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KR102166244B1 - 힘 검출 입력 구조 - Google Patents

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Abstract

크라운과 같은 입력 메커니즘은 인가된 힘의 양들을 검출한다. 다양한 예들에서, 입력 메커니즘을 포함하는 조립체는 인클로저, 인클로저에 결합되어 인클로저에 대해 회전가능, 병진가능 그리고 횡방향으로 이동가능한 스템, 스템과 하우징 사이에 결합되고, 스템이 하우징에 대해 이동할 때 힘이 전달되는 센서; 및 센서에 결합된 프로세싱 유닛을 갖는다. 프로세싱 유닛은 센서로부터의 신호에 기초하여 힘의 측정치를 결정하도록 동작가능하다.

Description

힘 검출 입력 구조
관련 출원에 대한 상호 참조
본 특허협력조약 특허 출원은 2016년 7월 25일 출원되고, 발명의 명칭이 "Force-Detecting Input Structure"인 미국 정규 출원 제15/219,253호에 대한 우선권을 주장하며, 상기 출원의 내용은 본 명세서에 전체적으로 참조로서 포함된다.
기술분야
설명되는 실시예들은 일반적으로 크라운들과 같은 입력 메커니즘들에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 실시예들은 인가된 힘의 양을 검출하는 크라운과 같은 입력 메커니즘에 관한 것이다.
웨어러블 전자 디바이스들과 같은 많은 디바이스들이 사용자 입력을 수신하기 위한 다양한 입력 메커니즘들을 사용한다. 많은 디바이스들, 특히 시계들, 스마트 워치들, 웨어러블 디바이스들 등과 같은 소형 폼팩터 디바이스들이 제한된 수의 입력 메커니즘들을 가질 수 있다.
예를 들어, 많은 시계들이 크라운 또는 유사한 입력 메커니즘들을 포함한다. 일부 크라운들은 시계를 감기 위해 회전될 수 있다. 다른 크라운들은 시간-변경 위치로 병진될 수 있으며 여기서 그들은 시계의 시간을 변경하도록 회전될 수 있다.
본 발명은 크라운, 버튼, 키, 표면 등과 같은 인가된 힘을 검출하는 입력 메커니즘에 관한 것이다. 입력 메커니즘은 전자 디바이스 내에 포함될 수 있다. 사용자는 입력 메커니즘을 회전시키고, 입력 메커니즘을 병진시키고, 입력 메커니즘을 횡방향으로 이동시키는 등에 의해 입력을 제공할 수 있다. 입력 메커니즘은 전자 디바이스가 입력 메커니즘에 인가된 비-바이너리(non-binary) 힘의 양을 결정하기 위해 사용할 수 있는 하나 이상의 힘 센서들을 포함할 수 있다. 전자 디바이스가 상이한 유형들의 이동에 대응되는 비-바이너리 힘의 양들을 결정할 수 있으므로, 입력 메커니즘은 다양한 상이한 입력을 수신하는 데 사용될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 전자 디바이스는 하우징, 하우징에 결합된 칼라(collar), 및 칼라로부터 연장되는 입력 구조를 포함한다. 칼라는 이동가능한 전도체, 전도성 요소, 및 이동가능한 전도체와 전도성 요소 사이에 한정된 분리부를 포함한다. 입력 구조의 이동은 이동가능한 전도체와 전도성 요소 사이의 커패시턴스를 변경시킨다.
일부 예들에서, 전자 디바이스는 커패시턴스의 변화에 기초하여 입력 구조에 인가된 힘의 양을 결정하도록 동작하는 프로세싱 유닛을 더 포함한다. 다수의 예들에서, 전자 디바이스는 분리부 내부에 배치된 실리콘을 더 포함한다.
다양한 예들에서, 전도성 요소는 칼라의 적어도 일부를 관통하여 하우징 내부로 연장되는 플렉스 회로(flex circuit)를 포함한다. 일부 예들에서, 칼라는 전도성 요소가 그에 결합된 내부 코어 및 분리부 내에 배치되어 전도성 요소와 이동가능한 전도체를 결합시키는 유연성 재료를 포함한다. 다수의 예들에서, 입력 구조는 이동가능한 전도체와 전도성 요소 사이의 커패시턴스를 변경시키지 않으면서 이동하도록 동작가능하다.
일부 실시예들에서, 입력 메커니즘 조립체는 인클로저(enclosure) 및 인클로저에 결합된 스템을 포함하여, 스템이 인클로저에 대해 회전가능하고, 인클로저를 향해 그리고 그로부터 멀어지게 병진가능하며, 인클로저에 대해 횡방향으로 이동가능하다. 입력 메커니즘 조립체는 스템과 인클로저 사이에 결합되고 스템이 인클로저에 대해 횡방향으로 이동할 때 힘이 전달되는 센서, 및 센서에 결합되고 센서로부터의 신호에 기초하여 힘의 측정치를 결정하도록 동작가능한 프로세싱 유닛을 더 포함한다. 프로세싱 유닛은 스템이 횡방향으로 이동하는 방향을 결정하도록 또한 동작할 수 있다.
다양한 예들에서, 센서는 스트레인 게이지(strain gauge)이다. 다른 예들에서, 센서는 제1 전도체, 제2 전도체 및 제1 및 제2 전도체들을 분리시키는 유전체를 포함한다. 유전체는 유연성 재료일 수 있다.
다수의 예들에서, 입력 메커니즘 조립체는 하우징에 결합된 칼라를 더 포함하며, 센서는 스템을 칼라에 결합시킨다. 다양한 예들에서, 입력 메커니즘 조립체는 프로세싱 유닛과 센서를 무선으로 결합시키는 무선 전송 메커니즘을 더 포함한다. 일부 예들에서, 입력 메커니즘 조립체는 스템과 프로세싱 유닛 사이에 결합된 추가적인 센서를 더 포함하며, 프로세싱 유닛은 추가적인 센서로부터의 신호에 기초하여 스템을 병진시키는 힘의 측정치를 결정하도록 동작가능하다.
다수의 실시예들에서, 전자 디바이스는 본체; 본체 내에 적어도 부분적으로 위치된 커플러; 커플러에 연결되고 본체에 대해 이동하도록 동작가능한 입력 메커니즘; 입력 메커니즘에 결합되고, 입력 메커니즘이 이동할 때 힘이 전달되는 용량성 센서; 및 용량성 센서의 커패시턴스의 변화에 기초하여 힘의 양을 확인하도록 동작가능한 프로세싱 유닛을 포함한다.
다양한 예들에서, 커플러는 용량성 센서를 포함한다. 일부 예들에서, 용량성 센서는 제1 용량성 요소, 제2 용량성 요소, 및 제1 및 제2 용량성 요소들 사이에 위치된 유연성 재료를 포함한다. 그러한 예들의 일부 구현예들에서, 유연성 재료는 커플러와 본체 사이에서 연장되고 커플러를 본체에 실링시킨다.
일부 예들에서, 입력 메커니즘은 본체에 대해 횡방향으로 이동한다. 다양한 예들에서, 입력 메커니즘의 일부분은 본체에 보다 근접하도록 이동한다. 다수의 예들에서, 제1 및 제2 전도체들 사이의 근접도의 변화는 힘의 양에 비례한다.
본 발명은 유사한 도면 부호가 유사한 구조적 요소들을 지시하는 첨부 도면과 관련하여 하기의 상세한 설명에 의해 쉽게 이해될 것이다.
도 1은 힘-검출 입력 구조를 포함하는 예시적인 전자 디바이스를 도시한다.
도 2a는 도 1의 A-A를 따른, 도 1의 전자 디바이스의 개략적 단면도로서, 힘-검출 입력 구조의 제1 예를 도시한다.
도 2b는 사용자가 입력 구조를 전자 디바이스의 하우징에 대해 횡방향으로 이동시키도록 힘을 가하고 있는 동안의 도 2a의 전자 디바이스를 도시한다.
도 2c는 사용자가 입력 구조를 전자 디바이스의 하우징을 향해 병진시키도록 힘을 가하고 있는 동안의 도 2a의 전자 디바이스를 도시한다.
도 3은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조의 제2 예를 도시한다.
도 4는 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조의 제3 예를 도시한다.
도 5는 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조의 제4 예를 도시한다.
도 6은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조의 제5 예를 도시한다.
도 7은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조의 제6 예를 도시한다.
도 8은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조의 제7 예를 도시한다.
도 9는 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조의 제8 예를 도시한다.
도 10은 크라운에 인가된 힘을 검출하기 위한 예시적인 방법을 도시하는 흐름도이다. 이 방법은 도 1 내지 도 6의 전자 디바이스들에 의해 수행될 수 있다.
이제, 첨부 도면들에 도시된 대표적인 실시예들이 상세하게 참조될 것이다. 하기의 설명이 실시예들을 하나의 바람직한 실시예로 한정하고자 하는 것이 아니라는 것이 이해되어야 한다. 반대로, 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같은 설명된 실시예들의 기술적 사상 및 범주 내에 포함될 수 있는 대안예들, 수정예들 및 등가물들을 포함하고자 한다.
이어지는 설명은 본 발명의 다양한 요소들을 구현하는 샘플 시스템들, 방법들, 및 장치들을 포함한다. 그러나, 설명되는 본 발명은 본 명세서에 설명되는 것들 외에도 다양한 형태들로 실행될 수 있음이 이해되어야 한다.
이어지는 본 발명은 크라운 또는 버튼, 키, 스위치, 표면 등과 같은, 전자 디바이스에 포함될 수 있는 다른 입력 메커니즘 또는 구조에 관한 것이다. 입력 구조는 회전, 병진, 횡방향으로 이동하는 등을 할 수 있다. 입력 구조는 입력 구조 내에 위치되어 인가된 힘의 양을 결정하는 데 사용될 수 있는 하나 이상의 힘 센서들을 포함할 수 있다. 전자 디바이스가 상이한 유형들의 이동에 대응되는 인가된 힘을 결정할 수 있으므로, 입력 메커니즘은 다양한 상이한 입력들을 수신하는 데 사용될 수 있다.
이들 및 다른 실시예들은 도 1 내지 도 10을 참조하여 아래에서 논의된다. 그러나, 통상의 기술자들은 이러한 도면들에 대하여 본 명세서에서 제공되는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용이 설명의 목적을 위한 것일 뿐이며, 제한적인 것으로 해석되지 않아야 한다는 것을 쉽게 인식할 것이다.
도 1은 힘-검출 입력 구조(101)를 포함하는 예시적인 전자 디바이스(100)를 도시한다. 전자 디바이스(100)는 사용자로부터 입력을 수신하도록 동작가능할 수 있다. 전자 디바이스(100)는 힘-검출 입력 구조(101)를 통해 수신된 입력에 응답하여 다양한 액션들을 수행하도록 또한 동작가능할 수 있다. 전자 디바이스(100)는 힘-검출 입력 구조(101)의 회전, 힘-검출 입력 구조(101)의 병진, 힘-검출 입력 구조(101)의 횡방향 이동, 힘-검출 입력 구조(101)의 힘의 인가 등에 기초한 상이한 입력들을 수신할 수 있다.
힘-검출 입력 구조(101)에 힘이 가해지면, 전자 디바이스(100)는 힘을 확인 또는 측정할 수 있다. 일반적으로, 전자 디바이스(100)는 상이한 힘의 양들을 상이한 입력들로서 해석할 수 있다.
도 2a는 도 1의 A-A를 따른, 도 1의 전자 디바이스(100)의 개략적 단면도로서, 힘-검출 입력 구조(101)의 제1 예를 도시한다. 입력 구조(101)는 전자 디바이스(100)의 하우징(204), 본체, 또는 다른 인클로저에 결합되는 스템(203)을 포함한다. 입력 구조(101)는 칼라(208) 또는 다른 커플러, 부싱(207) 및 하나 이상의 개스킷들(209)을 통해 하우징(204)에 결합된다.
도 2a 내지 도 2c를 참조하면, 입력 구조(101)를 수반하는 입력 메커니즘 조립체가 보다 상세히 설명된다. 칼라(208)는 하우징(204)에 의해 한정된 개구(예컨대, 제1 개구)내에 위치될 수 있다. 개스킷(211)은 칼라(208)를 하우징(204)에 결합시키면서 칼라(208)와 하우징(204) 사이에 압축될 수 있다. 개스킷(211)은 오염물질들의 통과에 대한 밀봉 또는 다른 장벽을 형성할 수 있다. 밀봉부는 액체 밀봉일 수 있다. 칼라(208)는 개구(예컨대, 제2 개구)를 한정할 수 있다. 스템(203)의 일부분이 칼라(208)에 의해 한정된 개구 내에 위치된다.
칼라(208)는 내부 코어(225)를 포함한다. 플렉스 회로들(214a, 214b) 또는 다른 전도체들이 내부 코어(225)에 결합된다. 칼라(208)는 플렉스 회로들(214a, 214b)에 결합된 유연성 실리콘(213a, 213b) 또는 다른 유연성 유전체 재료를 또한 포함한다. 유연성 실리콘(213a, 213b)은 칼라(208)를 적어도 부분적으로 통해 연장되는 개스킷(211)의 일부분일 수 있다. 칼라(208)는 유연성 실리콘(213a, 213b)에 결합된 이동가능한 전도체들(212a, 212b)을 더 포함한다.
스템(203)은 하나 이상의 부싱들(207)에 의해 적어도 부분적으로 칼라(208) 주위에 슬라이딩 가능하게 결합된다. 칼라(208)로부터 연장된 스템(203)의 일부분은 하나 이상의 개스킷들(209)(예컨대, 하나 이상의 오-링들)에 의해 적어도 부분적으로 칼라(208) 내에 추가로 슬라이딩 가능하게 결합된다. 이들 슬라이딩 가능한 결합들은 스템(203)이 하우징(204)과 칼라(208)에 대해 회전하게 한다.
일부 실시예들에서, 부싱(207) 및/또는 개스킷(209)은 고분자량 폴리에틸렌, 엘라스토머 등과 같은 유연성 재료로 형성될 수 있다. 다양한 실시예들에서, 스템(203) 및/또는 칼라(208)는 연마 또는 코팅된 티타늄 또는 스템(203)이 칼라(208) 내부와 둘레로 슬라이드하도록 추가로 허용하는 다른 적합한 재료들로 형성될 수 있다. 부싱(207) 및 개스킷(209)은 스템(203)의 슬라이딩과 관련한 스트레스의 대부분을 견딜 수 있다.
캡(202), 노브, 또는 유사한 구조가 스템(203)에 결합될 수 있다. 일부 구현예들에서, 스템(203)은 캡(202) 내로 스냅되어 끼워맞춤될 수 있다. 다양한 구현예들에서, 스템(203)은 접착제에 의한 것과 같이, 캡(202)에 접합 또는 그렇지 않으면 부착될 수 있다.
입력 구조(101)를 사용한 힘 검출이 이제 설명될 것이다. 칼라(208)는 플렉스 회로들(214a, 214b), 유연성 실리콘(213a, 213b), 및 이동가능한 전도체들(212a, 212b)에 의해 형성된 다수의 용량성 센서들을 포함한다. 이들 각자의 용량성 센서들의 커패시턴스는 각자의 용량성 요소들 사이에 한정된 분리부들을 가로질러 각자의 용량성 요소들(예컨대, 이동가능한 전도체들(212a, 212b)과 플렉스 회로들(214a, 214b))의 근접도에 의존할 수 있다. 유연성 실리콘(213a, 213b)은 분리부들 내부에 위치된다. 유연성 실리콘(213a, 213b)은 힘의 인가 하에서 변형되어 이동가능한 전도체들(212a, 212b)이 플렉스 회로들(214a, 214b)을 향해 가까이, 그리고 그들로부터 멀어지게 이격되면서 이들 각자의 용량성 요소들 사이의 커패시턴스를 변경하게 한다.
이동가능한 전도체들(212a, 212b)의 플렉스 회로들(214a, 214b)에 대한 이동은 가해진 힘에 비례적일 수 있다. 유사하게, 용량성 센서들의 커패시턴스의 변화들은 플렉스 회로들(214a, 214b)에 대한 이동가능한 전도체들(212a, 212b)의 이동에 비례적일 수 있다. 따라서, 용량성 요소들 사이의 커패시턴스의 변화들은 가해진 힘에 비례적일 수 있다.
프로세싱 유닛(223)은 플렉스 회로들(214a, 214b) 또는 다른 전도성 요소들에 전기적으로 결합된다. 프로세싱 유닛(223)은 각자의 용량성 요소들 사이의 커패시턴스의 변화들을 나타내는 신호들을 수신한다. 프로세싱 유닛(223)은 입력 구조(101)에 인가된 힘을 결정하기 위해 커패시턴스의 이러한 변화들을 힘의 양들과 상관시킨다. 예를 들어, 프로세싱 유닛(223)은 비일시적 저장 매체에 저장되고 커패시턴스들을 힘의 양들과 상관시키는 룩업 테이블 또는 다른 데이터 구조를 활용할 수 있다. 프로세싱 유닛(223)은 인가된 비-바이너리 힘의 양들을 결정하는 것이 가능할 수 있다.
입력 구조(101)의 횡방향 이동(예컨대, 도 2b에 도시된 방향들 중 하나의 방향(262)으로의 이동)이 이제 설명될 것이다. 입력 구조(101)에 인가된 힘은 스템(203)에 의해 각자의 이동가능한 전도체들(212a, 212b)로 전달되고, 따라서, 유연성 실리콘(213a, 213b)으로 전달된다. 이러한 전달된 힘은 유연성 실리콘(213a, 213b)을 변형시킴으로써 이동가능한 전도체들(212a, 212b)과 플렉스 회로들(214a, 214b) 사이의 근접도를 변경시킨다. 근접도의 이러한 변화들은 이동가능한 전도체들(212a, 212b)과 플렉스 회로들(214a, 214b) 사이의 커패시턴스를 변경시킬 수 있다.
도 2b는 사용자(230)가 입력 구조(101)를 도 2b에 도시된 방향들 중 하나의 방향(261)으로 횡방향으로 이동시키도록 힘을 가하고 있는 동안의 도 2a의 전자 디바이스(100)를 도시한다. 스템(203)은 가해진 힘을 수신하고 칼라(208)에 전달한다. 이러한 전달된 힘은 유연성 실리콘(213a, 213b)을 변형시킨다. 이는 이동가능한 전도체(212a)를 플렉스 회로(214a)에 보다 근접하도록 옮긴다. 이는 또한 이동가능한 전도체(212b)를 플렉스 회로(214b)로부터 보다 멀어지게 옮긴다. 이동가능한 전도체들(212a, 212b)과 플렉스 회로들(214a, 214b) 사이의 근접도의 변화는 그에 의해 형성된 각자의 용량성 센서들의 커패시턴스를 변경시킨다. 프로세싱 유닛(223)은 입력 구조(101)에 가해진 힘의 양을 결정하기 위해 커패시턴스의 이러한 변화들을 분석한다.
추가적으로, 프로세싱 유닛(223)은 다른 정보를 결정하기 위해 커패시턴스의 변화들을 분석할 수 있다. 예를 들어, 프로세싱 유닛(223)은 힘이 인가된 방향, 입력 구조(101)에 인가된 추가적 힘들, 입력 구조(101)의 횡방향 이동의 방향 등을 결정하기 위해 커패시턴스의 변화들을 분석할 수 있다. 예를 들어, 도 2b에 도시된 방향으로 인가된 힘은 이동가능한 전도체(212a)와 플렉스 회로(214a)에 의해 형성된 용량성 센서(예컨대, 힘 센서)의 커패시턴스의 증가 및 이동가능한 전도체(212b)와 플렉스 회로(214b)에 의해 형성된 용량성 센서의 커패시턴스의 감소를 이끌어낼 수 있다. 프로세싱 유닛(223)은 힘이 도 2b에 도시된 방향으로 인가된다고 결정하기 위해 커패시턴스의 변화들을 비교할 수 있다.
입력 구조(101)의 병진 이동(예컨대, 도 2c에 도시된 방향들 중 하나의 방향(262)으로의 이동)이 이제 설명될 것이다. 부싱(207)과 개스킷(209)에 의한 칼라(208)에 대한 스템(203)의 슬라이드 가능한 결합은 또한 스템(203)이 도 2c에 도시된 방향들 중 하나의 방향(262)으로 하우징(204)과 칼라(208)를 향해 그리고/또한 하우징(204)과 칼라로부터 멀어지게 이동하게 한다. 따라서, 스템(203)은 병진가능하다. 회전 이동과 유사하게, 부싱(207) 및 개스킷(209)은 스템(203)의 슬라이딩과 관련된 스트레스의 대부분을 견딜 수 있다.
도 2c는 사용자(230)가 입력 구조(101)를 하우징(204)을 향해 이동시키도록 힘을 가하고 있는 동안의 도 2a의 전자 디바이스(100)를 도시한다. 입력 구조(101)의 하우징(204)을 향한 병진은 캡(202)과 하우징(204) 및/또는 칼라(208) 사이의 갭들을 감소시킨다.
이동가능한 전도체들(212a, 212b)이 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 별개의 부품들로 도시되고 설명되었으나, 이는 예시적인 것임이 이해된다. 다양한 구현예들에서, 이동가능한 전도체들(212a, 212b)은 하나의 단일화된 부품일 수 있다. 예를 들어, 일부 구현예들에서, 이동가능한 전도체들(212a, 212b)은 유연성 실리콘(213a, 213b) 주위에 위치된 고리일 수 있다.
다양한 구현예들에서, 전자 디바이스(100)는 입력 구조(101)의 이동과 상호작용하는 추가적 부품들을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 전자 디바이스(100)는 하우징(204)을 향한 입력 구조(101)의 병진에 저항하고/하거나 힘이 가해진 후 그러한 병진을 반전시키는 하나 이상의 부품들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 일부 구현예들에서, 전자 디바이스(100)는 스템(203)과 다양한 방식들로 연결된 돔 스위치(dome switch) 또는 유사한 액추에이터 메커니즘을 포함할 수 있다. 스템(203)의 병진은 돔 스위치를 압축시킬 수 있다. 따라서, 돔 스위치는 스템(203)의 병진에 저항할 수 있다. 그러나, 스템(203)을 병진시키는 충분한 힘은 저항을 극복하고 돔 스위치를 압축시킬 수 있다. 힘이 가해지고 난 후, 돔 스위치는 압축해제될 수 있다. 이는 스템(203)의 병진을 반전시킬 수 있다.
다양한 실시예들에서, 돔 스위치의 압축은 스템(203)의 병진에 응답하여 촉각적 출력을 또한 제공할 수 있다. 다양한 구현예들에서, 프로세싱 유닛(223)은 돔 스위치의 압축 또는 활성화에 관련된 하나 이상의 신호들을 수신할 수 있다. 예를 들어, 도 5의 힘-검출 입력 구조의 제4 예를 참조한다.
다수의 실시예들에서, 전자 디바이스(100)는 스템(203)의 회전, 병진, 또는 다른 이동을 검출하기 위한 다양한 메커니즘들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 다양한 구현예들에서, 하나 이상의 검출가능한 요소들이 스템(203) 및/또는 스템(203)에 결합된 다른 부품들 상에 위치될 수 있다. 검출가능한 요소는 검출기에 의해 검출가능한 임의의 메커니즘일 수 있다. 검출기는 스템(203)의 병진의, 회전의, 및/또는 횡방향의 이동을 추적하기(track) 위해 검출가능한 요소를 검출할 수 있다. 일부 구현예들에서, 검출기는 광학 검출기일 수 있고, 검출가능한 요소는 광학 검출기가 검출기에 대한 스템(203)의 위치 및/또는 이동을 결정하기 위해 검출하는 일련의 부호화된 마킹들일 수 있다.
전자 디바이스(100)는 다양한 추가의 부품들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 커버 글래스(224) 및/또는 디스플레이, 터치 디스플레이 등이 하우징(204)에 결합될 수 있다. 다양한 구성들이 가능하며 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 고려된다.
도 2a 내지 도 2c에서는 입력 구조(101)가 입력 구조(101)를 횡방향으로 이동시키기 위해 인가된 힘의 양을 검출하는 데 사용될 수 있는, 칼라(208) 내에 배치된 용량성 센서들을 갖는 것으로서 도시하였으나, 이는 예시적인 것임이 이해된다. 입력 구조(101)의 다양한 구성들이 가능하며 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 고려된다.
예를 들어, 도 3은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조(301)의 제2 예를 도시한다. 도 2a 내지 도 2c의 입력 구조(101)와 유사하게, 힘-검출 입력 구조(301)는 하우징(304), 본체, 또는 다른 인클로저에 칼라(308) 또는 다른 커플러를 통해 슬라이딩 가능하게 결합된 스템(303)을 포함한다. 그러나, 이 예에서, 칼라(308)는 용량성 센서들을 포함하지 않을 수 있다. 대신에, 부싱들(307a, 307b)이 힘-검출 입력 구조(301)에 인가된 힘을 검출하는 데 사용될 수 있는 용량성 센서들을 포함할 수 있다. 용량성 센서들은 유연성 재료(342a, 342b)에 의해 분리된 제1 전도체들(341a, 341b) 및 제2 전도체들(343a, 343b)을 각각 포함할 수 있다. 유연성 재료(342a, 342b)는 스템(303)의 횡방향 이동에 응답하여 제1 전도체들(341a, 341b) 및 제2 전도체들(343a, 343b)의 이동을 허용한다. 플렉스 회로들(314a, 314b)은 칼라(308)를 통해 부싱들(307a, 307b)로 연장되어 각각의 용량성 센서들을 프로세싱 유닛(323)에 연결한다.
이 예에서, 제1 전도체들(341a, 341b) 및 제2 전도체들(343a, 343b)은 전도성인 재료들로 형성되지만, 여전히 칼라(308)에 대해 스템(303)의 슬라이딩을 허용할 수 있다. 예를 들어, 금속-도핑된 중합체들과 같은 유연성 용량성 재료들이 사용될 수 있다. 다른 구현예들에서, 슬라이딩을 허용하지 않는 전도성 재료들은 슬라이딩을 허용하는 재료 내에 매립될 수 있다.
다른 구현예들에서, 부싱들(307a, 307b)은 그러한 전도성 재료들을 포함하지 않고, 스템(303)과 칼라(308)의 이동을 허용하도록 유연성일 수 있다. 그러한 다른 구현예들에서, 스템(303)과 칼라(308)의 일부분들은 각각의 용량성 센서들을 형성하는 제1 및 제2 전도체들일 수 있다. 예를 들어, 전체 부싱들(307a, 307b)이 그러한 유연성 재료로 형성될 수 있고, 부싱들(307a, 307b)이 부싱들(307a, 307b) 내에 이동을 허용하는 유연성 재료를 포함할 수 있는 등이다.
도 3에 도시된 예에서는 부싱들(307a, 307b)이 용량성 센서들을 형성하는 컴포넌트들을 포함하는 것으로 도시되었으나, 이는 예시적인 것임이 이해된다. 다른 구현예들에서, 용량성 센서들은, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 개스킷(309)과 같은 다른 컴포넌트들 내의 요소들에 의해 형성될 수 있다. 또한, 도 2a 내지 도 2c 및 도 3의 입력 구조들(101 및 301)이 입력 구조들(101 및 301)을 횡방향으로 이동시키는 힘의 양을 검출하는 데 사용되는 용량성 센서들을 도시하고 있으나, 이들은 예시적인 것임이 이해된다. 다른 구현예들에서 입력 구조들은, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 다른 방향들로 가해지는 힘의 양들을 검출하도록 구성될 수 있다.
예를 들어, 도 4는 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조(401)의 제3 예를 도시한 것으로, 입력 구조(401)를 하우징(404)을 향하고/향하거나 그로부터 멀어지게 병진시키는 힘의 양들이 검출될 수 있다. 도 2a 내지 도 2c의 입력 구조(101)와 유사하게, 입력 구조(401)는 유연성 재료(444a, 444b), 이동가능한 부분들(412a, 412b), 및 플렉스 회로들(414a, 414b) 또는 다른 전도성 재료들을 포함한다. 그러나, 이 예에서, 이동가능한 부분들(412a, 412b)은 입력 구조(401)의 병진에 의해 이동가능하다. 따라서, 이동가능한 부분들(412a, 412b)에 의해 형성된 용량성 센서들, 플렉스 회로들(414a, 414b), 및 유연성 재료(444a, 444b)는 입력 구조(401)를 병진시키는 힘의 양들을 검출하는 데 사용될 수 있다.
여전히 다른 예들에서, 용량성 센서들은 입력 구조(401)의 다른 컴포넌트들 및/또는 그러한 입력 구조(401)들을 포함하는 전자 디바이스들에 의해 형성될 수 있다. 도 5는 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조(501)의 제4 예를 도시한 것으로, 스템(503)과 돔 스위치(522) 또는 다른 액추에이터 사이에 위치된 전단 플레이트(shear plate)(521)는 그러한 용량성 센서를 포함한다.
이 실시예에서, 구조(517)는 칼라(508)를 하우징(504)에 결합시킨다. 돔 스위치(522)는 스템(503)의 병진이 돔 스위치(522)를 압축시킬 수 있도록 구조(517)에 장착된다. 전단 플레이트(521)는 돔 스위치(522)를 스템(503)으로부터 분리시킨다. 플렉스 회로(518) 및/또는 다른 전기 연결부들이 돔 스위치(522)와 프로세싱 유닛(523)을 연결한다.
이 예에서, 전단 플레이트(521)는 유연성 재료(546)에 의해 제2 전도체(547)로부터 분리된 제1 전도체(545)에 의해 형성된 용량성 센서를 포함한다. 용량성 센서는 입력 구조(501)를 병진시키는 힘의 양들을 검출하는 데 사용될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c의 입력 구조(101)와 대조적으로, 이 구현예는 단일화된 칼라(508)의 사용을 허용하면서 입력 구조(501)를 사용한 힘의 검출을 허용할 수 있다. 이 구현예는 칼라(508), 개스킷(511), 등을 통해 플렉스 회로(514)를 연장시키지 않으면서 입력 구조(501)를 사용한 힘의 검출을 또한 허용할 수 있다.
도 2a 내지 도 5에 도시된 예들은 프로세싱 유닛들(223 내지 523)을 각각의 용량성 센서들에 직접 연결하고 있으나, 이들은 예시적인 것임이 이해된다. 다른 구성들이 가능하며 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 고려된다. 예를 들어, 다양한 구현예들에서, 단일화된 칼라들(208 내지 508)을 허용하고/하거나 전기 연결부들을 개스킷들(211 내지 511) 및/또는 다른 컴포넌트들을 통해 연장시키지 않는, 무선 연결부들 및/또는 무선 전송 메커니즘들이 사용될 수 있다.
예를 들어, 도 6은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조(601)의 제5 예를 도시한 것으로, 유도성 코일들(649, 650)을 용량성 센서들을 (플렉스 회로(648) 및/또는 다른 전기 연결부를 통해) 프로세싱 유닛(623)에 전기적으로 연결하기 위한 무선 전송 메커니즘으로서 사용한다. 이 예에서, 유도성 코일들(649, 650)이 유도적으로 전력을 교환하여 프로세싱 유닛(623)은 이동가능한 부분들(612a, 612b), 유연성 재료(613a, 613b), 플렉스 회로들(614a, 614b) 및/또는 다른 전기 연결부에 의해 형성된 용량성 센서들의 커패시턴스의 변화들을 수신한다. 이 방식으로, 프로세싱 유닛(623)은 개스킷(611)을 통해 플렉스 회로(648)를 연장하지 않으면서 인가된 힘을 결정할 수 있다.
도 2a 내지 도 6에 도시된 예들은 다양한 입력 구조들(101 내지 601)에 인가된 힘을 다양한 각각의 용량성 센서들을 사용하여 검출하지만, 이들은 예시적인 것임이 이해된다. 다양한 구현예들에서, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 용량성 센서들 이외의 그리고/또는 그것들에 부가적으로 힘 검출 센서들이 사용될 수 있다. 예를 들어, 다양한 구현예들에서, 변형되는 경우 전압을 생성하는 압전 재료가 사용될 수 있다. 그러한 예들에서, 전압은 변형량, 따라서 가해진 힘에 비례적일 수 있다. 따라서, 압전 재료에 의해 생성된 전압은 가해진 힘을 결정하기 위해 힘의 양들과 상관될 수 있다.
다른 예로써, 다양한 구현예들에서 용량성 센서들 대신에 그리고/또는 그것들에 부가적으로 스트레인 게이지들이 힘 검출 센서들로서 사용될 수 있다. 도 7은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조(701)의 제6 예를 도시한 것으로, 입력 구조(701) 상에 가해진 힘을 결정하기 위해 스트레인 게이지들(751a, 751b)을 활용한다.
이 예에서, 칼라(708)는 스템(703)에 의해 전달된 힘에 의해 스트레인될 수 있는 재료들로부터 형성될 수 있다. 스트레인 게이지들(751a, 751b)은 전달된 힘에 의해 스트레인된 칼라(708)의 영역들 내의 칼라(708) 상에 배치된다. 프로세싱 유닛(723)은 플렉스 회로들(714a, 714b) 및/또는 전기 연결부들을 통해 스트레인을 나타내는 신호들을 수신하고 입력 구조(701)에 인가된 힘을 결정하기 위해 스트레인을 힘의 양들과 상관시킬 수 있다.
도 7은 스트레인 게이지들(751a, 751b)의 특정 구성을 도시하지만, 이는 예시적인 것임이 이해된다. 다양한 구현예들에서, 다양한 컴포넌트들이 입력 구조(701)에 인가된 힘에 의해 스트레인될 수 있고, 스트레인 게이지들(751a, 751b)이 그러한 컴포넌트들 상에 그리고/또는 내에 배치될 수 있다.
예를 들어, 도 8은 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조(801)의 제7 예를 도시한다. 이 예에서, 스템(803)의 샤프트는 스템(803) 상에 가해진 힘에 의해 스트레인되는 재료로부터 형성될 수 있고, 스트레인 게이지들(852a, 852b)은 샤프트 상에 배치될 수 있다. 프로세싱 유닛(823)은 (프로세싱 유닛(823)이 플렉스 회로(814) 및/또는 다른 전기 연결부들을 통해 결합될 수 있는) 유도성 코일들(853, 854)을 통해 스트레인 게이지들(852a, 852b)로부터 스트레인 데이터를 수신할 수 있다. 프로세싱 유닛(823)은 입력 구조(801)에 인가된 힘을 결정하기 위해 스트레인을 힘의 양들과 상관시킨다.
다른 예로서, 도 9는 추가의 실시예들에 따른 힘-검출 입력 구조(901)의 제8 예를 도시한다. 이 예에서, 스템(903)의 아암들(955a, 955b)은 스템(903) 상에 가해진 힘에 의해 스트레인되는 재료로부터 형성될 수 있고, 스트레인 게이지들(952a, 952b)은 아암들(955a, 955b) 상에 배치될 수 있다. 프로세싱 유닛(923)은 유도성 코일들(953, 954)과 플렉스 회로(914) 및/또는 다른 전기 연결부를 통해 스트레인 데이터를 무선으로 수신하고 스트레인을 힘의 양들과 상관시킬 수 있다.
도 2a 내지 도 9는 각각의 입력 구조들(101 내지 901)에 다양한 방향들에서 인가된 힘들의 양을 검출하도록 다양하게 구성 및 위치된 다양한 힘 센서들을 도시 및 설명하였으나, 이들은 예시적인 것임이 이해된다. 다양한 구현예들에서, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 임의의 종류의 힘 센서들이 입력 구조들(101 내지 901) 상에 가해질 수 있는 다양한 상이한 힘들의 양들 검출하기 위해 다양한 상이한 영역들 내에 위치될 수 있다.
또한, 도 2a 내지 도 9에 대해 입력 구조들(101 내지 901)이 크라운들로서 도시되고 있지만, 이들은 예시적인 것임이 이해된다. 다양한 구현예들에서, 본 명세서에 논의된 기법들은 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 다양한 상이한 입력 메커니즘들 및/또는 입력 메커니즘 조립체들을 이용해 활용될 수 있다. 그러한 입력 메커니즘들은 병진 입력, 회전 입력, 횡방향 이동과 관계된 입력, 및/또는 다양한 상이한 이동 관련 입력을 수신하도록 동작가능할 수 있다.
추가적으로, 도 1 내지 도 9의 전자 디바이스들(100)이 스마트 워치로서 도시되었지만, 이들은 예시적인 것임이 이해된다. 다양한 구현예들에서, 본 명세서에 도시 및 설명된 기법들은 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 다양한 상이한 디바이스들을 이용해 활용될 수 있다. 그러한 디바이스들은 웨어러블 전자 디바이스들, 랩톱 컴퓨팅 디바이스들, 셀룰러 전화기들, 디스플레이들, 태블릿 컴퓨팅 디바이스들, 모바일 컴퓨팅 디바이스들, 스마트 폰들, 디지탈 미디어 플레이어들, 데스크톱 컴퓨팅 디바이스들, 프린터들, 스피커들, 입력 디바이스들, 등을 포함할 수 있다.
도 10은 크라운 또는 다른 입력 구조에 인가된 힘을 검출하기 위한 예시적인 방법(1000)을 도시하는 흐름도를 도시한다. 이 방법(1000)은 도 1 내지 도 6의 전자 디바이스들(100)에 의해 수행될 수 있다.
1010에서, 전자 디바이스가 동작한다. 흐름은 1020으로 진행하고 전자 디바이스는 크라운과 같은 입력 메커니즘 상에 가해진 힘과 연관된 하나 이상의 용량성 센서들의 커패시턴스를 모니터링한다. 다음으로, 흐름은 1030으로 진행하고 전자 디바이스는 커패시턴스가 변화했는지 여부를 결정한다.
커패시턴스가 변화하지 않았다면, 흐름은 1010으로 복귀하고 전자 디바이스는 동작을 계속한다. 그렇지 않다면, 흐름은 1040으로 진행한다.
1040에서, 전자 디바이스가 크라운과 같은 입력 메커니즘 상에 가해진 힘과 연관된 하나 이상의 용량성 센서들의 커패시턴스가 변화했는지 결정한 후에, 전자 디바이스는 커패시턴스 변화를 힘의 양과 상관시킨다. 흐름은 이어서 1050으로 진행하고, 전자 디바이스는 힘의 양에 대응되는 하나 이상의 액션들을 수행한다.
예를 들어, 전자 디바이스는 힘의 양을 디스플레이 상에 디스플레이된 아이콘을 선택하고/하거나 그러한 아이콘과 연관된 애플리케이션을 실행하라고 나타내는 입력인 것으로 해석할 수 있다. 일부 예들에서, 전자 디바이스는 힘의 양이 제1 힘 임계치를 초과하는 경우, 디스플레이 상에 디스플레이된 아이콘을 선택하라고 나타내는 입력으로, 그리고 힘의 양이 보다 큰 제2 임계치를 초과하는 경우, 그 아이콘과 연관된 애플리케이션을 실행하라고 나타내는 입력으로 힘의 양을 해석할 수 있다. 이러한 방식으로, 힘의 인가는, 일반적으로 아이콘의 단일 마우스 클릭 및 더블 마우스 클릭에 의해 트리거되는 액션들을 입력 디바이스로서 마우스를 활용하지 않으면서 시그널링하기 위해 사용자에 의해 사용될 수 있다.
1050부터, 전자 디바이스가 힘의 양에 대응되는 하나 이상의 액션들을 수행하고 난 후에, 흐름은 1010으로 복귀한다. 1010에서, 전자 디바이스가 동작을 계속한다.
비록 특정 순서에 따라 수행되는 특정 동작들을 포함하는 것으로 예시적인 방법(1000)이 도시되고 설명되었으나, 이는 예시적인 것임이 이해된다. 다양한 구현예들에서, 동일, 유사, 및/또는 상이한 동작들의 다양한 순서들이 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서 수행될 수 있다.
예를 들어, 예시적인 방법(1000)은 용량성 센서의 커패시턴스의 변화들을 모니터링하고 그러한 변화들에 기초하여 힘의 양들을 결정하는 것으로 도시 및 설명된다. 그러나, 다양한 구현예들에서, 본 발명의 범위를 벗어나지 않으면서, 용량성 센서들 이외의 힘 검출 센서들이 사용될 수 있다. 그러한 다른 힘 센서들의 사용은 압전 재료의 변형에 의해 생성된 전압들을 모니터링하고, 하나 이상의 스트레인 게이지들로부터 신호들을 수신하는 등을 포함할 수 있다.
위에 설명되고 첨부 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명은 크라운 또는 버튼, 키, 스위치, 표면 등과 같은, 전자 디바이스 내에 포함된 다른 입력 메커니즘에 관한 것이다. 크라운은 회전, 병진, 횡방향으로 이동하는 등을 할 수 있다. 크라운은 입력 메커니즘 내에 위치되어 크라운에 인가된 힘의 양을 결정하는 데 사용될 수 있는 하나 이상의 센서들을 포함할 수 있다. 이러한 방식으로, 크라운은 사용자로부터 다양한 상이한 입력들을 수신하는 데 사용될 수 있다.
본 발명에서, 개시된 방법들은 디바이스에 의해 판독가능한 명령어들의 세트들 또는 소프트웨어로서 구현될 수 있다. 또한, 개시된 방법들에서 단계들의 특정 순서 또는 계층은 샘플 접근법들의 예시들임이 이해된다. 다른 실시예들에서, 방법에서 단계들의 특정 순서 또는 계층은 개시된 요지 내에 남아있으면서 재배열될 수 있다. 첨부된 방법 청구항들은 샘플 순서로 다양한 단계들의 요소들을 나타내고, 반드시 제시된 특정 순서 또는 계층으로 제한되는 것을 의미하는 것은 아니다.
전술한 설명은, 설명의 목적을 위해, 설명된 실시예들의 충분한 이해를 제공하기 위해 특정 명명법을 사용하였다. 그러나, 특정 상세사항들은 설명된 실시예들을 실시하는 데 필수적인 것은 아니라는 것이 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 따라서, 본 명세서에 설명된 특정 실시예들의 전술한 설명들은 예시 및 설명의 목적을 위해 제시된다. 이들은 총망라하고자 하거나 실시예들을 개시된 정확한 형태들로 제한하려고 하는 것은 아니다. 많은 수정들 및 변형들이 상기 교시 내용들에 비추어 가능하다는 것이 통상의 기술자에게 명백할 것이다.

Claims (20)

  1. 전자 시계로서,
    개구를 한정하는 하우징;
    상기 하우징의 상기 개구 내에 적어도 부분적으로 위치하는 터치 디스플레이(touch display);
    상기 하우징의 측면을 따라 위치하는 크라운(crown) - 상기 크라운은:
    힘 입력을 수신하도록 구성된 캡; 및
    상기 캡에 결합되고, 제1 전도성 요소 및 상기 제1 전도성 요소로부터 분리된 제2 전도성 요소를 포함하는 힘 센서를 포함함 -; 및
    상기 하우징 내에 위치하고 상기 힘 센서에 동작가능하게 결합된 프로세싱 유닛 - 상기 프로세싱 유닛은 상기 제1 전도성 요소와 상기 제2 전도성 요소 사이의 커패시턴스의 변화에 기초하여 상기 힘 입력의 양을 산정(estimate)하도록 구성됨 - 을 포함하는 전자 시계.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 크라운은 상기 캡에 결합된 스템(stem)을 더 포함하고;
    상기 개구는 제1 개구이고;
    상기 하우징은 상기 하우징의 상기 측면을 따라 제2 개구를 한정하고;
    상기 크라운의 상기 스템은 상기 제2 개구 내로 연장되고 상기 하우징에 회전가능하게 결합되는, 전자 시계.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 힘 센서는 상기 크라운의 상기 스템 및 상기 크라운의 상기 캡 사이에 위치하고;
    상기 힘 입력은 상기 캡이 상기 스템에 대해 이동하도록 야기하고;
    상기 캡의 이동은 상기 제1 전도성 요소와 상기 제2 전도성 요소 사이의 커패시턴스의 변화를 야기하는, 전자 시계.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 힘 센서는 상기 스템의 단부를 따라 위치하고;
    상기 힘 입력은 상기 캡과 상기 스템이 상기 하우징에 대해 이동하도록 야기하고;
    상기 캡과 상기 스템의 이동은 상기 제1 전도성 요소와 상기 제2 전도성 요소 사이의 커패시턴스의 변화를 야기하는, 전자 시계.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전자 시계는 상기 스템의 상기 단부를 따라 위치하는 돔 스위치(dome switch)를 더 포함하고;
    상기 힘 센서는 상기 돔 스위치와 상기 스템 사이에 위치하는, 전자 시계.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전도성 요소는 유연성 재료에 의해 상기 제2 전도성 요소로부터 분리되고;
    상기 힘 입력은 상기 제1 전도성 요소를 상기 제2 전도성 요소에 더 가깝게 이동시키도록 상기 유연성 재료가 변형되도록 야기하는, 전자 시계.
  7. 제6항에 있어서, 상기 유연성 재료는 실리콘 재료인, 전자 시계.
  8. 전자 시계로서,
    하우징;
    상기 하우징 내에 적어도 부분적으로 위치하는 디스플레이;
    상기 하우징에 회전가능하게 결합되고 회전 입력을 수신하도록 구성된 크라운 - 상기 크라운은 상기 크라운에 인가된 힘에 응답하여 변형되도록 구성된 힘 센서를 포함함 -; 및
    상기 하우징 내에 배치되고, 상기 힘 센서에 동작가능하게 결합되며, 상기 힘 센서의 출력에 응답하여 상기 힘의 양을 산정하도록 구성된 프로세싱 유닛을 포함하고,
    상기 디스플레이는 상기 프로세싱 유닛에 의해 산정된 상기 힘의 양에 응답하고, 상기 디스플레이는 상기 크라운에 의해 수신된 상기 회전 입력에 응답하는, 전자 시계.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 힘 센서는 제1 전도성 요소 및 제2 전도성 요소를 포함하고;
    유연성 재료가 상기 제1 전도성 요소와 상기 제2 전도성 요소 사이에 위치하고;
    상기 유연성 재료는 상기 크라운에 인가된 상기 힘에 응답하여 변형되도록 구성되는, 전자 시계.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전자 시계는 상기 하우징에 결합된 내부 코어(inner core)를 더 포함하고;
    상기 크라운은 상기 내부 코어에 결합된 캡을 포함하고;
    상기 제1 전도성 요소는 상기 내부 코어에 대해 고정되고;
    상기 제2 전도성 요소는 상기 캡에 대해 고정되는, 전자 시계.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 크라운은 상기 힘을 수신하도록 구성된 캡을 포함하고;
    상기 힘은 상기 캡을 상기 하우징 쪽으로 변위(displace)시키는, 전자 시계.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 힘은 제1 힘이고;
    상기 크라운은 상기 제1 힘을 수신하도록 구성된 캡을 포함하고;
    상기 캡은 상기 제1 힘을 수신하는 것에 응답하여 상기 하우징 쪽으로 향하는 제1 방향으로 변위되도록 구성되고;
    상기 캡은 제2 힘을 수신하도록 구성되고;
    상기 캡은 상기 제2 힘에 응답하여 상기 제1 방향에 횡방향인 제2 방향으로 변위되도록 구성되고;
    상기 디스플레이는 상기 크라운에 인가되는 상기 제2 힘에 응답하는, 전자 시계.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 디스플레이는 아이콘을 디스플레이하도록 구성되고;
    상기 프로세싱 유닛은 상기 힘의 양이 임계치를 초과하는지 여부를 결정하도록 구성되고;
    상기 아이콘과 연관된 애플리케이션은 상기 임계치를 초과하는 상기 힘에 응답하여 실행되는, 전자 시계.
  14. 전자 시계로서,
    하우징;
    상기 하우징 내에 적어도 부분적으로 위치하고, 그래픽 출력(graphical output)을 디스플레이하도록 구성된 디스플레이;
    상기 하우징에 결합된 크라운 - 상기 크라운은:
    힘을 수신하도록 구성된 외부 표면을 한정하는 캡; 및
    상기 캡에 결합되고, 상기 수신된 힘에 응답하여 비-바이너리(non-binary) 출력을 생성하도록 구성된 힘 센서를 포함함 -; 및
    상기 비-바이너리 출력에 응답하여 상기 디스플레이의 상기 그래픽 출력을 수정하도록 구성된 프로세싱 유닛을 포함하는 전자 시계.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 힘 센서는 제1 전도성 요소와 제2 전도성 요소를 포함하고;
    상기 제1 전도성 요소는 유연성 유전체 재료에 의해 상기 제2 전도성 요소로부터 분리되고;
    상기 힘 센서는 상기 수신된 힘에 의해 야기된 상기 제1 전도성 요소와 상기 제2 전도성 요소 사이의 커패시턴스의 변화에 기초하여 상기 비-바이너리 출력을 생성하도록 구성되는, 전자 시계.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 크라운은 상기 캡에 결합된 스템을 포함하고;
    상기 제1 전도성 요소는 상기 캡에 대해 고정되고;
    상기 제2 전도성 요소는 상기 스템에 대해 고정되는, 전자 시계.
  17. 제14항에 있어서, 상기 프로세싱 유닛은 상기 비-바이너리 출력이 임계치를 초과하는지 여부를 결정하도록 구성되는, 전자 시계.
  18. 제17항에 있어서, 상기 전자 시계는 상기 비-바이너리 출력이 상기 임계치를 초과하는 것에 응답하여 애플리케이션을 실행하도록 구성되는, 전자 시계.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 힘 센서는 스트레인 게이지(strain gauge)를 포함하고;
    상기 스트레인 게이지는 상기 수신된 힘에 응답하여 상기 비-바이너리 출력을 생성하도록 구성되는, 전자 시계.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 힘 센서는 압전 소자(piezoelectric element)를 포함하고;
    상기 압전 소자는 상기 수신된 힘에 응답하여 상기 비-바이너리 출력을 생성하도록 구성되는, 전자 시계.
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