RU2485628C1 - Method for manufacturing nanoheterostructure chips and etching medium - Google Patents
Method for manufacturing nanoheterostructure chips and etching medium Download PDFInfo
- Publication number
- RU2485628C1 RU2485628C1 RU2012101927/28A RU2012101927A RU2485628C1 RU 2485628 C1 RU2485628 C1 RU 2485628C1 RU 2012101927/28 A RU2012101927/28 A RU 2012101927/28A RU 2012101927 A RU2012101927 A RU 2012101927A RU 2485628 C1 RU2485628 C1 RU 2485628C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanoheterostructure
- etching
- chips
- germanium substrate
- etchant
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- MSWVMWGCNZQPIA-UHFFFAOYSA-N 1-fluoropropan-2-one Chemical compound CC(=O)CF MSWVMWGCNZQPIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 ammonia Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 125000005265 dialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000005531 etching kinetic Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к возобновляемой энергетике, а именно к созданию высокоэффективных солнечных элементов на основе полупроводниковых многослойных наногетероструктур для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию с использованием солнечных батарей. Настоящее изобретение позволяет при изготовлении многослойных солнечных элементов упростить разделение на чипы многослойных наногетероструктур на германиевой подложке и повысить качество пассивации боковой поверхности чипов солнечных элементов диэлектриком, увеличить выход годных изделий и их надежность при эксплуатации.The invention relates to renewable energy, and in particular to the creation of highly efficient solar cells based on semiconductor multilayer nanoheterostructures for the direct conversion of solar radiation energy into electrical energy using solar panels. The present invention allows the manufacture of multilayer solar cells to simplify the chip separation of multilayer nanoheterostructures on a germanium substrate and to increase the quality of passivation of the side surface of solar cell chips by a dielectric, to increase the yield of products and their reliability during operation.
Используемые в настоящее время многослойные гетероструктуры на германиевой подложке состоят более чем из 20 слоев, в состав которых входят различные по составу твердые растворы полупроводников, например, AIIIBV с различной шириной запрещенной зоны. Такой состав слоев и, соответственно, всей наногетероструктуры обуславливает как уникальные свойства солнечных элементов, так и сложность постростовой обработки -полупроводниковой структуры, в частности, разделение ее на отдельные элементы - чипы, с ровными вертикальными краями.The multilayer heterostructures currently used on a germanium substrate consist of more than 20 layers, which include solid-state semiconductor solutions of various compositions, for example, AIIIBV with different bandgaps. This composition of the layers and, accordingly, the entire nanoheterostructure determines both the unique properties of solar cells and the complexity of postgrowth processing of a semiconductor structure, in particular, its separation into separate elements - chips, with smooth vertical edges.
Для постростовой обработки пластин эпитаксиальных наногетероструктур критической стадией является травление, так как в ходе реакций травления происходит необратимое удаление полупроводникового материала. Поэтому от правильного подбора травителя и определения оптимальных условий проведения травления каждого конкретного полупроводникового твердого раствора зависит качество и надежность изготавливаемого прибора.For postgrowth processing of wafers of epitaxial nanoheterostructures, etching is a critical stage, since during the etching reactions, the semiconductor material is irreversibly removed. Therefore, the quality and reliability of the manufactured device depends on the correct selection of the etchant and determination of the optimal etching conditions for each particular semiconductor solid solution.
Известен способ изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе многослойной структуры GaAs/AlGaAs (см. заявку RU 94021123, МПК H01L 31/18, опубликована 20.04.1996). Способ заключается в нанесении на подложку из полуизолирующего арсенида галлия последовательности слоев: проводящего n+GaAs слоя, многослойной периодической структуры GaAs/AlGaAs и второго проводящего n+GaAs слоя, с последующим травлением верхнего проводящего n+GaAs слоя и многослойной гетероструктуры в водном растворе перекиси водорода, содержащем органическую кислоту. Способ позволяет увеличить точность и прецизионность травления при изготовлении фотоэлектрических преобразователей, увеличить выход годных изделий и снизить стоимость фотоэлектрических преобразователей.A known method of manufacturing photovoltaic cells based on a multilayer GaAs / AlGaAs structure (see application RU 94021123, IPC H01L 31/18, published on 04/20/1996). The method consists in applying a sequence of layers on a semi-insulating gallium arsenide substrate: a conductive n + GaAs layer, a multilayer periodic structure of GaAs / AlGaAs and a second conductive n + GaAs layer, followed by etching of the upper conductive n + GaAs layer and a multilayer heterostructure in an aqueous solution of hydrogen peroxide containing organic acid. The method allows to increase the accuracy and precision of etching in the manufacture of photovoltaic converters, increase the yield of products and reduce the cost of photovoltaic converters.
Недостатком данного способа изготовления фотоэлектрических преобразователей является использование подложки арсенида галлия, что приводит к ухудшению параметров фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения, так как не обеспечивает поглощение длинноволновой части спектра солнечного излучения.The disadvantage of this method of manufacturing photovoltaic converters is the use of a gallium arsenide substrate, which leads to a deterioration in the parameters of solar photovoltaic converters, since it does not absorb the long-wavelength part of the solar radiation spectrum.
Известен травитель, применяемый при жидкостном химическом травлении поверхности солнечных фотопреобразователей (см. заявку TW 201116612, МПК В41М 3/00; С09К 13/08; H01L 21/306, опубликован 16.05.2011), включающий впрыскиваемое соединение, содержащее комплекс, состоящий из травителя и второго компонента, приводящего травитель в инертное состояние и создающего незаряженные комплексы. Соединение содержит незаряженный комплекс, состоящий из соли, выбранной из группы фторидов щелочных металлов, солей фтористоводородной кислоты и аминов, включая аммиак, моно, ди и триалкиамины, и солей, образованных фтористоводородной кислотой, и полимерных соединений аминов, полимеров азотсодержащих гетероциклов, таких как фториды полиаллиламинов и поливинилпиридин, или фторацетон, или их смеси.Known etchant used for liquid chemical etching of the surface of solar photoconverters (see application TW 201116612, IPC B41M 3/00; C09K 13/08; H01L 21/306, published 05.16.2011), including an injectable compound containing a complex consisting of an etchant and the second component, bringing the etchant into an inert state and creating uncharged complexes. The compound contains an uncharged complex consisting of a salt selected from the group of alkali metal fluorides, salts of hydrofluoric acid and amines, including ammonia, mono, di and trialkylamines, and salts formed by hydrofluoric acid, and polymer compounds of amines, polymers of nitrogen-containing heterocycles, such as fluorides polyallylamines and polyvinylpyridine, or fluoroacetone, or mixtures thereof.
Недостатком известного травителя является использование для травления ядовитых высокомолекулярных органических соединений, трудоемких в изготовлении, а также сложность проведения самого процесса травления из-за необходимости строго дозированного добавления (впрыскивания) второго компонента, приводящего травитель в инертное состояние и создающего незаряженные комплексы. Применение к полупроводниковым кристаллическим материалам травителя с ионами щелочных металлов, существенно усложняет изготовление и проведение электрических измерений солнечных фотопреобразователей.A disadvantage of the known etchant is the use of poisonous, high molecular weight organic compounds for etching, which are laborious to manufacture, as well as the difficulty of carrying out the etching process itself due to the need for strictly dosed addition (injection) of the second component, which brings the etchant into an inert state and creates uncharged complexes. The use of an etcher with alkali metal ions to semiconductor crystalline materials significantly complicates the manufacture and conduct of electrical measurements of solar photoconverters.
Известен способ изготовления многопереходного солнечного элемента (см. заявку DE 102008034701, МПК H01L 31/0304, опубликована 08.04.2010), выполненного в виде многопереходной гетероструктуры, содержащей не менее чем 22 слоя, состоящие из комбинаций элементов III и V групп Периодической таблицы Менделеева, выращенных на подложке из арсенида галлия (GaAs), германия (Ge) или других подходящих материалов. Способ изготовления включает в себя формирование на полупроводниковой подложке широкозонного элемента, затем на нем формируют средний элемент, ширина запрещенной зоны которого меньше, чем ширина запрещенной зоны верхнего элемента. Метаморфический слой формируют на среднем элементе. Нижний солнечный элемент с меньшей шириной запрещенной зоны согласован по атомарной решетке со средним элементом. Для нанесения контактов на сформированную таким образом структуру многопереходного солнечного элемента последовательно осаждают слои металлов Ti/Au/Ag/Au. Для разделения на отдельные элементы - чипы и формирования мезаструктуры создаваемого солнечного элемента в пластине, выращенной полупроводниковой структуры, вытравливаются разделительные канавки.A known method of manufacturing a multi-junction solar cell (see application DE 102008034701, IPC H01L 31/0304, published 04/08/2010), made in the form of a multi-junction heterostructure containing at least 22 layers, consisting of combinations of elements of groups III and V of the periodic table, grown on a substrate of gallium arsenide (GaAs), germanium (Ge) or other suitable materials. The manufacturing method includes forming a wide-gap element on a semiconductor substrate, then a middle element is formed on it, the band gap of which is less than the band gap of the upper element. A metamorphic layer is formed on the middle element. The lower solar element with a smaller band gap is matched along the atomic lattice with the middle element. For contacting the thus formed structure of a multi-junction solar cell, Ti / Au / Ag / Au metal layers are sequentially deposited. Separation grooves are etched to separate into individual elements - chips and form a mesastructure of the created solar cell in a plate of a grown semiconductor structure.
Данный способ изготовления солнечного элемента предусматривает наличие нескольких подложек, одна из которых ростовая предназначена для последовательного осаждения на подложку слоев полупроводниковых материалов AIIIBV, формирующих солнечный элемент. Затем производят присоединение второй подложки (суррогатной) на верхний эпитаксиальный слой с удалением методом травления ростовой подложки. Изготовление инвертированного метаморфного солнечного элемента, кроме удаления ростовой подложки, включает в себя на финальном этапе и вытравливание канавок для формирования мезаструктуры создаваемого солнечного элемента.This method of manufacturing a solar cell provides for the presence of several substrates, one of which growth is intended for sequential deposition on the substrate of layers of III – V semiconductor materials forming the solar cell. Then, a second substrate (surrogate) is attached to the upper epitaxial layer and the growth substrate is removed by etching. The manufacture of an inverted metamorphic solar cell, in addition to removing the growth substrate, includes, at the final stage, etching the grooves to form the mesastructure of the created solar cell.
К недостатком известного способа изготовления многопереходных солнечных элементов, прежде всего, следует отнести использование как минимум двух подложек (первой - ростовой и второй - суррогатной), с несколькими операциями травления в различных по составу травителях. Необходимость выращивания дополнительных эпитаксиальных стоп-слоев. Все это приводит к значительному технологическому усложнению процесса производства и увеличению затрат при изготовлении монолитных многопереходных солнечных элементов.The disadvantage of the known method of manufacturing multi-junction solar cells, first of all, is the use of at least two substrates (the first is growth and the second is surrogate), with several etching operations in different etching compositions. The need to grow additional epitaxial stop layers. All this leads to a significant technological complication of the production process and increased costs in the manufacture of monolithic multi-junction solar cells.
Известен травитель для травления поверхности полупроводников (см. заявку RU 2009149618, МПК H01L 21/316, опубликована 10.07.2011), состоящий из следующих компонентов: фтористоводородной (HF), азотной (HNO3) и уксусной (CH3COOH) кислот в соотношении 1:6:3.Known etching agent for etching the surface of semiconductors (see application RU 2009149618, IPC H01L 21/316, published July 10, 2011), consisting of the following components: hydrofluoric (HF), nitric (HNO3) and acetic (CH3COOH) acids in a ratio of 1: 6 : 3.
Недостатком известного травителя является невозможность обработки многослойных полупроводниковых структур, содержащих твердые растворы соединений AIIIBV в связи с разной скоростью окислительно-восстановительной реакции на поверхности слоев разного состава, что приводит к образованию мезы с неровными боковыми поверхностями, уступами. Помимо этого активное выделение окислов азота в процессе травления приводит к образованию пузырьков газа, блокирующих поверхность полупроводника, в результате чего образуются недотравленные участки поверхности, и, как следствие, боковые поверхности получаются шероховатыми.A disadvantage of the known etchant is the impossibility of processing multilayer semiconductor structures containing solid solutions of III – V compounds due to the different rates of the redox reaction on the surface of layers of different compositions, which leads to the formation of a mesa with uneven side surfaces and ledges. In addition, the active release of nitrogen oxides during etching leads to the formation of gas bubbles that block the surface of the semiconductor, resulting in the formation of under-etched sections of the surface, and, as a result, the side surfaces are rough.
Известен способ изготовления чипов многослойной наногетероструктуры (см. патент RU №2354009, МПК H01L 31/18, опубликован 27.04.2009), совпадающий с настоящим техническим решением по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Известный способ-прототип включает нанесение омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной наногетероструктуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделение структуры на чипы, пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком, удаление части фронтального контактного слоя структуры и нанесение антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры. Разделение структуры на чипы проводят через маску фоторезиста с заданной шириной полоски - d~(5-30) мкм со стороны фронтальной поверхности структуры на глубину 15-50 мкм в две стадии: на первой стадии осуществляют травление структуры до германиевой подложки методом химического травления, на второй стадии проводят травление германиевой подложки методом электрохимического травления.A known method of manufacturing chips of a multilayer nanoheterostructure (see patent RU No. 2354009, IPC H01L 31/18, published 04/27/2009), coinciding with this technical solution for the largest number of essential features and adopted for the prototype. The known prototype method involves applying ohmic contacts to the back and front surfaces of a GalnP / Ga (ln) As / Ge multilayer nanoheterostructure grown on a germanium substrate, separating the structure into chips, passivating the chip side surface with a dielectric, removing part of the front contact layer of the structure and applying an antireflection coating on the front surface of the structure. Separation of the structure into chips is carried out through a photoresist mask with a given strip width - d ~ (5-30) microns from the front of the structure to a depth of 15-50 microns in two stages: at the first stage, the structure is etched to the germanium substrate by chemical etching, the second stage etching the germanium substrate by electrochemical etching.
Недостатком известного способа является необходимость проведения двухстадийного травления при разделении структуры на чипы, что усложняет процесс их изготовления. При этом скорости травления известным способом каждого из слоев наногетерострутуры оказываются различны. В результате применения нескольких селективных травителей в процессе травления монолитной многослойной наногетероструктуры получаются неровные боковые поверхности разделительных канавок с выступами, ступенями. Такой профиль вытравленных канавок затрудняет и существенно усложняет в последующем нанесение защитных (пассивирующих) покрытий на боковую поверхность канавок.The disadvantage of this method is the need for a two-stage etching when dividing the structure into chips, which complicates the process of their manufacture. In this case, the etching rates in a known manner for each of the layers of the nanoheterostructure are different. As a result of using several selective etching agents during etching of a monolithic multilayer nanoheterostructure, uneven side surfaces of dividing grooves with protrusions and steps are obtained. Such a profile of etched grooves complicates and substantially complicates the subsequent application of protective (passivating) coatings on the side surface of the grooves.
Известен травитель на основе HBr (см. патент RU №2354009, МПК H01L 31/18 опубликован 27.04.2009), совпадающий с настоящим травителем по наибольшему числу существенных признаков и принятый за прототип. Известный травитель-прототип содержит компоненты при следующем их соотношении, мас.ч.:Known etchant based on HBr (see patent RU No. 2354009, IPC H01L 31/18 published 04/27/2009), coinciding with this etchant for the largest number of essential features and adopted for the prototype. Known etchant prototype contains components in the following ratio, parts by weight:
Известный травитель применяется для травления слоев, содержащих полупроводниковые соединения AIIIBIV. К недостаткам данного травителя прежде всего следует отнести различие в скорости травления эпитаксиальных слоев гетероструктуры и германиевой подложки.The known etchant is used to etch layers containing III – IV semiconductor compounds. The disadvantages of this etchant are, first of all, the difference in the etching rate of the epitaxial layers of the heterostructure and the germanium substrate.
Задачей, решаемой настоящим изобретением, являлась разработка такого способа изготовления чипов наногетероструктуры и используемого в нем травителя, которые обеспечивают достижение ровной, без выступов и раковин, боковой поверхности разделительных канавок в монолитных наногетероструктурах на германиевой подложке, при травлении всей структуры в едином процессе в одном травителе, методом жидкостного химического травления. Такая, сформированная одним травителем боковая поверхность разделительных канавок многослойной наногетероструктуры необходима для качественного нанесения защитных (пассивирующих) покрытий на боковую поверхность разделительных канавок и разделение наногетероструктуры на отдельные элементы - чипы. В результате повышается выход годных изделий и их надежность и увеличивается срок службы отдельных элементов.The problem solved by the present invention was the development of such a method of manufacturing chips of a nanoheterostructure and an etchant used in it, which ensure the achievement of a smooth, without protrusions and shells, side surface of the dividing grooves in monolithic nanoheterostructures on a germanium substrate, when etching the entire structure in a single process in one etchant by liquid chemical etching. Such a side surface formed by a single etchant of the dividing grooves of a multilayer nanoheterostructure is necessary for high-quality deposition of protective (passivating) coatings on the side surface of the dividing grooves and the separation of the nanoheterostructure into separate elements - chips. As a result, the yield of suitable products and their reliability increase and the service life of individual elements increases.
Поставленная задача решается группой изобретений, объединенных единым изобретательским замыслом.The problem is solved by a group of inventions, united by a single inventive concept.
В части способа задача решается тем, что способ изготовления чипов наногетероструктуры, выращенной на германиевой подложке, включает нанесение омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности наногетероструктуры, удаление части фронтального контактного слоя наногетероструктуры методом химического травления и нанесение антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность наногетероструктуры, разделение наногетероструктуры на чипы, пассивацию боковой поверхности чипов диэлектриком.In terms of the method, the problem is solved in that the method of manufacturing chips of a nanoheterostructure grown on a germanium substrate includes applying ohmic contacts to the back and front surfaces of the nanoheterostructure, removing part of the front contact layer of the nanoheterostructure by chemical etching and applying an antireflection coating to the front surface of the nanoheterostructure, and separating the nanoheterostructure chips, passivation of the side surface of the chips by a dielectric.
Новым в способе является разделение структуры на чипы через маску фоторезиста со стороны фронтальной поверхности наногетероструктуры травлением на глубину 10-30 мкм наногетероструктуры и германиевой подложки в едином процессе при температуре 22-36°С в травителе, содержащем бромистый водород (HBr), перекись водорода (H2O2) и воду при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:New in the method is the separation of the structure into chips through the photoresist mask from the front surface of the nanoheterostructure by etching to a depth of 10-30 μm of the nanoheterostructure and the germanium substrate in a single process at a temperature of 22-36 ° C in the etchant containing hydrogen bromide (HBr), hydrogen peroxide ( H 2 O 2 ) and water in the following ratio of components, parts by weight:
В части травителя задача решается тем, что травитель для изготовления чипов наногетероструктуры, включающий бромистый водород и воду, дополнительно содержит перекись водорода при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:In terms of the etchant, the problem is solved in that the etchant for the manufacture of nanoheterostructure chips, including hydrogen bromide and water, additionally contains hydrogen peroxide in the following ratio of components, parts by weight:
Настоящий способ основан на применении одного травителя, обеспечивающего равные скорости травления всех слоев наногетероструктуры и германиевой подложки. Разбавление травящего раствора до оптимального соотношения его компонентов (H2O2, HBr, H2O), а также повышение температуры травящего раствора способствуют переводу гетерогенной реакции в режим диффузионного ограничения, при этом выравнивается различие скоростей реакции травления эпитаксиальных слоев. При этом тангенциальная и вертикальная составляющие скорости травления близки по величине. В результате формируются ровные (гладкие) боковые поверхности разделительной канавки. Изучение кинетики травления наногетероструктуры на германиевой подложке выявило оптимальную продолжительность травления в настоящем травителе. Нормальная и тангенциальная составляющие скорости травления выравниваются при травлении в течение 180 минут при комнатной температуре или при травлении в течение 90 минут при температуре 36°С.The present method is based on the use of a single etchant, providing equal etching rates for all layers of a nanoheterostructure and a germanium substrate. Dilution of the etching solution to the optimum ratio of its components (H 2 O 2 , HBr, H 2 O), as well as an increase in the temperature of the etching solution, contribute to the transfer of the heterogeneous reaction to the diffusion limitation mode, while the difference in the rates of etching of the epitaxial layers is evened out. In this case, the tangential and vertical components of the etching rate are close in magnitude. As a result, even (smooth) side surfaces of the dividing groove are formed. A study of the etching kinetics of a nanoheterostructure on a germanium substrate revealed the optimum etching duration in a real etchant. The normal and tangential components of the etching rate are aligned when etched for 180 minutes at room temperature or when etched for 90 minutes at 36 ° C.
Для оптимизации процесса травления исследовалась зависимость глубины травления и ширины растрава разделительной канавки от размера элементов маски фоторезиста - незащищенных фоторезистом областей в форме полосков, по которым происходит проникновение травителя через маску. Ширина вышеупомянутых исходных полосков варьировалась от 5 мкм до 27 мкм.To optimize the etching process, we studied the dependence of the etching depth and the width of the raster of the dividing groove on the size of the photoresist mask elements — strip-shaped areas that are not protected by the photoresist and through which the etchant penetrates through the mask. The width of the aforementioned starting strips ranged from 5 μm to 27 μm.
Если глубина травления меньше 10 мкм, то при последующем механическом (например, дисковом) разделении структуры на чипы (элементы) возникают дефекты в напряженных слоях или p-n переходах, приводящие к ухудшению характеристик солнечных элементов и их деградации.If the etching depth is less than 10 μm, then subsequent mechanical (e.g., disk) separation of the structure into chips (elements) causes defects in the stressed layers or pn junctions, leading to a deterioration in the characteristics of solar cells and their degradation.
Если глубина травления больше 30 мкм, то ширина разделительной канавки будет больше достаточной ширины 50 мкм, необходимой для последующей технологической операции - разделения структуры на чипы, например, методом дисковой резки и уменьшения количества чипов, изготавливаемых из одной эпитаксиальной пластины. При увеличении глубины травления больше 30 мкм вся эпитаксиальная пластина становится механически менее прочной.If the etching depth is greater than 30 μm, then the width of the separation groove will be greater than the sufficient width of 50 μm required for the subsequent technological operation — dividing the structure into chips, for example, by disk cutting and reducing the number of chips made from one epitaxial plate. As the etching depth increases to more than 30 μm, the entire epitaxial plate becomes mechanically less durable.
Если температура травления меньше 23°С, то реакции травления будут протекать медленнее и, как следствие, продолжительность травления до нужной глубины будет слишком длительной, что экономически невыгодно и нежелательно для промышленного изготовления солнечных элементов.If the etching temperature is less than 23 ° C, then the etching reactions will proceed more slowly and, as a result, the duration of etching to the desired depth will be too long, which is economically disadvantageous and undesirable for the industrial manufacture of solar cells.
Если температура травления больше 36°С, то защитный кислотоустойчивый слой (фоторезист) может не выдержать и отслоиться, что может испортить топологию чипа.If the etching temperature is more than 36 ° C, then the protective acid-resistant layer (photoresist) may not withstand and peel off, which can ruin the chip topology.
Если содержание бромистого водорода меньше 8,0, то реакция взаимодействия травителя с полупроводником будет протекать медленно, кроме того, формируются неровные края склонов разделительной канавки (мезы).If the content of hydrogen bromide is less than 8.0, then the reaction of the etchant with the semiconductor will proceed slowly, in addition, uneven edges of the slopes of the dividing groove (mesa) are formed.
Если содержание бромистого водорода больше 12,0, скорости реакции травления эпитаксиальных слоев будут различны, что приведет к формированию неровной боковой поверхности мезы.If the content of hydrogen bromide is greater than 12.0, the etch rate of the epitaxial layers will be different, which will lead to the formation of an uneven lateral surface of the mesa.
Если содержание перекиси водорода меньше 0,98, то реакция взаимодействия травителя с полупроводником будет протекать крайне медленно, что негативно скажется на всем технологическом процессе.If the content of hydrogen peroxide is less than 0.98, then the reaction between the etchant and the semiconductor will proceed extremely slowly, which will negatively affect the entire process.
Если содержание перекиси водорода больше 1,10, то скорости реакции травления эпитаксиальных слоев будут существенно различны, что приводит к формированию неровных краев склонов разделительной канавки мезы.If the content of hydrogen peroxide is greater than 1.10, then the reaction rates of the etching of the epitaxial layers will be significantly different, which leads to the formation of uneven edges of the slopes of the Mesa dividing groove.
Настоящая группа изобретений поясняется чертежом, где:The present group of inventions is illustrated in the drawing, where:
на фиг.1 изображен скол InGaP/Ga(In)As/Ge наногетероструктуры солнечного элемента (СЭ) после разделительного травления в травителях прототипа, где 1 - слой фоторезиста, 2 - InGaP/Ga(In)As наногетероструктура, 3 - p-n переход в германии и германиевая подложка (фотография получена сканирующим электронным микроскопом);figure 1 shows the cleaved InGaP / Ga (In) As / Ge nanoheterostructure of a solar cell (SE) after separation etching in prototype etchers, where 1 is a photoresist layer, 2 is an InGaP / Ga (In) As nanoheterostructure, 3 is a pn transition to Germany and a germanium substrate (photo taken by scanning electron microscope);
на фиг.2 показан скол InGaP/Ga(In)As/Ge наногетероструктуры СЭ после разделительного травления в настоящем травителе (23°С, 240 мин), где 1 - слой фоторезиста, 2 - InGaP/Ga(In)As наногетероструктура, 3 - p-n переход в германии и германиевая подложка (глубина травления h - 21 мкм, растрав в горизонтальном направлении, g - 29 мкм в каждую сторону);figure 2 shows the cleavage of InGaP / Ga (In) As / Ge nanoheterostructures of SE after separation etching in a real etchant (23 ° C, 240 min), where 1 is a photoresist layer, 2 is an InGaP / Ga (In) As nanoheterostructure, 3 - pn junction in Germany and a germanium substrate (etching depth h - 21 μm, rasterized in the horizontal direction, g - 29 μm in each direction);
на фиг.3 изображен скол InGaP/Ga(In)As/Ge наногетероструктуры СЭ после разделительного травления в заявляемом травителе (23°С, 150 мин), исходный полосок в фоторезисте шириной d=10 мкм, где 1 - слой фоторезиста, 2 - InGaP/Ga(In)As наногетероструктура, 3 - p-n переход в германии и германиевая подложка (глубина травления h - 15 мкм, растрав в горизонтальном направлении, g - 20 мкм в каждую сторону);figure 3 shows the cleavage of InGaP / Ga (In) As / Ge nanoheterostructures of the SC after separation etching in the inventive etchant (23 ° C, 150 min), the original strip in the photoresist with a width of d = 10 μm, where 1 is a layer of photoresist, 2 - InGaP / Ga (In) As nanoheterostructure, 3 - pn junction in germanium and a germanium substrate (etching depth h - 15 μm, etched in the horizontal direction, g - 20 μm in each direction);
на фиг.4 приведен скол InGaP/Ga(In)As/Ge наногетероструктуры СЭ после разделительного травления в заявляемом травителе, где 2 - InGaP/Ga(In)As наногетероструктура, 3 - p-n переход в германии и германиевая подложка (глубина травления h - 15 мкм, растрав в горизонтальном направлении, g - 14.5 мкм в каждую сторону);figure 4 shows the cleavage of InGaP / Ga (In) As / Ge nanoheterostructures of the SC after separation etching in the inventive etchant, where 2 is InGaP / Ga (In) As nanoheterostructure, 3 - pn junction in germanium and a germanium substrate (etching depth h - 15 microns, rasterized in the horizontal direction, g - 14.5 microns in each direction);
На фиг.5 показан скол InGaP/Ga(In)As/Ge наногетероструктуры СЭ после разделительного травления в заявляемом травителе (23°С, 90 мин), исходный полосок d=5 мкм, где 1 - слой фоторезиста, 2 - InGaP/Ga(In)As наногетероструктура, 3 - p-n переход в германии и германиевая подложка (глубина травления, h - 13 мкм, растрав в горизонтальном направлении, g - 23 мкм в каждую сторону);Figure 5 shows the cleavage of InGaP / Ga (In) As / Ge nanoheterostructures of the SC after separation etching in the inventive etchant (23 ° C, 90 min), the initial strip d = 5 μm, where 1 is a layer of photoresist, 2 is InGaP / Ga (In) As nanoheterostructure, 3 - pn junction in germanium and a germanium substrate (etching depth, h - 13 μm, etched in the horizontal direction, g - 23 μm in each direction);
на фиг.6 даны зависимости растрава InGaP/Ga(In)As/Ge наногетероструктуры СЭ от времени: g (мкм) - в горизонтальном направлении (кривые 1, 2, 3); h - в вертикальном направлении (глубина), мкм, (кривые 1а, 2а, 3а), для полоска шириной d (мкм) в маске фоторезиста, при температуре 23°С. Выделенная область показывает близкие значения растрава в вертикальном - h (мкм) и горизонтальном - g (мкм) направлениях для полосков в маске фоторезиста величинами d=10 и 27 мкм. Кривые 1 и 1а - для d=5 мкм, кривые 2 и 2а - для d=10 мкм, кривые 3 и 3а - для d=27 мкм.Fig. 6 shows the time dependences of the InGaP / Ga (In) As / Ge raster of the SC nanoheterostructure: g (μm) —in the horizontal direction (curves 1, 2, 3); h - in the vertical direction (depth), μm, (
Из представленных на фиг.6 зависимостей видно, что настоящий травитель, в выделенной на графике области, обеспечивает травление всех слоев InGaP/Ga(In)As/Ge наногетероструктуры СЭ с оптимальными значениями растрава в вертикальном (глубина) - h (мкм) и горизонтальном (тангенциальном) - g (мкм) направлениях, для полосков в фоторезисте шириной d=10 мкм (кривые 2 и 2а) и 27 мкм (кривые 3 и 3а).From the dependences shown in Fig. 6, it can be seen that the real etchant, in the region highlighted on the graph, provides etching of all InGaP / Ga (In) As / Ge layers of SC nanoheterostructures with optimal raster values in the vertical (depth) - h (μm) and horizontal (tangential) - g (μm) directions, for strips in a photoresist with a width of d = 10 μm (
Настоящий способ изготовления чипов наногетероструктуры 2 осуществляют на основе полупроводниковой наногетероструктуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке 3. Процесс изготовления проводят в несколько стадий: осуществляют химическое травление тыльной стороны германиевой подложки 3 на глубину 20-30 мкм в травителе СР4. Проводят очистку фронтальной поверхности наногетероструктуры 2 методом ионно-лучевого травления на глубину 0,005-0,1 мкм. Осуществляют напыление омического контакта толщиной 0,2-0,4 мкм на фронтальную поверхность наногетероструктуры 2 через маску. Проводят очистку тыльной поверхности германиевой подложки 3 методом ионно-лучевого травления на установке ионно-лучевого травления Rokappa IBE на глубину 0,005-0,1 мкм. Проводят напыление тыльного омического контакта толщиной 0,4-0,5 мкм методом вакуумно-термического испарения на установке поствакуумный универсальный ВУП-5М. Проводят вжигание омических контактов при температуре 350-370°С в течение 10-60 сек.The present method of manufacturing chips of
Осуществляют утолщение омических контактов путем электрохимического осаждения через маску фоторезиста последовательно слоев: золота, никеля и вновь золота общей толщиной 1,6-3,5 мкм.The ohmic contacts are thickened by electrochemical deposition of successive layers of gold, nickel and again gold with a total thickness of 1.6-3.5 μm through a photoresist mask.
Осуществляют удаление части фронтального контактного слоя наногетероструктуры методом химического травления и нанесение антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность наногетероструктуры.Part of the front contact layer of the nanoheterostructure is removed by chemical etching and an antireflection coating is applied to the front surface of the nanoheterostructure.
Разделяют на чипы через маску фоторезиста 3 со стороны фронтальной поверхности наногетероструктуры 2 травлением на глубину 10-30 мкм наногетероструктуры 2 и германиевой подложки 3 в едином процессе при температуре 22-36°С в травителе, содержащем бромистый водород (HBr), перекись водорода (H2O2) и воду при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Separated into chips through a
Осуществляют пассивацию боковой поверхности чипов нанесением слоя диэлектрика.Passivation of the side surface of the chips is carried out by applying a dielectric layer.
Пример 1. Изготавливали чипы наногетероструктуры на основе полупроводниковой наногетероструктуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке. Процесс изготовления проводили в несколько стадий: осуществляли химическое травление тыльной стороны германиевой подложки на глубину 25 мкм в травителе СР4. Проводили очистку фронтальной поверхности наногетероструктуры методом ионно-лучевого травления на установке ионно-лучевого травления Rokappa IBE на глубину 0,1 мкм. Осуществляли напыление омического контакта толщиной 0,2 мкм на фронтальную поверхность наногетероструктуры через маску фоторезиста методом вакуумно-термического испарения на установке поствакуумный универсальный ВУП-5М. Проводили очистку тыльной поверхности германиевой подложки методом ионно-лучевого травления на установке ионно-лучевого травления Rokappa IBE на глубину 0,1 мкм. Проводили напыление тыльного омического контакта толщиной 0,5 мкм методом вакуумно-термического испарения на установке поствакуумный универсальный ВУП-5М. Проводили вжигание омических контактов при температуре 370°С в течение 50 сек. Осуществляли утолщение омических контактов путем электрохимического осаждения через маску фоторезиста последовательно слоев золота, никеля и вновь золота общей толщиной до 3.0 мкм. Осуществляли удаление части фронтального контактного слоя наногетероструктуры методом химического травления и нанесение антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность наногетероструктуры. Разделяли на чипы через маску фоторезиста со стороны фронтальной поверхности наногетероструктуры травлением на глубину h - 20 мкм, при растраве в ширину в одну сторону g - 30 мкм, наногетероструктуры и германиевой подложки в едином процессе при температуре 23°С в травителе, содержащем бромистый водород (HBr), перекись водорода (H2O2) и воду при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Example 1. Chips were made of a nanoheterostructure based on a semiconductor nanoheterostructure GalnP / Ga (ln) As / Ge grown on a germanium substrate. The manufacturing process was carried out in several stages: chemical etching of the back of the germanium substrate to a depth of 25 μm was carried out in the etchant CP4. The front surface of the nanoheterostructure was cleaned by the ion beam etching method at the Rokappa IBE ion beam etching unit to a depth of 0.1 μm. An ohmic contact with a thickness of 0.2 μm was sprayed onto the front surface of the nanoheterostructure through a photoresist mask by vacuum-thermal evaporation using a universal vacuum unit VUP-5M. The back surface of the germanium substrate was cleaned by ion-beam etching at the Rokappa IBE ion-beam etching unit to a depth of 0.1 μm. A rear ohmic contact 0.5 μm thick was sprayed by vacuum thermal evaporation at the post-vacuum universal unit VUP-5M. The ohmic contacts were incinerated at a temperature of 370 ° С for 50 sec. The ohmic contacts were thickened by electrochemical deposition of successive layers of gold, nickel, and again gold with a total thickness of up to 3.0 μm through a photoresist mask. A part of the front contact layer of the nanoheterostructure was removed by chemical etching and an antireflection coating was applied to the front surface of the nanoheterostructure. They were divided into chips through a photoresist mask from the front of the nanoheterostructure by etching to a depth of h - 20 μm, with a one-sided g-width raining of 30 μm, of the nanoheterostructure and a germanium substrate in a single process at a temperature of 23 ° C in an etchant containing hydrogen bromide ( HBr), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and water in the following ratio, wt.h .:
Осуществляли пассивацию боковой поверхности чипов нанесением слоя диэлектрика.Passivation of the lateral surface of the chips was carried out by applying a dielectric layer.
Пример 2. Изготавливали чипы наногетероструктуры на основе полупроводниковой наногетероструктуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, так же как в примере 1 со следующими отличиями: глубина травления составляла h~15 мкм, растрав в ширину в одну сторону около g~15 мкм, травление при температуре 36°С в течение 90 минут в травителе, содержащем бромистый водород (HBr), перекись водорода (H2O2) и воду при следующем соотношении компонентов, мас.ч.:Example 2. Chips were made of a nanoheterostructure based on a semiconductor nanoheterostructure GalnP / Ga (ln) As / Ge grown on a germanium substrate, as in example 1 with the following differences: the etching depth was h ~ 15 μm, having a one-sided width approximately g ~ 15 μm, etching at a temperature of 36 ° C for 90 minutes in an etchant containing hydrogen bromide (HBr), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and water in the following ratio, wt.h .:
Таким образом, в отличие от прототипа травление в едином процессе в настоящем травителе при достижении оптимального соотношения компонентов травящего раствора происходит выравнивание скоростей травления всех слоев структуры, включая подложку, что приводит к формированию ровного, плоского без уступов профиля боковых склонов разделительной канавки в наногетероструктуре.Thus, in contrast to the prototype, etching in a single process in this etchant, when the optimum ratio of the components of the etching solution is reached, the etching rates of all layers of the structure, including the substrate, become equal, which leads to the formation of a flat, flat without steps ledge profile of the side slopes of the dividing groove in the nanoheterostructure.
Настоящее изобретение позволяет при изготовлении солнечных элементов на основе полупроводниковых наногетероструктур существенно упростить разделение на чипы монолитных наногетероструктур на германиевой подложке и повысить качество пассивации боковой поверхности чипов солнечных элементов диэлектриком, увеличить выход годных изделий и их надежность при эксплуатации.The present invention allows the manufacture of solar cells based on semiconductor nanoheterostructures to significantly simplify the chip separation of monolithic nanoheterostructures on a germanium substrate and to improve the passivation quality of the side surface of solar cell chips by a dielectric, to increase the yield of products and their reliability during operation.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012101927/28A RU2485628C1 (en) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | Method for manufacturing nanoheterostructure chips and etching medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012101927/28A RU2485628C1 (en) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | Method for manufacturing nanoheterostructure chips and etching medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2485628C1 true RU2485628C1 (en) | 2013-06-20 |
Family
ID=48786519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012101927/28A RU2485628C1 (en) | 2012-01-19 | 2012-01-19 | Method for manufacturing nanoheterostructure chips and etching medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2485628C1 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2725521C1 (en) * | 2019-12-19 | 2020-07-02 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Photoconverter manufacturing method |
| RU2798772C2 (en) * | 2021-06-02 | 2023-06-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Method for connecting silicon chip to chip holder of semiconductor device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1042541A1 (en) * | 1981-10-16 | 1985-11-23 | Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Method of manufacturing semiconductor photoconverters |
| RU2065644C1 (en) * | 1994-06-14 | 1996-08-20 | Институт физики полупроводников СО РАН | Method of manufacture of photodetector cell based on multilayer heterostructures ga as/al ga as |
| EP1063709A2 (en) * | 1999-05-13 | 2000-12-27 | Hughes Electronics Corporation | Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector |
| US20090087967A1 (en) * | 2005-11-14 | 2009-04-02 | Todd Michael A | Precursors and processes for low temperature selective epitaxial growth |
| RU2354009C1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-04-27 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method for manufacture of photoelectric transducers based on multilayer structure |
| RU2368038C1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-09-20 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method for manufacturing of multilayer photoconverter chips |
-
2012
- 2012-01-19 RU RU2012101927/28A patent/RU2485628C1/en active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1042541A1 (en) * | 1981-10-16 | 1985-11-23 | Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Method of manufacturing semiconductor photoconverters |
| RU2065644C1 (en) * | 1994-06-14 | 1996-08-20 | Институт физики полупроводников СО РАН | Method of manufacture of photodetector cell based on multilayer heterostructures ga as/al ga as |
| EP1063709A2 (en) * | 1999-05-13 | 2000-12-27 | Hughes Electronics Corporation | Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector |
| US20090087967A1 (en) * | 2005-11-14 | 2009-04-02 | Todd Michael A | Precursors and processes for low temperature selective epitaxial growth |
| RU2354009C1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-04-27 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method for manufacture of photoelectric transducers based on multilayer structure |
| RU2368038C1 (en) * | 2007-12-07 | 2009-09-20 | Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН | Method for manufacturing of multilayer photoconverter chips |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2725521C1 (en) * | 2019-12-19 | 2020-07-02 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Photoconverter manufacturing method |
| RU2798772C2 (en) * | 2021-06-02 | 2023-06-27 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет" | Method for connecting silicon chip to chip holder of semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4657068B2 (en) | Manufacturing method of back junction solar cell | |
| RU2547004C1 (en) | FABRICATION OF GaAs-BASED PHOTO INVERTER | |
| CN105185860B (en) | Bonding connected silicon substrate and gallium arsenide substrate solar cell | |
| US9029188B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR20210053333A (en) | Crystalline silicon solar cell and its manufacturing method | |
| KR20120023391A (en) | Solar cell and manufacturing method thereof | |
| RU2354009C1 (en) | Method for manufacture of photoelectric transducers based on multilayer structure | |
| RU2528277C1 (en) | METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE | |
| RU2368038C1 (en) | Method for manufacturing of multilayer photoconverter chips | |
| RU2391745C1 (en) | Method of making cascade solar cells (versions) | |
| CN103035753A (en) | Photoelectric conversion device | |
| RU2419918C1 (en) | Method for producing chips of solar photocells | |
| US11515443B2 (en) | Tandem solar cell manufacturing method | |
| RU2485628C1 (en) | Method for manufacturing nanoheterostructure chips and etching medium | |
| CN102244151A (en) | Method for manufacturing solar battery | |
| CN104388092A (en) | Non-selective wet etching solution for III-V semiconductor material, preparation method and application | |
| CN110943139B (en) | A solar cell and method of making the same | |
| JP6702673B2 (en) | Inversion metamorphic multijunction solar cell with multiple metamorphic layers | |
| RU2575974C1 (en) | Method of making heterostructure solar cell | |
| CN102569495B (en) | Method for doping solar wafer and doped wafer | |
| CN101916796A (en) | Method for making gradational diffusion photoelectric diode by using MOCVD epitaxial system | |
| JP2007115916A (en) | Compound solar cell and method of manufacturing same | |
| JP5172993B2 (en) | Method for forming texture structure and method for manufacturing solar cell | |
| JP2014086590A (en) | Method for manufacturing crystal solar cell and crystal solar cell | |
| RU2492555C1 (en) | Method of making multilayer photocell chips |