+

WO1997036821A1 - Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes - Google Patents

Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes Download PDF

Info

Publication number
WO1997036821A1
WO1997036821A1 PCT/FR1997/000514 FR9700514W WO9736821A1 WO 1997036821 A1 WO1997036821 A1 WO 1997036821A1 FR 9700514 W FR9700514 W FR 9700514W WO 9736821 A1 WO9736821 A1 WO 9736821A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silicon
aluminum
sihcium
metallurgical
synthesis
Prior art date
Application number
PCT/FR1997/000514
Other languages
English (en)
Other versions
WO1997036821A9 (fr
Inventor
Thomas Margaria
Original Assignee
Pechiney Electrometallurgie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pechiney Electrometallurgie filed Critical Pechiney Electrometallurgie
Priority to EP97915546A priority Critical patent/EP0891297A1/fr
Priority to US09/155,343 priority patent/US6391255B1/en
Priority to AU22983/97A priority patent/AU2298397A/en
Publication of WO1997036821A1 publication Critical patent/WO1997036821A1/fr
Publication of WO1997036821A9 publication Critical patent/WO1997036821A9/fr

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C01B33/021—Preparation
    • C01B33/023—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material
    • C01B33/025—Preparation by reduction of silica or free silica-containing material with carbon or a solid carbonaceous material, i.e. carbo-thermal process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12—Organo silicon halides
    • C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis

Definitions

  • the invention relates to a particular quality of metallurgical silicon with a controlled structure and containing aluminum, intended more particularly for the synthesis of alkyl or aryl-halosilanes used in the manufacture of silicones.
  • Metallurgical silicon denotes the silicon obtained industrially by carbothermic reduction of silica in an electric furnace. It contains at least 98% silicon and, as main elements, iron, aluminum and calcium. It also contains a certain amount of oxygen and other elements, at a content ⁇ 0.1%, such as P, Ti, V, Ni, etc.
  • the desired product being D
  • selectivity of the reaction It is also important to produce the maximum quantity of silanes per unit of time, the value of the weight flow of silanes produced being called reactivity.
  • Much work has been devoted to improving the reactivity and selectivity of the reaction. We have highlighted, in particular, the role played by metallic compounds present in the structure of metallurgical silicon used as raw material. This is the case for the publication of the plaintiff: T. MARGARIA, JC ANGLEZIO and C.
  • the Applicant has therefore sought a means of improving the reactivity and the selectivity of the reaction by acting on the silicon grains themselves. This can be done by controlling their phosphorus content as described in international application WO 95/01303 filed by BAYER and the applicant.
  • the silicone industry continues to demand silicon capable of further increasing the selectivity and reactivity of the ROCHOW reaction.
  • the subject of the invention is therefore a metallurgical silicon intended for the synthesis of alkyl and aryl halosilanes, the structure of which consists of crystals of primary silicon and of intermetallic compounds essentially based on silicon, iron, aluminum and calcium and characterized in that more than 90% of the primary silicon grains have an aluminum content of between 50 and 1000 ppm.
  • This structure is preferably obtained with a silicon containing overall between 0.12 and 0.30% by weight of aluminum and with a process for solidifying the silicon after casting making it possible to descend below 1200 ° C. in less than 10 s .
  • the Applicant has found that, for a certain range of aluminum contents and under specific conditions for solidification of liquid silicon, it is possible to increase the aluminum content of the primary silicon crystals beyond the normal saturation threshold. 15 ppm, and to control the level of supersaturation by varying both the aluminum content of the liquid sihcium and its solidification speed, so as to obtain an increase in the reactivity of the sihcium in the ROCHOW reaction.
  • a sensitivity factor RSF is determined for aluminum such that the concentration C (in atoms per cm 3 ) is equal to the product RSF x IAJ / IS I , c is to say the product of the sensitivity factor by the ratio of the intensities measured for aluminum and the silicon matrix.
  • This RSF factor is obtained by averaging at least 5 measurements made on pre-implanted standards of known concentration and it is of the order of 3.3 10 23 .
  • the aluminum supersaturation level of the primary sihcium increases with the aluminum content of the starting hydrous sihcium and with the speed of solidification.
  • the cooling rate in particular between 1400 and 1200 ° C., also plays on the percentage of primary silicon crystals having an aluminum content of more than 50 ppm, very high speeds leading to more than 95% of supersaturated crystals. , or even at percentages close to 100%.
  • a scanning electron microscope and X-ray diffraction examination of the aluminum supersaturated sihcium crystals reveals the existence of deformations in the crystals such as dislocations or shear planes. With a constant intermetallic content and identical phosphorus content in the primary silicon, it is found that the reactivity of the aluminum supersaturated sihcium is higher compared to that of a sihcium whose crystals contain the normal content of about 15 ppm solid solution.
  • each of the samples was subjected to a methylchlorosilane manufacturing test under the following conditions: The tests were carried out in a glass reactor, in stirred ht, with a diameter of 30 mm, equipped with an agitator. The same amount of sihcium with the same particle distribution between 70 and 160 ⁇ m, was used in each test.
  • the reaction mixture consisted of 40 g of sihcium, 3.2 g of partially oxidized copper as catalyst and 0.05 g of ZnO.
  • the methyl chloride was sent to the reaction mixture, through a sintered glass disc under a pressure of 0.2 MPa. After heating the reaction medium and starting the reaction, the temperature of the system was adjusted and maintained at 300 ° C. and the quantity and the composition of the mixture of silanes formed was determined.
  • P denotes the total quantity of silanes produced in g / h; MeH, Mono, T, D, PS, the respective percentages by weight of monomethyldichlorosilane (CH 3 HSiCl 2 ), tomethylchlorosilane ((CH 3 ) 3SiCl), methyltrichlorosilane (CH 3 SiCl 3 ), dimethyldichlorosilane ((CH3) 2 SiCl 2 ) and polysilanes.
  • the desired product is dimethyldichlorosilane
  • the selectivity of the reaction is assessed by D, while the reactivity is measured by P.
  • the values indicated are the means of 4 individual measurements.
  • sample 1 where the primary silicon is supersaturated with aluminum, has an increased reactivity of 6% for a selectivity identical to 0.2%.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

L'invention concerne un silicium métallurgique destiné à la synthèse des alkyl ou arylhalogénosilanes, dont la structure est constituée de cristaux de silicium primaire et de composés intermétalliques à base notamment de silicium, d'aluminium et de calcium, caractérisé en ce qu'au moins 90 % des cristaux de sillicium primaire présentent une teneur en aluminium comprise entre 50 et 1000 ppm. Cette structure améliore sensiblement la réactivité du silicium dans la réaction de synthèse.

Description

Silicium métallurgique à structure contrôlée destiné à la synthèse des halogénosilanes
Domaine technique
L'invention concerne une qualité particulière de silicium métallurgique à structure contrôlée et contenant de l'aluminium, destiné plus particulièrement à la synthèse des alkyl ou aryl-halogénosilanes utilisés dans la fabrication des silicones. On désigne par silicium métallurgique le silicium obtenu industriellement par réduction carbothermique de la silice au four électrique. H contient au moins 98 % de silicium et, comme éléments principaux, le fer, l' aluminium et le calcium. Il contient également une certaine quantité d'oxygène et d'autres éléments, à une teneur < 0,1%, tels que P, Ti, V, Ni, etc..
Etat de la technique
La synthèse des alkyl ou aryl halogénosilanes par réaction à une température comprise entre 250 et 350°C d'un hydrocarbure halogène sur du silicium en présence d'un catalyseur est connue depuis le brevet US 2380995 délivré en 1945 à Rochow. La réaction de Rochow a atteint un développement industriel important puisqu'elle est à la base de l'industrie des silicones. Elle se pratique en général avec le chlorure de méthyle CH3C1, et conduit à un mélange de différents méthyl chlorosilanes, en particulier le monométhyl-trichlorosilane (désigné par la lettre T) et le diméthyl¬ dichlorosilane (désigné par D). Le produit recherché étant D, il importe de pouvoir conduire la réaction de façon à obtenir la proportion maximale de D dans le mélange de silanes obtenu, cette proportion étant appelée sélectivité de la réaction. Il importe également de produire la quantité maximale de silanes par unité de temps, la valeur du flux pondéral de silanes produits étant appelée réactivité. De nombreux travaux ont été consacrés à améliorer la réactivité et la sélectivité de la réaction. On a mis en évidence, en particulier, le rôle joué par les composés mteπnétalliques présents dans la structure du silicium métallurgique utilisé comme matière première. C'est le cas de la publication de la demanderesse: T. MARGARIA, J.C. ANGLEZIO et C. SERVANT « Intermetallic Compounds in Metallurgical Silicon » au congrès INFACON 6, Proceedings of the 6th International Ferroalloys Congress, Cape Town, voL 1, 1992, édité par SAJMM, Johannesburg, pages 209- 214, qui indique les différents intermétalliques présents dans le silicium et la manière de les contrôler. Le brevet DE 4037021 d'ELKEM recommande la présence de certaines phases ternaires ou quaternaires contenant Si, Fe, Al et Ca.
H est connu également qu'en modifiant la structure des composés intermétalliques localisés aux joints de grains du silicium, on peut améliorer la réactrvité et la sélectivité de la réaction de ROCHOW. De telles structures ont été proposées dans les brevets EP 0610807 de WACKER CHEMIE ou EP 0673880 de la demanderesse. Toutefois, quel que soit le soin apporté à former, doser et structurer ces intermétalliques, ils restent toujours localisés à la surface des grains de silicium de sorte que leur effet est limité au démarrage de la réaction.
La demanderesse a donc recherché un moyen d'améliorer la réactivité et la sélectivité de la réaction en agissant sur les grains de silicium eux-mêmes. On peut le faire en contrôlant leur teneur en phosphore comme décrit dans la demande internationale WO 95/01303 déposée par BAYER et la demanderesse. L'industrie des silicones continue cependant de demander du silicium susceptible d'augmenter encore la sélectivité et la réactivité de la réaction de ROCHOW.
Objet de l'invention
L'invention a ainsi pour objet un silicium métallurgique destiné à la synthèse des alkyl et aryl halogénosilanes dont la structure est constituée de cristaux de silicium primaire et de composés intermétalliques essentiellement à base de silicium, de fer, d'aluminium et de calcium et se caractérise en ce que plus de 90% des grains de silicium primaire présentent une teneur en aluminium comprise entre 50 et 1000 ppm. Cette structure est obtenue de manière préférentielle avec un silicium contenant globalement entre 0,12 et 0,30% en poids d'aluminium et avec un procédé de solidification du silicium après coulée permettant de descendre en dessous de 1200°C en moins de 10 s.
Description de l'invention Il est connu, en particulier par le choix du silicium comme semi-conducteur dans les applications électroniques, que la solubilité de la plupart des éléments dans le silicium solide est très faible; celle de raluminium est de l'ordre de 15 ppm. Lors de la solidification d'un silicium métallurgique obtenu à l'état liquide, la quantité d'aluminium excédentaire qui ne peut pas passer en solution solide dans le silicium primaire se rassemble aux joints de grains sous la forme de composés intermétalliques secondaires à forte teneur en aluminium.
Or, la demanderesse a trouvé que, pour un certain domaine de teneurs en aluminium et dans des conditions particulières de solidification du silicium liquide, il est possible d'augmenter la teneur en aluminium des cristaux de silicium primaire au-delà du seuil normal de saturation de 15 ppm, et de contrôler le niveau de sursaturation en jouant à la fois sur la teneur en aluminium du sihcium hquide et sur sa vitesse de solidification, de manière à obtenir une augmentation de la réactivité du sihcium dans la réaction de ROCHOW. La teneur de l'aluminium en solution solide dans le silicium primaire peut être mesurée par exemple à l'aide d'une sonde ionique (SBMS = Secondary Ion Mass Spectrometry). Selon une méthode habituelle lorsqu'on utilise la SEMS pour une analyse quantitative, on détermine, pour raluminium, un facteur de sensibilité RSF tel que la concentration C (en atomes par cm3) soit égale au produit RSF x IAJ/ISI, c'est à dire le produit du facteur de sensibilité par le rapport des intensités mesurées pour raluminium et la matrice de sihcium.
Ce facteur RSF est obtenu en faisant la moyenne d'au moins 5 mesures faites sur des étalons préimplantés de concentration connue et il est de l'ordre de 3,3 1023. Le niveau de sursaturation en aluminium du sihcium primaire augmente avec la teneur en aluminium du sihcium hquide de départ et avec la vitesse de solidification. Ainsi, en coulant du sihcium en épaisseur de 4 mm sur une plaque de cuivre refroidie à l'eau, ce qui provoque la solidification complète en moins de 10 s, on obtient les valeurs suivantes (en poids):
Figure imgf000005_0001
En diminuant l'épaisseur de coulée à 2 mm, ce qui provoque la solidification complète en moins de 2,5 s, on obtient les valeurs suivantes:
Figure imgf000006_0001
L'expérience montre également que les résultats obtenus dépendent principalement de la vitesse de refroidissement entre l'état hquide (1415°C environ) et 1200°C, la vitesse de refroidissement entre 1200°C et la température ambiante ayant assez peu d'influence. Ces conditions opératoires diffèrent complètement de celles mentionnées dans la demande de brevet EP 0617039 de BAYER, qui préconise un refroidissement rapide entre 700°C et 120°C. Ainsi, le fait de démouler du sihcium solide encore rouge après coulée sur une plaque de cuivre refroidie à l'eau, ne modifie pas sensiblement le niveau de sursaturation en aluminium des cristaux de sihcium par rapport au sihcium démoulé à température ambiante. Par ailleurs, la vitesse de refroidissement, en particuher entre 1400 et 1200°C, joue également sur le pourcentage de cristaux de silicium primaire présentant une teneur en aluminium supérieure à 50 ppm, des vitesses très élevées conduisant à plus de 95% de cristaux sursaturés, voire à des pourcentages proches de 100%. Un examen au microscope électronique à balayage et en diffraction de rayons X des cristaux de sihcium sursaturés en aluminium fait apparaître l'existence de déformations dans les cristaux telles que des dislocations ou des plans de cisaillement. A teneur en intermétalliques constante et à teneur identique en phosphore dans le silicium primaire, on constate que la réactivité du sihcium sursaturé en aluminium est plus élevée par rapport à celle d'un sihcium dont les cristaux contiennent la teneur normale d'environ 15 ppm en solution solide. En dessous d'une teneur de 50 ppm d'aluminium dans le cristal, l'amélioration de la réactivité n'est guère sensible. On peut difficilement dépasser un taux de sursaturation de 1000 ppm, car alors l'alunώuum cristallise à part. Dans des conditions industrielles de solidification permettant de passer de l'état hquide à moins de 1200°C en moins de 10 s, ces limites correspondent à une teneur totale en aluminium du sihcium hquide comprise entre 0,12 et 0,30% en poids.
Exemple
On a élaboré par carbothermie au four électrique, à partir de sihce et d'un réducteur carboné, un sihcium hquide présentant la composition suivante (en poids): Fe = 0,35% Ca = 0,70% Al = 0,60% Ti = 0,022% P = 90 ppm Ce sihcium a été ensuite affiné en poche par addition de sihce et injection d'oxygène pour abaisser les teneurs en Ca et Ai L'analyse du sihcium affiné était la suivante: Fe = 0,38% Ca = 0,056% Al = 0,15% Ti = 0,022% P = 90 ppm Cette poche a ensuite été coulée: a) pour partie sur une installation de coulée constituée de deux cylindres en cuivre refroidis à l'eau tournant en sens inverse, telle que décrite dans le brevet EP 0057651 de la demanderesse, dont la vitesse de rotation des cylindres a été réglée pour obtenir une épaisseur de bande de 4 mm
Sur le sihcium ainsi coulé, on a prélevé un échantillon n° 1. b) pour partie dans une lingotière en fonte classique de profondeur 10 mm. Sur ce sihcium, on a prélevé un échantillon n° 2.
L'analyse des 2 échantillons a donné les résultats suivants:
Figure imgf000007_0001
Chacun des échantillons a été soumis à un test de fabrication de méthylchlorosilanes dans les conditions suivantes: Les tests ont été réalisés dans un réacteur en verre, en ht agité, d'un diamètre de 30 mm, équipé d'un agitateur. La même quantité de sihcium avec la même distribution de particules entre 70 et 160 μm, a été utilisée dans chaque test. Le mélange réactionnel consistait en 40 g de sihcium, 3,2 g de cuivre partiellement oxydé comme catalyseur et 0,05 g de ZnO.
Le chlorure de méthyle était envoyé dans le mélange réactionnel, au travers d'un disque de verre fritte sous une pression de 0,2 MPa. Après chauffage du milieu réactionnel et démarrage de la réaction, la température du système a été ajustée et maintenue à 300°C et la quantité et la composition du mélange de silanes formé a été déterminée.
Les valeurs sont reprises dans le tableau suivant, dans lequel P désigne la quantité totale de silanes produite en g/h; MeH, Mono, T, D, PS, les pourcentages respectifs en poids de monométhyldichlorosilane (CH3HSiCl2), de tométhylchlorosilane ((CH3)3SiCl), de méthyltrichlorosilane (CH3SiCl3), de diméthyldichlorosilane ((CH3)2SiCl2) et de polysilanes. Le produit recherché étant le diméthyldichlorosilane, la sélectivité de la réaction est appréciée par D, tandis que la réactivité est mesurée par P. Les valeurs indiquées sont les moyennes de 4 mesures individuelles.
Figure imgf000008_0001
On constate que l'échantillon 1 où le sihcium primaire est sursaturé en aluminium, présente une réactivité accrue de 6% pour une sélectivité identique à 0,2% près.
PCT/FR1997/000514 1996-04-02 1997-03-24 Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes WO1997036821A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP97915546A EP0891297A1 (fr) 1996-04-02 1997-03-24 Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes
US09/155,343 US6391255B1 (en) 1996-04-02 1997-03-24 Metallurgical-grade silicon with a controlled structure for use in halosilane synthesis
AU22983/97A AU2298397A (en) 1996-04-02 1997-03-24 Metallurgical-grade silicon with a controlled structure for use in halosilane synthesis

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR96/04378 1996-04-02
FR9604378A FR2746785B1 (fr) 1996-04-02 1996-04-02 Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO1997036821A1 true WO1997036821A1 (fr) 1997-10-09
WO1997036821A9 WO1997036821A9 (fr) 1997-11-13

Family

ID=9491012

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/FR1997/000514 WO1997036821A1 (fr) 1996-04-02 1997-03-24 Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6391255B1 (fr)
EP (1) EP0891297A1 (fr)
AU (1) AU2298397A (fr)
FR (1) FR2746785B1 (fr)
WO (1) WO1997036821A1 (fr)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2827592B1 (fr) * 2001-07-23 2003-08-22 Invensil Silicium metallurgique de haute purete et procede d'elaboration
US8962877B2 (en) * 2009-10-16 2015-02-24 Dow Corning Corporation Method of making organohalosilanes

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4037021A1 (de) * 1989-11-22 1991-05-23 Elkem As Siliciumerzeugnis zur verwendung zur herstellung von organosilanen und chlorsilanen und verfahren zu dessen herstellung
DE4303766A1 (de) * 1993-02-09 1994-08-11 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
EP0617039A1 (fr) * 1993-03-24 1994-09-28 Bayer Ag Procédé de préparation d'organochlorosilanes
WO1995001303A1 (fr) * 1993-07-01 1995-01-12 Pechiney Electrometallurgie Silicium metallurgique contenant du phosphore pour la preparation d'organohalogenosilanes
EP0673880A1 (fr) * 1994-02-25 1995-09-27 Pechiney Electrometallurgie Silicium métallurgique à microstructure contrôlée pour la préparation des halogénosilanes

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2380995A (en) * 1941-09-26 1945-08-07 Gen Electric Preparation of organosilicon halides
DE3929865A1 (de) * 1989-09-08 1991-03-14 Bayer Ag Verfahren zur herstellung von alkylhalogensilanen
JP3205352B2 (ja) * 1990-05-30 2001-09-04 川崎製鉄株式会社 シリコン精製方法及び装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4037021A1 (de) * 1989-11-22 1991-05-23 Elkem As Siliciumerzeugnis zur verwendung zur herstellung von organosilanen und chlorsilanen und verfahren zu dessen herstellung
DE4303766A1 (de) * 1993-02-09 1994-08-11 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung von Methylchlorsilanen
EP0610807A1 (fr) * 1993-02-09 1994-08-17 Wacker-Chemie GmbH Procédé de préparation de méthylchlorosilanes
EP0617039A1 (fr) * 1993-03-24 1994-09-28 Bayer Ag Procédé de préparation d'organochlorosilanes
WO1995001303A1 (fr) * 1993-07-01 1995-01-12 Pechiney Electrometallurgie Silicium metallurgique contenant du phosphore pour la preparation d'organohalogenosilanes
EP0673880A1 (fr) * 1994-02-25 1995-09-27 Pechiney Electrometallurgie Silicium métallurgique à microstructure contrôlée pour la préparation des halogénosilanes

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
T. MARGARIA ET AL.: "INFACON 6 Proceedings of the 6th International Ferroalloys Congress. Cape Town. Volume 1", 1992, SAIMM, JOHANNESBOURG, ZA, XP002020861 *

Also Published As

Publication number Publication date
US6391255B1 (en) 2002-05-21
AU2298397A (en) 1997-10-22
FR2746785A1 (fr) 1997-10-03
EP0891297A1 (fr) 1999-01-20
FR2746785B1 (fr) 1998-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6057469A (en) Process for manufacturing active silicon powder for the preparation of alkyl- or aryl-halosilanes
RU2062779C1 (ru) Способ получения метилхлорсиланов
CA2166317C (fr) Silicium metallurgique contenant du phosphore et destine a la preparation des alkyl ou aryl halogenosilanes
JPH04311501A (ja) 表面酸化度の低い金属ケイ素粉末
EP0891297A1 (fr) Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes
US5500399A (en) Silicon alloy containing aluminum, calcium and copper for the synthesis of alkyl or aryl halogenosilanes
WO1997036821A9 (fr) Silicium metallurgique a structure controlee destine a la synthese des halogenosilanes
EP0893408B1 (fr) Procédé de fabrication de poudre de silicium active pour la préparation des alkyl- ou aryl-halogénosilanes
EP0673880B1 (fr) Silicium métallurgique à microstructure contrÔlée pour la préparation des halogénosilanes
EP1020472B1 (fr) Procédé de fabrication de poudre de silicium active pour la préparation des alkyl- ou aryl-halogénosilanes
US5880307A (en) Process for the preparation of alkylhalosilanes
US5281739A (en) Process for manufacture of alkylhalosilanes
FR2525222A1 (fr) Procede de fabrication de methylchlorosilanes
FR2486099A1 (fr) Agent de traitement et procede de fabrication de fonte a graphite vermiculaire
FR2848124A1 (fr) Utilisation d&#39;une composition comprenant cuivre, metal alcalin et phosphore comme systeme catalytique pour conduire la synthese directe d&#39;alkylhalogenosilanes en attenuant la formation de coke
AU2005235568B2 (en) Method of selecting silicon having improved performance
EP1211223A1 (fr) Fabrication de silicium dopé par ajout de phosphore et destiné à la préparation des alkyl ou aryl-halogenosilanes

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY CA CH CN CU CZ DE DK EE ES FI GB GE GH HU IL IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MD MG MK MN MW MX NO NZ PL PT RO RU SD SE SG SI SK TJ TM TR TT UA UG US UZ VN YU AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH KE LS MW SD SZ UG AT BE CH DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE BF

COP Corrected version of pamphlet

Free format text: PAGE 7,CLAIMS,ADDED

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1997915546

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 97534969

Format of ref document f/p: F

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1997915546

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09155343

Country of ref document: US

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

Ref document number: 97534969

Format of ref document f/p: F

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: CA

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1997915546

Country of ref document: EP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Ref document number: 1997915546

Country of ref document: EP

点击 这是indexloc提供的php浏览器服务，不要输入任何密码和下载