線 Aと上記温度曲線 Bとが、補助磁性膜の補償温度 Tcomp と上記光磁気記録膜のキュリー温度 Tco との間で交差する光磁気記録媒体を用いることを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

22. 情報記録層としての光磁気記録膜上に第 1補助磁性膜、非磁性膜及び再生層としての第 2補助磁性膜が順次積層された構造を有し、光磁気記録膜、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜が、光磁気記録膜、第 1補助磁性膜及び第 2補助磁性膜のキュリー温度をそれぞれ TC0、 TC11 及び TC12 とし、第 1補助磁性膜、第 2補助磁性膜それぞれの臨界温度を TCR11、 TCR1 としたときに、室温 <T CM2<TCR11<TC0、 TC1、 TC2 となる関係を満たす磁気特性を有する光磁気記録媒体を用いることを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

23. 基板上に、情報記錄層として垂直磁化の光磁気記録膜と、臨界溫度 Tcrll を超えると垂直磁化膜から面内磁化膜に転移する第 1の補助磁性膜と、臨界温度 Tcrl2 を超えると面内磁化膜から垂直磁化膜に転移する第 2の補助磁性膜とがこの順に配置構成され、第 1の補助磁性膜と第 2の補助磁性膜は、それらの臨界温度が T crll> T crl2 を満たす磁性材料から構成されている光磁気記録媒体を用いることを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

2 4 . 前記第 1の補助磁性膜と前記第 2の補助磁性膜との間に非磁性膜を介在形成し、該第 1の補助磁性膜の非磁性膜形成面とは反対側面に前記光磁気記録膜を近接することを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

2 5 . 前記第 2の補助磁性膜の臨界溫度 T crl2 と前記第 1の補助磁性膜の臨界温度 T crll との温度差 Δ Tの値は前記第 2の補助磁性膜に転写された磁区が再生された後、前記第 1の補助磁性膜は面内磁化膜が形成されるように設定された値であることを特徴とする請求項 1 6に記載の再生方法。

2 6 . 情報記録層と再生層とを有する光磁気記録媒体を再生するための装置であって、

再生クロックを発生させるためのクロック発生装置と；

上記光磁気記録媒体に再生光を照射する光へッドと；

上記光磁気記録媒体に再生用磁界として上記再生ク口ックに同期した交番磁界を印加する磁気へッドと；

スィング軸の回りに旋回可能なスィングアームであって、その一端に上記光へッドを支持するスィングアームとを備える再生装置。

2 7 . 交番磁界のうち、情報記録層に形成された記録磁区の磁化と同一極性の磁界によって情報記録層から再生層に転写された磁区を拡大し、該記録磁区の磁化と逆極性の磁界によって拡大された磁区を縮小することを特徴とする請求項 2 6 に記載の再生装置。

2 8 . 上記光へッドは、対物レンズとしての固体イマ一ジョンレンズを備えることを特徴とする請求項 2 6に記載の再生装置。

2 9 . 磁気へッドが光へッド内に組み込まれていることを特徴とする請求項 2 8 に記載の再生装置。