RU2770906C1 - Method for producing thick-film resistors - Google Patents
Method for producing thick-film resistors Download PDFInfo
- Publication number
- RU2770906C1 RU2770906C1 RU2021137750A RU2021137750A RU2770906C1 RU 2770906 C1 RU2770906 C1 RU 2770906C1 RU 2021137750 A RU2021137750 A RU 2021137750A RU 2021137750 A RU2021137750 A RU 2021137750A RU 2770906 C1 RU2770906 C1 RU 2770906C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- frequency
- resistive
- resistors
- minutes
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Description
Уровень техникиState of the art
Известен способ получения толстопленочных резисторов [1], согласно которому резистор изготавливают традиционными методами толстопленочной технологии, включающими последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев, их сушку и вжигание в воздушной атмосфере, причем сначала наносят первый резистивный слой, а затем поверх резистивного слоя второй проводниковый слой, при этом для формирования проводниковых слоев используют проводниковую пасту, включающую агент -восстановитель (бор, алюминий и другие), или вещество, разлагающееся при вжигании с образованием такого восстановителя (борида никеля и др.), а для формирования резистивного слоя пасту, содержащую порошок стекла, или стеклокерамическую композицию и органическое связующее.There is a known method for producing thick-film resistors [1], according to which the resistor is manufactured by traditional methods of thick-film technology, including sequential screen printing of a conductive and resistive layer on an insulating substrate, their drying and burning in an air atmosphere, with the first resistive layer being applied first, and then over of the resistive layer, the second conductor layer, while to form the conductor layers, a conductive paste is used, including a reducing agent (boron, aluminum, etc.), or a substance that decomposes upon burning to form such a reducing agent (nickel boride, etc.), and to form a resistive a layer of paste containing glass powder, or a glass-ceramic composition and an organic binder.
Недостатком технологии является недостаточно высокий выход годных кристаллов и относительно низкий термический коэффициент сопротивления, обусловленный неоднородным распределением компонентов в теле резистора.The disadvantage of the technology is the insufficiently high yield of suitable crystals and the relatively low thermal coefficient of resistance, due to the inhomogeneous distribution of components in the body of the resistor.
Известен способ изготовления прецизионных чип - резисторов по гибридной технологии, защищенный патентом [2]. Отличием предлагаемого способа является формирование электродных контактов на тыльной стороне подложки, что усложняет технологический процесс и снижает выход годных компонентов за счет неоднородности резистивного слоя.There is a method for manufacturing precision chip resistors using hybrid technology, protected by a patent [2]. The difference of the proposed method is the formation of electrode contacts on the back side of the substrate, which complicates the technological process and reduces the yield of suitable components due to the inhomogeneity of the resistive layer.
За прототип был взят способ изготовления толстопленочных резистивных элементов [3], включающий последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующим вжиганием в воздушной атмосфере. В известном способе чередуют нанесение проводникового слоя с вжиганием его на отдельном участке изолирующей подложки при температуре 805°С в течение 70±5 минут поэтапно с последующим контролем номинала резистивных элементов, причем при завышенном номинале подгонку проводят при температуре 690±10°С в течение 5-10 минут, далее проводят лужение в расплавленном припое окунанием при температуре (250±10)°С.The prototype was taken as a method of manufacturing thick-film resistive elements [3], including successive application by screen printing on an insulating substrate of the conductive and resistive layers, followed by burning in an air atmosphere. In a known method, the deposition of a conductor layer is alternated with its burning on a separate section of the insulating substrate at a temperature of 805 ° C for 70 ± 5 minutes in stages, followed by control of the value of the resistive elements, and with an overestimated value, the adjustment is carried out at a temperature of 690 ± 10 ° C for 5 -10 minutes, then tinning is carried out in molten solder by dipping at a temperature of (250±10)°C.
Существенным недостатком способа является технологическая сложность, следствием которой является низкий выход годных резисторов, связанный с необходимостью подгонки номиналов резисторов при большом разбросе величины их сопротивления.A significant disadvantage of this method is the technological complexity, which results in a low yield of usable resistors associated with the need to adjust the values of the resistors with a large spread in their resistance values.
Техническая задачаTechnical task
Техническим результатом является повышение однородности формируемых резистивных слоев и повышение выхода годных за счет сокращения числа технологических операций м повышения управляемости процесса формирования слоев, что обеспечивает возможность получения прецизионных чип - резисторов.The technical result is to increase the uniformity of the formed resistive layers and increase the yield by reducing the number of technological operations and increasing the controllability of the layer formation process, which makes it possible to obtain precision chip resistors.
Способ получения толстопленочных резисторов включающий нанесение резистивной пасты на поверхность диэлектрической подложки и вжигание слоя при температуре (800-850)°С, отличающийся тем, что с целью повышения однородности резистивного слоя и выхода годных резисторов вжигание проводят при температуре (650-700)°С при воздействии ультразвуком частотой (60-65) КГц и амплитудой 1-1,2 мкм в течение 15±3 минут, а затем при температуре (840-850)°С в течение 15±3 минут при воздействии электромагнитным полем частотой (60-65) МГц.A method for producing thick-film resistors, which includes applying a resistive paste to the surface of a dielectric substrate and burning the layer at a temperature of (800-850) ° C, characterized in that, in order to increase the uniformity of the resistive layer and yield suitable resistors, burning is carried out at a temperature of (650-700) ° C when exposed to ultrasound with a frequency of (60-65) kHz and an amplitude of 1-1.2 microns for 15 ± 3 minutes, and then at a temperature of (840-850) ° C for 15 ± 3 minutes when exposed to an electromagnetic field with a frequency of (60- 65) MHz.
Изготовление толстопленочных резисторов по предлагаемому способу производится следующим образом:The production of thick film resistors according to the proposed method is as follows:
В качестве основы изготавливаемых резисторов используют изолирующую подложку (например, керамическую пластину). Вначале на изолирующей подложке формируют планарные контакты путем нанесения проводниковой пасты на лицевую поверхность подложки. В дальнейшем на этой стороне подложки будет формироваться резистивный слой с последующим вжиганием. Резистивный слой формируют посредством нанесения высокотемпературной резистивной пасты методом трафаретной печати с последующим вжиганием в конвейерной печи с использованием внешних колебательных воздействий. При температуре в печи (650-700)°С расплавленную пасту подвергают ультразвуковому воздействию частотой (60-65) КГц и амплитудой 0,001 м, а при температуре печи (830-850)°С обработке высокочастотными электромагнитными колебаниями частотой (60-65) МГц. При температуре ниже 650°С в слое сохраняется высокая неоднородность распределения металлической фазы, что может приводить, в дальнейшем, к разбросу сопротивления резистивных слоев до величины (40-50)%. При температуре выше 700°С эффект повышения однородности резистивного слоя за счет ультразвукового воздействия существенно не изменяется, сохраняясь в пределах 10%. Обработка ультразвуковыми колебаниями резистивной расплавленной пасты на этом этапе позволяет повысить однородность распределения крупных частиц металлической фазы, что приводит к снижению разброса сопротивления формируемого слоя. Воздействие ультразвуком частотой ниже 60 КГц приводит к недостаточному повышению однородности резистивного слоя, увеличение частоты ультразвуковых колебаний выше 65 КГц также не приводит к существенному повышению однородности слоев - разброс сопротивления сохраняется в пределах 10%.As the basis of the manufactured resistors, an insulating substrate (for example, a ceramic plate) is used. First, planar contacts are formed on the insulating substrate by applying a conductive paste to the front surface of the substrate. In the future, a resistive layer will be formed on this side of the substrate, followed by annealing. The resistive layer is formed by applying a high-temperature resistive paste by screen printing, followed by firing in a conveyor oven using external oscillatory effects. At a furnace temperature of (650-700)°C, the molten paste is subjected to ultrasonic treatment with a frequency of (60-65) KHz and an amplitude of 0.001 m, and at a furnace temperature of (830-850)°C, it is treated with high-frequency electromagnetic oscillations with a frequency of (60-65) MHz . At temperatures below 650°C, a high inhomogeneity of the distribution of the metal phase remains in the layer, which can subsequently lead to a spread in the resistance of the resistive layers up to (40-50)%. At temperatures above 700°C, the effect of increasing the uniformity of the resistive layer due to ultrasonic exposure does not change significantly, remaining within 10%. The treatment of the resistive molten paste with ultrasonic vibrations at this stage makes it possible to increase the uniformity of the distribution of large particles of the metal phase, which leads to a decrease in the spread of the resistance of the formed layer. Exposure to ultrasound with a frequency below 60 kHz leads to an insufficient increase in the uniformity of the resistive layer, an increase in the frequency of ultrasonic vibrations above 65 kHz also does not lead to a significant increase in the uniformity of the layers - the spread of resistance remains within 10%.
При движении в печи подложки с нанесенными резистивными слоями попадают в область температуры от 840 до 850°С. На этом участке теплового поля печи расплав обрабатывают высокочастотными электромагнитными колебаниями частотой (60-65) МГц, что обеспечивает повышение однородности резистивного слоя до уровня (3-5)% за счет повышения подвижности и перераспределения мелких частиц металлической фазы. При температуре менее 840°С однородность резистивных слоев сохраняется на уровне 10%, при температуре выше 850°С однородность резистивных слоев сохраняется на уровне (3-5)%. Кроме того, повышение температуры печи приводит к дополнительным энергозатратам, что сказывается на себестоимости продукции. При частоте высокочастотного воздействия менее 60 МГц эффект повышения однородности резистивных слоев недостаточен (однородность сопротивления слоя находится в пределах (6-8)%, увеличение частоты выше 65 МГц не приводит к существенному повышению однородности - она сохраняется в пределах (3-5)%.When moving in the furnace, the substrates with applied resistive layers fall into the temperature range from 840 to 850°C. In this section of the thermal field of the furnace, the melt is treated with high-frequency electromagnetic oscillations with a frequency of (60-65) MHz, which ensures an increase in the uniformity of the resistive layer to a level of (3-5)% due to an increase in the mobility and redistribution of small particles of the metal phase. At temperatures below 840°C, the uniformity of the resistive layers remains at the level of 10%; at temperatures above 850°C, the uniformity of the resistive layers remains at the level of (3-5)%. In addition, an increase in the temperature of the furnace leads to additional energy costs, which affects the cost of production. At a high-frequency exposure frequency of less than 60 MHz, the effect of increasing the uniformity of the resistive layers is insufficient (the uniformity of the layer resistance is in the range of (6-8)%, an increase in frequency above 65 MHz does not lead to a significant increase in uniformity - it remains within (3-5)%).
Выбор параметров управляющих ультразвуковых воздействий основан на теории, описанной в [4]. Сущность метода состоит в том, что управление системами, обладающими значительной энергией (например, технологические процессы, связанные с нагреванием) не очень удобно путем изменения температуры процесса, в связи с высокой инерционностью этого канала управления. Нагрев переводит системы в метастабильное состояние, которым можно управлять относительно небольшими воздействиями и осуществлять, например, фазовый переход, приводящий систему в желаемое состояние (требуемое состояние). Внешние, относительно низкоэнергетические воздействия, позволяют управлять с меньшей инерционностью, быстро и точно достигая желаемого результата. По типу энергия управляющих воздействий может отличаться от источника базовой энергии системы. В применении к сложной гетерогенной системе, какой является толстая пленка, в состав которой входят оксиды (стекло), частицы металла, или сплава, органическая связка, принципиально важными являются кинетические показатели нагревания композита. Разные коэффициенты температуропроводности системы приводят к разной подвижности элементов системы - частицы металла нагреваются быстрее и становятся более подвижными. Небольшие управляющие воздействия помогают частицам металла образовать достаточно прочную пленку в объеме композита (выгода такой консолидации диктуется термодинамикой - энергия консолидированной системы меньше энергии хаотической). Электромагнитные поля способствую процессу самоорганизации, в результате которой связываются частицы примерно одинакового размера что обеспечивает возможность протекания тока с минимальным сопротивлением и обеспечивает минимум токовых шумов прибора.The choice of parameters for controlling ultrasonic actions is based on the theory described in [4]. The essence of the method is that the control of systems with significant energy (for example, technological processes associated with heating) is not very convenient by changing the process temperature, due to the high inertia of this control channel. Heating brings systems into a metastable state, which can be controlled by relatively small influences and, for example, a phase transition can be carried out, bringing the system to the desired state (required state). External, relatively low-energy influences make it possible to control with less inertia, quickly and accurately achieving the desired result. By type, the energy of control actions may differ from the source of the base energy of the system. When applied to a complex heterogeneous system, such as a thick film, which includes oxides (glass), metal or alloy particles, an organic binder, the kinetic indicators of heating the composite are of fundamental importance. Different coefficients of thermal diffusivity of the system lead to different mobility of the elements of the system - metal particles heat up faster and become more mobile. Small control actions help the metal particles to form a sufficiently strong film in the volume of the composite (the benefit of such consolidation is dictated by thermodynamics - the energy of the consolidated system is less than the energy of the chaotic one). Electromagnetic fields contribute to the process of self-organization, as a result of which particles of approximately the same size are bound, which ensures the possibility of current flow with minimal resistance and ensures a minimum of current noise of the device.
При необходимости осуществляют подгонку резисторов методом удаления части резистивного слоя сфокусированным лучом лазера. Далее формируется дополнительный защитный слой посредством нанесения либо высокотемпературной защитной пасты методом трафаретной печати с последующей сушкой и вжиганием и разделением подложек на чипы.If necessary, the resistors are adjusted by removing part of the resistive layer with a focused laser beam. Further, an additional protective layer is formed by applying either a high-temperature protective paste by screen printing, followed by drying and burning and separating the substrates into chips.
ПримерExample
В качестве основы резистора использовалась изолирующая подложка из алюмооксидной керамики. Технологический процесс изготовления резисторов включал следующую последовательность операций:An insulating substrate made of alumina ceramics was used as the basis of the resistor. The technological process for manufacturing resistors included the following sequence of operations:
1. Нанесение на лицевую сторону подложки методом трафаретной печати слоя высокотемпературной проводниковой пасты ПП-8.1. Applying a layer of high-temperature conductive paste PP-8 to the front side of the substrate by screen printing.
2. Сушка в ИК - печи при 150°С в течение 20 минут для удаления органической связки2. Drying in an IR oven at 150°C for 20 minutes to remove the organic binder
3. Вжигание в конвейерной печи при температуре до 840°С в течение 10 минут для формирования контактов.3. Burning in a conveyor oven at temperatures up to 840°C for 10 minutes to form contacts.
4. Формирование резистивного слоя посредством нанесения высокотемпературной резистивной пасты.4. Forming a resistive layer by applying a high temperature resistive paste.
5. Сушка нанесенного слоя в печи инфракрасного нагрева при температуре 150°С в течение 25 минут.5. Drying of the applied layer in an infrared heating oven at a temperature of 150°C for 25 minutes.
6. Вжигание в мультизонной конвейерной печи высокотемпературной резистивной пасты при температуре (650-700)°С ультразвуковому воздействию частотой (60-65) кГц и амплитудой 1,1 мкм.6. Burning in a multi-zone conveyor furnace of high-temperature resistive paste at a temperature of (650-700)°C by ultrasonic treatment with a frequency of (60-65) kHz and an amplitude of 1.1 μm.
7. Вжигание в мультизонной печи при максимальной температуре (840-850)°С в течение 12-18 минут при высокочастотном электромагнитном воздействии частотой (60-65) МГц.7. Burning in a multi-zone furnace at a maximum temperature of (840-850)°C for 12-18 minutes with high-frequency electromagnetic exposure at a frequency of (60-65) MHz.
8. Формирование защитного слоя посредством нанесения высокотемпературной защитной пасты (ТУ 011000387275) на резистивный слой.8. Formation of a protective layer by applying a high-temperature protective paste (TU 011000387275) to the resistive layer.
9. Сушка нанесенного защитного слоя в ИК-печи при 150°С в течение 20 минут.9. Drying of the applied protective layer in an IR oven at 150°C for 20 minutes.
10. Вжигание защитного слоя в мультизонной печи при максимальной температуре 600°С в течение 10 минут.10. Burning of the protective layer in a multi-zone furnace at a maximum temperature of 600°C for 10 minutes.
11. Подгонка резисторов сфокусированным лазерным пучком (при необходимости).11. Adjustment of resistors with a focused laser beam (if necessary).
12. Контроль сопротивления резисторов проводили по ГОСТ 21342.20-78 «Резисторы. Метод измерения сопротивления». Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) измеряли согласно ГОСТ 21842.15-78. «Резисторы. Метод определения температурной зависимости сопротивления».12. Resistance control of resistors was carried out according to GOST 21342.20-78 “Resistors. Resistance measurement method”. The temperature coefficient of resistance (TCR) was measured according to GOST 21842.15-78. "Resistors. Method for determining the temperature dependence of resistance.
Наработку оценивали + по ГОСТ 25359-82 «Изделия электронной техники. Общие требования по надежности и методам испытаний»The operating time was estimated + according to GOST 25359-82 “Electronic products. General requirements for reliability and test methods"
Надежность резисторов подтверждена испытаниями. Интенсивность отказов в предельно допустимых режимах эксплуатации (Р=Рном, Т=85°С) не более 1-10 1/ч в течение наработки = 30000 часов в пределах срока службы (Тон)=25 лет.The reliability of the resistors is confirmed by tests. The failure rate in the maximum permissible operating modes (R=R nom , T=85°C) is not more than 1-10 1/h during the operating time = 30,000 hours within the service life (T he )=25 years.
Себестоимость производства резисторов снизилась по сравнению с базовым вариантом на 35% за счет исключения операций формирования дополнительных слоев и повышения выхода годных с 72% до 97%.The cost of production of resistors decreased by 35% compared to the base case due to the elimination of operations for the formation of additional layers and an increase in the yield from 72% to 97%.
ЛитератураLiterature
1. Патент РФ №2086027 МПК Н01С 17/06, опубл. 27.07.1997 г.1. RF patent No. 2086027 IPC H01C 17/06, publ. July 27, 1997
2. Патент РФ №2402088, МПК Н01С 17/06, Н01С 17/28, опубл. 20.10.20102. RF patent No. 2402088, IPC H01C 17/06, H01C 17/28, publ. 20.10.2010
3. Патент РФ №2497217, МПК Н01С 17/06, опубл. 27.10.2013 г.3. RF patent No. 2497217, IPC H01C 17/06, publ. October 27, 2013
4. Косушкин В.Г. Управление ростом кристаллов изкоэнергетическими воздействиями (Монография) Из-во научной литературы Н.Ф. Бочкаревой, 2004._272 с.4. Kosushkin V.G. Control of crystal growth by low-energy influences (Monograph) From the scientific literature N.F. Bochkareva, 2004._272 p.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021137750A RU2770906C1 (en) | 2021-12-17 | 2021-12-17 | Method for producing thick-film resistors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021137750A RU2770906C1 (en) | 2021-12-17 | 2021-12-17 | Method for producing thick-film resistors |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2770906C1 true RU2770906C1 (en) | 2022-04-25 |
Family
ID=81306391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021137750A RU2770906C1 (en) | 2021-12-17 | 2021-12-17 | Method for producing thick-film resistors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2770906C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2828479C1 (en) * | 2023-12-25 | 2024-10-14 | Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" | Method of producing microstrip band-pass microwave filters |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6159386A (en) * | 1996-12-10 | 2000-12-12 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Electrical resistance with at least two contact fields on a ceramic substrate and process for manufacturing the same |
| US6189767B1 (en) * | 1996-10-30 | 2001-02-20 | U.S. Philips Corporation | Method of securing an electric contact to a ceramic layer as well as a resistance element thus manufactured |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| RU2497217C1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" | Method for making thick-film resistive elements |
| RU2755344C1 (en) * | 2020-10-13 | 2021-09-15 | Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" | Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators |
| RU2755943C1 (en) * | 2020-09-08 | 2021-09-23 | Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" | Method for producing thick-film resistors |
-
2021
- 2021-12-17 RU RU2021137750A patent/RU2770906C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189767B1 (en) * | 1996-10-30 | 2001-02-20 | U.S. Philips Corporation | Method of securing an electric contact to a ceramic layer as well as a resistance element thus manufactured |
| US6159386A (en) * | 1996-12-10 | 2000-12-12 | Heraeus Electro-Nite International N.V. | Electrical resistance with at least two contact fields on a ceramic substrate and process for manufacturing the same |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| RU2497217C1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" | Method for making thick-film resistive elements |
| RU2755943C1 (en) * | 2020-09-08 | 2021-09-23 | Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" | Method for producing thick-film resistors |
| RU2755344C1 (en) * | 2020-10-13 | 2021-09-15 | Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" | Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2828479C1 (en) * | 2023-12-25 | 2024-10-14 | Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" | Method of producing microstrip band-pass microwave filters |
| RU2839451C1 (en) * | 2024-12-16 | 2025-05-05 | Общество с ограниченной ответственностью "ФОКОН" | Thermistor manufacturing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI505435B (en) | A substrate provided with a sensor, and a substrate provided with a sensor | |
| RU2755943C1 (en) | Method for producing thick-film resistors | |
| US20090218320A1 (en) | Frit sealing using direct resistive heating | |
| TW201826875A (en) | heating equipment | |
| US4091144A (en) | Article with electrically-resistive glaze for use in high-electric fields and method of making same | |
| EP1676309A1 (en) | Electro-static chuck with non-sintered aln and a method of preparing the same | |
| RU2770906C1 (en) | Method for producing thick-film resistors | |
| RU2776657C1 (en) | Method for obtaining thick-film resistors | |
| RU2770908C1 (en) | Method for producing thick-film resistors | |
| JPWO2018025911A1 (en) | SiC heater | |
| US3842495A (en) | Control of rate of change of resistance as a function of temperature in manufacture of resistance elements | |
| Kohler et al. | Assembly and interconnection technology for high-temperature bulk acoustic wave resonators | |
| RU2755344C1 (en) | Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators | |
| RU2839451C1 (en) | Thermistor manufacturing method | |
| JP2001338862A (en) | Wafer heating device | |
| JP4596622B2 (en) | Ceramic heater and wafer heating device using the same | |
| US3382100A (en) | Rhenium thin film resistors | |
| TWI839332B (en) | Method of producing a ntcr sensor | |
| JPH11283730A (en) | Disc heater | |
| JP3885265B2 (en) | Manufacturing method of ceramic circuit board | |
| JP2002249377A (en) | Ceramic substrate for manufacturing and inspection equipment of semiconductor | |
| RU2552626C1 (en) | Thick-film resistor fabrication method | |
| Dabrowski | Impact of firing temperature on insulating properties of Low Temperature Co-fired Ceramics | |
| JP2001181050A (en) | Carbon-containing aluminum nitride sintered compact | |
| Sergent | Hybrid microelectronics technology |