TW201636408A - 切割膠帶 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種即使是小型、薄型的電子部件也能夠抑制切割步驟中的晶片飛散和崩裂，能夠使拾取容易且不易產生殘膠的切割膠帶。根據本發明，提供一種切割膠帶，其是在基材膜上層疊由粘合劑組合物構成的粘合劑層而形成的，其特徵在於，上述粘合劑組合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、光聚合性化合物5~250質量份、固化劑0.1~20質量份和光聚合引發劑0.1~20質量份，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯單元35~85質量%、(甲基)丙烯酸2-乙基甲酯單元10~60質量%、具有羧基的單體單元0.5~10質量%以及具有羥基的單體單元0.05~5質量%，上述光聚合性化合物是重均分子量為4000~8000，且不飽和雙鍵官能團數為10~15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，上述粘合劑層的厚度為3~7μm。
Description
本發明涉及電子部件的製造步驟中使用的切割膠帶。
半導體晶圓或基板在貼合切割膠帶後將經歷分割(切割)成元件小片、切割膠帶的延伸(擴展)、將元件小片從切割膠帶剝離(拾取，即pick up)等各步驟。對於這些步驟中使用的切割膠帶，期望對切割步驟中形成的元件小片(晶片)具有充分的粘合力，同時在拾取步驟時粘合力減小至不產生殘膠的程度。
作為切割膠帶，有如下的切割膠帶：在對紫外線和/或電子束等活性光線具有透射性的基材膜上塗布有由紫外線等引起聚合固化反應的粘合劑層。該切割膠帶採取如下方法：在切割步驟後對粘合劑層照射紫外線等使粘合劑層聚合固化而使粘合力降低後，拾取分割成的晶片。
作為這種切割膠帶，專利文獻1和專利文獻2中公開了一種切割膠帶，其在基材膜面上塗布了含有例如因活性光線而能夠三維網狀化的、分子內
具有光聚合性不飽和雙鍵的化合物(多官能性低聚物)而形成的粘合劑。
【專利文獻1】日本特開2006-049509號公報
【專利文獻2】日本特開2007-246633號公報
近年來，隨著電子部件的小型化、薄型化，有時在半導體晶圓或基板的切割步驟中容易發生晶片飛散、崩裂(晶片缺損)，成為成品率降低的主要原因。
因此，本發明的主要目的是提供一種切割膠帶，該切割膠帶，即使是小型、薄型的電子部件，也能夠抑制切割步驟中的晶片飛散和崩裂，容易拾取，不易產生殘膠。
根據本發明，提供一種切割膠帶，其是在基材膜上層疊由粘合劑組合物構成的粘合劑層而形成的，其特徵在於，上述粘合劑組合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、光聚合性化合物5~250質量份、固化劑0.1
~20質量份、以及光聚合引發劑0.1~20質量份，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯單元35~85質量%、(甲基)丙烯酸2-乙基甲酯單元10~60質量%、具有羧基的單體單元0.5~10質量%、以及具有羥基的單體單元0.05~5質量%，上述光聚合性化合物是重均分子量(重量平均分子量)為4000~8000且不飽和雙鍵官能團數為10~15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，上述粘合劑層的厚度為3~7μm。
一般而言，若減小粘合劑層的厚度，則不易發生崩裂，但粘合力變小而容易發生晶片飛散。另外，若為了抑制晶片飛散的發生而調整粘合劑的組成，則容易產生如下問題：容易發生崩裂，或者拾取性變差，或者容易發生殘膠。因此，以往很難在有效抑制崩裂、晶片飛散和殘膠的同時使拾取性良好。
本發明人為了得到這些方面均優異的切割膠帶而進行了深入研究，結果發現，在使用特定組成的粘合劑來形成厚度3~7μm的粘合劑層的情況下，能夠在有效抑制崩裂、晶片飛散和殘膠的同時使拾取性良好，從而完成了本發明。
優選特徵在於，上述固化劑是多官能異氰酸脂固化劑或多官能環氧固化劑。
優選特徵在於，上述切割膠帶的依據JISZ0237測得的對矽晶圓的鏡面的粘合力為5.0N/20mm以上。
根據本發明的另一觀點，提供一種電子部件的製造方法，該方法具備如下步驟：(a)貼附步驟，在半導體晶圓或基板和環形框貼上附切割膠帶；(b)切割步驟，切割上述半導體晶圓或基板而形成半導體晶片或半導體部件；(c)光照射步驟對上述切割膠帶照射活性光線；(d)擴展步驟，為了擴大上述半導體晶片或半導體部件之間的間隔，對上述切割膠帶進行拉伸；以及(e)拾取工序，從上述切割膠帶拾取半導體晶片或半導體部件，上述切割膠帶是上述記載的切割膠帶。
根據本發明，可提供一種切割膠帶：即使是小型、薄型的電子部件，也能夠抑制切割步驟中的晶片飛散和崩裂，容易拾取(pick up)，不易產生殘膠。
以下，對用於實施本發明的優選方式進行說明。應予說明，以下說明的實施方式表示本發明的代表實施方式的一個例子，本發明的範圍不會因此而被過窄地解釋。
本發明的切割膠帶的粘合劑層的形成所使用的粘合劑組合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、光聚合性化合物5~250質量份、固化劑0.1~20質量份、以及光聚合引發劑0.1~20質量份。
(甲基)丙烯酸酯共聚物含有：(甲基)丙烯酸甲酯單元35~85質量%(優選為45~75質量%，進一步優選為50~70質量%，進一步優選為55~65質量%)、(甲基)丙烯酸2-乙基甲酯單元10~60質量%(優選為20~50質量%，進一步優選為25~45質量%，進一步優選為30~40質量%)、具有羧基的單體單元0.5~10質量%(優選為2~7質量%，進一步優選為3~6質量%，進一步優選為4~5質量%)、具有羥基的單體單元0.05~5質量%(優選為0.1~3質量%，進一步優選為0.2~2質量%，進一步優選為0.3~1質量%，進一步優選為0.4~0.7質量%)。通過使(甲基)丙烯酸酯共聚物由這樣的單體單元構成，即使粘合劑層的厚度較小為3~7μm，也能夠得到粘合力足夠高的切割膠帶。應予說明，對於切割膠帶的粘合力，優選依據JIS Z 0237測得的、對矽晶圓的鏡面的粘合力為5.0N/20mm以上。
作為具有羧基的單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、衣康酸、富馬酸、丙烯醯胺N-甘醇酸、以及肉桂酸等，優選(甲基)丙烯酸。
作為具有含羥基官能團的單體，例如有(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲
基)丙烯酸2-羥基丙酯、以及(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯，優選(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。
光聚合性化合物的混合量相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為5~250質量份，優選為40~200質量份。若減少光聚合性化合物的混合量，則照射紫外線等活性光線後的切割膠帶的剝離性降低，容易產生半導體晶片的拾取不良。另一方面，若增加光聚合性化合物的混合量，則粘合力會因光照射步驟而過度降低，在拾取步驟中產生晶片鬆動，成為生產率降低的主要原因。
本發明中可利用的光聚合性化合物是重均分子量為4000~8000且不飽和雙鍵官能團數為10~15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物。若重均分子量小，則粘合劑邊的柔軟，因此容易發生崩裂，若重均分子量大，則與被粘物的密合性降低，容易發生晶片飛散。若不飽和雙鍵官能團數少，則照射紫外線等後的粘合劑的固化性降低，容易發生拾取不良，若不飽和雙鍵官能團數多，則照射紫外線等後的粘合劑的固化過度，產生晶片鬆動。另外，在使用聚氨酯丙烯酸酯低聚物的情況下，由於與基材膜的密合性和柔軟性優異，所以有在拾取時不易產生殘膠的優點。
聚氨酯丙烯酸酯低聚物可通過使具有羥基的(甲基)丙烯酸酯與聚酯型或聚醚型等的末端異氰酸脂聚氨酯預聚物反應而得到，該末端異氰酸脂聚
氰酯預聚物是使多元醇化合物與多元異氰酸脂化合物反應而得到的。
作為多元醇化合物，例如使用乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、新戊二醇、二乙二醇、三乙二醇、戊二醇、甘油、三羥甲基丙烷、三羥甲基乙烷、季戊四醇等。作為多元異氰酸脂化合物，例如使用2,4-甲苯二異氰酸脂、2,6-甲苯二異氰酸脂、1,3-二甲苯二異氰酸脂、1,4-二甲苯二異氰酸脂、二苯基甲烷4,4-二異氰酸脂、三甲基六亞甲基二異氰酸脂、六亞甲基二異氰酸脂、異氟爾酮二異氰酸脂等。另外，作為具有羥基的(甲基)丙烯酸酯，例如可舉出(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、縮水甘油二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯等。
固化劑的混合量相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為0.1質量份~20質量份，優選為1質量份~10質量份。若減少固化劑的混合量，則容易產生殘膠。另一方面，若增加固化劑的混合量，則發生生粘合力的不足或晶片鬆動，成為生產率降低的主要原因。
作為固化劑，有多官能異氰酸脂固化劑、多官能環氧固化劑、氮丙啶化合物、三聚氰胺化合物等，優選多官能異氰酸脂固化劑、多官能環氧固化劑。通過使用多官能環氧固化劑或多官能異氰酸脂固化劑作為上述固化劑中的至少一部分，能夠選擇性地使具有羧基的官能團含有單體反應而使其
減少，因而能夠調節固化後的具有含羧基官能團的單體量。
作為多官能異氰酸脂固化劑，例如有芳香族聚異氰酸脂固化劑、脂肪族聚異氰酸脂固化劑、脂環族聚異氰酸脂固化劑。
芳香族聚異氰酸脂沒有特別限定，例如可舉出1,3-苯二異氰酸脂、4,4'-二苯基二異氰酸脂、1,4-苯二異氰酸脂、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸脂、2,4-甲苯二異氰酸脂、2,6-甲苯二異氰酸脂、4,4'-甲苯胺二異氰酸脂、2,4,6-三異氰酸脂甲苯、1,3,5-三異氰酸脂苯、聯茴香胺二異氰酸脂、4,4'-二苯基醚二異氰酸脂、4,4',4”-三苯基甲烷三異氰酸脂、ω,ω'-二異氰酸脂-1,3-二甲基苯、ω,ω'-二異氰酸脂-1,4-二甲基苯、ω,ω'-二異氰酸脂-1,4-二乙基苯、1,4-四甲基亞二甲苯基二異氰酸脂、以及1,3-四甲基亞二甲苯基二異氰酸脂等。
脂肪族聚異氰酸脂沒有特別限定，例如可舉出三亞甲基二異氰酸脂、四亞甲基二異氰酸脂、六亞甲基二異氰酸脂、五亞甲基二異氰酸脂、1,2-亞丙基二異氰酸脂、2,3-亞丁基二異氰酸脂、1,3-亞丁基二異氰酸脂、十二亞甲基二異氰酸脂、以及2,4,4-三甲基六亞甲基二異氰酸脂等。
脂環族聚異氰酸脂沒有特別限定，例如可舉出3-異氰酸脂甲基-3,5,5-三甲基環己基異氰酸脂、1,3-環戊烷二異氰酸脂、1,3-環己烷二異氰酸脂、1,4-環己烷二異氰酸脂、甲基-2,4-環己烷二異氰酸脂、甲基-2,6-環己
烷二異氰酸脂、4,4'-亞甲基雙(環己基異氰酸脂)、1,4-雙(異氰酸脂甲基)環己烷、以及1,4-雙(異氰酸脂甲基)環己烷。
聚異氰酸脂中，優選使用1,3-苯二異氰酸脂、4,4'-二苯基二異氰酸脂、1,4-苯二異氰酸脂、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸脂、2,4-甲苯二異氰酸脂、2,6-甲苯二異氰酸脂、4,4'-甲苯胺二異氰酸脂、六亞甲基二異氰酸脂。
多官能環氧固化劑主要是指具有2个以上環氧基、1个以上叔氮原子的化合物，可舉出N‧N-縮水甘油基苯胺、N‧N-縮水甘油基甲苯胺、m-N‧N-縮水甘油基氨基苯基縮水甘油醚、p-N‧N-縮水甘油基氨基苯基縮水甘油醚、三縮水甘油基異氰脲酸酯、N‧N‧N'‧N'-四縮水甘油基二氨基二苯基甲烷、N‧N‧N'‧N'-四縮水甘油基-m-亚二甲苯基二胺、N‧N‧N'‧N'‧N"-五縮水甘油基二亚乙基三胺等。
光聚合引發劑的混合量相對於(甲基)丙烯酸酯聚合物100質量份為0.1質量份~20質量份，優選為1質量份~10質量份。若混合量過少，則光照射後的從切割膠帶的剝離性降低，容易發生半導體晶片的拾取不良。另一方面，若混合量過多，則光聚合引發劑會向粘合劑表面滲出，成為污染的原因。
作為光聚合引發劑，使用苯偶姻，苯偶姻烷基醚類、苯乙酮類、蒽醌類、
噻噸酮類、縮酮類、二苯甲酮類或呫噸酮類等。
作為苯偶姻，例如有苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚等。
作為苯乙酮類，例如有苯偶姻烷基醚類、苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯乙酮、2,2-二乙氧基-2-苯乙酮、1,1-二氯苯乙酮等。
作為蒽醌類，有2-甲基蒽醌、2-乙基蒽醌、2-叔丁基蒽醌、1-氯蒽醌等。
作為噻噸酮類，例如有2,4-二甲基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮、2-氯噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等。
作為縮酮類，例如有苯乙酮二甲基縮酮、苄基二縮酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫化物、偶氮二異丁腈、聯苄、雙乙醯、β-氯蒽醌等。
光聚合引發劑中可以根據需要組合1種或2種以上的以往公知的光聚合促進劑來並用。作為光聚合促進劑，可使用安息香酸系、叔胺等。作為叔胺，可舉出三乙胺、四乙基五胺、二甲基氨基醚等。
可以在粘合劑組合物中配合粘合賦予樹脂。作為粘合賦予樹脂，是將萜烯酚樹脂完全或部分氫化而成的萜烯酚樹脂。
萜烯酚樹脂例如可通過使萜烯化合物1摩爾與酚類0.1~50反應來製造。
作為萜烯化合物，可舉出月桂烯、別羅勒烯、羅勒烯、α-蒎烯、β-蒎烯、雙戊烯、檸檬烯、α-水芹烯、α-松油烯、γ-松油烯、異松油烯、1,8-桉葉素、1,4-桉葉素、α-松油醇、β-松油醇、γ-松油醇、莰烯、三環烯、檜烯、對薄荷二烯類、蒈烯類等。這些化合物中，本發明特別優選使用α-蒎烯、β-蒎烯、檸檬烯、月桂烯、別羅勒烯、α-松油烯。
作為酚類，可舉出苯酚、甲酚、二甲酚、兒茶酚、間苯二酚、對苯二酚、雙酚A等，但並不限定於此。
萜烯酚樹脂的酚類的比例為25~50摩爾%左右，但並不限定於此。
完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的羥值優選為50~250。羥值小於50時，與異氰酸脂系固化劑的反應不充分而向粘合劑表面滲出，成為污染的原因，若大於250，則粘度升高，產生與(甲基)丙烯酸酯共聚物等的混合不均，拾取特性不穩定。
作為氫化方法，沒有特別限定，例如可舉出如下方法：使用鈀、釕、銠等貴金屬或者將它們擔載於活性炭、活性氧化鋁、矽藻土等載體上而成的物質作為催化劑而進行的方法，氫化率可通過溴值測定、碘值測定等來測定。
完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的氫化率優選為30摩爾%以上，更優選為70摩爾%以上。小於30摩爾%時，因活性光線的照射所引起的光聚合性化合物的反應阻礙而導致粘合力無法充分降低，因而拾取性降低。
完全或部分氫化的萜烯酚樹脂的配合比優選相對於(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份為0.5質量份~100質量份，更有選為1.0質量份~50質量份。若完全或部分氫化的萜烯酚樹脂為0.5質量份以上，則粘合力不會過低，切割時半導體晶片的保持性得到維持，若為100質量份以下，則可抑制拾取不良的發生。
粘合劑組合物中例如可以添加軟化劑、抗老化劑、填充劑、導電劑、紫外線吸収劑以及光穩定劑等各種添加劑。
粘合劑層的厚度為3~7μm，優選為4~6μm。若粘合劑層過厚，則容易發生崩裂。另外，若粘合劑層過薄，則粘合力變得過低，有時切割時的晶片保持性降低而引起晶片飛散，或者在環形框與片之間產生剝離性。
作為基材膜的材料，例如可舉出用金屬離子將如下物質交聯而成的離聚物樹脂等：聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙酸-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸-丙烯酸酯膜、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、
丙烯系共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、以及乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物或乙烯-(甲基)丙烯酸-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。基材膜可以是這些樹脂的混合物或共聚物，也可以是由這些樹脂構成的膜或片的層疊體。
基材膜的材料優選使用離聚物樹脂。作為離聚物樹脂，若使用將具有乙烯單元、甲基丙烯酸單元和(甲基)丙烯酸烷基酯單元的共聚物用Na+、K+、Zn2+等金屬離子交聯而成的離聚物樹脂，則切削屑抑制效果顯著，因而優選使用。
基材膜可以是由上述材料構成的單層或多層的膜或片，也可以是將由不同材料構成的膜等層疊而成的物質。基材膜的厚度為50~200μm，優選為70~150μm。
優選對基材膜實施抗靜電處理。作為抗靜電處理，有在基材膜中配合抗靜電劑的處理、在基材膜表面塗布抗靜電劑的處理、基於電暈放電的處理。
作為抗靜電劑，例如可使用季銨鹽單體等。作為季銨鹽單體，例如可舉出(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯氯化季鹽、(甲基)丙烯酸二乙基氨基乙酯氯化季鹽、(甲基)丙烯酸甲基乙基氨基乙酯氯化季鹽、對二甲基氨基苯乙烯氯化季鹽、以及對二乙基氨基苯乙烯氯化季鹽。其中，優選甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯氯化季鹽。
滑動劑和抗靜電劑的使用方法沒有特別限定，例如可以在基材膜的一面塗布粘合劑，在其背面塗布滑動劑和/或抗靜電劑，也可以將滑動劑和/或抗靜電劑混入基材膜的樹脂中進行片化。
可以在基材膜的一面層疊粘合劑，另一面成為平均表面粗糙度(Ra)為0.3~1.5μm的壓紋面。通過在擴展裝置的機台側設置壓紋面，在切割後的擴展步驟中可使基材膜容易擴張。
為了提高切割後的擴展性，可以對基材膜的粘合劑非接觸面施以滑動劑，或者在基材膜中混入滑動劑。
滑動劑只要是使切割膠帶與擴展裝置的摩擦係數降低的物質就沒有特別限定，例如可舉出有機矽樹脂或者(改質)矽油等有機矽化合物、氟樹脂、六方晶氮化硼、炭黑和二硫化鉬等。這些摩擦降低劑也可以混合多種成分。為了在潔淨室中進行電子部件的製造，優選使用有機矽化合物或氟樹脂。有機矽化合物中，尤其是具有有機矽大分子單體單元的共聚物與抗靜電層的相溶性良好，可實現抗靜電性與擴展性的平衡，因而優選使用。
按順序對本發明所涉及的電子部件的製造方法的具體步驟進行說明。
首先，在貼附步驟中，將切割膠帶貼附於半導體晶圓或基板和環形框。半導體晶圓可以是矽晶圓和氮化鎵晶圓、碳化矽晶圓、藍寶石晶圓等以往通用的晶圓。基板可以是用樹脂密封晶片而成的封裝基板、LED封裝基板、陶瓷基板等通用基板。
切割步驟中，切割半導體晶圓或基板形成半導體晶片或半導體部件。
光照射步驟中，對上述切割膠帶照射紫外線或電子束等活性光線。活性光線優選從基材膜側照射。作為紫外線的光源，可使用低壓汞燈、高壓汞燈、超高壓汞燈、金屬鹵化物燈。另外，也可以使用電子束來代替紫外線，作為電子束光源，可使用α射線、β射線、γ射線。
通過光照射，粘合劑層三維網狀化而固化，粘合劑層的粘合力降低。此時，如上所述，本發明所涉及的切割膠帶即使經加熱也不會與半導體晶圓或基板過度密合，因此通過紫外線等的照射，可得到足夠低的粘接力。
擴展‧拾取步驟中，為擴大半導體晶片或半導體部件之間的間隔，對切割膠帶進行拉伸，並用針銷等將晶片或部件向上推。其後，真空夾頭或氣動夾架等吸引晶片或部件，使其從切割膠帶的粘合劑層剝離進行拾取。此
時，由於本發明所涉及的切割膠帶通過紫外線等的照射可使粘接力充分降低，因此晶片或部件與粘合劑層之間的剝離變得容易，得到良好的拾取性，也不會產生殘膠等不良現象。
作為在基材膜上形成粘合劑層而得到切割膠帶的方法，例如有如下方法：使用凹版塗布機、逗點塗布機、棒塗機、刮刀塗布機或輥塗機之類的塗布機將粘合劑直接塗布在基材膜上的方法；或者將粘合劑塗布於剝離膜並使其乾燥後與基材膜貼合的方法。也可採用凸板印刷、凹板印刷、平板印刷、柔版印刷、膠版印刷或絲網印刷等將粘合劑印刷在基材膜上。
本發明的切割膠帶在電子部件的製造步驟即切割步驟、背面研磨步驟中，優選用於稱為工件(work)的電子部件集合體的粘貼用途。
按如下配方製造實施例‧比較例所涉及的粘合劑組成物和切割膠帶。將主要配合成分及各實驗例的結果示於表1~表3。
表1~表3中的組成的數值表示質量份。光聚合性化合物、固化劑、光聚合引發劑的數值表示將(甲基)丙烯酸酯共聚物設為100份時的質量份。基材膜、光聚合性化合物、固化劑、光聚合引發劑的詳細情況如下所述。
應予說明，重均分子量是採用凝膠滲透色譜法(GPC)作為經聚苯乙烯換算的重均分子量測得的值。具體而言如下所述。
裝置：GPC-8020 SEC系統(東曹公司製)
柱(column)：TSK Guard HZ-L+HZM-N 6.0×150mm×3
流量：0.5ml/min
檢測器：RI-8020
濃度：0.2wt/Vol%
注入量：20μL
柱溫度：40℃
系統溫度：40℃
溶劑：THF
標準曲線：使用標準聚苯乙烯(PL公司製)製作，重均分子量(Mw)用聚苯乙烯換算值表示。
‧樹脂膜A：厚度80μm的離聚物樹脂製膜，以乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸2-甲基丙酯共聚物的Zn鹽為主體。MFR 2.8g/10min(JIS K7210法，210℃)，Mitsui DuPont Polychemicals株式會社製(市售品)。
‧光聚合性化合物A：使六亞甲基二異氰酸脂的異氰酸脂與以二季戊四醇五丙烯酸酯為主成分的含羥基的丙烯酸酯反應而得的化合物，重均分子量為
7500，且不飽和雙鍵官能團數為10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)。
‧光聚合性化合物B：采用與光聚合性化合物A相同的製法合成的重均分子量為4200、不飽和雙鍵官能團數為10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)
‧光聚合性化合物C：采用與光聚合性化合物A相同的製法合成的重均分子量為2100、不飽和雙鍵官能團數為10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)
‧光聚合性化合物D：采用與光聚合性化合物A相同的製法合成的重均分子量為10300、不飽和雙鍵官能團數為10的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)
‧光聚合性化合物E：使異氟爾酮二異氰酸脂的三聚體的異氰酸脂與二季戊四醇五丙烯酸酯為主成分的含羥基的丙烯酸酯反應而得到的化合物，重均分子量為4900，且不飽和雙鍵官能團數為15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物(合成品)。
應予說明，光聚合性化合物採用日本特開昭61-42529號公報等中記載的公知方法製備。
‧固化劑A：2,4-甲苯二異氰酸脂的三羥甲基丙烷加成物(市售品)
‧固化劑B：六亞甲基二異氰酸脂的三羥甲基丙烷加成物(市售品)
‧固化劑C：N,N,N',N'-四縮水甘油基間亞二甲苯基二胺(市售品)
‧光聚合引發劑A：1-羥基環己基苯基甲酮(市售品)
‧光聚合引發劑B：芐基二甲基縮酮(市售品)
依據JIS Z 0237；2009，使用拉伸試驗機(A&D公司製，RTG-1210)，採用180°剝離法測定貼附於矽晶圓的鏡面且經過20分鐘後的切割膠帶在23℃、相對濕度50%下的粘合力。拉伸速度為300mm/min，切割膠帶的尺寸為250mm×20mm。應予說明，矽晶圓的鏡面使用根據JIS H 0614製得的鏡面。
將所得切割膠帶貼合於形成有虛擬電路圖案的直徑8英寸×厚度0.15mm的矽晶圓和環形框。貼合20分鐘後用高壓汞燈照射150mJ/cm2的紫外線，其後進行切割、拾取各步驟。
切割步驟的條件如下。
切割裝置：DISCO公司製DAD341
切割刀片：DISCO公司製NBC-ZH205O-27HEEE
切割刀片的形狀：外徑55.56mm、刃寬35μm、內徑19.05mm
切割刀片轉速：40000rpm
切割刀片進給速度：100mm/秒
切割尺寸：1.0mm見方
在切割膠帶中的切入量：30μm
切削水溫度：25℃
切削水量：1.0升/分鐘
拾取步驟的條件如下。
拾取裝置：Canon Machinery公司製CAP-300II
擴展量：8mm
針銷形狀：70μmR
針銷數：1根
針銷上推高度：0.3mm
切割步驟和拾取步驟中，進行以下評價。
晶片保持性根據切割步驟後半導體晶片保持於切割膠帶的半導體晶片的殘留率，按以下基準進行評價。
◎(優)：晶片飛散低於5%
○(良)：晶片飛散為5%以上且低於10%
×(不可)：晶片飛散為10%以上
拾取性根據拾取步驟中可拾取半導體晶片的比例，按以下基準評價。
◎(優)：晶片的拾取成功率為95%以上
○(良)：晶片的拾取成功率為80%以上且低於95%
×(不可)：晶片的拾取成功率低於80%
對於崩裂，隨機選擇50個所拾取的晶片，用500倍的顯微鏡觀察觀察晶片背面的4條邊，按以下基準評價向中心方向最大缺損的大小。
◎(優)：缺損大小小於25μm
○(良)：缺損大小為25μm以上且小於50μm
×(不可)：缺損大小為50μm以上
將切割膠帶貼附於矽晶圓的鏡面，20分鐘後用高壓汞燈照射150mJ/cm2的紫外線後，將切割膠帶剝離。用顆粒計數器測定矽晶圓的鏡面(貼附面)上殘留的0.28μm以上的粒子數。
◎(優)：顆粒為500個以下
○(良)：顆粒為501個以上且小於2000個。
×(不可)：顆粒為2000個以上。
晶片鬆動根據拾取步驟中要拾取的半導體晶片所鄰接的半導體晶片因銷頂起的衝擊而鬆動的比例，按以下基準評價。
◎(優)：晶片鬆動低於1%
○(良)：晶片鬆動為1%以上且低於3%
×(不可)：晶片鬆動為3%以上
如表1~表3的實施例‧比較例所示，使用特定組成的粘合劑形成厚度為3~7μm的粘合劑層的所有實施例中，綜合判斷為○或◎。另一方面，粘合劑的組成或粘合劑層的厚度為規定外的所有比較例中，綜合判斷為×。由這些結果證實了：若使用本發明的切割膠帶，則可有效抑制崩裂、晶片飛散和殘膠，同時能夠使拾取性良好。
進一步進行詳細分析，如下所述。
比較例1中，由於(甲基)丙烯酸甲酯單元過少，所以污染性差。
比較例2中，由於(甲基)丙烯酸甲酯單元過多，所以晶片保持性差，且晶片容易鬆動。
比較例3中，由於具有羧基的單體單元過少，所以晶片保持性差。
比較例4中，由於具有羧基的單體單元過多，所以拾取性和污染性差。
比較例5中，由於具有羥基的單體單元過少，所以污染性差。
比較例6中，由於具有羥基的單體單元過多，所以晶片容易鬆動。
比較例7中，由於光聚合性化合物過少，所以晶片保持性和拾取性差。
比較例8中，由於光聚合性化合物過多，所以污染性差，且晶片容易鬆動。
比較例9中，由於光聚合性化合物的重均分子量過小，所以容易發生崩裂。
比較例10中，由於光聚合性化合物的重均分子量過大，所以晶片保持性
差。
比較例11中，由於固化劑過少，所以污染性差。
比較例12中，由於固化劑過多，所以晶片保持性和污染性差，且晶片容易鬆動。
比較例13中，由於光聚合引發劑過少，所以拾取性差。
比較例14中，由於光聚合引發劑過多，所以污染性差，且晶片容易鬆動。
比較例15中，由於粘合劑層過薄，所以晶片保持性差，且晶片容易鬆動。
比較例16中，由於粘合劑層過厚，所以容易發生崩裂，且拾取性差。
Claims (4)
- 一種切割膠帶，是在基材膜上層疊由粘合劑組合物構成的粘合劑層而形成的，其特徵在於，所述粘合劑組合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100質量份、光聚合性化合物5~250質量份、固化劑0.1~20質量份、以及光聚合引發劑0.1~20質量份，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯單元35~85質量%、(甲基)丙烯酸2-乙基甲酯單元10~60質量%、具有羧基的單體單元0.5~10質量%、以及具有羥基的單體單元0.05~5質量%，所述光聚合性化合物是重均分子量為4000~8000且不飽和雙鍵官能團數為10~15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，所述粘合劑層的厚度為3~7μm。
- 根據請求項1所述的切割膠帶，其中，所述固化劑是多官能異氰酸脂固化劑或多官能環氧固化劑。
- 根據請求項1或2所述的切割膠帶，其中，所述切割膠帶的、依據JIS Z 0237測得的、對矽晶圓的鏡面的粘合力為5.0N/20mm以上。
- 一種電子部件的製造方法，其特徵在於，具有如下步驟：(a)貼附步驟，在半導體晶圓或基板和環形框上貼附切割膠帶；(b)切割步驟，切割所述半導體晶圓或基板，形成半導體晶片或半導體部件；(c)光照射步驟，對所述切割膠帶照射活性光線；(d)擴展步驟，為擴大所述半導體晶片或半導體部件之間的間隔，對所述 切割膠帶進行拉伸；以及(e)拾取步驟，從所述切割膠帶拾取半導體晶片或半導體部件，其中所述切割膠帶是請求項1~3中任一項所述的切割膠帶。
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