WO1998035535A1

WO1998035535A1 - Organic electroluminescence display and its manufacturing method

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Publication number: WO1998035535A1
Application number: PCT/JP1998/000501
Authority: WO
Inventors: Mitsufumi Codama
Original assignee: Tdk Corporation
Priority date: 1997-02-10
Filing date: 1998-02-06
Publication date: 1998-08-13
Also published as: EP0893940A1; JP3999837B2; US6091196A; JPH10223376A; EP0893940A4

Description

明細書有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法技術分野

本発明は、ディスプレイや光源などに利用される有機エレクト口ルミネッセンス（E L ) 表示装置の製造方法とその構造とに関する。背景技術

有機 E L素子は、ガラス等からなる基板上に、第 1の電極と、発光層を含む有機機能層と、第 2の電極とを積層した基本構成を有する素子である。

有機 E L素子を用いた表示デバイスは、現在主流のフラットパネルディスプレィである液晶ディスプレイに対し、以下のような優位性を持つ。

1 ) 自発光であるために視野角が広いこと

2 ) 2〜 3ミリの薄さのディスプレイが容易に製造可能であること

3 ) 偏光板を使わないことから発光色が自然であること

4 ) 明暗のダイナミックレンジが広いため、表示が鮮明で生々しいこと

5 ) 広い温度範囲で動作すること

6 ) 応答速度が液晶より 3桁以上速いため容易に動画表示が可能であること

7 ) 1 0 V前後の電圧で数 1 0 0〜1 0 0 O cd/m²程度の極めて高い輝度が得られること

しかし、 E L素子には、有機機能層が水分や酸素などにより劣化しやすいこと、有機機能層が有機溶媒に溶けやすいこと、また、熱に弱いこと等の製造上の難題がある。このため、第 1の電極、有機機能層および第 2の電極からなる発光部積層体を、安定な材料からなる封止手段（樹脂膜、金属膜、無機膜、ガラス板等）で封止することが通常行われている。

有機 E L素子を表示デバイスに適用する場合には、外部回路と接続するための端子電極を封止手段の外側に設け、第 2の電極と端子電極とを接続する構成とするのが一般的である。

第 2の電極を封止手段の外部に引き出すためには、通常、いわゆるマスク成膜と呼ばれる方法を用いる。マスク成膜とは、膜形成領域を制限するための遮蔽部を有するマスクを基板または装置に設置して成膜を行うことにより、基板上の所望の領域に膜を形成する方法である。

この方法を用いると、次のような手順で第 2の電極と端子電極とを接続することができる。まず、有機機能層形成領域に対応する開口を有するマスクを用いて基板に有機機能層を形成する。このとき、端子電極の少なくとも一部がマスクの遮蔽部に覆われるようにする。この後、第 2の電極を形成する前までに、第 2の電極形成領域に対応する開口、すなわち有機機能層形成に用いたマスクよりも大きな開口を有するマスクへの交換を行い、第 2の電極を形成する。これにより、有機機能層形成領域を越えて第 2の電極が形成され、第 2の電極と端子電極とを接続することができる。

しかし、有機機能層形成後にマスクを付け替える方法には、次のような問題がある。

マスクの付け替えは、通常は人手で行うため、大気中で行うことになる。例えば、第 2の電極自体を配線層として用いる場合には、有機機能層を形成した後に、いつたん大気中に戻してマスクの付け替えを行い、再び真空成膜装置に戻して第 2の電極を形成する。この方法では、大気中に曝露された有機機能層表面に水分が吸着したり層中に取り込まれたりするために、第 2の電極と有機機能層との界面の密着性が劣化したり、電気的な接続性が悪くなって発光させるときの駆動電圧が高くなつたりするという問題がある上に、発光面の縁や発光面中に非発光領域が増加するという欠陥、いわゆるダークスポットが発生してしまう。また、塵埃が有機機能層上に乗りやすく、そこからやはりダークスポッ卜が発生することも大きな欠点であった。

真空を破らなくてもすむようにロボット等を用いてマスクの付け替えをすることも不可能ではないが、真空中における位置あわせ機構が非常に大掛かりになり、成膜装置が高価なものになってしまう。また、こうした位置あわせ機構を用いない場合は、位置ずれが起こるために広いマージンを設ける必要がある。このため、表示装置使用者からみて発光しない部分であり、いわば不必要といえる領域が大きいものになってしまう。さらに、 1枚の基板上に多数の表示装置を作り込む場合、広いマ一ジンを設けることは取り数が減ることに直接繋がるため、 1表示装置あたりの製造コストが高くなつてしまう。

さらにほかの方法として、マスクを装置側に設置する方法があるが、やはり広いマージンを必要とすることや、多数回の成膜にわたってマスクを使用するために塵埃の発生が非常に多く、歩留まりを落とす要因となっていた。歩留まり向上のためには常に清浄度の高いマスクを使用することが望ましいといえる。

ところで、有機 E L素子の第 2の電極は、電子を注入するための陰極とすることが一般的である。陰極は仕事関数が小さい金属を含むため、水分、酸素などにより劣化や腐食を生じやすい。このため、仕事関数が小さい金属からなる電極層上に、これよりも安定な金属からなる導電層を設けた積層体を第 2の電極とすることが好ましい。

第 2の電極は、ワイヤーボンディングゃヒートシールコネクタ一や F P C (Fi e xible Pr int Ci rcui t)の圧着などの方法を用いて外部回路と接続したい場合があるが、こうした方法では第 2の電極の端子電極との接続部に機械的な強度や耐熱性が要求される場合がほとんどである。第 2の電極を、腐食しやすい電極層と安定な導電層との積層構造とする場合には、導電層に傷が付いて電極層が露出すると腐食しやすくなるため、第 2の電極において端子電極まで延びる配線部分は、安定な導電層だけから形成することが望ましい。

上記したマスク成膜を利用して上記積層構造の第 2の電極を形成する場合、有機機能層および腐食しやすい電極層を酸素や水分から保護するために、以下の方法で各層を形成することが好ましい。この方法では、まず、マスクを設置し、有機機能層と、腐食しやすい電極層と、安定な導電層とを連続して形成する。次いで、真空を破って開口の大きなマスクへの交換を行い、再び真空にして安定な導電層をさらに積層する。この方法では、最上層の導電層だけが端子電極と接続されることになり、また、有機機能層および腐食しやすい電極層のいずれも大気に直接曝されないため、不良が発生し難くなる。しかし、この方法では、真空を一度大気圧まで戻してから再び真空にする必要があり、また、安定な導電層を 2回形成する必要があるので、製造工程が長くなり、コストアップの原因となる。発明の開示

本発明はこうした状況を鑑みてなされたものである。本発明の第 1の目的は、基板表面に端子電極と発光部積層体とを有し、発光部積層体が、第 1の電極、発光層を含む有機機能層および第 2の電極を有するものである有機エレクト口ルミネッセンス表示装置を製造する工程において'、有機機能層と第 2の電極とを続けて形成する際に、形成領域を制限するためのマスクを交換することなしに、第 2 の電極と端子電極とを確実に接続する方法を提供することである。また、本発明の第 2の目的は、前記第 1の目的を達成した上で、有機機能層と、第 2の電極中の「仕事関数が小さい金属を含有する電極層」とを、水分、酸素、有機溶媒などから保護することである。

上記目的は、下記（1 ) 〜（6 ) のいずれかの構成により達成される。

( 1 ) 基板表面に、発光部積層体と端子電極とを有し、発光部積層体が、第 1の電極と、第 1の電極の一部を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少なくとも 1層の導電層からなる第 2の電極とをこの順で有するものであり、第 2 の電極を構成する導電層の少なくとも 1層が、端子電極の少なくとも一部と接触する配線層であり、この配線層の端部の勾配が、少なくとも端子電極付近で 0 . 1以下である有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。

( 2 ) 配線層に A rが含有され、有機機能層に A rが実質的に含有されない上記（1 ) の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。

( 3 ) 基板表面に、発光部積層体と端子電極とを有し、発光部積層体が、第 1の電極と、第 1の電極の一部を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少なくとも 1層の導電層からなる第 2の電極とをこの順で有するものであり、第 2の電極の導電層の少なくとも 1層が、端子電極と接続された配線層である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する方法であって、

第 1の電極、絶縁層および端子電極を形成した後、層形成領域を制限するための遮蔽部とこれに囲まれた開口とを有するマスクに、基板をその表面側が対向するように設置し、次いで、有機機能層を形成し、続いて、有機機能層形成に用いた方法よりも段差被覆性の良好な方法により配線層を形成することにより、配線層が端子電極の少なくとも一部と接触した状態とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。

( 4 ) マスクの遮蔽部が空間を介して端子電極の少なくとも一部を覆うように、基板をマスクに設置する上記（3 ) の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法。

( 5 ) 有機機能層を真空蒸着法により形成し、配線層をスパッ夕法により形成する上記（3 ) または（4 ) の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法。

( 6 ) 第 2の電極を構成する導電層の少なくとも 1層が、仕事関数 4 eV以下の金属から構成されている上記（3 ) 〜（5 ) のいずれかの有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法。作用および効果

本発明の要点は、以下の通りである。

図 2 (A) 〜図 2 ( F ) に示すように、第 1の電極 2、端子電極 3および絶縁層 4を形成した後、端子電極 3がマスク 8の遮蔽部 8 1に覆われるように、マスク 8を設置する。このとき遮蔽部 8 1と端子電極 3との間に空間を設け、両者が接触しないようにする。

次いで、有機機能層 5を、段差被覆性が比較的悪い方法、すなわち、回り込みの悪い方法（例えば真空蒸着法）により形成する。このとき、遮蔽部 8 1により有機機能層 5の形成が制限され、遮蔽部 8 1に覆われていた領域には有機機能層 5は形成されない。

続いて、マスク 8を外さずに、電極層 6 1および配線層 6 2からなる第 2の電極 6を形成する。第 2の電極 6のうち少なくとも配線層 6 2は、有機機能層 5の形成に用いた成膜方法よりも段差被覆性が良好な方法、すなわち、回り込みのよい方法（例えばスパッ夕法）で成膜する。基板 1とマスク 8との間に空間を設けることで、図 2 ( E) に示すように、回り込みのよい方法で形成された配線層 6 2はこの空間の中にも入り込み、有機機能層 5を乗り越えて端子電極 3に接続されることが可能となる。この方法によれば、有機機能層 5を成膜した後にマスク 8の交換をすることなしに、第 2の電極 6と端子電極 3とを導通させることがでさる。

第 2の電極 6の形成が完了するまで、マスク 8は外さない。第 2の電極 6に重ねて保護層をスパッタ法ゃ真空蒸着法などにより形成する場合には、保護層形成完了までマスク 8を外さず、真空を保ったままとすることが好ましい。本発明により、マスクの装着工程を 1回減らすことができ、また、安定な金属からなる導電層の形成回数を 1回減らすことができる。また、有機機能層形成後に大気中に開放する必要がなくなるため、塵埃の付着が減少して歩留まりが向上する。結果として、有機 E L表示装置の製造コストを大きく削減できると共に、寿命の長い有機 E L表示装置を実現できる。

図示例では、有機機能層 5が配線層 6 2に完全に覆われることになるため、酸素、水、製造工程で用いる有機溶媒などから有機機能層 5を保護することができる。また、電極層 6 1を段差被覆性の悪い方法で形成することにより、電極層 6 1も配線層 6 2で完全に被覆することができるので、電極層 6 1が「仕事関数の小さい金属を含有する電極層」である場合に十分な保護が可能である。

なお、特開平 6— 5 2 9 9 1号公報には、有機薄膜層の背面側に設けられた電極の少なくとも側面からこの電極が形成されている有機薄膜層の露出面全体にかけて、電極よりも仕事関数の小さい金属膜で被覆された有機電界発光素子が記載されている。電極とは異なる材質からなる金属膜で電極が被覆されている点では本発明における有機 E L表示装置と同様であるが、同公報には、前記金属膜を端子電極と直接接続する旨の記載はなく、同公報の実施例では、前記金属膜からリ一ド線を延ばしている。また、同公報の実施例では、電極と金属膜とはいずれも蒸着法により形成されており、この点でも本発明とは異なる。図面の簡単な説明

図 1 (A) 〜図 1 ( F ) は有機 E L表示装置の製造工程を説明するための平面図である。

図 2 (A) 〜図 2 ( F ) は有機 E L表示装置の製造工程を説明するための断面図である。

図 3 (A) および図 3 ( F ) は異なる構造のマスク 8を説明するための断面図である。

図 4 (A) は配線層 62の端部の勾配を説明するための断面図であり、図 4 (B) は第 1の電極の端部の勾配を説明するための断面図である。

図 5 (A) はドットマトリクス ·ディスプレイの平面図であり、図 5 (B) は図 5 (A) のドットマトリクス ·ディスプレイの製造工程におけるマスク 8の開口の位置を示す平面図であり、図 5 (C) は図 5 (B) の断面図である。

図 6 (A- 1) 〜図 6 (D- 1) はドットマトリクス ·ディスプレイの製造ェ程を説明するための平面図であり、図 6 (A— 2) 〜図 6 (D— 2) は図 6 (A — 1) 〜図 6 (D— 1) の断面図である。

図 7 (A— 1) 、図 7 (B- 1) はドットマトリクス ·ディスプレイの製造ェ程を説明するための平面図であり、図 7 (A- 2) 、図 7 (B- 2) 、図 7 (B 一 3) および図 7 (C) は断面図である。

図 8 (A) 〜図 8 (E) はカラー ·ディスプレイの製造工程を説明するための断面図である。発明を実施するための最良の形態

図 1 (A) 〜図 1 (F) および図 2 (A) 〜図 2 (F) により、本発明の製造方法を模式的に説明する。図 1 (A) 〜図 (F) は、製造工程において有機 E L表示装置を基板 1表面側から見た平面図であり、図 2 (A) 〜図 2 (F) は、それぞれ図 1 (A) 〜図 1 (F) に示す A— A線〜 F— F線における断面図である。ただし、この断面図には断面の端面だけを表示してある。なお、以降に説明する断面図についても同様である。

まず、図 1 (A) および図 2 (A) に示すように、基板 1上に第 1の電極 2および端子電極 3を形成する。ここでは第 1の電極 2を形成する際のマスキングないし第 1の電極 2形成後のエッチングにより、第 1の電極 2と同時に端子電極 3 を形成したが、第 1の電極 2とは別の導電層を形成して端子電極 3としてもよい。次に、図 1 (B ) および図 2 (B ) に示すように、第 1の電極 2上の非発光部となる領域に絶縁層 4を形成する。絶縁層 4は、後に成膜される第 2の電極 6に第 1の電極 2が接触してしまうことを防ぐために設けられる。両電極が接触するということは、本来分離されるべき有機 E L素子の力ソードとアノードとが電気的に短絡することを意味するので、絶縁層 4を設ける必要がある。なお、第 1の電極 2において絶縁層 4の右側に延びている領域は、第 1の電極 2と外部回路とを接続するための端子部 2 1である。

次いで、図 1 ( C) および図 2 ( C ) に示すように、マスク 8に基板 1を装着する。図示するように、マスク 8は、開口の大きさの異なる遮蔽部 8 1と基部 8 2とから構成される。小さな開口を有する遮蔽部 8 1は、成膜される材料が飛来してくる側（図示例では下側）に存在し、成膜材料の遮蔽を担う。一方、小さな開口を有する基部 8 2は、基板 1側に存在し、遮蔽部 8 1と基板 1との距離を一定に保つ。成膜材料の回り込みの幅は、「遮蔽部 8 1と基板 1との距離」と「成膜方法」とで決まる。有機機能層 5をほぼマスクの開口パターンどおりに成膜し、かつ配線層 6 2の回り込みを十分に確保するためには、遮蔽部 8 1裏面（基板 1 側の面）と基板 1表面との距離を、 0 . 1〜 5匪とすることが好ましく、 0 . 3 〜 1 . 5腿とすることがより好ましい。ただし、自動搬送装置が基板 1を取り回し難くならないように、基板 1の厚さとマスク 8の厚さとの合計（基板 1裏面からマスク 8表面までの距離）を 5腿以下とすることが好ましく、 3匪以下とすることがより好ましい。なお、マスク 8としては、通常、樹脂からなるプラスチックマスクや、 S U S、 T i、 A 1等の金属からなるメタルマスクを用いる。

通常の真空蒸着法を用いた場合には、基板 1に飛来する蒸着物質は遮蔽部 8 1 により遮蔽される。一般的な真空蒸着法では、概ね遮蔽部 8 1の開口部分と同じサイズのパターンの蒸着膜が形成される。すなわち、一般的な真空蒸着法は段差被覆性が悪く、蒸着物質の回り込みはほとんどない。したがって、真空蒸着法により有機機能層を形成すれば、マスク 8の遮蔽部 8 1の開口に応じたパターンの有機機能層 5が形成される。

有機機能層 5形成後、マスク 8を交換せず、かつ真空を破らずに、続いて第 2 の電極 6を形成する。図 2 (D) および図 2 (E) に示すように、図示例における第 2の電極 6は、有機機能層 5の表面に形成される電極層 6 1と、この表面に形成される配線層 6 2とからなる。電極層 6 1は、通常、仕事関数が小さい金属を含有するものである。したがって、電極層 6 1は、その表面に形成される配線層 6 2によって完全に被覆されるように、段差被覆性の悪い真空蒸着法により形成することが好ましい。このような方法により形成された電極層 6 1は、図 2 (D) に示されるように、有機機能層 5とほぼ同じパターンとなる。電極層 6 1 形成後、真空蒸着法よりも回り込みのよい方法、具体的には段差被覆性のよい方法により、配線層 6 2を形成する。このような方法により形成された配線層 6 2 は、図 2 ( E) に示すように、有機機能層 5および電極層 6 1の形成パターンを越えてマスク 8の基部 8 2側に回り込み、端子電極 3と接続されることになる。配線層 6 2構成材料には、電極層 6 1構成材料よりも安定な金属を用いるので、第 2の電極 6の端子電極 3との接続部は、安定な金属から構成されることになる。なお、電極層 6 1および配線層 6 2はいずれも、組成の異なる複数の層から構成されていてもよい。

図示例では、マスク 8の遮蔽部 8 1全域が基板 1と離れているため、有機機能層 5および電極層 6 1が配線層 6 2に完全に覆われることになる。ただし、配線層 6 2を端子電極 3に接続するためには、遮蔽部 8 1の開口近傍全域において基板 1との間に空間を設ける必要はなく、遮蔽部 8 1と端子電極 3の少なくとも一部との間に空間を設けるだけでよい。

図 1 ( F ) および図 2 ( F ) は、配線層 6 2形成後にマスク 8をはずした状態を示すものである。

以上では、第 2の電極 6として 2層構成のものを用い、そのうち 1層を配線層 6 2とする例を説明したが、 2層共に回り込みのよい方法で形成した場合でも、上記例と同様にマスク 8の交換が不要となる効果および有機機能層 5を保護する効果が得られる。また、第 2の電極を 3層以上の層から構成し、そのうちの少なくとも 1層を回り込みのよい成膜方法で形成して配線層とすることによつても、同様な効果が得られる。さらに、陰極または陽極と配線層とを兼ねる単層の導電層を第 2の電極とし、これを回り込みのよい方法で成膜した場合でも同様な効果が得られる。ただし、前述したように、「仕事関数が小さい金属を含有する電極層」の表面に、より安定な材料からなる導電層を形成する場合には、安定な導電層に傷が付いて電極層が露出すると腐食しやすくなるため、「仕事関数が小さい金属を含有する電極層」よりも安定な導電層だけを配線層とすることが好ましい。図 1 (A) 〜図 1 ( F ) および図 2 (A) から図 2 ( F ) では、開口サイズが異なる 2枚の部材を貼り合わせたマスク 8を例に挙げたが、この構成のマスクに限らず、開口が基板側よりも基板と反対側のほうが大きいマスクであれば、どのような構造のものであってもよい。このようなマスクとしては、開口を形成する遮蔽部の内周側面に段差ないし傾斜を設けたマスクが挙げられる。具体的には、図 1 ( C) 〜図 1 ( E) 、図 2 ( C) 〜図 2ί ( E ) に示すマスク 8のほか、例えば図 3 (A) 、図 3 (B ) に示すようなマスク 8を用いてもよい。図 3 (A) に示すマスク 8は、外形形状は図 2 ( C ) 〜図 2 ( E) に示すマスク 8と同様であるが、 1枚の板状体を形状加工することにより遮蔽部 8 1と基部 8 2とを設けたものである。また、図 3 (B ) は、 1枚のマスク 8の開口部内周側面を、基板 1 側の開口が大きくなるようにテーパー状に加工したものである。

上述した段差被覆性の良好な方法により形成された配線層は、その端部の勾配が、通常、 0 . 1以下と極めて小さいものとなる。なお、図 4 (A) に示すように、配線層 6 2端部の勾配は、水平方向位置の変化量 hに対する垂直方向位置の変化量 Vの比 v Z hで表される。これに対し、配線層の形成に有機機能層形成に用いた方法と同様な段差被覆性の悪い方法、例えば通常の蒸着法を用いた場合には、 v Z hは、通常、 0 . 5以上と大きくなる。したがって、配線層端部の勾配およびその勾配の始まる位置を調べることにより、有機機能層形成工程と配線層形成工程との間でのマスク交換の有無を判断することができる。

上記説明において段差被覆性の良好な方法として挙げたスパッ夕法では、スパッ夕ガスの圧力が高ければ、夕一ゲッ卜から飛散した粒子がスパッタガスと衝突して散乱される頻度が高くなるため、段差被覆性が向上する。ターゲットから飛散した粒子が基板に到達するまでに少なくとも平均して 1回はスパッタガス原子と衝突するように、言い換えると飛散粒子の平均自由行程がターゲットと基板との間の距離よりも短くなるようにスパッタガス圧力を選択することが好ましい。一方、スパッ夕ガスの圧力が高すぎると、ターゲットから飛散した粒子が散乱されすぎ、また、ターゲットに印加される電圧が低下してしまうため、成膜速度が低くなつてしまう。したがって、スパッタガスの圧力は、段差被覆性と成膜速度とを考慮して適宜決定すればよいが、好ましくは 2 X 1 0— ⁴〜2 X 1 0— ²Torrとし、より好ましくは 1 X 1 0— ³〜1 X 1 0— ²Torrとする。なお、スパッタガスには、通常、 A rが用いられる。したがって、'成膜にスパッタ法を用いたことは、層中の A r量を測定することにより確認できる。スパッ夕法により形成された層中の A r含有量は、通常、 0 . 0 1〜1 5原子％程度である。一方、蒸着法を用いた場合には、層中には A rが実質的に含有されない。

段差被覆性の良好な方法としては、スパッタ法のほか、プラズマ C V D法や光 C VD法などが挙げられ、本発明ではこれらの方法を用いてもよい。また、真空蒸着法において、蒸着雰囲気中に A r等の不活性ガスを導入すれば、段差被覆性を向上させることができるので、配線層の形成に利用することができる。ただし、生産性および均一性が最も高くなることから、スパッ夕法を用いることが最も好ましい。

また、このように、真空蒸着法でも蒸着時の雰囲気圧力が高いと段差被覆性が良好となってしまうので、段差被覆性を悪くする必要のある場合には、蒸着時の圧力を好ましくは 1 X 1 0— ⁵Torr以下、より好ましくは 1 X 1 0— ^Torr以下とする。

第 1の電極 2の側端面は、基板 1に垂直ではなく勾配をもつことが好ましい。これは、第 1の電極 2の側端面において、後に蒸着法などにより形成される薄膜の被覆性が悪くなることを防ぎ、歩留まりと寿命とを向上させるためである。図 4 ( Β ) において第 1の電極 2の側端面と基板 1表面とのなす角度 0 (以後、テーパ角という）は、 6 0 ° 以下であることが好ましい。テ一パ角の小さな段差を造り込むこと自体は、ウエットエッチング、ドライエッチングのいずれの方法でも可能である。例えばゥエツトエッチングでは等方的にエッチングが進むため、オーバ一エッチング時間を多く取りすぎなければテーパ角を自然に 6 0 ° 程度以下とでき、 4 5 ° 以下とすることも容易である。また、ドライエッチング法でも、レジストのドライエッチングによる後退を利用する方法、すなわちレジストのテ —パ角を転写するようにドライエッチングガスや R F投入電力、ガス圧力などのエッチング条件を選べば、 2 0〜3 0 ° のテ一パ一角は容易に得ること、ができる。このときのドライエッチングガスとしては、塩化水素、ヨウ化水素等のハロゲン化水素ガスや、臭素ガス、あるいはメタノ一ルなどが使われる。

次に、有機 E L表示装置の各部について詳細に説明する。本発明の有機 E L表示装置では、有機機能層による発光光を基板を通して取り出す構成とすることも可能であり、また、基板と反対側から取り出す構成とすることも可能であるが、発光光を基板側から取り出す構成の場合には、基板にはガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明な材料を用いる。基板には、安価なソーダガラスを用いることができるが、この場合、基板全面をシリカコートすることが好ましい。シリカコートは、酸やアルカリに弱いソーダガラスを保護する役割を持ち、さらに基板の平坦性をよくする効果も示す。

なお、基板に色フィルタ一膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を配置して、発光色を制御してもよい。

基板と反対側から発光光を取り出す構成の場合は、基板は不透明であつてもよい。この場合、アルミナ等のセラミックス、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。

第 1の電極および第 2の電極

通常は、第 1の電極を陽極とし、第 2の電極を陰極とするが、逆であってもよい。発光光を陽極を通して取り出す場合、発光光の透過率が好ましくは 8 0 %以上となるように陽極の材質および厚さを選択する。具体的には、例えば、錫ド一プ酸化インジウム（I T O) 、亜鉛ド一プ酸化インジウム（I Z〇）、 S n〇₂、ドーパントをドープしたポリピロ一ルなどを陽極に用いることが好ましく、特に I T〇を用いることが好ましい。陽極の厚さは、 1 0〜5 0 O nm程度とすることが好ましい。陽極の形成方法は特に限定されないが、大面積の膜を均一な厚さに形成することが容易であることから、スパッタ法を用いることが好ましい。陰極は、仕事関数が小さい金属、具体的には仕事関数が 4 eV以下の金属（合金および金属間化合物を含む）から構成されることが好ましい。仕事関数が大きすぎると、電子の注入効率が低下して、発光効率が低下する。陰極形成に用いる材料としては、例えば、 L i、 Na、 K等のアルカリ金属； Mg、 Ca、 S r、 B a等のアルカリ土類金属； L a、 Ce等の希土類金属； A し I n、 Ag、 Sn、 Zn、 Z r等が挙げられ、所望の仕事関数の陰極が得られるように、これらから少なくとも 1種を選択すればよい。仕事関数が 4eV以下の合金としては、例えば Mg · Ag (Ag ： 1〜20原子％) 、 A 1 · L i (L i ： 0. 5〜 10原子％) 、 I n ' Mg (Mg : 50〜80原子％) 、 A 1 · C a (C a ： 5〜20原子％) などが挙げられる。

陰極を第 2の電極の少なくとも一部として用いる場合、要求される段差被覆性に応じて形成方法を適宜決定する。

陰極の厚さは、電子注入が十分に行えるように適宜決定すればよいが、好ましくは 50腹以上、より好ましくは 10 Omn以上である。陰極の厚さの上限は特にないが、通常、陰極は 50 Onmを超える厚さとする必要はない。

配線層

配線層を電極層（陰極または陽極）とは独立して設ける場合について説明する。この場合、配線層構成材料は電極層構成材料よりも安定な導電性金属（合金および金属間化合物を含む）または導電性セラミックスから選択することが好ましレ^ 具体的には、例えば、 Ag、 A l、 Au、 C r、 Mo、 P t、 T iおよび W のいずれか、 Cu、 Mo、 S c、 S iおよび Wの少なくとも 1種と A 1との合金、または T i N、 ZnO、 S n0₂もしくは I n ₂0₃が好ましい。

配線層の厚さは、好ましくは 3 Οηπ！〜 1 mであり、より好ましくは 50 nn！〜 0. 5 //mである。配線層が薄すぎると、配線層の段差被覆性が悪くなつてしまレ配線層を端子電極に確実に接続することが難しくなる。一方、配線層が厚すぎると、配線層の応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が高くなつてしまう。

端子電極端子電極の構成材料は特に限定されず、例えば I T O、 T i N、 A 1等を用いればよい。ただし、第 2の電極や保護層を形成した後、封止板等を接着剤により貼り合わせて封止する際に、接着剤として紫外線硬化型のものを用い、かつ基板側から紫外線を照射する場合には、端子電極を光透過率の高い材料から構成することが好ましい。この場合の電極材料としては、陽極の説明において挙げた各種材料が好ましい。通常は、第 1の電極形成の際のパターニングにより、第 1の電極と同時に端子電極を形成する。

S i〇₂等の酸化ケィ素、窒化ケィ素などの無機系材料をスパッ夕や真空蒸着で成膜したもの、 S O G (スピン ·オン ·グラス）で形成した酸化ケィ素層、フオトレジスト、ポリイミド、アクリル樹脂などの樹脂系材料の塗膜など、絶縁性を有するものであればいずれであってもよい。ただし、絶縁層の下側には I T O 等からなる第 1の電極が存在するので、絶縁層形状にパタ一ニングする際に第 1 の電極へダメージを与えないようなパタ一ニングが可能な材料を用いることが好ましい。

絶縁層の厚さは特に限定されず、必要な絶縁性が得られるように材料に応じて適宜決定すればよいが、無機系材料を用いる場合には製造コストの面から薄いほうが望ましい。

発光層を含む有機機能層

発光層は、正孔（ホール）および電子の注入機能、それらの輸送機能、正孔と電子との再結合により励起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。

有機機能層には、発光層のほかに正孔注入輸送層が含まれることが好ましい。正孔注入輸送層は、陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を輸送する機能および電子を妨げる機能を有する。このほか、必要に応じ、例えば発光層に用いる化合物の電子注入輸送機能がさほど高くないときなどには、発光層と陰極との間に電子注入輸送層を設ける構成とすることもできる。電子注入輸送層は、陰極からの電子の注入を容易にする機能、電子を輸送する機能および正孔を妨げる機能を有する。正孔注入輸送層および電子注入輸送層は、発光層へ注入される正孔ゃ電子を増大させ、発光効率を改善する。

正孔注入輸送層は陽極と発光層との間に設けられ、電子注入輸送層は陰極と発光層との間に設けられる。

なお、正孔注入輸送層および電子注入輸送層はいずれも、注入機能を持つ層と輸送機能を持つ層とに分離して設けてもよい。

発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、特に限定されない。これらの厚さは、形成方法によっても異なるが、通常、 5〜1 0 0 nm程度とする。各層のキャリア移動度やキャリア密度（イオン化ポテンシャル · 電子親和力により決まる）を考慮して各層の厚さを制御することにより、再結合領域，発光領域を自由に設計することができ、発光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度 ·発光スぺクトルの制御や、発光の空間分布の制御が可能である。

発光層には、発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。蛍光性物質には、例えば、特開昭 6 3— 2 6 4 6 9' 2号公報等に開示されているような卜リス（8 _キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色素を用いることができる。これに加え、あるいはこれに替え、キナクリドン、クマリン、ルブレン、スチリル系色素、その他テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、 1 2—フタ口ペリノン誘導体等を用いることもできる。発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス（8—キノリノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。

電子注入輸送層には、トリス（8—キノリノラト）アルミニウム等の有機金属錯体、ォキサジァゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリ三誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフエ二ルキノン誘導体、ニト口置換フルオレン誘導体等を用いることができる。上述したように、電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合にはトリス（8—キノリノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。

なお、電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて設ける場合には、電子注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して各層に用いることができる。このとき、陰極側から電子親和力の大きい化合物の層の順に積層することが好ましい。このような積層順については、電子注入輸送層を 2層以上設けるときも同様である。

正孔注入輸送層には、例えば、特開昭 6 3 - 2 9 5 6 9 5号公報、特開平 2—

1 9 1 6 9 4号公報、特開平 3— 7 9 2号公報、特開平 5— 2 3 4 6 8 1号公報、特開平 5— 2 3 9 4 5 5号公報、特開平 5— 2 9 9 1 7 4号公報、特開平 7— 1

2 6 2 2 5号公報、特開平 7— 1 2 6 2 2 6号公報、特開平 8— 1 0 0 1 7 2号公報、 E P 0 6 5 0 9 5 5 A 1等に記載されている各種有機化合物、例えば、テトラァリ一ルペンジシン化合物（テトラァリールジァミンないしテトラフェニルジァミン： T P D) 、芳香族三級ァミン、ヒドラゾン誘導体、力ルバゾ一ル誘導体、トリァゾ一ル誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するォキサジァゾール誘導体、ポリチォフェン等を用いることができる。これらの化合物は 2種以上を併用してもよい。併用するときには、別層にして積層したり、混合したりすればよい。

正孔注入輸送層を正孔注入層と正孔輸送層とに分けて設ける場合には、正孔注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。このとき、陽極からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ましい。また、陽極表面に設けられる層には、均質な薄膜が形成可能な化合物を用いることが好ましい。このような積層順については、正孔注入輸送層を 2層以上設けるときも同様である。このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポッ卜の発生 ·成長を防ぐことができる。また、蒸着法により形成する場合には、厚さ 1〜1 O nm程度の薄い膜であつても均質かつピンホールフリーにすることができる。このため、イオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を正孔注入層に用いた場合でも、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。

有機機能層を構成する各層の形成には蒸着法やスパッ夕法を用いればよいが、上述したように特に蒸着法により形成することが好ましい。保護層は、酸化ゲイ素、窒化ケィ素等の無機材料であってもよく、フッ素樹脂等の有機材料であってもよい。

無機材料からなる保護層の厚さは、好ましくは Ι Ο ηπ！〜 0 . 5 mであり、有機材料からなる保護層の厚さは、好ましくは 1 O M！〜 1 0 0 / mである。保護層が薄すぎると封止効果が不十分となり、厚すぎると応力が大きくなるため、ダ一クスポットの成長速度が高くなつてしまう。

保護層は蒸着法やスパッ夕法により形成すればよいが、第 2の電極の保護を十分に行うためには段差被覆性の良好な方法に'より形成することが好ましい。封止

保護層形成後、封止板を接着して、端子電極 3の少なくとも一部を除く領域を基板 1と封止板との間に密封する構造とすることが好ましい。これにより、湿気の侵入を防ぐことができ、機械的強度も高くなる。封止板の接着には、例えば、光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、架橋エチレン酢酸ビニル共重合体接着剤シート等を用いればよい。封止板には、ガラス、セラミツクス、金属、樹脂等を用いればよい。本発明の有機 EL表示装置は、以上で説明した孤立型のものに限らず、単純マトリクス型や薄膜トランジスタ（TFT) 型などの多画素構造のものにも適用でさる。

本発明の有機 EL表示装置は、通常、直流駆動されるが、交流駆動またはパルス駆動する構成としてもよい。印加電圧は、通常、 5〜20V程度とされる。

実施例

実施例 1

図 5 (A) に示すような、画素サイズが 0.4匪 X 0. 6匪のドットで構成された 5ドット X 8ドッ卜のキャラクター表示領域が 2行 X 16列あるタイプのドットマトリクス ·ディスプレイを製造した例を示す。図 5 (A) には、キャラクタ一表示領域の拡大図、第 1の電極 2の端子部 21の拡大図および第 2の電極 6と接続される端子電極 3の拡大図も示してある。図 5 (B) および図 5 (C) は、製造工程におけるマスク 8の開口の位置を示すものであり、図 5 (B) は平面図、図 5 (C) は、図 5 (B) の C— C線における一部省略断面図である。ただし、図 5 (C) は、有機機能層形成前の状態を示す。

図 6 (A- 1) 〜図 6 (D— 2) および図 7 (A- 1) 〜図 7 (C) は製造ェ程の説明図であり、分かりやすくするために、図 5 (A) の領域 Aの一部を拡大して示している。基板 1表面側から見た平面図を図 6 (A— 1) 、図 6 (B-

1) 、図 6 (C— 1) 、図 6 (D- 1) および図 7 (A- 1) 〜図 7 (A— 2) に示し、図 6 (A- 1) 、図 6 (B- 1) 、図 6 (D— 1) の A— A線〜 D— D 線および図 7 (A- 1) 、図 7 (B- 1) の A— A線、 B2— B 2線、 B 3— B 3線における断面図を、それぞれ図 6 (A- 2) 、図 6 (B- 2) 、図 6 (C—

2) 、図 6 (D-2) および図 7 (A— 2) 、図 7 (B— 2) 、図 7 (B— 3) に示す。

基板 1は、安価なソーダガラスの全面にシリカコートしたものを用いた。これは酸やアルカリに弱いソーダガラスを保護するためと、ガラス表面の平坦性をよくするためである。

次に、第 1の電極 2および端子電極 3を形成するために、 I T〇からなる厚さ 1 00 OAの透明導電層をスパッ夕法により形成した。この透明導電層上にフォトリソグラフィ一によりレジストパターンを形成した後、不要部分をエッチングして除去し、次いでレジストを剥離して、図 6 (A- 1) および図 6 (A- 2) に示すように第 1の電極 2および端子電極 3とした。第 1の電極 2および端子電極 3の側端面のテーパ角（図 4 (B) に示す角度 0) は、 45° とした。このテ一パ角を有する側端面は、 HCし HN〇₃および水の混合液からなるエツチング液で 2分間エッチングすることにより形成した。

次に、図 6 (B- 1) および図 6 (B-2) に示すように、第 1の電極 2および端子電極 3を覆う絶縁層 4を基板 1全面に形成した。絶縁層 4にはポリイミドを用いた。ポリイミドは非感光性の材料を選び、 5%程度の濃度に NMP (N-me thyl pyrrolidone) で希釈したものをスピンコート法で塗布し、 1 50°Cで 30 分間、さらに 300 °Cで 1時間べ一クした。

次いで、画素間を分離するための構造を作製するために、図 6 (C— 1) および図 6 (C- 2) に示すように、厚さ 1 mの A 1層 9 1および厚さ 0. 2 IIIの C r層 92を続けて形成した。

引き続き、ポジレジストを塗布し、所望のフォト ·パターンを形成するために露光し、現像した。さらに C r層 92を硝酸セリウムアンモニゥム溶液でエッチングし、 A 1層 9 1をリン酸、硝酸、酢酸の混合液でエッチングした。このとき、 A 1層 9 1が十分にオーバ一エッチングされるような時間だけエッチング液に浸潰したところ、最初のフォト ·パターンに対し片側約 2 mA 1パターンが小さくなり、図 6 (D- 1) および図 6 (D-2) に示すような笠型の構造体（ォ一バ一ハング体） 9が得られた。さらに、フォトリソグラフィ一によって、実際の発光部となる第 1の電極 2と端子電極 3とを露出させるための開口を有するパターンを作り、酸素プラズマにより絶縁層 4をエッチングした後、レジストを剥離し、図 7 (A- 1) および図

7 (A- 2) に示す構造とした。

次に、図 7 (B- 1) 、図 7 (B— 2) および図 7 (B- 3) に示すように、マスク 8を基板 1に設置した。このマスク 8は、開口の異なるメタルマスク（S US 304製）を貼り合わせたものであり、基板 1側に存在する基部 82の厚さは Ιπιιικ 遮蔽部 8 1の厚さは 0. 1mmである。なお、マスク開口部における基部

82に対する遮蔽部 81のオーバ一ハング量は、 2誦である。

次いで、図 7 (C) に示すように、有機機能層 5と、第 2の電極 6 (電極層 6 1および配線層 62) と、保護層 7とを連続して形成した。なお、保護層 7の形成が終了するまで真空を破らず、マスク 8の交換も行わなかった。

有機機能層 5は、それぞれ厚さ 50 OAの正孔注入層兼正孔輸送層と発光層兼電子輸送層とから構成した。正孔注入層兼正孔輸送層は、 N, N '—ビス（m— メチルフエニル） — N， N 'ージフエニル— 1, 1 '—ビフエニル— 4, 4 '—ジァミン (N, N - bis (m - methyl phenyl) -N, N -diphenyl-1, 1 -biphenyl-4, 4 - d iamine以下 TPDと略す）を蒸着することにより形成した。発光層兼電子輸送層は、トリス（8—ヒドロキシキノリン）アルミニウム（tris (8-hydroxyquinoli ne) aluminium以下 A 1 Q₃と略す）を蒸着することにより形成した。両層の蒸着時の圧力は、 1 X 10— ⁶Torrとした。

電極層 6 1は厚さ 200 OAとし、 Mg · Ag合金（重量比 1 0 : 1) を蒸着することにより形成した。蒸着時の圧力は、 1 X 10_⁶Torrとした。

配線層 6 2は厚さ 0. 3 mとし、 A1をターゲットとするスパッ夕法により形成した。スパッタガス（Ar) の圧力は 4X 1 0— ³Torrとした。図 4 (A) に示す配線層 62端部の勾配 vZhは、 0. 05であった。配線層 62中の A r量は、約 3原子％であった。なお、電極層 61中の Ar量は、検出限界以下であった。保護層 7は厚さ 0. とし、 S i 0₂を夕一ゲットとするスパッタ法により形成した。

最後に、成膜装置から取り出し後にマスク 8を外し、全体を外気から遮断するための封止を行い、端子電極 3と外部回路とを接続して、ドットマトリクス ·デイスプレイを完成させた。

実施例 2

1画素のサイズが 330 / mX 1 10 /xmで、画素数が 320X 240 XRGB ドットのカラー ·ディスプレイを製造した例を示す。カラ一になったことと、より精細になったこととを除けば、基本的に実施例 1と大きく異なる点はない。まず、液晶ディスプレイの力ラー化手法としても最も一般的な顔料分散型の力ラーフィルターを形成した。 1. 5〜2. 5 //m程度のフィルター膜厚になるように各色のフィル夕一液を塗布し、パ夕一ニングした。カラ一フィルターの形成ェ程は、赤を例にとると、次のように行った。赤色用カラ一フィル夕一液を 100 Orpmで 5秒スピンコートし、 100 °Cで 3分プリべ一クした。露光機でフォトマスクを位置合わせし、 2 OmWの紫外光を 30秒間照射した後、濃度約 0. 1 % の TMAH水溶液で現像した。現像時間は約 1分間であった。次いで、この後に塗布する他の色のカラ一フィル夕一液に溶解しないように 220°Cで 1時間キュァし、赤色カラーフィルターパターンを完成させた。他の色（緑、青）のカラ一フィルタ一は、材料（顔料）が異なるために上記の赤色カラーフィルター形成条件とは若干異なるものの、ほぼ同様の工程を順次行うことにより形成した。ここでは、製造が比較的容易であるため、カラ一フィルターだけを用いた例を挙げたが、蛍光変換フィルターを用いて緑、赤は色変換を行うことで出力させて、より高輝度発光にしてもよい。また、カラ一フィル夕一と蛍光変換フィルタ一とを積層し、輝度低下の防止と色純度の向上とを両立させることも可能である。次いで、図 8 (A) に示すように、カラ一フィルターパ夕一ン（図中の R、 G、 B ) の上から基板 1全面にオーバ一コート材を塗布し、露光後、 2 2 0 で1 時間キュアすることによりオーバーコート層 1 1を形成し、透明導電層を形成する面の平坦性を向上させた。

次に、オーバ一コート層 1 1表面に I T Oからなる厚さ 1 0 0 O Aの透明導電膜をスパッ夕法により形成し、フォトリソグラフィ一でレジストパターンを形成した後にエッチングし、最後にレジストを剥離した。こうして、図 8 (B ) に示すように I T Oからなるカラムラインを形成し、第 1の電極 2とした。このとき同時に端子電極 3のパ夕一ンも形成されている。第 1の電極 2および端子電極 3 の側端面のテーパ角（図 4 ( B ) に示す角度 0 ) は、 4 5 ° とした。このテ一パ角を有する側端面は、 H C 1、 HN〇₃および水の混合液からなるエッチング液で 2分間エッチングすることにより形成した。

次に、第 1の電極 2上に、 S i 0₂をターゲットとするスパッ夕法により厚さ 0 . 2 mの絶縁層 4を形成し、さらに、スパッ夕法により厚さ 1 / mの A 1層 9 1および厚さ 0 . ' 2 mの C r層 9 2を形成し、図 8 ( C) に示す構造とした。次いで、実施例 1と同様に C r層 9 2と A 1層 9 1とをエッチングした。続いて、フォトリソグラフィ一により第 1の電極 2の表面を露出させるためのパタ一ンを形成した後、絶縁層 4をエッチングして発光領域と端子電極 3とを露出させ、最後にレジストを除去した。なお、絶縁層 4のエッチングには、フッ酸とフッ化アンモニゥム水溶液とを 1 ： 2 0の比率で混合したエッチング液を用いた。

次に、図 8 (D) に示すように、実施例 1で用いたマスク 8と同様なマスク 8 を基板 1に設置した後、成膜装置に導入し、有機機能層 5と、第 2の電極 6 (電極層 6 1および配線層 6 2 ) と、保護層 7とを連続して形成し、図 8 (E ) に示す構造とした。なお、保護層 7の形成が終了するまで真空を破らず、マスク 8の交換も行わなかった。有機機能層 5は、厚さ 10 OAの正孔注入層と、厚さ 50 OAの正孔輸送層兼黄色発光層と、厚さ 50 OAの青色発光層と、厚さ 10 OAの電子輸送層とから構成し、白色発光するように材料を選択した。正孔注入層は、ポリ（チォフェン— 2, 5—ジィル）を蒸着することにより形成した。正孔輸送層兼黄色発光層は、 TP Dにルブレンを 1重量％の割合でドープしたものを共蒸着することにより形成した。ルブレンの濃度は 0. 1〜 10重量％程度が好ましく、この濃度で高効率で発光する。濃度は発光色の色バランスより決定すればよく、この後に成膜する青色発光層の光強度と波長スペクトルとにより左右される。青色発光層は、 4, 4' - ビス [ (1, 2， 2-トリフエニル）ェテニル] ビフエニルを蒸着することにより形成した。電子輸送層は、 A 1 Q₃を蒸着することにより形成した。

電極層 61は厚さ 200 OAとし、 Mg · Ag合金（重量比 10 : 1) を蒸着することにより形成した。蒸着時の圧力は、 1 X 10— ^eTorrとした。

配線層 62は厚さ 0. 3 ΠΙとし、 A1をターゲットとするスパッ夕法により形成した。スパッ夕ガスの圧力は 4X 10_³Torrとした。図 4 (A) に示す配線層 62端部の勾配 v/hは、 0. 05であった。配線層 62中の A r量は、約 3原子％であった。なお、電極層 61中の Ar量は、検出限界以下であった。

保護層 7は厚さ 0. 2 /mとし、 S i 0₂をターゲットとするスパッ夕法により形成した。

以上のようにして、単純マトリクス型有機 E Lカラ一ディスプレイを完成させた。

Claims

請求の範囲

1 . 基板表面に、発光部積層体と端子電極とを有し、発光部積層体が、第 1の電極と、第 1の電極の一部を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少なくとも 1層の導電層からなる第 2の電極とをこの順で有するものであり、第 2の電極を構成する導電層の少なくとも 1層が、端子電極の少なくとも一部と接触する配線層であり、この配線層の端部の勾配が、少なくとも端子電極付近で 0 . 1以下である有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

2 . 配線層に A rが含有され、有機機能層に A rが実質的に含有されない請求の範囲第 1項記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置。

3 . 基板表面に、発光部積層体と端子電極とを有し、発光部積層体が、第 1の電極と、第 1の電極の一部を覆う絶縁層と、発光層を含む有機機能層と、少なくとも 1層の導電層からなる第 2の電極とをこの順で有するものであり、第 2の電極の導電層の少なくとも 1層が、端子電極と接続された配線層である有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造する方法であって、

4 . マスクの遮蔽部が空間を介して端子電極の少なくとも一部を覆うように、基板をマスクに設置する請求の範囲第 3項記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。

5 . 有機機能層を真空蒸着法により形成し、配線層をスパッ夕法により形成する請求の範囲第 3項または第 4項記載の有機エレクト口ルミネッセンス表示装置の製造方法。

6 . 第 2の電極を構成する導電層の少なくとも 1層が、仕事関数 4 eV以下の金属から構成されている請求の範囲第 3項〜第 5項のいずれかに記載の有機エレク、表示装置の製造方法。