JPS6139958U - 電界効果トランジスタ - Google Patents
電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPS6139958U JPS6139958U JP12381884U JP12381884U JPS6139958U JP S6139958 U JPS6139958 U JP S6139958U JP 12381884 U JP12381884 U JP 12381884U JP 12381884 U JP12381884 U JP 12381884U JP S6139958 U JPS6139958 U JP S6139958U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- effect transistor
- insulating film
- active layer
- gate insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は本考案に係る電界効果トランジスタをＭＯＳ
ＴＦＴに適用したー実施例を示す斜視図、第２図は第
１図に示すＭＯＳ ＴＦＴのＡ−Ａ線についての部分断
面図、第３図は本考案の変形例を示す第２図と同様な部
分断面図、第４図は従来のＭＯＳ ＴＦＴを示す斜視
図である。 なお図面に用いた符号において、１・・・・・！石英基
板、２・・・・・・活性層、３・・・・・・ゲート絶縁
膜、４・・・・・・４ゲート電極、５・・・・・・ソー
ス領域、６・・・・・・ドレイン領域、訃・・・・・溝
、９・・・・・・チャンネル、である。
ＴＦＴに適用したー実施例を示す斜視図、第２図は第
１図に示すＭＯＳ ＴＦＴのＡ−Ａ線についての部分断
面図、第３図は本考案の変形例を示す第２図と同様な部
分断面図、第４図は従来のＭＯＳ ＴＦＴを示す斜視
図である。 なお図面に用いた符号において、１・・・・・！石英基
板、２・・・・・・活性層、３・・・・・・ゲート絶縁
膜、４・・・・・・４ゲート電極、５・・・・・・ソー
ス領域、６・・・・・・ドレイン領域、訃・・・・・溝
、９・・・・・・チャンネル、である。
Claims (1)
- チャンネルが形成される活性層と、この活性層上に設け
られているゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に設け
られているゲート電極と、ソース領域と、ドレイン領域
とをそれｆ′れ具備する電界効果トラＡジスタにおいて
、上記ゲート絶縁膜と上記活性層との界面を波状に形成
し、これによってチャンネル幅を実効的に大きくしたこ
とを特徴とする電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12381884U JPS6139958U (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12381884U JPS6139958U (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139958U true JPS6139958U (ja) | 1986-03-13 |
Family
ID=30682553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12381884U Pending JPS6139958U (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139958U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018064112A (ja) * | 2002-01-28 | 2018-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-08-13 JP JP12381884U patent/JPS6139958U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018064112A (ja) * | 2002-01-28 | 2018-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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