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WO1991004353A1 - Vapor deposited diamond synthesizing method on electrochemically treated substrate - Google Patents

Vapor deposited diamond synthesizing method on electrochemically treated substrate Download PDF

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WO1991004353A1
WO1991004353A1 PCT/JP1990/001209 JP9001209W WO9104353A1 WO 1991004353 A1 WO1991004353 A1 WO 1991004353A1 JP 9001209 W JP9001209 W JP 9001209W WO 9104353 A1 WO9104353 A1 WO 9104353A1
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WO
WIPO (PCT)
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diamond
substrate
vapor
phase
synthesizing
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PCT/JP1990/001209
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English (en)
French (fr)
Inventor
Kunio Komaki
Masaaki Yanagisawa
Original Assignee
Showa Denko Kabushiki Kaisha
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0254Physical treatment to alter the texture of the surface, e.g. scratching or polishing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • Y10S204/00Chemistry: electrical and wave energy
    • Y10S204/09Wave forms

Definitions

  • the present invention relates to a method for depositing a diamond film on a cemented carbide substrate by a vapor phase diamond synthesis method in order to manufacture a cutting tool or the like.
  • the present invention relates to a method for depositing a diamond having high adhesion strength on the substrate.
  • An object of the present invention is to deposit a diamond film on a cemented carbide substrate with high adhesive strength by a vapor phase diamond synthesis method. Disclosure of the invention
  • the present inventor has conducted research on a method for increasing the adhesive force between the deposited diamond film and the cemented carbide substrate, and as a result, provided a projection serving as an anchor on the substrate surface. What is better is that the surface of the base material is electrochemically treated, that is, the base material is easily electropolished by a pulse voltage, so that projections can be easily formed. The inventors have found that the thicker, longer, and higher the projection, the higher the adhesion of the diamond film to the base material, and completed the present invention.
  • the cemented carbide substrate when the cemented carbide substrate is subjected to electrolytic polishing using a pulse voltage, the surface of the cemented carbide substrate is changed according to changes in the frequency of the applied pulse voltage and the pulse width.
  • the size and density of the protrusions formed on the surface can be changed. .
  • the present invention also includes a method for performing a scratching treatment with abrasive grains on a cemented carbide substrate having the projections formed by the electrolytic polishing.
  • the electropolishing may be performed at a steady voltage, and the diamond film may be formed by using the cemented carbide base material processed by these methods and by the dipping method. By depositing on the substrate surface, a diamond film having high adhesion to the substrate can be obtained.
  • FIG. 1 shows an apparatus used in Example 1 for synthesizing a combustion-diamond diamond.
  • FIG. 2 shows an apparatus used for the synthesis of the thermal filament method damam of Examples 2 and 3.
  • Cemented carbides can be used to convert carbides, nitrides, Hohich's, and silicates of metals from Groups IV, V, and VI of the Periodic Table into Co, Ni, Fe metals, or any of these.
  • a typical material is a WC-Co type material.
  • An aqueous solution of Na0H or K0H or a mixture thereof with an ammonia water can also be used.
  • the concentration is about 1 to 50%.
  • the current density is preferably in the range of 0.1 to 2 AZ cm 2 , and the polishing time varies depending on the type of the solution, the temperature, the concentration of the solution, and the current density, but it is over about 1 to 20 minutes. If the hard alloy substrate is used as the anode, sufficient countless protrusions can be obtained.
  • the applied pulse-like voltage is 2 Hz and 80 mS
  • the thickness of the protrusion is 4 Hm
  • the length is 6 ⁇
  • the density is 1 ⁇ 10 4 Z mm 2 and of the protrusion
  • the adhesive force was 1.5 times that when the above-described pulse voltage of lZ2Hz was used.
  • the pulse voltage application time is too short, it takes a long time to form a projection. In addition, if the voltage application time is too long, it becomes difficult to perform electrolytic polishing with a constant voltage. Further, if the frequency is too large, the migration of the ion in the electrolyte cannot be followed, and the pulse effect is lost.
  • the thickness of the projections obtained by the method of the present invention is 2 0 0 m hereinafter, the length 1 5 0 xm less, density of 1 ⁇ 1 X 1 0 6 pieces
  • Ru Oh in mm 2 die ya mode down de co-over Te fin grayed carbide base material and to use is, Ru thickness of the Nozomi or to have projections l ⁇ 5 0 m, a length of 1 to 5 0 ⁇ , the density is 1 ⁇ 10 3 to 1 ⁇ 10 S / mm 2 , and if a pulse voltage is used for this purpose, the pulse width is 1 msec to 1 sec, and the pulse The frequency is 500 Hz to: L / lOHz.
  • the effect is also obtained when electrolytic polishing is performed at a steady voltage. . is there . That is, if the surface of the base material is scratched with abrasive grains, the adhesion of the diamond film is increased.
  • abrasive grains include diamond, cBN, A203, SiC, etc., and diamond is particularly preferred.
  • polishing with abrasive grains is performed by using a so-called diamond base, in which diamond-grain grains are pasted, using diamond-like grains, and other abrasive grains. It is also effective to ultrasonically vibrate what is suspended in a solution such as alcohol.
  • the pressure at which the cemented carbide substrate is polished with abrasive grains, such as diamond grains, depends on the material of the cemented carbide substrate and the time of electrolytic polishing, but generally only a slight pressure is applied. A pressure of, for example, 5 kg / cnf or less is sufficient. Also, the particle size of the abrasive grains such as diamond powder is preferably 0.5 to: L O / m, more preferably about l to 5 / m.
  • the conditions of the above-mentioned electropolishing with the steady voltage of the base material are substantially the same as those of the pulse voltage, but in this case, projections are formed on the surface of the base material.
  • the cemented carbide substrate treated as described above is placed in the diamond generation region in the vapor phase diamond manufacturing method, and the method is performed.
  • a dense diamond film with high adhesive strength is deposited on the substrate.
  • This method is particularly suitable for a combustion flame method in which a diamond raw material gas flame is blown onto a substrate by a burner.
  • this combustion flame method it is preferable to set the base material in an incomplete combustion area in the combustion flame.
  • a diamond is synthesized by a gas phase method using a cemented carbide metal that has been subjected to a surface treatment as in the present invention as a base material to form a diamond film on the base material.
  • a cemented carbide metal that has been subjected to a surface treatment as in the present invention as a base material to form a diamond film on the base material.
  • WC superalloy substrate (12 mmx Using 12 mm X 2 mm) as an anode and a carbon rod as a cathode, electropolishing was performed in an aqueous solution of HC 10%.
  • the voltage is 3 V
  • the current is 0.5 A
  • the polishing time is 5 minutes.
  • the surface of the cemented carbide substrate was covered with an oxide, so that the surface was washed with an Na0H10% aqueous solution. Observation of the surface after washing revealed that protrusions having a thickness of 3 mm, a length of 5 / xm, and a density of 3 ⁇ 10 3 Z m rrf were formed.
  • This cemented carbide substrate was scratched with a diamond paste of 1 Aim grain, cleaned with an alcohol, and then a diamond film was synthesized.
  • the combustion flame method shown in Fig. 1 was used for the synthesis.
  • Reactor 1 has a diameter of 35 cm, a height of 50 cm, and an internal volume of 48 pounds.
  • This reactor 1 is provided with a burner 6 having a crater 2 at the top and an exhaust pipe beside it.
  • a water-cooled stand 3 is placed under the crater 2 and a cemented carbide substrate 4 is placed thereon. The distance between the crater 2 and the substrate 4 is 1 cm.
  • the pressure in the reactor was set at 300 Torr, acetylene gas was supplied to the crater for 5 minutes, and oxygen gas was supplied for 4.5 pounds.
  • a diamond film was synthesized. After the synthesis, in order to examine the adhesion strength between the substrate and the diamond film, use a diamond-made rock well indenter with a spherical tip of 0.2 mm and a vertex angle of 120 °. Then, the load was measured until the diamond film was peeled off by pressing it into the diamond film. As a result, the diamond weighs 20 kg. ⁇ The film peeled off.
  • Electrolytic polishing was performed under the same conditions in a HCl solution using the same substrate as in the example. Then, after removing the oxides generated on the surface with an NaOH aqueous solution, the diamond film was synthesized without being damaged by the diamond paste.
  • the diamond film synthesizing method and conditions are the same as in the example. Observation of the diamond film after the synthesis revealed that the surface of the film had more irregularities than in Example 1, and that the underlying cemented carbide substrate was visible in some places. In addition, when the load until the diamond film was peeled off was determined by the same method as in the example, it was 5 kg.
  • a diamond film was synthesized by only scratching the surface with a 1-m diamond paste without performing electropolishing. did .
  • the synthesis method and conditions are the same as in Example 1. Observation of the diamond film after the synthesis revealed that the film had already been separated from the substrate.
  • a diamond film was synthesized by a thermal filament method using a cemented carbide substrate subjected to the same surface treatment as in Example 1.
  • Figure 2 shows the equipment used for the synthesis.
  • Reactor 1 is 15 cm in diameter, 30 cm in length and 5 pounds in volume! ⁇
  • a thermal filament 8 ′ as an excitation source, a cemented carbide substrate 4 ′, and a substrate support 10 ′ are installed on the substrate.
  • 9 ' is a raw gas supply pipe and 5' is an exhaust pipe.
  • an electrolyte in an aqueous solution of HC10% is used as an electrolyte.
  • Electropolishing was performed at a voltage of 3 V, a current of 0.5 A, a pulse frequency of 1Z2Hz, and a pulse width of 120ms for 30 minutes. After the electrolytic polishing, the surface of the cemented carbide substrate was covered with an oxide. Therefore, the substrate was washed with an Na0H10% aqueous solution to remove the oxide.
  • the surface of the substrate was treated with a scratch containing a diamond having an average particle size of 1 m, and the substrate was further cleaned with an alcohol.
  • a diamond is deposited on the substrate treated in this manner by a thermal filament synthesis method using the apparatus shown in FIG. 2 used in Example 2.
  • the reactor used in this example was 25 cm in diameter and 20 cm in height, and the distance between the substrate and the heat filament was 5 mm. mm, ethanol which was degassed as a raw material was introduced into the reactor at 3 cc / min and hydrogen at 100 cc from the supply port 5 ′ at a pressure of 90 Torr.
  • the diamond precipitation reaction was continued for 3 hours.
  • An average of 15 ⁇ m diamond film was deposited on the substrate.
  • the diamond was confirmed by an optical microscope and Raman spectroscopy.
  • a diamond lock lock with a spherical tip with a half shape of 0.2 mm and a vertex angle of 120 ° was used.
  • the force was pressed into the diamond film to determine the load until the diamond film was peeled off. As a result, the diamond film was peeled at 25 kg.
  • the synthesis was performed under the same thermal conditions as in Example 3. It is a CVD method. After the synthesis, the deposited diamond film was observed.As a result, the diamond film was more prominent than the diamond film deposited in Example 3 and the diamond film was peeled off. The load up to the end was 9 k.
  • Example 3 After electrolytic polishing using the same substrate and pulse voltage under the same conditions as in Example 3, a scratch treatment was performed using a diamond base in the same manner as in Example 3. The synthesis of the diamond film was performed using the combustion flame method under the same conditions as in Example 1.
  • a diamond film can be deposited on a cemented carbide substrate with extremely high adhesion strength, and a tool with a diamond film that can withstand use in severe conditions can be manufactured. Is now possible.

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Description

明 細 書 電 気 化 学 的 処 理 を 施 し た 基 材 上 へ の 気 相 法 ダ イ ヤ モ ン ド の 合 成 方 法
技 術 分 野 本発明 は切削工具等の製造の ため に 、 超硬合金基材 に気相法ダイ ヤモ ン ド合成法に よ り ダイ ヤモ ン ド膜を 析出 さ せ る方法で あ っ て 、 特に該基材上に緻密で付着 強度 の 高 い ダイ ヤ モ ン ド を 析 出 せ し め る 方法 に 関 す る 。
背 景 技 術 超硬合金基材に気相法に よ り ダイ ヤ モ ン ド膜を析出 さ せ る に 際 し 、 析出 ダイ ヤモ ン ド膜 と 基材 と の付着力 を高め る た めの処理方法 と し て は、 酸、 ア ルカ リ 等の 化学薬品に よ る エ ッ チ ン グ (第 4 8 回応用物理学会学 術講演会、 1 8 a — T — 4 ) 、 ダイ ヤ モ ン ド ノ ウ ダ一 等に よ る 傷付け処理 (第 4 8 0応用物理学会学術講演 会、 1 8 a — T — 5 ) 、 ま た ア ル コ ール等を含む特定 の ガス 中 でエ ッ チ ン グ (特開平 1 一 1 4 5 3 9 6 号) 等が知 ら れて い る 。 し か し 例え ばこ の よ う な方法を利用 し て処理 し た旋 盤用 の超硬合金チ ッ プに ダイ ヤモ ン ド膜を形成 さ せた 工具を実際 に旋削に用 いて も 、 短時間でダイ ヤ モ ン ド 膜が剥離 し 、 実用可能な レ ベルでの付着強度は得 ら れ な カゝ つ た 。
従来の表面処理法で超硬合金基材上に ダイ ヤ モ ン ド 膜を成膜 し た場合、 基材 と ダイ ヤ モ ン ド膜の付着強度 が不充分で、 その ダイ ヤモ ン ド膜を コ ーテ ィ ン グ し た 超硬合金基材を旋削等に用 いた場合、 簡単に ダイ ヤ モ . ン ド 膜が剥離す る等の問題があ っ た。
本発明 の 目 的は気相法ダイ ヤ モ ン ド合成方法に よ り 超硬合金基材上に接着強度高 く ダイ ヤモ ン ド膜を析出 せ し め る こ と に あ る 。 発明の開示
本発明者は析出 ダイ ヤモ ン ド膜 と 超硬合金基材 と の 間 の接着力 を高め る手段につ いて研究の結果、 基材面 に ア ン カ ーの役目 を す る突起を設ければ よ い こ と 、 具 体的 に は基材面に電気化学的処理、 即 ち 、 基材を パル ス電圧に よ り 電解研摩すれば容易に突起が生成す る こ と 、 そ し て 、 突起が太 く 、 長 く 、 又密度が高 く な る と ダイ ヤ モ ン ド膜の基材 と の接着力が高 く な る こ と を知 り 、 本発明 を完成 し た。
即 ち 、 本発明 において超硬合金基材をパルス電圧を 用 い て電解研摩す る と 、 印加す る パ ルス状電圧の周波 数、 パ ルス幅の変化に応 じ て超硬合金基材表面に形成 さ れ る 突起 の 大 き さ 、 密度が変ィヒ さ せ る こ と が で き る 。
本発明 は前記電解研摩に よ り そ の突起群の生 じ た超 硬合金基材を砥粒に よ る 傷付け処理を行な う 方法 も 含 ま れ る 。 こ の場合の電解研摩は定常電圧で も よ く 、 こ れ ら の方法に よ り 処理 さ れた超硬合金基材を用 い て気 ネ目 法 に よ り ダ イ ヤ モ ン ド 膜 を 該 基材 面 に 析 出 さ せ - る と 基材 と の 密着性の 高 い ダ イ ヤ モ ン ド 膜が得 ら れ る 。 図面の簡単な説明
第 1 図 は実施例 1 の燃焼炎法ダイ ヤモ ン ド 合成に 用 い た装置。
第 2 図 は実施例 2 及び 3 の熱フ ィ ラ メ ン ト 法ダィ ャ モ ン ド 合成に用 い た装置を あ ら わ す。 発明 を実施す る た めの最良の形態
以下、 本発明 を詳 し く 説明す る 。
超硬合金 は 周 期律表 の IV 、 V 、 VI 族の 金属 の 炭化 物 、 窒 化 物 、 ホ ウ ィヒ 物 、 ケ ィ 化 物 を C o 、 N i 、 F e 金属又は こ れ ら の合金を結合材 と し て焼結 し た も の を指 し 、 例 え ば代表的 な も の と し て は 、 W C — C o 系の も の が挙げ ら れる 。
こ の超硬合金基材を パ ルス状電圧を用 いて電解研摩 す る と 、 表面が溶解 し無数の突起が形成さ れる 。 こ の場合主 と し て C o が溶解さ れる が、 一部の W C も 溶解 し て 、 適 度 な 突 起 群 が 形 成 さ れ る 。 用 い る 電 解 液 と し て H C ·β 、 Η 2 S 0 4 、 Η Ν 0 3 等の鉱酸が好 ま し い。 又、 濃度は 1 〜 5 0 %程度で よ い。
そ し て特に H C £ 5 〜 3 0 重量%溶液力 よ レ、。
尚 、 N a 0 H 、 K 0 H の水溶液や 、 そ れ ら と の ア ン モ ニ ァ水 と の混合液 も使用 で き る 。 濃度は 1 〜 5 0 % 程度で あ る 。 電流密度は 0 . 1 〜 2 A Z c m2 の範囲 が好 ま し く 、 又研摩時間は溶液の種類、 溶液の温度、 濃度、 電流密度に よ っ て異な る が 1 〜 2 0 分程度で超 硬合金基材を陽極に すれば充分な無数の突起が得 ら れ る 。
パルス状電圧の周波数を高 く し 、 パルス幅を狭 く す る と 超硬合金表面上に形成す る突起の大 き さ 、 密度が 増加す る傾向があ る 。 こ の結果は用 い る超硬合金の種 類、 電流密度等の条件に よ っ て若干異な る が W C - 6 % 0 0 の超硬合金 を 2 0 、 2 0 % H C £ 水溶液中 で、 電流密度、 0 . 5 A / c irf の条件で電解研摩 し た 場合、 印カ卩電圧を 1 Z 2 H z 、 ノ\ 'ルス幅 1 2 0 m S で は突起の太 さ 2 / m 、 長さ 3 μ πι 、 密度 5 x 1 0 3 個 m nf で形成さ れた。 こ れに対 し 、 印加す る パ ルス状 電圧 を 2 H z 、 8 0 m S と し て場合 、 突起 の 太 さ 4 H m , 長さ 6 μ ηι 、 密度 1 x 1 0 4 個 Z m m2 と 突起の 大 き さ 、 密度が増加 し 、 付着力 は前述の l Z 2 H z の パ ル ス電圧 を用 い た場合の 1 . 5 倍で あ っ た 。
本発明方法に お いて 、 パルスの電圧印加時間が短カゝ · ぎ る と 、 突起形成に長時間を要す る 。 又、 電圧印加時 間が長す ぎ る と 一定電圧に よ る電解研摩 と 等 し く な つ て し ま う 。 更に周波数が大 き す ぎ る と 電解液中の ィ ォ . ン の 泳動 が追従 で き な く な り 、 パ ル ス 効果が な く な る 。
本発明 の方法で得 られる突起の太さ は 2 0 0 m以 下、 長 さ は 1 5 0 x m以下、 密度は 1 ~ 1 X 1 0 6
m m2で あ る が、 ダイ ヤ モ ン ド コ ーテ ィ ン グ超硬基材 と し て 用 レ、 る望 ま し い突起の太 さ は l 〜 5 0 m 、 長 さ は 1 〜 5 0 μ ιη 、 密度は 1 X 1 0 3 〜 1 X 1 0 S 個 / m m2で あ り 、 その た め に パルス電圧を 用 い た場合 は パ ル ス幅 1 m s e c 〜 1 s e c 、 パ ルス の周波数は 5 0 0 H z 〜 : L / l O H z で あ る 。
こ の よ う に表面がパルス状電圧に よ り 電解研摩 さ れ た超硬合金基材を用 い気相法に よ り ダイ ヤモ ン ド を生 成 さ せ る と 、 基材表面に接着強度が極めて高 く 析出 し た ダイ ヤモ ン ド 膜を得る こ と がで き る 。
次に基材表面の付着力を増す た めに 、 電解研摩後に 更 に砥粒に よ る傷付け処理を行な う 本発明の方法に つ い て説明 す る 。
こ の場合電解研摩を定常電圧で行な う 場合 も 効果が . あ る 。 即ち基材表面を砥粒で傷付け処理を行な う と ダ ィ ャ モ ン ド膜の密着性が高 ま る 。 砥粒 と し て は ダイ ヤ モ ン ド 、 c B N 、 A Ά 2 0 3 、 S i C等が挙げ ら れ ¾ が、 と り わ けダイ ヤモ ン ド が好 ま し い。 こ の場合、 表 面に形成 し て い る突起が失われな い程度に研摩す る こ と が好 ま し い。 こ の た め砥粒に よ る研摩は ダイ ヤ モ ン - ド 粒を ペース ト 状に し た、 いわゆ る ダイ ヤモ ン ド ベー ス ト の使用 や 、 ダイ ヤモ ン ド粒、 その他の砥粒を ア ル コ ール等の溶液に懸濁 さ せ た も の を超音波振動 さ せ る の も 効果的で あ る 。
こ の よ う な処理を行な う と 基材の表面に は砥粒の粒 径の 1 Z 5 程度の傷が無数に生 じ 、 その傷の部分か ら ダ イ ヤ モ ン ド が核発生す る た め 、 核発生が均一 と な り 、 ダイ ヤ モ ン ド膜の均質性、 表面平滑度、 付着力が 高 ま る 。
ダイ ャ モ ン ド粒等の砥粒で超硬合金基材を硏摩す る 圧力 は 、 超硬合金基材の材質、 電解研摩の時間に も よ る が 、 一般 に は ほ ん の 僅か な圧力 、 例 え ば 5 k g / c nf 以下で充分で あ る 。 又、 ダイ ヤモ ン ド パ ウ ダー等 の砥粒の粒径も 0 . 5 〜 : L O / mが好ま し く 、 よ り 好 ま し く は l 〜 5 / m程度であ る 。
尚 、 前述の基材の定常電圧に よ る電解研摩の条件は パルス電圧の場合 と 実質的 に同一であ る が、 こ の場合 基材表面に突起は生成す る も のの 、 こ の表面状態の基 材に ダイ ヤ モ ン ド膜を生成せ し め る と 、 突起部分が核 発生サ イ ト と な り 、 生成膜は不均一で、 且つ膜の付着 強度 も 不充分で あ る 。
然 し 、 前述の よ う に傷付 き 処理 と 組合わせ る こ と に よ り 均質で密着性の高い ダイ ヤモ ン ド被膜の形成が可 能 と な る 。
以上の よ う な処理を し た超硬金属基材を気相法ダイ ャ モ ン ド 製造法に お け る ダイ ヤモ ン ド生成領域に設置 し て 、 同方法を実施す る こ と に よ り 緻密で付着強度の 高い ダイ ヤ モ ン ド膜が基材上に析出す る 。
そ し て こ の方法は特に 、 基材に バ一ナ一 に よ り ダイ ャ モ ン ド 原料ガス炎を吹 き 付け る燃焼炎法に適す る 。 そ し て こ の燃焼炎法に お いて 、 燃焼炎中の不完全燃焼 領域中 に基材を設置す る こ と が好 ま し い。
本発明 の如 く 表面処理を行な っ た超硬金属 を基材 と し て気相法に よ り ダイ ヤモ ン ド を合成 し て基材上に ダ ィ ャ モ ン ド膜を形成さ せ る と 生成ダイ ヤモ ン ド膜に突 起ゃ砥粒に よ り つ け ら れた傷に よ り 基材面 と の接触面 積が大 と な り 、 又それ ら の ア ン カ ー効果に よ り ダイ ヤ モ ン ド膜は基材に強固 に付着 し て い る 。
次 に実施例、 比較例に よ り 本発明 を よ り 詳 し く 説明 す る 。
[実施例 1 〕
6 % の C o を含有 し た W C 超合金基板 ( 1 2 m m x 1 2 m m X 2 m m ) を 陽極、 炭素棒 を 陰極 と し て 、 H C £ 1 0 %水溶液中で電解研摩を行な っ た。 電圧は 3 V 、 電流は 0 . 5 A 、 研摩時間は 5 分で あ る 。 電解 研摩後 、 超硬合金基板表面 は酸化物 で覆 わ れ る た め N a 0 H 1 0 %水溶液で洗浄 し た。 洗浄後の表面を観 察 し た と こ ろ 太 さ 3 ΙΏ 、 長 さ 5 /x m 、 密 度 3 X 1 0 3 個 Z m rrf の突起が生成 し て いた。 こ の超硬合金 基板の表面を 1 Ai m粒の ダイ ヤモ ン ド ペース 卜 で傷つ け処理を行な い、 ア ル コ 一ルで洗浄後ダイ ヤ モ ン ド膜 の合成を行な っ た。 合成に は第 1 図 に示す燃焼炎法を 用 い た 。 反応炉 1 は直径 3 5 c m 、 高さ 5 0 c m 、 内 容積 4 8 £ であ る 。
こ の反応炉 1 は上部に火口 2 を有す る バーナー 6 が 設置 さ れ、 横に排気パイ ブを有す る 。 火口 2 の下に水 冷台 3 、 そ の上に超硬合金基板 4 を置き 、 火ロ 2 と 基 板 4 の 間の距離を 1 c m と す る 。
反応炉内 の圧力 を 3 0 0 T o r r 、 火口 に ァ セ チ レ ン ガ ス を 5 ノ分 、 酸素ガ ス を 4 . 5 £ 分 で供給 し 、 不完全燃焼領域 7 中で 3 0 分間ダイ ヤ モ ン ド膜を 合成 し た 。 合成後、 基板 と ダイ ヤモ ン ド膜の付着強度 を 調 べ る た め 、 先端が半径 0 . 2 m m の 球面で頂角 1 2 0 ° の ダイ ヤモ ン ド製ロ ッ ク ウ ェル圧子を用 い、 ダイ ヤモ ン ド膜に圧入 し て ダイ ヤモ ン ド膜を剥離す る ま での荷重を求め た。 その結果 2 0 k g でダイ ヤモ ン ^ ド 膜が剥離 し た。
[比較例 1 〕
実施例 と 同様の基板を用 い H C £ 溶液中で同様の条 件で電解研摩を行な っ た 。 そ し て表面に生 じ た酸化物 を N a 0 H 水溶液で除去 し た後、 ダイ ヤ モ ン ド ペース 卜 で傷つ け処理を行なわ ずに ダイ ヤモ ン ド膜の合成を - 行な っ た 。 ダイ ヤモ ン ド膜合成手法、 条件は実施例 と 同様で あ る 。 合成後、 ダイ ヤモ ン ド膜を観察す る と 実 施例 1 に比べて膜の表面に 凹凸が多 く 、 又所 々 に下地 の超硬合金基板が見え て いた 。 ま た実施例 と 同様の手 法で ダイ ヤ モ ン ド膜が剥離す る ま での荷重を求め る と 5 k g で あ っ た。
〔比較例 2 〕
実施例 と 同 様 の 基板 を 用 い 、 電解研摩 を 行 な わ ず に 、 表面を 1 m粒の ダイ ヤモ ン ド ペース ト で傷つ け 処理のみ を行な っ て ダイ ヤモ ン ド膜を合成 し た 。 合成 手法、 条件は実施例 1 と 同様で あ る 。 合成後、 ダイ ヤ モ ン ド 膜 を観察 す る と 膜 は基板か ら 既 に 剥離 し て い た 。
[実施例 2 〕
実施例 1 と 同様の表面処理を行な っ た超硬合金基板 を 用 い 熱 フ ィ ラ メ ン ト 法で ダ イ ャ モ ン ド 膜 を 合成 し た 。 第 2 図 は合成に用 い た装置図で あ る 。 反応炉 1 ' は 直径 1 5 c m 、 長 さ 3 0 c m 、 内 容積 5 £ で 内 咅!^ に 励起源 で あ る 熱 フ ィ ラ メ ン ト 8 ' 、 超硬合金基板 4 ' 、 基板支持台 1 0 ' が設置さ れて い る 。 9 ' は原 料ガス供給パイ プ、 5 ' は排気パイ プで あ る 。
こ の装置を用 いて原料ガス に水素 1 0 0 c c Z分、 エ タ ノ ー ル 3 c c ノ分 を 用 い 、 熱 フ ィ ラ メ ン ト 温度 2 4 5 0 °C 、 基板 と フ ィ ラ メ ン ト 間の距離を 5 m m、 圧力 9 0 T o r r でダイ ヤモ ン ド膜合成を行な っ た 。 合成後、 実施例 と 同様の方法でダイ ヤモ ン ド が剥離す る ま での荷重を求め る と 1 6 k で あ っ た。
[実施例 3 ]
W C に 6 % の C o を含有 し た超硬合金基板 ( 1 2 m m X 1 2 m m x 2 m m ) を陽極、 炭素棒を陰極 と し て 、 H C £ 1 0 % 水溶液 中 を 電解液 と し 、 電圧 は 3 V 、 電流は 0 . 5 A 、 パ ルス の周波数は 1 Z 2 H z 、 パルス幅 1 2 0 m S で 3 0 分間電解研摩を行な っ た。 電解研摩後、 超硬合金基板表面は酸化物で覆われて い る た め 、 N a 0 H 1 0 %水溶液で洗浄 し 、 酸化物を除 去 し た 。 次いで基板表面を平気粒径 1 m の ダイ ヤモ ン ド を含むぺ、一ス ト に よ り 傷つ け処理を行な い、 更に ア ル コ ールで洗浄 し た。 次ぎに こ の よ う に処置さ れた 基板に 、 実施例 2 に用 いた第 2 図に示す装置を用 い熱 フ ィ ラ メ ン ト 合成法 に よ り ダイ ヤ モ ン ド を 析出 さ せ た 。 本実施例に用 いた反応炉は直径 2 5 c m Φ 、 高さ 2 0 c m で あ り 、 基板 と 熱フ ィ ラ メ ン 卜 と の距離を 5 m m と し 、 原料 と し てガスィ匕 し たエ タ ノ ールを 3 c c /分、 水素を 1 0 0 c c 分で供給口 5 ' よ り 反応炉 内 に導入 し 、 圧力 9 0 T o r r で 3 時間、 ダイ ヤ モ ン ド 析出反応を続け た 。 基板上に平均 1 5 μ m の ダイ ヤ モ ン ド膜が析出 し た。 ダイ ヤ モ ン ド は光学顕微鏡 と ラ マ ン分光に よ り 確認 し た 。
次 い で基板 と ダイ ヤ モ ン ド膜の付着強度を調べ る た め 、 先端が半形 0 . 2 m m の球面で頂角 1 2 0 ° の ダ ィ ャ モ ン ド 製 ロ ッ ク ウ ェ ル圧子を用 レ、 、 ダ イ ヤ モ ン ド 膜に圧入 し て ダイ ヤモ ン ド 膜が剥離す る迄の荷重を求 め た 。 そ の 結果 2 5 k g で ダ イ ヤ モ ン ド 膜 が剥離 し た 。
[実施例 4 〕
実施例 3 に お いて パ ルス定圧の代 り に定常電圧を用 い た以外、 全 く 同様に処理 し て超硬合金基板に ダイ ヤ モ ン ド 膜を形成さ せた実施例 と 同様に し て ダイ ヤモ ン ド の剥離荷重を求め た 。 そ の結果 1 2 k g でダイ ヤ モ ン ド は剥離 し た 。
〖実施例 5 〕
実施例 3 と 同様な基板を用 い、 同様な条件でパルス 電圧を 用 い た電解研摩後、 ダイ ヤモ ン ド を含むペース 卜 での傷付け処理を行なわずに ダイ ヤ モ ン ド膜を合成 し た
合 成 は 実 施 例 3 と 同 様 な 条 件 の 熱 フ ィ ラ メ ン ト C V D 法で あ る 。 合成後、 析出 し た ダイ ヤモ ン ド膜を 観察 し た所、 実施例 3 で析出 し た ダイ ヤ モ ン ド膜に比 ベて膜の 凹突はや 多 く 、 ダイ ヤモ ン ド膜が剥離す る 迄の荷重は 9 k で あ っ た 。
[実施例 6 〕
実施例 3 と 同様な基板を用 い、 同様な条件でパルス 電圧を 用 い た電解研摩後、 実施例 3 と 同様に ダイ ヤモ ン ド ベース .ト に よ る傷付け処理を行な っ た 。 ダイ ヤモ ン ド膜の合成に は実施例 1 と 同様な条件の燃焼炎法を 用 い て行な っ た。
合成後析出 し た ダイ ヤモ ン ド膜を観察 し た所、 厚さ 約 2 0 μ m の表面平滑度の高 い膜 で あ っ た 。 実施例 3 と 同様の手法でダイ ヤモ ン ド膜が剥離す る迄の荷重 を求め る と 2 7 k であ っ た。 産業上の利用可能性
本発明 に よ り 超硬合金基材に ダイ ヤモ ン ド膜を付着 強度が極め て高い状態で析出が可能 と な り 過酷な状況 で使用 に耐え る ダイ ヤモ ン ド膜のついた工具の製造が 可能 と な っ た。

Claims

請 求 の 範 囲
. 超硬合金基材を パルス電圧を用 いて電解研摩 し て 、 表面に突起群を形成さ せて 、 基材表面の付着力 を高め る 工程 と 、
気相法 に よ り 該基材上に緻密で付着強度の高い ダィ ャ モ ン ド を析出せ し め る工程 と を含む、 電気化学的処 - 理 を 施 し た 基材上へ の気相法 ダ イ ヤ モ ン ド の 合成方 法。
. ノ ル ス 電圧 は ノ ル ス 幅 1 m s e c 〜 1 s e c で あ り 、 ノ ル ス の周波数力 ^ δ Ο Ο Η ζ ΐ Ζ Ι Ο Η ζ で あ る 請求の範囲第 1 項の電気化学的処理を施 し た基材上 へ の気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
. 電解研摩に 用 い る電解液は鉱酸で あ る請求の範囲第 1 項の電気化学的処理を施 し た基材上への気相法ダイ ャ モ ン ド の合成方法
. 鉱酸は塩酸で あ り 、 塩酸は 5 〜 3 0 重量%溶液で あ る請求の範囲第 3 項の電気化学的処理を施 し た基材上 へ の気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
. 突起群は長さ l 〜 5 0 m 、 太さ l 〜 5 0 ^ m の突 起が最大密度 1 X 1 0 3 〜 1 X 1 0 5 コ Z m m 2 で形 成 さ れて い る請求の範囲第 1 項の電気化学的処理を施 し た基材上への気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
. 気相法は燃焼炎法で あ り 、 ダイ ヤモ ン ド生成領域に 基材を も う け る請求の範囲第 1 項の電気化学的処理を 施 し た基材上への気相法ダイ ヤ モ ン ド の合成方法。
. ダ イ ヤ モ ン ド生成領域が燃焼炎中の不完全燃焼領域 中 で あ る 請求の範囲第 6 項の電気化学的処理を施 し た 基材上への気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
. 基材表面の付着力 を高め る工程は、 電解研摩 し て表 面に突起群を形成さ せた後、 更に砥粒に よ る傷つ け処 - 理を含む請求の範囲第 1 項の電気化学的処理を施 し た 基材上への気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
. 傷つ け 処理 に 用 い る 砥粒 は 、 ダイ ヤ モ ン ド , C B N , A Ά 2 0 a , S i C よ り な る g r o u p よ り 選ばれた 少な く と も 一種の粒で あ る請求の範囲第 8 項の電気化 学的処理を施 し た基材上への気相法ダイ ヤ モ ン ド の合 成方法。
. 傷つ け処理は砥粒をペース ト 状に形成 し 、 該ペース ト で電解研摩さ れた表面を研摩す る請求の範囲第 9 項 の電気化学的処理を施 し た基材上への気相法ダイ ャ モ ン ド の合成方法。
. 砥粒は ダイ ヤモ ン ド であ り 、 ペース ト は ダイ ヤモ ン ド ベース ト であ る請求の範囲第 1 0 項の電気化学的処 理 を 施 し た基材上への気相法 ダイ ャ モ ン ド の 合成方 法。
. 傷つ け処理は、 電解研摩さ れた基材を 、 砥粒が懸濁 し て い る 液中 に浸漬 し 、 該懸濁液に超音波振動を与え て行な う 請求の範囲第 9 項の電気化学的処理を施 し た 基材上への気相法ダイ ヤ モ ン ド の合成方法。
13. ア ル コ ー ル 中 に ダ イ ヤ モ ン ド 砥粒 が懸濁 し た 液 中
に 、 基材を浸漬 し て超音波振動 さ せ る請求項第 1 2 項 の電気化学的処理を施 し た基材上への気相法ダイ ャ モ ン ド の合成方法。
14. 超硬合金基材を定常電圧に よ り 電解研摩 し 、 次 ぎに - 砥粒に よ る 傷付け処理 し て 、 表面に突起群を形成 さ せ て 、 基材表面の付着'力 を高め る工程 と 、
気相法 に よ り 該基材上に緻密で付着強度の高い ダィ ャ モ ン ド を析出せ し め る工程 と を含む、 電気化学的処 理 を 施 し た 基材上へ の 気相法 ダ イ ヤ モ ン ド の 合成方 法。
15. 電解研摩に用 い る電解液は鉱酸で あ る 請求の範囲第
1 4 項の電気化学的処理を施 し た基材上への気相法 ダ ィ ャ モ ン ド の合成方法。
16. 鉱酸は塩酸で あ り 、 塩酸は 5 〜 3 0 重量%溶液で あ
る請求の範囲第 1 5 項の電気化学的処理を施 し た基材 上への気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
17. 突起群 は長さ l 〜 5 0 m 、 太さ 1 〜 5 0 μ πι の突
起が最大密度 1 X 1 0 3 〜 ; L X 1 0 5 コ / m m 2 で形 成 さ れて い る請求の範囲第 1 4 項の電気化学的処理を 施 し た基材上への気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
18. 気相法は燃焼炎法であ り 、 ダイ ヤモ ン ド生成領域に
基材を も う け る請求の範囲第 1 4 項の電気化学的処理 を施 し た基材上への気相法ダイ ャモ ン ド の合成方法。. ダイ ヤ モ ン ド 生成領域が燃焼炎中の不完全燃焼領域 中 で あ る請求の範囲第 1 8 項の電気化学的処理を施 し た基材上への気相法ダイ ヤモ ン ド の合成方法。
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