RU2593267C2 - Способ формирования топологии ltcc плат - Google Patents
Способ формирования топологии ltcc плат Download PDFInfo
- Publication number
- RU2593267C2 RU2593267C2 RU2014135976/07A RU2014135976A RU2593267C2 RU 2593267 C2 RU2593267 C2 RU 2593267C2 RU 2014135976/07 A RU2014135976/07 A RU 2014135976/07A RU 2014135976 A RU2014135976 A RU 2014135976A RU 2593267 C2 RU2593267 C2 RU 2593267C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ltcc
- paste
- boards
- pattern
- topology
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- NIXONLGLPJQPCW-UHFFFAOYSA-K gold trifluoride Chemical class F[Au](F)F NIXONLGLPJQPCW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Изобретение относится к производству LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics - низкотемпературная совместно обжигаемая керамика) толстопленочных многослойных коммутационных плат и может быть использовано при формировании рисунка функциональных слоев на сырой керамической подложке. Технический результат - повышение производительности и точности изготовления LTCC плат, а также сокращение технологического цикла и стоимости изготовления LTCC плат. Достигается тем, что предварительно на поверхность сырой керамической подложки наносят сплошным слоем токопроводящую или резистивную пасту и подсушивают ее, затем удаляют подсушенную пасту в пробельных местах рисунка слоя платы с помощью лазерного луча, который перемещают по поверхности керамической подложки по программе в соответствии с топологическим рисунком. При этом подбирают мощность излучения лазера таким образом, чтобы удалялась только нанесенная паста и не деформировалась подложка из сырой LTCC керамики. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Изобретение относится к производству LTCC (Low Temperature Cofired Ceramics - низкотемпературная совместно обжигаемая керамика) толстопленочных многослойных коммутационных плат и может быть использовано при формировании рисунка функциональных слоев на сырой керамической подложке.
Известен способ формирования топологии функциональных слоев многослойных толстопленочных плат сеткографической печатью [1], согласно которому для каждого слоя платы изготавливают трафарет для прецизионной печати с использованием сита и фотополимерной композиции, обеспечивающих высокую разрешающую способность рисунка. Печатный рисунок наносят токопроводящими, резистивными или изоляционными пастами на прецизионных сеткографических станках на керамическую или металлодиэлектрическую подложку каждого из слоев многослойной толстопленочной платы с промежуточным высокотемпературным вжиганием.
В производстве LTCC толстопленочных многослойных плат рисунок топологии формируют на сырых заготовках для каждого слоя с последующей сушкой и сборкой с другими слоями и совместным обжигом.
Недостатком способа является необходимость изготовления на каждый слой многослойной LTCC платы фотошаблона и сеткографического трафарета. Эти операции трудоемки, требуют применения химических экологически грязных процессов, спецоборудования для получения прецизионного рисунка. Кроме этого, точность способа позволяет получить рисунок с разрешением проводник/зазор более 100/100 мкм.
Известен способ изготовления LTCC плат с использованием фотопаст, которые наносят сплошным слоем на сырую керамическую заготовку платы и после подсушивания пасты производят получение топологического рисунка методом фотолитографии [2], то есть через фотошаблон облучают нанесенный слой фотопасты, а незадубленные места удаляют проявлением водой или специальными растворами.
Недостаток способа заключается в необходимости прецизионного фотошаблона на каждый слой, применения дорогих фотопаст и дорогостоящего оборудования для фотолитографии, что ведет к увеличению стоимости. Кроме этого, применение способа позволяет получить рисунок с разрешением проводник/зазор более 50/50 мкм.
Ближайшим техническим решением является способ формирования топологии интегральной микросхемы [3], заключающийся в том, что топологию ИС формируют путем воздействия на поверхность материала в активной газовой среде лазерного луча с плотностью мощности 103-104 Вт/см2, на поверхности материала формируют затравочный слой в первой активной газовой среде, состоящей из смеси фторидов платины и/или золота и инертного газа, затем заменяют в том же объеме активную среду на вторую, состоящую из смеси фторида металла с водородом, и подвергают воздействию ультрафиолетового излучения длиной волны 150-200 нм.
Недостатком способа-прототипа является использование химических процессов и наличие активных газовых сред в процессе формирования топологии и неприменимость способа к LTCC технологии.
Задача изобретения - повышение производительности и точности изготовления LTCC плат.
Поставленная задача достигается тем, что предварительно на поверхность сырой керамической подложки наносят сплошным слоем пасту и подсушивают ее, затем удаляют подсушенную пасту в пробельных местах рисунка слоя платы с помощью лазерного луча, который перемещают по поверхности керамической подложки по программе в соответствии с топологическим рисунком. Воздействие на слой подсушенной пасты осуществляют при мощности лазера 0,5-1,5 Вт, с частотой повторения импульсов 30 кГц и длиной волны излучения 355 нм. При этом подбирают мощность излучения лазера таким образом, чтобы удалялась только нанесенная паста и не деформировалась подложка из сырой LTCC керамики.
Достигаемым техническим результатом является сокращение технологического цикла и стоимости изготовления LTCC плат.
На чертеже представлено схематическое изображение топологии слоя LTCC платы, на котором 1 - керамическая подложка, 2 - паста, нанесенная на подложку, 3 - пробельные места.
Предлагаемый способ формирования топологии слоев LTCC плат осуществляют следующим образом. На сырую керамическую подложку 1 предварительно наносят сплошным слоем с помощью сеткографического трафарета и подсушивают пасту 2. Паста может быть проводящей или резистивной. Топологический рисунок платы получают путем удаления подсушенной пасты с пробельных мест 3 с помощью лазерного излучения. Лазерный луч с мощностью 0,5-1,5 Вт, частотой импульса 30 кГц и длиной волны 355 нм фокусируют на поверхности материала до размера точки диаметром 15 мкм и перемещают этот лазерный луч по программе в соответствии с топологическим рисунком, что позволяет получить рисунок с шириной проводников и зазоров менее 20/20 мкм.
Заявленный способ повышает плотность рисунка, производительность и точность изготовления LTCC плат, способствует снижению затрат на производство и уменьшает технологический цикл изготовления. Преимуществом предложенного способа является отсутствие химических процессов при формировании топологического рисунка LTCC платы, а также снижение количества расходных материалов.
Источники информации
1. Хамер Д. Технология толстопленочных гибридных интегральных схем / Д. Хамер, Дж. Биггерс; [пер. с англ.]; под ред. Т.Д. Шермергора. - М.: Мир, 1975. - 496 с.
2. Технология тонких пленок (справочник) / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Т. 1 - М.: Сов. Радио, 1977. - 664 с.
3. П. №2099810, H01L 21/268, опубл. 20.12.1997 г.
Claims (3)
1. Способ формирования топологии LTCC плат, включающий операцию воздействия лазерным лучом, отличающийся тем, что предварительно на поверхность сырой керамической подложки наносят сплошным слоем с помощью сеткографического трафарета пасту и подсушивают ее, затем удаляют подсушенную пасту в пробельных местах рисунка слоя платы с помощью лазерного луча, перемещая лазерный луч по программе в соответствии с топологическим рисунком, при этом воздействие на слой подсушенной пасты осуществляют при мощности лазера 0,5-1,5 Вт, с частотой повторения импульсов 30 кГц и длиной волны излучения 355 нм.
2. Способ формирования топологии LTCC плат по п. 1, отличающийся тем, что пасту выбирают проводящей.
3. Способ формирования топологии LTCC плат по п. 1, отличающийся тем, что пасту выбирают резистивной.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014135976/07A RU2593267C2 (ru) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | Способ формирования топологии ltcc плат |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014135976/07A RU2593267C2 (ru) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | Способ формирования топологии ltcc плат |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014135976A RU2014135976A (ru) | 2016-04-10 |
RU2593267C2 true RU2593267C2 (ru) | 2016-08-10 |
Family
ID=55647411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014135976/07A RU2593267C2 (ru) | 2014-09-03 | 2014-09-03 | Способ формирования топологии ltcc плат |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2593267C2 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5643472A (en) * | 1988-07-08 | 1997-07-01 | Cauldron Limited Partnership | Selective removal of material by irradiation |
RU2099810C1 (ru) * | 1996-07-10 | 1997-12-20 | "Технологии для Вас", акционерное общество закрытого типа | Способ формирования топологии интегральной микросхемы |
RU2254695C1 (ru) * | 2003-09-18 | 2005-06-20 | Марийский государственный университет | Способ формирования трехмерной толстопленочной схемы |
RU2402088C1 (ru) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии |
-
2014
- 2014-09-03 RU RU2014135976/07A patent/RU2593267C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5643472A (en) * | 1988-07-08 | 1997-07-01 | Cauldron Limited Partnership | Selective removal of material by irradiation |
RU2099810C1 (ru) * | 1996-07-10 | 1997-12-20 | "Технологии для Вас", акционерное общество закрытого типа | Способ формирования топологии интегральной микросхемы |
RU2254695C1 (ru) * | 2003-09-18 | 2005-06-20 | Марийский государственный университет | Способ формирования трехмерной толстопленочной схемы |
RU2402088C1 (ru) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2014135976A (ru) | 2016-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0391314B1 (en) | Method for patterning on a substrate | |
Pique et al. | Digital microfabrication by laser decal transfer | |
US4828961A (en) | Imaging process for forming ceramic electronic circuits | |
RU2543518C1 (ru) | Способ изготовления двусторонней печатной платы | |
JPS63261890A (ja) | 回路パターンのスクリーン印刷方法 | |
TWI719032B (zh) | 用於在製造一多層可印刷電子裝置對準金屬層之方法 | |
CN106133891A (zh) | 脉冲模式的直接写入激光金属化 | |
WO2013184028A1 (ru) | Способ создания токопроводящих дорожек | |
JP2006513862A (ja) | レーザを用いて電気的な回路基板を加工するための装置および方法 | |
RU2593267C2 (ru) | Способ формирования топологии ltcc плат | |
DE102007034644A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Laserstrukturierung von Solarzellen | |
US4711835A (en) | Process for photolithographing a thick layer of paste deposited on a substrate | |
CN1619423B (zh) | 珀耳帖模块及其制造方法 | |
US20140356637A1 (en) | Method of manufacturing a ceramic electronic component | |
Synkiewicz et al. | High resolution patterns on LTCC substrates for microwave applications obtained by screen printing and laser ablation | |
US8288682B2 (en) | Forming micro-vias using a two stage laser drilling process | |
KR100353311B1 (ko) | 전기적으로 절연된 지지물 상에 적어도 2개의 배선레벨을 형성하는 방법 | |
JP2007522644A (ja) | レーザーを用いた受動電子部品の端子の形成方法 | |
RU2556697C1 (ru) | Способ изготовления гибкой микропечатной платы | |
CN100446137C (zh) | 陶瓷生片的制造方法和使用该陶瓷生片的电子部件的制造方法 | |
Rathnayake-Arachchige et al. | Patterning of electroless copper deposition on low temperature co-fired ceramic | |
DE19501693A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von elektronischen Bauelementen und mit diesem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauelement | |
SE458248B (sv) | Saett foer tillverkning av ett moensterkort samt anordning foer anvaendning vid tillverkning av moensterkort | |
CN114220737B (zh) | 薄膜电路侧面图形化方法、薄膜电路批量制备方法及系统 | |
Williams et al. | The patterning of fine-pitch electrical interconnections on non-planar substrates: a comparison between methods utilising laser ablation and electro-deposited photoresist |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160927 |