200836915 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及耐熱遮光薄膜及其製造方 它的光圈或者光量調節裝置，更具體地說 位照相機、數位攝影機的光圈和鏡頭快門 或光圈葉片、投影機的光量調節用光圈裝 等光學儀器部件使用的、遮光性、耐熱性 光澤性、導電性優良的耐熱遮光薄膜及其 ® 及採用它的光圈或者光量調節裝置。 【先前技術】 目前，由於快門速度的高速化，照相機 和光圈葉片在極短時間內進行動作和停止動 輕量化以及具有高滑動性。並且，由於它們 感光材料、CCD等的攝像元件前面以遮光的 起碼要具有遮光性。另外，由於光學儀器用 φ 相互重疊而進行動作的，因而爲了順暢地工 滑性。並且，爲了防止各葉片之間漏光，要 率低。根據使用環境，存在照相機內部出現 因而要求具有耐熱性。 另外’作爲展示、家庭影院等影像觀賞 晶投影機的光量調節用光圈葉片使用的遮光 與數位照相機、數位攝影機具有同樣的性會g 耐熱性，要求比照相機的性能更高。 通常，上述遮光薄膜以聚對苯二甲酸乙 法、以及採用 ，涉及作爲數 等的快門葉片 置的光圈葉片 、滑動性、低 製造方法、以 用的快門葉片 作，因此要求 是擋在軟片等 部件，因而最 的葉片是多片 作必須具有潤 求表面的反射 高溫的情況， 用投影裝置液 薄膜，也要求 ，特別是對於 二酯（PET)等塑 200836915 膠薄膜或SUS' SK材料、A1等金屬薄膜作爲基板而應用。 在照相機中，當使用基材爲金屬性的遮光薄膜作爲快門葉 片、光圈葉片使用時，在葉片部件開關時，金屬板之間存 在摩擦而產生很大的噪音。另外，在液晶投影機中，在圖 像變化時爲了緩和各圖像的亮度變化，需要高速地移動葉 片，導致葉片之間反復出現摩擦噪音。此外，爲了降低這 種噪音，要使葉片低速運動，此時，若不對圖像的變化另 外地進行光量調節，則會出現圖像不穩定的問題。 從上述問題和輕量化的角度出發，在近年來遮光薄膜 的構成中，將塑膠薄膜用於基板已成爲主流。從產生灰塵 性的角度出發，還要求具有導電性。由上述可知，遮光薄 膜的必要性能包括高遮光性、耐熱性、低光澤性、滑動性、 導電性、低產生灰塵性。爲滿足這些遮光薄膜的性能，一 直以來提出了採用各種材料、薄膜構造的方案。 例如，專利文獻1中公開了 一種遮光薄膜，從遮光性、 低光澤性、導電性的角度出發，爲了吸收從燈光源等發出 的光，將碳黑、鈦黑等導電性黑色微粒浸含在聚對苯二甲 酸乙二酯（PET)薄膜等樹脂薄‘膜中，使其具有遮光性和導電 性，並對遮光薄膜的一面或兩面進行糙化處理，使其具有 低光澤性。 專利文獻2中公開了 一種遮光薄膜，其在樹脂薄膜上 塗敷具有遮光性和導電性的含碳黑等黑色顏料、潤滑劑和 去光劑的熱固化性樹脂層，使其具有遮光性、導電性、潤 200836915 滑性、低光澤性。 專利文獻3中公開了在鋁合金等金屬製葉片材料表面 上形成硬質碳膜的遮光部件。 專利文獻4中公開了一種遮光葉片構造，其爲了提高 遮光葉片的剛性，對塑膠基材兩面採用含碳纖維的熱固化 性樹脂的預浸處理片進行強化。 遮光薄膜作爲數位照相機、數位攝影機、液晶投影機 等光學儀器用遮光葉片已被廣泛使用。近年來，對於液晶 投影機來說，對在客廳這樣的明亮環境下也能夠欣賞到鮮 豔、高對比的影像這種高畫質化的要求日益提高。這樣， 爲了畫質的高亮度化，就要提高燈光源的輸出功率，因而 就出現光量調整用的光圏裝置內溫度升高的傾向。由於對 調整光量的遮光薄膜照射了大功率的光，形成了使遮光薄 膜容易熱變形的環境。 遮光薄膜的基材，例如以聚對苯二甲酸乙二酯作爲基 材的遮光薄膜，由於比重小而被廣泛使用，然而當燈光源 輸出功率大時，由於聚對苯二甲酸乙二酯熱變形溫度低， 拉伸彈性率等機械強度小，因而會出現移動過程中或者製 動時產生的振動或撞撃等導致遮光葉片變形的可能性。 此外，爲了使遮光薄膜具有低光澤性和滑動性，採用 噴砂法進行糙化處理。這種處理使入射光散射而使表面的 光澤性下降，具有進一步提高可視性的效果。通過上述處 理，被認爲遮光薄膜即使相互接觸，由於遮光薄膜之間接 200836915 觸面積沒有增大，因而也可以防止滑動性降低。 在數位照相機、數位攝影機、液晶投影機中，遮光薄 膜作爲快門葉片、光圈葉片等必須多片鄰接並重合而使 用，因而對於採用有機成分遮光材料、潤滑劑、去光劑的 遮光薄膜來說’數位照相機、數位攝影機和液晶投影機所 處的溫度、濕度這些使用環境顯得更加惡劣。特別是對於 液晶投影機’如上所述^由於近年來隨著圖像的高亮度化 而使得燈光源大功率化，裝置（光量調節用裝置、光圈裝置） 內的溫度上升至200°C左右。在如此惡劣的環境下，若使用 上述以前的遮光薄膜，會發生變形、變色等，在耐久性方 面不是較佳的，在實用上存在問題。 另外，由於遮光薄膜在200°C以上高溫環境下熱變形， 即使是上述表面上具有微細凹凸構造的遮光薄膜，熱變形 也很大，遮光薄膜之間相互接觸，使其不能進行高速運動， 不規則摩擦程度增大，導致滑動性、光澤性劣化等，出現 數位照相機、數位攝影機、液晶投影機不能發揮其原來的 功能的可能性。 另外，雖然上述基材塑膠薄膜的糙化處理通過在基材 塑膠薄膜上形成微細的凹凸，具有提高基材與該基材上的 塗膜之間的黏合力，以及降低表面光澤性的效果，然而， 在採用通過噴砂法時，由於薄膜的粗糙度依賴於噴射材料 的材質、粒度、噴射壓力等，雖然粒徑大的噴射材料可以 通過水洗或者刷洗等清洗從薄膜表面除去，但粒徑不足 200836915 1 /z m的小顆粒即使在洗滌後薄膜上也會有相當一部分殘 留下來’不能被完全除去。若殘留噴射材料，則在遮光薄 膜所處的局溫環境下’由於噴射材料與薄膜上形成的金屬 合金遮光薄膜等膜的熱膨脹係數不同，出現熱應力差而使 膜脫離下來’以及噴射材料從薄膜上脫離下來，對其周圍 部件產生不利影響’導致不能發揮其原來的功能的問題。 【專利文獻1】日本特開平1 一 12〇5〇3號公報 【專利文獻2】日本特開平4—9802號公報 【專利文獻3】日本特開平2 - 116837號公報 【專利文獻4】日本特開2000— 75353號公報 【發明內容】 因此，本發明的目的是提供一種耐熱遮光薄膜，作爲 在使用時處於高溫下的液晶投影機的光量調節裝置用葉 片、或在加工時處於高溫下的數位照相機的快門葉片或固 定光圈使用，其在基材薄膜表面上具有微細的凹凸構造， 該遮光薄膜不會出現滑動性、光澤性劣化，也不會發生變 形 '變色’具有優良的耐久性，不會發生膜脫離以及噴射 材料脫離，導電性優良。
本發明者們發現，爲解決上述現有技術的問題，以表 胃上具有微小凹凸的耐熱性樹脂薄膜作爲基材，在其上根 $需要形成阻氣膜後，再通過濺射法形成具有特定厚度的 Ni類金屬遮光薄膜，然後，在該金屬膜上通過濺射法形成 低反射性Ni類氧化物膜，這樣，可以獲得即使處於200°C 200836915 左右的高溫環境下也不會變形、可保持其特性（遮光性、低 光澤性、滑動性、色度、低反射性）的耐熱遮光薄膜，其可 以作爲數位照相機、數位攝影機、液晶投影機等的光圈部 件使用，從而完成了本發明。 即，根據本發明的第1項發明，提供一種耐熱遮光薄 膜，其特徵在於包括具有200°c以上的耐熱性的樹脂薄膜基 材（A)、在樹脂薄膜基材（A)—面或兩面上通過濺射法形成 0 的具有50nm以上厚度的Ni類金屬膜（B)、在Ni類金屬膜 (B)上通過濺射法形成的低反射性Ni類氧化物膜（C)，並且 表面粗糙度爲0.1〜0.7// m(算術平均高度Ra)。 另外，根據本發明的第2項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於在第1項發明中，樹脂薄膜基材（A)由從 聚醯亞胺、芳族聚醯胺、聚苯硫醚、聚醚楓中選出的一種 以上構成，且表面粗糙度爲0.2〜0.8 μ m(算術平均高度 Ra) 〇 φ 另外，根據本發明的第3項發明，提供第1項發明中 所述的耐熱遮光薄膜，其特徵在於，在第1項發明中，Ni 類金屬膜（B)是以鎳爲主要成分，含有.從由鈦、組、鎢、釩、 鋁以及銅構成的群組中選出的1種以上添加元素的鎳類合 金膜。 另外，根據本發明的第4發明，提供一種耐熱遮光薄 膜，其特徵在於，在第3項發明中，Ni類金屬膜（B)的添加 元素的含有量爲1〜18原子％。 -10- 200836915 另外，根據本發明的第5項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於在第1項發明中，Ni類氧化物膜（C)以鎳 爲主要成分，並進一步含有從由鈦、鉬、鎢、釩、鋁以及 銅構成的群組中選出的1種以上添加元素。 另外，根據本發明的第6項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第5項發明中，Ni類氧化物膜（C) 的添加元素的含有量爲1〜1 8原子％。 另外，根據本發明的第7項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第1〜6任一項發明中，Ni類金屬膜 (B)的厚度爲50〜250nm，並且，Ni類氧化物膜（C)的厚度爲 5 〜240nm 〇 另外，根據本發明的第8項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第1〜7任一項發明中，在樹脂薄膜 基材（A)與上述金屬膜（B)的介面之間，夾設有由濺射法形 成的金屬氧化物膜作爲阻氣膜（D)。 另外，根據本發明的第9項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第8項發明中，上述阻氣膜（D)爲 Ni類氧化物膜。 另外，根據本發明的第1 〇項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第8項發明中，上述阻氣膜（D)是以 從由鈦、鉬、鎢、釩、鉬、鈷、鈮、鐵、鋁以及矽構成的 群組中選出的1種以上元素爲主要成分的氧化物膜。 另外，根據本發明的第11項發明，提供一種耐熱遮光 .200836915 薄膜’其特徵在於，在第8〜1 0任一項發明中，上述阻氣 膜（D)的膜厚度爲5〜3〇nm。 另外’根據本發明的第12項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第1〜11任一項發明中，表面電阻 値爲1000Ω/□(讀爲歐姆每平方）以下。 另外，根據本發明的第1 3項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第12項發明中，表面電阻値爲100 Ω /□以下。 另外，根據本發明的第14項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第1〜11任一項發明中，樹脂薄膜 基材（A)的兩面上都形成Ni類金屬膜（B)和Ni類氧化物膜 (C)，以薄膜基材作爲中心形成對稱結構。 另外，根據本發明的第15項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第14項發明中，兩面上形成的Ni 類金屬膜（B)和Ni類氧化物膜（C)分別具有實質上相同的金 φ 屬元素組成。 另外，根據本發明的第1 6項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第9項發明中，樹脂薄膜基材（A)的 兩面上都形成Ni類氧化物阻氣膜（D)、Ni類金屬膜（B)和 Ni類氧化物膜（C)，以薄膜基材作爲中心形成對稱結構。 另外，根據本發明的第1 7項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜，其特徵在於，在第16項發明中，兩面上所形成的 Ni類氧化物阻氣膜（D)、Ni類金屬膜（…和Ni類氧化物膜（C) -12- 200836915 分別具有實質上相同的金屬元素組成。 另一方面，根據本發明的第18項發明，提供一種耐熱 遮光薄膜的製造方法，其特徵在於’在第1〜7任一項中， 將表面粗糙度爲0·2〜0.8/im(算術平均高.度Ra)的樹脂薄 膜基材（A)置於濺射裝置中，在惰性氣體環境下進行濺射， 在樹脂薄膜基材（A)上形成Ni類金屬膜（B)，然後，向惰性 氣體環境中通入氧氣，同時進行濺射，在Ni類金屬膜（B) I 上形成Ni類氧化物膜（C)。 另外，根據本發明的第1 9項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜的製造方法，其特徵在於，在第8〜1 1任一項中，將 表面粗糙度爲0.2〜0.8// m(算術平均高度Ra)的樹脂薄膜 基材（A)置於濺射裝置中，向惰性氣體環境中通入氧氣，同 時進行濺射’在樹脂薄膜基材（A)上形成阻氣膜（D)，然後’ 在惰性氣體環境下進行濺射，在阻氣膜（D)上形成Ni類金 屬膜（B)後，向惰性氣體環境中通入氧氣，同時進行濺射’ φ 在Ni類金屬膜（B)上形成Ni類氧化物膜（C)。 另外’根據本發明的第20項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜的製造方法，其特徵在於，在第18或第19項發明中’ 灑射氣壓爲0.2〜1.0 Pa。 矣外’根據本發明的第21項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜的製造方法，其特徵在於，在第1 8或第1 9項發明中’ 濺射時樹脂薄膜基材的溫度爲180 °C以上。 另外’根據本發明的第22項發明，提供一種耐熱遮光 -13- .200836915 薄膜的製造方法，其特徵在於，在第18項發明中，將形成 了 Ni類金屬膜（B)和Ni類氧化物膜（c)的耐熱遮光薄膜進一 步置於濺射裝置中，通過濺射，在樹脂薄膜基材（A)的背面 依次形成Ni類金屬膜〇)和川類氧化物膜（(：）。 另外’根據本發明的第23項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜的製造方法，其特徵在於，在第19項發明中，將形成 了阻氣膜（D)、Ni類金屬膜（B)和Ni類氧化物膜（C)的耐熱 遮光薄膜進一步置於濺射裝置中，通過濺射，在樹脂薄膜 基材（A)的背面依次形成阻氣膜（D)、Ni類金屬膜（B)和Ni 類氧化物膜（C)。 另外，根據本發明的第24項發明，提供一種耐熱遮光 薄膜的製造方法，其特徵在於，在第1 8〜23任一項發明中， 樹脂薄膜基材（A)卷成筒狀設置在濺射裝置的薄膜輸送部 上0 另一方面，根據本發明的第25項發明，提供將第1〜 17任一項發明中製造的耐熱遮光薄膜進行加工所製造的耐 熱性優良的光圈。 另外，根據本發明的第26項發明，提供使用第1〜17 任一項發明中製造的耐熱遮光薄膜的光量調節裝置。 本發明的耐熱遮光薄膜由於在具有算術平均高度Ra 爲0.2〜0.8/z m的表面粗糙度的耐熱性樹脂薄膜基材上， 通過濺射法形成特定厚度的Ni類金屬膜（以下，也簡稱爲 金屬膜）、低反射性的Ni類氧化物膜（以下也簡稱爲氧化物 -14- ‘200836915 膜），因而與由以前塗膜工序所製得的遮光薄膜相比，可以 形成緻密的表面狀態，提高表面的磨損性、摩擦性、導電 性。在該耐熱遮光薄膜中，由於在金屬膜上層積了作爲最 表層的低反射性Ni類氧化物膜，因而可以使金屬膜的高反 射率得到降低。 本發明的耐熱遮光薄膜，與以前採用在金屬箔板上施 加耐熱塗料的耐熱遮光薄膜作爲耐熱遮光薄膜使用的遮光 葉片相比，由於使用樹脂薄膜作爲基材，因而被輕量化， ^ 裝載在光圈葉片上時可以提高滑動性，並且可以使驅動馬 達小型化，有利於降低成本。 另外，在上述金屬膜和氧化物膜的濺射成膜時，由於 可以使用完全相同的靶，因而在裝置設置方面不需要更換 靶，從而可以連續地進行濺射，製造成本下降，並且由於 具有以耐熱樹脂薄膜爲中心的對稱型膜結構，因而在成膜 時不會因膜應力而發生遮光薄膜變形，生產性優良。 φ 另外，通過使本發明金屬膜和低反射性氧化物膜的濺 射法成膜條件最佳化，可以使上述膜形成緻密的膜，由於 該緻密的最表層膜，使得即使處於200°C左右的高溫環境 下，該耐熱遮光薄膜在動作時也不會出現膜的脫離，因此， 在對基材薄膜進行糙化處理，例如通過噴砂法進行膜表面 處理時，不會發生附著的噴射材料殘留物脫離的情況。 因此，由於本發明的耐熱遮光薄膜可以作爲裝配時回 流工序等要求具有耐熱性的數位照相機或數位攝影機的固 -15- .200836915 定光圈或快門葉片 '光圈葉片、以及可以作爲使用時要求 具有耐熱性的液晶投影機的光量調節裝置的光圈或光圈葉 片使用，因而在工業上很有價値。 【實施方式】 以下，參照第1〜3圖對本發明的耐熱遮光薄膜及其製 造方法、採用它的光圈或光量調節裝置進行說明。 1.耐熱遮光薄膜 本發明的耐熱遮光薄膜的特徵在於：包括具有200°C以 上的耐熱性的樹脂薄膜基材（A)、在樹脂薄膜基材（A)—面 或兩面上通過濺射法形成·的具有50nm以上厚度的Ni類金 屬膜（B)、在Ni類金屬膜（B)上通過濺射法形成的低反射性 Ni類氧化物膜（C)，並且表面粗糙度爲〇. 1〜〇.7 μ m(算術平 均高度Ra)。 第1圖是演示本發明的遮光薄膜構成的示意圖。本發 明的遮光薄膜由作爲基材的樹脂薄膜1、其表面上形成的 Ni類金屬膜2、其上形成的低反射性Ni類氧化物膜3構成。 並且，其表面粗糙度爲0.1〜0.7/zm(算術平均高度Ra)，更 佳爲0 · 2〜0.7//m，最佳爲0.3〜0.6/zm。若不足0.1//m， 則從低光澤性角度考慮是不佳的，另外若超過0.7 μ m，則 從容易產生表面缺陷的角度考慮是不佳的。 樹脂薄膜1的厚度較佳落在1 2.5〜1 2 5 // m的範圍內。 當薄于12.5 μ m時，則操作性差，且薄膜上容易產生損傷 或摺痕，若比1 25 # m更厚，則不能在正在小型化的光圈裝 -16- 200836915 置或光量調節裝置上裝載多片遮光葉片。 對遮光性Ni類金屬膜（金屬膜）的厚度沒有特別的限 制，可以使厚度爲3〇〜280nm，較佳爲40〜260nm，更佳爲 50〜250nm。若厚度不足30nm，則會發生透光，從而不具 有足夠的遮光性能，因而不佳。另外，若厚度過厚，則雖 然遮光性好，若超過280nm，則需要增加材料成本和成膜 時間，導致提高了製造成本，並且膜的應力也增大，容易 發生變形。 ® 對低反射性Ni類金屬氧化物膜（氧化物膜）沒有特別的 限制，使厚度爲5〜250nm’較佳20〜240nm，更佳30〜200nm 時，可以降低可見光區的反射率。若膜厚度不足5nm，則 會出現不能充分降低反射率、光澤度的情況，若超過 2 5 Onm，則不僅表面電阻增大，從經濟性方面也是不佳的。 上述N i類金屬膜和低反射性N i類氧化物膜可以在樹 脂薄膜基材的一面上形成，但較佳在兩面上都形成。當在 φ 兩面上都形成時，通過使各面膜的材質相同，可以形成以 薄膜基材爲中心的對稱結構，因而更佳。薄膜基材上所形 成的薄膜由於對基材產生應力，因而成爲變形的主要原 因。應力導致的變形也有在成膜後立即被發現的情況，特 別是若加熱至200C左右時，容易使變形幅度更大、更顯 著。但是，通過如上所述使薄膜基材兩面上形成的Ni類金 屬膜和低反射性N i類氧化物膜的材質相同，形成以基材爲 中心的對稱結構’即使在加熱的條件下也可以維持應力平 -17- 200836915 衡，很容易實現平坦的耐熱遮光薄膜。 也就是說，在兩面上形成的Ni類金屬膜（B)之間’以 及Ni類氧化物膜（C)之間，較佳分別具有實質上相同的金 屬元素組成。並且，兩面上形成的Ni類氧化物阻氣膜（D) 之間、Ni類金屬膜（B)之間、以及Ni類氧化物膜（C)之間， 亦較佳爲分別具有實質上相同的金屬元素組成。 (A)樹脂薄膜基材 作爲本發明耐熱遮光薄膜的基材的樹脂薄膜，其表面 上必須具有算術平均高度Ra爲0.2〜0.8 g m、特別是0.3 〜0.7 // m的微細凹凸結構。算術平均高度，也稱爲算術平 均粗糙度，是從粗糙度曲線上只取其平均線方向上的基準 長度，將從該取樣部分的平均線至測定曲線的偏差的絕對 値合計平均所得的値。若Ra小於0.2 /z m，則不能實現與 薄膜表面上形成的金屬膜的密合性，並且也不能獲得足夠 低的光澤性和低反射性。另外，若Ra超過0.8 // m，則薄 φ 膜表面的凹凸過大，凹部不能形成金屬膜，若要覆蓋薄膜 表面以獲得充分的遮光性，則金屬膜的厚度變厚，成本提 高，因而不佳。 使用作爲基材的樹脂薄膜，可以是由透明樹脂構成 的，也可以由混煉了顏料的著色樹脂構成，但是必須具有 200°C以上的耐熱性。這裏，所謂具有200°C以上耐熱性的 薄膜，是指玻璃化轉變溫度爲200°C以上的薄膜，並且對於 不存在玻璃化轉變溫度的材料，在200°C以上的溫度下不會 -18 - •200836915 變質。樹脂材料的材質，當考慮量產性時，需要是能夠通 過濺射法進行輥塗的具有撓性的材料。 在耐熱性樹脂薄膜中，雖然較佳由聚醯亞胺（PI)、芳族 聚醯胺（PA)、聚苯硫醚（pps)或者聚醚楓（pes)中選出的一種 以上材料構成的薄膜，但只要具有2〇(rc以上的耐熱性，則 並不局限於這些。其中聚醯亞胺薄膜的耐熱溫度高，是特 佳的薄膜。 樹脂薄膜表面上的凹凸通過對薄膜表面進行表面處理 ® 而形成。例如，可以通過採用噴射材料的糙化處理進行加 工’這是一種簡易的方法，但並不局限於這些。也可以通 過納米印刷加工在表面上形成微細的凹凸結構。此外，糙 化處理時的噴射材料可以利用砂子等，但並不局限於砂 子。在糙化處理中，可以一邊輸送薄膜，一邊在薄膜表面 上形成凹凸，然而由於最佳Ra値的凹凸依賴於糙化處理中 薄膜的輸送速度、噴射材料的種類和大小，因而要使這些 φ 條件最優化而進行表面處理，以使薄膜表面的算術平均高 度Ra値爲0.2〜0.8/zm。糙化處理後的薄膜，洗滌、除去 噴射材料後乾燥。當在薄膜兩面上形成金屬膜和低反射性 氧化物膜時，要對薄膜的兩面進行糙化處理。 (B)金屬膜 本發明的耐熱遮光薄膜具有在200 °C的高溫環境下也 能夠耐受的耐熱性。這除了歸因於通過濺射法獲得的金屬 膜與低反射性氧化物膜由於高緻密性而使其耐氧化性良好 -19- 200836915 以外，還歸因於薄膜與金屬膜之間的黏合性良好。 通常由於金屬膜若被氧化則透明度增加，因而作爲遮 光薄膜的金屬膜的耐氧化性很重要。本發明的耐熱遮光薄 膜中所用的金屬膜材料，較佳爲耐氧化性優良的鎳類材 料。具體地說，上述金屬膜可以是單純的鎳，但較佳爲以 鎳爲主要成分，添加1種以上添加元素的鎳類合金膜，該 添加元素從由鈦、钽、鎢、釩、鋁以及銅構成的群組中選 出。添加上述元素的金屬膜與單純的鎳相比更難氧化。 此外’上述Ni類金屬膜的添加元素，相對於全部的構 成元素，較佳含有1〜1 8原子％，特佳含有5〜1 4原子％。 若不足1原子％，則不能極大地弱化鎳靶的強磁性特性，從 而不能採用配設了磁力小的常用磁鐵的負極通過直流磁控 管濺射法進行成膜。另外，若超過1 8原子％，則形成過量 的金屬互化物，使濺射靶脆性增大，不僅是在濺射時由於 熱應力等而導致斷裂，出現不能進行濺射的危險，而且存 φ 在所得金屬合金膜的膜質變差的可能性，因而不佳。 此外，採用鎳類靶的濺射成膜中成膜速度，具有與採 用其他金屬靶的濺射成膜相比速度更快的特徵，這一方面 對生產性也是有利的。例如，通過採用鎳靶的直流濺射時 鎳膜的成膜速度，與採用鈦靶的同一條件的鈦膜的成膜速 度相比，要快至1.5〜2倍。 另外，上述Ni類金屬膜也可以含有碳元素、氮元素。 向Ni類金屬膜中碳元素、氮元素的引入，可分別通過在金 -20- .200836915 屬膜成膜時的濺射過程中通入烴氣體、氮氣等含碳元素、 氮元素的添加氣體進行濺射成膜，即使不能採用如上所述 的添加氣體’也可以使靶中含有碳元素、氮元素而將這些 兀素引入。特別是若Ni類金屬膜中含有碳元素、氮兀素， 則可以進一步改善耐熱性，因而很有價値。因此，通過上 述方法製得的碳化鎳、氮化鎳、碳氮化鎳等碳化物、氮化 物和碳氮化物也是能夠發揮充分的遮光性和耐熱性的金屬 0 膜材料，並且還能發揮對樹脂薄膜的高黏合性，因而也被 包括在本發明耐熱遮光薄膜的金屬膜材料之內。此外，本 發明的金屬膜中，如果儘量不含氧的話，由於可以維持與 樹脂薄膜的高黏合性和高遮光性，因而是較佳的。然而， 若濺射氣體中殘留的氧氣等，在成膜時被引入而含於金屬 膜的一部分或者整體中，只要不損害其金屬性、高遮光性 以及與樹脂薄膜的高黏合性，則也沒有關係。金屬膜中氧 的含量，爲了維持與樹脂薄膜的黏合性，相對於金屬元素， • 需要爲5原子％以下，特別希望爲3原子％以下。 此外，本發明耐熱遮光薄膜的金屬膜，還可以是由組 成（金屬元素的含量、種類、含碳量、含氮量、含氧量）不 同的多種金屬膜的層積膜構成的。 就黏合性而言，本來，有機物樹脂薄膜基材與無機物 金屬膜之間很難獲得高黏合性。這是因爲，當樹脂薄膜基 材與金屬膜的介面之間密合性不夠時，在200°C的高溫環境 下，樹脂薄膜基材與金屬膜的熱膨脹差異導致容易發生膜 ^21- 200836915 脫離。 爲了避免這種由熱膨脹差異導致的膜脫離’保持樹脂 薄膜基材與膜的高黏合性是很必要的’而本發明的金屬膜 採用1種以上添加元素的鎳類金屬膜是很有效的，該添加 元素從由鈦、鉅、鎢、釩、銘以及銅構成的群組中選出。 樹脂薄膜的表面具有氧官能團’本發明的金屬膜中含有適 量的鈦、钽、鎢、釩、鋁或銅等容易被氧化的元素’與薄 膜表面的氧官能團形成化學鍵’增強了薄膜與金屬膜之間 ®的黏合性。 (C)氧化物膜 另外，本發明的耐熱遮光薄膜具有低反射性的氧化物 膜。樹脂薄膜基材上形成的金屬膜的反射率高，而通過在 金屬膜上層積低反射性的氧化物膜，可以降低耐熱遮光薄 膜的反射率。低反射性的氧化物膜可以由單層構成，也可 以由含氧量、添加元素種類及添加量不同的多層構成。此 Φ 外，金屬膜上層積的低反射性氧化物膜可以是透明度高的 膜，也可以是透明度低的著色膜。 本發明的低反射性氧化物膜較佳以鎳爲主要成分的氧 化物膜。因爲，以鎳爲主要成分的氧化物膜在高溫環境下 耐熱性和耐腐蝕性優良，並且與以鎳爲主要成分的下層金 屬膜、金屬成分相同，因而與金屬膜的黏合性良好。 具體地說’上述氧化物膜，金屬成分可以是僅由鎳形 成的鎳氧化物，但較佳以鎳爲主要成分，進一步添加1〜 -22- 200836915 1 8原子％，特別是5〜1 4原子％的1種以上元素的氧化物 膜，該元素從由鈦、鉅、鎢、釩、鋁以及銅構成的群組中 選出。
Ni類氧化物膜的材料，其金屬成分可以與金屬膜的不 同，但較佳與金屬膜相同成分的氧化物膜。這樣，便可以 採用同一個濺射靶對金屬膜和低反射性氧化物膜兩者進行 成膜，可以製造具有單一陰極的濺射裝置，從而可以降低 製造成本。對上述以鎳爲主要成分的氧化物膜的膜厚沒有 ^ 特別的限制，使膜厚爲5〜240nm可以降低可見光區的反射 率。 上述Ni類氧化物膜中，除上述金屬元素以外，也可以 含有碳元素、氮元素。若使Ni類氧化物膜中含碳元素、氮 元素，則可以調節折射率，容易實現低反射性。此外，上 述氧化物膜若採用大量缺乏氧的金屬氧化物膜這樣的在可 見光區透光率低的（例如單膜透光率爲10〜60%)的膜，則可 φ 以實現例如在波長3 80〜7 80nm範圍內反射率爲2%以下的 顯著的低反射性，可以得到呈黑色的耐熱遮光薄膜。這種 低反射的黑色薄膜當作爲液晶投影機的棱鏡元件側或數位 攝影機的攝像元件側的部件使用時特佳。在棱鏡元件側或 攝像元件側若部件的反射光強，則會形成漫射光，從而產 生不利的影響。上述Ni類氧化物膜，也可以是由組成（含 氧量、含碳量、含氮量、金屬元素的含量和種類）不同的多 種氧化物膜的積層膜構成的。通過使用組成不同從而折射 -23- 200836915 率和消光係數不同的氧化物膜的積層膜，可以表現出更強 的防止反射的效果，從而實現低反射性。 對上述氧化物膜的厚度沒有特別的限制，使膜厚爲5 〜240nm，可以降低可見光區的反射率。若膜厚不足5nm， 則會出現不能充分降低反射率、光澤度的情況，若超過 240nm，則不僅表面電阻增大，從經濟性方面考慮也不佳。 另外，本發明的耐熱遮光薄膜，爲了盡可能地避免由 於熱射線照射而導致溫度上升，可以使其具有對熱射線的 ^ 高反射性能。此時，上述氧化物膜上，與上述相反，要使 用可見光區〜近紅外光區透光率盡可能高的氧化物材料， 以盡可能地抑制氧化物膜內對熱射線的吸收，利用金屬膜 對熱線的高反射性能。此外，較佳增加這種氧化物膜的折 射率，並使氧化物膜的膜厚度最佳化，以使氧化物膜/金屬 膜介面的近紅外反射光與外界/氧化物介面的近紅外反射 光疊加增強，從而使其實現高反射性能。如上構成的具有 φ 熱射線高反射性能的耐熱遮光薄膜，可以顯示出在可見光 區最大反射率爲3〜7%的適當反射率。若反射率高至10% 以上，則反射光發生散射而產生不利影響，因而較佳爲7 % 以下。如此構成的耐熱遮光薄膜黑色度不好，根據反射光 v 的波長均衡，呈紅色、紫色、藍色、黃褐色等。 此外，在樹脂薄膜兩面上積層了金屬膜和氧化物膜的 本發明耐熱遮光薄膜中，根據用途的不同，採取黑色度和 反射率在兩面不相同的構成也是有效的。例如，當本發明 -24- 200836915 的耐熱遮光薄膜作爲接近投影機用的燈區域的葉片材料使 用時，燈光照射的一側面避免熱射線加熱視爲最重要，因 而採取對可見光〜近紅外光具有高反射性能的黑色度低的 構成，而與燈側相反的面，由於不希望可見光的反射被散 射，因而採取對可見光區具有低反射性的黑色度高的構成 也是有效的。此時，如上所述，在燈一側採用氧缺乏少的 透光率高的Ni類氧化物膜，在其相反一側採用氧缺乏多的 可見光區透光率低的Ni類氧化物膜。 β 對於導電性，當採用塑膠薄膜時由於具有絕緣性而容 易產生靜電，作爲遮光葉片動作時會產生靜電，爲了防止 葉片相互之間被卡住，導電性是很重要的。 本發明的耐熱遮光薄膜中所用的金屬膜和氧化物膜的 材料較佳爲導電性優良的鎳類材料。作爲具體的金屬膜和 氧化物膜，金屬成分可以是單純的鎳，但較佳以鎳爲主要 成分，並添加1種以上元素的鎳類合金膜（複合金屬氧化物 φ 膜），該元素從由鈦、組、鎢、釩、鋁以及銅構成的群組中 選出。通過添加上述元素，添加元素具有半導體中的摻雜 劑的作用，可以降低電阻。在最表面由氧化矽、氧化鋁等 絕緣膜形成的遮光薄膜中，表面電阻値爲ίο4 Ω /□左右， 而本發明的耐熱遮光薄膜表面電阻値可以爲1 000 Ω /□以 下，較佳爲500 Ω /□以下，更佳爲1〇〇 Ω /□以下。 另外，只要不影響本發明的特徵，本發明的耐熱遮光 薄膜也可以在上述氧化物膜的表面上薄薄地塗敷具有潤滑 -25- 200836915 性和低摩擦性的其他薄膜（例如，含氟有機膜、碳膜、類金 剛石碳膜等）而使用。 (D)阻氣膜 通常，在聚醯亞胺等樹脂薄膜基材中，多含有氧氣和 水分。聚醯亞胺中的這些氣體在成膜前進行加熱處理等而 除去。但是，不能完全除去，衫成金屬膜和氧化物膜而製 得的耐熱遮光薄膜，若處於2 5 0 °C左右的高溫環境下，將會 從樹脂薄膜中放出氧氣和水分，使金屬膜內部分地進入氧 氣。進入氧氣的金屬膜由於光學常數不同，使耐熱遮光薄 膜的色度發生了變化。並且，即使是在成膜前充分地進行 了氣體排除而製得的耐熱遮光薄膜，若將耐熱遮光薄膜置 於恆溫恆濕試驗（例如85 °C，90%RH，1 000小時）的環境下， 水和氧氣將從樹脂薄膜的側面進入’，金屬膜靠樹脂薄膜的 一側將部分地進入氧氣，基於同樣/的原因使色度發生了變 化。爲了避免這種色度變化，在本發明中，較佳在樹脂薄 膜基材與上述金屬膜的介面之間，通過濺射法形成金屬氧 化物膜作爲阻氣膜。- 阻氣膜，除了與氧化物膜（C)相同組成的鎳類氧化物膜 以外，例如將1種以上元素爲主要成分的不含鎳的氧化物 膜也是有效的，該元素從由鈦、鉅、鎢、釩、鉬、鈷、鈮、 鐵、鋁以及矽構成的群組中選出。這些阻氣膜中，與化學 計量組成相比具缺乏氧的膜由於膜的緻密性高，可以更有 效地阻止從薄膜放出的氣體通過。 -26- 200836915 阻氣膜需要形成5〜30nm，較佳形成8〜25nm。若膜厚 不足5nm時，則阻氣功能不充分，若超過30nm，則與金屬 膜的黏合力低，因而不佳。阻氣膜（D)、金屬膜（B)以及氧 化物膜（C)如果是可以由同一 Ni類金屬靶製造的膜，則由 於可以採用單個靶和單陰極製造耐熱遮光薄膜，與降低製 造成本相關，因而是較佳的。 2.耐熱遮光薄膜的製造方法 本發明的耐熱遮光‘薄膜的製造方法特徵在於：將具有 ^ 算術平均高度Ra爲0.2〜0.8 // m的表面粗糙度的樹脂薄膜 基材（A)置於濺射裝置中，在惰性氣體環境下進行濺射，在 樹脂薄膜基材（A)上形成Ni類金屬膜（B)，然後，向惰性氣 體環境中通入氧氣，同時進行濺射，在Ni類金屬膜（B)上 形成Ni類氧化物膜（C)，製得耐熱遮光薄膜。 本發明的耐熱遮光薄膜，在上述樹脂薄膜基材的表面 上，通過濺射法形成Ni類金屬膜，在該Ni類金屬膜上， φ 通過濺射形成具有防止反射效果的Ni類氧化物膜。在本發 明中，由於Ni類金屬膜和低反射性Ni類氧化物膜通過濺 射法形成，與油墨塗敷法和真空蒸鍍法相比，具有膜的緻 密性更好，與下層（基板或膜）的黏合性更好的特徵。 當將耐熱遮光薄膜在200°C的高溫環境下使用時，這種 性質很顯著。當通過油墨塗敷法或者真空蒸鍍法形成時’ 發現有膜脫離或者由於膜的氧化而導致的色度變化，當如 本發明通過濺射法形成膜時，不存在這種危險。 -27- 200836915 在本發明中，耐熱遮光薄膜如上所述通過濺射法在樹 脂薄膜基材上形成金屬膜和低反射性氧化物膜而製造。濺 射法是在基材上形成蒸氣壓低的材料的膜時或者需要控制 精密的膜厚時有效的薄膜形成方法。通常爲下述方法’在 約10Pa以下的Μ氣壓下’以基材作爲陽極’將成爲膜的原 料的濺射靶作爲陰極，在它們之間引發輝光放電’使其產 生氬電漿，電漿中的氬陽離子撞撃陰極的濺射靶，將濺射 靶成分的粒子衝撃飛出，使該粒子堆積在基材上而成膜。 濺射法根據氬電漿的發生方法進行分類，採用高頻電 漿的爲高頻濺射法，採用直流電漿的爲直流灑射法。此外， 磁控管濺射法是在濺射靶的背面安裝磁鐵，使氬電漿直接 集中在濺射靶上，即使在低氣壓下也可以提高氬離子的撞 擊效率的成膜方法。 在金屬膜和氧化物膜成膜時，可以使用例如第2圖所 示的卷取式濺射裝置。該裝置構造爲：將筒狀的樹脂薄膜 基材1裝於卷出輥4上，通過渦輪分子泵等真空泵5將真 空槽6內抽氣後，從卷出輥4輸出的薄膜1在途中經過冷 卻罐滾筒7的表面，再被卷取輥8卷取。冷卻罐滾筒7表 面的對側設有磁控管陰極9，該陰極中裝有作爲膜原料的 靶10。另外，由卷出輥4、冷卻罐滾筒7、卷取輥8等構成 .的薄膜輸送部通過隔板1 1而與磁控管陰極9相隔離。 首先，將筒狀的樹脂薄膜基材1設置在卷出輥4上， 採用渦輪分子泵等真空泵5將真空槽6內抽氣。然後，由 -28- 200836915 卷出輥4供給樹脂薄膜基材1，途經冷卻罐滾筒7的表面， 被卷取輥8卷取，同時，使冷卻罐滾筒7與陰極之間放電， 使冷卻罐滾筒表面上貼合輸送的樹脂薄膜基材I成膜。另 外’較佳爲樹脂薄膜基材在濺射前要在200°C以上的溫度下 加熱乾燥。 在本發明的耐熱遮光薄膜中，金屬膜層在例如氬氣環 境下通過使用Ni金屬或Ni類合金濺射靶的直流磁控管濺 射法在樹脂薄膜基材上形成膜。 由於純鎳材料通常是強磁體，當上述金屬膜層通過直 流磁控管濺射法成膜時，作用於濺射靶與基材之間的電漿 的濺射耙背面設置的磁鐵的磁力被鎳粑材遮罩，表面所洩 漏的磁場很小，難以使電漿集中而高效地成膜。爲了避免 這種情況，需要採用濺射靶背面設置的磁鐵磁力增強的陰 極，使通過鎳濺射靶的磁場增強而濺射成膜。 但是，即使在採取這種方法的情況下，在生產時也會 φ 產生以下所述的其他問題。即，隨著鎳靶的連續使用，濺 射靶的厚度逐漸減小，濺射靶厚度變薄的部分向電漿空間 洩漏的磁場逐漸增強。一旦向電漿空間洩漏的磁場增強， 造成放電性能改變，從而導致成膜速度發生變化。也就是 說，生產時若長時間連續使用同一鎳靶，則會出現隨著鎳 靶的消耗而使鎳膜的成膜速度發生改變的問題。 因此，在這種情況下，通過使用以鎳爲主要成分，添 加選自鈦、鉅、鎢、釩、鋁以及銅的1種以上元素的鎳類 -29- 200836915 合金材料作爲靶，降低其強磁性，可以避免上述問題，可 以形成上述組成的金屬合金膜。在本發明中，作爲靶，希 望使用添加元素含量爲1〜18原子％範圍的Ni類合金材 料。添加元素含量如上規定的原因是，通過使其含有1原 子％以上，可以極大地弱化其強磁性特性，從而使得即使採 用配置磁力小的一般磁鐵的陰極，也可以進行直流磁控管 濺射成膜。另外，由於濺射靶對磁場的遮罩能力低，因而 濺射靶消耗所依存的向電漿空間洩漏磁場的變化也小，從 而可以以一定的成膜速度進行穩定的成膜。另一方面，使 添加元素含量爲1 8原子％以下的原因是，當含有超過！ 8 原子％添加元素時，則形成過量的金屬間化合物，使濺射祀 脆性增大，會出現濺射時由於熱應力等而發生斷裂，使濺 射不能進行的危險，並且，還存在濺射所得的金屬合金膜 的膜質變差的可能性。 在金屬膜成膜時，成膜時的氣壓根據裝置的種類等而 φ 不同，不能統一地規定，較佳爲1 · 〇 P a以下，例如0.2〜1. 〇 Pa °這樣’即使噴射材料在樹脂薄膜基材上有微量殘留， 在200 °C的高溫環境下也不會由噴射材料、金屬膜、低反射 性氧化物膜的熱膨脹差異而導致膜的脫離。若成膜時的氣 壓不足0.2 Pa，則由於氣壓低而使濺射法中的氬電漿不穩 定，從而導致形成的膜的膜質變差。另外，當成膜時的氣 壓超過1.0 Pa時，由於金屬膜的顆粒變粗，不能形成高緻 密的膜質’使其與樹脂薄膜基材的黏合力減弱，導致膜脫 -30- 200836915 離。此外，成膜時的膜溫度至少需要爲l8(rc以上。這樣可 以製得與具有200 °c以上耐熱性薄膜的黏合力優良且具有 緻密膜質的耐熱遮光薄膜。金屬膜的膜厚，可以通過成膜 時薄膜的輸送速度和向靶施加的電力而進行控制。 另外’成膜過程中樹脂薄膜基材被電漿自然加熱。通 過調節氣壓、向靶施加的電力和薄膜的輸送速度，可以容 易地由從靶向基材射入的熱電子和電漿的熱輻射使成膜過 程中的薄膜基板表面溫度維持在180它以上。氣壓越低，施 加的電力越高，薄膜輸送速度越慢，則由電漿的自然加熱 的加熱效果就越高。即使在成膜時使薄膜與冷卻罐接觸的 情況下，由於自然加熱的影響，薄膜表面的溫度也遠比冷 卻罐溫度高。然而，自然加熱的薄膜表面溫度由於一邊被 冷卻罐冷卻一邊降低，因而在很大程度上也取決於罐的溫 度’若要盡可能利用成膜時自然加熱的效果，則提高冷卻 罐的溫度並減慢輸送速度是很有效的。 另外，若採用不通過冷卻罐冷卻薄膜而濺射成膜的成 膜方法（浮法），則可以有效地利用自然加熱效果。在該方 法中，靶對向的薄膜基材不會在背面冷卻，其在成膜室內 成懸浮狀態而進行成膜。靶和電漿的熱量照射到薄膜上， 由於成膜室爲真空，蓄積的熱量不容易散失，因而可以有 效地加熱。在浮法中，實際270°C以上的自然加熱效果也能 夠很容易地實現。 成膜過程中的基材表面溫度可以通過輻射溫度計進行 -31- 200836915 測定，或者預先在薄膜表面上貼上示溫標籤，成 標籤顏色的變化即可知所達到的溫度。 如上所述，通常，由於聚醯亞胺等樹脂薄膜 含有氧氣和水分，因而在本發明中，在樹脂薄膜 成上述金屬膜之前，較佳通過濺射法形成金屬氧 爲阻氣膜。阻氣膜除了與上述氧化物膜（c)相同組 氧化物膜以外，例如，以選自1種以上元素爲主 不含鎳的氧化物膜也是有效的，該元素從由鈦、 ® 釩、鉬、鈷、鈮、鐵、鋁以及矽構成的群組中選 作爲阻氣膜的氧化物層，可以通過例如在氬 環境下由Ni金屬或者Ni類合金的濺射靶通過直 濺射法形成。在氧化物膜成膜時，成膜時的氣壓 的種類等而不同，因而不能統一地規定，較佳爲 下，例如0.2〜1.0 Pa。若成膜時的氣壓不足0.2 於氣壓低而使濺射法中的氬電漿不穩定，從而導 φ 膜質變差。另外，當成膜時的氣壓超過1.0 Pa時 化物膜的顆粒變粗，不能形成高緻密的膜質，使 膜的黏合力減弱，導致膜脫離。此外，最好成膜 溫度至少需要爲180 t：以上。這樣可以製得具有緻 膜的耐熱遮光薄膜。氧化物膜的膜厚，可以通過 膜的輸送速度和向靶施加的電力而進行控制。這 若形成5〜3 0 n m則是有效的。 樹脂薄膜基材（A)根據需要形成阻氣膜（D)， 膜後觀察 基材大多 基材上形 化物膜作 成的鎳類 要成分的 鉅、鎢、 出。 氣和氧氣 流磁控管 根據裝置 1.0 Pa 以 Pa，貝(J由 致成膜的 ，由於氧 其與金屬 時的薄膜 密氧化物 成膜時薄 些阻氣膜 並形成金 -32- 200836915 屬膜（B)後，再在該金屬膜上形成Ni類氧化物膜（C)。低反 射性的氧化物層可以通過例如在氬氣和氧氣的環境下由N i 金屬或者Ni類合金的濺射靶通過直流磁控管濺射法形 成。在氧化物膜成膜時，成膜時的氣壓根據裝置的種類等 而不同，因而不能統一地規定，較佳爲1 .〇 Pa以下，例如 0.2〜1.0 Pa。若成膜時的氣壓不足0.2 Pa ’則由於氣壓低 而使濺射法中的氬電漿不穩定，從而導致形成的膜的膜質 變差。另外，當成膜時的氣壓超過1.0 Pa時’由於氧化物 膜的顆粒變粗，不能形成高緻密的膜質，使其與金屬膜的 黏合力減弱，導致膜脫離。此外，較佳成膜時的膜溫度至 少爲1 80°C以上。這樣可以製得具有緻密氧化物膜的耐熱遮 光薄膜。氧化物膜的膜厚，可以通過成膜時薄膜的輸送速 度和向靶施加的電力而進行控制。 在氧化物膜的成膜工序中，也可以不更換上述金屬膜 的濺射中所使用的濺射用靶，而使用完全相同的靶。因此’ 在裝置設置上沒有必要更換靶，可以進行連續的濺射，製 造成本下降，並且可以形成以耐熱性樹脂薄膜基材爲中心 的對稱型膜結構，因此，也不會發生由成膜時的膜應力導 致遮光薄膜變形，因而生產性優良。 這樣，可以獲得在基材薄膜一面上形成了金屬膜和氧 化物膜的耐熱遮光薄膜。若要獲得在兩面上形成金屬膜和 氧化物膜的耐熱遮光薄膜，則進一步置於上述濺射裝置 中，同樣地通過濺射在樹脂薄膜基材的背面依次形成金屬 -33- .200836915 膜和氧化物膜。 另外，爲了進行金屬膜與氧化物膜的成膜’例示了薄 膜卷取式濺射裝置，對連續成膜的方法進行了詳細說明， 但是本發明並不局限於這些，也可以採用成膜時不移動基 材薄膜的分批式成膜方法。此時，需要進行環境氣體的更 換、薄膜的輸入·停止操作，因而很繁瑣。此外’還可以不 將基材薄膜卷成卷狀，而以切割成規定大小的狀態固定在 裝置內。 ^ 3.耐熱遮光薄膜的用途 本發明的耐熱遮光薄膜可以作爲光圈材料或光量調節 裝置使用。 當用作爲數位照相機、數位攝影機的固定光圈、快門 葉片、光圈葉片或者液晶投影機的光量調節裝置用光圈葉 片時，只要進行不會產生端面裂縫的沖孔加工即可。第3 圖是顯示裝載了進行沖孔加工後耐熱遮光葉片1 2的光圈 φ 裝置的光圈機構的示意圖。耐熱遮光葉片12設有導向孔13 和孔1 7，孔1 7用於裝配在與驅動馬達卡合的導向銷1 4和 設有控制遮光葉片運行位置的銷1 5的基板1 6上。另外， 基板1 6的中央具有允許燈光通過的開口部1 8，遮光葉片根 據光圈裝置的結構而可以爲各種形狀。此外，本發明的耐 熱遮光薄膜由於以樹脂薄膜作爲基材，因而實現了輕量 化，可以使驅動遮光葉片的驅動部件小型化並降低耗電量。 [實施例] -34- 200836915 接下來，採用實施例、比較例對本發明進行具體的說 明。另外，所得耐熱遮光薄膜的評價通過以下方法進行。 (光密度、反射率） 採用分光光度計，測定波長爲3 80nm〜7 80nm可見光區 的遮光性和反射率。遮光性由通過分光光度計測定的透光 率（T)按照以下的公式換算。 光密度=Log(l/T) \ 0 爲了獲得完全的遮光性，波長爲3 80〜7 80nm處的光密 度需要達到4以上。 (表面光澤度） 表面光澤度採用光澤度計按照IIS Z 874 1進行測定。 若表面光澤度不足5 %，則光澤度爲良好。、 (摩擦係數） 靜摩擦係數和動摩擦係數按照Π S D 1 8 9 4進行測定。當 靜摩擦係數和動摩擦係數爲〇 . 3以下時爲良好（〇），超過 • 0.3的爲不夠好（X)。 (表面粗糙度） 通過表面粗糙度計測定所得耐熱遮光薄膜的算術平均 局度R a。 (耐熱性） 所得耐熱遮光薄膜的耐熱性能按照以下的程式進行評 價。將製作的耐熱遮光薄膜在設定加熱至220 °C的烘箱 (a d v a n t e c h公司製造）中放置2 4小時後，取出。當沒有彎曲 -35· 200836915 和膜變色時評價爲良好（〇），當有彎曲或者膜變色時評價 爲不夠好（X )。 ’ (黏合性） 耐熱試驗後的膜的黏合性按照ns C002 1進行評價。當 沒有膜脫離時評價爲良好（〇），有膜脫離時評價爲不夠好 (X) 〇 (導電性） I 所得耐熱遮光薄膜的表面電阻値按照IIS K691 1進行 測定。 (實施例1) 採用如第2圖所示的卷取式濺射裝置進行金屬遮光薄 膜和金屬氧化物膜的成膜。首先，在冷卻罐滾筒7表面對 側的設有磁控管陰極9的裝置的陰極中，裝上作爲膜原料 的耙1 0。卷出輥4、冷卻罐滾筒7、卷取輥8等構成的的薄 膜輸送部通過隔板1 1與磁控管陰極8相隔離。然後，將筒 φ 狀的樹脂薄膜基材1設置在卷出輥4上。對聚醯亞胺（？1) 薄膜的表面以規定的噴射時間、噴射壓力、輸送速度進行 噴砂加工，在兩面上都形成算術平均高度Ra爲0.5 μ m的 微細凹凸。將該聚醯亞胺（PI)薄膜在濺射前加熱至200°C以 上的溫度進行乾燥。 然後，通過渦輪分子泵等真空泵5將真空槽6內抽氣 後，使冷卻罐滾筒7與陰極之間放電，將樹脂薄膜基材1 與冷卻罐滾筒表面貼合而輸送，同時進行成膜。首先，將 -36- *200836915 以Ni爲主要成分、含6.9原子％”的Ni類合金靶置於陰極 中’由該陰極通過直流濺射法進行金屬膜的成膜。金屬膜 採用純氬氣濺射氣體（純度99.999%)進行成膜。成膜時通過 控制膜的輸送速度和向靶施加的電力來控制金屬膜的厚 度。從卷出輥4輸送出的樹脂薄膜基材1途經冷卻罐滾筒 7的表面，再由卷取輥8卷取。 然後，該Ni類合金靶在設置成陰極的狀態，設置形成 了金屬膜的輥，置於裝置中，由該陰極通過直流濺射法在 金屬膜上形成低反射性金屬氧化物膜。低反射性氧化物膜 採用混合了 2%氧氣的氬氣濺射氣體進行成膜。另外，這種 條件下製得的氧化物膜在透明基材上形成3 0 0 n m左右的厚 度，對其進行光學性能評價，可見光區透光率低至30〜 5 0%，可以確定爲氧缺乏多的膜。成膜時通過控制薄膜的輸 送速度和向靶施加的電力來控制氧化物膜的厚度。從卷出 輥4輸送出的薄膜1途經冷卻罐滾筒7的表面，再由卷取 φ 輥8卷取。這樣，獲得了在樹脂薄膜基材一面上形成了膜 厚爲100nm的金屬膜和膜厚爲50nm的氧化物膜的薄膜。 在金屬膜和氧化物膜的濺射時，薄膜的表面溫度通過 紅外線輻射溫度計，由卷取式濺射裝置的石英玻璃視窗測 定，溫度爲180〜220°C。所得金屬膜、低反射性氧化物膜 的組成，由ICP發光分析和ΕΡΜΑ定量分析可以鑒定，與 靶組成基本相同。 然後，採用另一個輥將薄膜卷回，使沒有成膜的面處 -37· 200836915 於表面一側，通過重複上述濺射工序，製得在厚度爲75 // m 的聚醯亞胺（PI)樹脂薄膜基材兩面上形成了膜厚爲lOOnm 的金屬膜和膜厚爲5 Onm的氧化物膜的耐熱遮光薄膜。通過 在薄膜兩面的每一面上進行如此的成膜，可以製造出以聚 醯亞胺（PI)薄膜基材爲中心的對稱結構的遮光薄膜。 然後，對所製作的耐熱遮光薄膜通過上述方法進行評 價。其結果爲：光密度爲4以上，最大反射率爲1%。表面 光澤度顯示爲3 %以下的低光澤性。靜摩擦係數和動摩擦係 ^ 數爲0.3以下，良好。另外，表面電阻値爲100 Ω /□，表 面算術平均高度爲0.4//m。加熱後耐熱遮光薄膜沒有發生 彎曲，無變色。沒有膜脫離，爲良好。另外，按照IIS K 5 6 00-5-4進行劃痕硬度試驗（鉛筆法），爲足夠的硬度水準Η 以上。遮光性、反射性能、光澤度、摩擦係數與加熱前也 沒有變化。製作的耐熱遮光薄膜的構成、性能一倂列於表 1 ° φ 所得耐熱遮光薄膜光密度、反射率、表面光澤度、耐 熱性、摩擦係數、導電性全都良好，由此可見，這種耐熱 遮光薄膜可以作爲在200°C左右高溫環境下使用的液晶投 影機的光圈等部件使用。 (實施例2) 除了僅將金屬膜的厚度改爲50nm以外，在與實施例1 完全相同的條件下製作耐熱遮光薄膜。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 -38- 200836915 實施例1同樣的方法、條件進行。在與實施例1同樣地進 行金屬膜和氧化物膜的濺射時，薄膜的表面溫度通過紅外 線輻射溫度計，由卷取式濺射裝置的石英玻璃視窗測定， 溫度爲180〜220°c，具有與實施例1同等的薄膜溫度。 其結果是光密度、反射率、光澤度等性能獲得與實施 例1同等的水準。並且，確認表面電阻値爲120 Ω /□，表 面算術平均高度Ra爲〇.4 # m。此外，在220°C 24小時的加 熱試驗後的膜的黏合性評價中，也沒有彎曲和膜的脫離， ® 可見具有與實施例1同等的耐熱性能。摩擦係數方面也是 良好。製得的耐熱遮光薄膜的構成、性能一倂列於表1。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200艺左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例3) 除了僅將金屬膜的厚度改爲150nm以外，在與實施例 1完全相同的條件下製作耐熱遮光薄膜。 φ 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。在與實施例1同樣地進 行金屬膜和氧化物膜的濺射時，薄膜的表面溫度通過紅外 線輻射溫度計，由卷取式濺射裝置的石英玻璃視窗測定’ 溫度爲180〜220 °C，具有與實施例1同等的薄膜溫度。 其結果是光密度、反射率、光澤度等性能獲得與實施 例1同等的水準。並且，確認表面電阻値爲90 Ω /□，表面 算術平均高度Ra爲0.3 # m。此外，’在220°C 24小時的加熱 -39- 200836915 試驗後的膜的黏合性評價中，也沒有彎曲和膜的脫離，可 見具有與實施例1同等的耐熱性能。摩擦係數方面也是良 好。製得的耐熱遮光薄膜的構成、性能一倂列於表1。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200 °C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例4) 除了使用通過改變噴砂表面加工條件而製得的算術平 均高度Ra爲0.2//m的聚醯亞胺薄膜以外，在與實施例1 完全相同的條件下製作耐熱遮光薄膜。其中，聚醯亞胺的 種類、厚度與實施例1相同。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。製得的耐熱遮光薄膜的評價（光 學性能、耐熱性）以與實施例1同樣的方法、條件進行。 φ 其結果是光密度、反射率、光澤度等性能獲得與實施 例1同等的水準。並且，確認表面電阻値爲1 00 Ω /□，表 面算術平均高度Ra爲0.1 /z m。此外，在220°C 24小時的 加熱試驗後的膜的黏合性評價中，也沒有彎曲和膜的脫 離，可見具有與實施例1同等的耐熱性能。摩擦係數方面 也是良好。製得的耐熱遮光薄膜的構成、性能一倂列於表 卜 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高 -40- 200836915 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例5) 除了使用通過改變噴砂表面加工條件而製得的算術平 均高度Ra爲0 · 8 μ m的聚醯亞胺薄膜以外，在與實施例1 完全相同的條件下製作耐熱遮光薄膜。其中，聚醯亞胺的 種類、厚度與實施例1相同。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 | 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220 °C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是光密度、反射 率、光澤度等性能獲得與實施例1同等的水準。並且，確 認表面電阻値爲100 Ω /□，表面算術平均高度Ra爲 0.7 μ m。此外，在220°C 24小時的加熱試驗後的膜的黏合 φ 性評價中，也沒有彎曲和膜的脫離，可見具有與實施例1 同等的耐熱性能。摩擦係數方面也是良好。製得的耐熱遮 光薄膜的構成、性能一倂列於表1。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例6) 除了不在薄膜兩面而僅在一面上進行金屬遮光薄膜和 低反射性氧化物膜成膜以外，在與實施例1完全相同的條 -41- 200836915 件下製作耐熱遮光薄膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時’薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是成膜面的光密 度、反射率、光澤度等性能獲得與實施例丨同等的水準。 並且，確認表面電阻値爲100 Ω /□，表面算術平均高度Ra 爲0.4 μ m。此外，在220°C 24小時的加熱試驗後進行膜 黏合性的評價時，沒有膜的脫離，可見具有與實施例1同 等的耐熱性能。摩擦係數方面也是良好。 至於彎曲，經加熱試驗，產生了一些，將加工成5 cm 見方的樣品置於平面上，最大發生了 2mm的彎曲。這是由 僅在一面上成膜而產生的膜應力造成的影響。若具有這種 φ 程度的彎曲，在作爲光圈使用時，可以通過在支持基材上 進行多處接合固定而使用。製得的耐熱遮光薄膜的構成、 性能一倂列於表1。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在2 00 °C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例7) 在製作金屬膜和低反射性氧化物膜時，採用含5原子％ 量的W的Ni類合金靶，與實施例1〜6同樣地試製耐熱遮 -42- 200836915 光薄膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率 在3 OOnm的厚度下爲20〜50 %，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 其結果是，可以製成具有與實施例1〜6同樣的光學性 能、耐熱性的遮光薄膜。摩擦係數方面也是良好。並且， 確認表面電阻値爲120 Ω /□，表面算術平均高度Ra爲 0.4 // m。當採用W的量爲14原子％的Ni類合金靶時也是 同樣的。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圏等部件使用。 (實施例8) 採用以Ni爲主要成分，且含9.0原子％Ti的Ni類合金 φ 靶，按照與實施例1〜5同樣的條件、構成製作耐熱遮光薄 膜。另外，金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光 率在30 Onm的厚度下爲25〜43 %，是氧缺乏多的低透光率 膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 -43- 200836915 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是光密度、反射 率、光澤度等性能獲得與實施例1同等的水準。摩擦係數 方面也是良好。並且，確認表面電阻値爲100 Ω /□，表面 算術平均高度Ra爲0.3 μ m。此外，在220°C 24小時的加 熱試驗後進行膜黏合性的評價時，沒有彎曲和膜的脫離， 可見具有與實施例1同等的耐熱性能。 $ 由此可見’這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例9) 在製作金屬膜和低反射性氧化物膜時，採用含6原子％ 量的Ti的Ni類合金靶，與實施例8同樣地試製耐熱遮光 薄膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 3 OOnm的厚度下爲25〜55%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 φ 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 其結果是，可以製成具有與實施例1〜6同樣的光學性 能、耐熱性，表面電阻値爲1 00 Ω /□，表面算術平均高度 Ra爲0.3 /zm的遮光薄膜。摩擦係數方面也是良好。另外’ 當採用Ti的量爲18原子％的Ni類合金靶時也是同樣的。 因此，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在20CTC左右高溫環 -44- •200836915 境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例10) 採用以Ni爲主要成分，且含2.3原子％1^的Ni類合金 靶，按照與實施例1〜5同樣的條件、構成製作耐熱遮光薄 膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 300 nm的厚度下爲23〜40%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是光密度、反射 率、光澤度等性能獲得與實施例1同等的水準。摩擦係數 方面也是良好。並且，確認表面電阻値爲400 Ω /□，表面 算術平均高度R a爲0.3 // m。此外，在2 2 0 °C 2 4小時的加 φ 熱試驗後進行膜黏合性的評價中，沒有彎曲和膜的脫離， 可見具有與實施例1同等的耐熱性能。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200 °C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例11) 在製作金屬膜和低反射性氧化物膜時，採用含1原子％ f 量的Ta的Ni類合金靶，與實施例8同樣地試製耐熱遮光 薄膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 -45- 200836915 3 OOnm的厚度下爲18〜54%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 其結果是，可以製成具有與實施例1〜6同樣的光學性 能、耐熱性，表面電阻値爲400 Ω /□，表面算術平均高度 Ra爲0.3/zm的遮光薄膜。摩擦係數方面也良好。當採用 ^ Ta的量爲5原子％的Ni類合金靶時也是同樣的。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200 °C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例12) 採用以Ni爲主要成分，且含7.9原子％乂的Ni類合金 靶，按照與實施例1〜5同樣的條件、構成製作耐熱遮光薄 膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 φ 3 OOnm的厚度下爲35〜65%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是光密度、反射 率、光澤度等性能獲得與實施例1同等的水準。並且，確 -46- 200836915 認表面電阻値爲5 〇 〇 Ω / □’表面算術平均局度R a爲 0.4wm。摩擦係數方面也是良好。此外’在220它 24小時 的加熱試驗後進行膜黏合性的評價中’沒有彎曲和膜的脫 離，可見具有與實施例1同等的耐熱性能。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在2 0 0 °c左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例13) 在製作金屬膜和低反射性氧化物膜時，採用含6原子％ ^ 量的V的化類合金靶，與實施例8同樣地試製耐熱遮光薄 膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 30 Onm的厚度下爲33〜56%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 φ 其結果是，可以製成具有與實施例1〜6同樣的光學性 能、耐熱性，表面電阻値爲500 Ω /□，表面算術平均高度 Ra爲0.4/zm的遮光薄膜。摩擦係數方面也是良好。當採 用V的量爲18原子％的Ni類合金靶時也是同樣的。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例14) 採用以Ni爲主要成分，且含9.1原子％ A1的Ni類合金 -47- 200836915 靶，按照與實施例1〜5同樣的條件、構成製作耐熱遮光薄 膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 300nm的厚度下爲36〜5 6%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計’由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 ^ 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是光密度、反射 率、光澤度等性能獲得與實施例1同等的水準。並且，確 認表面電阻値爲 80 Ω / □，表面算術平均高度 Ra爲 0.3 /z m。摩擦係數方面也是良好。此外，在220°C 24小時 的加熱試驗後進行膜黏合性的評價中，沒有彎曲和膜的脫 離，可見具有與實施例1同等的耐熱性能。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在20(TC左右高 Φ 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例15) 在製作金屬膜和低反射性氧化物膜時，採用含6原子％ 量的A1的Ni類合金靶，與實施例8同樣地試製耐熱遮光 薄膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 3 OOnm的厚度下爲25〜54%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 -48 -
200836915 射裝置的石英玻璃視窗測定’溫度爲180〜220°C，具 實施例1同等的薄膜溫度。 其結果是，可以製成具有與實施例1〜6同樣的光 能、耐熱性，表面電阻値爲80 Ω /□，表面算術平均 Ra爲0.3 /z m的遮光薄膜。摩擦係數方面也是良好。 用A1的量爲16原子％的Ni類合金靶時也具有同樣的衡 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例16) 採用以Ni爲主要成分且含6.9原子％W的Ni類 靶，除了僅僅使成膜時的氣壓爲0.2 Pa以外，按照與 例1同樣的條件、構成製作耐熱遮光薄膜。金屬膜上 的氧化物膜單膜的可見光區透光率在3OOnm的厚度下 〜44%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具 實施例1同等的薄膜溫度。 以與實施例1同樣的方法、條件進行評價的結果 光密度、反射率、光澤度、耐熱性等各性能獲得與實 1同等的水準。摩擦係數方面也是良好。並且，確認 電阻値爲100Ω /□，表面算術平均高度Ra爲〇.3 // r 僅使成膜時的氣壓爲0·5 Pa、0.7 Pa、1.0 Pa時，也具 有與 學性 高度 當採 号果。 右局 合金 實施 形成 爲17 濺射 式濺 有與 :是： 施例 :表面 η 〇當 :有同 -49- 200836915 樣的結果。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200 °C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 (實施例17) 除了使聚醯亞胺的厚度改爲1 2.5 // m以外，以與實施 例1完全相同的條件製作耐熱遮光薄膜。聚醯亞胺薄膜的 表面粗糙度與實施例1的相同。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 ^ 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是反射率、光澤 度等性能獲得與實施例1同等的水準。光密度爲4以上， 最大反射率爲1 %，表面光澤度爲3 %以下。並且，確認表 φ 面電阻値爲100Ω/□，表面算術平均高度Ra爲0.4/zm。 在220°C 24小時的加熱試驗後進行膜黏合性的評價中，也 沒有彎曲和膜的脫離，可見具有與實施例1同等的耐熱性 會g 。 所得耐熱遮光薄膜的光密度、反射率、表面光澤度、 耐熱性、摩擦係數、導電性全都是良好，由此可見，這種 耐熱遮光薄膜可以作爲在200 °C左右高溫環境下使用的液 晶投影機的光圈等部件使用。 -50- 200836915 此外，當聚醯亞胺薄膜的厚度改爲25 /z m、38 # m時， 可知也能夠製得同等性能的耐熱遮光薄膜。 (實施例18) 除了採用純Ni靶製作金屬膜和低反射性氧化物膜以 外，以與實施例1完全相同的條件製作遮光薄膜。金屬膜 上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在3OOnm的厚度 下爲20〜50%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是光密度、反射 率、光澤度等性能獲得與實施例1同等的水準。摩擦係數 方面也是良好。並且，確認表面電阻値爲900 Ω /□，表面 φ 算術平均高度Ra爲0.3 // m。此外，在220°C 24小時的加 熱試驗後進行膜黏合性的評價中，也沒有彎曲，但是發現 輕微的脫離。若對脫離部位通過掃描型電子顯微鏡進行觀 察，發現在金屬膜與聚醯亞胺膜介面處脫離。可見，當採 取金屬膜爲Ni膜，低反射性氧化物膜爲NiO膜的構成時， 會出現不能獲得耐熱性筒且密合性局的遮光薄膜的情況。 製作的耐熱遮光薄膜的構成、性能一倂列於表1。 由此可見’這種耐熱遮光薄膜雖然可以用於在常溫下 -51- ‘200836915 使用的許多光學類用途，但是不適合用作爲在20(TC左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件。 (實施例19) 採用以Ni爲主要成分且含6.9原子％W的Ni類合金 靶’除了僅僅使成膜時的氣壓爲1.2 Pa，形成氧化物膜時 向濺射氣體中通入氧氣的量爲0.5 %以外，按照與實施例1 同樣的方法、構成製作耐熱遮光薄膜。金屬膜上形成的氧 化物膜單膜的可見光區透光率在300nm的厚度下爲26〜 ® 45%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 以與實施例1同樣的方法、條件進行評價的結果是： 光密度、反射率、光澤度獲得與實施例1同等的水準。摩 φ 擦係數方面也是良好。並且，確認表面電阻値爲100 Ω /匚]， 表面算術平均高度Ra爲0.3 μ m。耐熱試驗後的黏合試驗 中發生輕微脫離。 由此可見，這種遮光薄膜雖然可以用於在常溫下使用 的許多光學類用途，但是不適合用作爲在200 °C左右高溫環 境下使用的液晶投影機的光圈等部件。 (實施例20) 除了使聚醯亞胺的厚度改爲5〇um，金屬膜和氧化物膜 -52- 200836915 形成時使用含5原子％Cii的Ni類合金靶以外，以與實施例 1完全相同的條件製作耐熱遮光薄膜。金屬膜上形成的氧 化物膜單膜的可見光區透光率在300nm的厚度下爲23〜 5 0%，是氧缺乏多的低透光率膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是反射率、光澤 度等性能獲得與實施例1同等的水準。摩擦係數方面也是 良好。光密度爲4以上，最大反射率爲1%，表面光澤度爲 3 %以下。並且，確認表面電阻値爲100 Ω /□，表面算術平 均高度Ra爲0.4 μ m。在22(TC 24小時的加熱試驗後進行 膜黏合性的評價中，也沒有彎曲和膜的脫離，可見具有與 • 實施例1同等的耐熱性能。 所得耐熱遮光薄膜光密度、反射率、表面光澤度、耐 熱性、摩擦係數、導電性全都是良好，由此可見，這種耐 熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高溫環境下使用的液晶 投影機的光圈等部件使用。 (實施例21) 除了使聚醯亞胺的厚度改爲1 25 μπι，金屬膜的厚度改 爲25 0nm，金屬氧化物膜的厚度改爲240nm以外，以與實 -53- ‘200836915 施例1完全相同的條件製作耐熱遮光薄膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是反射率、光澤 度等性能獲得與實施例1同等的水準。摩擦係數方面也是 ^ 良好。光密度爲4以上，最大反射率爲1 %，表面光澤度爲 3%以下。並且，確認表面電阻値爲100 Ω /□，表面算術平 均高度Ra爲0.4 /z m。在220°C 24小時的加熱試驗後進行 膜黏合性的評價中，也沒有彎曲和膜的脫離，可見具有與 實施例1同等的耐熱性能。 所得耐熱遮光薄膜光密度、反射率、表面光澤度、耐 熱性、摩擦係數、導電性全都是良好，由此可見，這種耐 φ 熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高溫環境下使用的液晶 投影機的光圈等部件使用。 (比較例1) 除了使用改變了噴砂表面加工條件而製作的算術平均 高度Ra爲0.1 μ m的聚醯亞胺薄膜以外，以與實施例2完 全相同的條件製作耐熱遮光薄膜。其中聚醯亞胺的種類、 厚度與實施例2中相同。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 -54- 200836915 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜2_20°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製作的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是：光密度獲得 與實施例2相同的4以上的結果，但是反射率最大顯示爲 1 5 %，光澤度顯示爲25 %，與實施例2相比，是反射率和光 澤度更大的耐熱遮光薄膜。摩擦係數方面也是良好。並且， 1 確認表面電阻値爲120 Ω /□，表面算術平均高度 Ra爲 0.03 // m。在220°C 24小時的加熱試驗後進行膜黏合性的 評價時，沒有彎曲和膜的脫離。所製作的耐熱遮光薄膜的 構成、性能一倂列於表1。 如將這種反射率或光澤度値很大的耐熱遮光薄膜用於 快門葉片等時，由於受到表面反射的影響而無法使用。 .(比較例2) φ 除了使用改變了噴砂表面加工條件而製作的算術平均 高度Ra爲1.0 μ m的聚醯亞胺薄膜以外，以與實施例2完 全相同的條件製作耐熱遮光薄膜。其中聚醯亞胺的種類、 厚度與實施例2中相同。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 -55- 200836915 製作的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是：反射率爲1% 以下，光澤度爲3%以下，獲得與實施例2相同的結果，但 光密度顯示爲2，與實施例2相比，是光密度更小的耐熱 遮光薄膜。摩擦係數方面也是良好。並且，確認表面電阻 値爲120Ω/□，表面算術平均高度Ra爲0.9#m。在220 °C 24小時的加熱試驗後進行膜黏合性的評價時，沒有彎 | 曲和膜的脫離。所製作的耐熱遮光薄膜的構成、性能一倂 列於表1。 因此，這種光密度小的耐熱遮光薄膜，若與實施例相 比.，由於會通過相當一部分光，不僅是液晶投影機的光圈 部件，很多光學用途中都不能應用。 (比較例3) 除了使用厚度爲75//m的PET薄膜代替聚醯亞胺薄膜 作爲樹脂薄膜以外，按照與實施例1同樣的條件、構成製 φ 作耐熱遮光薄膜。在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化 物膜的濺射時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計， 由卷取式濺射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220 °C，具有與實施例1同等的薄膜溫度。 所得耐熱遮光薄膜光密度爲3，反射率爲2%以上，光 澤度爲5 %，並且，確認了表面電阻値爲1 5 0 Ω /□，表面算 術平均高度Ra爲0.5//m。摩擦係數方面爲不良。表面的 波紋、皺褶非常大，不適合用作爲在200°C左右高溫環境下 -56- 200836915 使用的液晶投影機的光圈等葉片部件。 又，作爲樹脂薄膜在使用PEN薄膜、PC薄膜的場合也 具有同樣的結果。 (比較例4) 除了不形成氧化物膜而僅形成金屬膜以外，通過與實 施例1同樣的方法製作耐熱遮光薄膜。在與實施例1同樣 地進行金屬膜的濺射時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射 溫度計，由卷取式濺射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲 ® 180 〜220。。。 所得耐熱遮光薄膜表面算術平均高度Ra爲0.4//m， 光密度爲4以上，表面電阻値爲100 Ω/□，具有充分的遮 光性和導電性。但是，最大反射率高達1 1 %，光澤度高達 15%。這是因爲表面是高反射性的金屬膜。由於反射率高， 若作爲棱鏡單元的光學部件使用，則反射光會發生散射， 因而不佳。 φ 另外，按照JIS K5 600 — 5 — 4進行劃痕硬度試驗（鉛筆 法）時，爲HB水準，與上述所有實施例（H以上）相比，硬 度都要小。這是因爲在比較例4中表面是金屬膜，而在實 施例中，是具有硬度的氧化物膜。因此’若作爲光量調節 裝置或快門的葉片部件使用，葉片部件之間相互摩擦將引 起膜的損傷，並進一步成爲遮光性變差的主要原因。 此外，在220°C 24小時的加熱試驗後進行膜黏合性的 評價時，觀察到顯著的膜脫離。膜脫離發生後的光密度爲 -57- 200836915 3，摩擦係數爲不良。 這種耐熱遮光薄膜不能作爲棱鏡單元側使用的遮光部 件使用，並且由於耐熱性差，也不適合用作爲在200°C左右 高溫環境下使用的液晶投影機的光圈等葉片部件。 (比較例5) 除了使金屬膜的厚度改爲30nm以外，以與實施例1 完全相同的條件製作耐熱遮光薄膜。 在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜的濺射 ® 時，薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷取式濺 射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲180〜220°C，具有與 實施例1同等的薄膜溫度。 製作的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是：反射率、光 澤度等性能獲得與實施例1同等的水準。光密度爲2，確 定有少量光透過。摩擦係數方面也與實施例1同等。並且， φ 確認表面電阻値爲 100 Ω /□，表面算術平均高度Ra爲 0.4 /z m。在220°C 24小時的加熱試驗後進行膜黏合性的評 價中，也沒有彎曲和膜的脫離，可見具有與實施例1同等 的耐熱性能。所製作的耐熱遮光薄膜的構成、性能一倂列 於表1。 由此可見，這種光密度小的耐熱遮光薄膜，由於有少 量的光透過，因而不能作爲數位照相機和液晶投影機的光 圈部件使用。 -58- .200836915 (實施例22) 在樹脂薄膜上形成金屬膜之前，形成阻氣膜，並且改 變金屬膜和金屬氧化物膜的厚度，使金屬膜爲13 Onm，最 表層的金屬氧化物膜爲6 5 n m，除此以外，與實施例1同樣 地製作耐熱遮光薄膜。樹脂薄膜採用種類、表面粗糙度與 實施例1相同但厚度爲125//m的聚醯亞胺薄膜。阻氣膜與 金屬膜上所形成的金屬氧化物膜同等，採用20nm厚度的鎳 類氧化物膜。即，阻氣膜、金屬膜、金屬氧化物膜採用同 一鎳類合金粑，阻氣膜和最表層的金屬氧化物膜通過向濺 射氣體中通入氧氣的反應性濺射法進行成膜，遮光性的金 屬膜在僅爲氬氣的濺射氣體中進行濺射成膜。 在以與實施例1同樣的方法進行阻氣膜、金屬膜和氧 化物膜的濺射時，測定薄膜的表面溫度，溫度爲1 80〜220 °C，具有與實施例1同等的薄膜溫度。 將所得遮光薄膜通過與實施例1同樣的方法進行評 價，可知製得了光密度爲4以上，3 80〜7 80nm波長的最大 反射率爲2 % ’最小反射率爲1.5%，光澤度爲3%以下的遮 光薄膜。並且對耐熱性也同樣地進行評價，得到與實施例 1完全相同的結果。此外，確認表面電阻値爲5 Ω /□，表 面算術平均筒度R a爲0.4 # ni。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用。 此外，將該耐熱遮光薄膜在8 5 °C、9 0 % R Η下進行1 〇 0 0 -59-
200836915 小時的恆溫恆濕試驗’光密度、最大反 色度、表面電阻完全沒有發生變化。 (實施例23) 除了將阻氣膜的厚度改爲5nm以外 地製作耐熱遮光薄膜。與實施例22同樣 下進行1 000小時的恆溫恆濕試驗’光密 表面電阻完全沒有發生變彳匕°當將δ 10nm、30nm時也是同樣的。 (實施例24) 除了不在樹脂薄膜基材上形成阻氣 以外，按照與實施例22同樣的方法、構 膜。在以與實施例1同樣的方法進行阻 化物膜的濺射時，測定薄膜表面溫度， 將所得遮光薄膜通過與實施例1 價，可知製得了光密度爲4以上，3 80 -大反射率爲2 %，最小反射率爲1 · 5 %， 遮光薄膜。並且對耐熱性也同樣地進朽 例1完全相同的結果。此外，確認表恒 表面算術平均高度Ra爲0.4 # m。 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等音| 此外，將該耐熱遮光薄膜在85 °C、 小時的恆溫恆濕試驗時，光密度沒有g ί率、最小反射率、 ，與實施例22同樣 :地在 85°C、90%RH 度、反射率、色度、 i氣膜的厚度改爲 膜，而形成金屬膜 :造製造耐熱遮光薄 L氣膜、金屬膜和氧 爲 180 〜220〇C。 同樣的方法進行評 ^780nm波長處的最 光澤度爲3%以下的 F評價，得到與實施 ί電阻値爲5 Ω / □ ’ 作爲在200°C左右高 5件使用。 90%RH下進行1〇〇〇 _化，但是發現了一 -60- .200836915 些色度變化，由黑色變爲暗的深藍色。在3 80〜78 Onm處進 行分光測定時，最大反射率升高到5 %，最小反射率下降到 0.2%，發現反射率對波長的依附性很大。將試驗後的耐熱 遮光薄膜的截面通過ΤΈΜ觀察和EDX進行局部組成分析 時，發現金屬膜的樹脂薄膜一側，部分區域（10〜20nm)進 入了 3〜8%左右的氧氣。這種金屬膜由於構成光學性能不 同的二層結構，因而被認爲是發現上述反射率變化的原因。 即使具有這種色度的變化，但最大反射率仍爲5%以 1 下，因而足夠可以被應用，然而，對於對色度變化敏感的 用途，如實施例22、23所示，插入阻氣膜是有效的。 (實施例25) 將實施例23中形成的阻氣膜（鎳類氧化物膜）替換爲氧 化矽膜（膜厚30nm)的濺射膜，試製耐熱遮光薄膜，在85°C、 90%RH下進行1000小時的恆溫恆濕試驗時，沒有色度和反 射率的變化，可見作爲阻氣膜有效地發揮了作用。 φ 當阻氣膜替換爲氧化鉅（膜厚1 Onm)、氧化鎢（膜厚 10nm)、氧化釩（膜厚30nm)、氧化鉬（膜厚20nm)、氧化銘（膜 厚10nm)、氧化鈮（膜厚10nm)、氧化鐵（膜厚10nm)或者氧 化鋁（膜厚3 0nm)的濺射膜而試製耐熱遮光薄膜時，也是同 樣的。 (實施例26) 除了使氧化物膜成膜時濺射氣體中通入的氧氣量爲 10 %以外，在與實施例1完全相同的條件下製作耐熱遮光薄 -61 - 200836915 膜。金屬膜上形成的氧化物膜單膜的可見光區透光率在 300nm的厚度下爲71〜82%’是氧缺乏少的高透光率膜。 製得的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。在與實施例1同樣地進 行金屬膜和氧化物膜的濺射時，薄膜的表面溫度通過紅外 線輻射溫度計，由卷取式濺射裝置的石英玻璃視窗測定， 溫度爲180〜220 °C，具有與實施例1同等的薄膜溫度。 其結果是：確認光密度爲4以上，具有充分的遮光性。 ^ 此外，可見光區的最大反射率爲7%，光澤度爲15%，與實 施例1相比更高，呈黃土色。.並且，確認表面電阻値爲i 20 Ω/□，表面算術平均高度Ra爲0.4//m。此外，在22(TC 24 小時的加熱試驗後進行膜黏合性的評價中，也沒有彎曲和 膜脫離，可見具有與實施例1同等的耐熱性能。製得的耐 熱遮光薄膜的構成、性能一倂列於表1。 對該耐熱遮光薄膜進行燈照試驗。在離裝有反射鏡的 φ 200 W超高壓汞燈（UHE燈）20cm位置，面朝光源設置5cm(t) 的耐熱遮光薄膜，通過輻射溫度計測定光照1小時時溫度 上升情況，實施例26的耐熱遮光薄膜升溫至85 °C。 對實施例1〜25的耐熱遮光薄膜進行同樣的照射試 驗，升溫至190〜200°C，可見實施例.26的光照升溫較少。 射 的 熱度 對溫 膜了 物制 化抑 氧， 上反 面地 表效 膜有 薄線 光射 遮熱 熱對 耐膜 在屬 蓋金 覆， ， 少 爲收 因吸。 是的高 這線升 -62- .200836915 由此可見，這種耐熱遮光薄膜可以作爲在200°C左右高 溫環境下使用的液晶投影機的光圈等部件使用，特別是作 爲設置於燈光源旁的遮光部件可以特別有效的利用。 (實施例27) 採用氧化物膜成膜時向濺射氣體中通入的氧氣量增加 至5〜10%、單膜的可見光區透光率高（65〜7 8%)的氧化物 膜，使其厚度爲l〇nm，除此以外，在與實施例1完全相同 | 的條件下製作耐熱遮光薄膜。 耐熱性和遮光性與實施例1同等，而可見光區的最大 反射率爲4%，光澤度爲7%，根據通入氧氣的量，呈現藍 色或紅色。與實施例26同樣地進行燈光照射試驗，溫度上 升至95 °C，比實施例1〜25低。並且，這種趨勢，當氧化 物膜厚度爲5nm時也是相同的。 由此可見，可以作爲燈光源旁的遮光部件使用。 (實施例28) φ 採用以Ni爲主要成分且含6.9原子％W的Ni類合金 靶，使冷卻罐溫度爲0°C，成膜時薄膜基材表面溫度爲150 °C，除此以外，按照與實施例1同等的方法、構造製作耐 熱遮光薄膜。在與實施例1同樣地進行金屬膜和氧化物膜 的濺射時’薄膜的表面溫度通過紅外線輻射溫度計，由卷 取式濺射裝置的石英玻璃視窗測定，溫度爲1 50°C。 製作的耐熱遮光薄膜的評價（光學性能、耐熱性）以與 實施例1同樣的方法、條件進行。其結果是：光密度顯示 -63- 200836915 爲4，最大反射率爲1 %，光澤度爲3 %以下。並且，確認表 面電阻値爲100Ω/□，表面算術平均高度Ra爲0.4/zm。 此外，在220°C 24小時的加熱試驗後的膜的黏合性評價時， 彎曲大，是膜的黏合性非常差的結果，觀察到由膜的脫離 導致的遮光性下降。摩擦係數爲良好。製得的耐熱遮光薄 膜的構成、性能一倂列於表1。 這種耐熱遮光薄膜由於在120 °C以下的耐熱試驗（24小 時）中爲良好，因而可以作爲在常溫至100°C左右使用的多 1 種遮光部件使用，但是不適合用作爲在200°C左右高溫環境 下使用的遮光部件。 (實施例29) 對實施例1〜28中製作的耐熱遮光薄膜進行沖孔加 工，製作20mmx 3 0mm的遮光葉片。1片遮光葉片的重量爲 O.Olg，將2片遮光葉片裝載在光圈裝置中，進行耐久試驗。 在耐久試驗中，在燈光照射的同時，在遮光葉片的運 φ 動範圍最大和最小開口徑的範圍內重複幾萬次，評價遮光 葉片運動時遮光葉片的耐熱性和耐磨損性。 沒有出現由試驗磨損導致的遮光葉片外觀上的變化’ 光圈裝置內沒有發現由磨損產生的異物附著。因此，可以 實現摩擦、磨損和噪音小，以及樹脂薄膜作爲基材而輕量 化，驅動遮光葉片的馬達驅動扭矩減小，滑動性良好。 (比較例6) 除了將遮光葉片替換爲金屬製的SUS箔板以外，與實 -64- 200836915 施例29同樣地將遮光薄膜進行沖孔加X ’以SUS 材製作20mmx30mm的遮光葉片，進行與實施例 評價。遮光葉片的重量爲0.3g。 沒有出現由試驗磨損導致的遮光葉片外觀上 光圈裝置內沒有發現由磨損產生的異物附著。但 光葉片的重量大，使驅動遮光葉片的電機驅動扭 滑動性變差。 箔板爲基 29同樣的 的變化， 是由於遮 :矩增大，
-65- 200836915
遮光薄膜的特性 1 摩擦係數 〇 〇 〇 ο 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 Ο 〇 〇 〇 0 〇 〇 Ο 〇 X X 〇 耐熱性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 Ο 〇 〇 〇 〇 O 〇 〇 〇 〇 〇 X X 〇 〇 Ο 〇 〇 〇 〇 〇 X 〇 〇 X X 〇 光澤度 1 3%以下 1 3%以下 κ- 1 3%以下 1 3%以下 1 3%以下 1 3%以下 1 3%以下 1 3%以下 1 3%以下 I 3%以下 1 3%以下 丨3%以下 丨3%以下 1 3%以下 1 3%以下 3%以下1 3%以下1 3%以下丨 3%以下1 3%以下丨 3%以下1 3%以下1 3%以下1 3%以下[ 15% 1 卜 3%以下丨 25% [ H- m 容 15% 1 3%以下厂 最大反射率 g 2 2 2 2 g 2 g g g g g g g g g g 寸 g 15% [ g <N π% | S 光密度 Γ4以上 1 4以上 1 4以上 厂4以上 丨4以上 1 4以上 1 4以上 i 4以上 1 4以上 1 4以上 1 4以上 1 4以上 | 4以上 1 4以上1 1 4以上1 1 4以上1 4以上| 4以上1 4以上ι 4以上丨 4以上1 4以上1 4以上丨 4以上 4以上丨 4以上1 4以上丨 4以上| 4以上1 <N m 4以上丨 fS 表面電阻 (ΩΟ 〇 § 〇 〇 § Ο 〇 ο o ο 〇 trv § g o 〇 900 1 ο Ο; o in § 〇 〇 § § § Ο ο 0 表面粗糙度 __m_ S 〇 1 寸· B η ro | 1 Ο.ΤμΓη Β 〇 J o ε ο ε 〇 Η ο ε ο Β ο B 〇 S 〇 Β ο B o 1 〇 0.3μιη 1 Β ο ε ο B 0 ε ο £ ο ε ο ε ο Β ο B 〇 B 〇 ε =L s 0 I 0 1 Β ο ε 〇 拒 1 單面厢面 1兩面 1兩面 1兩面 1兩面 1兩面 1單面 1兩面 Η 膣 1兩面 ] 兩面 1兩面 1兩面 1兩面 1 兩面i Γ兩面 1兩面1 1兩面1 1兩面1 兩面1 兩面1 m 膣 膣 兩面1 兩面丨 兩面丨 兩面丨 兩面丨 兩面1 兩面1 兩面1 兩面1 Ε 膣 兩面1 1氧化物膜 厚度 | 50nm | 50nm | 50nm | 50nm 1 50nm | 50nm | 50nm 1 50nm | 50nm 1 50nm 1 50nm 1 50nm | 50nm | 50nm 1 50nm ι | 50nm 50nm 1 50nm 1 50nm 1 50nm 1 240nm | 65nm | 65nm 1 65nm | 65nm | 50nm 1 10nm 1 50nm 1 50nm j 50nm 1 50nm 1 ι 50nm 1 組成 | Ni-W-0 1 Ni-W-0 | Ni-W-0 | Ni-W-0 1 Ni-W-0 | Ni-W-0 | Ni-W-0 1 Ni-Ti-0 | Ni-Ti-0 1 Ni-Ta-0 1 Ni-Ta-O 1 Ni-V-0 | Ni-V-0 1 Ni-Al-0 1 Ni-Al-O | 1 Ni-W-0 1 Ni-W-0 1 Ni-0 1 Ni-0 1 Ni-Cu-0 1 Ni-W-0 1 Ni-W-0 1 Ni-W-0 j Ni-W-0 1 Ni-W-0 1 Ni-W-0 1 Ni-W-0 1 Ni-W-0 1 Ni-W-0 ( Ni-W-0 1 Ni-W-0 1 « Ni-W-0 Γ 1 金屬膜 厚度 1 100nm 1 50nm 1 150nm 1 100nm I lOOnm 1 lOOnm | lOOnm 1 lOOnm 1 lOOnm 1 lOOnm 1 lOOnm | lOOnm 1 lOOnm , 1 lOOnm | lOOnm | 1 lOOnm 1 lOOnm 1 lOOnm 1 lOOnm 1 lOOnm 1 250nm | 130nm 1 130nm | 130nm 1 130nm j lOOnm 1 lOOnm 1 lOOnm 1 50nm 1 50nm 1 lOOnm 1 lOOnm 1 30nm 組成 (莫耳％) 1 Ni-6.9W 1 Ni-6.9W 1 Ni-6.9W I Ni-6.9W I Ni-6.9W 1 Ni-6.9W | Ni-5W,Ni-14W 1 Ni-9.0Ti 1 Ni-6Ti,Ni-18Ti I Ni-2.3Ta I Ni-lW,Ni-5Ta I Ni-7,9V 1 Ni-6V, Ni-18V j 1 ΝΪ-9.1ΑΙ 1 I Ni-6A!, Ni-16All Ni-6.9W__I Ni-6.9W J Ni-6.9W 1 Ni-5Cu I Ni-6.9W 1 Ni-6.9W 1 Ni-6.9W 1 Ni-6.9W J Ni-6.9W I Ni-6.9W 1 Ni-6.9W I Ni-6.9W I Ni-6.9W 1 Ni-6.9W 1 Ni-6,9W 1 Ni-6.9W I Ni-6.9W 1 樹脂薄膜的種類'厚度 表面粗糙度 (Ra) ε 芝 d S o ε ο ε ο 1 ο.δμηι S ο ε ο ε O 1 0,5μπι I 0.5μιη 0.5μηι I 0.5μϊη ε ο ε 5- ο ε 芝 d 0.5μπι 0.5μιη 1 ε ο ε ο 0.5μηι 1 ε ο H 0 B o ε ο ε ο I 0 ε ο 0.5μπι 1 1 〇 ε p 0.5μιη I I 0 B 1? 0 厚度 B 卜 B 卜 1 75μπι 75μηι 75μιη ε 卜 I 75μηι 1 1 JO ε It 75μπι 75μτη | 75μπι ι B «〇 1 75μΓΠ 1 ε ε 者 75μηι I B ε =t I S =L s ε Β iS* cs 75μπι 75μηι ε 卜 75μιη 1 75μπι I 75μιη ε 卜 75μιη 種類 Ε CU Ε Ε cu E 0： ε S： s ε 5： Η： s Η： ε S： Κ Ε H： a： PET、PEN、PC Β： a： i 辑 w 實施例2 辑 m 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 mmm i〇 mmm n mmm η mmm 〇 mmm η try S 握 b施例16 施例π mmm is «Μ 19 mmm 20 h施例21 to施例22 I mmm 23 Κ施例24 mmm 25 mmm 26 Κ施例27 Κ施例28 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 •99_ 200836915 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明耐熱遮光薄膜的剖面圖； 第2圖是演示製造本發明耐熱遮光薄膜時使用的卷取 式濺射裝置的一例的示意圖； 第3圖是使用本發明耐熱遮光薄膜的光圈機構的示意 【主要元件符號說明】
1 樹脂薄膜 2 金屬膜 3 低反射性氧化物膜 4 卷出輥 5 真空槽 7 冷卻罐滾筒 8 卷取輥 9 磁控管陰極 10 靶 11 隔板 12 耐熱遮光葉片 13 導向孔 14 導向銷 15 基板 17 孔 18 開口部 -67-