WO1993017005A1

WO1993017005A1 - Derive d'acide n-acyl-n-phenyltetrahydrophtalamique, sa production, et herbicide le contenant comme ingredient actif

Info

Publication number: WO1993017005A1
Application number: PCT/JP1993/000245
Authority: WO
Inventors: Tetsuo Takematsu; Takeo Komata; Takashi Kume; Kiyoshi Suzuki; Matsue Kawamura; Yumiko Shirakawa; Kaoru Mori
Original assignee: Central Glass Co., Ltd.
Priority date: 1992-02-26
Filing date: 1993-02-26
Publication date: 1993-09-02
Also published as: AU650387B2; CA2108757A1; BR9305422A; CA2108757C; EP0600089A4; US5468719A; EP0600089A1; AU3575293A

Description

明細書 .

N —了シルー N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体、その製造法およびそれを有効成分とする除草剤

[技術分野]

本発明は、新規な化合物である N —ァシルー N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体、その製造方法およびそれを有効成分として舍有する除草剤、ならびに、その製造中間体であるィミドィルクロリド誘導体およびその製造方法に関するものである。本発明の N —ァシル一 N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体は、優れた除草活性を有し、畑地、水田、果樹園、牧草地、芝生地、森林あるいは非農耕地などに広く適用できる除草剤として有用であり、かつ、作物に射して安全性の高いものである。

[背景技術]

従来より、テトラヒド πフタラミン酸誘導体の除草活性はよく知られており、例えば、特開昭 4 8 - 4 4 4 2 5号に開示されている N— ( 4 ' 一クロロフヱニル）一 3 , 4， 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルなどが知られている。

しかしながら、従来のテトラヒドロフタラミン酸誘導体の除草活性は必ずしも充分ではなかったり、雑草に対する殺草スぺクトルに大きな制限があり、くわえて、作物、雑草間の選択性が充分でなく . 作物に対する安全性に問題がある。

本発明は、上記のような従来の問題点を解決し、優れた除草活性を有し、かつ、作物に対して安全性の高い新規な化合物、その製造法およびそれを有効成分として舍有する除草剤、ならびに、その製造中間体およびその製造法を提洪することを目的とする。 [発明の開示]

本発明者らは、アミド窒素原子上に特定のァシル置換基を有する新規なテトラヒドロフタラミン酸誘導体が極めて優れた除草活性と選択性、殺草スぺクトルを有することを見出し、既に提案している

[国際出願 P C T Z J P 9 1 / 0 1 1 0 9号] 。このことを踏まえ、さらに鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成した。

すなわち、本発明は、一般式

(式中、 R ¹はアルキル基、了ルケニル基、アルキニル基、アルコキシアルキル基、ノヽ口了 jレキ jレ基、ノヽロアルケニル基、ノヽロア jレキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わし、 R ³は低級アルコキシ基、低級アルケニルォキシ基、低級アルキニルォキシ基、低級アルコキシアルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハ πアルキルォキシ基または低級アルコキシ力ルボ二ル了ルコキシ基を表わす。）

で示される Ν—了シルー Ν —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体、その製造法およびそれを有効成分として舍有する除草剤である o

さらに、本発明は、一般式

(式中、 R ¹はアルキル基、アルケニル基、了ルキニル基、アルコキシアルキリレ基、ノヽロアルキル基、ハロ了ルケニル基、ノヽロアルキニル基またはシァノ了ルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わす。）

で示されるィミドイルクロリド誘導体およびその製造法である。本発明の N—ァシルー N—フエニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体 [ I ] は、例えば、次式に示すように一般式 [ Π ] で示されるイミドイルクロリド誘導体と一般式 [ m ] で示されるカルボン酸類とを反応させることによって製造することができる。

N二

[1]

(式中、 R ¹はアルキル基、了ルケニル基、アルキニル基、アルコキシアルキリレ基、ノヽロアルキル基、ノヽロアルケニル基、ノヽロアルキニル基またはシァノ了ルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級了ルキル基を表わし、 R ³は低級アルコキシ基、低級アルケニルォキシ基、低級アルキニルォキシ基、低級アルコキシ了ルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハ nアルキルォキシ基または低級アルコキシカルポニルアルコキシ基を表わす。）

反応は、適当な溶媒中、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン. 埴化メチレン、ク η 口ホルム、酢酸ェチル、ジォキサン、テトラヒドロフラン、ジェチルエーテル、ジメチルホ jレムアミド、ジメチルスルホキシドなど、および、適当な脱酸剤、例えば、トリェチル了ミン、ピリジンなどの有機塩基、水酸化力リゥム、水酸化ナトリゥ厶などの無機塩基を加えることにより好適に行なうことができる。反応温度は、特に限定はないが、通常、 0で〜 2 0 O t:が適当であり、 4 0 t：〜 1 0 0 :がより好ましい。

また、本発明の N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体 [ I ] は、次式に示すように一般式 [Π] で示されるィミドイルクロリド誘導体と一般式 [V] で示されるカルボン酸類の了ルカリ金属塩とを反応させることによつても製造することができる

(式中、 R 'はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、了ルコキシアルキル基、ノヽ αァリレキル基、ノヽ π了ルケニル基、ノヽ口了リ 'レキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハ口ゲン化低級アルキル基を表わし、 R ³は低級アルコキシ基、低級了ルケニルォキシ基、低級了ルキニルォキシ基、低級了ルコキシアルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハロ了ルキルォキシ基または低級アルコキシカルボニルアルコキシ基を表わし、 Mは了ルカリ金属を表わす。 )

反応は、適当な溶媒中、例えば、ベンゼン、トルエン、キ.シレン、塩化メチレン、クロホルム、酢酸ェチル、ジォキサン、テトラヒドロフラン、ジェチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、氷など、および、必要ならば四級アンモニゥ厶塩などの栢間移動触媒を加えることにより行なうことができる。

反応温度は、特に限定はないが、通常、 O ：〜 2 0 が適当であり、 0 ：〜 1 0 0 がより好ましい。

また、本発明の N—ァシルー N—フヱニルテトラヒド D フタラミン酸誘導体 [ I ] を得るための出発物質として必要とされるィミドイルク n リド誘導体 [ π ] は、例えば、一般式

(式中、 R ¹は了ルキル基、了ルケニル基、了ルキニル基、アルコキシ了ルキル基、ノ、ロアレキ jレ基、ノヽロ了 jレケニル基、ノヽ ϋ 了リレキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハ "Dゲン化低級アルキル基を表わす。）

で示される了二りド誘導体 [ IV ] を、脱水塩素化剤を用いて、反応溶媒の存在下もしくは非存在下下記反応式に従って製造するとができる。

(式中、 R ¹はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ了リレキレ基、ロアリレキル基、ヽロ了 Jレケニリレ基、ロアリレキ二ル基またはシ了ノ了ルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級了ルキル基を表わす。）

反応に用いられる脱水塩素化剤の好ましい例としては、五塩化リン、三塩化リン一塩素、チォユルクロリド、ァリールスルホニルク口リド、ホスゲン、トリフヱニルホスフィン一四塩化炭素およびポリマー担持トリフヱニルホスフィン一四塩化炭素などを挙げることができる。

また、反応に用いられる溶媒の好ましい例として、ジクロロエタン、四塩化炭素、クロ口ホルム、塩化メチレンなどのハ口ゲン化炭ィ匕水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロ口ベンゼンなどの芳香族炭化水素類、および、了セトニトリル、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒などを挙げることができる。

反応温度は、特に限定はないが、好ましくは 0 ~ 1 0 0 :である。

[発明を実施するための最良の形態] 、以下、実施例により本発明を具体的に説明する。

実施例 1

N— ( 7—フルォ一 4一プロパルギル一 2 H— 1， 4—ベンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) —オン一 6—ィル）一 2 _クロロ了セトイミドィルク n リドの合成（後記第 1表における化合物 N 0. 2の化合物、一般式「Π1 の化合物）

N— （ 7—フルオロー 4一プロノルギル一 2 H— 1， 4— ίンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6—ィル）一 2—クロ口了セト了ミド 1. G 0 g、トリフヱニルホスフィンポリマーバウンド 2. 2 5 g、四塩化炭素 4 m lを 1， 2—ジクロ口ェタン 3 5 m l に溶解し、 2時間加熱還流した。放冷後、固体をろ別、減圧下で溶媒を留去し、 N— （ 7—フルオロー 4一プロノヽ。ルギル一 2 H— 1 , 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6—ィル） _ 2—クロ了セトイミドイルクロリドを定.量的に得た。

実施例 2

N― ( 2—クロロアセチル）一 N— （ 7—フルオロー 4—プロノヽ。ルギルー 2 H— 1 , 4—べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) —オン一 6 —ィル）一 3, 4, 5， 6—テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルの合成（後記第 3表における化合物 N 0. 5の化合物、一般式 [ I 1 の化合物）

N— （ 7—フリレオ n— 4ープ nパルギル一 2 H— 1， 4— ^ンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6—ィル）一 2—クロロアセトイミドイルクロリド 1 . 0 6 g と 3， 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタル酸モノメチルエステル 0. 6 2 gをベンゼン 5 0 m 1 に溶解し、トリェチル了ミン 0. 3 8 gを室温下、加え、 6 0 でで 2時間撹拌した。放冷後、反応液を冷水に注ぎ込み、有機層を分液した。水、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮し、残渣にメタノールを添加し、生じた結晶をろ別、メタノールで洗淨後乾燥し、 1 . O gの N _ ( 2 —クロ -ロアセチル）一N— ( ？ —フルオロー 4 一プロパルギル一 2 H— 1 ， 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) —オン一 6 —ィル）一 3 , 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルを得た。

融点二 1 5 6 〜 1 5 8 で

実施例 3

N— （ 7 —フルオロー 4 ープロノ、。ルギル一 2 H— 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) 一オン一 6 —ィル）ーァセトイミドイルク口リドの合成（後記第 1 表における化合物 N 0 . 3の化合物、一般式「 Π Ί の化合物）

Ν - ( 7 フルオロー 4 一プロノヽ⁰リレギル一 2 Η— 1 ， 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) —オン一 6 —ィル）一ァセトアミド 0 . 5 gにベンゼン 1 0 m 1 および五塩化リン 0. 4 gを加え、 6 0 。Cで 1 . 0時間撹拌した。放冷後、生成したォキシ塩化リンおよびベンゼンを減圧下で留去し、 N— ( 7 —フルオロー 4 一プロパルギル一 2 H - 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) —オン一 6 _ィル） —了セトイミドイルクロリドを定量的に得た。

実施例 4

N—ァセチルー N— ( 7 —フルオロー 4 一プロパルギル一 2 H— 1 , 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6 —ィル）一 3， 4 , 5 , 6 —亍トラヒドロフタラミン酸メチルエステルの合成（後記第 3表における化合物 N 0. 1 4の化合物、一般式「 I Ί の化仓物）

N— （ 7—フルオロー 4—プロノヽ。ルギルー 2 H— 1 , 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6—ィル）ーァセトイミドイルクロリド 0. 4 4 gと 3 , 4 , 5 , 6—テトラヒドロフタル酸モノメチルエステル 0. 2 9 gをベンゼン 1 5 m l に溶解し、トリェチルアミン 0. 1 7 gを室温下、加え、 6 0 :で 2時間撹拌した。放冷後、反応液を冷永に注ぎ込み、有機層を分液した。水、飽和食塩永で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮し、残渣をシリカゲル力ラムク nマトグラフィー（展開溶媒：酢酸ェチル Z n—へキサン）で処理し、 N—了セチルー N— （ 7—フルォー 4 一プロパルギル一 2 H— 1 , 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6—ィル）一 3， 4, 5 , 6—テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルを得た。

融点 = 1 5 3〜 1 5 4 :

£1上の実施例に準じて得た本発明の N—了シルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体 [ I ] について第 3表に示し、その — NMR吸収スぺクトル値を第 4表に示し、また、ィミドイルクリド誘導体 [H] について第 1表に示し、その¹ H— NMR吸収スぺクトル値を第 2表に示したが、本発明の化合物はこれらに限定されるものではない。

また、化合物 N o. は、 β下の実施例、試験例においても適用する

第 1 表

21

ι m

S^Z00/£6df/IDd SQ0Ll/£6 OAV 第 3表（ 1 )

第 3表（ 2 )

八

ィ匕合物 R R R 占、、 Ν ο . ）

28 CH(CH₃)₂ CH₃ 0CH₃ 油状物

29 CH(CH₃) 2 CH₃ 0CH(CH₃)CH₂0CH₃ 油状物

30 CH₂CH₂F CH₃ OCH3 141-142

31 CH₂CH₂F CH₃ 0CH₂CH₂QCH₃ 油妆物

32 CH₂CH₂DCH₃ CH₃ 0CH₃ 92〜93

33 CH₂CH₂0CH₃ CH₃ 0CH₂CH₂0CH₃ 油状物

34 CH₂CH = CH₂ CH₃ 0CH₂CH₂0CH₃ 油状物

35 CH(CH₃)C≡CH CH₃ 0CH₂CH₂0CH₃ 油状物

SI

( ι ) m

SfrZ00/£6df/JOd S0QLl/£6 O 9ΐ

( Z ) 挲翥

Sfzoo/e6df/JOd S00£l/£6 OAV LI

0/£6df/JOd S00.l/£6OAV 本発明の N —ァシルー N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体 [ I ] を有効成分として舍有する本発明の除草剤は、氷田における湛水土壌処理において問題となる種々の雑草、例えば、ノビエなどのイネ科維草、ァゼナ、キカシグサ、ミゾハコべなどの広葉維草、タガヤッリ、ホタルイなどのカャッリグサ科雑草およぴコナギなどの維草に対して優れた除草活性を有し、また、畑地の茎葉処理および土壌処理のいずれにおいても問題となる種々の雑草、例えば、カラシナ、ァオビュ、ハコべ、シロザ、ォナモミ、マルバアサガオ、ヤエムダラ、スベリヒュ、ィチビ、了メリカッノクサネム、ェビスグサ、ィヌホウズキ、ィヌノフグリ類、タデ類、スミレ類などの広葉雜草、ィヌビエ、ェノコグサ、カラスムギ、メヒシバ、セイノンモロコシ、ェンバクなどのイネ科維草、コゴメガャッリ、ハマスゲなどのカャッリダサ科雑草およびツユクサなどのツユクサ科雑草に対しても優れた除草活性を有し、かつ、本発明の除草剤は、イネ、コムギ、トウモロコシ、ダイズなどの主要作物に対して問題となる薬害をほとんど示さない。

従って、本発明の除草剤は、畑地、水田、果樹園、牧草地、芝生地、森林あるいは非農耕地などに対して広く用いることができる。本発明の除草剤は、上記した本発明の Ν —ァシルー Ν —フユニルテトラヒド πフタラミン酸誘導体 [ I ] を有効成分とし、この分野において一般に用いられている農薬補助剤、つまり、不活性な固体担体、液体担体および乳化分散剤などを用いて永和剤、乳剤、粒剤、粉剤、フロァブル剤などの任意の剤型にして使用することができる。これらの不活性な担体としては、例えば、タルク、クレー、ベントナイト、カオリン、珪そう土、炭酸カルシウム、木粉、澱粉、ァラビ了コ '厶、永、ァリレコ一 Jレ、ケロシン、ベンゼン、キシレン、 T1 一へキサン、アセトン、ジメチリレホルムアミド、グリコー Jレエ一テル、 N—メチルビ π リドンなどが挙げられる。また、製剤上の補助剤、例えば、展着剤、希釈剤、界面活性剤、溶剤などを適宜配合することも出来る。

本発明の N —ァシルー N —フヱニルテトラヒド π フタラミン酸誘導体 [ I ] を除草剤として使用する際の使用量は、その方法、目的、時期、雑草の発生状況などにより適宜選択できるが、通常、有効成分として 1 0 了ール当り 0 . 1 〜 3 0 0 gが好ましく、特に好ましくは 1 0 アール当り 1 〜 3 0 0 gである。

また、本発明の N —ァシルー N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体 [ I ] を含有する除草剤に他種の除草剤、植物生長調節剤、殺菌剤、殺虫剤およびその他の農薬、肥料、土壌改良剤などを混合して使用することも出来る。

次に本発明の除草剤の実施例を挙げるが、化合物、担体、補助剤および使用割合などは、本実施例に限られるものではない。なお、本実施例中の成分の構成比は、重量部を示す。

実施例 5 (水和剤）

化合物 N o . 5 1 0部リグニンスルホン酸ナトリウム 1 . 5部ポリオキシエチレンアルキルァリールエーテル 1 . 5部クレー 8 7部これらの各成分を均一になるまで混合し、粉砕して水和剤を得た。実施例 6 (粒剤）

化合物 N 0 . 5 7部ベントナイト 3 0部アルキル硫酸ソーダ 2部クレー 6 1部これらの成分を均一になるまで混合し、練り合わせ、通常の造粒方法で造粒し、粒剤を得た。

実施例 7 (乳剤）化合物 N o . 5 . 5部

N—メチルピロリドン 4 4部ソルボール 7 0 6 5 4 3部

(東邦化学工業株式会社製品）

ソルポール 3 5 5 8部

(東邦化学工業株式会社製品）

これらの成分を均一になるまで混合し、乳剤を得た。

次に試験例により本発明の N—了シルー N—フニルテトラヒド口フタラミン酸誘導体 [ I ] の除草効果を説明する。

試験例 1 (湛水土壌処理）

1 / 1 5 5 0 0 アールのポットに水田土壌（埴壌土）を充塡し、表層にノビエ、広葉雑草、ホタルイおよびタマガヤッリの各種雑草種子を均一に混合して播種し、 2〜 3葉期の水稲幼苗を 2 c mの深さに移植し、 3 c mの深さに湛氷した。 3 日後のノビェ発生始期に各化合物の永和剤希釈液の所定量を水面に滴下処理した。その後、ガラス室で育成し、処理 4週間後に除草効果および水稲薬害を評価した。この結果を第 5表に示した。なお、表中の数値は、水稲薬害および除草効果を示すもので、具体的には下記の通りである。

5 ：完全枯死 4 ：大害 3 ：中害

2 ：小害 1 ：僅少害 0 ：無害（正常発育）試験例 2 (茎葉処理）

1 / 1 5 5 0 0 了一ルのポットで土耕により育成したィ本、食用ビエ、ダイコン、ァオビュおよびメヒシバの各植物の幼植物期（ 2 ~ 3葉期）に各化合物の; !k和剤希釈液を噴霧処理した。その後、ガラス室において育成し、処理 4週間後に除草効果を評価した。この結果を第 6表に示した。なお、除草劲果の評価は試験例 1 と同様に

TTつ/こ。

試験例 3 (茎葉処理） 1 / 8 8 5 0 アールのポットで土耕により.育成したィチビ、ォナモミ（ 4 L時）、ノアサガオおょぴォオイヌタデの各植物の幼植物期（ 2 3葉期）に各化合物の水和剤希釈液を噴霧処理した。その後、ガラス室において育成し、処理 4週間後に除草効果を評価した。この結果を第 7表に示した。なお、除草効果の評価は試験例 1 と同様 ϊ つこ o

第 5表（ 1 )

第 5表（ 2 )

第 6表（ 1 )

第 6 表（ 2 )

第 7 表

化合物萆景チビ矛ナモミゾアサ： Sすィヌタデ 0 . g/10a

4 8 4 2 3 5

4 3 1 3 5

5 8 5 5 5 5

4 5 4 4. 5 5

14 8 5 5 5 5

4 5 5 4 5

21 8 5 5 4 5

4 4. 5 3 4 5 3 8 5 5 5 5

4 5 5 5 5

[産業上の利用可能性]

本発明の新規な化合物である N —ァシルー N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体は、優れた除草活性を有し、畑地、氷田、果樹園、牧草地、芝生地、森林あるいは非農耕地などに広く適用できる除草剤として有用であり、かつ、作物に対して安全性の高いものである。

Claims

請求の範囲

1 . 一般式

(式中、 R ¹はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシァリレキル基、ハ口アルキル基、ノヽロアルケニル基、ノヽロアリレキニル基またはシ了ノ了ルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハ Dゲン化低級アルキル基を表わし、 R ³は低級アルコキシ基、低級了ルケニルォキシ基、低級アルキニルォキシ基、低級アルコキシ了ルコキシ基、置換もしくは弗置換のベンジルォキシ基、低級ハ了ルキルォキシ基または低級アルコキシカルボニルアルコキシ基を表わす。）

で示される N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体。

2

式

(式中、 R ¹は了ルキル基、了ルケニル基、アルキニル基、アルコキシアルキリレ基、ノヽロアリレキル基、ハロアルケニル基、ノヽロアリレキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハ口ゲン化低級アルキル基を表わし、 R ³は低級アルコキシ基、低級了ルケニルォキシ基、低級アルキニルォキシ基、低級アルコキシ了ルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハアルキルォキシ基または低級アルコキシ力ルポニル了ルコキシ基を表わす。）

で示される N —ァシルー N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体を有効成分として含有することを特徵とする除草剤。

3 . 一般式

(式中、 R ¹はアルキル基、了ルケニル基、アルキニル基、アルコキシ了 Jレキリレ基、ノヽ口了 Jレキリレ基、ノヽ π ァ jレケニ jレ基、ノヽ口了レキニル基またはシ了ノ了ルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わす。）

で示されるィミドイルク ·□ リド誘導体と、一般式

]

(式中、 R ³は低級アルコキシ基、低級アルケニルォキシ基、低級了ルキニルォキシ基、低級アルコキシアルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハロアルキルォキシ基または低級アルコキシカルボニルアルコキシ基を表わす。）

で示されるカルボン酸類とを塩基存在下、反応させることを特徵とする一般式

(式中、 R ¹はアルキル基、了ルケニル基、了ルキニル基、了ルコキシアルキル基、ノヽロアルキル基、ノヽロアルケニル基、ノヽロア jレキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級了ルキル基を表わし、 R ³は低級アルコヰシ基、低級アルケニルォキシ基、低級アルヰニルォキシ基、低級アルコキシ了ルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハ口アルキルォキシ基または低級アルコキシカルボニルアルコキシ基を表わす。）

で示される N —ァシルー N —フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体の製造法。

4 . 一般式

2

R

N二 C [ Π ]

\

C 1 (式中、 R ¹はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ了リレキ Jレ基、ノヽロア jレキレ基、ノヽロアリレケニル基、ノヽロア jレキニル基またはシ了ノ了ルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わす。）

で示されるィミドイルクロリド誘導体と、一般式

(式中、 R ³は低級アルコキシ基、低級アルケニルォキシ基、低級了ルキニルォキシ基、低級アルコキシアルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハロ了ルキルォキシ基または低級了ルコキシカルボニルアルコキシ基を表わし、 Μはアル力リ金属を表わす。）

で示されるカルボン酸類のアル力リ金属塩とを反応させることを特徵とする一般式

[ I ]

(式中、 R ¹はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ了ルキル基、ノヽ了ルキル基、ノ、口アルケニル基、ノヽロアルキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わし、 R ³は低級アルコキシ基、低級アルケニルォキシ基、低級アルキニルォキシ基、低級アルコキシアルコキシ基、置換もしくは非置換のベンジルォキシ基、低級ハ口アルキルォキシ基または低級アルコキシカルボニルアルコキシ基を表わす。）

で示される N—了シルー N—フヱニルテトラヒド π フタラミン酸誘導体の製造法。

5 . 不活性な担体を含有する水和剤として調剤された請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

6 . 不活性な担体を舍有する粒剤として調剤された請求の範囲第 2 項に記載の除草剤。

7 . 不活性な担体を含有する乳剤として調剤された請求の範囲第 2 項に記載の除草剤。

8 . N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N - ( 2 —ク n ロアセチル）一 N— （ 7 —フルオロー 4 ーシァノメチルー 2 H _ 1 ， 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) 一オン一 6 — ィル）ー 3， 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸メチルエステ

ルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

9. N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が

N― ( 2—クロロアセチリレ）一 N— （ 7 —フルオロー 4—プ σノヽ。ル

'、ギル一 2 Η— 1 , 4 —ペンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6 — ィル）一 3， 4 , 5 , 6 —テトラヒドフタラミン酸メチルエステ

ルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 0. Ν—ァシルー Ν—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体

が Ν— ( 2—クロロアセチル）一 Ν— （ 7 —フルオロー 4一プロノヽ。

ルギル一 2 Η— 1， 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6 一ィル）一 3， 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸プロノ\。ルギ

ルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 1. Ν—ァシルー Ν—フエニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体

が Ν— （ 2 —ク ¹ ρ アセチル）一: Ν— ( 7 —フルオロー 4一プロパ

ルギル一 2 Η— 1 , 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6 —イリレ）ー 3 , 4， 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸一: η—ブチ

ルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 2. Ν—了シル一 Ν—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体

が Ν— ( 2 —クロロアセチル）一 Ν— （ 7 —フルオロー 4一プロノヽ。

ルギル一 2 Η— 1 , 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6 一ィル）一 3 , 4， 5 , 6 —テトラヒド口フタラミン酸ベンジルェ

ステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 3. Ν—了シル一 Ν—フヱニルテトラヒドフタラミン酸誘導体

が Ν— （ 2—クロロ了セチル）一 Ν— ( 7 —フルオロー 4ープ ϋパ

ルギル一 2 Η— 1 , 4—ベンゾォキサジン一 3 ( 4 Η) 一オン一 6 一ィル）一 3 , 4 , 5， 6—テトラヒドロフタラミン酸ェチルエス 4 テルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 . Ν—ァシルー Ν—フエニルテトラヒドロフ-タラミン酸誘導体が N— （ 2 —クロロ了セチル）一 N— （ 7 —フルオロー 4 ープ n ノ、。ルギルー 2 H— 1 ， 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) 一オン一 6 ーィル） _ 3 , 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸エトキシカルポニルメチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 5 . N—ァシルー N—フヱニルテトラヒド口フタラミン酸誘導体が N— ( 2 —クロ ϋ ァセチル）一 Ν— （ 7 —フルオロー 4 —プ σ ノ、。ルギルー 2 Η— 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η ) —オン _ 6 一イリレ）一 3 ， 4 , 5 ， 6 —テトラヒドロフタラミン酸ァリルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 6 . Ν—ァシルー Ν—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が Ν— （ 2 —クロロアセチル）一 Ν— ( 7 —フルオロー 4 ープロノ、。ルギル一 2 Η— 1 ， 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η ) 一オン一 6 一ィル）一 3 , 4 , 5 ， 6 —テトラヒドロフタラミン酸一 2 —メトキシェチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 7 . Ν—ァシルー Ν—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が Ν— ( 2 —クロロアセチル）一 Ν— （ 7 —フルオロー 4 一プロノヽ。ルギル一 2 Η— 1 , 4 —べンゾォヰサジン一 3 ( 4 Η ) 一オン一 6 一ィル）一 3 , 4 , 5 ， 6 —テトラヒドロフタラミン酸イソプロピルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 8 . Ν—了シルー Ν—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が Ν—ァセチルー Ν— ( 7 一フルオロー 4 一プロパルギル一 2 Η— 1 ， 4 一べンゾォキサジンー 3 ( 4 Η ) —オン一 6 —ィル）一 3 ， 4 ， 5 ， 6 —テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

1 9 . Ν—了シルー Ν—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が Ν—ァセチルー Ν— ( 7 一フルオロー 4 一プロノヽ⁰ルギルー 2 Η― 1 ， 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 Η ) 一オン一 6 —ィル）一 3 , 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸一 η —ブチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 0. N—了シル一 N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— ( 7 —フルオロー 4一プロパルギル一 2 H— 1， 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6 —ィル）一 3， 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸べンジルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。 -、

2 1. N—了シルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— ( 7 一フルオロー 4一プロパルギル一 2 H— 1 , 4—ベンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6—ィル）一 3， 4 , 5， 6 —テトラヒドロフタラミン酸一 2—メトキシェチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 2. N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— （ 7 —フルオロー 4—プロパルギル一 2 H— 1 , 4—ベンゾォキサジン一 3 ( 4 H) —オン一 6 —ィル）一 3 , 4 , 5， 6—テトラヒドロフタラミン酸イソプロピルエステルである請求の範面第 2項に記載の除草剤。

2 3. N—了シルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— ( 7 フルオロー 4一プロパルギル一 2 H— 1， 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) —オン一 6 —ィル）一 3 , 4 , 5， 6—テトラヒドロフタラミン酸一 1 ーメチルー 2 —メトキシェチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 4. N—了シル一 N—フヱニルテドラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— （ 7 —フルオロー 4ーェチルー 2 H— 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6 —ィル）一 3 , 4 , 5 , 6 —テトラヒド πフタラミン酸メチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 5. N—了シルー: N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー; Ν^τ— ( 7 —フルオロー 4一ェチル一 2 H— 1，一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6 —ィル）一 3， 4， 5 , 6 ーテトラヒドロフタラミン酸ィソプロピルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 6. N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— ( 7 —フルオロー 4 一イソプロピル一 2 H— 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) 一オン一 6 —ィル）、一 3， 4 , 5， 6 —テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 7. N—ァシルー N—フエニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— ( 7 —フルオロー 4 —ィソプロピル一 2 H— 1 , 4 —ベンゾォキサジン一 3 ( 4 H) —オン一 6 —ィル）一 3， 4 , 5， 6 —テトラヒドロフタラミン酸一 1 —メチル一 2 —メトキシェチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 8. N—ァシルー N—フエニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— [ 7 —フルオロー 4 — ( 2 —フルォロェチル） - 2 H - 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6 —ィル] — 3， 4， '5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

2 9. N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— [ 7 —フルォ ¹ p — 4 — ( 2 —フルォロェチル） - 2 H - 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) 一オン一 6 —ィル] 一 3， 4 , 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸一 2 —メトキシェチルエステルである請求の範面第 2項に記載の除草剤。

3 0. N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—了セチル一 N— [ 7 —フルオロー 4 一（ 2 —メトキシェチル） - 2 H - 1 , 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H ) —オン一 6 —ィル] — 3， 4， 5 , 6 —テトラヒドロフタラミン酸メチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。 3 1 , N—ァシルー N—フヱニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— [ 7—フルオロー 4一（ 2—メトキシェチル）一 2 H— 1， 4—ベンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6—ィル] — 3， 4， 5 , 6—テトラヒドロフタラミン酸一 2—メトキシェチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

3 2. N—ァシル一 N—フエニルテトラヒドロフタラミン酸誘導体が N—ァセチルー N— （ 7—フルオロー 4一了リル一 2 H— 1， 4 一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6—ィル）一 3， 4 5 , 6—テトラヒドロフタラミン酸ー 2—メトキシェチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

3 3. N—ァシルー N—フエ二ルテトラヒドロフタラミン酸誘導体カ一了セチルー ]^ー [ 7—フルオロー 4— ( 1一メチルプロハリレギル）一 2 H— 1， 4一べンゾォキサジン一 3 ( 4 H) 一オン一 6 一ィル] — 3 , 4, 5 , 6—テトラヒドロフタラミン酸一 2—メトキシェチルエステルである請求の範囲第 2項に記載の除草剤。

3 4. 一般式

(式中、 R¹はアルキル基、了ルケニル基、アルキニル基、了ルコキシ了ルキル基、ノヽ口了ルキル基、ハロアルケ二ル基、ノヽロ了ルキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わす。）で示されるィミドイルクロリド誘導体,

3 5 . 一般式

(式中、 R ¹はアルキル基、了ルケニル基、アルキニル基、アルコキシァリレキ Jレ基、ノヽロアルキリレ基、ノヽロ了 Jレケニ Jレ基、ノヽロア Jレキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わす。）

で示される了ニリド誘導体を脱水塩素化剤の存在下で反応させることを特徴とする一般式

(式中、 R ¹はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、了ルコキシアルキリレ基、ノヽロアルキリレ基、ノヽロアルケニル基、ノヽロアリレキニル基またはシァノアルキル基を表わし、 R ²は低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基を表わす。）で示されるィミドィルク口リド誘導体の製造法。

3 6 . 脱永塩素化剤として五塩化リン、三塩化リンー塩素、チォニ jレクロリド、ァリールスルホニルクロリド、ホスゲン、トリフヱ二ルホスフィン一四塩化炭素またはポリマー担持トリフヱニルホスフィン一四塩化炭素を用いることを特徵とする請求の範面第 3 5項記載のィミドィルク ϋ リド誘導体の製造法。